JP2002151450A - In-line wafer carriage system - Google Patents
In-line wafer carriage systemInfo
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- JP2002151450A JP2002151450A JP2000346081A JP2000346081A JP2002151450A JP 2002151450 A JP2002151450 A JP 2002151450A JP 2000346081 A JP2000346081 A JP 2000346081A JP 2000346081 A JP2000346081 A JP 2000346081A JP 2002151450 A JP2002151450 A JP 2002151450A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、クリ−ンル−ム内
部環境の汚染を招くことなく、エッチャ−室またはポリ
シング室からマウンタ室へデバイスパタ−ン模様が表面
に施された半導体ウエハを搬送することができるインラ
イン化ウエハ搬送装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention conveys a semiconductor wafer having a device pattern formed on a surface thereof from an etcher room or a polishing room to a mounter room without causing contamination of a clean room internal environment. The present invention relates to an inlined wafer transfer device capable of performing such operations.
【0002】[0002]
【従来の技術】メモリ−デバイスの高集積化と微細化の
ため、基板の大口径化とパタ−ン寸法の縮小化が行なわ
れている。従来、研磨加工された基板の平坦度(SFQ
R)については、リソグラフィ−等の成膜工程の管理面
から配線(パタ−ン化)幅以下の平坦度が基板に要求さ
れ、従来では平坦度(SFQR)が0.25μm以下で
あったが、近時は上述のように平坦度(SFQR)が
0.18μm以下または0.13μm以下の基板が要求
されるようになっている。2. Description of the Related Art In order to increase the degree of integration and miniaturization of memory devices, the diameter of substrates and the size of patterns have been reduced. Conventionally, the flatness of the polished substrate (SFQ
Regarding R), the substrate is required to have a flatness equal to or less than the width of the wiring (patterning) from the viewpoint of controlling the film forming process such as lithography, and the flatness (SFQR) was conventionally 0.25 μm or less. Recently, as described above, a substrate having a flatness (SFQR) of 0.18 μm or less or 0.13 μm or less is required.
【0003】例えば、200mm径基板で、記憶容量1
メガビット(1M)のDRAMでは、パタ−ン寸法が
1.0〜0.8μmであったものが、4Mで0.5μ
m、16Mで0.35μm、64Mで0.25μm、2
56Mで0.18μm、300mm径基板で、記憶容量
16MのDRAMでは、パタ−ン寸法が0.25μmで
あったものが、64Mで0.18μm、256Mで0.
13μmのパタ−ン寸法が要求されている(「入門ビジ
ュアルテクノロジ− 半導体のすべて」1−12章の3
6〜39頁、1999年3月5日 株式会社日本実業出
版社 第4版)。For example, a 200 mm diameter substrate has a storage capacity of 1
In the case of a megabit (1M) DRAM, the pattern size was 1.0 to 0.8 .mu.m.
m, 0.35 μm at 16M, 0.25 μm at 64M, 2
A DRAM with a storage capacity of 16M and a substrate of 0.18 µm at 56M and a diameter of 300 mm and a pattern size of 0.25 µm was changed to 0.18 µm at 64M and 0.25 µm at 256M.
A pattern size of 13 μm is required (“Introduction to Visual Technology-All about Semiconductors”, Chapter 1-12-3)
6-39, March 5, 1999, Nihon Jitsugyo Shuppansha, 4th edition).
【0004】デバイスウエハは、インゴットをスライス
して得たウエハの両面を研削し、ラッピングあるいは研
磨し、エッチングして鏡面とした面にデバイスパタ−ン
を施し、ウエハのデバイス面を粘着テ−プで保護し、ウ
エハの粘着テ−プ面をチャックに取り付け、ヘッドに取
り付けられた砥石をウエハ裏面に押し当て、砥石、ウエ
ハの両者を摺動させて裏面研削し、裏面研削により生じ
た傷をエッチング装置を用いてエッチングして取除いて
いる。または、裏面研削により生じた傷を研磨装置を用
いてポリシングして取除いている。A device wafer is obtained by slicing an ingot, grinding and lapping or polishing both sides of the wafer, etching the mirror-finished surface to give a device pattern, and applying an adhesive tape to the device surface of the wafer. Then, the adhesive tape surface of the wafer is attached to the chuck, the grindstone attached to the head is pressed against the back surface of the wafer, and both the grindstone and the wafer are slid to grind the back surface. It is removed by etching using an etching device. Alternatively, the scratches generated by the back surface grinding are removed by polishing using a polishing device.
【0005】従来、裏面研削装置とエッチング装置は別
々に分かれていて、作業者が裏面研削されたウエハを収
納したカセットをエッチング装置に搬入し、エッチング
を行っていた。或いは、作業者が裏面研削されたウエハ
を収納したカセットを研磨装置に搬入し、研磨を行って
いた。Conventionally, the backside grinding apparatus and the etching apparatus are separately provided, and an operator carries a cassette containing wafers whose backside has been ground into the etching apparatus to perform etching. Alternatively, an operator carries in a cassette containing a wafer whose back surface has been ground into a polishing apparatus and performs polishing.
【0006】メモリ−デバイスの高集積化と微細化、お
よび基板の大口径化につれ、デバイスメ−カ−の半導体
製造装置への投資額も増大し、また、各工程の製造装置
の据え付け、試運転、調整に長時間取られるため、デバ
イスメ−カ−は半導体製造装置メ−カ−に裏面研削装置
とエッチング装置が一体化したもの、裏面研削装置と研
磨装置が一体化したもの、CMP研磨装置と洗浄装置が
一体化したものを半導体製造装置メ−カ−が納品するこ
とを要望している。As memory devices become more highly integrated and miniaturized, and substrates become larger in diameter, the amount of investment by device manufacturers in semiconductor manufacturing equipment also increases. Since the adjustment takes a long time, the device maker is a semiconductor manufacturing device maker with a back grinding device and an etching device integrated, a back grinding device and a polishing device integrated, a CMP polishing device and a cleaning device. It is desired that a semiconductor manufacturing apparatus manufacturer deliver an integrated apparatus.
【0007】かかる要望を受けて、特開2000−26
9175号公報は、エッチング装置を裏面研削装置にイ
ンライン化したエッチング機構付属裏面研削装置1を提
供する。かかるインライン化装置は、図8に示すよう
に、研削装置101とエッチング装置20とは一側壁で
隔てられ、研削装置101からエッチング装置20への
ウエハの搬送は、前記隔壁に設けられた開口部を開閉す
るシャッタ−21を利用し、エッチング装置に設置され
た搬送ロボット25で行っていた。In response to such a demand, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-26
Japanese Patent Application Publication No. 9175 provides a backside grinding device 1 with an etching mechanism in which the etching device is inlined with the backside grinding device. In such an in-line apparatus, as shown in FIG. 8, the grinding device 101 and the etching device 20 are separated by one side wall, and the transfer of the wafer from the grinding device 101 to the etching device 20 is performed by an opening provided in the partition. Was performed by the transfer robot 25 installed in the etching apparatus using the shutter 21 for opening and closing the shutter.
