JP2002140051A - Liquid crystal display device, its driving method and driving method for portable information device using the display device - Google Patents
Liquid crystal display device, its driving method and driving method for portable information device using the display deviceInfo
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体表示装置
(以下、表示装置と表記する)に関し、特に、絶縁体上
に作製される薄膜トランジスタを有するアクティブマト
リクス型表示装置に関する。その中で特に、映像信号と
してデジタル信号を用いるアクティブマトリクス型液晶
表示装置に関する。また、この表示装置を用いた携帯情
報装置に関する。特に、アクティブマトリクス型液晶表
示装置を用いた携帯電話、PDA、携帯パーソナルコン
ピュータ、携帯ナビゲーションシステム、電子書籍など
の携帯情報装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor display device (hereinafter, referred to as a display device), and more particularly to an active matrix display device having a thin film transistor formed on an insulator. In particular, the present invention relates to an active matrix liquid crystal display device using a digital signal as a video signal. Further, the present invention relates to a portable information device using the display device. In particular, the present invention relates to a mobile information device such as a mobile phone, a PDA, a mobile personal computer, a mobile navigation system, and an electronic book using an active matrix liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、絶縁体上、特にガラス基板上に半
導体薄膜を形成した表示装置、特に薄膜トランジスタ
(以下、TFTと表記する)を用いたアクティブマトリ
クス型表示装置の普及が顕著となっている。TFTを使
用したアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス
状に配置された数十万から数百万個のTFTを有し、各
画素の電荷を制御することによって画像の表示を行って
いる。2. Description of the Related Art In recent years, display devices in which a semiconductor thin film is formed on an insulator, particularly on a glass substrate, particularly active matrix display devices using thin film transistors (hereinafter, referred to as TFTs) have become increasingly popular. . An active matrix display device using TFTs has hundreds of thousands to millions of TFTs arranged in a matrix, and displays an image by controlling the charge of each pixel.
【0003】さらに最近の技術として、画素を構成する
画素TFTの他に、画素部の周辺部に、TFTを用いて
駆動回路を同時形成するポリシリコンTFTに関する技
術が発展してきており、装置の小型化、低消費電力化に
大いに貢献している。それに伴って、近年その応用分野
の拡大が著しいモバイル機器の表示部等に、液晶表示装
置は不可欠なデバイスとなってきている。As a more recent technology, in addition to a pixel TFT constituting a pixel, a technology relating to a polysilicon TFT in which a driving circuit is simultaneously formed using a TFT in a peripheral portion of a pixel portion has been developed. And contributes greatly to lower power consumption. Along with this, a liquid crystal display device has become an indispensable device in a display section of a mobile device, etc., in which the application field has been remarkably expanding in recent years.
【0004】通常のデジタル方式の液晶表示装置の概略
図を、図13に示す。中央に画素部1308が配置され
ている。画素部の上側には、ソース信号線を制御するた
めの、ソース信号線駆動回路1301が配置されてい
る。ソース信号線駆動回路1301は、シフトレジスタ
回路1303、第1のラッチ回路1304、第2のラッ
チ回路1305、D/A変換回路(D/Aコンバータ)
1306、アナログスイッチ1307等を有する。画素
部の左右には、ゲート信号線を制御するための、ゲート
信号線駆動回路1302が配置されている。なお、図1
3においては、ゲート信号線駆動回路1302は、画素
部の左右両側に配置されているが、片側配置でも構わな
い。ただし、両側配置としたほうが、駆動効率、駆動信
頼性の面から見て望ましい。FIG. 13 is a schematic diagram of a general digital liquid crystal display device. A pixel portion 1308 is provided at the center. A source signal line driver circuit 1301 for controlling a source signal line is provided above the pixel portion. The source signal line driver circuit 1301 includes a shift register circuit 1303, a first latch circuit 1304, a second latch circuit 1305, a D / A conversion circuit (D / A converter)
1306, an analog switch 1307, and the like. Gate signal line driving circuits 1302 for controlling gate signal lines are provided on the left and right sides of the pixel portion. FIG.
In 3, the gate signal line drive circuits 1302 are arranged on both left and right sides of the pixel portion, but may be arranged on one side. However, it is desirable to dispose them on both sides in terms of drive efficiency and drive reliability.
【0005】ソース信号線駆動回路1301に関して
は、図14に示すような構成を有している。図14に例
として示す駆動回路は、水平方向解像度1024画素、
3ビットデジタル階調信号に対応したソース信号線駆動
回路であり、シフトレジスタ回路(SR)1401、第
1のラッチ回路(LAT1)1402、第2のラッチ回
路(LAT2)1403、D/A変換回路(D/A)1
404等を有する。なお、図14では図示していない
が、必要に応じてバッファ回路、レベルシフタ回路等を
配置しても良い。The source signal line driving circuit 1301 has a configuration as shown in FIG. The drive circuit shown as an example in FIG. 14 has a horizontal resolution of 1024 pixels,
A source signal line driving circuit corresponding to a 3-bit digital gradation signal, which includes a shift register circuit (SR) 1401, a first latch circuit (LAT1) 1402, a second latch circuit (LAT2) 1403, and a D / A conversion circuit (D / A) 1
404 and the like. Although not shown in FIG. 14, a buffer circuit, a level shifter circuit, and the like may be provided as necessary.
【0006】図13および図14を用いて動作について
簡単に説明する。まず、シフトレジスタ回路1303
(図14中、SRと表記)にクロック信号(S−CL
K、S−CLKb)およびスタートパルス(S−SP)
が入力され、順次パルスが出力される。続いて、それら
のパルスは第1のラッチ回路1304(図14中、LA
T1と表記)に入力され、同じく第1のラッチ回路13
04に入力されたデジタル信号(Digital Data)をそれ
ぞれ保持していく。ここで、D1が最上位ビット(MS
B:Most Significant Bit)、D3が最下位ビット(L
SB:Least Significant Bit)である。第1のラッチ
回路1304において、1水平周期分のデジタル信号の
保持が完了すると、帰線期間中に、第1のラッチ回路1
304で保持されているデジタル信号は、ラッチ信号
(Latch Pulse)の入力に従い、一斉に第2のラッチ回
路1305(図14中、LAT2と表記)へと転送され
る。The operation will be briefly described with reference to FIGS. 13 and 14. First, the shift register circuit 1303
A clock signal (S-CL)
K, S-CLKb) and start pulse (S-SP)
Are input and pulses are sequentially output. Subsequently, those pulses are supplied to the first latch circuit 1304 (LA in FIG. 14).
T1) and the first latch circuit 13
The digital signal (Digital Data) input to the input device 04 is held. Here, D1 is the most significant bit (MS
B: Most Significant Bit, D3 is the least significant bit (L
SB: Least Significant Bit). When the holding of the digital signal for one horizontal cycle is completed in the first latch circuit 1304, the first latch circuit 1304
The digital signal held in 304 is simultaneously transferred to a second latch circuit 1305 (denoted as LAT2 in FIG. 14) in accordance with the input of a latch signal (Latch Pulse).
【0007】その後、再びシフトレジスタ回路1303
が動作し、次の水平周期分のデジタル信号の保持が開始
される。同時に、第2のラッチ回路1305で保持され
ているデジタル信号は、D/Aコンバータ1306(図
14中、D/Aと表記)にてアナログ信号へと変換され
る。このアナログ信号は、ソース信号線を経由して画素
に書き込まれる。この動作を繰り返すことによって、画
像の表示が行われる。Thereafter, the shift register circuit 1303 is again activated.
Operates to start holding digital signals for the next horizontal cycle. At the same time, the digital signal held by the second latch circuit 1305 is converted to an analog signal by a D / A converter 1306 (denoted as D / A in FIG. 14). This analog signal is written to the pixel via the source signal line. By repeating this operation, an image is displayed.
【0008】また、上述の従来の液晶表示装置を用いた
携帯情報端装置について説明する。A portable information terminal device using the above-mentioned conventional liquid crystal display device will be described.
【0009】携帯情報装置として、携帯情報端末を例に
説明する。図34に、従来の携帯情報端末のブロック図
を示す。携帯情報端末ではユーザーが必要に応じて、求
める情報を引き出すことが要求される。その情報は、ま
ず、その携帯情報端末内の記憶装置(DRAM150
9、フラッシュメモリ1510など)に記憶されている
もの、または携帯情報端末に差し込まれるメモリーカー
ド1503に記憶されているもの、外部インターフェイ
スポート1505を介して外部機器と接続して情報を得
る物などがある。これらの情報はペン入力タブレット1
501より入力されるユーザーの指示に基づいて、CP
U1506により処理され、液晶表示装置1513は表
示を行う。A portable information terminal will be described as an example of a portable information device. FIG. 34 shows a block diagram of a conventional portable information terminal. In a portable information terminal, it is required that a user derive required information as needed. The information is first stored in a storage device (DRAM 150) in the portable information terminal.
9, a flash memory 1510), a memory card 1503 inserted into a portable information terminal, a device connected to an external device via an external interface port 1505 to obtain information, and the like. is there. This information is stored in the pen input tablet 1
CP based on the user's instruction
The processing is performed by U1506, and the liquid crystal display device 1513 performs display.
【0010】具体的には、ペン入力ダブレット1501
より入力された信号は、検出回路1502により検出さ
れ、ダブレットインターフェイス1518に入力され
る。この入力信号は、ダブレットインターフェイス15
18により処理され、映像信号入力回路1507等に入
力される。必要なデータをCPU1506が処理し、そ
れをVRAM1511に格納してある画像フォーマット
に基づき、画像データに変換し、LCDコントローラ1
512に送付する。ここでLCDコントローラ1512
は液晶表示装置1513を駆動する信号を生成し、表示
装置を駆動し、表示を行う。[0010] Specifically, a pen input doublet 1501
The input signal is detected by the detection circuit 1502 and input to the doublet interface 1518. This input signal is sent to the doublet interface 15
18 and input to the video signal input circuit 1507 and the like. The CPU 1506 processes necessary data, converts the data into image data based on the image format stored in the VRAM 1511, and outputs the data to the LCD controller 1.
Send it to 512. Here, the LCD controller 1512
Generates a signal for driving the liquid crystal display device 1513, drives the display device, and performs display.
【0011】携帯情報装置として、携帯電話を例に説明
する。図35に、従来の携帯電話のブロック図を示す。
携帯電話は電波を送受信する送受信回路1615と、受
信した信号を音声処理する音声処理回路1602、スピ
ーカ1614、マイク1608、またデータを入力する
キーボード1601、キーボード1601より入力され
た信号を処理する、キーボードインターフェイス161
8などを有している。A portable telephone will be described as an example of a portable information device. FIG. 35 shows a block diagram of a conventional mobile phone.
The mobile phone includes a transmission / reception circuit 1615 for transmitting and receiving radio waves, a voice processing circuit 1602 for performing voice processing on a received signal, a speaker 1614, a microphone 1608, a keyboard 1601 for inputting data, and a keyboard for processing a signal input from the keyboard 1601. Interface 161
8 and the like.
【0012】キーボードより入力されるユーザーの指示
に基づいて、記憶装置(DRAM1609、フラッシュ
メモリ1610など)に記憶されているもの、または携
帯電話に差し込まれるメモリーカード1603に記憶さ
れているもの、外部インターフェイスポート1605を
介して外部機器と接続して得る情報等がCPU1606
により処理され、液晶表示装置1613は表示を行う。[0012] Based on a user's instruction input from a keyboard, a device stored in a storage device (DRAM 1609, flash memory 1610, etc.), a device stored in a memory card 1603 inserted into a mobile phone, an external interface Information and the like obtained by connecting to an external device via the port 1605 are stored in the CPU 1606.
, And the liquid crystal display device 1613 performs display.
【0013】具体的には、キーボード1601より入力
された信号は、キーボードインターフェイス1618に
より処理され、映像信号処理回路1607等に入力され
る。必要なデータをCPU1606が処理し、それをV
RAM1611に格納してある画像フォーマットに基づ
き、画像データに変換し、LCDコントローラ1612
に送付する。ここでLCDコントローラ1612は液晶
表示装置1613を駆動する信号を生成し、表示装置を
駆動し、表示を行う。More specifically, a signal input from a keyboard 1601 is processed by a keyboard interface 1618 and input to a video signal processing circuit 1607 and the like. The necessary data is processed by the CPU 1606, and
The image data is converted into image data based on the image format stored in the RAM
Send to Here, the LCD controller 1612 generates a signal for driving the liquid crystal display device 1613, drives the display device, and performs display.
【0014】なお、送受信回路1615の構造の例とし
て、図26を示す。FIG. 26 shows an example of the structure of the transmission / reception circuit 1615.
【0015】送受信回路1615は、アンテナ266
2、フィルタ2663、2667、2668、267
2、2676、スイッチ2664、アンプ2665、2
666、2677、第1周波数変換回路2669、第2
周波数変換回路2673、周波数変換回路2671、発
振回路2670、2674、直交変換器2675、デー
タ復調回路2678、データ変調回路2679を含む。The transmitting / receiving circuit 1615 includes an antenna 266
2, filters 2663, 2667, 2668, 267
2, 2676, switch 2664, amplifier 2665, 2
666, 2677, the first frequency conversion circuit 2669, the second
A frequency conversion circuit 2673, a frequency conversion circuit 2671, oscillation circuits 2670 and 2684, an orthogonal converter 2675, a data demodulation circuit 2678, and a data modulation circuit 2679 are included.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】一般的なアクティブマ
トリクス型液晶表示装置においては、動画の表示をスム
ーズに行うため、1秒間に60回前後、画面表示の更新
が行われる。すなわち、1フレーム毎にデジタル信号を
供給し、その都度画素への書き込みを行う必要がある。
たとえ、映像が静止画であったとしても、1フレーム毎
に同一の信号を供給しつづけなければならないため、外
部回路、駆動回路などが連続して同じデジタル信号の繰
り返し処理を行う必要がある。In a general active matrix type liquid crystal display device, the screen display is updated about 60 times per second in order to smoothly display a moving image. That is, it is necessary to supply a digital signal for each frame, and to perform writing to the pixel each time.
Even if the video is a still image, the same signal must be continuously supplied for each frame, so that an external circuit, a drive circuit, and the like need to continuously repeat the same digital signal.
【0017】静止画のデジタル信号を一旦、外部の記憶
回路に書き込み、以後は1フレーム毎に外部の記憶回路
から液晶表示装置にデジタル信号を供給する方法もある
が、いずれの場合にも外部の記憶回路と駆動回路とは動
作し続ける必要があることに変わりはない。There is a method in which a digital signal of a still image is once written in an external storage circuit, and thereafter, a digital signal is supplied from the external storage circuit to the liquid crystal display device for each frame. It is still necessary that the storage circuit and the drive circuit continue to operate.
【0018】また、従来の携帯情報装置では、組み込ま
れた表示装置が画像を表示する場合、たとえその画像が
静止画像であっても、同一の映像のデータを1秒間に6
0回づつ、表示装置に送り続けていた。即ち、図34
中、破線で囲った部分(CPU1506にある映像信号
処理回路1507、VRAM1511、LCDコントロ
ーラ1512、液晶表示装置1513のソース信号線駆
動回路及びゲート信号線駆動回路、ペン入力ダブレット
1501、検出回路1502、ダブレットインターフェ
イス1518)は画像の表示を行っている限り、動作を
行い続けていた。また、図35中、破線で囲った部分
(CPU1606にある映像信号処理回路1607、V
RAM1611、LCDコントローラ1612、液晶表
示装置1613のソース信号線駆動回路及びゲート信号
線駆動回路、キーボード1601、キーボードインター
フェイス1618)は画像の表示を行っている限り、動
作を行い続けていた。In a conventional portable information device, when an incorporated display device displays an image, even if the image is a still image, the same video data is transmitted for 6 seconds per second.
Each time, the data was continuously sent to the display device. That is, FIG.
The portions surrounded by broken lines (the video signal processing circuit 1507 in the CPU 1506, the VRAM 1511, the LCD controller 1512, the source signal line driving circuit and the gate signal line driving circuit of the liquid crystal display device 1513, the pen input doublet 1501, the detection circuit 1502, and the doublet). The interface 1518) continued to operate as long as the image was displayed. In FIG. 35, a portion surrounded by a broken line (the video signal processing circuit 1607 in the CPU 1606, V
The RAM 1611, the LCD controller 1612, the source signal line driver circuit and the gate signal line driver circuit of the liquid crystal display device 1613, the keyboard 1601, and the keyboard interface 1618) continue to operate as long as an image is displayed.
【0019】ここで、画素数の少ないパッシブマトリク
ス型表示装置においては、記憶回路を表示装置のドライ
バICもしくはコントローラの中に内蔵し、VRAMを
停止するものも存在するが、アクティブマトリクス型表
示装置のような多数の画素を用いる表示装置では、ドラ
イバ内もしくはコントローラ内に記憶回路を有するのは
チップサイズの観点から、非現実的である。よって、従
来の携帯情報装置では、静止画を表示する場合において
も、多くの回路は動作を続けねばならず、消費電力の低
減に対して、妨げと成っていた。Here, in a passive matrix type display device having a small number of pixels, there is a type in which a storage circuit is built in a driver IC or a controller of the display device and the VRAM is stopped. In a display device using such a large number of pixels, it is impractical to have a memory circuit in a driver or a controller from the viewpoint of chip size. Therefore, in the conventional portable information device, many circuits must continue to operate even when a still image is displayed, which hinders a reduction in power consumption.
【0020】また、モバイル機器においては、低消費電
力化が大きく望まれている。さらに、このモバイル機器
においては、静止画モードで使用されることが大部分を
占めているにもかかわらず、前述のように駆動回路は静
止画表示の際にも動作し続けているため、低消費電力化
への足かせとなっている。In mobile devices, low power consumption is greatly desired. Furthermore, in this mobile device, even though it is mostly used in the still image mode, the driving circuit continues to operate even when the still image is displayed as described above. This is a drag on power consumption.
【0021】本発明は前述のような問題点を鑑見て、静
止画の表示時における駆動回路などの消費電力を低減す
ることを課題とする。The present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to reduce power consumption of a driving circuit and the like when a still image is displayed.
【0022】[0022]
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明では次のような手段を用いた。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention uses the following means.
【0023】画素内に複数の記憶回路と、画素毎にデジ
タル信号を記憶させる。静止画の場合、一度書き込みを
行えば、それ以降、画素に書き込まれる情報は同様であ
るので、フレーム毎に信号の入力を行わなくとも、記憶
回路に記憶されている信号を読み出すことによって静止
画を継続的に表示することができる。すなわち、静止画
を表示する際は、最低1フレーム分の信号の処理動作を
行って以降は、ソース信号線駆動回路や画像信号処理回
路等を停止させておくことが可能となり、それに伴って
電力消費を大きく低減することが可能となる。A plurality of storage circuits are stored in a pixel, and a digital signal is stored for each pixel. In the case of a still image, once the writing is performed, the information written to the pixels thereafter is the same. Therefore, the signal stored in the storage circuit can be read out by reading the signal stored in the storage circuit without inputting the signal for each frame. Can be displayed continuously. That is, when a still image is displayed, the source signal line driving circuit, the image signal processing circuit, and the like can be stopped after the signal processing operation for at least one frame has been performed. It is possible to greatly reduce consumption.
【0024】以下に、本発明の液晶表示装置及びそれを
用いた携帯情報装置の構成について記載する。Hereinafter, the configuration of the liquid crystal display device of the present invention and a portable information device using the same will be described.
【0025】本発明によって、画素を有する液晶表示装
置において、前記画素は、複数の記憶回路と、D/Aコ
ンバータとを有することを特徴とする液晶表示装置が提
供される。According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device having a pixel, wherein the pixel has a plurality of storage circuits and a D / A converter.
【0026】本発明によって、画素を有する液晶表示装
置において、前記画素は、n(nは、2以上の自然数)
個の記憶回路と、前記n個の記憶回路に記憶されたデジ
タル信号をアナログ信号に変換するD/Aコンバータと
を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。According to the present invention, in the liquid crystal display device having a pixel, the pixel has n (n is a natural number of 2 or more).
A liquid crystal display device comprising: a plurality of storage circuits; and a D / A converter that converts digital signals stored in the n storage circuits into analog signals.
【0027】本発明によって、画素を有し、前記画素
は、液晶素子を有し、アナログ信号が前記液晶素子に入
力される液晶表示装置において、前記画素は、n(nは
2以上の自然数)個の記憶回路と、前記n個の記憶回路
に記憶されたデジタル信号を前記アナログ信号に変換す
るD/Aコンバータとを有することを特徴とする液晶表
示装置が提供される。According to the present invention, in a liquid crystal display device having a pixel, the pixel having a liquid crystal element, and an analog signal being input to the liquid crystal element, the pixel has n (n is a natural number of 2 or more). A liquid crystal display device comprising: a plurality of storage circuits; and a D / A converter that converts digital signals stored in the n storage circuits into the analog signals.
【0028】本発明によって、画素を有する液晶表示装
置において、前記画素は、n×m(n及びmは、2以上
の自然数)個の記憶回路と、前記n×m個の記憶回路に
記憶されたnビット分のデジタル信号をアナログ信号に
変換するD/Aコンバータとを有することを特徴とする
液晶表示装置が提供される。According to the present invention, in a liquid crystal display device having pixels, the pixels are stored in n × m (n and m are natural numbers of 2 or more) storage circuits and the n × m storage circuits. And a D / A converter for converting the n-bit digital signal into an analog signal.
【0029】本発明によって、画素を有する液晶表示装
置の駆動方法において、前記画素は、n×m(n及びm
は、2以上の自然数)個の記憶回路と、前記n×m個の
記憶回路に記憶されたnビット分のデジタル信号をアナ
ログ信号に変換するD/Aコンバータとを有し、前記画
素が、mフレーム分のデジタル信号を記憶することを特
徴とする液晶表示装置が提供される。According to the present invention, in the driving method of the liquid crystal display device having the pixel, the pixel has n × m (n and m
Has two or more natural numbers) storage circuits, and a D / A converter that converts n-bit digital signals stored in the n × m storage circuits into analog signals. A liquid crystal display device characterized by storing digital signals for m frames is provided.
【0030】ソース信号線を有し、前記記憶回路及び前
記D/Aコンバータは、前記ソース信号線と重なって配
置されていることを特徴とした液晶表示装置であっても
よい。The liquid crystal display device may have a source signal line, wherein the storage circuit and the D / A converter are arranged so as to overlap the source signal line.
【0031】ゲート信号線を有し、前記記憶回路及び前
記D/Aコンバータは、前記ゲート信号線と重なって配
置されていることを特徴とした液晶表示装置であっても
よい。A liquid crystal display device having a gate signal line, wherein the storage circuit and the D / A converter are arranged so as to overlap the gate signal line.
