JP2002157737A - 光記録方法および光記録媒体 - Google Patents
光記録方法および光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 転送レートを高くすることができ、しかも、
再生信号のジッタを小さくできる光記録方法と、この方
法が適用される光記録媒体とを提供する。 【解決手段】 記録層を有する光記録媒体に記録を行う
方法であって、記録に用いるレーザー光の波長をλ、照
射光学系の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号
長をｎ・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２ns として記録を行う光記録方法。
再生信号のジッタを小さくできる光記録方法と、この方
法が適用される光記録媒体とを提供する。 【解決手段】 記録層を有する光記録媒体に記録を行う
方法であって、記録に用いるレーザー光の波長をλ、照
射光学系の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号
長をｎ・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２ns として記録を行う光記録方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体等の光記録媒体に高密度記録を行うことが可能な記録
方法と、この記録方法に適用できる相変化型記録媒体と
に関する。
体等の光記録媒体に高密度記録を行うことが可能な記録
方法と、この記録方法に適用できる相変化型記録媒体と
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイド系材料が用いられることが多い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイド系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一のレー
ザー光の強度を変調することにより、オーバーライトが
可能である。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一のレー
ザー光の強度を変調することにより、オーバーライトが
可能である。
【０００５】記録の高密度化および高転送レート化を実
現するために、記録再生波長の短縮、記録再生光学系の
対物レンズの高開口数化、媒体の高線速化が進んでい
る。記録用レーザービームの記録層表面にスポット径
は、レーザー波長をλ、開口数をＮＡとしたとき、λ／
ＮＡで表され、これを媒体の線速度Ｖで除した値（λ／
ＮＡ）／Ｖが、記録層へのレーザー照射時間（ビームス
ポット通過に要する時間）となる。高密度化および高転
送レート化に伴い、記録層へのレーザー照射時間はます
ます短くなっていく。そのため、オーバーライト条件を
最適化することが難しくなってきている。
現するために、記録再生波長の短縮、記録再生光学系の
対物レンズの高開口数化、媒体の高線速化が進んでい
る。記録用レーザービームの記録層表面にスポット径
は、レーザー波長をλ、開口数をＮＡとしたとき、λ／
ＮＡで表され、これを媒体の線速度Ｖで除した値（λ／
ＮＡ）／Ｖが、記録層へのレーザー照射時間（ビームス
ポット通過に要する時間）となる。高密度化および高転
送レート化に伴い、記録層へのレーザー照射時間はます
ます短くなっていく。そのため、オーバーライト条件を
最適化することが難しくなってきている。
【０００６】ここで、線速度を速くしてオーバーライト
を行うときの問題点について説明する。
を行うときの問題点について説明する。
【０００７】線速度を速くした場合、記録光の照射時間
が短くなる。そのため、線速度上昇に伴って記録パワー
を高くすることにより、記録層の到達温度の低下を防ぐ
ことが一般的である。しかし、線速度が速くなると、記
録光照射後の冷却速度が速くなる。非晶質記録マークを
形成するためには、記録光照射により溶融した記録層
を、その結晶化速度に応じた一定以上の速さで冷却する
必要がある。記録層の構成および媒体の熱的設計が同じ
である場合、記録層の冷却速度は線速度に依存し、高線
速度では冷却速度が速くなり、低線速度では冷却速度が
遅くなる。
が短くなる。そのため、線速度上昇に伴って記録パワー
を高くすることにより、記録層の到達温度の低下を防ぐ
ことが一般的である。しかし、線速度が速くなると、記
録光照射後の冷却速度が速くなる。非晶質記録マークを
形成するためには、記録光照射により溶融した記録層
を、その結晶化速度に応じた一定以上の速さで冷却する
必要がある。記録層の構成および媒体の熱的設計が同じ
である場合、記録層の冷却速度は線速度に依存し、高線
速度では冷却速度が速くなり、低線速度では冷却速度が
遅くなる。
【０００８】一方、非晶質記録マークを消去（再結晶
化）するためには、記録層を結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に一定時間以上保持できるように、消去光を照
射する必要がある。高線速度化に伴って消去パワーを高
くして記録層の到達温度低下を防いでも、高線速度化に
伴って照射時間が短くなるため、記録マークは消去され
にくくなる。
化）するためには、記録層を結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に一定時間以上保持できるように、消去光を照
射する必要がある。高線速度化に伴って消去パワーを高
くして記録層の到達温度低下を防いでも、高線速度化に
伴って照射時間が短くなるため、記録マークは消去され
にくくなる。
【０００９】したがって、線速度を速くして転送レート
を向上させるには、比較的短時間で再結晶化が行えるよ
うに、記録層の組成を結晶化速度の比較的速いものとし
たり（特開平１−７８４４４号公報、同１０−３２６４
３６号公報）、記録層から熱が逃げにくい媒体構造（徐
冷構造）としたりする必要がある。また、特開平７−２
６２６１３号公報、同８−６３７８４号公報に記載され
ているように、高線速度化に伴う記録感度の低下を防ぐ
ためにも、媒体を徐冷構造とすることが好ましいと信じ
られている。
を向上させるには、比較的短時間で再結晶化が行えるよ
うに、記録層の組成を結晶化速度の比較的速いものとし
たり（特開平１−７８４４４号公報、同１０−３２６４
３６号公報）、記録層から熱が逃げにくい媒体構造（徐
冷構造）としたりする必要がある。また、特開平７−２
６２６１３号公報、同８−６３７８４号公報に記載され
ているように、高線速度化に伴う記録感度の低下を防ぐ
ためにも、媒体を徐冷構造とすることが好ましいと信じ
られている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、高転送
レートでオーバーライトする実験を行った。この実験に
用いた相変化型光記録媒体は、高線速度で消去が可能と
なるように、記録層の組成を結晶化速度の速いものと
し、かつ、徐冷構造としたものである。しかし、転送レ
ートを上げるために検出窓幅Ｔｗを次第に縮めていく
と、検出窓幅Ｔｗの短縮に対応して短縮される最短記録
マークに対応する信号長が一定値以下となった場合に、
再生信号のジッタを小さくすることが困難となった。
レートでオーバーライトする実験を行った。この実験に
用いた相変化型光記録媒体は、高線速度で消去が可能と
なるように、記録層の組成を結晶化速度の速いものと
し、かつ、徐冷構造としたものである。しかし、転送レ
ートを上げるために検出窓幅Ｔｗを次第に縮めていく
と、検出窓幅Ｔｗの短縮に対応して短縮される最短記録
マークに対応する信号長が一定値以下となった場合に、
再生信号のジッタを小さくすることが困難となった。
【００１１】本発明の目的は、転送レートを高くするこ
とができ、しかも、再生信号のジッタを小さくできる光
記録方法と、この方法が適用される光記録媒体とを提供
することである。
とができ、しかも、再生信号のジッタを小さくできる光
記録方法と、この方法が適用される光記録媒体とを提供
することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１３）の本発明により達成される。 （１） 記録層を有する光記録媒体に記録を行う方法で
あって、記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光学
系の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号
長をｎ・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２ns として記録を行う光記録方法。 （２） 最短記録マークを形成する際に用いるレーザー
光の発光時間をＴminとしたとき、 ０．１１３≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦１．０ として記録を行う上記（１）の光記録方法。 （３） 前記記録層が相変化型記録層である請求項１ま
たは２の光記録方法。 （４） 記録時の線速度をＶとしたとき、 （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０ns である上記（１）〜（３）のいずれかの光記録方法。 （５） 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入射側か
らみて、前記記録層、誘電体層および反射層をこの順で
有し、前記反射層の熱伝導率をＫRとし、前記記録層と
前記反射層との間に存在する前記誘電体層の熱伝導率を
Ｋ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である上記（１）〜（４）のいずれかの光記録方法。 （６） 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入射側か
らみて、透光性基体、誘電体層および前記記録層をこの
順で有し、前記透光性基体と前記記録層との間に存在す
る前記誘電体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が
含まれ、かつ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層
が隣接して存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の単位
誘電体層のうち、記録層に相対的に近い単位誘電体層の
熱伝導率をＫCとし、記録層から相対的に遠い単位誘電
体層の熱伝導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である上記（１）〜（５）のいずれかの光記録方法。 （７） 希土類元素をＲで表し、希土類元素、Ｔｅおよ
びＳｂのすべてを除く元素をＭで表し、前記光記録媒体
の記録層構成元素の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、 ａ＞０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である上記（１）〜（６）のいずれかの光記録方法。 （８） 相変化型の記録層を有する光記録媒体であっ
て、希土類元素をＲで表し、希土類元素、ＴｅおよびＳ
ｂのすべてを除く元素をＭで表し、前記記録層構成元素
の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、 ａ＞０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である光記録媒体。 （９） 記録用レーザー光の入射側からみて、前記記録
層、誘電体層および反射層をこの順で有し、前記反射層
の熱伝導率をＫRとし、前記記録層と前記反射層との間
に存在する前記誘電体層の熱伝導率をＫ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である上記（８）の光記録媒体。 （１０） 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入射側
からみて、透光性基体、誘電体層および前記記録層をこ
の順で有し、前記透光性基体と前記記録層との間に存在
する前記誘電体層には、少なくとも２層の単位誘電体層
が含まれ、かつ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体
層が隣接して存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の単
位誘電体層のうち、記録層に相対的に近い単位誘電体層
の熱伝導率をＫCとし、記録層から相対的に遠い単位誘
電体層の熱伝導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である上記（８）または（９）の光記録媒体。 （１１） 相変化型の記録層を有する光記録媒体であっ
て、記録用レーザー光の入射側からみて、前記記録層、
誘電体層および反射層をこの順で有し、前記反射層の熱
伝導率をＫRとし、前記記録層と前記反射層との間に存
在する前記誘電体層の熱伝導率をＫ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である光記録媒体。 （１２） 記録用レーザー光入射側からみて、前記記録
層の手前側に誘電体層を有し、前記記録層の手前側に存
在する前記誘電体層には、少なくとも２層の単位誘電体
層が含まれ、かつ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電
体層が隣接して存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の
単位誘電体層のうち、記録層に相対的に近い単位誘電体
層の熱伝導率をＫCとし、記録層から相対的に遠い単位
誘電体層の熱伝導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である上記（１１）の光記録媒体。 （１３） 記録用レーザー光入射側からみて、透光性基
体、誘電体層および相変化型の記録層をこの順で有し、
前記透光性基体と前記記録層との間に存在する前記誘電
体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が含まれ、か
つ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層が隣接して
存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の単位誘電体層の
うち、記録層に相対的に近い単位誘電体層の熱伝導率を
ＫCとし、記録層から相対的に遠い単位誘電体層の熱伝
導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である光記録媒体。
（１）〜（１３）の本発明により達成される。 （１） 記録層を有する光記録媒体に記録を行う方法で
あって、記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光学
系の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号
長をｎ・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２ns として記録を行う光記録方法。 （２） 最短記録マークを形成する際に用いるレーザー
光の発光時間をＴminとしたとき、 ０．１１３≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦１．０ として記録を行う上記（１）の光記録方法。 （３） 前記記録層が相変化型記録層である請求項１ま
たは２の光記録方法。 （４） 記録時の線速度をＶとしたとき、 （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０ns である上記（１）〜（３）のいずれかの光記録方法。 （５） 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入射側か
らみて、前記記録層、誘電体層および反射層をこの順で
有し、前記反射層の熱伝導率をＫRとし、前記記録層と
