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JP2002280443A - ディスクキャリヤ - Google Patents

ディスクキャリヤ

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Publication number
JP2002280443A
JP2002280443A JP2001368110A JP2001368110A JP2002280443A JP 2002280443 A JP2002280443 A JP 2002280443A JP 2001368110 A JP2001368110 A JP 2001368110A JP 2001368110 A JP2001368110 A JP 2001368110A JP 2002280443 A JP2002280443 A JP 2002280443A
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substrate carrier
substrate
carrier
opening
openings
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Application number
JP2001368110A
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Nguyen Tein
ングイェン ティン
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WD Media LLC
Original Assignee
Komag Inc
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Publication date
Application filed by Komag Inc filed Critical Komag Inc
Publication of JP2002280443A publication Critical patent/JP2002280443A/ja
Publication of JP2002280443A5 publication Critical patent/JP2002280443A5/ja
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B17/00—Guiding record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor
    • G11B17/22—Guiding record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor from random access magazine of disc records
    • G11B17/226—Guiding record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor from random access magazine of disc records the magazine consisting of a single rotatable tray carrying the disks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スパッタリング中にディスクを保持するよう
になっていて、小さな基板サイズに適合した構造体を提
供する。 【解決手段】 本発明に従って構成された第１のディス
クキャリヤ（200）は、実質的に円形であり、これより
も大きな第２のディスクキャリヤ（100）に設けられた
開口部（104）内に配置できるような寸法形状になって
いる。一実施形態では、この大きな第２のディスクキャ
リヤは、例えば磁気ディスク製造方法の実施中に基板を
支持するのに用いられる従来型ディスクキャリヤであ
る。第１のディスクキャリヤは、円形であり、現在製造
されている通常の基板に等しい（又は、実質的に等し
い）直径を有している。したがって、第１のディスクキ
ャリヤは、第２のディスクキャリヤに嵌まった状態でこ
れによって保持可能である。第１のディスクキャリヤ
は、直径が第２のディスクキャリヤの開口部よりも実質
的に小さな１以上の基板を保持する１以上の開口部（20
2-1等）を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】本発明は、スパッタリング中、ディスク
を保持する構造体に関する。本発明はまた、磁気ディス
クを製造する方法及び装置に関する。
【０００２】磁気ディスクは代表的には、下部層、磁気
合金フィルム及び保護被膜をこの順序でディスク（円
板）の形をした基板上にスパッタリングすることにより
製造される。かかる方法の一例が、２０００年１１月２
１日にバーテロ（Bertero）氏等に付与された米国特許
第６，１５０，０１５号（以下、「バーテロ氏等特許」
という）に記載されており、かかる米国特許の内容を本
明細書の一部を形成するものとしてここに引用する。
【０００３】スパッタリング中、代表的には以下の工程
が実施される。 １．ディスクの形をした基板を「ディスクキャリヤ」内
に配置する。（基板は、ガラス、ガラスセラミック、ニ
ッケル燐合金でメッキされたアルミニウム又は他の適当
な材料であるのがよい。ニッケル燐合金は「ＮｉＰ」と
呼ばれることがある。） ２．或る製造方法では（全てというわけではない）、デ
ィスクキャリヤを基板を加熱するための発熱体越しに搬
送する。 ３．ディスクキャリヤは、基板を幾つかの組をなすスパ
ッタリングターゲット越しにスパッタリング装置中を搬
送する。 ４．次に、基板をディスクキャリヤから取り出す。
【０００４】種々の形式のディスクキャリヤが当該技術
分野で知られている。低温スパッタリングの実施中に用
いられるディスクキャリヤの例については、各々コマグ
・インコーポレイテッド（Komag, Inc.）に譲渡されて
いる米国特許第５，２４４，５５５号、第５，２９６，
１１８号及び第４，５９５，４８１号（以下、これらを
「コマグ特許」という場合がある）を参照されたい。な
お、これらコマグ特許の内容を本明細書の一部を形成す
