JP2002043225A - Film formation method of polycrystalline silicon film and its film formation device - Google Patents
Film formation method of polycrystalline silicon film and its film formation deviceInfo
- Publication number
- JP2002043225A JP2002043225A JP2000221626A JP2000221626A JP2002043225A JP 2002043225 A JP2002043225 A JP 2002043225A JP 2000221626 A JP2000221626 A JP 2000221626A JP 2000221626 A JP2000221626 A JP 2000221626A JP 2002043225 A JP2002043225 A JP 2002043225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- halogen
- frequency
- gas containing
- polycrystalline silicon
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコン膜
の成膜方法とその成膜装置に関し、さらに詳しくは、大
面積基板上に直接多結晶シリコン膜を成膜する方法とそ
の成膜装置に関するものである。The present invention relates to a method and an apparatus for forming a polycrystalline silicon film, and more particularly, to a method and an apparatus for forming a polycrystalline silicon film directly on a large area substrate. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、安価なガラス基板上に多結晶シリ
コン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜を形成しこれを用いて薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することにより、ガラス
基板上に駆動回路が形成された液晶表示装置が実現され
るようになってきている。一般にｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の
形成法としては、一旦非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜
を堆積した後に、熱アニールまたはエキシマレーザアニ
ールによりａ−Ｓｉ薄膜を結晶化させてｐｏｌｙ−Ｓｉ
薄膜を得る間接的な形成法が用いられる。間接形成法に
よるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の場合、ＴＦＴの電界効果移動
度は１００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上が得られ、特にレーザア
ニール法を用いた場合、３００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上の値
を示すこともある。しかし、この間接的な形成法の場
合、直接ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を成膜する方法と比較して
結晶化工程が余分に必要となるため、コストが上がりス
ループットが低下するという問題点がある。2. Description of the Related Art In recent years, a polycrystalline silicon (poly-Si) thin film is formed on an inexpensive glass substrate, and a thin film transistor (TFT) is formed using the thin film. Display devices have been realized. Generally, a poly-Si thin film is formed by depositing an amorphous silicon (a-Si) thin film and then crystallizing the a-Si thin film by thermal annealing or excimer laser annealing.
An indirect method of forming a thin film is used. For poly-Si thin film by an indirect method for forming a field effect mobility of the TFT is 100cm 2 / V · s or more is obtained, especially when using a laser annealing method, it shows a value of more than 300cm 2 / V · s There is also. However, in the case of this indirect formation method, an extra crystallization step is required as compared with the method of directly forming a poly-Si thin film, so that there is a problem that the cost increases and the throughput decreases.
【０００３】一方、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法あ
るいは減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法などにより、ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ薄膜を直接成膜する場合、Ｓｉ結晶粒径が小さ
く、膜の電界効果移動度が低いという問題がある。従っ
て、直接法によるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は実際のＴＦＴに
は、ゲート配線として利用されることはあっても、活性
層として利用することは困難であった。[0003] On the other hand, by a plasma CVD (PECVD) method or a low pressure CVD (LPCVD) method, the pol
When a y-Si thin film is directly formed, there is a problem that the Si crystal grain size is small and the field effect mobility of the film is low. Therefore, although the poly-Si thin film obtained by the direct method is used as a gate wiring in an actual TFT, it is difficult to use it as an active layer.
【０００４】例えば、マテリアル・リサーチ・ソサエテ
ィ・シンポジウム・プロシーディングス２８３巻６２９
−６３４頁（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒ
ｏｃ．，Ｖｏｌ．２８３，ｐｐ．６２９−６３４）にＫ
ｏｎｏらにより開示されているように、ＳｉＨ4／Ｓｉ
Ｆ4ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりｐｏｌｙ−Ｓｉ薄
膜を直接形成することが可能であるが、しかしｐｏｌｙ
−Ｓｉ薄膜を活性層としたＴＦＴの電界効果移動度は最
大４４ｃｍ2／Ｖ・ｓに留まっている。ここで、ハロゲ
ン元素であるフッ素（Ｆ）を含むＳｉＦ4ガスを用いて
いるのは、ハロゲンが結晶化を促進するためである。For example, Material Research Society Symposium Proceedings 283 Vol.
-634 (Mat. Res. Soc. Symp. Pr.
oc. , Vol. 283 pp. 629-634)
As disclosed by Ono et al., SiH 4 / Si
Although it is possible to directly form a poly-Si thin film by the PECVD method using F 4 gas,
Field effect mobility of a TFT and an active layer -Si thin film remains at maximum 44cm 2 / V · s. Here, the reason why the SiF 4 gas containing the halogen element fluorine (F) is used is that the halogen promotes crystallization.
【０００５】一般にＰＥＣＶＤ法による成膜において
は、気相中の原子が基板あるいは既に成膜された膜表面
に吸着する堆積と、既に成膜された膜表面の原子が気相
中に乖離するエッチングとが共存する。ハロゲン元素の
役割としては、既に堆積された膜のエッチング効果と原
子の再配列効果により、結晶化を促進すると考えられて
いる。しかし、この方法により得られるものは結晶組織
の欠陥密度が大きく、結晶粒径が小さいため、高移動度
の膜を得ることは困難である。In general, in film formation by the PECVD method, deposition in which atoms in the gas phase are adsorbed on the substrate or the surface of a film that has been formed, and etching in which atoms on the surface of the film that has been formed are separated into the gas phase. And coexist. It is considered that the role of the halogen element promotes crystallization due to the etching effect of the already deposited film and the rearrangement effect of atoms. However, the film obtained by this method has a high defect density in the crystal structure and a small crystal grain size, so that it is difficult to obtain a film with high mobility.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上述
の従来例の問題点を解決することであって、その目的
は、堆積とエッチングの反応をそれぞれ独立に制御でき
るようにすることにより、大面積基板上に大粒径、高移
動度の多結晶シリコン薄膜を直接形成できるようにする
ことである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to make it possible to independently control the reactions of deposition and etching. Another object of the present invention is to enable a polycrystalline silicon thin film having a large grain size and a high mobility to be directly formed on a large area substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロ
ゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラ
ズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法におい
て、プラズマを形成するために印加する高周波の周波数
を変化させることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜
方法、が提供される。そして、好ましくは、前記印加す
る高周波の周波数は、低・高周波と高・高周波との２周
波数である。また、好ましくは、前記印加する高周波の
周波数が低いときにハロゲンを含まない珪化物ガスがチ
ャンバ内に導入され、前記印加する高周波の周波数が高
いときにハロゲンを含む珪化物ガスがチャンバ内に導入
される。According to the present invention, a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen are introduced into a chamber to form a plasma. In the method for forming a crystalline silicon film, there is provided a method for forming a polycrystalline silicon film, wherein a frequency of a high frequency applied for forming plasma is changed. Preferably, the frequency of the applied high frequency is two frequencies of a low / high frequency and a high / high frequency. Preferably, a silicide gas containing no halogen is introduced into the chamber when the frequency of the applied high frequency is low, and a silicide gas containing halogen is introduced into the chamber when the frequency of the applied high frequency is high. Is done.
