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JP2002220248A - 光ファイバデバイスおよびその製造方法 - Google Patents

光ファイバデバイスおよびその製造方法

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JP2002220248A
JP2002220248A JP2001349251A JP2001349251A JP2002220248A JP 2002220248 A JP2002220248 A JP 2002220248A JP 2001349251 A JP2001349251 A JP 2001349251A JP 2001349251 A JP2001349251 A JP 2001349251A JP 2002220248 A JP2002220248 A JP 2002220248A
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preform
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optical fiber
fiber
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Benjamin John Eggleton
ジョン エッグルトン ベンジャミン
James William Fleming Jr
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Karen S Kranz
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Robert Scott Windeler
スコット ウィンドラー ロバート
George John Zydzik
ジョン ジドジク ジョージ
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Lucent Technologies Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 縦方向導体を有する光ファイバデバイスを製
造する改良された方法を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、電気的に制御可能な光
ファイバデバイスが、コア領域（１１）、クラッド領域
（１２）、および１個以上の導体（１４A、１４B）で満
たされた孔（１３A、１３B)を含むファイバプリフォー
ム（１０）を提供するステップと、このプリフォームか
ら、一体的な埋込縦方向導体を有する光ファイバを引き
延ばすステップとにより製造される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的に制御可能
な光ファイバデバイスに係り、特に、一体的に埋め込ま
れた縦方向導体を有する光ファイバデバイスの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信システムは、大量の情報
の高速伝送に対するそれらの大きなポテンシャルを達成
し始めている。光ファイバシステムは、情報を運ぶ光信
号のソース、光信号を運ぶための光ファイバ伝送ネット
ワーク、および光信号を検出しかつそれらが運ぶ情報を
復調する受信機を含む。信号は、典型的には、シリカ光
ファイバ中の伝播に適した波長範囲内にあり、好ましく
は、そのレンジ中に複数の波長の異なったチャネルを含
む。
【０００３】光ファイバは、非常に低い損失で長い距離
に亘って光信号を伝送することができるガラスの細いス
トランド（strands）である。それらは、第１の屈折率
のコアおよびこれを取り巻く第２の（より低い）屈折率
を有するクラッドにより特徴づけられる小さな直径の導
波路である。臨界受け入れ角（critical acceptanceang
le）より小さい角度でコアにあたる光線は、ファイバコ
ア中で全内部反射（total internal reflection）を受
ける。これらの光線は、低い減衰でファイバに沿ってガ
イドされる。典型的なファイバは、コアの屈折率を高め
るために、コア中にドーピングを有する高純度シリカか
らなる。伝送ネットワークは、信号チャネルをアドまた
はドロップオフするための中間ノードにより分離された
ファイバの多くの長いセグメントを含み得る。
【０００４】実際の光ファイバネットワークは、伝送さ
れる信号を結合し、導き、分離し、かつ補償するための
様々なデバイスを必要とする。高いパフォーマンスのシ
ステムにおいて、そのようなデバイスは、分散を補償
し、増幅器利得を平坦化し、アド／ドロップマルチプレ
クサを再構成し、スイッチングしかつ変調するために必
要とされる。
【０００５】ますます、これらの機能は、光がそれを通