前記反射層との間に存在する前記誘電体層の熱伝導率を
Ｋ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である上記（１）〜（４）のいずれかの光記録方法。 （６） 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入射側か
らみて、透光性基体、誘電体層および前記記録層をこの
順で有し、前記透光性基体と前記記録層との間に存在す
る前記誘電体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が
含まれ、かつ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層
が隣接して存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の単位
誘電体層のうち、記録層に相対的に近い単位誘電体層の
熱伝導率をＫCとし、記録層から相対的に遠い単位誘電
体層の熱伝導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である上記（１）〜（５）のいずれかの光記録方法。 （７） 希土類元素をＲで表し、希土類元素、Ｔｅおよ
びＳｂのすべてを除く元素をＭで表し、前記光記録媒体
の記録層構成元素の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、 ａ＞０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である上記（１）〜（６）のいずれかの光記録方法。 （８） 相変化型の記録層を有する光記録媒体であっ
て、希土類元素をＲで表し、希土類元素、ＴｅおよびＳ
ｂのすべてを除く元素をＭで表し、前記記録層構成元素
の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、 ａ＞０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である光記録媒体。 （９） 記録用レーザー光の入射側からみて、前記記録
層、誘電体層および反射層をこの順で有し、前記反射層
の熱伝導率をＫRとし、前記記録層と前記反射層との間
に存在する前記誘電体層の熱伝導率をＫ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である上記（８）の光記録媒体。 （１０） 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入射側
からみて、透光性基体、誘電体層および前記記録層をこ
の順で有し、前記透光性基体と前記記録層との間に存在
する前記誘電体層には、少なくとも２層の単位誘電体層
が含まれ、かつ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体
層が隣接して存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の単
位誘電体層のうち、記録層に相対的に近い単位誘電体層
の熱伝導率をＫCとし、記録層から相対的に遠い単位誘
電体層の熱伝導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である上記（８）または（９）の光記録媒体。 （１１） 相変化型の記録層を有する光記録媒体であっ
て、記録用レーザー光の入射側からみて、前記記録層、
誘電体層および反射層をこの順で有し、前記反射層の熱
伝導率をＫRとし、前記記録層と前記反射層との間に存
在する前記誘電体層の熱伝導率をＫ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である光記録媒体。 （１２） 記録用レーザー光入射側からみて、前記記録
層の手前側に誘電体層を有し、前記記録層の手前側に存
在する前記誘電体層には、少なくとも２層の単位誘電体
層が含まれ、かつ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電
体層が隣接して存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の
単位誘電体層のうち、記録層に相対的に近い単位誘電体
層の熱伝導率をＫCとし、記録層から相対的に遠い単位
誘電体層の熱伝導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である上記（１１）の光記録媒体。 （１３） 記録用レーザー光入射側からみて、透光性基
体、誘電体層および相変化型の記録層をこの順で有し、
前記透光性基体と前記記録層との間に存在する前記誘電
体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が含まれ、か
つ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層が隣接して
存在し、熱伝導率が相異なる前記２種の単位誘電体層の
うち、記録層に相対的に近い単位誘電体層の熱伝導率を
ＫCとし、記録層から相対的に遠い単位誘電体層の熱伝
導率をＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である光記録媒体。
【００１３】
【作用および効果】本発明者らは、高転送レートでオー
バーライトを行う実験において、最短記録マークに対応
する信号長（以下、単に最短信号長ということがある）
ｎ・Ｔｗが一定値以下となったときに、セルフイレーズ
によって最短記録マークが著しく変形し、その結果、再
生信号のジッタが大きくなることを見いだした。ここ
で、セルフイレーズについて説明する。
バーライトを行う実験において、最短記録マークに対応
する信号長（以下、単に最短信号長ということがある）
ｎ・Ｔｗが一定値以下となったときに、セルフイレーズ
によって最短記録マークが著しく変形し、その結果、再
生信号のジッタが大きくなることを見いだした。ここ
で、セルフイレーズについて説明する。
【００１４】従来、相変化型光記録媒体の特性の良否
は、使用される線速度において十分なＣ／Ｎが得られ、
かつ、消去の際に十分な消去率が得られるかどうかで判
断していた。しかし、消去率が高すぎると、かえって特
性が悪化してしまう。消去率が高いとは、使用線速度に
おいて記録層の結晶化速度が十分に速いことを意味す
る。結晶化速度の速い記録層では、例えば記録マーク後
端部を形成しているときに、記録層面内方向への熱の拡
散により記録マークの一部、特に先端部付近が徐冷状態
となり、再結晶化してしまう。すなわち、記録マークの
一部が消去されてしまう。このような現象を、本明細書
ではセルフイレーズという。消去率が高すぎる媒体で
は、このようなセルフイレーズによりＣ／Ｎの低下およ
びジッタの増大が生じるので、消去率の最適化が必要で
ある。例えば特開平９−７１７６号公報には、高線速度
用の媒体を低線速度で使用する場合に生じるセルフイレ
ーズを防ぐために、記録信号パルスを分割し、かつ、パ
ルス分割パターンを線速度に応じて最適化する方法が記
載されている。記録信号パルスの分割パターンを、一般
に記録パルスストラテジと呼ぶ。
は、使用される線速度において十分なＣ／Ｎが得られ、
かつ、消去の際に十分な消去率が得られるかどうかで判
断していた。しかし、消去率が高すぎると、かえって特
性が悪化してしまう。消去率が高いとは、使用線速度に
おいて記録層の結晶化速度が十分に速いことを意味す
る。結晶化速度の速い記録層では、例えば記録マーク後
端部を形成しているときに、記録層面内方向への熱の拡
散により記録マークの一部、特に先端部付近が徐冷状態
となり、再結晶化してしまう。すなわち、記録マークの
一部が消去されてしまう。このような現象を、本明細書
ではセルフイレーズという。消去率が高すぎる媒体で
は、このようなセルフイレーズによりＣ／Ｎの低下およ
びジッタの増大が生じるので、消去率の最適化が必要で
ある。例えば特開平９−７１７６号公報には、高線速度
用の媒体を低線速度で使用する場合に生じるセルフイレ
ーズを防ぐために、記録信号パルスを分割し、かつ、パ
ルス分割パターンを線速度に応じて最適化する方法が記
載されている。記録信号パルスの分割パターンを、一般
に記録パルスストラテジと呼ぶ。
【００１５】本発明者らは、高転送レートでオーバーラ
イトを行う上記実験において、ジッタが最も小さくなる
ように記録パルスストラテジを設定した。しかし、最短
信号長ｎ・Ｔｗが短くなってくると、レーザー発光素子
の応答性、すなわち立ち上がり特性および立ち下がり特
性による制限から、最短記録マーク形成時に記録信号パ
ルスの分割が不可能となった。そのため、ｎ・Ｔｗが短
くなると、ジッタを許容範囲に収めることが不可能とな
った。
イトを行う上記実験において、ジッタが最も小さくなる
ように記録パルスストラテジを設定した。しかし、最短
信号長ｎ・Ｔｗが短くなってくると、レーザー発光素子
の応答性、すなわち立ち上がり特性および立ち下がり特
性による制限から、最短記録マーク形成時に記録信号パ
ルスの分割が不可能となった。そのため、ｎ・Ｔｗが短
くなると、ジッタを許容範囲に収めることが不可能とな
った。
【００１６】本発明者らがさらに実験を重ねたところ、
最短記録マーク形成に使用する記録信号パルスが分割不
可能である場合、すなわち単一パルスとせざるを得ない
場合において、セルフイレーズを低減するためには、最
短信号長ｎ・Ｔｗに対する記録信号パルス幅の比を小さ
くすればよいことがわかった。しかし、記録信号パルス
を単一パルスとせざるを得ないのは最短信号長ｎ・Ｔｗ
が短い場合であるため、その場合に最短信号長ｎ・Ｔｗ
に対する記録信号パルス幅の比を小さくするためには記
録信号パルス幅を著しく狭くする必要がある。一方、記
録信号パルス幅、すなわちレーザー発光素子の発光時間
（以下、Ｔminと呼ぶ）は、レーザー発光素子の立ち上
がり特性および立ち下がり特性による制限から、極端に
短くすることはできない。したがって、発光時間Ｔmin
を比較的長くしても、すなわち最短信号長ｎ・Ｔｗに対
する記録信号パルス幅の比を比較的大きくしても、ジッ
タを小さくできる媒体が望まれる。
最短記録マーク形成に使用する記録信号パルスが分割不
可能である場合、すなわち単一パルスとせざるを得ない
場合において、セルフイレーズを低減するためには、最
短信号長ｎ・Ｔｗに対する記録信号パルス幅の比を小さ
くすればよいことがわかった。しかし、記録信号パルス
を単一パルスとせざるを得ないのは最短信号長ｎ・Ｔｗ
が短い場合であるため、その場合に最短信号長ｎ・Ｔｗ
に対する記録信号パルス幅の比を小さくするためには記
録信号パルス幅を著しく狭くする必要がある。一方、記
録信号パルス幅、すなわちレーザー発光素子の発光時間
（以下、Ｔminと呼ぶ）は、レーザー発光素子の立ち上
がり特性および立ち下がり特性による制限から、極端に
短くすることはできない。したがって、発光時間Ｔmin
を比較的長くしても、すなわち最短信号長ｎ・Ｔｗに対
する記録信号パルス幅の比を比較的大きくしても、ジッ
タを小さくできる媒体が望まれる。
【００１７】このような実験および考察に基づきさらに
実験を重ねた結果、本発明者らは、最短信号長ｎ・Ｔｗ
が一定値以下であって、かつ、最短信号形成のための記
録信号パルスが単一パルスである場合において、急冷構
造の媒体を用いれば、最短信号長ｎ・Ｔｗに対する発光
時間Ｔminの比Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を比較的大きくして
もジッタを小さくできることを見いだした。
実験を重ねた結果、本発明者らは、最短信号長ｎ・Ｔｗ
が一定値以下であって、かつ、最短信号形成のための記
録信号パルスが単一パルスである場合において、急冷構
造の媒体を用いれば、最短信号長ｎ・Ｔｗに対する発光
時間Ｔminの比Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を比較的大きくして
もジッタを小さくできることを見いだした。
【００１８】従来、高線速度での消去を可能とするた
め、および、高線速化による感度低下を補うためには、
前記特開平７−２６２６１３号公報および同８−６３７
８４号公報に記載されているように徐冷構造とすること
が一般的であった。しかし、最短信号長ｎ・Ｔｗが２２
ns以下となるような高転送レート記録に徐冷構造の媒体
を用いると、本発明と異なりジッタを小さくすることが
できない。ただし、本発明のように急冷構造の媒体を用
い、かつ高線速度でオーバーライトを行うと、感度低下
が大きくなり、また、記録マークの消去が困難となる。
め、および、高線速化による感度低下を補うためには、
前記特開平７−２６２６１３号公報および同８−６３７
８４号公報に記載されているように徐冷構造とすること
が一般的であった。しかし、最短信号長ｎ・Ｔｗが２２
ns以下となるような高転送レート記録に徐冷構造の媒体
を用いると、本発明と異なりジッタを小さくすることが
できない。ただし、本発明のように急冷構造の媒体を用
い、かつ高線速度でオーバーライトを行うと、感度低下
が大きくなり、また、記録マークの消去が困難となる。
【００１９】これに対し本発明では、高線速度オーバー
ライト時の消去の困難さに対しては記録層の組成制御に
より対応する。また、記録光の波長をλ、記録光学系の
対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とすることにより、すなわちオーバーライトに用いるレ
ーザービームのスポット径を小さくすることにより、ビ
ームスポット内のエネルギー密度を高くし、これにより
感度低下を補う。その結果、本発明では、記録感度の低
下および消去率の低下を招くことなくジッタ低減が実現
する。
ライト時の消去の困難さに対しては記録層の組成制御に
より対応する。また、記録光の波長をλ、記録光学系の
対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とすることにより、すなわちオーバーライトに用いるレ
ーザービームのスポット径を小さくすることにより、ビ
ームスポット内のエネルギー密度を高くし、これにより
感度低下を補う。その結果、本発明では、記録感度の低
下および消去率の低下を招くことなくジッタ低減が実現
する。
【００２０】なお、前記特開平７−２６２６１３号公報
および同８−６３７８４号公報の実施例では、対物レン
ズの開口数を０．５とし、レーザー波長を７８０nmとし
ている。このようにλ／ＮＡが大きい場合に媒体を急冷
構造とすると、上記各公報に示されるように記録感度が
低くなって記録が困難となる。
および同８−６３７８４号公報の実施例では、対物レン
ズの開口数を０．５とし、レーザー波長を７８０nmとし
ている。このようにλ／ＮＡが大きい場合に媒体を急冷
構造とすると、上記各公報に示されるように記録感度が
低くなって記録が困難となる。
【００２１】本発明では媒体を急冷構造とするために、
反射層や誘電体層の熱伝導率を制御したり、誘電体層
を、熱伝導率の相異なる複数の単位誘電体層を含む積層
構造としたりする。
反射層や誘電体層の熱伝導率を制御したり、誘電体層
を、熱伝導率の相異なる複数の単位誘電体層を含む積層
構造としたりする。
【００２２】本発明は、最短信号長ｎ・Ｔｗが所定値以
下であれば、線速度に依存せず有効である。ただし、線
速度が速いほど、記録マーク消去のために記録層の結晶
化速度を速くする必要があり、その結果、セルフイレー
ズの影響が大きくなるので、本発明は高線速度記録を行
う場合に特に有効である。
下であれば、線速度に依存せず有効である。ただし、線
速度が速いほど、記録マーク消去のために記録層の結晶
化速度を速くする必要があり、その結果、セルフイレー
ズの影響が大きくなるので、本発明は高線速度記録を行
う場合に特に有効である。
【００２３】このように本発明は、記録層へのレーザー
照射時間が短く、そのために記録層の結晶化速度を速く
しなければならない場合に有効である。具体的には、レ
ーザー照射時間の指標となるビームスポット通過時間
（λ／ＮＡ）／Ｖが、 （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０ns である場合に特に有効である。
照射時間が短く、そのために記録層の結晶化速度を速く
しなければならない場合に有効である。具体的には、レ
ーザー照射時間の指標となるビームスポット通過時間