【0032】本発明によって、画素を有し、前記画素
は、液晶素子を有する液晶表示装置において、前記画素
は、ソース信号線と、n(nは2以上の自然数)本のゲ
ート信号線と、n個のTFTと、n個の記憶回路と、D
/Aコンバータとを有し、前記n個のTFTのゲート電
極はそれぞれ、前記n本のゲート信号線のうちのそれぞ
れ1本に接続され、ソース領域とドレイン領域の一方
は、前記ソース信号線に接続され、もう一方はそれぞ
れ、前記n個の記憶回路のうちのそれぞれ1つの入力端
子に接続され、前記n個の記憶回路の出力端子はそれぞ
れ、前記D/Aコンバータの入力端子に接続され、前記
D/Aコンバータの出力端子は、液晶素子に接続されて
いることを特徴とする液晶表示装置が提供される。According to the present invention, in a liquid crystal display device having a pixel, wherein the pixel has a liquid crystal element, the pixel has a source signal line, n (n is a natural number of 2 or more) gate signal lines, n TFTs, n storage circuits, and D
/ A converter, wherein the gate electrodes of the n TFTs are respectively connected to one of the n gate signal lines, and one of a source region and a drain region is connected to the source signal line. Connected to each other, and each of the other terminals is connected to one input terminal of the n storage circuits, and the output terminals of the n storage circuits are respectively connected to input terminals of the D / A converter; An output terminal of the D / A converter is connected to a liquid crystal element, thereby providing a liquid crystal display device.
【0033】本発明によって、画素を有し、前記画素
は、液晶素子を有する液晶表示装置において、前記画素
は、n(nは2以上の自然数)本のソース信号線と、ゲ
ート信号線と、n個のTFTと、n個の記憶回路と、D
/Aコンバータとを有し、前記n個のTFTのゲート電
極は、前記ゲート信号線に接続され、ソース領域とドレ
イン領域の一方はそれぞれ、前記n本のソース信号線の
うちのそれぞれ1つに接続され、もう一方はそれぞれ、
前記n個の記憶回路のうちのそれぞれ1つの入力端子に
接続され、前記n個の記憶回路の出力端子はそれぞれ、
前記D/Aコンバータの入力端子に接続され、前記D/
Aコンバータの出力端子は、前記液晶素子に接続されて
いることを特徴とする液晶表示装置が提供される。According to the present invention, in a liquid crystal display device having a pixel, wherein the pixel has a liquid crystal element, the pixel has n (n is a natural number of 2 or more) source signal lines, a gate signal line, n TFTs, n storage circuits, and D
/ A converter, wherein the gate electrodes of the n TFTs are connected to the gate signal lines, and one of the source region and the drain region is connected to one of the n source signal lines, respectively. Connected, and the other,
The output terminals of the n storage circuits are respectively connected to one input terminal of the n storage circuits,
Connected to the input terminal of the D / A converter,
An output terminal of the A converter is connected to the liquid crystal element, so that a liquid crystal display device is provided.
【0034】ソース信号線駆動回路を有し、前記ソース
信号線駆動回路は、シフトレジスタと、前記シフトレジ
スタからのサンプリングパルスによってnビットのデジ
タル信号を保持する第1のラッチ回路と、前記第1のラ
ッチ回路に保持された前記nビットのデジタル信号が転
送される第2のラッチ回路と、前記第2のラッチ回路に
転送された前記nビットのデジタル信号を1ビットずつ
順に選択し前記ソース信号線に入力するスイッチとを有
することを特徴とする液晶表示装置であってもよい。A source signal line driving circuit, the source signal line driving circuit comprising: a shift register; a first latch circuit for holding an n-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register; A second latch circuit to which the n-bit digital signal held by the latch circuit is transferred, and a source signal which sequentially selects the n-bit digital signal transferred to the second latch circuit bit by bit. A liquid crystal display device having a switch for inputting to a line may be provided.
【0035】ソース信号線駆動回路を有し、前記ソース
信号線駆動回路は、シフトレジスタと、前記シフトレジ
スタからのサンプリングパルスによって1ビットのデジ
タル信号を保持する第1のラッチ回路と、前記第1のラ
ッチ回路に保持された前記1ビットのデジタル信号が転
送される第2のラッチ回路とを有することを特徴とする
液晶表示装置であってもよい。A source signal line driving circuit, the source signal line driving circuit comprising: a shift register; a first latch circuit for holding a 1-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register; And a second latch circuit to which the one-bit digital signal held in the latch circuit is transferred.
【0036】ソース信号線駆動回路を有し、前記ソース
信号線駆動回路は、シフトレジスタと、前記シフトレジ
スタからのサンプリングパルスによってnビットのデジ
タル信号を保持する第1のラッチ回路とを有することを
特徴とする液晶表示装置であってもよい。A source signal line driving circuit, wherein the source signal line driving circuit includes a shift register and a first latch circuit for holding an n-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register. A characteristic liquid crystal display device may be used.
【0037】ソース信号線駆動回路を有し、前記ソース
信号線駆動回路は、シフトレジスタと、前記シフトレジ
スタからのサンプリングパルスによってnビットのデジ
タル信号を保持する第1のラッチ回路と、前記第1のラ
ッチ回路に保持されたnビットのデジタル信号を前記n
本のソース信号線に入力するn個のスイッチとを有する
ことを特徴とする液晶表示装置であってもよい。A source signal line driving circuit, the source signal line driving circuit comprising: a shift register; a first latch circuit for holding an n-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register; The n-bit digital signal held in the latch circuit
The liquid crystal display device may include n switches for inputting the source signal lines.
【0038】前記記憶回路はスタティック型メモリ(S
RAM)、強誘電体メモリ(FRAM)またはダイナミ
ック型メモリ(DRAM)であることを特徴とする液晶
表示装置であってもよい。The storage circuit is a static type memory (S
The liquid crystal display device may be a RAM, a ferroelectric memory (FRAM), or a dynamic memory (DRAM).
【0039】前記記憶回路は、ガラス基板上、プラスチ
ック基板上、ステンレス基板上または単結晶ウェハ上に
形成されていることを特徴とする液晶表示装置であって
もよい。The liquid crystal display device may be characterized in that the storage circuit is formed on a glass substrate, a plastic substrate, a stainless steel substrate, or a single crystal wafer.
【0040】前記液晶表示装置を用いることを特徴とす
るテレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、ビデオ
カメラまたはヘッドマウントディスプレイであってもよ
い。A television, a personal computer, a portable terminal, a video camera or a head mounted display characterized by using the liquid crystal display device may be used.
【0041】本発明によって、マトリクス状に配置され
た複数の画素を有する液晶表示装置の駆動方法におい
て、前記複数の画素はそれぞれ、複数の記憶回路と、D
/Aコンバータとを有し、前記複数の画素のうち、特定
の行の画素または特定の列の画素が有する前記複数の記
憶回路のデータを書き換えることを特徴とする液晶表示
装置の駆動方法が提供される。According to the present invention, in a driving method of a liquid crystal display device having a plurality of pixels arranged in a matrix, each of the plurality of pixels includes a plurality of storage circuits,
/ A converter, wherein data of the plurality of storage circuits included in pixels of a specific row or pixels of a specific column among the plurality of pixels is rewritten. Is done.
【0042】本発明によって、複数の画素と、前記複数
の画素に映像信号を入力するソース信号線駆動回路とを
有する液晶表示装置の駆動方法において、前記複数の画
素はそれぞれ、複数の記憶回路と、D/Aコンバータと
を有し、静止画を表示するとき、前記ソース信号線駆動
回路の動作を停止することを特徴とする液晶表示装置の
駆動方法が提供される。According to the present invention, in a method for driving a liquid crystal display device having a plurality of pixels and a source signal line driving circuit for inputting a video signal to the plurality of pixels, each of the plurality of pixels includes a plurality of storage circuits. , A D / A converter, and stopping the operation of the source signal line driving circuit when displaying a still image.
【0043】前記記憶回路はスタティック型メモリ(S
RAM)、強誘電体メモリ(FRAM)またはダイナミ
ック型メモリ(DRAM)であることを特徴とする液晶
表示装置の駆動方法であってもよい。The storage circuit is a static type memory (S
RAM), a ferroelectric memory (FRAM), or a dynamic memory (DRAM).
【0044】前記記憶回路は、ガラス基板上、プラスチ
ック基板上、ステンレス基板上または単結晶ウェハ上に
形成されていることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法であってもよい。The storage circuit may be formed on a glass substrate, a plastic substrate, a stainless steel substrate, or a single crystal wafer.
【0045】前記駆動方法の前記液晶表示装置を用いる
ことを特徴とするテレビ、パーソナルコンピュータ、携
帯端末、ビデオカメラまたはヘッドマウントディスプレ
イであってもよい。A television, a personal computer, a portable terminal, a video camera, or a head-mounted display, wherein the liquid crystal display device of the driving method is used.
【0046】本発明によって、液晶表示装置と、CPU
とを有する携帯情報装置の駆動方法において、前記液晶
表示装置は、画素中に、複数の記憶回路と、D/Aコン
バータと、前記複数の記憶回路に信号を出力する駆動回
路とを有し、前記CPUは、前記駆動回路を制御する第
1の回路と、前記携帯情報装置に入力される信号を制御
する第2の回路とを有し、前記液晶表示装置が静止画を
表示するとき、前記第1の回路を停止することを特徴と
する携帯情報装置の駆動方法が提供される。According to the present invention, a liquid crystal display device and a CPU
Wherein the liquid crystal display device includes, in a pixel, a plurality of storage circuits, a D / A converter, and a drive circuit that outputs a signal to the plurality of storage circuits. The CPU includes a first circuit that controls the drive circuit and a second circuit that controls a signal input to the portable information device. When the liquid crystal display device displays a still image, There is provided a driving method of a portable information device, wherein the first circuit is stopped.
【0047】本発明によって、液晶表示装置と、VRA
Mとを有する携帯情報装置の駆動方法において、前記液
晶表示装置は、画素中に、複数の記憶回路と、D/Aコ
ンバータとを有し、前記液晶表示装置が静止画を表示す
るとき、前記VRAMのデータの読み出し操作を停止す
ることを特徴とする携帯情報装置の駆動方法が提供され
る。According to the present invention, a liquid crystal display device and a VRA
M, the liquid crystal display device has a plurality of storage circuits and a D / A converter in a pixel, and the liquid crystal display device displays a still image when the liquid crystal display device displays a still image. A method for driving a portable information device is provided, wherein the operation of reading data from a VRAM is stopped.
【0048】本発明によって、液晶表示装置を有する携
帯情報装置の駆動方法において、前記液晶表示装置は、
画素中に、複数の記憶回路と、D/Aコンバータとを有
し、前記液晶表示装置が静止画を表示するとき、前記液
晶表示装置のソース信号線駆動回路を停止することを特
徴とする携帯情報装置の駆動方法が提供される。According to the present invention, in a driving method of a portable information device having a liquid crystal display device, the liquid crystal display device includes:
A cell having a plurality of storage circuits and a D / A converter in a pixel, wherein a source signal line driver circuit of the liquid crystal display device is stopped when the liquid crystal display device displays a still image. A method for driving an information device is provided.
【0049】前記複数の記憶回路は、1フレーム期間に
1度読み出し操作が行われることを特徴とする携帯情報
装置の駆動方法であってもよい。The driving method of a portable information device may be characterized in that a read operation is performed once in one frame period in the plurality of storage circuits.
【0050】本発明によって、液晶表示装置を有する携
帯情報装置の駆動方法において、前記液晶表示装置はマ
トリクス状に配置された複数の画素を有し、前記複数の
画素はそれぞれ、複数の記憶回路と、D/Aコンバータ
とを有し、前記液晶表示装置は、前記複数の画素のう
ち、特定の行の画素または特定の列の画素が有する前記
複数の記憶回路のデータを書き換えることを特徴とする
携帯情報装置の駆動方法が提供される。According to the present invention, in a driving method of a portable information device having a liquid crystal display device, the liquid crystal display device has a plurality of pixels arranged in a matrix, and each of the plurality of pixels has a plurality of storage circuits and , A D / A converter, and wherein the liquid crystal display device rewrites data of the plurality of storage circuits included in a pixel in a specific row or a pixel in a specific column among the plurality of pixels. A method for driving a portable information device is provided.
【0051】前記携帯情報装置は、携帯電話、パーソナ
ルコンピュータ、ナビゲーションシステム、PDAまた
は電子書籍であることを特徴とする携帯情報装置の駆動
方法であってもよい。[0051] The portable information device may be a portable telephone, a personal computer, a navigation system, a PDA or an electronic book.
【0052】[0052]
【発明の実施の形態】図2は、記憶回路を有する画素を
用いた表示装置における、ソース信号線駆動回路および
一部の画素の構成を示したものである。この回路は、3
ビットデジタル階調信号に対応したものであり、シフト
レジスタ回路(SR)201、第1のラッチ回路(LA
T1)202、第2のラッチ回路(LAT2)203、
ビット信号選択スイッチ(SW)204、画素(Pix
el)205を有する。210は、ゲート信号線駆動回
路あるいは外部から直接供給される信号であり、画素の
説明とともに後述する。FIG. 2 shows the configuration of a source signal line drive circuit and some pixels in a display device using pixels having a memory circuit. This circuit has 3
The shift register circuit (SR) 201 and the first latch circuit (LA)
T1) 202, a second latch circuit (LAT2) 203,
Bit signal selection switch (SW) 204, pixel (Pix
el) 205. Reference numeral 210 denotes a signal supplied directly from the gate signal line driving circuit or the outside, and will be described later together with a description of a pixel.
【0053】図1は、図2における画素205における
回路構成を詳細に示したものである。この画素は、3ビ
ットデジタル階調信号に対応したものであり、液晶素子
(LC)、保持容量(Cs)、記憶回路(105〜10
7)及びD/A(D/Aコンバータ:111)等を有し
ている。101はソース信号線、102〜104は書き
込み用ゲート信号線、108〜110は書き込み用TF
Tである。FIG. 1 shows the circuit configuration of the pixel 205 in FIG. 2 in detail. This pixel corresponds to a 3-bit digital gradation signal, and includes a liquid crystal element (LC), a storage capacitor (Cs), and a storage circuit (105 to 10).
7) and D / A (D / A converter: 111). 101 is a source signal line, 102 to 104 are gate signal lines for writing, and 108 to 110 are TFs for writing.
T.
【0054】D/Aコンバータ111の具体例は実施例
にて記述するが、実施例に記述された以外の方式を用い
てD/Aコンバータを構成してもかまわない。Although a specific example of the D / A converter 111 will be described in the embodiment, the D / A converter may be configured using a method other than that described in the embodiment.
【0055】図3は、図1に示した本発明の表示装置に
おけるタイミングチャートである。表示装置は3ビット
デジタル階調信号、VGAのものを対象としている。図
1〜図3を用いて、駆動方法について説明する。なお、
各番号は、図1〜図3のものをそのまま用いる(図番は
省略する)。FIG. 3 is a timing chart for the display device of the present invention shown in FIG. The display device is intended for a 3-bit digital gradation signal, VGA. The driving method will be described with reference to FIGS. In addition,
1 to 3 are used as they are (the figure numbers are omitted).
【0056】図2および図3(A)(B)を参照する。
図3(A)において、各フレーム期間をα、β、γと表
記して説明する。まず、区間αにおける回路動作につい
て説明する。Referring to FIGS. 2 and 3A and 3B, FIG.
In FIG. 3A, each frame period will be described as α, β, γ. First, the circuit operation in the section α will be described.
【0057】従来のデジタル方式の駆動回路の場合と同
様に、シフトレジスタ回路201にクロック信号(S−
CLK、S−CLKb)およびスタートパルス(S−S
P)が入力され、順次サンプリングパルスが出力され
る。続いて、サンプリングパルスは第1のラッチ回路2
02(LAT1)に入力され、同じく第1のラッチ回路
202に入力されたデジタル信号(Digital Data)をそ
れぞれ保持していく。この期間を、本明細書においては
ドットデータサンプリング期間と表記する。1水平期間
分のドットデータサンプリング期間は、図3(A)にお
いて1〜480で示す各期間である。デジタル信号は3
ビットであり、D1がMSB(Most Significant Bi
t)、D3がLSB(Least Significant Bit)である。
第1のラッチ回路202において、1水平周期分のデジ
タル信号の保持が完了すると、帰線期間中に、第1のラ
ッチ回路202で保持されているデジタル信号は、ラッ
チ信号(Latch Pulse)の入力に従い、一斉に第2のラ
ッチ回路203(LAT2)へと転送される。As in the case of the conventional digital driving circuit, a clock signal (S-
CLK, S-CLKb) and start pulse (S-S
P) is input, and sampling pulses are sequentially output. Subsequently, the sampling pulse is supplied to the first latch circuit 2
02 (LAT1), and holds the digital signal (Digital Data) also input to the first latch circuit 202. This period is referred to as a dot data sampling period in this specification. The dot data sampling period for one horizontal period is each period indicated by 1 to 480 in FIG. Digital signal is 3
D1 is the MSB (Most Significant Bi
t) and D3 are LSB (Least Significant Bit).
When the holding of the digital signal for one horizontal cycle is completed in the first latch circuit 202, the digital signal held by the first latch circuit 202 is input to the latch signal (Latch Pulse) during the retrace period. , Are simultaneously transferred to the second latch circuit 203 (LAT2).
【0058】続いて、再びシフトレジスタ回路201か
ら出力されるサンプリングパルスに従い、次の水平周期
分のデジタル信号の保持動作が行われる。Subsequently, in accordance with the sampling pulse output from the shift register circuit 201 again, a digital signal holding operation for the next horizontal cycle is performed.
【0059】一方、第2のラッチ回路203に転送され
たデジタル信号は、画素内に配置された記憶回路に書き
込まれる。図3(B)に示すように、次列のドットデー
タサンプリング期間をI、IIおよびIIIと3分割し、第2
のラッチ回路に保持されているデジタル信号をソース信
号線に出力する。このとき、ビット信号選択スイッチ2
04によって、各ビットの信号が順番にソース信号線に
出力されるようにする。On the other hand, the digital signal transferred to the second latch circuit 203 is written to a storage circuit arranged in a pixel. As shown in FIG. 3B, the dot data sampling period of the next row is divided into I, II, and III, and
The digital signal held in the latch circuit is output to the source signal line. At this time, the bit signal selection switch 2
In step 04, each bit signal is sequentially output to the source signal line.
【0060】期間Iでは、書き込み用ゲート信号線10
2にパルスが入力されてTFT108が導通し、記憶回
路105にデジタル信号が書き込まれる。続いて、期間
IIでは、書き込み用ゲート信号線103にパルスが入力
されてTFT109が導通し、記憶回路106にデジタ
ル信号が書き込まれる。最後に、期間IIIでは、書き込
み用ゲート信号線104にパルスが入力されてTFT1
10が導通し、記憶回路107にデジタル信号が書き込
まれる。In the period I, the write gate signal line 10
2, a pulse is input, the TFT 108 is turned on, and a digital signal is written to the storage circuit 105. Then, the period
In II, a pulse is input to the write gate signal line 103, the TFT 109 is turned on, and a digital signal is written to the storage circuit 106. Finally, in a period III, a pulse is input to the write gate signal line 104 and the TFT 1
10 conducts, and a digital signal is written to the storage circuit 107.
【0061】以上で、1水平期間分のデジタル信号の処
理が終了する。図3(B)の期間は、図3(A)におい
て※印で示された期間である。以上の動作を最終段まで
行うことにより、1フレーム分のデジタル信号が記憶回
路105に書き込まれる。Thus, the processing of the digital signal for one horizontal period is completed. The period in FIG. 3B is a period indicated by an asterisk in FIG. 3A. By performing the above operation up to the final stage, a digital signal for one frame is written in the storage circuit 105.
【0062】書き込まれたデジタル信号は、D/A11
1によってアナログ信号に変換され、液晶素子に入力さ
れる。このアナログ信号に応じて液晶素子の透過率が変
化し、階調を表現する。ここでは、3ビットであるか
ら、輝度は0〜7までの8段階が得られる。The written digital signal is D / A 11
The signal is converted into an analog signal by 1 and input to a liquid crystal element. The transmittance of the liquid crystal element changes according to the analog signal, and a gray scale is expressed. Here, since there are three bits, eight levels of luminance from 0 to 7 can be obtained.
【0063】以上の動作を繰り返して、映像の表示が継
続的に行われる。ここで、静止画を表示する場合には、
最初の動作で記憶回路105〜107に、いったんデジ
タル信号が記憶されてからは、各フレーム期間で記憶回
路105〜107に記憶されたデジタル信号を反復して
読み出せば良い。The above operation is repeated to continuously display the image. Here, when displaying a still image,
After the digital signals are once stored in the storage circuits 105 to 107 in the first operation, the digital signals stored in the storage circuits 105 to 107 may be repeatedly read in each frame period.
【0064】フレーム期間毎に、記憶回路にそれぞれ記
憶されたデジタル信号を反復して読み出し、D/A11
1においてアナログ信号に変換する操作は、DACコン
トローラを用いて制御すればよい。The digital signal stored in the storage circuit is repeatedly read out for each frame period, and the D / A 11
The operation of converting into an analog signal in 1 may be controlled using a DAC controller.
【0065】もしくは、記憶回路の出力をそれぞれ、読
み出し用TFT(図示せず)を介してD/A111に入
力するようにする。この読み出し用TFTのオン・オフ
を操作することによって、各フレーム期間毎に、記憶回
路に記憶されたデジタル信号を反復して読み出してもよ
い。Alternatively, each output of the storage circuit is input to the D / A 111 via a reading TFT (not shown). By operating the read TFT on / off, the digital signal stored in the storage circuit may be repeatedly read for each frame period.
【0066】このとき、読み出し用TFTのゲート電極
が接続された読み出し用ゲート信号線(図示せず)に信
号を入力する動作は、読み出し用のゲート信号線駆動回
路(図示せず)を用いて行う。At this time, the operation of inputting a signal to a read gate signal line (not shown) to which the gate electrode of the read TFT is connected is performed using a read gate signal line drive circuit (not shown). Do.
【0067】したがって、静止画が表示されている期間
中は、ソース信号線駆動回路の駆動を停止させることが
出来る。Therefore, the driving of the source signal line driving circuit can be stopped during the period in which the still image is displayed.
【0068】さらに、記憶回路へのデジタル信号の書き
込み、あるいは記憶回路からのデジタル信号の読み出し
は、ゲート信号線1本単位で行うことが可能である。す
なわち、ソース信号線駆動回路を短期間のみ動作させ、
画面の一部のみを書き換えるなどといった表示方法をと
ることも出来る。Further, writing of a digital signal to the storage circuit or reading of a digital signal from the storage circuit can be performed for each gate signal line. That is, the source signal line drive circuit is operated only for a short period,
A display method such as rewriting only a part of the screen can be adopted.