【0008】図8において、研削装置101は左右にカ
セット117を対として前列に配置し、基台の上に左側
のカセットの後部にウエハ仮置台106を、右側のカセ
ットの後部にウエハ洗浄機構113を対として次列に配
置し、ウエハ仮置台106とウエハ洗浄機構113後部
の基台の中央部を刳り抜いた箇所にインデックスタ−ン
テ−ブル108を設け、かつ、このインデックスタ−ン
テ−ブルに該テ−ブルの軸心を中心に3基のウエハチャ
ック機構107,107,107を等間隔に回転自在に
設けるとともにウエハロ−ディング/ウエハアンロ−デ
ィングゾ−ンs1、粗研削ゾ−ンs2および仕上研削ゾ
−ンs3にテ−ブルを区分けし、インデックスタ−ンテ
−ブル108の後列には基台より起立させた枠体111
に各研削ゾ−ンに適した砥石111b、111dをスピ
ンドル軸111a、111cに軸承させた研削機構を各
研削ゾ−ンに位置するウエハチャック機構に対応して設
けている。In FIG. 8, a grinding apparatus 101 has a pair of cassettes 117 arranged on the left and right in the front row, a temporary wafer mounting table 106 at the rear of the left cassette on the base, and a wafer cleaning mechanism 113 at the rear of the right cassette. Are arranged in the next row as pairs, and an index turntable 108 is provided at a location where the center of the base at the rear of the wafer temporary mounting table 106 and the wafer cleaning mechanism 113 is hollowed out, and the index turntable 108 is provided. In addition, three wafer chuck mechanisms 107, 107, 107 are rotatably provided at equal intervals around the axis of the table, and a wafer loading / wafer unloading zone s1, a coarse grinding zone s2, and a finisher are provided. The table is divided into a grinding zone s3, and a frame 111 standing upright from a base is provided in the rear row of the index turntable 108.
In addition, a grinding mechanism in which grindstones 111b and 111d suitable for each grinding zone are supported on spindle shafts 111a and 111c is provided corresponding to a wafer chuck mechanism located in each grinding zone.
【0009】前記1対のカセットの列と前記ウエハの仮
置台と洗浄機構の列の間の基台の略中央に多関節型搬送
ロボット115を立設し、前記仮置台上のデバイスウエ
ハをインデックスタ−ンテ−ブルのウエハロ−ディング
/ウエハアンロ−ディングゾ−ンs1のチャック機構に
移送可能としている。An articulated transfer robot 115 is erected substantially at the center of the base between the row of the pair of cassettes and the row of the temporary mounting table and the cleaning mechanism, and indexes device wafers on the temporary mounting table. The wafer can be transferred to the chuck mechanism of the wafer loading / wafer unloading zone s1 of the turntable.
【0010】インデックスタ−ンテ−ブルを設けた基台
の略中央部の左右に設けた1対の軸に回転可能に取り付
けられた柄112に設けられたデバイスウエハ径の2/
3〜4/3倍の径を有する吸着パッド112a、112
aは、それぞれ仮置台のデバイスウエハをウエハロ−デ
ィング/ウエハアンロ−ディングゾ−ンのチャック機構
上に、また、ウエハロ−ディング/ウエハアンロ−ディ
ングゾ−ンのチャック機構上の裏面研削されたデバイス
ウエハを洗浄機構のスピナ(ポ−ラスセラミック製ウエ
ハ仮置台+ウエハサポ−ト補助板)上に搬送する。The diameter of a device wafer provided on a handle 112 rotatably mounted on a pair of shafts provided on the right and left sides of a base provided with an index table is provided.
Suction pads 112a, 112 having a diameter of 3/4/3 times
a is a device for cleaning a device wafer on a temporary mounting table on a chuck mechanism of a wafer loading / wafer unloading zone, and a device for cleaning a device wafer whose back surface has been ground on the chuck mechanism of a wafer loading / wafer unloading zone. (Porous ceramic wafer temporary mounting table + wafer support auxiliary plate).
【0011】インデックスタ−ンテ−ブル118に設け
られた各チャック機構は、基台より立設した枠体110
に設けたネジ棒上を左右方向に移動可能な駆体に取り付
けられたチャック洗浄機構109bとセラミック製チャ
ッククリ−ナ109aにより洗浄される。この研削装置
101は、壁118と、観音式扉119により囲繞され
ている。Each of the chuck mechanisms provided on the index turntable 118 has a frame 110 that is erected from a base.
The cleaning is performed by a chuck cleaning mechanism 109b and a ceramic chuck cleaner 109a attached to a driving body that can move in the left-right direction on the screw rod provided in the above. The grinding device 101 is surrounded by a wall 118 and a double door 119.
【0012】エッチング装置20は側壁で囲まれ、エッ
チャ−23は更に内仕切壁22により囲繞されている。
24,24はウエハ収納カセット。25は搬送ロボッ
ト、33,34はシャッタ−、21、35は開口部であ
る。The etching apparatus 20 is surrounded by a side wall, and the etcher 23 is further surrounded by an inner partition wall 22.
24, 24 are wafer storage cassettes. 25 is a transfer robot, 33 and 34 are shutters, and 21 and 35 are openings.
【0013】該研削装置101において、ロ−ディング
用カセット117より多関節型ロボット115により仮
置台106上に搬送されたウエハwは搬送ア−ム112
のパッド112aに吸着され、吸着パッドを回動させて
インデックステ−ブル118のロ−ディング/アンロ−
ディングゾ−ンs1のチャック機構に載せられ、インデ
ックステ−ブルを120度時計廻り方向に回転させ、チ
ャック機構は第1研削ゾ−ンs2に移動する。In the grinding apparatus 101, the wafer w transferred from the loading cassette 117 to the temporary table 106 by the articulated robot 115 is transferred to the transfer arm 112.
And the suction pad is rotated to load / unload the index table 118.
The index table is mounted on the chucking mechanism of the ding zone s1, rotates the index table 120 degrees clockwise, and the chucking mechanism moves to the first grinding zone s2.
【0014】そこで、第1スピンドル軸111aに軸承
された粗研削砥石でウエハwは粗研削され、ついで粗研
削されたウエハはインデックステ−ブル118を120
度回動させることにより仕上研削ゾ−ンs3に送られ
る。そこで、第2スピンドル軸111cに軸承された仕
上研削砥石で仕上げ研削され、ついで、インデックステ
−ブル118を120度回動させることにより仕上研削
されたウエハはロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン
s1に移送される。Therefore, the wafer w is roughly ground by the coarse grinding wheel supported on the first spindle shaft 111a, and the coarsely ground wafer is indexed by the index table 118.
It is sent to the finish grinding zone s3 by rotating it by degrees. Then, the finish-ground wafer is finished and ground by a finish grinding wheel supported by the second spindle shaft 111c, and then the finish-ground wafer is rotated by rotating the index table 118 by 120 degrees to load / unload the wafer. Is transferred to
【0015】仕上研削されたウエハは、右側の搬送パッ
ド112により吸着され、洗浄機構113に移送され、
洗浄機構で洗浄、スピン乾燥された後、エッチング装置
20内の搬送ロボット25により仕切壁の開口部21、
仕切壁22の開口部36を経て、エッチャ−26に移送
され、そこでウエハはエッチング、洗浄、スピン乾燥さ
れ、アンロ−ディング用カセット24内に多関節型ロボ
ット25により移送、収納される。The finish-ground wafer is sucked by the right transfer pad 112 and transferred to the cleaning mechanism 113.
After being cleaned and spin-dried by the cleaning mechanism, the transfer robot 25 in the etching device 20 opens the partition wall opening 21,
The wafer is transferred to the etcher 26 through the opening 36 of the partition wall 22, where the wafer is etched, washed, and spin-dried, and transferred and stored in the unloading cassette 24 by the articulated robot 25.
【0016】なお、第2スピンドル軸に軸承された仕上
研削砥石でウエハが仕上げ研削されている間に、新たな
ウエハが、ロ−ディング用カセットより多関節型ロボッ
トにより仮置台上に搬送され、そこでウエハはア−ムの
パッドに吸着され、インデックステ−ブル118を12
0度回動させて粗研削用チャック機構に載せられ、第1
スピンドル軸に軸承された粗研削砥石でウエハは粗研削
される。このようにウエハの粗研削と仕上研削が同時に
行われるのでウエハの研削装置のスル−プット時間を短
縮することができる。While the wafer is being finish-ground by the finish grinding wheel supported by the second spindle shaft, a new wafer is transferred from the loading cassette to the temporary mounting table by the articulated robot. Then, the wafer is attracted to the arm pad, and the index table 118 is stored in the 12
Rotated by 0 degrees and placed on the chuck mechanism for coarse grinding, the first
The wafer is roughly ground by a rough grinding wheel supported by a spindle shaft. As described above, the rough grinding and the finish grinding of the wafer are simultaneously performed, so that the throughput time of the wafer grinding apparatus can be reduced.