るものとしてここに引用する。これらディスクキャリヤ
は、ディスク形の基板を受け入れる実質的に円形の開口
部を備えた垂直のプレートを有している。基板の外縁部
を受け入れてこれを保持する溝が、円形開口部の底部に
設けられている。低温スパッタリング法の実施中、基板
は、キャリヤ内に配置され、一組のスパッタリングター
ゲット越しに搬送される。基板は代表的には、スパッタ
リングに先立って発熱体越しに搬送されることはない。
したがって、キャリヤは、キャリヤに対する基板の大き
な熱膨張に順応する必要はない。
【０００５】１９９９年１０月２７日に出願され、コマ
グ・インコーポレイテッドに譲渡されている米国特許出
願第０９／４２８，３０１号（以下、「第´３０１号特
許出願」という）は、高温スパッタリング法に用いられ
る幾つかの形式のディスクキャリヤを教示し、これらを
請求対象としている。（第´３０１号特許出願の開示内
容を本明細書の一部を形成するものとしてここに引用す
る。）第´３０１号特許出願もまた、基板を受け入れる
円形開口部を備えた垂直プレートを有している。例え
ば、第´３０１号特許出願は、その図２Ａ〜図２Ｅ（本
願の図１Ａ〜図１Ｅに相当する）において、ディスク形
基板１０６を受け入れる実質的に円形の開口部１０４を
備えた垂直プレート１０２を有するディスクキャリヤ１
００の形態を示している。高温スパッタリング法の実施
中、キャリヤ１００は、基板１０６を、スパッタリング
に先立って発熱体越しに搬送する。基板１０６はキャリ
ヤ１００よりも熱質量が非常に低いので、基板１０６の
温度は、キャリヤ１００よりも２００℃以上高い場合が
ある。したがって、キャリヤ１００は、以下の特性を有
している。 １．開口部１０４は、基板１０６及びキャリヤ１００が
両方とも室温状態にある場合、基板１０６を保持できる
ような寸法形状になっていること。 ２．開口部１０４は、基板１０６がキャリヤ１００に対
して高温状態にある場合、キャリヤ１００を基板１０６
に圧接させて基板１０６が曲がったり弓反りになるよう
にすることなく、基板１０６を保持できること。
【０００６】基板１０６は、ディスクの形をしており、
室温におけるその直径は、９５．０２５mm（例えば、半
径が約４７．５１３mm）であり、室温におけるその厚さ
は、０．８０mm、３００℃におけるその直径は、９５．
５７２mm、３００℃におけるその厚さは、０．８９０mm
である。基板１０６には中央開口部１０７が形成されて
いる。基板１０６は代表的には、ＮｉＰでメッキされた
アルミニウム合金から成る。
【０００７】キャリヤ１００の開口部１０４は、上側円
形部分１０４ｕ及び下側円形部分１０４ｌを有してい
る。上側円形部分１０４ｕは、中心をＣとして約４８．
８２mmに等しい半径Ｒ１を有している。（半径Ｒ１は、
室温状態における基板半径よりも大きい。）開口部１０
４の下側部分１０４ｌは、約１７６°の円弧にわたって
延びている。下側円形部分１０４ｌ内には、基板１０６
の外縁部１０６ａを受け入れる溝１０８が設けられてい
る（図１Ｃ〜図１Ｅ）。溝１０８は、円形部分１０４ｌ
の長さに沿って連続的に延びている。溝１０８は、約１
００°の角度α１をなす側壁１０８ａ，１０８ｂと、幅
Ｗ１が約０．２５mmのフロア１０８ｃとを有している。
開口部１０４の中心Ｃと溝１０８の頂部１０８ｔとの間
の距離Ｄ１（図１Ａ）は代表的には、４７．４２４mm〜
４７．４５４mmである（即ち、基板半径よりも小さ
い）。開口部１０４の中心Ｃと溝１０８のフロア１０８
ｃとの間の距離は代表的には、４７．９０７mm〜４７．
９３７mmである（即ち、基板半径よりも大きい）。溝１
０８は、点１０９ａ，１０９ｂに達すると終端する。点
１０９ａ，１０９ｂは、開口部１０４の水平方向直径よ
りも約２°下のところに位置している。
【０００８】室温状態では、基板１０６の半径は、４
７．５１３mm、厚さは、０．８００mmである。かくし
て、基板１０６が室温状態にあって溝１０８内に位置し
ているとき、基板１０６の縁部１０６ａは、溝１０８の
フロア１０８ｃから約０．１２mmの距離Ｄ２のところに
ある（図１Ｅ′）。基板の温度が３００℃の場合、縁部
１０６ａは、フロア１０８ｃから約０．１６mmのところ
に位置する。基板１０６は、基板１０６が室温状態（約
２０℃）にあるとき、溝１０８によって適切に支持され
る。しかしながら、室温状態では溝１０８のフロア１０
８ｃの半径が基板半径よりも大きいので、キャリヤ１０
０は、基板１０６が外方に弓反りになるようにさせない
で、基板１０６の熱膨張に順応することができる。ある
高温法の実施中、基板１０６は、スパッタリング前に、
約２００℃の温度まで加熱される。
【０００９】点１０９ａ，１０９ｂの上方で溝１０８は
終端し、深さＤ４が約６．３５mmの凹部１１２（図１
Ｄ）が、キャリヤ１００の側部０１１４に形成されてい
る。凹部１１２の壁は、直線方向に延びる第１及び第２
の部分１１２ａ，１１２ｂ（図１Ａ）と、第３の湾曲し
た部分１１２ｃとを有している。凹部１１２により、キ
ャリヤ１００の側部１１４からの基板１０６の装入取出
し（積み下ろし）が可能になる。（しかしながら、基板
１０６をキャリヤ１００の他方の側１１７から装入する
ことは容易には実施できない。）凹部１１２の壁の湾曲
部分１１２ｃは、円形であり、中心点Ｃよりも約４．４
４mm上方の距離Ｄ３のところの点Ｃ′から約５３．８０
mmの半径Ｒ２を有している。直線状の壁１１２ａ，１１
２ｂは、点Ｃ′から約５２．１０mmの距離Ｄ４のところ
に位置している。
【００１０】スパッタリング中、基板１０６をプラズマ
に当てやすくするために、ベベル１１６がキャリヤ１０
０の側部１１４に形成されている。同様に、これ又、ス
パッタリング中、プラズマを基板１０６に当てやすくす
るために、ベベル１１８が、キャリヤ１００の側部１１
７に形成されている。ベベル１１６，１１８は、キャリ
ヤ１００の側部と角度２６°の角度γ１をなしている
（図１Ｅ）。ベベル１１６，１１８は円形であり、中心
Ｃからの半径Ｒ３は、約５７．１６mmである（図１
Ａ）。
【００１１】図１Ｃは、溝１０８が終端している図１Ａ
の一部Ｐ１の拡大図である。理解できるように、壁１１
２ａの下には、下方に且つ開口部１０４に向かって右側
へ湾曲した壁１１２ｄが設けられ、この壁は、凹部１１
２を境界付けている。壁１１２の曲率半径Ｒ４は、約４
mmである。
【００１２】第´３０１号特許出願は、別形態におい
て、溝１０８を、開口部の最も下の点（例えば、点１０
