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JP2002094166A - Light source device - Google Patents

Light source device

Info

Publication number
JP2002094166A
JP2002094166A JP2000277393A JP2000277393A JP2002094166A JP 2002094166 A JP2002094166 A JP 2002094166A JP 2000277393 A JP2000277393 A JP 2000277393A JP 2000277393 A JP2000277393 A JP 2000277393A JP 2002094166 A JP2002094166 A JP 2002094166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
diode chip
positioning
light source
source device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000277393A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Moriyama
克也 森山
Hisahiro Ishihara
久寛 石原
Masao Takemura
政夫 竹村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Instruments Corp
Original Assignee
Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd filed Critical Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000277393A priority Critical patent/JP2002094166A/en
Priority to US09/908,345 priority patent/US20020089913A1/en
Priority to CNB011244062A priority patent/CN1149553C/en
Publication of JP2002094166A publication Critical patent/JP2002094166A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To propose a light source device having excellent accuracy and being capable of positioning a laser diode chip. SOLUTION: In the light source device for an optical head device, projecting sections 8 for positioning the first and second laser diode chips are formed to the top face 700 of a sub-mount 7, and the projecting sections 8 for positioning have the rear-side side faces 81a, 822a and 83a of the first projecting section 81, the second projecting section 82 and the third projecting section 83 prescribing positions in the direction of the optical axes of laser beams L1 and L2 emitted from the first and second laser diode chips 61 and 62 and the left-right side faces 821a and 821b of the partitioning section 821 of the second projecting section 82 prescribing a position orthogonal in the direction of the optical axis. Accordingly, the positions in the direction of these optical axes and the position orthogonal in the direction of the optical axis and the spaces of each luminous point can be positioned accurately only by installing the first and second laser diode chips 61 and 62 to the projecting sections 8 for positioning of the sub-mount 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を利用し
た光学機器の光源として用いるのに適した光源装置に関
するものである。更に詳しくは、光源装置におけるレー
ザダイオードチップの位置決め技術に関するものであ
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a light source device suitable for use as a light source of optical equipment utilizing laser light. More specifically, the present invention relates to a technique for positioning a laser diode chip in a light source device.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザ光を利用した光学機器としては、
例えば、CDやDVDなど種類の異なる光記録ディスク
の再生を行なう光ヘッド装置がある。このような光ヘッ
ド装置では、DVDの再生には650nm波長のレーザ
光が必要であり、CD−Rは650nm波長帯域での反
射率が低いので、その再生、記録のためには780nm
波長のレーザ光が必要となる。
2. Description of the Related Art Optical devices utilizing laser light include:
For example, there is an optical head device for reproducing different types of optical recording disks such as a CD and a DVD. In such an optical head device, a laser beam having a wavelength of 650 nm is required for reproducing a DVD, and a CD-R has a low reflectance in a wavelength band of 650 nm.
A laser beam of a wavelength is required.

【0003】そこで、DVDの再生およびCD−Rの再
生記録を行なうための光ヘッド装置として、波長が65
0nmのレーザ光および、波長が780nmのレーザ光
を出射する光源装置が搭載された2波長光ヘッド装置と
呼ばれるものが知られている。このような2波長光ヘッ
ド装置に用いる光源装置としては、1つの半導体チップ
に2つのレーザを形成したモノリシック型と呼ばれるも
の、および2つのレーザダイオードチップを1つの基板
上に搭載したハイブリット型と呼ばれるものが知られて
いる。
Therefore, an optical head device for reproducing a DVD and reproducing and recording a CD-R has a wavelength of 65 nm.
There is known a so-called two-wavelength optical head device equipped with a light source device that emits a laser beam of 0 nm and a laser beam of a wavelength of 780 nm. A light source device used in such a two-wavelength optical head device is called a monolithic type in which two lasers are formed on one semiconductor chip, and a hybrid type in which two laser diode chips are mounted on one substrate. Things are known.

【0004】ここで、レーザダイオードチップを精度良
く基板上に位置決めする必要がある。このために、例え
ば、ハイブリット型の光源装置では、基台上の位置決め
用マークに合わせて各レーザダイオードチップを実装す
るパッシブアライン方式や、レーザダイオードチップを
LEDモードで発光させながら位置決めするアクティブ
アライン方式により、2個のレーザダイオードチップの
位置決めが行われる。
Here, it is necessary to accurately position the laser diode chip on the substrate. For this purpose, for example, in a hybrid type light source device, a passive alignment method in which each laser diode chip is mounted in accordance with a positioning mark on a base, or an active alignment method in which a laser diode chip is positioned while emitting light in an LED mode. Thus, the positioning of the two laser diode chips is performed.

【0005】また、レーザダイオードチップの位置決め
方法としては、特開平8−339570号公報に開示さ
れているように、基板に予めガイド溝を彫っておき、そ
のガイド溝に2つのレーザダイオードチップを搭載する
ことで、双方の間隔を精度良く規定するための配置技術
が知られている。
As a method of positioning a laser diode chip, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-339570, a guide groove is previously carved in a substrate, and two laser diode chips are mounted in the guide groove. Therefore, an arrangement technique for precisely defining the interval between the two is known.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ここにおいて、光ヘッ
ド装置の薄型化に伴い、その光源装置のレーザダイオー
ドチップの位置決め精度を高める必要がある。例えば、
2つのレーザダイオードの発光点間隔のずれは、数μm
以下に抑える必要がある。ハイブリッド型のものでは、
汎用の実装装置はマウンタ精度が±20μm程度である
ため、パッシブアライン方式では歩留まりが悪くなって
しまう。また、高精度搭載可能な実装装置においては、
部品の搭載タクトが著しく低下するため、設備投資およ
び生産性に影響してしまう。
Here, as the optical head device becomes thinner, it is necessary to increase the positioning accuracy of the laser diode chip of the light source device. For example,
The gap between the light emitting points of the two laser diodes is several μm
It is necessary to keep it below. In the hybrid type,
Since the mounting accuracy of a general-purpose mounting device is about ± 20 μm, the yield is deteriorated in the passive alignment method. In a mounting device that can be mounted with high precision,
Since the tact time for mounting components is significantly reduced, this affects the capital investment and productivity.

【0007】一方、上記の公開公報に記載されているよ
うに、基板に予めガイド溝を彫っておき、そのガイド溝
に2つのレーザダイオードチップを搭載すれば、それら
の発光点間隔を精度良く規定できるが、光軸方向の位置
決め精度を改善できないという問題点がある。
On the other hand, as described in the above-mentioned publication, a guide groove is preliminarily carved in the substrate, and two laser diode chips are mounted in the guide groove, so that the distance between the light emitting points can be precisely defined. However, there is a problem that the positioning accuracy in the optical axis direction cannot be improved.

【0008】このような問題点に鑑みて、本発明の課題
は、精度良く、レーザダイオードチップを位置決め可能
な光源装置を提案することにある。
[0008] In view of such problems, an object of the present invention is to propose a light source device capable of accurately positioning a laser diode chip.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は、少なくとも一つのレーザダイオードチッ
プと、このレーザダイオードチップが搭載される半導体
基板とを有する光源装置において、前記半導体基板の表
面には、前記レーザダイオードチップを位置決めするた
めの位置決め用突部が形成されていることを特徴として
いる。
According to the present invention, there is provided a light source device having at least one laser diode chip and a semiconductor substrate on which the laser diode chip is mounted. A positioning projection for positioning the laser diode chip is formed on the surface.