って伝播する媒体の屈折特性または吸収特性を修正する
ことにより光を操作する電気的に制御可能なデバイスに
より実行されている。例えば、ファイバブラッググレー
ティング（Bragg grating）により反射されまたはロン
グピリオドグレーティングにより流れを変えられる光の
波長は、電気的に制御された熱、張力または電圧を加え
ることにより変化され得る。
【０００６】典型的に、そのようなデバイスは、抵抗ヒ
ーターまたは電極のような関連する導電性エレメントを
必要とする。よく知られているように、光ファイバブラ
ッググレーティングは、そのコア中に屈折率摂動（pert
urbations）の周期的シーケンスを有する長いファイバ
を含む。そのようなデバイスは、連続的摂動間の光パス
長に比例する中心周波数において、狭帯域の光を反射す
る。調節可能なブラッググレーディングが、長いグレー
ティング領域に沿って抵抗性金属表面コーティングを加
えることにより形成された。コーティングを通る電流
は、ファイバを加熱し、摂動間の有効パス長を変化さ
せ、反射帯域の波長を調節する。同様の抵抗性コーティ
ングが、ロングピリオドファイバグレーティングにより
流れを変えられる波長を熱的に調節するために使用され
た。
【０００７】他のデバイスにおいて、導電性電極が複数
の光ファイバに適用され、それらの特性を制御する。例
えば、電気光材料または液晶材料をファイバ中に含める
ことができ、電極間の電界が、これらの材料の屈折率を
変化させるために使用され得る。
【０００８】導電性エレメントは、通常、ファイバの表
面に適用されるが、この場所は、導電性エレメントと伝
達される光のバルクが通過するコアとの間にクラッドの
インタリービング層を置く。結果として、コア上の熱の
影響は、遅延され、コアにおける電界強度は低下され
る。
【０００９】導電性エレメントをコアにより近く配置す
るための努力がなされてきた。１つのそのようなアプロ
ーチは、ファイバプリフォーム中に孔をドリルし、プリ
フォームからファイバを引き延ばし、細い導電性ワイヤ
を収縮した孔に挿入することである。そして、電圧が、
ワイヤ間に非線形応答を誘導するように印加された。例
えば、W. Xu, "Evidence of Space-Charge Effects in
Thermal Poling", IEEE Photonics Technology Letter
s, Vol. 11, No. 10, October, 1999, p. 1265を参照の
こと。このプロセスについての難しい点は、極細のワイ
ヤを小さな孔に通す問題および長い突き通された製品を
形成することができないことを含む。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、縦方向導
体を有する光ファイバデバイスを製造する改良された方
法に対する必要性がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電気的
に制御可能な光ファイバデバイスは、１つ以上の導体で
満たされた孔を含むファイバプリフォームを提供するス
テップ、およびこのプリフォームから一体に埋め込まれ
た縦方向導体を有する光ファイバを引き延ばすステップ
により製造される。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、一体的な縦方向に延びる
導電性エレメントを有する光ファイバデバイスを製造す
ることに関するステップのフローチャートである。ブロ
ックＡで示された第１のステップは、コア領域、クラッ
ド領域、および導電性材料で満たされた１つ以上の縦方
向に延びた孔またはギャップを有する光ファイバプリフ
ォームを提供する。好都合なことに、コア領域およびク
ラッド領域は、シリカグラスからなり、コア領域は、ク
ラッドに対してその屈折率を増大させるためにドープさ
れている。
【００１３】図２は、中心コア領域１１、取り巻くクラ
ッド領域１２、およびそれぞれ導電性材料１４Ａ，１４
Ｂで満たされた１つ以上の縦方向に延びるホールまたは
ギャップ１３Ａおよび１３Ｂを含む適切な光ファイバプ
リフォーム１０の模式図である。
【００１４】プリフォームは、チューブ状のクラッド中
のコアロッドを使用する通常の方法により製造され得
る。ロッドおよびチューブは、ファイバ特性を強化する
ために、適切にドープされる。コアは、その屈折率を増
大させるために、ゲルマニウム、リンまたはアルミニウ
ムのようなドーパントを含む。導電性材料１４Ａ，１４
Ｂが挿入されるべき位置に、１つ以上の縦方向孔１３
Ａ，１３Ｂがプリフォーム１０にドリルされる。好まし
い実施形態のうちの１つにおいて、１つの孔の位置が他
のものよりコアにより近くなることを可能にする位置に
おいて、孔が、コア１１のいずれかの側におけるクラッ
ド領域中にドリルされる。
【００１５】孔領域は、余分な削りかすを除去するため
にＨＦ酸でエッチされ、そして火仕上げされる。表面を
クリーニング／火仕上げするための好ましい方法は、プ
ラズマによる。プラズマは、局所化された高温を生成す
る利点を有し、水素酸素（hydrogen-oxygen）トーチの
ようにガラス中に水を含ませることがない。プリフォー
ム１０は、任意的に、少なくとも一方の側において接地
され得る。これは、電極がコアに対して近くに付け加え
られ得る図示しないフラットな領域を提供する。
【００１６】代替的に、プリフォーム１０は、一緒にな
って束を形成するスタッキングチューブ、ロッド、およ
びドープされたロッドにより準備され得る。ドープされ
たロッドは、最終的ファイバ特性を強化するために見出
されるいずれかのドーパントで、アップドープまたはダ
ウンドープされ得る。ロッドは、均一にドープされるか
または複雑な屈折率プロファイルを有するようにドープ
され得る。典型的に、ドープされたロッドは、光をガイ
ドするためのアップドープされた領域を有する束の中心
に配置されることになる（これはコアを含むことにな
る）。少なくとも１つの中空のチューブが束中に使用さ
れる。ロッドおよびチューブは、同じサイズである必要
はない。この束は、引き延ばしの間、束を所定位置に保
持する外側クラッドチューブの内側に配置される。
【００１７】全てのこれらの方法において、導電性エレ
メントの隣のシリカは、ガラスから拡散することがで
き、ガス泡を形成し、またはチューブ中に配置される導
電性材料と反応しまたはその特性を変化させる揮発性不
純物および分解ガスがないようにしなければならない。
導電性材料がその中にある領域は丸い必要はない。導電
性エレメントは、それが挿入される領域の形となる。い
くつかの場合において、非円形導電性エレメントが、電
界分布を変化させることにより所望の特性を強化するこ
とできる。
【００１８】プリフォーム中の全てのオープン領域が、
導電性材料で満たされなければならないことはない。い
くつかのアプリケーションにおいて、導電性エレメント
およびオープン領域の両方を備えたファイバを有するこ
とが望ましい。オープン領域がガイディングモードを生
じる場合において、屈折率ガイディングによりまたはバ
ンドギャップのために、アップドープされたコア領域が
必要でない。
【００１９】１つ以上の縦方向に延びた導電性エレメン
トが、アッセンブリ中の孔または中空チューブ中に含め
られる。導体１４Ａおよび１４Ｂは、アルミニウム、
銅、銀または金のような材料であり得る。それらは、金
属ロッドをコアガラスのチューブ中に配置し、チューブ
を外側クラッドチューブと内側コアロッドとの間に配置
し、そしてこの構造体を潰して固体プリフォームとする
ことにより、プリフォーム中に好都合に含めることがで
きる。
【００２０】潰すことで、プリフォームは、典型的に
は、約１ｍの長さおよび２０−２００ｍｍの外側直径を
有する同心のガラスロッドになる。コアロッドは、１−
５ｍｍの直径を有する。２つの導体が使用される場合、
それらは、好ましくは、アノード１４Ａが、カソード１
４Ｂよりもコアに近くなるように、コアに対して非対称
である。
【００２１】本発明の典型的なアプリケーションに対し
て、導電性材料は、１０μΩ−ｃｍよりも小さい抵抗率
を有するものである。シリカとして流れる必要のある材
料は、プリフォーム寸法（〜３ｃｍ直径）からファイバ
寸法（〜１２５μ）に引き延ばして細くされる。これ
は、それらの粘度が、引き延ばし温度においてシリカと
同じオーダの大きさまたはそれより小さくなければなら
ない。導電性材料は、高い蒸気圧、シリカガラスとの反
応または高い蒸気圧不純物のいずれかのためにファイバ
引き延ばしの間に感知できるほどの蒸気を形成してはな
らない。引き延ばしの間に、これらのガス領域が拡張
し、導電性材料を通路から押し出し、電気的ショート
（導電性材料がない領域）を生じることがある。
【００２２】導電性材料は、１００℃より下で固体であ
る必要があり、欠陥位置を形成することによりファイバ
を大幅に弱くしまたはＳｉＯ２ を結晶化させてはなら
ない。金、銀、およびアルミニウムのような引き延ばし
温度より低い温度で溶ける金属が、この要求条件を満た
す。我々は、金（AlfaAesar Premion 99.999% (metals
basis)）の使用が好都合であることを発見した。酸化ル
テニウムおよび他の金属酸化物、カーバイドおよびナイ
トライドのような導電性セラミクスも、使用可能であ
る。
【００２３】金属の表面は、それをプリフォームに付け
加える前に、クリーニングされる。金属材料のクリーニ
ング方法は、ＨＦ酸リンスおよび金属のための他の公表
された化学エッチャント法を含む。具体的に、金に対し
て、１パートＨＣｌおよび３パートＨＮＯ３ の混合が
使用される（Shyam P. Murarka, Metalization Theorya
nd Practice for VLSI and ULSI, Butterworth-Heinemm
ann 1993 を参照のこと）。
【００２４】引き延ばし温度において、低粘度（液体）
の材料は、内側シリカチューブまたは孔の直径よりも少
し小さい直径の直線状ロッドにそれらを形成することに
より、プリフォームに付け加えることができる。それら
は、容易に滑り込ませることができる必要がある。それ
らが加熱されるとき、材料は、シリカチューブの形状で
溶ける。残りの固体ロッドは、液体金属がチューブを満
たすとき、チューブをゆっくり滑り落ちる。
【００２５】導電性材料を付け加えるための別の方法
は、それを貯蔵器中で溶かすことである。プリフォーム
の先端が、溶解された金属に付け加えられることがで
き、真空が、導電性材料をチューブまたは孔に吸い上げ
させるために使用され得る。プリフォームは、材料がチ
ューブまたは孔を完全に満たす前に固体化しないように
加熱される必要がありうる。この方法の１つの利点は、
材料中のいずれの揮発性不純物も、引き延ばしの前に容
易に除去されることである。
【００２６】導電性材料は、プラズマ気化によりチュー
ブの内側に付け加えることができる。材料は、プリフォ
ームチューブに接続された貯蔵器中に溜まる。システム
が真空引きされ、材料が加熱されて蒸気になる。チュー
ブ上で材料が冷却されかつ濃縮されて、チューブ壁内部
に均等に広げられた高純度の層が形成される。
【００２７】図１のブロックＢに示された次のステップ
は、プリフォームから１つ以上の縦方向に延びる一体の
導体を有するファイバを引き延ばすことである。これ
は、典型的には、ＲＦ誘導炉のような引き延ばし炉中に
プリフォームを下ろし、それを融点まで加熱することに
より行われる。プリフォームが引き延ばされる前に、プ
リフォームの底は、導電性材料が引き延ばしの初期の部
分において離れないように、シールされなければならな
い。十分な加熱により、ファイバストランド（strand）
を支えるプリフォームの溶けた端部が落ち、ストランド
がファイバ引き延ばしステーションに挿入される。そし
て、所望の直径および均一性のファイバを生じるように
パラメータが調節される。好ましくは、引き延ばし温度
は、ガラスが高い粘度を有しその所望の形状を保つよう
に低い。導電性材料は、空いた空間を満たし、空間の形
状を引き延ばされたファイバに形成することになる。
【００２８】引き延ばしステーションは、Optical Fibe
r Telecommunications, Ed. S.E. Miller and I.P. Kam
inow (Academic Press, 1988), pp. 182-185に示された
ような通常のファイバ引き延ばしステーションであり得
る。ファイバ引き延ばし速度および張力は、コンピュー
タの制御下にあり得る。
【００２９】引き延ばし炉の最も広く使用されるもの
は、ガラスが軟化し、金属がガラスを通して対流するこ
とにより溶けるまで、ガラスを加熱する方法を使用する
炭素抵抗炉（carbon resistance furnace）である。炉
は、水冷却容器を有し、ヒーターの周りに不活性ガス保
護雰囲気を必要とする。
【００３０】代替的な方法は、無線周波数誘導加熱を使
用して金属に直接的に熱を伝達する。この方法は、ガラ
スの軟化を助けるためにＣＯ２ レーザを使用して外部
加熱と共にまたはこれなしで使用され得る。W.H. Grodk
iewicz, "Fused Silica Fibers with Metal Cores", Ma
t. Res. Bull., Vol. 10, pp. 1085-1090, 1975. Perga
mon Press, Inc. を参照のこと。
【００３１】第３のステップ（図１のブロックＣ）は、
通常の方法で、光ファイバデバイスを仕上げる。例え
ば、デバイスが、電気光的に制御されるグレーティング
である場合、グレーティングは、ファイバコア中に誘導
され、電圧源が、コアに制御電界を印加するために、埋
込導体に対して適用される。デバイスが、熱的に制御さ
れるグレーティングである場合、グレーティングは、誘
導され、電流源が、熱をコアに加えるために、１つ以上
の埋込抵抗性導体に加えられる。
【００３２】図３は、図１のプロセスにより製造される
例示的な電気光ファイバデバイス３０の縦方向断面を示
す。デバイス３０は、一対の導体３４および３５の間の
クラッド３３中に配置された内側コア３１からなる。コ
アは、電気光材料からなり、好ましくは、カソード３５
よりもアノード３４に近く、クラッド中で中心を外れて
いる可能性がある。屈折率摂動のシーケンス３６が、コ
ア中にファイバグレーティング３７（ブラッグまたはロ
ングピリオド）を形成する。典型的な寸法は、クラッド
Ｏ．Ｄ．に対して１２５μｍであり、コアに対して４．
０μｍであり、各導体に対して４０μｍである。導体中
心は、約３０μｍ離れていて、コア中心は、好ましく
は、アノード中心から２１−２５μｍにある。アノード
３４とカソード３５との間に電圧を加えることは、コア
の屈折率を変化させ、グレーティングのスペクトル応答
を変化させる。
【００３３】図４は、図１のプロセスにより製造される
例示的な熱的に調節可能な光ファイバデバイスの縦方向
断面を示す。デバイス４０は、ファイバグレーティング
４３（ブラッグまたはロングピリオド）を形成する屈折
率摂動のシーケンス４２を含む内側コア４１からなる。
一体の埋込抵抗性導体４４は、コアグレーティングに隣
接するファイバを通して縦方向に延びる。抵抗性導体４
４に電流を加えることは、コアグレーティングを加熱
し、連続的な摂動間の光パス長を変化させ、これによ
り、グレーティングのスペクトル応答を変化させる。
【００３４】図５Ａおよび５Ｂは、図１のプロセスによ
り製造される例示的なポラリゼーション（polarizatio
n)制御デバイスの横方向断面を示す。図５Ａのデバイス
は、コア５１および反対側でコアに隣接する一対の電極
５２および５３を備えたファイバ５０を含む。電極５２
と５３との間に加えられる電圧は、インターリービング
コア領域をポラライズ(polarize)し、２つの電極間の好
ましい光ポラリゼーション方向を確立する。液晶材料の
ような電気光材料のコアを製造することにより、その影
響が強化され得る。
【００３５】図５Ｂのデバイスは、好ましいポラリゼー
ション方向のスイッチングを可能にする電圧極性におい
てスイッチされ得る４個の電極５４，５５，５６および
５７を使用することを除いて、５Ａのデバイスと原理的
に同様である。例えば、電極５４，５５が、共に、正の
電位にあり、電極５６，５７が負の電位にある場合、好
ましい光ポラリゼーションは、電極５４，５７を５５，
５６から分離するラインに沿う。
【００３６】本発明は、以下の具体的な例によりよりよ
く理解され得る。
【００３７】例１：プリフォームは、０．００５のデル
タｎのゲルマニウムドープされたステップインデックス
コア、０．８５ｍｍのコア直径、１３ｍｍの外側直径を
有して製造される。３ｍｍ直径の２個の孔が、ダイヤモ
ンドチップのドリルを使用してコアの反対側に６インチ
の深さにドリルされる。これらの孔は、コアから０．３
および０．５ｍｍにドリルされる。これらの孔は、２０
分間ＨＦ酸でエッチされ、蒸留水でリンスされ、火仕上
げされる。２ミリメートルの直径で、６インチの長さの
金のロッドが、導電性材料として使用される。金は、１
パートＨＣｌおよび３パートＨＮＯ３ の混合液でクリ
ーニングされ、準備された孔に入れられる。そして、プ
リフォームは、１９９０℃の温度で引き延ばし炉に入れ
られる。通常の引き延ばし法が、３ｍ／秒の引き延ばし
速度で使用される。ファイバは、１２５ミクロンの直径
に引き延ばされ、１．３ミクロンのシングルモードカッ
トオフを有し、標準スプールに集められる。
【００３８】例２：高純度、低塩素の、Hereaus シリカ
チューブが、ガラス旋盤（lathe）の上に置かれ、それ
ぞれ３ｍｍの内側直径および６ｍｍの外側直径で、５０
ｃｍの長さにエッチングされ、引っ張られ、そして潰さ
れて、一方の端部に６ｍｍＩＤ貯蔵器を含むようにされ
る。金が高温で貯蔵器中に挿入され溶かされて、いかな
る揮発性不純物も除去される。そして、貯蔵器は、貯蔵
器のガラス壁が軟化する点まで加熱され、チューブの上
端に真空を使用して、貯蔵器が潰されて、金をチューブ
中に流し上げさせる。真空の間、チューブは両方の端部
においてシールされている。プリフォームは、６ｍｍの
直径の４本の高純度シリカロッドを重ねることにより準
備され、６ｍｍロッドの周りにある金を含むチューブの
うちの２本は、２本のチューブが反対側にあるように、
直径１．１５ｍｍのステップインデックスゲルマニウム
コアを含む。寸法１９×２１ｍｍのHereaus Ｆ−３００
外側クラッドチューブが、引き延ばしの間に束を元の位
置に保持しつつ束の周りで潰される。プリフォームは、
例１に示された条件を使用して引き延ばされる。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、縦
方向導体を有する光ファイバデバイスを製造する改良さ
れた方法を提供することができる。
【００４０】特許請求の範囲の発明の要件の後に括弧で
記載した番号がある場合は、本発明の一実施例の対応関
係を示すものであって、本発明の範囲を限定するものと
解釈すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】一体の縦方向に延びる導体性エレメントを有す
る光ファイバを製造するステップを示すブロック図。
【図２】図１のプロセスにおいて有用なプリフォームア
ッセンブリを示す図。
【図３】図１のプロセスにより製造される電気光的に調
節可能なグレーティングの断面を示す図。
【図４】図１のプロセスにより製造される熱的に調節可
能なグレーティングの断面を示す図。
【図５】図１のプロセスにより製造される例示的なポラ
リゼーション制御デバイスの断面を示す図。
【符号の説明】
１０ 光ファイバプリフォーム １１ コア領域 １２ クラッド領域 １３Ａ，１３Ｂ 孔 １４Ａ，１４Ｂ 導電性材料 ３０，４０ デバイス ３１，４１ コア ３３ クラッド ３４，３５，４４ 導体 ３６，４２ シーケンス ３７，４３ ファイバグレーティング ５０Ａ，５０Ｂ ファイバ ５１ コア ５２，５３，５４−５７ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジオフェレイ エル バージ アメリカ合衆国、21037 メリーランド州、 エッジウォーター、ローリング ロード 3165 (72)発明者 デービッド ジョン ヂジョバンニ アメリカ合衆国、07042 ニュージャージ ー州、モントクレア、モントクレア アベ ニュー 126 (72)発明者 ベンジャミン ジョン エッグルトン アメリカ合衆国、07901 ニュージャージ ー州、サミット、アウブレイ ストリート 17 (72)発明者 ジェイムス ウィリアム フレミング ジ ュニア アメリカ合衆国、07090 ニュージャージ ー州、ウェストフィールド、タトル パー クウェイ 245 (72)発明者 カレン エス クランツ アメリカ合衆国、08846 ニュージャージ ー州、ミドルセックス、パーク プレイス ７ (72)発明者 ロバート スコット ウィンドラー アメリカ合衆国、08801 ニュージャージ ー州、アナンデール、ウィロー ブルック レーン ６ (72)発明者 ジョージ ジョン ジドジク アメリカ合衆国、07832 ニュージャージ ー州、コロンビア、パイン ツリー レー ン 17 Ｆターム(参考） 2H050 AA06 AB05X AC01 AC82 AC84 2H079 AA06 AA12 BA01 CA07 EA09 EB27 KA08 4G021 BA00

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コア領域、クラッド領域、および導電性
    材料を含む１つ以上の縦方向に延びる孔を有する光ファ
    イバプリフォームを提供するステップと、 導電性材料の１つ以上の縦方向に延びる埋込導体を含む
    光ファイバを、前記プリフォームから引き延ばすステッ
    プとを有することを特徴とする光ファイバデバイスの製
    造方法。
  2. 【請求項２】 前記光ファイバプリフォームは、縦方向
    に延びる孔をガラスプリフォームにドリルするステップ
    および前記孔を導電性材料で満たすステップにより提供
    されることを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記光ファイバプリフォームは、ガラス
    ロッドおよびチューブ、導電性材料で満たされた１つ以
    上のチューブのアッセンブリを光ファイバプリフォーム
    に統合することにより提供されることを特徴とする請求
    項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 孔が、液体導電性材料の吸引により導電
    性材料で満たされることを特徴とする請求項２記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 チューブが、液体導電性材料の吸引によ
    り導電性材料で満たされることを特徴とする請求項３記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 孔が、導電性材料のロッドの挿入により
    導電性材料で満たされることを特徴とする請求項２また
    は３記載の方法。
  7. 【請求項７】 １個以上の孔が、コア領域の反対側にあ
    る一対の孔を含み、ファイバが、ファイバコアに電界を
    加えるために、ファイバコアの反対側に一対の縦方向に
    延びる導体を備えて引き延ばされることを特徴とする請
    求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 少なくとも１つの縦方向に延びる導体
    が、ファイバコアを加熱するための抵抗性導体であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記プリフォームのコア領域が、他方の
    導体よりも一方の導体により近く配置されることを特徴
    とする請求項７記載の方法。
  10. 【請求項１０】 内部コアロッドを含む同心円筒状ガラ
    スボディと、 前記コアの周囲を取り巻くクラッドガラスの外側円筒
    と、 その反対側でコアに隣接するクラッドガラス中に配置さ
    れた一対の縦方向に延びる導体とを有することを特徴と
    する光ファイバプリフォーム。
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