【０００８】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含ま
ない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成
して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、ハロゲ
ンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスと
がそれぞれ異なる反応室に導入し、かつ、ハロゲンを含
む珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形成す
るために印加される高周波の周波数が高くハロゲンを含
まない珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形
成するために印加される高周波の周波数が低いことを特
徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法、が提供される。According to the present invention, a polycrystalline silicon film is formed by introducing a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen into a chamber to form plasma. In the method for forming a film, a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen are introduced into different reaction chambers, respectively, and a plasma is formed in the reaction chamber where the silicide gas containing halogen is introduced. A high frequency of a high frequency applied to the substrate and a low frequency of a high frequency applied to form plasma in a reaction chamber into which a silicide gas containing no halogen is introduced. , Are provided.
【０００９】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含ま
ない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成
して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前記チ
ャンバ内には第１のメッシュ電極を挟んでプラズマ発生
室と基板処理室とが形成されており、前記プラズマ発生
室にはハロゲンを含む珪化物ガスが導入され前記基板処
理室にはハロゲンを含まない珪化物ガスが導入されるこ
とを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法、が提供さ
れる。According to the present invention, a polycrystalline silicon film is formed by introducing a halogen-containing silicide gas and a halogen-free silicide gas into a chamber to form plasma. In the method for forming a film, a plasma generation chamber and a substrate processing chamber are formed in the chamber with a first mesh electrode interposed therebetween, and a silicide gas containing halogen is introduced into the plasma generation chamber, and A method for forming a polycrystalline silicon film is provided, wherein a silicide gas containing no halogen is introduced into the processing chamber.
【００１０】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含ま
ない珪化物ガスとが導入されプラズマを形成して多結晶
シリコン膜を成膜する装置において、プラズマを形成す
るために印加される高周波の発振器が低・高周波用と高
・高周波用との２つが用意され、２つの高周波が切り替
えられて交互に印加されることを特徴とする多結晶シリ
コン膜の成膜装置、が提供される。According to the present invention, in order to achieve the above object, a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen are introduced to form plasma to form a polycrystalline silicon film. The apparatus is characterized in that two high-frequency oscillators, one for low / high frequency and one for high / high frequency, are applied to form plasma, and two high frequencies are switched and applied alternately. An apparatus for forming a crystalline silicon film is provided.
【００１１】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される第１
の反応室とハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される
第２の反応室とが設けられ、それぞれの反応室にてプラ
ズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する装置であっ
て、それぞれの反応室の一壁面はガス噴出口を備えた高
周波印加電極であることを特徴とする多結晶シリコン膜
の成膜装置、が提供される。According to the present invention, in order to achieve the above object, a first silicide gas containing a halogen is introduced.
And a second reaction chamber into which a silicide gas containing no halogen is introduced, wherein plasma is formed in each reaction chamber to form a polycrystalline silicon film. A polycrystalline silicon film forming apparatus is provided, wherein one wall surface of the reaction chamber is a high-frequency application electrode provided with a gas ejection port.
【００１２】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される、高
周波印加電極を備えたプラズマ発生室と、ハロゲンを含
まない珪化物ガスが導入される、一定電圧が印加される
基板ステージを備えた基板処理室とを有し、前記プラズ
マ発生室と前記基板処理室との間に一定電圧が印加され
る第１のメッシュ電極が設けられていることを特徴とす
る多結晶シリコン膜の成膜装置、が提供される。According to the present invention, in order to achieve the above object, according to the present invention, a plasma generation chamber provided with a high-frequency application electrode into which a silicide gas containing halogen is introduced, and a silicide gas containing no halogen are introduced. A substrate processing chamber having a substrate stage to which a constant voltage is applied, and a first mesh electrode to which a constant voltage is applied is provided between the plasma generation chamber and the substrate processing chamber. A polycrystalline silicon film forming apparatus is provided.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て実施例に即して説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の第１の実施例におい
て用いられる平行平板型ＰＥＣＶＤ装置の断面図であ
る。チャンバ１１０内には、基板１０６が搭載される下
部電極を兼ねた基板ステージ１０５と、下方に向けてガ
ス噴出口１０８が開口した上部電極１０１とが配置され
ている。基板ステージ１０５は接地され、またその内部
には基板１０６を加熱するためのヒータ１０９が配置さ
れている。上部電極１０１は、切り替えスイッチ１０４
を介して１００ＭＨｚの高周波を出力するＶＨＦ発振源
１０２と１３．５６ＭＨｚの高周波を出力するｒｆ発振
源１０３の何れかに接続される。上部電極１０１の上部
には、反応ガスを導入するためのガス導入口１１１が設
けられている。チャンバ１１０にはチャンバ内のガスを
排出するための排気口１０７が設けられている。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to examples. [First Embodiment] FIG. 1 is a sectional view of a parallel plate type PECVD apparatus used in a first embodiment of the present invention. In the chamber 110, a substrate stage 105 also serving as a lower electrode on which the substrate 106 is mounted, and an upper electrode 101 having a gas outlet 108 opened downward are arranged. The substrate stage 105 is grounded, and a heater 109 for heating the substrate 106 is disposed inside the substrate stage 105. The upper electrode 101 is provided with a changeover switch 104
Is connected to either the VHF oscillation source 102 that outputs a high frequency of 100 MHz or the rf oscillation source 103 that outputs a high frequency of 13.56 MHz. A gas inlet 111 for introducing a reaction gas is provided above the upper electrode 101. The chamber 110 is provided with an exhaust port 107 for discharging gas in the chamber.