【0010】ここで、前記位置決め用突部は、前記半導
体基板表面に積層した感光性樹脂から形成することがで
きる。
Here, the positioning projection can be formed from a photosensitive resin laminated on the surface of the semiconductor substrate.

【0011】典型的な前記位置決め用突部は、前記レー
ザダイオードチップから出射されるレーザ光の光軸方向
の位置を規定する第1の側面と、前記光軸方向に直交す
る方向の位置を規定する第2の側面とを備えており、こ
の場合には、前記レーザーダイオードチップの出射面を
前記第1の側面に押し付け、前記レーザーダイオードチ
ップの出射面に直交する一方の側面を前記第2の側面に
押し付けることにより、当該レーザーダイオードチップ
が位置決めされる。
The typical positioning projection defines a first side surface that defines a position in the optical axis direction of laser light emitted from the laser diode chip, and a position in a direction perpendicular to the optical axis direction. In this case, the emission surface of the laser diode chip is pressed against the first side surface, and one side surface orthogonal to the emission surface of the laser diode chip is placed on the second side. By pressing against the side surface, the laser diode chip is positioned.

【0012】前記レーザダイオードチップとして複数
個、例えば、第1および第2のレーザダイオードチップ
が搭載される場合は、それぞれの位置決めを行なうため
の第1および第2の位置決め用突部を形成すれば良い。
When a plurality of laser diode chips, for example, first and second laser diode chips are mounted, first and second positioning projections for positioning each of them are formed. good.

【0013】この場合のレーザーダイオードチップ位置
決め方法としては、前記第1のレーザーダイオードチッ
プを前記第1の位置決め用突部の前記第1および第2の
側面に押し付けることにより、位置決めし、この状態
で、前記第2のレーザーダイオードチップを前記第1の
側面に押し付けながら当該第1の側面に沿って摺動させ
ることにより、当該第2のレーザーダイオードチップを
位置決めする方法を採用できる。この方法によれば、第
2のレーザーダイオードチップを、第1の側面を基準と
して一軸方向のみの調整により位置決めできるので、発
光点間隔の調整が簡単になる。
In this case, as a method of positioning the laser diode chip, the first laser diode chip is pressed against the first and second side surfaces of the first positioning projection to perform positioning. The second laser diode chip can be positioned by sliding the second laser diode chip along the first side surface while pressing the second laser diode chip against the first side surface. According to this method, the second laser diode chip can be positioned by adjusting only the one axial direction with reference to the first side surface, so that the adjustment of the light emitting point interval is simplified.

【0014】次に、本発明の光源装置は、前記半導体基
板の表面に、レーザ光通過用凹部を彫り込み、このレー
ザ光通過用凹部を、前記位置決め用突部における前記第
1の側面の位置からレーザ光の出射方向に延びている構
成とすることができる。この構成によれば、所定の発散
角で出射されるレーザ光が、半導体基板の表面によって
遮られてしまう(ケラレてしまう)ことを回避できる。
Next, in the light source device according to the present invention, a concave portion for laser light passage is engraved on the surface of the semiconductor substrate, and the concave portion for laser light passage is formed from the position of the first side surface in the positioning projection. It may be configured to extend in the emission direction of the laser light. According to this configuration, it is possible to prevent the laser light emitted at a predetermined divergence angle from being blocked (vignetting) by the surface of the semiconductor substrate.

【0015】この代わりに、前記レーザダイオードチッ
プが、前記半導体基板の表面の間にスペーサ部材を挟ん
で載置される構成とすることもできる。この構成では、
レーザダイオードチップがスペーサ部材により半導体基
板の表面から高い位置に配置されることにより、所定の
発散角で出射されるレーザ光が、半導体基板の表面によ
って遮られてしまう(ケラレてしまう)ことを回避でき
る。
[0015] Alternatively, the laser diode chip may be mounted with a spacer member interposed between the surfaces of the semiconductor substrate. In this configuration,
By arranging the laser diode chip at a higher position from the surface of the semiconductor substrate by the spacer member, it is possible to prevent the laser light emitted at a predetermined divergence angle from being blocked (vignetting) by the surface of the semiconductor substrate. it can.

【0016】次に、半導体基板表面に搭載したサブマウ
ントの上にレーザダイオードチップが搭載されるような
場合、すなわち、前記半導体基板が、第1の半導体基板
と、この第1の半導体基板の表面に積層配置した第2の
半導体基板とから構成されている場合は、前記第2の半
導体基板の表面に、前記位置決め用突部を形成すれば良
い。
Next, when a laser diode chip is mounted on a submount mounted on the surface of a semiconductor substrate, that is, the semiconductor substrate is composed of a first semiconductor substrate and a surface of the first semiconductor substrate. In the case where the second semiconductor substrate is stacked, the positioning projections may be formed on the surface of the second semiconductor substrate.

【0017】一方、前記位置決め用突部を利用して前記
レーザダイオードチップに対する相対位置が規定されて
いる光学素子の位置決めを行なう場合には、前記位置決
め用突部に、光学素子を位置決めするための第3の側面
を形成すれば良い。
On the other hand, when positioning the optical element whose relative position to the laser diode chip is defined by using the positioning projection, the positioning projection is used to position the optical element. What is necessary is just to form a 3rd side surface.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
を適用した光源装置が搭載された光ヘッド装置の一例を
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an example of an optical head device equipped with a light source device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】(全体構成)図1(A)および(B)は、
本例の光ヘッド装置を示す平面図および断面図である。
光ヘッド装置1は、CDあるいはDVDなどの光記録媒
体2に対する情報記録、情報再生を行なうため、波長が
650nmのレーザ光と、波長が780nmのレーザ光
とを用いる2波長光ヘッド装置であり、鉄、アルミニウ
ムなどの金属製の配線基板3を有し、ここに各種部品が
搭載されている。この配線基板3はフレーム4によって
支持されている。フレーム4は、その一方の側端に、円
形の主軸ガイド孔41が形成され、他方の側端に、横方
に開口したコの字状形状の副軸ガイド溝42が形成され
ている。
(Overall Structure) FIGS. 1A and 1B
It is a top view and a sectional view showing the optical head device of the present example.
The optical head device 1 is a two-wavelength optical head device that uses a laser beam having a wavelength of 650 nm and a laser beam having a wavelength of 780 nm to record and reproduce information on and from an optical recording medium 2 such as a CD or a DVD. It has a wiring board 3 made of metal such as iron or aluminum, on which various components are mounted. This wiring board 3 is supported by a frame 4. The frame 4 has a circular main shaft guide hole 41 formed at one side end thereof, and a U-shaped sub shaft guide groove 42 opened laterally at the other side end.