【0017】図8の平面図に示されるエッチング装置2
0は、図9および図10に示す側面図に示す構造をと
る。図中、21はエッチング装置全体を囲繞する第1
壁、22はスピナ23部を囲繞する第2壁、24,24
はカセット、25は多関節型搬送ロボット、25a,2
5b,25cはア−ム、25dは軸、25eはデバイス
ウエハ径の2/3〜4/3倍、好ましくは7/8〜1/
1倍径の吸着パッド、25fは回転軸、25g,25g
は空気流路である。吸着パッド25eのデバイスウエハ
を吸着する表面側には0.3〜1mm径の小孔25hが
多数穿たれている。図10、図11にア−ム、吸着パッ
ドの部分を拡大して示す。吸着パッド25eの厚みは約
2mmで、空気流路25gの高さは約0.5mm程度で
ある。軸25dの空気流路25gは吸着パッドの空気流
路25gに通じており、デバイスウエハw吸着時は減圧
される。The etching apparatus 2 shown in the plan view of FIG.
0 has the structure shown in the side view shown in FIGS. In the figure, reference numeral 21 denotes a first surrounding the entire etching apparatus.
The wall 22, 22 is a second wall surrounding the spinner 23, 24, 24
Is a cassette, 25 is an articulated transfer robot, 25a, 2
5b and 25c are arms, 25d is a shaft, and 25e is 2/3 to 4/3 times the device wafer diameter, preferably 7/8 to 1/1.
1x diameter suction pad, 25f is rotating shaft, 25g, 25g
Is an air flow path. A number of small holes 25h having a diameter of 0.3 to 1 mm are formed on the surface of the suction pad 25e on which the device wafer is suctioned. FIG. 10 and FIG. 11 show enlarged portions of the arm and the suction pad. The thickness of the suction pad 25e is about 2 mm, and the height of the air passage 25g is about 0.5 mm. The air passage 25g of the shaft 25d communicates with the air passage 25g of the suction pad, and the pressure is reduced when the device wafer w is sucked.
【0018】26はウエハ載置板(スピナ)、27はス
ピナ回転駆動軸、28は回転駆動軸に備えられたエッチ
ング液供給ノズル、29は回転駆動軸に備え付けられた
リンス液供給および空気供給兼用ノズル、30は外套、
31はフ−ド、32は昇降機構、33および35はゲ−
トバルブ、34および36は搬送ロボット25のア−ム
が出入り可能なゲ−ト(開口部)である。Reference numeral 26 denotes a wafer mounting plate (spinner); 27, a spinner rotation drive shaft; 28, an etching solution supply nozzle provided on the rotation drive shaft; 29, a rinsing solution supply and air supply provided on the rotation drive shaft. Nozzle, 30 is mantle,
31 is a hood, 32 is a lifting mechanism, and 33 and 35 are gates.
Gate valves 34 and 36 are gates (openings) through which the arm of the transfer robot 25 can enter and exit.
【0019】ゲ−ト34,36の開閉は、シャフトに蝶
番を介してプレ−トを取り付け、シャフト、アイドルロ
−ルを駆け巡らせたプ−リ−と、歯車、シャフトの端に
取り付けられた歯車およびプ−リ−駆動機構を用い、プ
レ−トを取り付けているシャフトの回動により行う(特
開2000−269175号公報参照)。To open and close the gates 34 and 36, a plate is attached to the shaft via a hinge, and a pulley running around the shaft and idle roll, a gear, and an end of the shaft. Using a gear and a pulley drive mechanism, the rotation is performed by rotating a shaft on which the plate is mounted (see JP-A-2000-269175).
【0020】かかるエッチング装置20を用いて、デバ
イスウエハの裏面研削面を洗浄し、乾燥されたウエハ
は、エッチャ−室内の多関節型搬送ロボット25の吸着
パッド25eを開口したゲ−ト34を通して裏面研削装
置101の洗浄機構113上のデバイスウエハ上に移動
させ、デバイスウエハを吸着後、ゲ−ト34を経由して
エッチャ室内のゲ−ト36を通過させ、スピナ26上に
裏面研削されたデバイスウエハを載せ、多関節型搬送ロ
ボット25の吸着パッド25eを待機位置に戻し、ゲ−
ト34,36を閉じ、デバイスウエハの裏面エッチング
し、洗浄液で洗浄、ついで空気供給ノズルより空気を吹
き付けて乾燥後、ゲ−ト36を開き、多関節型搬送ロボ
ット25の吸着パッドにデバイスウエハを吸着させ、収
納カセット24内に収納させる。Using the etching apparatus 20, the back surface of the device wafer is cleaned and the dried wafer is passed through a gate 34 having an open suction pad 25e of the articulated transfer robot 25 in the etcher chamber. The device is moved onto the device wafer on the cleaning mechanism 113 of the grinding apparatus 101, and after sucking the device wafer, the device 36 is passed through the gate 36 in the etcher chamber via the gate 34, and the back surface is ground on the spinner 26. The wafer is placed, the suction pad 25e of the articulated transfer robot 25 is returned to the standby position, and the
The gates 34 and 36 are closed, the back surface of the device wafer is etched, washed with a cleaning liquid, and then dried by blowing air from an air supply nozzle. The gate 36 is opened and the device wafer is placed on the suction pad of the articulated transfer robot 25. It is adsorbed and stored in the storage cassette 24.
【0021】また、特開2000−225561号公報
には、エッチング装置に代えて研磨装置をインライン化
した裏面研削装置が開示される。更に、特開2000−
225561号公報には、研磨機構を裏面研削装置にビ
ルトインしたポリッシング機構付属裏面研削装置が開示
される。これら研削装置にエッチング機構または研磨機
構がビルトインまたはインライン方式で結合されている
裏面研削装置は、従来の裏面研削装置とエッチング装置
を併設、または裏面研削装置と研磨装置を併設する場合
と比較し、装置が簡略化およびコンパクト化できる利点
がある。Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-225561 discloses a backside grinding device in which a polishing device is replaced with an inline polishing device instead of an etching device. Further, JP-A-2000-
Japanese Patent Application Laid-Open No. 225561 discloses a back grinding device with a polishing mechanism in which a polishing mechanism is built in a back grinding device. A backside grinding device in which an etching mechanism or a polishing mechanism is connected to these grinding devices in a built-in or in-line manner, compared with a conventional backside grinding device and an etching device, or a case where a backside grinding device and a polishing device are provided together, There is an advantage that the device can be simplified and made compact.
【0022】裏面をエッチングまたはポリシング(研
磨)されたデバイスウエハは、ダイシング工程に付され
る前に、マウンタ装置を用いて図11に示すように粘着
テ−プTが張られたフレ−ムFにウエハ裏面側を貼着す
るマウンタ工程に付され、ついで、デバイス面を保護し
ていた粘着テ−プを引き剥がす工程に付される。Before the device wafer whose back surface is etched or polished (polished) is subjected to a dicing process, a frame F on which an adhesive tape T is stretched as shown in FIG. Is applied to a mounting step of attaching the back surface of the wafer to the substrate, and then to a step of peeling off the adhesive tape protecting the device surface.
【0023】かかるマウンタ装置も知られている(特開
昭63−155641号、特開平1−103850号、
同1−220454号、同5−335403号)。ま
た、粘着テ−プ引き剥がし装置も知られている(特開2
000−68293号)。Such mounters are also known (JP-A-63-155641, JP-A-1-103850,
Nos. 1-220454 and 5-335403). An adhesive tape peeling device is also known (Japanese Patent Application Laid-Open No.
000-68293).