【００１４】本実施例の成膜条件は、基板温度４５０
℃、圧力１００Ｐａ、ＳｉＨ4／Ｈ2／ＳｉＦ4ガス流量
５／２０／６０ｓｃｃｍである。上部電極１０１が、ｒ
ｆ発振源１０３側に２０秒、ＶＨＦ発振源１０２側に１
０秒の間隔で接続されるように切り替えスイッチ１０４
にて切り替えて、１３．５６ＭＨｚと１００ＭＨｚの高
周波が２０秒および１０秒の間隔で繰り返し印加される
ようにした。発振出力は何れも３００Ｗとした。発振時
間が合計１８０秒で基板１０６上に膜厚が６０ｎｍで、
膜平面方向の粒径が約８５ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形
成された。膜平面方向の粒径は、膜断面を透過型電子顕
微鏡にて観察することにより求めた。In the present embodiment, the film forming conditions are as follows.
C., pressure 100 Pa, SiH 4 / H 2 / SiF 4 gas flow rate 5/20/60 sccm. When the upper electrode 101
20 seconds on the f-oscillation source 103 side and 1 on the VHF oscillation source 102 side
Switch 104 so that connection is made at intervals of 0 seconds
And the high frequency of 13.56 MHz and 100 MHz was repeatedly applied at intervals of 20 seconds and 10 seconds. The oscillation output was 300 W in each case. The oscillation time is 180 seconds in total, the film thickness is 60 nm on the substrate 106,
A poly-Si film having a particle size of about 85 nm in the film plane direction was formed. The particle size in the film plane direction was determined by observing the cross section of the film with a transmission electron microscope.
【００１５】このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いて、通常の低
温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ形成プロセスでｎ-ｃｈ．ＴＦ
Ｔを作成したところ、８０ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が得
られた。また、１００ＭＨｚ発振時に合わせて、基板バ
イアス−５０Ｖを印加すると、約５％の移動度向上が見
られた。このとき粒径には顕著な増大は観察されなかっ
た。従って、バイアス印加は結晶粒内の欠陥密度減少に
効果があったものと判断される。なお、図５に、各実施
例の成膜条件と結果をまとめて示す。By using this poly-Si film, the n-ch. TF
When T was formed, a mobility of 80 cm 2 / V · s was obtained. When a substrate bias of -50 V was applied at the time of oscillation at 100 MHz, the mobility was improved by about 5%. At this time, no remarkable increase was observed in the particle size. Therefore, it is determined that the bias application was effective in reducing the defect density in the crystal grains. FIG. 5 collectively shows the film forming conditions and results of each example.
【００１６】［比較例］図１に示した装置を用い、他の
条件は同じにして、上部電極に印加する高周波を１３．
５６ＭＨｚのみあるいは１００ＭＨｚのみとして成膜し
た場合、粒径および移動度は５ｎｍおよび１０ｃｍ2／
Ｖ・ｓあるいは５０ｎｍおよび４０ｃｍ2／Ｖ・ｓ程度
に留まった。COMPARATIVE EXAMPLE The apparatus shown in FIG. 1 was used, and the other conditions were the same.
When the film is formed with only 56 MHz or only 100 MHz, the particle size and mobility are 5 nm and 10 cm 2 /
V · s or about 50 nm and 40 cm 2 / V · s.
【００１７】［第２の実施例］第２の実施例においても
図１に示したＰＥＣＶＤ装置を用いた。本実施例におい
ては、基板温度、圧力、発振出力、２種類の周波数およ
びその印加時間は第１の実施例と同条件とした。ここ
で、成膜ガスは周波数に伴い変化させ、１３．５６ＭＨ
ｚ印加時にＳｉＨ4／Ｈ2ガスを５／２０ｓｃｃｍ、１０
０ＭＨｚ印加時にＨ2／ＳｉＦ4 ガスを５／６０ｓｃｃ
ｍガス導入口より導入した。両周波数の印加時間が合計
１８０秒で基板１０６上に膜厚が６０ｎｍで、粒径が約
１１０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。このｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したとこ
ろ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が実現された。ま
た、第１の実施例と同様に、１００ＭＨｚ印加時に合わ
せて、基板バイアス−５０Ｖを印加すると、約５％の移
動度向上が見られた。このとき粒径には顕著な増大は観
察されなかった。従って、第１の実施例と同様にバイア
ス印加は結晶粒内の欠陥密度減少に効果があったものと
判断される。[Second Embodiment] In the second embodiment, the PECVD apparatus shown in FIG. 1 was used. In the present embodiment, the substrate temperature, pressure, oscillation output, two kinds of frequencies and the application time were set to the same conditions as in the first embodiment. Here, the film forming gas is changed according to the frequency to be 13.56 MHz.
When applying z, 5/20 sccm of SiH 4 / H 2 gas
5/60 scc of H 2 / SiF 4 gas when 0 MHz is applied
m gas was introduced from the gas inlet. A poly-Si film having a thickness of 60 nm and a particle size of about 110 nm was formed on the substrate 106 for a total application time of 180 seconds at both frequencies. This po
ly-Si film and n-ch. When a TFT was prepared, a mobility of 100 cm 2 / V · s was realized. Similarly to the first embodiment, when a substrate bias of -50 V was applied at the time of applying 100 MHz, an improvement in mobility of about 5% was observed. At this time, no remarkable increase was observed in the particle size. Therefore, as in the first embodiment, it is determined that the bias application was effective in reducing the defect density in the crystal grains.