【0020】光ヘッド装置1が搭載される情報記録再生
装置(図示せず)の側には平行に延びる主軸43および
副軸44が配置されている。光ヘッド装置1は、主軸4
3を主軸ガイド孔41に通すと共に副軸44を副軸ガイ
ド溝42に通した状態となるように、主軸43および副
軸44の間に架け渡した状態で情報記録再生装置の側に
搭載される。これら主軸43および副軸44に沿って、
光ヘッド装置1が光記録媒体2の半径方向に往復移動可
能になっている。
On the side of an information recording / reproducing device (not shown) on which the optical head device 1 is mounted, a main shaft 43 and a sub shaft 44 extending in parallel are arranged. The optical head device 1 has a main shaft 4
3 is mounted on the information recording / reproducing apparatus side in a state of being bridged between the main shaft 43 and the sub shaft 44 so that the main shaft 3 is passed through the main shaft guide hole 41 and the sub shaft 44 is passed through the sub shaft guide groove 42. You. Along these main shaft 43 and sub shaft 44,
The optical head device 1 can reciprocate in the radial direction of the optical recording medium 2.

【0021】配線基板3における副軸ガイド溝42の側
の表面部分には、図2(A)に示すような、レーザ、受
光素子一体型の光源装置9が搭載されている。この光源
装置9は、配線基板3の表面にAgペースト等の接着剤
で積層接着した半導体基板10と、この半導体基板10
の表面に積層接着されたサブマウント7と、このサブマ
ウント7の上面に同じく積層接着された第1および第2
のレーザダイオードチップ61、62を備えている。第
1のレーザダイオードチップ61は、波長650nmの
レーザ光を出射し、第2のレーザダイオードチップ62
は、波長780nmのレーザ光を出射するものである。
A light source device 9 integrated with a laser and a light receiving element as shown in FIG. 2A is mounted on the surface of the wiring board 3 on the side of the sub-shaft guide groove 42. The light source device 9 includes a semiconductor substrate 10 laminated and adhered to the surface of the wiring substrate 3 with an adhesive such as an Ag paste, and the semiconductor substrate 10.
A submount 7 laminated and adhered to the surface of the submount 7, and a first and a second
Laser diode chips 61 and 62 are provided. The first laser diode chip 61 emits a laser beam having a wavelength of 650 nm, and the second laser diode chip 62
Emits a laser beam having a wavelength of 780 nm.

【0022】半導体基板10には、信号再生用の受光面
13aを備えた受光素子13および信号演算回路が作り
込まれている。サブマウント7には、レーザモニター用
の受光素子131が作り込まれている。また、光源装置
9の側に形成されている電極端子14と配線基板3の表
面に形成した電極端子15の間がボンディングワイヤ1
6によって接続されている。
In the semiconductor substrate 10, a light receiving element 13 having a light receiving surface 13a for signal reproduction and a signal operation circuit are formed. A light receiving element 131 for laser monitoring is built in the submount 7. The bonding wire 1 is provided between the electrode terminal 14 formed on the light source device 9 side and the electrode terminal 15 formed on the surface of the wiring board 3.
6.

【0023】一方、配線基板3の主軸ガイド41側の表
面部分には、磁気式の対物レンズ駆動機構17が搭載さ
れている。この対物レンズ駆動機構17は、対物レンズ
18を保持しているレンズホルダ19と、このレンズホ
ルダ19をトラッキング方向およびフォーカシング方向
に移動可能に支持している支軸20と、レンズホルダ1
9をトラッキング方向およびフォーカシング方向に移動
させる磁力を発生する磁気駆動回路とを備えている。磁
気駆動回路は、折り曲げヨーク板22に形成されている
起立部分22a、22b、22c、22dに取り付けた
磁石23a、23b、23c、23dと、これらに対峙
するレンズホルダ部分に配置した駆動コイル(図示せ
ず)を含んでいる。この構成の軸摺動回動式の対物レン
ズ駆動機構は公知のものである。
On the other hand, a magnetic objective lens driving mechanism 17 is mounted on the surface of the wiring board 3 on the side of the main shaft guide 41. The objective lens driving mechanism 17 includes a lens holder 19 that holds an objective lens 18, a support shaft 20 that supports the lens holder 19 movably in a tracking direction and a focusing direction, and a lens holder 1.
And a magnetic drive circuit for generating a magnetic force for moving the magnetic head 9 in the tracking direction and the focusing direction. The magnetic drive circuit includes magnets 23a, 23b, 23c, and 23d attached to upright portions 22a, 22b, 22c, and 22d formed on the bent yoke plate 22, and a drive coil (see FIG. Not shown). The objective lens driving mechanism of this configuration of the shaft sliding rotation type is known.

【0024】レーザダイオードチップ61、62から対
物レンズ18に至る光路上には、第1の回折格子25、
第2の回折格子26、コリメートレンズ27および立上
げミラー28が配置されている。第1の回折格子25
は、レーザダイオードチップ62から出射される波長7
80nmのレーザ光のみを3ビームに分割する波長選択
性の回折格子であり、第2の回折格子26は光記録媒体
2からの戻り光の光路を変えて、全反射ミラー29を経
由して受光素子13の受光面13aに導くための波長選
択性ホログラム素子である。立上げミラー28はコリメ
ートレンズ27により平行光化された出射レーザ光を直
角に反射して対物レンズ18に導くためのものである。
On the optical path from the laser diode chips 61, 62 to the objective lens 18, the first diffraction grating 25,
A second diffraction grating 26, a collimating lens 27, and a rising mirror 28 are arranged. First diffraction grating 25
Is the wavelength 7 emitted from the laser diode chip 62.
This is a wavelength-selective diffraction grating that divides only the 80 nm laser light into three beams, and the second diffraction grating 26 changes the optical path of the return light from the optical recording medium 2 and receives light via the total reflection mirror 29. It is a wavelength-selective hologram element for guiding to the light receiving surface 13a of the element 13. The rising mirror 28 reflects the emitted laser light collimated by the collimating lens 27 at a right angle and guides the emitted laser light to the objective lens 18.

【0025】ここで、本例では、光源装置9、回折格子
25、26およびコリメートレンズ27は、これらの部
材を位置決めした状態で保持する部品ホルダ30を用い
て、配線基板3に搭載されている。図2(B)に示すよ
うに、部品ホルダ30は、全体として平板をコの字状に
切り欠いた形状の感光性ガラス枠体であり、その内側に
は、光源装置9、回折格子25、26およびコリメート
レンズ27を各々所定の位置に所定の姿勢で保持する凹
凸や窓を備えている。従って、光源装置9、回折格子2
5、26およびコリメートレンズ27については、この
部品ホルダ30に搭載するだけで、これらの部材間での
光軸合わせ、光軸方向の位置調整が自動的に行なわれ
る。
Here, in this example, the light source device 9, the diffraction gratings 25 and 26, and the collimating lens 27 are mounted on the wiring board 3 by using a component holder 30 for holding these members in a positioned state. . As shown in FIG. 2B, the component holder 30 is a photosensitive glass frame in which a flat plate is cut out in a U-shape as a whole, and the light source device 9, the diffraction grating 25, There is provided an unevenness or a window for holding the collimator lens 26 and the collimator lens 27 at a predetermined position in a predetermined posture. Therefore, the light source device 9 and the diffraction grating 2
By simply mounting the components 5, 26 and the collimating lens 27 on the component holder 30, the alignment of the optical axes between these members and the position adjustment in the optical axis direction are automatically performed.

【0026】光源装置9が取り付けられている部品ホル
ダ30の部分にはカバー31が取り付けられ、当該光源
装置9を封止状態で保護している。このカバー31の裏
面には全反射ミラー29が取付けらている。
A cover 31 is attached to a part of the component holder 30 to which the light source device 9 is attached, and protects the light source device 9 in a sealed state. A total reflection mirror 29 is attached to the back surface of the cover 31.

【0027】このように構成された光ヘッド装置では、
光記録媒体2としてDVDから情報を再生等するとき
は、第1のレーザダイオードチップ61から波長が65
0nmのレーザ光が出射され、一方、光記録媒体2とし
てCD−Rに情報を記録等するときは、第2のレーザダ
イオードチップ62からは、波長が780nmのレーザ
光が出射されることにより、異なる種類の光記録媒体2
の情報再生、情報記録等が行われる。
In the optical head device configured as described above,
When information is reproduced from a DVD as the optical recording medium 2, the wavelength is set to 65
When a laser beam having a wavelength of 780 nm is emitted from the second laser diode chip 62 when information is recorded on a CD-R as the optical recording medium 2, a laser beam having a wavelength of 780 nm is emitted. Different types of optical recording media 2
Information reproduction, information recording, and the like.

【0028】(光源装置の位置決め機構)図3は本例の
光源装置9における2個のレーザダイオードチップ6
1、62の位置決め機構を示すための説明図である。図
4は、レーザダイオードチップ61、62の搭載工程を
示す工程図である。図5は、位置決め用突部が形成され
たサブマウントウエハを示す斜視図である。
(Positioning Mechanism of Light Source Device) FIG. 3 shows two laser diode chips 6 in the light source device 9 of this embodiment.
It is explanatory drawing for showing the positioning mechanism of 1 and 62. FIG. 4 is a process diagram showing a mounting process of the laser diode chips 61 and 62. FIG. 5 is a perspective view showing a submount wafer on which positioning projections are formed.

【0029】まず、図3(A)に示すように、第1のレ
ーザダイオードチップ61は略直方体形状をしており、
第1のレーザ光L1を出射する第1の前方発光点S1が
位置している前方出射面612と、後方発光点が位置し
ている後方出射面614と、左右の側面613、615
と、P電極が形成された上面616と、N電極が形成さ
れた下面611とを備えている。この第1のレーザダイ
オードチップ61は、出射面612において、第1の前
方発光点S1がP電極の上面616側に位置し、その配
置は、P電極を上側にして固定されるためPサイドアッ
プと呼ばれるものである。後方出射面614からは後方
にモニター用レーザ光が出射される。
First, as shown in FIG. 3A, the first laser diode chip 61 has a substantially rectangular parallelepiped shape.
A front emission surface 612 where a first front emission point S1 for emitting the first laser light L1 is located, a rear emission surface 614 where a rear emission point is located, and left and right side surfaces 613 and 615.
And an upper surface 616 on which a P electrode is formed and a lower surface 611 on which an N electrode is formed. In the first laser diode chip 61, on the emission surface 612, the first front light emitting point S1 is located on the upper surface 616 side of the P electrode, and the arrangement is fixed with the P electrode on the upper side, so that the P side up. It is called. The monitor laser light is emitted backward from the rear emission surface 614.

【0030】次に、第2のレーザダイオードチップ62
は、第1のレーザダイオードチップより小さい略直方体
形状をしており、第2のレーザ光L2を出射する第2の
前方発光点S2が位置している前方出射面622と、後
方発光点が位置している後方出射面624と、左右の側
面623、625と、P電極が形成された上面626
と、N電極が形成された下面621とを備えている。こ
の第2のレーザダイオードチップ62も、前方出射面6
22において、第2の前方発光点S2がP電極の上面6
26側に位置し、その配置は、P電極を上側に配置され
たPサイドアップである。後方出射面624からは後方
にモニター用レーザ光が出射される。
Next, the second laser diode chip 62
Has a substantially rectangular parallelepiped shape smaller than the first laser diode chip, and has a front emission surface 622 where a second front emission point S2 for emitting the second laser light L2 is located, and a rear emission point. Rear emission surface 624, left and right side surfaces 623 and 625, and upper surface 626 on which a P electrode is formed
And a lower surface 621 on which an N electrode is formed. This second laser diode chip 62 also has a front emission surface 6.
At 22, the second front emission point S2 is located on the upper surface 6 of the P electrode.
It is located on the 26 side, and its arrangement is P side up with the P electrode arranged above. The monitor laser light is emitted backward from the rear emission surface 624.

【0031】サブマウント7の上面700には、レジス
ト材料を積層して形成された直方体形状の第1の凸部8
1と、T字状形状の第2の凸部82と、直方体形状の第
3の凸部83が直立している。これらの凸部によって第
1および第2のレーザダイオードチップ61、62の位
置決めをする位置決め用突部8が構成されている。サブ
マウントの上面700における第1および第2のレーザ
ダイオードチップ61、62の後方には、モニター用受
光素子131が作り込まれている。
On the upper surface 700 of the submount 7, first rectangular projections 8 formed by laminating resist materials are formed.
1, a T-shaped second convex portion 82, and a rectangular parallelepiped third convex portion 83 stand upright. These projections constitute a positioning projection 8 for positioning the first and second laser diode chips 61 and 62. A monitor light receiving element 131 is formed behind the first and second laser diode chips 61 and 62 on the upper surface 700 of the submount.

【0032】図3(B)も参照して、位置決め用突部8
を更に詳しく説明する。中央に位置する位置決め用突部
8の第2の凸部82は、左右に延びる横壁部分822
と、この後側側面822aの中央から後方に直角に延び
る仕切壁部分821とを有している。この第2の凸部8
2の一方の側には、一定の間隔をおいて第1の凸部81
が配置されており、この後側側面81aが第2の凸部8
2の後側側面822aと同一の平面に位置している。同
様に第3の凸部83も一定の間隔をおいて第2の凸部8
2の他方の側に位置しており、この後側側面83aも第
2の凸部82の後側側面822aと同一平面上にある。
Referring also to FIG. 3B, the positioning projection 8
Will be described in more detail. The second projection 82 of the positioning projection 8 located at the center is formed by a lateral wall portion 822 extending left and right.
And a partition wall portion 821 extending rearward at a right angle from the center of the rear side surface 822a. This second projection 8
2 is provided on one side with a first projection 81 at a certain interval.
Are arranged, and the rear side surface 81a is
2 is located on the same plane as the rear side surface 822a. Similarly, the third convex portions 83 are also spaced apart from each other by a predetermined distance.
2, and the rear side surface 83a is also flush with the rear side surface 822a of the second projection 82.

【0033】ここで、第2の凸部82の仕切部分821
の左右の側面821a、821bは、サブマウント表面
に垂直であると共に、相互に平行な面であり、第1およ
び第2のレーザダイオードチップ61、62の光軸に直
交する方向の位置を規定する。また、各凸部81、8
2、83の後側側面81a、822a、83aは、レー
ザダイオードチップの光軸方向の位置を規定する。
Here, the partition part 821 of the second convex part 82
Left and right side surfaces 821a and 821b are perpendicular to the submount surface and parallel to each other, and define the position of the first and second laser diode chips 61 and 62 in the direction orthogonal to the optical axis. . Further, each of the projections 81, 8
The rear side surfaces 81a, 822a, and 83a of 2, 83 define the position of the laser diode chip in the optical axis direction.

【0034】次に、図4(A)を参照して、第1および
第2のレーザダイオードチップ61、62の搭載工程を
説明する。まず、複数のサブマウント7が格子状に作り
込まれたサブマウウントウエハを製作する。各サブマウ
ント7には、モニター用受光素子131も作り込まれて
いる。
Next, the mounting process of the first and second laser diode chips 61 and 62 will be described with reference to FIG. First, a submount wafer in which a plurality of submounts 7 are formed in a lattice shape is manufactured. A monitor light receiving element 131 is also built in each submount 7.

【0035】工程ST1において、位置決め用突部8を
形成する部分に感光性タイプのレジスト材を塗布する。
このレジスト材としては、液状もしくはフィルムのもの
を用いる。工程ST2においてレジスト材をプリベーク
し、次に、工程ST3、工程ST4にて露光、現像をし
てから、工程ST5において、ポストベークを行なう。
その結果、図5に示すように、各サブマウント7に位置
決め用突部8、すなわち、第1の凸部81、第2の凸部
82、第3の凸部83が形成されたサブマウントウエハ
70を得ることができる。位置決め用突部8は、露光時
のマスク精度で形成され、その厚さは数μmから300
μmである。
In step ST1, a photosensitive resist material is applied to a portion where the positioning projection 8 is to be formed.
As the resist material, a liquid or film material is used. In step ST2, the resist material is pre-baked, and then exposed and developed in steps ST3 and ST4, and then post-baked in step ST5.
As a result, as shown in FIG. 5, the submount 7 has the positioning projections 8, ie, the first projections 81, the second projections 82, and the third projections 83 formed thereon. 70 can be obtained. The positioning projection 8 is formed with the mask accuracy at the time of exposure, and has a thickness of several μm to 300 μm.
μm.

【0036】工程ST6において、サブマウントウエハ
70を一次ダイシングして、次工程での取り回しに都合
のよいサイズにし、工程ST7において、各サブマウン
ト7に対して、第1のレーザダイオードチップ(LD
1)61および第2のレーザダイオードチップ(LD
2)62を、位置決め用突部8により規定される位置に
搭載して位置決めする。
In step ST6, the sub-mount wafer 70 is firstly diced to have a size suitable for handling in the next step. In step ST7, a first laser diode chip (LD) is attached to each sub-mount 7.
1) 61 and a second laser diode chip (LD
2) The 62 is mounted at a position defined by the positioning projection 8 and positioned.

【0037】工程ST8において、第1のレーザダイオ
ードチップ(LD1)61および第2のレーザダイオー
ドチップ(LD2)62あるいはサブマウント7どちら
かに形成されている融着剤であるAuSn膜を加熱硬化
させることにより、第1のレーザダイオードチップ(L
D1)61および第2のレーザダイオードチップ(LD
2)62をサブマウント7に固定する。
In step ST8, the AuSn film serving as a fusing agent formed on either the first laser diode chip (LD1) 61 and the second laser diode chip (LD2) 62 or the submount 7 is heated and hardened. Thereby, the first laser diode chip (L
D1) 61 and a second laser diode chip (LD
2) Fix 62 to submount 7.

【0038】次に、工程ST9において、二次ダイシン
グを行ない、所定の大きさにサブマウント7を切断す
る。
Next, in step ST9, secondary dicing is performed to cut the submount 7 to a predetermined size.

【0039】(本実施例の効果)以上説明したように、
本例の光ヘッド装置の光源装置9では、サブマウント7
の上面700は、フォトマスクを用いた露光技術により
感光性樹脂から、第1および第2のレーザダイオードチ
ップ61、62を位置決めするための位置決め用突部8
が形成されており、この位置決め用突部8は、第1およ
び第2のレーザダイオードチップ61、62から出射さ
れるレーザ光L1,L2の光軸方向の位置を規定する第
1の凸部81、第2の凸部82、第3の凸部83の後側
側面81a、822a、83aと、光軸方向に直交する
位置を規定する第2の凸部82の仕切部分821の左右
の側面821a、821bとを備えている。このため、
第1および第2のレーザダイオードチップ61、62を
サブマウント7に搭載すれば、それらの光軸方向の位置
および光軸方向に直交する位置、さらに、それぞれの発
光点間隔を精度良く位置決めすることができる。従っ
て、高精度実装装置を用いなくても、レーザダイオード
チップ61、62をサブマウント7に搭載する組み立て
レベルで高精度の位置決めが可能となる。
(Effect of this embodiment) As described above,
In the light source device 9 of the optical head device of this example, the submount 7
Of the first laser diode chips 61 and 62 from a photosensitive resin by an exposure technique using a photomask.
The positioning projection 8 is provided with a first projection 81 that defines the position of the laser beams L1 and L2 emitted from the first and second laser diode chips 61 and 62 in the optical axis direction. , The rear side surfaces 81a, 822a, 83a of the second convex portion 82 and the third convex portion 83, and the right and left side surfaces 821a of the partitioning portion 821 of the second convex portion 82 defining a position orthogonal to the optical axis direction. , 821b. For this reason,
If the first and second laser diode chips 61 and 62 are mounted on the submount 7, the positions in the optical axis direction and the positions orthogonal to the optical axis direction, and the intervals between the light emitting points can be accurately positioned. Can be. Therefore, high-precision positioning can be performed at an assembly level in which the laser diode chips 61 and 62 are mounted on the submount 7 without using a high-precision mounting device.

【0040】なお、2つのレーザダイオードを位置決め
する際に、図4(A)で示した工程ST7では、2つの
レーザダイオードを位置決め用突部8により位置決め固
定したが、図4(B)に示すように、工程ST71にお
いて、まず、第1のレーザダイオード61を位置決め用
突部8により位置決めしておき、工程ST72におい
て、第2のレーザダイオード62を搭載して位置を調整
してから、工程ST73で第2のレーザダイオード62
の位置を決めてもよい。
When positioning the two laser diodes, the two laser diodes were positioned and fixed by the positioning projection 8 in the step ST7 shown in FIG. 4A, but as shown in FIG. 4B. As described above, in step ST71, first, the first laser diode 61 is positioned by the positioning projection 8, and in step ST72, the second laser diode 62 is mounted and the position is adjusted. And the second laser diode 62
May be determined.

【0041】すなわち、工程ST72において、図6に
示すように、位置決め用突部8により第1のレーザダイ
オード61が位置決めされたサブマウント7において、
第2のレーザダイオード62を吸着プローブ90で保持
する。この状態で、第1および第2のレーザダイオード
61、62をLEDモードで同時に発光させるか、また
は、アライメントマークにより、それぞれの位置を画像
によってモニターしながら位置調整をする。この時の位
置調整は、位置決め用突部8における第2の凸部82、
第3の凸部83の後側側面822a、83aにより規定
される基準面に沿って第2のレーザダイオード62を吸
着プローブ90で保持しながら矢印Hで示す一軸方向に
移動させることにより行なうことができる。従って、第
1および第2のレーザダイオード61、62の発光点間
隔の調整を、一軸方向のみの簡単な調整で行なうことが
できる。
That is, in step ST72, as shown in FIG. 6, in the submount 7 where the first laser diode 61 is positioned by the positioning projection 8,
The second laser diode 62 is held by the suction probe 90. In this state, the first and second laser diodes 61 and 62 are caused to emit light simultaneously in the LED mode, or the positions are adjusted while monitoring the respective positions with images using the alignment marks. At this time, the position adjustment is performed by the second projection 82 of the positioning projection 8,
This is performed by moving the second laser diode 62 in the uniaxial direction indicated by the arrow H while holding the second laser diode 62 along the reference surface defined by the rear side surfaces 822a and 83a of the third convex portion 83 with the suction probe 90. it can. Therefore, the adjustment of the interval between the light emitting points of the first and second laser diodes 61 and 62 can be performed by simple adjustment only in one axial direction.