【0024】[0024]
【発明が解決しようとする課題】スマ−トカ−ドの提案
により、より薄い厚みのデバイスウエハを製造するに
は、デバイス製造メ−カ−にとっては、各加工工程にお
ける破損しやすい薄いウエハの移動距離を短くすること
が要求され、作業者がカセットを持って次工程の装置に
搬送・搬入することは避けるべきで、エッチング装置ま
たは研磨装置とマウンタ装置のインライン化が望まれ
る。エッチング装置または研磨装置メ−カ−と、マウン
タ装置メ−カ−は、それぞれ別の企業であり、一企業で
両者をインライン化した装置を組み立てるには、他分野
の技術、ノウハウが不足している。According to the proposal of the smart card, in order to manufacture a device wafer having a smaller thickness, it is necessary for a device manufacturer to move a thin wafer which is easily damaged in each processing step. Shortening of the distance is required, and it should be avoided that an operator carries and carries a cassette into a device of the next process, and it is desired to inline an etching device or a polishing device and a mounter device. The etching equipment or polishing equipment maker and the mounter equipment maker are separate companies, and in order to assemble the equipment in which both are inlined by one company, the technology and know-how in other fields are insufficient. I have.
【0025】また、両企業合同でエッチング装置または
研磨装置とマウンタ装置を一側壁を介して並列させ、前
記一側壁に開口部を設け、シャッタ−で開口部の開閉を
行う従来のインライン方式では、ウエハ搬送機構を両装
置を設置している両室内に跨って設けるには、エッチン
グ装置または研磨装置メ−カ−とマウンタ装置メ−カ−
のフットプリントの取り決めに多くの時間を割くことに
なる。Further, in a conventional in-line system in which an etching apparatus or a polishing apparatus and a mounter apparatus are arranged in parallel through one side wall, an opening is provided in the one side wall, and the opening is opened and closed by a shutter, jointly by both companies, In order to provide a wafer transfer mechanism across both chambers where both apparatuses are installed, it is necessary to provide an etching apparatus or polishing apparatus maker and a mounter apparatus maker.
You will spend a lot of time on your footprint agreement.
【0026】本発明者等は、エッチング装置または研磨
装置とマウンタ装置を一側壁を介して並列させ、前記一
側壁に開口部を設けず、両装置の前面側壁にウエハを搬
送、搬入させる搬送機構を付属させることにより、エッ
チング装置または研磨装置メ−カ−とマウンタ装置メ−
カ−間のフットプリント面積の取り決めと、前面側壁に
設ける開口部位置の取り決めのみ行えば、両企業ともウ
エハ収納カセットの一部省略を行う他は各装置メ−カ−
の自由裁量で従来の装置の大幅な設計変更なく設計でき
ることを見出し、本発明に到った。The inventor of the present invention arranges an etching apparatus or a polishing apparatus and a mounter apparatus in parallel through one side wall, and does not provide an opening in the one side wall, and transfers and loads a wafer to the front side walls of both apparatuses. Is attached, so that the etching device or polishing device maker and the mounter device maker are attached.
If only the footprint area between the cars is determined and the position of the opening provided on the front side wall is determined, the two companies will omit some of the wafer storage cassettes, but each manufacturer will be the only manufacturer.
The present inventors have found that it is possible to design the conventional apparatus without any significant design change at the discretion of the present invention, and arrived at the present invention.
【0027】[0027]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、デ
バイスパタ−ンが施された半導体ウエハのデバイス面と
は反対側の裏面をエッチングするエッチング装置を四周
壁および天井により囲まれた部室内に据え付けているエ
ッチャ−室(A)、前記エッチヤ−室より搬出された半
導体ウエハのエッチング面を環状の搬送フレ−ムに貼付
された粘着テ−プ上に載せ、粘着テ−プに貼合するマウ
ンタ装置を四周壁および天井により囲まれた部室であっ
て一側の隔壁で前記エッチャ−室と隣節する部室内に据
え付けているマウンタ室(B)、および前記エッチャ−
室とマウンタ室の各々の前壁に設けられた筒状ド−ムで
囲繞された軌道路を直線状に往復移動可能であって、エ
ッチャ−室内のエッチング装置でエッチングされ、洗浄
された半導体ウエハをマウンタ室内に搬送するウエハ搬
送機構(C)を備えるインライン化ウエハ搬送装置であ
って、前記ウエハ搬送機構(C)は、回転軸に軸承され
た仮置台、該回転軸の支持具、回転軸の回転駆動機構、
前記支持具を前記筒状ド−ム室で囲繞された軌道路で往
復移動させる駆動機構を具備しており、前記筒状ド−ム
室の側壁とこの側壁に隣接するエッチャ−室の前壁に
は、前記回転軸に軸承された仮置台が両室を行き来でき
る出入口が設けられ、前記筒状ド−ム室の側壁とこの側
壁に隣接するマウンタ室の前壁には、前記回転軸に軸承
された仮置台が両室を行き来できる出入口が設けられて
いる、ことを特徴とする、インライン化ウエハ搬送装置
を提供するものである。According to a first aspect of the present invention, an etching apparatus for etching a back surface opposite to a device surface of a semiconductor wafer on which a device pattern has been formed is surrounded by four peripheral walls and a ceiling. An etcher chamber (A) installed in a compartment, an etching surface of a semiconductor wafer carried out from the etcher chamber is placed on an adhesive tape attached to a ring-shaped transfer frame, and the adhesive tape is placed on the adhesive tape. A mounter room (B) in which a mounter device to be bonded is installed in a room surrounded by four peripheral walls and a ceiling and adjacent to the etcher room with one partition wall, and the etcher.
A semiconductor wafer that can be linearly reciprocated on an orbital path surrounded by a cylindrical dome provided on the front wall of each of the chamber and the mounter chamber, and that has been etched and cleaned by an etching device in the etcher chamber. A wafer transfer mechanism (C) for transferring wafers into a mounter chamber, wherein the wafer transfer mechanism (C) is a temporary mounting table supported on a rotating shaft, a support for the rotating shaft, and a rotating shaft. Rotary drive mechanism,
A drive mechanism for reciprocating the support member on a track path surrounded by the cylindrical dome chamber; and a side wall of the cylindrical dome chamber and a front wall of an etcher chamber adjacent to the side wall. An entrance through which a temporary mounting table supported by the rotary shaft can move between the two chambers is provided, and a side wall of the cylindrical dome chamber and a front wall of a mounter chamber adjacent to the side wall are provided with the rotary shaft. It is an object of the present invention to provide an inline wafer transfer device, characterized in that an inlet / outlet is provided so that a bearing table can be moved between both chambers.
【0028】エッチャ−室20のウエハ収納カセットを
省き、マウンタ室の収納カセットと搬送ロボット1台を
省いた空きスペ−スは、ウエハ仮置台が自由に行き来で
きるスペ−スであるので、設計変更が少なく済む。ま
た、仮置台が行き来する軌道路は筒状ド−ム室で囲繞さ
れているので粘着テ−プ、デバイスウエハに埃が付着す
る機会が少ない。The empty space, in which the wafer storage cassette in the etcher chamber 20 is omitted and the storage cassette in the mounter chamber and one transfer robot are omitted, is a space in which the wafer temporary storage table can freely move. Requires less. Also, since the track path where the temporary mounting table moves back and forth is surrounded by the cylindrical dome chamber, there is little opportunity for dust to adhere to the adhesive tape and the device wafer.
