JP2002280748A - 高周波基板構造 - Google Patents
高周波基板構造Info
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- JP2002280748A JP2002280748A JP2001081815A JP2001081815A JP2002280748A JP 2002280748 A JP2002280748 A JP 2002280748A JP 2001081815 A JP2001081815 A JP 2001081815A JP 2001081815 A JP2001081815 A JP 2001081815A JP 2002280748 A JP2002280748 A JP 2002280748A
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- Japan
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- circuit
- frequency
- substrate
- outer layer
- layer pattern
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Abstract
(57)【要約】
【課題】良好な特性を維持しつつ効率よく小型化を図り
得る高周波基板の構造を提供する。 【解決手段】共通の基板１０にＤＣ回路３とＲＦ回路４
とを形成し、基板１０におけるＤＣ回路３が形成される
部分にのみ、内層パターン１を形成する。内層パターン
１を形成することにより、ＤＣ回路３の省サイズ化を図
る。ＲＦ回路４が形成される部分には、内層パターン１
を形成せず、マイクロストリップライン７を形成する。
マイクロストリップライン７により高周波信号を伝送す
ることにより、ＲＦ回路４の省サイズ化を図る。さら
に、基板１０の一方の面に、スルーホール５を介してＲ
Ｆ回路４に接続されるグランド面６を形成し、良好なグ
ランドを確保できるようにした。
得る高周波基板の構造を提供する。 【解決手段】共通の基板１０にＤＣ回路３とＲＦ回路４
とを形成し、基板１０におけるＤＣ回路３が形成される
部分にのみ、内層パターン１を形成する。内層パターン
１を形成することにより、ＤＣ回路３の省サイズ化を図
る。ＲＦ回路４が形成される部分には、内層パターン１
を形成せず、マイクロストリップライン７を形成する。
マイクロストリップライン７により高周波信号を伝送す
ることにより、ＲＦ回路４の省サイズ化を図る。さら
に、基板１０の一方の面に、スルーホール５を介してＲ
Ｆ回路４に接続されるグランド面６を形成し、良好なグ
ランドを確保できるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯通信
機、またはミリ波帯通信機など、特に高い周波数帯で使
用される基板の構造の改良に関する。
機、またはミリ波帯通信機など、特に高い周波数帯で使
用される基板の構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年になり、無線通信における信号帯域
は広くなる傾向にあり、それに伴って搬送波の周波数も
高くなってきている。このような高周波帯で使用される
通信機器には、特別の配慮が必要とされる。特に、電源
部などが形成される直流回路（以下ＤＣ回路と称する）
と、高周波送受信部などが形成される無線回路（以下Ｒ
Ｆ回路と称する）の形成に、工夫を要する。
は広くなる傾向にあり、それに伴って搬送波の周波数も
高くなってきている。このような高周波帯で使用される
通信機器には、特別の配慮が必要とされる。特に、電源
部などが形成される直流回路（以下ＤＣ回路と称する）
と、高周波送受信部などが形成される無線回路（以下Ｒ
Ｆ回路と称する）の形成に、工夫を要する。
【０００３】ところで、ＤＣ回路およびＲＦ回路は、い
ずれも誘電体などの基板上に形成される。従来の高周波
基板構造にあっては、ＤＣ回路とＲＦ回路とがそれぞれ
別々の基板に形成され、それらをコネクタを介して接続
する構成が主流であった。しかしながら、信号の周波数
が高くなればなるほど、配線のインピーダンス成分やイ
ンダクタンス成分の影響が大きくなり、コネクタを介し
た接続の際にインピーダンス不整合を生じ易くなる。ま
たコネクタや配線材などが必要となることから、省サイ
ズ化の面からも不利である。
ずれも誘電体などの基板上に形成される。従来の高周波
基板構造にあっては、ＤＣ回路とＲＦ回路とがそれぞれ
別々の基板に形成され、それらをコネクタを介して接続
する構成が主流であった。しかしながら、信号の周波数
が高くなればなるほど、配線のインピーダンス成分やイ
ンダクタンス成分の影響が大きくなり、コネクタを介し
た接続の際にインピーダンス不整合を生じ易くなる。ま
たコネクタや配線材などが必要となることから、省サイ
ズ化の面からも不利である。
【０００４】一方、省サイズ化を図るため、ＲＦ回路を
多層基板構成とした高周波回路構造が知られている。し
かしながらこのような構造においては、内層にグランド
を配置したり、基板をざぐるなどの施策が必要である。
このためグランドが不充分になったり、コストがアップ
するという不具合がある。
多層基板構成とした高周波回路構造が知られている。し
かしながらこのような構造においては、内層にグランド
を配置したり、基板をざぐるなどの施策が必要である。