【0069】この場合は、ゲート信号線駆動回路とし
て、デコーダを使うのが望ましい。デコーダを使用する
場合には、特開平8−101669に開示された回路を
用いればよく、図23に一例を示す。また、ソース信号
線駆動回路にもデコーダを用いて部分書き換えを行うこ
とも可能である。In this case, it is desirable to use a decoder as the gate signal line driving circuit. When a decoder is used, the circuit disclosed in JP-A-8-101669 may be used, and FIG. 23 shows an example. It is also possible to partially rewrite the source signal line driver circuit using a decoder.
【0070】また、本実施形態においては、1画素内に
3つの記憶回路を有し、3ビットのデジタル信号を1フ
レーム分だけ記憶する機能を有しているが、本発明は、
記憶回路をこの数に限定しない。例えば、n(nは、2
以上の自然数)ビットのデジタル信号をm(mは、2以
上の自然数)フレーム分だけ記憶するには、1画素内に
n×m個の記憶回路を有していれば良い。Further, in the present embodiment, three storage circuits are provided in one pixel and a function of storing a 3-bit digital signal for one frame is provided.
The number of storage circuits is not limited to this number. For example, n (n is 2
In order to store digital signals of the above (natural number) bits for m (m is a natural number of 2 or more) frames, it is sufficient that one pixel has n × m storage circuits.
【0071】以上の方法により、画素内に実装された記
憶回路を用いてデジタル信号の記憶を行うことにより、
静止画を表示する際に各フレーム期間で記憶回路に記憶
されたデジタル信号を反復して用いる。これによって、
外部回路、ソース信号線駆動回路などを駆動することな
く、継続的に静止画表示が可能となる。よって、液晶表
示装置の低消費電力化に大きく貢献することが出来る。According to the above method, by storing a digital signal using the storage circuit mounted in the pixel,
When displaying a still image, the digital signal stored in the storage circuit in each frame period is used repeatedly. by this,
Still image display can be continuously performed without driving an external circuit, a source signal line driving circuit, and the like. Therefore, it is possible to greatly contribute to lower power consumption of the liquid crystal display device.
【0072】また、ソース信号線駆動回路に関しては、
ビット数に応じて増加するラッチ回路等の配置の問題か
ら、必ずしも絶縁体上に一体形成する必要はなく、その
一部あるいは全部を外付けで構成しても良い。As for the source signal line driving circuit,
Due to the problem of the arrangement of the latch circuit and the like that increases with the number of bits, it is not always necessary to integrally form the circuit on the insulator, and a part or all of the circuit may be externally provided.
【0073】さらに、本実施形態にて示したソース信号
線駆動回路においては、ビット数に応じたラッチ回路を
配置しているが、1ビット分のみ配置して動作させるこ
とも可能である。この場合、上位ビットから下位ビット
のデジタル信号を直列にラッチ回路に入力すれば良い。Further, in the source signal line driving circuit shown in this embodiment, a latch circuit corresponding to the number of bits is arranged, but it is also possible to arrange and operate only one bit. In this case, the digital signal from the upper bit to the lower bit may be input to the latch circuit in series.
【0074】図24は、上述した構成の液晶表示装置を
用いた本発明の携帯情報装置の構成を示したものであ
る。静止画を表示する場合、表示装置2413の画素の
内部にある、記憶回路に映像信号を記憶させ、記憶した
映像信号を呼び出すことによって、表示をおこなう。よ
って、従来、動作させていたCPU2406の内部回路
のうち、映像信号処理回路2407、VRAM(Video
RAM)2411、表示装置2413の中のソース信号線
駆動回路を停止することが可能となる。FIG. 24 shows a configuration of a portable information device of the present invention using the liquid crystal display device having the above-described configuration. In the case of displaying a still image, display is performed by storing a video signal in a storage circuit inside a pixel of the display device 2413 and recalling the stored video signal. Therefore, the video signal processing circuit 2407 and the VRAM (Video
RAM) 2411 and the source signal line driver circuit in the display device 2413 can be stopped.
【0075】以下その内容について、具体的に説明をお
こなう。ペン入力タブレット2401からの入力が一定
時間の間行われない、もしくは外部インターフェイスポ
ート2405から、映像表示を変えなければならないよ
うな信号入力が一定時間されない場合、CPU2406
は静止画モードであると判断をおこなう。CPU240
6がそのような判断を行った場合、CPU2406は以
下のような動作をおこなう。LCDコントローラ241
2を介して、表示装置2413のソース信号線駆動回路
を停止させる。具体的には、ソース信号線駆動回路への
スタートパルス、クロック信号、映像データ信号の供給
を停止することによって、ソース信号線駆動回路の動作
を停止させることができる。このときゲート信号線駆動
回路は停止させずに、信号の供給をうけ、記憶回路のデ
ータを反復して読み出す操作をおこなう。The contents will be specifically described below. If input from the pen input tablet 2401 is not performed for a certain period of time, or if a signal input to change the image display from the external interface port 2405 is not performed for a certain period of time, the CPU 2406
Is determined to be the still image mode. CPU240
6 makes such a determination, the CPU 2406 performs the following operation. LCD controller 241
Then, the source signal line driver circuit of the display device 2413 is stopped via 2. Specifically, the operation of the source signal line driver circuit can be stopped by stopping the supply of the start pulse, the clock signal, and the video data signal to the source signal line driver circuit. At this time, without stopping the gate signal line driving circuit, a signal is supplied and an operation of repeatedly reading data from the memory circuit is performed.
【0076】ゲート信号線駆動回路はソース信号線駆動
回路に比べて、一般的には、1/100以下の周波数で
駆動されるため、動作を停止しなくとも,消費電力上は
問題にならない。もちろん、液晶の画質上の問題、例え
ば、焼きつき現象が発生しないような液晶材料を使用す
る場合には、ゲート信号線駆動回路を停止してもよい。
このような動作によって、表示装置2413はゲート信
号線駆動回路のみ、または、ソース信号線駆動回路とゲ
ート信号線駆動回路の両方の信号線駆動回路を停止させ
て、表示をおこなう。Since the gate signal line driving circuit is generally driven at a frequency of 1/100 or less as compared with the source signal line driving circuit, there is no problem in power consumption even if the operation is not stopped. Of course, in the case of using a liquid crystal material that does not cause a problem in liquid crystal image quality, for example, a burn-in phenomenon, the gate signal line driving circuit may be stopped.
With such an operation, the display device 2413 performs display by stopping only the gate signal line driver circuit or the signal line driver circuits of both the source signal line driver circuit and the gate signal line driver circuit.
【0077】次に、CPU2406は、CPU2406
内部の映像信号処理回路2407および、VRAM24
11を停止する。前述したように、表示装置2413
は、その内部の記憶回路に蓄えられた映像データで表示
を行っているので、新たに映像データを表示装置に入力
する必要性がない。よって、映像データを発生、加工す
る映像信号処理回路2407、VRAM2411などは
動作していなくてもかまわない。以上により、CPU2
406内部の電力削減、VRAM2411の電力削減、
ソース信号線駆動回路の電力削減が達成される。Next, the CPU 2406
Internal video signal processing circuit 2407 and VRAM 24
11 is stopped. As described above, the display device 2413
Does display with the video data stored in the internal storage circuit, there is no need to input new video data to the display device. Therefore, the video signal processing circuit 2407 that generates and processes video data, the VRAM 2411, and the like need not be operating. By the above, CPU2
406 internal power reduction, VRAM 2411 power reduction,
Power reduction of the source signal line driving circuit is achieved.
【0078】また、ペン入力タブレット2401に入力
がされ、映像信号が入力された場合は、ペン入力タブレ
ットの検出回路2402からダブレットインターフェイ
ス2418を介して、CPU2406に表示内容を変え
るような指示がだされ、CPU2406は停止していた
VRAM2411、映像信号処理回路2407を動作さ
せる。そして、LCDコントローラ2412を介して、
表示装置2413のソース線信号駆動回路にスタートパ
ルス、クロック信号、映像データを供給し、新たな映像
信号を画素に書き込むことができる。When an input is made to the pen input tablet 2401 and a video signal is inputted, an instruction to change the display content is issued from the detection circuit 2402 of the pen input tablet to the CPU 2406 via the doublet interface 2418. The CPU 2406 operates the VRAM 2411 and the video signal processing circuit 2407 which have been stopped. Then, via the LCD controller 2412,
A start pulse, a clock signal, and video data can be supplied to a source line signal driver circuit of the display device 2413, and a new video signal can be written to a pixel.
【0079】この様に、図24中、破線で囲った部分
(ゲート信号線駆動回路、LCDコントローラ241
2、ペン入力ダブレット2401、検出回路2402、
ダブレットインターフェイス2418)が動作していれ
ば、この携帯情報端末は静止画を表示し続けることがで
きる。As described above, in FIG. 24, the portion surrounded by the broken line (the gate signal line driving circuit, the LCD controller 241)
2, pen input doublet 2401, detection circuit 2402,
If the doublet interface 2418) operates, the portable information terminal can continue to display a still image.
【0080】図25は本発明を使用した携帯電話の例で
ある。動作は図24の携帯情報端末とおおよそ同じであ
る。携帯情報端末と異なるのは、携帯電話では、入力
は、キーボード2501によって行われ、キーボードイ
ンターフェイス2518を介してCPU2506で制御
されることと、外部からのデータは、電話会社の通信系
を介して、アンテナに入力され、送受信回路2515で
増幅されたのち、CPU2506で制御されることであ
る。静止画を表示する場合は、携帯情報端末と同様に、
映像信号処理回路2507、VRAM2511、ソース
信号線駆動回路などは停止させることができる。FIG. 25 shows an example of a portable telephone using the present invention. The operation is substantially the same as that of the portable information terminal shown in FIG. The difference from the portable information terminal is that, in the portable telephone, the input is performed by the keyboard 2501 and controlled by the CPU 2506 via the keyboard interface 2518, and the external data is transmitted through the communication system of the telephone company. After being input to the antenna and amplified by the transmission / reception circuit 2515, it is controlled by the CPU 2506. When displaying a still image, like a personal digital assistant,
The video signal processing circuit 2507, the VRAM 2511, the source signal line driver circuit, and the like can be stopped.
【0081】この様に、図25中、破線で囲った部分
(ゲート信号線駆動回路、LCDコントローラ251
2、キーボード2501、キーボードインターフェイス
2518)が動作していれば、この携帯電話は静止画を
表示し続けることができる。As described above, in FIG. 25, the portion surrounded by the broken line (the gate signal line driving circuit, the LCD controller 251)
2. If the keyboard 2501 and the keyboard interface 2518) operate, the mobile phone can continue to display a still image.
【0082】[0082]
【実施例】以下に本発明の実施例について記述する。Embodiments of the present invention will be described below.
【0083】[実施例1]本実施例においては、実施形態
において示した回路における画素を、具体的にトランジ
スタ等を用いて構成し、その動作について説明する。[Embodiment 1] In this embodiment, a pixel in the circuit shown in the embodiment is specifically formed using a transistor or the like, and the operation thereof will be described.
【0084】図8は、図1に示した画素と同様のもの
で、D/A111を実際に回路で構成した例である。図
中、各部に付した番号において、図1と同じ部位につい
ては、図1と同じ番号を付している。記憶回路105〜
107の各々に、書き込み用TFT108〜110を設
け、記憶回路選択信号線(書き込み用ゲート信号線)1
02〜104をもって制御する。FIG. 8 is similar to the pixel shown in FIG. 1, and is an example in which the D / A 111 is actually constituted by a circuit. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same parts as those in FIG. Storage circuit 105-
The writing TFTs 108 to 110 are provided in each of the memory cells 107, and a memory circuit selection signal line (writing gate signal line) 1
02 to 104 are controlled.
【0085】図4は、記憶回路の一例を示したものであ
る。点線枠450で示される部分が記憶回路(図8中、
105〜107で示す部分)であり、451は書き込み
用TFT(図8中、108〜110で示す部分)であ
る。ここで示した記憶回路450には、フリップフロッ
プを利用したスタティック型メモリ(Static RAM : SRA
M)を用いているが、記憶回路に関してはこの構成に限
定しない。FIG. 4 shows an example of the storage circuit. A portion indicated by a dotted frame 450 is a storage circuit (in FIG. 8,
Reference numeral 451 denotes a writing TFT (portion indicated by 108 to 110 in FIG. 8). The storage circuit 450 shown here includes a static RAM (SRAM) using a flip-flop.
M) is used, but the storage circuit is not limited to this configuration.
【0086】本実施例にて図8で示した回路の駆動は、
実施形態にて図3を用いて示したタイミングチャートに
従って駆動することが出来る。図3、図8を用いて、記
憶回路選択部の実際の駆動方法を加えて、回路動作につ
いて説明する。なお、各番号は、図3、図8のものをそ
のまま用いる(図番は省略する)。In this embodiment, the driving of the circuit shown in FIG.
The driving can be performed according to the timing chart shown in FIG. 3 in the embodiment. The circuit operation will be described with reference to FIGS. 3 and 8 in addition to the actual driving method of the memory circuit selection unit. 3 and 8 are used as they are (the figure numbers are omitted).
【0087】図3(A)(B)を参照する。図3(A)
において、各フレーム期間をα、β、γと表記して説明
する。まず、区間αにおける回路動作について説明す
る。Referring to FIGS. 3A and 3B. FIG. 3 (A)
In the following description, each frame period will be described as α, β, and γ. First, the circuit operation in the section α will be described.
【0088】シフトレジスタ回路から第2のラッチ回路
までの駆動方法に関しては実施形態にて示したものと同
様であるのでそれに従う。The driving method from the shift register circuit to the second latch circuit is the same as that shown in the embodiment, and will be followed.
【0089】期間Iでは、書き込み用ゲート信号線10
2にパルスが入力されてTFT108が導通し、記憶回
路105にデジタル信号が書き込まれる。続いて、期間
IIでは、書き込み用ゲート信号線103にパルスが入力
されてTFT109が導通し、記憶回路106にデジタ
ル信号が書き込まれる。最後に、期間IIIでは、書き込
み用ゲート信号線104にパルスが入力されてTFT1
10が導通し、記憶回路107にデジタル信号が書き込
まれる。In the period I, the write gate signal line 10
2, a pulse is input, the TFT 108 is turned on, and a digital signal is written to the storage circuit 105. Then, the period
In II, a pulse is input to the write gate signal line 103, the TFT 109 is turned on, and a digital signal is written to the storage circuit 106. Finally, in a period III, a pulse is input to the write gate signal line 104 and the TFT 1
10 conducts, and a digital signal is written to the storage circuit 107.
【0090】以上で、1水平期間分のデジタル信号の処
理が終了する。図3(B)の期間は、図3(A)におい
て※印で示された期間である。以上の動作を最終段まで
行うことにより、1フレーム分のデジタル信号が記憶回
路105〜107に書き込まれる。Thus, the processing of the digital signal for one horizontal period is completed. The period in FIG. 3B is a period indicated by an asterisk in FIG. 3A. By performing the above operation up to the final stage, digital signals for one frame are written to the storage circuits 105 to 107.
【0091】書き込まれたデジタル信号は、D/A11
1によってアナログ信号に変換され、液晶素子に入力さ
れる。このアナログ信号に応じて液晶素子の透過率は変
化し、階調を表現する。ここでは、3ビットであるか
ら、輝度は0〜7までの8段階が得られる。The written digital signal is the D / A 11
The signal is converted into an analog signal by 1 and input to a liquid crystal element. The transmittance of the liquid crystal element changes according to the analog signal, and expresses a gradation. Here, since there are three bits, eight levels of luminance from 0 to 7 can be obtained.
【0092】以上のようにして、1フレーム期間分の表
示が行われる。一方、駆動回路側では、同時に次のフレ
ーム期間のデジタル信号の処理が行われている。As described above, display for one frame period is performed. On the other hand, on the drive circuit side, digital signal processing in the next frame period is simultaneously performed.
【0093】以上の手順を繰り返すことにより、映像の
表示を行う。[0093] By repeating the above procedure, an image is displayed.
【0094】なお、静止画の表示を行う場合には、ある
フレームのデジタル信号の、記憶回路への書き込みが終
了したら、ソース信号線駆動回路を停止させ、同じ記憶
回路に書き込まれている信号を、毎フレームで読み込ん
で表示を行う。In the case of displaying a still image, when the writing of the digital signal of a certain frame to the storage circuit is completed, the source signal line driving circuit is stopped and the signal written in the same storage circuit is output. , Read and displayed in each frame.
【0095】この際、図8において図示していないが、
各画素の各記憶回路の出力が、読み出し用TFTを介し
てD/Aに入力されるようにし、この読み出し用TFT
を、操作することによって、フレーム期間毎に記憶回路
の信号を反復して読み出すことができる。この読み出し
用TFTを操作する回路は、公知の構成の回路を自由に
用いることができる。At this time, although not shown in FIG.
The output of each storage circuit of each pixel is input to the D / A via the read TFT, and the read TFT is
, The signal of the storage circuit can be repeatedly read every frame period. As a circuit for operating the reading TFT, a circuit having a known configuration can be used freely.
【0096】また、記憶回路に入力された信号を、常に
D/A回路に入力し、対応するアナログ信号を液晶素子
に出力して、静止画の表示を行うこともできる。この場
合は、書き込み用TFTが選択され、新たに記憶回路に
情報が書き込まれるまで、画素は、同じ輝度の表示を続
ける。この駆動方法では、前述の読み出し用TFT等は
必要ない。Further, a signal input to the storage circuit is always input to the D / A circuit, and a corresponding analog signal is output to the liquid crystal element to display a still image. In this case, the pixel continues to display at the same luminance until the writing TFT is selected and information is newly written to the storage circuit. In this driving method, the above-described read TFT and the like are not required.
【0097】このような方法により、静止画の表示中に
おける消費電力を大きく低減することが出来る。According to such a method, power consumption during display of a still image can be greatly reduced.
【0098】[実施例2]本実施例においては、画素部の
記憶回路への書き込みを点順次で行うことにより、ソー
ス信号線駆動回路の第2のラッチ回路を省略した例につ
いて記す。[Embodiment 2] In this embodiment, an example will be described in which writing to a storage circuit in a pixel portion is performed in a dot-sequential manner so that a second latch circuit of a source signal line driving circuit is omitted.
【0099】図5は、記憶回路を有する画素を用いた液
晶表示装置における、ソース信号線駆動回路および一部
の画素の構成を示したものである。この回路は、3ビッ
トデジタル階調信号に対応したものであり、シフトレジ
スタ回路(SR)501、ラッチ回路(LAT1)50
2、画素(Pixel)503を有する。510は、ゲ
ート信号線駆動回路等から直接供給される信号であり、
画素の説明とともに後述する。FIG. 5 shows a configuration of a source signal line drive circuit and some pixels in a liquid crystal display device using pixels having a memory circuit. This circuit corresponds to a 3-bit digital gradation signal, and includes a shift register circuit (SR) 501 and a latch circuit (LAT1) 50.
2. It has a pixel (Pixel) 503. 510 is a signal directly supplied from a gate signal line driving circuit or the like,
It will be described later together with the description of the pixel.
【0100】図6は、図5に示した画素503の回路構
成の詳細図である。実施例1と同様、3ビットデジタル
階調信号に対応したものであり、液晶素子(LC)、保
持容量(Cs)、記憶回路(605〜607)及びD/
A(D/Aコンバータ:611)等を有している。60
1は第1ビット(MSB)信号用ソース信号線、602
は第2ビット信号用ソース信号線、603は第3ビット
(LSB)信号用ソース信号線、604は書き込み用ゲ
ート信号線、608〜610は書き込み用TFTであ
る。FIG. 6 is a detailed diagram of the circuit configuration of the pixel 503 shown in FIG. Similar to the first embodiment, it corresponds to a 3-bit digital gradation signal, and includes a liquid crystal element (LC), a storage capacitor (Cs), a storage circuit (605 to 607), and a D / D
A (D / A converter: 611) and the like. 60
Reference numeral 1 denotes a first bit (MSB) signal source signal line;
Denotes a source signal line for a second bit signal, 603 denotes a source signal line for a third bit (LSB) signal, 604 denotes a gate signal line for writing, and 608 to 610 denote TFTs for writing.
【0101】図7は、本実施例にて示した回路の駆動に
関するタイミングチャートである。図6および図7を用
いて説明する。FIG. 7 is a timing chart for driving the circuit shown in this embodiment. This will be described with reference to FIGS.
【0102】シフトレジスタ回路501からラッチ回路
(LAT1)502までの動作は実施形態および実施例
1と同様に行われる。図7(B)に示すように、第1段
目でのラッチ動作が終了すると、直ちに画素の記憶回路
への書き込みを開始する。書き込み用ゲート信号線60
4にパルスが入力され、書き込み用TFT608〜61
0が導通し、記憶回路への書き込みが可能な状態とな
る。ラッチ回路502に保持されたビット毎のデジタル
信号は、3本のソース信号線601〜603を経由し
て、同時に書き込まれる。The operations from the shift register circuit 501 to the latch circuit (LAT1) 502 are performed in the same manner as in the embodiment and the first embodiment. As shown in FIG. 7B, immediately after the completion of the first-stage latch operation, writing of the pixel into the storage circuit is started. Write gate signal line 60
4, a pulse is input to the write TFTs 608-61.
0 is turned on, and writing to the storage circuit is enabled. The digital signal for each bit held in the latch circuit 502 is simultaneously written via three source signal lines 601 to 603.
【0103】第1段目でラッチ回路に保持されたデジタ
ル信号が、記憶回路へ書き込まれているとき、次段では
続くサンプリングパルスに従って、ラッチ回路において
デジタル信号の保持が行われている。このようにして、
順次記憶回路への書き込みが行われていく。When the digital signal held in the latch circuit in the first stage is written to the storage circuit, the digital signal is held in the latch circuit in the next stage in accordance with the subsequent sampling pulse. In this way,
Writing to the storage circuit is sequentially performed.
【0104】最終段まで上記動作を繰り返し、1水平期
間が終了する。The above operation is repeated until the last stage, and one horizontal period ends.
【0105】なお、図7(B)で示す期間は、図7
(A)において、※※で示す期間に相当する。Note that the period shown in FIG.
In (A), it corresponds to the period indicated by **.
【0106】全ての水平期間1〜480に対して同様の
操作を行う。The same operation is performed for all the horizontal periods 1 to 480.
【0107】以上で、1フレーム目の表示期間が完了す
る。区間βでは、次のフレームにおけるデジタル信号の
処理が行われる。Thus, the display period of the first frame is completed. In the section β, the processing of the digital signal in the next frame is performed.