【0042】(光源装置の変形例)図7、図8、図9
は、それぞれ光源装置の変形例を示す斜視図である。
(Modification of Light Source Device) FIGS. 7, 8, and 9
7 is a perspective view showing a modified example of each light source device.

【0043】上記の実施例では、第1および第2のレー
ザダイオードチップ61、62は、P電極側を上側にす
るPサイドアップにて固定したが、発光点からの発生す
る熱を効率よく放熱するため、上下を逆にして、P電極
の面をサブマウント7側にしてPサイドダウンにて固定
することもできる。
In the above embodiment, the first and second laser diode chips 61 and 62 are fixed by P side up with the P electrode side up, but the heat generated from the light emitting point is efficiently radiated. Therefore, the P electrode can be fixed upside down with the P electrode surface facing the submount 7 and P side down.

【0044】図7(A)、(B)に示すように、光源装
置9Aでは、第1および第2のレーザダイオードチップ
61、62は、Pサイドダウンにて固定しているため、
第1および第2の前方発光点S1,S2がサブマウント
7A側に位置している。
As shown in FIGS. 7A and 7B, in the light source device 9A, the first and second laser diode chips 61 and 62 are fixed by P side down.
The first and second front emission points S1 and S2 are located on the submount 7A side.

【0045】サブマウント7Aの表面701には、第1
および第2のレーザダイオードチップ61、62を位置
決めするための位置決め用突部8を構成する第1の凸部
81、第2の凸部82、第3の凸部83が形成され、後
側側面81a、822a、83aの位置からエッチング
もしくはダイシングにより彫り込まれたレーザ光通過用
凹部711、712が形成されている。
On the surface 701 of the submount 7A, the first
And a first projection 81, a second projection 82, and a third projection 83 forming the positioning projection 8 for positioning the second laser diode chips 61 and 62, and the rear side surface is formed. Laser light passing recesses 711 and 712 are formed by etching or dicing from the positions of 81a, 822a and 83a.

【0046】このように形成した光源装置9Aでは、第
1および第2のレーザ光通過用凹部711、712が形
成されているので、Pサイドダウンにて固定された第1
および第2のレーザダイオードチップ61、62から所
定の発散角で出射されるレーザ光L1、L2がサブマウ
ント7の表面701で遮られてしまう(ケラレてしま
う)ことを回避することができる。また、位置決め用突
部8により、第1および第2のレーザダイオードチップ
61、62の位置決めが可能である。
In the light source device 9A formed as described above, since the first and second concave portions 711 and 712 for passing the laser beam are formed, the first side fixed down by the P side down.
In addition, it is possible to prevent the laser beams L1 and L2 emitted from the second laser diode chips 61 and 62 at a predetermined divergence angle from being blocked by the surface 701 of the submount 7 (vignetting). In addition, the positioning projection 8 allows the first and second laser diode chips 61 and 62 to be positioned.

【0047】一方、半導体基板10の表面にレーザ光通
過用凹部711、712を形成する代わりに、スペーサ
部材を用いることにより、第1および第2のレーザダイ
オードチップ61、62をPサイドダウンにて固定する
こともできる。また、レーザダイオードチップ61、6
2はサブマウント7Aに搭載する代わりに、受光素子1
3および信号演算回路が作り込まれた半導体基板10に
直接搭載することもできる。
On the other hand, instead of forming the concave portions 711 and 712 for passing the laser beam on the surface of the semiconductor substrate 10, the first and second laser diode chips 61 and 62 are P-side down by using a spacer member. It can also be fixed. In addition, the laser diode chips 61 and 6
2 is a light receiving element 1 instead of being mounted on the submount 7A.
3 and the signal operation circuit can be directly mounted on the semiconductor substrate 10.

【0048】図8(A)、(B)に示すように、光源装
置9Bでは、受光素子13が形成された半導体基板10
Aに、第1および第2のレーザダイオードチップ61、
62は、Pサイドダウンにて固定され、第1および第2
の前方発光点S1,S2が半導体基板10A側に位置し
ている。
As shown in FIGS. 8A and 8B, in the light source device 9B, the semiconductor substrate 10 on which the light receiving element 13 is formed is formed.
A shows the first and second laser diode chips 61,
62 is fixed at the P side down, and the first and second
Are located on the semiconductor substrate 10A side.

【0049】半導体基板10Aの表面101には、第1
および第2のレーザダイオードチップ61、62を位置
決めするための位置決め用突部8が形成されている。こ
の位置決め用突部8に第1および第2のレーザダイオー
ドチップ61、62は、金属または、半導体から形成さ
れたスペーサ部材91、92を挟んで搭載されている。
このスペーサ部材91、92は、第1および第2のレー
ザダイオードチップ61、62の幅より狭く形成され、
それぞれの前方出射面611、621および側面61
3、615、623、625の内側に位置するように配
置されている。従って、第1および第2のレーザダイオ
ードチップ61、62は、位置決め用突部8で位置決め
された状態のまま、スペーサ部材91、92により半導
体基板10Aの表面101から高い位置に配置されるの
で、所定の発散角で出射されるレーザ光が、半導体基板
の表面によって遮られてしまう(ケラレてしまう)こと
を回避できる。
The first surface 101 of the semiconductor substrate 10A
In addition, a positioning projection 8 for positioning the second laser diode chips 61 and 62 is formed. The first and second laser diode chips 61 and 62 are mounted on the positioning projection 8 with spacer members 91 and 92 formed of metal or semiconductor therebetween.
The spacer members 91 and 92 are formed narrower than the widths of the first and second laser diode chips 61 and 62,
Each front emission surface 611, 621 and side surface 61
3, 615, 623, and 625. Therefore, the first and second laser diode chips 61 and 62 are arranged at a position higher than the surface 101 of the semiconductor substrate 10A by the spacer members 91 and 92 while being positioned by the positioning projections 8. Laser light emitted at a predetermined divergence angle can be prevented from being blocked (vignetted) by the surface of the semiconductor substrate.

【0050】また、半導体基板10Aの表面101に
は、受光素子13が形成されているので、位置決め用突
部8が第1および第2のレーザダイオード61、62を
位置決めすることにより、第1および第2のレーザダイ
オード61、62と受光素子13の位置決めをすること
ができる。
Further, since the light receiving element 13 is formed on the surface 101 of the semiconductor substrate 10A, the first and second laser diodes 61 and 62 are positioned by the positioning projection 8 so that the first and second laser diodes 61 and 62 are positioned. The positioning of the second laser diodes 61 and 62 and the light receiving element 13 can be performed.

