JP2002201437A - 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 - Google Patents
接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造Info
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Abstract
ルテープの位置ずれやパネルのそり変形のない電気・電
子用の接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法
及び回路端子の接続構造を提供する。 【解決手段】 (1)加熱により遊離ラジカルを発生す
る硬化剤、(2)ラジカル重合性物質、(3)フィルム
形成材、(4)色素を必須成分として含有する接着剤組
成物。第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二
の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端
子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配置し
た第一の接続端子と第二の接続端子の間に前記の接着剤
組成物を介在させ、加圧とともに前記の接着剤組成物に
光を照射して前記対向配置した第一の接続端子と第二の
接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法。
Description
れを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
に関する。特に、OUTER-LEAD-BONDING実装(以降OLB
実装と呼ぶ)またはCHIP-ON-GLASS実装(以下COG実
装と呼ぶ)における回路端子の接続方法及び回路端子の
接続構造に関する。
ICの実装は、液晶駆動用ICの実装されたフレキシブ
ルテープとガラスパネルとを回路接続部材で接合するO
LB実装方法や、液晶駆動用ICを直接ガラスパネル上
に回路接続部材で接合するCOG実装方法が用いられ
る。接合には、フレキシブルテープあるいはIC側から
高温のヒートツールで加熱圧着する方法が用いられる。
この時、接合部分に温度勾配が生じ、フレキシブルテー
プあるいはICとガラスの熱収縮量の差によって、OL
B実装の場合フレキシブルテープとガラスの電極間で位
置ずれが生じたり、あるいはCOG実装の場合、パネル
の反り変形が生じ表示にムラが出るといった問題があ
る。そこで、これらの問題を解決するため、接合時に光
を照射し回路接続部材を加熱することで熱によるOLB
実装及びCOG実装における接合品質の低下を防ぐ方法
が開発されている(例えば特開平3−070869号公
報)。
続部材は着色した粒子を用いることから、照射した光の
熱エネルギーへの変換が不十分で、安定した接続抵抗値
を得るのに十分ではなく、また着色した粒子は絶縁性で
あるため、粒子の充填量を増やすと回路接続部分の電気
抵抗値が上昇し、接続信頼性が低下するという問題があ
った。本発明は、OLB実装やCOG実装に対して低抵
抗の電気接続が得られ、かつフレキシブルテープの位置
ずれやパネルのそり変形のない電気・電子用の接着剤組
成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の
接続構造を提供するものである。
は、相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路
電極を加圧とともに光を照射し、加圧方向の電極間を電
気的に接続する接着剤組成物であって、(1)加熱によ
り遊離ラジカルを発生する硬化剤、(2)ラジカル重合
性物質、(3)フィルム形成材、(4)色素を必須成分
として含有する接着剤組成物である。色素の極大吸収波
長が、300nm〜2000nmであると好ましく、6
00nm〜1600nmであるとより好ましい。色素の
極大吸収波長が300nm未満の場合、照射した光はガ
ラスパネルに吸収される割合が多く、また2000nm
より大きい場合、その波長の光が光源に含まれる割合が
低いため、回路接続材を十分に加熱することが出来ず、
接続部分の電気抵抗値が上昇してしまうので好ましくな
い。本発明に用いら光源は、可視光から近赤外光を含む
ものであるならば特に制限はなく、ハロゲンランプやキ
セノンランプ、半導体レーザ等を用いることができる。
本発明では、(1)加熱により遊離ラジカルを発生する
硬化剤、(2)ラジカル重合性物質、(3)フィルム形
成材、(4)色素に、さらに導電性粒子を含有すると好
ましい接着剤組成物である。導電性粒子として、表面
が、金、銀、白金属の金属から選ばれる少なくとも一種
で構成されるものを使用することが好ましい。本発明の
回路端子の接続方法は、第一の接続端子を有する第一の
回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材と
を、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置
し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子
の間に上記の接着剤組成物を介在させ、例えば、光源か
ら照射される光を透過する透明な受け台と加圧ヘッドで
挟み、加圧とともに光を照射して前記対向配置した第一
の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続させるもの
である。このとき、加圧用ヘッドを加熱してもよい。接
続端子の少なくとも一方の表面が金、銀、錫、白金族の
金属、インジュウム−錫酸化物(ITO)から選ばれる
少なくとも一種で構成させることができる。接続端子を
支持する少なくとも一方の基板はガラスで構成させるこ
とができる。少なくとも一方の回路部材表面が窒化シリ