【００１８】［第３の実施例］図２（ａ）は、本発明の
第３の実施例において用いられる平行平板型ＰＥＣＶＤ
の断面図であり、図２（ｂ）は、その上部電極部の平面
図である。図２（ａ）は、図２（ｂ）をＡ−Ａ線で見た
断面図に相当している。図２（ｂ）に示されるように、
第１、第２上部電極２０１、２０２は、間仕切り２１１
により互いに隔離されると共にスパイラル形状をなして
互いに入り組んで形成されている。そして、これらの上
部電極にはガスを放出するためのガス噴出口２０８が、
全面にわたって多数開けられている。また、第１上部電
極２０１の上部には、間仕切り２１１に仕切られた第１
ガス供給路２１６が形成されており、その第１ガス供給
路の一端は第１ガス導入口２１４に接続されている。同
様に、第２上部電極２０２の上部にも、一端が第２ガス
導入口２１５に接続された第２ガス供給路２１７が形成
されている。第１、第２上部電極の下部には、第１、第
２上部電極２０１、２０２と間仕切り２１１とにより区
画された第１、第２反応室２０３、２０４が形成されて
いる。各ガス供給路と各反応室との間は各上部電極に形
成されたガス噴出口２０８により接続されている。ま
た、第１、第２上部電極２０１、２０２は、ｒｆ発振源
２１３とＶＨＦ発振源２１２にそれぞれ接続さている。
また、第１、第２上部電極２０１、２０２の対極面に、
接地された、下部電極を兼ねた基板ステージ２０５が設
置されており、その上に基板２０６が搭載されている。
この基板ステージ２０５内には基板２０６を加熱するヒ
ータ２０９が設けられている。チャンバ２１０内のガス
は、排気口２０７により外部に排気される。Third Embodiment FIG. 2A shows a parallel plate type PECVD used in a third embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a plan view of the upper electrode portion. FIG. 2A corresponds to a cross-sectional view of FIG. 2B taken along line AA. As shown in FIG.
The first and second upper electrodes 201 and 202 are provided with a partition 211.
, And are formed in a spiral shape and intertwined with each other. And a gas ejection port 208 for releasing gas is provided on these upper electrodes,
Many are opened over the whole surface. In addition, the first upper electrode 201 is provided with a first partition electrode 211 partitioned by a partition 211.
A gas supply path 216 is formed, and one end of the first gas supply path is connected to the first gas inlet 214. Similarly, a second gas supply path 217 having one end connected to the second gas inlet 215 is formed above the second upper electrode 202. Below the first and second upper electrodes, first and second reaction chambers 203 and 204 defined by the first and second upper electrodes 201 and 202 and the partition 211 are formed. Each gas supply path and each reaction chamber are connected by a gas outlet 208 formed in each upper electrode. The first and second upper electrodes 201 and 202 are connected to an rf oscillation source 213 and a VHF oscillation source 212, respectively.
Also, on the opposite electrode surfaces of the first and second upper electrodes 201 and 202,
A grounded substrate stage 205 also serving as a lower electrode is provided, and a substrate 206 is mounted thereon.
In the substrate stage 205, a heater 209 for heating the substrate 206 is provided. The gas in the chamber 210 is exhausted to the outside through the exhaust port 207.
【００１９】基板温度、圧力および発振出力は第１の実
施例と同条件とした。ここで、第１反応室２０４には、
第１ガス導入口２１４、第１ガス供給路２１６を介し
て、ＳｉＨ4／Ｈ2ガスを５／２０ｓｃｃｍ導入し、第１
上部電極２０１にｒｆ発振源２１３により１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波を印加する。第１上部電極２０１に高周波
印加を開始した２０秒後に、第２反応室２０４に第２ガ
ス導入口２１５、第２ガス供給路２１７を介して、Ｈ2
／ＳｉＦ4ガスを５／６０ｓｃｃｍ導入し、第２上部電
極２０２にＶＨＦ発振源２１２により１００ＭＨｚの高
周波を印加する。１４０秒後に両発振源の発振を停止さ
せると、ガラス基板上に膜厚が６０ｎｍで、粒径が約１
１０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。このｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したとこ
ろ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が実現できた。ま
た、第１および第２の実施例と同様に反応室２０３およ
び反応室２０４で交互に発振させても、高移動度ｐｏｌ
ｙ- Ｓｉ膜が形成できる。The substrate temperature, pressure and oscillation output were set to the same conditions as in the first embodiment. Here, in the first reaction chamber 204,
SiH 4 / H 2 gas was introduced at 5/20 sccm through the first gas inlet 214 and the first gas supply path 216, and the first gas was introduced.
13.56M by the rf oscillation source 213 to the upper electrode 201
A high frequency of Hz is applied. Twenty seconds after the start of high frequency application to the first upper electrode 201, H 2 is introduced into the second reaction chamber 204 via the second gas inlet 215 and the second gas supply path 217.
/ SiF 4 gas is introduced at 5/60 sccm, and a high frequency of 100 MHz is applied to the second upper electrode 202 by the VHF oscillation source 212. When the oscillation of both oscillation sources is stopped after 140 seconds, the film thickness is 60 nm on the glass substrate and the particle size is about 1 μm.
A 10-nm poly-Si film was formed. This pol
n-ch. using a y-Si film. When a TFT was prepared, a mobility of 100 cm 2 / V · s was realized. Further, even when the oscillation is alternately performed in the reaction chamber 203 and the reaction chamber 204 as in the first and second embodiments, the high mobility pol
A y-Si film can be formed.
【００２０】［第４の実施例］図３は、本発明の第４の
実施例において用いられるリモートプラズマＣＶＤ装置
の断面図である。上部に第１ガス導入口３１０が開口さ
れ、下側にガス噴出口３０３が形成された上部電極３０
１は、高周波発振源３０９に接続されている。この上部
電極３０１の対極面に、接地された下部電極を兼ねた基
板ステージ３０４が設置されており、その上に基板３０
５が搭載されている。この基板ステージ３０４内には基
板３０５を加熱するヒータ３０７が設けられている。上
部電極３０１と基板ステージ３０４との間の上部電極寄
りに接地されたメッシュ電極３０２が設けられており、
メッシュ電極３０２と基板ステージ３０４との間のチャ
ンバ壁面に第２ガス導入口３１１が設けられている。チ
ャンバ３０８内のガスは、排気口３０６により外部に排
気される。[Fourth Embodiment] FIG. 3 is a sectional view of a remote plasma CVD apparatus used in a fourth embodiment of the present invention. An upper electrode 30 having a first gas inlet 310 opened at an upper part and a gas outlet 303 formed at a lower part.
