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JP2002231734A - Substrate unit, semiconductor element, method of mounting semiconductor element, and method of manufacturing the same - Google Patents

Substrate unit, semiconductor element, method of mounting semiconductor element, and method of manufacturing the same

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JP2002231734A
JP2002231734A JP2001029424A JP2001029424A JP2002231734A JP 2002231734 A JP2002231734 A JP 2002231734A JP 2001029424 A JP2001029424 A JP 2001029424A JP 2001029424 A JP2001029424 A JP 2001029424A JP 2002231734 A JP2002231734 A JP 2002231734A
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semiconductor element
semiconductor
thermosetting adhesive
mounting
width
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JP2001029424A
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広 遠山
Susumu Ozawa
進 小澤
Satoru Yamada
識 山田
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Oki Electric Industry Co Ltd
Oki Digital Imaging Corp
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Oki Data Corp
Oki Digital Imaging Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の半導体チップ等の電子部品を、熱硬化
性接着剤を介して配線基板上に配列して固定する場合、
半導体チップの回りにはみ出た接着剤の状態によって
は、接着剤の熱硬化過程の収縮によって位置ずれが生
じ、位置精度の低下や部品破損などの問題を生じてい
た。 【解決手段】 配線基板11上に配列されるLEDアレ
イ1の対向下面幅WLE より、所定量だけ幅広くダイ
ボンド樹脂13を配線基板11上に塗布し、LEDアレ
イ1の長側面1a,1bに互いに均等なフィレット13
a,13bが形成されるように構成する。また、配列方
向においても、隣接LEDアレイ1間の空域部にダイボ
ンド樹脂13を充填させて、同方向の位置ずれが抑制で
きるようにする。
[PROBLEMS] To arrange and fix a plurality of electronic components such as semiconductor chips on a wiring board via a thermosetting adhesive,
Depending on the state of the adhesive protruding around the semiconductor chip, displacement occurs due to contraction of the adhesive during the thermosetting process, causing problems such as a decrease in positional accuracy and breakage of components. From A facing lower surface width W LE D of the LED array 1 arranged on the wiring substrate 11, a predetermined amount broadly the die bonding resin 13 is applied onto the wiring board 11, the long side 1a of the LED array 1 and 1b Fillets 13 equal to each other
a and 13b are formed. Also, in the arrangement direction, the space between the adjacent LED arrays 1 is filled with the die bond resin 13 so that displacement in the same direction can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品を配線基板上に搭載し、固定した基板ユニット、
及び半導体素子の実装方法や製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a board unit in which electronic components such as semiconductor elements are mounted and fixed on a wiring board.
And a method for mounting and manufacturing a semiconductor element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この分野において、半導体素子と
しての半導体チップ等の電子部品を配線基板上に実装す
る実装方法は、VLSIパッケージング技術(下)(日
経BP社)の17頁〜22頁に記載されているように、
熱硬化性の接着樹脂を用いてダイボンドする方法が一般
的である。
2. Description of the Related Art Conventionally, in this field, a mounting method for mounting an electronic component such as a semiconductor chip as a semiconductor element on a wiring board is described in VLSI packaging technology (lower), pages 17 to 22 (Nikkei BP). As described in
A method of die bonding using a thermosetting adhesive resin is generally used.

【0003】図14(a)〜(e)は、このような従来
方法の工程を順次模式的に示す正面工程図であり、図1
5(a)〜(e)は、図14(a)〜(e)に対応する
平面工程図である。
FIGS. 14A to 14E are front process diagrams schematically showing the steps of such a conventional method in sequence.
FIGS. 5 (a) to 5 (e) are plan views corresponding to FIGS. 14 (a) to 14 (e).

【0004】まず、各図に示す様に、熱硬化性接着剤で
あるダイボンド樹脂53を、半導体チップ50を載置す
るための配線基板51の所定位置に、ディスペンス法、
スタンピング法、スクリーン印刷法等により塗布する。
First, as shown in each figure, a die bonding resin 53 as a thermosetting adhesive is applied to a predetermined position of a wiring board 51 on which a semiconductor chip 50 is mounted by a dispense method.
It is applied by a stamping method, a screen printing method or the like.

【0005】次に、コレット52により、配線基板51
に装着する半導体チップ50を図示しない貯蔵手段から
吸引して取り出し、図14(a)及び図15(a)に示
すように、ダイボンド樹脂53が塗布された所望の装着
位置の上方まで搬送する。次ぎに、画像認識手段(図示
せず)による処理技術を用いて配線基板51と位置合せ
し、図14(b)及び図15(b)に示すように吸引中
のコレット52により所定量加圧しながらダイボンド樹
脂53を介して配線基板51に装着する。
[0005] Next, the wiring board 51 is
The semiconductor chip 50 to be mounted on the device is sucked out of a storage means (not shown) and taken out, and as shown in FIGS. Next, it is aligned with the wiring board 51 by using a processing technique by an image recognition means (not shown), and a predetermined amount of pressure is applied by the collet 52 during suction as shown in FIGS. 14 (b) and 15 (b). While being mounted on the wiring board 51 via the die bond resin 53.

【0006】次に、図14及び図15の各(c)、
(d)に示すように、この装着作業を順次繰り返し、配
線基板51の、ダイボンド樹脂53が塗布された所望の
装着位置に半導体チップ50を装着する。図14(e)
及び図15(e)は、このようにして装着された半導体
チップ50の装着状態を示す。その後、図16に示す様
に半導体チップ50を装着した配線基板51を、点線で
示すオーブン炉、又はリフロー炉等の加熱手段54に入
れて加熱し、熱硬化性接着剤のダイボンド樹脂53を加
熱硬化させ、半導体チップ50を配線基板51に固定し
た基板ユニット55を完成する。
Next, each of (c) of FIG. 14 and FIG.
As shown in (d), this mounting operation is sequentially repeated, and the semiconductor chip 50 is mounted on the wiring substrate 51 at a desired mounting position where the die bond resin 53 is applied. FIG. 14 (e)
FIG. 15E shows the mounting state of the semiconductor chip 50 thus mounted. Thereafter, as shown in FIG. 16, the wiring board 51 on which the semiconductor chip 50 is mounted is placed in a heating means 54 such as an oven furnace or a reflow furnace shown by a dotted line and heated to heat the die bonding resin 53 of the thermosetting adhesive. After curing, the substrate unit 55 in which the semiconductor chip 50 is fixed to the wiring substrate 51 is completed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体チップ50の実装方法では、図17に
示す様に、予め配線基板上に塗布するダイボンド樹脂5
3の塗布領域、その供給量、更には半導体チップ50の
装着位置がばらつくと、半導体チップ50を装着してダ
イボンド樹脂53を加熱硬化した際に、半導体チップ5
0の周囲にはみ出してフィレットを形成するダイボンド
樹脂の熱収縮力のバランスが崩れる。
However, in such a conventional mounting method of the semiconductor chip 50, as shown in FIG. 17, a die bonding resin 5 previously applied onto a wiring board is used.
When the application area of No. 3, the supply amount thereof, and the mounting position of the semiconductor chip 50 vary, when the semiconductor chip 50 is mounted and the die bond resin 53 is heated and cured, the semiconductor chip 5
The balance of the heat shrink force of the die bond resin that protrudes around 0 and forms a fillet is lost.

【0008】この場合、半導体チップ50は、ダイボン
ド樹脂53が固化する段階で搭載した位置からずれて固
定される。図17は、この位置ずれの種類を概略的に示
すもので、装着位置の中心線56に対して、垂直方向に
ずれた同図(a)の場合、傾斜した同図(b)の場合、
中心線方向にずれた同図(c)の場合などが考えられ
る。更に極端な場合には、同図(d)のようにダイボン
ド樹脂53が半導体チップ50の一方の側に大きくはみ
出し、他方の側にはフィレットが形成されない場合も考
えられる。
In this case, the semiconductor chip 50 is fixed at a position shifted from the mounting position when the die bond resin 53 solidifies. FIGS. 17A and 17B schematically show the types of the positional shift. In the case of FIG. 17A vertically displaced from the center line 56 of the mounting position, in the case of FIG.
The case of FIG. 3C shifted in the center line direction is conceivable. In a more extreme case, the die bond resin 53 may protrude largely on one side of the semiconductor chip 50 and no fillet is formed on the other side as shown in FIG.

【0009】特に、LEDイメージバー或いはイメージ
センサのように半導体チップ同士を近接して高精度に並
べる際には、このずれが解像度の低下を招いたり、半導
体チップの破損を招いたりして無視できなくなるという
問題点があった。
In particular, when arranging semiconductor chips close to each other with high precision, such as an LED image bar or an image sensor, this shift can cause a reduction in resolution or damage to the semiconductor chip, and can be ignored. There was a problem that it disappeared.

【0010】本発明の目的は、これらの問題を解消すべ
く、半導体チップの位置ずれを防止し、高精度な半導体
チップの実装を可能とする半導体素子、半導体素子の実
装方法及びその製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device, a semiconductor device mounting method, and a method of manufacturing the same, which can prevent a semiconductor chip from being displaced and can mount a semiconductor chip with high accuracy. To provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1の基板ユニット
は、配線基板上に熱硬化性接着剤を介して複数の半導体
素子を直線状に配列した基板ユニットであって、前記半
導体素子の前記配列方向に平行な両側面に、前記熱硬化
性接着剤によって互いに均等なフィレットを形成し、前
記半導体素子を前記配線基板上に固定したことを特徴と
する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate unit in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring substrate via a thermosetting adhesive. A uniform fillet is formed on both side surfaces parallel to the arrangement direction by the thermosetting adhesive, and the semiconductor element is fixed on the wiring board.

【0012】請求項2の半導体素子の実装方法は、配線
基板上に熱硬化性接着剤を介して複数の半導体素子を直
線状に配列する半導体素子の実装方法であって、前記半
導体素子の前記配線基板に対向する対向下面において、
前記配列方向の長さをLLED、前記配列方向と直交す
る幅方向の幅をWLED、前記半導体素子の前記配列方
向に平行な両側面に各々形成される前記熱硬化性接着剤
のフィレットの前記幅方向の想定幅をF、前記配線基板
上に塗付される前記熱硬化性接着剤と前記半導体素子と
の相対的な位置精度誤差をDとし、更に前記配線基板上
に前記熱硬化性接着剤を塗布する塗布領域の、前記配列
方向の長さをL、前記幅方向の幅をWとしたとき、 L≦LLED W≧(WLED+2F+2D) とした塗布領域を前記配列方向に複数形成すべく前記熱
硬化性接着剤を塗布する第1の工程と、前記塗布領域の
前記配列方向の中心線と前記対向下面の前記配列方向の
中心線とが略一致するように複数の前記半導体素子を各
々の前記塗布領域に装着する第2の工程と、前記半導体
素子を装着した前記配線基板を過熱炉内に移し、前記熱
硬化性接着剤を硬化固着する第3の工程とを施すことを
特徴とする。
The method of mounting a semiconductor element according to claim 2 is a method of mounting a semiconductor element in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring board via a thermosetting adhesive. On the opposing lower surface facing the wiring board,
The length in the arrangement direction is L LED , the width in the width direction perpendicular to the arrangement direction is W LED , and the fillet of the thermosetting adhesive is formed on both side surfaces of the semiconductor element parallel to the arrangement direction. The assumed width in the width direction is F, the relative positional error between the thermosetting adhesive applied to the wiring board and the semiconductor element is D, and the thermosetting adhesive is further provided on the wiring board. When the length of the application area to which the adhesive is applied is L in the arrangement direction and the width in the width direction is W, a plurality of application areas in the arrangement direction satisfying L ≦ L LED W ≧ (W LED + 2F + 2D) A first step of applying the thermosetting adhesive to form the plurality of semiconductors such that a center line of the application region in the arrangement direction substantially coincides with a center line of the opposed lower surface in the arrangement direction. A device is mounted on each of the application areas. And a third step of transferring the wiring board on which the semiconductor element is mounted into an overheating furnace and curing and fixing the thermosetting adhesive.

【0013】請求項3の半導体素子の実装方法は、請求
項2記載の実装方法において、前記熱硬化性接着剤を略
一定の厚みに塗布することを特徴とする。請求項4の半
導体素子の実装方法は、請求項2又は請求項3記載の実
装方法において、前記配線基板上に配列された複数の前
記半導体素子の互いに隣接する半導体素子に形成される
各前記フィレットが互いに接触しないように、前記塗布
領域に塗布される前記熱硬化性接着剤の厚みを設定する
ことを特徴とする。請求項5の半導体素子は、請求項2
記載の半導体素子の実装方法に用いられる半導体素子で
あって、該半導体素子の前記配列方向の長さをLsと
し、隣接して配置される半導体素子間に形成される前記
熱硬化性接着剤の各フィレットの前記配列方向の幅をF
bとしたとき、前記対向下面の配列方向の長さLLED
に対して前記Lsを Ls≧LLED+2Fbと設定し
て角錐台状に形成したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the mounting method of the second aspect, the thermosetting adhesive is applied to a substantially constant thickness. The mounting method of a semiconductor element according to claim 4, wherein each of the fillets formed on the semiconductor elements adjacent to each other of the plurality of semiconductor elements arranged on the wiring board in the mounting method according to claim 2 or 3. The thickness of the thermosetting adhesive applied to the application area is set so that the thermosetting adhesives do not contact each other. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device.
A semiconductor element used in the method of mounting a semiconductor element according to the above, wherein the length of the semiconductor element in the arrangement direction is Ls, and the thermosetting adhesive formed between the semiconductor elements arranged adjacent to each other. The width of each fillet in the arrangement direction is F
b, the length L LED of the facing lower surface in the arrangement direction
And Ls is set to Ls ≧ L LED + 2Fb to form a truncated pyramid.

【0014】請求項6の基板ユニットは、配線基板上に
熱硬化性接着剤を介して複数の半導体素子を直線状に配
列した基板ユニットであって、前記半導体素子の前記配
列方向に平行な両側面に、前記熱硬化性接着剤によって
互いに均等なフィレットを形成し、且つ隣接する前記半
導体素子間に形成される空域部に前記前記熱硬化性接着
剤を充填して前記半導体素子を前記配線基板上に固定す
ることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, the substrate unit is a substrate unit in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring board via a thermosetting adhesive, and both sides of the semiconductor elements parallel to the arrangement direction. On the surface of the wiring board, fillet is formed by forming the same fillet with the thermosetting adhesive, and the thermosetting adhesive is filled in an air space formed between the adjacent semiconductor elements. It is fixed on top.

【0015】請求項7の半導体素子の実装方法は、配線
基板上に熱硬化性接着剤を介して複数の半導体素子を直
線状に配列する半導体素子の実装方法であって、前記半
導体素子の前記配線基板に対向する対向下面において、
前記配列方向と直交する幅方向の幅をWLED、前記半
導体素子の前記配列方向に平行な両側面に各々形成され
る前記熱硬化性接着剤のフィレットの前記幅方向の想定
幅をF、前記配線基板上に塗付される前記熱硬化性接着
剤と前記半導体素子との相対的な位置精度誤差をDと
し、更に前記配線基板上で前記配列方向に均一な厚みを
もって延在し、前記熱硬化性接着剤を塗布して形成され
る塗布領域の前記幅方向の幅をWとしたとき、 W≧(WLED+2F+2D) となるように前記熱硬化性接着剤を塗布する第1の工程
と、前記塗布領域の前記配列方向の中心線と前記対向下
面の前記配列方向の中心線とが略一致するように複数の
前記半導体素子を前記塗布領域に装着する第2の工程
と、前記半導体素子を装着した前記配線基板を過熱炉内
に移し、前記熱硬化性接着剤を硬化固着する第3の工程
とを施すことを特徴とする。
The method of mounting a semiconductor element according to claim 7, is a method of mounting a semiconductor element in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring board via a thermosetting adhesive. On the opposing lower surface facing the wiring board,
The width in the width direction orthogonal to the arrangement direction is W LED , the assumed width in the width direction of the fillet of the thermosetting adhesive formed on both side surfaces of the semiconductor element parallel to the arrangement direction is F, The relative positional accuracy error between the thermosetting adhesive applied to the wiring board and the semiconductor element is D, and the thermosetting adhesive extends on the wiring board with a uniform thickness in the arrangement direction. A first step of applying the thermosetting adhesive such that W ≧ (W LED + 2F + 2D), where W is the width in the width direction of the application region formed by applying the curable adhesive; and A second step of mounting the plurality of semiconductor elements in the application area such that a center line of the application area in the arrangement direction substantially coincides with a center line of the opposed lower surface in the arrangement direction; and Overheating the wiring board with Transferred within, and characterized by applying a third step of curing sticking the thermosetting adhesive.

【0016】請求項8の半導体素子の実装方法は、請求
項7記載の実装方法において、前記半導体素子を前記熱
硬化性接着剤上に装着する工程において、隣接する前記
半導体素子の対向側面に挟まれて形成される空域部の体
積と、それぞれの半導体素子の装着によって半導体素子
の実装方法前記空域部に押出される前記熱硬化性接着剤
の流出分の総体積とが同程度となるように、前記塗布領
域の厚みを設定したことを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the mounting method of the seventh aspect, in the step of mounting the semiconductor element on the thermosetting adhesive, the semiconductor element is sandwiched between opposing side surfaces of the adjacent semiconductor elements. And the total volume of the outflow of the thermosetting adhesive extruded into the air space part by the mounting method of the semiconductor element by mounting the respective semiconductor elements so as to be substantially the same. The thickness of the application area is set.

【0017】請求項9の半導体素子は、請求項8の半導
体素子の実装方法に用いられる半導体素子であって、各
半導体素子の、前記対向下面の反対側の上面の外周部の
うち、少なくとも隣接して配置される際に互いに対向す
る部分に段差状の切欠溝を形成したことを特徴とする。
請求項10の半導体素子は、請求項9記載の半導体にお
いて、前記切欠溝の底面端部が前記半導体素子の最外形
となることを特徴とする。請求項11の半導体素子の製
造方法は、請求項9記載の半導体素子の製造方法であっ
て、分離される前の前記半導体素子を半導体ウエハに碁
盤の目状に整列して複数個形成し、該半導体素子の各境
界部分に格子状の溝段差部をエッチングにより形成し、
前記溝段差部の幅よりも狭い円盤状のカッターで該溝段
差部に沿って切削し、該半導体素子を個々に分離するこ
とを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor element used in the method of mounting a semiconductor element according to the eighth aspect, wherein at least an outer peripheral portion of an upper surface of each semiconductor element opposite to the opposing lower surface is provided. A step-shaped notch groove is formed in a portion facing each other when being arranged in a manner as described above.
A semiconductor device according to a tenth aspect is characterized in that, in the semiconductor according to the ninth aspect, the bottom end of the cutout groove is the outermost shape of the semiconductor element. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 11, wherein the plurality of semiconductor devices before being separated are formed on a semiconductor wafer by arranging them in a grid pattern, Forming a grid-like groove step on each boundary portion of the semiconductor element by etching;
It is characterized in that the semiconductor elements are individually separated by cutting along the groove steps with a disk-shaped cutter narrower than the width of the groove steps.

【0018】請求項12の半導体素子の実装方法は、請
求項7記載の半導体素子の実装方法であって、前記半導
体素子を前記熱硬化性接着剤上に装着する工程におい
て、前記位置精度誤差Dのばらつきにより、隣接する前
記半導体素子の対向側面に挟まれて形成される空域部が
最小となる体積と、それぞれの半導体素子の装着によっ
て前記空域部に押出される前記前記熱硬化性接着剤の流
出分の総体積とが同程度となるように、前記塗布領域の
厚みを設定したことを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the method of mounting a semiconductor element according to the seventh aspect, in the step of mounting the semiconductor element on the thermosetting adhesive, the positional accuracy error D Due to the variation, the volume of the air space formed between the opposing side surfaces of the adjacent semiconductor elements is minimized, and the thermosetting adhesive extruded into the air space by mounting each semiconductor element. The thickness of the application region is set so that the total volume of the outflow is substantially the same.

【0019】請求項13の半導体素子は、請求項12の
半導体素子の実装方法に適用される半導体素子であっ
て、各半導体素子の、前記幅方向に沿った両側面に、前
記対向下面と垂直で且つ該対向下面から連続する平面部
を有する段差を設けたことを特徴とする。請求項14の
半導体素子の製造方法は、請求項13記載の半導体素子
の製造方法において、分離される前の前記半導体素子を
半導体ウエハに碁盤の目状に整列して複数個形成し、該
半導体素子の各境界部分に格子状の溝段差部をエッチン
グ又は円盤状のカッターにより形成し、前記半導体ウエ
ハの前記格子状の溝段差部が形成された面の裏側から、
前記溝段差部に対向する位置に、溝段差部の幅よりも広
い切削溝を円盤状のカッターで形成し、前記溝段差部及
び前記切削溝に沿ってスクライブし、該半導体素子を個
々に分離することを特徴とする。
A semiconductor element according to a thirteenth aspect is a semiconductor element applied to the method for mounting a semiconductor element according to the twelfth aspect, wherein each of the semiconductor elements is provided on both side surfaces along the width direction of the semiconductor element so as to be perpendicular to the opposite lower surface. And a step having a flat portion continuous from the opposed lower surface is provided. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 14, wherein in the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13, a plurality of the semiconductor elements before being separated are arranged on a semiconductor wafer in a grid pattern. A lattice-shaped groove step is formed on each boundary portion of the element by etching or a disk-shaped cutter, and from the back side of the surface of the semiconductor wafer where the lattice-shaped groove step is formed,
A cutting groove wider than the width of the groove step portion is formed by a disk-shaped cutter at a position facing the groove step portion, and scribed along the groove step portion and the cutting groove to separate the semiconductor elements individually. It is characterized by doing.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、本発明に
よるLEDアレイの実施の形態1の概略の構成を示す概
略構成図であり、同図(a)はその平面図を、同図
(b)はこの平面図に示す指示線100を含む断面を矢
印A方向からみた断面図をそれぞれ示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a schematic configuration of an LED array according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view thereof, and FIG. 1 (b) is an instruction line shown in the plan view. 100 are cross-sectional views of the cross section including 100 viewed from the direction of arrow A.

【0021】半導体素子としてのLEDアレイ1は、以
下のようにして形成される。基材2は、ウエハとして、
化合物半導体、例えばガリウム・砒素(以下、GaAs
と称す)或いは、ガリウム・砒素・燐(以下、GaAs
Pと称す)から構成されるn型半導体によって形成され
る。そして図1(a)に示す様に、この基材2の上に、
碁盤の目状に整列して形成された開口部3aを有する絶
縁層3をホトリソにより形成する。
The LED array 1 as a semiconductor element is formed as follows. The base material 2 is a wafer,
Compound semiconductors such as gallium arsenide (hereinafter GaAs)
Gallium / arsenic / phosphorus (hereinafter GaAs)
P)). Then, as shown in FIG.
An insulating layer 3 having an opening 3a formed in a grid pattern is formed by photolithography.

【0022】次に、気相拡散法等により、亜鉛等のp型
不純物をこの開口部3aを介して基材2に拡散して発光
部となるp型半導体の拡散部4を形成し、各拡散部に、
その一部とオーミックコンタクトが取られた電極パッド
5を、例えばアルミ等の材料でライン状に配列して形成
し、個々の発光部を構成するLED6に個別に電流を供
給する。
Next, a p-type impurity such as zinc is diffused into the base material 2 through the opening 3a by a vapor phase diffusion method or the like to form a p-type semiconductor diffusion portion 4 serving as a light emitting portion. In the diffusion part,
An electrode pad 5 having a part thereof and an ohmic contact is formed in a linear array of a material such as aluminum, for example, and a current is individually supplied to the LEDs 6 constituting the individual light emitting units.

【0023】また、基材2の拡散部4が形成された上面
に対してその下面2aには、基材2とオーミックコンタ
クトが取られた共通電極7を金系材料で形成し、LED
アレイ1の各LED6に供給される電流をまとめて吸出
す。そしてLEDアレイ1は、その4つの側面が、傾斜
したダイヤモンドブレードによって各々斜めに切断さ
れ、共通電極7が面小の底面となる角錐台状に形成され
ている。
On the lower surface 2a of the upper surface of the substrate 2 on which the diffusion portion 4 is formed, a common electrode 7 having an ohmic contact with the substrate 2 is formed of a gold-based material.
The current supplied to each LED 6 of the array 1 is sucked out collectively. The four side surfaces of the LED array 1 are each cut obliquely by an inclined diamond blade, and the common electrode 7 is formed in a truncated pyramid shape having a small bottom surface.

【0024】図2は、本発明による実装方法によって形
成する基板ユニットの実施の形態1の部分構成図であ
り、同図(a)はその正面図を、同図(b)はその側面
図をそれぞれ示す。図2(a)に示すように、基板ユニ
ット10は、配線基板11上に複数の上記したLEDア
レイ1を直線状に近接して配列し、各LEDアレイ1の
底面に形成された共通電極7と、配線基板11上に形成
された導電パターン(図示せず)とを熱硬化性接着剤と
しての導電性のダイボンド樹脂13を介して電気的に接
続して固定する。そしてLEDアレイ1の電極パッド5
と駆動ICの出力パッド(図示せず)とを金属ワイヤ
(図示せず)により電気的に接続し、選択的にLED6
に電流を供給して発光させる。
FIGS. 2A and 2B are partial configuration diagrams of a first embodiment of a board unit formed by the mounting method according to the present invention. FIG. 2A is a front view, and FIG. 2B is a side view. Shown respectively. As shown in FIG. 2A, the board unit 10 includes a plurality of LED arrays 1 linearly arranged on a wiring board 11 in a linear manner, and a common electrode 7 formed on the bottom surface of each LED array 1. And a conductive pattern (not shown) formed on the wiring board 11 are electrically connected and fixed via a conductive die bond resin 13 as a thermosetting adhesive. And the electrode pad 5 of the LED array 1
And an output pad (not shown) of the driving IC are electrically connected to each other by a metal wire (not shown).
Is supplied with a current to emit light.

【0025】尚、配線基板11に対して、装着されるL
EDアレイ1の指示線100と平行する方向にX軸(図
2(a))を想定し、配線基板11のLEDアレイ載置
面11aに平行で且つX軸と直交する方向にY軸(図2
(b))を想定する。
It should be noted that the L attached to the wiring board 11 is
Assuming the X axis (FIG. 2A) in a direction parallel to the indicating line 100 of the ED array 1, the Y axis (FIG. 2A) in a direction parallel to the LED array mounting surface 11a of the wiring board 11 and orthogonal to the X axis. 2
(B)) is assumed.

【0026】図3は、上記の基板ユニット10を形成す
る際に、スクリーン印刷法によって配線基板11に塗布
するダイボンド樹脂13の塗布形状を示し、同図(a)
はその正面図を、同図(b)はその平面図をそれぞれ示
す。図4は、この塗布形状のダイボンド樹脂13にLE
Dアレイ1を装着した際の状態を示す実装図であり、同
図(a)はその正面図を、同図(b)はその平面図をそ
れぞれ示す。
FIG. 3 shows the application shape of the die bond resin 13 applied to the wiring substrate 11 by screen printing when the above-mentioned substrate unit 10 is formed.
2 shows a front view thereof, and FIG. 2 (b) shows a plan view thereof. FIG. 4 shows that the die bond resin 13 having this coating shape is LE-coated.
FIGS. 4A and 4B are mounting diagrams showing a state when the D array 1 is mounted, wherein FIG. 4A is a front view and FIG. 4B is a plan view.

【0027】ここで使用されるダイボンド樹脂13は、
エポキシ系樹脂に代表される熱硬化性接着樹脂を主剤と
したペースト状のもので、配線基板11上のLEDアレ
イ1を装着する部分に予め塗布しておき、LEDアレイ
1を装着する。この装着方法は、例えば、前記した図1
4の説明で開示したコレット52を用いて行なう方法を
採用するものとし、その詳細な説明を省略する。
The die bond resin 13 used here is:
It is a paste-like material mainly composed of a thermosetting adhesive resin represented by an epoxy resin, and is applied in advance to a portion of the wiring board 11 where the LED array 1 is to be mounted, and the LED array 1 is mounted. This mounting method is described in, for example, FIG.
It is assumed that the method using the collet 52 disclosed in the description of 4 is adopted, and the detailed description thereof is omitted.

【0028】この装着過程で、LEDアレイ1がダイボ
ンド樹脂13を介在して配線基板11上に加圧される
と、対向下面に相当する共通電極7の下面がダイボンド
樹脂13を押しのけ、LEDアレイ1の周囲にダイボン
ド樹脂13が流出して肉盛した傾斜部(以後フィレット
と称す)13a,13b(図2(b))を形成する。
In this mounting process, when the LED array 1 is pressed onto the wiring board 11 with the die bond resin 13 interposed therebetween, the lower surface of the common electrode 7 corresponding to the opposing lower surface pushes the die bond resin 13 and the LED array 1 is pressed. The die-bonding resin 13 flows out and forms inclined portions (hereinafter referred to as fillets) 13a and 13b (FIG. 2B) which are built up.

【0029】このようにして形成されるフィレット13
aが所望の形状となるように、配線基板11上に塗布さ
れるダイボンド樹脂13の塗布形状について説明する。
LEDアレイ1のX軸に平行な傾斜した各長側面1a,
1b(図2(b))の各々の下部に形成されるフィレッ
ト13a,13bが、LEDアレイ1の中心を通ってX
−Z平面に平行な中心面101に対して略面対称(以
下、均等と称す)に形成されるように考慮する。このた
め、LEDアレイ1がダイボンド樹脂13を介して配線
基板11と対向する対向下面のX軸方向の長さ(以後、
対向下面長と称す)をLLEDとし、そのY軸方向の幅
(以後、対向下面幅と称す)をW EDとする。
The fillet 13 thus formed
The application shape of the die bond resin 13 applied on the wiring board 11 so that “a” has a desired shape will be described.
Each long side surface 1a inclined parallel to the X axis of the LED array 1,
1b (FIG. 2 (b)), fillets 13a, 13b formed at the lower part of the LED array 1 pass through the center of the LED array 1, and
Consideration is made so as to be formed substantially plane-symmetrical (hereinafter referred to as “equal”) with respect to the center plane 101 parallel to the −Z plane. For this reason, the length in the X-axis direction of the opposing lower surface of the LED array 1 opposing the wiring substrate 11 via the die bond resin 13 (hereinafter, referred to as “the length”)
The opposing lower surface length hereinafter) and L LED, its Y-axis direction of the width (hereinafter referred to as the opposing lower surface width) and W L ED.

【0030】そして、想定される幅方向のフィレット1
3a,13bの想定幅をF、LEDアレイ1を配線基板
11上に塗布されたダイボンド樹脂13上に装着する際
の、ダイボンド樹脂13との相対的な位置精度誤差(従
って、塗付領域の精度誤差を含む)をDとしたとき、図
3(b)に示す配線基板上11上に塗布されるダイボン
ド樹脂13の塗布領域のX軸方向の長さL、及びY軸方
向の幅Wが、それぞれ L≦LLED、 W≧WLED+2F+2D となるように形成する。
Then, an assumed widthwise fillet 1 is provided.
The assumed widths of 3a and 13b are F, and a positional accuracy error relative to the die bond resin 13 when the LED array 1 is mounted on the die bond resin 13 applied on the wiring board 11 (accordingly, the accuracy of the application area) (Including error) is D, the length L in the X-axis direction and the width W in the Y-axis direction of the application region of the die bond resin 13 applied on the wiring substrate 11 shown in FIG. They are formed so that L ≦ L LED and W ≧ W LED + 2F + 2D, respectively.

【0031】また図3に示すように、スクリーン印刷法
により配線基板11上にダイボンド13を塗布する場
合、ダイボンド樹脂13の厚さTは、印刷用の版のメッ
シュの粗さ、或いは乳剤厚によって制御することがで
き、また塗布領域を印刷パターンで規定できる。このた
め、上記した配線基板11上の所望の領域に、上記した
寸法(W×L)で所定厚Tのダイボンド樹脂13を塗布
することが出来る。
As shown in FIG. 3, when the die bond 13 is applied on the wiring substrate 11 by the screen printing method, the thickness T of the die bond resin 13 depends on the roughness of the mesh of the printing plate or the emulsion thickness. It can be controlled and the application area can be defined by a print pattern. Therefore, the die bond resin 13 having the above-described dimensions (W × L) and the predetermined thickness T can be applied to a desired region on the wiring substrate 11.

【0032】図3は、配線基板11上において、X軸に
沿った基準線102を中心として所定の間隔で塗布さ
れ、各塗布領域の寸法が(W×L)に形成されたダイボ
ンド樹脂13の塗布例を示している。
FIG. 3 shows the die bond resin 13 coated on the wiring board 11 at a predetermined interval around a reference line 102 along the X axis, and the size of each coated area is (W × L). 4 shows an application example.

【0033】ダイボンド樹脂13の各塗布領域の幅W
は、前記したようにLEDアレイ1の長側面1a,1b
にそれぞれ形成されるフィレットの形成幅W,W
と、ダイボンド13塗布工程及びLEDアレイ1と搭
載工程における相対的な精度誤差Dとを考慮して設定さ
れている。このため、LEDアレイ1が、誤差を含んで
配線基板11上に搭載されても、その誤差が精度誤差D
以下であれば、各フィレット13a,13bの形成条件
が同一となり、これらの各フィレット13a,13bの
形状は、図4に示すように互いに均等となる。
The width W of each application region of the die bond resin 13
Are the long side surfaces 1a and 1b of the LED array 1 as described above.
Forming widths W A , W of fillets formed in
B and the relative accuracy error D in the die bond 13 application step and the LED array 1 and mounting step. For this reason, even if the LED array 1 is mounted on the wiring board 11 including an error, the error is caused by the accuracy error D
In the following cases, the conditions for forming the fillets 13a and 13b are the same, and the shapes of the fillets 13a and 13b are equal to each other as shown in FIG.

【0034】図7は、上記した方法によって配線基板1
上に装着された3種類の形状を有するLEDアレイとそ
の長側面に形成されたフィレット13a,13bの様子
を示す構成図である。
FIG. 7 shows the wiring board 1 according to the method described above.
FIG. 3 is a configuration diagram showing an LED array having three types of shapes mounted thereon and fillets 13a and 13b formed on long sides thereof.

【0035】同図(a)は、前記した角錐台形状のLE
Dアレイ1の場合を示し、長側面1a,1bに形成され
たフィレット13a、13bの各幅W,Wは、各々
想定幅Fと同程度となり、互いに均等に形成されてい
る。
FIG. 3A shows an LE having a truncated pyramid shape.
D shows the case of an array 1, the fillet 13a formed on the long sides 1a, 1b, each width W A of 13b, W B are each becomes assumed width F comparable, are uniformly formed with each other.

【0036】同図(b)は、その形状が直方体形状のL
EDアレイ16の場合を示し、同図(c)は、その断面
形状が平行四辺形となるLEDアレイ17の場合を示し
ている。このように、LEDアレイの形状が様々であっ
ても、各LEDアレイがダイボンド樹脂13を介して配
線基板11と対向する対向下面のY軸方向の対向下面幅
LEDをもとにダイボンド樹脂13の塗布領域の幅W
を設定し、また各LEDアレイの対向下面を基準として
搭載位置を規定することによって、LEDアレイの形状
に拘わらずに各長側面16a,16b、及び,17a,
17bに形成される対のフィレットの形状を、各々互い
に均等に形成できる。
FIG. 3B shows a rectangular parallelepiped L.
FIG. 3C shows the case of the LED array 17 whose cross-sectional shape is a parallelogram. As described above, even when the LED array has various shapes, the die bonding resin 13 based on the width W LED of the lower surface in the Y-axis direction of the lower surface facing the wiring board 11 via the die bonding resin 13. Width W of the coating area
Is set, and the mounting position is defined on the basis of the opposing lower surface of each LED array, so that each of the long side surfaces 16a, 16b, and 17a, regardless of the shape of the LED array.
The shape of the pair of fillets formed in 17b can be formed equally to each other.

【0037】また、図2(b)に示すように、角錐台状
のLEDアレイ1の対向下面長L EDに対して、上面
のX軸方向の長さである上面長をLsとし、LEDアレ
イ1のY軸に沿って傾斜した各短側面1c,1dの各々
の下部に形成されるフィレット13cの想定幅をFbと
したとき、上面長Lsを Ls≧LLED+2Fb と設定することにより、配列されたLEDアレイ1の周
囲に流出するダイボンド樹脂が、隣接するLEDアレイ
1から流出した接着剤と接触することがないため、隣接
するLEDアレイ1から流出したダイボンド樹脂と接触
することがないため、相互の影響を除くことができる。
Further, as shown in FIG. 2 (b), to the opposing lower surface length L L ED truncated pyramid shaped LED array 1, the X-axis direction of the upper surface of the top length is the length and Ls, LED When the assumed width of the fillet 13c formed below each of the short side surfaces 1c and 1d inclined along the Y axis of the array 1 is Fb, by setting the upper surface length Ls as Ls ≧ L LED + 2Fb, Since the die bonding resin flowing out around the arranged LED array 1 does not come into contact with the adhesive flowing out from the adjacent LED array 1, it does not come into contact with the die bonding resin flowing out from the adjacent LED array 1. , Can eliminate mutual effects.

【0038】更に図5は、上記の基板ユニット10を形
成する際に、スクリーン印刷法の代わりにスタンピング
法によって配線基板11に塗布するダイボンド樹脂15
の塗布形状を示し、同図(a)はその正面図を、同図
(b)はその平面図をそれぞれ示す。図6は、この塗布
形状のダイボンド樹脂15にLEDアレイ1を装着した
際の状態を示す実装図であり、同図(a)はその正面図
を、同図(b)はその平面図をそれぞれ示す。
FIG. 5 further shows a die bonding resin 15 applied to the wiring substrate 11 by stamping instead of screen printing when the above-mentioned substrate unit 10 is formed.
3A shows a front view, and FIG. 3B shows a plan view thereof. FIGS. 6A and 6B are mounting diagrams showing a state in which the LED array 1 is mounted on the die bond resin 15 having the coating shape. FIG. 6A is a front view thereof, and FIG. 6B is a plan view thereof. Show.

【0039】この塗布方法では、ダイボンド樹脂15の
粘性により、中央部分が盛上がる傾向を示すため、本実
施例では厚み分布の発生しにくい帯状の転写パターンを
採用し、X軸方向に配列される各LEDアレイ1毎に、
所定数の帯状片15dが割り当てられるようにダイボン
ド樹脂15を転写して厚さTを制御している。また、塗
布領域は転写パターンにより規定できるが、転写樹脂厚
の影響を受けるためにスクリーン印刷法よりも精度が落
ちる。そこで、例えば位置精度誤差Dを大きめに設定す
るなど、転写後の形状と厚さを考慮して転写パターンの
サイズを設定し、所望するダイボンド樹脂15を配線基
板11に塗布する。
In this coating method, since the center portion tends to rise due to the viscosity of the die bond resin 15, the present embodiment employs a band-shaped transfer pattern in which a thickness distribution is unlikely to occur, and each of the transfer patterns arranged in the X-axis direction. For each LED array 1,
The thickness T is controlled by transferring the die bond resin 15 so that a predetermined number of strips 15d are allocated. Further, the application area can be defined by the transfer pattern, but the accuracy is lower than the screen printing method due to the influence of the transfer resin thickness. Therefore, the size of the transfer pattern is set in consideration of the shape and thickness after transfer, for example, by setting the position accuracy error D to a relatively large value, and the desired die bond resin 15 is applied to the wiring board 11.

【0040】以上のように、実施の形態1の実装方法に
よれば、LEDアレイの一対の長側面に形成される各フ
ィレット形状が互いに均等となるため、ダイボンド樹脂
を加熱硬化した際にフィレットの熱収縮率のバランスが
保たれ、少なくとも幅方向(Y軸方向)において、ダイ
ボンド樹脂の硬化に伴なう位置ずれを防ぐことが出来
る。
As described above, according to the mounting method of the first embodiment, the fillet shapes formed on the pair of long side surfaces of the LED array are equal to each other. The balance of the thermal shrinkage is maintained, and it is possible to prevent the displacement due to the curing of the die bond resin at least in the width direction (Y-axis direction).

【0041】また、角錐台状の複数のLEDアレイを配
列方向(X軸方向)に配列する際に、上面長Lsを、同
方向に形成されるフィレットの想定幅Fbを考慮して設
定するとにより、隣接するLEDアレイに形成される各
フィレットが互いに接触しないようにできる。
When a plurality of truncated pyramid-shaped LED arrays are arranged in the arrangement direction (X-axis direction), the upper surface length Ls is set in consideration of an assumed width Fb of a fillet formed in the same direction. The fillets formed on adjacent LED arrays can be prevented from contacting each other.

【0042】実施の形態2.図8は、本発明による実装
方法によって形成する基板ユニットの実施の形態2の概
略的な構成を説明するための概略図を示し、同図(a)
は、ダイボンド樹脂21の塗布形状を示し、同図(b)
は、この塗布領域に実施の形態1で使用したLEDアレ
イ1を装着したときのダイボンド樹脂21の流動状態を
示し、同図(c)は、同じく実施の形態2によるLED
アレイ22を装着したときのダイボンド樹脂21の流動
状態を示している。
Embodiment 2 FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a schematic configuration of the second embodiment of the board unit formed by the mounting method according to the present invention, and FIG.
Indicates the application shape of the die bond resin 21, and FIG.
FIG. 3C shows the flow state of the die bond resin 21 when the LED array 1 used in the first embodiment is mounted on the application area, and FIG.
The flow state of the die bond resin 21 when the array 22 is mounted is shown.

【0043】また図10は、この実施の形態2の実装方
法において、配線基板11に塗布されるダイボンド樹脂
21の塗布形状を示し、同図(a)は、その正面図を、
同図(b)はその平面図をそれぞれ示す。同図に示す塗
布形状のY軸方向の幅Wは W≧WLED+2F+2D によって設定される。尚、上式中の対向下面幅
LED、フィレットの想定幅F、及び位置精度誤差D
は、各々実施の形態1で定義した変数であり、それをL
EDアレイ22(図8(c))に適用しただけなので、
ここではその説明を省略する。
FIG. 10 shows the application shape of the die bond resin 21 applied to the wiring board 11 in the mounting method according to the second embodiment, and FIG.
FIG. 1B shows a plan view thereof. The width W in the Y-axis direction of the coating shape shown in the figure is set by W ≧ W LED + 2F + 2D. In the above formula, the facing lower surface width W LED , the assumed width F of the fillet, and the positional accuracy error D
Are the variables defined in the first embodiment, respectively.
Since it is only applied to the ED array 22 (FIG. 8C),
Here, the description is omitted.

【0044】一方、塗布形状のX軸方向の長さLSUM
(図10(b))は、同方向に並べるLEDアレイ22
の配列長に略相当し、またその厚さは、T2で均一とさ
れ、後述する条件を満たすように設定される。以上のよ
うに塗布されたダイボンド樹脂21上に、LEDアレイ
を装着する。この装着方法は、例えば、前記した図14
の説明で開示したコレット52を用いて行なう方法を採
用するものとし、その詳細な説明を省略する。
On the other hand, the length L SUM of the coating shape in the X-axis direction
(FIG. 10B) shows the LED arrays 22 arranged in the same direction.
, And its thickness is set to be uniform at T2 and set to satisfy the conditions described later. The LED array is mounted on the die bond resin 21 applied as described above. This mounting method is described in, for example, FIG.
The method using the collet 52 disclosed in the above description is adopted, and the detailed description thereof is omitted.

【0045】図8(b)は、実施の形態1で採用したL
EDアレイ1を、上記した形状のダイボンド樹脂21を
介して配線基板11上に配列した場合を示している。同
図に示すように、配列方向(X軸方向)に隣接する角錐
台形状のLEDアレイ1間には、対向する短側面1c、
1dによって断面三角形状の空域部18が形成される。
尚、隣接LEDアレイ間の対向する短側面1c、1dを
対向側面と称す。
FIG. 8B shows the L value employed in the first embodiment.
The case where the ED array 1 is arranged on the wiring board 11 via the die bond resin 21 having the above-described shape is shown. As shown in the figure, between the truncated pyramid-shaped LED arrays 1 adjacent in the arrangement direction (X-axis direction), opposing short side surfaces 1c,
An air space 18 having a triangular cross section is formed by 1d.
In addition, the opposing short side surfaces 1c and 1d between adjacent LED arrays are referred to as opposing side surfaces.

【0046】前記したダイボンド樹脂21の塗布領域の
厚みT2は、LEDアレイ1が所定の正確な位置に装着
される際に、空域部18内に押出されるダイボンド樹脂
の量(体積)が、この空域部18の体積と略一致するよ
うに設定される。
The thickness T2 of the application region of the die bond resin 21 is determined by the amount (volume) of the die bond resin extruded into the space 18 when the LED array 1 is mounted at a predetermined accurate position. The volume is set to substantially match the volume of the airspace section 18.

【0047】このため、LEDアレイ1の形状精度やそ
の装着時の位置精度が正確であれば、押出されたダイボ
ンド樹脂は、空域部18内に収まることになるが、同図
に示すように、X軸方向における取付け位置がずれた
り、短側面1c、1dの傾斜角がばらつくと、空域部1
8の体積が変動し、同図に示すように、ダイボンド樹脂
21が発光面まで達し、発光部を被覆して光量低下を招
く。
For this reason, if the shape accuracy of the LED array 1 and the positional accuracy at the time of mounting the LED array 1 are accurate, the extruded die bond resin will fit in the air space 18, as shown in FIG. If the mounting position in the X-axis direction shifts or if the inclination angles of the short side surfaces 1c and 1d vary, the airspace 1
8, the die bond resin 21 reaches the light-emitting surface, covers the light-emitting portion, and causes a decrease in the light amount, as shown in FIG.

【0048】この現象は、角錐台形状の面大の底面を発
光面とするLEDアレイ1にあって、空域部18が上方
に向かうにつれて狭くなるため、毛細管効果によって更
に充填されやすくなり、より顕著に現われる。
This phenomenon is more remarkable in the LED array 1 in which the light-emitting surface is the truncated pyramid-shaped bottom surface, and the air-space portion 18 becomes narrower as it goes upward. Appears in

【0049】本実施の形態では、この問題を解決するた
めに、図8(c)に示すように、LEDアレイ22の上
面22eの周辺部に切欠溝22fを形成している。以
下、切欠溝22fを有するLEDアレイ22の形成方法
を、図9を参照しながら説明する。図9(a)は、ウエ
ハ23の平面図であるが、同図に示すようにウエハ23
に碁盤の目状に配列された切断前のLEDアレイ22の
外周に沿った斜線部にエッチングにより溝段差部23a
を設ける。そしてその概略正面図9(b)、(c)に示
すように、溝段差部23aに点線で示すダイシング位置
23bに沿って、垂線方向に対して所定角傾斜させ且つ
円盤状で溝段差部23aの幅よりも狭い切削幅を有する
カッターとしてのダイヤモンドブレード24によって2
方向から切断する。これにより、図8(c)に示すよう
に傾斜した長側面22a,22b、傾斜した短側面22
c,22d、及び切欠溝22fを有するLEDアレイ2
2を分離形成する。
In this embodiment, in order to solve this problem, as shown in FIG. 8C, a notch groove 22f is formed in the periphery of the upper surface 22e of the LED array 22. Hereinafter, a method of forming the LED array 22 having the cutout grooves 22f will be described with reference to FIG. FIG. 9A is a plan view of the wafer 23, and as shown in FIG.
The diagonal lines along the outer periphery of the uncut LED array 22 arranged in a grid pattern are etched to form groove step portions 23a.
Is provided. As shown in the schematic front views 9 (b) and 9 (c), the groove step 23a is inclined at a predetermined angle with respect to the perpendicular direction along the dicing position 23b indicated by a dotted line in the groove step 23a, and has a disk shape. 2 by a diamond blade 24 as a cutter having a cutting width smaller than the width of
Disconnect from the direction. As a result, as shown in FIG. 8C, the inclined long side surfaces 22a and 22b and the inclined short side surface 22
LED array 2 having c, 22d, and cutout groove 22f
2 is formed separately.

【0050】この場合、同図から明らかなように、切欠
溝22fと短側面22c,22dとの境となる切欠溝2
2fの底面端部22gがLEDアレイ22のX−Y平面
における最外形部となる。
In this case, as is apparent from the figure, the notch groove 2 serving as a boundary between the notch groove 22f and the short side surfaces 22c and 22d.
The bottom end 22g of 2f is the outermost portion of the LED array 22 in the XY plane.

【0051】図11は、このようにして形成されたLE
Dアレイ22を、前記した図10の形状に塗布されたダ
イボンド樹脂21を介して配線基板11上に配列して形
成した基板ユニット20の構成を示し、同図(a)は、
その正面図を、同図(b)はその平面図をそれぞれ示
す。図8(c)は、このようにして形成した基板ユニッ
ト20を図8(a),(b)と対比させた概略的な構成
図であるが、切欠溝22fが形成されている以外、上記
した図8(b)に示す仮想的な基板ユニットと全く同じ
構成となっている。
FIG. 11 shows the thus formed LE.
10A shows a configuration of a board unit 20 in which the D array 22 is arranged on the wiring board 11 via the die bond resin 21 applied in the shape shown in FIG.
The front view is shown, and FIG. 2B is a plan view thereof. FIG. 8C is a schematic configuration diagram in which the substrate unit 20 thus formed is compared with FIGS. 8A and 8B, except that the cutout groove 22f is formed. The configuration is exactly the same as the virtual board unit shown in FIG.

【0052】この場合、上記した図8(b)での説明と
同じ理由から、空域部25の体積が変動すると、同図
(c)に示すようにその体積が減少する部分ではダイボ
ンド樹脂21が上昇して対向する一対の切欠溝22fま
で達するが、これらの切欠溝22fから溢れ出てその上
面に22eに形成された発光部を被覆することはない。
In this case, for the same reason as described above with reference to FIG. 8B, when the volume of the air space 25 changes, as shown in FIG. Although it rises and reaches a pair of notch grooves 22f facing each other, it does not overflow from these notch grooves 22f and cover the light emitting portion formed on 22e on the upper surface thereof.

【0053】基板ユニット20では、切欠溝22fの高
さまでは、毛細管効果によってダイボンド樹脂が充填さ
れ易くなるが、対向する一対の切欠溝22fによって形
成される収納溝部20aではLEDアレイ22間の空域
の間隔が急激に広がるため、この収納溝部20aに至っ
たダイボンド樹脂はその表面張力により充填されにくく
なる。このため、更に余剰のダイボンド樹脂が収納溝部
20aから溢れ出にくくなる。
In the substrate unit 20, the die bond resin is easily filled by the capillary effect at the height of the notch groove 22f. However, in the storage groove part 20a formed by the pair of notch grooves 22f facing each other, the space between the LED arrays 22 is reduced. Since the interval rapidly increases, the die bond resin that has reached the storage groove portion 20a is less likely to be filled due to its surface tension. For this reason, it becomes more difficult for excess die bond resin to overflow from the storage groove portion 20a.

【0054】しかも、極近傍まで接近するLEDアレイ
22の発光面間にダイボンド樹脂が充填されるため、こ
れがクッションの役割を果たし、ダイボンド樹脂の熱収
縮によるLEDアレイ同士の接触を防止することができ
る。
In addition, since the die bond resin is filled between the light emitting surfaces of the LED array 22 approaching very close to each other, this serves as a cushion, and the contact between the LED arrays due to the heat shrinkage of the die bond resin can be prevented. .

【0055】以上のように実施の形態2の基板ユニット
によれば、ダイボンド樹脂の塗布領域がX軸方向で連続
して形成されるため、塗布作業が容易となる。また、ダ
イボンド樹脂を加熱硬化する際に、フィレットの幅方向
(Y軸方向)の熱収縮率のバランスが均等に保たれる他
に、X軸方向においても接近したLEDアレイ22間の
ダイボンド樹脂がクッションの役割を果たし、ダイボン
ド樹脂の熱収縮によるLEDアレイ同士の接触を防止す
ることができる。
As described above, according to the substrate unit of the second embodiment, since the application region of the die bond resin is formed continuously in the X-axis direction, the application operation becomes easy. In addition, when the die-bonding resin is cured by heating, the balance of the heat shrinkage in the width direction (Y-axis direction) of the fillet is maintained evenly, and the die-bonding resin between the LED arrays 22 approached also in the X-axis direction. It functions as a cushion and can prevent contact between the LED arrays due to thermal contraction of the die bond resin.

【0056】実施の形態3.図12は、本発明による実
装方法によって形成する基板ユニットの実施の形態3の
概略的な構成を説明するための概略図を示し、同図
(a)は、ダイボンド樹脂31の塗布形状を示し、同図
(b)は、この塗布領域に実施の形態1で使用したLE
Dアレイ1を装着したときのダイボンド樹脂31の流動
状態を示し、同図(c)は、実施の形態3によるLED
アレイ32を装着したときのダイボンド樹脂の流動状態
を示している。
Embodiment 3 FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a schematic configuration of a substrate unit formed by the mounting method according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 12A shows an application shape of a die bond resin 31; FIG. 3B shows the LE used in the first embodiment in this application area.
FIG. 3C shows a flow state of the die bond resin 31 when the D array 1 is mounted, and FIG.
The flow state of the die bond resin when the array 32 is mounted is shown.

【0057】本実施の形態において、図12(a)に示
す配線基板11に塗布されるダイボンド31の塗布形状
は、前記した図10で示す塗布形状と全く同じである。
即ち、この塗布形状の同図に示すY軸方向の幅Wは W≧WLED+2F+2D によって設定される。尚、上式中の対向下面幅
LED、フィレットの想定幅F、及び位置精度誤差D
は、各々実施の形態1で定義した変数であり、それをL
EDアレイ32(図12(c))に適用しただけなの
で、ここではその説明を省略する。
In this embodiment, the application shape of the die bond 31 applied to the wiring substrate 11 shown in FIG. 12A is exactly the same as the application shape shown in FIG.
That is, the width W of the coating shape in the Y-axis direction shown in the figure is set by W ≧ W LED + 2F + 2D. In the above formula, the facing lower surface width W LED , the assumed width F of the fillet, and the positional accuracy error D
Are the variables defined in the first embodiment, respectively.
Since it is only applied to the ED array 32 (FIG. 12C), the description is omitted here.

【0058】一方、塗布形状のX軸方向の長さLSUM
(図10(b))は、同方向に並べるLEDアレイ32
の配列長に略相当し、またその厚さは、T3で均一とさ
れ、後述する条件を満たすように設定される。以上のよ
うに塗布されたダイボンド樹脂31上に、LEDアレイ
を装着する。この装着方法は、例えば、前記した図14
の説明で開示したコレット52を用いて行なう方法を採
用するものとし、その詳細な説明を省略する。
On the other hand, the length L SUM of the coating shape in the X-axis direction
(FIG. 10B) shows the LED array 32 arranged in the same direction.
, And its thickness is set to be uniform at T3 and set so as to satisfy the conditions described later. The LED array is mounted on the die bond resin 31 applied as described above. This mounting method is described in, for example, FIG.
The method using the collet 52 disclosed in the above description is adopted, and the detailed description thereof is omitted.

【0059】図12(b)は、実施の形態1で採用した
LEDアレイ1を、上記した形状のダイボンド樹脂31
を介して配線基板11上に配列した場合を示している。
同図に示すように、配列方向(X軸方向)に隣接する角
錐台形状のLEDアレイ1間には、対向する短側面1
c、1dによって断面三角形状の空域部18が形成され
る。
FIG. 12B shows a case where the LED array 1 employed in the first embodiment is replaced with a die bond resin 31 having the above-described shape.
2 shows a case in which the components are arranged on the wiring board 11 via a line.
As shown in FIG. 1, opposing short side surfaces 1 are provided between LED arrays 1 having a truncated pyramid shape adjacent in the arrangement direction (X-axis direction).
An airspace 18 having a triangular cross section is formed by c and 1d.

【0060】前記したダイボンド樹脂31の塗布領域の
厚みT3は、LEDアレイ1のX軸方向における取付け
位置のずれや、短側面1c、1dの傾斜角のばらつき等
によって、体積が最小となる場合の空域部18の体積に
対して、LEDアレイ1が装着される際に、この空域部
内に押出されるダイボンド樹脂の量(体積)が越えない
程度に設定される。
The thickness T3 of the application region of the die bond resin 31 is set to a value when the volume is minimized due to a shift in the mounting position of the LED array 1 in the X-axis direction or a variation in the inclination angles of the short side surfaces 1c and 1d. The volume (volume) of the die bond resin extruded into the air space when the LED array 1 is mounted is set so as not to exceed the volume of the air space 18.

【0061】このために、実施の形態2の場合と異な
り、余剰のダイボンド樹脂がLEDアレイの発光面に到
達することはないが、実施の形態1のLEDアレイ1に
おいては、図12(b)に示すように、空域部18の体
積が大きくなる部分では、ダイボンド樹脂の充填高さ
が、発光面から離れて充填部の上部面積がより広くなる
ところに位置するためにダイボンド樹脂の硬化時の収縮
量が大きくなり、その硬化工程で発光面端部が接触して
クラックや欠けが生じる。
For this reason, unlike the case of the second embodiment, the surplus die bonding resin does not reach the light emitting surface of the LED array, but in the LED array 1 of the first embodiment, FIG. As shown in the figure, in the part where the volume of the airspace part 18 is large, the filling height of the die bond resin is located at a place where the upper area of the filling part is wider away from the light emitting surface, so that when the die bond resin is cured, The amount of shrinkage increases, and the light-emitting surface ends come into contact during the curing process, causing cracks and chips.

【0062】本実施の形態では、この問題を解決するた
めに、LEDアレイ32が、図12(c)に示すように
その上面32eの周辺部に切欠溝32fを形成すると共
に、その短側面部32c,32dには、対向下面32h
と垂直な平面部jを有する段差32iが形成されてい
る。以下、このLEDアレイ32の形成方法について、
図13を参照しながら説明する。
In the present embodiment, in order to solve this problem, the LED array 32 forms a notch groove 32f around the upper surface 32e as shown in FIG. 32c and 32d have opposite lower surfaces 32h.
And a step 32i having a plane portion j perpendicular to the vertical direction. Hereinafter, a method of forming the LED array 32 will be described.
This will be described with reference to FIG.

【0063】図13(a)は、ウエハ33の平面図であ
るが、同図に示すようにウエハ33に碁盤の目状に配列
された切断前のLEDアレイ32の外周に沿った斜線部
にエッチング又は円盤状のカッターにより溝段差部分3
3aを設ける。そしてその概略正面図13(b)に示す
ように、円盤状のダイヤモンドブレード34によってウ
エハ33の下方から切削し、溝段差部分33aの分離線
33cに沿って、所定の深さで溝段差部分33aよりや
や幅広の切削溝33bを形成する。
FIG. 13 (a) is a plan view of the wafer 33. As shown in FIG. 13, the hatched portion along the outer periphery of the LED array 32 before cutting, which is arranged on the wafer 33 in a grid pattern, is shown. Groove step 3 by etching or disk-shaped cutter
3a is provided. Then, as shown in the schematic front view 13 (b), the wafer 33 is cut from below the wafer 33 by a disk-shaped diamond blade 34, and is cut at a predetermined depth along the separation line 33c of the groove step 33a. A slightly wider cutting groove 33b is formed.

【0064】そして分離線33cに沿って切断分離して
個々のLEDアレイ32を形成するために、同図(b)
に斜線で示す切断部33dを、同形状に合った幅を有す
るダイヤモンドブレードで更に切削して分離する。或い
は、分離線33cに沿ってある程度切削した後、同図
(c)に示すように、分離線33cに当接する帯状の突
起34aを有する圧縮ツール34によってウエハ33に
機械的な曲げ応力を与え、スクライブ分離してLEDア
レイ32を分離形成する。
In order to cut and separate along the separation lines 33c to form individual LED arrays 32, FIG.
The cut portion 33d indicated by oblique lines is further cut and separated by a diamond blade having a width matching the same shape. Alternatively, after being cut to some extent along the separation line 33c, a mechanical bending stress is applied to the wafer 33 by a compression tool 34 having a band-shaped projection 34a abutting on the separation line 33c, as shown in FIG. The LED array 32 is separately formed by scribe separation.

【0065】図12(c)は、このようにして形成した
LEDアレイ32を、ダイボンド樹脂31を介して配線
基板11上に配列して形成した基板ユニット30の構成
を示している。この場合、同図から明らかなように、切
欠溝32fと短側面32c,32dの段部32iとを隔
てる切欠溝の底面端部32gがLEDアレイ32のX−
Y平面における最外形部となる。
FIG. 12C shows the structure of a board unit 30 formed by arranging the LED arrays 32 thus formed on the wiring board 11 via the die bond resin 31. In this case, as is apparent from the figure, the bottom end 32g of the notch separating the notch 32f and the step 32i of the short side surfaces 32c and 32d is positioned at the X-axis of the LED array 32.
The outermost portion on the Y plane.

【0066】この基板ユニット30では、切欠溝32f
及び短側面部32c,32dに形成された平面32jを
有する段部32i以外、上記した図12(b)に示す仮
想的な基板ユニットと全く同じ構成となっている。
In this substrate unit 30, the notch grooves 32f
The configuration is exactly the same as that of the virtual substrate unit shown in FIG. 12B except for the stepped portion 32i having the flat surface 32j formed on the short side portions 32c and 32d.

【0067】この場合、上記した図12(b)での説明
と同じ理由から、空域部35の体積が変動すると、同図
(c)に示すようにその体積に応じて充填されるダイボ
ンド樹脂31の高さが異なるが、各空域部では、充填の
高さに拘わらずその上部面積が一定となるため、各空域
部間の上部面積の差も一定となり、しかも小さく抑える
ことが出来る。
In this case, for the same reason as described with reference to FIG. 12B, when the volume of the air space 35 fluctuates, as shown in FIG. However, since the upper area is constant in each of the empty areas regardless of the filling height, the difference in the upper area between the empty areas is also constant and can be kept small.

【0068】一方、空域部35に充填されたダイボンド
樹脂31の硬化過程におけるX軸方向の熱収縮量は、空
域部35の幅に比例して発生するため、各空域部35で
の充填高さのばらつきに拘わらず略一定となり、隣接す
るLEDアレイの発光部同士が接触するのを防ぐことが
できる。
On the other hand, the amount of heat shrinkage in the X-axis direction during the curing process of the die bond resin 31 filled in the voids 35 occurs in proportion to the width of the voids 35. Irrespective of the variation of the LED arrays, it is possible to prevent the light emitting units of the adjacent LED arrays from coming into contact with each other.

【0069】また、上記の理由から隣接するLEDアレ
イ間に充填されたダイボンド樹脂の熱収縮は、隣接する
LEDアレイの間隔のばらつきを自動的に補正するよう
に作用する。
For the above reason, the heat shrinkage of the die bond resin filled between the adjacent LED arrays acts to automatically correct the variation in the interval between the adjacent LED arrays.

【0070】以上のように実施の形態3の基板ユニット
によれば、ダイボンド樹脂の塗布領域がX軸方向で連続
して形成されるため、塗布作業が容易となる。また、ダ
イボンド樹脂を加熱硬化する際に、フィレットの幅方向
(Y軸方向)の熱収縮率のバランスが均等に保たれる他
に、X軸方向においても接近したLEDアレイ22間の
ダイボンド樹脂の熱収縮により、隣接するLEDアレイ
の間隔のばらつきを自動的に補正するように作用させる
ことが出来る。
As described above, according to the substrate unit of the third embodiment, since the application region of the die bond resin is formed continuously in the X-axis direction, the application operation becomes easy. In addition, when the die-bonding resin is cured by heating, the balance of the heat shrinkage in the width direction (Y-axis direction) of the fillet is kept even, and the die-bonding resin between the LED arrays 22 approached also in the X-axis direction. Due to the heat shrinkage, it is possible to automatically correct the variation in the interval between the adjacent LED arrays.

【0071】尚、前記した特許請求の範囲、及び実施の
形態の説明において、「上」、「下」といった言葉を使
用したが、これらは便宜上であって、各部材を配置する
状態における絶対的な位置関係を限定するものではな
い。
In the claims and the description of the embodiments, the terms “upper” and “lower” are used, but these are only for convenience and are not absolute in the state where each member is arranged. The positional relationship is not limited.

【0072】[0072]

【発明の効果】請求項1の基板ユニットによれば、熱硬
化性接着剤を加熱硬化した際にフィレットの熱収縮率の
バランスが均等に保たれ、少なくとも幅方向において、
接着剤の硬化に伴なう位置ずれを防ぐことが出来る。
According to the substrate unit of the first aspect, when the thermosetting adhesive is heated and cured, the balance of the heat shrinkage of the fillet is kept uniform, and at least in the width direction,
It is possible to prevent misalignment due to curing of the adhesive.

【0073】請求項2又は3の実装方法によれば、半導
体素子の配列方向に平行な両側面に互いに均等なフィレ
ットを形成することができ、請求項1と同様の効果が得
られる。
According to the mounting method of the second or third aspect, uniform fillets can be formed on both side surfaces parallel to the arrangement direction of the semiconductor elements, and the same effect as the first aspect can be obtained.

【0074】請求項4の実装方法によれば、半導体素子
を直線状に配列する際にも、隣接する半導体素子に形成
される各フィレットが互いに接触しないため、接着剤の
硬化に伴なう相互作用による同方向での位置ずれを防ぐ
ことができる。
According to the mounting method of the present invention, even when the semiconductor elements are arranged in a straight line, the fillets formed on the adjacent semiconductor elements do not contact each other. The displacement in the same direction due to the action can be prevented.

【0075】請求項5の半導体素子によれば、配列され
た半導体素子の周囲に流出する熱硬化性接着剤が、隣接
する半導体素子から流出した接着剤と接触することがな
いため、相互の影響を除くことができる。
According to the semiconductor device of the fifth aspect, the thermosetting adhesive flowing out around the arranged semiconductor elements does not come into contact with the adhesive flowing out from the adjacent semiconductor elements. Can be excluded.

【0076】請求項6の基板ユニットによれば、熱硬化
性接着剤を加熱硬化する際に、隣接する半導体素子間の
熱硬化性接着剤がクッションの役割を果たし、接着剤の
熱収縮による半導体素子同士の接触を防止することがで
きる。
According to the substrate unit of the sixth aspect, when the thermosetting adhesive is heated and cured, the thermosetting adhesive between the adjacent semiconductor elements serves as a cushion, and the semiconductor is formed by heat shrinkage of the adhesive. Contact between elements can be prevented.

【0077】請求項7の実装方法によれば、請求項2と
同様の効果が得られる他に、熱硬化性接着剤の塗布領域
が配列方向で連続して形成されるため、塗布作業が容易
となる。
According to the mounting method of the seventh aspect, the same effect as that of the second aspect is obtained, and the application area of the thermosetting adhesive is formed continuously in the arrangement direction, so that the application operation is easy. Becomes

【0078】請求項8の実装方法及び請求項9の半導体
素子によれば、請求項6と同様の効果が得られる他に、
半導体素子の上面に溢れ出る熱硬化性接着剤を溝内に納
めることができる。
According to the mounting method of the eighth aspect and the semiconductor element of the ninth aspect, the same effect as that of the sixth aspect can be obtained.
The thermosetting adhesive overflowing on the upper surface of the semiconductor element can be contained in the groove.

【0079】請求項11の製造方法によれば、比較的容
易な工程を追加するだけで半導体素子に段差状の切欠溝
を形成することができる。
According to the manufacturing method of the eleventh aspect, it is possible to form the stepped notch groove in the semiconductor element only by adding a relatively easy step.

【0080】請求項12の実装方法及び請求項13の半
導体素子によれば、半導体素子の装着位置がばらついて
も、半導体素子の上面に熱硬化性接着剤が溢れ出るのを
防止でき、更に熱硬化性接着剤を加熱硬化する際に、隣
接する半導体素子の間隔のばらつきを自動的に補正する
ことが出来る。
According to the mounting method of the twelfth aspect and the semiconductor element of the thirteenth aspect, even if the mounting position of the semiconductor element varies, it is possible to prevent the thermosetting adhesive from overflowing onto the upper surface of the semiconductor element, and furthermore, it is possible to further reduce the heat. When the curable adhesive is cured by heating, it is possible to automatically correct variations in the distance between adjacent semiconductor elements.

【0081】請求項14の製造方法によれば、特殊な工
程を加えることなく請求項13の半導体素子を製造する
ことができる。
According to the manufacturing method of the fourteenth aspect, the semiconductor device of the thirteenth aspect can be manufactured without adding a special step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明によるLEDアレイの実施の形態1の
概略構成図であり、同図(a)はその平面図で、同図
(b)は平面図に示す指示線100を含む断面を矢印A
方向からみた断面図である。
FIGS. 1A and 1B are schematic configuration diagrams of an LED array according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view thereof, and FIG. 1B is a cross section including an indicator line 100 shown in the plan view. A
It is sectional drawing seen from the direction.

【図2】 本発明による実装方法によって形成する基板
ユニットの実施の形態1の部分構成図であり、同図
(a)はその正面図を、同図(b)はその側面図をそれ
ぞれ示す。
FIGS. 2A and 2B are partial configuration diagrams of a first embodiment of a board unit formed by a mounting method according to the present invention, wherein FIG. 2A is a front view and FIG. 2B is a side view.

【図3】 スクリーン印刷法によって配線基板に塗布す
るダイボンド樹脂の塗布形状を示し、同図(a)はその
正面図を、同図(b)はその平面図をそれぞれ示す。
3A and 3B show an application shape of a die bond resin applied to a wiring substrate by a screen printing method. FIG. 3A is a front view thereof, and FIG. 3B is a plan view thereof.

【図4】 スクリーン印刷法によって塗布されたダイボ
ンド樹脂にLEDアレイを装着した際の状態を示す実装
図であり、同図(a)はその正面図を、同図(b)はそ
の平面図をそれぞれ示す。
FIG. 4 is a mounting view showing a state in which an LED array is mounted on a die bond resin applied by a screen printing method. FIG. 4A is a front view thereof, and FIG. 4B is a plan view thereof. Shown respectively.

【図5】 スタンピング法によって配線基板に塗布する
ダイボンド樹脂の塗布形状を示し、同図(a)はその正
面図を、同図(b)はその平面図をそれぞれ示す。
FIGS. 5A and 5B show an application shape of a die bond resin applied to a wiring substrate by a stamping method. FIG. 5A is a front view thereof, and FIG. 5B is a plan view thereof.

【図6】 スタンピング法によって塗布されたダイボン
ド樹脂にLEDアレイを装着した際の状態を示す実装図
であり、同図(a)はその正面図を、同図(b)はその
平面図をそれぞれ示す。
FIG. 6 is a mounting view showing a state in which an LED array is mounted on a die bond resin applied by a stamping method. FIG. 6 (a) is a front view thereof, and FIG. 6 (b) is a plan view thereof. Show.

【図7】 配線基板上に装着された3種類の形状のLE
Dアレイと各LEDアレイの長側面に形成されたフレッ
トの様子を示す構成図である。
FIG. 7 shows three types of LEs mounted on a wiring board.
FIG. 4 is a configuration diagram showing a state of frets formed on a long side surface of a D array and each LED array.

【図8】 本発明による実装方法によって形成する基板
ユニットの実施の形態2の概略図で、(a)はダイボン
ド樹脂の塗布形状を示し、(b)は実施の形態1で使用
したLEDアレイを装着したときのダイボンド樹脂の流
動状態を示し、(c)は実施の形態2によるLEDアレ
イを装着したときのダイボンド樹脂の流動状態を示して
いる。
8A and 8B are schematic views of a board unit formed by the mounting method according to the second embodiment of the present invention, in which FIG. 8A shows a die bond resin application shape, and FIG. 8B shows an LED array used in the first embodiment. The flow state of the die bond resin when the LED array is mounted is shown, and (c) shows the flow state of the die bond resin when the LED array according to the second embodiment is mounted.

【図9】 (a)は切断前のLEDアレイを配列したウ
エハの平面図であり、(b),(c)は切断方法を示す
ウエハの概略正面図である。
FIG. 9A is a plan view of a wafer on which an LED array before cutting is arranged, and FIGS. 9B and 9C are schematic front views of the wafer showing a cutting method.

【図10】 実施の形態2の実装方法において、配線基
板に塗布されるダイボンド樹脂の塗布形状を示し、同図
(a)は、その正面図を、同図(b)はその平面図をそ
れぞれ示す。
10A and 10B show the application shape of a die bond resin applied to a wiring board in the mounting method according to the second embodiment. FIG. 10A is a front view thereof, and FIG. 10B is a plan view thereof. Show.

【図11】 図10の形状に塗布されたダイボンド樹脂
を介して配線基板上に配列して形成した基板ユニットの
構成を示し、同図(a)はその正面図を、同図(b)は
その平面図をそれぞれ示す。
11A and 11B show a configuration of a board unit formed by arranging on a wiring board via a die bond resin applied in the shape of FIG. 10, FIG. 11A is a front view thereof, and FIG. The plan views are respectively shown.

【図12】 本発明による実装方法によって形成する基
板ユニットの実施の形態3の概略図で、(a)はダイボ
ンド樹脂の塗布形状を示し、(b)は実施の形態1で使
用したLEDアレイを装着したときのダイボンド樹脂の
流動状態を示し、(c)は実施の形態3によるLEDア
レイを装着したときのダイボンド樹脂の流動状態を示し
ている。
12A and 12B are schematic views of a substrate unit formed by the mounting method according to the third embodiment of the present invention, in which FIG. 12A illustrates a die-bonded resin application shape, and FIG. 12B illustrates an LED array used in the first embodiment. The flow state of the die bond resin when it is mounted is shown, and (c) shows the flow state of the die bond resin when the LED array according to the third embodiment is mounted.

【図13】 ウエハを切断して実施の形態3に示すLE
Dアレイを製造する製造方法を説明するための図であ
り、(a)は切断前のLEDアレイを配列したウエハの
平面図であり、(b),(c)は切断方法を示すウエハ
の概略正面図である。
FIG. 13 shows an example of an LE shown in Embodiment 3 by cutting a wafer.
It is a figure for explaining the manufacturing method which manufactures D array, (a) is a top view of the wafer which arranged LED array before cutting, and (b) and (c) are the outlines of the wafer which show the cutting method. It is a front view.

【図14】 (a)〜(e)は、従来の実装方法の工程
を順次模式的に示す正面工程図である。
FIGS. 14A to 14E are front process diagrams schematically illustrating the steps of a conventional mounting method in sequence.

【図15】 (a)〜(e)は、各々図14(a)〜
(e)に対応する平面図である。
FIGS. 15 (a) to (e) are FIGS.
It is a top view corresponding to (e).

【図16】 半導体チップを装着した配線基板を、点線
で示すオーブン炉に入れた状態を示す製造説明図であ
る。
FIG. 16 is a manufacturing explanatory view showing a state in which the wiring board on which the semiconductor chip is mounted is placed in an oven furnace indicated by a dotted line.

【図17】 従来の方法で装着した場合に生ずる位置ず
れの説明に供する図である。
FIG. 17 is a diagram for explaining a positional shift that occurs when mounting is performed by a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LEDアレイ、 1a,1b 長側面、 1c,1
d 短側面、 2 基材、 2a 下面、 3 絶縁
層、 3a 開口部、 4 拡散部、 5 電極パッ
ド、 6 LED、 7 共通電極、 10 基板ユニ
ット、 11 配線基板、 11a LEDアレイ載置
面、 13 ダイボンド樹脂、 13a,13b フィ
レット、 15 ダイボンド樹脂、 15d 帯状片、
16、17LEDアレイ、 18 空域部、 20
基板ユニット、 20a 段差部、21 ダイボンド樹
脂、 22 LEDアレイ、 22a,22b 長側
面、22c,22d 短側面、 22e 上面、 22
f 切欠溝、 22g 底面端部、 23 ウエハ、
23a 溝段差部、 23b ダイシング位置、25
空域部、 30 基板ユニット、 31 ダイボンド樹
脂、 32 LEDアレイ、 32c,32d 短側面
部、 32e 上面、 32f 切欠溝、32g 底面
端部、 32h 対向下面、 33 ウエハ、 33a
溝段差部、 33b 切削溝、 33c 分離線、
33d 切断部、 34 圧縮ツール、 34a 突
起、 35 空域部、 50 端導体チップ、 51
配線基板、 52 コレット、 53 ダイボンド樹
脂、 54 加熱手段、 55基板ユニット。
1 LED array, 1a, 1b long side surface, 1c, 1
d Short side surface, 2 base material, 2a lower surface, 3 insulating layer, 3a opening, 4 diffusion portion, 5 electrode pad, 6 LED, 7 common electrode, 10 substrate unit, 11 wiring substrate, 11a LED array mounting surface, 13 Die bond resin, 13a, 13b fillet, 15 die bond resin, 15d strip,
16, 17 LED array, 18 airspace, 20
Substrate unit, 20a stepped portion, 21 die bond resin, 22 LED array, 22a, 22b long side surface, 22c, 22d short side surface, 22e top surface, 22
f Notch groove, 22g bottom edge, 23 wafers,
23a groove step, 23b dicing position, 25
Air space part, 30 substrate unit, 31 die bond resin, 32 LED array, 32c, 32d short side surface part, 32e upper surface, 32f notch groove, 32g bottom end, 32h opposed lower surface, 33 wafer, 33a
Groove step, 33b cutting groove, 33c separation line,
33d cutting part, 34 compression tool, 34a projection, 35 airspace part, 50 end conductor chip, 51
Wiring board, 52 collet, 53 die bond resin, 54 heating means, 55 substrate unit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 進 東京都八王子市東浅川町550番地の1 株 式会社沖デジタルイメージング内 (72)発明者 山田 識 東京都八王子市東浅川町550番地の1 株 式会社沖デジタルイメージング内 Fターム(参考) 5F041 AA37 AA41 CA35 CA38 CA64 CA77 CA83 CB22 DA02 DA07 DA13 DA20 5F047 AA17 BA23 BA33 BB13 BB16 CA08  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Susumu Ozawa One share at 550 Higashi-Asakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo Inside the digital imaging company (72) Inventor Satoru Yamada One share at 550 Higashi-Asakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 5F041 AA37 AA41 CA35 CA38 CA64 CA77 CA83 CB22 DA02 DA07 DA13 DA20 5F047 AA17 BA23 BA33 BB13 BB16 CA08

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配線基板上に熱硬化性接着剤を介して複
数の半導体素子を直線状に配列した基板ユニットにおい
て、 前記半導体素子の前記配列方向に平行な両側面に、前記
熱硬化性接着剤によって互いに均等なフィレットを形成
し、前記半導体素子を前記配線基板上に固定したことを
特徴とする基板ユニット。
1. A substrate unit in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring substrate via a thermosetting adhesive, wherein the thermosetting adhesive is provided on both side surfaces of the semiconductor elements parallel to the arrangement direction. A substrate unit, wherein uniform fillets are formed by an agent, and the semiconductor element is fixed on the wiring substrate.
【請求項2】 配線基板上に熱硬化性接着剤を介して複
数の半導体素子を直線状に配列する半導体素子の実装方
法において、 前記半導体素子の前記配線基板に対向する対向下面にお
いて、前記配列方向の長さをLLED、前記配列方向と
直交する幅方向の幅をWLED、前記半導体素子の前記
配列方向に平行な両側面に各々形成される前記熱硬化性
接着剤のフィレットの前記幅方向の想定幅をF、前記配
線基板上に塗付される前記熱硬化性接着剤と前記半導体
素子との相対的な位置精度誤差をDとし、更に前記配線
基板上に前記熱硬化性接着剤を塗布する塗布領域の、前
記配列方向の長さをL、前記幅方向の幅をWとしたと
き、 L≦LLED W≧(WLED+2F+2D) とした塗布領域を前記配列方向に複数形成すべく前記熱
硬化性接着剤を塗布する第1の工程と、 前記塗布領域の前記配列方向の中心線と前記対向下面の
前記配列方向の中心線とが略一致するように複数の前記
半導体素子を各々の前記塗布領域に装着する第2の工程
と、 前記半導体素子を装着した前記配線基板を過熱炉内に移
し、前記熱硬化性接着剤を硬化固着する第3の工程とを
施すことを特徴とする半導体素子の実装方法。
2. A method of mounting a semiconductor element, wherein a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring substrate via a thermosetting adhesive, wherein the arrangement is performed on a lower surface of the semiconductor element facing the wiring substrate. The length in the direction is L LED , the width in the width direction orthogonal to the arrangement direction is W LED , and the width of the fillet of the thermosetting adhesive formed on both side surfaces of the semiconductor element parallel to the arrangement direction. The assumed width in the direction is F, the relative positional accuracy error between the thermosetting adhesive applied to the wiring board and the semiconductor element is D, and the thermosetting adhesive is further provided on the wiring board. When the length in the arrangement direction of the application region to which is applied is L and the width in the width direction is W, a plurality of application regions in which L ≦ L LED W ≧ (W LED + 2F + 2D) are formed in the arrangement direction. Thermosetting A first step of applying an adhesive, and applying the plurality of semiconductor elements to each of the application regions so that a center line of the application region in the arrangement direction substantially coincides with a center line of the opposed lower surface in the arrangement direction. And a third step of transferring the wiring board having the semiconductor element mounted therein to a superheating furnace and curing and fixing the thermosetting adhesive. Implementation method.
【請求項3】 前記熱硬化性接着剤を略一定の厚みに塗
布することを特徴とする請求項2記載の半導体素子の実
装方法。
3. The method according to claim 2, wherein the thermosetting adhesive is applied to a substantially constant thickness.
【請求項4】 前記配線基板上に配列された複数の前記
半導体素子の互いに隣接する半導体素子に形成される各
前記フィレットが互いに接触しないように、前記塗布領
域に塗布される前記熱硬化性接着剤の厚みを設定するこ
とを特徴とする請求項2又は請求項3記載の半導体素子
の実装方法。
4. The thermosetting adhesive applied to the application area such that the fillets formed on adjacent semiconductor elements of the plurality of semiconductor elements arranged on the wiring board do not contact each other. 4. The method according to claim 2, wherein the thickness of the agent is set.
【請求項5】 請求項2記載の半導体素子の実装方法に
用いられる半導体素子であって、 該半導体素子の前記配列方向の長さをLsとし、隣接し
て配置される半導体素子間に形成される前記熱硬化性接
着剤の各フィレットの前記配列方向の幅をFbとしたと
き、前記対向下面の配列方向の長さLLEDに対して前
記Lsを Ls≧LLED+2Fb と設定して角錐台状に形成したことを特徴とする半導体
素子。
5. A semiconductor element used in the method of mounting a semiconductor element according to claim 2, wherein the length of the semiconductor element in the arrangement direction is Ls, and the semiconductor element is formed between adjacently arranged semiconductor elements. Assuming that the width of each fillet of the thermosetting adhesive in the arrangement direction is Fb, the length L LED of the opposed lower surface in the arrangement direction is set to Ls ≧ L LED + 2Fb, and the truncated pyramid is set. A semiconductor element formed in a shape.
【請求項6】 配線基板上に熱硬化性接着剤を介して複
数の半導体素子を直線状に配列した基板ユニットにおい
て、 前記半導体素子の前記配列方向に平行な両側面に、前記
熱硬化性接着剤によって互いに均等なフィレットを形成
し、且つ隣接する前記半導体素子間に形成される空域部
に前記前記熱硬化性接着剤を充填して前記半導体素子を
前記配線基板上に固定することを特徴とする基板ユニッ
ト。
6. A substrate unit in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring substrate via a thermosetting adhesive, wherein the thermosetting adhesive is provided on both side surfaces of the semiconductor elements parallel to the arrangement direction. Forming an even fillet with an agent, and filling the thermosetting adhesive in an air space formed between the adjacent semiconductor elements to fix the semiconductor elements on the wiring board. Substrate unit.
【請求項7】 配線基板上に熱硬化性接着剤を介して複
数の半導体素子を直線状に配列する半導体素子の実装方
法において、 前記半導体素子の前記配線基板に対向する対向下面にお
いて、前記配列方向と直交する幅方向の幅をWLED
前記半導体素子の前記配列方向に平行な両側面に各々形
成される前記熱硬化性接着剤のフィレットの前記幅方向
の想定幅をF、前記配線基板上に塗付される前記熱硬化
性接着剤と前記半導体素子との相対的な位置精度誤差を
Dとし、更に前記配線基板上で前記配列方向に均一な厚
みをもって延在し、前記熱硬化性接着剤を塗布して形成
される塗布領域の前記幅方向の幅をWとしたとき、 W≧(WLED+2F+2D) となるように前記熱硬化性接着剤を塗布する第1の工程
と、 前記塗布領域の前記配列方向の中心線と前記対向下面の
前記配列方向の中心線とが略一致するように複数の前記
半導体素子を前記塗布領域に装着する第2の工程と、 前記半導体素子を装着した前記配線基板を過熱炉内に移
し、前記熱硬化性接着剤を硬化固着する第3の工程とを
施すことを特徴とする半導体素子の実装方法。
7. A method of mounting a semiconductor element in which a plurality of semiconductor elements are linearly arranged on a wiring substrate via a thermosetting adhesive, wherein the arrangement is performed on a lower surface of the semiconductor element facing the wiring substrate. The width in the width direction orthogonal to the direction is W LED ,
F is the assumed width in the width direction of the fillet of the thermosetting adhesive formed on both side surfaces parallel to the arrangement direction of the semiconductor element, and the thermosetting adhesive is applied on the wiring board. And D is a relative positional accuracy error between the semiconductor element and the semiconductor element, and further extends with a uniform thickness in the arrangement direction on the wiring substrate, and is a coating area formed by applying the thermosetting adhesive. A first step of applying the thermosetting adhesive such that W ≧ (W LED + 2F + 2D), where W is the width in the width direction; and a center line of the application area in the arrangement direction and the facing side. A second step of mounting a plurality of the semiconductor elements on the application area such that the center line of the lower surface in the arrangement direction substantially matches, and moving the wiring board on which the semiconductor elements are mounted into a heating furnace, Cure and fix thermosetting adhesive Mounting method of a semiconductor device characterized by performing the third step.
【請求項8】 前記半導体素子を前記熱硬化性接着剤上
に装着する工程において、隣接する前記半導体素子の対
向側面に挟まれて形成される空域部の体積と、それぞれ
の半導体素子の装着によって前記空域部に押出される前
記熱硬化性接着剤の流出分の総体積とが同程度となるよ
うに、前記塗布領域の厚みを設定したことを特徴とする
請求項7記載の半導体素子の実装方法。
8. In the step of mounting the semiconductor element on the thermosetting adhesive, the volume of an air space formed between opposing side surfaces of the adjacent semiconductor element and the mounting of each semiconductor element 8. The mounting of the semiconductor element according to claim 7, wherein the thickness of the application region is set such that the total volume of the outflow of the thermosetting adhesive extruded into the void region is substantially the same. Method.
【請求項9】 請求項8の半導体素子の実装方法に用い
られる半導体素子であって、 各半導体素子の、前記対向下面の反対側の上面の外周部
のうち、少なくとも隣接して配置される際に互いに対向
する部分に段差状の切欠溝を形成したことを特徴とする
半導体素子。
9. A semiconductor element used in the method of mounting a semiconductor element according to claim 8, wherein each of the semiconductor elements is arranged at least adjacent to an outer peripheral portion of an upper surface on a side opposite to the opposing lower surface. A stepped notch groove is formed in a portion facing each other.
【請求項10】 前記切欠溝の底面端部が前記半導体素
子の最外形となることを特徴とする請求項9記載の半導
体素子。
10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the bottom end of the notch has the outermost shape of the semiconductor device.
【請求項11】 請求項9記載の半導体素子の製造方法
であって、 分離される前の前記半導体素子を半導体ウエハに碁盤の
目状に整列して複数個形成し、該半導体素子の各境界部
分に格子状の溝段差部をエッチングにより形成し、前記
溝段差部の幅よりも狭い円盤状のカッターで該溝段差部
に沿って切削し、該半導体素子を個々に分離することを
特徴とする半導体素子の製造方法。
11. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein a plurality of the semiconductor devices before being separated are formed on a semiconductor wafer so as to be arranged in a grid pattern, and each boundary of the semiconductor device is formed. Forming a lattice-shaped groove step in the portion by etching, cutting along the groove step with a disk-shaped cutter narrower than the width of the groove step, and separating the semiconductor elements individually. Semiconductor device manufacturing method.
【請求項12】 前記半導体素子を前記熱硬化性接着剤
上に装着する工程において、前記位置精度誤差Dのばら
つきにより、隣接する前記半導体素子の対向側面に挟ま
れて形成される空域部が最小となる体積と、それぞれの
半導体素子の装着によって前記空域部に押出される前記
前記熱硬化性接着剤の流出分の総体積とが同程度となる
ように、前記塗布領域の厚みを設定したことを特徴とす
る請求項7記載の半導体素子の実装方法。
12. In the step of mounting the semiconductor element on the thermosetting adhesive, an air gap formed between opposing side surfaces of the adjacent semiconductor elements is minimized due to a variation in the positional accuracy error D. And the thickness of the application area is set so that the total volume of the outflow of the thermosetting adhesive that is extruded into the air space by mounting the respective semiconductor elements is substantially the same. The method for mounting a semiconductor device according to claim 7, wherein:
【請求項13】 請求項12の半導体素子の実装方法に
適用される半導体素子であって、 各半導体素子の、前記幅方向に沿った両側面に、前記対
向下面と垂直で且つ該対向下面から連続する平面部を有
する段差を設けたことを特徴とする半導体素子。
13. A semiconductor element applied to the method of mounting a semiconductor element according to claim 12, wherein both side surfaces of each semiconductor element along the width direction are perpendicular to the opposed lower surface and from the opposed lower surface. A semiconductor device having a step having a continuous plane portion.
【請求項14】 請求項13記載の半導体素子の製造方
法であって、 分離される前の前記半導体素子を半導体ウエハに碁盤の
目状に整列して複数個形成し、該半導体素子の各境界部
分に格子状の溝段差部をエッチング又は円盤状のカッタ
ーにより形成し、前記半導体ウエハの前記格子状の溝段
差部が形成された面の裏側から、前記溝段差部に対向す
る位置に、溝段差部の幅よりも広い切削溝を円盤状のカ
ッターで形成し、前記溝段差部及び前記切削溝に沿って
スクライブし、該半導体素子を個々に分離することを特
徴とする半導体素子の製造方法。
14. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein a plurality of the semiconductor devices before being separated are formed on a semiconductor wafer so as to be arranged in a grid pattern, and each boundary of the semiconductor device is formed. A groove-shaped groove step is formed in a portion by etching or a disk-shaped cutter, and a groove is formed at a position facing the groove step from the back side of the surface of the semiconductor wafer on which the lattice groove step is formed. Forming a cutting groove wider than the width of the step portion with a disk-shaped cutter, scribing along the groove step portion and the cutting groove, and separating the semiconductor element individually. .
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