コン、シリコーン化合物、ポリイミド樹脂から選ばれる
少なくとも一種でコーティングもしくは付着しているこ
とができる。本発明の回路端子の接続構造は、上記した
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続
端子を有する第二の回路部材とが、第一の接続端子と第
二の接続端子を対向して配置されており、前記対向配置
した第一の接続端子と第二の接続端子の間に上記の接着
剤組成物が介在されており、前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子が電気的に接続されているもの
である。
としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリ
ウレタン樹脂等が挙げられる。フィルム形成材とは、液
状物を固形化し、構成組成物をフィルム形状とした場合
に、そのフィルムの取扱いが容易で、容易に裂けたり、
割れたり、べたついたりしない機械特性等を付与するも
のであり、通常の状態でフィルムとしての取扱いができ
るものである。フィルム形成材の中でも接着性、相溶
性、耐熱性、機械強度に優れることからフェノキシ樹脂
が好ましい。フェノキシ樹脂は、2官能フェノール類と
エピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、又は2
官能エポキシ樹脂と2官能フェノール類を重付加させる
ことにより得られる樹脂である。具体的には、2官能フ
ェノール類1モルとエピハロヒドリン0.985〜1.
015とをアルカリ金属水酸化物の存在下において非反
応性溶媒中で40〜120℃の温度で反応させることに
より得ることができる。また、樹脂の機械的特性や熱的
特性の点からは、特に2官能性エポキシ樹脂と2官能性
フェノール類の配合当量比をエポキシ基/フェノール性
水酸基=1/0.9〜1/1.1としアルカリ金属化合
物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒の
存在下で沸点が120℃以上のアミド系、エーテル系、
ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で
反応固形分が50重量部以下で、50〜200℃に加熱
して重付加反応させて得たものが好ましい。2官能エポ
キシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD
型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂など
がある。2官能フェノール類は2個のフェノール性水酸
基を持つもので、例えば、ハイドロキノン類、ビスフェ
ノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビ
スフェノールS等のビスフェノール類などが挙げられ
る。フェノキシ樹脂はラジカル重合性の官能基により変
性されていてもよい。フェノキシ樹脂は、単独で用いて
も、2種類以上を混合して用いてもよい。
を発生する硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ系化合
物などの加熱により分解して遊離ラジカルを発生するも
のであり、目的とする接続温度、接続時間、ポットライ
フ等により適宜選定されるが、高反応性とポットライフ
の点から、半減期10時間の温度が40℃以上、かつ、
半減期1分の温度が180℃以下の有機過酸化物が好ま
しく、半減期10時間の温度が60℃以上、かつ、半減
期1分の温度が170℃以下の有機過酸化物がより好ま
しい。接続時間を10秒以下とした場合、硬化剤の配合
量は十分な反応率を得るためにラジカル重合性物質とフ
ィルム形成材の合計100重量部に対して、0.1〜3
0重量部とするのが好ましく、1〜20重量部がより好
ましい。硬化剤の配合量が0.1重量部未満では、十分
な反応率を得ることができず良好な接着強度や小さな接
続抵抗が得られにくくなる傾向にある。配合量が30重
量部を超えると、接着剤組成物の流動性が低下したり、
接続抵抗が上昇したり、接着剤組成物のポットライフが
短くなる傾向にある。硬化剤としては、ジアシルパーオ
キサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエス
テル、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイ
ド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドな
どから選定できる。また、回路部材の接続端子の腐食を
押さえるために、硬化剤中に含有される塩素イオンや有
機酸は5000ppm以下であることが好ましく、さら
に、加熱分解後に発生する有機酸が少ないものがより好
ましい。具体的には、パーオキシエステル、ジアルキル
パーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパー
オキサイドから選定され、高反応性が得られるパーオキ
シエステルから選定されることがより好ましい。上記硬
化剤は、適宜混合して用いることができる。
オキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブ
チルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル
−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、t−へ
キシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオ
キシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパー
オキシ−2−エチルヘキサノネート、2,5−ジメチル−