1 is connected to a high-frequency oscillation source 309. On a counter electrode surface of the upper electrode 301, a substrate stage 304 also serving as a grounded lower electrode is provided.
5 is mounted. In the substrate stage 304, a heater 307 for heating the substrate 305 is provided. A grounded mesh electrode 302 is provided near the upper electrode between the upper electrode 301 and the substrate stage 304,
A second gas inlet 311 is provided on the wall of the chamber between the mesh electrode 302 and the substrate stage 304. The gas in the chamber 308 is exhausted to the outside through the exhaust port 306.
【００２１】第２ガス導入口３１１よりＳｉＨ4／Ｈ2ガ
スをそれぞれ１０／４０ｓｃｃｍ導入する。ＳｉＨ4／
Ｈ2ガス導入開始の１５秒後に第１ガス導入口３１０よ
りＨ2／ＳｉＦ4ガスを１０／８０ｓｃｃｍ導入し、上部
電極３０１に高周波発振源３０９より高周波パワーを供
給して上部電極３０１とメッシュ電極３０２との間にプ
ラズマを発生させる。このときの高周波発振源３０９の
発振周波数は１３．５６ＭＨｚ、発振出力を２００Ｗ、
基板温度は４５０℃、圧力は１２０Ｐａとした。２００
秒後に発振およびガス導入を停止すると、ガラス基板上
に膜厚が５０ｎｍで、粒径が約１３０ｎｍのｐｏｌｙ-
Ｓｉ膜が形成された。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ
-ｃｈ．ＴＦＴを作成したところ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓ
の移動度が得られた。The SiH 4 / H 2 gas is introduced at a rate of 10/40 sccm through the second gas inlet 311. SiH 4 /
Fifteen seconds after the start of H 2 gas introduction, H 2 / SiF 4 gas was introduced at a rate of 10/80 sccm through the first gas inlet 310, and high frequency power was supplied to the upper electrode 301 from the high frequency oscillation source 309, and the upper electrode 301 and the mesh electrode were introduced. 302 is generated. At this time, the oscillation frequency of the high-frequency oscillation source 309 is 13.56 MHz, the oscillation output is 200 W,
The substrate temperature was 450 ° C. and the pressure was 120 Pa. 200
When the oscillation and gas introduction are stopped after a lapse of seconds, a poly-layer having a thickness of 50 nm and a particle size of about 130 nm is formed on the glass substrate.
A Si film was formed. Using this poly-Si film, n
-ch. When the TFT was made, 100cm 2 / V · s
Mobility was obtained.
【００２２】［第５の実施例］図４は、本発明の第５の
実施例において用いられるリモートプラズマＣＶＤ装置
の断面図である。上部に第１ガス導入口４１２が開口さ
れ、下側にガス噴出口４０４が形成された上部電極４０
１は、第１高周波発振源４１０に接続されている。この
上部電極４０１の対極面に、接地された下部電極を兼ね
た基板ステージ４０５が設置されており、その上に基板
４０６が搭載されている。この基板ステージ４０５内に
は基板４０６を加熱するヒータ４０９が設けられてい
る。上部電極４０１と基板ステージ４０５との間の上部
電極寄りに接地された上部メッシュ電極４０２が設けら
れ、またその上部メッシュ電極４０２と基板ステージ４
０５との間に、第２高周波発振源４１１に接続された下
部メッシュ電極４０３が設けられている。下部メッシュ
電極４０３と基板ステージ４０５との間のチャンバ壁面
に第２ガス導入口４１３が設けられている。チャンバ４
０８内のガスは、排気口４０７により外部に排気され
る。[Fifth Embodiment] FIG. 4 is a sectional view of a remote plasma CVD apparatus used in a fifth embodiment of the present invention. An upper electrode 40 having a first gas inlet 412 opened in the upper part and a gas outlet 404 formed in the lower part.
1 is connected to the first high-frequency oscillation source 410. A substrate stage 405 also serving as a grounded lower electrode is provided on a counter electrode surface of the upper electrode 401, and a substrate 406 is mounted thereon. In the substrate stage 405, a heater 409 for heating the substrate 406 is provided. A grounded upper mesh electrode 402 is provided near the upper electrode between the upper electrode 401 and the substrate stage 405, and the upper mesh electrode 402 and the substrate stage 4
05, a lower mesh electrode 403 connected to the second high-frequency oscillation source 411 is provided. A second gas inlet 413 is provided on the wall of the chamber between the lower mesh electrode 403 and the substrate stage 405. Chamber 4
The gas in 08 is exhausted outside through an exhaust port 407.
【００２３】第２ガス導入口４１３よりＳｉＨ4／Ｈ2ガ
スを５／２０ｓｃｃｍ導入し、第２高周波発振源４１１
より高周波パワーを供給して下部メッシュ電極４０３と
基板４０６との間にプラズマを発生させる。このときの
発振周波数は１３．５６ＭＨｚ、発振出力を１５０Ｗと
した。一方、同時に第１ガス導入口４１２よりＨ2／Ｓ
ｉＦ4ガスを１０／８０ｓｃｃｍ導入し、第１高周波発
振源４１０より高周波パワーを供給して上部電極４０１
と上部メッシュ電極４０２との間にプラズマを発生させ
る。このときの発振周波数は１３．５６ＭＨｚ、発振出
力を２００Ｗとした。なお、基板温度は４５０℃、圧力
は１２０Ｐａとした。２００秒後に発振およびガス導入
を停止すると、ガラス基板上に膜厚が５０ｎｍで、粒径
が約１３０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。この
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成した
ところ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が実現できた。A 5/20 sccm SiH 4 / H 2 gas is introduced from the second gas inlet 413, and the second high-frequency oscillation source 411 is introduced.
A higher frequency power is supplied to generate plasma between the lower mesh electrode 403 and the substrate 406. At this time, the oscillation frequency was 13.56 MHz, and the oscillation output was 150 W. On the other hand, at the same time, H 2 / S
An iF 4 gas is introduced at a rate of 10/80 sccm, and a high frequency power is supplied from a first high frequency oscillation source 410 to form an upper electrode 401.