【0108】以上の手順を繰り返すことにより、映像の
表示を行う。なお、静止画の表示を行う場合には、ある
フレームのデジタル信号の、記憶回路への書き込みが終
了したら、ソース信号線駆動回路を停止させ、同じ記憶
回路に書き込まれている信号を毎フレームで読み込んで
表示を行う。このような方法により、静止画の表示中に
おける消費電力を大きく低減することが出来る。さら
に、実施形態にて示した回路と比較すると、ラッチ回路
の数を1/2とすることが出来、回路配置の省スペース
化による装置全体の小型化に貢献出来る。An image is displayed by repeating the above procedure. Note that when displaying a still image, when writing of a digital signal of a certain frame to the storage circuit is completed, the source signal line driving circuit is stopped, and the signal written to the same storage circuit is output every frame. Read and display. With such a method, power consumption during the display of a still image can be significantly reduced. Furthermore, the number of latch circuits can be halved as compared with the circuit shown in the embodiment, and it is possible to contribute to downsizing of the entire device by saving space in circuit arrangement.
【0109】[実施例3]本実施例においては、実施例2
にて示した、第2のラッチ回路を省略した液晶表示装置
の回路構成を応用し、線順次駆動により画素内の記憶回
路への書き込みを行う方法を用いた液晶表示装置の例に
ついて記す。[Embodiment 3] In this embodiment, Embodiment 2
An example of a liquid crystal display device using a method of writing data to a memory circuit in a pixel by line-sequential driving by applying the circuit configuration of a liquid crystal display device in which the second latch circuit is omitted, which is described in FIG.
【0110】図17は、本実施例にて示す液晶表示装置
のソース信号線駆動回路の回路構成例を示している。こ
の回路は、3ビットデジタル階調信号に対応したもので
あり、シフトレジスタ回路1701、ラッチ回路170
2、スイッチ回路1703、画素1704を有する。1
710は、ゲート信号線駆動回路あるいは外部から直接
供給される信号である。画素の回路構成に関しては、実
施例2のものと同様で良いので、図6をそのまま参照す
る。FIG. 17 shows a circuit configuration example of a source signal line driving circuit of the liquid crystal display device shown in this embodiment. This circuit corresponds to a 3-bit digital gradation signal, and includes a shift register circuit 1701, a latch circuit 170
2, a switch circuit 1703 and a pixel 1704. 1
Reference numeral 710 is a signal supplied directly from the gate signal line driving circuit or externally. Since the circuit configuration of the pixel may be the same as that of the second embodiment, FIG. 6 is referred to as it is.
【0111】図18は、本実施例にて示した回路の駆動
に関するタイミングチャートである。図6、図17およ
び図18を用いて説明する。FIG. 18 is a timing chart for driving the circuit shown in this embodiment. This will be described with reference to FIGS. 6, 17 and 18.
【0112】シフトレジスタ回路1701からサンプリ
ングパルスが出力され、ラッチ回路1702で、サンプ
リングパルスに従ってデジタル信号を保持するまでの動
作は、実施例1および実施例2と同様である。本実施例
では、ラッチ回路1702と画素1704内の記憶回路
との間に、スイッチ回路1703を有しているため、ラ
ッチ回路でのデジタル信号の保持が完了しても、直ちに
記憶回路への書き込みが開始されない。ドットデータサ
ンプリング期間が終了するまでの間は、スイッチ回路1
703は閉じたままであり、その間、ラッチ回路ではデ
ジタル信号が保持され続ける。The operation from when the sampling pulse is output from the shift register circuit 1701 until the latch circuit 1702 holds the digital signal in accordance with the sampling pulse is the same as in the first and second embodiments. In this embodiment, since the switch circuit 1703 is provided between the latch circuit 1702 and the storage circuit in the pixel 1704, even if the holding of the digital signal in the latch circuit is completed, writing to the storage circuit is immediately performed. Does not start. Until the end of the dot data sampling period, the switch circuit 1
Reference numeral 703 remains closed, during which the latch circuit keeps holding the digital signal.
【0113】図18(B)に示すように、1水平期間分
のデジタル信号の保持が完了すると、その後の帰線期間
中にラッチ信号(Latch Pulse)が入力されてスイッチ
回路1703が一斉に開き、ラッチ回路1702で保持
されていたデジタル信号は一斉に画素1704内の記憶
回路に書き込まれる。このときの書き込み動作に関わ
る、画素1704内の動作、さらに次のフレーム期間に
おける表示の際の読み出し動作に関わる、画素1704
内の動作については、実施例2と同様で良いので、ここ
では説明を省略する。As shown in FIG. 18B, when the holding of the digital signal for one horizontal period is completed, a latch signal (Latch Pulse) is input during the retrace period, and the switch circuits 1703 are simultaneously opened. The digital signal held by the latch circuit 1702 is simultaneously written to the storage circuit in the pixel 1704. The operation in the pixel 1704 relating to the writing operation at this time, and the pixel 1704 relating to the reading operation at the time of display in the next frame period
The operation inside is the same as that of the second embodiment, and the description is omitted here.
【0114】図18(B)で示す期間は、図18(A)
において、※※※で示す期間である。The period shown in FIG. 18B corresponds to the period shown in FIG.
Is the period indicated by ***.
【0115】以上の方法によって、第2のラッチ回路を
省略したソース信号線駆動回路においても、線順次の書
き込み駆動を容易に行うことが出来る。According to the above-described method, line-sequential write driving can be easily performed even in the source signal line driving circuit in which the second latch circuit is omitted.
【0116】[実施例4]本実施例では、D/Aコンバー
タとして、複数の階調電圧線を選択する方式のものを用
いた例を示す。図8に、その回路図を示す。[Embodiment 4] This embodiment shows an example in which a D / A converter using a method of selecting a plurality of gradation voltage lines is used. FIG. 8 shows a circuit diagram thereof.
【0117】3ビットのデジタル信号を処理する場合、
8本の階調電圧線があり、それぞれにスイッチTFTが
接続されている。記憶回路の出力は、デコーダを介し
て、それらのスイッチTFTを選択的に駆動する。スイ
ッチはトランスミッションゲートを用いても良い。When processing a 3-bit digital signal,
There are eight gradation voltage lines, each of which is connected to a switch TFT. The output of the storage circuit selectively drives those switch TFTs via a decoder. The switch may use a transmission gate.
【0118】なお、図8において、記憶回路105〜1
07のそれぞれからの出力は、記憶回路に記憶された信
号及びその信号の反転信号によって構成される。In FIG. 8, the storage circuits 105 to 1
The output from each of 07 is composed of a signal stored in the storage circuit and an inverted signal of the signal.
【0119】本実施例は、実施例1〜実施例3と自由に
組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 3.
【0120】[実施例5]本実施例では、実施例4におい
て図8で示したD/Aコンバータとは異なる構造のもの
を用いた例を示す。図9に、その回路図を示す。[Embodiment 5] In this embodiment, an example will be described in which a structure different from the D / A converter shown in FIG. 8 in Embodiment 4 is used. FIG. 9 shows a circuit diagram thereof.
【0121】実施例4において図8で示したものと同様
に階調電圧線を選択する方式であるが、図8では、素子
の数が多く、画素内で素子の占める面積が大きくなる。
そのため、図9では、スイッチを直列接続し、デコーダ
とスイッチを兼ねて素子数を減らしている。スイッチは
トランスミッションゲートを用いても良い。In the fourth embodiment, the gray scale voltage line is selected in the same manner as shown in FIG. 8, but in FIG. 8, the number of elements is large and the area occupied by the elements in the pixel is large.
For this reason, in FIG. 9, the switches are connected in series, and the number of elements is reduced by also serving as a decoder and a switch. The switch may use a transmission gate.
【0122】なお、図9において、記憶回路105〜1
07のそれぞれからの出力は、記憶回路に記憶された信
号及びその信号の反転信号によって構成される。Note that, in FIG.
The output from each of 07 is composed of a signal stored in the storage circuit and an inverted signal of the signal.
【0123】本実施例は、実施例1〜実施例3と自由に
組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 3.
【0124】[実施例6]本実施例では、実施例4や実施
例5において図8や図9で示したD/Aコンバータとは
異なる構造のものを用いた例を示す。図20に、その回
路図を示す。[Embodiment 6] This embodiment shows an example in which a structure different from the D / A converter shown in FIGS. 8 and 9 in Embodiments 4 and 5 is used. FIG. 20 shows a circuit diagram thereof.
【0125】図8や図9で示したD/Aコンバータで
は、階調電圧線を用いるため、階調数の分だけ配線が必
要となり、多階調化には適さない。そのため、図20で
は、容量C1〜C3の組み合わせによって、基準電圧を
分圧し、階調電圧を作っている。この様な容量分割方式
では、容量C1〜C3の比で階調が作られるため、多様
な階調が表現可能である。In the D / A converters shown in FIGS. 8 and 9, since the gray scale voltage lines are used, wiring is required for the number of gray scales, which is not suitable for increasing the number of gray scales. For this reason, in FIG. 20, the reference voltage is divided by a combination of the capacitors C1 to C3 to generate a gradation voltage. In such a capacity division method, since a gray scale is created by the ratio of the capacitors C1 to C3, various gray scales can be expressed.
【0126】この様な容量分割方式のD/Aコンバータ
は、AMLCD99 Digest of Technical Papers p29〜32に記
載してある。A D / A converter of such a capacity division system is described in AMLCD99 Digest of Technical Papers, p.
【0127】本実施例は、実施例1〜実施例3と自由に
組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 3.
【0128】[実施例7]本実施例では、実施例4や実施
例5及び実施例6において図8や図9及び図20で示し
たD/Aコンバータとは異なる構造のものを用いた例を
示す。図21に、その回路図を示す。[Embodiment 7] In this embodiment, an example in which the D / A converter having a structure different from the D / A converter shown in FIGS. 8, 9 and 20 in Embodiments 4, 5, and 6 is used. Is shown. FIG. 21 shows a circuit diagram thereof.
【0129】図21に示したものは、実施例6で示した
図20のD/Aコンバータをさらに簡略化したものであ
る。容量C1〜C3それぞれの2つの電極のうち液晶素
子と接続されていない方の電極は、リセット時にはVL
に接続され、非リセット時には、VHまたはVLのいずれ
かに接続されるが、その接続をスイッチのみで構成でき
る。スイッチはトランスミッションゲートを用いても良
い。FIG. 21 shows a further simplified version of the D / A converter of FIG. 20 shown in the sixth embodiment. Of the two electrodes of each of the capacitors C1 to C3, the electrode that is not connected to the liquid crystal element has a VL
And at the time of non-reset, it is connected to either V H or V L , but the connection can be constituted only by a switch. The switch may use a transmission gate.
【0130】なお、図21において、記憶回路105〜
107のそれぞれからの出力は、記憶回路に記憶された
信号及びその信号の反転信号によって構成される。In FIG. 21, the storage circuits 105 to 105
The output from each of 107 is constituted by the signal stored in the storage circuit and the inverted signal of the signal.
【0131】本実施例は、実施例1〜実施例3と自由に
組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 3.
【0132】[実施例8]図22に示す様に、ソース信号
線駆動回路のラッチ回路を1ビット分のみ有し、代わり
にソース信号線駆動回路を3倍の速度で動作させ、1ラ
イン期間中に、第1ビットデータ、第2ビットデータ、
第3ビットデータの順にデータをソース信号線駆動回路
に入力し、実施例1のソース信号線駆動回路と同様の効
果を得られる。[Embodiment 8] As shown in FIG. 22, only one bit of the latch circuit of the source signal line drive circuit is provided. Where the first bit data, the second bit data,
By inputting the data to the source signal line driving circuit in the order of the third bit data, the same effect as the source signal line driving circuit of the first embodiment can be obtained.
【0133】この方式では、外部にデータを順に入れ替
えるための回路が必要であるが、ソース信号線駆動回路
は小さくすることが可能である。In this method, a circuit for sequentially exchanging data is necessary outside, but the size of the source signal line driving circuit can be reduced.
【0134】[実施例9]本実施例では、本発明の表示装
置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部(ソース
信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路、画素選択
信号線側駆動回路)のTFTを同時に作製する方法につ
いて説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回
路部に関しては基本単位であるCMOS回路を図示する
こととする。[Embodiment 9] In this embodiment, a pixel portion of a display device of the present invention and a driving circuit portion provided around the pixel portion (source signal line side driving circuit, gate signal line side driving circuit, pixel selection signal line side A method for manufacturing TFTs of the driving circuit simultaneously will be described. However, for the sake of simplicity, a CMOS circuit, which is a basic unit for the drive circuit unit, is illustrated.
【0135】まず、図10(A)に示すように、コーニ
ング社の#7059ガラスや#1737ガラスなどに代
表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホ
ウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板5001上に
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコ
ン膜などの絶縁膜から成る下地膜5002を形成する。
例えば、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oか
ら作製される酸化窒化シリコン膜5002aを10〜2
00[nm](好ましくは50〜100[nm])形成し、同様
にSiH4、N2Oから作製される酸化窒化水素化シリコ
ン膜5002bを50〜200[nm](好ましくは100
〜150[nm])の厚さに積層形成する。本実施例では下
地膜5002を2層構造として示したが、前記絶縁膜の
単層膜または2層以上積層させた構造として形成しても
良い。First, as shown in FIG. 10A, oxidation is performed on a substrate 5001 made of glass such as barium borosilicate glass represented by Corning # 7059 glass or # 1737 glass or aluminoborosilicate glass. A base film 5002 made of an insulating film such as a silicon film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film is formed.
For example, a plasma CVD method SiH 4, NH 3, N 2 silicon oxynitride film 5002a made from O 10 to 2
00 [nm] (preferably 50 to 100 [nm]) is formed, similarly SiH 4, N 2 O hydrogenated silicon oxynitride film 5002b made from 50 to 200 [nm] (preferably 100
150150 [nm]). Although the base film 5002 has a two-layer structure in this embodiment, the base film 5002 may have a single-layer structure or a structure in which two or more insulating films are stacked.
【0136】島状半導体層5003〜5006は、非晶
質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱
結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。
この島状半導体層5003〜5006の厚さは25〜8
0[nm](好ましくは30〜60[nm])の厚さで形成す
る。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは
シリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiGe)合金
などで形成すると良い。Each of the island-shaped semiconductor layers 5003 to 5006 is formed of a crystalline semiconductor film formed by using a semiconductor film having an amorphous structure by a laser crystallization method or a known thermal crystallization method.
The thickness of the island-shaped semiconductor layers 5003 to 5006 is 25 to 8
It is formed with a thickness of 0 [nm] (preferably 30 to 60 [nm]). The material of the crystalline semiconductor film is not limited, but is preferably formed of silicon or a silicon germanium (SiGe) alloy.
【0137】レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製
するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレ
ーザーやYAGレーザー、YVO4レーザーを用いる。
これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器か
ら放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施
者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用
いる場合はパルス発振周波数30[Hz]とし、レーザーエ
ネルギー密度を100〜400[mJ/cm2](代表的には2
00〜300[mJ/cm2])とする。また、YAGレーザー
を用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波
数1〜10[kHz]とし、レーザーエネルギー密度を30
0〜600[mJ/cm2](代表的には350〜500[mJ/c
m2])とすると良い。そして幅100〜1000[μm]、
例えば400[μm]で線状に集光したレーザー光を基板
全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合
わせ率(オーバーラップ率)を80〜98[%]として行
う。In order to form a crystalline semiconductor film by a laser crystallization method, a pulse oscillation type or continuous emission type excimer laser, a YAG laser, or a YVO 4 laser is used.
In the case of using these lasers, it is preferable to use a method in which laser light emitted from a laser oscillator is linearly condensed by an optical system and irradiated on a semiconductor film. The crystallization conditions are appropriately selected by the practitioner. When an excimer laser is used, the pulse oscillation frequency is 30 [Hz], and the laser energy density is 100 to 400 [mJ / cm 2 ] (typically, 2
00 to 300 [mJ / cm 2 ]). When a YAG laser is used, the second harmonic is used, the pulse oscillation frequency is set to 1 to 10 [kHz], and the laser energy density is set to 30.
0 to 600 [mJ / cm 2 ] (typically 350 to 500 [mJ / c]
m 2 ]). And a width of 100 to 1000 [μm],
For example, a laser beam condensed linearly at 400 [μm] is irradiated over the entire surface of the substrate, and the superposition rate (overlap rate) of the linear laser beam at this time is set to 80 to 98 [%].
【0138】次いで、島状半導体層5003〜5006
を覆うゲート絶縁膜5007を形成する。ゲート絶縁膜
5007はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、
厚さを40〜150[nm]としてシリコンを含む絶縁膜で
形成する。本実施例では、120[nm]の厚さで酸化窒化
シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのよう
な酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシ
リコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いて
も良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プ
ラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Orthosilicat
e)とO2とを混合し、反応圧力40[Pa]、基板温度30
0〜400[℃]とし、高周波(13.56[MHz])、電
力密度0.5〜0.8[W/cm2]で放電させて形成するこ
とが出来る。このようにして作製される酸化シリコン膜
は、その後400〜500[℃]の熱アニールによりゲー
ト絶縁膜として良好な特性を得ることが出来る。Next, island-like semiconductor layers 5003 to 5006
Is formed to cover the gate insulating film 5007. The gate insulating film 5007 is formed by a plasma CVD method or a sputtering method.
It is formed of an insulating film containing silicon with a thickness of 40 to 150 [nm]. In this embodiment, a silicon oxynitride film is formed with a thickness of 120 [nm]. Needless to say, the gate insulating film is not limited to such a silicon oxynitride film, and another insulating film containing silicon may be used as a single layer or a stacked structure. For example, when a silicon oxide film is used, TEOS (Tetraethyl Orthosilicat
e) and O 2 were mixed, the reaction pressure was 40 [Pa], and the substrate temperature was 30.
It can be formed by discharging at a high frequency (13.56 [MHz]) and a power density of 0.5 to 0.8 [W / cm 2 ] at 0 to 400 [° C.]. The silicon oxide film thus manufactured can obtain favorable characteristics as a gate insulating film by subsequent thermal annealing at 400 to 500 [° C.].
【0139】そして、ゲート絶縁膜5007上にゲート
電極を形成するための第1の導電膜5008と第2の導
電膜5009とを形成する。本実施例では、第1の導電
膜5008をTaで50〜100[nm]の厚さに形成し、
第2の導電膜5009をWで100〜300[nm]の厚さ
に形成する。[0139] Then, a first conductive film 5008 and a second conductive film 5009 for forming a gate electrode are formed over the gate insulating film 5007. In this embodiment, the first conductive film 5008 is formed of Ta to a thickness of 50 to 100 [nm],
A second conductive film 5009 is formed with W to a thickness of 100 to 300 [nm].
【0140】Ta膜はスパッタ法で、Taのターゲット
をArでスパッタすることにより形成する。この場合、
Arに適量のXeやKrを加えると、Ta膜の内部応力
を緩和して膜の剥離を防止することが出来る。また、α
相のTa膜の抵抗率は20[μΩcm]程度でありゲート電
極に使用することが出来るが、β相のTa膜の抵抗率は
180[μΩcm]程度でありゲート電極とするには不向き
である。α相のTa膜を形成するために、Taのα相に
近い結晶構造をもつ窒化タンタルを10〜50[nm]程度
の厚さでTaの下地に形成しておくとα相のTa膜を容
易に得ることが出来る。The Ta film is formed by a sputtering method by sputtering a Ta target with Ar. in this case,
When an appropriate amount of Xe or Kr is added to Ar, the internal stress of the Ta film can be relaxed and the film can be prevented from peeling. Also, α
The phase Ta film has a resistivity of about 20 [μΩcm] and can be used as a gate electrode, but the β phase Ta film has a resistivity of about 180 [μΩcm] and is not suitable for a gate electrode. . In order to form an α-phase Ta film, tantalum nitride having a crystal structure close to the Ta α-phase is formed on a Ta base with a thickness of about 10 to 50 [nm]. Can be easily obtained.
【0141】W膜を形成する場合には、Wをターゲット
としたスパッタ法で形成する。その他に6フッ化タング
ステン(WF6)を用いる熱CVD法で形成することも
出来る。いずれにしてもゲート電極として使用するため
には低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20
[μΩcm]以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大
きくすることで低抵抗率化を図ることが出来るが、W中
に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害さ
れ高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場
合、純度99.9999[%]のWターゲットを用い、さ
らに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十
分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜20
[μΩcm]を実現することが出来る。When a W film is formed, it is formed by a sputtering method using W as a target. Alternatively, it can be formed by a thermal CVD method using tungsten hexafluoride (WF 6 ). In any case, it is necessary to lower the resistance in order to use it as a gate electrode.
[μΩcm] or less is desirable. The resistivity of the W film can be reduced by enlarging the crystal grains. However, when there are many impurity elements such as oxygen in W, the crystallization is inhibited and the resistance is increased. From this, in the case of using the sputtering method, a W target having a purity of 99.9999 [%] is used, and a W film is formed by giving sufficient consideration so as not to mix impurities from the gas phase during film formation. Resistivity 9-20
[μΩcm] can be realized.
【0142】なお、本実施例では、第1の導電膜500
8をTa、第2の導電膜5009をWとしたが、特に限
定されず、いずれもTa、W、Ti、Mo、Al、Cu
などから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする
合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜
に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の
組み合わせの一例で望ましいものとしては、第1の導電
膜5008を窒化タンタル(TaN)で形成し、第2の
導電膜5009をWとする組み合わせ、第1の導電膜5
008を窒化タンタル(TaN)で形成し、第2の導電
膜5009をAlとする組み合わせ、第1の導電膜50
08を窒化タンタル(TaN)で形成し、第2の導電膜
5009をCuとする組み合わせ等が挙げられる。In this embodiment, the first conductive film 500
8 was Ta, and the second conductive film 5009 was W. However, there is no particular limitation, and any of Ta, W, Ti, Mo, Al, and Cu was used.
Alternatively, it may be formed of an element selected from the above, or an alloy material or a compound material containing the element as a main component. Also,
A semiconductor film typified by a polycrystalline silicon film doped with an impurity element such as phosphorus may be used. As a desirable example of a combination other than this embodiment, a combination in which the first conductive film 5008 is formed of tantalum nitride (TaN) and the second conductive film 5009 is W,
008 is formed of tantalum nitride (TaN), and the second conductive film 5009 is made of Al.
08 is made of tantalum nitride (TaN), and the second conductive film 5009 is made of Cu.