９ａ，１０９ｂの近く）から遠ざかるよりも開口部の最
も下の点（例えば、点１０９ｃの近く）のところの方に
おいて浅くすることができることを教示している。これ
により、基板が室温状態にあるときに基板を開口部から
脱落させないでキャリヤが基板を保持することが容易に
なる。第´３０１号特許出願は、開口部１０４が、ホル
ダを１００の何れの側からも開口部１０４内への基板１
０６の挿入を可能にするように形作られた別の実施形態
を教示している。（図１Ｄ′参照。）上述のように、第
´３０１号特許出願の内容を本明細書の一部を形成する
ものとしてここに引用する。
【００１３】磁気ディスクは、標準サイズで提供されて
いる。最も一般的なサイズのうちの一つは、直径が９５
mmのディスクである。したがって、かかるディスクを製
造するのに用いられる基板は、直径が約９５mm（例え
ば，９５．０２５mm）であり、かかるディスクを製造す
るのに用いられる基板キャリヤは、かかる基板を受け入
れるよう設計された開口部を備えている。
【００１４】最近、より小さなサイズのディスクが導入
された。例えば、直径が約２７mmのディスクが設計され
ている。通常、これにより、製造装置を手直しして新し
い基板サイズに適合させる必要がある。例えば、全く新
しい基板キャリヤを設計して製作することが必要であ
る。しかしながら、かかる手直しは費用がかかり且つ困
難である。労力を最小限にしてこの小さな基板サイズに
適合できるようにすることが望ましい。
【００１５】
【発明の概要】本発明による第１の基板キャリヤは、堆
積方法（例えば、スパッタリング法）の実施中、１以上
の基板（例えば、５枚の基板）を保持する。一実施形態
では、基板は、現在一般的な直径の基板よりも小さな直
径（例えば、９５mm以下）を有している。
【００１６】一実施形態では、第１の基板キャリヤは、
第２の基板キャリヤに設けられた開口部に嵌まり込む。
第２のキャリヤの開口部は、実質的に円形であり、例え
ば直径が９５mmの基板を受け入れることができるような
寸法形状になっている。第２の基板キャリヤは、第´３
０１号特許出願又は先に引用したコマグ特許に従って構
成されたキャリヤであってよい。第２のキャリヤもま
た、別のキャリヤ設計に従って作られたものであってよ
い。しかしながら、本発明の方法の実施中、基板を単に
搬送するのではなく、第２のキャリヤは、第１の基板キ
ャリヤを搬送し、第１の基板キャリヤは、１以上の基板
を保持する。
【００１７】一実施形態では、第２のキャリヤは、基板
又は第１のキャリヤのいずれかを受け入れる１つの開口
部を有している。別の実施形態では、第２のキャリヤ
は、複数の基板又は複数のキャリヤのいずれかを受け入
れる２以上の開口部を有していてもよい。
【００１８】第１及び第２の基板キャリヤは、低温スパ
ッタリング法に合わせて設計可能である。変形例とし
て、第１及び第２のキャリヤを、高温スパッタリング法
に合わせて設計できる。
【００１９】一実施形態では、第１及び第２のキャリヤ
を、スパッタリング法と関連して用いることができる。
別の実施形態では、第１及び第２のキャリヤを、多種類
の堆積方法、例えば化学的気相成長法、プラズマ促進式
化学的気相成長法、陰極アーク蒸着法又はイオンビーム
蒸着法と関連して用いることができる。
【００２０】一実施形態では、基板は、磁気ディスク製
造中に用いられる。かかる基板は、金属製（例えば、Ｎ
ｉＰでメッキされたアルミニウム合金）、ガラス、ガラ
スセラミック又は他の材料であるのがよい。別の実施形
態では、基板は、他形式の製造法、例えば集積回路の製
造の際に用いられる。
【００２１】一実施形態では、キャリヤは、インライン
方式スパッタリング装置と関連して用いられる。変形例
として、キャリヤを静的スパッタリング装置と関連して
用いてもよい。
【００２２】静的スパッタリング装置では、従来技術に
おいて、基板キャリヤは、最大２枚の基板を保持し、物
質を一度に１枚の基板上にしかスパッタすることができ
なかった。本発明では、元のキャリヤを改造しないで、
スパッタリング装置は、スパッタリングターゲットから
の物質を一度に数枚の基板、例えば５枚の基板に同時に
スパッタすることができる。かくして、本発明のキャリ
ヤは、数枚の基板上に層を同時に堆積させ、それによ
り、かかるキャリヤを用いた場合にスループットを増大
させることができるという利点を備えている。換言する
と、従来利用されていたスパッタリング装置及びキャリ
ヤよりも多くの基板に同時に堆積を可能にすることによ
りスループットが増大する。
【００２３】
【詳細な説明】図２Ａ〜図２Ｅは、本発明に従って構成
されたディスクキャリヤ２００を示している。ディスク
キャリヤ２００は実質的に円形であり、その直径Ｄ２０
は、約９５mmである。キャリヤ２００は、ディスク基板
を保持するための５つの実質的に互いに同一の円形開口
部２０２−１〜２０２−５を有している。（当然のこと
ながら、他の実施形態では、キャリヤ２００は、５より
も多い数又は少ない数の開口部２０２を有してもよ
い。）一実施形態では、これらディスク基板（図示せ
ず）は、ディスクの形をしており、その外形は、約２
７．４００±０．０５０mm、内径は、約７．０１２±
０．０１２ミリメートル、厚さは、約０．２５０±０．
０２０mmであるが、他のサイズの基板（及びかくして他
のサイズの開口部）を使用してもよい。キャリヤ２００
は、スパッタリング中、ディスク基板を保持するのに用
いられる。特に、使用中、基板は、開口部２０２−１〜
２０２−５の各々の中に装入され、キャリヤ２００は、
これら基板をスパッタリングターゲット越しに搬送し、
ここで、種々の磁気ディスク層が、基板上に堆積され、
磁気ディスクが製造される。）上述したように、これら
層は代表的には、１以上の下部層、１以上の磁気合金層
及び１以上の保護被膜を有している。また、上述したよ
うに、かかる製造法の一例は、上述のバーテロ氏等特許
に記載されている。）しかる後、例えば基板をカセット
内に入れることにより、基板をキャリヤ２００から取り
出す。
【００２４】図２Ｃ〜図２Ｅに示すように、各開口部２
０２の下側部分２０２ｌは、基板の外縁部を受け入れて
これを保持する溝２０４を有している。溝２０４は、溝
２０４の底部２０４ｂが、溝の中に装入されるべき基板
の半径よりも大きな半径を持つ円弧にわたって延びると
いう特徴を有している。一実施形態では、この円弧は、
中心点Ｇ（図２Ｅ）の周りに延び、その半径Ｒ２０は、