2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)へキサ
ン、1−シクロへキシル−1−メチルエチルパーオキシ−
2−エチルへキサノネート、t−へキシルパーオキシ−2
−エチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシ−2−エ
チルへキサノネート、t−ブチルバーオキシイソブチレ
ート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロへキ
サン、t−へキシルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘ
キサノネート、t一ブチルパーオキシラウレート、2,5
−ジメチル−2,5−ジ(m−トルオイルパーオキシ)へ
キサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルへキシルモノ
カーボネート、t−へキシルパ−オキシベンゾエート、t
−ブチルパーオキシアセテート等が挙げられる。
α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベ
ンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−
2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)へキサン、t−ブチル
クミルパーオキサイド等が挙げられる。
プロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイ
ドロパーオキサイド等が挙げられる。
チルパーオキサイド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオ
キサイド、3,5,5−トリメチルへキサノイルパーオキ
サイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパー
オキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニツ
クパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベ
ンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。
n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピ
ルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシク
ロへキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−2−エト
キシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチ
ルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメトキシブ
チルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メ
トキシブチルパーオキシ)ジカーボネート等が挙げられ
る。
(t−へキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシク
ロへキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シ
クロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−
3,3,5−トリメチルシクロへキサン、1,1−(t−ブチ
ルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(t−ブチ
ルパーオキシ)デカン等が挙げられる。
ルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチ
ル)ジメチルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビ
ニルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジビニ
ルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)ビニル
シリルパーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパ
ーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジアリルシリルパー
オキサイド、トリス(t−ブチル)アリルシリルパーオ
キサイド等が挙げられる。これらの加熱により遊離ラジ
カルを発生する硬化剤は、単独又は混合して使用するこ
とができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよ
い。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエス
テル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化し
たものは、可使時間が延長されるために好ましい。
ては、ラジカルにより重合する官能基を有する物質であ
り、アクリレート、メタクリレート、マレイミド化合物
等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマー、オリ
ゴマーいずれの状態で用いることが可能であり、モノマ
ーとオリゴマーを併用することも可能である。アクリレ
ート(メタクリレート)の具体例としては、メチルアク
リレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレ
ート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチ
ロールメタンテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,
3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリ
ロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4
−(アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、
ジシクロペンチニルアクリレート、トリシクロデカニル
アクリレート、トリス(アクリロイロキシエチル)イソ
シアヌレート、ウレタンアクリレート及びこれらに相当
するアクリレートをメタクリレートにしたもの等が挙げ
られる。これらは単独又は併用して用いることができ、
必要によってはハドロキノン、メチルエーテルハイドロ
キノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。また、
ジシクロペンチニル基及び/又はトリシクロデカニル基
および/またはトリアジン環を有する場合は、耐熱性が
向上するので好ましい。
イミド基を少なくとも2個以上含有するもので、例え
ば、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、N,N
−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−p−フェニ
レンビスマレイミド、N,N−m−トルイレンビスマレイ
ミド、N,N−4,4−ビフェニレンビスマレイミド、N,
N’−4,4−(3,3’−ジメチル−ビフェニレン)ビス
マレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジメチルジフェ
ニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’
−ジエチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’
−4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N’−
4,4−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−
3,3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、N,N’−
4,4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、2,2−ビス
(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−s−ブチル−4,8−(4−マレイミ
ドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−
(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,
4’−シクロへキシリデン−ビス(1−(4−マレイミド
フェノキシ)−2−シクロへキシルベンゼン、2,2−ビ
ス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)へキサ
フルオロプロパン等が挙げられる。これらは単独でもま
た組み合わせても使用できる。
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルまたはアク
リロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とし
た重合体又は共重合体を使用することができ、グリシジ
ルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリ
シジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを
併用した揚合、応力緩和に優れるので好ましい。これら
アクリルゴムの分子量(重量平均)は接着剤の凝集力を
高める点から20万以上が好ましい。
色素、メロシアニン色素、ローダシアニン色素、オキソ
ノール色素、スチリル色素、ベーススチリル色素、フタ
ロシアニン色素、ナフタロシアニン色素等が挙げられ、
これらは単独または併用して用いることができる。
材、軟化剤、促進剤、老化防止剤、難燃化剤、チキソト
ロピック剤、カップリング剤及びフェノール樹脂やメラ
ミン樹脂、イソシアネート類等を含有することもでき
る。充填材を含有した揚合、接続信頼性等の向上が得ら
れるので好ましい。充填材の最大径が導電性粒子の粒径
未満であれば使用でき、5〜60体積部(接着剤樹脂成
分100体積部に対して)の範囲が好ましい。60体積
部を超えると信頼性向上の効果が蝕和することがあり、
5体積部未満では添加の効果が少ない。カップリング剤
としてはケチミン、ビニル基、アクリル基、アミノ基、
エポキシ基、イソシアネート基含有物が、接着性の向上
の点から好ましい。具体的には、アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤として、N−β(アミノエチル)γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエ
チル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。ケチミンを有するシランカップリング剤として、上
記のアミノ基を有するシランカップリング剤に、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン化合物を反応させて得られたものが挙げられる。
ても、接続時に相対向する回路電極の直接接触により接
続が得られるが、導電性粒子を含有した揚合、より安定
した接続が得られる。導電性粒子としては、Au、A