【0143】次に、レジストによるマスク5010を形
成し、電極及び配線を形成するための第1のエッチング
処理を行う。本実施例ではICP(Inductively Couple
d Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、
エッチング用ガスにCF4とCl2を混合し、1[Pa]の圧
力でコイル型の電極に500[W]のRF(13.56[MH
z])電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側
(試料ステージ)にも100[W]のRF(13.56[MH
z])電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印
加する。CF4とCl2を混合した場合にはW膜及びTa
膜とも同程度にエッチングされる。Next, a mask 5010 made of a resist is formed, and a first etching process for forming electrodes and wirings is performed. In this embodiment, ICP (Inductively Coupled)
d Plasma: Inductively coupled plasma) etching method,
CF 4 and Cl 2 are mixed as an etching gas, and RF (13.56 [MH]) of 500 [W] is applied to the coil-type electrode at a pressure of 1 [Pa].
z]) Power is supplied to generate plasma. 100 [W] RF (13.56 [MH] also on the substrate side (sample stage)
z]) Apply power and apply a substantially negative self-bias voltage. When CF 4 and Cl 2 are mixed, the W film and Ta
The film is etched to the same extent.
【0144】上記エッチング条件では、レジストによる
マスクの形状を適したものとすることにより、基板側に
印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第
2の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の
角度は15〜45°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残
すことなくエッチングするためには、10〜20[%]程
度の割合でエッチング時間を増加させると良い。W膜に
対する酸化窒化シリコン膜の選択比は2〜4(代表的に
は3)であるので、オーバーエッチング処理により、酸
化窒化シリコン膜が露出した面は20〜50[nm]程度エ
ッチングされることになる。こうして、第1のエッチン
グ処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1
の形状の導電層5011〜5016(第1の導電層50
11a〜5016aと第2の導電層5011b〜501
6b)を形成する。このとき、ゲート絶縁膜5007に
おいては、第1の形状の導電層5011〜5016で覆
われない領域は20〜50[nm]程度エッチングされ薄く
なった領域が形成される。(図10(B))Under the above-mentioned etching conditions, the shape of the resist mask is made appropriate, so that the edges of the first conductive layer and the second conductive layer are tapered due to the effect of the bias voltage applied to the substrate side. Become. The angle of the tapered portion is 15 to 45 °. In order to perform etching without leaving a residue on the gate insulating film, the etching time may be increased by about 10 to 20%. Since the selectivity of the silicon oxynitride film to the W film is 2 to 4 (typically 3), the exposed surface of the silicon oxynitride film is etched by about 20 to 50 [nm] by over-etching. become. Thus, by the first etching process, the first conductive layer and the second conductive layer
Conductive layers 5011 to 5016 (first conductive layer 50
11a to 5016a and second conductive layers 5011b to 501
6b) is formed. At this time, in the gate insulating film 5007, a region which is not covered with the first shape conductive layers 5011 to 5016 is etched to a thickness of about 20 to 50 [nm] to form a thinned region. (FIG. 10B)
【0145】そして、第1のドーピング処理を行いn型
を付与する不純物元素を添加する。ドーピングの方法は
イオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イ
オンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×10
14[atoms/cm2]とし、加速電圧を60〜100[keV]とし
て行う。N型を付与する不純物元素として15族に属す
る元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用
いるが、ここではリン(P)を用いる。この場合、導電
層5011〜5016がn型を付与する不純物元素に対
するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域50
17〜5020が形成される。第1の不純物領域501
7〜5020には1×1020〜1×1021[atoms/cm3]
の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。
(図10(B))Then, a first doping process is performed to add an impurity element imparting n-type. The doping may be performed by an ion doping method or an ion implantation method. The condition of the ion doping method is that the dose is 1 × 10 13 to 5 × 10
14 [atoms / cm 2 ] and an acceleration voltage of 60 to 100 [keV]. An element belonging to Group 15 of the periodic table, typically phosphorus (P) or arsenic (As) is used as the impurity element imparting the N-type. Here, phosphorus (P) is used. In this case, the conductive layers 5011 to 5016 serve as a mask for the impurity element imparting n-type, and the first impurity region 50 is self-aligned.
17 to 5020 are formed. First impurity region 501
For 7 to 5020, 1 × 10 20 to 1 × 10 21 [atoms / cm 3 ]
Is added in the concentration range of n.
(FIG. 10B)
【0146】次に、図10(C)に示すように、レジス
トマスクは除去しないまま、第2のエッチング処理を行
う。エッチングガスにCF4とCl2とO2とを用い、W
膜を選択的にエッチングする。この時、第2のエッチン
グ処理により第2の形状の導電層5021〜5026
(第1の導電層5021a〜5026aと第2の導電層
5021b〜5026b)を形成する。このとき、ゲー
ト絶縁膜5007においては、第2の形状の導電層50
21〜5026で覆われない領域はさらに20〜50[n
m]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。Next, as shown in FIG. 10C, a second etching process is performed without removing the resist mask. Using CF 4 , Cl 2 and O 2 as an etching gas,
The film is selectively etched. At this time, the second shape conductive layers 5021 to 5026 are formed by the second etching process.
(First conductive layers 5021a to 5026a and second conductive layers 5021b to 5026b) are formed. At this time, in the gate insulating film 5007, the second shape conductive layer 50 is formed.
The area not covered by 21 to 5026 is further 20 to 50 [n
m] to form a thinned region.
【0147】W膜やTa膜の、CF4とCl2の混合ガス
によるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイ
オン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来
る。WとTaのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較する
と、Wのフッ化物であるWF6が極端に高く、その他の
WCl5、TaF5、TaCl5は同程度である。従っ
て、CF4とCl2の混合ガスではW膜及びTa膜共にエ
ッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のO2を
添加するとCF4とO2が反応してCOとFになり、Fラ
ジカルまたはFイオンが多量に発生する。その結果、フ
ッ化物の蒸気圧が高いW膜のエッチング速度が増大す
る。一方、TaはFが増大しても相対的にエッチング速
度の増加は少ない。また、TaはWに比較して酸化され
やすいので、O2を添加することでTaの表面が酸化さ
れる。Taの酸化物はフッ素や塩素と反応しないため、
さらにTa膜のエッチング速度は低下する。従って、W
膜とTa膜とのエッチング速度に差を作ることが可能と
なりW膜のエッチング速度をTa膜よりも大きくするこ
とが可能となる。The etching reaction of the W film or the Ta film by the mixed gas of CF 4 and Cl 2 can be inferred from the generated radical or ion species and the vapor pressure of the reaction product. When comparing the vapor pressures of the fluorides of W and Ta with the chlorides, the fluoride of W, WF 6, is extremely high, and the other WCl 5 , TaF 5 , and TaCl 5 are comparable. Therefore, with the mixed gas of CF 4 and Cl 2 , both the W film and the Ta film are etched. However, when an appropriate amount of O 2 is added to this mixed gas, CF 4 and O 2 react to form CO and F, and a large amount of F radicals or F ions are generated. As a result, the etching rate of the W film having a high fluoride vapor pressure increases. On the other hand, in Ta, the increase in the etching rate is relatively small even if F increases. Further, since Ta is more easily oxidized than W, the surface of Ta is oxidized by adding O 2 . Since the oxide of Ta does not react with fluorine or chlorine,
Further, the etching rate of the Ta film decreases. Therefore, W
It is possible to make a difference in the etching rate between the film and the Ta film, and it is possible to make the etching rate of the W film larger than that of the Ta film.
【0148】そして、図11(A)に示すように第2の
ドーピング処理を行う。この場合、第1のドーピング処
理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてn
型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加
速電圧を70〜120[keV]とし、1×1013[atoms/cm
2]のドーズ量で行い、図10(B)で島状半導体層に形
成された第1の不純物領域の内側に新たな不純物領域を
形成する。ドーピングは、第2の形状の導電層5021
〜5026を不純物元素に対するマスクとして用い、第
1の導電層5021a〜5026aの下側の領域の半導
体層にも不純物元素が添加されるようにドーピングす
る。こうして、第2の不純物領域5027〜5031が
形成される。この第2の不純物領域5027〜5031
に添加されたリン(P)の濃度は、第1の導電層502
1a〜5026aのテーパー部の膜厚に従って緩やかな
濃度勾配を有している。なお、第1の導電層5021a
〜5026aのテーパー部と重なる半導体層において、
第1の導電層5021a〜5026aのテーパー部の端
部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなってい
るものの、ほぼ同程度の濃度である。Then, as shown in FIG. 11A, a second doping process is performed. In this case, the dose is lower than that of the first doping process, and n is set as a condition of a high acceleration voltage.
Doping with an impurity element for giving a mold. For example, the acceleration voltage is set to 70 to 120 [keV], and 1 × 10 13 [atoms / cm]
2 ], a new impurity region is formed inside the first impurity region formed in the island-shaped semiconductor layer in FIG. The doping is performed in the second shape conductive layer 5021.
To 5026 are used as masks for the impurity elements, and the semiconductor layers in regions below the first conductive layers 5021a to 5026a are also doped so that the impurity elements are added. Thus, second impurity regions 5027 to 5031 are formed. The second impurity regions 5027 to 5031
The concentration of phosphorus (P) added to the first conductive layer 502
It has a gradual concentration gradient according to the thickness of the tapered portion of 1a to 5026a. Note that the first conductive layer 5021a
In the semiconductor layer overlapping the tapered portion of 5026a to 5026a,
Although the impurity concentration slightly decreases from the end of the tapered portion of the first conductive layers 5021a to 5026a toward the inside, the impurity concentration is substantially the same.
【0149】続いて、図11(B)に示すように第3の
エッチング処理を行う。エッチングガスにCHF6を用
い、反応性イオンエッチング法(RIE法)を用いて行
う。第3のエッチング処理により、第1の導電層502
1a〜5026aのテーパー部を部分的にエッチングし
て、第1の導電層が半導体層と重なる領域が縮小され
る。第3のエッチング処理によって、第3の形状の導電
層5032〜5037(第1の導電層5032a〜50
37aと第2の導電層5032b〜5037b)を形成
する。このとき、ゲート絶縁膜5007においては、第
3の形状の導電層5032〜5037で覆われない領域
はさらに20〜50[nm]程度エッチングされ薄くなった
領域が形成される。Subsequently, a third etching process is performed as shown in FIG. This is performed using a reactive ion etching method (RIE method) using CHF 6 as an etching gas. By the third etching treatment, the first conductive layer 502
By partially etching the tapered portions 1a to 5026a, a region where the first conductive layer overlaps with the semiconductor layer is reduced. By the third etching process, the third shape conductive layers 5032 to 5037 (first conductive layers 5032a to 5032) are formed.
37a and second conductive layers 5032b to 5037b). At this time, in the gate insulating film 5007, a region which is not covered with the third shape conductive layers 5032 to 5037 is further etched by about 20 to 50 [nm] to form a thinned region.
【0150】第3のエッチング処理によって、第2の不
純物領域5027〜5031においては、第1の導電層
5032a〜5037aと重なる第2の不純物領域50
27a〜5031aと、第1の不純物領域と第2の不純
物領域との間の第3の不純物領域5027b〜5031
bとが形成される。As a result of the third etching process, second impurity regions 5027 to 5031 overlap second impurity regions 5032a to 5037a in second impurity regions 5027 to 5031.
27a to 5031a and third impurity regions 5027b to 5031 between the first impurity region and the second impurity region.
b is formed.
【0151】そして、図11(C)に示すように、pチ
ャネル型TFTを形成する島状半導体層5004に、第
1の導電型とは逆の導電型の第4の不純物領域5039
〜5044を形成する。第3の形状の導電層5033b
を不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に
不純物領域を形成する。このとき、nチャネル型TFT
を形成する島状半導体層5003、5005、保持容量
部5006および配線部5034はレジストマスク50
38で全面を被覆しておく。不純物領域5039〜50
44にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されている
が、ジボラン(B 2H6)を用いたイオンドープ法で形成
し、そのいずれの領域においても不純物濃度が2×10
20〜2×1021[atoms/cm3]となるようにする。Then, as shown in FIG.
The island-shaped semiconductor layer 5004 forming the channel type TFT has
Fourth impurity region 5039 of a conductivity type opposite to the conductivity type of 1
To 5044 are formed. Third shape conductive layer 5033b
Is used as a mask for impurity elements,
An impurity region is formed. At this time, the n-channel TFT
Island-shaped semiconductor layers 5003 and 5005 forming a storage capacitor
The part 5006 and the wiring part 5034 are
The whole surface is covered with 38. Impurity regions 5039-50
44 has different concentrations of phosphorus
But diborane (B TwoH6) Formed by ion doping method
The impurity concentration is 2 × 10
20~ 2 × 10twenty one[atoms / cmThree].
【0152】以上までの工程でそれぞれの島状半導体層
に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第3
の形状の導電層5032、5033、5035、503
6がゲート電極として機能する。また、5034は島状
のソース信号線として機能する。5037は容量配線と
して機能する。Through the above steps, impurity regions are formed in the respective island-like semiconductor layers. Third overlapping with the island-shaped semiconductor layer
Shape conductive layers 5032, 5033, 5035, 503
6 functions as a gate electrode. 5034 functions as an island-shaped source signal line. 5037 functions as a capacitance wiring.
【0153】レジストマスク5038を除去した後、導
電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添
加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程
はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。
その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマ
ルアニール法(RTA法)を適用することが出来る。熱
アニール法では酸素濃度が1[ppm]以下、好ましくは
0.1[ppm]以下の窒素雰囲気中で400〜700
[℃]、代表的には500〜600[℃]で行うものであ
り、本実施例では500[℃]で4時間の熱処理を行う。
ただし、第3の形状の導電層5032〜5037に用い
た配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため
層間絶縁膜(シリコンを主成分とする)を形成した後で
活性化を行うことが好ましい。After removing the resist mask 5038, a step of activating the impurity element added to each island-shaped semiconductor layer is performed for the purpose of controlling the conductivity type. This step is performed by a thermal annealing method using a furnace annealing furnace.
In addition, a laser annealing method or a rapid thermal annealing method (RTA method) can be applied. In the thermal annealing method, the oxygen concentration is 400 to 700 in a nitrogen atmosphere of 1 [ppm] or less, preferably 0.1 [ppm] or less.
In this embodiment, the heat treatment is performed at 500 ° C. for 4 hours.
However, when the wiring material used for the third shape conductive layers 5032 to 5037 is weak to heat, activation is performed after forming an interlayer insulating film (mainly containing silicon) to protect the wiring and the like. It is preferred to do so.
【0154】さらに、3〜100[%]の水素を含む雰囲
気中で、300〜450[℃]で1〜12時間の熱処理を
行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程
は熱的に励起された水素により半導体層のダングリング
ボンドを終端する工程である。水素化の他の手段とし
て、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を
用いる)を行っても良い。Further, a heat treatment is performed at 300 to 450 ° C. for 1 to 12 hours in an atmosphere containing 3 to 100% of hydrogen to hydrogenate the island-like semiconductor layer. In this step, dangling bonds in the semiconductor layer are terminated by thermally excited hydrogen. As another means of hydrogenation, plasma hydrogenation (using hydrogen excited by plasma) may be performed.
【0155】次いで、第1の層間絶縁膜5045は酸化
窒化シリコン膜を100〜200[nm]の厚さで形成す
る。その上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜
5046を形成する。次いで、コンタクトホールを形成
するためのエッチング工程を行う。Next, as the first interlayer insulating film 5045, a silicon oxynitride film is formed with a thickness of 100 to 200 [nm]. A second interlayer insulating film 5046 made of an organic insulating material is formed thereon. Next, an etching step for forming a contact hole is performed.
【0156】そして、駆動回路部において島状半導体層
のソース領域とコンタクトを形成するソース配線504
7、5048、ドレイン領域とコンタクトを形成するド
レイン配線5049を形成する。また、画素部において
は、接続電極5050、画素電極5051、5052を
形成する(図12(A))。この接続電極5050によ
り、ソース信号線5034は、画素TFTと電気的に接
続される。なお、画素電極5052及び保持容量は隣り
合う画素のものである。Then, a source wiring 504 for forming a contact with a source region of the island-shaped semiconductor layer in the driver circuit portion.
7, 5048, a drain wiring 5049 for forming a contact with the drain region is formed. In the pixel portion, a connection electrode 5050 and pixel electrodes 5051 and 5052 are formed (FIG. 12A). With this connection electrode 5050, the source signal line 5034 is electrically connected to the pixel TFT. Note that the pixel electrode 5052 and the storage capacitor are of an adjacent pixel.
【0157】以上のようにして、nチャネル型TFT、
pチャネル型TFTを有する駆動回路部と、画素TF
T、保持容量を有する画素部とを同一基板上に形成する
ことができる。本明細書中ではこのような基板をアクテ
ィブマトリクス基板と呼ぶ。As described above, the n-channel TFT,
a driving circuit portion having a p-channel TFT and a pixel TF
T and a pixel portion having a storage capacitor can be formed over the same substrate. In this specification, such a substrate is called an active matrix substrate.
【0158】ブラックマトリクスを用いることなく、画
素電極間の隙間を遮光することができるように、画素電
極の端部をソース信号線やゲート信号線と重なるように
配置されている。The ends of the pixel electrodes are arranged so as to overlap the source signal lines and the gate signal lines so that the gap between the pixel electrodes can be shielded from light without using a black matrix.
【0159】また、本実施例で示す工程に従えば、アク
ティブマトリクス基板の作製に必要なフォトマスクの数
を5枚(島状半導体層パターン、第1配線パターン(ソ
ース信号線、ゲート信号線、容量配線)、pチャネル領
域のマスクパターン、コンタクトホールパターン、第2
配線パターン(画素電極、接続電極含む))とすること
ができる。その結果、工程を短縮し、製造コストの低減
及び歩留まりの向上に寄与することができる。According to the steps shown in this embodiment, the number of photomasks required for manufacturing the active matrix substrate is five (the island-like semiconductor layer pattern, the first wiring pattern (the source signal line, the gate signal line, Capacitor wiring), p-channel region mask pattern, contact hole pattern, second
It can be a wiring pattern (including a pixel electrode and a connection electrode). As a result, the process can be shortened, which can contribute to a reduction in manufacturing cost and an improvement in yield.
【0160】続いて、図12(A)の状態のアクティブ
マトリクス基板を得た後、図12(B)において、アク
ティブマトリクス基板上に配向膜5053を形成しラビ
ング処理を行う。Subsequently, after obtaining the active matrix substrate in the state of FIG. 12A, an alignment film 5053 is formed on the active matrix substrate and a rubbing process is performed in FIG.
【0161】一方、対向基板5054を用意する。対向
基板5054にはカラーフィルター層5055〜505
7、オーバーコート層5058を形成する。カラーフィ
ルター層はTFTの上方で赤色のカラーフィルター層5
055と青色のカラーフィルター層5056とを重ねて
形成し遮光膜を兼ねる構成とする。少なくともTFT
と、接続電極と画素電極との間を遮光する必要があるた
め、それらの位置を遮光するように赤色のカラーフィル
ターと青色のカラーフィルターを重ねて配置することが
好ましい。On the other hand, a counter substrate 5054 is prepared. The color filter layers 5055 to 505 are provided on the opposite substrate 5054.
7. An overcoat layer 5058 is formed. The color filter layer is a red color filter layer 5 above the TFT.
055 and a blue color filter layer 5056 are formed so as to overlap each other and also serve as a light-shielding film. At least TFT
In addition, since it is necessary to shield light between the connection electrode and the pixel electrode, it is preferable that a red color filter and a blue color filter are arranged so as to overlap each other so as to shield those positions.
【0162】また、接続電極5050に合わせて赤色の
カラーフィルター層5055、青色のカラーフィルター
層5056、緑色のカラーフィルター層5057とを重
ね合わせてスペーサを形成する。各色のカラーフィルタ
ーはアクリル樹脂に顔料を混合したもので1〜3[μm]
の厚さで形成する。これは感光性材料を用い、マスクを
用いて所定のパターンに形成することができる。スペー
サの高さはオーバーコート層5058の厚さ1〜4[μ
m]を考慮することにより2〜7[μm]、好ましくは4〜
6[μm]とすることができ、この高さによりアクティブ
マトリクス基板と対向基板とを貼り合わせた時のギャッ
プを形成する。オーバーコート層5058は光硬化型ま
たは熱硬化型の有機樹脂材料で形成し、例えば、ポリイ
ミドやアクリル樹脂などを用いる。A spacer is formed by overlapping a red color filter layer 5055, a blue color filter layer 5056, and a green color filter layer 5057 in accordance with the connection electrode 5050. The color filter of each color is a mixture of acrylic resin and pigment, and is 1-3 [μm]
Formed with a thickness of This can be formed in a predetermined pattern using a photosensitive material and a mask. The height of the spacer is 1 to 4 [μ] in thickness of the overcoat layer 5058.
m], 2 to 7 μm, preferably 4 to
The height can form a gap when the active matrix substrate and the opposing substrate are bonded to each other. The overcoat layer 5058 is formed using a photocurable or thermosetting organic resin material, and for example, polyimide or an acrylic resin is used.
【0163】スペーサの配置は任意に決定すれば良い
が、例えば図12(B)で示すように接続電極上に位置
が合うように対向基板5054上に配置すると良い。ま
た、駆動回路部のTFT上にその位置を合わせてスペー
サを対向基板5054上に配置してもよい。このスペー
サは駆動回路部の全面に渡って配置しても良いし、ソー
ス配線およびドレイン配線を覆うようにして配置しても
良い。The arrangement of the spacers may be determined arbitrarily. For example, as shown in FIG. 12B, the spacers may be arranged on the counter substrate 5054 so as to be aligned with the connection electrodes. Alternatively, the spacer may be arranged on the counter substrate 5054 so as to be aligned with the TFT of the driving circuit portion. The spacer may be disposed over the entire surface of the drive circuit portion, or may be disposed so as to cover the source wiring and the drain wiring.
【0164】オーバーコート層5058を形成した後、
対向電極5059をパターニング形成し、配向膜506
0を形成した後ラビング処理を行う。After forming the overcoat layer 5058,
A counter electrode 5059 is formed by patterning, and an alignment film 506 is formed.
After forming 0, a rubbing process is performed.
【0165】そして、画素部と駆動回路部が形成された
アクティブマトリクス基板と対向基板とをシール剤50
62で貼り合わせる。シール剤5062にはフィラーが
混入されていて、このフィラーとスペーサによって均一
な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その
後、両基板の間に液晶材料5061を注入し、封止剤
(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料506
1には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして
図12(B)に示すアクティブマトリクス型液晶表示装
置が完成する。Then, the active matrix substrate on which the pixel portion and the drive circuit portion are formed and the opposing substrate are sealed with a sealant 50.