約１３．７２２mmである。溝２０４の頂部２０４は、中
心が点Ｇに位置した円弧にわたって延び、その半径Ｒ２
１は、１３．２２２mmである。これとは対照的に、溝２
０４に装入されるべき基板の半径は、１３．７００±
０．０２５mmである。このため、もし基板が熱膨張によ
り膨張しても、開口部２０２は、基板を弓反りにさせた
り又は曲げることなく、基板を依然として保持すること
ができる。（この場合もまた、ここに記載した寸法は単
なる例示であり、他の寸法を用いることができるという
ことは注目されるべきである。） 開口部２０２は、上側円形部分２０２ｕを有している
（図２Ｅ）。上側部分２０２ｕは、中心点Ｈの周りに１
４．２６１mmの半径Ｒ２３を持つ円弧に沿って延びてい
る。中心点Ｈは、中心点Ｇよりも約１．４２mmの距離Ｄ
２２上のところに位置している。半径Ｒ２３が基板の半
径よりも大きく、しかも上側部分２０２ｕの中心点Ｈが
下側部分２０２ｌの中心点Ｇよりも上に位置しているの
で、基板をキャリヤ２００のいずれの側からでも溝２０
４に容易に装入することができる。
【００２５】溝２０４は、約３０°の角度α２をなす内
壁２０４−ｗ１，２０４−ｗ２を有している。溝２０４
の近くに位置するキャリヤ２００の外壁２０６−ｗ 1，
２０６−ｗ２は、ベベルを形成し、互いに対して約９０
°の角度γ２をなして延びている。このベベルは、スパ
ッタリングチャンバ内においてキャリヤ２００内へ装入
された基板をプラズマに当てやすくする。壁２０６−ｗ
１，２０６−ｗ２の外縁部２０６ｅは、中心点Ｇから約
１４．３０mmの半径Ｒ２４を持つ円弧にわたって延びて
いる。
【００２６】上述のように、従来型基板１０６は、直径
が約９５mmであり、ディスクキャリヤ、例えば、図１Ａ
〜図１Ｅのキャリヤ１００内へ装入されていた。キャリ
ヤ１００は、かかる基板を保持する開口部１０４を有し
ている。本発明によれば、キャリヤ２００は、キャリヤ
１００の開口部１０４に装入される。キャリヤ２００の
直径は９５mmなので、これは容易に開口部１０４に嵌ま
り込む。かくして、現在用いられている設備（９５mmデ
ィスク製造向きの設備）を用いてこれよりも小径のディ
スク（例えば、直径が２７．４mmのディスク）を製造す
ることができる。図２Ｃ、図２Ｄ−１及び図２Ｄ−３で
分かるように、リップ２１０が、キャリヤ２００の外周
部から延びている。リップ２１０の幅Ｗ５は、１．２０
mmであるのがよい。リップ２１０の高さＨ１は、２mmで
あるのがよい。一実施形態では、リップ２１０を、キャ
リヤ１００の溝１０８内に挿入することができる。
【００２７】キャリヤ１００は代表的には基板の熱膨張
に順応するよう設計されるが、キャリヤ２００は、キャ
リヤ１００に対してそれほど膨張しないのが一般的であ
る。一実施形態では、この理由は、キャリヤ１００，２
００が低温スパッタリング法で用いられるからである。
別の実施形態では、この理由は、キャリヤ１００の熱質
量が使用中、キャリヤ１００に対して温度が非常に大き
くは高くならないようなものだからである。かくして、
キャリヤ２００を、キャリヤ２００の熱膨張が生じると
非常によく順応するキャリヤと連携して用いる必要がな
い。しかしながら、変形実施形態では、使用中、キャリ
ヤ１００に対して膨張するキャリヤ２００を提供するこ
とができる。かかる実施形態では、キャリヤ１００は代
表的には、かかる膨張に順応するよう設計される。
【００２８】また、図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃに示すよ
うに、中央開口部２２０が設けられている。この開口部
は、Ｕ字形底部２２０ａ及び平らな頂部２２０ｂを有し
ている。平らな金属部材２２２が、中央開口部２２０の
頂部を横切って延び、この平らな部材２２２の底縁部２
２２ａが、キャリヤ２００を吊り上げてこれをキャリヤ
１００に出し入れするのに用いられるツール３００を受
け入れる凹み２２２ｂを有している。ツール３００は、
図３Ａ〜図３Ｃに示されており、キャリヤ２００をスパ
ッタリングに先立って開口部１０４内に配置し、スパッ
タリング後は開口部１０４から取り出すよう設計されて
いる。
【００２９】図３を参照すると、ツール３００は、端部
品３０４に取り付けられたアーム３０２を有している。
端部品３０４は、開口部２２０内に設けられた構造体と
嵌合するよう設計されている。特に、端部品３０２は、
切欠き３０６が切断形成された一般的な円柱の形をして
いる。切欠き３０６は、約１．３ミルの幅Ｗ６及び約
３．０ミルの深さＤ６を有し、図２Ａ及び図２Ｂの平ら
な部材２２２と嵌合するよう設計されている。開口部２
２０、部材２２２及び端部品３０４の独特な形状によ
り、キャリヤ２００をツール３００で掴んだとき、キャ
リヤ２００の表又は側部が上になるようにすることがで
きる。これにより、取扱い中、基板がキャリヤ２００か
ら落下しないようになる。
【００３０】アーム３０２が、キャリヤ２００を（例え
ば、スパッタリングの前後に）カセットに出し入れしや
すいよう端部品３０４の軸線Ａに対して角度θ（図３
Ｃ）をなしている。
【００３１】図２Ａ及び図２Ｂに戻ると、キャリヤ１０
０は、５つの比較的小径の穴２５０−１，２５０−２，
２５０−３，２５０−４及び２５０−５を有している。
これら穴は、主として機械加工目的のためなので、これ
以上詳細には説明しない。
【００３２】上述のように、キャリヤ２００をキャリヤ
１００内に入れたり、これから取り出したりすることが
できる。キャリヤ２００は、キャリヤ２００が、別のキ
ャリヤに設けられた実質的に円形の開口部内に嵌まり込
むことができるように実質的に円形の外部を有してお
り、この別のキャリヤは、これより大径の基板（例え
ば、直径が９５mmの基板）を搬送するよう設計されたも
のである。一実施形態では、キャリヤ２００を次のよう
に用いることができる。第１に、一組の小径の基板をキ
ャリヤ２００の開口部２０２内に配置する。これは、手
動又はロボットオートメーションの何れを用いても行う
ことができる。しかる後、ツール３００を用いてキャリ
ヤ２００をピックアップし、これをカセット内に配置す
ることができる。キャリヤ２００は代表的には、通常の
磁気ディスク基板の直径とほぼ同一の直径を有している
ので、従来型カセットを用いて一組のキャリヤ２００を
保持して搬送することができる。（当然のことながら、
カセットは、当該技術分野で周知である。これについて