【0029】本発明の請求項2は、デバイスパタ−ンが
施された半導体ウエハのデバイス面とは反対側の裏面を
研磨する研磨装置を四周壁および天井により囲まれた部
室内に据え付けているポリッシング室(A)、前記ポリ
ッシング室より搬出された半導体ウエハの研磨面を環状
の搬送フレ−ムに貼付された粘着テ−プ上に載せ、粘着
テ−プに貼合するマウンタ装置を四周壁および天井によ
り囲まれた部室であって一側の隔壁で前記ポリッシング
室と隣節する部室内に据え付けているマウンタ室
(B)、および前記ポリッシング室とマウンタ室の各々
の前壁に設けられた筒状ド−ムで囲繞された軌道路を直
線状に往復移動可能であって、ポリッシング室内の研磨
装置で研磨され、洗浄された半導体ウエハをマウンタ室
内に搬送するウエハ搬送機構(C)を備えるインライン
化ウエハ搬送装置であって、前記ウエハ搬送機構(C)
は、回転軸に軸承された仮置台、該回転軸の支持具、回
転軸の回転駆動機構、前記支持具を前記筒状ド−ム室で
囲繞された軌道路で往復移動させる駆動機構を具備して
おり、前記筒状ド−ム室の側壁とこの側壁に隣接するポ
リシング室の前壁には、前記回転軸に軸承された仮置台
が両室を行き来できる出入口が設けられ、前記筒状ド−
ム室の側壁とこの側壁に隣接するマウンタ室の前壁に
は、前記回転軸に軸承された仮置台が両室を行き来でき
る出入口が設けられている、ことを特徴とする、インラ
イン化ウエハ搬送装置を提供するものである。According to a second aspect of the present invention, a polishing apparatus for polishing a back surface opposite to a device surface of a semiconductor wafer on which a device pattern is applied is installed in a room surrounded by four peripheral walls and a ceiling. A polishing chamber (A), a mounter device for placing a polished surface of a semiconductor wafer unloaded from the polishing chamber on an adhesive tape stuck to an annular transfer frame and bonding the same to the adhesive tape. And a mounter room (B) which is a part room surrounded by a ceiling and which is installed in a part room adjacent to the polishing room by a partition wall on one side, and provided on each front wall of the polishing room and the mounter room. Wafer transfer capable of linearly reciprocating on an orbital path surrounded by a cylindrical dome and transferring a semiconductor wafer polished and cleaned by a polishing device in a polishing chamber into a mounter chamber. A inline wafer transfer apparatus including a structure (C), said wafer transfer mechanism (C)
Has a temporary mounting table supported by a rotary shaft, a support for the rotary shaft, a rotary drive mechanism for the rotary shaft, and a drive mechanism for reciprocating the support on an orbital path surrounded by the cylindrical dome chamber. An entrance through which a temporary table supported by the rotating shaft can move between the two chambers is provided on a side wall of the cylindrical dome chamber and a front wall of the polishing chamber adjacent to the side wall. Do
An inlet / outlet through which a temporary mounting table supported by the rotating shaft can move between the two chambers is provided on a side wall of the mounting chamber and a front wall of the mounter chamber adjacent to the side wall. An apparatus is provided.
【0030】ポリシング室のウエハ収納カセットを省
き、マウンタ室の収納カセットと搬送ロボット1台を省
いた空きスペ−スは、ウエハ仮置台が自由に行き来でき
るスペ−スであるので、設計変更が少なく済む。また、
仮置台が行き来する軌道路は筒状ド−ム室で囲繞されて
いるので粘着テ−プ、デバイスウエハに埃が付着する機
会が少ない。An empty space in which the wafer storage cassette in the polishing chamber is omitted and the storage cassette in the mounter chamber and one transfer robot are omitted is a space in which the wafer temporary mounting table can freely move, so that there is little design change. I'm done. Also,
Since the orbital path through which the temporary mounting table moves is surrounded by the cylindrical dome chamber, there is little opportunity for dust to adhere to the adhesive tape and the device wafer.
【0031】[0031]
【実施例】以下、図面を用いて本発明をさらに詳細に説
明する。図1は本発明の一実施例を示す裏面研削装置と
エッチング装置とマウンタ装置をインライン化した複合
装置の平面図、図2は複合装置の正面図、図3は図1に
おけるI−I線より見た複合装置の側面図、図4はイン
ライン化ウエハ搬送装置の往復移動させる駆動機構の部
分正面図、図5は図4に示す駆動機構の部分平面図、図
6はロ−タリ−テ−ブルの斜視図、図7は仮置台の回転
駆動機構を示す部分断面図、図12は裏面研削装置と研
磨装置とマウンタ装置をインライン化した複合装置の平
面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a composite apparatus in which a back grinding apparatus, an etching apparatus, and a mounter apparatus according to one embodiment of the present invention are inlined, FIG. 2 is a front view of the composite apparatus, and FIG. FIG. 4 is a partial front view of a drive mechanism for reciprocating the inlined wafer transfer device, FIG. 5 is a partial plan view of the drive mechanism shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a rotary tee. FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing a rotation driving mechanism of the temporary mounting table, and FIG. 12 is a plan view of a combined apparatus in which a back grinding device, a polishing device, and a mounter device are inlined.
【0032】図1、図2および図3に示す裏面研削装置
とエッチング装置とマウンタ装置をインライン化した複
合装置において、101は裏面研削装置、20はエッチン
グ装置、200はマウンタ装置、300はインライン化
ウエハ搬送装置である。裏面研削装置とエッチング装置
は、特開2000−269175号公報を引用して既述
したエッチング機構付属裏面研削装置1において、エッ
チング装置(エッチャ−)20の収納カセット24,2
4を削除し、エッチング装置の正面壁にインライン化ウ
エハ搬送装置300を設けた他は同様であるので、説明
を省略する。In the combined apparatus shown in FIGS. 1, 2 and 3 in which the backside grinding apparatus, the etching apparatus and the mounter apparatus are inlined, 101 is a backside grinding apparatus, 20 is an etching apparatus, 200 is a mounter apparatus, and 300 is an inlined apparatus. It is a wafer transfer device. The back surface grinding device and the etching device are the same as those of the back surface grinding device 1 with the etching mechanism described above with reference to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-269175, and the storage cassettes 24 and 2 of the etching device (etcher) 20.
4 is omitted, and the in-line wafer transfer device 300 is provided on the front wall of the etching device.
【0033】マウンタ装置200は、周囲を側壁201
a,201b,201c,201dで囲まれ、正面壁2
01aにはインライン化ウエハ搬送装置300の仮置台
301が出入り可能な開口部202を有する。上面は天
井203で覆われて側壁と天井で部室204を形成す
る。部室204内には、ア−ム205がベ−ス206上
に支持軸207で支えられ、ア−ム205の側面には下
方にウエハ吸着板210を長尺状竿211で固定し、長
尺状竿211をシリンダ212で昇降可能とし、シリン
ダ212をレ−ル213上を左右方向に移動可能に設置
し、レ−ル213をスライダ−214で受け、スライダ
−214は溝215を前後に往復移動できる。スライダ
−214の往復駆動機構は図面からは省略されている。
吸着板210の中空部は、図示されていない真空ポンプ
に連結されており、該中空部を減圧することによりウエ
ハ吸着板210はデバイスウエハwの保護テ−プで被覆
されたデバイス面を吸着できる。The mounter device 200 has a peripheral side wall 201.
a, 201b, 201c, 201d, and the front wall 2
The reference numeral 01a has an opening 202 through which the temporary placement table 301 of the inlined wafer transfer device 300 can enter and exit. The upper surface is covered with a ceiling 203 to form a compartment 204 with the side walls and the ceiling. In the compartment 204, an arm 205 is supported on a base 206 by a support shaft 207, and a wafer suction plate 210 is fixed to a side surface of the arm 205 downward by a long rod 211, and is long. The rod-like rod 211 can be moved up and down by a cylinder 212, and the cylinder 212 is installed so as to be movable on the rail 213 in the left-right direction. The rail 213 is received by the slider-214. You can move. The reciprocating drive mechanism of the slider-214 is omitted from the drawing.
The hollow portion of the suction plate 210 is connected to a vacuum pump (not shown). By reducing the pressure in the hollow portion, the wafer suction plate 210 can suction the device surface covered with the protective tape of the device wafer w. .