Attach at 62. A filler is mixed in the sealant 5062, and the two substrates are bonded to each other at a uniform interval by the filler and the spacer. Thereafter, a liquid crystal material 5061 is injected between the two substrates, and completely sealed with a sealing agent (not shown). Liquid crystal material 506
For 1, a known liquid crystal material may be used. Thus, the active matrix liquid crystal display device shown in FIG. 12B is completed.
【0166】なお、上記の行程により作製されるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置におけるTFTはトップ
ゲート構造をとっているが、ボトムゲート構造のTFT
やその他の構造のTFTに対しても本実施例は容易に適
用され得る。The TFT in the active matrix type liquid crystal display device manufactured by the above process has a top gate structure, but has a bottom gate structure.
This embodiment can be easily applied to TFTs having other structures.
【0167】また、本実施例においては、ガラス基板上
を使用しているが、ガラス基板に限らず、プラスチック
基板、ステンレス基板、単結晶ウェハ等、ガラス基板以
外のものを使用することによっても実施が可能である。In this embodiment, a glass substrate is used. However, the present invention is not limited to a glass substrate but may be implemented by using a substrate other than a glass substrate, such as a plastic substrate, a stainless steel substrate, or a single crystal wafer. Is possible.
【0168】本実施例は、実施例1〜実施例8と自由に
組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 8.
【0169】[実施例10]本発明の液晶表示装置は、そ
の画素部に記憶回路を複数有するため、1つの画素を構
成する素子の数が通常の画素よりも多くなる。よって、
透過型の液晶表示装置の場合、開口率の低下による輝度
不足が考えられることから、本発明は、反射型の液晶表
示装置に適用されるのが望ましい。本実施例において、
作製工程の一例を示す。[Embodiment 10] Since the liquid crystal display device of the present invention has a plurality of storage circuits in its pixel portion, the number of elements constituting one pixel is larger than that of a normal pixel. Therefore,
In the case of a transmissive liquid crystal display device, the luminance may be insufficient due to a decrease in the aperture ratio. Therefore, the present invention is preferably applied to a reflective liquid crystal display device. In this embodiment,
An example of a manufacturing process will be described.
【0170】実施例9に従い、図19(A)に示すアク
ティブマトリクス基板(図12(A)と同様)を作製す
る。続いて、第3の層間絶縁膜5201として、樹脂膜
を形成した後、画素電極部にコンタクトホールを開口
し、反射電極5202を形成する。反射電極5202と
しては、Al、Agを主成分とする膜、あるいはそれら
の積層膜等の、反射性に優れた材料を用いることが望ま
しい。According to the ninth embodiment, an active matrix substrate (similar to FIG. 12A) shown in FIG. 19A is manufactured. Subsequently, after forming a resin film as the third interlayer insulating film 5201, a contact hole is opened in the pixel electrode portion, and a reflective electrode 5202 is formed. As the reflective electrode 5202, it is preferable to use a material having excellent reflectivity, such as a film mainly containing Al or Ag, or a stacked film thereof.
【0171】一方、対向基板5054を用意する。対向
基板5054には、本実施例においては対向電極520
5をパターニングして形成している。対向電極5205
は、透明導電膜として形成する。透明導電膜としては、
酸化インジウムと酸化スズとの化合物(ITOと呼ばれ
る)または酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からな
る材料を用いることが出来る。On the other hand, a counter substrate 5054 is prepared. In this embodiment, a counter electrode 520 is provided on the counter substrate 5054.
5 is formed by patterning. Counter electrode 5205
Is formed as a transparent conductive film. As a transparent conductive film,
A material formed of a compound of indium oxide and tin oxide (called ITO) or a compound of indium oxide and zinc oxide can be used.
【0172】特に図示していないが、カラー液晶表示装
置の作製の際には、カラーフィルタ層を形成する。この
とき、隣接した色の異なるカラーフィルタ層を重ねて形
成し、TFT部分の遮光膜を兼ねる構成とすると良い。Although not shown, a color filter layer is formed when a color liquid crystal display device is manufactured. At this time, it is preferable that adjacent color filter layers of different colors are formed so as to be overlapped with each other so as to also serve as a light shielding film in the TFT portion.
【0173】その後、アクティブマトリクス基板および
対向基板に、配向膜5203および5204を形成し、
ラビング処理を行う。Thereafter, alignment films 5203 and 5204 are formed on the active matrix substrate and the opposing substrate.
A rubbing process is performed.
【0174】そして、画素部と駆動回路部が形成された
アクティブマトリクス基板と対向基板とをシール剤52
06で貼り合わせる。シール剤5206にはフィラーが
混入されていて、このフィラーとスペーサによって均一
な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その
後、両基板の間に液晶材料5207を注入し、封止剤
(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料520
7には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして
図19(B)に示す反射型の液晶表示装置が完成する。Then, the active matrix substrate on which the pixel portion and the drive circuit portion are formed and the opposing substrate are sealed with a sealant 52.
Attach at 06. A filler is mixed in the sealant 5206, and the two substrates are bonded at a uniform interval by the filler and the spacer. Thereafter, a liquid crystal material 5207 is injected between the two substrates, and completely sealed with a sealant (not shown). Liquid crystal material 520
For 7, a known liquid crystal material may be used. Thus, the reflection type liquid crystal display device shown in FIG. 19B is completed.
【0175】なお、本実施例においては、ガラス基板に
限らず、プラスチック基板、ステンレス基板、単結晶ウ
ェハ等、ガラス基板以外のものを使用することも可能で
ある。In this embodiment, not only a glass substrate but also a substrate other than a glass substrate such as a plastic substrate, a stainless steel substrate and a single crystal wafer can be used.
【0176】また、画素の半分を反射電極、残る半分を
透明電極とした、半透過型の表示装置として作製する場
合にも、本発明は容易に適用することが出来る。Further, the present invention can be easily applied to a case of manufacturing a transflective display device in which half of the pixel is a reflective electrode and the other half is a transparent electrode.
【0177】本実施例は、実施例1〜実施例8と自由に
組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 8.
【0178】[実施例11]本実施例では、本発明の液晶
表示装置を作製した例について、図27を用いて説明す
る。[Embodiment 11] In this embodiment, an example of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS.
【0179】図27(A)は、TFT基板と対向基板と
の間に液晶を封止することによって形成された液晶表示
装置の上面図であり、図27(B)は、図27(A)の
A−A’における断面図、図27(C)は図27(A)
のB−B’における断面図である。FIG. 27A is a top view of a liquid crystal display device formed by sealing liquid crystal between a TFT substrate and a counter substrate. FIG. 27B is a top view of FIG. 27A is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
13 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG.
【0180】TFT基板4001上に設けられた画素部
4002と、ソース信号線駆動回路4003と、第1及
び第2のゲート信号線駆動回路4004a、bとを囲む
ようにして、シール材4009が設けられている。また
画素部4002と、ソース信号線駆動回路4003と、
第1及び第2のゲート信号線駆動回路4004a、bと
の上に対向基板4008が設けられている。TFT基板
4001とシール材4009と対向基板4008とで囲
まれた空間に液晶4210が充填されている。[0180] A sealant 4009 is provided so as to surround the pixel portion 4002 provided over the TFT substrate 4001, the source signal line driver circuit 4003, and the first and second gate signal line driver circuits 4004a and 4004b. I have. A pixel portion 4002, a source signal line driver circuit 4003,
A counter substrate 4008 is provided over the first and second gate signal line driver circuits 4004a and 4004b. A liquid crystal 4210 is filled in a space surrounded by the TFT substrate 4001, the sealant 4009, and the counter substrate 4008.
【0181】またTFT基板4001上に設けられた画
素部4002と、ソース信号線駆動回路4003と、第
1及び第2のゲート信号線駆動回路4004a、bと
は、複数のTFTを有している。図27(B)では代表
的に、下地膜4010上に形成された、ソース信号線駆
動回路4003に含まれる駆動TFT(但し、ここでは
nチャネル型TFTとpチャネル型TFTを図示する)
4201及び画素部4002に含まれる画素TFT(画
素電極にかかる電圧を制御するTFT)4202を図示
した。The pixel portion 4002 provided over the TFT substrate 4001, the source signal line driver circuit 4003, and the first and second gate signal line driver circuits 4004a and 4004b have a plurality of TFTs. . In FIG. 27B, typically, a driving TFT included in the source signal line driver circuit 4003 formed over the base film 4010 (here, an n-channel TFT and a p-channel TFT are illustrated).
4201 and a pixel TFT (TFT controlling a voltage applied to a pixel electrode) 4202 included in the pixel portion 4002 are illustrated.
【0182】本実施例では、駆動TFT4201には公
知の方法で作製されたpチャネル型TFT及びnチャネ
ル型TFTが用いられ、画素TFT4202には公知の
方法で作製されたpチャネル型TFTが用いられる。ま
た、画素部4002には画素TFT4202のゲート電
極に電気的に接続された保持容量(図示せず)が設けら
れる。In this embodiment, a p-channel TFT and an n-channel TFT manufactured by a known method are used for the driving TFT 4201, and a p-channel TFT manufactured by a known method is used for the pixel TFT 4202. . The pixel portion 4002 is provided with a storage capacitor (not shown) electrically connected to a gate electrode of the pixel TFT 4202.
【0183】駆動TFT4201及び画素TFT420
2上には層間絶縁膜(平坦化膜)4301が形成され、
その上に画素TFT4202のドレインと電気的に接続
する画素電極4203が形成される。Driving TFT 4201 and Pixel TFT 420
2, an interlayer insulating film (planarization film) 4301 is formed,
A pixel electrode 4203 electrically connected to the drain of the pixel TFT 4202 is formed thereon.
【0184】対向基板4008上には対向電極4205
が形成されている。なお図27(B)では図示していな
いが、カラーフィルターや偏光板を適宜設ける。そして
対向電極4205には所定の電圧が与えられている。An opposing electrode 4205 is provided on the opposing substrate 4008.
Are formed. Although not illustrated in FIG. 27B, a color filter and a polarizing plate are provided as appropriate. A predetermined voltage is applied to the counter electrode 4205.
【0185】以上のようにして、画素電極4203、液
晶4210及び対向電極4205からなる液晶セルが形
成される。As described above, a liquid crystal cell including the pixel electrode 4203, the liquid crystal 4210, and the counter electrode 4205 is formed.
【0186】4005は引き回し配線であり、画素部4
002、ソース信号線駆動回路4003、第1のゲート
信号線駆動回路4004a、第2のゲート信号線駆動回
路4004bと外部の電源とを接続している。引き回し
配線4005aはシール材4009とTFT基板400
1との間を通り、異方導電性フィルム4300を介して
FPC4006が有するFPC用配線4301に電気的
に接続される。Reference numeral 4005 denotes a lead wiring,
002, a source signal line driver circuit 4003, a first gate signal line driver circuit 4004a, a second gate signal line driver circuit 4004b, and an external power supply. The lead wiring 4005a is formed of a sealing material 4009 and a TFT substrate 400.
1 and is electrically connected to an FPC wiring 4301 included in the FPC 4006 via an anisotropic conductive film 4300.
【0187】対向基板4008としては、ガラス材、金
属材(代表的にはステンレス材)、セラミックス材、プ
ラスチック材(プラスチックフィルムも含む)を用いる
ことができる。プラスチック材としては、FRP(Fi
berglass−Reinforced Plast
ics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。As the opposite substrate 4008, a glass material, a metal material (typically, a stainless steel material), a ceramic material, and a plastic material (including a plastic film) can be used. As a plastic material, FRP (Fi
Berglass-Reinforced Plast
ics) plate, PVF (polyvinyl fluoride) film, mylar film, polyester film or acrylic resin film. Further, a sheet having a structure in which an aluminum foil is sandwiched between PVF films or mylar films can also be used.
【0188】但し、画素電極からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。However, when the direction of light emission from the pixel electrode is directed toward the cover material, the cover material must be transparent. In that case, a transparent material such as a glass plate, a plastic plate, a polyester film or an acrylic film is used.
【0189】図27(C)に示すように、画素電極42
03が形成されると同時に、引き回し配線4005a上
に接するように導電性膜4203aが形成される。As shown in FIG. 27C, the pixel electrode 42
Simultaneously with the formation of 03, a conductive film 4203a is formed so as to be in contact with the lead wiring 4005a.
【0190】また、異方導電性フィルム4300は導電
性フィラー4300aを有している。TFT基板400
1とFPC4006とを熱圧着することで、TFT基板
4001上の導電性膜4203aとFPC4006上の
FPC用配線4301とが、導電性フィラー4300a
によって電気的に接続される。The anisotropic conductive film 4300 has a conductive filler 4300a. TFT substrate 400
1 and the FPC 4006 are thermocompression-bonded, so that the conductive film 4203a on the TFT substrate 4001 and the FPC wiring 4301 on the FPC 4006 become conductive filler 4300a.
Electrically connected by
【0191】本実施例は、実施例1〜実施例10と自由
に組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 10.
【0192】[実施例12]本実施例では、本発明の液晶
表示装置として、透過型の液晶表示装置を使用した場合
の例を示す。[Embodiment 12] This embodiment shows an example in which a transmission type liquid crystal display device is used as the liquid crystal display device of the present invention.
【0193】デサインルールを1μmルール、画素ピッ
チを100ppi程度とすれば、画素内部の記憶回路及
びD/Aコンバータ等は、ソース信号線の下に配置する
ことが可能となり、開口率の低下の問題を解決すること
ができる。これにより、本発明を反射型の液晶表示装置
だけでなく透過型の液晶表示装置にも適用できる。If the design rule is set to 1 μm and the pixel pitch is set to about 100 ppi, the memory circuit and the D / A converter inside the pixel can be arranged below the source signal line, and the aperture ratio decreases. Can be solved. Thus, the present invention can be applied not only to a reflection type liquid crystal display device but also to a transmission type liquid crystal display device.
【0194】図30に、上記構成の透過型液晶表示装置
の画素の上面図を模式的に示す。FIG. 30 schematically shows a top view of a pixel of the transmission type liquid crystal display device having the above configuration.
【0195】3301は画素、3302〜3304は記
憶回路、3305はD/Aコンバータ(図中D/Aと記
載)、3306は画素電極、3307はソース信号線で
ある。なお、対向電極やカラーフィルタ及び保持容量等
は図示していない。ここで、記憶回路3302〜330
4及びD/Aコンバータ3305は、ソース信号線33
07と重ねて形成されている。Reference numeral 3301 denotes a pixel; 3302 to 3304, storage circuits; 3305, a D / A converter (described as D / A in the figure); 3306, a pixel electrode; and 3307, a source signal line. Note that the counter electrode, the color filter, the storage capacitor, and the like are not shown. Here, the storage circuits 3302 to 330
4 and the D / A converter 3305 are connected to the source signal line 33.
07 is overlapped.
【0196】なお図示していないが、ソース信号線33
07の下ではなくゲート信号線と重ねて、これらの記憶
回路3302〜3304及びD/Aコンバータ3305
等を配置することも可能である。Although not shown, the source signal line 33
07, these memory circuits 3302 to 3304 and the D / A converter 3305 overlap with the gate signal line.
Etc. can also be arranged.
【0197】[実施例13]実施例1〜実施例12にて示
した、本発明の液晶表示装置の画素部においては、記憶
回路は、スタティック型メモリ(Static RAM : SRAM)
を用いて構成していたが、記憶回路はSRAMのみに限
定されない。本発明の液晶表示装置の画素部に適用可能
な記憶回路には、他にダイナミック型メモリ(Dynamic
RAM : DRAM)等があげられる。[Thirteenth Embodiment] In the pixel portion of the liquid crystal display device of the present invention shown in the first to twelfth embodiments, the storage circuit is a static memory (Static RAM: SRAM).
However, the storage circuit is not limited to the SRAM. The memory circuit applicable to the pixel portion of the liquid crystal display device of the present invention includes a dynamic memory (Dynamic memory).
RAM: DRAM).
【0198】さらに、特に図示しないが、他の形式の記
憶回路として、強誘電体メモリ(Ferroelectric RAM :
FRAM)を利用して本発明の液晶表示装置の画素部を構成
することも可能である。FRAMは、SRAMやDRA
Mと同等の書き込み速度を有する不揮発性メモリであ
り、その書き込み電圧が低い等の特徴を利用して、本発
明の液晶表示装置のさらなる低消費電力化が可能であ
る。またその他、フラッシュメモリ等によっても、構成
は可能である。Further, although not particularly shown, a ferroelectric memory (Ferroelectric RAM:
The pixel portion of the liquid crystal display device of the present invention can be configured using FRAM). FRAM is SRAM or DRA
It is a non-volatile memory having a writing speed equivalent to that of M, and the power consumption of the liquid crystal display device of the present invention can be further reduced by utilizing features such as a low writing voltage. In addition, the configuration is possible by using a flash memory or the like.
【0199】本実施例は、実施例1〜実施例12と自由
に組み合わせて実施することが可能である。This embodiment can be implemented by freely combining with Embodiments 1 to 12.
【0200】[実施例14]本発明を適用して作製した駆
動回路を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
は様々な用途がある。本実施例では、本発明を適用して
作製した駆動回路を用いた表示装置を組み込んだ半導体
装置について説明する。[Embodiment 14] An active matrix liquid crystal display device using a drive circuit manufactured by applying the present invention has various uses. Example 1 In this example, a semiconductor device including a display device using a driver circuit manufactured according to the present invention will be described.
【0201】このような表示装置には、携帯情報端末
(電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等)、ビ
デオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュー
タ、テレビ等が挙げられる。それらの一例を図15およ
び図16に示す。Examples of such a display device include a portable information terminal (electronic notebook, mobile computer, mobile phone, etc.), a video camera, a digital camera, a personal computer, a television, and the like. Examples of these are shown in FIGS.
【0202】図15(A)は携帯電話であり、本体26
01、音声出力部2602、音声入力部2603、表示
部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606
から構成されている。本発明は表示部2604に適用す
ることができる。FIG. 15A shows a cellular phone,
01, audio output unit 2602, audio input unit 2603, display unit 2604, operation switch 2605, antenna 2606
It is composed of The present invention can be applied to the display portion 2604.
【0203】図15(B)はビデオカメラであり、本体
2611、表示部2612、音声入力部2613、操作
スイッチ2614、バッテリー2615、受像部261
6から成っている。本発明は表示部2612に適用する
ことができる。FIG. 15B shows a video camera, which includes a main body 2611, a display portion 2612, an audio input portion 2613, operation switches 2614, a battery 2615, and an image receiving portion 261.
Consists of six. The present invention can be applied to the display portion 2612.
【0204】図15(C)はモバイルコンピュータある
いは携帯情報端末であり、本体2621、カメラ部26
22、受像部2623、操作スイッチ2624、表示部
2625で構成されている。本発明は表示部2625に
適用することができる。FIG. 15C shows a mobile computer or a portable information terminal.
22, an image receiving unit 2623, operation switches 2624, and a display unit 2625. The present invention can be applied to the display portion 2625.
【0205】図15(D)はヘッドマウントディスプレ
イであり、本体2631、表示部2632、アーム部2
633で構成される。本発明は表示部2632に適用す
ることができる。FIG. 15D shows a head-mounted display, which includes a main body 2631, a display portion 2632, and an arm portion 2.
633. The present invention can be applied to the display portion 2632.
【0206】図15(E)はテレビであり、本体264
1、スピーカー2642、表示部2643、受信装置2
644、増幅装置2645等で構成される。本発明は表
示部2643に適用することができる。FIG. 15E shows a television set having a main body 264.
1, speaker 2642, display portion 2643, receiving device 2
644, an amplification device 2645, and the like. The present invention can be applied to the display portion 2643.
【0207】図15(F)は携帯書籍であり、本体26
51、表示部2652、記憶媒体2653、操作スイッ
チ2654、アンテナ2655から構成されており、ミ
ニディスク(MD)やDVD(Digital Ver
satile Disc)に記憶されたデータや、アン
テナで受信したデータを表示するものである。本発明は
表示部2652に適用することができる。FIG. 15F shows a portable book, which has a main body 26.
51, a display unit 2652, a storage medium 2653, an operation switch 2654, and an antenna 2655, and are composed of a mini disc (MD) and a DVD (Digital Ver.).
It displays the data stored in the satellite disc) and the data received by the antenna. The present invention can be applied to the display portion 2652.
【0208】図16(A)はパーソナルコンピュータで
あり、本体2201、画像入力部2202、表示部22
03、キーボード2204で構成される。本発明は表示
部2203に適用することができる。FIG. 16A shows a personal computer, which includes a main body 2201, an image input section 2202, and a display section 22.
03, a keyboard 2204. The present invention can be applied to the display portion 2203.
【0209】図16(B)はプログラムを記録した記録
媒体を用いるプレーヤーであり、本体2211、表示部
2212、スピーカー部2213、記録媒体2214、
操作スイッチ2215で構成される。なお、この装置は
記録媒体としてDVD(Digtial Versat
ile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑
賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発
明は表示部2212に適用することができる。FIG. 16B shows a player using a recording medium on which a program is recorded. The player includes a main body 2211, a display section 2212, a speaker section 2213, a recording medium 2214,
It is composed of an operation switch 2215. This apparatus uses a DVD (Digital Versat) as a recording medium.
ile Disc), a CD or the like, it is possible to perform music appreciation, movie appreciation, games, and the Internet. The present invention can be applied to the display portion 2212.
【0210】図16(C)はデジタルカメラであり、本
体2221、表示部2222、接眼部2223、操作ス
イッチ2224、受像部(図示しない)で構成される。
本発明は表示部2222に適用することができる。FIG. 16C shows a digital camera, which comprises a main body 2221, a display section 2222, an eyepiece 2223, operation switches 2224, and an image receiving section (not shown).
The present invention can be applied to the display portion 2222.
【0211】図16(D)は片眼のヘッドマウントディ
スプレイであり、表示部2231、バンド部2232で
構成される。本発明は表示部2231に適用することが
できる。FIG. 16D shows a one-eye head mounted display, which comprises a display portion 2231 and a band portion 2232. The present invention can be applied to the display portion 2231.
【0212】[実施例15]本実施例では、本発明の携帯
情報端末の外観図について述べる。図31に示すのは本
発明の構成を有する携帯情報端末であり、2701は表
示用パネル、2702は操作用パネルである。表示用パ
ネル2701と操作用パネル2702とは接続部270
3において接続されている。そして接続部2703にお
ける、表示用パネル2701の表示部2704が設けら
れている面と操作用パネル2702の操作キー2706
が設けられている面との角度θは、任意に変えることが
できる。[Embodiment 15] In this embodiment, an external view of a portable information terminal of the present invention will be described. FIG. 31 shows a portable information terminal having the structure of the present invention, where 2701 is a display panel and 2702 is an operation panel. The display panel 2701 and the operation panel 2702 are connected to each other by a connection portion 270.