は、例えば、コマグ・インコーポレイテッドに譲渡され
た米国特許第５，６５７，６１２７号を参照されたい。
なお、かかる米国特許の内容を本明細書の一部を形成す
るものとしてここに引用する。）
【００３３】しかる後、キャリヤ２００を、カセットか
ら取り出して、例えばキャリヤ１００のようなキャリヤ
の開口部内に配置することができる。これは、ツール３
００の設計を備えたツールを用いて達成できる。ツール
３００が非対称の形をしているので、かかる操作が容易
になる。特に、ツール３００は一方向で開口部２２０内
へ嵌まり込むに過ぎないので、キャリヤ２００を、これ
が逆さまになるように偶発的に差し向けることは一般的
には可能ではない。
【００３４】キャリヤ２００をキャリヤ１００内に配置
した後、２つのキャリヤ１００，１２００は、基板を発
熱体越しに（このにするかどうかは任意である）及び種
々の組をなすスパッタリングターゲット越しに搬送す
る。しかる後、キャリヤ２００をキャリヤ１００から取
り出して同一設計の他のキャリヤと一緒にカセット内に
配置することができる。この場合もまた、これは、ツー
ル３００の設計を持つ同一又は異なるツールを用いて達
成できる。その後、手動で又はロボットオートメーショ
ンを用いてディスクをキャリヤ２００から取り出すこと
ができる。
【００３５】本発明を特定の実施形態と関連して説明し
たが、当業者であれば、本発明の精神及び範囲から逸脱
することなく形態及び細部において種々の設計変更例を
想到できることは理解されよう。例えば、上述の寸法形
状は単なる例示にすぎず、他のサイズの構造体を使用し
てもよい。また、基板キャリヤを、種々の形式の堆積
法、例えば、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、イオンビーム蒸着
法、陰極アーク蒸着法及び他の堆積法の実施中に使用す
ることができる。キャリヤ２００内の開口部（及びこの
中に支持されている基板）は、実質的に円形である必要
はない。（例えば、キャリヤ２００内の開口部及びこの
中の基板は、矩形であってもよい。）さらに、キャリヤ
１００内の開口部（及びキャリヤ２００の外部）は、円
形である必要はない。（キャリヤ１００内の開口部及び
キャリヤ２００の外部は、矩形であっても良い。）ディ
スクキャリヤを、任意適当な中実材料で作ってもよい。
基板は、面取りされた縁部又は面取りされていない縁部
を備えていてもよい。（これについては、ＰＣＴ出願公
開明細書ＷＯ０１／１０５９５Ａ１を参照されたい。な
お、かかるＰＣＴ出願公開明細書の開示内容を本明細書
の一部を形成するものとしてここに引用する。）
【００３６】ツール３００以外の手段を用いてキャリヤ
２００をキャリヤ１００に出し入れし、或いはカセット
に出し入れすることができる。キャリヤ１００をキャリ
ヤ２００内へ装入する前に基板をキャリヤ１００内へ装
入するのがよい。変形例として、キャリヤ１００をキャ
リヤ２００内へ装入した後に、基板をキャリヤ１００内
へ装入してもよい。
【００３７】キャリヤ１００をキャリヤ２００から取り
出した後に基板をキャリヤ１００から取り出すのがよ
い。変形例として、キャリヤ１００をキャリヤ２００か
ら取り出す前に基板をキャリヤ１００から取り出しても
よい。さらに別の実施形態では、キャリヤ２００をキャ
リヤ１００から取り外す必要はない。
【００３８】キャリヤ１００，２００をスパッタリング
のために用いる実施形態では、種々の層を基板の片側に
のみスパッタすることができる。変形例として、種々の
層を基板の両面にスパッタすることができる。（かかる
実施形態では、キャリヤは代表的には、基板を幾つかの
対をなすスパッタリングターゲット相互間に搬送し、ス
パッタリングターゲットの各対は、物質を基板上に堆積
させるのに用いられる。）上述したように、堆積に先立
って、キャリヤは、基板を１以上の発熱体越しに搬送す
るのがよい（なお、このようにするかどうかは任意であ
る）。（基板の各側に１つずつ２つの発熱体を設けるの
がよい。）したがって、かかる設計変更は全て、本発明
の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】同時継続出願第０９／４２８，３０１号に記
載された第１の形態に従って構成されたディスクキャリ
ヤの第１の側を示す図である。
【図１Ａ′】基板を支持する図１Ａのディスクキャリヤ
を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａのディスクキャリヤの第２の側を示す
図である。
【図１Ｃ】図１Ａのディスクキャリヤの一部Ｐ１の拡大
図である。
【図１Ｄ】図１ＡのディスクキャリヤのＤ−Ｄ線矢視断
面図である。
【図１Ｄ′】開口部が基板をキャリヤのいずれの側から
でもキャリヤに挿入できるように形作られたディスクキ
ャリヤの別の形態の断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｄの一部Ｐ２の拡大図である。
【図１Ｅ′】ディスクキャリヤが基板を保持していると
きの一部Ｐ２を示す図である。
【図２Ａ】本発明に従って構成されたディスクキャリヤ
の斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ａのディスクキャリヤの側面図である。
【図２Ｃ】図２Ａ及び図２Ｂのディスクキャリヤを断面
で示す図である。
【図２Ｄ−１】図２Ａ〜図２Ｃに示すディスクキャリヤ
の一部の拡大断面図である。
【図２Ｄ−２】図２Ａ〜図２Ｃに示すディスクキャリヤ
の一部の拡大断面図である。
【図２Ｄ−３】図２Ａ〜図２Ｃに示すディスクキャリヤ
の一部の拡大断面図である。
【図２Ｅ】図２Ａ〜図２Ｄのディスクキャリヤ内の開口
部に設けられた溝を示す図である。
【図３Ａ】図２のディスクキャリヤを図１のディスクキ
ャリヤに入れたりこれから出したりするためのツールの
平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａのツールの側面図である。
【図３Ｃ】図３Ａ及び図３Ｂのツールの正面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１月１８日（２００２．１．１
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】同時継続出願第０９／４２８，３０１号に記載
された第１の形態に従って構成されたディスクキャリヤ