A plasma is generated between the first mesh electrode 402 and the upper mesh electrode 402. At this time, the oscillation frequency was 13.56 MHz, and the oscillation output was 200 W. The substrate temperature was 450 ° C. and the pressure was 120 Pa. When oscillation and gas introduction were stopped after 200 seconds, a poly-Si film having a thickness of 50 nm and a particle size of about 130 nm was formed on the glass substrate. Using this poly-Si film, n-ch. When a TFT was prepared, a mobility of 100 cm 2 / V · s was realized.
【００２４】図５から明らかなように、本発明の第１か
ら第５の実施例によれば、堆積とエッチングの反応をそ
れぞれ独立に制御することにより、大粒径、高移動度の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が形成可能となった。As apparent from FIG. 5, according to the first to fifth embodiments of the present invention, the deposition and etching reactions are controlled independently of each other, so that a poly-particle having a large grain size and a high mobility can be obtained. A Si thin film can now be formed.
【００２５】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明は、これら実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内にお
いて適宜の変更が可能なものである。例えば、第１から
第５の本実施例に示されているガス流量、成膜圧力、発
振出力などの条件は、基板サイズ、チャンバ容積、ガス
導入口位置などにより変化するものである。また、第
１、第２の実施例において、２つの発振源を用意して切
り替えていたが発振源を一つにしてその発振源より２つ
の周波数の出力を得るようにしてもよい。また、図２に
示した第３の実施例の第１、第２の上部電極の形状はイ
ンターディジット状等のスパイラル状以外のものであっ
てもよい。また、図３に示した第４の実施例において、
高周波発振源より１００ＭＨｚの高周波を供給するよう
にしてもよい。さらに、図４に示した第５の実施例にお
いては、第１高周波発振源のみを１００ＭＨｚで発振さ
せてもよくまた第１、第２高周波発振源の両方を１００
ＭＨｚにて発振させるようにしてもよい。Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and can be appropriately modified without departing from the gist of the present invention. Things. For example, the conditions such as the gas flow rate, the film formation pressure, and the oscillation output shown in the first to fifth embodiments vary depending on the substrate size, the chamber volume, the position of the gas inlet, and the like. Further, in the first and second embodiments, two oscillation sources are prepared and switched, but one oscillation source may be used and outputs of two frequencies may be obtained from the oscillation source. Further, the shape of the first and second upper electrodes of the third embodiment shown in FIG. 2 may be other than a spiral shape such as an interdigit shape. In the fourth embodiment shown in FIG.
A high frequency of 100 MHz may be supplied from a high frequency oscillation source. Further, in the fifth embodiment shown in FIG. 4, only the first high-frequency oscillation source may be oscillated at 100 MHz, and both the first and second high-frequency oscillation sources may be oscillated at 100 MHz.
Oscillation may be performed at MHz.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明による多結
晶半導体薄膜の製造方法は、堆積とエッチングの反応を
それぞれ独立に制御したものであるので、大面積基板上
に大粒径、高移動度の多結晶シリコン薄膜を直接形成す
ることができる。As described above, in the method of manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film according to the present invention, the deposition and etching reactions are controlled independently of each other. Polycrystalline silicon thin film can be directly formed.
【図１】 本発明の第１と第２の実施例において用いら
れる平行平板型ＰＥＣＶＤ装置の断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a parallel plate type PECVD apparatus used in first and second embodiments of the present invention.
【図２】 本発明の第３の実施例において用いられる平
行平板型ＰＥＣＶＤ装置の断面図と平面図。FIG. 2 is a sectional view and a plan view of a parallel plate type PECVD apparatus used in a third embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第４の実施例において用いられるリ
モートプラズマＣＶＤ装置の断面図。FIG. 3 is a sectional view of a remote plasma CVD apparatus used in a fourth embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第５の実施例において用いられるリ
モートプラズマＣＶＤ装置の断面図。FIG. 4 is a sectional view of a remote plasma CVD apparatus used in a fifth embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の第１から第５の実施例の成膜条件と
結果をまとめた図表。FIG. 5 is a table summarizing film forming conditions and results of the first to fifth embodiments of the present invention.
１０１、３０１、４０１ 上部電極 １０２、２１２ ＶＨＦ発振源 １０３、２１３ ｒｆ発振源 １０４ 切り替えスイッチ １０５、２０５、３０４、４０５ 基板ステージ（下部
電極） １０６、２０６、３０５、４０６ 基板 １０７、２０７、３０６、４０７ 排気口 １０８、２０８、３０３、４０４ ガス噴出口 １０９、２０９、３０７、４０９ ヒータ １１０ ２１０、３０８、４０８ チャンバ １１１ ガス導入口 ２０１ 第１上部電極 ２０２ 第２上部電極 ２０３ 第１反応室 ２０４ 第２反応室 ２１１ 間仕切り ２１４、３１０、４１２ 第１ガス導入口 ２１５、３１１、４１３ 第２ガス導入口 ２１６ 第１ガス供給路 ２１７ 第２ガス供給路 ３０２ メッシュ電極 ３０９ 高周波発振源 ４０２ 上部メッシュ電極 ４０３ 下部メッシュ電極 ４１０ 第１高周波発振源 ４１１ 第２高周波発振源101, 301, 401 Upper electrode 102, 212 VHF oscillation source 103, 213 rf oscillation source 104 Changeover switch 105, 205, 304, 405 Substrate stage (lower electrode) 106, 206, 305, 406 Substrate 107, 207, 306, 407 Exhaust port 108, 208, 303, 404 Gas outlet 109, 209, 307, 409 Heater 110 210, 308, 408 Chamber 111 Gas inlet 201 First upper electrode 202 Second upper electrode 203 First reaction chamber 204 Second reaction Chamber 211 Partition 214, 310, 412 First gas inlet 215, 311, 413 Second gas inlet 216 First gas supply path 217 Second gas supply path 302 Mesh electrode 309 High frequency oscillation source 402 Upper mesh electrode 403 Lower mesh electrode 410 First high frequency oscillation source 411 Second high frequency oscillation source
Claims (17)
含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを
形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、プ
ラズマを形成するために印加する高周波の周波数を変化
させることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。In a method for forming a polycrystalline silicon film by introducing a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen into a chamber and forming a plasma, a plasma is applied to form a plasma. A method for forming a polycrystalline silicon film, characterized by changing a frequency of a high frequency.