このためグランドが不充分になったり、コストがアップ
するという不具合がある。
【０００５】省サイズ化を図るための別の施策として、
両面基板構造がある。しかしながらこの種の構造におい
ても、特にＤＣ回路における部品実装や配線あるいはケ
ースの加工の点で不利な点が多く、むしろ全体としての
基板の面積が大きくなる虞がある。
両面基板構造がある。しかしながらこの種の構造におい
ても、特にＤＣ回路における部品実装や配線あるいはケ
ースの加工の点で不利な点が多く、むしろ全体としての
基板の面積が大きくなる虞がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように従来
の高周波基板構造にあっては、高周波回路部と直流回路
部とを一体形成する場合に、小型化を図ることが難しい
という不具合があった。特に、信号の周波数が高くなれ
ばなるほど、この不具合が顕著になるために、何らかの
対処が望まれている。
の高周波基板構造にあっては、高周波回路部と直流回路
部とを一体形成する場合に、小型化を図ることが難しい
という不具合があった。特に、信号の周波数が高くなれ
ばなるほど、この不具合が顕著になるために、何らかの
対処が望まれている。
【０００７】本発明は上記事情によりなされたもので、
その目的は、良好な特性を維持しつつ効率よく小型化を
図り得る高周波基板の構造を提供することにある。
その目的は、良好な特性を維持しつつ効率よく小型化を
図り得る高周波基板の構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係わる高周波基板構造は、同一基板に直流回
路と高周波回路とを形成してなる高周波基板構造であっ
て、前記基板の直流回路形成部分は外層及び内層に配線
パターンを形成する構造とし、高周波回路形成部分は外
層のみに配線パターンを形成する構造としたことを特徴
とする。また本発明に係わる高周波基板構造では、前記
高周波回路に、前記基板の外層に形成されたストリップ
ラインを備えることを特徴とする。
に本発明に係わる高周波基板構造は、同一基板に直流回
路と高周波回路とを形成してなる高周波基板構造であっ
て、前記基板の直流回路形成部分は外層及び内層に配線
パターンを形成する構造とし、高周波回路形成部分は外
層のみに配線パターンを形成する構造としたことを特徴
とする。また本発明に係わる高周波基板構造では、前記
高周波回路に、前記基板の外層に形成されたストリップ
ラインを備えることを特徴とする。
【０００９】このような手段を講じることにより、直流
回路（ＤＣ回路）は多層基板構造となり、集積度を向上
させることが可能になり、回路の小型化を図ることが可
能になる。また、高周波回路（ＲＦ回路）には内層パタ
ーンが挿入されず、基板の表裏に基板の厚みを活かした
ストリップラインが形成される。そうして、信号ケーブ
ルなどを介することなく、ストリップラインを介した高
周波信号の伝送が可能になるため、ＲＦ回路部の省サイ
ズ化を図ることが可能になる。このようなことから、高
周波回路と直流回路を同一の多層基板に一体形成した省
サイズ化ができると共に、回路の良好な特性を維持する
ことができる。
回路（ＤＣ回路）は多層基板構造となり、集積度を向上
させることが可能になり、回路の小型化を図ることが可
能になる。また、高周波回路（ＲＦ回路）には内層パタ
ーンが挿入されず、基板の表裏に基板の厚みを活かした
ストリップラインが形成される。そうして、信号ケーブ
ルなどを介することなく、ストリップラインを介した高
周波信号の伝送が可能になるため、ＲＦ回路部の省サイ
ズ化を図ることが可能になる。このようなことから、高
周波回路と直流回路を同一の多層基板に一体形成した省
サイズ化ができると共に、回路の良好な特性を維持する
ことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形
態に係わる高周波基板の構造を示す断面図である。図１
において、基板１０は基板１１、１２、１３を積層し、
内層パターン１、外層パターン２、及びグランド面３と
が形成され、いわゆる多層基板構造となっている。外層
パターン２には、ＤＣ回路（直流回路）４でＲＦ回路
（高周波回路）５の両側を挟むように形成される。ＤＣ
回路４は、ＲＦ回路５の駆動電圧などを発生するもの
で、ＤＣ回路４で発生された電圧は図示しない電源供給
線などでＲＦ回路５に供給される。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形
態に係わる高周波基板の構造を示す断面図である。図１
において、基板１０は基板１１、１２、１３を積層し、
内層パターン１、外層パターン２、及びグランド面３と
が形成され、いわゆる多層基板構造となっている。外層
パターン２には、ＤＣ回路（直流回路）４でＲＦ回路
（高周波回路）５の両側を挟むように形成される。ＤＣ
回路４は、ＲＦ回路５の駆動電圧などを発生するもの
で、ＤＣ回路４で発生された電圧は図示しない電源供給
線などでＲＦ回路５に供給される。
【００１１】基板１０におけるＤＣ回路４が形成される
部分には内層パターン１が設けられ、内層パターン１に
はＤＣ回路４に係わる配線またはグランドのパターンが
形成される。外層バターン２のＤＣ回路４部分、内層パ
ターン１及びグランド面３とは、スルーホールや端面ビ
アホール等（図示しない）により接続される。すなわち
本実施形態では、内層パターン１を形成してＤＣ回路４