（λ／ＮＡ）／Ｖが、 （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０ns である場合に特に有効である。
【００２４】本発明は相変化型記録媒体に特に有効であ
るが、ヒートモード記録を行う他の光記録媒体、例えば
光磁気記録媒体にも適用可能である。光磁気記録媒体に
おいても、記録層面内方向への熱伝導を制御するために
記録パルスストラテジが利用されるが、転送速度が高く
なると最短記録マークについてはパルス分割が不可能と
なり、ジッタが大きくなってしまう。これに対し本発明
を適用することにより、ジッタを低減できる。
るが、ヒートモード記録を行う他の光記録媒体、例えば
光磁気記録媒体にも適用可能である。光磁気記録媒体に
おいても、記録層面内方向への熱伝導を制御するために
記録パルスストラテジが利用されるが、転送速度が高く
なると最短記録マークについてはパルス分割が不可能と
なり、ジッタが大きくなってしまう。これに対し本発明
を適用することにより、ジッタを低減できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】光記録方法 本発明の光記録方法では、記録に用いるレーザー光の波
長をλ、照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡとした
とき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、好ましくは λ／ＮＡ≦６３０nm とする。λ／ＮＡが大きすぎると、記録トラックの配列
ピッチを大きくする必要が生じるため、記録密度を高く
することが難しくなる。また、λ／ＮＡが大きすぎる
と、レーザー光のビームスポット内におけるエネルギー
密度が十分に高くならないため、比較的低いパワーでオ
ーバーライトを行うためには媒体を徐冷構造としなけれ
ばならなくなり、本発明の適用が不可能となる。ただ
し、利用可能なレーザー波長および開口数には制限があ
り、著しく短い波長および著しく大きい開口数とするこ
とは困難であるため、通常、 ２５０nm≦λ／ＮＡとし、好ましくは ３５０nm≦λ／ＮＡ とする。
長をλ、照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡとした
とき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、好ましくは λ／ＮＡ≦６３０nm とする。λ／ＮＡが大きすぎると、記録トラックの配列
ピッチを大きくする必要が生じるため、記録密度を高く
することが難しくなる。また、λ／ＮＡが大きすぎる
と、レーザー光のビームスポット内におけるエネルギー
密度が十分に高くならないため、比較的低いパワーでオ
ーバーライトを行うためには媒体を徐冷構造としなけれ
ばならなくなり、本発明の適用が不可能となる。ただ
し、利用可能なレーザー波長および開口数には制限があ
り、著しく短い波長および著しく大きい開口数とするこ
とは困難であるため、通常、 ２５０nm≦λ／ＮＡとし、好ましくは ３５０nm≦λ／ＮＡ とする。
【００２６】本発明では、検出窓幅をＴｗ、最短記録マ
ークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２nsとし、好ましくは ｎ・Ｔｗ≦１８ns とする。最短信号長ｎ・Ｔｗが上記範囲を超えて長い場
合には本発明を適用する必要はないため、ｎ・Ｔｗは上
記範囲内とする。なお、レーザー発光素子の応答性、す
なわち立ち上がりおよび立ち下がりには制限があり、ｎ
・Ｔｗが短すぎると最短記録マーク形成時にレーザー発
光素子が正常に発光できなくなることから、好ましくは ２ns≦ｎ・Ｔｗとし、より好ましくは ４ns≦ｎ・Ｔｗ とする。
ークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２nsとし、好ましくは ｎ・Ｔｗ≦１８ns とする。最短信号長ｎ・Ｔｗが上記範囲を超えて長い場
合には本発明を適用する必要はないため、ｎ・Ｔｗは上
記範囲内とする。なお、レーザー発光素子の応答性、す
なわち立ち上がりおよび立ち下がりには制限があり、ｎ
・Ｔｗが短すぎると最短記録マーク形成時にレーザー発
光素子が正常に発光できなくなることから、好ましくは ２ns≦ｎ・Ｔｗとし、より好ましくは ４ns≦ｎ・Ｔｗ とする。
【００２７】最短信号長ｎ・Ｔｗは、例えば１−７変調
では２Ｔ信号に対応し、その場合にはｎ＝２である。ま
た、８−１６変調では３Ｔ信号に対応し、その場合には
ｎ＝３である。
では２Ｔ信号に対応し、その場合にはｎ＝２である。ま
た、８−１６変調では３Ｔ信号に対応し、その場合には
ｎ＝３である。
【００２８】なお、いわゆるデータ転送レートはｎ・Ｔ
ｗと相関するが、フォーマット効率とも相関し、ｎ・Ｔ
ｗが同じであってもフォーマット効率が低いほどデータ
転送レートは低くなってしまう。したがって、ｎ・Ｔｗ
により、書き込み速度をより直接的に表現することがで
きる。従来の光記録ディスクのうち、４．７GB／面の記
録容量をもつＤＶＤ−ＲＡＭ４．７は、 線速度：８．２m/s、 転送レート：２２Mbps ｎ・Ｔｗ：５１．４１ns である。また、同じく４．７GB／面の記録容量をもつＤ
ＶＤ−ＲＷは、 線速度：３．５m/s、 転送レート：１１Mbps、 ｎ・Ｔｗ：７８．４８ns である。このように、本発明における ｎ・Ｔｗ≦２２ns は、従来の光記録ディスクにおけるｎ・Ｔｗに比べ著し
く短い。
ｗと相関するが、フォーマット効率とも相関し、ｎ・Ｔ
ｗが同じであってもフォーマット効率が低いほどデータ
転送レートは低くなってしまう。したがって、ｎ・Ｔｗ
により、書き込み速度をより直接的に表現することがで
きる。従来の光記録ディスクのうち、４．７GB／面の記
録容量をもつＤＶＤ−ＲＡＭ４．７は、 線速度：８．２m/s、 転送レート：２２Mbps ｎ・Ｔｗ：５１．４１ns である。また、同じく４．７GB／面の記録容量をもつＤ
ＶＤ−ＲＷは、 線速度：３．５m/s、 転送レート：１１Mbps、 ｎ・Ｔｗ：７８．４８ns である。このように、本発明における ｎ・Ｔｗ≦２２ns は、従来の光記録ディスクにおけるｎ・Ｔｗに比べ著し
く短い。
【００２９】最短記録マークを形成する際に用いるレー
ザー光の発光時間をＴminとしたとき、本発明では好ま
しくは ０．１１３≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦１．０とし、より
好ましくは ０．１４５≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦０．５ として記録を行う。ｎ・Ｔｗが短い場合においてＴmin
／（ｎ・Ｔｗ）が小さすぎると、レーザー発光素子の応
答性の制限により、記録用レーザー光の発光が正常に行
われにくくなる。一方、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が大きす
ぎると、最短記録マークが所定値に比べ長くなりすぎる
ため、ジッタが増大する。
ザー光の発光時間をＴminとしたとき、本発明では好ま
しくは ０．１１３≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦１．０とし、より
好ましくは ０．１４５≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦０．５ として記録を行う。ｎ・Ｔｗが短い場合においてＴmin
／（ｎ・Ｔｗ）が小さすぎると、レーザー発光素子の応
答性の制限により、記録用レーザー光の発光が正常に行
われにくくなる。一方、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が大きす
ぎると、最短記録マークが所定値に比べ長くなりすぎる
ため、ジッタが増大する。
【００３０】本発明は、記録層へのレーザー照射時間が
短く、そのために記録層の結晶化速度を速くしなければ
ならない場合に特に有効である。そのため本発明では、
好ましくは （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０nsであり、より好ましくは （λ／ＮＡ）／Ｖ≦５０ns である。Ｖは記録時の線速度であり、（λ／ＮＡ）／Ｖ
はビームスポット通過時間となる。これは、記録層への
レーザー照射時間の指標となる値である。なお、（λ／
ＮＡ）／Ｖが小さすぎると、本発明を適用してもジッタ
の低減が難しくなるため、好ましくは １３ns≦（λ／ＮＡ）／Ｖであり、より好ましくは １５ns≦（λ／ＮＡ）／Ｖであり、さらに好ましくは １９ns≦（λ／ＮＡ）／Ｖ である。
短く、そのために記録層の結晶化速度を速くしなければ
ならない場合に特に有効である。そのため本発明では、
好ましくは （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０nsであり、より好ましくは （λ／ＮＡ）／Ｖ≦５０ns である。Ｖは記録時の線速度であり、（λ／ＮＡ）／Ｖ
はビームスポット通過時間となる。これは、記録層への
レーザー照射時間の指標となる値である。なお、（λ／
ＮＡ）／Ｖが小さすぎると、本発明を適用してもジッタ
の低減が難しくなるため、好ましくは １３ns≦（λ／ＮＡ）／Ｖであり、より好ましくは １５ns≦（λ／ＮＡ）／Ｖであり、さらに好ましくは １９ns≦（λ／ＮＡ）／Ｖ である。
【００３１】記録時の線速度Ｖ自体は特に限定されな
い。ただし、線速度が速ければ、λ／ＮＡをそれほど小
さくしなくても高転送レートが実現できる。また、高線
速度で記録する場合にはセルフイレーズの影響が大きく
なるため、本発明が特に有効となる。したがって本発明
では、記録時の線速度が速いことが好ましく、具体的に
は好ましくは Ｖ≧８．０m/sとし、より好ましくは Ｖ≧９．６m/s とする。ただし、線速度があまりに速いと、媒体駆動装
置の高コスト化、駆動時の媒体の安定性などに問題が生
じるため、好ましくは ３５m/s≧Ｖとし、より好ましくは ３０m/s≧Ｖ とする。
い。ただし、線速度が速ければ、λ／ＮＡをそれほど小
さくしなくても高転送レートが実現できる。また、高線
速度で記録する場合にはセルフイレーズの影響が大きく
なるため、本発明が特に有効となる。したがって本発明
では、記録時の線速度が速いことが好ましく、具体的に
は好ましくは Ｖ≧８．０m/sとし、より好ましくは Ｖ≧９．６m/s とする。ただし、線速度があまりに速いと、媒体駆動装
置の高コスト化、駆動時の媒体の安定性などに問題が生
じるため、好ましくは ３５m/s≧Ｖとし、より好ましくは ３０m/s≧Ｖ とする。
【００３２】光記録媒体 次に、本発明の光記録方法が適用可能な、本発明の光記
録媒体について説明する。
録媒体について説明する。
【００３３】本発明の光記録媒体は、上述した本発明の
光記録方法を利用して記録されたときに、再生信号のジ
ッタが小さい相変化型媒体であり、好ましくはジッタが
１３％以下、より好ましくは１０％以下となる媒体であ
る。前述したように、本発明の光記録方法に適用される
媒体は、結晶化速度の比較的速い記録層を有し、かつ、
急冷構造のものである。また、急冷構造とすることは、
記録時だけでなく再生時においても有効である。本発明
ではビームスポット径が小さいレーザー光を用いるた
め、ビームスポット内におけるエネルギー密度が高くな
る。このエネルギー密度が高いと、再生時に記録マーク
が消去されやすいが、本発明では急冷構造とするので、
再生時の記録マーク消去を防ぐことができる。
光記録方法を利用して記録されたときに、再生信号のジ
ッタが小さい相変化型媒体であり、好ましくはジッタが
１３％以下、より好ましくは１０％以下となる媒体であ
る。前述したように、本発明の光記録方法に適用される
媒体は、結晶化速度の比較的速い記録層を有し、かつ、
急冷構造のものである。また、急冷構造とすることは、
記録時だけでなく再生時においても有効である。本発明
ではビームスポット径が小さいレーザー光を用いるた
め、ビームスポット内におけるエネルギー密度が高くな
る。このエネルギー密度が高いと、再生時に記録マーク
が消去されやすいが、本発明では急冷構造とするので、
再生時の記録マーク消去を防ぐことができる。
【００３４】本発明では、上述した光記録方法と組み合
わせたときにジッタが十分に小さくなればよい。したが
って、記録層組成および媒体構造は、ジッタが許容範囲
内に収まるように適宜決定すればよいが、好ましくは、
以下に説明する範囲から選択する。
わせたときにジッタが十分に小さくなればよい。したが
って、記録層組成および媒体構造は、ジッタが許容範囲
内に収まるように適宜決定すればよいが、好ましくは、
以下に説明する範囲から選択する。
【００３５】図１に示す構造 本発明の光記録媒体の構成例を、図１に示す。この光記
録媒体は、支持基体２０上に、金属または半金属から構
成される反射層５、第２誘電体層３２、相変化型の記録
層４、第１誘電体層３１および透光性基体２を、この順
で積層して形成したものである。記録光および再生光
は、透光性基体２を通して入射する。なお、支持基体２
０と反射層５との間に、誘電体材料からなる中間層を設
けてもよい。
録媒体は、支持基体２０上に、金属または半金属から構
成される反射層５、第２誘電体層３２、相変化型の記録
層４、第１誘電体層３１および透光性基体２を、この順
で積層して形成したものである。記録光および再生光
は、透光性基体２を通して入射する。なお、支持基体２
０と反射層５との間に、誘電体材料からなる中間層を設
けてもよい。
【００３６】支持基体２０ 支持基体２０は、媒体の剛性を維持するために設けられ
る。支持基体２０の厚さは、通常、０．２〜１．２mm、
好ましくは０．４〜１．２mmとすればよく、透明であっ
ても不透明であってもよい。支持基体２０は、通常の光
記録媒体と同様に樹脂から構成すればよいが、ガラスか
ら構成してもよい。光記録媒体において通常設けられる
グルーブ（案内溝）２１は、図示するように、支持基体
２０に設けた溝を、その上に形成される各層に転写する
ことにより、形成できる。グルーブ２１は、記録再生光
入射側から見て相対的に手前側に存在する領域であり、
隣り合うグルーブ間に存在する領域がランド２２であ
る。
る。支持基体２０の厚さは、通常、０．２〜１．２mm、
好ましくは０．４〜１．２mmとすればよく、透明であっ
ても不透明であってもよい。支持基体２０は、通常の光
記録媒体と同様に樹脂から構成すればよいが、ガラスか
ら構成してもよい。光記録媒体において通常設けられる
グルーブ（案内溝）２１は、図示するように、支持基体
２０に設けた溝を、その上に形成される各層に転写する
ことにより、形成できる。グルーブ２１は、記録再生光
入射側から見て相対的に手前側に存在する領域であり、
隣り合うグルーブ間に存在する領域がランド２２であ
る。
【００３７】反射層５ 本発明において反射層構成材料は特に限定されず、通
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ等の金属または半金属の単体あるいはこれらの
１種以上を含む合金などから構成すればよいが、本発明
では媒体を急冷構造とする必要があるため、熱伝導率の
高い材料から反射層を構成することが好ましい。熱伝導
率の高い材料としては、ＡｇまたはＡｌが好ましい。し
かし、ＡｇまたはＡｌの単体では十分な耐食性が得られ
ないため、耐食性向上のための元素を添加することが好
ましい。また、図１に示す構造の媒体では、反射層形成
時の結晶成長により、レーザー光入射側における反射層
の表面粗さが大きくなりやすい。この表面粗さが大きく
なると、再生ノイズが増大する。そのため、反射層の結
晶粒径を小さくすることが好ましいが、そのためにも、
ＡｇまたはＡｌの単体ではなく、反射層の結晶粒径を小
さくするため、または、反射層を非晶質層として形成す
るために、添加元素を加えることが好ましい。
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ等の金属または半金属の単体あるいはこれらの
１種以上を含む合金などから構成すればよいが、本発明
では媒体を急冷構造とする必要があるため、熱伝導率の
高い材料から反射層を構成することが好ましい。熱伝導
率の高い材料としては、ＡｇまたはＡｌが好ましい。し
かし、ＡｇまたはＡｌの単体では十分な耐食性が得られ
ないため、耐食性向上のための元素を添加することが好