3 are connected. The surface of the connection portion 2703 on which the display portion 2704 of the display panel 2701 is provided and the operation key 2706 of the operation panel 2702
Can be arbitrarily changed.
【0213】表示用パネル2701は表示部2704を
有している。また図31に示した携帯情報端末は電話と
しての機能を有しており、表示用パネル2701は音声
出力部2705を有しており、音声が音声出力部270
5から出力される。表示部2704には本発明の液晶表
示装置が用いられている。[0213] The display panel 2701 has a display portion 2704. The portable information terminal shown in FIG. 31 has a function as a telephone, the display panel 2701 has an audio output unit 2705, and audio is output from the audio output unit 270.
5 is output. The display portion 2704 uses the liquid crystal display device of the present invention.
【0214】表示部2704のアスペクト比は16:
9、4:3など任意に選択することができる。表示部2
704のサイズは対角1インチ〜4.5インチ程度が望
ましい。The aspect ratio of the display portion 2704 is 16:
9, 4: 3, etc. can be arbitrarily selected. Display 2
The size of 704 is desirably about 1 inch to 4.5 inches diagonally.
【0215】操作用パネル2702は操作キー270
6、電源スイッチ2707、音声入力部2708を有し
ている。なお図31では操作キー2706と電源スイッ
チ2707とを別個に設けたが、操作キー2706の中
に電源スイッチ2707が含まれる構成にしても良い。
音声入力部2708において、音声が入力される。The operation panel 2702 has an operation key 270
6, a power switch 2707 and a voice input unit 2708. Although the operation key 2706 and the power switch 2707 are provided separately in FIG. 31, a configuration in which the power switch 2707 is included in the operation key 2706 may be employed.
In the voice input unit 2708, voice is input.
【0216】なお図31では表示用パネル2701が音
声出力部2705を有し、操作用パネル2702が音声
入力部2708を有しているが、本実施例はこの構成に
限定されない。表示用パネル2701が音声入力部27
08を有し、操作用パネル2702が音声出力部270
5を有していても良い。また音声出力部2705と音声
入力部2708とが共に表示用パネル2701に設けら
れていても良いし、音声出力部2705と音声入力部2
708とが共に操作用パネル2702に設けられていて
も良い。In FIG. 31, the display panel 2701 has the audio output unit 2705 and the operation panel 2702 has the audio input unit 2708, but this embodiment is not limited to this configuration. The display panel 2701 is a voice input unit 27
08, and the operation panel 2702 is
5 may be provided. Further, both the audio output unit 2705 and the audio input unit 2708 may be provided on the display panel 2701, or the audio output unit 2705 and the audio input unit 2708 may be provided.
708 may be provided on the operation panel 2702.
【0217】なお図32では図31で示した携帯情報端
末の操作キー2706を人差し指で操作している例につ
いて示した。また図33では図31で示した携帯情報端
末の操作キー2706を親指で操作している例について
示した。なお操作キー2706は操作用パネル2702
の側面に設けても良い。操作は片手(きき手)の人差し
指のみ、または親指のみでも可能である。FIG. 32 shows an example in which the operation key 2706 of the portable information terminal shown in FIG. 31 is operated with the index finger. FIG. 33 shows an example in which the operation key 2706 of the portable information terminal shown in FIG. 31 is operated with the thumb. Note that the operation keys 2706 are provided on the operation panel 2702.
May be provided on the side surface. The operation can be performed with only one index finger or one thumb.
【0218】[実施例16]本実施例では、本発明の携帯
情報装置を応用した電子機器について、図28及び図2
9を用いて説明する。[Embodiment 16] In this embodiment, an electronic apparatus to which the portable information device of the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
9 will be described.
【0219】本発明の携帯情報装置としてパーソナルコ
ンピュータがある。図28(A)はパーソナルコンピュ
ータであり、本体2801、画像入力部2802、表示
部2803、キーボード2804等を含む。表示部28
03として、画素毎に記憶回路を有する液晶表示装置を
用いることで、パーソナルコンピュータの低消費電力化
を実現できる。There is a personal computer as a portable information device of the present invention. FIG. 28A illustrates a personal computer, which includes a main body 2801, an image input portion 2802, a display portion 2803, a keyboard 2804, and the like. Display unit 28
As 03, the use of a liquid crystal display device having a memory circuit for each pixel can realize low power consumption of a personal computer.
【0220】本発明の携帯情報装置としてナビゲーショ
ン装置がある。図28(B)はナビゲーション装置であ
り、本体2811、表示部2812、スピーカ部281
3、記憶媒体2814、操作スイッチ2815等を含
む。表示部2812として、画素毎に記憶回路を有する
液晶表示装置を用いることで、ナビゲーション装置の低
消費電力化を実現できる。[0220] There is a navigation device as a portable information device of the present invention. FIG. 28B illustrates a navigation device, which includes a main body 2811, a display portion 2812, and a speaker portion 281.
3, a storage medium 2814, an operation switch 2815, and the like. By using a liquid crystal display device having a memory circuit for each pixel as the display portion 2812, low power consumption of the navigation device can be realized.
【0221】本発明の携帯情報装置として電子書籍があ
る。図28(C)は電子書籍であり、本体2851、表
示部2852、記憶媒体2853、操作スイッチ285
4、アンテナ2855等を含み、ミニディスク(MD)
やDVD(DigitalVersatile Dis
c)に記憶されたデータや、アンテナで受信したデータ
を表示するものである。表示部2852として、画素毎
に記憶回路を有する液晶表示装置を用いることで、電子
書籍の低消費電力化を実現できる。An electronic book is a portable information device of the present invention. FIG. 28C illustrates an electronic book, which includes a main body 2851, a display portion 2852, a storage medium 2853, and operation switches 285.
4. Mini disk (MD) including antenna 2855
And DVD (DigitalVersatile Dis)
The data stored in c) and the data received by the antenna are displayed. By using a liquid crystal display device having a memory circuit for each pixel as the display portion 2852, power consumption of the electronic book can be reduced.
【0222】本発明の携帯情報装置として携帯電話があ
る。図29(A)は携帯電話であり、表示用パネル29
01、操作用パネル2902、接続部2903、表示部
2904、音声出力部2905、操作キー2906、電
源スイッチ2907、音声入力部2908、アンテナ2
909、CCD受光部2910、外部入力ポート291
1等を含む。表示部2904として、画素毎に記憶回路
を有する液晶表示装置を用いることで、携帯電話の低消
費電力化を実現できる。A portable information device of the present invention includes a portable telephone. FIG. 29A illustrates a mobile phone, which includes a display panel 29.
01, operation panel 2902, connection unit 2903, display unit 2904, audio output unit 2905, operation keys 2906, power switch 2907, audio input unit 2908, antenna 2
909, CCD light receiving section 2910, external input port 291
1 and so on. By using a liquid crystal display device having a memory circuit for each pixel as the display portion 2904, low power consumption of the mobile phone can be realized.
【0223】本発明の携帯情報装置としてPDAがあ
る。図29(B)はPDAであり、表示部及びペン入力
ダブレット3004、操作キー3006、電源スイッチ
3007、外部入力ポート3011、入力用ペン301
2等を含む。表示部3004として、画素毎に記憶回路
を有する液晶表示装置を用いることで、PDAの低消費
電力化を実現できる。There is a PDA as a portable information device of the present invention. FIG. 29B shows a PDA, which includes a display portion and a pen input doublet 3004, operation keys 3006, a power switch 3007, an external input port 3011, and an input pen 301.
2 etc. are included. By using a liquid crystal display device having a memory circuit for each pixel as the display portion 3004, low power consumption of the PDA can be realized.
【0224】[実施例17]本実施例では、図20に示し
た構成と同様の構成の画素を有する液晶表示装置におい
て、各画素の有する記憶回路に保持されD/Aコンバー
タに入力されている信号を、対応するアナログ信号に変
換する操作を、DACコントローラ(図示せず)を用い
て制御する場合について図37を用いて説明する。[Embodiment 17] In this embodiment, in a liquid crystal display device having a pixel having the same configuration as that shown in FIG. 20, it is held in a storage circuit of each pixel and input to a D / A converter. A case where the operation of converting a signal into a corresponding analog signal is controlled using a DAC controller (not shown) will be described with reference to FIG.
【0225】なお、本実施例において、各画素の有する
記憶回路に保持されD/Aコンバータに入力されている
信号を、対応するアナログ信号に変換し、D/Aコンバ
ータから出力する操作を、記憶回路の読み出し操作と呼
ぶことにする。In this embodiment, the operation of converting the signal held in the storage circuit of each pixel and input to the D / A converter into a corresponding analog signal and outputting the signal from the D / A converter is stored in the memory. This operation will be referred to as a circuit read operation.
【0226】図37において、画素は、書き込み用TF
T108〜110と、記憶回路105〜107と、ソー
ス信号線101と、書き込み用ゲート信号線102〜1
04と、D/Aコンバータ400と、液晶素子LCと、
保持容量Csとを有する。In FIG. 37, the pixel is a writing TF
T108 to 110, storage circuits 105 to 107, a source signal line 101, and a write gate signal line 102 to 1
04, a D / A converter 400, a liquid crystal element LC,
And a storage capacitor Cs.
【0227】書き込み用TFT108〜110のソース
領域もしくはドレイン領域の一方は、ソース信号線10
1に接続され、もう一方はそれぞれ、記憶回路105〜
107の入力にそれぞれ接続されている。書き込み用T
FT108〜110のゲート電極はそれぞれ、書き込み
用ゲート信号線102〜104にそれぞれ接続されてい
る。記憶回路105〜107の出力は、D/Aコンバー
タ400の入力in1〜in3にそれぞれ接続されてい
る。D/Aコンバータ400の出力outは、液晶素子
LC及び保持容量Csの一方の電極に接続されている。One of the source and drain regions of the writing TFTs 108 to 110 is connected to the source signal line 10.
1 and the other one is a storage circuit 105-
107 inputs. T for writing
The gate electrodes of the FTs 108 to 110 are connected to the write gate signal lines 102 to 104, respectively. Outputs of the storage circuits 105 to 107 are connected to inputs in1 to in3 of the D / A converter 400, respectively. The output out of the D / A converter 400 is connected to one electrode of the liquid crystal element LC and the storage capacitor Cs.
【0228】D/Aコンバータ400は、NAND回路
441〜443、インバータ444〜446及び46
1、スイッチ447a〜449a、スイッチ447b〜
449b、スイッチ460、コンデンサC1〜C3、リ
セット用信号線452、低圧側階調電源線453、高圧
側階調電源線454、中間圧側階調電源線455によっ
て構成されている。The D / A converter 400 includes NAND circuits 441 to 443 and inverters 444 to 446 and 46.
1, switches 447a to 449a, switches 447b to
449b, a switch 460, capacitors C1 to C3, a reset signal line 452, a low-voltage gradation power line 453, a high-voltage gradation power line 454, and an intermediate-voltage gradation power line 455.
【0229】記憶回路105〜107にデジタル信号を
記憶するまでの動作については、実施の形態や実施例1
で示した動作と同様であるので、説明は省略する。The operation up to the storage of the digital signal in the storage circuits 105 to 107 is described in the embodiment mode and the first embodiment.
Since the operation is the same as that shown in FIG.
【0230】以下、D/Aコンバータ400の動作につ
いて説明する。The operation of D / A converter 400 will be described below.
【0231】リセット用信号線452に入力された信号
resによって、スイッチ460が導通状態になり、容
量C1〜C3の、out端子に接続された側の電位は、
中間圧側階調電源線455の電位VMに固定されてい
る。また、高圧側階調電源線454の電位は、低圧側階
調電源線453の電位VLと等しく設定されている。こ
のとき、in1〜in3にデジタル信号が入力されて
も、容量C1〜C3には、信号は書き込まれない。The switch 460 is turned on by the signal res input to the reset signal line 452, and the potentials of the capacitors C1 to C3 connected to the out terminals are
It is fixed to the potential V M of the intermediate pressure side gradation power line 455. Further, the potential of the high-voltage gradation power supply line 454 is set equal to the potential VL of the low-voltage gradation power supply line 453. At this time, even if a digital signal is input to in1 to in3, no signal is written to the capacitors C1 to C3.
【0232】この後、リセット用信号線452の信号r
esが変化し、スイッチ460がオフとなって、容量C
1〜C3のout端子側の電位の固定が解除される。次
に、高圧側階調電源線454の電位が、低圧側階調電源
線453の電位VLと異なる値VHに変化する。この時端
子in1〜in3に入力された信号に応じて、NAND
回路441〜443の出力が変化し、スイッチ447〜
449のそれぞれにおいて、2つのスイッチのどちらか
がオンの状態となって、高圧側階調電源線の電位VHも
しくは低圧側階調電源線VLの電位が、容量C1〜C3
の電極に印加される。Thereafter, the signal r on the reset signal line 452
es changes, the switch 460 is turned off, and the capacitance C
The fixing of the potentials on the out terminal side of 1 to C3 is released. Then, the potential of the high voltage side gray scale power supply line 454 is changed to the potential V L values different V H of the low voltage side gray scale power supply line 453. At this time, according to the signals input to the terminals in1 to in3, the NAND
The outputs of the circuits 441 to 443 change, and the switches 447 to
In each of 449, one of the two switches is turned on, and the potential V H of the high-voltage side gray scale power supply line or the potential of the low-voltage side gray scale power supply line VL becomes the capacitance C1 to C3.
Are applied to the electrodes.
【0233】ここで、この容量C1〜C3の値は、各ビ
ットに対応して設定されている。例えば、C1:C2:
C3が1:2:4となるように設定されている。Here, the values of the capacitors C1 to C3 are set corresponding to each bit. For example, C1: C2:
C3 is set to be 1: 2: 4.
【0234】この容量C1〜C3に印加された電圧によ
って容量C1〜C3のout端子側の電位が変化し、出
力の電位が変化する。つまり、入力されたin1〜in
3のデジタル信号に応じたアナログの信号がout端子
より出力される。The potential applied to the out terminals of the capacitors C1 to C3 is changed by the voltage applied to the capacitors C1 to C3, and the output potential is changed. In other words, the input in1 to in
An analog signal corresponding to the digital signal of No. 3 is output from the out terminal.
【0235】リセット用信号線452に入力された信号
res及び、高圧側階調電源線454の電位等を、DA
Cコントローラによって制御することによって、入力さ
れたデジタル信号に対するアナログ信号の、D/Aコン
バータ400からの出力を制御することができる。The signal res input to the reset signal line 452 and the potential of the high-side gradation power supply line 454
By controlling with the C controller, the output of the analog signal with respect to the input digital signal from the D / A converter 400 can be controlled.
【0236】一旦画素の有する記憶回路にデジタル信号
を書き込んだ後は、DACコントローラを用いて上記動
作を繰り返し、記憶回路に保持されたデジタル信号の読
み出し操作を反復することによって、静止画を表示する
ことができる。After the digital signal is once written in the storage circuit of the pixel, the above operation is repeated using a DAC controller, and the operation of reading out the digital signal held in the storage circuit is repeated to display a still image. be able to.
【0237】このとき、ソース信号線駆動回路及びゲー
ト信号線駆動回路の動作を停止することができる。At this time, the operations of the source signal line driver circuit and the gate signal line driver circuit can be stopped.
【0238】なお、図37では、3個の記憶回路を配置
した構成の画素を例に説明したが、これに限定されな
い。一般に、各画素にn(nは、2以上の自然数)個の
記憶回路を配置した構成の画素を有する液晶表示装置に
応用することができる。In FIG. 37, a pixel having a configuration in which three memory circuits are arranged has been described as an example, but the present invention is not limited to this. In general, the present invention can be applied to a liquid crystal display device having pixels in which n (n is a natural number of 2 or more) memory circuits are arranged in each pixel.
【0239】DACコントローラは、公知の構成の回路
を自由に用いることができる。As the DAC controller, a circuit having a known configuration can be used freely.
【0240】[実施例18]本実施例では、本発明の画素
の構成の例について図36を用いて説明する。[Embodiment 18] In this embodiment, an example of a structure of a pixel of the present invention will be described with reference to FIG.
【0241】図36において、図1と同じ部分は同じ符
号を用いて示し、説明は省略する。In FIG. 36, the same portions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【0242】図36において、記憶回路105〜107
の出力はそれぞれ、読み出し用TFT121〜123を
介して、D/A111に入力されている。ここで、読み
出し用TFT121〜123のゲート電極は、読み出し
用ゲート信号線124に接続されている。In FIG. 36, storage circuits 105 to 107
Are input to the D / A 111 via the reading TFTs 121 to 123, respectively. Here, the gate electrodes of the reading TFTs 121 to 123 are connected to the reading gate signal line 124.
【0243】図36の構成の画素において、各記憶回路
105〜107に信号を書き込む動作は、実施形態及び
実施例と同じであるので、ここでは説明は省略する。In the pixel having the configuration shown in FIG. 36, the operation of writing a signal to each of the storage circuits 105 to 107 is the same as that of the embodiment and the example, and the description is omitted here.
【0244】静止画を表示する際、一旦記憶回路105
〜107にデジタル信号を記憶した後は、読み出し用ゲ
ート信号線124に信号を入力することによって、読み
出し用TFT121〜123をオンにし、記憶回路10
5〜107に保持されたデジタル信号をD/A111に
入力する。ここで本実施例のように各画素が読み出し用
TFTを有する場合、記憶回路105〜107に保持さ
れたデジタル信号をD/A111に入力することを、記
憶回路の信号の読み出し操作と呼ぶことにする。When displaying a still image, the storage circuit 105
After the digital signals are stored in the memory circuits 10 to 107, the read TFTs 121 to 123 are turned on by inputting a signal to the read gate signal line 124.
The digital signals held at 5 to 107 are input to the D / A 111. Here, when each pixel has a reading TFT as in this embodiment, inputting the digital signal held in the storage circuits 105 to 107 to the D / A 111 is referred to as a signal reading operation of the storage circuit. I do.
【0245】読み出し用TFT121〜123のオン・
オフを切り換え、読み出し操作を、反復することによっ
て、静止画を表示することができる。Turning on / off of the reading TFTs 121 to 123
A still image can be displayed by switching off and repeating the read operation.
【0246】ここで、読み出し操作は、読み出し用ゲー
ト信号線を選択して行われるが、この読み出し用ゲート
信号線124は、読み出し用ゲート信号線駆動回路を用
いて駆動することができる。Here, the read operation is performed by selecting a read gate signal line. The read gate signal line 124 can be driven by using a read gate signal line driving circuit.
【0247】この読み出し用ゲート信号線駆動回路は、
公知のゲート信号線駆動回路等を自由に用いることがで
きる。This read gate signal line drive circuit comprises:
A known gate signal line driving circuit or the like can be used freely.
【0248】なお、図36では、3個の記憶回路を配置
した構成の画素を例に説明したが、これに限定されな
い。一般に、各画素にn(nは、2以上の自然数)個の
記憶回路を配置した構成の画素を有する液晶表示装置に
応用することができる。In FIG. 36, a pixel having a configuration in which three memory circuits are arranged has been described as an example, but the present invention is not limited to this. In general, the present invention can be applied to a liquid crystal display device having pixels in which n (n is a natural number of 2 or more) memory circuits are arranged in each pixel.
【0249】[実施例19]本実施例では、本発明の液晶
表示装置の画素の構成を図38に示す。[Embodiment 19] In this embodiment, the structure of a pixel of a liquid crystal display device of the present invention is shown in FIG.
【0250】図38において、図1と同じ部分は同じ符
号を用いて示し、説明は省略する。In FIG. 38, the same portions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【0251】記憶回路141a〜143aと、記憶回路
141b〜143bが各画素に配置されている。Storage circuits 141a to 143a and storage circuits 141b to 143b are arranged for each pixel.
【0252】選択スイッチ151は、書き込み用TFT
108と記憶回路141aまたは記憶回路141bとの
接続を選択する。選択スイッチ152は、書き込み用T
FT109と記憶回路142aまたは記憶回路142b
との接続を選択する。選択スイッチ153は、書き込み
用TFT110と記憶回路143aまたは記憶回路14
3bとの接続を選択する。The selection switch 151 is a writing TFT.
The connection between the storage circuit 108 and the storage circuit 141a or the storage circuit 141b is selected. The selection switch 152 is used for writing T
FT109 and storage circuit 142a or storage circuit 142b
Choose a connection with. The selection switch 153 is connected to the writing TFT 110 and the storage circuit 143 a or the storage circuit 14.
Select the connection with 3b.
【0253】選択スイッチ154は、D/A111と記
憶回路141aまたは記憶回路141bとの接続を選択
する。選択スイッチ155は、D/A111と記憶回路
142aまたは記憶回路142bとの接続を選択する。
選択スイッチ156は、D/A111と記憶回路143
aまたは記憶回路143bとの接続を選択する。The selection switch 154 selects the connection between the D / A 111 and the storage circuit 141a or 141b. The selection switch 155 selects the connection between the D / A 111 and the storage circuit 142a or 142b.
The selection switch 156 is connected to the D / A 111 and the storage circuit 143.
a or the connection with the storage circuit 143b is selected.
【0254】選択スイッチ151〜153及び選択スイ
ッチ154〜156によって、記憶回路141a〜14
3aにデジタル信号を記憶する場合と、記憶回路141
b〜143bにデジタル信号を記憶する場合とを選択す
ることができる。また、記憶回路141a〜143aか
らデジタル信号をD/A111に入力する場合と、記憶
回路141b〜143bからデジタル信号をD/A11
1に入力する場合とを選択することができる。The storage circuits 141a to 141a are selected by the selection switches 151 to 153 and the selection switches 154 to 156.
3a and a storage circuit 141.
It is possible to select whether to store a digital signal in b to 143b. Further, a case where a digital signal is input to the D / A 111 from the storage circuits 141a to 143a and a case where the digital signal is input to the D / A 111 from the storage circuits 141b to 143b.
1 can be selected.
【0255】各画素において、選択された各記憶回路に
デジタル信号を入力する動作、及び選択された各記憶回
路に保持されたデジタル信号を読み出す動作について
は、実施の形態や実施例1と同様であるので説明は省略
する。In each pixel, the operation of inputting a digital signal to each selected storage circuit and the operation of reading the digital signal held in each selected storage circuit are the same as those in the embodiment mode and the first embodiment. Description is omitted because there is.
【0256】画素は、記憶回路141a〜143aを用
いて、1フレーム期間分の3ビットのデジタル信号を記
憶し、記憶回路141b〜143bを用いて、前記フレ
ーム期間とは別のフレーム期間の3ビット分の信号を記
憶することができる。The pixel stores a 3-bit digital signal for one frame period using the storage circuits 141a to 143a, and uses the storage circuits 141b to 143b to store 3-bit digital signals for a frame period different from the frame period. The minute signal can be stored.
