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JP2002344145A - Multilayer wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents

Multilayer wiring board and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2002344145A
JP2002344145A JP2001143288A JP2001143288A JP2002344145A JP 2002344145 A JP2002344145 A JP 2002344145A JP 2001143288 A JP2001143288 A JP 2001143288A JP 2001143288 A JP2001143288 A JP 2001143288A JP 2002344145 A JP2002344145 A JP 2002344145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
resin layer
wiring board
multilayer wiring
dielectric resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001143288A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadashi Nakamura
禎志 中村
Fumio Echigo
文雄 越後
Daizo Ando
大蔵 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001143288A priority Critical patent/JP2002344145A/en
Publication of JP2002344145A publication Critical patent/JP2002344145A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 バイパスコンデンサを内蔵する多層配線基板
において、薄型、軽量化を実現すると共に、バイパスコ
ンデンサを形成する誘電体層を基板の最表層に配置し、
バイパスコデンサと実装部品とを電気的に接続するビア
ホールの長さを短く構成することにより、ビアホールの
インダクタンスの悪影響を低減すること。 【解決手段】 絶縁層13および誘電体層1を同種の樹
脂材料にし、基板の反りを軽減し、薄型化を図る。さら
に任意の層に誘電体層1を形成し、好ましくは、多層配
線基板の最表層に形成する。これにより、コンデンサ層
とのビア5接続を短くし、ビア5のインダクタンスの影
響を低減することが可能となる。また、コンデンサ層を
通過し、その下層に接続するビア5を設けることで、自
由度の高い配線接続が可能となり、配線設計も簡易なも
のとなる。
(57) [Summary] (Problem corrected) [PROBLEMS] To realize a thin and lightweight multilayer wiring board having a built-in bypass capacitor and to arrange a dielectric layer forming the bypass capacitor on the outermost layer of the board.
To reduce the adverse effect of via hole inductance by reducing the length of the via hole that electrically connects the bypass capacitor and the mounted component. SOLUTION: The insulating layer 13 and the dielectric layer 1 are made of the same kind of resin material to reduce the warpage of the substrate and to reduce the thickness. Further, the dielectric layer 1 is formed on an arbitrary layer, and is preferably formed on the outermost layer of the multilayer wiring board. This makes it possible to shorten the connection of the via 5 to the capacitor layer and reduce the influence of the inductance of the via 5. In addition, by providing the via 5 that passes through the capacitor layer and is connected to the lower layer, wiring connection with a high degree of freedom becomes possible, and the wiring design is simplified.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板内部にバイパ
スコンデンサを形成した多層配線基板およびその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board having a bypass capacitor formed inside the board and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器は、回路のデジタル化が
進展し、情報処理の高速化、小型化多機能集積化が著し
い。これに伴い回路基板は、増加する半導体部品数に対
応するため、高密度配線収容性や部品実装の高密度化が
要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, digitalization of electronic equipment has progressed, and high-speed information processing, miniaturization and multifunctional integration have been remarkable. Along with this, the circuit board is required to have high-density wiring accommodability and high-density component mounting in order to cope with the increasing number of semiconductor components.

【0003】高密度配線収容性の要求に対して、近年で
は全層IVH構造の多層配線基板やビルドアップ配線基
板などが開発され、実用化に至っている。また、部品実
装の高密度化に対しては、半導体パッケージのBGA
(ボールグリッドアレイ)、CSP(チップサイズパッ
ケージ)化が進展し、実装面積の低減や部品間隔を大幅
に狭くすることが可能となった。そして、さらに部品実
装の高密度化を図るため、半導体を動作させるために必
要となるバイパスコンデンサを基板内部に形成する技術
が、例えば、特開平5−36857号公報に開示されて
いる。
[0003] In response to the demand for high-density wiring accommodability, in recent years, a multilayer wiring board or a build-up wiring board having an all-layer IVH structure has been developed and has been put to practical use. In order to increase the density of component mounting, BGA
(Ball grid array) and CSP (chip size package) have been developed, and it has become possible to reduce the mounting area and to significantly reduce the space between components. In order to further increase the component mounting density, a technique for forming a bypass capacitor necessary for operating a semiconductor in a substrate is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-36857.

【0004】特開平5−36857号公報に開示されて
いる多層配線基板では、シリコン(Si)又は窒化アル
ミニウム(AIN)等からなる基板に、第1の導電体電
極層と第2の導電体電極層とこれら2つの層間に挟持さ
れる誘電体層とからなるバイパスコンデンサが形成さ
れ、その上に配線層および絶縁層よりなる多層配線層が
積層される。このように構成された多層配線基板には、
多層配線層の上に半導体素子が実装され、この半導体素
子とバイパスコンデンサとは、多層配線基板に設けられ
たビアホールを介して電気的に接続されている。バイパ
スコンデンサが内層に形成された多層配線基板は、チッ
プ実装面にチップコンデンサを配置する必要がなく、か
つチップコンデンサを接続する配線も不要となるため、
実装部品の配置及び配線の自由度が大幅に向上し、高密
度の実装を可能としている。このように、バイパスコン
デンサを基板に内蔵する配線基板を用いることは、高密
度実装化に非常に有効な手段となっていた。
In a multilayer wiring board disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36857, a first conductive electrode layer and a second conductive electrode are formed on a substrate made of silicon (Si) or aluminum nitride (AIN) or the like. A bypass capacitor including a layer and a dielectric layer sandwiched between these two layers is formed, and a multilayer wiring layer including a wiring layer and an insulating layer is stacked thereon. The multilayer wiring board thus configured includes:
A semiconductor element is mounted on the multilayer wiring layer, and the semiconductor element and the bypass capacitor are electrically connected via via holes provided in the multilayer wiring board. A multilayer wiring board with bypass capacitors formed in the inner layer eliminates the need to place chip capacitors on the chip mounting surface and eliminates the need for wiring to connect chip capacitors.
The degree of freedom in the arrangement and wiring of mounted components has been greatly improved, enabling high-density mounting. As described above, using a wiring board in which a bypass capacitor is built in a board has been a very effective means for high-density mounting.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
5−36857号に開示された多層配線基板は、それぞ
れ異なる素材からなる配線層と絶縁層とが積層されてお
り、実装工程において加熱処理を施す際、両者の熱膨張
係数の差により、基板に反りが発生しやすい。従って、
基板の剛性を確保するため、ある程度の厚さが必要とな
り、基板の重量が増加するという課題を有していた。更
に、この多層配線基板では、基板に耐熱性を有するシリ
コン(Si)或いは窒化アルミニウム(AIN)からな
る硬質基板を用い、この硬質基板上に誘電体層を燒結す
ることによりパイパスコンデンサが形成される。従っ
て、半導体素子を実装する面とバイパスコンデンサ層と
の間には、数層の絶縁層及び配線層が存在し、半導体素
子とバイパスコンデンサとの電気的な接続は、これら数
層の絶縁層及び配線層を貫通するビアを介して行わなけ
ればならない。このように、バイパスコンデンサと、こ
れに接続する半導体素子とが離れた位置に配置され、両
者を接続するビアの長さが長くなると、ビアのインダク
タンスが電源供給の安定化に悪影響を及ぼす懸念があ
る。
However, the multilayer wiring board disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36857 has a structure in which wiring layers and insulating layers made of different materials are laminated, and heat treatment is performed in a mounting process. In this case, the substrate is likely to be warped due to the difference in thermal expansion coefficient between the two. Therefore,
In order to secure the rigidity of the substrate, a certain thickness is required, and there is a problem that the weight of the substrate increases. Further, in this multilayer wiring substrate, a hard substrate made of heat-resistant silicon (Si) or aluminum nitride (AIN) is used, and a dielectric layer is sintered on the hard substrate to form a bypass capacitor. . Therefore, between the surface on which the semiconductor element is mounted and the bypass capacitor layer, there are several layers of insulating layers and wiring layers, and the electrical connection between the semiconductor element and the bypass capacitor is made of these several insulating layers and This must be done via vias that penetrate the wiring layer. As described above, if the bypass capacitor and the semiconductor element connected to the bypass capacitor are arranged at a distance from each other and the length of the via connecting the both becomes long, there is a concern that the inductance of the via adversely affects the stabilization of power supply. is there.

【0006】本発明の目的は、バイパスコンデンサを内
蔵する多層配線基板において、薄型、軽量化を実現する
と共に、バイパスコンデンサを形成する誘電体層を基板
の最表層に配置し、バイパスコンデンサと実装部品とを
電気的に接続するビアホールの長さを短く構成すること
により、ビアホールのインダクタンスの悪影響を低減す
ることである。
An object of the present invention is to realize a thin and lightweight multilayer wiring board having a built-in bypass capacitor, and to arrange a dielectric layer forming the bypass capacitor on the outermost layer of the board, so that the bypass capacitor and the mounting parts can be mounted. The purpose of the present invention is to reduce the adverse effect of the via hole inductance by making the length of the via hole that electrically connects the via holes short.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、配線層と絶縁樹脂層とが積層されてなる多層配線基
板であって、前記絶縁樹脂層の少なくとも一層は、誘電
体樹脂層からなり、該誘電体樹脂層は、誘電体樹脂層に
隣接して形成された第1の電極と、該第1の電極とは誘
電体樹脂層を挟んで反対側に隣接して形成され、該第1
の電極と対向する第2の電極とを有し、前記誘電体樹脂
層を、多層配線基板の任意の層に配置したことを特徴と
する。前記コンデンサ層は、前記第1の電極が実装部品
の電源回路の一端子に電気的に接続され、前記第2の電
極が前記実装部品の電源回路の一端子とは電位の異なる
他の一端子と電気的に接続されることにより、コンデン
サとして機能することを特徴とする。
A multilayer wiring board according to the present invention is a multilayer wiring board in which a wiring layer and an insulating resin layer are laminated, wherein at least one of the insulating resin layers is formed of a dielectric resin layer. A first electrode formed adjacent to the dielectric resin layer; and a first electrode formed adjacent to an opposite side of the dielectric resin layer with the dielectric resin layer interposed therebetween. First
And a second electrode opposed to the first electrode, wherein the dielectric resin layer is disposed on an arbitrary layer of the multilayer wiring board. In the capacitor layer, the first electrode is electrically connected to one terminal of a power supply circuit of the mounted component, and the second electrode is another terminal having a different potential from one terminal of the power supply circuit of the mounted component. And electrically function as a capacitor.

【0008】前記誘電体樹脂層の少なくとも高電位側の
前記一端子に接続される前記第1の電極又は第2の電極
のうちの一方が、前記多層配線基板の最表層に垂直な方
向への前記実装部品の投影面と同じ面形状かつ同じ面積
で形成されると共に、最表層に垂直な方向への実装部品
の投影面内に配置されていることを特徴とする。これに
より、同一誘電体樹脂層に形成されたコンデンサの電源
ノイズどうしが相互に影響を与え合い、さらに劣悪なノ
イズとなることを防止できる。
[0008] At least one of the first electrode and the second electrode connected to the one terminal on the high potential side of the dielectric resin layer is oriented in a direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board. It is characterized in that it is formed in the same surface shape and the same area as the projection surface of the mounting component, and is arranged in the projection surface of the mounting component in a direction perpendicular to the outermost layer. As a result, it is possible to prevent the power supply noises of the capacitors formed on the same dielectric resin layer from affecting each other, resulting in worse noise.

【0009】前記誘電体樹脂層は、前記多層配線基板の
最表層に配置されている。これにより、誘電体樹脂層と
第1の電極と第2の電極からなるコンデンサ層と実装部
品とを電気的に接続するビアホール導体を短く構成する
ことができる。
[0009] The dielectric resin layer is disposed on the outermost layer of the multilayer wiring board. This makes it possible to shorten the via-hole conductor that electrically connects the mounted component with the capacitor layer including the dielectric resin layer, the first electrode, and the second electrode.

【0010】前記多層配線基板は、全層インタースティ
シャルビアホール構造を有することを特徴とする。これ
により、誘電体樹脂層と第1の電極と第2の電極からな
るコンデンサ層と実装部品とを電気的に接続するためビ
アホールを任意の位置に設けることができ、更に、実装
部品の配線の設計を容易にすることができる。
[0010] The multilayer wiring board has an all-layer interstitial via hole structure. Thereby, a via hole can be provided at an arbitrary position to electrically connect the mounted component with the capacitor layer including the dielectric resin layer, the first electrode, and the second electrode. Design can be facilitated.

【0011】前記誘電体樹脂層の厚さを、前記第1電極
及び第2の電極の表面粗さより厚く、前記絶縁樹脂層の
厚さよりも薄くすることにより、製造工程における加圧
加熱による基板の反りを低減することができる。
[0011] By making the thickness of the dielectric resin layer larger than the surface roughness of the first electrode and the second electrode and smaller than the thickness of the insulating resin layer, the thickness of the substrate by pressurizing and heating in the manufacturing process is increased. Warpage can be reduced.

【0012】前記誘電体樹脂層および前記絶縁樹脂層
は、被圧縮性を有する材料からなることを特徴とする。
これにより、ビアホール導体として用いた導電性ペース
トを圧縮することができ、電気的な接続をより安定した
ものとすることができる。
The dielectric resin layer and the insulating resin layer are made of a compressible material.
Thereby, the conductive paste used as the via-hole conductor can be compressed, and the electrical connection can be made more stable.

【0013】前記誘電体樹脂層は、高分子フィルムであ
ることを特徴とする。これにより、誘電体樹脂層を多層
配線基板の任意の層に配置することができる。
[0013] The dielectric resin layer is a polymer film. Thereby, the dielectric resin layer can be arranged on an arbitrary layer of the multilayer wiring board.

【0014】前記高分子フィルムは、ポリプロピレン
と、ポリエチレンテレフタレートと、ポリエチレンナフ
タレートと、ポリフェニレンスルファイドとのうちのい
ずれか1つからなることを特徴とする。
The polymer film is made of any one of polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyphenylene sulfide.

【0015】前記誘電体樹脂層は、高分子有機フィラー
又は無機フィラーの少なくともいずれか一方が混入され
た樹脂であることを特徴とする。これにより、誘電体樹
脂層からなるコンデンサ層の容量を増大させることがで
きる。
The dielectric resin layer is a resin mixed with at least one of a polymer organic filler and an inorganic filler. Thereby, the capacitance of the capacitor layer made of the dielectric resin layer can be increased.

【0016】前記高分子有機フィラーは、ポリプロピレ
ンと、ポリエチレンテレフタレートと、ポリエチレンナ
フタレートと、ポリフェニレンスルファイドとのうちの
少なくとも1つからなることを特徴とする。
[0016] The polymer organic filler comprises at least one of polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyphenylene sulfide.

【0017】前記無機フィラーは、窒化アルミニウムで
あることを特徴とする。前記樹脂は、変性エポキシ樹脂
であることを特徴とする。
[0017] The inorganic filler is aluminum nitride. The resin is a modified epoxy resin.

【0018】前記絶縁樹脂層は、アラミド繊維からなる
不織布に未硬化エポキシ樹脂を含浸した基材と、ガラス
繊維の織布に未硬化のエポキシ樹脂を含浸した基材と、
ポリイミドのような高分子フィルムの両面に接着剤を塗
布した基材とのうちの少なくとも1つからなることを特
徴とする。これに合わせて、誘電体樹脂層の素材を上述
のものから選定し、絶縁樹脂層と誘電体樹脂層とに類似
した分子構造を持つ同種類の有機材料を用いる。これに
より、基板の反りを低減することが可能となる。
The insulating resin layer includes a base material in which a non-woven fabric made of aramid fiber is impregnated with an uncured epoxy resin, a base material in which a woven fabric of glass fiber is impregnated with an uncured epoxy resin,
It is characterized by comprising at least one of a base material in which an adhesive is applied to both surfaces of a polymer film such as polyimide. In accordance with this, the material of the dielectric resin layer is selected from those described above, and the same type of organic material having a molecular structure similar to the insulating resin layer and the dielectric resin layer is used. This makes it possible to reduce the warpage of the substrate.

【0019】前記配線層の表面に、Ni、Zn、Crの
うちの少なくとも1種類の金属が、該配線層と接続する
導体との電気的な接続が可能で、かつ該配線層の表面が
酸化することを防止できるような極微量で金属処理され
ていることを特徴とする。
At least one metal selected from the group consisting of Ni, Zn, and Cr can be electrically connected to a conductor connected to the wiring layer on the surface of the wiring layer, and the surface of the wiring layer can be oxidized. It is characterized in that it is metal-treated in an extremely small amount so as to be able to prevent the occurrence of metallization.

【0020】前記絶縁樹脂層の層間を接続する手段に導
電性ペーストを用いることを特徴とする。前記絶縁樹脂
層と前記誘電体樹脂層との熱膨張率差が小さいことを特
徴とする。
A conductive paste is used as means for connecting the insulating resin layers. The thermal expansion coefficient difference between the insulating resin layer and the dielectric resin layer is small.

【0021】本発明の多層配線基板の製造方法は、誘電
体樹脂層の両面に金属箔や金属膜からなる導体層を形成
する工程と、前記誘電体樹脂層の両面に形成された導体
層の一方に所望のパターンを形成し、対向電極の一方を
形成する工程と、所望のパターンで形成された導体層に
絶縁樹脂層を設ける工程と、絶縁樹脂層側から導体層が
露出するまで貫通するビアホールを形成する工程と、前
記ビアホールに導電材料を設ける工程と、前記ビアホー
ルを封鎖するようにパターン形成された導体層を絶縁樹
脂層に設け、前記絶縁樹脂層を硬化する工程と、前記誘
電体樹脂層の両面に形成された導体層の他方に所望のパ
ターンを形成し、前記対向電極の他方を形成する工程
と、を有することを特徴とする。
According to the method of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a step of forming a conductor layer made of a metal foil or a metal film on both sides of a dielectric resin layer, and a step of forming a conductor layer formed on both sides of the dielectric resin layer Forming a desired pattern on one side and forming one of the opposing electrodes; providing an insulating resin layer on the conductor layer formed with the desired pattern; and penetrating until the conductor layer is exposed from the insulating resin layer side A step of forming a via hole, a step of providing a conductive material in the via hole, a step of providing a conductive layer patterned so as to block the via hole in an insulating resin layer, and a step of curing the insulating resin layer; Forming a desired pattern on the other of the conductor layers formed on both surfaces of the resin layer, and forming the other of the counter electrodes.

【0022】また、前記誘電体樹脂層の両面に導体層を
形成する工程は、該誘電体樹脂層の層間を導通するため
のビアホールを形成する工程を含むことを特徴とする。
Further, the step of forming conductor layers on both surfaces of the dielectric resin layer includes a step of forming a via hole for conducting between layers of the dielectric resin layer.

【0023】前記絶縁樹脂層を設ける工程では、絶縁樹
脂層を導体層にラミネートにより仮接着する工程を含む
ことを特徴とする。
The step of providing the insulating resin layer includes a step of temporarily bonding the insulating resin layer to the conductor layer by lamination.

【0024】また、前記絶縁樹脂層を硬化する工程に
は、所望のパターンで形成された導体層と、ビアホール
が形成された絶縁樹脂層と、該ビアホールを封鎖する導
体層とを真空熱プレスにより接着する工程と、該真空熱
プレスによりビアホール内に充填された導電材料を硬化
させる工程とを含むことを特徴とする
In the step of curing the insulating resin layer, the conductor layer formed in a desired pattern, the insulating resin layer having via holes formed therein, and the conductor layer closing the via holes are subjected to vacuum hot pressing. Bonding, and curing the conductive material filled in the via hole by the vacuum hot press.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板は、誘電体
層を対向電極で挟持してなる内臓コンデンサを有する。
本発明の多層配線基板においては、セラミック基板に燒
結型の誘電体層を形成する従来の多層配線基板と異な
り、誘電体層に、高分子フィルムや、高分子有機フィラ
ー又は無機フィラーを混入した樹脂材料を用いる。これ
により、誘電体層を多層配線基板の任意の層に設けるこ
とが可能となり、例えば、これを多層配線基板の最表層
に設ける。従って、実装部品と内蔵コンデンサ層との電
気的な接続手段であるビアを短くすることが可能とな
り、ビアのインダクタンスの悪影響を低減することが可
能となる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The multilayer wiring board of the present invention has a built-in capacitor in which a dielectric layer is sandwiched between opposed electrodes.
In the multilayer wiring board of the present invention, unlike the conventional multilayer wiring board in which a sintered dielectric layer is formed on a ceramic substrate, a polymer film or a resin in which a polymer organic filler or an inorganic filler is mixed in the dielectric layer. Use materials. This makes it possible to provide the dielectric layer on any layer of the multilayer wiring board, for example, on the outermost layer of the multilayer wiring board. Therefore, it is possible to shorten the via, which is an electrical connection means between the mounted component and the built-in capacitor layer, and it is possible to reduce the adverse effect of the via inductance.

【0026】このように、コンデンサの誘電体層に高分
子フィルムを用いる技術は、フィルムコンデンサの分野
で既に確立されており、本発明は、この技術を多層配線
基板に内蔵するコンデンサの形成に応用したものであ
る。高分子フィルムを用いてフィルムコンデンサを形成
する技術は、例えば、特開平6−251992号公報や
特開平8−102427号公報に開示されている。
As described above, the technique of using a polymer film for the dielectric layer of a capacitor has already been established in the field of film capacitors, and the present invention applies this technique to the formation of a capacitor built in a multilayer wiring board. It was done. Techniques for forming a film capacitor using a polymer film are disclosed in, for example, JP-A-6-251992 and JP-A-8-102427.

【0027】以下に、本発明の実施形態について、添付
の図面を参照して詳細に説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明における実施の形態1
の多層配線基板の構造を示す断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 shows Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a multilayer wiring board of FIG.

【0028】図1において、本実施の形態の多層配線基
板は、絶縁樹脂層13と、誘電体樹脂層1と、配線層1
5a、15b、21、23と、誘電体樹脂層1を挟んで
対向する対向電極3a、3bとから構成される。更に、
本実施の形態の多層配線基板は、絶縁体を挟んで設けら
れた配線層の間の導通を可能し、絶縁体を貫通するビア
ホールに充填された導電性ペースト17と、誘電体樹脂
層1の層間の導通を可能し、誘電体樹脂層1を貫通する
ビアホールに充填されたビアホール導体5とを有する。
なお、7は、本実施の形態の多層配線基板上に実装する
実装部品であり、例えば、半導体素子や半導体集積回路
である。実装部品7には、実装部品7の電源回路のVc
c端子9と、その電源回路のGND端子11と、信号ラ
イン19a、19bとが設けられている。
In FIG. 1, a multilayer wiring board according to the present embodiment includes an insulating resin layer 13, a dielectric resin layer 1,
5a, 15b, 21 and 23 and opposing electrodes 3a and 3b opposing each other with the dielectric resin layer 1 interposed therebetween. Furthermore,
The multilayer wiring board according to the present embodiment enables conduction between wiring layers provided with an insulator interposed therebetween, and includes a conductive paste 17 filled in a via hole penetrating the insulator, and a dielectric resin layer 1. And a via-hole conductor filled in a via-hole penetrating through the dielectric resin layer.
Reference numeral 7 denotes a mounting component mounted on the multilayer wiring board according to the present embodiment, for example, a semiconductor element or a semiconductor integrated circuit. The mounting component 7 has a Vc of the power supply circuit of the mounting component 7.
A c terminal 9, a GND terminal 11 of the power supply circuit, and signal lines 19a and 19b are provided.

【0029】誘電体樹脂層1は、コンデンサを形成する
ために用いられる誘電体である。誘電体樹脂層1の一方
の面には、対向電極3bと配線層23が形成されてい
る。更に、誘電体樹脂層1の他方の面には、対向電極3
aが形成されている。対向電極3a、3bは、誘電体樹
脂層1を挟持するように対向して設けられている。対向
電極3bは、GND端子11に接続され、対向電極3a
は、ビアホール導体5と配線層23とを介してVcc端
子9に接続される。これにより、誘電体樹脂層1と対抗
電極3a、3bがコンデンサとして機能する。このコン
デンサを内蔵コンデンサ層10とする。また、対向電極
3aは、多層配線基板の最表層に垂直な方向への実装部
品7の投影面の形状と同様の面形状及び面積で設けら
れ、かつ多層配線基板の最表層に垂直な方向への実装部
品7の投影面内に収まるように配置されている。誘電体
樹脂層1の対向電極3bが形成された側の面には、更
に、信号ライン19a及び19bとそれぞれ接続される
配線層15a及び15bが設けられている。
The dielectric resin layer 1 is a dielectric used for forming a capacitor. On one surface of the dielectric resin layer 1, a counter electrode 3b and a wiring layer 23 are formed. Further, on the other surface of the dielectric resin layer 1, a counter electrode 3 is provided.
a is formed. The counter electrodes 3a and 3b are provided to face each other so as to sandwich the dielectric resin layer 1. The counter electrode 3b is connected to the GND terminal 11, and the counter electrode 3a
Is connected to the Vcc terminal 9 via the via-hole conductor 5 and the wiring layer 23. Thereby, the dielectric resin layer 1 and the counter electrodes 3a and 3b function as capacitors. This capacitor is referred to as a built-in capacitor layer 10. The counter electrode 3a is provided with the same surface shape and area as the shape of the projection surface of the mounting component 7 in the direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board, and in the direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board. Are arranged so as to fit within the projection plane of the mounting component 7. On the surface of the dielectric resin layer 1 on the side where the counter electrode 3b is formed, wiring layers 15a and 15b connected to the signal lines 19a and 19b are further provided.

【0030】内蔵コンデンサ層10の下層には、絶縁樹
脂層13と、その絶縁樹脂層13の下面に形成され、実
装部品7の配線と接続される配線層21とが更に設けら
れている。配線層15a及び15bと、配線層21と
は、導電性ペースト17により電気的に接続されてい
る。また、対向電極3aは、導電性ペースト17を介し
て配線層21に接続されている。その下層には、更に、
絶縁樹脂層13と配線層21が設けられ、絶縁樹脂層1
3を挟んでその両面に配置された配線層21は、導電性
ペースト17により互いに電気的に接続されている。
Below the built-in capacitor layer 10, an insulating resin layer 13 and a wiring layer 21 formed on the lower surface of the insulating resin layer 13 and connected to the wiring of the mounted component 7 are further provided. The wiring layers 15 a and 15 b and the wiring layer 21 are electrically connected by the conductive paste 17. Further, the counter electrode 3a is connected to the wiring layer 21 via the conductive paste 17. In the lower layer,
An insulating resin layer 13 and a wiring layer 21 are provided.
The wiring layers 21 disposed on both sides of the substrate 3 are electrically connected to each other by the conductive paste 17.

【0031】このように構成された本実施の形態の多層
配線基板の特徴について以下に説明する。
The features of the multilayer wiring board of the present embodiment thus configured will be described below.

【0032】本実施の形態の多層配線基板では、内蔵コ
ンデンサ層10が多層配線基板の最表層に配置されてい
る。このような構成を実現するため、本実施の形態で
は、誘電体樹脂層1の材料に、高分子フィルム、或い
は、フィラーを混入した変性エポキシ樹脂を用いる。
In the multilayer wiring board of the present embodiment, the built-in capacitor layer 10 is arranged on the outermost layer of the multilayer wiring board. In order to realize such a configuration, in the present embodiment, a polymer film or a modified epoxy resin mixed with a filler is used as the material of the dielectric resin layer 1.

【0033】高分子フィルムには、少なくともポリプロ
ピレン(PP)、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリフェ
ニレンスルファイド(PPS)のいずれか一種からなる
ものを用いる。また、変性エポキシ樹脂に混入するフィ
ラーには、窒化アルミニウム(AlN)のような無機フ
ィラーか、或いは、ポリプロピレン(PP)、ポリエチ
レンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレ
ート(PEN)、ポリフェニレンスルファイド(PP
S)のような高分子有機フィラーかのいずれかを用い
る。
As the polymer film, at least polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PE)
T), polyethylene naphthalate (PEN), or polyphenylene sulfide (PPS). The filler mixed into the modified epoxy resin may be an inorganic filler such as aluminum nitride (AlN), or polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polyphenylene sulfide (PP).
One of the high molecular organic fillers such as S) is used.

【0034】好ましくは、誘電体樹脂層1に、無機フィ
ラー又は、高分子有機フィラーのいずれかが混入された
変性エポキシ樹脂を用いるほうがよい。これは、無機フ
ィラー又は高分子有機フィラーの混入量を調整すること
により、誘電体樹脂層1の誘電率を調整することがで
き、必要に応じて回路定数の合わせこみを容易に行うこ
とできるからである。
Preferably, a modified epoxy resin in which either an inorganic filler or a high molecular weight organic filler is mixed in the dielectric resin layer 1 is used. This is because the dielectric constant of the dielectric resin layer 1 can be adjusted by adjusting the mixing amount of the inorganic filler or the polymer organic filler, and the circuit constant can be easily adjusted as necessary. It is.

【0035】このように誘電体樹脂層1に樹脂材料を用
いることにより、誘電体樹脂層1を多層配線基板の任意
の層に配置することが可能となり、内蔵コンデンサ層1
0を最表層に配置することが可能となる。このため、内
蔵コンデンサ層10と実装部品7を電気的に接続するた
めのビアホール5aは、誘電体樹脂層1を貫通させるだ
けでよい。従って、実装部品と内蔵コンデンサとの電気
的な接続に、数層の絶縁体を貫通するビアホールが必要
とされていた従来の多層配線基板と比較して、ビアホー
ル5aを非常に短く構成することができる。これによ
り、ビアホール導体5のインダクタンスの影響を最小限
に抑制することが可能となり、電源供給の安定化をより
効果的に実現することができる。
By using a resin material for the dielectric resin layer 1 as described above, the dielectric resin layer 1 can be disposed on an arbitrary layer of the multilayer wiring board, and the built-in capacitor layer 1 can be formed.
0 can be arranged on the outermost layer. Therefore, the via hole 5 a for electrically connecting the built-in capacitor layer 10 and the mounted component 7 only needs to penetrate the dielectric resin layer 1. Therefore, it is possible to make the via hole 5a very short as compared with a conventional multilayer wiring board which requires via holes penetrating several layers of insulators for electrical connection between the mounted components and the built-in capacitor. it can. As a result, the influence of the inductance of the via-hole conductor 5 can be minimized, and stabilization of power supply can be more effectively realized.

【0036】また、内蔵コンデンサ層10を最表層に配
置すると共に、対向電極3a、3bのうちの少なくとも
高電位側に接続される対向電極3aを、多層配線基板の
最表層に垂直な方向への実装部品7の投影面と同様の形
状及び面積で形成し、かつ、多層配線基板の最表層に垂
直な方向への実装部品7の投影面内に収まるように実装
部品7の直下に配設する。これにより、複数の実装部品
の電源回路が接続された場合でも、同一誘電体樹脂層1
に形成された複数の内蔵コンデンサ層10の電源ノイズ
同士が相互に影響を与え合い、劣悪なノイズとなること
を防止することが可能となる。また、このような構成と
することにより、内蔵コンデンサ層10と実装部品7と
を電気的に接続するためのビアホール導体5による接続
を更に短くすることができるため、電源供給の安定化を
さらに効果的に実現することができる。一方、他方の対
向電極である対向電極3bは、実装部品7のGND端子
11に接続され、かつ基板表面のほぼ全面を覆うように
形成されている。従って、対向電極3bは、基板内の回
路から発生する電磁波ノイズに対するシールド効果を有
している。
In addition, the built-in capacitor layer 10 is disposed on the outermost layer, and the opposing electrode 3a connected to at least the higher potential side of the opposing electrodes 3a, 3b is moved in a direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board. It is formed in the same shape and area as the projection surface of the mounting component 7 and is disposed immediately below the mounting component 7 so as to be within the projection surface of the mounting component 7 in a direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board. . Thereby, even when the power supply circuits of a plurality of mounted components are connected, the same dielectric resin layer 1
It is possible to prevent the power supply noises of the plurality of built-in capacitor layers 10 formed on each other from affecting each other, resulting in inferior noise. Further, with such a configuration, the connection by the via-hole conductor 5 for electrically connecting the built-in capacitor layer 10 and the mounted component 7 can be further shortened, so that the power supply can be further stabilized. Can be realized in a practical manner. On the other hand, the counter electrode 3b, which is the other counter electrode, is connected to the GND terminal 11 of the mounted component 7 and is formed so as to cover almost the entire surface of the substrate. Therefore, the counter electrode 3b has a shielding effect against electromagnetic wave noise generated from a circuit in the substrate.

【0037】なお、本実施の形態においては、内蔵コン
デンサ層10を基板の最表層に設けているため、信号ラ
イン19a、19bを内蔵コンデンサ層10より下層で
配線する必要がある。このため、実装部品7に設けられ
た信号ライン19aは、誘電体樹脂層1を貫通するビア
ホール18bに充填されたビアホール導体17を介し
て、内蔵コンデンサ層10の下層にある配線層21に接
続する。また、実装部品7の外周部に位置する信号ライ
ン19bは、配線層15bにより対向電極3a、3bの
外側まで引きだした後、誘電体樹脂層1を貫通するビア
ホール18aに充填されたビアホール導体17を介し
て、内蔵コンデンサ層10の下層にある配線層21に接
続する。このように構成することにより、最表層に内蔵
コンデンサ層10が設けられている構成であっても、信
号ラインの配線設計の自由度が損なわれることはない
In this embodiment, since the built-in capacitor layer 10 is provided on the outermost layer of the substrate, the signal lines 19a and 19b need to be wired below the built-in capacitor layer 10. For this reason, the signal line 19 a provided on the mounted component 7 is connected to the wiring layer 21 below the built-in capacitor layer 10 via the via hole conductor 17 filled in the via hole 18 b penetrating the dielectric resin layer 1. . Further, the signal line 19b located on the outer peripheral portion of the mounted component 7 is drawn out to the outside of the counter electrodes 3a and 3b by the wiring layer 15b, and then the via hole conductor 17 filled in the via hole 18a penetrating the dielectric resin layer 1 is formed. Through this, it is connected to the wiring layer 21 below the built-in capacitor layer 10. With this configuration, even if the built-in capacitor layer 10 is provided on the outermost layer, the degree of freedom in wiring design of the signal line is not impaired.

【0038】更に、誘電体樹脂層1の材料と、絶縁樹脂
層13の材料とに類似した分子構造を持つ同種類の有機
材料を用いる。絶縁樹脂層13には、アラミド繊維から
なる不織布に未硬化エポキシ樹脂を含浸した基材と、ガ
ラス繊維の織布に未硬化のエポキシ樹脂を含浸した基材
と、ポリイミド等の高分子フィルムの両面に接着剤を塗
布した基材との少なくともいずれか1つを用いる。これ
に合わせて誘電体樹脂層1には、上述した材料が用いら
れる。これにより、基板全体の反りを抑制することが可
能となる。従って、基板の剛性を確保するために、各層
の厚さを厚くする必要がないため、多層配線基板の重量
が増加することを抑止することができる。
Further, the same type of organic material having a molecular structure similar to the material of the dielectric resin layer 1 and the material of the insulating resin layer 13 is used. The insulating resin layer 13 includes a nonwoven fabric made of aramid fiber impregnated with an uncured epoxy resin, a woven glass fiber fabric impregnated with an uncured epoxy resin, and both surfaces of a polymer film such as polyimide. And at least one of a base material coated with an adhesive. In accordance with this, the above-described materials are used for the dielectric resin layer 1. This makes it possible to suppress the warpage of the entire substrate. Therefore, since it is not necessary to increase the thickness of each layer in order to secure the rigidity of the substrate, it is possible to suppress an increase in the weight of the multilayer wiring substrate.

【0039】また、基板全体の反りを低減する観点か
ら、誘電体樹脂層1の材料と絶縁樹脂層13の材料とに
は、熱膨張係数ができるだけ近い値の材料を用いること
が好ましい。これは、両者の熱膨張率差が大きい場合、
半田リフロー中(高温時)又は、その後に基板が反り、
実装不良が生じるからである。両者の材料に熱膨張係数
が近い値の材料を用いれば、基板の反りを低減すること
が可能となる。また、これにより基板の剛性を確保する
ために各層の厚さを厚くする必要がなくなり、多層配線
基板の重量が増加することを抑止することにもなる。
From the viewpoint of reducing the warpage of the entire substrate, it is preferable to use a material having a coefficient of thermal expansion as close as possible to the material of the dielectric resin layer 1 and the material of the insulating resin layer 13. This is because if the difference between the two coefficients of thermal expansion is large,
During solder reflow (at high temperature) or afterwards, the board warps,
This is because a mounting defect occurs. If a material having a coefficient of thermal expansion close to both materials is used, it is possible to reduce the warpage of the substrate. In addition, this eliminates the need to increase the thickness of each layer in order to secure the rigidity of the substrate, thereby suppressing an increase in the weight of the multilayer wiring substrate.

【0040】更に、誘電体樹脂層1を絶縁樹脂層13よ
りも薄くすることにより、両者の熱膨張係数が異なった
ものを用いても、基板全体の反りを抑制することが可能
となる。本実施の形態では、誘電体樹脂層1は、0.1
〜10μmの厚さで形成され、絶縁樹脂層13は、20
〜100μmの厚さで形成される。
Further, by making the dielectric resin layer 1 thinner than the insulating resin layer 13, it is possible to suppress the warpage of the entire substrate even if both have different thermal expansion coefficients. In the present embodiment, the dielectric resin layer 1 has a thickness of 0.1
The insulating resin layer 13 has a thickness of 20 to 10 μm.
It is formed with a thickness of 100100 μm.

【0041】なお、誘電体樹脂層1の厚さは、0.1〜
3μmとしてもよい。更に、好ましくは、誘電体樹脂層
1の厚さを、0.1〜1μmとしてもよい。このよう
に、誘電体樹脂層1の厚さを可能な限り薄く形成するこ
とにより、より基板の反りを抑止することができると共
に、内蔵コンデンサ層10を大容量化とすることにもな
る。なお、多層配線基板の生産性及び性能の両面を考慮
すると誘電体樹脂層1の厚さは、1μmとするのがよ
い。
The thickness of the dielectric resin layer 1 is 0.1 to
It may be 3 μm. More preferably, the thickness of the dielectric resin layer 1 may be set to 0.1 to 1 μm. By forming the thickness of the dielectric resin layer 1 as thin as possible, the warpage of the substrate can be further suppressed, and the capacity of the built-in capacitor layer 10 can be increased. In consideration of both the productivity and the performance of the multilayer wiring board, the thickness of the dielectric resin layer 1 is preferably set to 1 μm.

【0042】本実施の形態においては、多層配線基板
に、全層インタースティシャルビアホール(以下、IV
Hと略す。)構造の基板を用いる。全層IVH構造の基
板は、任意の層の任意の位置にビアホールを形成するこ
とが可能であり、好ましい。また、全層IVH構造の基
板を用いることに伴い、ビアホール導体には、導電性ペ
ースト17を用いる。導電性ペーストは、例えば、銅
粉、銀粉、銅と銀の合金粉、銅粉に銀メッキを施した粉
体のうちのいずれか1つと、熱硬化性樹脂とを混練した
ペーストである。導電性ペースト17は、圧縮されるこ
とによりペースト中に含まれる上記金属粉体が緻密化さ
れ、より安定した電気的接続を得ることが可能となる。
従って、誘電体樹脂層1および絶縁樹脂層13には、被
圧縮性を有する材料が用いることが好ましい。このよう
に被圧縮性を有する材料を用いることにより、加圧処理
時に、誘電体樹脂層1および絶縁樹脂層13が収縮し、
導電性ペーストをより圧縮することができる。その結
果、安定した電気的接続を実現することが可能となる。
なお、本実施の形態では、多層配線基板を全層IVH構
造の基板としたが、これに限るものではなく、任意の層
の任意の位置にビアホールを形成できる基板であればよ
い。
In the present embodiment, all-layer interstitial via holes (hereinafter referred to as IV
Abbreviated as H. ) A substrate having a structure is used. The substrate having the all-layer IVH structure is preferable because a via hole can be formed at an arbitrary position in an arbitrary layer. In addition, with the use of a substrate having an all-layer IVH structure, a conductive paste 17 is used for a via-hole conductor. The conductive paste is, for example, a paste obtained by kneading one of copper powder, silver powder, copper-silver alloy powder, and powder obtained by plating copper powder with silver, and a thermosetting resin. When the conductive paste 17 is compressed, the metal powder contained in the paste is densified, and a more stable electrical connection can be obtained.
Therefore, it is preferable to use a material having compressibility for the dielectric resin layer 1 and the insulating resin layer 13. By using such a material having compressibility, the dielectric resin layer 1 and the insulating resin layer 13 shrink during the pressing process,
The conductive paste can be more compressed. As a result, stable electrical connection can be realized.
In the present embodiment, the multilayer wiring substrate is a substrate having an all-layer IVH structure. However, the present invention is not limited to this. Any substrate may be used as long as a via hole can be formed at an arbitrary position in an arbitrary layer.

【0043】更に、本実施の形態においては、配線層1
5a、15b、21、23に表面が完全に被覆しないよ
うな金属メッキを施す。これは、銅箔表面の酸化の防止
や有機材料との密着性向上と、銅箔と導電ペースト17
との安定した電気的接続とを両立させるためである。配
線層15a、15b、21、23には、一般的に電解銅
箔が用いられる。これらの銅箔表面の酸化を防止するた
め、Ni、Zn、Crのうちの少なくとも1つからなる
金属をメッキする。Ni、Zn、Crなどの金属は、酸
素と結合しやすく、安定な金属酸化膜を形成する。この
金属酸化膜が形成されることにより、銅箔表面の酸化を
防止することができる。更に、この金属酸化膜は、有機
材料との密着性にも優れている。しかし、一方で、金属
酸化膜は、不導体であるため、銅箔表面に接続する導電
体との電気的な接続に対しては悪影響を及ぼす。従っ
て、銅箔表面にメッキする金属を極微量とする。このよ
うに極微量の金属を銅箔表面に薄くメッキすると、メッ
キされた金属が銅箔表面を一様に被覆せず、メッキ層の
所々に微細な隙間が生じる。この隙間を介して銅箔表面
と、それに接続される導電体とが接触し、両者が導通可
能となる。このような金属メッキにより、銅箔表面の酸
化の防止や有機材料との密着性向上と、銅箔と導電ペー
スト17との安定した電気的接続とを両立させることが
可能となる。
Further, in the present embodiment, the wiring layer 1
Metal plating is applied to the surfaces 5a, 15b, 21, and 23 so that the surfaces are not completely covered. This is because the copper foil surface is prevented from being oxidized, the adhesion with the organic material is improved, and the copper foil and the conductive paste 17 are prevented.
And stable electrical connection with the same. For the wiring layers 15a, 15b, 21, 23, electrolytic copper foil is generally used. In order to prevent oxidation of the copper foil surface, a metal made of at least one of Ni, Zn, and Cr is plated. Metals such as Ni, Zn, and Cr are easily bonded to oxygen and form a stable metal oxide film. By forming this metal oxide film, oxidation of the copper foil surface can be prevented. Further, the metal oxide film has excellent adhesion to an organic material. However, on the other hand, since the metal oxide film is a non-conductor, it adversely affects the electrical connection with the conductor connected to the copper foil surface. Therefore, the amount of metal plated on the copper foil surface is extremely small. When a very small amount of metal is thinly plated on the surface of the copper foil as described above, the plated metal does not uniformly cover the surface of the copper foil, and minute gaps are formed in the plating layer. The copper foil surface and the conductor connected thereto come into contact with each other through this gap, and both can be conducted. Such metal plating makes it possible to prevent oxidation of the copper foil surface, improve the adhesion to the organic material, and achieve stable electrical connection between the copper foil and the conductive paste 17.

【0044】次に、以上のように構成された本実施の形
態の製造方法について以下で詳細に説明する。図2は、
本実施の形態の多層配線基板の製造工程を順次示す断面
図である。
Next, the manufacturing method of the present embodiment configured as described above will be described in detail below. FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view sequentially showing the steps of manufacturing the multilayer wiring board of the present embodiment.

【0045】図2の(a)に示すように、対向電極3
a、3bや配線層15a、15bの母材であり、導体層
である金属箔12のどちらか一方の面に誘電体樹脂層1
を形成する。このとき形成する誘電体樹脂層1の厚さ
は、金属箔12の表面粗さより厚く、金属箔12の厚さ
より薄く形成するのが好ましい。誘電体樹脂層1は、塗
工法やメッキ法の一種であるED法(電着)を用いて薄
く形成する。或いは、薄い高分子フィルムからなる誘電
体樹脂層1のいずれか一方の面に、真空蒸着やスパッタ
法、又はメッキ法を用いて金属膜12を形成する方法で
もよい。
As shown in FIG. 2A, the counter electrode 3
a, 3b and the base material of the wiring layers 15a, 15b, and the dielectric resin layer 1
To form The thickness of the dielectric resin layer 1 formed at this time is preferably larger than the surface roughness of the metal foil 12 and smaller than the thickness of the metal foil 12. The dielectric resin layer 1 is formed thin using an ED method (electrodeposition) which is a kind of a coating method or a plating method. Alternatively, a method in which the metal film 12 is formed on one surface of the dielectric resin layer 1 made of a thin polymer film by using vacuum evaporation, sputtering, or plating.

【0046】続いて、図2の(b)に示すように、誘電
体樹脂層1の表裏面の導通を可能とするため、ビアホー
ル5aを形成する。ビアホール5aの加工は、本実施の
形態においては、レーザー加工法を用いる。なお、加工
法は、レーザー加工に限定されるものではない。
Subsequently, as shown in FIG. 2B, a via hole 5a is formed to enable conduction between the front and back surfaces of the dielectric resin layer 1. The processing of the via hole 5a uses a laser processing method in the present embodiment. The processing method is not limited to laser processing.

【0047】更に、図2の(c)に示すように、誘電体
樹脂層1の金属箔12が形成されていない他方の面に、
真空蒸着やスパッタ法、あるいはメッキ法を用いて、導
体層である金属膜16を形成する。誘電体樹脂層1は、
上述した通り非常に薄く形成されているため、金属膜1
6の形成時にビアホール5a内にも金属が堆積し、ビア
ホール導体5が形成される。これにより金属箔12と金
属膜16との層間は、電気的に接続可能となる。つま
り、導体層間の導通が可能となる。
Further, as shown in FIG. 2C, on the other surface of the dielectric resin layer 1 where the metal foil 12 is not formed,
The metal film 16 which is a conductor layer is formed by using vacuum evaporation, sputtering, or plating. The dielectric resin layer 1
As described above, the metal film 1 is formed to be very thin.
At the time of forming 6, metal is deposited also in the via hole 5a, and the via hole conductor 5 is formed. Thereby, the layers between the metal foil 12 and the metal film 16 can be electrically connected. That is, conduction between the conductor layers becomes possible.

【0048】次に、図2の(d)に示すように、金属膜
16に所望の配線パターンで対向電極3aを形成する。
Next, as shown in FIG. 2D, a counter electrode 3a is formed on the metal film 16 in a desired wiring pattern.

【0049】その後、図2の(e)に示すように、絶縁
樹脂層13をラミネート法で仮接着する。仮接着は、8
0〜100℃の温度下で、およそ3kg/cmの圧力を
加えることにより行う。
Thereafter, as shown in FIG. 2E, the insulating resin layer 13 is temporarily bonded by a laminating method. Temporary bonding is 8
It is performed by applying a pressure of approximately 3 kg / cm at a temperature of 0 to 100 ° C.

【0050】更に、図2の(f)に示すように、絶縁樹
脂層13側からレーザー加工法を用いてビアホールの加
工を行う。この工程において重要なのは、対向電極3a
上に加工するビアホール18aと、金属箔12上に加工
するビアホール18bとで深さの異なるビアホールを同
時に加工することである。加工に用いるレーザーは、波
長355nmの紫外光レーザーであり、ビアホールごと
の加工データに加工パルス数に相当する重み付けをする
ことにより、深さの違うビアホールを加工することが可
能である。また、ビアホール18aは、誘電体樹脂層1
を貫通し、金属箔12の表面が露出するように形成す
る。
Further, as shown in FIG. 2F, via holes are formed from the insulating resin layer 13 side by using a laser processing method. What is important in this step is that the counter electrode 3a
The via holes 18a to be processed on the upper side and the via holes 18b to be processed on the metal foil 12 are processed at the same time to form via holes having different depths. The laser used for the processing is an ultraviolet laser having a wavelength of 355 nm, and it is possible to process via holes having different depths by weighting the processing data for each via hole by a weight corresponding to the number of processing pulses. The via hole 18a is formed in the dielectric resin layer 1
Is formed so that the surface of the metal foil 12 is exposed.

【0051】次に、図2の(g)に示すように、ビアホ
ール18a、18b内にスキージングを数回繰り返すこ
とにより導電性ペースト17を充填する。なお、スキー
ジングの途中に真空脱泡工程を挿入してもよい。これに
より、充填する導電性ペースト17内に気泡が混入する
ことが防止できるため、導電性ペースト17の充填性が
向上する。なお、導電性ペースト17の充填性の向上に
関しては、充填する際に、導電性ペースト17の樹脂成
分がビアホール18a、18bと金属箔12とのわずか
な隙間からしみ出すことによっても改善される。
Next, as shown in FIG. 2G, the conductive paste 17 is filled in the via holes 18a and 18b by repeating squeezing several times. Note that a vacuum defoaming step may be inserted in the middle of squeezing. Thereby, bubbles can be prevented from being mixed into the conductive paste 17 to be filled, so that the filling property of the conductive paste 17 is improved. In addition, the filling property of the conductive paste 17 is also improved by the resin component of the conductive paste 17 exuding from a small gap between the via holes 18a and 18b and the metal foil 12 at the time of filling.

【0052】次に、図2の(h)に示すように、配線層
21が予めパターニングして形成された支持基材22
を、配線層21が対応するビアホール18a、18bを
封鎖するようにアライメントしつつ、絶縁樹脂層13に
重ね合わせる。このように重ね合わせた後、真空熱プレ
スで加熱加圧し、絶縁樹脂層13を完全に硬化させるこ
とにより、金属箔12と、絶縁樹脂層13と、支持基材
22とを接着し、一体化させる。また、このときの加熱
加圧により、ビアホール18a、18b内に充填された
導電性ペースト17が圧縮される。これにより導電性ペ
ースト17に含まれる金属粉体が緻密化し、絶縁体を挟
んで設けられた金属箔12と配線層21との間、及び対
向電極3aと配線層21との間の電気的な接続が可能と
なる。
Next, as shown in FIG. 2 (h), a supporting base material 22 in which the wiring layer 21 is formed by patterning in advance.
Are superposed on the insulating resin layer 13 while aligning the wiring layers 21 so as to block the corresponding via holes 18a and 18b. After being overlapped in this manner, the metal foil 12, the insulating resin layer 13, and the supporting base material 22 are bonded and integrated by heating and pressing with a vacuum hot press to completely cure the insulating resin layer 13. Let it. Further, the conductive paste 17 filled in the via holes 18a and 18b is compressed by the heating and pressing at this time. As a result, the metal powder contained in the conductive paste 17 is densified, and an electrical connection between the metal foil 12 and the wiring layer 21 provided with an insulator therebetween and between the counter electrode 3a and the wiring layer 21 is provided. Connection is possible.

【0053】続いて、図2の(i)に示すように、支持
基材22を除去する。支持基材22の材料には、配線層
21との選択エッチングが可能なAlなどからなる金属
箔を用いるが、真空熱プレス後に剥離可能な材料であれ
ば、金属箔に限定されるものではない。
Subsequently, as shown in FIG. 2I, the supporting base material 22 is removed. A metal foil made of Al or the like that can be selectively etched with the wiring layer 21 is used as the material of the support base material 22. However, the material is not limited to a metal foil as long as it is a material that can be peeled off after vacuum hot pressing. .

【0054】引き続き、図2の(j)に示すように、更
に、図2の(e)〜(i)を繰り返し、絶縁樹脂層13
と配線層21とを形成する。このように、図2の(e)
〜(i)を所望の回数繰り返すことにより多層化するこ
とが可能である。
Subsequently, as shown in FIG. 2 (j), the steps (e) to (i) of FIG.
And a wiring layer 21 are formed. Thus, (e) of FIG.
By repeating (i) to (i) a desired number of times, it is possible to form a multilayer.

【0055】最後に、図2の(k)に示すように、金属
箔12に所望の配線パターンで、対向電極3b、配線層
15a、15b、23を形成し、本実施の形態の多層配
線基板が完成する。
Finally, as shown in FIG. 2 (k), the counter electrode 3b and the wiring layers 15a, 15b and 23 are formed on the metal foil 12 in a desired wiring pattern, and the multilayer wiring board according to the present embodiment is formed. Is completed.

【0056】(実施の形態2)図3は、本発明における
実施の形態2の多層配線基板の構造を示す断面図であ
る。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a sectional view showing a structure of a multilayer wiring board according to Embodiment 2 of the present invention.

【0057】図3において、本実施の形態の多層配線基
板は、絶縁樹脂層13と、誘電体樹脂層1と、誘電体樹
脂層1を挟んで対向する対向電極3a、3bと、配線層
21、15a、15b、23、25とから構成される。
更に、本実施の形態の多層配線基板は、絶縁体を挟んで
設けられた配線層の間の導通を可能し、絶縁体を貫通す
るビアホールに充填された導電性ペースト17を有す
る。なお、7は、本実施の形態の多層配線基板上に実装
する実装部品であり、例えば、半導体素子や半導体集積
回路である。実装部品7には、実装部品7の電源回路の
Vcc端子9と、その電源回路のGND端子11と、信
号ライン19a、19bとが設けられている。
In FIG. 3, the multilayer wiring board according to the present embodiment includes an insulating resin layer 13, a dielectric resin layer 1, opposing electrodes 3a and 3b opposed to each other with the dielectric resin layer 1 interposed therebetween, and a wiring layer 21. , 15a, 15b, 23, and 25.
Further, the multilayer wiring board according to the present embodiment has conductive paste 17 that enables conduction between wiring layers provided with an insulator therebetween and is filled in via holes penetrating the insulator. Reference numeral 7 denotes a mounting component mounted on the multilayer wiring board according to the present embodiment, for example, a semiconductor element or a semiconductor integrated circuit. The mounted component 7 is provided with a Vcc terminal 9 of a power supply circuit of the mounted component 7, a GND terminal 11 of the power supply circuit, and signal lines 19a and 19b.

【0058】誘電体樹脂層1は、コンデンサを形成する
ために用いられる誘電体である。誘電体樹脂層1の一方
の面には、対向電極3aが形成されている。更に、誘電
体樹脂層1の他方の面には、対向電極3bが形成されて
いる。対向電極3a、3bは、誘電体樹脂層1を挟持す
るように対向して設けられている。これにより、誘電体
樹脂層1と対向電極3a、3bがコンデンサとして機能
する。このコンデンサを内蔵コンデンサ層20とする。
また、対向電極3bは、ビアホール導体17と配線層2
3を介してGND端子11に接続され、対向電極3a
は、ビアホール導体17と配線層25とを介してVcc
端子9に接続されている。これにより、内蔵コンデンサ
20と実装部品7とは、電気的に接続可能となる。ま
た、対向電極3a、3bは、多層配線基板の最表層に垂
直な方向への実装部品7の投影面の形状と同様の形状及
び面積で設けられ、かつ多層配線基板の最表層に垂直な
方向への実装部品7の投影面内に収まるように配置され
ている。
The dielectric resin layer 1 is a dielectric used for forming a capacitor. On one surface of the dielectric resin layer 1, a counter electrode 3a is formed. Further, on the other surface of the dielectric resin layer 1, a counter electrode 3b is formed. The counter electrodes 3a and 3b are provided to face each other so as to sandwich the dielectric resin layer 1. Thereby, the dielectric resin layer 1 and the counter electrodes 3a and 3b function as capacitors. This capacitor is referred to as a built-in capacitor layer 20.
Further, the counter electrode 3b is formed by connecting the via hole conductor 17 and the wiring layer 2 to each other.
3 is connected to the GND terminal 11 via the counter electrode 3a.
Is Vcc via the via-hole conductor 17 and the wiring layer 25.
Connected to terminal 9. Thereby, the built-in capacitor 20 and the mounting component 7 can be electrically connected. The counter electrodes 3a, 3b are provided in the same shape and area as the shape of the projection surface of the mounting component 7 in the direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board, and in the direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board. Are arranged so as to fit within the projection plane of the mounted component 7 to the camera.

【0059】内蔵コンデンサ層20の上層には、絶縁樹
脂層13と、配線層15a、15b、23、25とが設
けられている。絶縁樹脂層13の上面には、配線層15
a、15b、23、25が形成されている。配線層15
aは、実装部品7の信号ライン19aと接続するために
設けられている。配線層15bは、実装部品7の信号ラ
イン19bと接続するために設けられている。配線層2
3は、実装部品7の電源回路のGND端子11と接続す
るために設けられている。配線層25は、実装部品7の
電源回路のVcc端子9と接続するために設けられてい
る。
The insulating resin layer 13 and the wiring layers 15a, 15b, 23, 25 are provided above the built-in capacitor layer 20. The wiring layer 15 is provided on the upper surface of the insulating resin layer 13.
a, 15b, 23 and 25 are formed. Wiring layer 15
a is provided for connection to the signal line 19a of the mounted component 7. The wiring layer 15b is provided to connect to the signal line 19b of the mounted component 7. Wiring layer 2
Reference numeral 3 is provided for connection to the GND terminal 11 of the power supply circuit of the mounted component 7. The wiring layer 25 is provided to connect to the Vcc terminal 9 of the power supply circuit of the mounted component 7.

【0060】内蔵コンデンサ層20の下層には、絶縁樹
脂層13と、配線層21とが設けられている。絶縁樹脂
層13の上面には、配線層21が形成されている。配線
層21は、ビアホール導体17を介して配線層15a、
15bと電気的に接続されている。更に、その下層に
は、絶縁樹脂層13と配線層21が設けられ、絶縁樹脂
層13を挟んでその両面に配置された配線層21は、導
電性ペースト17により互いに電気的に接続されてい
る。
Under the built-in capacitor layer 20, an insulating resin layer 13 and a wiring layer 21 are provided. The wiring layer 21 is formed on the upper surface of the insulating resin layer 13. The wiring layer 21 includes a wiring layer 15 a via the via-hole conductor 17,
15b is electrically connected. Further, an insulating resin layer 13 and a wiring layer 21 are provided below the wiring layer 21, and the wiring layers 21 disposed on both sides of the insulating resin layer 13 are electrically connected to each other by the conductive paste 17. .

【0061】このように構成された本実施の形態の多層
配線基板の特徴について以下に説明する。なお、実施の
形態1と同様な点については、詳細な説明を省略する。
The features of the multilayer wiring board of the present embodiment thus configured will be described below. The detailed description of the same points as in the first embodiment is omitted.

【0062】図3において、本発明における本実施の形
態の多層配線基板は、実施の形態1と同様、誘電体樹脂
層1に、高分子フィルムを用いるか、或いは、無機フィ
ラー又は高分子有機フィラーが混入された変性エポキシ
樹脂が用いられる。従って、誘電体樹脂層1を多層配線
基板の任意の層に設けることができ、本実施の形態で
は、誘電体樹脂層1を多層配線基板の内層に配置する。
即ち、誘電体樹脂層1を絶縁樹脂層13の間に配置す
る。
In FIG. 3, the multilayer wiring board of the present embodiment according to the present invention uses a polymer film for the dielectric resin layer 1 or uses an inorganic filler or a polymer organic filler as in the first embodiment. Is used. Therefore, the dielectric resin layer 1 can be provided on an arbitrary layer of the multilayer wiring board. In the present embodiment, the dielectric resin layer 1 is disposed on the inner layer of the multilayer wiring board.
That is, the dielectric resin layer 1 is disposed between the insulating resin layers 13.

【0063】このように誘電体樹脂層1が配置された多
層配線基板では、信号ライン19a、19bを基板表面
でそれぞれ配線層15a、15bにより実装部品7の外
周部へ引き出し、ビアホール導体17を介して下層で配
線することができる。つまり信号ラインに接続されるビ
アホール導体17を内蔵コンデンサ層20に通過させる
必要がなく、ビアホールを貫通させない分だけ対向電極
3a、3bに必要な面積を確保しやすくなる。従って、
対向電極3a、3bの投影面積を実装部品4の投影面積
よりも小さくすることが可能になる。
In the multilayer wiring board on which the dielectric resin layer 1 is disposed as described above, the signal lines 19a and 19b are drawn out to the outer peripheral portion of the mounted component 7 on the board surface by the wiring layers 15a and 15b, respectively, via the via hole conductor 17. Wiring in the lower layer. That is, there is no need to pass the via-hole conductor 17 connected to the signal line to the built-in capacitor layer 20, and it is easy to secure the necessary area for the opposing electrodes 3a and 3b by not penetrating the via-hole. Therefore,
It becomes possible to make the projection area of the counter electrodes 3a, 3b smaller than the projection area of the mounting component 4.

【0064】更に、前記対向電極のうち少なくとも高電
位側の対向電極3aが実装部品7の投影面と、同様の形
状かつ同様の面積か、或いは、同様の形状かつ小さい面
積かで形成され、多層配線基板の最表層に垂直な方向へ
の実装部品7の投影面内に収まるように配設されるほう
がよい。好ましくは、対向電極3a、3bの両方が実装
部品7の投影面形状と、同様の形状かつ同様の面積か、
或いは、同様の形状かつ小さい面積かで形成され、多層
配線基板の最表層に垂直な方向への実装部品7の投影面
内に収まるように配設されるほうがよい。このような構
成にすることにより、複数の実装部品の電源回路が接続
された場合でも、同一誘電体樹脂層1に形成した内蔵コ
ンデンサ層20の電源ノイズどうしが相互に影響を与え
合い、さらに劣悪なノイズとなることを防止できる。ま
た、内蔵コンデンサ層20に接続するためのビア接続を
短くすることができるため、電源供給の安定化をさらに
効果的に実現することが可能となる。
Further, at least the counter electrode 3a on the high potential side of the counter electrode is formed in the same shape and the same area or the same shape and the small area on the projection surface of the mounting component 7, and the multilayer It is better to arrange them so as to fit within the projection plane of the mounting component 7 in a direction perpendicular to the outermost layer of the wiring board. Preferably, both of the counter electrodes 3a and 3b have the same shape and the same area as the projection surface shape of the mounted component 7,
Alternatively, it is better to be formed in the same shape and with a small area, and to be arranged so as to fit within the projection plane of the mounting component 7 in a direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board. With such a configuration, even when the power supply circuits of a plurality of mounted components are connected, the power supply noises of the built-in capacitor layers 20 formed on the same dielectric resin layer 1 affect each other, resulting in further deterioration. Noise can be prevented. Further, since the via connection for connecting to the built-in capacitor layer 20 can be shortened, the power supply can be more effectively stabilized.

【0065】また、実施の形態1の図1に示す構成に、
本実施の形態のような内蔵コンデンサ層20を設けるこ
とにより、内蔵コンデンサ層を多層化し、実装部品7に
接続する内層コンデンサ層の容量をより増加させること
も可能である。
In addition, the configuration shown in FIG.
By providing the built-in capacitor layer 20 as in the present embodiment, the built-in capacitor layer can be multi-layered and the capacity of the inner capacitor layer connected to the mounted component 7 can be further increased.

【0066】次に、以上のように構成された本実施の形
態の多層配線基板の製造方法について、以下で詳細に説
明する。なお、実施の形態1と同様な点については、詳
細な説明を省略する。図4は、本実施の形態の多層配線
基板の製造工程を順次示す断面図である。
Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board of the present embodiment configured as described above will be described in detail. The detailed description of the same points as in the first embodiment is omitted. FIG. 4 is a cross-sectional view sequentially showing the steps of manufacturing the multilayer wiring board of the present embodiment.

【0067】図4の(a)に示すように、対向電極3b
や配線層21の母材となり、導体層である金属箔12の
どちらか一方の面に誘電体樹脂層1を形成する。誘電体
樹脂層1は塗工法やメッキ法の一種であるED法を用い
て薄く形成される。或いは、薄いフィルム状の誘電体樹
脂層1のどちらか一方の面に、真空蒸着やスパッタ法、
あるいはメッキ法を用いて金属箔12を形成する方法で
もよい。また、必要に応じて、誘電体樹脂層1の層間の
導通をとるため、ビアホールを設けてもよい。
As shown in FIG. 4A, the counter electrode 3b
The dielectric resin layer 1 is formed on one of the surfaces of the metal foil 12 serving as a conductor layer and serving as a base material of the wiring layer 21. The dielectric resin layer 1 is formed thin using an ED method which is a kind of a coating method or a plating method. Alternatively, a vacuum evaporation or sputtering method may be applied to one of the surfaces of the dielectric resin layer 1 in the form of a thin film.
Alternatively, a method of forming the metal foil 12 using a plating method may be used. Further, if necessary, via holes may be provided in order to establish conduction between the dielectric resin layers 1.

【0068】図4の(b)に示すように、誘電体樹脂層
1の金属箔12の形成されていない他方の面に、真空蒸
着やスパッタ法、あるいはメッキ法を用いて、導体層で
ある金属膜16を形成する。
As shown in FIG. 4B, a conductor layer is formed on the other surface of the dielectric resin layer 1 on which the metal foil 12 is not formed by using vacuum deposition, sputtering, or plating. A metal film 16 is formed.

【0069】図4の(c)のように、金属膜16を所望
のパターンに形成することにより、対向電極3aを形成
する。
As shown in FIG. 4C, the counter electrode 3a is formed by forming the metal film 16 in a desired pattern.

【0070】次に、図4の(d)に示すように、金属箔
12の対向電極3aが形成されている面に、絶縁樹脂層
13をラミネート法で仮接着する。仮接着は、80〜1
00℃の温度下で、約3kg/cmの圧力を加えること
により行う。
Next, as shown in FIG. 4D, an insulating resin layer 13 is temporarily bonded to the surface of the metal foil 12 on which the counter electrode 3a is formed by a laminating method. Temporary bonding is 80-1
It is performed by applying a pressure of about 3 kg / cm at a temperature of 00 ° C.

【0071】更に、図4の(e)に示すように、絶縁樹
脂層13側からレーザー法を用いてビアホール加工を行
う。この工程で重要なのは、実施の形態1と同様、対向
電極3a上に加工するビアホール18aと、金属箔12
上に加工するビアホール18bの深さの異なるビアホー
ルを同時加工することである。また、ビアホール18b
は誘電体樹脂層1も貫通して金属箔11の表面が露出す
るまで加工を行う。
Further, as shown in FIG. 4E, via hole processing is performed from the insulating resin layer 13 side by using a laser method. What is important in this step is, as in the first embodiment, a via hole 18a to be processed on the counter electrode 3a and a metal foil 12a.
This is to simultaneously process via holes 18b having different depths. Also, via hole 18b
Is processed until the surface of the metal foil 11 is exposed through the dielectric resin layer 1.

【0072】次に、図4の(f)のように、ビアホール
18a、18bに導電ペースト17を充填する。充填
は、スキージングを数回繰り返すことにより行う。更
に、真空脱泡工程を数回のスキージングの途中に挿入し
てもよい。
Next, as shown in FIG. 4F, the conductive paste 17 is filled in the via holes 18a and 18b. Filling is performed by repeating squeezing several times. Further, the vacuum defoaming step may be inserted in the middle of several times of squeezing.

【0073】次に、図4の(g)に示すように、配線層
15a、15b、23、25が導体層に予め配線パター
ンニングして形成されている支持基材22を、配線層1
5a、15b、23、25に対応するビアホール18
a、18bにアライメントしつつ、絶縁樹脂層13に重
ね合わせる。
Next, as shown in FIG. 4 (g), the supporting base material 22, in which the wiring layers 15a, 15b, 23 and 25 are formed by previously performing wiring patterning on the conductor layer, is moved to the wiring layer 1 as shown in FIG.
Via holes 18 corresponding to 5a, 15b, 23, 25
While being aligned with a and 18b, it is superposed on the insulating resin layer 13.

【0074】引き続き、図4の(h)のように、真空熱
プレスで加熱加圧し、絶縁樹脂層13を完全に硬化させ
ることにより、金属箔12と、絶縁樹脂層13と、支持
基材22とを一体化させる。同時にビアホール18a、
18b内の導電ペースト17が圧縮され、導電性ペース
ト17に含まれる金属紛体が緻密化する。これにより、
金属箔12と配線層15a、15b、23との間、配線
層25と対向電極3aとの間の電気的な接続が可能とな
る。
Subsequently, as shown in FIG. 4 (h), the metal foil 12, the insulating resin layer 13, and the supporting base material 22 are heated and pressed by a vacuum hot press to completely cure the insulating resin layer 13. And are integrated. At the same time, via holes 18a,
The conductive paste 17 in 18b is compressed, and the metal powder contained in the conductive paste 17 is densified. This allows
Electrical connection is possible between the metal foil 12 and the wiring layers 15a, 15b, and 23, and between the wiring layer 25 and the counter electrode 3a.

【0075】続いて、図4の(i)のように、金属箔1
2を所望の配線パターン形状にパターニングし、配線層
21と、対向電極3bとを形成する。
Subsequently, as shown in FIG.
2 is patterned into a desired wiring pattern shape to form a wiring layer 21 and a counter electrode 3b.

【0076】更に、図4の(j)に示すように、図4の
(d)〜(i)に示す工程を繰り返し、絶縁樹脂層13
と配線層21とを形成する。
Further, as shown in FIG. 4 (j), the steps shown in FIGS. 4 (d) to 4 (i) are repeated, and the insulating resin layer 13 is formed.
And a wiring layer 21 are formed.

【0077】最後に、図4の(k)に示すように支持基
材22を除去し、図3に示すような実本施の形態2の多
層配線基板が完成する。
Finally, as shown in FIG. 4 (k), the supporting base material 22 is removed, and a multilayer wiring board according to the second embodiment as shown in FIG. 3 is completed.

【0078】なお、本実施の形態では、支持基材22
は、Alなどの配線層15a、15b、23、25と選
択エッチングが可能な金属箔を用いたが、真空熱プレス
後に剥離可能な材料であれば、金属箔に限定されるもの
ではない。
In the present embodiment, the support base material 22
Used a metal foil such as Al that can be selectively etched with the wiring layers 15a, 15b, 23, and 25. However, the material is not limited to a metal foil as long as it is a material that can be peeled off after vacuum hot pressing.

【0079】[0079]

【発明の効果】本発明の多層配線基板は、全層IVH構
造の多層配線基板において、基板を構成する全層の絶縁
樹脂層および誘電体樹脂層を同種の樹脂材料にすること
により、基板の薄型化の要望に対し、薄型軽量化、実装
工程時の反り軽減を実現することができる。更に、多層
配線基板の任意の層に誘電体樹脂層を配置することが可
能になることから、内層コンデンサ層を実装部品の直下
の層、即ち、多層回路基板の最表層に形成することがで
きる。これにより、内層コンデンサ層と実装部品とを接
続するためのビア接続を短く構成することができ、ビア
のインダクタンスの影響を最小限に抑制することが可能
となる。従って、電源供給の安定化をより効果的に実現
することができる。更に、内層コンデンサ層を通過しそ
の下層に接続するビアを設けることで、内層で自由度の
高い配線接続が可能となるため、配線設計が簡易にな
る。
According to the multilayer wiring board of the present invention, in a multilayer wiring board having an all-layer IVH structure, the same type of resin material is used for all of the insulating resin layers and the dielectric resin layers constituting the board. In response to the demand for thinner, it is possible to realize thinner and lighter and to reduce warpage in a mounting process. Further, since the dielectric resin layer can be arranged on an arbitrary layer of the multilayer wiring board, the inner capacitor layer can be formed immediately below the mounted component, that is, on the outermost layer of the multilayer circuit board. . Thereby, the via connection for connecting the inner capacitor layer and the mounted component can be shortened, and the influence of the via inductance can be minimized. Therefore, stabilization of power supply can be realized more effectively. Further, by providing a via that passes through the inner capacitor layer and is connected to the lower layer, wiring connection with a high degree of freedom in the inner layer can be performed, thereby simplifying the wiring design.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明における実施の形態1の多層配線基板
を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention;

【図2】 本発明における実施の形態1の多層配線基板
の製造方法を示す断面図
FIG. 2 is a sectional view showing the method for manufacturing the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention;

【図3】 本発明における実施の形態2の多層配線基板
を示す断面図
FIG. 3 is a sectional view showing a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention;

【図4】 本発明における実施の形態2の多層配線基板
の製造方法を示す断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to Embodiment 2 of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体樹脂層 3a、3b 対向電極 5 ビアホール導体 5a ビアホール 7 実装部品 9 Vcc端子 11 GND端子 12 金属箔 13 絶縁樹脂層 15a、15b、21、23、25 配線層 17 導電性ペースト 19a、19b 信号ライン 16 金属膜 18a、18b ビアホール 22 支持基材 35、45、55 支持基材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric resin layer 3a, 3b Counter electrode 5 Via hole conductor 5a Via hole 7 Mounting component 9 Vcc terminal 11 GND terminal 12 Metal foil 13 Insulating resin layer 15a, 15b, 21, 23, 25 Wiring layer 17 Conductive paste 19a, 19b Signal Line 16 Metal film 18a, 18b Via hole 22 Support base material 35, 45, 55 Support base material

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成13年5月16日(2001.5.1
6)
[Submission Date] May 16, 2001 (2001.5.1)
6)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項19[Correction target item name] Claim 19

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項20[Correction target item name] Claim 20

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項21[Correction target item name] Claim 21

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フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 23/10 C08L 23/10 63/00 63/00 C 67/02 67/02 81/02 81/02 H01L 23/12 H05K 1/11 N H05K 1/11 3/24 A 3/24 H01L 23/12 B E (72)発明者 安藤 大蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4J002 BB122 CD001 CF062 CF082 CN012 DF016 FD012 FD016 GQ01 5E317 AA24 BB12 CC25 CD27 CD32 GG11 GG14 5E343 AA02 AA13 AA15 AA16 AA17 BB16 BB24 BB38 BB44 BB71 DD02 EE60 GG01 GG08 GG13 5E346 AA12 AA13 AA15 AA23 AA27 AA32 AA33 AA35 AA36 AA43 AA51 BB02 BB11 BB16 CC01 CC04 CC08 CC16 CC21 CC32 CC37 DD02 DD07 DD22 DD32 EE06 EE07 EE09 EE13 EE18 EE33 EE38 FF04 FF18 FF45 GG17 GG19 GG28 HH01 HH02 HH06 HH25 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) C08L 23/10 C08L 23/10 63/00 63/00 C 67/02 67/02 81/02 81/02 H01L 23 / 12 H05K 1/11 N H05K 1/11 3/24 A 3/24 H01L 23/12 BE (72) Inventor Daizo Ando 1006 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term (reference) 4J002 BB122 CD001 CF062 CF082 CN012 DF016 FD012 FD016 GQ01 5E317 AA24 BB12 CC25 CD27 CD32 GG11 GG14 5E343 AA02 AA13 AA15 AA16 AA17 BB16 BB24 BB38 BB44 BB71 DD02 EE60 GG01 GG08 A13A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A13 A33 A31 A33 A31 A33 A CC08 CC16 CC21 CC32 CC37 DD02 DD07 DD22 DD32 EE06 EE07 EE09 EE13 EE18 EE33 EE38 FF04 FF18 FF45 GG17 GG19 GG28 HH01 HH02 HH06 HH25

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配線層と絶縁樹脂層とが積層されてなる
多層配線基板であって、 前記絶縁樹脂層の少なくとも一層は、誘電体樹脂層から
なり、該誘電体樹脂層は、誘電体樹脂層に隣接して形成
された第1の電極と、該第1の電極とは誘電体樹脂層を
挟んで反対側に隣接して形成され、該第1の電極と対向
する第2の電極とを有し、前記誘電体樹脂層を、多層配
線基板の任意の層に配置したことを特徴とする多層配線
基板。
1. A multilayer wiring board in which a wiring layer and an insulating resin layer are laminated, wherein at least one of the insulating resin layers is made of a dielectric resin layer, and the dielectric resin layer is made of a dielectric resin. A first electrode formed adjacent to the layer, and a second electrode formed adjacent to the opposite side of the dielectric resin layer with the dielectric resin layer interposed therebetween and facing the first electrode; Wherein the dielectric resin layer is disposed on an arbitrary layer of the multilayer wiring board.
【請求項2】 前記第1の電極は、実装部品の電源回路
の一端子に電気的に接続され、前記第2の電極は、前記
実装部品の電源回路の一端子とは電位の異なる他の一端
子と電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記
載された多層配線基板。
2. The device of claim 1, wherein the first electrode is electrically connected to one terminal of a power supply circuit of the mounted component, and the second electrode is connected to another terminal having a different potential from one terminal of the power supply circuit of the mounted component. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the multilayer wiring board is electrically connected to one terminal.
【請求項3】 少なくとも高電位側の前記一端子に接続
される前記第1の電極又は第2の電極のうちの一方は、
前記多層配線基板の最表層に垂直な方向への前記実装部
品の投影面と同じ面形状かつ同じ面積で形成されると共
に、該投影面内に配置されていることを特徴とする請求
項2に記載された多層配線基板。
3. One of the first electrode and the second electrode connected to at least the one terminal on the high potential side,
3. The multi-layer wiring board according to claim 2, which is formed in the same surface shape and the same area as a projection surface of the mounting component in a direction perpendicular to the outermost layer of the multilayer wiring board, and is arranged in the projection surface. The described multilayer wiring board.
【請求項4】 前記誘電体樹脂層は、前記多層配線基板
の最表層に配置されていることを特徴とする請求項1に
記載された多層配線基板。
4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the dielectric resin layer is disposed on an outermost layer of the multilayer wiring board.
【請求項5】 前記多層配線基板は、全層インターステ
ィシャルビアホール構造を有することを特徴とする請求
項1に記載された多層配線基板。
5. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the multilayer wiring board has an all-layer interstitial via hole structure.
【請求項6】 前記誘電体樹脂層の厚さは、前記第1電
極及び第2の電極の表面粗さより厚く、前記絶縁樹脂層
の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載され
た多層配線基板。
6. The method according to claim 1, wherein the thickness of the dielectric resin layer is larger than the surface roughness of the first electrode and the second electrode and smaller than the thickness of the insulating resin layer. Multilayer wiring board.
【請求項7】 前記誘電体樹脂層および前記絶縁樹脂層
は、被圧縮性を有する材料からなることを特徴とする請
求項1に記載された多層配線基板。
7. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the dielectric resin layer and the insulating resin layer are made of a material having compressibility.
【請求項8】 前記誘電体樹脂層は、高分子フィルムで
あることを特徴とする請求項1に記載された多層配線基
板。
8. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the dielectric resin layer is a polymer film.
【請求項9】 前記高分子フィルムは、ポリプロピレン
と、ポリエチレンテレフタレートと、ポリエチレンナフ
タレートと、ポリフェニレンスルファイドとのうちのい
ずれか1つからなることを特徴とする請求項8に記載さ
れた多層配線基板。
9. The multilayer wiring according to claim 8, wherein the polymer film is made of any one of polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyphenylene sulfide. substrate.
【請求項10】 前記誘電体樹脂層は、高分子有機フィ
ラー又は無機フィラーの少なくともいずれか一方が混入
された樹脂であることを特徴とする請求項1に記載され
た多層配線基板。
10. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the dielectric resin layer is a resin mixed with at least one of a polymer organic filler and an inorganic filler.
【請求項11】 前記高分子有機フィラーは、ポリプロ
ピレンと、ポリエチレンテレフタレートと、ポリエチレ
ンナフタレートと、ポリフェニレンスルファイドとのう
ちの少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1
0に記載された多層配線基板。
11. The organic polymer filler according to claim 1, wherein the organic filler comprises at least one of polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyphenylene sulfide.
2. The multilayer wiring board according to item 0.
【請求項12】 前記無機フィラーは、窒化アルミニウ
ムであることを特徴とする請求項10に記載された多層
配線基板。
12. The multilayer wiring board according to claim 10, wherein the inorganic filler is aluminum nitride.
【請求項13】 前記樹脂は、変性エポキシ樹脂である
ことを特徴とする請求項10に記載された多層配線基
板。
13. The multilayer wiring board according to claim 10, wherein the resin is a modified epoxy resin.
【請求項14】 前記絶縁樹脂層は、アラミド繊維から
なる不織布に未硬化エポキシ樹脂を含浸した基材と、ガ
ラス繊維の織布に未硬化のエポキシ樹脂を含浸した基材
と、ポリイミドのような高分子フィルムの両面に接着剤
を塗布した基材とのうちの少なくとも1つからなること
を特徴とする請求項1に記載された多層配線基板。
14. The insulating resin layer includes a base material obtained by impregnating an uncured epoxy resin into a nonwoven fabric made of aramid fiber, a base material obtained by impregnating a woven glass fiber fabric with an uncured epoxy resin, and a resin such as polyimide. 2. The multilayer wiring board according to claim 1, comprising at least one of a base material having an adhesive applied to both surfaces of the polymer film.
【請求項15】 前記配線層の表面に、Ni、Zn、C
rのうちの少なくとも1種類の金属が、該配線層と接続
する導体との電気的な接続が可能で、かつ該配線層の表
面が酸化することを防止できるような極微量で金属処理
されていることを特徴とする請求項1に記載された多層
配線基板。
15. The method according to claim 15, wherein Ni, Zn, C
At least one kind of metal of r is metal-treated in a trace amount capable of electrically connecting to a conductor connected to the wiring layer and preventing oxidation of the surface of the wiring layer. 2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein:
【請求項16】 前記絶縁樹脂層の層間を接続する手段
に導電性ペーストを用いることを特徴とする請求項1に
記載された多層配線基板。
16. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a conductive paste is used as a means for connecting the insulating resin layers.
【請求項17】 前記絶縁樹脂層と前記誘電体樹脂層と
の熱膨張率差が小さいことを特徴とする請求項1に記載
された多層配線基板。
17. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a difference in thermal expansion coefficient between the insulating resin layer and the dielectric resin layer is small.
【請求項18】 誘電体樹脂層の両面に導体層を形成す
る工程と、 前記誘電体樹脂層の両面に形成された導体層の一方に所
望のパターンを形成し、対向電極の一方を形成する工程
と、 所望のパターンで形成された導体層に絶縁樹脂層を設け
る工程と、 絶縁樹脂層側から導体層が露出するまで貫通するビアホ
ールを形成する工程と、 前記ビアホールに導電材料を設ける工程と、 前記ビアホールを封鎖するようにパターン形成された導
体層を絶縁樹脂層に設け、前記絶縁樹脂層を硬化する工
程と、 前記誘電体樹脂層の両面に形成された導体層の他方に所
望のパターンを形成し、前記対向電極の他方を形成する
工程と、 を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
18. A step of forming conductor layers on both sides of a dielectric resin layer, forming a desired pattern on one of the conductor layers formed on both sides of the dielectric resin layer, and forming one of the counter electrodes. A step of providing an insulating resin layer on a conductor layer formed in a desired pattern; a step of forming a via hole penetrating from the insulating resin layer side until the conductor layer is exposed; and a step of providing a conductive material in the via hole. Providing a conductor layer patterned and formed on the insulating resin layer so as to block the via hole, and curing the insulating resin layer; and forming a desired pattern on the other of the conductor layers formed on both surfaces of the dielectric resin layer. Forming the other of the opposed electrodes, and the method of manufacturing a multilayer wiring board.
【請求項19】 前記誘電体樹脂層の両面に導体層を形
成する工程は、該誘電体樹脂層の層間を導通するための
ビアホールを形成する工程を含むことを特徴とする請求
項17に記載された多層配線基板の製造方法。
19. The method according to claim 17, wherein the step of forming a conductor layer on both surfaces of the dielectric resin layer includes a step of forming a via hole for conducting between layers of the dielectric resin layer. Of manufacturing a multi-layer wiring board.
【請求項20】 前記絶縁樹脂層を設ける工程は、絶縁
樹脂層を導体層にラミネートにより仮接着する工程を含
むことを特徴とする請求項17に記載された多層配線基
板の製造方法。
20. The method according to claim 17, wherein the step of providing the insulating resin layer includes a step of temporarily bonding the insulating resin layer to the conductor layer by lamination.
【請求項21】 前記絶縁樹脂層を硬化する工程は、所
望のパターンで形成された導体層と、ビアホールが形成
された絶縁樹脂層と、該ビアホールを封鎖する導体層と
を真空熱プレスにより接着する工程と、該真空熱プレス
によりビアホール内に充填された導電材料を硬化させる
工程とを含むことを特徴とする請求項17に記載された
多層配線基板の製造方法。
21. The step of curing the insulating resin layer includes bonding a conductive layer formed in a desired pattern, an insulating resin layer formed with a via hole, and a conductive layer closing the via hole by a vacuum hot press. 18. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 17, further comprising: performing a step of curing the conductive material filled in the via hole by the vacuum hot pressing.
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