ましい。また、図１に示す構造の媒体では、反射層形成
時の結晶成長により、レーザー光入射側における反射層
の表面粗さが大きくなりやすい。この表面粗さが大きく
なると、再生ノイズが増大する。そのため、反射層の結
晶粒径を小さくすることが好ましいが、そのためにも、
ＡｇまたはＡｌの単体ではなく、反射層の結晶粒径を小
さくするため、または、反射層を非晶質層として形成す
るために、添加元素を加えることが好ましい。
【００３８】ただし、他の元素を添加すると熱伝導率が
低下するため、その場合には熱伝導率のより高いＡｇを
主成分元素として用いることが好ましい。Ａｇに添加す
ることが好ましい副成分元素としては、例えば、Ｍｇ、
Ｐｄ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｅ
およびＺｒから選択される少なくとも１種が挙げられ
る。これら副成分元素は、少なくとも１種、好ましくは
２種以上用いることが好ましい。反射層中における副成
分元素の含有量は、各金属について好ましくは０．０５
〜２．０原子％、より好ましくは０．２〜１．０原子％
であり、副成分全体として好ましくは０．２〜５原子
％、より好ましくは０．５〜３原子％である。副成分元
素の含有量が少なすぎると、これらを含有することによ
る効果が不十分となる。一方、副成分元素の含有量が多
すぎると、熱伝導率が小さくなってしまう。
低下するため、その場合には熱伝導率のより高いＡｇを
主成分元素として用いることが好ましい。Ａｇに添加す
ることが好ましい副成分元素としては、例えば、Ｍｇ、
Ｐｄ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｅ
およびＺｒから選択される少なくとも１種が挙げられ
る。これら副成分元素は、少なくとも１種、好ましくは
２種以上用いることが好ましい。反射層中における副成
分元素の含有量は、各金属について好ましくは０．０５
〜２．０原子％、より好ましくは０．２〜１．０原子％
であり、副成分全体として好ましくは０．２〜５原子
％、より好ましくは０．５〜３原子％である。副成分元
素の含有量が少なすぎると、これらを含有することによ
る効果が不十分となる。一方、副成分元素の含有量が多
すぎると、熱伝導率が小さくなってしまう。
【００３９】なお、反射層の熱伝導率は、結晶粒径が小
さいほど低くなるため、反射層が非晶質であると、記録
時に十分な冷却速度が得られにくい。そのため、反射層
をまず非晶質層として形成した後、熱処理を施して結晶
化させることが好ましい。いったん非晶質層として形成
した後に結晶化すると、非晶質のときの表面粗さをほぼ
維持でき、しかも、結晶化による熱伝導率向上は実現す
る。
さいほど低くなるため、反射層が非晶質であると、記録
時に十分な冷却速度が得られにくい。そのため、反射層
をまず非晶質層として形成した後、熱処理を施して結晶
化させることが好ましい。いったん非晶質層として形成
した後に結晶化すると、非晶質のときの表面粗さをほぼ
維持でき、しかも、結晶化による熱伝導率向上は実現す
る。
【００４０】反射層の熱伝導率をＫRで表したとき、好
ましくは ＫR≧１００W/mK、より好ましくは ＫR≧１５０W/mK である。熱伝導率は、例えば、４探針法を用いて求めた
反射層の電気抵抗値から、Widemann-Franzの法則により
算出することができる。反射層の熱伝導率の上限は特に
ない。すなわち、反射層構成材料として使用可能なもの
のうち最も高い熱伝導率を有する純銀（熱伝導率２５０
W/mK）も使用可能である。
ましくは ＫR≧１００W/mK、より好ましくは ＫR≧１５０W/mK である。熱伝導率は、例えば、４探針法を用いて求めた
反射層の電気抵抗値から、Widemann-Franzの法則により
算出することができる。反射層の熱伝導率の上限は特に
ない。すなわち、反射層構成材料として使用可能なもの
のうち最も高い熱伝導率を有する純銀（熱伝導率２５０
W/mK）も使用可能である。
【００４１】反射層の厚さは、通常、１０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
【００４２】第１誘電体層３１および第２誘電体層３２ これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、ま
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。第１誘電体層３１お
よび第２誘電体層３２は、組成の相異なる２層以上の単
位誘電体層を積層したものであってもよい。
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。第１誘電体層３１お
よび第２誘電体層３２は、組成の相異なる２層以上の単
位誘電体層を積層したものであってもよい。
【００４３】これらの誘電体層に用いる誘電体として
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。
【００４４】急冷構造とするためには、誘電体層、特に
第２誘電体層３２を、熱伝導率の高い誘電体から構成す
ることが好ましい。熱伝導率の高い誘電体としては、例
えば硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物（ＺｎＳ−ＳｉＯ
2）、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ
素、酸化タンタルなどが好ましく、特に、Ａｌの酸化物
および／または窒化物、Ｓｉの酸化物および／または窒
化物が好ましい。ＺｎＳ−ＳｉＯ2としては、ＳｉＯ2を
３０〜６０モル％含有するものが好ましい。ＳｉＯ2含
有量が少なすぎると、熱伝導率が低くなりすぎる。一
方、ＳｉＯ2含有量が多すぎると、他の層との密着性が
不十分となるため、長期間保存する際に層間の剥離が生
じやすい。
第２誘電体層３２を、熱伝導率の高い誘電体から構成す
ることが好ましい。熱伝導率の高い誘電体としては、例
えば硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物（ＺｎＳ−ＳｉＯ
2）、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ
素、酸化タンタルなどが好ましく、特に、Ａｌの酸化物
および／または窒化物、Ｓｉの酸化物および／または窒
化物が好ましい。ＺｎＳ−ＳｉＯ2としては、ＳｉＯ2を
３０〜６０モル％含有するものが好ましい。ＳｉＯ2含
有量が少なすぎると、熱伝導率が低くなりすぎる。一
方、ＳｉＯ2含有量が多すぎると、他の層との密着性が
不十分となるため、長期間保存する際に層間の剥離が生
じやすい。
【００４５】第２誘電体層３２の熱伝導率をＫ2Dで表し
たとき、好ましくは Ｋ2D≧１W/mK、より好ましくは Ｋ2D≧１．５W/mK である。第２誘電体層３２の熱伝導率の上限は特にない
が、誘電体層に使用可能な材料は、通常、熱伝導率が１
００W/mK程度以下である。本発明における誘電体層の熱
伝導率は、薄膜状態での測定値ではなく、バルク材料で
の値である。第２誘電体層３２は複数の単位誘電体層か
らなる積層構造としてもよいが、その場合、第２誘電体
層３２全体として、熱伝導率が１W/mK以上であればよ
い。ただし、好ましくは、第２誘電体層３２を構成する
複数の層のすべてが、熱伝導率１W/mK以上であることが
望ましい。
たとき、好ましくは Ｋ2D≧１W/mK、より好ましくは Ｋ2D≧１．５W/mK である。第２誘電体層３２の熱伝導率の上限は特にない
が、誘電体層に使用可能な材料は、通常、熱伝導率が１
００W/mK程度以下である。本発明における誘電体層の熱
伝導率は、薄膜状態での測定値ではなく、バルク材料で
の値である。第２誘電体層３２は複数の単位誘電体層か
らなる積層構造としてもよいが、その場合、第２誘電体
層３２全体として、熱伝導率が１W/mK以上であればよ
い。ただし、好ましくは、第２誘電体層３２を構成する
複数の層のすべてが、熱伝導率１W/mK以上であることが
望ましい。
【００４６】なお、反射層の熱伝導率ＫRと第２誘電体
層の熱伝導率Ｋ2Dとの関係は、 ＫR≧−１．６Ｋ2D＋１６６ であることが好ましい。ＫRとＫ2Dとがこのような関係
にあれば、記録層を十分に急冷することができる。
層の熱伝導率Ｋ2Dとの関係は、 ＫR≧−１．６Ｋ2D＋１６６ であることが好ましい。ＫRとＫ2Dとがこのような関係
にあれば、記録層を十分に急冷することができる。
【００４７】本発明では媒体を急冷構造とするために、
第１誘電体層３１を、図２に示すように積層構造とする
ことが好ましい。図２において第１誘電体層３１は、記
録層４に近い単位誘電体層３１Ｃと、記録層４から遠い
単位誘電体層３１Ｄとから構成される。図２の媒体は、
第１誘電体層３１以外の構成は図１の媒体と同じであ
る。図２において、単位誘電体層３１Ｃの熱伝導率をＫ
Cとし、単位誘電体層３１Ｄの熱伝導率をＫDとしたと
き、媒体を急冷構造とするためには、好ましくは ＫC＜ＫDとし、より好ましくは １．５≦ＫD／ＫC とする。ＫD／ＫCが大きいほうが急冷効果が高くなる。
なお、ＫD／ＫCの上限は特にないが、上記したように誘
電体層に使用可能な材料の熱伝導率には上限があるた
め、これによってＫD／ＫCも制限され、通常、ＫD／ＫC
が１８０を超えることはない。また、十分な急冷効果を
得るためには、ＫCを好ましくは１W/mK未満とし、ＫDを
好ましくは１W/mK以上、より好ましくは１．５W/mK以上
とする。なお、ＫCの下限は特にないが、誘電体層に使
用可能な材料は、通常、熱伝導率が０．１W/mK程度以上
である。
第１誘電体層３１を、図２に示すように積層構造とする
ことが好ましい。図２において第１誘電体層３１は、記
録層４に近い単位誘電体層３１Ｃと、記録層４から遠い
単位誘電体層３１Ｄとから構成される。図２の媒体は、
第１誘電体層３１以外の構成は図１の媒体と同じであ
る。図２において、単位誘電体層３１Ｃの熱伝導率をＫ
Cとし、単位誘電体層３１Ｄの熱伝導率をＫDとしたと
き、媒体を急冷構造とするためには、好ましくは ＫC＜ＫDとし、より好ましくは １．５≦ＫD／ＫC とする。ＫD／ＫCが大きいほうが急冷効果が高くなる。
なお、ＫD／ＫCの上限は特にないが、上記したように誘
電体層に使用可能な材料の熱伝導率には上限があるた
め、これによってＫD／ＫCも制限され、通常、ＫD／ＫC
が１８０を超えることはない。また、十分な急冷効果を
得るためには、ＫCを好ましくは１W/mK未満とし、ＫDを
好ましくは１W/mK以上、より好ましくは１．５W/mK以上
とする。なお、ＫCの下限は特にないが、誘電体層に使
用可能な材料は、通常、熱伝導率が０．１W/mK程度以上
である。
【００４８】各単位誘電体層の厚さは、それぞれを構成
する材料の光学定数に応じて、目的とする媒体反射率が
得られるように適宜設定すればよいが、十分な急冷効果
を得るためには、単位誘電体層３１Ｃの厚さをｔCと
し、単位誘電体層３１Ｄの厚さをｔDとしたとき、 ５nm≦ｔC≦６０nm、 ３０nm≦ｔD とすることが好ましい。なお、ｔDの上限は特にない
が、第１誘電体層３１の全厚は、後述するように制限さ
れる。
する材料の光学定数に応じて、目的とする媒体反射率が
得られるように適宜設定すればよいが、十分な急冷効果
を得るためには、単位誘電体層３１Ｃの厚さをｔCと
し、単位誘電体層３１Ｄの厚さをｔDとしたとき、 ５nm≦ｔC≦６０nm、 ３０nm≦ｔD とすることが好ましい。なお、ｔDの上限は特にない
が、第１誘電体層３１の全厚は、後述するように制限さ
れる。
【００４９】第１誘電体層を構成する２層の単位誘電体
層において熱伝導率を上記関係とした場合に急冷が可能
となるのは、以下に説明するような熱移動が行われるた
めと考えられる。熱伝導率の比較的低い第１誘電体層３
１を有する従来の構造では、熱伝導率の高い反射層５側
への放熱が支配的である。これに対し、本発明にしたが
って第１誘電体層３１を上記した多層構造とすれば、第
１誘電体層３１側にも多量の放熱が生じるため、記録層
をより急冷することが可能となる。具体的には、記録時
に記録層４に発生した熱は、まず、単位誘電体層３１Ｃ
に伝導する。単位誘電体層３１Ｃは熱伝導率が低いた
め、伝わった熱は単位誘電体層３１Ｃの面内方向には広
がりにくく、垂直方向に隣接する単位誘電体層３１Ｄに
伝導しやすい。単位誘電体層３１Ｄは熱伝導率が高いた
め、伝わった熱はその面内方向に速やかに拡散する。こ
のように、記録層４で発生した熱が、記録層４に隣接す
る単位誘電体層３１Ｃの面内に広がりにくく、かつ、記
録層４から離れた単位誘電体層３１Ｄ内で速やかに拡散
されるため、記録時に急冷が可能になると考えられる。
層において熱伝導率を上記関係とした場合に急冷が可能
となるのは、以下に説明するような熱移動が行われるた
めと考えられる。熱伝導率の比較的低い第１誘電体層３
１を有する従来の構造では、熱伝導率の高い反射層５側
への放熱が支配的である。これに対し、本発明にしたが
って第１誘電体層３１を上記した多層構造とすれば、第
１誘電体層３１側にも多量の放熱が生じるため、記録層
をより急冷することが可能となる。具体的には、記録時
に記録層４に発生した熱は、まず、単位誘電体層３１Ｃ
に伝導する。単位誘電体層３１Ｃは熱伝導率が低いた
め、伝わった熱は単位誘電体層３１Ｃの面内方向には広
がりにくく、垂直方向に隣接する単位誘電体層３１Ｄに
伝導しやすい。単位誘電体層３１Ｄは熱伝導率が高いた
め、伝わった熱はその面内方向に速やかに拡散する。こ
のように、記録層４で発生した熱が、記録層４に隣接す
る単位誘電体層３１Ｃの面内に広がりにくく、かつ、記
録層４から離れた単位誘電体層３１Ｄ内で速やかに拡散
されるため、記録時に急冷が可能になると考えられる。
【００５０】なお、記録層４を急冷するためには、図２
に示すように単位誘電体層３１Ｃと記録層４とが接して
いることが好ましい。しかし、必要に応じ、これらの間
に他の層を設けてもよい。例えば、記録時の加熱によっ
て単位誘電体層３１Ｃから記録層４に元素が拡散し、こ
れによって記録層が劣化するおそれがある場合、単位誘
電体層３１Ｃと記録層４との間に、バリア層としての単
位誘電体層を設けてもよい。バリア層の熱伝導率が単位
誘電体層３１Ｃと同程度である場合には、バリア層は単
位誘電体層３１Ｃの一部とみなし、単位誘電体層３１Ｃ
とバリア層との合計厚さが、前記厚さｔCの許容範囲を
満足すればよい。一方、バリア層の熱伝導率が単位誘電
体層３１Ｃに比べ高い場合、例えば１W/mK以上である場
合には、バリア層の厚さは２０nm以下とすることが好ま
しい。この場合にバリア層が厚すぎると、急冷効果が損
なわれるおそれがある。
に示すように単位誘電体層３１Ｃと記録層４とが接して
いることが好ましい。しかし、必要に応じ、これらの間
に他の層を設けてもよい。例えば、記録時の加熱によっ
て単位誘電体層３１Ｃから記録層４に元素が拡散し、こ
れによって記録層が劣化するおそれがある場合、単位誘
電体層３１Ｃと記録層４との間に、バリア層としての単
位誘電体層を設けてもよい。バリア層の熱伝導率が単位
誘電体層３１Ｃと同程度である場合には、バリア層は単
位誘電体層３１Ｃの一部とみなし、単位誘電体層３１Ｃ
とバリア層との合計厚さが、前記厚さｔCの許容範囲を
満足すればよい。一方、バリア層の熱伝導率が単位誘電
体層３１Ｃに比べ高い場合、例えば１W/mK以上である場
合には、バリア層の厚さは２０nm以下とすることが好ま
しい。この場合にバリア層が厚すぎると、急冷効果が損
なわれるおそれがある。
【００５１】また、例えば光学的エンハンス効果を得る
ために、単位誘電体層３１Ｃおよび単位誘電体層３１Ｄ
の一方または両方を、複数の層から構成してもよい。こ
の場合、単位誘電体層３１Ｃ全体としての熱伝導率ＫC
と単位誘電体層３１Ｄ全体としての熱伝導率ＫDとが、
前記した関係をもてばよい。ただし、好ましくは、単位
誘電体層３１Ｃを構成する複数の層のそれぞれと、単位
誘電体層３１Ｃを構成する複数の層のそれぞれとが、前
記した関係をもつことが望ましい。
ために、単位誘電体層３１Ｃおよび単位誘電体層３１Ｄ
の一方または両方を、複数の層から構成してもよい。こ
の場合、単位誘電体層３１Ｃ全体としての熱伝導率ＫC
と単位誘電体層３１Ｄ全体としての熱伝導率ＫDとが、
前記した関係をもてばよい。ただし、好ましくは、単位
誘電体層３１Ｃを構成する複数の層のそれぞれと、単位
誘電体層３１Ｃを構成する複数の層のそれぞれとが、前
記した関係をもつことが望ましい。
【００５２】第１誘電体層および第２誘電体層の厚さ
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは１
０〜５０nmである。ただし、急冷構造とするためには、
第２誘電体層の厚さを好ましくは３０nm以下、より好ま
しくは２５nm以下とする。
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは１
０〜５０nmである。ただし、急冷構造とするためには、
第２誘電体層の厚さを好ましくは３０nm以下、より好ま
しくは２５nm以下とする。
【００５３】各誘電体層は、スパッタ法により形成する
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００５４】記録層４ 記録層４の組成は特に限定されず、各種相変化材料から
適宜選択すればよいが、少なくともＳｂおよびＴｅを含
有するものが好ましい。ＳｂおよびＴｅだけからなる記
録層は、結晶化温度が１３０℃程度と低く、保存信頼性
が不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元
素を添加することが好ましい。この場合の添加元素とし
ては、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇ
ｅ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｐｄおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノ
イド）から選択される少なくとも１種が好ましい。これ
らのうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことか
ら、希土類元素、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される
少なくとも１種が好ましい。
適宜選択すればよいが、少なくともＳｂおよびＴｅを含
有するものが好ましい。ＳｂおよびＴｅだけからなる記
録層は、結晶化温度が１３０℃程度と低く、保存信頼性
が不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元
素を添加することが好ましい。この場合の添加元素とし
ては、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇ
ｅ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｐｄおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノ
イド）から選択される少なくとも１種が好ましい。これ
らのうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことか
ら、希土類元素、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される
少なくとも１種が好ましい。
【００５５】本発明では、急冷構造の媒体を用いるため
に、高線速度での消去が困難となる。そのため、記録層
の結晶化速度を速くすることが好ましい。結晶化速度を
速くするためには、Ｓｂ含有量を多くすればよく、ま
た、上記添加元素として希土類元素を用いることも有効
である。希土類元素を添加すれば、保存信頼性が十分に
高くなり、かつ、結晶化速度も速くすることができる。
希土類元素としては、Ｔｂ、ＤｙおよびＧｄの少なくと
も１種が好ましい。
に、高線速度での消去が困難となる。そのため、記録層
の結晶化速度を速くすることが好ましい。結晶化速度を
速くするためには、Ｓｂ含有量を多くすればよく、ま
た、上記添加元素として希土類元素を用いることも有効
である。希土類元素を添加すれば、保存信頼性が十分に
高くなり、かつ、結晶化速度も速くすることができる。
希土類元素としては、Ｔｂ、ＤｙおよびＧｄの少なくと
も１種が好ましい。
【００５６】希土類元素をＲで表し、希土類元素、Ｔｅ
およびＳｂのすべてを除く元素をＭで表し、記録層構成
元素の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、好ましくは ａ≧０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である。
およびＳｂのすべてを除く元素をＭで表し、記録層構成
元素の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、好ましくは ａ≧０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である。
【００５７】上記式Ｉにおいて、Ｓｂの含有量を表すｃ
が小さすぎると、結晶化速度が遅くなりすぎる。また、
再生出力が低くなる。なお、再生出力は、非晶質記録マ
ークと結晶質領域との間での反射率差に依存し、この差
が大きいほど再生出力が高くなる。また、ｃが著しく小
さいと、記録も困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
結晶化速度が速くなりすぎて、非晶質記録マークの熱的
安定性が低くなってしまう。なお、より好ましくは ｃ≧０．５であり、さらに好ましくは ｃ≧０．６ であり、また、より好ましくは ｃ≦０．９ である。
が小さすぎると、結晶化速度が遅くなりすぎる。また、
再生出力が低くなる。なお、再生出力は、非晶質記録マ
ークと結晶質領域との間での反射率差に依存し、この差
が大きいほど再生出力が高くなる。また、ｃが著しく小
さいと、記録も困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
結晶化速度が速くなりすぎて、非晶質記録マークの熱的
安定性が低くなってしまう。なお、より好ましくは ｃ≧０．５であり、さらに好ましくは ｃ≧０．６ であり、また、より好ましくは ｃ≦０．９ である。
【００５８】上記式Ｉにおいて、希土類元素の含有量を
表すａは、より好ましくは ａ＞０ であり、さらに好ましくは ａ≧０．０１ である。ａが小さすぎると、希土類元素添加による効
果、すなわち消去可能線速度の大幅な向上と保存信頼性
の向上とが十分に実現しない。一方、ＳｂおよびＴｅの
それぞれに対する希土類元素の比率が高すぎても、消去
可能線速度が著しく遅くなってしまう。また、上述した
ように、再生出力を十分に確保するためにはＳｂがある
程度含有されている必要がある。そのため本発明では、
十分な再生出力を確保し、かつ、消去可能線速度を十分
に速くするために、ａ／ｂおよびａ／ｃがそれぞれ上記
範囲内となるように希土類元素含有量を制御することが
好ましい。なお、より好ましくは ａ／ｂ≦０．８、 ａ／ｃ≦０．６ である。
表すａは、より好ましくは ａ＞０ であり、さらに好ましくは ａ≧０．０１ である。ａが小さすぎると、希土類元素添加による効
果、すなわち消去可能線速度の大幅な向上と保存信頼性
の向上とが十分に実現しない。一方、ＳｂおよびＴｅの
それぞれに対する希土類元素の比率が高すぎても、消去
可能線速度が著しく遅くなってしまう。また、上述した
ように、再生出力を十分に確保するためにはＳｂがある
程度含有されている必要がある。そのため本発明では、
十分な再生出力を確保し、かつ、消去可能線速度を十分
に速くするために、ａ／ｂおよびａ／ｃがそれぞれ上記
範囲内となるように希土類元素含有量を制御することが
好ましい。なお、より好ましくは ａ／ｂ≦０．８、 ａ／ｃ≦０．６ である。
【００５９】元素Ｍは特に限定されないが、保存信頼性
向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも１種を選
択することが好ましい。元素Ｍの含有量を表すｘが大き
すぎると結晶化速度が低下してしまうので、ｘは上記範
囲内であることが好ましく、 ０≦ｘ≦０．０８ であることがより好ましい。
向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも１種を選
択することが好ましい。元素Ｍの含有量を表すｘが大き
すぎると結晶化速度が低下してしまうので、ｘは上記範
囲内であることが好ましく、 ０≦ｘ≦０．０８ であることがより好ましい。
【００６０】記録層の厚さは、好ましくは４nm超５０nm
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となって再生出力が低くなってしまう。
一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大きくな
るため記録が困難となるほか、再生出力の低下も生じ
る。なお、記録層が希土類元素を含有する場合、オーバ
ーライトの際に隣接トラックを消去してしまうクロスイ
レーズが発生しやすい。このクロスイレーズを低減する
ためには、記録層の厚さを好ましくは１３nm以下、より
好ましくは１０nm以下、さらに好ましくは１０nm未満と
することが望ましい。このように薄い記録層では、厚い
記録層に比べ再生出力が著しく低くなってしまうが、記
録層に希土類元素を添加すると、記録層を薄くしたとき
の再生出力低下を顕著に抑制することができる。また、
記録層を薄くすることによる再生出力の低下は、再生光
の波長を短くすることによっても改善可能である。薄い
記録層において再生出力を向上させるためには、再生光
の波長を４５０nm以下に設定することが好ましい。ただ
し、再生光の波長が短くなりすぎると逆に再生出力が低
下してしまうため、再生光の波長は３８０nm以上に設定
することが好ましい。
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となって再生出力が低くなってしまう。
一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大きくな
るため記録が困難となるほか、再生出力の低下も生じ
る。なお、記録層が希土類元素を含有する場合、オーバ
ーライトの際に隣接トラックを消去してしまうクロスイ
レーズが発生しやすい。このクロスイレーズを低減する
ためには、記録層の厚さを好ましくは１３nm以下、より
好ましくは１０nm以下、さらに好ましくは１０nm未満と
することが望ましい。このように薄い記録層では、厚い
記録層に比べ再生出力が著しく低くなってしまうが、記
録層に希土類元素を添加すると、記録層を薄くしたとき
の再生出力低下を顕著に抑制することができる。また、
記録層を薄くすることによる再生出力の低下は、再生光
の波長を短くすることによっても改善可能である。薄い
記録層において再生出力を向上させるためには、再生光
の波長を４５０nm以下に設定することが好ましい。ただ
し、再生光の波長が短くなりすぎると逆に再生出力が低
下してしまうため、再生光の波長は３８０nm以上に設定
することが好ましい。
【００６１】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。
とが好ましい。
【００６２】上述したように、記録層の組成および／ま
たは再生光の波長を適宜選択することにより、十分な再
生出力を維持したままで記録層を薄くできる。記録層を
薄くできることは、多層記録媒体において特に有効であ
る。多層記録媒体は、樹脂層や誘電体層を介して記録層
を２層以上積層した構造をもち、他の記録層を透過した
記録・再生光により記録または再生が行われる記録層が
存在する。したがって、すべての記録層に十分な量の記
録・再生光を到達させるために、少なくとも光入射側表
面に近い記録層は相対的に薄くする必要がある。
たは再生光の波長を適宜選択することにより、十分な再
生出力を維持したままで記録層を薄くできる。記録層を
薄くできることは、多層記録媒体において特に有効であ
る。多層記録媒体は、樹脂層や誘電体層を介して記録層
を２層以上積層した構造をもち、他の記録層を透過した
記録・再生光により記録または再生が行われる記録層が
存在する。したがって、すべての記録層に十分な量の記
録・再生光を到達させるために、少なくとも光入射側表
面に近い記録層は相対的に薄くする必要がある。
【００６３】透光性基体２ 透光性基体２は、記録再生光を透過するために透光性を
有する。透光性基体２には、支持基体２０と同程度の厚
さの樹脂板やガラス板を用いてもよい。ただし、本発明
は、高密度記録を行う場合に特に有効である。したがっ
て、記録再生光学系の高ＮＡ化による高記録密度達成の
ために、透光性基体２を薄型化することが好ましい。こ
の場合の透光性基体の厚さは、３０〜３００μmの範囲
から選択することが好ましい。透光性基体が薄すぎる
と、透光性基体表面に付着した塵埃による光学的な影響
が大きくなる。一方、透光性基体が厚すぎると、高ＮＡ
化による高記録密度達成が難しくなる。
有する。透光性基体２には、支持基体２０と同程度の厚
さの樹脂板やガラス板を用いてもよい。ただし、本発明
は、高密度記録を行う場合に特に有効である。したがっ
て、記録再生光学系の高ＮＡ化による高記録密度達成の
ために、透光性基体２を薄型化することが好ましい。こ
の場合の透光性基体の厚さは、３０〜３００μmの範囲
から選択することが好ましい。透光性基体が薄すぎる
と、透光性基体表面に付着した塵埃による光学的な影響
が大きくなる。一方、透光性基体が厚すぎると、高ＮＡ
化による高記録密度達成が難しくなる。
【００６４】透光性基体２を薄型化するに際しては、例
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。本発明の媒体では透光性基体２を通して記録再生光
が入射するため、透光性基体２は光学的均質性が高いこ
とが好ましい。
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。本発明の媒体では透光性基体２を通して記録再生光
が入射するため、透光性基体２は光学的均質性が高いこ
とが好ましい。
【００６５】本発明では、ランドおよび／またはグルー
ブを記録トラックとして利用することができる。ランド
およびグルーブを記録トラックとするランド・グルーブ
記録方式では、オーバーライトの際に隣接トラックを消
去してしまうクロスイレーズが発生しやすい。本発明で
は、媒体を急冷構造とするため、ビームスポット内のエ
ネルギー密度を高くしたとしても、記録パワーをやや高
くする必要がある。また、本発明では、結晶化速度の速
い記録層を用いる。記録パワーが高いこと、および記録
層の結晶化速度が速いことは、クロスイレーズの原因と
なる。
ブを記録トラックとして利用することができる。ランド
およびグルーブを記録トラックとするランド・グルーブ
記録方式では、オーバーライトの際に隣接トラックを消
去してしまうクロスイレーズが発生しやすい。本発明で
は、媒体を急冷構造とするため、ビームスポット内のエ
ネルギー密度を高くしたとしても、記録パワーをやや高
くする必要がある。また、本発明では、結晶化速度の速
い記録層を用いる。記録パワーが高いこと、および記録
層の結晶化速度が速いことは、クロスイレーズの原因と
なる。
【００６６】そこで本発明では、ランドおよびグルーブ
の両者を記録トラックとする場合にクロスイレーズを抑
制するために、光路長で表したグルーブ深さをλ／７以
上とすることが好ましい。グルーブが浅すぎると、クロ
スイレーズが生じやすくなるほか、クロストークが増大
してジッタの悪化を招く。ただし、再生出力の低下およ
びクロストーク増大を抑制するためには、光路長で表し
たグルーブ深さをλ／５以下とすることが好ましい。
の両者を記録トラックとする場合にクロスイレーズを抑
制するために、光路長で表したグルーブ深さをλ／７以
上とすることが好ましい。グルーブが浅すぎると、クロ
スイレーズが生じやすくなるほか、クロストークが増大
してジッタの悪化を招く。ただし、再生出力の低下およ
びクロストーク増大を抑制するためには、光路長で表し
たグルーブ深さをλ／５以下とすることが好ましい。
【００６７】図３に示す構造 図３に示す光記録媒体は、透光性基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６をこの順で有し、記録光および再生光は、透
光性基体２を通して入射する。
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６をこの順で有し、記録光および再生光は、透
光性基体２を通して入射する。
【００６８】図３における透光性基体２は、図１におけ
る支持基体２０と同様なものを利用すればよいが、透光
性を有する必要がある。
る支持基体２０と同様なものを利用すればよいが、透光
性を有する必要がある。
【００６９】保護層６は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００７０】このほかの各層は、図１に示す構成例と同
様である。
様である。
【００７１】
【実施例】実施例１（急冷構造とする必要性の検証１） サンプルNo.１０１ 以下の手順で、図１に示す構造の光記録ディスクサンプ
ルを作製した。
ルを作製した。
【００７２】支持基体２０には、射出成形によりグルー
ブを同時形成した直径１２０mm、厚さ１．２mmのディス
ク状ポリカーボネートを用いた。グルーブ深さは、光路
長でλ／６（波長λ＝４０５nm）とした。また、ランド
・グルーブ記録方式における記録トラックピッチは、
０．３μmとした。
ブを同時形成した直径１２０mm、厚さ１．２mmのディス
ク状ポリカーボネートを用いた。グルーブ深さは、光路
長でλ／６（波長λ＝４０５nm）とした。また、ランド
・グルーブ記録方式における記録トラックピッチは、
０．３μmとした。
【００７３】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。この反射層
の熱伝導率は、１７０W/mKであった。
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。この反射層
の熱伝導率は、１７０W/mKであった。
【００７４】第２誘電体層３２は、ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝
８０：２０（モル比）のＺｎＳ−ＳｉＯ2（熱伝導率
０．６W/mK）からなるターゲットを用いてＡｒ雰囲気中
でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の厚さは２
０nmとした。
８０：２０（モル比）のＺｎＳ−ＳｉＯ2（熱伝導率
０．６W/mK）からなるターゲットを用いてＡｒ雰囲気中
でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の厚さは２
０nmとした。
【００７５】記録層４は、合金ターゲットを用い、Ａｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は、 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．２０、 ｃ＝０．８０、 ｘ＝０．０８、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：７ とした。記録層の厚さは１２nmとした。この記録層の組
成は、ｎ・Ｔｗ＝１５．２４nsの条件において記録マー
クの消去が可能となるように決定した。
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は、 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．２０、 ｃ＝０．８０、 ｘ＝０．０８、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：７ とした。記録層の厚さは１２nmとした。この記録層の組
成は、ｎ・Ｔｗ＝１５．２４nsの条件において記録マー
クの消去が可能となるように決定した。
【００７６】第１誘電体層３１は、ＺｎＳ（８０モル
％）−ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の
厚さは１３０nmとした。
％）−ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の
厚さは１３０nmとした。
【００７７】透光性基体２は、第１誘電体層３１の表面
に、溶剤型の紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる厚さ
３μmの接着層を介して、ポリカーボネートシート（厚
さ１００μm）を接着することにより形成した。上記ポ
リカーボネートシートは、ピュアエース（帝人社製）で
あり、流延法により製造されたものである。
に、溶剤型の紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる厚さ
３μmの接着層を介して、ポリカーボネートシート（厚
さ１００μm）を接着することにより形成した。上記ポ
リカーボネートシートは、ピュアエース（帝人社製）で
あり、流延法により製造されたものである。
【００７８】サンプルNo.１０２ ｎ・Ｔｗ＝２６．７nsの条件において記録マークの消去
が可能となるように記録層４の組成を変更したほかはサ
ンプルNo.１０１と同様にして作製した。
が可能となるように記録層４の組成を変更したほかはサ
ンプルNo.１０１と同様にして作製した。
【００７９】サンプルNo.１０３ 第２誘電体層３２を窒化ケイ素（熱伝導率８W/mK）から
構成したほかはサンプルNo.１０１と同様にして作製し
た。
構成したほかはサンプルNo.１０１と同様にして作製し
た。
【００８０】評価 上記各サンプルの記録層をバルクイレーザーにより初期
化（結晶化）した後、光記録媒体評価装置に載せ、 レーザー波長λ：４０５nm、 開口数ＮＡ：０．８５、 記録線速度Ｖ：１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns
のとき）、 ６．５m/s（ｎ・Ｔｗ＝２６．６７nsのとき）、 記録信号：１−７変調信号（最短信号長２Ｔｗ）、 の条件で記録を行った。最短記録マーク形成のための記
録信号パルスは単一パルスとし、最短信号長に対する前
記単一パルスの相対幅Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）は、表１に
示す値とした。記録は、ランドおよびグルーブの両方に
行った。なお、λ／ＮＡは４７６nmであり、（λ／Ｎ
Ａ）／Ｖは、ｎ・Ｔｗ＝１５．２４nsのとき４１．８ns
であり、ｎ・Ｔｗ＝２６．６７nsのとき７３．３nsであ
る。
化（結晶化）した後、光記録媒体評価装置に載せ、 レーザー波長λ：４０５nm、 開口数ＮＡ：０．８５、 記録線速度Ｖ：１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns
のとき）、 ６．５m/s（ｎ・Ｔｗ＝２６．６７nsのとき）、 記録信号：１−７変調信号（最短信号長２Ｔｗ）、 の条件で記録を行った。最短記録マーク形成のための記
録信号パルスは単一パルスとし、最短信号長に対する前
記単一パルスの相対幅Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）は、表１に
示す値とした。記録は、ランドおよびグルーブの両方に
行った。なお、λ／ＮＡは４７６nmであり、（λ／Ｎ
Ａ）／Ｖは、ｎ・Ｔｗ＝１５．２４nsのとき４１．８ns
であり、ｎ・Ｔｗ＝２６．６７nsのとき７３．３nsであ
る。
【００８１】次いで、記録信号を再生し、ジッタを測定
した。このジッタはクロックジッタであり、再生信号を
タイムインターバルアナライザにより測定して「信号の
揺らぎ（σ）」を求め、検出窓幅Ｔｗを用いて σ／Ｔｗ （％） により算出した値である。結果を表１に示す。なお、こ
のジッタが１３％以下であれば、エラーが許容範囲内に
収まる。また、各種マージンを十分に確保するために
は、このジッタが１０％以下であればよい。
した。このジッタはクロックジッタであり、再生信号を
タイムインターバルアナライザにより測定して「信号の
揺らぎ（σ）」を求め、検出窓幅Ｔｗを用いて σ／Ｔｗ （％） により算出した値である。結果を表１に示す。なお、こ
のジッタが１３％以下であれば、エラーが許容範囲内に
収まる。また、各種マージンを十分に確保するために
は、このジッタが１０％以下であればよい。
【００８２】
【表１】
【００８３】前述したように、高速オーバーライトを行
うためには、結晶化速度の速い記録層を有する媒体を用
いる必要がある。しかし、結晶化速度の速い記録層は再
結晶化しやすいため、前記したセルフイレーズが生じや
すい。したがって、最短記録マーク形成のための記録信
号パルスの相対幅Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を、小さく必要
がある。実際、表１に示すサンプルNo.１０１では、最
短信号長が短くなる（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）高速オ
ーバーライトを行うために、記録層の結晶化速度を速く
したため、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が小さいほどジッタが
小さくなっている。ただし、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を
０．１３５まで小さくしても、ジッタは許容範囲（１０
％以下）を超えている。Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）をさらに
小さくすればジッタは許容範囲に収まると考えられる
が、レーザー発光素子の応答性に制限され、Ｔmin／
（ｎ・Ｔｗ）＝０．１１に設定すると記録が不可能であ
った。
うためには、結晶化速度の速い記録層を有する媒体を用
いる必要がある。しかし、結晶化速度の速い記録層は再
結晶化しやすいため、前記したセルフイレーズが生じや
すい。したがって、最短記録マーク形成のための記録信
号パルスの相対幅Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を、小さく必要
がある。実際、表１に示すサンプルNo.１０１では、最
短信号長が短くなる（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）高速オ
ーバーライトを行うために、記録層の結晶化速度を速く
したため、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が小さいほどジッタが
小さくなっている。ただし、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を
０．１３５まで小さくしても、ジッタは許容範囲（１０
％以下）を超えている。Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）をさらに
小さくすればジッタは許容範囲に収まると考えられる
が、レーザー発光素子の応答性に制限され、Ｔmin／
（ｎ・Ｔｗ）＝０．１１に設定すると記録が不可能であ
った。
【００８４】これに対しサンプルNo.１０２は、サンプ
ルNo.１０１に比べ最短信号長が長くなる（ｎ・Ｔｗ＝
２６．７ns）低速オーバーライトを行うために、記録層
の結晶化速度をサンプルNo.１０１より遅くしている。
そのため、ジッタはＴmin／（ｎ・Ｔｗ）と相関せず、
かつＴmin／（ｎ・Ｔｗ）にかかわらずジッタは許容範
囲（１０％以下）に収まっている。また、ｎ・Ｔｗが大
きいため、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を０．１１まで小さく
してもレーザー発光素子の応答性による制限を受けず記
録が可能であった。
ルNo.１０１に比べ最短信号長が長くなる（ｎ・Ｔｗ＝
２６．７ns）低速オーバーライトを行うために、記録層
の結晶化速度をサンプルNo.１０１より遅くしている。
そのため、ジッタはＴmin／（ｎ・Ｔｗ）と相関せず、
かつＴmin／（ｎ・Ｔｗ）にかかわらずジッタは許容範
囲（１０％以下）に収まっている。また、ｎ・Ｔｗが大
きいため、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を０．１１まで小さく
してもレーザー発光素子の応答性による制限を受けず記
録が可能であった。
【００８５】一方、サンプルNo.１０３は、反射層５お
よび第２誘電体層３２をいずれも熱伝導率の高い材料か
ら構成した急冷構造であるので、セルフイレーズが軽減
される。そのため、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が比較的大き
いところでジッタが極小となっており、その極小値は１
０％を下回る。
よび第２誘電体層３２をいずれも熱伝導率の高い材料か
ら構成した急冷構造であるので、セルフイレーズが軽減
される。そのため、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が比較的大き
いところでジッタが極小となっており、その極小値は１
０％を下回る。
【００８６】以上の結果から、最短信号長ｎ・Ｔｗが２
２ns以下と短い場合において媒体を急冷構造とすれば、
レーザー発光素子の応答性による制限を受けない範囲の
Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）においてジッタを小さくできるこ
とがわかる。
２ns以下と短い場合において媒体を急冷構造とすれば、
レーザー発光素子の応答性による制限を受けない範囲の
Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）においてジッタを小さくできるこ
とがわかる。
【００８７】実施例２（急冷構造とする必要性の検証
２） 記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ とし、ａ、ｂ、ｃおよびｘを表２に示す値とし、第２誘
電体層の熱伝導率Ｋ2Dを表２に示す値としたほかは実施
例１のサンプルNo.１０１と同様にして、光記録ディス
クサンプルNo.２０１〜No.２０３を作製した。なお、表
２において、熱伝導率４４W/mKの第２誘電体層はＡｌ2
Ｏ3から構成されており、熱伝導率０．６W/mKの第２誘
電体層はＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（モル比）のＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2から構成されている。
２） 記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ とし、ａ、ｂ、ｃおよびｘを表２に示す値とし、第２誘
電体層の熱伝導率Ｋ2Dを表２に示す値としたほかは実施
例１のサンプルNo.１０１と同様にして、光記録ディス
クサンプルNo.２０１〜No.２０３を作製した。なお、表
２において、熱伝導率４４W/mKの第２誘電体層はＡｌ2
Ｏ3から構成されており、熱伝導率０．６W/mKの第２誘
電体層はＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（モル比）のＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2から構成されている。
【００８８】これらのサンプルについて、Ｔmin／（ｎ
・Ｔｗ）が表２に示す値となるように制御し、かつ、ｎ
・Ｔｗを図４に示す値としたほかはサンプルNo.１と同
様にして、記録を行った。次いで、サンプルNo.１と同
様にしてジッタを求めた。結果を図４に示す。図４は、
フォーマット効率８０％のときの転送レートおよびｎ・
Ｔｗを横軸とし、ジッタを縦軸としたグラフである。ま
た、表２に、各サンプルについてジッタが最小となるｎ
・Ｔｗおよび転送レートを示す。
・Ｔｗ）が表２に示す値となるように制御し、かつ、ｎ
・Ｔｗを図４に示す値としたほかはサンプルNo.１と同
様にして、記録を行った。次いで、サンプルNo.１と同
様にしてジッタを求めた。結果を図４に示す。図４は、
フォーマット効率８０％のときの転送レートおよびｎ・
Ｔｗを横軸とし、ジッタを縦軸としたグラフである。ま
た、表２に、各サンプルについてジッタが最小となるｎ
・Ｔｗおよび転送レートを示す。
【００８９】
【表２】
【００９０】表２に示すように、サンプルNo.２０１
は、第２誘電体層の熱伝導率が低い徐冷型であり、その
ため、転送レートを高くすると、図４に示すようにジッ
タが急激に悪化してしまっている。また、サンプルNo.
２０２は、サンプルNo.２０１に比べ、Ｓｂ含有量が多
く結晶化速度の速い記録層をもつが、第２誘電体層はサ
ンプルNo.２０１と同じで熱伝導率が低い。そのため、
ジッタが最小となる転送レートはサンプルNo.２０１よ
りも高くなっているが、その転送レートにおけるジッタ
はサンプルNo.２０１の最小ジッタより大きく、１０％
を超えている。
は、第２誘電体層の熱伝導率が低い徐冷型であり、その
ため、転送レートを高くすると、図４に示すようにジッ
タが急激に悪化してしまっている。また、サンプルNo.
２０２は、サンプルNo.２０１に比べ、Ｓｂ含有量が多
く結晶化速度の速い記録層をもつが、第２誘電体層はサ
ンプルNo.２０１と同じで熱伝導率が低い。そのため、
ジッタが最小となる転送レートはサンプルNo.２０１よ
りも高くなっているが、その転送レートにおけるジッタ
はサンプルNo.２０１の最小ジッタより大きく、１０％
を超えている。
【００９１】これに対しサンプルNo.２０３は、サンプ
ルNo.２０２の第２誘電体層を熱伝導率の高いものに替
えた急冷構造の媒体であるため、ジッタが最小となる転
送レートはサンプルNo.２０２と同じであるが、その転
送レートでのジッタは、低転送レート時に最小ジッタを
示すサンプルNo.２０１の最小ジッタと同等である。
ルNo.２０２の第２誘電体層を熱伝導率の高いものに替
えた急冷構造の媒体であるため、ジッタが最小となる転
送レートはサンプルNo.２０２と同じであるが、その転
送レートでのジッタは、低転送レート時に最小ジッタを
示すサンプルNo.２０１の最小ジッタと同等である。
【００９２】この表２および図４に示される結果から、
ｎ・Ｔｗが２２ns以下と短い高転送レート記録では、媒
体を急冷構造とすることによって初めて、低転送レート
記録時と同等までジッタを小さくできることがわかる。
ｎ・Ｔｗが２２ns以下と短い高転送レート記録では、媒
体を急冷構造とすることによって初めて、低転送レート
記録時と同等までジッタを小さくできることがわかる。
【００９３】実施例３（ｎ・Ｔｗに関する比較） サンプルNo.１ 第２誘電体層３２をＡｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から
構成したほかは実施例１のサンプルNo.１０１と同様に
して作製した。
構成したほかは実施例１のサンプルNo.１０１と同様に
して作製した。
【００９４】このサンプルについて、ｎ・Ｔｗ＝１５．
２４nsとなるように記録線速度Ｖを１１．４m/sとし、
かつＴmin／（ｎ・Ｔｗ）＝０．１〜０．４としたほか
は実施例１と同様にしてジッタを測定した。結果を図５
に示す。
２４nsとなるように記録線速度Ｖを１１．４m/sとし、
かつＴmin／（ｎ・Ｔｗ）＝０．１〜０．４としたほか
は実施例１と同様にしてジッタを測定した。結果を図５
に示す。
【００９５】なお、図５に示す曲線は、Ｔmin／（ｎ・
Ｔｗ）＝０．１〜０．４の範囲での測定値を、２次曲線
で近似したものである。
Ｔｗ）＝０．１〜０．４の範囲での測定値を、２次曲線
で近似したものである。
【００９６】サンプルNo.２ 記録層の組成を変更したほかはサンプルNo.１と同様に
して光記録ディスクサンプルを作製した。このサンプル
について、ｎ・Ｔｗが１７．７８nsとなるように線速度
を９．８m/sとしたほかはサンプルNo.１と同様にしてジ
ッタを測定した。結果を図５に併記する。このサンプル
における記録層の組成は、上記線速度において記録マー
クの消去が可能となるように選択した。なお、線速度が
９．８m/sのとき、（λ／ＮＡ）／Ｖは４８．６nsであ
る。
して光記録ディスクサンプルを作製した。このサンプル
について、ｎ・Ｔｗが１７．７８nsとなるように線速度
を９．８m/sとしたほかはサンプルNo.１と同様にしてジ
ッタを測定した。結果を図５に併記する。このサンプル
における記録層の組成は、上記線速度において記録マー
クの消去が可能となるように選択した。なお、線速度が
９．８m/sのとき、（λ／ＮＡ）／Ｖは４８．６nsであ
る。
【００９７】サンプルNo.３ 記録層の組成を変更したほかはサンプルNo.１と同様に
して光記録ディスクサンプルを作製した。このサンプル
について、ｎ・Ｔｗが２１．３２nsとなるように線速度
を８．１m/sとしたほかはサンプルNo.１と同様にしてジ
ッタを測定した。結果を図５に併記する。このサンプル
における記録層の組成は、上記線速度において記録マー
クの消去が可能となるように選択した。なお、線速度が
８．１m/sのとき、（λ／ＮＡ）／Ｖは５８．８nsであ
る。
して光記録ディスクサンプルを作製した。このサンプル
について、ｎ・Ｔｗが２１．３２nsとなるように線速度
を８．１m/sとしたほかはサンプルNo.１と同様にしてジ
ッタを測定した。結果を図５に併記する。このサンプル
における記録層の組成は、上記線速度において記録マー
クの消去が可能となるように選択した。なお、線速度が
８．１m/sのとき、（λ／ＮＡ）／Ｖは５８．８nsであ
る。
【００９８】評価 図５において、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）＜０．１１３の範
囲でジッタが１３％を超えているのは、レーザー発光素
子の応答性による制限を受け、レーザー光の照射強度が
不十分となったためである。なお、図５では、Ｔmin／
（ｎ・Ｔｗ）≧０．１４５のときジッタが１０％以下と
なっている。
囲でジッタが１３％を超えているのは、レーザー発光素
子の応答性による制限を受け、レーザー光の照射強度が
不十分となったためである。なお、図５では、Ｔmin／
（ｎ・Ｔｗ）≧０．１４５のときジッタが１０％以下と
なっている。
【００９９】図５から、最短信号長ｎ・Ｔｗが２２ns以
下と短い場合において媒体を急冷構造とすれば、レーザ
ー発光素子の応答性による制限を受けない範囲のＴmin
／（ｎ・Ｔｗ）においてジッタを低くできることがわか
る。
下と短い場合において媒体を急冷構造とすれば、レーザ
ー発光素子の応答性による制限を受けない範囲のＴmin
／（ｎ・Ｔｗ）においてジッタを低くできることがわか
る。
【０１００】実施例４（反射層５および第２誘電体層３
２の熱伝導率に関する比較） 記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．２２、 ｃ＝０．７８、 ｘ＝０．０７、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ とし、反射層の熱伝導率ＫRならびに第２誘電体層の組
成および熱伝導率Ｋ2Dを表３に示すものとしたほかは実
施例１のサンプルNo.１０１と同様にして、光記録ディ
スクサンプルを作製した。これらのサンプルについて、
記録線速度Ｖを１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４n
s）としたほかは実施例１と同様にしてジッタを測定し
た。結果を表３に示す。
２の熱伝導率に関する比較） 記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．２２、 ｃ＝０．７８、 ｘ＝０．０７、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ とし、反射層の熱伝導率ＫRならびに第２誘電体層の組
成および熱伝導率Ｋ2Dを表３に示すものとしたほかは実
施例１のサンプルNo.１０１と同様にして、光記録ディ
スクサンプルを作製した。これらのサンプルについて、
記録線速度Ｖを１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４n
s）としたほかは実施例１と同様にしてジッタを測定し
た。結果を表３に示す。
【０１０１】なお、表３に示すジッタは、記録信号パル
スの相対幅Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を変えながら測定した
ジッタの極小値である。表３に示すサンプルにおいてジ
ッタが極小となるＴmin／（ｎ・Ｔｗ）の範囲は、０．
１３〜０．２であった。
スの相対幅Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）を変えながら測定した
ジッタの極小値である。表３に示すサンプルにおいてジ
ッタが極小となるＴmin／（ｎ・Ｔｗ）の範囲は、０．
１３〜０．２であった。
【０１０２】なお、表３に示すサンプルNo.３０１〜No.
３０５では、反射層をＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1から構成した。
また、サンプルNo.３０６〜No.３０８では、反射層をＡ
ｇ−Ｐｄから構成し、Ｐｄ含有量を変更することにより
熱伝導率を変更した。また、サンプルNo.３０９では、
反射層をＡｌ98.4Ｃｒ1.6から構成した。
３０５では、反射層をＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1から構成した。
また、サンプルNo.３０６〜No.３０８では、反射層をＡ
ｇ−Ｐｄから構成し、Ｐｄ含有量を変更することにより
熱伝導率を変更した。また、サンプルNo.３０９では、
反射層をＡｌ98.4Ｃｒ1.6から構成した。
【０１０３】
【表３】
【０１０４】表３から、反射層の熱伝導率ＫRおよび第
２誘電体層の熱伝導率Ｋ2Dを前記した好ましい範囲内と
して急冷構造とすることにより、レーザー発光素子の応
答性による制限を受けない範囲のＴmin／（ｎ・Ｔｗ）
においてジッタを小さくできることがわかる。
２誘電体層の熱伝導率Ｋ2Dを前記した好ましい範囲内と
して急冷構造とすることにより、レーザー発光素子の応
答性による制限を受けない範囲のＴmin／（ｎ・Ｔｗ）
においてジッタを小さくできることがわかる。
【０１０５】実施例５（第１誘電体層３１の構造に関す
る比較） サンプルNo.４０１ 図２に示す構造の光記録ディスクサンプルを作製した。
る比較） サンプルNo.４０１ 図２に示す構造の光記録ディスクサンプルを作製した。
【０１０６】反射層５は、組成をＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1（熱
伝導率１７０W/mK）としたほかは実施例１と同じとし
た。第２誘電体層３２は、Ａｌ2Ｏ3から構成したほかは
実施例１と同じとした。記録層４は、組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．１９、 ｃ＝０．８１、 ｘ＝０．０６、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：５ としたほかは実施例１と同じとした。単位誘電体層３１
Ｃは、厚さ３５nmとし、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ
2（２０モル％）から構成した。単位誘電体層３１Ｄ
は、厚さ１００nmとし、Ａｌ2Ｏ3から構成した。透光性
基体２は実施例１と同じとした。
伝導率１７０W/mK）としたほかは実施例１と同じとし
た。第２誘電体層３２は、Ａｌ2Ｏ3から構成したほかは
実施例１と同じとした。記録層４は、組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．１９、 ｃ＝０．８１、 ｘ＝０．０６、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：５ としたほかは実施例１と同じとした。単位誘電体層３１
Ｃは、厚さ３５nmとし、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ
2（２０モル％）から構成した。単位誘電体層３１Ｄ
は、厚さ１００nmとし、Ａｌ2Ｏ3から構成した。透光性
基体２は実施例１と同じとした。
【０１０７】サンプルNo.４０２ 単位誘電体層３１Ｄを厚さ１００nmの窒化アルミニウム
層としたほかはサンプルNo.４０１と同様にして作製し
た。
層としたほかはサンプルNo.４０１と同様にして作製し
た。
【０１０８】サンプルNo.４０３ 単位誘電体層３１Ｄを厚さ１００nmの窒化シリコン層と
したほかはサンプルNo.４０１と同様にして作製した。
したほかはサンプルNo.４０１と同様にして作製した。
【０１０９】サンプルNo.４０４ 第１誘電体層を厚さ１３０nmのＺｎＳ（８０モル％）−
ＳｉＯ2（２０モル％）層からなる単層構成としたほか
はサンプルNo.４０１と同様にして作製した。
ＳｉＯ2（２０モル％）層からなる単層構成としたほか
はサンプルNo.４０１と同様にして作製した。
【０１１０】評価 上記各サンプルについて、記録線速度Ｖ＝１６．３m/s
（ｎ・Ｔｗ＝１０．６７ns）、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）＝
０．２としたほかは実施例１と同様にして、ジッタを測
定した。結果を表４に示す。また、各サンプルにおける
第１誘電体層３２の熱伝導率Ｋ2D、単位誘電体層３１Ｃ
の熱伝導率ＫCおよび単位誘電体層３１Ｄの熱伝導率ＫD
を、それぞれ表４に示す。
（ｎ・Ｔｗ＝１０．６７ns）、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）＝
０．２としたほかは実施例１と同様にして、ジッタを測
定した。結果を表４に示す。また、各サンプルにおける
第１誘電体層３２の熱伝導率Ｋ2D、単位誘電体層３１Ｃ
の熱伝導率ＫCおよび単位誘電体層３１Ｄの熱伝導率ＫD
を、それぞれ表４に示す。
【０１１１】
【表４】
【０１１２】表４から、第１誘電体層３１を構成する２
層の単位誘電体層において、熱伝導率を本発明で限定す
る関係としたことによる効果が明らかである。また、サ
ンプルNo.４０１〜４０３では、第２誘電体層３２の熱
伝導率Ｋ2Dを高くし、かつ、第１誘電体層３１を本発明
で限定する構造としているため、ｎ・Ｔｗが１０．６７
nsと極めて短く、かつ、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が０．２
と比較的大きいにもかかわらず、ジッタが著しく小さく
なっている。
層の単位誘電体層において、熱伝導率を本発明で限定す
る関係としたことによる効果が明らかである。また、サ
ンプルNo.４０１〜４０３では、第２誘電体層３２の熱
伝導率Ｋ2Dを高くし、かつ、第１誘電体層３１を本発明
で限定する構造としているため、ｎ・Ｔｗが１０．６７
nsと極めて短く、かつ、Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）が０．２
と比較的大きいにもかかわらず、ジッタが著しく小さく
なっている。
【０１１３】実施例６（第２誘電体層３２の厚さに関す
る比較） Ａｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から構成される第２誘電
体層３２の厚さを表５に示す値としたほかは実施例３の
サンプルNo.１と同様にしてサンプルを作製し、記録線
速度Ｖ＝１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）、Ｔm
in／（ｎ・Ｔｗ）＝０．１７としたほかは実施例１と同
様にして、ジッタを測定した。結果を表５に示す。表５
にはサンプルNo.１の結果も併記してある。
る比較） Ａｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から構成される第２誘電
体層３２の厚さを表５に示す値としたほかは実施例３の
サンプルNo.１と同様にしてサンプルを作製し、記録線
速度Ｖ＝１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）、Ｔm
in／（ｎ・Ｔｗ）＝０．１７としたほかは実施例１と同
様にして、ジッタを測定した。結果を表５に示す。表５
にはサンプルNo.１の結果も併記してある。
【０１１４】
【表５】
【０１１５】表５から、第２誘電体層の厚さが３０nm以
下の場合、ジッタが許容範囲内に収まることがわかる。
下の場合、ジッタが許容範囲内に収まることがわかる。
【０１１６】実施例７（記録層４の厚さおよび組成に関
する比較） 記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｒ＝Ｔｂ、 Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０．０５、 ｂ＝０．１７、 ｃ＝０．７８、 ｘ＝０．０６、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：５ とし、かつ、記録層４を表６に示す厚さとし、かつ、第
２誘電体層３２をＡｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から構
成したほかは実施例１のサンプルNo.１０１と同様にし
て、光記録ディスクサンプルNo.６０１〜No.６０５を作
製した。また、記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．１９、 ｃ＝０．８１、 ｘ＝０．０７、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ とし、記録層４を表６に示す厚さとしたほかは上記サン
プルNo.６０１〜No.６０５と同様にして、光記録ディス
クサンプルNo.６０６〜No.６１０を作製した。
する比較） 記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｒ＝Ｔｂ、 Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０．０５、 ｂ＝０．１７、 ｃ＝０．７８、 ｘ＝０．０６、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：５ とし、かつ、記録層４を表６に示す厚さとし、かつ、第
２誘電体層３２をＡｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から構
成したほかは実施例１のサンプルNo.１０１と同様にし
て、光記録ディスクサンプルNo.６０１〜No.６０５を作
製した。また、記録層の組成を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 ａ＝０、 ｂ＝０．１９、 ｃ＝０．８１、 ｘ＝０．０７、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ とし、記録層４を表６に示す厚さとしたほかは上記サン
プルNo.６０１〜No.６０５と同様にして、光記録ディス
クサンプルNo.６０６〜No.６１０を作製した。
【０１１７】これらのサンプルについて、記録線速度Ｖ
＝１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）、Ｔmin／
（ｎ・Ｔｗ）＝０．２としたほかはサンプルNo.１０１
と同様にして記録を行った後、再生出力を測定し、次い
で、２５dB以上の消去率が得られる最大線速度（消去可
能線速度）を測定した。消去パワーは直流とした。ま
た、サンプルNo.６０２〜No.６０５については、波長６
５０nmで再生したときの出力も測定した。また、各サン
プルについてクロスイレーズを測定した。これらの結果
を表６に示す。なお、表６に示す再生出力は、記録層の
厚さが１５nmのときの再生出力で規格化した値である。
＝１１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）、Ｔmin／
（ｎ・Ｔｗ）＝０．２としたほかはサンプルNo.１０１
と同様にして記録を行った後、再生出力を測定し、次い
で、２５dB以上の消去率が得られる最大線速度（消去可
能線速度）を測定した。消去パワーは直流とした。ま
た、サンプルNo.６０２〜No.６０５については、波長６
５０nmで再生したときの出力も測定した。また、各サン
プルについてクロスイレーズを測定した。これらの結果
を表６に示す。なお、表６に示す再生出力は、記録層の
厚さが１５nmのときの再生出力で規格化した値である。
【０１１８】
【表６】
【０１１９】表６から、記録層にＴｂを添加することに
より、消去可能線速度が速くなり、また、記録層を薄く
したときの再生出力低下が著しく抑制されることがわか
る。また、記録・再生波長を４０５nmとした場合、記録
・再生波長が６５０nmである場合に比べ、記録層を薄く
したときの再生出力落ち込みが著しく小さいことがわか
る。また、Ｔｂを添加した記録層では、薄くすることに
よりクロスイレーズが抑制されることがわかる。なお、
Ｔｂに替えてＤｙまたはＧｄを添加した記録層を有する
サンプルを作製し、これらについても同様な測定を行っ
たところ、Ｔｂ添加の場合と同等の結果が得られた。
より、消去可能線速度が速くなり、また、記録層を薄く
したときの再生出力低下が著しく抑制されることがわか
る。また、記録・再生波長を４０５nmとした場合、記録
・再生波長が６５０nmである場合に比べ、記録層を薄く
したときの再生出力落ち込みが著しく小さいことがわか
る。また、Ｔｂを添加した記録層では、薄くすることに
よりクロスイレーズが抑制されることがわかる。なお、
Ｔｂに替えてＤｙまたはＧｄを添加した記録層を有する
サンプルを作製し、これらについても同様な測定を行っ
たところ、Ｔｂ添加の場合と同等の結果が得られた。
【０１２０】実施例８（記録層４の組成に関する比較） 記録層の組成を、 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx において Ｒ＝Ｔｂ、 ｘ＝０、 とし、かつ、ａ、ｂ、ｃを表７に示す値とし、また、第
２誘電体層３２をＡｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から構
成したほかは実施例１のサンプルNo.１０１と同様にし
て、光記録ディスクサンプルを作製した。これらのサン
プルについて、実施例７と同様にして再生出力および消
去可能線速度を測定した。また、各サンプルについて記
録層の結晶化温度を測定した。これらの結果を表７に示
す。
２誘電体層３２をＡｌ2Ｏ3（熱伝導率４４W/mK）から構
成したほかは実施例１のサンプルNo.１０１と同様にし
て、光記録ディスクサンプルを作製した。これらのサン
プルについて、実施例７と同様にして再生出力および消
去可能線速度を測定した。また、各サンプルについて記
録層の結晶化温度を測定した。これらの結果を表７に示
す。
【０１２１】
【表７】
【０１２２】表７から、希土類元素を添加することによ
り記録層の結晶化温度が上がって保存信頼性が向上する
ことがわかる。そして、ｃ、ａ／ｂおよびａ／ｃがいず
れも所定範囲内となるように組成を制御することによ
り、十分な再生出力が得られ、かつ、高線速度での消去
が可能となることがわかる。
り記録層の結晶化温度が上がって保存信頼性が向上する
ことがわかる。そして、ｃ、ａ／ｂおよびａ／ｃがいず
れも所定範囲内となるように組成を制御することによ
り、十分な再生出力が得られ、かつ、高線速度での消去
が可能となることがわかる。
【０１２３】実施例９（グルーブ深さに関する比較） 光路長で表したグルーブ深さを表８に示す値としたほか
は実施例３のサンプルNo.１と同様にしてサンプルを作
製した。これらのサンプルについて、記録線速度Ｖ＝１
１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）、Ｔmin／（ｎ・
Ｔｗ）＝０．１７で記録を行い、クロスイレーズおよび
クロストークを測定した。結果を表８に示す。なお、表
８には、サンプルNo.１の結果も併記してある。
は実施例３のサンプルNo.１と同様にしてサンプルを作
製した。これらのサンプルについて、記録線速度Ｖ＝１
１．４m/s（ｎ・Ｔｗ＝１５．２４ns）、Ｔmin／（ｎ・
Ｔｗ）＝０．１７で記録を行い、クロスイレーズおよび
クロストークを測定した。結果を表８に示す。なお、表
８には、サンプルNo.１の結果も併記してある。
【０１２４】
【表８】
【０１２５】表８から、光路長で表したグルーブ深さを
λ／７〜λ／５とすることにより、クロスイレーズおよ
びクロストークの両者を少なくできることがわかる。
λ／７〜λ／５とすることにより、クロスイレーズおよ
びクロストークの両者を少なくできることがわかる。
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図３】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図４】ｎ・Ｔｗおよび転送レートと、ジッタとの関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）とジッタとの関係を示す
グラフである。
グラフである。
２ 透光性基体 ２０ 支持基体 ２１ グルーブ ２２ ランド ３１ 第１誘電体層 ３１Ｃ、３１Ｄ 単位誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ ５３８ ５３８Ｃ (72)発明者 加藤 達也 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 新開 浩 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 HA07 JA01 LB01 LB11 LC17 MA17 5D090 AA01 BB05 CC02 DD01 EE01 EE06 EE11 FF21 KK01 KK06 KK20
Claims (13)
- 【請求項１】 記録層を有する光記録媒体に記録を行う
方法であって、 記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光学系の対物
レンズの開口数をＮＡとしたとき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、 検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号長をｎ
・Ｔｗとしたとき、 ｎ・Ｔｗ≦２２ns として記録を行う光記録方法。 - 【請求項２】 最短記録マークを形成する際に用いるレ
ーザー光の発光時間をＴminとしたとき、 ０．１１３≦Ｔmin／（ｎ・Ｔｗ）≦１．０ として記録を行う請求項１の光記録方法。 - 【請求項３】 前記記録層が相変化型記録層である請求
項１または２の光記録方法。 - 【請求項４】 記録時の線速度をＶとしたとき、 （λ／ＮＡ）／Ｖ≦６０ns である請求項１〜３のいずれかの光記録方法。
- 【請求項５】 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入
射側からみて、前記記録層、誘電体層および反射層をこ
の順で有し、前記反射層の熱伝導率をＫRとし、前記記
録層と前記反射層との間に存在する前記誘電体層の熱伝
導率をＫ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である請求項１〜４のいずれかの光記録方法。 - 【請求項６】 前記光記録媒体は、記録用レーザー光入
射側からみて、透光性基体、誘電体層および前記記録層
をこの順で有し、 前記透光性基体と前記記録層との間に存在する前記誘電
体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が含まれ、か
つ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層が隣接して
存在し、 熱伝導率が相異なる前記２種の単位誘電体層のうち、記
録層に相対的に近い単位誘電体層の熱伝導率をＫCと
し、記録層から相対的に遠い単位誘電体層の熱伝導率を
ＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である請求項１〜５のいずれかの光記録方法。 - 【請求項７】 希土類元素をＲで表し、希土類元素、Ｔ
ｅおよびＳｂのすべてを除く元素をＭで表し、前記光記
録媒体の記録層構成元素の原子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、 ａ＞０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である請求項１〜６のいずれかの光記録方法。 - 【請求項８】 相変化型の記録層を有する光記録媒体で
あって、 希土類元素をＲで表し、希土類元素、ＴｅおよびＳｂの
すべてを除く元素をＭで表し、前記記録層構成元素の原
子比を 式Ｉ （ＲaＴｅbＳｂc）1-xＭx で表し、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１ としたとき、 ａ＞０、 ０．４≦ｃ≦０．９５、 ａ／ｂ≦１．２、 ａ／ｃ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．１ である光記録媒体。 - 【請求項９】 記録用レーザー光の入射側からみて、前
記記録層、誘電体層および反射層をこの順で有し、前記
反射層の熱伝導率をＫRとし、前記記録層と前記反射層
との間に存在する前記誘電体層の熱伝導率をＫ2Dとした
とき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である請求項８の光記録媒体。 - 【請求項１０】 前記光記録媒体は、記録用レーザー光
入射側からみて、透光性基体、誘電体層および前記記録
層をこの順で有し、 前記透光性基体と前記記録層との間に存在する前記誘電
体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が含まれ、か
つ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層が隣接して
存在し、 熱伝導率が相異なる前記２種の単位誘電体層のうち、記
録層に相対的に近い単位誘電体層の熱伝導率をＫCと
し、記録層から相対的に遠い単位誘電体層の熱伝導率を
ＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である請求項８または９の光記録媒体。 - 【請求項１１】 相変化型の記録層を有する光記録媒体
であって、 記録用レーザー光の入射側からみて、前記記録層、誘電
体層および反射層をこの順で有し、前記反射層の熱伝導
率をＫRとし、前記記録層と前記反射層との間に存在す
る前記誘電体層の熱伝導率をＫ2Dとしたとき、 ＫR≧１００W/mK、 Ｋ2D≧１W/mK である光記録媒体。 - 【請求項１２】 記録用レーザー光入射側からみて、前
記記録層の手前側に誘電体層を有し、 前記記録層の手前側に存在する前記誘電体層には、少な
くとも２層の単位誘電体層が含まれ、かつ、熱伝導率が
相異なる２種の単位誘電体層が隣接して存在し、 熱伝導率が相異なる前記２種の単位誘電体層のうち、記
録層に相対的に近い単位誘電体層の熱伝導率をＫCと
し、記録層から相対的に遠い単位誘電体層の熱伝導率を
ＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である請求項１１の光記録媒体。 - 【請求項１３】 記録用レーザー光入射側からみて、透
光性基体、誘電体層および相変化型の記録層をこの順で
有し、 前記透光性基体と前記記録層との間に存在する前記誘電
体層には、少なくとも２層の単位誘電体層が含まれ、か
つ、熱伝導率が相異なる２種の単位誘電体層が隣接して
存在し、 熱伝導率が相異なる前記２種の単位誘電体層のうち、記
録層に相対的に近い単位誘電体層の熱伝導率をＫCと
し、記録層から相対的に遠い単位誘電体層の熱伝導率を
ＫDとしたとき、 ＫC＜ＫD である光記録媒体。
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|---|---|---|---|
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| CNB011179074A CN1151494C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | 光记录方法 |
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| JP2000-139538 | 2000-09-06 | ||
| JP2000-270339 | 2000-09-06 | ||
| JP2001109137A JP2002157737A (ja) | 2000-05-12 | 2001-04-06 | 光記録方法および光記録媒体 |
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