【0257】図38においては、3ビット分のデジタル
信号を2フレーム分記憶する回路を示すが、本実施例は
これに限定されない。一般に、n(nは、2以上の自然
数)ビット分のデジタル信号をm(mは、2以上の自然
数)フレーム分記憶可能な画素を有する液晶表示装置に
応用することができる。FIG. 38 shows a circuit for storing a 3-bit digital signal for two frames, but this embodiment is not limited to this. In general, the present invention can be applied to a liquid crystal display device having pixels capable of storing n (n is a natural number of 2 or more) digital signals for m (m is a natural number of 2 or more) frames.
【0258】[0258]
【発明の効果】各画素の内部に配置された複数の記憶回
路を用いてデジタル信号の記憶を行うことにより、静止
画を表示する際に各フレーム期間で記憶回路に記憶され
たデジタル信号を反復して用いる。これによって、継続
的に静止画表示を行う際に、ソース信号線駆動回路を停
止させておくことが可能となる。よって、液晶表示装置
全体の低消費電力化に大きく貢献することが出来る。By storing digital signals using a plurality of storage circuits arranged inside each pixel, the digital signals stored in the storage circuits are repeated in each frame period when a still image is displayed. Used. Thus, the source signal line driving circuit can be stopped when a still image is displayed continuously. Therefore, it is possible to greatly contribute to lower power consumption of the entire liquid crystal display device.
【0259】また、液晶表示装置を組み込んだ携帯情報
装置において、液晶表示装置に入力する信号を処理す
る、映像信号処理回路等の回路も、継続的に静止画表示
を行う際は、停止させておくことが可能になるため、携
帯情報装置の低消費電力化に大きく貢献する。In a portable information device incorporating a liquid crystal display device, circuits such as a video signal processing circuit for processing signals input to the liquid crystal display device are also stopped when a still image is displayed continuously. This greatly contributes to lower power consumption of the portable information device.
【0260】[0260]
【図1】 複数の記憶回路を内部に有する本発明の画
素の回路図。FIG. 1 is a circuit diagram of a pixel of the present invention having a plurality of storage circuits therein.
【図2】 本発明の画素を用いて表示を行うためのソ
ース信号線駆動回路の回路構成を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of a source signal line driver circuit for performing display using a pixel of the present invention.
【図3】 本発明の画素を用いて表示を行うためのタ
イミングチャートを示す図。FIG. 3 is a timing chart for performing display using a pixel of the present invention.
【図4】 記憶回路の詳細な回路図。FIG. 4 is a detailed circuit diagram of a storage circuit.
【図5】 第2のラッチ回路を持たないソース信号線
駆動回路の回路構成を示す図。FIG. 5 is a diagram illustrating a circuit configuration of a source signal line driver circuit without a second latch circuit.
【図6】 図5のソース信号線駆動回路によって駆動
される本発明の画素の回路図。6 is a circuit diagram of a pixel of the present invention driven by the source signal line driving circuit of FIG.
【図7】 図5及び図6に記載の回路を用いて表示を
行うためのタイミングチャートを示す図。FIG. 7 is a diagram showing a timing chart for performing display using the circuits shown in FIGS. 5 and 6;
【図8】 本発明の液晶表示装置のD/Aコンバータ
の構成を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a D / A converter of the liquid crystal display device of the present invention.
【図9】 本発明の液晶表示装置のD/Aコンバータ
の構成を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a D / A converter of the liquid crystal display device of the present invention.
【図10】 本発明の画素を有する液晶表示装置の作製
工程例を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a liquid crystal display device having a pixel of the present invention.
【図11】 本発明の画素を有する液晶表示装置の作製
工程例を示す図。FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a liquid crystal display device having a pixel of the present invention.
【図12】 本発明の画素を有する液晶表示装置の作製
工程例を示す図。FIG. 12 illustrates an example of a manufacturing process of a liquid crystal display device having a pixel of the present invention.
【図13】 従来の液晶表示装置の全体の回路構成を簡
略に示す図。FIG. 13 is a diagram schematically showing the overall circuit configuration of a conventional liquid crystal display device.
【図14】 従来の液晶表示装置のソース信号線駆動回
路の回路構成を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a circuit configuration of a source signal line driving circuit of a conventional liquid crystal display device.
【図15】 本発明の画素を有する表示装置の適用が可
能な電子装置を示す図。FIG. 15 illustrates an electronic device to which a display device including a pixel of the present invention can be applied.
【図16】 本発明の画素を有する表示装置の適用が可
能な電子装置を示す図。FIG. 16 illustrates an electronic device to which a display device including a pixel of the present invention can be applied.
【図17】 第2のラッチ回路を持たないソース信号線
駆動回路の回路構成を示す図。FIG. 17 illustrates a circuit configuration of a source signal line driver circuit without a second latch circuit.
【図18】 図17に記載の回路を用いて表示を行うた
めのタイミングチャートを示す図。18 is a diagram showing a timing chart for performing display using the circuit shown in FIG. 17;
【図19】 反射型液晶表示装置の作製工程例を示す
図。FIG. 19 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a reflective liquid crystal display device.
【図20】 本発明の液晶表示装置のD/Aコンバータ
の構成を示す図。FIG. 20 is a diagram showing a configuration of a D / A converter of the liquid crystal display device of the present invention.
【図21】 本発明の液晶表示装置のD/Aコンバータ
の構成を示す図。FIG. 21 is a diagram showing a configuration of a D / A converter of the liquid crystal display device of the present invention.
【図22】 1ビット処理分のラッチ回路を有するソー
ス信号線駆動回路の回路構成を示す図。FIG. 22 illustrates a circuit configuration of a source signal line driver circuit including a latch circuit for one-bit processing.
【図23】 デコーダを用いたゲート信号線駆動回路を
示す図。FIG. 23 illustrates a gate signal line driver circuit using a decoder.
【図24】 本発明を用いた携帯情報端末のブロック
図。FIG. 24 is a block diagram of a portable information terminal using the present invention.
【図25】 本発明を用いた携帯電話のブロック図。FIG. 25 is a block diagram of a mobile phone using the present invention.
【図26】 携帯電話の送受信部のブロック図。FIG. 26 is a block diagram of a transmission / reception unit of a mobile phone.
【図27】 本発明の携帯情報装置の液晶表示装置の上
面図及び断面図。27A and 27B are a top view and a cross-sectional view of a liquid crystal display device of a portable information device according to the present invention.
【図28】 本発明の携帯情報装置の応用例を示す図。FIG. 28 is a diagram showing an application example of the portable information device of the present invention.
【図29】 本発明の携帯情報装置の応用例を示す図。FIG. 29 is a diagram showing an application example of the portable information device of the present invention.
【図30】 本発明の携帯情報装置の液晶表示装置の画
素の上面図。FIG. 30 is a top view of a pixel of the liquid crystal display device of the portable information device of the present invention.
【図31】 本発明の携帯情報端末の例を示す図。FIG. 31 is a diagram showing an example of a portable information terminal of the present invention.
【図32】 本発明の携帯情報端末の例を示す図。FIG. 32 illustrates an example of a portable information terminal according to the present invention.
【図33】 本発明の携帯情報端末の例を示す図。FIG. 33 is a diagram showing an example of a portable information terminal of the present invention.
【図34】 従来の携帯情報端末のブロック図。FIG. 34 is a block diagram of a conventional portable information terminal.
【図35】 従来の携帯電話のブロック図。FIG. 35 is a block diagram of a conventional mobile phone.
【図36】 本発明の液晶表示装置の画素の構成を示
す図。FIG. 36 is a diagram illustrating a configuration of a pixel of a liquid crystal display device of the present invention.
【図37】 本発明の液晶表示装置の画素の構成を示
す図。FIG. 37 illustrates a structure of a pixel of a liquid crystal display device of the present invention.
【図38】 本発明の液晶表示装置の画素の構成を示
す図。FIG. 38 is a diagram showing a configuration of a pixel of a liquid crystal display device of the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 631 G09G 3/20 631M 660 660U H03M 1/66 H03M 1/66 C Fターム(参考) 2H093 NB23 NC11 NC12 NC21 NC29 NC34 ND39 5C006 AA16 AC11 AC24 AF03 AF04 AF69 AF83 BB16 BC12 BC16 BC20 BF03 BF04 FA04 FA47 5C080 AA10 BB05 DD26 EE29 FF11 GG15 GG17 JJ02 JJ03 JJ06 KK02 KK07 KK43 KK47 5J022 AB01 BA06 CA10 CD02 CD04 CE08 CG01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/20 631 G09G 3/20 631M 660 660U H03M 1/66 H03M 1/66 CF term (Reference) 2H093 NB23 NC11 NC12 NC21 NC29 NC34 ND39 5C006 AA16 AC11 AC24 AF03 AF04 AF69 AF83 BB16 BC12 BC16 BC20 BF03 BF04 FA04 FA47 5C080 AA10 BB05 DD26 EE29 FF11 GG15 GG17 JJ02 JJ03 JJ06 KK02 KK07 CD04 CB07 01
Claims (27)
有することを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device having pixels, wherein each pixel has a plurality of storage circuits and a D / A converter.
と、前記n個の記憶回路に記憶されたデジタル信号をア
ナログ信号に変換するD/Aコンバータとを有すること
を特徴とする液晶表示装置。2. A liquid crystal display device having pixels, wherein the pixels convert n (n is a natural number of 2 or more) storage circuits and convert digital signals stored in the n storage circuits into analog signals. A liquid crystal display device comprising a D / A converter.
において、 前記画素は、n(nは2以上の自然数)個の記憶回路
と、前記n個の記憶回路に記憶されたデジタル信号を前
記アナログ信号に変換するD/Aコンバータとを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。3. A liquid crystal display device having a pixel, wherein the pixel has a liquid crystal element, and an analog signal is input to the liquid crystal element, wherein the pixel has n (n is a natural number of 2 or more) pixels. A liquid crystal display device comprising: a storage circuit; and a D / A converter that converts a digital signal stored in the n storage circuits into the analog signal.
の記憶回路と、前記n×m個の記憶回路に記憶されたn
ビット分のデジタル信号をアナログ信号に変換するD/
Aコンバータとを有することを特徴とする液晶表示装
置。4. A liquid crystal display device having pixels, wherein said pixels are composed of n × m (n and m are natural numbers of 2 or more) storage circuits and n × m storage circuits stored in said n × m storage circuits.
D / which converts a digital signal for bits into an analog signal
A liquid crystal display device comprising an A converter.
いて、 前記画素は、n×m(n及びmは、2以上の自然数)個
の記憶回路と、前記n×m個の記憶回路に記憶されたn
ビット分のデジタル信号をアナログ信号に変換するD/
Aコンバータとを有し、 前記画素が、mフレーム分のデジタル信号を記憶するこ
とを特徴とする液晶表示装置。5. A driving method of a liquid crystal display device having pixels, wherein the pixels are stored in n × m (n and m are natural numbers of 2 or more) storage circuits and in the n × m storage circuits. Done n
D / which converts a digital signal for bits into an analog signal
A liquid crystal display device comprising: an A converter; wherein the pixel stores digital signals for m frames.
いて、 ソース信号線を有し、 前記記憶回路及び前記D/Aコンバータは、前記ソース
信号線と重なって配置されていることを特徴とした液晶
表示装置。6. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a source signal line, wherein the storage circuit and the D / A converter are arranged so as to overlap with the source signal line. Liquid crystal display device with features.
いて、 ゲート信号線を有し、 前記記憶回路及び前記D/Aコンバータは、前記ゲート
信号線と重なって配置されていることを特徴とした液晶
表示装置。7. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a gate signal line, wherein the storage circuit and the D / A converter are arranged so as to overlap with the gate signal line. Liquid crystal display device with features.
数)本のゲート信号線と、n個のTFTと、n個の記憶
回路と、D/Aコンバータとを有し、 前記n個のTFTのゲート電極はそれぞれ、前記n本の
ゲート信号線のうちのそれぞれ1本に接続され、ソース
領域とドレイン領域の一方は、前記ソース信号線に接続
され、もう一方はそれぞれ、前記n個の記憶回路のうち
のそれぞれ1つの入力端子に接続され、 前記n個の記憶回路の出力端子はそれぞれ、前記D/A
コンバータの入力端子に接続され、 前記D/Aコンバータの出力端子は、液晶素子に接続さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。8. A liquid crystal display device including a pixel, wherein the pixel includes a liquid crystal element, wherein the pixel includes a source signal line, n (n is a natural number of 2 or more) gate signal lines, and n pixels , N storage circuits, and a D / A converter, wherein the gate electrodes of the n TFTs are respectively connected to one of the n gate signal lines, and the source region And one of the drain regions is connected to the source signal line, and the other is connected to one input terminal of each of the n storage circuits. The output terminals of the n storage circuits are respectively D / A
A liquid crystal display device connected to an input terminal of a converter, and an output terminal of the D / A converter is connected to a liquid crystal element.
線と、ゲート信号線と、n個のTFTと、n個の記憶回
路と、D/Aコンバータとを有し、 前記n個のTFTのゲート電極は、前記ゲート信号線に
接続され、ソース領域とドレイン領域の一方はそれぞ
れ、前記n本のソース信号線のうちのそれぞれ1つに接
続され、もう一方はそれぞれ、前記n個の記憶回路のう
ちのそれぞれ1つの入力端子に接続され、 前記n個の記憶回路の出力端子はそれぞれ、前記D/A
コンバータの入力端子に接続され、 前記D/Aコンバータの出力端子は、前記液晶素子に接
続されていることを特徴とする液晶表示装置。9. A liquid crystal display device including a pixel, wherein the pixel includes a liquid crystal element, wherein the pixel includes n (n is a natural number of 2 or more) source signal lines, a gate signal line, and n pixels. , N storage circuits, and a D / A converter. The gate electrodes of the n TFTs are connected to the gate signal line, and one of a source region and a drain region is the n region. One of the source signal lines is connected to a respective one of the n storage circuits, and the other is connected to a respective one of the input terminals of the n storage circuits. D / A
The liquid crystal display device is connected to an input terminal of a converter, and an output terminal of the D / A converter is connected to the liquid crystal element.
シフトレジスタからのサンプリングパルスによってnビ
ットのデジタル信号を保持する第1のラッチ回路と、前
記第1のラッチ回路に保持された前記nビットのデジタ
ル信号が転送される第2のラッチ回路と、前記第2のラ
ッチ回路に転送された前記nビットのデジタル信号を1
ビットずつ順に選択し前記ソース信号線に入力するスイ
ッチとを有することを特徴とする液晶表示装置。10. The circuit according to claim 8, further comprising a source signal line driving circuit, wherein the source signal line driving circuit holds a shift register and an n-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register. A latch circuit, a second latch circuit to which the n-bit digital signal held by the first latch circuit is transferred, and a 1-bit digital signal transferred to the second latch circuit.
A switch for sequentially selecting bits by bit and inputting the selected signals to the source signal line.
シフトレジスタからのサンプリングパルスによって1ビ
ットのデジタル信号を保持する第1のラッチ回路と、前
記第1のラッチ回路に保持された前記1ビットのデジタ
ル信号が転送される第2のラッチ回路とを有することを
特徴とする液晶表示装置。11. The circuit according to claim 8, further comprising a source signal line driving circuit, wherein the source signal line driving circuit holds a 1-bit digital signal by a shift register and a sampling pulse from the shift register. A liquid crystal display device comprising: a latch circuit; and a second latch circuit to which the one-bit digital signal held in the first latch circuit is transferred.
シフトレジスタからのサンプリングパルスによってnビ
ットのデジタル信号を保持する第1のラッチ回路とを有
することを特徴とする液晶表示装置。12. The semiconductor device according to claim 9, further comprising a source signal line drive circuit, wherein the source signal line drive circuit holds a shift register and an n-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register. A liquid crystal display device comprising a latch circuit.
シフトレジスタからのサンプリングパルスによってnビ
ットのデジタル信号を保持する第1のラッチ回路と、前
記第1のラッチ回路に保持されたnビットのデジタル信
号を前記n本のソース信号線に入力するn個のスイッチ
とを有することを特徴とする液晶表示装置。13. The circuit according to claim 9, further comprising a source signal line driving circuit, wherein the source signal line driving circuit holds a shift register and an n-bit digital signal by a sampling pulse from the shift register. A liquid crystal display device comprising: a latch circuit; and n switches for inputting n-bit digital signals held in the first latch circuit to the n source signal lines.
において、 前記記憶回路はスタティック型メモリ(SRAM)、強
誘電体メモリ(FRAM)またはダイナミック型メモリ
(DRAM)であることを特徴とする液晶表示装置。14. The memory according to claim 1, wherein the storage circuit is a static memory (SRAM), a ferroelectric memory (FRAM), or a dynamic memory (DRAM). Liquid crystal display device.
において、 前記記憶回路は、ガラス基板上、プラスチック基板上、
ステンレス基板上または単結晶ウェハ上に形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。15. The storage circuit according to claim 1, wherein the storage circuit is provided on a glass substrate, a plastic substrate,
A liquid crystal display device formed on a stainless steel substrate or a single crystal wafer.
において、 前記液晶表示装置を用いることを特徴とするテレビ、パ
ーソナルコンピュータ、携帯端末、ビデオカメラまたは
ヘッドマウントディスプレイ。16. A television, a personal computer, a mobile terminal, a video camera, or a head-mounted display according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is used.
有する液晶表示装置の駆動方法において、 前記複数の画素はそれぞれ、複数の記憶回路と、D/A
コンバータとを有し、 前記複数の画素のうち、特定の行の画素または特定の列
の画素が有する前記複数の記憶回路のデータを書き換え
ることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。17. A driving method of a liquid crystal display device having a plurality of pixels arranged in a matrix, wherein each of the plurality of pixels includes a plurality of storage circuits and a D / A
A driving method for a liquid crystal display device, comprising: a converter; and rewriting data in the plurality of storage circuits included in a pixel in a specific row or a pixel in a specific column among the plurality of pixels.
号を入力するソース信号線駆動回路とを有する液晶表示
装置の駆動方法において、 前記複数の画素はそれぞれ、複数の記憶回路と、D/A
コンバータとを有し、 静止画を表示するとき、前記ソース信号線駆動回路の動
作を停止することを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法。18. A method for driving a liquid crystal display device having a plurality of pixels and a source signal line drive circuit for inputting a video signal to the plurality of pixels, wherein each of the plurality of pixels includes a plurality of storage circuits, / A
A method of driving a liquid crystal display device, comprising: a converter; and stopping the operation of the source signal line driving circuit when displaying a still image.
誘電体メモリ(FRAM)またはダイナミック型メモリ
(DRAM)であることを特徴とする液晶表示装置の駆
動方法。19. The liquid crystal display device according to claim 17, wherein said storage circuit is a static memory (SRAM), a ferroelectric memory (FRAM), or a dynamic memory (DRAM). Drive method.
項において、 前記記憶回路は、ガラス基板上、プラスチック基板上、
ステンレス基板上または単結晶ウェハ上に形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。20. The storage circuit according to claim 17, wherein the storage circuit is provided on a glass substrate, a plastic substrate,
A method for driving a liquid crystal display device, wherein the method is formed on a stainless steel substrate or a single crystal wafer.
項において、 前記駆動方法の前記液晶表示装置を用いることを特徴と
するテレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、ビデ
オカメラまたはヘッドマウントディスプレイ。21. A television, a personal computer, a portable terminal, a video camera, or a head-mounted display according to any one of claims 17 to 20, wherein the liquid crystal display device of the driving method is used.
情報装置の駆動方法において、 前記液晶表示装置は、画素中に、複数の記憶回路と、D
/Aコンバータと、前記複数の記憶回路に信号を出力す
る駆動回路とを有し、 前記CPUは、前記駆動回路を制御する第1の回路と、
前記携帯情報装置に入力される信号を制御する第2の回
路とを有し、 前記液晶表示装置が静止画を表示するとき、前記第1の
回路を停止することを特徴とする携帯情報装置の駆動方
法。22. A driving method of a portable information device having a liquid crystal display device and a CPU, wherein the liquid crystal display device includes a plurality of storage circuits in a pixel,
/ A converter, and a drive circuit that outputs signals to the plurality of storage circuits, wherein the CPU controls a first circuit that controls the drive circuit;
A second circuit for controlling a signal input to the portable information device, wherein the first circuit is stopped when the liquid crystal display device displays a still image. Drive method.
帯情報装置の駆動方法において、 前記液晶表示装置は、画素中に、複数の記憶回路と、D
/Aコンバータとを有し、 前記液晶表示装置が静止画を表示するとき、前記VRA
Mのデータの読み出し操作を停止することを特徴とする
携帯情報装置の駆動方法。23. A driving method of a portable information device having a liquid crystal display device and a VRAM, wherein the liquid crystal display device includes a plurality of storage circuits in a pixel,
/ A converter, and when the liquid crystal display device displays a still image, the VRA
A method for driving a portable information device, comprising: stopping an operation of reading M data.
動方法において、 前記液晶表示装置は、画素中に、複数の記憶回路と、D
/Aコンバータとを有し、 前記液晶表示装置が静止画を表示するとき、前記液晶表
示装置のソース信号線駆動回路を停止することを特徴と
する携帯情報装置の駆動方法。24. A driving method of a portable information device having a liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device includes a plurality of storage circuits,
/ A converter, wherein the source signal line driving circuit of the liquid crystal display device is stopped when the liquid crystal display device displays a still image.
項において、 前記複数の記憶回路は、1フレーム期間に1度読み出し
操作が行われることを特徴とする携帯情報装置の駆動方
法。25. The driving method of a portable information device according to claim 22, wherein the plurality of storage circuits perform a read operation once in one frame period.
動方法において、 前記液晶表示装置はマトリクス状に配置された複数の画
素を有し、 前記複数の画素はそれぞれ、複数の記憶回路と、D/A
コンバータとを有し、 前記液晶表示装置は、前記複数の画素のうち、特定の行
の画素または特定の列の画素が有する前記複数の記憶回
路のデータを書き換えることを特徴とする携帯情報装置
の駆動方法。26. A method for driving a portable information device having a liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device has a plurality of pixels arranged in a matrix, each of the plurality of pixels having a plurality of storage circuits, / A
A portable information device, wherein the liquid crystal display device rewrites data of the plurality of storage circuits included in pixels in a specific row or pixels in a specific column among the plurality of pixels. Drive method.
項において、 前記携帯情報装置は、携帯電話、パーソナルコンピュー
タ、ナビゲーションシステム、PDAまたは電子書籍で
あることを特徴とする携帯情報装置の駆動方法。27. The portable information device according to claim 22, wherein the portable information device is a mobile phone, a personal computer, a navigation system, a PDA, or an electronic book. Method.
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