周波と高・高周波との２周波数であることを特徴とする
請求項１記載の多結晶シリコン膜の成膜方法。2. The method according to claim 1, wherein the frequency of the applied high frequency is two frequencies of low / high frequency and high / high frequency.
にハロゲンを含まない珪化物ガスをチャンバ内に導入
し、前記印加する高周波の周波数が高いときにハロゲン
を含む珪化物ガスをチャンバ内に導入することを特徴と
する請求項１または２記載の多結晶シリコン膜の成膜方
法。3. A silicide gas containing no halogen is introduced into the chamber when the frequency of the applied high frequency is low, and a silicide gas containing halogen is introduced into the chamber when the frequency of the applied high frequency is high. 3. The method for forming a polycrystalline silicon film according to claim 1, wherein:
膜が行われる基板に負の基板バイアスが印加されること
を特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の多結晶シリ
コン膜の成膜方法。4. The polycrystalline silicon film according to claim 1, wherein a negative substrate bias is applied to the substrate on which the film is formed when the changing frequency is on the high side. Film formation method.
含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを
形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、ハ
ロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガ
スとをそれぞれ異なる反応室に導入し、かつ、ハロゲン
を含む珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形
成するために印加される高周波の周波数が高くハロゲン
を含まない珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマ
を形成するために印加される高周波の周波数が低いこと
を特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。5. A method for forming a polycrystalline silicon film by introducing a silicide gas containing a halogen and a silicide gas containing no halogen into a chamber and forming a plasma, wherein the silicide gas containing a halogen and the halogen are contained. And a silicide gas containing no halogen are introduced into different reaction chambers, and in the reaction chamber where the silicide gas containing halogen is introduced, the frequency of the high frequency applied to form plasma is high and the silicide gas does not contain halogen. A method for forming a polycrystalline silicon film, wherein a frequency of a high frequency applied for forming plasma is low in a reaction chamber into which a substance gas is introduced.
い側ではハロゲンを含む珪化物ガスの分解が起こり難く
その高い側ではハロゲンを含む珪化物ガスの分解が起こ
り易いように設定されることを特徴とする請求項１〜５
の何れかに記載の多結晶シリコン膜の成膜方法。6. The high-frequency frequency to be applied is set such that decomposition of a silicide gas containing halogen is less likely to occur on a lower side and decomposition of a silicide gas containing halogen is more likely to occur on a higher side. Claims 1-5
The method for forming a polycrystalline silicon film according to any one of the above.
含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを
形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前
記ハロゲンを含む珪化物ガスをプラズマ分解し前記ハロ
ゲンを含まない珪化物ガスを熱分解することを特徴とす
る多結晶シリコン膜の成膜方法。7. A method for forming a polycrystalline silicon film by introducing a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen into a chamber and forming a plasma, wherein the silicide gas containing halogen is removed. A method for forming a polycrystalline silicon film, comprising: thermally decomposing the silicide gas containing no halogen by plasma decomposition.
含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを
形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前
記チャンバ内には第１のメッシュ電極を挟んでプラズマ
発生室と基板処理室とが形成されており、前記プラズマ
発生室にハロゲンを含む珪化物ガスを導入し前記基板処
理室にハロゲンを含まない珪化物ガスを導入することを
特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。8. A method for introducing a silicide gas containing halogen and a silicide gas containing no halogen into a chamber to form a plasma to form a polycrystalline silicon film, wherein the first gas is contained in the chamber. A plasma generation chamber and a substrate processing chamber are formed with the mesh electrode interposed therebetween, and a silicide gas containing halogen is introduced into the plasma generation chamber, and a silicide gas containing no halogen is introduced into the substrate processing chamber. Characteristic method for forming a polycrystalline silicon film.
印加されることを特徴とする請求項８記載の多結晶シリ
コン膜の成膜方法。9. The method according to claim 8, wherein a constant voltage is applied to the first mesh electrode.
させるための高周波が印加される第２のメッシュ電極が
設置されており、前記基板処理室内においてもプラズマ
が形成されることを特徴とする請求項８または９記載の
多結晶シリコン膜の成膜方法。10. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a second mesh electrode to which a high frequency for generating plasma is applied is installed in the substrate processing chamber, and plasma is formed also in the substrate processing chamber. Item 10. The method for forming a polycrystalline silicon film according to item 8 or 9.
を含まない珪化物ガスとが導入されプラズマを形成して
多結晶シリコン膜を成膜する装置において、プラズマを
形成するために印加される高周波の発振器が低・高周波
用と高・高周波用との２つが用意され、２つの高周波が
切り替えられて交互に印加されることを特徴とする多結
晶シリコン膜の成膜装置。11. An apparatus for forming a plasma by introducing a silicide gas containing a halogen and a silicide gas containing no halogen to form a polycrystalline silicon film. 2. An apparatus for forming a polycrystalline silicon film, wherein two oscillators, one for low / high frequency and one for high / high frequency, are prepared, and two high frequencies are switched and applied alternately.
る第１の反応室とハロゲンを含まない珪化物ガスが導入
される第２の反応室とが設けられ、それぞれの反応室に
てプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する装置
であって、それぞれの反応室の一壁面はガス噴出口を備
えた高周波印加用電極であることを特徴とする多結晶シ
リコン膜の成膜装置。12. A first reaction chamber into which a silicide gas containing halogen is introduced, and a second reaction chamber into which a silicide gas containing no halogen is introduced, and plasma is supplied to each reaction chamber. An apparatus for forming a polycrystalline silicon film, wherein one wall surface of each reaction chamber is a high-frequency application electrode provided with a gas outlet.
