JP2002373862A - Ceramic heater - Google Patents
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Landscapes
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- Resistance Heating (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、シリコンウエハ等に化学蒸着（ＣＶＤ Ch
emical vaper diposition ）、プラズマエッチング、ス
パッタリング等を施す際にウエハを加熱しながら保持す
るのに好適なセラミックヒータに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and, more particularly, to a chemical vapor deposition (CVD Ch.
The present invention relates to a ceramic heater suitable for holding a wafer while heating it when performing an emical vaper diposition), plasma etching, sputtering or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体製造装置では、ウエハ
を保持するのにクーロン力あるいはジョンソンラーベッ
ク効果（Johnson Rahbeck effect ）を用いた静電吸着
手段が多く用いられる。この静電吸着手段には、単にウ
エハを保持する機能のみならず、過酷な環境下でウエハ
の温度を均一に保持するという機能、チャンバー内を汚
染（コンタミネーション）しない機能、過酷な雰囲気下
での使用に耐える機能も求められる。この種のウエハ保
持装置、加熱装置として特許第２５２１４７１号公報、
特開２０００−３４８８５３号公報、特公平７−５０７
３６号公報等が開示されている。2. Description of the Related Art In semiconductor manufacturing apparatuses such as LSIs, electrostatic chucking means using Coulomb force or Johnson Rahbeck effect is often used to hold a wafer. This electrostatic suction means not only has a function of simply holding the wafer, but also has a function of maintaining the temperature of the wafer uniformly in a harsh environment, a function of not contaminating the inside of a chamber, and a function under a severe atmosphere. A function that can withstand use is also required. Japanese Patent No. 252471 discloses this kind of wafer holding device and heating device,
JP-A-2000-348853, JP-B-7-507
No. 36 is disclosed.
【０００３】上記第１の特許公報では、金属ベース板１
と焼結セラミック板６との間に弾性絶縁体３を介在させ
てその弾性変形により、焼結セラミック板６に掛かる熱
応力を緩和しようとしたものである（公報の第１図参
照）。In the first patent publication, the metal base plate 1
An elastic insulator 3 is interposed between the sintered ceramic plate 6 and the sintered ceramic plate 6 to relieve the thermal stress applied to the sintered ceramic plate 6 by the elastic deformation thereof (see FIG. 1 of the publication).
【０００４】上記第２の公開公報では、窒化アルミニウ
ムからなる基体２と同じく窒化アルミニウムからなる被
覆板３との間に、添加剤を含まない炭化珪素からなるヒ
ータエレメント８を介在させたものが開示されている
（公報の図１参照）。同じような熱膨張係数を有する材
料を組み合わせることにより熱衝撃を緩和し、耐久性を
向上させると共に耐汚染性を向上させようとしたもので
ある。[0004] In the second publication, a heater element 8 made of silicon carbide containing no additive is interposed between a base 2 made of aluminum nitride and a cover plate 3 made of aluminum nitride. (See FIG. 1 of the official gazette). By combining materials having similar coefficients of thermal expansion, thermal shock is reduced, durability is improved, and contamination resistance is improved.
【０００５】上記第３の公告公報では、被加工物である
ウエハと熱膨張率の近似した窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、サイロン等からなる基体２Ａと誘電体層４Ａとを主
な要素とし、基体２Ａと誘電体層４Ａとの間に静電チャ
ッカーの機能を果たす膜状電極５Ａを配置し、基体２Ａ
内にタングステン線からなる抵抗発熱体３を埋設したも
のが開示されている（公報の図３参照）。基体２Ａおよ
び誘電体層４Ａが上記のようなセラミックスからなって
いるので高温に耐え、５００°Ｃにも達する熱ＣＶＤ装
置にも使用できるようにしたものである。また、誘電体
層４Ａの表面を研磨加工し平面度を上げることによりウ
エハを吸着したときの密着性を高め、ウエハ全面に亘っ
ての均一な加熱を可能としたものである。In the third publication, the substrate 2A made of silicon nitride, aluminum nitride, sylon, or the like having a coefficient of thermal expansion similar to that of the wafer to be processed and the dielectric layer 4A are used as main elements. A film electrode 5A that functions as an electrostatic chucker is disposed between the substrate 2A and the dielectric layer 4A.
A structure in which a resistance heating element 3 made of a tungsten wire is embedded therein is disclosed (see FIG. 3 of the official gazette). Since the base 2A and the dielectric layer 4A are made of the above-mentioned ceramics, they can withstand high temperatures and can be used in a thermal CVD apparatus that reaches 500 ° C. In addition, the surface of the dielectric layer 4A is polished to increase the flatness, thereby increasing the adhesion when the wafer is sucked, and enabling uniform heating over the entire surface of the wafer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の特許公報に記載のものは、温度の変化に応じてシリ
コンゴムからなる弾性絶縁体膜３が伸縮するため、弾性
絶縁体膜３の寿命が問題になり耐久性に乏しいという問
題点がある。また、金属ベース板１からウエハ１１まで
に介在する板６、５、７，３の厚さが薄いことから高温
には耐えられないものと推定される。However, since the elastic insulator film 3 made of silicon rubber expands and contracts in accordance with a change in temperature, the elastic insulator film 3 described in the first patent publication has a long life. However, there is a problem that durability is poor. Further, since the thicknesses of the plates 6, 5, 7, and 3 interposed from the metal base plate 1 to the wafer 11 are thin, it is presumed that they cannot withstand high temperatures.
【０００７】また、上記第２の公開公報に記載のもの
は、製品としては優れた機能を発揮するものの、窒化ア
ルミニウムからなる基体１、被覆板３、炭化珪素からな
るヒータエレメント８といった複雑な形状をなすものを
ホットプレス法により製作しなければならない。このた
め、コスト高になるという問題点がある。[0007] The product disclosed in the above-mentioned second publication has excellent functions as a product, but has complicated shapes such as a substrate 1 made of aluminum nitride, a cover plate 3 and a heater element 8 made of silicon carbide. Must be manufactured by the hot press method. Therefore, there is a problem that the cost is increased.
【０００８】さらに、上記第３の公告公報に記載のもの
は、フランジ部４ｂを設けたことから製品としてはさら
に優れた機能を発揮するものの、タングステンからなる
螺旋状の抵抗発熱体３を埋設した窒化珪素からなる基体
２Ａ、セラミックス誘電体層４Ａ等をホットプレス法に
より製作しなければならない。このため、コスト高にな
るという問題点がある。[0008] Further, although the product disclosed in the third publication has a flange portion 4b and thus exhibits more excellent functions as a product, the spiral resistance heating element 3 made of tungsten is embedded. The base 2A made of silicon nitride, the ceramic dielectric layer 4A, and the like must be manufactured by a hot press method. Therefore, there is a problem that the cost is increased.
【０００９】半導体製造装置、なかでもＣＶＤ装置に用
いられるセラミックヒータにはウエハを均一に加熱する
機能が要求される。そのため、セラミックヒータの加熱
面の面内温度分布が±５％以下（できれば±１％以下）
になるよう抑える必要がある。面内温度分布を小さく抑
えるための一つの方法は、セラミックヒータ全体の厚さ
を厚くして熱容量を大きくし、面内温度分布を均一化す
ることである。上記第２及び第３の公報に記載のものは
基体１，２Ａの厚さを１５ｍｍ以上に設定している。A ceramic heater used in a semiconductor manufacturing apparatus, especially a CVD apparatus, is required to have a function of uniformly heating a wafer. Therefore, the in-plane temperature distribution of the heating surface of the ceramic heater is ± 5% or less (preferably ± 1% or less).
Need to be suppressed. One method for keeping the in-plane temperature distribution small is to increase the thickness of the entire ceramic heater to increase the heat capacity and make the in-plane temperature distribution uniform. In the second and third publications, the thickness of the bases 1 and 2A is set to 15 mm or more.
【００１０】このように厚いセラミック製品を製造する
にはホットプレス法、熱間静水圧プレス法が用いられ
る。この方法は均一な圧力を加えながら焼成する方法で
あるので製造装置が大がかりになり、コストアップの大
きな要因になる。また。ホットプレス法ではスクリーン
印刷法による導電部の形成ができないので、セラミック
ヒータ体に内蔵される抵抗発熱体や膜状静電吸着パター
ンのパターンが複雑であると極端にコストアップする。
一方、スクリーン印刷が導入可能なシート積層法では５
ｍｍ以下の厚さのものしか製造できない。In order to produce such a thick ceramic product, a hot pressing method or a hot isostatic pressing method is used. Since this method is a method in which firing is performed while applying a uniform pressure, the manufacturing apparatus becomes large-sized, and this is a major factor in cost increase. Also. In the hot press method, since the conductive portion cannot be formed by the screen printing method, the cost is extremely increased if the pattern of the resistance heating element or the film-like electrostatic attraction pattern built in the ceramic heater is complicated.
On the other hand, in the sheet lamination method in which screen printing can be introduced, 5
Only those having a thickness of less than mm can be manufactured.
【００１１】また、安価に形成できるスクリーン印刷に
よるヒータパターンは、印刷されるセラミックグリーン
シートの面積の１／３程度の面積しか形成できない。こ
れ以上の面積に印刷によりヒータパターンを形成しよう
とすると、ヒーターパターンの厚さが均一にならない
等、種々の技術的な困難が生じてくる。このため、従来
の印刷によるヒータパターンでは、ウエハを加熱する加
熱面の高々１／３程度の面積にしかヒータパターンを配
置することができなかった。このため、加熱面の温度分
布を均一にするのが難しいという問題点があった。A heater pattern formed by screen printing, which can be formed at low cost, can form only about one third of the area of the ceramic green sheet to be printed. If a heater pattern is to be formed by printing over an area larger than this, various technical difficulties arise, such as the thickness of the heater pattern not being uniform. For this reason, in the heater pattern by the conventional printing, the heater pattern can be arranged only in an area at most about 1/3 of the heating surface for heating the wafer. For this reason, there is a problem that it is difficult to make the temperature distribution on the heating surface uniform.
【００１２】また、ＣＶＤ装置に用いられるセラミック
ヒータは半導体製造装置の寿命の間使い続けられるもの
ではなく、その過酷な雰囲気条件から数ヶ月毎に新品と
交換しなければならない消耗品である。このため、この
種のセラミックヒータにはコストダウンが特に求められ
ている。Further, the ceramic heater used in the CVD apparatus cannot be used continuously for the life of the semiconductor manufacturing apparatus, and is a consumable that must be replaced with a new one every few months due to the severe atmospheric conditions. For this reason, cost reduction is particularly required for this type of ceramic heater.
【００１３】そこで、本発明は、ウエハを保持すると共
にウエハを均一に加熱することのできる安価なセラミッ
クヒータを提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide an inexpensive ceramic heater capable of holding a wafer and uniformly heating the wafer.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの手段について、例示として図３を参照し説明する。
本発明のうち請求項１記載の発明は、アルミナ、ムライ
ト、マグネシア、窒化アルミニウム、窒化珪素等からな
るセラミックヒータ体２０と、前記セラミックヒータ体
２０の内部に埋設された抵抗発熱体２２，２４，２６と
を備え、前記セラミックヒータ体２０の一方の面に被加
工物たるウエハを吸着可能な吸着面１８が形成されてい
ること、を特徴とするセラミックヒータにおいて、前記
セラミックヒータ体２０が複数層のセラミックスのグリ
ーンシート２１，２３，２５を積層して構成された部分
を有し、前記抵抗発熱体が前記グリーンシート上にスク
リーン印刷法により形成されメタライズされたヒータパ
ターン２２，２４，２６であり、前記ヒータパターン及
びグリーンシートからなるヒータ層２１，２３，２５が
複数層あること、を特徴とする。Means for achieving the above object will be described by way of example with reference to FIG.
The invention according to claim 1 of the present invention provides a ceramic heater body 20 made of alumina, mullite, magnesia, aluminum nitride, silicon nitride, or the like, and resistance heating elements 22, 24, embedded in the ceramic heater body 20. 26, and a suction surface 18 capable of suctioning a wafer to be processed is formed on one surface of the ceramic heater body 20, wherein the ceramic heater body 20 has a plurality of layers. The heater patterns 22, 24, and 26 are formed by laminating ceramic green sheets 21, 23, and 25, and the resistance heating elements are formed on the green sheets by screen printing and metallized. A plurality of heater layers 21, 23, 25 comprising the heater pattern and the green sheet; And it features.
【００１５】１枚のグリーンシート上にスクリーン印刷
法で形成できるヒートパターンの面積は技術上の問題か
ら１／３以下に限られる。しかし、このようにヒータ層
２１，２３，２５を複数層形成すると、吸着面１８直下
のより多くの面積にヒータパターン２２，２４，２６を
形成することができ吸着面１８の温度をより均一化する
ことができる。The area of a heat pattern that can be formed on a single green sheet by a screen printing method is limited to 1/3 or less due to technical problems. However, when a plurality of heater layers 21, 23, and 25 are formed in this manner, the heater patterns 22, 24, and 26 can be formed in a larger area immediately below the suction surface 18, and the temperature of the suction surface 18 can be made more uniform. can do.
【００１６】ここで、請求項２記載の発明のように、前
記複数層のヒータ層２１，２３，２５のヒータパターン
２２，２４，２５が、電気的に並列に接続されているこ
とを特徴とすることができる。一般にメタライズにより
形成されたヒータパターンは正の温度抵抗係数を有す
る。これを電気的に直列に接続したとすると、一部のヒ
ータパターンの温度が上昇すると温度の上昇に比例して
抵抗値Ｒが上昇し、発熱量はＩ2Ｒに比例するからさら
にその部分の発熱量が上昇して、一部のヒーターパター
ンのみが過熱して吸着面１８の温度分布が大きくなる。
上記のように形成すると、一部のヒータパターンの温度
が上昇するとそのヒーターパターンの抵抗値Ｒが上昇し
流れる電流が減少するから発熱量が減少し、各ヒーター
パターン２２，２４，２６の温度が平準化する。このた
め、吸着面１８の温度分布を小さくすることができると
いう効果を奏する。Here, the heater patterns 22, 24, 25 of the plurality of heater layers 21, 23, 25 are electrically connected in parallel. can do. Generally, a heater pattern formed by metallization has a positive temperature coefficient of resistance. If these are electrically connected in series, if the temperature of some heater patterns rises, the resistance value R rises in proportion to the rise in temperature, and the amount of heat generated is proportional to I 2 R. The amount of heat generated rises, and only some of the heater patterns are overheated, and the temperature distribution on the adsorption surface 18 increases.
When formed as described above, when the temperature of some heater patterns rises, the resistance value R of the heater patterns rises and the flowing current decreases, so that the calorific value decreases, and the temperature of each heater pattern 22, 24, 26 decreases. Level. Therefore, there is an effect that the temperature distribution of the suction surface 18 can be reduced.
【００１７】ここで、請求項３記載の発明のように、前
記複数層のヒータ層２１、２３、２５のヒータパターン
２２．２４，２６が、前記吸着面１８の上方から見て重
ならないように配置されていることを特徴とすることが
できる。このように形成すると、吸着面１８の温度分布
をより小さくできる。Here, the heater patterns 22.24, 26 of the plurality of heater layers 21, 23, 25 do not overlap when viewed from above the suction surface 18, as in the third aspect of the present invention. It can be characterized by being arranged. With this configuration, the temperature distribution on the suction surface 18 can be further reduced.
【００１８】ここで、請求項４記載の発明のように、前
記重ならないように配置されたヒータパターン２２，２
４，２６の全面積が、前記吸着面１８の面積の２／３以
上であることを特徴とすることができる。このように形
成すると、吸着面１８直下の多くの面積がヒーターパタ
ーン２２、２４、２６で覆われることになり、吸着面の
温度分布を小さくできる。Here, as in the invention according to claim 4, the heater patterns 22 and 2 arranged so as not to overlap each other.
4, 26, the total area is at least 2/3 of the area of the suction surface 18. When formed in this manner, a large area immediately below the suction surface 18 is covered with the heater patterns 22, 24, and 26, and the temperature distribution on the suction surface can be reduced.
【００１９】ここで、請求項５記載の発明のように、前
記重ならないように配置されたヒータパターン２２，２
４，２６の全面積が、前記吸着面１８の全面積と略等し
いことを特徴とすることができる。このように形成する
と、吸着面１８の直下に必ず発熱体であるヒーターパタ
ーン２２，２４，２６が存在することになり、吸着面１
８の温度分布をより小さくできる。Here, the heater patterns 22 and 2 are arranged so as not to overlap with each other.
The total area of the suction surfaces 18 may be substantially equal to the entire area of the suction surface 18. When formed in this manner, the heater patterns 22, 24, and 26, which are heating elements, always exist immediately below the suction surface 18, and the suction surface 1
8 can be made smaller.
【００２０】ここで、請求項６記載の発明のように、前
記セラミックヒータ体（２０）の内部で前記吸着面１８
の近傍に、電圧を印加可能な膜状静電吸着パターン１６
Ｐ、１６Ｎが形成されていることを特徴とすることがで
きる。このように形成すると、膜状静電吸着パターン１
６Ｐ、１６Ｎに高電圧を印加することにより、吸着面１
８上に載置したウエハをクーロン力あるいはジョンソン
ラーベック効果による吸引力によりセラミックヒータ２
０に強く吸着することができる。Here, the suction surface 18 is provided inside the ceramic heater body (20).
, A film-like electrostatic attraction pattern 16 to which a voltage can be applied.
P and 16N are formed. When formed in this manner, the film-like electrostatic attraction pattern 1
By applying a high voltage to 6P and 16N, the suction surface 1
The ceramic heater 2 is moved by the Coulomb force or the suction force due to the Johnson-Rahbek effect,
0 can be strongly adsorbed.
【００２１】ここで、請求項７記載の発明のように、前
記グリーンシート２１，２３，２５がアルミナにより構
成されていることを特徴とすることができる。このよう
に形成すると、比較的安価にセラミックヒータを提供す
ることができる。また、耐熱性はアルミナで十分であ
る。Here, the invention is characterized in that the green sheets 21, 23, 25 are made of alumina. With such a configuration, a ceramic heater can be provided at relatively low cost. Alumina is sufficient for heat resistance.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態につい
て図面を参照し説明する。図１は第１の実施の形態に係
るセラミックヒータ１０の製造工程を説明する分解斜視
図である。セラミックヒータ１０は主な要素として、図
面下から、セラミック基体１１、第１のグリーンシート
１３、第２のグリーンシート１５、セラミック吸着面体
１７からなる。各部材１１，１３，１５，１７は円板形
状をなし、その直径は、たとえば８インチのウエハを載
置するものでは２０５ｍｍ程度である。板厚は全体で２
０ｍｍ程度の板厚になるように選択される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a manufacturing process of the ceramic heater 10 according to the first embodiment. The ceramic heater 10 is mainly composed of a ceramic base 11, a first green sheet 13, a second green sheet 15, and a ceramic adsorption face 17 from the bottom of the drawing. Each of the members 11, 13, 15, and 17 has a disk shape, and has a diameter of, for example, about 205 mm for mounting an 8-inch wafer. Plate thickness is 2 in total
The thickness is selected to be about 0 mm.
【００２３】セラミック基体１１は高純度のセラミック
粉末をプレス成形して作る。たとえば、９９．９％以上
の高純度のアルミナ粉末をプレス加工して形成する。こ
のとき、端子用に４つのスルーホール１１Ａ，１１Ｂ，
１１Ｃ，１１Ｄを形成しておく。セラミック吸着面体１
７も同様に高純度のアルミナ粉末をプレス加工して形成
する。プレス加工するときの圧力はプレス品１１，１７
の割掛け率がグリーンシート１３，１５のそれと一致す
るように調整する。The ceramic substrate 11 is made by press-molding high-purity ceramic powder. For example, it is formed by pressing a 99.9% or higher-purity alumina powder. At this time, four through holes 11A, 11B,
11C and 11D are formed in advance. Ceramic adsorption face body 1
7 is also formed by pressing high-purity alumina powder. The pressure at the time of press working is as follows:
Of the green sheets 13 and 15 are adjusted.
【００２４】グリーンシート１３，１５は次のようにし
て作る。まず、アルミナ粉末に、酸化マグネシウムＭｇ
Ｏを１ｗｔ％（重量比、以下同じ）、酸化珪素（シリ
カ）ＳｉＯ4 を４ｗｔ％、を混合してボールミルで５０
〜８０時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。この粉末
に、メタクリル酸イソブチルエステルを３ｗｔ％、ブチ
ルエステルを３ｗｔ％、ニトロセルロースを１ｗｔ％、
ジオクチルフタレートを０．５ｗｔ％加え、さらに、溶
剤として、トリクロールエチレン、ｎ−ブタノールを加
えてボールミルで混合し流動性のあるスラリーとする。
（以下、このスラリーをアルミナスラリーと呼ぶ）。こ
のアルミナスラリーを減圧脱泡後、平板状に流し出して
徐冷し、溶剤を発散させて厚さ０．８ｍｍのアルミナグ
リーンシートを形成する。アルミナグリーンシートには
絶縁抵抗を下げる目的で、モリブデンＭｏ、チタンＴｉ
等の金属粉末を添加することがある。The green sheets 13 and 15 are produced as follows. First, magnesium oxide Mg was added to alumina powder.
O was mixed with 1 wt% (weight ratio, the same applies hereinafter) and 4 wt% of silicon oxide (silica) SiO 4 , and mixed with a ball mill.
After wet grinding for ~ 80 hours, dehydrate and dry. 3 wt% of isobutyl methacrylate, 3 wt% of butyl ester, 1 wt% of nitrocellulose,
Dioctyl phthalate is added in an amount of 0.5 wt%, and trichlorethylene and n-butanol are further added as a solvent and mixed with a ball mill to form a fluid slurry.
(Hereinafter, this slurry is referred to as alumina slurry). After deaeration of the alumina slurry under reduced pressure, the alumina slurry is poured into a flat plate and cooled slowly, and the solvent is dispersed to form an alumina green sheet having a thickness of 0.8 mm. Molybdenum Mo, titanium Ti
Etc. may be added.
【００２５】グリーンシート上に印刷するメタライズイ
ンクは、上記アルミナスラリーを作るのと同様の方法に
より、タングステン（Ｗ）粉末を混ぜてスラリー状とし
メタライズインクとする。厚さ０．８ｍｍの第１のグリ
ーンシート１３の上に通常のスクリーン印刷法を用いて
渦巻き形状をしたヒータパターン（抵抗発熱体）１４を
形成する。その上に厚さ０．８ｍｍの第２のグリーンシ
ート１５を載置する。第２のグリーンシート１５の上に
通常のスクリーン印刷法を用いて２つの膜状静電吸着パ
ターン１６Ｐ，１６Ｎを形成する。さらに、その上に図
示しない厚さ０．８ｍｍの第３のグリーンシートを載
せ、熱圧着して一枚のシートとする。このとき、各スル
ーホール１３Ａ，１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１５Ｃ、１
５Ｄにメタライズインクを充填しておく。熱圧着したシ
ートはマシニング等の機械加工により直径２０５ｍｍの
円板形状にする。The metallized ink to be printed on the green sheet is formed into a slurry by mixing tungsten (W) powder in the same manner as in the preparation of the alumina slurry. A spiral heater pattern (resistance heating element) 14 is formed on the first green sheet 13 having a thickness of 0.8 mm by using a normal screen printing method. A second green sheet 15 having a thickness of 0.8 mm is placed thereon. Two film-like electrostatic attraction patterns 16P and 16N are formed on the second green sheet 15 using a normal screen printing method. Further, a third green sheet (not shown) having a thickness of 0.8 mm is placed thereon and thermocompression-bonded to form one sheet. At this time, each of the through holes 13A, 13B, 13C, 13D, 15C, 1
5D is filled with metallized ink. The thermocompression-bonded sheet is formed into a disk shape having a diameter of 205 mm by machining such as machining.
【００２６】この熱圧着した薄いシート１３，１５をセ
ラミック基体１１およびセラミック吸着面体１７で挟み
接着して一体にする。すなわち、セラミック基体１１の
上面に前記アルミナスラリーを塗布しペースト面１２を
作り、熱圧着したシート１３，１５を接着する。シート
１３，１５の上面にもアルミナスラリーを塗布し、セラ
ミック吸着面体１７を接着する。また、各スルーホール
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ、１１Ｄにメタライスズインク
を充填しておく。次に、この接合したものを、水素ガス
等の還元雰囲気にて１４００〜１６００°Ｃにて一体焼
成する。そして、焼成したもののセラミック吸着面体１
７の表面を、研磨し平面度が３０ミクロン以下（好まし
くは１０ミクロン以下）の平面となるようにしてウエハ
の吸着面１８とする。The thermocompression-bonded thin sheets 13 and 15 are sandwiched and adhered between the ceramic substrate 11 and the ceramic adsorbing face member 17 to be integrated. That is, the alumina slurry is applied to the upper surface of the ceramic base 11 to form a paste surface 12, and the thermocompression bonded sheets 13 and 15 are bonded. Alumina slurry is also applied to the upper surfaces of the sheets 13 and 15, and the ceramic adsorption surface body 17 is bonded. In addition, each through hole 11A, 11B, 11C, 11D is filled with metal tin ink. Next, the joined body is integrally fired at 1400 to 1600 ° C. in a reducing atmosphere such as hydrogen gas. Then, the fired ceramic adsorption surface body 1
The surface of the wafer 7 is polished to a flat surface having a flatness of 30 μm or less (preferably 10 μm or less) to form the suction surface 18 of the wafer.
【００２７】図２はこのようにして形成されたセラミッ
クヒータ１０を下から見た斜視図である。スルーホール
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄに充填されたメタライ
ズインクが焼成してできた端子部分にニッケルメッキを
施し、さらにニッケルピンをロウ付けして端子１１
Ａ′，１１Ｂ′，１１Ｃ′，１１Ｄ′とする。端子１１
Ａ′，１１Ｂ′は、それぞれスルーホール１１Ａ、１３
Ａ及びスルーホール１１Ｂ、１３Ｂを経由してヒータパ
ターン１４の外側端及び中心端に接続される。端子１１
Ｃ′、１１Ｄ′は、それぞれスルーホール１１Ｃ、１３
Ｃ及びスルーホール１１Ｄ、１３Ｄを経由して膜状静電
吸着パターン１６Ｐまたは１６Ｎにそれぞれ電気的に接
続される。FIG. 2 is a perspective view of the ceramic heater 10 formed in this manner as viewed from below. The terminal portions formed by firing the metallized ink filled in the through holes 11A, 11B, 11C, and 11D are plated with nickel, and furthermore, nickel pins are brazed and the terminals 11 are formed.
A ', 11B', 11C ', and 11D'. Terminal 11
A 'and 11B' are through holes 11A and 13A, respectively.
A and the heater pattern 14 are connected to the outer end and the center end via the through holes 11B and 13B. Terminal 11
C 'and 11D' are through holes 11C and 13 respectively.
It is electrically connected to the film-like electrostatic attraction pattern 16P or 16N via C and through holes 11D and 13D, respectively.
【００２８】このようにして形成されたセラミックヒー
タ１０の本体部分を占めるセラミック本体は、アルミナ
の組成が９９．９％を占める純度の高い層（セラミック
基体１１、セラミック吸着面体１７）と、アルミナの組
成が９２％程度の純度の比較的低い層（第１，第２のグ
リーンシート１３、１５、第３のグリーンシート）との
多層構造をなす。純度の低い層の厚さは２．４ｍｍ程度
であり、純度の高い層の厚さは合わせて１５ｍｍを超え
る。The ceramic body occupying the main body of the ceramic heater 10 formed in this manner has a high-purity layer (ceramic base 11, ceramic adsorbing face 17) having an alumina composition of 99.9%, and an alumina composition. It has a multilayer structure with relatively low-purity layers (the first and second green sheets 13 and 15 and the third green sheet) having a composition of about 92%. The thickness of the low-purity layer is about 2.4 mm, and the total thickness of the high-purity layer exceeds 15 mm.
【００２９】以上の構成に基づき、作動について説明す
る。端子１１Ａ′、１１Ｂ′に電圧を印加すると渦巻き
形状のヒータパターン１４に電流が流れ、セラミックヒ
ータ１０のセラミックヒータ体が加熱され、たとえば吸
着面１８が５００°Ｃに加熱される。また、端子１１
Ｃ′、１１Ｄ′に高電圧を、たとえば、端子１１Ｃ′に
は＋１ｋＶを、端子１１Ｄ′には−１ｋＶを印加するこ
とにより、端子１１Ｃ′の電圧はスルーホール１３Ｃ、
１５Ｃを経由して膜状静電吸着パターン１６Ｐに＋１ｋ
Ｖが印加され、端子１１Ｄ′の電圧はスルーホール１３
Ｄ、１５Ｄを経由して膜状静電吸着パターン１６Ｎに−
１ｋＶが印加される。被加工物であるシリコンウエハは
セラミックヒータ１０の吸着面１８の上に載置され吸着
される。このとき、吸着面１８の近傍にある膜状静電吸
着パターン１６Ｐ、１６Ｎに高電圧が印加されるから誘
電体であるシリコンウエハにも電荷が誘起され、クーロ
ン力によりシリコンウエハは吸着面１８に吸引される。The operation based on the above configuration will be described. When a voltage is applied to the terminals 11A 'and 11B', a current flows through the spiral heater pattern 14, and the ceramic heater of the ceramic heater 10 is heated, for example, the suction surface 18 is heated to 500 ° C. Also, terminal 11
By applying a high voltage to C 'and 11D', for example, +1 kV to terminal 11C 'and -1 kV to terminal 11D', the voltage at terminal 11C 'is reduced to through-hole 13C,
+ 1k on the film-like electrostatic attraction pattern 16P via 15C
V is applied, and the voltage at the terminal 11D 'is
To the film-like electrostatic attraction pattern 16N via D and 15D-
1 kV is applied. The silicon wafer to be processed is placed on the suction surface 18 of the ceramic heater 10 and sucked. At this time, since a high voltage is applied to the film-like electrostatic attraction patterns 16P and 16N near the attraction surface 18, electric charges are induced on the silicon wafer as a dielectric, and the silicon wafer is brought to the attraction surface 18 by Coulomb force. It is sucked.
【００３０】本実施の形態の利点について説明する。セ
ラミックヒータ体（１０）の厚さが１５ｍｍ以上と厚い
ので吸着面１８の温度分布が均一化し、ウエハを吸着す
る吸着面１８の面内温度分布を小さく抑えることができ
る。また、セラミック純度の高い層１１，１７がセラミ
ックヒータ１０の表面積の大部分を占めるから、セラミ
ックヒータ１０からのコンタミネーションを小さく抑え
ることができる。さらに、吸着面１８を構成する層であ
るセラミック吸着面体１７の純度が高いので、吸着面１
８に接触するシリコンウエハがシリカ等の付着により汚
損されることが無く、コンタミネーションに強い。さら
に、セラミックヒータ体（１０）を構成する各層１１，
１３，１５，１７がアルミナで構成されているから、十
分耐熱性のあるセラミックヒータ１０を安価に提供する
ことができる。The advantages of this embodiment will be described. Since the thickness of the ceramic heater body (10) is as thick as 15 mm or more, the temperature distribution on the suction surface 18 is made uniform, and the in-plane temperature distribution of the suction surface 18 for sucking the wafer can be suppressed to a small value. Further, since the layers 11 and 17 having high ceramic purity occupy most of the surface area of the ceramic heater 10, contamination from the ceramic heater 10 can be suppressed to a small value. Further, since the purity of the ceramic suction surface body 17 which is a layer constituting the suction surface 18 is high, the suction surface 1
The silicon wafer contacting No. 8 is not contaminated by the adhesion of silica or the like, and is resistant to contamination. Furthermore, each of the layers 11, which constitute the ceramic heater body (10),
Since the members 13, 15, 17 are made of alumina, the ceramic heater 10 having sufficient heat resistance can be provided at low cost.
【００３１】本実施の形態では、膜状静電吸着パターン
１６Ｐ，１６Ｎの正極１６Ｐと負極１６Ｎとの面積が同
じ程度になるようにしたが、正極の膜状静電吸着パター
ン１６Ｐと負極の膜状静電吸着パターン１６Ｎの面積を
大きく異ならせるようにしても良い。この様にすると、
実験的にではあるが、シリコンウエハの吸着力をより強
くすることができた。In this embodiment, the positive electrode 16P and the negative electrode 16N of the film-like electrostatic attraction patterns 16P and 16N have the same area, but the positive film-like electrostatic attraction pattern 16P and the negative electrode film The area of the electrostatic attracting pattern 16N may be made to differ greatly. In this case,
Although experimentally, the suction force of the silicon wafer could be increased.
【００３２】本実施の形態ではセラミックとしてアルミ
ナを用いたが、この他の種々のセラミック、たとえば、
マグネシア、ムライト等を用いてもよい。Although alumina is used as the ceramic in the present embodiment, other various ceramics, for example,
Magnesia, mullite or the like may be used.
【００３３】図３は第２の実施の形態に係るセラミック
ヒータ２０の製造工程を説明する分解斜視図である。図
１で説明したセラミックヒータ１０と異なるのは、抵抗
発熱体となるヒータパターンが一層ではなく三層に形成
されている点である。図１と同じ部材には同じ符号を付
して理解を容易にした。セラミックヒータ２０は主な要
素として、図面下から、セラミック基体１１、第１のヒ
ータパターン２２用の第１のグリーンシート２１、第２
のヒータパターン２４用の第２のグリーンシート２３，
第３のヒータパターン２６用の第３のグリーンシート２
５、吸着パターン１６Ｐ、１６Ｎ用の第４のグリーンシ
ート１５、セラミック吸着面体１７からなる。FIG. 3 is an exploded perspective view for explaining a manufacturing process of the ceramic heater 20 according to the second embodiment. The difference from the ceramic heater 10 described with reference to FIG. 1 is that a heater pattern serving as a resistance heating element is formed not in one layer but in three layers. 1 are given the same reference numerals to facilitate understanding. The ceramic heater 20 includes a ceramic base 11, a first green sheet 21 for a first heater pattern 22, and a second
Second green sheet 23 for the heater pattern 24,
Third green sheet 2 for third heater pattern 26
5, a fourth green sheet 15 for the suction patterns 16P and 16N, and a ceramic suction face 17;
【００３４】セラミック基体１１とセラミック吸着面体
１７は高純度のアルミナ粉末をプレス成形して作ること
は段落番号〔００２３〕で説明したのと同じである。第
１乃至第４のグリーンシート２１，２３，２５，１５を
作る方法は段落番号〔００２４〕で述べたのと同じであ
る。グリーンシート２１，２３，２５，１５上にそれぞ
れヒータパターン２２，２３，２５や膜状静電吸着パタ
ーン１６Ｐ、１６Ｎを形成し熱圧着することや、熱圧着
したシートをセラミック基体１１とセラミック吸着面体
１７で挟みアルミナスラリーで接着して一体に焼成する
ことは段落番号〔００２５〕、〔００２６〕に記載した
内容と同じである。The ceramic base 11 and the ceramic adsorption face 17 are formed by press-molding high-purity alumina powder in the same manner as described in the paragraph [0023]. The method of forming the first to fourth green sheets 21, 23, 25, and 15 is the same as that described in paragraph [0024]. Heater patterns 22, 23, 25 and film-like electrostatic attraction patterns 16P, 16N are formed on the green sheets 21, 23, 25, and 15, respectively, and thermocompression-bonded. Bonding at 17 and bonding with an alumina slurry and firing integrally are the same as described in paragraphs [0025] and [0026].
【００３５】第１，第２，第３のグリーンシート２１，
２３，２５上にはそれぞれ異なった形状のヒータパター
ン２２，２４，２６がタングステン（Ｗ）メタライズイ
ンクによるスクリーン印刷法により形成される。各ヒー
タパターン２２，２４，２６は異なった模様を描くもの
の、グリーンシートの外側端にあるスルーホール２１
Ａ、２３Ａ，２５Ａから始まって中心にあるスルーホー
ル２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂに至る一筆書きのパターンを
形成している。外側端にあるスルーホール２１Ａ、２３
Ａ，２５Ａはセラミック基体１１の外側のスルーホール
１１Ａに、中心のスルーホール２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ
はセラミック基体１１の中心のスルーホール１１Ｂに、
それぞれメタライズインクを充填されることにより接続
されるから、上記３つのヒータパターン２２，２４，２
６は電気的に並列に接続されることになる。The first, second and third green sheets 21
Heater patterns 22, 24, and 26 having different shapes are formed on the electrodes 23, 25 by screen printing using tungsten (W) metallized ink. Although each of the heater patterns 22, 24, and 26 draws a different pattern, the through holes 21 at the outer end of the green sheet are formed.
A single-stroke pattern is formed starting from A, 23A, 25A and reaching the center through holes 21B, 23B, 25B. Through holes 21A and 23 at outer end
A and 25A are provided in the through-holes 11A on the outside of the ceramic base 11 and central through-holes 21B, 23B and 25B.
Is in the through hole 11B at the center of the ceramic base 11,
Each of the three heater patterns 22, 24, and 2 is connected by being filled with the metallized ink.
6 will be electrically connected in parallel.
【００３６】また、３つのグリーンシート２１，２３，
２５の層の上の各ヒータパターン２２，２４，２６は、
出発点と終点との近傍を除き、吸着面１８の上から見て
重ならないように形成されている。図４は吸着面１８の
上から透視して各ヒータパターン２２，２４，２６を見
た状態を示す仮想的な平面図である。ヒータパターン２
２，２４，２６にはそれぞれ異なったハッチングを施し
て識別できるようにしているが、それでもヒータパター
ンが見づらいので容赦されたい。セラミック基体１１の
外縁付近にあるスルーホール１１Ａから出発するヒータ
パターンは、最外周のヒータパターン２６（第３のグリ
ーンシート２５上）と、その内側のヒータパターン２４
（第２のグリーンシート２３上）と、最内周のヒータパ
ターン２２（第１のグリーンシート上）との３つのヒー
タパターンに分岐する。各ヒータパターン２２，２４，
２６は、図３に示すように、独自の螺旋模様を描いてセ
ラミック基体１１の中心付近に集まる。中心付近に集ま
った各ヒータパターン２２，２４，２６は中心のスルー
ホール１１Ｂで一つになる。スルーホール１１Ｃ、１１
Ｄは膜状静電吸着パターン１６Ｐ、１６Ｎに接続するた
めのものである。The three green sheets 21, 23, 23
Each heater pattern 22, 24, 26 on the 25 layers is
Except for the vicinity of the starting point and the end point, the suction surface 18 is formed so as not to overlap when viewed from above. FIG. 4 is a virtual plan view showing a state in which each of the heater patterns 22, 24, 26 is seen through from above the suction surface 18. Heater pattern 2
The hatches 2, 24, and 26 are differently hatched so that they can be identified. However, since the heater pattern is difficult to see, please be forgiven. The heater pattern starting from the through hole 11A near the outer edge of the ceramic base 11 includes a heater pattern 26 on the outermost periphery (on the third green sheet 25) and a heater pattern 24 on the inner side.
It branches into three heater patterns (on the second green sheet 23) and the innermost heater pattern 22 (on the first green sheet). Each heater pattern 22, 24,
26 gather around the center of the ceramic base 11 in a unique spiral pattern as shown in FIG. The heater patterns 22, 24, 26 gathered near the center become one at the center through hole 11B. Through hole 11C, 11
D is for connecting to the film-like electrostatic attraction patterns 16P and 16N.
【００３７】ここでは、３つのヒータパターン２２，２
４，２６が電気的に並列に接続されていることと、３つ
のヒータパターン２２，２４，２６により吸着面１８の
全面積が殆ど覆われていることに注意されたい。Here, three heater patterns 22 and 2
Note that the four heaters 4 and 26 are electrically connected in parallel and that the entire area of the suction surface 18 is almost covered by the three heater patterns 22, 24 and 26.
【００３８】本実施の形態の利点について説明する。３
層のヒータ層（グリーンシート２１，２３，２５）のヒ
ータパターン２２，２４，２６が電気的に並列に接続さ
れているから、各ヒータパターン２２，２４，２６の発
熱が平準化し、一部のヒータパターンのみが過熱するこ
とがない。これは、ヒータパターンを構成するタングス
テン（Ｗ）メタライズが正の温度抵抗係数を有するた
め、もし仮に直列に接続したとすると、一部のヒータパ
ターンの温度が上昇すると温度の上昇に比例して抵抗値
Ｒが上昇し、発熱量はＩ2 Ｒに比例するからさらに発熱
量が上昇して、一部のヒータパターンのみが過熱するこ
とになる。本実施の形態ではヒータパターンが並列に接
続されているから、この様なことは起こり得ない。一部
のヒータパターンの温度が上昇すると温度の上昇に比例
して抵抗値Ｒが上昇し、そのヒータパターンを流れる電
流が減少するため発熱量が低下する。このため各ヒータ
パターン２２，２４，２６の発熱量が平準化し、結果と
して、吸着面１８の温度分布が均一化することになる。The advantages of this embodiment will be described. 3
Since the heater patterns 22, 24, 26 of the heater layers (green sheets 21, 23, 25) are electrically connected in parallel, the heat generation of each heater pattern 22, 24, 26 is leveled, and Only the heater pattern does not overheat. This is because if the tungsten (W) metallization constituting the heater pattern has a positive temperature resistance coefficient, if it is connected in series, if the temperature of some heater patterns rises, the resistance increases in proportion to the rise in temperature. Since the value R increases and the amount of generated heat is proportional to I 2 R, the amount of generated heat further increases, and only some of the heater patterns are overheated. In the present embodiment, since the heater patterns are connected in parallel, such a situation cannot occur. When the temperature of some heater patterns rises, the resistance value R increases in proportion to the rise in temperature, and the amount of heat generated decreases because the current flowing through the heater patterns decreases. For this reason, the calorific value of each heater pattern 22, 24, 26 is leveled, and as a result, the temperature distribution of the suction surface 18 is made uniform.
【００３９】さらに、３つのヒータパターン２２，２
４，２６により吸着面１８の全面積が殆ど覆われている
から、吸着面１８の直下にヒータパターンが必ずあるこ
とになり、吸着面１８の温度分布の均一化がさらに容易
になることになる。Further, the three heater patterns 22 and 2
Since the entire area of the suction surface 18 is almost completely covered by the suction surfaces 4 and 26, a heater pattern is necessarily provided immediately below the suction surface 18 and the temperature distribution of the suction surface 18 can be more easily made uniform. .
【００４０】考えとしては、一つのヒータパターンで吸
着面１８の直下を全て覆うパターンを考えられないわけ
ではないが、スクリーン印刷でメタライズされたヒータ
パターンをグリーンシートの面積の１／３以上の面積に
作成することは技術的な困難を伴う。したがって、本実
施の形態のようにヒータパターンを３分割し、それぞれ
異なったグリーンシート上にヒータパターンを形成する
のが実用的に優れている。Although it is not impossible to think of a pattern in which one heater pattern entirely covers the area immediately below the suction surface 18, a heater pattern metallized by screen printing has an area equal to or more than ３ of the area of the green sheet. Creating it involves technical difficulties. Therefore, it is practically excellent to divide the heater pattern into three parts and form the heater patterns on different green sheets as in the present embodiment.
【００４１】また、本実施の形態は、図３に示すよう
に、膜状静電吸着パターン１６Ｐ、１６Ｎを備えている
から、段落番号〔００２９〕で述べたように、両パター
ン１６Ｐ、１６Ｎに高電圧を印加することにより、吸着
面１８に載置したシリコンウエハを吸引することができ
る。さらに、各グリーンシート２１，２３，２５，１５
がアルミナで構成されているから、十分耐熱性のあるセ
ラミックヒータ２０を安価に提供することができる。In addition, as shown in FIG. 3, the present embodiment includes the film-like electrostatic attraction patterns 16P and 16N. By applying a high voltage, the silicon wafer placed on the suction surface 18 can be sucked. Furthermore, each green sheet 21, 23, 25, 15
Is made of alumina, it is possible to provide a ceramic heater 20 having sufficient heat resistance at low cost.
【００４２】図５は第３の実施の形態に係るセラミック
ヒータ３０を示す断面図であり、図６は図５のＸ方向矢
視図（平面図）である。このセラミックヒータ３０は、
図１で示したセラミックヒータ体（セラミックヒータ）
１０を円筒形状の支持体３２で支承し一体化したもので
ある。セラミックヒータ体１０は図１で説明したように
内部にヒータパターン（抵抗発熱体）１４及び膜状静電
吸着パターン１６Ｐ、１６Ｎを備えている。円板形状の
セラミックヒータ体１０の上には熱伝導度の高い窒化ア
ルミニウムからなるセラミック板３３が密着して設置さ
れる。円板形状のセラミックヒータ体１０はその周縁を
円筒形状の支持体３２のつば部３２Ａに支承されてい
る。円筒形状の支持体３２はアルミナセラミックにより
構成されている。支持体３２は、その底部を半導体製造
装置の取り付け部３１に固定される。セラミックヒータ
３０はその周りを半導体製造装置の筐体５１で囲われ高
真空のチェンバー５０を構成する、セラミックヒータ体
１０の下方で支持体３２の円筒部に囲まれた空間は大気
圧にされ、空気断熱層４０を構成している。FIG. 5 is a sectional view showing a ceramic heater 30 according to a third embodiment, and FIG. 6 is a view (plan view) taken in the direction of the arrow X in FIG. This ceramic heater 30
Ceramic heater body (ceramic heater) shown in FIG.
10 is supported by a cylindrical support 32 and integrated. As described with reference to FIG. 1, the ceramic heater body 10 includes a heater pattern (resistance heating element) 14 and film-like electrostatic attraction patterns 16P and 16N inside. A ceramic plate 33 made of aluminum nitride having high thermal conductivity is closely mounted on the disk-shaped ceramic heater body 10. The peripheral edge of the disk-shaped ceramic heater body 10 is supported by a flange 32A of a cylindrical support 32. The cylindrical support 32 is made of alumina ceramic. The support 32 has its bottom fixed to the mounting portion 31 of the semiconductor manufacturing apparatus. The ceramic heater 30 is surrounded by a housing 51 of a semiconductor manufacturing apparatus and constitutes a high vacuum chamber 50. A space surrounded by a cylindrical portion of a support body 32 below the ceramic heater body 10 is set to atmospheric pressure. The air insulation layer 40 is included.
【００４３】図６はセラミックヒータ３０の平面図であ
る。支持体３２には内周方向に突出した位置決め用のノ
ッチ３５が一体に形成され、セラミックヒータ体１０及
びセラミック板３３にはノッチ３５に対応した凹部が形
成され、支持体３２に対するセラミックヒータ体１０及
びセラミック板３３の位置決めを正確に行うようにされ
ている。FIG. 6 is a plan view of the ceramic heater 30. A notch 35 for positioning protruding in the inner circumferential direction is integrally formed on the support 32, and a concave portion corresponding to the notch 35 is formed on the ceramic heater body 10 and the ceramic plate 33. In addition, the ceramic plate 33 is accurately positioned.
【００４４】このような支持体３２とセラミックヒータ
体１０とが一体となったセラミックヒータ３０を製造す
るには２つの方法がある。第１の方法は焼成前のセラミ
ックヒータ体１０と支持体３２とをセラミックスラリー
で接合し、一体に焼成してしまう方法である。第２の方
法は支持体３２とセラミックヒータ体１０とをそれぞれ
別個に焼成し、焼成したものをそれぞれ研磨して寸法精
度を確保して組み合わせる方法である。There are two methods for manufacturing such a ceramic heater 30 in which the support 32 and the ceramic heater body 10 are integrated. The first method is a method in which the ceramic heater body 10 and the support body 32 before firing are joined with a ceramic slurry and fired integrally. The second method is a method in which the support 32 and the ceramic heater body 10 are separately fired, and the fired ones are polished to ensure dimensional accuracy and combined.
【００４５】第１の方法について説明する。セラミック
ヒータ体１０の中間品は段落番号〔００２３〕、〔００
２４〕、〔００２５〕で述べたようにして製作する。ま
た、支持体３２は、アルミナ粉末に、酸化マグネシウム
ＭｇＯを１ｗｔ％（重量比、以下同じ）、酸化珪素（シ
リカ）ＳｉＯ4 を４ｗｔ％、を混合してボールミルで５
０〜８０時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。この粉末
をプレス加工により円筒形状に成形する。つぎに、段落
番号〔００２４〕で述べたアルミナスラリーを、セラミ
ックヒータ体１０（シート形成品）と支持体３２（プレ
ス成形品）との間に塗布し、接着する。そして、接着し
たものを還元雰囲気にて、１４００〜１６００°Ｃにて
一体に焼成する。焼成したものは、セラミックヒータ体
１０の吸着面１８の平面度が３０ミクロン以下となるよ
うに研磨する。次に、スルーホール１１Ａ，１１Ｂ，１
１Ｃ，１１Ｄに充填されたメタライズインクが焼成して
できた端子部分にニッケルメッキを施し、さらにニッケ
ルピンをロウ付けして端子１１Ａ′，１１Ｂ′，１１
Ｃ′，１１Ｄ′とする。最後に、シリコンウエハの載置
面の温度分布が均一になるように、図５に示すように、
窒化アルミニウムからなるセラミック板３３を載置す
る。The first method will be described. The intermediate products of the ceramic heater body 10 are paragraph numbers [0023] and [00].
24] and [0025]. Further, the support 32 was prepared by mixing 1 wt% of magnesium oxide (MgO) (weight ratio, the same applies hereinafter) and 4 wt% of silicon oxide (silica) SiO 4 with alumina powder, and mixing them with a ball mill.
After wet pulverization for 0 to 80 hours, dehydration drying is performed. This powder is formed into a cylindrical shape by press working. Next, the alumina slurry described in paragraph [0024] is applied between the ceramic heater body 10 (sheet-formed product) and the support body 32 (press-formed product) and adhered. Then, the bonded pieces are integrally fired at 1400 to 1600 ° C. in a reducing atmosphere. The fired product is polished so that the flatness of the suction surface 18 of the ceramic heater body 10 is 30 μm or less. Next, the through holes 11A, 11B, 1
Nickel plating is applied to the terminal portion formed by firing the metallized ink filled in 1C and 11D, and further, a nickel pin is brazed and the terminals 11A ', 11B', 11
C 'and 11D'. Finally, as shown in FIG. 5, so that the temperature distribution on the mounting surface of the silicon wafer becomes uniform,
A ceramic plate 33 made of aluminum nitride is placed.
【００４６】第２の方法について説明する。セラミック
ヒータ体１０は段落番号〔００２３〕、〔００２４〕、
〔００２５〕〔００２６〕で述べたようにして焼成して
製作する。そして、焼成したセラミックヒータ体１０の
外筒研磨を行い、外形寸法精度を確保する。また、その
とき、位置決め用のノッチ３５に嵌合する凹部も研磨に
より設ける。支持体３２は、段落番号〔００４５〕で述
べたようにして円筒形状のプレス成形品を作る。この円
筒形状のプレス成形品を大気中にて焼成し、円筒形状の
セラミック成形体を得る。この焼成したセラミック成形
体の、セラミックヒータ体１０が載置される部分（つば
部３２Ａ近傍）の内筒研磨を行い、内径寸法精度を確保
する。また、そのとき、位置決め用のノッチ３５の凸部
も研磨により設ける。そして、位置決め用のノッチ３５
の凹凸を合わせて、セラミックヒータ体１０と支持体３
２を一体に組み込む。The second method will be described. The ceramic heater body 10 has paragraph numbers [0023], [0024],
[0025] It is manufactured by firing as described in [0026]. Then, the outer cylinder of the fired ceramic heater body 10 is polished to secure the outer dimension accuracy. Further, at this time, a concave portion that fits into the positioning notch 35 is also provided by polishing. As the support 32, a cylindrical press-formed product is produced as described in paragraph [0045]. This cylindrical press-formed product is fired in the atmosphere to obtain a cylindrical ceramic molded body. The portion of the fired ceramic molded body on which the ceramic heater body 10 is to be mounted (in the vicinity of the flange portion 32A) is polished for the inner cylinder to secure the dimensional accuracy of the inner diameter. At this time, the projection of the notch 35 for positioning is also provided by polishing. And a notch 35 for positioning.
The ceramic heater body 10 and the support 3
2 is integrated.
【００４７】セラミックヒータ体１０の吸着面１８の温
度分布の均一さを確保する目的で、熱伝導度の高い窒化
アルミニウムからなるセラミック板３３をセラミックヒ
ータ体１０の上面または下面に載置する。このとき、窒
化アルミニウムからなるセラミック板３３にもセラミッ
クヒータ体１０と同様に位置決め用のノッチ３５と係合
する凹部を研磨により設けておく。また、温度分布をさ
らに均一にする目的で、セラミックヒータ体１０の吸着
面１８とセラミック板３３の接触面は、研磨して平面度
を向上させ接触率を上げることが好ましい。In order to ensure uniform temperature distribution on the adsorption surface 18 of the ceramic heater body 10, a ceramic plate 33 made of aluminum nitride having high thermal conductivity is placed on the upper or lower surface of the ceramic heater body 10. At this time, similarly to the ceramic heater 10, a concave portion that engages with the notch 35 for positioning is provided in the ceramic plate 33 made of aluminum nitride by polishing. In order to make the temperature distribution even more uniform, it is preferable that the contact surface between the suction surface 18 of the ceramic heater body 10 and the ceramic plate 33 is polished to improve flatness and increase the contact ratio.
【００４８】上記の例では円筒形状の支持体３２をアル
ミナのプレス成形品で構成したが、支持体の本体を金属
で作成し、その金属体の上にアルミナ等のセラミックを
溶射して表面を絶縁物としたものにしても良い。In the above example, the cylindrical support body 32 is formed of a press-formed product of alumina. However, the main body of the support body is formed of metal, and a ceramic such as alumina is sprayed on the metal body to form a surface. An insulator may be used.
【００４９】本実施の形態の利点について説明する。円
筒形状の支持体３２によりセラミックヒータ体１０が支
持されているから、高温になるセラミックヒータ体１０
の吸着面１８から低温の装置の取り付け部３１までの距
離を稼ぐことができ、セラミックヒータ体１０の厚さ方
向の温度勾配を緩和することができる。このため熱膨張
差による熱応力を大幅に緩和することができ、セラミッ
クヒータ３０の信頼性が大幅に向上した。The advantages of this embodiment will be described. Since the ceramic heater body 10 is supported by the cylindrical support 32, the temperature of the ceramic heater body
Therefore, the distance from the suction surface 18 to the mounting portion 31 of the low-temperature device can be increased, and the temperature gradient in the thickness direction of the ceramic heater body 10 can be reduced. For this reason, the thermal stress due to the difference in thermal expansion can be greatly reduced, and the reliability of the ceramic heater 30 has been greatly improved.
【図１】第１の実施の形態に係るセラミックヒータの製
造工程を説明する分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a manufacturing process of a ceramic heater according to a first embodiment.
【図２】第１の実施の形態に係るセラミックヒータを下
から見た斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the ceramic heater according to the first embodiment as viewed from below.
【図３】第２の実施の形態に係るセラミックヒータの製
造工程を説明する分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating a manufacturing process of a ceramic heater according to a second embodiment.
【図４】吸着面の上から透視して各ヒータパターンを見
た状態を示す仮想的な平面図である。FIG. 4 is a virtual plan view showing a state where each heater pattern is seen through from above the suction surface.
【図５】第３の実施の形態に係るセラミックヒータを示
す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a ceramic heater according to a third embodiment.
【図６】図５のＸ方向矢視図であり平面図である。FIG. 6 is a plan view as seen in the direction of the arrow X in FIG. 5;
１０ セラミックヒータ（セラミックヒータ体） １１ セラミック基体 １３ 第１のグリーンシート １４ ヒータパターン（抵抗発熱体） １５ 第２のグリーンシート １６Ｐ、１６Ｎ 膜状静電吸着パターン １７ セラミック吸着面体 １８ 吸着面 ２１ 第１のグリーンシート ２２ 第１のヒータパターン ２３ 第２のグリーンシート ２４ 第２のヒータパターン ２５ 第３のグリーンシート ２６ 第３のヒータパターン ３１ 取り付け部 ３２ 支持体 ３３ セラミック板 ３５ ノッチ ４０ 空気断熱層 Reference Signs List 10 ceramic heater (ceramic heater body) 11 ceramic base 13 first green sheet 14 heater pattern (resistance heating element) 15 second green sheet 16P, 16N film-like electrostatic attraction pattern 17 ceramic attraction surface 18 attraction surface 21 first Green sheet 22 first heater pattern 23 second green sheet 24 second heater pattern 25 third green sheet 26 third heater pattern 31 mounting part 32 support 33 ceramic plate 35 notch 40 air heat insulating layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/68 Ｈ０５Ｂ 3/68 Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA07 AA10 AA34 AA37 BB06 BB13 BC04 BC12 BC16 BC23 CA02 CA26 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QB30 QB43 QB49 QB62 QB74 QB76 QC02 QC18 QC31 QC52 RF03 RF11 RF17 RF22 RF26 VV22 VV40 5F031 CA02 HA02 HA03 HA16 HA37 PA20 5F045 BB02 BB08 EK09 EK22 EM05 EM09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 3/68 H05B 3/68 F term (Reference) 3K034 AA02 AA07 AA10 AA34 AA37 BB06 BB13 BC04 BC12 BC16 BC23 CA02 CA26 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QB30 QB43 QB49 QB62 QB74 QB76 QC02 QC18 QC31 QC52 RF03 RF11 RF17 RF22 RF26 VV22 VV40 5F031 CA02 HA02 HA03 HA16 HA37 PA20 5F045 BB02 BB08 EK09 EK05 EM05 EM05 EM05 EM05 EM05
Claims (7)
アルミニウム、窒化珪素等からなるセラミックヒータ体
と、前記セラミックヒータ体の内部に埋設された抵抗発
熱体とを備え、前記セラミックヒータ体の一方の面に被
加工物たるウエハを吸着可能な吸着面が形成されている
こと、を特徴とするセラミックヒータにおいて、 前記セラミックヒータ体が複数層のセラミックスのグリ
ーンシートを積層して構成された部分を有し、 前記抵抗発熱体が前記グリーンシート上にスクリーン印
刷法により形成されメタライズされたヒータパターンで
あり、 前記ヒータパターン及びグリーンシートからなるヒータ
層が複数層あること、を特徴とするセラミックヒータ。1. A ceramic heater comprising alumina, mullite, magnesia, aluminum nitride, silicon nitride, etc., and a resistance heating element embedded inside the ceramic heater, wherein one surface of the ceramic heater is provided. An adsorbing surface capable of adsorbing a wafer as a workpiece is formed, wherein the ceramic heater body has a portion configured by laminating a plurality of ceramic green sheets, A ceramic heater, wherein the resistance heating element is a metalized heater pattern formed on the green sheet by a screen printing method, and a plurality of heater layers including the heater pattern and the green sheet are provided.
が、電気的に並列に接続されていることを特徴とする請
求項１記載のセラミックヒータ。2. The ceramic heater according to claim 1, wherein the heater patterns of the plurality of heater layers are electrically connected in parallel.
が、前記吸着面の上方から見て重ならないように配置さ
れていることを特徴とする請求項１または２に記載のセ
ラミックヒータ。3. The ceramic heater according to claim 1, wherein the heater patterns of the plurality of heater layers are arranged so as not to overlap when viewed from above the suction surface.
パターンの全面積が、前記吸着面の面積の２／３以上で
あることを特徴とする請求項３記載のセラミックヒー
タ。4. The ceramic heater according to claim 3, wherein a total area of the heater patterns arranged so as not to overlap is not less than 2/3 of an area of the suction surface.
パターンの全面積が、前記吸着面の全面積と略等しいこ
とを特徴とする請求項３記載のセラミックヒータ。5. The ceramic heater according to claim 3, wherein a total area of the heater patterns arranged so as not to overlap is substantially equal to a total area of the suction surface.
着面の近傍に、電圧を印加可能な膜状静電吸着パターン
が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５に記
載のセラミックヒータ。6. The ceramic heater according to claim 1, wherein a film-like electrostatic attraction pattern to which a voltage can be applied is formed near the attraction surface inside the ceramic heater body. .
成されていることを特徴とする請求項１乃至６に記載の
セラミックヒータ。7. The ceramic heater according to claim 1, wherein the green sheet is made of alumina.
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|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3713220B2 (en) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296254A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ceramic heater and semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus equipped with the same |
| JP2009187948A (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Ngk Insulators Ltd | Base board heating device |
| JP2010533980A (en) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | Method for manufacturing thick film resistance device with reduced cycle time |
| WO2012141722A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| US8454294B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
| JP2013182745A (en) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Taiheiyo Cement Corp | Ceramics heater |
| JP2014529910A (en) * | 2011-08-30 | 2014-11-13 | ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | High-precision heater and its operation method |
| KR20150019596A (en) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 세메스 주식회사 | Supporting unit and apparatus and method for treating substrate comprising the same |
| WO2015041392A1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | Heater member and substrate processing apparatus having same |
| US9209061B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-12-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| JP2016100473A (en) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日本特殊陶業株式会社 | Electrostatic chuck |
| JP2017163019A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 日本特殊陶業株式会社 | Retainer |
| KR20170126802A (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-20 | 램 리써치 코포레이션 | Connections between laminated heater and heater voltage inputs |
| US9835388B2 (en) | 2012-01-06 | 2017-12-05 | Novellus Systems, Inc. | Systems for uniform heat transfer including adaptive portions |
| KR20180016946A (en) * | 2016-08-08 | 2018-02-20 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | Substrate fixing device and method of manufacturing thereof |
| KR20180035711A (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | Heating device |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| CN111385917A (en) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | Multi-plane multi-path temperature-adjustable heater for assembling ESC |
| CN111517818A (en) * | 2019-02-05 | 2020-08-11 | 新光电气工业株式会社 | Composite green sheet, ceramic part, method for producing composite green sheet, and method for producing ceramic part |
| JP2022510260A (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-26 | ラム リサーチ コーポレーション | Ceramic pedestal with multi-layer heater for enhanced thermal uniformity |
| JP2022141611A (en) * | 2021-03-15 | 2022-09-29 | プーレム ゲー・エム・ベー・ハー | Exhaust gas heater |
| JPWO2022264922A1 (en) * | 2021-06-15 | 2022-12-22 | ||
| KR20230089944A (en) * | 2021-12-14 | 2023-06-21 | 주식회사 원익아이피에스 | heating plate, and substrate processing equipment having the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125001A (en) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JPH08274147A (en) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Kyocera Corp | Wafer holding device |
| JPH09270454A (en) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Kyocera Corp | Wafer holding device |
| JP2001217060A (en) * | 1999-11-19 | 2001-08-10 | Ibiden Co Ltd | Ceramic heater |
| JP2002016072A (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ceramic heater for heating semiconductor and method of manufacturing the same |
| JP2002015840A (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ceramic heater for heating semiconductor and method of manufacturing the same |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001180963A patent/JP3713220B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125001A (en) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JPH08274147A (en) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Kyocera Corp | Wafer holding device |
| JPH09270454A (en) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Kyocera Corp | Wafer holding device |
| JP2001217060A (en) * | 1999-11-19 | 2001-08-10 | Ibiden Co Ltd | Ceramic heater |
| JP2002016072A (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ceramic heater for heating semiconductor and method of manufacturing the same |
| JP2002015840A (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ceramic heater for heating semiconductor and method of manufacturing the same |
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296254A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ceramic heater and semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus equipped with the same |
| JP2010533980A (en) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | Method for manufacturing thick film resistance device with reduced cycle time |
| JP2009187948A (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Ngk Insulators Ltd | Base board heating device |
| US8193473B2 (en) | 2008-02-08 | 2012-06-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Uniform temperature heater |
| US8454294B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
| US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| JP2013528943A (en) * | 2011-04-13 | 2013-07-11 | ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド | Pedestal cover |
| US8851463B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-10-07 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| WO2012141722A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| US10734256B2 (en) | 2011-08-30 | 2020-08-04 | Watlow Electric Manufacturing Company | High definition heater and method of operation |
| JP2014529910A (en) * | 2011-08-30 | 2014-11-13 | ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | High-precision heater and its operation method |
| US10043685B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-08-07 | Watlow Electric Manufacturing Company | High definition heater and method of operation |
| US9209061B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-12-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| US9835388B2 (en) | 2012-01-06 | 2017-12-05 | Novellus Systems, Inc. | Systems for uniform heat transfer including adaptive portions |
| JP2013182745A (en) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Taiheiyo Cement Corp | Ceramics heater |
| KR102278077B1 (en) * | 2013-08-14 | 2021-07-16 | 세메스 주식회사 | Supporting unit and apparatus and method for treating substrate comprising the same |
| KR20150019596A (en) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 세메스 주식회사 | Supporting unit and apparatus and method for treating substrate comprising the same |
| WO2015041392A1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | Heater member and substrate processing apparatus having same |
| JP2016100473A (en) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日本特殊陶業株式会社 | Electrostatic chuck |
| JP2017163019A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 日本特殊陶業株式会社 | Retainer |
| KR20170126802A (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-20 | 램 리써치 코포레이션 | Connections between laminated heater and heater voltage inputs |
| KR20170126803A (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-20 | 램 리써치 코포레이션 | Laminated heater with different heater trace materials |
| KR102360248B1 (en) | 2016-05-10 | 2022-02-07 | 램 리써치 코포레이션 | Laminated heater with different heater trace materials |
| KR102329513B1 (en) | 2016-05-10 | 2021-11-23 | 램 리써치 코포레이션 | Connections between laminated heater and heater voltage inputs |
| KR20180016946A (en) * | 2016-08-08 | 2018-02-20 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | Substrate fixing device and method of manufacturing thereof |
| KR102283385B1 (en) | 2016-08-08 | 2021-07-30 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | Substrate fixing device and method of manufacturing thereof |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| US11075127B2 (en) | 2016-08-09 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| KR102104704B1 (en) | 2016-09-29 | 2020-04-24 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | Heating device |
| KR20180035711A (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | Heating device |
| JP2022510260A (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-26 | ラム リサーチ コーポレーション | Ceramic pedestal with multi-layer heater for enhanced thermal uniformity |
| CN111385917B (en) * | 2018-12-29 | 2022-07-15 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | Multi-plane multi-path temperature-adjustable heater for assembling ESC |
| CN111385917A (en) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | Multi-plane multi-path temperature-adjustable heater for assembling ESC |
| CN111517818A (en) * | 2019-02-05 | 2020-08-11 | 新光电气工业株式会社 | Composite green sheet, ceramic part, method for producing composite green sheet, and method for producing ceramic part |
| JP2020124867A (en) * | 2019-02-05 | 2020-08-20 | 新光電気工業株式会社 | Composite green sheet, ceramic member, method of manufacturing composite green sheet, and method of manufacturing ceramic member |
| KR20200096733A (en) | 2019-02-05 | 2020-08-13 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | Composite green sheet, ceramic member, method of manufacturing composite green sheet, and method of manufacturing ceramic member |
| CN111517818B (en) * | 2019-02-05 | 2023-02-17 | 新光电气工业株式会社 | Composite green sheet, ceramic member, method for producing composite green sheet, and method for producing ceramic member |
| US11952316B2 (en) | 2019-02-05 | 2024-04-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Composite green sheet and ceramic member |
| JP2022141611A (en) * | 2021-03-15 | 2022-09-29 | プーレム ゲー・エム・ベー・ハー | Exhaust gas heater |
| US11852064B2 (en) | 2021-03-15 | 2023-12-26 | Purem GmbH | Exhaust gas heater |
| JP7469347B2 (en) | 2021-03-15 | 2024-04-16 | プーレム ゲー・エム・ベー・ハー | Exhaust Gas Heater |
| JPWO2022264922A1 (en) * | 2021-06-15 | 2022-12-22 | ||
| KR20230089944A (en) * | 2021-12-14 | 2023-06-21 | 주식회사 원익아이피에스 | heating plate, and substrate processing equipment having the same |
| KR102831668B1 (en) * | 2021-12-14 | 2025-07-08 | 주식회사 원익아이피에스 | heating plate, and substrate processing equipment having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3713220B2 (en) | 2005-11-09 |
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