g、Ni、Cu、はんだ等の金属粒子やカーボン等があ
り、十分なポットライフを得るためには、表層はNi、
Cu等の遷移金属類ではなくAu、Ag、白金属の貴金
属類が好ましくAuがより好ましい。また、Ni等の遷
移金属類の表面をAu等の貴金属類で被覆したものでも
よい。また、非導電性のガラス、セラミック、プラスチ
ック等に前記した導通層を被覆等により形成し最外層を
貴金属類とした場合や熱溶融金属粒子の場合、加熱加圧
により変形性を有するので接続時に電極との接触面積が
増加したり、電極や基板の厚みばらつきを吸収し信頼性
が向上するので好ましい。貴金属類の被覆層の厚みは良
好な抵抗を得るためには、100オングストローム以上
が好ましい。しかし、Ni等の遷移金属の上に貴金属類
の層をもうける場合では、貴金属類層の欠損や導電性粒
子の混合分散時に生じる貴金属類層の欠損等により生じ
る酸化還元作用で遊離ラジカルが発生し保存性低下を引
き起こすため、300オングストローム以上が好まし
い。そして、厚くなるとそれらの効果が蝕和してくるの
で最大1μmにするのが望ましいが制限するものではな
い。導電性粒子は、接着剤樹脂成分100体積部に対し
て0.1〜30体積部の範囲で用途により使い分ける。
過剰な導電性粒子による隣接回路の短絡等を防止するた
めには0.1〜10体積部とするのがより好ましい。本
発明の接着剤組成物をフィルムに成形し、接着剤組成物
を2層以上に分割し、加熱により遊離ラジカルを発生す
る硬化剤を含有する層と導電性粒子を含有する層に分割
した場合、ポットライフの向上が得られる。
OG実装における、フレキシブルテープやICチップと
ガラス基板との接着用のフィルム状接着剤として使用す
ることもできる。すなわち、第一の接続端子を有する第
一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部
材とを第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置
し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子
の間に本発明の接着剤組成物(フィルム状接着剤)を介
在させ、加圧時に光を照射して前記対向配置した第一の
接続端子と第二の接続端子を電気的に接続させることが
できる。これらの回路部材には接続端子が通常は多数
(湯合によっては単数でもよい)設けられており、前記
回路部材の少なくとも1組をそれらの回路部材に設けら
れた接続端子の少なくとも一部を対向配置し、対向配置
した接続端子間に本発明の接着剤を介在させ、加圧時に
光を照射して対向配置した接続端子同士を電気的に接続
して回路板とする。回路部材の少なくとも1組を加圧な
らびに光照射することにより、対向配置した接続端子同
士は、直接接触により又は接着剤組成物中の導電性粒子
を介して電気的に接続することができる。
重合による硬化性を有する接着剤組成物を接続端子の表
面が、金、銀、錫、白金族の金属、インジュウム−錫酸
化物(ITO)から選ばれる少なくとも一種から構成さ
れる接続端子(電極回路)に形成した後、もう一方の接
続端子(回路電極)を位置合わせし加圧および光を照射
して接続することができる。このとき、加圧用ヘッドを
加熱して接続しても良い。本発明においては、フレキシ
ブルテープがポリイミド樹脂等の有機絶縁物質、ガラス
基板の表面が窒化シリコン、シリコーン化合物、ポリイ
ミド樹脂、シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも一種
でコーティングもしくは付着した回路部材に対して特に
良好な接着強度が得られる電気・電子用の接着剤組成物
の提供が可能となる。
脂とビスフェノールAからガラス転移温度が80℃のフ
ェノキシ樹脂を合成した。この樹脂50gを、重量比で
トルエン(沸点110.6℃)/酢酸エチル(沸点7
7.1℃)=50/50の混合溶剤に溶解して、固形分
40重量%の溶液とした。フィルム形成材として固形重
量比でフェノキシ樹脂50g、ラジカル重合性物質とし
てジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート49
g、リン酸エステル型アクリレート1g、加熱により遊
離ラジカルを発生する硬化剤としてt−ヘキシルパーオ
キシ−2−エチルへキサノネート5g、色素として2−
[7−(1,3−ジヒドロ−1,3,3−トリメチル−2H−イ
ンドール−2−イリデン)−1,3,5−ヘプタトリエニ
ル]−1,3,3−トリメチル−3H−インドリウム アイ
オダイド(極大吸収波長741nm)を1gとなるよう
に配合し、導電性粒子(ポリスチレンを核とする粒子の
表面に厚み0.2μmのニッケル層、その外側に厚み
0.04μmの金層を設けた平均粒径5μm粒子)を5
体積%配合分散させ、厚み80μmの片面を表面処理し
たPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに塗
工装置を用いて塗布し、70℃、10分の熱風乾燥によ
り、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状接着剤を得
た。
ドロ−6−メチル−2,4−ジフェニル−5H−1−ペンゾビ
ラン−8−イル)−2,4−ペンタジエニリデン]−5,
6,7,8−テトラヒドロ−6−メチル−2,4−ジフェニル
−1−ペンゾピリウムパークロレート(極大吸収波長1
060nm)を用いたほかは実施例1と同様にしてフィ
ルム状接着剤を得た。
エチル−5−[2−(3−エチル−4(1H)−キノリニリデ
ン)エチリデン]−4−オクソ−2−チアゾリジニリデ
ン]−2−チオクソ−4−チアゾリジノン(極大吸収波長
664nm)を用いたほかは実施例1と同様にしてフィ
ルム状接着剤を得た。
−[2−(1−エチル−4(1H)−キノリニリデン)エチ
リデン]−4−オクソ−2−チアゾリジニリデン]メチ
ル]−3−エチル−4,5−ジフェニルチアゾリウムブロ
マイド(極大吸収波長668nm)を用いたほかは実施
例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
ドロ−2,4−ジフェニル−5H−1−ペンゾピラン−8−イ
ル)−2,4−ペンタジエニリデン]−5,6,7,8−テト
ラヒドロ−2,4−ジフェニル−1−ペンゾピリウム パ
ークロレート(極大吸収波長1060nm)を用いたほ
かは実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
アミノ)ジチオベンジル]ニッケル(極大吸収波長10
68nm)を用いたほかは実施例1と同様にしてフィル
ム状接着剤を得た。
−[3−[3−[(3−エチルナフソ[2,1−d]チアゾル
−2(3H)−イリデン)メチル]−5,5−ジメチル−2−
シクロへキセン−1−イリデン]−1−プロペニル]−
5,5−ジメチル−2−シクロへキセン−1−イリデン]メ
チル]ナフソ[2,1−d]チアゾリウム パークロレー
ト(極大吸収波長1010nm)を用いたほかは実施例
1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
μm、ピッチ100μm、高さ20μmの金バンプを配
置したICチップ(表面が窒化シリコンでコーティン
グ)と厚み1.1mmのガラス上にインジュウム−錫酸
化物(ITO)を蒸着により形成したITO基板(表面
抵抗<20Ω/□)とを、上記フィルム状接着剤を用
い、石英ガラスと加圧ヘッドで挟み、80℃、100M
Pa(バンプ面積換算)で10秒間加熱加圧と同時に石
英ガラス側からキセノンランプを照射して接続した。こ
のとき、フィルム状接着剤はあらかじめITO基板上
に、フィルム状接着剤の接着面を70℃、0.5MPa
(バンプ面積換算)で5秒間加熱加圧して貼り付け、そ
の後、PETフィルムを剥離してICチップと接続し
た。 (接続抵抗の測定)回路の接続後、上記接続部の電気抵
抗値を、初期と、−40℃/30分と100/30分の
温度サイクル槽中に500サイクル保持した後に2端子
測定法を用いマルチメータで測定した。 (パネルそり変形)表面粗さ計を用いガラス面側を25
mmにわたり測定した。1μm以内をそり変形なしとし
た。これらの測定結果を表1に示した。
という低温で接続するにもかかわらず、接続抵抗が低く
良好である。また、接続信頼性を評価する温度サイクル
試験後の接続抵抗値も低く良好である。そして、低温で
接続しているためパネルのそり変形がなく良好である。
これに対し、色素を使用しない、比較例1は硬化が十分
でなく、初期値や温度サイクル後の接続抵抗が大きく、
また、パネルそり変形は、硬化が不十分なため「なし」
であるが、硬化させると大きく変形した。
装において、低い接続抵抗を示す電気接続が得られ、ま
た、パネルの反り変形のない電気・電子用の接着剤組成
物の提供が可能となる。
Claims (9)
- 【請求項1】 (1)加熱により遊離ラジカルを発生す
る硬化剤、(2)ラジカル重合性物質、(3)フィルム
形成材、(4)色素を必須成分として含有する接着剤組
成物。 - 【請求項2】 色素の極大吸収波長が、300nm〜20
00nmである請求項1に記載の接着剤組成物。 - 【請求項3】 導電性粒子をさらに含有する請求項1ま
たは請求項2に記載の接着剤組成物。 - 【請求項4】 第一の接続端子を有する第一の回路部材
と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一
の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対
向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求
項1ないし請求項3のいずれかに記載の接着剤組成物を
介在させ、加圧とともに請求項1ないし請求項3のいず
れかに記載の接着剤組成物に光を照射して前記対向配置
した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続さ
せる回路端子の接続方法。 - 【請求項5】 第一の接続端子を有する第一の回路部材
と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一
の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対
向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求
項1ないし請求項3のいずれかに記載の接着剤組成物を
介在させ、加圧とともに請求項1ないし請求項3のいず
れかに記載の接着剤組成物に光を照射しさらに、加圧用
ヘッドを加熱して前記対向配置した第一の接続端子と第
二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方
法。 - 【請求項6】 少なくとも一方の接続端子を支持する基
板がガラスで構成される請求項4または請求項5に記載
の回路端子の接続方法。 - 【請求項7】 少なくとも一方の接続端子の表面が金、
銀、錫、白金族の金属、インジュウム−錫酸化物(IT
O)から選ばれる少なくとも一種で構成される請求項4
ないし請求項6のいずれかに記載の回路端子の接続方
法。 - 【請求項8】 少なくとも一方の回路部材表面が窒化シ
リコン、シリコーン化合物、ポリイミド樹脂から選ばれ
る少なくとも一種でコーティングもしくは付着している
請求項4ないし請求項7のいずれかに記載の回路端子の
接続方法。 - 【請求項9】請求項4ないし請求項8のいずれかに記載
の回路端子の接続方法で得られる回路端子の接続構造。
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Cited By (4)
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