の第１の側を示す図である。
【図２】基板を支持する図１のディスクキャリヤを示す
図である。
【図３】図１のディスクキャリヤの第２の側を示す図で
ある。
【図４】図１のディスクキャリヤの一部Ｐ１の拡大図で
ある。
【図５】図１のディスクキャリヤのＤ−Ｄ線矢視断面図
である。
【図６】開口部が基板をキャリヤのいずれの側からでも
キャリヤに挿入できるように形作られたディスクキャリ
ヤの別の形態の断面図である。
【図７】図５の一部Ｐ２の拡大図である。
【図８】ディスクキャリヤが基板を保持しているときの
一部Ｐ２を示す図である。
【図９】本発明に従って構成されたディスクキャリヤの
斜視図である。
【図１０】図９のディスクキャリヤの側面図である。
【図１１】図９及び図１０のディスクキャリヤを断面で
示す図である。
【図１２】図９〜図１１に示すディスクキャリヤの一部
の拡大断面図である。
【図１３】図９〜図１１に示すディスクキャリヤの一部
の拡大断面図である。
【図１４】図９〜図１１に示すディスクキャリヤの一部
の拡大断面図である。
【図１５】図９〜図１４のディスクキャリヤ内の開口部
に設けられた溝を示す図である。
【図１６】図９〜図１１のディスクキャリヤを図１〜図
８のディスクキャリヤに入れたりこれから出したりする
ためのツールの平面図である。
【図１７】図１６のツールの側面図である。
【図１８】図１６及び図１７のツールの正面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１６】
【図１７】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１５】
【図１８】
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA02 AA09 AA24 BD11 CA05 KA02 5D112 FA04 FB25 KK01 5F031 CA01 DA01 FA05 FA07 FA11 FA12 FA18 GA30 GA67 HA09 HA12 HA42 HA45 HA60 MA29 PA16

Claims (53)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １以上の基板を第１の基板キャリヤ内へ
    装入する段階を有する方法であって、前記第１の基板キ
    ャリヤは、１以上の開口部を有し、前記１以上の開口部
    は各々、基板をそれぞれ１つずつ受け入れ、前記第１の
    基板キャリヤは、前記第１のキャリヤを第２の基板キャ
    リヤに設けられた開口部に装入することができるような
    外部を備えていることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記第１の基板キャリヤを前記第２の基
    板キャリヤの前記開口部に装入する段階を更に有してい
    ることを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記１以上の基板を前記第１の基板キャ
    リヤ内へ装入する段階及び前記第１の基板キャリヤを前
    記第２の基板キャリヤの前記開口部に装入する段階の実
    施後に物質を前記１以上の基板上に堆積させる段階を更
    に有していることを特徴とする請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記１以上の基板を前記第１の基板キャ
    リヤ内へ装入する段階は、前記第１の基板キャリヤを前
    記第２の基板キャリヤの前記開口部に装入する段階の実
    施前に達成されることを特徴とする請求項２記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 前記１以上の基板は実質的にディスクの
    形をしており、前記第１の基板キャリヤは、前記第２の
    基板キャリヤの前記開口部と嵌合する実質的に円形の外
    部を備えていることを特徴とする請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記第１の基板キャリヤを前記第２の基
    板キャリヤの前記開口部に装入する段階を更に有し、前
    記一体の基板キャリヤの前記開口部は実質的に円形であ
    ることを特徴とする請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記第２の基板キャリヤの前記開口部
    は、実質的にディスクの形をした基板を受け入れること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記第１の基板キャリヤを前記第２の基
    板キャリヤの前記開口部に装入する段階と、前記１以上
    の基板が前記第１の基板キャリヤによって保持されると
    共に前記第１の基板キャリヤかき前記第の基板キャリヤ
    によって保持されている間に物質を前記１以上の基板上
    に堆積させる段階とを更に有することを特徴とする請求
    項１記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記堆積後、前記１以上の基板を前記第
    １の基板キャリヤから取り出す段階を更に有しているこ
    とを特徴とする請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記堆積後、前記第１の基板キャリヤ
    を前記第２の基板キャリヤの前記開口部から取り出す段
    階を更に有していることを特徴とする請求項８記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】 前記堆積後、前記第１の基板キャリヤ
    をカセット内へ装入する段階を更に有していることを特
    徴とする請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 第１の基板キャリヤを第２の基板キャ
    リヤの開口部に装入する段階を有する方法であって、前
    記第１の基板キャリヤは、基板を受け入れる１以上の開
    口部を有していることを特徴とする方法。
  13. 【請求項１３】 前記１以上の開口部は各々、基板を受
    け入れてこれを保持することを特徴とする請求項１２記
    載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記基板はディスクの形をしており、
    前記第の基板キャリヤの前記開口部は、ディスクの形を
    した基板を受け入れるように形作られていることを特徴
    とする請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記第１の基板キャリヤを前記第２の
    基板キャリヤの前記開口部に装入した後、物質を前記基
    板上に堆積させる段階を更に有していることを特徴とす
    る請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１の基板キャリヤは、前記第２
    の基板キャリヤと嵌合する実質的に円形の外部を備えて
    いることを特徴とする請求項１２記載の方法。
  17. 【請求項１７】 １以上の基板を第１の基板キャリヤ内
    へ装入する段階を有し、前記第１の基板キャリヤは、第
    ２の基板キャリヤに設けられた開口部によって受け入れ
    られるような形状の外部を備えており、前記第１の基板
    キャリヤをカセット内へ装入する段階を更に有している
    ことを特徴とする方法。
  18. 【請求項１８】 前記第１の基板キャリヤを前記カセッ
    トから取り出す段階と、前記第１の基板キャリヤを前記
    第２の基板キャリヤの前記開口部に装入する段階とを更
    に有していることを特徴とする請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記第１の基板キャリヤは、実質的に
    円形の外部を備え、前記第２の基板キャリヤの前記開口
    部は、前記第１の基板キャリヤの前記実質的に円形の外
    部を受け入れることを特徴とする請求項１７記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】 カセットを準備する段階を有し、前記
    カセットは、少なくとも１つの基板キャリヤを収容し、
    前記基板キャリヤは、少なくとも１つの開口部を備え、
    前記開口部は基板を収容し、前記少なくとも１つの基板
    キャリヤを前記カセットから取り出す段階を更に有して
    いることを特徴とする方法。
  21. 【請求項２１】 前記取出し段階の実施後、前記少なく
    とも１つの基板キャリヤを第２の基板キャリヤ内に設け
    られた開口部に装入する段階を更に有していることを特
    徴とする請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記少なくとも１つの基板キャリヤ
    は、第２の基板キャリヤと嵌合するように形作られた外
    部を備えていることを特徴とする請求項２０記載の方
    法。
  23. 【請求項２３】 前記少なくとも１つの基板キャリヤ
    は、実質的に円形の外部を備えていることを特徴とする
    請求項２０記載の方法。
  24. 【請求項２４】 １以上の開口部を有する第１の基板キ
    ャリヤを準備する段階を有し、前記１以上の開口部のう
    ち少なくとも１つは基板を保持し、前記第１の基板キャ
    リヤは、第２の基板キャリヤによって保持されており、
    物質を前記基板上に堆積させる段階を更に有しているこ
    とを特徴とする方法。
  25. 【請求項２５】 前記第１の基板キャリヤは、前記第２
    の基板キャリヤ内に設けられた開口部と嵌合する実質的
    に円形の外部を備えていることを特徴とする請求項２４
    記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記堆積段階は、前記物質を前記基板
    上にスパッタリングする段階から成ることを特徴とする
    請求項２４記載の方法。
  27. 【請求項２７】 １以上の開口部を有する第１の基板キ
    ャリヤを準備する段階を有し、前記１以上の開口部のう
    ち少なくとも１つは基板を保持し、前記第１の基板キャ
    リヤは、第２の基板キャリヤによって保持されており、
    前記第１の基板キャリヤを前記第２の基板キャリヤから
    取り出す段階を更に有していることを特徴とする方法。
  28. 【請求項２８】 前記第１の基板キャリヤは、前記第２
    の基板キャリヤ内に設けられた開口部と嵌合する実質的
    に円形の外部を備えていることを特徴とする請求項２７
    記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記取出し段階の実施前に、物質を前
    記基板上に堆積させる段階を更に有していることを特徴
    とする請求項２７記載の方法。
  30. 【請求項３０】 １以上の開口部を有する第１の基板キ
    ャリヤを準備する段階を有し、前記１以上の開口部のう
    ち少なくとも１つは基板を保持し、前記第１の基板キャ
    リヤは、第２の基板キャリヤによって保持されており、
    前記１以上の基板を前記第１の基板キャリヤから取り出
    す段階を更に有していることを特徴とする方法。
  31. 【請求項３１】 前記第１の基板キャリヤは、前記第２
    の基板キャリヤ内に設けられた開口部と嵌合する実質的
    に円形の外部を備えていることを特徴とする請求項３０
    記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記準備段階は、少なくとも１つの基
    板を前記１以上の開口部のうち少なくとも１つに設ける
    段階から成り、前記方法は、前記取出し段階の実施前に
    物質を前記少なくとも１つの基板上に堆積させる段階を
    更に有していることを特徴とする請求項３０記載の方
    法。
  33. 【請求項３３】 基板を保持する少なくとも第１の開口
    部及びツールを受け入れる少なくとも第２の開口部を有
    する第１の基板キャリヤを準備する段階と、前記第２の
    開口部と嵌合した状態でこれによって受け入れられる部
    材を有するツールを準備する段階と、前記部材を前記第
    ２の開口部に嵌合させて前記第１の基板キャリヤが前記
    ツールによって保持されるようにする段階とを有するこ
    とを特徴とする方法。