【0051】[その他の実施例]ここで、例えば、特開
平10−149559に開示されているようなプリズム
合成体からなる偏光ビームスプリッタを用いて第1のレ
ーザ光と第2のレーザ光を共通の光路に導くように構成
された光学系の光源装置に対しても、本発明の位置決め
機構を適用することができる。
[Other Embodiments] Here, for example, the first laser light and the second laser light are shared by using a polarizing beam splitter made of a prism composite as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-149559. The positioning mechanism of the present invention can also be applied to a light source device of an optical system configured to guide the light to the optical path.

【0052】この場合は、図9(A)に示すように、光
源装置9Dは、半導体基板7Cの表面702に、第1の
レーザダイオードチップ61を搭載した第1のサブマウ
ント71と、第2のレーザダイオードチップ62を搭載
した第2のサブマウント72と、第1のレーザ光L1を
反射させ、第2のレーザ光L2を透過させることにより
共通の光路に導くプリズム合成体の偏光ビームスプリッ
タ280と、位置決め用突部84とを有している。
In this case, as shown in FIG. 9A, the light source device 9D includes a first submount 71 on which a first laser diode chip 61 is mounted on a surface 702 of a semiconductor substrate 7C, and a second A second sub-mount 72 on which the laser diode chip 62 is mounted, and a prism composite polarization beam splitter 280 that reflects the first laser light L1 and transmits the second laser light L2 to guide it to a common optical path. And a positioning projection 84.

【0053】図9(B)に示すように、半導体基板7C
の表面702に形成された位置決め用突部84は、それ
ぞれL字状の第1のサブマウント71を位置決めするた
めの第1の位置決め部841と、第2のサブマウント7
2を位置決めするための第2の位置決め部842と、偏
光ビームスプリッタ280を位置決めするための第3の
位置決め部843とから構成されている。従って、第1
および第2のサブマウント71、72と、偏光ビームス
プリッタ280とを半導体基板7Cに搭載するだけで、
第1および第2のレーザダイオードチップ61、62、
偏光ビームスプリッタ280の間の位置決めができる。
As shown in FIG. 9B, the semiconductor substrate 7C
The positioning projections 84 formed on the surface 702 of the second submount 7 are respectively provided with a first positioning portion 841 for positioning the L-shaped first submount 71 and a second submount 7.
2 and a third positioning portion 843 for positioning the polarization beam splitter 280. Therefore, the first
And by mounting the second submounts 71 and 72 and the polarization beam splitter 280 on the semiconductor substrate 7C,
First and second laser diode chips 61, 62,
Positioning between the polarizing beam splitters 280 can be performed.

【0054】また、図9(C)に示すように、偏光ビー
ムスプリッタ280および第1のサブマウント71を位
置決めしてから、第2のサブマウント72を吸着プロー
ブ90で保持して、位置決め用突部84の第2の位置決
め部842における出射面方向の基準面に押し当てなが
ら一軸方向に動かせば、位置決め調整を簡単に行なうこ
とができる。
Further, as shown in FIG. 9C, after positioning the polarizing beam splitter 280 and the first submount 71, the second submount 72 is held by the suction probe 90, and the positioning projection is formed. If the unit 84 is moved in one axis direction while being pressed against the reference surface of the second positioning unit 842 in the direction of the emission surface, the positioning adjustment can be easily performed.

【0055】なお、上記の例は、CD,DVDなどの記
録、再生を行なう光ヘッド装置の光源装置についてのも
のであるが、その他の光学機器、例えば、レーザダイオ
ードチップと光ファイバを精度良く位置決めする必要の
ある光通信用モジュール等の光源装置についても本発明
を適用できることは勿論である。
The above example is for a light source device of an optical head device for recording and reproducing CDs and DVDs, but other optical devices, for example, a laser diode chip and an optical fiber are accurately positioned. Needless to say, the present invention can be applied to a light source device such as an optical communication module that needs to be performed.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光源装置
においては、半導体基板の表面にレーザダイオードチッ
プを位置決めするための位置決め用突部が形成されてお
り、この位置決め用突部の典型的な構成では、レーザダ
イオードチップから出射されるレーザ光の光軸方向の位
置を規定する側面と、光軸方向に直交する位置を規定す
る側面を備えている。
As described above, in the light source device of the present invention, the positioning projection for positioning the laser diode chip is formed on the surface of the semiconductor substrate. Such a configuration includes a side surface that defines a position in the optical axis direction of the laser light emitted from the laser diode chip, and a side surface that defines a position orthogonal to the optical axis direction.

【0057】従って、レーザダイオードチップを位置決
め用突部に押し付ければ、その光軸方向の位置および光
軸方向に直交する位置を精度良く位置決めでき、複数の
レーザダイオード間の発光点間隔も精度良く位置決めす
ることができる。
Therefore, when the laser diode chip is pressed against the positioning projection, the position in the optical axis direction and the position orthogonal to the optical axis direction can be accurately positioned, and the light emitting point interval between the plurality of laser diodes can be accurately determined. Can be positioned.

【0058】よって、高精度実装装置を用いなくても、
レーザダイオードチップを簡単な作業で高精度に位置決
めすることが可能となる。
Therefore, without using a high-precision mounting device,
The laser diode chip can be positioned with high accuracy by a simple operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)および(B)は、本発明を適用した光源
装置が搭載される光ヘッド装置の一例を示す平面図およ
び断面図である。
FIGS. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of an optical head device on which a light source device to which the present invention is applied is mounted.

【図2】(A)および(B)は、図1に示す光源装置の
平面図および部品ホルダに取り付けられた光学部品を示
す斜視図である。
FIGS. 2A and 2B are a plan view of the light source device shown in FIG. 1 and a perspective view showing an optical component mounted on a component holder.

【図3】(A)および(B)は、図1に示す光源装置に
おける第1および第2のレーザダイオードチップの位置
決め機構を示すための斜視図および平面図である。
FIGS. 3A and 3B are a perspective view and a plan view showing a positioning mechanism of first and second laser diode chips in the light source device shown in FIG.

【図4】第1および第2のレーザダイオードチップの搭
載工程を示す工程図である。
FIG. 4 is a process diagram showing a mounting process of first and second laser diode chips.

【図5】図5は、位置決め用突部が形成されたサブマウ
ントウエハを示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a submount wafer on which positioning protrusions are formed.

【図6】図1に示す光源装置における第1および第2の
レーザダイオードチップの発光点間隔の調整を示すため
の斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing adjustment of a light emitting point interval of first and second laser diode chips in the light source device shown in FIG. 1;

【図7】(A)および(B)は、図1に示す光源装置の
変形例を示す斜視図および平面図である。
FIGS. 7A and 7B are a perspective view and a plan view showing a modification of the light source device shown in FIG.

【図8】(A)および(B)は、図1に示す光源装置の
別の変形例を示す斜視図および平面図である。
8A and 8B are a perspective view and a plan view showing another modified example of the light source device shown in FIG.

