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JP2002305077A - Organic EL device and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic EL device and method of manufacturing the same

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Publication number
JP2002305077A
JP2002305077A JP2001104614A JP2001104614A JP2002305077A JP 2002305077 A JP2002305077 A JP 2002305077A JP 2001104614 A JP2001104614 A JP 2001104614A JP 2001104614 A JP2001104614 A JP 2001104614A JP 2002305077 A JP2002305077 A JP 2002305077A
Authority
JP
Japan
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bank
ink
organic
substrate
manufacturing
Prior art date
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Application number
JP2001104614A
Other languages
Japanese (ja)
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Inventor
Hiroshi Takiguchi
宏志 瀧口
Hisao Nishikawa
尚男 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To process ink repellant processing of a surface simply without using plasma processing. SOLUTION: A surface treatment agent is transferred on a part of the surface of a bank of a substrate, which has the bank, by sticking an original sheet, to which the surface treatment agent is made to absorb or adhere, tightly to the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機半導体膜を用
いたディスプレイ、表示光源などに用いられる電気的発
光素子である有機EL(エレクトロルミネッセンス)素
子およびその製造に適した薄膜パターニング基板の形成
技術に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL (electroluminescence) element which is an electroluminescent element used for a display, a display light source and the like using an organic semiconductor film, and a technique for forming a thin film patterning substrate suitable for manufacturing the same. Related to

【0002】[0002]

【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる自発発光
型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が
加速している。有機物を用いた有機EL素子としては、
Appl.Phys.Lett.51(12)、21
September 1987の913ページから示さ
れているように低分子を蒸着法で成膜する方法と、Ap
pl.Phys.Lett.71(1)、7 July
1997の34ページから示されているように高分子
を塗布する方法が主に報告されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the development of light-emitting elements using organic substances as spontaneous light-emitting displays replacing liquid crystal displays has been accelerated. As an organic EL device using an organic substance,
Appl. Phys. Lett. 51 (12), 21
Sep. 1987, pp. 913, a method of depositing a low molecular weight film by a vapor deposition method;
pl. Phys. Lett. 71 (1), 7 July
A method of applying a polymer as shown on page 34 of 1997 is mainly reported.

【0003】カラー化の手段としては低分子系材料の場
合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着
し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料に
ついては、微細かつ容易にパターニングができることか
らインクジェット法を用いたカラー化が注目されてい
る。インクジェット法による有機EL素子の形成として
は以下の公知例が知られている。特開平7−23537
8、特開平10−12377、特開平10−15396
7、特開平11−40358、特開平11−5427
0、特開平11−339957である。
As a means for colorization, in the case of a low-molecular material, a method of vapor-depositing and forming a different luminescent material on a desired pixel through a mask has been used. On the other hand, for polymer materials, colorization using an ink-jet method has attracted attention because it can be finely and easily patterned. The following known examples are known for forming an organic EL element by an ink-jet method. JP-A-7-23537
8, JP-A-10-12377, JP-A-10-15396
7, JP-A-11-40358, JP-A-11-5427
0, JP-A-11-339957.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】塗布により同一基板上
に特性の異なる薄膜をパターン形成しうるインクジェッ
ト方式は、基板上で異なる薄膜材料が混合するために、
吐出された液体材料が隣接する画素に流出する等の問題
が生じる。
In the ink jet system, which can form thin films having different characteristics on the same substrate by coating, the different thin film materials are mixed on the substrate.
There is a problem that the discharged liquid material flows out to adjacent pixels.

【0005】このような問題に対して、通常、異なる薄
膜領域を仕切る凸状の仕切部材(「バンク」または凸部
ともよばれる)を設け、前記仕切部材で囲まれた領域に
異なる薄膜となる液体材料を充填する方法が採られてい
る。仕切部材(以下バンクと称する)の表面特性と前記
バンクで囲まれた領域の表面特性、具体的には薄膜材料
液(以下インクと称する)に対する親和性に差を生じせ
しめることにより液体材料の充填が制御されている。
[0005] In order to solve such a problem, a convex partition member (also called a "bank" or a convex portion) for partitioning different thin film regions is usually provided, and a liquid forming a different thin film is formed in a region surrounded by the partition member. A method of filling the material is employed. Filling of a liquid material by causing a difference between the surface characteristics of a partition member (hereinafter referred to as a bank) and the surface characteristics of a region surrounded by the bank, specifically, an affinity for a thin film material liquid (hereinafter referred to as ink). Is controlled.

【0006】バンクの表面がインクに対し親和性(親水
性)を示すと、バンクの高さを超える量の材料を充填し
た場合に、バンクがあってもインクは容易に隣接するバ
ンクで囲まれた領域に流出してしまう。逆にバンクの表
面がインクに対し適度に非親和性(撥インク性)を示す
と、バンクの高さを超える量の材料を充填しても材料の
表面張力により隣のバンクで囲まれた領域にインクが流
れ出すことはない。
If the surface of the bank shows an affinity (hydrophilicity) for the ink, the ink is easily surrounded by the adjacent bank even if the bank is filled with an amount of material exceeding the height of the bank. Spilled into the area. Conversely, if the surface of the bank shows a moderate incompatibility (ink repellency) with ink, the area surrounded by the adjacent bank due to the surface tension of the material even if the amount of material exceeds the height of the bank. The ink does not flow out.

【0007】また、バンクの撥インク性が強い場合、バ
ンクの側壁で薄膜材料の液がはじかれるため、成膜後の
厚みがバンクで囲まれた領域の中央部で厚く周辺部で薄
くなる。これでは、表示素子に画素での色むらが生じ
る。特に、EL素子においてはショートが生じ易く信頼
性の低下につながる。
When the ink repellency of the bank is strong, the liquid of the thin film material is repelled on the side walls of the bank, so that the thickness after the film formation is large at the center of the region surrounded by the bank and thin at the periphery. In this case, color unevenness in pixels occurs in the display element. In particular, a short circuit easily occurs in an EL element, which leads to a decrease in reliability.

【0008】バンクの表面に撥インク処理を施して、そ
の側面、より望むべきはバンクの下方の層に親和性(親
インク性)を付与した場合には、薄膜材料を提供して成
膜後の厚みがバンクで囲まれた領域の周辺で薄くなるこ
とはないが、インクがバンクの側面に引っ張られるた
め、薄膜の裾部分、即ち、基板と接する部分で膜厚がよ
り大きくなり、素子としての信頼性が向上する。
In the case where the surface of the bank is subjected to an ink repellent treatment to give an affinity (ink-affinity) to its side surface, and more desirably, to a layer below the bank, a thin film material is provided to form a film. Although the thickness of the thin film does not decrease around the region surrounded by the bank, the ink is pulled to the side surface of the bank, so that the film thickness becomes larger at the skirt portion of the thin film, that is, at the portion in contact with the substrate. Reliability is improved.

【0009】バンクの上部の層を構成する物質表面のイ
ンクに対する親和性(濡れ性)の改質とは、主に表面自
由エネルギーの制御により行われ、インクが表面自由エ
ネルギーの高い液体、例えば、多くの水溶液の場合、表
面自由エネルギーの高い材料に対するインクの濡れ性は
高くなる。
The modification of the affinity (wettability) of the surface of the material constituting the upper layer of the bank with respect to the ink is mainly performed by controlling the surface free energy, and the ink is a liquid having a high surface free energy, for example, a liquid having a high surface free energy. For many aqueous solutions, the wettability of the ink on materials with high surface free energy is high.

【0010】現在、前述した機能を備えた、一般的に用
いられているバンク構造は二層のバンク構造(バンク下
層とバンク上層の二層)である。具体的には、無機材料
の上に有機材料を積層したバンク構造が用いられてお
り、インクに対して親和性を高める表面処理を無機材料
に施し、一方、上の有機材料に親和性を下げる処理を施
すことによりインクをバンクで囲まれた領域に供給し、
薄膜を形成している。この二層構造は撥インク性および
親インク性を、プラズマ処理により一括で表面に付与で
きる利便性から用いられており、以下に説明する。
At present, a generally used bank structure having the above-described function is a two-layer bank structure (two layers of a lower bank layer and an upper bank layer). Specifically, a bank structure in which an organic material is laminated on an inorganic material is used, and the inorganic material is subjected to a surface treatment that increases the affinity for the ink, while the affinity of the organic material is lowered. By applying the processing, ink is supplied to the area surrounded by the bank,
A thin film is formed. This two-layer structure is used for the convenience that the ink repellency and the ink affinity can be collectively applied to the surface by plasma treatment, and will be described below.

【0011】有機物質の表面改質に対しては、プラズマ
処理を行うことがよく知られており、例えば、特開昭6
3−308920号公報に記載されているものがある。
この公報に記載された表面改質方法は、フッ素系ガスと
酸素ガスを含む混合ガスプラズマを用いて有機物質表面
を処理し、前記混合ガスの混合比を変えることにより、
前記有機物質の表面自由エネルギーを制御するものであ
る。
For the surface modification of organic substances, it is well known to carry out a plasma treatment.
There is one described in JP-A-3-308920.
The surface modification method described in this publication treats an organic substance surface using a mixed gas plasma containing a fluorine-based gas and an oxygen gas, and changes the mixing ratio of the mixed gas,
It controls the surface free energy of the organic substance.

【0012】また、バンク下層を構成するガラスやIT
O(Indium Tin Oxide)などの無機物表面を親水化する
ためにUV照射や酸素プラズマ処理をする方法も良く知
られた手法である。
Further, the glass or IT constituting the lower layer of the bank
A method of performing UV irradiation or oxygen plasma treatment to hydrophilize the surface of an inorganic material such as O (Indium Tin Oxide) is also a well-known method.

【0013】しかしながら、同一基板上に有機物或いは
無機物からなる層のパターンを設けて、混合ガスプラズ
マ処理により有機物質表面、あるいは有機物で形成され
る部材表面に撥インク性を付与する方法では、効率よく
撥インク性を付与することができなかったり、表面の撥
インク性が一過性であり、熱工程を経たり、時間が経過
すると撥インク性が劣化するという問題がある。
However, a method of providing a layer pattern made of an organic substance or an inorganic substance on the same substrate and imparting ink repellency to the surface of the organic substance or the surface of a member formed of the organic substance by a mixed gas plasma treatment is efficient. There is a problem that the ink repellency cannot be imparted, the ink repellency of the surface is transient, and the ink repellency deteriorates after a heating step or a lapse of time.

【0014】そこで、二層構造のバンクが形成されてい
る基板に対し、ほぼ全面に一律に酸素ガスプラズマとフ
ッ素系ガスプラズマの連続処理を行う方法が採られ、こ
の一連の工程を経ることにより、バンクの下層は親イン
ク性の表面特性を持ちながら、バンク上層における有機
材料に安定な撥インク性を持たせることが可能となり、
従来の工程においては二層構造が用いられてきた。
In view of the above, a method is employed in which oxygen gas plasma and fluorine gas plasma are continuously and uniformly processed over substantially the entire surface of a substrate on which a bank having a two-layer structure is formed. , While the lower layer of the bank has ink-philic surface characteristics, the organic material in the upper layer of the bank can have stable ink repellency,
Conventional processes have used a two-layer structure.

【0015】図7は従来の手法による有機EL素子の製造
に際しての模式断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view of an organic EL device manufactured by a conventional method.

【0016】図7(A)参照 従来の有機EL素子の製造方法を説明するに際して、図6
(A)は有機EL素子の透明画素電極間を分離するバンク
の下層を形成する工程を示したものである。
Referring to FIG. 7A, in describing a conventional method of manufacturing an organic EL device, FIG.
(A) shows a step of forming a lower layer of a bank for separating between transparent pixel electrodes of an organic EL element.

【0017】画素電極2を有する、支持体であると同時
に光を取り出す面として機能する透明基板1上に、例え
ばバンク形成面3が画素電極のITO等により形成され
ている場合、絶縁膜として一般的なシリコン酸化膜(S
iO)やシリコン窒化膜、アモルファスシリコンを材
料として、下層膜5が周知の成膜プロセスとエッチング
プロセスを用いて形成される。
When, for example, a bank forming surface 3 is formed of a pixel electrode such as ITO on a transparent substrate 1 having a pixel electrode 2 and functioning as a support and a surface for extracting light, it is generally used as an insulating film. Silicon oxide film (S
The lower film 5 is formed by using a known film forming process and an etching process, using iO 2 ), a silicon nitride film, and amorphous silicon as materials.

【0018】上層形成工程(図7B):次いで、上記下
層膜5の上にポリイミド等の有機材料からなる層を塗布
成膜し、リソグラフィ法を利用してバンク上層6を形成
する。
Upper layer forming step (FIG. 7B): Next, a layer made of an organic material such as polyimide is applied and formed on the lower layer film 5, and a bank upper layer 6 is formed by lithography.

【0019】表面処理工程(図7D):次に、 基板表
面に対し酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマ処理
の連続処理を行って、例えば、ITOやSiOにより
構成されるバンクに囲まれた領域4と下層膜5および、
有機材料により構成されるバンク上層6の薄膜材料液に
対する親和性を調整し、親和性の程度を、「バンクに囲
まれた領域>=バンク下層表面>バンク上層表面」とい
う順番になるように表面処理する。
Surface treatment step (FIG. 7D): Next, the substrate surface is subjected to a continuous treatment of oxygen gas plasma and fluorine gas plasma treatment to form a region surrounded by a bank made of, for example, ITO or SiO 2. 4, the lower film 5, and
The affinity of the upper bank layer 6 made of an organic material for the thin film material liquid is adjusted, and the degree of affinity is adjusted so that the area surrounded by the bank> = the lower bank surface> the upper bank surface. To process.

【0020】薄膜形成工程(図7E,7F): 次に、
バンク下層5および上層6で囲まれた凹部、つまりバン
クで囲まれた領域4とバンク下層5の側面に対して、薄
膜材料液7を充填して薄膜層を形成し、充填に次いで加
熱処理等により溶媒成分を蒸発させて薄膜層8を形成す
る。
Thin film forming step (FIGS. 7E and 7F):
A thin film layer is formed by filling a thin film material liquid 7 into the concave portion surrounded by the bank lower layer 5 and the upper layer 6, that is, the region 4 surrounded by the bank and the side surface of the bank lower layer 5, and after the filling, heat treatment or the like is performed. The solvent component is evaporated to form the thin film layer 8.

【0021】上記の方法では、素子の信頼性を高めるこ
とを目的とした場合、上部の電極とのショートを防ぐた
めにはバンク上層6をバンク下層5の上にバンク下層よ
りも小さなサイズで形成する必要性がある。この理由と
して、撥インク性の高いバンク上層6の側壁をバンク下
層5よりも一回り小さくすることにより、液滴がはじか
れてむらが生じ、最終的な薄膜層8の周辺部部分が薄く
なる可能性を低くするためである。
In the above method, in order to improve the reliability of the device, the upper bank layer 6 is formed on the lower bank layer 5 in a smaller size than the lower bank layer in order to prevent a short circuit with the upper electrode. There is a need. The reason for this is that by making the side wall of the bank upper layer 6 having high ink repellency smaller than that of the bank lower layer 5, the droplets are repelled, causing unevenness, and the peripheral portion of the final thin film layer 8 becomes thinner. This is to reduce the possibility.

【0022】このためには、従来のフォトリソグラフィ
ー技術を多用する必要性があり、工程数の増加によりコ
ストの面でも時間的な面でも無駄が多い。
For this purpose, it is necessary to use the conventional photolithography technique frequently, and there is much waste in terms of cost and time due to an increase in the number of steps.

【0023】また、上記手法ではバンクの表面改質に、
酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマの連続処理を
用いており、過度のプラズマ照射は基板表面のダメー
ジ、特に電極の表面酸化を招く恐れがある。
In the above method, the surface of the bank is modified by
Since continuous processing of oxygen gas plasma and fluorine-based gas plasma is used, excessive plasma irradiation may cause damage to the substrate surface, particularly oxidation of the electrode surface.

【0024】また、プラズマ処理によってバンク上層の
6表面とバンク下層5の表面、およびバンクに囲まれた
領域4の表面のインクに対する親和性の順番を「バンク
で囲まれた領域>=バンク下層表面>バンク上層表面」
と調整しているが、バンク下層5、バンク上層6の材料
選択に制約が大きい。
The order of the affinity of the surfaces of the upper surface of the bank, the surface of the lower layer of the bank 5, and the surface of the region surrounded by the bank with respect to ink by the plasma treatment is set as "the region surrounded by the bank> = the lower surface of the bank". > Upper bank surface "
However, the selection of materials for the lower bank layer 5 and the upper bank layer 6 is largely restricted.

【0025】この制約が大きいとは、第1にバンク上層
6とバンク下層5の密着性に関する材料の制約、第2
に、バンク下層5およびバンク上層6のプラズマ処理に
よる表面自由エネルギー変化に関する材料の制約、第3
にプラズマ処理後の表面自由エネルギー変化の保持力に
関する材料の制約などが挙げられる。
The fact that this restriction is large means that firstly, the restriction on the material relating to the adhesion between the upper bank layer 6 and the lower bank layer 5,
In addition, material restrictions on surface free energy change due to plasma treatment of lower bank layer 5 and upper bank layer 6
There are also restrictions on materials regarding the holding power of surface free energy change after plasma treatment.

【0026】一方、プラズマ処理を用いない、転写を用
いた従来の表面処理技術として、マイクロコンタクトプ
リンティング(μCP)技術を挙げることができ、Ang
ew.Chem.,Int.Ed.Engl.37、N
o.18 1998の550ページから示されている方
法や、J.Phys.Lett.B 102、No.1
8 1998の3324ページから示されている方法の
ように、スタンプ(原板)のパターン形状を基板に転写
する表面処理技術が報告されている。
On the other hand, as a conventional surface treatment technique using transfer without using plasma treatment, a micro contact printing (μCP) technique can be mentioned.
ew. Chem. , Int. Ed. Engl. 37, N
o. 18 pp. 550, 1998; Phys. Lett. B 102, No. 1
8 A surface treatment technique for transferring the pattern shape of a stamp (original plate) to a substrate has been reported, as in the method described on page 3324 of 1998.

【0027】このような方法は、平坦な基板の表面処理
を目的としているために、表面処理剤を含むインク組成
物のパターンをスタンプの凹凸形状に対応して平坦な基
板へ転写する方法であることから、今回我々が発明した
凹凸のある基板の表面処理とは異なっている。
Such a method is intended to transfer a pattern of an ink composition containing a surface treating agent onto a flat substrate corresponding to the irregular shape of the stamp, since the purpose is to treat the surface of the flat substrate. Therefore, this is different from the surface treatment of the substrate with irregularities that we invented this time.

【0028】本発明はこのような状況下で、成し遂げら
れたものである。
The present invention has been accomplished under such circumstances.

【0029】本発明の目的は、従来の手法で保証されて
いたインクがバンクを超えて流れ出るという事態を防止
するためのバンクとしての機能を損なわず、前述した従
来の手法にける工程数の増加、プラズマ処理工程を経る
ことによるダメージの懸念、バンクを形成するための材
質に対する制約などの問題を解決し、簡便かつ適切な濡
れ性の制御を目的とした基板の表面処理方法、およびこ
の表面処理方法を利用して平坦且つ均一厚みの色むらな
どの無い安定した特性の薄膜を高精度かつ微細に形成す
る方法、並びにこの薄膜を備えた歩留まりの良い有機半
導体素子の製造方法を提供することである。
An object of the present invention is to increase the number of steps in the above-described conventional method without impairing the function as a bank for preventing the situation where ink guaranteed to flow by the conventional method flows out of the bank. And a substrate surface treatment method for the purpose of simply and appropriately controlling wettability by solving problems such as concern about damage due to a plasma treatment process and restrictions on materials for forming a bank, and this surface treatment By providing a method for forming a thin film having stable characteristics without flatness and uniform thickness with high accuracy and fineness by utilizing the method, and a method for producing an organic semiconductor device having a good yield with the thin film. is there.

【0030】[0030]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記
(1)〜(7)の有機EL素子の製造方法が提供され
る。
According to the present invention, there are provided the following methods (1) to (7) for manufacturing an organic EL device.

【0031】(1)所定の高さのバンクおよび前記バン
クに区切られた被塗布領域が形成された基板に、正孔注
入層と発光層を、陽極および陰極で挟持した構造の有機
EL素子の製造方法であって、前記基板に対して、撥イン
ク処理を施すための表面処理剤を吸収または表面に付着
させた原板を接触させることにより、前記表面処理剤の
一部を転写し、前記バンクの表面の一部に対して撥イン
ク性を付与する工程と、前記工程により撥インク性を付
与されなかった領域に対して正孔注入層と発光層を形成
するため材料を含むインク組成物を塗布する工程と、を
有することを特徴とする。
(1) An organic layer having a structure in which a hole injection layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode on a substrate having a bank of a predetermined height and a coating area divided by the bank.
A method for manufacturing an EL element, wherein a part of the surface treatment agent is transferred by contacting an original plate that has absorbed or adhered a surface treatment agent for performing an ink repellent treatment to the substrate. A step of imparting ink repellency to a part of the surface of the bank; and an ink including a material for forming a hole injection layer and a light emitting layer in a region not imparted with ink repellency by the step. And a step of applying the composition.

【0032】本発明においては、バンクの表面の一部に
撥インク性を付与するための原板は、表面処理剤を吸収
または表面に付着させており、薄膜パターニング基板の
バンク表面の一部に接触することによって原板からバン
ク表面の一部に転写される。
In the present invention, the original plate for imparting ink repellency to a part of the surface of the bank has a surface treating agent absorbed or adhered to the surface, and is in contact with a part of the bank surface of the thin film patterning substrate. Thus, the original is transferred to a part of the bank surface.

【0033】転写された表面処理剤の効果によりバンク
表面の撥インク性が高まり、この撥インク性は半永久的
に保持される。転写を用いた表面処理はプロセスによる
ダメージが少なく、基板に対する処理を一括して行うこ
とができるためプラズマ処理が不要となり、そのために
バンクの材質に関する制約も軽減される。また、装置が
小型で作業時間も短時間で行うことができる。さらに、
表面処理剤を吸収した原板は再利用することができるた
め、コスト的にも有利である。かかる方法により、簡便
な方法で、短時間に、低コストで、プラズマ連続処理に
よる従来の撥インク性処理方法にくらべて、はるかに多
種のバンク材料を用いて撥インク性を有する薄膜パター
ニング基板を形成することができる。つまり、本発明は
バンクに撥インク性を付与する処理として適している。
The ink repellency of the bank surface is enhanced by the effect of the transferred surface treating agent, and the ink repellency is maintained semipermanently. In the surface treatment using transfer, the damage due to the process is small, and the treatment for the substrate can be performed collectively, so that the plasma treatment is not required, and the restriction on the material of the bank is also reduced. In addition, the device is small and the work time can be shortened. further,
Since the original plate that has absorbed the surface treatment agent can be reused, it is advantageous in terms of cost. According to such a method, a thin film patterning substrate having ink repellency using a much wider variety of bank materials than conventional ink repellency treatment methods by plasma continuous processing in a simple method, in a short time, at low cost, is used. Can be formed. That is, the present invention is suitable as a process for imparting ink repellency to a bank.

【0034】なお、本発明において表面処理剤を転写す
るための原板は平坦であっても、バンクの形状に対して
合わせてパターン構造を有していてもよい。
In the present invention, the original plate for transferring the surface treating agent may be flat or may have a pattern structure corresponding to the shape of the bank.

【0035】(2)バンクに区切られた被塗布領域が親
インク性を有し、接触角が30°以下であることを特徴
とする(1)の有機EL素子の製造方法。本発明の当該
(2)条件により、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無
い安定した特性の薄膜層を形成することができる。
(2) The method for manufacturing an organic EL device according to (1), wherein the area to be coated divided into banks has ink affinity and the contact angle is 30 ° or less. According to the condition (2) of the present invention, it is possible to form a thin film layer having stable characteristics without flatness and uniform thickness and color unevenness.

【0036】インクが基板に対して供給された場合、イ
ンクは流動体であるため親和力の高い領域により高い確
率でとどまる。したがって、本発明では被塗布領域はイ
ンクに対して親和性が高く、インク液滴が接触角30°
以下を示すような条件で材料を設定する。材質の設定
は、流動体であるインクに対する親和性はインクが極性
の高い流動体であれば、極性の高い表面自由エネルギー
をもつ材質を、インクが極性の低い流動体であれば極性
の低い部材で被塗布領域に形成することにより条件設定
される。しかしながら、通常画素電極を含むので、極性
溶媒を極性の高い被塗布領域に供給する。
When the ink is supplied to the substrate, the ink stays in a region having a high affinity with a high probability because the ink is a fluid. Therefore, in the present invention, the applied area has a high affinity for the ink, and the ink droplet has a contact angle of 30 °.
The materials are set under the following conditions. The material is set to a material having a high polarity surface free energy if the ink is a highly polar fluid, and a material having a low polarity if the ink is a low polarity fluid. The condition is set by forming in the region to be coated. However, since it usually includes a pixel electrode, a polar solvent is supplied to a coating region having a high polarity.

【0037】(3)バンクを形成する材料のインクに対
する接触角が20°〜50°であることを特徴とする
(1)の有機EL素子の製造方法。
(3) The method for producing an organic EL device according to (1), wherein the contact angle of the material forming the bank with the ink is 20 ° to 50 °.

【0038】本発明当該(3)の条件により、被塗布領
域の裾部分、即ち、インクがバンクと接する部分で十分
な膜厚が得られるため、EL素子の周辺部におけるショ
ートを防ぐことによる信頼性の向上につながる。
According to the condition (3) of the present invention, a sufficient film thickness can be obtained at the bottom of the coating region, that is, at the portion where the ink is in contact with the bank. It leads to improvement of sex.

【0039】条件(2)で前述したように、インクは被
塗布領域に滞在し、その後乾燥することにより薄膜層を
形成するが、EL素子のショートを防ぐために、バンクを
形成する部材はインクをはじきすぎないように、インク
に対して20~50°の接触角を示すような材料に条件
設定する。
As described above in the condition (2), the ink stays in the area to be coated and then is dried to form a thin film layer. In order to prevent a short circuit of the EL element, the member forming the bank is made of the ink. The material is set to have a contact angle of 20 to 50 ° with respect to the ink so as not to repel too much.

【0040】(4)前記撥インク性を付与する工程によ
り、前記バンクの上面の撥インク性が接触角において5
0°以上であるようにしたことを特徴とする(1)の有
機EL素子の製造方法。
(4) By the step of imparting ink repellency, the ink repellency of the upper surface of the bank can be adjusted to 5 at the contact angle.
(1) The method for manufacturing an organic EL device according to (1), wherein the angle is 0 ° or more.

【0041】当該(4)の条件により、異なる発光層が
混合することなく、多色で且つ高精細の有機EL素子を
容易に得ることができる。
Under the condition (4), a multicolor and high-definition organic EL device can be easily obtained without mixing different light emitting layers.

【0042】(5)バンク表面の少なくともバンク上面
に対して撥インク性を付与する工程において、バンクの
少なくとも表面の一部が有機物あるいは無機物の酸化物
の層で形成され、バンク表面に転写される前記撥インク
処理剤がフッ素系のシランカップリング剤であることを
特徴とする(1)の有機EL素子の製造方法。
(5) In the step of imparting ink repellency to at least the upper surface of the bank surface, at least a part of the surface of the bank is formed of an organic or inorganic oxide layer and transferred to the bank surface. (1) The method for manufacturing an organic EL device according to (1), wherein the ink repellent agent is a fluorine-based silane coupling agent.

【0043】当該(5)の方法により、バンク表面の少
なくともバンク上面の一部において所望の撥インク性を
もった領域を形成することができる。
According to the method (5), a region having desired ink repellency can be formed on at least a part of the upper surface of the bank surface.

【0044】(6)インク組成物を塗布する工程が、デ
ィップ法またはスピンコート法であることを特徴とする
(1)の有機EL素子の製造方法。当該(6)の方法に
より、簡便にインクを被塗布領域に対して塗布すること
ができる。
(6) The method for producing an organic EL device according to (1), wherein the step of applying the ink composition is a dipping method or a spin coating method. According to the method (6), the ink can be easily applied to the application area.

【0045】(7)請求項1記載のインク組成物を塗布
する工程が、インクジェット法であることを特徴とする
有機EL素子の製造方法。
(7) A method for producing an organic EL device, wherein the step of applying the ink composition according to claim 1 is an ink-jet method.

【0046】当該(7)の方法により、複数の画素を有
する素子を形成する場合に、簡便にインクを被塗布領域
に対して塗布することができる。本発明によれば、上記
の方法により得られた、高性能のEL素子が提供される
In the case of forming an element having a plurality of pixels by the method (7), the ink can be easily applied to the application area. According to the present invention, a high-performance EL device obtained by the above method is provided.

【0047】[0047]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

【0048】インクジェット方式による有機EL素子の
製造方法とは、素子を構成する正孔注入/輸送材料なら
びに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成
物を、インクジェットヘッドから吐出させて透明電極基
板上にパターニング塗布し、正孔注入/輸送層ならびに
発光材層をパターン形成する方法である。
The method of manufacturing an organic EL device by an ink-jet method means that an ink composition obtained by dissolving or dispersing a hole injecting / transporting material and a luminescent material constituting a device in a solvent is discharged from an ink-jet head to a transparent electrode substrate. In this method, a hole injection / transport layer and a light-emitting material layer are formed by patterning.

【0049】図1(A)はインクジェット方式による有
機EL素子の製造に用いられる基板の断面図を示したも
のである。透明なガラス基板10あるいはTFT付きの
基板上に、例えば、ITO等の透明画素電極12がパタ
ーンニングされ、画素を隔てる領域に、例えば、SiO
からなるバンク15を設けた構造である。バンク15
の形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、スト
ライプいずれの形状でも構わないが、インク組成物には
表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びている
ほうが好ましい。バンクによって囲まれた領域(以降、
被塗布領域20と称する)に対してインクジェット法に
よりEL材料が成膜される。
FIG. 1A is a sectional view of a substrate used for manufacturing an organic EL device by an ink-jet method. A transparent pixel electrode 12 made of, for example, ITO is patterned on a transparent glass substrate 10 or a substrate provided with a TFT.
This is a structure in which two banks 15 are provided. Bank 15
May be any of a circular shape, an elliptical shape, a square shape, and a stripe shape. However, since the ink composition has a surface tension, it is preferable that the square corners are rounded. The area surrounded by the banks (hereinafter
An EL material is formed on the application region 20 by an inkjet method.

【0050】図1(B)と(C)はバンク15表面を撥イ
ンク性に処理するための表面処理剤40の転写工程を示
したものである。原板30は基板10を撥インク処理す
るために、少なくとも表面の一部に表面処理剤40が塗
布されている。原板30を基板表面に接触させることに
より、原板30の表面に塗布されていた表面処理剤40
のうちの接触部分のみが、基板の側に転写される。
FIGS. 1B and 1C show a step of transferring a surface treating agent 40 for treating the surface of the bank 15 with ink repellency. A surface treating agent 40 is applied to at least a part of the surface of the original plate 30 in order to treat the substrate 10 with an ink-repellent treatment. By bringing the original plate 30 into contact with the substrate surface, the surface treatment agent 40 applied to the surface of the original plate 30
Are transferred to the substrate side.

【0051】原板30の形状は特に限定されるものでは
無く、平面であっても、基板上のバンクの形状に対応し
た凹凸をもっていても構わないが、基板10とのアライ
メントをとる必要性が無いことから、プロセスの簡略化
のためには平面であることが好ましい。
The shape of the original plate 30 is not particularly limited. The original plate 30 may be flat or have irregularities corresponding to the shape of the bank on the substrate, but there is no necessity for alignment with the substrate 10. For this reason, it is preferable that the surface is flat for simplification of the process.

【0052】(表面処理剤)表面処理剤40としては、
例えば、分子の末端官能基が基板構成原子に選択的に化
学的吸着することを特徴とする自己組織化化合物のシラ
ンカップリング剤(有機ケイ素化合物)を使用すること
ができる。ここで、シランカップリング剤とは、R2nS
iX4-n(nは自然数、R2はH、アルキル基等の置換可
能な炭化水素基)で表される化合物であり、Xは−OR
3、−COOH、−OOCR3、−NH3-nR3n、−OC
N、ハロゲン等である(R3はアルキル基等の置換可能
な炭化水素基)。
(Surface Treatment Agent) As the surface treatment agent 40,
For example, a silane coupling agent (organosilicon compound) of a self-assembled compound characterized in that a terminal functional group of a molecule is selectively chemically adsorbed to a constituent atom of a substrate can be used. Here, the silane coupling agent is R2nS
iX4-n (n is a natural number, R2 is H, a substitutable hydrocarbon group such as an alkyl group), and X is -OR
3, -COOH, -OOCR3, -NH3-nR3n, -OC
N, halogen and the like (R3 is a substitutable hydrocarbon group such as an alkyl group).

【0053】シランカップリング剤は基板表面における
水酸基に対して化学的に吸着することを特徴とするた
め、金属や絶縁体などの幅広い材料の酸化物表面に反応
性を示すため、表面処理剤40として好適に用いること
ができる。これらシランカップリング剤の中で、特にR
1やR3がCnF2n+1CmH2m(n、mは自然数)であるよ
うなフッ素原子を有する化合物によって修飾された固体
表面の表面自由エネルギーは20mJ/mよりも低く
なり、極性を持った材料との親和性が小さくなるため、
好適に用いられる。
The silane coupling agent is characterized in that it is chemically adsorbed to hydroxyl groups on the substrate surface, and is reactive to oxide surfaces of a wide range of materials such as metals and insulators. Can be suitably used. Among these silane coupling agents, in particular, R
1 and R3 is CnF2n + 1CmH2m (n, m are natural numbers) becomes the surface free energy of the modified solid surface by a compound having a fluorine atom such as a is lower than 20 mJ / m 2, of a material having a polarity Because affinity becomes small,
It is preferably used.

【0054】転写された表面処理剤40の膜はバンクの
サイズに影響を与えないように、厚みは10nm以下が好
ましく、より好ましくは5nm以下の膜厚である。
The thickness of the transferred surface treatment agent 40 is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less, so as not to affect the size of the bank.

【0055】(原板形成工程)原板30としては、基板
10との密着性を高めるために弾性体を用いるのが好ま
しい。例えば、前述したシランカップリング剤などを表
面処理剤40として用いる場合には、同じくシラン化合
物であるポリジメチルシロキサン(PDMS)系の弾性体を
挙げることができる。この高分子の構造式はSi(CH33
−O−(Si(CH32O)n−Si(CH33で表される。nは正
の整数。この材料を用いることによって成型された弾性
体の表面に、表面処理剤40を吸収または付着させるこ
とができる。
(Original Plate Forming Step) As the original plate 30, it is preferable to use an elastic body in order to enhance the adhesion to the substrate 10. For example, when the above-mentioned silane coupling agent or the like is used as the surface treatment agent 40, an elastic material of polydimethylsiloxane (PDMS), which is also a silane compound, can be used. The structural formula of this polymer is Si (CH 3 ) 3
—O— (Si (CH 3 ) 2 O) n —Si (CH 3 ) 3 . n is a positive integer. By using this material, the surface treatment agent 40 can be absorbed or adhered to the surface of the molded elastic body.

【0056】例えば、液体材料を反応させ弾性体を成型
する場合の反応は、縮合型あるいは付加型いずれによっ
てもよいが、0.5%程度の線収縮率を示す縮合型は高
分子が反応する過程にガスを発生することから、線収縮
率0.1%程度の付加型反応機構による弾性体材料を使
用することが、パターンの精度上より好ましい。
For example, the reaction for forming an elastic body by reacting a liquid material may be either a condensation type or an addition type. In the condensation type having a linear shrinkage of about 0.5%, a polymer reacts. Since gas is generated in the process, it is more preferable to use an elastic material with an additional reaction mechanism having a linear shrinkage of about 0.1% in terms of pattern accuracy.

【0057】図1(B)に示すように、表面処理剤40
を原板30に吸収または付着させる手法としてスピンコ
ート、ディッピング法などを用いることができ、その場
合の表面処理剤40は液体または溶媒に溶かした材料を
使用する。
As shown in FIG. 1B, the surface treating agent 40
As a method of absorbing or adhering to the original plate 30, spin coating, dipping, or the like can be used. In this case, the surface treatment agent 40 uses a material dissolved in a liquid or a solvent.

【0058】(表面処理剤の転写)図1(C)に示すよ
うに、表面処理剤40を塗布した原板30を基板10に
対して接触させることにより、表面処理剤40を転写す
る。基板表面にバンク15による凹凸が形成されている
ため、バンク15の上面に対して表面処理剤40が転写
される。
(Transfer of Surface Treatment Agent) As shown in FIG. 1C, the surface treatment agent 40 is transferred by bringing the original plate 30 coated with the surface treatment agent 40 into contact with the substrate 10. Since the unevenness due to the bank 15 is formed on the substrate surface, the surface treatment agent 40 is transferred to the upper surface of the bank 15.

【0059】バンク表面の撥インク性を高めるために、
転写の工程の後に、表面処理剤40を基板10に対して
固定するための工程、具体的には加熱処理や反応性の蒸
気にさらすなどの処理を用いることも好ましい。例え
ば、シランカップリング剤の場合、基板を高温に加熱す
る、あるいは室温で高湿度の環境下にさらすことにより
反応が進行する。
In order to improve the ink repellency of the bank surface,
After the transfer step, it is also preferable to use a step for fixing the surface treatment agent 40 to the substrate 10, specifically, a treatment such as a heat treatment or exposure to a reactive vapor. For example, in the case of a silane coupling agent, the reaction proceeds by heating the substrate to a high temperature or exposing the substrate to an environment of high humidity at room temperature.

【0060】本発明においては、表面修飾剤40により
撥インク処理されたバンクの上面の少なくとも一部(以
下、修飾領域50と呼ぶ)が、それ以外の非修飾領域5
5に比べてインクに対する親和性の程度がより低くなる
ように、バンク15および被塗布領域20の基板材料を
組み合わせるか、表面処理を施しておくことが好まし
い。このような表面修飾剤40による処理により、イン
クの修飾領域50に対する接触角を50°以上とし、ま
た、EL素子の色むらやをショート防ぐために、被塗布
領域20のインクに対する接触角を30°以下とするこ
とが好ましい。このようにすることにより、薄膜層の厚
さに比べて多量のインクを吐出しても、インクがバンク
を乗り越えて溢れでることもなく、所定の領域のみイン
クが充填される。また、インクがバンクの側壁に適度に
引っ張られることにより薄膜層の厚みが制御しやすくな
ることからバンク材質のインクに対する接触角を20〜
50°とすることが好ましく、これにより薄膜層の色む
らやショートを防ぐことができる。
In the present invention, at least a part of the upper surface of the bank (hereinafter referred to as the modified region 50) which has been subjected to the ink-repellent treatment by the surface modifying agent 40 is formed in the other unmodified region 5.
It is preferable to combine the substrate materials of the bank 15 and the coating target area 20 or to perform a surface treatment so that the degree of affinity for ink is lower than that of No. 5. By the treatment with the surface modifier 40, the contact angle of the ink to the modified region 50 is set to 50 ° or more, and the contact angle of the applied region 20 to the ink is set to 30 ° in order to prevent short-circuiting of the color unevenness of the EL element. It is preferable to set the following. By doing so, even if a large amount of ink is ejected compared to the thickness of the thin film layer, the ink does not overflow over the bank and is filled only in a predetermined area. In addition, since the thickness of the thin film layer is easily controlled by the ink being appropriately pulled on the side wall of the bank, the contact angle of the bank material to the ink is set to 20 to
The angle is preferably set to 50 °, whereby color unevenness and short circuit of the thin film layer can be prevented.

【0061】図1(D)〜図2(F)において、インク
ジェット方式による正孔注入/輸送層75+発光層85
の積層構造を形成する工程を示す。
Referring to FIGS. 1D and 2F, a hole injection / transport layer 75 + a light emitting layer 85 by an ink-jet method.
Is shown.

【0062】図1(D)および(E)において、正孔注
入/輸送材料を含むインク組成物70をインクジェット
ヘッド60から吐出し、パターン塗布する。塗布後、溶
媒除去および/または熱処理、あるいは窒素ガスなどの
フローにより正孔注入/輸送層75を形成する。
In FIGS. 1D and 1E, an ink composition 70 containing a hole injecting / transporting material is ejected from an ink jet head 60 and pattern-coated. After the application, the hole injection / transport layer 75 is formed by solvent removal and / or heat treatment, or by a flow of nitrogen gas or the like.

【0063】図2(F)および(G)に示すように、続
いて発光材料を含むインク組成物80を正孔注入/輸送
層上に塗布し、溶媒除去および/または熱処理あるいは
窒素ガスなどのフローにより発光層85を形成する。
As shown in FIGS. 2F and 2G, an ink composition 80 containing a luminescent material is subsequently applied on the hole injecting / transporting layer, and the solvent is removed and / or heat-treated, or a gas such as nitrogen gas is applied. The light emitting layer 85 is formed by the flow.

【0064】図2(H)に示すように、Ca、Mg、A
g、Al、Li等の金属を用い、蒸着法およびスパッタ
法等により陰極90を形成する。さらに素子の保護を考
え、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等により
封止層95を形成し、素子が出来上がる。
As shown in FIG. 2H, Ca, Mg, A
The cathode 90 is formed using a metal such as g, Al, or Li by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. Further, in consideration of protection of the element, a sealing layer 95 is formed of epoxy resin, acrylic resin, liquid glass, or the like, and the element is completed.

【0065】以下、実施例を参照して本発明を更に、具
体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるもので
はない。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0066】(実施例1)図3に本実施例に用いた原板
と基板を示す。
Example 1 FIG. 3 shows an original plate and a substrate used in this example.

【0067】ITOの透明電極112がパターニングさ
れたガラス基板110上にフォトリソグラフィーにより
SiO層をエッチングしてバンク115を形成したも
のである。バンク径(SiOの開口径)は28μm、
高さが2μmである。バンクの開口は44μmである。
これらの画素が70.5μmピッチで連続的に配置され
ている基板である。
A bank 115 is formed by etching a SiO 2 layer by photolithography on a glass substrate 110 on which an ITO transparent electrode 112 has been patterned. The bank diameter (opening diameter of SiO 2 ) is 28 μm,
The height is 2 μm. The opening of the bank is 44 μm.
This is a substrate on which these pixels are continuously arranged at a pitch of 70.5 μm.

【0068】バンクを構成するSiO2層は水に対して50
〜60°の接触角を示す。
The SiO 2 layer constituting the bank is 50
Shows a contact angle of 6060 °.

【0069】原板130の材料としてはポリジメチルシ
ロキサン(PDMS)を用いて、付加型の反応機構によ
り硬化する樹脂材料と硬化剤を混合することにより、室
温24時間放置によりパターンの無い平坦な原板130
を形成した。パターンが無い平坦な原板を形成するため
の母型は平坦な面をもつものであればなんでも良く、特
に限定されない。
As a material of the original plate 130, polydimethylsiloxane (PDMS) is used, and a resin material that is cured by an addition-type reaction mechanism and a curing agent are mixed to leave a flat original plate 130 having no pattern at room temperature for 24 hours.
Was formed. The matrix for forming a flat original plate having no pattern is not particularly limited as long as it has a flat surface.

【0070】原板130の上に、表面処理剤140とし
てシランカップリング剤のオクタデシルトリクロロシラ
ン(OTS)の溶液を塗布した。OTSは水と反応する
ため、ヘキサン溶媒に希釈し10mMの溶媒とし、スピナ
ーにより3000rpm30秒の回転により原板130に
表面処理剤140を塗布した。
A solution of a silane coupling agent octadecyltrichlorosilane (OTS) was applied as a surface treatment agent 140 on the original plate 130. Since the OTS reacts with water, it was diluted with a hexane solvent to obtain a 10 mM solvent, and the surface treatment agent 140 was applied to the original plate 130 by a spinner rotating at 3000 rpm for 30 seconds.

【0071】表面処理剤を塗布したPDMSの原板をガ
ラス基板に密着させることによりガラス基板上のバンク
上面に対してのみ表面処理剤であるOTSの薄膜が形成
された。転写されたOTSにより表面が撥インク性に処
理されたバンク表面は水に対し90°以上の高い接触角
を示す。
By bringing the original plate of PDMS coated with the surface treating agent into close contact with the glass substrate, a thin film of OTS as the surface treating agent was formed only on the upper surface of the bank on the glass substrate. The surface of the bank whose surface has been treated to have ink repellency by the transferred OTS shows a high contact angle of 90 ° or more with water.

【0072】表面処理剤としてのOTSを基板表面に反
応させるために、110℃に加熱したオーブンで10分
間加熱処理した。
In order to cause OTS as a surface treating agent to react with the substrate surface, a heat treatment was performed for 10 minutes in an oven heated to 110 ° C.

【0073】正孔注入/輸送層用インク組成物として表
1に示したものを調製した。
The ink compositions shown in Table 1 were prepared as ink compositions for the hole injection / transport layer.

【0074】[0074]

【表1】 基板の表面処理後、表1に示した正孔注入/輸送層用の
インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド
(エプソン社製MJ−930C)から15pl吐出しパ
ターン塗布。真空中(1torr)、室温、20分とい
う条件で溶媒を除去した。続けて、同じ正孔注入/輸送
層用インク組成物を15pl吐出しパターン塗布した。
真空中(1torr)、室温、20分という条件で溶媒
を除去し、大気中、200℃(ホットプレート上)、1
0分の熱処理により正孔注入/輸送を形成した。これに
より、膜厚50nmの平坦な正孔注入/輸送層を得た。
[Table 1] After the surface treatment of the substrate, 15 pl of the ink composition for the hole injection / transport layer shown in Table 1 was ejected from the head (MJ-930C manufactured by Epson Corporation) of the ink jet printing apparatus, and pattern coating was performed. The solvent was removed under vacuum (1 torr) at room temperature for 20 minutes. Subsequently, the same ink composition for a hole injecting / transporting layer was ejected in an amount of 15 pl to apply a pattern.
The solvent was removed under vacuum (1 torr) at room temperature for 20 minutes.
Hole injection / transport was formed by heat treatment for 0 minutes. As a result, a flat hole injection / transport layer having a thickness of 50 nm was obtained.

【0075】発光層用インク組成物として、表2および
表3に示したものを調製した。
The compositions shown in Tables 2 and 3 were prepared as ink compositions for the light emitting layer.

【0076】[0076]

【表2】 [Table 2]

【0077】[0077]

【表3】 表2に示した1%(wt/vol)濃度の発光層用イン
ク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド(エプ
ソン社製MJ−930C)から、Nガスをフローしな
がら20pl吐出しパターン製膜した。
[Table 3] 1% are shown in Table 2 from the head of (wt / vol) concentration ink jet printing apparatus a light emitting layer ink composition (Epson MJ-930C), and 20pl ejected pattern casting while flowing the N 2 gas .

【0078】次に、表3に示した1%(wt/vol)
濃度の発光層用インク組成物を、N ガスをフローしな
がら70.5μm離れた隣の画素に20plパターン塗
布した。これらにより、青色および緑色発光層を得た。
緑色発光層(表2の吐出製膜物)の蛍光スペクトルを図
4に示す。
Next, 1% (wt / vol) shown in Table 3
Concentration of the light-emitting layer ink composition, 2Do not let the gas flow
Apply 20pl pattern to the next pixel 70.5μm away
Clothed. As a result, blue and green light emitting layers were obtained.
Fig. 5 shows the fluorescence spectrum of the green light-emitting layer (ejected film product in Table 2)
It is shown in FIG.

【0079】陰極として、Caを蒸着で20nm、Al
をスパッタで200nmで形成し、最後にエポキシ樹脂
により封止を行った。
As a cathode, 20 nm of Ca was deposited by evaporation, and
Was formed to a thickness of 200 nm by sputtering, and finally sealed with an epoxy resin.

【0080】選られた素子は蛍光スペクトルに示した通
り均一な緑色発光を示した。
The selected device showed uniform green emission as shown in the fluorescence spectrum.

【0081】(変形例1)本発明に用いられる原板は平
坦であることが望ましいが、バンクの形状によって原板
に凹凸を形成することにより表面処理を行う領域を調整
することが可能である。
(Modification 1) It is desirable that the original plate used in the present invention be flat. However, it is possible to adjust the area for surface treatment by forming irregularities on the original plate depending on the shape of the bank.

【0082】図5に示すように、原板210の表面に凹
凸を設けて、バンクの上面のサイズより小さな領域に対
応する部分を凸部とするように原板を成型することもで
きる。この表面処理剤240が塗布された原板230を
バンク上面の一部の修飾領域250に整合させて密着さ
せることにより、修飾領域250だけを撥インク性に表
面処理することができる。この原板を用いた場合、上面
の周辺部分の撥インク性が高くないのでインクが周辺部
分ではじかれることによって薄膜層の周辺部分が薄くな
ることが回避でき、結果として有機EL素子の信頼性が
向上する。
As shown in FIG. 5, it is also possible to form irregularities on the surface of the original plate 210 so that a portion corresponding to an area smaller than the size of the upper surface of the bank is formed as a convex portion. The original plate 230 coated with the surface treating agent 240 is aligned with and adhered to a part of the modified region 250 on the upper surface of the bank, so that only the modified region 250 can be surface-treated with ink repellency. When this original plate is used, since the ink repellency of the peripheral portion of the upper surface is not high, it is possible to avoid the thinning of the peripheral portion of the thin film layer due to the ink being repelled in the peripheral portion, and as a result, the reliability of the organic EL element is reduced. improves.

【0083】(変形例2)図6に示すように、バンクの
部分を凹部とした形状の凹凸を有する原板330を用意
することによって、バンクの上面とさらに側壁の一部を
含む修飾領域350を撥インク性に表面処理することが
できる。前記修飾領域350で囲まれた非修飾領域35
5に対してインクが供給される。このとき、側面の表面
処理される深さは、原板の凹凸の深さによって調節され
る。
(Modification 2) As shown in FIG. 6, by preparing an original plate 330 having concaves and convexes in which the bank portion is a concave portion, the modified region 350 including the upper surface of the bank and a part of the side wall is further formed. Surface treatment can be performed to make the ink repellent. Unmodified region 35 surrounded by the modified region 350
5 is supplied with ink. At this time, the depth of the surface treatment of the side surface is adjusted by the depth of the unevenness of the original plate.

【0084】このような原板330を用いて表面処理さ
れた基板310はバンク側面の途中まで高い撥インク特
性を有しているためインクが画素の外側に流れ出す可能
性が低くなる。
The substrate 310 surface-treated using such an original plate 330 has a high ink repellent property halfway along the bank side surface, so that the possibility of ink flowing out of the pixel is reduced.

【0085】以上のように、本実施例によれば、表面修
飾剤を塗布した原板を基板の凹凸に対して転写すること
により、基板表面のバンクの上面の一部を撥インク性に
処理することができる。これにより、プラズマ処理を行
うことなく、基板の表面の親インク性を保持したまま
で、少なくともバンク上面の一部に半永久的な撥インク
性を付与することができる。
As described above, according to this embodiment, a part of the upper surface of the bank on the substrate surface is treated to be ink-repellent by transferring the original plate coated with the surface modifier to the unevenness of the substrate. be able to. Thus, semi-permanent ink repellency can be imparted to at least a part of the upper surface of the bank without performing the plasma processing, while maintaining the ink affinity of the surface of the substrate.

【0086】続けてインクジェット法でEL材料を供給
しEL素子を形成することで、簡便な方法で、短時間
に、低コストで、EL素子を形成することが可能とな
る。
Subsequently, by supplying an EL material by an ink-jet method to form an EL element, an EL element can be formed by a simple method in a short time and at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に関わる有機EL素子の製造工程を示す
図。
FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process of an organic EL device according to the present invention.

【図2】本発明に関わる有機EL素子の製造工程を示す
図。
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the organic EL element according to the present invention.

【図3】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板およ
び原板。
FIG. 3 shows a substrate and an original plate used in a surface treatment step according to the present invention.

【図4】本発明に関わるインクジェット法で製膜された
薄膜の蛍光スペクトル。
FIG. 4 is a fluorescence spectrum of a thin film formed by an inkjet method according to the present invention.

【図5】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板およ
び原板の変形例1。
FIG. 5 is a first modification of the substrate and the original plate used in the surface treatment step according to the present invention.

【図6】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板およ
び原板の変形例2。
FIG. 6 is a second modified example of the substrate and the original plate used in the surface treatment step according to the present invention.

【図7】従来の方法による有機EL素子の製造工程を示
す断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.透明基板 2.画素電極 3.バンク形成面 4.バンクに囲まれた領域 5.バンク下層 6.バンク上層 7.薄膜材料液 8.薄膜層 10.基板 12.透明画素電極 15.バンク 20.塗布領域 30.原板 40.表面処理剤 50.修飾領域 55.非修飾領域 60.インクジェットヘッド 70.正孔注入/輸送層を含むインク組成物 75.正孔注入/輸送層 80.発光層を含むインク組成物 85.発光層 90.陰極 95.封止層 110.ガラス基板 112.ITO透明電極 115.バンク 130.原板 140.表面処理剤 210.基板 212.透明電極 215.バンク 230.原板 240.表面修飾剤 250.修飾領域 255.非修飾領域 310.基板 312.透明電極 315.バンク 330.原板 340.表面修飾剤 350.修飾領域 355.非修飾領域 1. Transparent substrate 2. 2. Pixel electrode 3. Bank formation surface 4. Area surrounded by banks Bank lower layer 6. Upper bank 7. 7. Thin film material liquid Thin film layer 10. Substrate 12. Transparent pixel electrode 15. Bank 20. Application area 30. Original plate 40. Surface treatment agent 50. Modified region 55. Unmodified region Inkjet head 70. 75. Ink composition containing hole injection / transport layer Hole injection / transport layer 80. 85. Ink composition containing light emitting layer Light emitting layer 90. Cathode 95. Sealing layer 110. Glass substrate 112. ITO transparent electrode 115. Bank 130. Original plate 140. Surface treatment agent 210. Substrate 212. Transparent electrode 215. Bank 230. Original plate 240. Surface modifier 250. Modified region 255. Unmodified region 310. Substrate 312. Transparent electrode 315. Bank 330. Original plate 340. Surface modifier 350. Modified area 355. Unmodified area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB04 AB11 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3K007 AB04 AB11 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定の高さのバンクおよび前記バンクに区
切られた被塗布領域が形成された基板に、正孔注入層と
発光層を、陽極および陰極で挟持した構造の有機EL素子
の製造方法であって、前記基板に対して、撥インク処理
を施すための表面処理剤を吸収または表面に付着させた
原板を接触させることにより、前記表面処理剤の一部を
転写し、前記バンクの表面の一部に対して撥インク性を
付与する工程と、前記工程により撥インク性を付与され
なかった領域に対して正孔注入層と発光層を形成するた
め材料を含むインク組成物を塗布する工程と、を有する
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
1. An organic EL device having a structure in which a hole injection layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode on a substrate on which a bank having a predetermined height and a region to be coated divided by the bank are formed. A method, wherein a part of the surface treatment agent is transferred to the substrate by contacting an original plate that has absorbed or adhered a surface treatment agent for performing an ink-repellent treatment on the substrate, thereby transferring the part of the bank. A step of imparting ink repellency to a part of the surface, and applying an ink composition containing a material for forming a hole injection layer and a light emitting layer to a region not imparted with ink repellency by the above step And a method for producing an organic EL device.
【請求項2】請求項1記載の有機EL素子の製造方法であ
って、前記バンクに区切られた被塗布領域が親インク性
を有し、接触角が30°以下であることを特徴とする有
機EL素子の製造方法。
2. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein the application area divided into said banks has an ink-philic property and a contact angle is 30 ° or less. A method for manufacturing an organic EL device.
【請求項3】請求項1記載の有機EL素子の製造方法であ
って、前記バンクの、バンクを形成する材料のインクに
対する接触角が20°〜50°であることを特徴とする
有機EL素子の製造方法。
3. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein a contact angle of the bank with respect to ink of a material forming the bank is 20 ° to 50 °. Manufacturing method.
【請求項4】請求項1記載の有機EL素子の製造方法であ
って、前記撥インク性を付与する工程により、前記バン
クの上面の撥インク性が接触角において50°以上であ
るようにしたことを特徴とする有機EL素子の製造方
法。
4. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein the step of imparting ink repellency causes the upper surface of the bank to have an ink repellency of 50 ° or more in contact angle. A method for manufacturing an organic EL device, comprising:
【請求項5】請求項1記載の有機EL素子の製造方法で
あって、 前記バンクの表面の一部が有機物あるいは無機物の酸化
物の層で形成され、バンク表面に転写される前記撥イン
ク処理剤がフッ素系シランカップリング剤であることを
特徴とする有機EL素子の製造方法。
5. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein a part of the surface of the bank is formed of an organic or inorganic oxide layer, and the ink repellent treatment is transferred to the bank surface. A method for producing an organic EL device, wherein the agent is a fluorine-based silane coupling agent.
【請求項6】請求項1記載の有機EL素子の製造方法に
おいて、 前記インク組成物を塗布する工程が、ディップ法または
スピンコート法であることを特徴とする有機EL素子の
製造方法。
6. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein the step of applying the ink composition is a dipping method or a spin coating method.
【請求項7】請求項1記載のインク組成物を塗布する工
程が、インクジェット法であることを特徴とする有機E
L素子の製造方法。
7. The method according to claim 1, wherein the step of applying the ink composition according to claim 1 is an inkjet method.
Manufacturing method of L element.
【請求項8】請求項1から請求項7記載のいずれか1項
記載の方法を用いて得られた有機EL素子。
8. An organic EL device obtained by using the method according to any one of claims 1 to 7.
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