  34. 【請求項３４】 前記ツールは、前記第１の基板キャリ
    ヤをカセットから取り出すことを特徴とする請求項３３
    記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記ツールは、前記第１の基板キャリ
    ヤをカセット内に入れることを特徴とする請求項３３記
    載の方法。
  36. 【請求項３６】 前記ツールは、前記第１の基板キャリ
    ヤを第２の基板キャリヤ内に入れることを特徴とする請
    求項３３記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記第１の基板キャリヤは、実質的に
    円形の外部を備え、前記第の基板キャリヤは、実質的に
    ディスクの形をした構造体を受け入れる開口部を有して
    いることを特徴とする請求項３６記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記ツールは、前記第１の基板キャリ
    ヤを第２の基板キャリヤから取り出すことを特徴とする
    請求項３３記載の方法。
  39. 【請求項３９】 基板を保持する少なくとも１つの開口
    部及び第２の基板キャリヤによって保持される外部を備
    えた第１の基板キャリヤを有することを特徴とする装
    置。
  40. 【請求項４０】 第２の基板キャリヤを更に有し、前記
    第１の基板キャリヤは、前記第２の基板キャリヤ内の開
    口部内に保持されることを特徴とする請求項３９記載の
    装置。
  41. 【請求項４１】 前記第１の基板キャリヤは、カセット
    によって保持されることを特徴とする請求項３９記載の
    装置。
  42. 【請求項４２】 前記第１の基板キャリヤは、堆積装置
    内に位置していることを特徴とする請求項３９記載の装
    置。
  43. 【請求項４３】 前記第１の基板キャリヤは、実質的に
    円形の外部を備えていることを特徴とする請求項３９記
    載の装置。
  44. 【請求項４４】 前記第１の基板キャリヤは、ツールと
    嵌合する第２の開口部を有し、前記装置は、前記第２の
    開口部と嵌合するような形状の部材を備えたツールを更
    に有していることを特徴とする請求項３９記載の装置。
  45. 【請求項４５】 第１のホルダをカセット内へ装入する
    段階を有し、前記第１のホルダが、基板を受け入れる１
    以上の開口部を備え、前記第１のホルダが、第２のホル
    ダによって受け入れられる外部を備えていることを特徴
    とする方法。
  46. 【請求項４６】 第１のホルダをカセットから取り出す
    段階項有し、前記第１のホルダは、基板を受け入れる１
    以上の開口部を備え、第１のホルダが、第２のホルダに
    よって受け入れられる外部を備えていることを特徴とす
    る方法。
  47. 【請求項４７】 各々が基板を保持する１以上の開口部
    を備えた第１のホルダを有する装置において、前記装置
    は、基板を前記第１のホルダの前記開口部の各々の中に
    入れると第１の数の基板上への物質の堆積を同時に可能
    にするようになっており、第２のホルダを前記第１のホ
    ルダの前記開口部のうち少なくとも１つの中に入れる段
    階を有する方法であって、前記第２のホルダは、基板を
    保持する複数の開口部を有し、前記第２のホルダは、物
    質を同時に堆積させることができる基板の数を増加させ
    ることができることを特徴とする方法。
  48. 【請求項４８】 前記装置は、静的スパッタリング装置
    であり、前記装置、基板を前記第１のキャリヤの前記１
    以上の開口部の各々の中に入れると、物質を一度に１つ
    の基板上にだけ堆積させることができ、前記装置は、前
    記第のキャリヤを前記第１のキャリヤの開口部内に入れ
    ると、物質を一度に複数の基板上に堆積させることがで
    きることを特徴とする請求項４７記載の方法。
  49. 【請求項４９】 各々が基板を保持する１以上の開口部
    を備えた第１のホルダを有する堆積装置であって、前記
    堆積装置は、基板を前記第１のホルダの前記開口部の各
    々の中に入れると、物質を第１の数の基板上に同時に堆
    積させることができ、前記堆積装置は、前記第１のホル
    ダの前記開口部のうち少なくとも１つの中に入れられる
    第２のホルダを更に有し、前記第２のホルダは、基板を
    保持する複数の開口部を備え、前記第２のホルダは、物
    質を同時に堆積させることができる基板の数を増加させ
    ることができることを特徴とする堆積装置。
  50. 【請求項５０】 前記装置は、静的スパッタリング装置
    であり、前記装置、基板を前記第１のキャリヤの前記１
    以上の開口部の各々の中に入れると、物質を一度に１つ
    の基板上に堆積させることができ、前記装置は、前記第
    のキャリヤを前記第１のキャリヤの開口部内に入れる
    と、物質を一度に複数の基板上に堆積させることができ
    ることを特徴とする請求項４９記載の装置。
  51. 【請求項５１】 前記第１の基板キャリヤを前記第２の
    基板キャリヤの前記開口部に装入する段階は、前記１以
    上の基板を前記第１の基板キャリヤ内へ装入する前記段
    階の実施前に達成されることを特徴とする請求項２記載
    の方法。
  52. 【請求項５２】 前記第１の基板キャリヤは、基板を保
    持する複数の開口部を有し、前記方法は、複数の基板を
    前記第１の基板キャリヤ内へ装入する段階を更に有して
    いることを特徴とする請求項１記載の方法。
  53. 【請求項５３】 前記第１の基板キャリヤが、実質的に
    円形の外部を備え、前記第２の基板キャリヤは、実質的
    にディスクの形をした構造体項を受け入れてこれを保持
    する開口部を備え、前記第の基板キャリヤの前記開口部
    は、前記第１の基板キャリヤを保持し、前記ツールは、
    前記第１の基板キャリヤを前記第２の基板キャリヤの前
    記開口部から取り出すことを特徴とする請求項３８記載
    の方法。
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