【図9】(A)、(B)および(C)は、光源装置のそ
の他の例を示す斜視図、平面図、説明図である。
FIGS. 9A, 9B, and 9C are a perspective view, a plan view, and an explanatory view showing another example of the light source device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ヘッド装置 2 光記録媒体 3 配線基板 7 サブマウント 8 位置決め用突部 9 光源装置 10 半導体基板 13 受光素子 17 対物レンズ駆動機構 18 対物レンズ 19 レンズホルダ 20 支軸 22 折り曲げヨーク 25、26 回折格子 27 コリメートレンズ 28 立上げミラー 29 全反射ミラー 30 部品ホルダ 61 第1のレーザダイオードチップ 62 第2のレーザダイオードチップ 70 サブマウントウエハ 81 第1の凸部 82 第2の凸部 83 第3の凸部 90 吸着プローブ 131 モニター用受光素子 611、621 下面 612、622 前方出射面 614、624 後方出射面 613、615、623、625 側面 616、626、700 上面 821 仕切壁部分 822 横壁部分 81a、822a、83a 後側側面 821a、821b 側面 L1 第1のレーザ光 L2 第2のレーザ光 S1 第1の前方発光点 S2 第2の前方発光点 Reference Signs List 1 optical head device 2 optical recording medium 3 wiring substrate 7 submount 8 positioning projection 9 light source device 10 semiconductor substrate 13 light receiving element 17 objective lens driving mechanism 18 objective lens 19 lens holder 20 support shaft 22 bending yoke 25, 26 diffraction grating 27 Collimating lens 28 Stand-up mirror 29 Total reflection mirror 30 Parts holder 61 First laser diode chip 62 Second laser diode chip 70 Submount wafer 81 First convex part 82 Second convex part 83 Third convex part 90 Suction probe 131 Monitor light receiving element 611, 621 Lower surface 612, 622 Front emission surface 614, 624 Rear emission surface 613, 615, 623, 625 Side surface 616, 626, 700 Upper surface 821 Partition wall portion 822 Side wall portion 81a, 822a, 83a Rear side 21a, 821b side L1 first laser beam L2 second laser light S1 first forward emission point S2 second forward light emitting point

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹村 政夫 長野県諏訪郡原村10801番地の2 株式会 社三協精機製作所諏訪南工場内 Fターム(参考) 5D119 AA39 AA41 BA01 FA05 FA08 FA34 PA04 5F073 AB06 AB15 AB21 AB25 AB27 AB29 BA05 FA02 FA13 FA16 FA22 FA23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masao Takemura 10801 Hara-mura, Suwa-gun, Nagano F-term in Sukyo Minami Plant of Sankyo Seiki Seisakusho Co., Ltd. 5D119 AA39 AA41 BA01 FA05 FA08 FA34 PA04 5F073 AB06 AB15 AB21 AB25 AB27 AB29 BA05 FA02 FA13 FA16 FA22 FA23

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも一つのレーザダイオードチッ
プと、このレーザダイオードチップが搭載される半導体
基板とを有する光源装置において、 前記半導体基板の表面には、前記レーザダイオードチッ
プを位置決めするための位置決め用突部が形成されてい
ることを特徴とする光源装置。
1. A light source device having at least one laser diode chip and a semiconductor substrate on which the laser diode chip is mounted, wherein a positioning projection for positioning the laser diode chip is provided on a surface of the semiconductor substrate. A light source device, characterized in that a part is formed.
【請求項2】 請求項1において、 前記位置決め用突部は、前記半導体基板表面に積層した
感光性樹脂から形成されていることを特徴とする光源装
置。
2. The light source device according to claim 1, wherein the positioning projection is formed of a photosensitive resin laminated on the surface of the semiconductor substrate.
【請求項3】 請求項1または2において、 前記位置決め用突部は、前記レーザダイオードチップか
ら出射されるレーザ光の光軸方向の位置を規定する第1
の側面と、前記光軸方向に直交する方向の位置を規定す
る第2の側面とを備えており、 前記レーザーダイオードチップの出射面を前記第1の側
面に押し付け、前記レーザーダイオードチップの出射面
に直交する一方の側面を前記第2の側面に押し付けるこ
とにより、当該レーザーダイオードチップが位置決めさ
れていることを特徴とする光源装置。
3. The first positioning device according to claim 1, wherein the positioning projection defines a position of a laser beam emitted from the laser diode chip in an optical axis direction.
And a second side surface that defines a position in a direction orthogonal to the optical axis direction. An emission surface of the laser diode chip is pressed against the first side surface, and an emission surface of the laser diode chip is provided. A light source device, wherein the laser diode chip is positioned by pressing one side surface perpendicular to the second side surface to the second side surface.
【請求項4】 請求項3において、 前記レーザダイオードチップは第1および第2のレーザ
ダイオードチップを含み、前記位置決め用突部は前記第
1および第2のレーザダイオードを位置決めするための
第1および第2の位置決め用突部を含むことを特徴とす
る光源装置。
4. The laser diode chip according to claim 3, wherein the laser diode chip includes first and second laser diode chips, and the positioning projection has first and second laser diodes for positioning the first and second laser diodes. A light source device comprising a second positioning projection.
【請求項5】 請求項1ないし4のうちいずれかの項に
おいて、 前記半導体基板の表面には、レーザ光通過用凹部が彫り
込まれており、 前記レーザ光通過用凹部は、前記位置決め用突部におけ
る前記第1の側面の位置からレーザ光の出射方向に延び
ていることを特徴とする光源装置。
5. The laser light passage recess according to claim 1, wherein a laser light passage recess is formed in the surface of the semiconductor substrate. Wherein the light source device extends from the position of the first side surface in the emission direction of the laser light.
【請求項6】 請求項1ないし5のうちいずれかの項に
おいて、 前記レーザダイオードチップは、前記半導体基板の表面
に搭載したスペーサ部材の上に載置されていることを特
徴とする光源装置。
6. The light source device according to claim 1, wherein the laser diode chip is mounted on a spacer member mounted on a surface of the semiconductor substrate.
【請求項7】 請求項1ないし6のうちいずれかの項に
おいて、 前記半導体基板は、第1の半導体基板と、この第1の半
導体基板の表面に積層配置した第2の半導体基板とを含
み、 前記第2の半導体基板の表面に、前記位置決め用突部が
形成されていることを特徴とする光源装置。
7. The semiconductor substrate according to claim 1, wherein the semiconductor substrate includes a first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate stacked and disposed on a surface of the first semiconductor substrate. A light source device, wherein the positioning projection is formed on a surface of the second semiconductor substrate.
【請求項8】 請求項1ないし7のうちのいずれかの項
において、 前記位置決め用突部は、前記レーザーダイオードチップ
に対する相対位置が規定されている光学素子を位置決め
するための第3の側面を備えていることを特徴とする光
源装置。
8. The positioning projection according to claim 1, wherein the positioning projection has a third side surface for positioning an optical element whose relative position with respect to the laser diode chip is defined. A light source device comprising: a light source;
【請求項9】 請求項4に記載の光源装置のレーザーダ
イオードチップ位置決め方法であって、 前記第1のレーザーダイオードチップを前記第1の位置
決め用突部の前記第1および第2の側面に押し付けるこ
とにより、位置決めし、 この状態で、前記第2のレーザーダイオードチップを前
記第1の側面に押し付けながら当該第1の側面に沿って
摺動させることにより、当該第2のレーザーダイオード
チップを位置決めすることを特徴とする光源装置のレー
ザダイオードチップ位置決め方法。
9. The laser diode chip positioning method for a light source device according to claim 4, wherein the first laser diode chip is pressed against the first and second side surfaces of the first positioning projection. In this state, the second laser diode chip is slid along the first side surface while pressing the second laser diode chip against the first side surface, thereby positioning the second laser diode chip. A method for positioning a laser diode chip of a light source device.
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