印加用電極は、互いに入り組んで設けられ、かつ、基板
が載置される基板ステージと平行に設けられていること
を特徴とする請求項１２記載の多結晶シリコン膜の成膜
装置。13. The high-frequency application electrode constituting the wall surface of each reaction chamber is provided so as to be intertwined with each other, and is provided in parallel with a substrate stage on which a substrate is mounted. 13. The apparatus for forming a polycrystalline silicon film according to claim 12.
電極に印加される高周波の周波数は、前記第２の反応室
の前記高周波印加用電極に印加される高周波の周波数よ
り高いことを特徴とする請求項１２または１３記載の多
結晶シリコン膜の成膜装置。14. The high-frequency frequency applied to the high-frequency application electrode in the first reaction chamber is higher than the high-frequency frequency applied to the high-frequency application electrode in the second reaction chamber. 14. The apparatus for forming a polycrystalline silicon film according to claim 12, wherein:
る、高周波印加用電極を備えたプラズマ発生室と、ハロ
ゲンを含まない珪化物ガスが導入される、一定電圧が印
加される基板ステージを備えた基板処理室とを有し、前
記プラズマ発生室と前記基板処理室との間に一定電圧が
印加される第１のメッシュ電極が設けられていることを
特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置。15. A plasma generation chamber provided with a high-frequency application electrode into which a silicide gas containing halogen is introduced, and a substrate stage to which a constant voltage is applied, into which a silicide gas containing no halogen is introduced. Wherein a first mesh electrode to which a constant voltage is applied is provided between the plasma generation chamber and the substrate processing chamber. apparatus.
ズマ発生室へ珪化物ガスを導入するためのガス噴出口が
備えられていることを特徴とする請求項１５記載の多結
晶シリコン膜の成膜装置。16. The polycrystalline silicon film according to claim 15, wherein said high-frequency application electrode is provided with a gas outlet for introducing a silicide gas into said plasma generation chamber. Membrane equipment.
される第２のメッシュ電極が前記第１のメッシュ電極と
平行に設けられており、前記第２のメッシュ電極と前記
基板ステージ間においてもプラズマが形成されることを
特徴とする請求項１５または１６記載の多結晶シリコン
膜の成膜装置。17. A second mesh electrode to which a high frequency is applied is provided in parallel with the first mesh electrode in the substrate processing chamber, and a second mesh electrode is provided between the second mesh electrode and the substrate stage. 17. The apparatus for forming a polycrystalline silicon film according to claim 15, wherein plasma is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221626A JP4296371B2 (en) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | Polycrystalline silicon film forming method and film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221626A JP4296371B2 (en) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | Polycrystalline silicon film forming method and film forming apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043225A true JP2002043225A (en) | 2002-02-08 |
| JP4296371B2 JP4296371B2 (en) | 2009-07-15 |
Family
ID=18715995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000221626A Expired - Fee Related JP4296371B2 (en) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | Polycrystalline silicon film forming method and film forming apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4296371B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004040629A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and system for making uniform high frequency plasma over larger area in plasma-activated cvd system |
| JP2009071280A (en) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma CVD apparatus, method for manufacturing microcrystalline semiconductor layer, and method for manufacturing thin film transistor |
| JP2018511700A (en) * | 2015-03-17 | 2018-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Pulsed plasma for film deposition |
| KR20190091156A (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-05 | 한국표준과학연구원 | Apparatus and Method for crystallizing semiconductor particle and manufacturing polycrystalline thin film |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000221626A patent/JP4296371B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004040629A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and system for making uniform high frequency plasma over larger area in plasma-activated cvd system |
| US7205034B2 (en) | 2002-10-29 | 2007-04-17 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and device for generating uniform high-frequency plasma over large surface area used for plasma chemical vapor deposition apparatus |
| JP2009071280A (en) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma CVD apparatus, method for manufacturing microcrystalline semiconductor layer, and method for manufacturing thin film transistor |
| US8368075B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus |
| JP2018511700A (en) * | 2015-03-17 | 2018-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Pulsed plasma for film deposition |
| KR20190091156A (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-05 | 한국표준과학연구원 | Apparatus and Method for crystallizing semiconductor particle and manufacturing polycrystalline thin film |
| KR102011456B1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-16 | 한국표준과학연구원 | Apparatus and Method for crystallizing semiconductor particle and manufacturing polycrystalline thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4296371B2 (en) | 2009-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4371576B2 (en) | Equipment for depositing films | |
| JP4791637B2 (en) | CVD apparatus and processing method using the same | |
| JP3468859B2 (en) | Gas phase processing apparatus and gas phase processing method | |
| US20010003014A1 (en) | Plasma CVD apparatus and plasma CVD method | |
| JPS5930130B2 (en) | Vapor phase growth method | |
| JPH10149989A (en) | Technique for cleaning deposition chamber using high-output remote excitation source | |
| JPH09148322A (en) | Silicon oxide film forming method and plasma CVD film forming apparatus | |
| TW293184B (en) | ||
| US5569502A (en) | Film formation apparatus and method for forming a film | |
| JP2021520639A (en) | Carbon hardmasks and related methods for patterning applications | |
| JPH0745542A (en) | Plasma CVD apparatus and plasma CVD method | |
| TWI289335B (en) | Mixed frequency high temperature nitride CVD process | |
| JPH1131685A (en) | Plasma CVD apparatus and cleaning method therefor | |
| JP4296371B2 (en) | Polycrystalline silicon film forming method and film forming apparatus | |
| JP2000260721A (en) | Cvd system, cvd method and method of cleaning the cvd system | |
| JP3529466B2 (en) | Thin film formation method | |
| CN101632153A (en) | Method for silicon thin film formation | |
| CN116065140B (en) | Thin film deposition method | |
| JPH0831753A (en) | VHF plasma processing method and apparatus | |
| JP3924183B2 (en) | Plasma CVD film forming method | |
| JPH0891987A (en) | Apparatus for plasma chemical vapor deposition | |
| WO2007097270A1 (en) | Film forming apparatus and substrate processing method | |
| JP3836032B2 (en) | Plasma CVD equipment | |
| JPH09326387A (en) | Thin film forming method and apparatus | |
| JPH01298169A (en) | Film formation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070611 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081024 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090318 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090331 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |