JP2002122857A

JP2002122857A - 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法、並びに遮光膜

Info

Publication number: JP2002122857A
Application number: JP2001183864A
Authority: JP
Inventors: Hidenori Kawada; 英徳河田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-08-07
Filing date: 2001-06-18
Publication date: 2002-04-26

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた遮光性能を有する遮光膜を提供する。
また、この遮光膜を備えた電気光学装置用基板および電
気光学装置並びに電子機器を提供すること。【解決手段】高融点金属の窒素化合物、シリコン化合
物、タングステン化合物、タングステン、シリコンのう
ちの１種からなるバリア層Ｂ１と、酸素化合物になると
遮光性の劣化が見られる金属単体または金属化合物のい
ずれか一方からなるメタル層Ｍ１とを有する遮光膜１１
１とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置、電
子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板
の製造方法、並びに遮光膜に関し、特に、投射型液晶表
示装置などに用いて好適な優れた遮光性能を有する遮光
膜の構成に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１５は、液晶装置の一例を示した断面
図である。この液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の
透明な２枚の基板間に液晶が封入されたものであり、一
方の基板をなす薄膜トランジスタ（Thin Film Transist
or、以下、ＴＦＴと略記する）アレイ基板１０と、これ
に対向配置された他方の基板をなす対向基板２０とを備
えている。

【０００３】ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａ
と当該画素電極９ａを制御するための画素スイッチング
用ＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画
像信号を供給するデータ線６ａがコンタクトホール５を
通じて当該ＴＦＴ３０のソース領域１ｄに電気的に接続
されている。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号を順次印加するように構成さ
れている。画素電極９ａは、コンタクトホール８を通じ
て画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレイン領域１ｅに
電気的に接続されており、スイッチング素子である画素
スイッチング用ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチ
を閉じることにより、データ線６ａから供給される画像
信号を所定のタイミングで書き込むようになっている。

【０００４】画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画像信号は、対向基板２０に形成された対
向電極２１との間で一定期間保持されるが、通常、保持
された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極
９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列
に蓄積容量を付加している。ここでは、蓄積容量を形成
する方法として、容量形成用の配線である容量線３ｂが
設けられている。また、画素電極９ａ上には、ラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けら
れている。

【０００５】図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１
０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位
置には、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）からなる第
１遮光膜１１ａが設けられている。

【０００６】この第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基
板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ
３０のチャネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに入
射する事態を防ぐものである。

【０００７】また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０との間には、半導体層１ａを第１遮光膜
１１ａから電気的絶縁する第１層間絶縁膜（絶縁体層）
１２が設けられている。また、走査線３ａ上、絶縁膜２
上を含むＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領
域１ｄへ通じるコンタクトホール５および高濃度ドレイ
ン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成され
た第２層間絶縁膜４が形成されている。さらに、データ
線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイ
ン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が形成された第
３層間絶縁膜７が形成されている。

【０００８】また、この液晶装置では、絶縁薄膜２を走
査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用
い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆと
し、これらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量
電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されてい
る。

【０００９】他方、対向基板２０には、その全面にわた
って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その
下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された
配向膜２２が設けられている。さらに対向基板２０に
は、各画素の表示領域以外の領域に第２遮光膜２３が設
けられている。この第２遮光膜２３は、対向基板２０の
側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導
体層１ａのチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｂ、１
ｄ、ドレイン領域１ｃ、１ｅ等に侵入するのを防止する
ためのものであり、ブラックマトリクスとも呼ばれてい
る。

【００１０】各基板はこのような構成であり、画素電極
９ａと対向電極２１とが対向するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶が封入さ
れ、液晶層５０が形成されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＷＳｉからなる第１遮光膜１１を用いた液晶装置で
は、遮光性の高い遮光膜が望まれる。

【００１２】スイッチング素子を有する液晶装置は、戻
り光に起因するスイッチング素子の光リーク電流が発生
して、素子のスイッチング特性に悪影響を及ぼし、デバ
イスの特性を劣化させることが問題となっている。特
に、この液晶装置を、プロジェクタなどの強力な光源を
使用する装置に用いた場合には、戻り光に起因する光リ
ーク電流が発生しやすいため、問題となっている。

【００１３】この問題を解決するために、優れた遮光性
を有する材料であるＴｉ（チタン）を使用して第１遮光
膜１１ａを形成することが提案されている。しかしなが
ら、第１遮光膜１１ａ形成後に、絶縁膜を形成したり、
スイッチング素子を形成する際のアニール処理といっ
た、５００℃を越える高温処理工程などが行われると、
第１遮光膜１１ａであるＴｉは、Ｔｉに面する酸素元素
を含むＳｉＯ₂等の絶縁膜と化学反応し酸化膜が形成さ
れる。この酸化膜の生成によりＴｉの遮光性能が低下す
るという不具合が生じてしまう。このため、Ｔｉを用い
ても十分な遮光性能が得られない場合があった。

【００１４】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、優れた遮光性能を有する遮光膜を
提供することを目的としている。

【００１５】また、上記の遮光膜を備えた電気光学装置
用基板、電気光学装置用基板の製造方法および電気光学
装置並びに電子機器を提供することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】（１）上記の目的を達成
するために、電気光学物質を挟持した一対の基板と、一
方の基板上に設けられたスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子に対向する位置に設けられた遮光膜とを有
する電気光学装置において、前記遮光膜は、高融点の金
属単体または金属化合物であるメタル層と、前記メタル
層の少なくとも一方の面に積層された無酸素系の高融点
の金属または金属化合物でなるバリア層を備えることを
特徴とする。

【００１７】この電気光学装置によれば、遮光膜を形成
した後に高温処理が行われても、酸素元素を含むＳｉＯ
₂等の絶縁膜と面する遮光膜の無酸素系の高融点の金属
または金属化合物でなるバリア層により、遮光膜のメタ
ル層の酸化現象の発生を抑制し、その結果、遮光膜の遮
光性能を確保できる。

【００１８】また、遮光膜の膜厚は、従来の単独のＷＳ
ｉを用いた遮光膜と比較して膜厚を薄くすることができ
る。このことにより、遮光膜が形成される領域と形成さ
れない領域とで段差が大きくなるのを低減することがで
きる。（２）本発明の電気光学装置における前記遮光膜は、前
記一方の基板と前記スイッチング素子間に配置され、前
記スイッチング素子側に前記遮光層の前記バリア層が面
していることを特徴とする。

【００１９】この構成によれば、バリア層上に絶縁膜を
形成して高温の熱処理がされても、メタル層が酸化して
透過性が低下するのを防止できる。（３）また、本発明の電気光学装置における前記遮光膜
は、前記電気光学物質側の前記スイッチング素子上に配
置されていることを特徴とする。

【００２０】この構成によれば、一方の基板側からの光
がスイッチング素子に照射されるのを防止することがで
きる。（４）また、本発明の電気光学装置における前記遮光膜
のメタル層は、遮光性のメタル層と光吸収性のメタル層
で構成され、前記光吸収性のメタル層は前記スイッチン
グ素子側に面していることを特徴とする。

【００２１】この構成によれば、遮光性のメタル層でス
イッチング素子に光が照射することを防止するととも
に、スイッチング素子側の光吸収性のメタル層で光を吸
収し内部反射することを抑えることができる。（５）また、本発明の電気光学装置における前記メタル
層は、前記バリア層で挟まれていることを特徴とする。

【００２２】この構成によれば、電気光学装置を製造す
るにあたり、高温の熱処理がされても、バリア層でメタ
ル層が酸化するのを防止できるのでメタル層本来の遮光
性を維持することができる。（６）また、本発明の電気光学装置は、他方の基板に、
画素の表示領域を定義し、高融点の金属単体または金属
化合物であるメタル層と、前記メタル層の少なくとも一
方の面に積層された無酸素系の高融点の金属または金属
化合物でなるバリア層するに形成された遮光膜を有する
ことを特徴とする。

【００２３】この構成によれば、他方の基板からの光の
遮光性能をより向上することができる。（７）また、本発明の電気光学装置は、前記遮光膜は、
固定電位に接続されることを特徴とする。

【００２４】この構成によれば、前記遮光膜を低電位に
することができるので、スイッチング素子にノイズが乗
ることを防止できる。（８）また、本発明の電気光学装置における前記バリア
層は、窒素化合物、シリコン化合物、タングステン化合
物、タングステン、シリコンのうちの１種からなること
が望ましい。（９）また、本発明の電気光学装置における前記バリア
層は、ＷＳｉであることが望ましい。（１０）また、本発明の電気光学装置における前記メタ
ル層は、Ｔｉであることが望ましい。（１１）また、本発明の電気光学装置における前記バリ
ア層は、前記メタル層の上面及び下面に形成され、上面
側バリア層の膜厚は下面側バリア層の膜厚より厚いこと
を特徴とする。

【００２５】この構成によれば、上面側バリア層上に絶
縁膜を形成して、高温の熱処理がされてもメタル層の酸
化を防止できると共に、遮光膜が必要以上に厚くなるこ
とを防止できる。（１２）その代表的な例として、前記メタル層の膜厚は
３０ｎｍから５０ｎｍであり、前記上面側バリア層の膜
厚は３０ｎｍから１００ｎｍであり、下面側バリア層の
膜厚は１０ｎｍから２０ｎｍであることが望ましい。（１３）また、本発明の電気光学装置は電子機器として
応用できる。

【００２６】このような電子機器とすることで、強力な
光源を使用する場合にも、光リーク電流が発生しにくい
電子機器とすることができる。（１４）本発明の電気光学装置用基板は、絶縁性基板上
に設けられた遮光膜を有する電気光学装置用基板におい
て、前記遮光膜は、高融点の金属単体または金属化合物
であるメタル層と、前記メタル層の少なくとも一方の面
に積層された無酸素系の高融点の金属または金属化合物
でなるバリア層を備えることを特徴とする。

【００２７】この構成によれば、遮光膜を形成した後に
高温処理が行われても、酸素元素を含むＳｉＯ₂等の絶
縁膜と面する遮光膜の無酸素系の高融点の金属または金
属化合物でなるバリア層により、遮光膜のメタル層の酸
化現象の発生を抑制し、その結果、遮光膜の遮光性能を
確保できる。（１５）本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、絶
縁性基板上に設けられた遮光膜を有する電気光学装置用
基板の製造方法において、前記絶縁性基板上に、高融点
の金属単体または金属化合物を成膜してメタル層を形成
する工程と、前記メタル層上に、無酸素系の高融点の金
属または金属化合物を成膜してバリア層を形成する工程
と、前記バリア層上に、絶縁材料を成膜して絶縁膜を形
成する工程を備えることを特徴とする。

【００２８】この構成によれば、遮光膜を形成した後に
高温処理が行われても、酸素元素を含むＳｉＯ₂等の絶
縁膜と面する遮光膜の無酸素系の高融点の金属または金
属化合物でなるバリア層により、遮光膜のメタル層の酸
化現象の発生を抑制することができる。

【００２９】また、遮光膜の膜厚は、従来のＷＳｉを用
いた遮光膜と比較して膜厚を薄くすることができる。こ
のことにより、本発明の遮光膜によれば、従来の遮光膜
と比較して、遮光膜の成膜工程におけるエッチング時間
を短縮することができるとともに、遮光膜を形成する際
に使用する成膜ターゲットの延命およびガス量の低減を
はかることができる。（１６）また、本発明の電気光学装置用基板の製造方法
は、前記メタル層を形成する前に、前記絶縁性基板上
に、無酸素系の高融点の金属または金属化合物を成膜し
てバリア層を形成する工程を有することを特徴とする。

【００３０】この構成によれば、高温の熱処理がされて
も、バリア層でメタル層が酸化するのを防止できるので
メタル層本来の遮光性を維持することができる。（１７）また、本発明の電気光学装置用基板の製造方法
における前記絶縁膜を形成する工程は、５００℃以上１
１００℃以下の熱処理をする工程を含むことを特徴とす
る。

【００３１】この構成によれば、高温処理前（素子形成
前）に遮光膜を、遮光膜の遮光性を低下されることな
く、作り込むことができる。（１８）本発明の遮光膜は、高融点の金属単体または金
属化合物であるメタル層と、前記メタル層の少なくとも
一方の面に積層された無酸素系の高融点の金属または金
属化合物でなるバリア層を備えることを特徴とする。

【００３２】この遮光膜によれば、遮光膜を形成した後
に高温処理が行われても、酸素元素を含むＳｉＯ₂等の
絶縁膜と面する遮光膜の無酸素系の高融点の金属または
金属化合物でなるバリア層により、遮光膜のメタル層の
酸化現象の発生を抑制し、その結果、遮光膜の遮光性能
を確保できる。

【００３３】また、遮光膜の膜厚は、従来のＷＳｉを用
いた遮光膜と比較して膜厚を薄くすることができる。こ
のことにより、本発明の遮光膜によれば、従来の遮光膜
と比較して、遮光膜の成膜工程におけるエッチング時間
を短縮することができるとともに、遮光膜を形成する際
に使用する成膜ターゲットの延命およびガス量の低減を
はかることができる。（１９）また、本発明の遮光膜における前記バリア層
は、窒素化合物、シリコン化合物、タングステン化合
物、タングステン、シリコンのうちの１種からなること
が望ましい。（２０）また、本発明の遮光膜における前記バリア層の
窒素化合物は、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、Ｃｒ
Ｎのいずれかであることが望ましい。（２１）また、本発明の遮光膜における前記バリア層の
シリコン化合物は、ＴｉＳｉ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｃｏ
Ｓｉ、ＣｒＳｉのいずれかであることが望ましい。（２２）また、本発明の遮光膜における前記バリア層の
タングステン化合物は、ＴｉＷ、ＭｏＷのいずれかであ
ることが望ましい。

【００３４】本発明の遮光膜において、前記バリア層を
成す前記高融点金属の窒素化合物、前記シリコン化合
物、前記タングステン化合物を、それぞれ上記の材料と
することで、メタル層を形成している材料が遮光膜に面
する絶縁膜との酸化現象の発生をより一層効果的に抑制
することができる。これにより、より高い高温処理に対
しても遮光性能の低下が生じにくい遮光膜を提供するこ
とができる。（２３）また、本発明の遮光膜における前記メタル層の
金属単体は、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｒｕ
のいずれかであることが望ましい。（２４）また、本発明の遮光膜における前記メタル層の
金属化合物は、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＭｏＷのいずれか一方
であることが望ましい。

【００３５】本願発明の遮光膜において、前記金属単体
と前記金属化合物とをそれぞれ上記の材料とすること
で、より一層遮光性能に優れた遮光膜となる。（２５）また、本発明の遮光膜における前記バリア層の
膜厚が、１〜２００ｎｍであることが望ましい。

【００３６】このような遮光膜とすることで、高温処理
による遮光性能の低下を十分に防ぐことができる。特に
１５０ｎｍ以下であれば基板に対する反り量が少ない高
品質な遮光膜を提供することができる。尚、ノンドープ
のポリシリコンでは１５０ｎｍ以上の膜厚でも反りが発
生しにくい。（２６）また、本発明の遮光膜における前記メタル層の
膜厚が、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする。

【００３７】この構成によれば、膜厚の薄い遮光膜を提
供できる。特に液晶装置においては、遮光膜の高さによ
る配向膜表面の段差を低減でき、液晶の配向不良を低減
することができる。（２７）また、本発明の遮光膜における前記メタル層
は、その両面に前記バリア層が積層されていることを特
徴とする。

【００３８】本発明の遮光膜においては、前記メタル層
の両面に前記バリア層が積層されていることを特徴とす
る。

【００３９】このような遮光膜とすることで、メタル層
の両面側をバリア層によって保護することができ、メタ
ル層を形成している材料が酸素化合物になることをより
一層効果的に抑制することができる。したがって、より
一層高温処理による遮光性能の低下が生じにくい遮光膜
とすることができる。（２８）また、本発明の遮光膜における前記メタル層
は、光反射性のメタル層と光吸収性のメタル層で構成さ
れることを特徴とする。

【００４０】このような遮光膜とすることで、光反射性
と光吸収性の機能を持つ遮光膜を提供することができ
る。（２９）また、本発明の遮光膜における前記光吸収性の
メタル層は、窒化化合物であることが望ましい。（３０）また、本発明の遮光膜における前記遮光性のメ
タル層は、その両面に、前記光吸収性のメタル層を積層
して構成してもよい。（３１）また、本発明の遮光膜は、高融点の金属単体ま
たは金属化合物であるメタル層と、前記メタル層の少な
くとも一方の面に積層された前記メタル層の酸化を保護
する高融点の金属または金属化合物でなる保護層を備え
てもよい。

【００４１】

【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１ないし図３を参照して説明
する。

【００４２】本発明の第１の実施の形態は、本発明の遮
光膜およびこの遮光膜を備えた電気光学装置用基板およ
び電気光学装置の一例として、本発明の遮光膜を液晶装
置に適用した例である。

【００４３】図１は、液晶装置の画像形成領域（画素
部）を構成するマトリクス状に形成された複数の画素に
おける各種素子、配線等の等価回路である。また、図２
は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成され
たＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を拡大し
て示す平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ’断
面図である。なお、図３においては、各層や各部材を図
面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部
材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００４４】図１において、本実施形態による液晶装置
の画像表示領域（画素部）を構成するマトリクス状に形
成された複数の画素は、マトリクス状に複数形成された
画素電極９ａと画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ
（トランジスタ素子）３０とからなり、画像信号が供給
されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的
に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対し
て、グループ毎に供給するようにしても良い。また、Ｔ
ＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されてお
り、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査
信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加す
るように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０
のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素
子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じ
ることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

【００４５】画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基
板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との
間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベ
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて液晶部分へ
の入射光の透過光量が減少し、ノーマリーブラックモー
ドであれば、印加された電圧に応じて液晶部分への入射
光の透過光量が増加し、全体として液晶装置からは画像
信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここ
で、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、
画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と
並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａ
の電圧は、データ線に電圧が印加された時間よりも３桁
も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これに
より、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い
液晶装置が実現できる。本実施形態では特に、このよう
な蓄積容量７０を形成するために、後述の如く走査線と
同層、もしくは導電性の遮光膜を利用して低抵抗化され
た容量線３ｂを設けている。

【００４６】次に、図２に基づいて、ＴＦＴアレイ基板
の画素部（画像表示領域）内の平面構造について詳細に
説明する。図２に示すように、液晶装置のＴＦＴアレイ
基板上の画素部内には、マトリクス状に複数の透明な画
素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）
が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿
ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けら
れている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介し
て単結晶シリコン層の半導体層１ａのうちソース領域に
電気的に接続されており、画素電極９ａは、コンタクト
ホール８を介して半導体層１ａのうちドレイン領域に電
気的に接続されている。また、半導体層１ａのうちチャ
ネル領域（図中右下りの斜線の領域）に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。

【００４７】容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部（即ち、平面的に見て、走査線３ａ
に沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差
する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向
き）に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線
６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。

【００４８】そして、図中右上がりの斜線で示した領域
には、複数の第１遮光膜１１１が設けられている。より
具体的には、第１遮光膜１１１は、夫々、画素部におい
て半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴをＴＦＴア
レイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、更
に、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って
直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所
からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（即ち、図中
下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１
１の各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、
データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向
きの突出部の先端と重ねられている。この重なった箇所
には、第１遮光膜１１１と容量線３ｂとを相互に電気的
接続するコンタクトホール１３が設けられている。即
ち、本実施形態では、第１遮光膜１１１は、コンタクト
ホール１３により前段あるいは後段の固定電位の容量線
３ｂに電気的に接続されている。

【００４９】本実施形態において、第１遮光膜１１１
は、画素部内のみならず、遮光を必要としない画素部の
外側の領域（画素部の周辺領域）、すなわち対向電極基
板を貼り合わせるためのシール材を塗布するシール領域
や、入出力信号線を接続するための実装端子が形成され
た端子パッド領域等にも、同様のパターンを２次元的に
展開する形で形成されている。これによって、第１遮光
膜１１１の上に形成する絶縁体層を研磨して平坦化する
際に、画素部内と画素部の周辺領域の凹凸状態がほぼ同
じとなるため、均一に平坦化することができ、単結晶シ
リコン層を良好な状態で貼り合わせることができる。

【００５０】次に、図９に基づいて、液晶装置の画素部
内の断面構造について説明する。図９に示すように、こ
の液晶装置は、光透過性基板の一例を構成するＴＦＴア
レイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板
２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例え
ば、石英基板やハードガラスからなり、対向基板２０
は、例えば、ガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴア
レイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、そ
の上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施され
た配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例え
ば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）な
どの透明導電性膜からなる。また、配向膜１６は例え
ば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

【００５１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下
側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配
向膜２２が設けられている。対向電極２１は、例えば、
ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また、配向膜２
２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

【００５２】ＴＦＴアレイ基板１０には、図９に示すよ
うに、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９
ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３
０が設けられている。

【００５３】また、対向基板２０には、図９に示すよう
に、各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が
設けられている。第２遮光膜２３は、対向基板２０の側
からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体
層１ａのチャネル領域１ａ’やＬＤＤ（Lightly Doped
Drain）領域１ｂ及び１ｃに侵入するのを防ぐためのも
のである。さらに、第２遮光膜２３は、コントラストの
向上、色材の混色防止などの機能を有する。

【００５４】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、シール材５２により
囲まれた空間に液晶が封入されて、液晶層５０が形成さ
れる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加さ
れていない状態で、配向膜１６及び２２により所定の配
向状態を採る。液晶層５０は、例えば、一種又は数種類
のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材
５２は、二つの基板１０及び２０をそれらの周辺で貼り
合わせるための、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂
からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とする
ためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のスペ
ーサが混入されている。

【００５５】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置
には、第１遮光膜１１１が設けられている。第１遮光膜
１１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられたメタル
層Ｍ１と、メタル層Ｍ１の上に設けられたバリア層Ｂ１
とからなるものである。

【００５６】バリア層Ｂ１は、酸素元素の無い無酸素系
の高融点金属または金属化合物でなる。このバリア層Ｂ
１は、窒素化合物、シリコン化合物、タングステン化合
物、タングステン、シリコンのうちの１種からなるもの
である。

【００５７】窒素化合物としては、ＳｉＮ（窒化シリコ
ン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＷＮ（窒化タングステ
ン）、ＭｏＮ（窒化モリブデン）、ＣｒＮ（窒化クロ
ム）などが好ましく使用される。また、前記シリコン化
合物としては、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）、ＷＳｉ
（タングステンシリサイド）、ＭｏＳｉ（モリブデンシ
リサイド）、ＣｏＳｉ（コバルトシリサイド）、ＣｒＳ
ｉ（クロムシリサイド）などが好ましく使用される。ま
た、タングステン化合物としては、ＴｉＷ（チタンタン
グステン）、ＭｏＷ（モリブデンタングステン）などが
好ましく使用される。また、前記シリコンとしては、ノ
ンドープのシリコンが好ましく使用される。

【００５８】バリア層Ｂ１の膜厚は、１から２００ｎｍ
であることが望ましく、３０〜５０ｎｍであれば、薄い
膜厚でバリアとして機能を有すると共に、乱反射を抑え
ることができる。バリア層Ｂ１の膜厚を３ｎｍ未満とし
た場合、高温処理によるメタル層の酸化による遮光性能
の低下を十分に防ぐことができない傾向がある。一方、
バリア層Ｂ１を１５０ｎｍを越える膜厚とした場合、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０の反り量が大きくなる傾向を持つ。
液晶装置の表示品位に影響が出ない限りは、２００ｎｍ
でもよい。このバリア層Ｂ１はメタル層を酸化を保護す
る保護層でもある。

【００５９】また、メタル層Ｍ１は、遮光性のある金属
単体または金属化合物であり、ＳｉＯ₂の絶縁層との化
学反応により酸素化合物になると遮光性の劣化が見られ
る金属単体または金属化合物のいずれか一方からなるも
のである。

【００６０】前記金属単体としては、Ｔｉ（チタン）、
Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｏ（コバ
ルト）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｒｕ
（ルテニウム）などが好ましく使用される。また、前記
金属化合物としては、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＴｉＷ
（チタンタングステン）、ＭｏＷ（モリブデンタングス
テン）などが好ましく使用される。

【００６１】メタル層Ｍ１の膜厚は、１０〜２００ｎｍ
であることが望ましい。メタル層Ｍ１の膜厚を１０ｎｍ
未満とした場合、遮光性能が不十分となる恐れがあるた
め好ましくない。一方、メタル層Ｍ１を２００ｎｍを越
える膜厚とした場合、ＴＦＴアレイ基板１０の反り量が
大きくなり、液晶装置の品質を低下させる恐れが生じる
ため好ましくない。

【００６２】また、第１遮光膜１１１と複数の画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜（絶
縁体層）１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２
は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層
１ａを第１遮光膜１１１から電気的に絶縁するために設
けられるものである。さらに、第１層間絶縁膜１２は、
ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されており、第１遮
光膜１１１パターンの段差を解消するために表面を研磨
し、平坦化処理を施してある。

【００６３】第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ
（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリ
ケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、
ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁
性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等から
なる。第１層間絶縁膜１２により、第１遮光膜１１１が
画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然
に防ぐこともできる。

【００６４】本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線
３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、
半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更
にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電
極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。

【００６５】より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレ
イン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延
設されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って
伸びる容量線３ｂ部分に絶縁膜２を介して対向配置され
て、第１蓄積容量電極（半導体層）１ｆとされている。
特に、蓄積容量７０の誘電体としての絶縁膜２は、高温
酸化により単結晶シリコン層上に形成されるＴＦＴ３０
のゲート絶縁膜２に他ならないので、薄く且つ高耐圧の
絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積
で大容量の蓄積容量として構成できる。

【００６６】さらに、蓄積容量７０においては、図２お
よび図３から分かるように、第１遮光膜１１１は、第２
蓄積容量電極としての容量線３ｂの反対側において第１
蓄積容量電極１ｆに第１層間絶縁膜１２を介して第３蓄
積容量電極として対向配置されることにより（図３の右
側の蓄積容量７０参照）、蓄積容量が更に付与されるよ
うに構成されている。すなわち、本実施形態では、第１
蓄積容量電極１ｆを挟んで両側に蓄積容量が付与される
ダブル蓄積容量構造が構築されており、蓄積容量がより
増加する。よって、当該液晶装置が持つ、表示画像にお
けるフリッカや焼き付きを防止する機能が向上する。

【００６７】これらの結果、データ線６ａ下の領域及び
走査線３ａに沿って液晶のディスクリネーションが発生
する領域（すなわち、容量線３ｂが形成された領域）と
いう開口領域を外れたスペースを有効に利用して、画素
電極９ａの蓄積容量を増やすことができる。

【００６８】本実施形態では、第１遮光膜１１１（およ
びこれに電気的に接続された容量線３ｂ）は、定電位源
に電気的に接続されており、第１遮光膜１１１および容
量線３ｂは、定電位とされる。したがって、第１遮光膜
１１１に対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０
に対して、第１遮光膜１１１の電位変動が悪影響を及ぼ
すことはない。また、容量線３ｂは、蓄積容量７０の第
２蓄積容量電極として良好に機能し得る。この場合、定
電位源としては、当該液晶装置を駆動するための周辺回
路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に
供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対
向電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。この
ように周辺回路等の電源を利用すれば、専用の電位配線
や外部入力端子を設ける必要なく、第１遮光膜１１１お
よび容量線３ｂを定電位にすることができる。

【００６９】また、図２および図３に示したように、本
実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１
１を設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して
第１遮光膜１１１は、前段あるいは後段の容量線３ｂに
電気的に接続するように構成されている。したがって、
各第１遮光膜１１１が、次段の容量線に電気的に接続さ
れる場合と比較して、画素部の開口領域の縁に沿って、
データ線６ａに重ねて容量線３ｂおよび第１遮光膜１１
１が形成される領域の他の領域に対する段差が少なくて
済む。このように画素部の開口領域の縁に沿った段差が
少ないと、当該段差に応じて引き起こされる液晶のディ
スクリネーション（配向不良）を低減できるので、画素
部の開口領域を広げることが可能となる。

【００７０】また、第１遮光膜１１１は、前述のように
直線状に伸びる本線部から突出した突出部にコンタクト
ホール１３が開孔されている。ここで、コンタクトホー
ル１３の開孔箇所としては、縁に近い程、ストレスが縁
から発散される等の理由により、クラックが生じ難いこ
とが判明されている。したがって、どれだけ突出部の先
端に近づけてコンタクトホール１３を開孔するかに応じ
て（好ましくは、マージンぎりぎりまで先端に近づける
かに応じて）、製造プロセス中に第１遮光膜１１１にか
かる応力が緩和されて、より効果的にクラックを防止し
得、歩留まりを向上させることが可能となる。

【００７１】また、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一
のポリシリコン膜からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と
ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、同一の高温酸化膜か
らなり、第１蓄積容量電極１ｆと、ＴＦＴ３０のチャネ
ル形成領域１ａおよびソース領域１ｄ、ドレイン領域１
ｅ等とは、同一の半導体層１ａからなる。このため、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０上に形成される積層構造を単純化で
き、さらに、液晶装置の製造方法において、同一の薄膜
形成工程で容量線３ｂおよび走査線３ａを同時に形成で
き、蓄積容量７０の誘電体膜およびゲート絶縁膜２を同
時に形成することができる。

【００７２】さらに、図２に示したように、第１遮光膜
１１１は、走査線３ａに沿って夫々伸延しており、しか
も、データ線６ａに沿った方向に対し複数の縞状に分断
されている。このため、例えば、各画素部の開口領域の
周りに一体的に形成された格子状の遮光膜を配設した場
合と比較して、第１遮光膜１１１、走査線３ａ及び容量
線３ｂ、データ線６ａ、層間絶縁膜などからなる当該液
晶装置の積層構造において、各膜の物性の違いに起因し
た製造プロセス中の加熱冷却に伴い発生するストレスが
格段に緩和される。このため、第１遮光膜１１１等にお
けるクラックの発生防止や歩留まりの向上が図られる。

【００７３】なお、図２では、第１遮光膜１１１におけ
る直線状の本線部分は、容量線３ｂの直線状の本線部分
にほぼ重ねられるように形成されているが、第１遮光膜
１１１が、ＴＦＴ３０のチャネル領域を覆う位置に設け
られており且つコンタクトホール１３を形成可能なよう
に容量線３ｂと何れかの箇所で重ねられていれば、ＴＦ
Ｔに対する遮光機能および容量線に対する低抵抗化機能
を発揮可能である。したがって、例えば、相隣接した走
査線３ａと容量線３ｂとの間にある走査線に沿った長手
状の間隙領域や、走査線３ａと若干重なる位置にまで
も、当該第１遮光膜１１１を設けてもよい。

【００７４】容量線３ｂと第１遮光膜１１１とは、第１
層間絶縁膜１２に開孔されたコンタクトホール１３を介
して確実に且つ高い信頼性を持って、電気的接続されて
いるが、このようなコンタクトホール１３は、画素毎に
開孔されても良く、複数の画素からなる画素グループ毎
に開孔されても良い。

【００７５】コンタクトホール１３を画素毎に開孔した
場合には、第１遮光膜１１１による容量線３ｂの低抵抗
化を促進でき、さらに、両者間における冗長構造の度合
いを高められる。他方、コンタクトホール１３を複数の
画素からなる画素グループ毎に（例えば、２画素毎にあ
るいは３画素毎に）開孔した場合には、容量線３ｂや第
１遮光膜１１１のシート抵抗、駆動周波数、要求される
仕様等を勘案しつつ、第１遮光膜１１１による容量線３
ｂの低抵抗化および冗長構造による利益と、多数のコン
タクトホール１３を開孔することによる製造工程の複雑
化あるいは当該液晶装置の不良化等の弊害とを適度にバ
ランスできるので、実践上大変有利である。

【００７６】また、このような画素毎あるいは画素グル
ープ毎に設けられるコンタクトホール１３は、対向基板
２０の側から見てデータ線６ａの下に開孔されている。
このため、コンタクトホール１３は、画素部の開口領域
から外れており、しかもＴＦＴ３０や第１蓄積容量電極
１ｆが形成されていない第１層間絶縁膜１２の部分に設
けられているので、画素部の有効利用を図りつつ、コン
タクトホール１３の形成によるＴＦＴ３０や他の配線等
の不良化を防ぐことができる。

【００７７】また、図３において、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を
有しており、走査線３ａ、該走査線３ａからの電界によ
りチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領
域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域
（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度
ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えて
いる。

【００７８】高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素
電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。ソー
ス領域１ｂ及び１ｄ並びにドレイン領域１ｃ及び１ｅ
は、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形
成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパ
ントをドープすることにより形成されている。ｎ型チャ
ネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画
素のスイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ
３０として用いられることが多い。データ線６ａは、Ａ
ｌ等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性
の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、ゲート
絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃度ソー
ス領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレ
イン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成さ
れた第２層間絶縁膜４が形成されている。このソース領
域１ｂへのコンタクトホール５を介して、データ線６ａ
は高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。更
に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃
度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成され
た第３層間絶縁膜７が形成されている。この高濃度ドレ
イン領域１ｅへのコンタクトホール８を介して、画素電
極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されて
いる。前述の画素電極９ａは、このように構成された第
３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、画素電極
９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６ａと同
一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継
して電気的に接続するようにしてもよい。

【００７９】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打
ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲー
ト電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち
込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形
成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００８０】また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲ
ート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域１ｂ及
び１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにダブルゲート或いはトリプ
ルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース
−ドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時
の電流を低減することができる。これらのゲート電極の
少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にす
れば、更にオフ電流を低減でき、安定したスイッチング
素子を得ることができる。

【００８１】ここで、一般には、半導体層１ａのチャネ
ル領域１ａ’低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン
領域１ｃ等の単結晶シリコン層は、光が入射するとシリ
コンが有する光電変換効果により光電流が発生してしま
い画素スイッチング用ＴＦＴ３０のトランジスタ特性が
変化するが、本実施形態では、走査線３ａを上側から覆
うようにデータ線６ａがＡｌ等の遮光性の金属薄膜から
形成されているので、少なくとも半導体層１ａのチャネ
ル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの入射光の入
射を効果的に防ぐことが出来る。また、前述のように、
画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側には、第１遮光膜
１１１が設けられているので、少なくとも半導体層１ａ
のチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの戻
り光の入射を効果的に防ぐことが出来る。なお、スイッ
チング用ＴＦＴ３０の半導体材料は、多結晶構造もしく
は単結晶構造を持つ。単結晶半導体を形成する場合は、
単結晶基板と支持基板と貼り合わせた後に、単結晶基板
側を薄膜化する貼り合わせ法を用いることができる。こ
のような薄膜シリコン単結晶を絶縁層上に形成した構造
をＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）という。また、このような基板を貼り合わせＳＯＩ
と呼ぶ。

【００８２】なお、この実施形態では、相隣接する前段
あるいは後段の画素に設けられた容量線３ｂと第１遮光
膜１１１とを接続しているため、最上段あるいは最下段
の画素に対して第１遮光膜１１１に定電位を供給するた
めの容量線３ｂが必要となる。そこで、容量線３ｂの数
を垂直画素数に対して１本余分に設けておくようにする
と良い。

【００８３】次に、以上のような構成を持つ液晶装置の
製造プロセスについて説明する。

【００８４】まず、石英基板、ハードガラス等からなる
ＴＦＴアレイ基板１０を用意し、その全面に、スパッタ
により、メタル層Ｍ１とバリア層Ｂ１とを下から順に形
成する。ついで、フォトリソグラフィにより、第１遮光
膜１１１のパターン（図２参照）に対応するレジストマ
スクを形成し、該レジストマスクを介してメタル層Ｍ１
およびバリア層Ｂ１をエッチングすることにより、図２
に示したようなパターンの第１遮光膜１１１が形成され
る。その後、従来と同様の方法などにより、図３に示す
各層が形成されて、ＴＦＴアレイ基板１０が形成され
る。

【００８５】次に、具体的な例で説明する。

【００８６】石英の絶縁基板であるＴＦＴアレイ基板１
０上にメタル層としてＴｉ膜Ｍ１を形成した後、バリア
層としてＷＳｉ膜Ｂ１を形成して第１遮光膜１１１を形
成する。そして、第１遮光膜１１１上にＮＳＧの第１層
間絶縁膜１２が積層される。

【００８７】ＮＳＧの第１層間絶縁膜は、５００℃以
上、例えば約６８０℃で第１遮光膜１１１上に成膜さ
れ、その後焼きしめのために、１１００℃以下、例えば
約１０００℃の高温で熱処理されて形成される。この工
程の中で、Ｔｉ膜Ｍ１は石英の絶縁基板１０中の酸素元
素と結合される一方、反対側の無酸素系の金属化合物で
あるＷＳｉ膜Ｂ１には酸素元素が存在しないので、Ｔｉ
が酸素元素と結合する酸化現象の発生を抑えることがで
きる。よって、Ｔｉ膜Ｍ１の透過率が大きく低下するの
を防止できる。仮に、Ｔｉ膜Ｍ１上にＷＳｉ膜Ｂ１を形
成しないと、ＮＳＧを形成する過程で酸化現象が発生す
る。この酸化現象は、石英のＴＦＴアレイ基板１０上に
Ｔｉ膜を積層する場合よりも化学反応が活発になるの
で、Ｔｉ膜Ｍ１の透過性が大きく低下してしまう。

【００８８】一方、対向基板２０については、ガラス基
板等が先ず用意され、第２遮光膜２３が、例えば、金属
クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エ
ッチング工程を経て形成される。その後、従来と同様の
方法などにより、図３に示す各層が形成されて、対向基
板２０が形成される。

【００８９】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６お
よび２２が対面するようにシール材により貼り合わさ
れ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば、複
数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引さ
れて、所定層厚の液晶層５０が形成される。

【００９０】（液晶装置の全体構成）以上のように構成
された本実施形態の液晶装置の全体構成を図８および図
９を参照して説明する。なお、図８は、ＴＦＴアレイ基
板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
２０の側から見た平面図であり、図９は、対向基板２０
を含めて示す図７のＨ−Ｈ’断面図である。

【００９１】図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２が対向基板２０の縁に沿って設けら
れており、その内側に並行して、例えば、第２遮光膜２
３と同じあるいは異なる材料から成る周辺見切りとして
の第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外
側の領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１
０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられて
おり、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２
辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走
査信号遅延が問題にならない場合には、走査線駆動回路
１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。

【００９２】また、データ線駆動回路１０１を画面表示
領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば、奇数
列のデータ線６ａは画面表示領域の一方の辺に沿って配
設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数
列のデータ線は前記画面表示領域の反対側の辺に沿って
配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するよ
うにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動
するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張
することができるため、複雑な回路を構成することが可
能となる。

【００９３】さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺
には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路
１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられて
おり、更に、周辺見切りとしての第３遮光膜５３の下に
隠れてプリチャージ回路を設けてもよい。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通
をとるための導通材１０６が設けられている。そして、
図９に示すように、図８に示したシール材５２とほぼ同
じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴ
ＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【００９４】以上の液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上
には、さらに、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品
質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。また、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えば、ＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディ
ング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレ
イ基板１０の周辺領域に設けられた異方性導電フィルム
を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよ
い。また、対向基板２０の投射光が入射する側およびＴ
ＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、各々、
例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（デュアルス
キャン−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリー
ホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じ
て、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所
定の方向で配置される。

【００９５】以上説明した液晶装置は、例えば、カラー
液晶プロジェクタ（投射型表示装置）に適用される場合
には、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして
各々用いられ、各パネルには、各々ＲＧＢ色分解用のダ
イクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射
光として各々入射されることになる。従って、その場合
には、上記実施形態で示したように、対向基板２０に、
カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第
２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向す
る所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共
に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれ
ば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液
晶テレビなどのカラー液晶装置に、上記実施形態の液晶
装置を適用することができる。さらに、対向基板２０上
に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成して
もよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上す
ることで、明るい液晶装置が実現できる。さらにまた、
対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を
堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り
出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダ
イクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明る
いカラー液晶装置が実現できる。

【００９６】以上説明した実施形態における液晶装置で
は、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射す
ることとしたが、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１
１１を設けているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から
入射光を入射し、対向基板２０の側から出射するように
しても良い。すなわち、このように液晶装置を液晶プロ
ジェクタに取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域
１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに光が入射することを
防ぐことができ、高画質の画像を表示することが可能で
ある。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側
での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ（Ａｎｔ
ｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）被膜された偏光手段を別途
配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があった。
しかし、上記の実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の
表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’及
びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃとの間に第１遮光膜１１１が形
成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光手段
やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０その
ものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従
って、上記実施形態によれば、材料コストを削減でき、
また偏光手段の貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留
まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性
が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビー
ムスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上さ
せても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じな
い。

【００９７】また、このような液晶装置には、バリア層
Ｂ１とメタル層Ｍ１とを有する第１遮光膜１１１が備え
られているので、第１遮光膜１１１の遮光性能が不十分
であることによる光リーク電流が発生しにくく、強力な
光源を有する電子機器などに好適に使用できる液晶装置
とすることができる。

【００９８】すなわち、第１遮光膜１１１が、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０側にバリア層Ｂ１を有するもので
あるので、第１遮光膜１１１を形成した後に、第１層間
絶縁膜１２の形成や、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を
形成する際のアニール処理等の高温処理を行っても、メ
タル層Ｍ１のバリア層Ｂ１側の表面が酸素元素が含まな
いバリア層Ｂ１で、メタル層Ｍ１と第１層間絶縁膜１２
との酸化現象が発生するのを抑制され、メタル層Ｍ１を
形成している材料が酸素化合物になることに起因する遮
光性能の低下を防止することができ、第１遮光膜１１１
の遮光性能を確保することができる。

【００９９】これにより、遮光性能の高い、例えばＴｉ
などの材料でメタル層Ｍ１を形成し、優れた遮光性能を
有する第１遮光膜１１１が得られる。

【０１００】また、第１遮光膜１１１は、高温処理によ
る遮光性能の低下が生じにくく、優れた遮光性能を有す
るので、従来の遮光膜と比較して膜厚を薄くすることが
できる。このことにより、従来の遮光膜と比較して、第
１遮光膜１１１の成膜工程におけるエッチング時間を短
縮することができるとともに、第１遮光膜１１１を形成
する際に使用する成膜ターゲットの延命およびガス量の
低減をはかることができる。

【０１０１】第１遮光膜１１１において、バリア層Ｂ１
を形成する材料である高融点金属の窒素化合物、シリコ
ン化合物、タングステン化合物、シリコンを、それぞれ
上述した好ましい材料とすることで、メタル層Ｍ１を形
成している材料が酸素化合物になることをより一層効果
的に抑制することができるバリア層Ｂ１となり、より一
層高温処理による遮光性能の低下が生じにくい第１遮光
膜１１１とすることができる。

【０１０２】また、メタル層Ｍ１を形成する材料である
金属単体または金属化合物をそれぞれ上述した好ましい
材料とすることで、より一層遮光性能に優れた第１遮光
膜１１１とすることができる。

【０１０３】とくに、バリア層Ｂ１を形成する材料を、
ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｒＳｉのい
ずれかとし、メタル層Ｍ１を形成する材料を、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ｗのいずれかとした場合、バリア層を形成する材料
がＳｉを放出するドナーとして働き、メタル層Ｍ１を形
成する材料がＳｉを受け入れるアクセプターとして働く
ため、バリア層Ｂ１とメタル層Ｍ１との物性の違いに起
因するストレスが緩和され、バリア層Ｂ１とメタル層Ｍ
１との関係が安定するので、メタル層Ｍ１を形成してい
る材料が酸素化合物になることをより一層効果的に抑制
することができ、より一層高温処理による遮光性能の低
下が生じにくい第１遮光膜１１１とすることができる。

【０１０４】また、バリア層Ｂ１とメタル層Ｍ１との関
係が安定するので、第１遮光膜１１１に、製造プロセス
中の加熱冷却によるクラックが発生しにくく、歩留まり
の向上をはかることができる。

【０１０５】さらに、バリア層Ｂ１の膜厚を、１〜２０
０ｎｍとすることで、ＴＦＴアレイ基板１０の反り量が
比較的少ないものとなるとともに、高温処理による遮光
性能の低下を十分に防ぐことができる。したがって、よ
り一層優れた第１遮光膜１１１とすることができる。

【０１０６】さらにまた、メタル層Ｍ１の膜厚を、１０
〜２００ｎｍとすることで、ＴＦＴアレイ基板１０の反
り量が少ないものとなるとともに、十分な遮光性能を備
えたものとなり、より一層優れた第１遮光膜１１１とす
ることができる。

【０１０７】［第２の実施の形態］以下、本発明の第２
の実施の形態を図４を参照して説明する。

【０１０８】本実施形態が上述した第１の実施の形態と
異なるところは、図３に示す液晶装置に備えられている
第１遮光膜１１１に代えて、ＴＦＴアレイ基板１０側に
バリア層Ｂ２が設けられ、バリア層Ｂ２の上にメタル層
Ｍ１が設けられた図４に示す第１遮光膜１１２が備えら
れているところである。

【０１０９】上記のように本実施形態が第１の実施の形
態と異なるところは、第１遮光膜のみであるので、図４
には、ＴＦＴアレイ基板と第１遮光膜のみを図示し、第
１の実施の形態と同様である他の部分については省略す
る。

【０１１０】図４において、符号１０は、ＴＦＴアレイ
基板１０を示している。このＴＦＴアレイ基板１０の上
には、バリア層Ｂ２とバリア層Ｂ２の上に設けられたメ
タル層Ｍ２とからなる第１遮光層１１２が設けられてい
る。

【０１１１】この第１遮光膜１１２のバリア層Ｂ２およ
びメタル層Ｍ２は、上述した第１の実施の形態に示した
第１遮光膜１１１のバリア層Ｂ１およびメタル層Ｍ１と
同様の材料および膜厚で形成させても良い。

【０１１２】このような液晶装置を製造するには、ま
ず、石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基
板１０を用意し、その全面に、スパッタ、ＣＶＤ法によ
り、バリア層Ｂ２とメタル層Ｍ２とを下から順に形成す
る。その後、第１の実施の形態と同様の方法などによ
り、ＴＦＴアレイ基板１０が形成される。さらに、第１
の実施の形態と同様の方法などにより、対向基板２０が
形成され、ＴＦＴアレイ基板１０と貼り合わされて、液
晶装置とされる。

【０１１３】この液晶装置に備えられている第１遮光膜
１１２は、バリア層Ｂ２を有するものであるので、第１
遮光膜１１２を形成した後に高温処理を行っても、メタ
ル層Ｍ２のバリア層Ｂ２側、すなわちＴＦＴアレイ基板
１０側の表面が酸素化合物になるのを、バリア層Ｂ２が
抑制するので、メタル層Ｍ２を形成している材料が酸素
化合物になることに起因する遮光性能の低下を防止する
ことができ、第１遮光膜１１２の遮光性能を確保するこ
とができる。したがって、メタル層Ｍ２に、優れた遮光
性能を有しているが高温処理によって遮光性能の低下が
生じることが問題となっていた材料を使用することが可
能となり、遮光性能に優れた材料によりメタル層Ｍ２を
形成することができる。このため、優れた遮光性能を有
する第１遮光膜１１２となる。

【０１１４】また、バリア層Ｂ２としてシリコンを用い
た場合には、ノンドープのポリシリコンやドープしたポ
リシリコンでもよい。ノンドープのポリシリコンであれ
ば、バリア層Ｂ２の剥離の発生は生じにくい。よって、
２００ｎｍより厚くしてもよい。ドープしたポリシリコ
ンでは膜厚は１ｎｍであっても、メタル層の酸化による
遮光性能の低下を防止できる。

【０１１５】また、本実施形態の液晶装置は、バリア層
Ｂ２とメタル層Ｍ２とを有する第１遮光膜１１２が備え
られているので、第１遮光膜１１２の遮光性能が不十分
であることによる光リーク電流が発生しにくく、強力な
光源を有する電子機器などに好適に使用できる液晶装置
とすることができる。

【０１１６】［第３の実施の形態］以下、本発明の第３
の実施の形態を図５を参照して説明する。

【０１１７】本実施形態が上述した第１の実施の形態と
異なるところは、図３に示す液晶装置に備えられている
第１遮光膜１１１に代えて、メタル層Ｍ３が２層のバリ
ア層Ｂ３、Ｂ４の間に設けられている図５に示す第１遮
光膜１１３が備えられているところである。上記のよう
に本実施形態においても、第１の実施の形態と異なると
ころは第１遮光膜のみであるので、図５には、ＴＦＴア
レイ基板と第１遮光膜のみを図示し、第１の実施の形態
と同様である他の部分については省略する。

【０１１８】図５において、符号１０は、ＴＦＴアレイ
基板１０を示している。このＴＦＴアレイ基板１０の上
には、バリア層Ｂ４と、バリア層Ｂ４の上に設けられた
メタル層Ｍ３と、メタル層Ｍ３の上に設けられたバリア
層Ｂ３とからなる第１遮光層１１３が設けられている。

【０１１９】この第１遮光膜１１３のバリア層Ｂ３、Ｂ
４は、上述した第１の実施の形態に示した第１遮光膜１
１１のバリア層Ｂ１と同様の材料で形成されることが好
ましい。また、バリア層Ｂ３、Ｂ４は、各々、上述した
第１の実施の形態に示した第１遮光膜１１１のバリア層
Ｂ１と同様の膜厚で形成させても良い。

【０１２０】また、この第１遮光膜１１３のメタル層Ｍ
３は、上述した第１の実施の形態に示した第１遮光膜１
１１のメタル層Ｍ１と同様の材料および膜厚で形成させ
ても良い。

【０１２１】このような液晶装置を製造するには、ま
ず、石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基
板１０を用意し、その全面に、スパッタにより、バリア
層Ｂ４、メタル層Ｍ３、バリア層Ｂ３を下から順に形成
する。その後、第１の実施の形態と同様の方法などによ
り、ＴＦＴアレイ基板１０が形成される。さらに、第１
の実施の形態と同様の方法などにより、対向基板２０が
形成され、ＴＦＴアレイ基板１０と貼り合わされて、液
晶装置とされる。

【０１２２】この液晶装置に備えられている第１遮光膜
１１３においては、メタル層Ｍ３が２層のバリア層Ｂ
３、Ｂ４の間に挟まれた状態となっているので、第１遮
光膜１１３を形成した後に高温処理を行っても、メタル
層Ｍ３のＴＦＴアレイ基板１０側およびＴＦＴアレイ基
板１０と反対側の両側の表面が酸素化合物になるのを、
バリア層Ｂ３、Ｂ４が抑制するので、メタル層Ｍ３を形
成している材料が酸素化合物になることに起因する遮光
性能の低下を一層効果的に防止することができ、第１遮
光膜１１３の遮光性能を確保することができる。したが
って、メタル層Ｍ３に、優れた遮光性能を有しているが
高温処理によって遮光性能の低下が生じることが問題と
なっていた材料を使用することが可能となり、遮光性能
に優れた材料によりメタル層Ｍ３を形成することができ
る。このため、優れた遮光性能を有する第１遮光膜１１
３となる。

【０１２３】次に、具体的な例として、メタル層として
Ｔｉ膜Ｍ３、上下のバリア層としてＷＳｉ膜Ｂ３、Ｂ４
を用いた第１遮光膜１１３の場合を説明する。

【０１２４】遮光性を高くするには、Ｔｉ膜Ｍ３の上下
にＷＳｉ膜Ｂ３、Ｂ４を形成することで向上する。しか
し、遮光膜として膜厚が増えるので、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０やデータ線６ａなどの配線を積層すると、
配向膜１６の表面に段差が生じ、表示品位の低下につな
がる。

【０１２５】そこで、Ｔｉ膜Ｍ３の膜厚を３０ｎｍ〜５
０ｎｍにし、下側すなわちＴＦＴアレイ基板１０側のＷ
Ｓｉ膜Ｂ４を１０ｎｍ〜２０ｎｍ、上側のＷＳｉ膜Ｂ３
を３０ｎｍ〜１００ｎｍにすることが好ましい。下側の
ＷＳｉ膜Ｂ４を１０ｎｍ〜２０ｎｍとしたので、膜厚２
００ｎｍのＷＳｉ膜を単独の遮光膜としたものと比較し
ても光吸収性があり、遮光性が向上する。また、上側の
ＷＳｉ膜Ｂ３は厚いほど遮光性が向上するが、５０ｎｍ
〜１００ｎｍの膜厚でも遮光性を確保することができ
る。また、このような第１遮光膜１１３によれば、４０
０ｎｍ程度以下の波長領域を持つ光を確実に遮光できる
ので、青の波長成分による液晶の劣化を低減することが
できる。

【０１２６】また、本実施形態の液晶装置は、第１遮光
膜１１３が備えられているので、第１遮光膜１１３の遮
光性能が不十分であることによる光リーク電流がより一
層発生しにくく、より強力な光源を有する電子機器など
に好適に使用できる液晶装置とすることができる。

【０１２７】［第４の実施の形態］以下、本発明の第４
の実施の形態を図６を参照して説明する。

【０１２８】本実施形態が上述した第３の実施の形態と
異なるところは、図５に示す液晶装置に備えられている
第１遮光膜１１３のメタル層Ｍ３が、図６に示すよう
に、３層構造とされているところである。

【０１２９】上記のように本実施形態が第３の実施の形
態と異なるところは、第１遮光膜のみであるので、図６
には、ＴＦＴアレイ基板と第１遮光膜のみを図示し、図
５に示す第３の実施の形態と同様に、第１の実施の形態
と同様である他の部分については省略する。

【０１３０】図６において、符号１０は、ＴＦＴアレイ
基板１０を示している。このＴＦＴアレイ基板１０の上
には、バリア層Ｂ４、メタル層Ｍ６、メタル層Ｍ５、メ
タル層Ｍ４、バリア層Ｂ３が下から順に設けられた第１
遮光層１１５が設けられている。

【０１３１】メタル層Ｍ５、Ｍ６は第１実施形態のメタ
ル層と同じ光反射性のある金属単体または金属化合物で
なる。メタル層Ｍ５を挟むメタル層Ｍ４、Ｍ６は光吸収
性のＴｉＮなどの金属化合物でなる。

【０１３２】この第１遮光膜１１５のメタル層Ｍ４、Ｍ
５、Ｍ６の膜厚の合計は、上述した第１の実施の形態に
示した第１遮光膜１１１のメタル層Ｍ１と同様の膜厚で
形成されることが好ましい。

【０１３３】また、この第１遮光膜１１５のバリア層Ｂ
３、Ｂ４は、上述した第３の実施の形態に示した第１遮
光膜１１３のバリア層Ｂ３、Ｂ４と同様の材料および膜
厚で形成させても良い。

【０１３４】さらに、バリア層Ｂ３、Ｂ４を形成する材
料として、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉのい
ずれかを使用し、３層からなるメタル層Ｍ４、Ｍ５、Ｍ
６のうちメタル層Ｍ４、Ｍ６を形成する材料として、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｗのいずれかを使用し、メタル層の中央に位
置するメタル層Ｍ５を形成する材料として、中央に位置
するメタル層Ｍ５に使用した材料の窒素化合物、及びシ
リコン化合物を使用することがより好ましい。これによ
り膜の形成において、メタル層Ｍ４、Ｍ６がクラック等
といった、機械的な反応による収縮や伸長による破損を
防止できる。メタル層Ｍ５は、例えば、Ｗでも同様の効
果が得られる。

【０１３５】このような液晶装置を製造するには、ま
ず、石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基
板１０を用意し、その全面に、スパッタ、ＣＶＤ法によ
り、バリア層Ｂ４、光反射性のメタル層Ｍ６、光反射性
のメタル層Ｍ５、光吸収性のメタル層Ｍ４、バリア層Ｂ
３を下から順に形成する。その後、第１の実施の形態と
同様の方法などにより、ＴＦＴアレイ基板１０が形成さ
れる。さらに、第１の実施の形態と同様の方法などによ
り、対向基板２０が形成され、ＴＦＴアレイ基板１０と
貼り合わされて、液晶装置とされる。

【０１３６】この液晶装置に備えられている第１遮光膜
１１３においては、メタル層Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６が２層の
バリア層Ｂ３、Ｂ４の間に挟まれた状態となっているの
で、第１遮光膜１１３を形成した後に高温処理を行った
場合、第３の実施の形態と同様にして、第１遮光膜１１
３の遮光性能を確保することができる。したがって、優
れた遮光性能を有する第１遮光膜１１５となる。

【０１３７】さらに、メタル層は、画素スイッチング用
ＴＦＴ側を光吸収性のメタル層Ｍ４で形成しているの
で、メタル層Ｍ４に入射した光は吸収され画素スイッチ
ング用ＴＦＴに反射させることはない。また、メタル層
は、ＴＦＴアレイ基板１０側を光反射性のメタル層Ｍ６
で形成しているので、ＴＦＴアレイ基板１０側から入射
される光を反射することができる。このように、ＴＦＴ
の光リーク量をより抑える第１遮光膜１１５とすること
ができる。

【０１３８】また、バリア層Ｂ３、Ｂ４およびメタル層
Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６の関係が安定するので、第１遮光膜１
１５に、製造プロセス中の加熱冷却によるクラックが発
生しにくく、歩留まりの向上をはかることができる。

【０１３９】さらに、バリア層Ｂ３、Ｂ４を形成する材
料として、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉのい
ずれかを使用し、３層からなるメタル層Ｍ４、Ｍ５、Ｍ
６のうち中央に位置するメタル層Ｍ５を形成する材料と
して、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗのいずれかを使用し、バリア層Ｂ
３、Ｂ４側に位置するメタル層Ｍ６、Ｍ４を形成する材
料として、中央に位置するメタル層Ｍ５に使用した材料
の窒素化合物を使用した場合には、各層の物性の違いに
よるストレスがより一層少ないものとなり、各層の関係
がより一層安定するので、メタル層を３層構造とするこ
とによる効果をより一層高めることができる。

【０１４０】また、本実施形態の液晶装置は、第１遮光
膜１１５が備えられているので、第１遮光膜１１５の遮
光性能が不十分であることによる光リーク電流がより一
層発生しにくく、より強力な光源を有する電子機器など
に好適に使用できる液晶装置とすることができる。

【０１４１】なお、メタル層Ｍ６を形成しなくてもよ
い。また、２層のメタル層でなる遮光膜を画素スイッチ
ング用ＴＦＴ上に形成する場合は、ＴＦＴ側のメタル層
を光吸収性のメタル層に形成するとよい。

【０１４２】［第５の実施の形態］以下、本発明の第５
の実施の形態を図７を参照して説明する。

【０１４３】本実施形態が上述した第３の実施の形態と
異なるところは、図５に示す液晶装置に備えられている
第１遮光膜１１３に代えて、図７に示すように、メタル
層Ｍ３のＴＦＴアレイ基板１０側と反対側（図７におい
て上側）に設けられたバリア層Ｂ５が、メタル層Ｍ３の
ＴＦＴアレイ基板１０側（図７において下側）に設けら
れたバリア層Ｂ４の側面とメタル層Ｍ３の側面とを覆っ
て、ＴＦＴアレイ基板１０上に延出して形成されている
第１遮光膜１１４が備えられているところである。

【０１４４】上記のように本実施形態が第３の実施の形
態と異なるところは、第１遮光膜のみであるので、図７
には、ＴＦＴアレイ基板と第１遮光膜のみを図示し、図
５に示す第３の実施の形態と同様に、第１の実施の形態
と同様である他の部分については省略する。

【０１４５】図７において、符号１０は、ＴＦＴアレイ
基板１０を示している。このＴＦＴアレイ基板１０の上
には、バリア層Ｂ４と、バリア層Ｂ４の上に設けられた
メタル層Ｍ３と、メタル層Ｍ３上とバリア層Ｂ４側面と
メタル層Ｍ３側面とを覆ってＴＦＴアレイ基板１０上に
延出して形成されているバリア層Ｂ５とからなる第１遮
光層１１４が設けられている。

【０１４６】この第１遮光膜１１４のバリア層Ｂ４、Ｂ
５およびメタル層Ｍ３は、上述した第３の実施の形態に
示した第１遮光膜１１３のバリア層Ｂ３、Ｂ４およびメ
タル層Ｍ３と同様の材料および膜厚で形成させても良
い。

【０１４７】このような液晶装置を製造するには、ま
ず、石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基
板１０を用意し、その全面に、スパッタにより、バリア
層Ｂ４、メタル層Ｍ３を下から順に形成する。ついで、
フォトリソグラフィにより、第１遮光膜１１４のパター
ンに対応するレジストマスクを形成して、該レジストマ
スクを介してメタル層Ｍ３およびバリア層Ｂ４をエッチ
ングする。そして、このようにして形成されたメタル層
Ｍ３およびバリア層Ｂ４からなる膜を覆うように、スパ
ッタすることにより、メタル層Ｍ３上とメタル層Ｍ３側
面とバリア層Ｂ４側面とを覆い、ＴＦＴアレイ基板１０
上に延出するバリア層Ｂ５を形成する。続いて、バリア
層Ｂ５のＴＦＴアレイ基板１０上に延出する部分のうち
余分な部分をフォトリソグラフィによりエッチングする
ことにより、図７に示した第１遮光膜１１４が形成され
る。その後、第１の実施の形態と同様の方法などによ
り、ＴＦＴアレイ基板１０が形成される。さらに、第１
の実施の形態と同様の方法などにより、対向基板２０が
形成され、ＴＦＴアレイ基板１０と貼り合わされて、液
晶装置とされる。

【０１４８】この液晶装置に備えられている第１遮光膜
１１４においては、メタル層Ｍ３が２層のバリア層Ｂ
４、Ｂ５の間に挟まれた状態となっているので、第１遮
光膜１１４を形成した後に高温処理を行った場合、第３
の実施の形態と同様にして、第１遮光膜１１４の遮光性
能を確保することができる。

【０１４９】さらに、バリア層Ｂ５が、メタル層Ｍ３上
とバリア層Ｂ４側面とメタル層Ｍ３側面とを覆ってＴＦ
Ｔアレイ基板１０上に延出して形成されているので、第
１遮光膜１１４を形成した後に高温処理を行った場合、
メタル層Ｍ３の側面が酸素化合物になるのを、バリア層
Ｂ５が抑制するので、メタル層Ｍ３を形成している材料
が酸素化合物になることに起因する遮光性能の低下を一
層効果的に防止することができる。したがって、優れた
遮光性能を有する第１遮光膜１１４となる。

【０１５０】また、本実施形態の液晶装置は、第１遮光
膜１１４が備えられているので、第１遮光膜１１４の遮
光性能が不十分であることによる光リーク電流がより一
層発生しにくく、より強力な光源を有する電子機器など
に好適に使用できる液晶装置とすることができる。

【０１５１】なお、本発明の遮光膜は、第５の実施の形
態に示したように、バリア層Ｂ５とＴＦＴアレイ基板１
０との間に、メタル層Ｍ３とバリア層Ｂ４とが設けられ
たものとすることができるが、図７に示すメタル層Ｍ３
とバリア層Ｂ４との２層に代えて、例えば、第１〜第４
の実施の形態に示した第１遮光膜１１１、１１２、１１
３、１１４が設けられたものとしてもよい。

【０１５２】この場合、第１遮光膜１１１、１１２、１
１３、１１４上と側面とがバリア層Ｂ５によって覆われ
たものとなり、メタル層を形成している材料が酸素化合
物になることに起因する遮光性能の低下をより一層効果
的に防止することができ、より優れた遮光性能を有する
第１遮光膜とすることができる。

【０１５３】また、本発明の遮光膜は、上述した例に示
したように、液晶装置の第１遮光膜として好ましく使用
することができるが、第２遮光膜として使用することも
可能である。

【０１５４】また、第１〜第５実施形態で示される遮光
層は、画素スイッチング用ＴＦＴ上、例えば、画素スイ
ッチング用ＴＦＴとデータ線との間の層に形成してもよ
い。

【０１５５】また、固定電位に接続された遮光層は、バ
リア層とメタル層のうちどちらの層に接続されてもよ
い。

【０１５６】（電子機器）上記の実施形態の液晶装置を
用いた電子機器の一例として、投射型表示装置の構成に
ついて、図１０を参照して説明する。図１０において、
投射型表示装置１１００は、上述した液晶装置を３個用
意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ及び
９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光学系の概略構
成図を示す。本例の投射型表示装置の光学系には、光源
装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されてい
る。そして、投射型表示装置は、この均一照明光学系９
２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２
４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての
３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、
変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての
色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１０
０の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユ
ニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応す
るライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えて
いる。

【０１５７】均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板
９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射
ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が
直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３
の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリク
ス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源
装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２
１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。
そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の
矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２
５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光
学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射
光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合で
も、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ
を均一な照明光で照明することが可能となる。

【０１５８】各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイク
ロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー
９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青
緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに
含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射
され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向か
う。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の
反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出
射部９４４からプリズムユニット９１０の側に出射され
る。

【０１５９】次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２
において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１におい
て反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇ
のみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５か
ら色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイッ
クミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの
出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。本例
では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離
光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４
５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定され
ている。

【０１６０】色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、
Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光
レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、
各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これら
の集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。

【０１６１】このように平行化された赤色、緑色光束
Ｒ、Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して
変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。す
なわち、これらの液晶装置は、不図示の駆動手段によっ
て画像情報に応じてスイッチング制御されて、これによ
り、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青
色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバル
ブ９２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に
応じて変調が施される。尚、本例のライトバルブ９２５
Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光
手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段
９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置さ
れた液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる
液晶ライトバルブである。

【０１６２】導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４
６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射
ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの
反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライト
バルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３と
から構成されている。集光レンズ９４６から出射された
青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂ
に導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、
光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９
６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したが
って、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導
光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制す
ることができる。

【０１６３】各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２
５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成
プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そし
て、この色合成プリズム９１０によって合成された光が
投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投
射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。

【０１６４】本例では、液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、
９６２Ｂには、ＴＦＴの下側に遮光層が設けられている
ため、当該液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂから
の投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系によ
る反射光、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表
面からの反射光、他の液晶装置から出射した後に投射光
学系を突き抜けてくる投射光の一部等が、戻り光として
ＴＦＴアレイ基板の側から入射しても、画素電極のスイ
ッチング用のＴＦＴのチャネルに対する遮光を十分に行
うことができる。したがって、強力な光源を使用する場
合にも、光リーク電流が発生しにくい電子機器とするこ
とができる。

【０１６５】また、小型化に適したプリズムユニットを
投射光学系に用いても、各液晶装置９６２Ｒ、９６２
Ｇ、９６２Ｂとプリズムユニットとの間において、戻り
光防止用のフィルムを別途配置したり、偏光手段に戻り
光防止処理を施したりすることが不要となるので、構成
を小型且つ簡易化する上で大変有利である。

【０１６６】さらに、本実施形態では、戻り光によるＴ
ＦＴのチャネル領域への影響を抑えることができるた
め、液晶装置に直接戻り光防止処理を施した偏光手段９
６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂを貼り付けなくてもよい。
そこで、偏光手段を液晶装置から離して形成、より具体
的には、一方の偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂ
はプリズムユニット９１０に貼り付け、他方の偏光手段
９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂは集光レンズ９５３、９
４５、９４４に貼り付けることが可能である。このよう
に、偏光手段をプリズムユニットあるいは集光レンズに
貼り付けることにより、偏光手段の熱は、プリズムユニ
ットあるいは集光レンズで吸収されるため、液晶装置の
温度上昇を防止することができる。

【０１６７】また、図示を省略するが、液晶装置と偏光
手段とを離間形成することにより、液晶装置と偏光手段
との間には空気層ができるため、冷却手段を設け、液晶
装置と偏光手段との間に冷風等の送風を送り込むことに
より、液晶装置の温度上昇をさらに防ぐことができ、液
晶装置の温度上昇による誤動作を防ぐことができる。

【０１６８】

【実施例】以下、本発明を実施例を示して詳しく説明す
る。

【０１６９】[試験例１：バリア層の膜厚と透過率の関
係]図１１に試験例を示す。

【０１７０】この試験例は、絶縁基板上に、ＷＳｉの下
層バリア層、Ｔｉでなるメタル層、ＷＳｉの上方バリア
層でなる遮光膜を形成し、遮光膜に絶縁層を積層したも
のである。そして、上方バリア層の膜厚を２５ｎｍ、メ
タル層の膜厚を５０ｎｍとし、下層バリア層の厚さを０
〜４０ｎｍの範囲で変化させて試験を行った。なお、絶
縁層を積層して１０２０℃のアニール処理を施した後に
透過率（Ｙ値：５５０ｎｍ）を測定し、下層バリア層の
厚さと透過率（Ｙ値：５５０ｎｍ）の関係を調べたもの
である。

【０１７１】下層バリア層が０ｎｍでは、メタル層は絶
縁基板との酸化現象により、メタル層に酸化膜が形成さ
れ、透過率は１．６％であった。

【０１７２】下層バリア層の膜厚を５ｎｍにすると透過
率は１．０％で、２５ｎｍで０．６％であり、遮光性能
が優れていることが確認できた。また、この遮光膜は下
層バリア層の膜厚を３ｎｍとすると全体で７８ｎｍの厚
みであり、下層バリア層の膜厚が４０ｎｍであっても全
体で１１５ｎｍであるから、ＷＳｉの遮光膜よりはるか
に薄くできる。よって、ＴＦＴアレイ基板の配向膜の段
差は少なく液晶の配向不良を低減できることも確認でき
た。

【０１７３】[試験例２：第１の実施の形態の構成にお
けるメタル層の膜厚と透過率の関係]図１２に試験例を
示す。

【０１７４】この試験例は、絶縁基板上に、Ｔｉのメタ
ル層、ＷＳｉのバリア層でなる遮光膜を形成し、遮光膜
に絶縁層を積層したものである。そして、遮光膜の厚さ
を２００ｎｍになるように、メタル層の膜厚を５０〜１
５０ｎｍの範囲で変化させて試験を行った。なお、絶縁
層を積層して６８０℃のアニール処理を施した後に透過
率（Ｙ値：５５０ｎｍ）を測定し、メタル層厚さと透過
率（Ｙ値：５５０ｎｍ）の関係を調べたものである。ま
た、透過率の測定は面内５点ずつ行い、その平均値も求
めた。

【０１７５】メタル層の高温処理がかけられる絶縁膜側
の面のみにバリア層を形成しても、メタル層の膜厚が５
０ｎｍで０．００５％前後という優れた遮光性を示し
た。そして、メタル層が１００ｎｍ以上になると、透過
率は０に近い値を示した。

【０１７６】[試験例３：第２の実施の形態の構成にお
けるメタル層の膜厚と透過率の関係]図１３に試験例を
示す。

【０１７７】この試験例は、絶縁基板上に、ＷＳｉの
バリア層、Ｔｉのメタル層でなる遮光膜を形成し、遮光
膜に絶縁層を積層したものである。そして、遮光膜の厚
さを２００ｎｍになるように、メタル層の膜厚を５０〜
１５０ｎｍの範囲で変化させて試験を行った。なお、絶
縁層を積層して６８０℃のアニール処理を施した後に透
過率（Ｙ値：５５０ｎｍ）を測定し、メタル層厚さと透
過率（Ｙ値：５５０ｎｍ）の関係を調べたものである。
また、透過率の測定は面内５点ずつ行い、その平均値も
求めた。

【０１７８】メタル層の絶縁基板側の面のみにバリア層
を形成しても、メタル層の膜厚が５０ｎｍで０．０１５
％前後であり、２００ｎｍのＷＳｉの遮光膜と比較して
優れた遮光性を示した。そして、メタル層が１５０ｎｍ
になると、透過率は０に近い値を示した。

【０１７９】[試験例４：第３の実施の形態の構成にお
けるメタル層の膜厚と透過率の関係]図１４に試験例を
示す。

【０１８０】この試験例は、絶縁基板上に、ＷＳｉの下
層バリア層、Ｔｉでなるメタル層、ＷＳｉの上方バリア
層でなる遮光膜を形成し、遮光膜に絶縁層を積層したも
のである。そして、上方バリア層と下層バリア層の膜厚
を５０ｎｍとし、メタル層の厚さを１０〜１００ｎｍの
範囲で変化させて試験を行った。なお、絶縁層を積層し
て６８０℃のアニール処理を施した後に透過率（Ｙ値：
５５０ｎｍ）を測定し、下層バリア層の厚さと透過率
（Ｙ値：５５０ｎｍ）の関係を調べたものである。ま
た、透過率の測定は面内５点ずつ行い、その平均値も求
めた。

【０１８１】メタル層の膜厚が１０ｎｍで透過率は０．
０２０％前後であり、５０ｎｍ以上で透過率は０に近い
値を示すという、優れた遮光性能を示した。

【０１８２】以上述べた各試験例で、Ｗｓｉでなる遮光
膜より優れた遮光性能を持つ遮光膜であるという結果が
得られた。また、遮光膜の厚みも薄くできることから
も、絶縁膜に対する遮光膜の反りが少ないことも得られ
た。

【０１８３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
遮光膜は、遮光膜を形成した後に高温処理が行われて
も、酸素元素を含むＳｉＯ₂等の絶縁膜と面する遮光膜
の無酸素系の高融点の金属または金属化合物でなるバリ
ア層により、遮光膜のメタル層の酸化現象の発生を抑制
し、その結果、遮光膜の遮光性能を確保できる。

【０１８４】特に、本発明の電気光学装置用基板および
電気光学装置に上記の遮光膜を備えることにより、画素
スイッチング素子の光リーク電流の発生を抑制すること
ができ、かつ遮光膜による段差を少なくできるので、表
示品質の高い電気光学装置用基板および電気光学装置を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶装置の一実施形態における画像形成領域
を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種
素子、配線等の等価回路図である。

【図２】液晶装置の一実施形態におけるデータ線、走
査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】本発明の遮光膜の他の例を説明するための図
である。

【図５】本発明の遮光膜の他の例を説明するための図
である。

【図６】本発明の遮光膜の他の例を説明するための図
である。

【図７】本発明の遮光膜の他の例を説明するための図
である。

【図８】液晶装置の一実施形態におけるＴＦＴアレイ
基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の
側から見た平面図である。

【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１０】液晶装置を用いた電子機器の一例である投
射型表示装置の構成図である。

【図１１】バリア層の膜厚と透過率との関係を示した
グラフである。

【図１２】メタル層の膜厚と透過率との関係を示した
グラフである。

【図１３】メタル層の膜厚と透過率との関係を示した
グラフである。

【図１４】メタル層の膜厚と透過率との関係を示した
グラフである。

【図１５】従来の液晶装置の画素部内の断面構造を示
した図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層１ａ’…チャネル領域１ｂ…低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｃ…低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｄ…高濃度ソース領域１ｅ…高濃度ドレイン領域１０…ＴＦＴアレイ基板１１ａ、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５…第
１遮光膜１２…第１層間絶縁膜Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ５、Ｍ６…メタル層Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４…バリア層

フロントページの続きＦターム(参考） 2H042 BA12 BA15 BA20 2H091 FA08X FA08Z FA10X FA14 FA21X FA23Z FA26X FA35Y FA37X FD06 GA01 GA06 GA13 LA03 MA07 2H092 GA29 JA24 JB51 JB61 KA10 KB25 MA05 MA13 MA17 MA29 NA25 PA01 PA02 RA05 5F110 AA18 AA21 BB02 CC02 DD02 DD03 DD12 DD13 DD14 EE27 GG02 GG12 GG13 HJ13 HK03 HK05 HL07 HM14 HM15 NN42 NN44 NN45 NN46 NN54 NN55 NN72 NN73 QQ11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学物質を挟持した一対の基板と、
一方の基板上に設けられたスイッチング素子と、前記ス
イッチング素子に対向する位置に設けられた遮光膜とを
有する電気光学装置において、前記遮光膜は、高融点の金属単体または金属化合物であ
るメタル層と、前記メタル層の少なくとも一方の面に積層された無酸素
系の高融点の金属または金属化合物でなるバリア層を備
えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記遮光膜は、前記一方の基板と前記ス
イッチング素子間に配置され、前記スイッチング素子側
に前記遮光層の前記バリア層が面していることを特徴と
する請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】前記遮光膜は、前記電気光学物質側の前
記スイッチング素子上に配置されていることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】前記遮光膜のメタル層は、遮光性のメタ
ル層と光吸収性のメタル層で構成され、前記光吸収性の
メタル層は前記スイッチング素子側に面していることを
特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の
電気光学装置。
【請求項５】前記メタル層は前記バリア層で挟まれて
いることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
かに記載の電気光学装置。
【請求項６】他方の基板に、画素の表示領域を定義
し、高融点の金属単体または金属化合物であるメタル層
と、前記メタル層の少なくとも一方の面に積層された無
酸素系の高融点の金属または金属化合物でなるバリア層
するに形成された遮光膜を有することを特徴とする請求
項１ないし請求項５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】前記遮光膜は、固定電位に接続されるこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の電気光学装置。
【請求項８】前記バリア層は、窒素化合物、シリコン
化合物、タングステン化合物、タングステン、シリコン
のうちの１種からなることを特徴とする請求項１ないし
請求項７のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】前記バリア層は、ＷＳｉであることを特
徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電
気光学装置。
【請求項１０】前記メタル層は、Ｔｉであることを特
徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の電
気光学装置。
【請求項１１】前記バリア層は、前記メタル層の上面
及び下面に形成され、上面側バリア層の膜厚は下面側バ
リア層の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１０に記
載の電気光学装置。
【請求項１２】前記メタル層の膜厚は３０ｎｍから５
０ｎｍであり、前記上面側バリア層の膜厚は３０ｎｍか
ら１００ｎｍであり、下面側バリア層の膜厚は１０ｎｍ
から２０ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載
の電気光学装置。
【請求項１３】請求項１ないし請求項１２のいずれか
に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機
器。
【請求項１４】絶縁性基板上に設けられた遮光膜を有
する電気光学装置用基板において、前記遮光膜は、高融点の金属単体または金属化合物であ
るメタル層と、前記メタル層の少なくとも一方の面に積層された無酸素
系の高融点の金属または金属化合物でなるバリア層を備
えることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１５】絶縁性基板上に設けられた遮光膜を有
する電気光学装置用基板の製造方法において、前記絶縁性基板上に、高融点の金属単体または金属化合
物を成膜してメタル層を形成する工程と、前記メタル層上に、無酸素系の高融点の金属または金属
化合物を成膜してバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に、絶縁材料を成膜して絶縁膜を形成す
る工程を備えることを特徴とする電気光学装置用基板の
製造方法。
【請求項１６】前記メタル層を形成する前に、前記絶
縁性基板上に、無酸素系の高融点の金属または金属化合
物を成膜してバリア層を形成する工程を有することを特
徴とする請求項１５に記載の電気光学装置用基板の製造
方法。
【請求項１７】前記絶縁膜を形成する工程は、５００
℃以上１１００℃以下の熱処理をする工程を含むことを
特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の電気光
学装置用基板の製造方法。
【請求項１８】高融点の金属単体または金属化合物で
あるメタル層と、前記メタル層の少なくとも一方の面に積層された無酸素
系の高融点の金属または金属化合物でなるバリア層を備
えることを特徴とする遮光膜。
【請求項１９】前記バリア層は、窒素化合物、シリコ
ン化合物、タングステン化合物、タングステン、シリコ
ンのうちの１種からなることを特徴とする請求項１８に
記載の遮光膜。
【請求項２０】前記バリア層の窒素化合物が、Ｓｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、ＣｒＮのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１９に記載の遮光膜。
【請求項２１】前記バリア層のシリコン化合物が、Ｔ
ｉＳｉ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｒＳｉのいず
れかであることを特徴とする請求項１９に記載の遮光
膜。
【請求項２２】前記バリア層のタングステン化合物
が、ＴｉＷ、ＭｏＷのいずれかであることを特徴とする
請求項１９に記載の遮光膜。
【請求項２３】前記メタル層の金属単体が、Ｔｉ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｒｕのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１８に記載の遮光膜。
【請求項２４】前記メタル層の金属化合物が、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ、ＭｏＷのいずれか一方であることを特徴と
する請求項１８に記載の遮光膜。
【請求項２５】前記バリア層の膜厚が、１〜２００ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１８ないし請求項２４
のいずれかに記載の遮光膜。
【請求項２６】前記メタル層の膜厚が、１０〜２００
ｎｍであることを特徴とする請求項１８ないし請求項２
５のいずれかに記載の遮光膜。
【請求項２７】前記メタル層の両面に前記バリア層が
積層されていることを特徴とする請求項１８ないし請求
項２６のいずれかに記載の遮光膜。
【請求項２８】前記メタル層は、光反射性のメタル層
と光吸収性のメタル層で構成されることを特徴とする請
求項１８ないし請求項２７に記載の遮光膜。
【請求項２９】前記光吸収性のメタル層は、窒化化合
物であることを特徴とする請求項２８に記載の遮光膜。
【請求項３０】前記遮光性のメタル層の両面に、前記
光吸収性のメタル層を積層して構成されることを特徴と
する請求項２８または請求項２９に記載の遮光膜。
【請求項３１】高融点の金属単体または金属化合物で
あるメタル層と、前記メタル層の少なくとも一方の面に
積層された前記メタル層の酸化を保護する高融点の金属
または金属化合物でなる保護層を備えることを特徴とす
る遮光膜。