【0034】ウエハ吸着板210の上方にはウエハ位置
合わせ確認用の認識カメラ208が設けられており、仮
置台301に載せられ移送されてきたデバイスウエハw
のセンタリング調整に寄与する。即ち、仮置台301の
中心点とデバイスウエハwの中心点が鉛直方向で一致し
ているか認識カメラ208で確認する。中心点の一致
は、デバイスウエハwの中心点が仮置台301の中心点
と一致するようにシリンダ212をレ−ル213上で左
右方向に移動およびレ−ル213を受けるスライダ−2
14を溝215で前後移動して決める。なお、仮置台3
01の中心点とチャンバ−部219のフレ−ム中心点は
同一線m上にあるように後述するインラインウエハ搬送
装置300のセンサ据え付け位置により決められる。A recognition camera 208 for confirming wafer alignment is provided above the wafer suction plate 210, and the device wafer w which is placed on the temporary mounting table 301 and transferred is provided.
Contributes to centering adjustment. That is, the recognition camera 208 checks whether the center point of the temporary table 301 and the center point of the device wafer w match in the vertical direction. The center point coincides with the slider 2 receiving the rail 213 by moving the cylinder 212 left and right on the rail 213 so that the center point of the device wafer w coincides with the center point of the temporary mounting table 301.
14 is determined by moving back and forth in the groove 215. In addition, the temporary storage table 3
The center point of 01 and the frame center point of the chamber 219 are determined by the sensor installation position of the in-line wafer transfer device 300 described later so as to be on the same line m.
【0035】216はフレ−ムホルダ−で、下面に粘着
テ−プTを貼着したフレ−ムFを多段積みし、下方より
シリンダにより底板をフレ−ム1枚分の高さづつ上昇で
きるようになっている。217はフレ−ムホルダ−21
6より送り出された最上段の下面に粘着テ−プを貼着し
たフレ−ムM1枚を左右方向に往復移動可能な軸218
に取り付けられた吸引治具218aで吸引し、左方向に
移動させベルト218b上でセンタリング終了後、吸引
治具の減圧を止めてフレ−ムMを開放し、ついで、ベル
ト218bを間歇的に回転駆動させて左方向に位置する
チャンバ−機構219へ移送するアライメント兼用移送
機構である。Reference numeral 216 denotes a frame holder in which frames F having an adhesive tape T adhered to the lower surface thereof are stacked in multiple stages, and the bottom plate can be raised by a cylinder from below at a height of one frame. It has become. 217 is a frame holder-21
A shaft 218 capable of reciprocating in the left-right direction one frame M having an adhesive tape adhered to the lower surface of the uppermost stage sent out from 6.
Suction is performed by the suction jig 218a attached to the belt, and is moved to the left. After the centering on the belt 218b is completed, the depressurization of the suction jig is stopped to release the frame M, and then the belt 218b is intermittently rotated. This is an alignment / transfer mechanism that is driven and transferred to the chamber mechanism 219 located to the left.
【0036】ついで、前述のウエハ吸着板210に吸着
されたデバイスウエハwを後方向に前進させ、シリンダ
を下降させ、チャンバ−機構219上のフレ−ムに貼付
された粘着テ−プ面に粘着させ、ついで、ウエハ吸着板
210の減圧を止め、ウエハ吸着板210を上昇させ、
前方向に後退させることによりフレ−ムに貼付された粘
着テ−プ上にデバイスウエハがマウントされる。Next, the device wafer w adsorbed on the wafer adsorbing plate 210 described above is advanced in the backward direction, the cylinder is lowered, and the device tape w adheres to the adhesive tape surface adhered to the frame on the chamber mechanism 219. Then, the pressure reduction of the wafer suction plate 210 is stopped, and the wafer suction plate 210 is raised,
By retreating forward, the device wafer is mounted on the adhesive tape attached to the frame.
【0037】チャンバ−機構219の後部にはフレ−ム
搬送・回転機構220が備え付けられている。フレ−ム
搬送・回転機構220は、治具221に係合しているア
−ム222をモ−タ223で回転軸224を180度回
転させることによりチャンバ−機構219からフレ−ム
を反転して搬送ア−ム225側端にフレ−ム一端を接触
させ、図示されていない搬送機構でフレ−ムMを矢印で
示す後方向に前進させて収納搬送路226に移動させ、
そこでフレ−ムを90度回転させたカセット227へフ
レ−ムMを移動させて収納する。At the rear of the chamber mechanism 219, a frame transport / rotation mechanism 220 is provided. The frame transport / rotation mechanism 220 reverses the frame from the chamber mechanism 219 by rotating the rotation shaft 224 of the arm 222 engaged with the jig 221 with the motor 223 by 180 degrees. The frame M is brought into contact with one end of the transport arm 225 to move the frame M forward by a transport mechanism (not shown) in the backward direction indicated by the arrow, and moved to the storage transport path 226.
Then, the frame M is moved and stored in the cassette 227 in which the frame is rotated by 90 degrees.
【0038】インラインウエハ搬送装置300は、仮置
台301、仮置台の回転機構、仮置台の左右方向往復移
動機構および透明なド−ムよりなる。仮置台の回転機構
は、図7に示すように仮置台の支持ア−ム302、ロ−
タリ−テ−ブル162、回転軸303、ロ−タリ−テ−
ブル支持台304よりなる。支持ア−ム302は中空と
なっており、仮置台301を減圧できるように図示され
ていない真空ポンプに連結されている。図6に示すよう
にロ−タリ−テ−ブル162は、右角度調整ボルト16
2a、左角度調整ボルト162b、空気供給口162
c、空気排気口162d、揺動テ−ブルを有する。空気
の供給、排気の程度により仮置台の支持ア−ム302を
軸承する回転軸303の回転角度が調整される。空気の
供給により回転軸は時計廻り方向に、空気の排気により
回転軸は時計逆廻り方向に回転する。The in-line wafer transfer device 300 includes a temporary table 301, a rotating mechanism for the temporary table, a reciprocating mechanism for moving the temporary table in the left-right direction, and a transparent dome. As shown in FIG. 7, the rotating mechanism of the temporary placing table includes a supporting arm 302 of the temporary placing table,
Tally table 162, rotary shaft 303, rotary table
Bull support 304. The support arm 302 is hollow, and is connected to a vacuum pump (not shown) so that the pressure on the temporary table 301 can be reduced. As shown in FIG. 6, the rotary table 162 is
2a, left angle adjustment bolt 162b, air supply port 162
c, an air exhaust port 162d, and a swing table. The rotation angle of the rotating shaft 303 that supports the support arm 302 of the temporary table is adjusted according to the degree of air supply and exhaust. The rotation axis rotates clockwise by the supply of air, and the rotation axis rotates clockwise by exhaustion of air.
【0039】仮置台の左右方向往復移動機構は、図1、
図2、図4および図5に示すようにロ−タリ−テ−ブル
支持台304をベルト306に固定する支持テ−ブル3
05、ベルトを駆動するタイミングプ−リ−307,3
08、タイミングプ−リ−307を回転駆動させる減速
機付モ−タ−308、プ−リ−ケ−ス309、LMガイ
ド310、エンドプレ−ト311,312、センサ31
3、制御機構314、配線プロケット315を備える。
仮置台および仮置台の左右方向往復移動機構は透明なド
−ム316内に収められて外部の埃がデバイスウエハ、
粘着テ−プに付着するのを防止する。The reciprocating mechanism for moving the temporary table horizontally is shown in FIG.
As shown in FIGS. 2, 4, and 5, a support table 3 for fixing the rotary table support 304 to the belt 306.
05, belt drive timing pulley 307,3
08, motor 308 with reducer for rotating timing pulley 307, pulley case 309, LM guide 310, end plates 311 and 312, sensor 31
3, a control mechanism 314 and a wiring bracket 315.
The temporary mounting table and the reciprocating mechanism for moving the temporary mounting table in the left-right direction are housed in a transparent dome 316 so that external dust is removed from the device wafer,
Prevents sticking to adhesive tape.
【0040】エッチャ−室の搬送ロボット25よりエッ
チング、洗浄、乾燥されたウエハがデバイス面を上にし
て仮置台301上に搬送され、仮置台を減圧することに
よりウエハは強く仮置台に固定される。ついで、ロ−タ
リ−テ−ブル162の空気供給口162aに空気を供給
し、仮置台301を時計廻り方向に90度回動させて図
1で仮想線に示す位置に仮置台301を移動する。The wafer that has been etched, cleaned and dried by the transfer robot 25 in the etcher chamber is transferred onto the temporary table 301 with the device surface facing upward, and the wafer is strongly fixed to the temporary table by reducing the pressure of the temporary table. . Next, air is supplied to the air supply port 162a of the rotary table 162, and the temporary table 301 is rotated clockwise by 90 degrees to move the temporary table 301 to a position indicated by a virtual line in FIG. .
【0041】制御装置314の指令により減速機付きモ
−タ−308が駆動され、駆動力がプ−リ−307を介
してベルト306に伝えられ、ベルトの移動に連れて仮
置台301は、マウンタ装置200の正面壁201a側
(右方向)へ移動する。センサ313がロ−タリ−テ−
ブル支持台304の尊大をキャッチ(仮置台は図1で仮
想線に示す位置)すると制御装置314に信号が伝達さ
れ、制御装置より減速機付きモ−タ−308に駆動停止
の指令がなされ、減速機付きモ−タ−308の駆動が停
止する。減速機付きモ−タ−308の駆動が停止する
と、制御装置よりロ−タリ−テ−ブル162に空気排気
の指令がなされ、空気排気口162bより空気を排気
し、仮置台301を時計廻りとは逆方向に90度回動さ
せて図1で実線に示す位置に仮置台301を移動する。The motor 308 with a speed reducer is driven by a command from the control device 314, and the driving force is transmitted to the belt 306 via the pulley 307. With the movement of the belt, the temporary mounting table 301 is mounted on the mounter 301. The device 200 moves toward the front wall 201a (to the right). The sensor 313 is rotatable.
When the arrest of the bull support 304 is caught (the temporary table is at the position indicated by the phantom line in FIG. 1), a signal is transmitted to the control device 314, and the control device issues a drive stop command to the motor 308 with a speed reducer. The driving of the motor with a reduction gear 308 stops. When the drive of the motor 308 with the reducer stops, the controller issues a command for air exhaust to the rotary table 162, exhausts air from the air exhaust port 162b, and moves the temporary table 301 clockwise. Is rotated by 90 degrees in the reverse direction to move the temporary placement table 301 to the position shown by the solid line in FIG.
【0042】マウンタ装置のウエハ吸着板210がウエ
ハに接触したら仮置台301の減圧を止め、ウエハを吸
着した吸着板210を若干上昇させ、ついでロ−タリ−
テ−ブルの空気供給口162aに空気を供給し、仮置台
301を90度時計廻り方向に回動させ(仮置台は図1
で仮想線に示す位置)、減速機付きモ−タ−308の回
転を逆方向に回転させることによりベルト306は左方
向(エッチング装置方向)に移動し、エッチング装置の
正面壁前で停止し、次ぎのデバイスウエハを受け取る態
勢をとる。When the wafer suction plate 210 of the mounter comes into contact with the wafer, the pressure of the temporary mounting table 301 is stopped, and the suction plate 210 that has absorbed the wafer is slightly raised.
Air is supplied to the air supply port 162a of the table, and the temporary table 301 is rotated clockwise by 90 degrees (the temporary table is shown in FIG. 1).
By rotating the motor 308 with a speed reducer in the opposite direction, the belt 306 moves leftward (toward the etching device) and stops in front of the front wall of the etching device. It is ready to receive the next device wafer.
【0043】上記実施例の別の態様として、仮置台30
1の左右方向の往復移動は、ベルト方式でなくても、ネ
ジ棒にロ−タリ−テ−ブル支持台304底部を螺合体で
固定し、サ−ボモ−タ−でロ−タリ−テ−ブル支持台3
04が左右方向に移動できるようにしてもよいし、ロ−
タリ−テ−ブル支持台304底部をレ−ル上に設けた移
動テ−ブルに固定し、リニアモ−タ−で左右に移動する
ようにしてもよい。As another mode of the above embodiment, the temporary table 30
The reciprocating movement in the left-right direction is not limited to the belt method, but the bottom of the rotary table support 304 is fixed to the screw rod with a screw body, and the rotary motor is rotated by a servo motor. Bull support 3
04 may be movable in the left-right direction.
The bottom of the taller table support 304 may be fixed to a movable table provided on the rail, and may be moved left and right by a linear motor.
【0044】さらに、マウンタ装置のを利用して。以
上、エッチング装置とマウンタ装置のインライン化搬送
装置について説明したが、本発明のインライン化搬送装
置300は、研磨装置とマウンタ装置のインライン化搬
送装置として利用できることは勿論のことである。Further, using the mounting device. The in-line transfer device of the etching device and the mounter device has been described above. However, the in-line transfer device 300 of the present invention can be used as an in-line transfer device of a polishing device and a mounter device.
【0045】図12は、特開2000−254857号
公報に記載される第1研削装置111a、第2研削装置
111c、研磨装置400、洗浄装置113、カセット
117,117、インデックステ−ブル118および搬
送ロボット3台115a,115b,115cを備える
研磨装置ビルトイン裏面研削装置1に本発明のインライ
ン化搬送装置300を用いてマウンタ装置20をインラ
イン化した複合装置である。FIG. 12 shows a first grinding device 111a, a second grinding device 111c, a polishing device 400, a cleaning device 113, cassettes 117 and 117, an index table 118 and a conveying device described in JP-A-2000-254857. This is a composite device in which the mounter device 20 is inlined using the inline transfer device 300 of the present invention to the polishing device built-in back surface grinding device 1 having three robots 115a, 115b, 115c.
【0046】裏面研削、研磨されたデバイスウエハは、
洗浄機器113で洗浄され、搬送ロボット115cによ
りインライン化搬送装置300の仮置台301上に移送
される。研磨装置ビルトイン裏面研削装置1からマウン
タ装置20内へのウエハの移送は既述した方法と同じで
ある。The back-ground and polished device wafer is
After being cleaned by the cleaning device 113, the transfer robot 115c transfers the wafer to the temporary table 301 of the inline transfer device 300. The transfer of the wafer from the polishing apparatus built-in back side grinding apparatus 1 into the mounter apparatus 20 is the same as the method described above.
【0047】[0047]
【発明の効果】本発明のインライン化搬送装置300
は、エッチング装置とマウンタ装置のインライン化また
は研磨装置とマウンタ装置のインライン化が容易であ
り、インライン化搬送装置がド−ムで覆われているので
ウエハ搬送時に外部からの埃がウエハに付着することが
ない。According to the present invention, the in-line transfer device 300 of the present invention.
It is easy to inline the etching apparatus and the mounter apparatus or inline the polishing apparatus and the mounter apparatus. Since the inline transfer apparatus is covered with the dome, dust from the outside adheres to the wafer when the wafer is transferred. Nothing.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】 本発明の一実施態様を示すインライン化裏面
研削装置・エッチング装置・マウンタ装置よりなる複合
装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a combined apparatus including an in-line back grinding apparatus, an etching apparatus, and a mounter showing one embodiment of the present invention.
【図2】 複合装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the multifunction device.
【図3】 図1におけるI−I線より見た複合装置の側
面図である。FIG. 3 is a side view of the multifunction device taken along line II in FIG. 1;
【図4】 インライン化ウエハ搬送装置の往復移動させ
る駆動機構の部分正面図である。FIG. 4 is a partial front view of a reciprocating drive mechanism of the inline wafer transfer device.
【図5】 図4に示す駆動機構の部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view of the drive mechanism shown in FIG.
【図6】 ロ−タリ−テ−ブルの斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a rotary table.
【図7】 仮置台の回転駆動機構を示す部分断面図であ
る。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing a rotation drive mechanism of the temporary table.
【図8】 公知のインライン化裏面研削装置・エッチン
グ装置の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a known in-line back grinding apparatus / etching apparatus.
【図9】 エッチング装置の正面図である。FIG. 9 is a front view of the etching apparatus.
【図10】 エッチング装置の側面図である。FIG. 10 is a side view of the etching apparatus.
【図11】 ウエハのフレ−ムリングへのマウント工程
を示す図である。FIG. 11 is a view showing a step of mounting a wafer on a frame ring.
【図12】 裏面研削装置と研磨装置とマウンタ装置を
インライン化した複合装置の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a combined device in which a back surface grinding device, a polishing device, and a mounter device are inlined.
101 研削装置 20 エッチング装置 113 洗浄機構 115 多関節型搬送ロボット 162 ロ−タリ−テ−ブル 200 マウンタ装置 300 インライン化ウエハ搬送装置 301 仮置台 306 ベルト w ウエハ Reference Signs List 101 Grinding device 20 Etching device 113 Cleaning mechanism 115 Articulated transfer robot 162 Rotary table 200 Mounter device 300 Inline wafer transfer device 301 Temporary table 306 Belt w Wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F004 AA16 BA00 BC06 5F031 CA02 FA01 FA12 FA15 GA43 GA51 GA54 LA08 LA13 MA22 MA23 MA24 NA02 NA05 NA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5F004 AA16 BA00 BC06 5F031 CA02 FA01 FA12 FA15 GA43 GA51 GA54 LA08 LA13 MA22 MA23 MA24 NA02 NA05 NA08
Claims (2)
ハのデバイス面とは反対側の裏面をエッチングするエッ
チング装置を四周壁および天井により囲まれた部室内に
据え付けているエッチャ−室(A)、前記エッチヤ−室
より搬出された半導体ウエハのエッチング面を環状の搬
送フレ−ムに貼付された粘着テ−プ上に載せ、粘着テ−
プに貼合するマウンタ装置を四周壁および天井により囲
まれた部室であって一側の隔壁で前記エッチャ−室と隣
節する部室内に据え付けているマウンタ室(B)、およ
び前記エッチャ−室とマウンタ室の各々の前壁に設けら
れた筒状ド−ムで囲繞された軌道路を直線状に往復移動
可能であって、エッチャ−室内のエッチング装置でエッ
チングされ、洗浄された半導体ウエハをマウンタ室内に
搬送するウエハ搬送機構(C)を備えるインライン化ウ
エハ搬送装置であって、 前記ウエハ搬送機構(C)は、回転軸に軸承された仮置
台、該回転軸の支持具、回転軸の回転駆動機構、前記支
持具を前記筒状ド−ム室で囲繞された軌道路で往復移動
させる駆動機構を具備しており、 前記筒状ド−ム室の側壁とこの側壁に隣接するエッチャ
−室の前壁には、前記回転軸に軸承された仮置台が両室
を行き来できる出入口が設けられ、 前記筒状ド−ム室の側壁とこの側壁に隣接するマウンタ
室の前壁には、前記回転軸に軸承された仮置台が両室を
行き来できる出入口が設けられている、ことを特徴とす
る、インライン化ウエハ搬送装置。An etcher (A) in which an etching apparatus for etching a back surface opposite to a device surface of a semiconductor wafer on which a device pattern is applied is installed in a room surrounded by four peripheral walls and a ceiling. The etching surface of the semiconductor wafer carried out of the etcher chamber is placed on an adhesive tape attached to an annular transfer frame, and the adhesive tape is placed thereon.
A mounter room (B) in which a mounter device to be bonded to a floor is mounted in a room surrounded by four peripheral walls and a ceiling and adjacent to the etcher room with one partition wall, and the etcher room And a reciprocating linear path on a track path surrounded by a cylindrical dome provided on the front wall of each of the mounter chambers. What is claimed is: 1. An in-line wafer transfer device comprising a wafer transfer mechanism (C) for transferring a wafer into a mounter chamber, wherein the wafer transfer mechanism (C) includes a temporary mounting table supported on a rotating shaft, a support for the rotating shaft, and a rotating shaft. A rotary drive mechanism, and a drive mechanism for reciprocating the support member on a track path surrounded by the cylindrical dome chamber, and a side wall of the cylindrical dome chamber and an etcher adjacent to the side wall. On the front wall of the room There is provided an entrance through which the temporary mounting table supported by the rotary shaft can move between the two chambers. The side wall of the cylindrical dome chamber and the front wall of the mounter chamber adjacent to the side wall are supported by the rotary shaft. An in-and-out wafer transfer device provided with an entrance through which the temporary table can move back and forth between the two chambers.
ハのデバイス面とは反対側の裏面を研磨する研磨装置を
四周壁および天井により囲まれた部室内に据え付けてい
るポリッシング室(A)、前記ポリッシング室より搬出
された半導体ウエハの研磨面を環状の搬送フレ−ムに貼
付された粘着テ−プ上に載せ、粘着テ−プに貼合するマ
ウンタ装置を四周壁および天井により囲まれた部室であ
って一側の隔壁で前記ポリッシング室と隣節する部室内
に据え付けているマウンタ室(B)、および前記ポリッ
シング室とマウンタ室の各々の前壁に設けられた筒状ド
−ムで囲繞された軌道路を直線状に往復移動可能であっ
て、ポリッシング室内の研磨装置で研磨され、洗浄され
た半導体ウエハをマウンタ室内に搬送するウエハ搬送機
構(C)を備えるインライン化ウエハ搬送装置であっ
て、 前記ウエハ搬送機構(C)は、回転軸に軸承された仮置
台、該回転軸の支持具、回転軸の回転駆動機構、前記支
持具を前記筒状ド−ム室で囲繞された軌道路で往復移動
させる駆動機構を具備しており、 前記筒状ド−ム室の側壁とこの側壁に隣接するポリシン
グ室の前壁には、前記回転軸に軸承された仮置台が両室
を行き来できる出入口が設けられ、 前記筒状ド−ム室の側壁とこの側壁に隣接するマウンタ
室の前壁には、前記回転軸に軸承された仮置台が両室を
行き来できる出入口が設けられている、ことを特徴とす
る、インライン化ウエハ搬送装置。2. A polishing chamber (A) in which a polishing apparatus for polishing a back surface opposite to a device surface of a semiconductor wafer on which a device pattern is applied is mounted in a room surrounded by four peripheral walls and a ceiling. The polished surface of the semiconductor wafer unloaded from the polishing chamber is placed on an adhesive tape attached to an annular transfer frame, and a mounter device for attaching to the adhesive tape is surrounded by four peripheral walls and a ceiling. A mounter chamber (B) which is installed in a part room adjacent to the polishing chamber with a partition on one side, and a cylindrical dome provided on a front wall of each of the polishing room and the mounter room. A wafer transfer mechanism (C) that is capable of linearly reciprocating on the enclosed orbital path and transfers a semiconductor wafer polished and cleaned by a polishing device in a polishing chamber into a mounter chamber; The wafer transfer mechanism (C) is a temporary mounting table supported on a rotary shaft, a support for the rotary shaft, a rotary drive mechanism for the rotary shaft, and the cylindrical dowel. A drive mechanism for reciprocating along a track path surrounded by a drum chamber, and a side wall of the cylindrical dome chamber and a front wall of a polishing chamber adjacent to the side wall are supported by the rotating shaft. There is provided an entrance through which the temporary mounting table can move between the two chambers. A temporary mounting table supported by the rotary shaft moves between the side walls of the cylindrical dome chamber and the front wall of the mounter chamber adjacent to the side wall. An inline wafer transfer device, wherein an entrance capable of being provided is provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346081A JP2002151450A (en) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | In-line wafer carriage system |
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| JP2002151450A true JP2002151450A (en) | 2002-05-24 |
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ID=18820004
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002151450A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7238087B1 (en) | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
| JP2008235494A (en) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Semiconductor substrate delivery method |
| JP2009278140A (en) * | 2009-08-25 | 2009-11-26 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing semiconductor chip |
| CN112735999A (en) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | Universal wafer transfer mechanism and transfer method thereof |
-
2000
- 2000-11-14 JP JP2000346081A patent/JP2002151450A/en active Pending
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