を多層構造とし、これによりＤＣ回路部分の省サイズ化
を図るようにしている。
部分には内層パターン１が設けられ、内層パターン１に
はＤＣ回路４に係わる配線またはグランドのパターンが
形成される。外層バターン２のＤＣ回路４部分、内層パ
ターン１及びグランド面３とは、スルーホールや端面ビ
アホール等（図示しない）により接続される。すなわち
本実施形態では、内層パターン１を形成してＤＣ回路４
を多層構造とし、これによりＤＣ回路部分の省サイズ化
を図るようにしている。
【００１２】一方、基板１０におけるＲＦ回路５が形成
される部分には、内層パターン１を設けない代わりに、
外層パターン２のＲＦ回路５の部分にストリップ導体６
を形成し、このストリップ導体６とグランド面３とでマ
イクロストリップライン７が形成される。ＲＦ回路５に
おいてはこのマイクロストリップライン７を介して高周
波信号が伝送される。さらに、ＲＦ回路５はスルーホー
ル８を介してグランド面３に接続されている。
される部分には、内層パターン１を設けない代わりに、
外層パターン２のＲＦ回路５の部分にストリップ導体６
を形成し、このストリップ導体６とグランド面３とでマ
イクロストリップライン７が形成される。ＲＦ回路５に
おいてはこのマイクロストリップライン７を介して高周
波信号が伝送される。さらに、ＲＦ回路５はスルーホー
ル８を介してグランド面３に接続されている。
【００１３】このように本実施形態では、共通の基板１
０にＤＣ回路４とＲＦ回路５とを形成したことにより、
ＤＣ回路４とＲＦ回路５とを接続するのにコネクタなど
を介する必要が無くなり、省サイズ化を図ることができ
るとともに、インピーダンス不整合の虞を無くすること
が可能になる。更には、基板１０の最外層にグランド面
３が形成されているため、筐体ケースへの接地の際に都
合が良く、良好なグランドを確保することが可能にな
る。また、本実施の形態ではＲＦ回路５の両側をＤＣ回
路４で挟んだ構成になっているので、このＲＦ回路から
発生する高周波の他の回路への影響を低減することがで
きる。
０にＤＣ回路４とＲＦ回路５とを形成したことにより、
ＤＣ回路４とＲＦ回路５とを接続するのにコネクタなど
を介する必要が無くなり、省サイズ化を図ることができ
るとともに、インピーダンス不整合の虞を無くすること
が可能になる。更には、基板１０の最外層にグランド面
３が形成されているため、筐体ケースへの接地の際に都
合が良く、良好なグランドを確保することが可能にな
る。また、本実施の形態ではＲＦ回路５の両側をＤＣ回
路４で挟んだ構成になっているので、このＲＦ回路から
発生する高周波の他の回路への影響を低減することがで
きる。
【００１４】他の実施の形態に関る高周波基板の構造に
ついて図２を用いて説明する。図１の構成と同様の部分
については説明を省略する。
ついて図２を用いて説明する。図１の構成と同様の部分
については説明を省略する。
【００１５】図１の実施の形態とは異なり、外層パター
ン２には、ＤＣ回路（直流回路）４の両側をＲＦ回路
（高周波回路）５で挟むように形成される。このため、
省サイズ化を図ることができるとともに、インピーダン
ス不整合の虞を無くすることが可能になるだけではな
く、送受信回路を一体化した高周波基板の構造で形成で
きる。これは、送信系のＲＦ回路と受信系のＲＦ回路の
間にそれぞれの電源等を供給するＤＣ回路を形成するた
め、共通の電源等を供給するＤＣ回路を利用できると共
に、送信系のＲＦ回路と受信系のＲＦ回路とのアイソレ
ーションがＤＣ回路を挟むことで実現できる。
ン２には、ＤＣ回路（直流回路）４の両側をＲＦ回路
（高周波回路）５で挟むように形成される。このため、
省サイズ化を図ることができるとともに、インピーダン
ス不整合の虞を無くすることが可能になるだけではな
く、送受信回路を一体化した高周波基板の構造で形成で
きる。これは、送信系のＲＦ回路と受信系のＲＦ回路の
間にそれぞれの電源等を供給するＤＣ回路を形成するた
め、共通の電源等を供給するＤＣ回路を利用できると共
に、送信系のＲＦ回路と受信系のＲＦ回路とのアイソレ
ーションがＤＣ回路を挟むことで実現できる。
【００１６】以上のことから、本発明は良好な特性を維
持しつつ効率よく小型化を図り得る高周波基板の構造を
提供することが可能になる。
持しつつ効率よく小型化を図り得る高周波基板の構造を
提供することが可能になる。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明では、共通の
基板にＤＣ回路部とＲＦ回路部と一体形成している。そ
の際、ＤＣ回路部を、内層パターンを有する多層基板構
造として形成し、またＲＦ回路部を、内層パターンの無
い単層基板構造として形成するようにした。このように
したことで、コネクタなどの接続部品を必要とせず、良
好な電気的特性を維持しつつ効率よく小型化を図り得る
高周波基板の構造を提供することが可能になる。
基板にＤＣ回路部とＲＦ回路部と一体形成している。そ
の際、ＤＣ回路部を、内層パターンを有する多層基板構
造として形成し、またＲＦ回路部を、内層パターンの無
い単層基板構造として形成するようにした。このように
したことで、コネクタなどの接続部品を必要とせず、良
好な電気的特性を維持しつつ効率よく小型化を図り得る
高周波基板の構造を提供することが可能になる。
【図１】 本発明の実施形態に係わる高周波多層基板の
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図２】 本発明の他の実施形態に係わる高周波多層基
板の構造を示す断面図。
板の構造を示す断面図。
１０…基板 １１，１２，１３…積層される基板 １…内層パターン ２…外層パターン ３…グランド面 ４…ＤＣ（直流）回路 ５…ＲＦ（無線）回路 ６…ストリップ導体 ７…マイクロストリップライン ８…スルーホール
Claims (8)
- 【請求項１】 同一基板に直流回路と高周波回路とを形
成してなる高周波基板構造であって、 前記基板の直流回路形成部分は外層及び内層に配線パタ
ーンを形成する構造とし、高周波回路形成部分は外層の
みに配線パターンを形成する構造としたことを特徴とす
る高周波基板構造。 - 【請求項２】 前記直流回路形成部分の外層と前記高周
波回路形成部分の外層を同一層としたことを特徴とする
請求項１記載の高周波基板構造。 - 【請求項３】 前記基板の一方の外層側をグランド層と
し、他方の外層側を前記直流回路形成部分及び前記高周
波回路形成部分の各外層として用いることを特徴とする
請求項１記載の高周波基板構造。 - 【請求項４】 前記高周波回路は、前記基板の外層に形
成されたストリップラインを備えることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。 - 【請求項５】 前記高周波回路における前記基板の両方
の外層を、スルーホールで接続したことを特徴とする請
求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。 - 【請求項６】 前記直流回路における前記基板の各層の
間をスルーホールで接続したことを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。 - 【請求項７】 前記高周波回路の両側に前記直流回路を
設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記
載の高周波基板構造。 - 【請求項８】 前記直流回路の両側に前記高周波回路を
設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記
載の高周波基板構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081815A JP2002280748A (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 高周波基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081815A JP2002280748A (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 高周波基板構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280748A true JP2002280748A (ja) | 2002-09-27 |
| JP2002280748A5 JP2002280748A5 (ja) | 2004-08-19 |
Family
ID=18937846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001081815A Abandoned JP2002280748A (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 高周波基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8552815B2 (en) | 2009-06-05 | 2013-10-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | High-frequency line structure for impedance matching a microstrip line to a resin substrate and method of making |
| JP2018152805A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波装置 |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001081815A patent/JP2002280748A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8552815B2 (en) | 2009-06-05 | 2013-10-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | High-frequency line structure for impedance matching a microstrip line to a resin substrate and method of making |
| JP2018152805A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060322 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20060519 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |