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JP2002509364A - 小型電源 - Google Patents

小型電源

Info

Publication number
JP2002509364A
JP2002509364A JP2000539570A JP2000539570A JP2002509364A JP 2002509364 A JP2002509364 A JP 2002509364A JP 2000539570 A JP2000539570 A JP 2000539570A JP 2000539570 A JP2000539570 A JP 2000539570A JP 2002509364 A JP2002509364 A JP 2002509364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
capacitor
core
electronic module
transformer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000539570A
Other languages
English (en)
Inventor
ローレンス， アラン グッドマン，
アショック， エヌ． プラブー，
Original Assignee
サーノフ コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サーノフ コーポレイション filed Critical サーノフ コーポレイション
Publication of JP2002509364A publication Critical patent/JP2002509364A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 電源集積モジュール（１０）は、面（１４）を有する金属製基板（１２）とガラス又はセラミック等の、基板表面に取り付けられて結合されている誘電性材料を含む本体（１８）とを含む。本体は、共に結合された誘電性材料を含む複数の層（２０）から形成されている。誘電性材料と抵抗性材料とを含む領域（２２）を、本体の層（２０）の表面に被覆して、コンデンサ、抵抗器及びインダクタ等の受動電子素子（２８）を形成する。少なくとも一つの変圧器（２７）が、本体上又は本体内にある。変圧器と受動電子素子とは、本体（１８）の層上にある伝導相互接続（２４）と本体（１８）の層（２０）を貫通して延びる伝導性材料を含むバイアにより接続されて、電源集積回路を形成する。ダイオード及びトランジスタ等の能動電子素子についても、本体（１８）に取り付けて電源回路に電気的に接続することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型電源に関し、更に詳細には、サイズを相対的に小さくするため
に集積電子モジュールとして形成された電源に関する。
【０００２】
【発明の背景】
集積回路（ＩＣ）は、一般に、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ及び抵
抗器等の、各種の電子受動素子及び能動素子を形成する領域をその内部と上部に
有するシリコン等の、半導体材料を含む基板を備えている。電子素子が電気的に
接続されて、所望の回路が形成される。シリコン技術及び電子実装技術の急速な
進歩により、電子機器の単位体積当りの演算及び単一処理能力はこの十年間で急
速に向上した。今後十年以上に渡って、素子の小型化が同様の速いペースで続い
ていくと予想される。しかしながら、この傾向に対してある重大な予測が潜在的
にある。即ち、電子機器の作動に必要な電源の大きさや重量はもっと緩慢な速度
で小型化するということである。
【０００３】 電源の大きさや重量は、能動素子、つまり、電源内で利用される変圧器、イン
ダクタ及びコンデンサにより決定される率が非常に高い。変圧器は、ＡＣ電圧を
効率的に増減させるために使用されるが、インダクタ及びコンデンサは、ある電
圧から別の電圧へと効率的に変換するのに必要な、受動で、エネルギ損失の少な
い蓄電を供給する。今日まで、標準のシリコンＩＣの基板内に変圧器及びインダ
クタを形成して、満足の行くような電源を構成することは不可能であった。また
、このようなシリコン基板は、電源内に一般に蓄積される熱に十分に耐えられる
ものではない。従って、標準のシリコン技術を用いて、小型の集積回路内に電源
回路が形成されることはなかった。
【０００４】
【発明の概要】
電源を集積した電子モジュールには、面を有する熱伝導性材料が含まれている
。絶縁性材料を含む本体は、基板表面上にあって基板に結合されている。本体は
、共に結合された絶縁性材料の複数の層から形成されている。電気伝導性材料を
含む領域は、本体の層の表面上にあって、コンデンサと抵抗器とを形成している
。変圧器は、本体内又は本体上にあって、変圧器とコンデンサと抵抗器とは、集
積回路、ダイオード及びトランジスタと共に電気的に接続されて、電源回路を形
成している。
【０００５】
【詳細な説明】
始めに図１を参照する。本発明の電源集積モジュール１０の概略断面図を示す
。電源集積モジュール１０は、金属等の、比較的堅い、熱伝導性材料を含む基板
１２を備えている。基板１２は、対向する大きな面１４と１６とを有している。
セラミック又はガラス等の誘電性材料の本体１８がで基板１２の面１４上に、結
合されている。本体１８は、積層されて互いに結合された誘電性材料を含む複数
の層２０から形成されている。本体１８の種々の層２０の表面上には、伝導性材
料を含む領域２２がある。伝導性領域２２は、コンデンサ、インダクタ及び相互
接続を形成するのに役立つ。
【０００６】 代替の実施形態においては、誘電層２０は、異なる誘電率を有している。好ま
しくは、例えば、図１に示した中間の誘電層２０は、その上下の層よりも高い誘
電率を有している。関連する実施形態とは異なっていても、誘電層の誘電率が高
い材料の２０Ａを選択的に、伝導性材料２２の局所的な領域上に被覆して、例え
ば、中間の誘電層２０内部に存在させることができる。この技術により、以下に
説明される構造のコンデンサを作製するために必要な領域を最小限にする。
【０００７】 わずかに離間して配置された状態で、層２０の同一表面上にある二つの領域２
２により、コンデンサを形成することができ、又は、誘電層２０がコンデンサの
誘電体を形成する状態で、層２０の対向する表面上にある領域２２により、コン
デンサを形成することもできる。層２０の表面上にある所望のパス内に延びてい
る伝導性領域により、インダクタを形成することができ、又は、一以上の層２０
の部分を取り囲んでいるクローズドループにより、インダクタを形成することも
できる。コンデンサとインダクタとの間に延びている伝導性材料を含むストリッ
プにより相互接続を形成して、コンデンサとインダクタとを所望の回路に接続す
る。また、幾つかの層２０の表面上に、所望の抵抗性を有する材料を含む領域２
６を置いて、抵抗器を形成する。伝導性材料を含むバイア２４は、各種の層２０
を貫通して延びて、相互接続とコンデンサとインダクタと抵抗器とを所望の回路
に接続する。少なくとも一つの変圧器２７を、本体１８の層２０の少なくとも一
つの上部及び／又は内部に形成して、他の電子素子に電気的に接続する。所望の
場合には、コンデンサ、ダイオード、標準シリコンＩＣ等の各種形式の独立した
電子素子２８を、本体１８の上部表面上に取り付けることもでき、幾つかのバイ
ア２４及び相互接続材料により、本体内の別の素子に接続することもできる。本
体１８内部及び上部にある各種電子素子を封入するために、カバー３０を本体１
８の上部表面上に延ばし結合させる。リード線３２を本体１８の最上面に取り付
けて、外方向に突出させる。バイア２４の幾つか及び相互接続材料により、リー
ド線３２を本体内部に形成された回路に電気的に接続させる。本体１８内部又は
上部にある各種の電子素子と変圧器２７とを電気的に接続して、電源回路を形成
する。
【０００８】 まず、プラスチック等の媒体内にガラス又はセラミック等の誘電性材料の粒子
を混合することにより、本体１８を形成することができる。この混合物を表面上
に延ばして所望の大きさ、形状及び厚さの層を形成する。層を乾燥させて、誘電
性材料の未加工のテープを形成する。次に、開口部及びバイアホールを未加工の
テープ内に形成して、伝導性材料をバイアホール内に充填することができる。そ
して、各種の導電領域及びパターンを未加工のテープの層の表面上に被覆する。
上部に伝導性領域とパターンとを有する未加工のテープの層を積層して本体１８
を形成して、本体１８を基板１２上に載置する。次に、未加工のテープと基板と
のスタックを燃焼して、誘電性材料の粒子を溶融又は焼成して、粒子を共に基板
に結合する。冷却されると、これは基板１２上に固体１８を形成する。所望の場
合には、本体１８が完全に形成された後、バイアホールを伝導性材料で充填する
こともできる。
【０００９】 本体１８と、伝導性領域２２及びバイア２４等の各部分を基板１２の単一面１
２上に有する、図１の集積モジュール１０が示されている。しかしながら、別の
実施形態においては、集積モジュールが二面になるように、本体１０とその各部
分を、基板１２の面１６から延ばすこともできる。基板１２の対向する面上にあ
る各種の伝導性領域２２を、バイア２４を介して接続することができる。何れの
設計の必要にも適合できるように、様々な構成が可能である。例えば、抵抗器２
６をすべて基板１２の面１６等の一面に配置して、コンデンサをすべて面１４等
のもう一方の面に配置するように、モジュール１０を構成することができる。
【００１０】 図２を参照すると、本発明の集積モジュール１０に使用することができるイン
ダクタ５０が示されている。インダクタ５０は、インダクタがコアに沿ってらせ
ん状に巻かれている、フェライト等の磁性材料を含む長いコア５２を備えている
。インダクタ５０は、本体１８の層２０の少なくとも一つにある長い凹部５６内
に形成されている。図３に示されているように、金属等の伝導性材料を含む並行
離隔関係のストリップのセットが、凹部５６の表面を覆っている。ストリップの
セットは、誘電体２０等の絶縁性材料の層で覆われているか、又は、層内部の存
在することが好ましい。ストリップ５８は、凹部５６の縦軸に対して傾いていて
、凹部５６に隣接した層２０の表面上に延びている。次にコア５２を、凹部５６
内に形成して、ストリップ５８で覆う。コア５２は、凹部５６内に配置される磁
性材料を含む本体とするか、又は、凹部５６の表面で覆われて、更にストリップ
５８で覆われる磁性材料の厚い層とすることもできる。離間して配置された並行
に配置されたストリップ６０の第二のセットは、コア５２上に延びている。第二
のストリップ６０は、コア５２に沿って離間して配置されており、コア５２に対
して傾いている。そして、第一のストリップ５８に対して実質上０°の角度であ
る。ストリップ６０がコア５２と電気的に絶縁されるように、ストリップ６０は
、絶縁性材料で被覆されているか、又は、誘電層２０と共に存在することが好ま
しい。ストリップ５８と６０とがコア５２をらせん状に取り巻いて延びるインダ
クタを形成するように、各ストリップ６０は、その端部がバイアを介して第一の
ストリップ５８の独立した一つに接続されている。別の電子素子に電気的に接続
されて電源回路を形成するように、インダクタの端部は、相互接続と電気的に接
続されている。インダクタ５０が簡単に形成できるように、インダクタ５０は、
本体１８の最上層２０内に形成されることが好ましい。
【００１１】 図４を参照すると、図２及び図３に示されているインダクタ５０から形成でき
る、ある形式の変圧器３４が示されている。変圧器３４は、インダクタ５０のコ
ア５２と同じ磁性材料を含む長いコア３６を備えている。コア３６は、誘電体２
０の層内の凹部１５６内に存在する。コア３６に沿って、離間して配置されたコ
ンダクタ３８と４０の二つのセットがある。コンダクタ３８と４０の各々は、イ
ンダクタ５０のコンダクタと同じである。コンダクタ３８と４０の各々は、コア
３６の回りを取り巻く伝導性ストリップを含み、好ましくは、コア３６から絶縁
されるように誘電体２０を介する。コンダクタ３８と４０とは、コア３６の回り
を取り巻くらせんのパス状に延びている。従って、変圧器３４は、磁性材料を含
むコアをらせん状のパスで取り巻く二つの離間して配置されたコイルを有する。
代替の実施形態においては、コア３６を絶縁性材料で被覆して、コンダクタ３８
と４０とを凹部１５６内に存在させる。係る実施形態においては、コンダクタ３
８と４０の何れも絶縁性材料で被覆したり、又は、誘電層２０に通したりする必
要がない。
【００１２】 図５を参照すると、図２及び図３に示されているインダクタ５０から形成でき
る別の形式の変圧器１３４が示されている。変圧器１３４は、本体１８の層２０
の表面上か、又は一以上の層２０内の凹部の何れかに形成されている、磁性材料
を含むコア１３６を備えている。コア１３６は、長方形等のクローズドパス状に
延びている。各コンダクタがコア１３６の別々のレグの回りをらせん状のパスで
延びた状態で、二つのコンダクタ１３８及び１４０は、コア１３６の周囲を延び
ている。コンダクタ１３８及び１４０は、コア１３６からの誘電体２０又は別の
手段により絶縁されていることが好ましい。別の実施形態においては、コア１３
６は、絶縁性材料で被覆されている。コンダクタ１３８及び１４０は各々、イン
ダクタ５０としての伝導性材料を含むストリップを含む。
【００１３】 これから図６ａ及び図６ｂを参照すると、低電圧状態と高電圧状態とに切り換
えることができる、スイッチコンデンサ回路６２の回路図が示されている。 回路６２は、三つのコンデンサ６４、６６及び６８を備えている。コンデンサ６
４の第一のプレート７０は、スイッチ７４を介してコンデンサ６６の第一のプレ
ート７２に電気的に接続されている。コンデンサ６４の第二のプレート７６は、
スイッチ８０を介してコンデンサ６６の第二のプレート７８に電気的に接続され
ている。コンデンサ６４の第二のプレート７６はまた、スイッチ８２を介してコ
ンデンサ６６の第一のプレート７２にも電気的に接続されている。コンデンサ６
６の第一のプレート７２は、スイッチ８６を介してコンデンサ６８の第一のプレ
ート８４に電気的に接続され、コンデンサ６６の第二のプレート７８は、スイッ
チ９０を介してコンデンサ６８の第二のプレート８８の電気的に接続されている
。コンデンサ６８の第二のプレート７８はまた、スイッチ９２を介してコンデン
サ６８の第一のプレート８４にも電気的に接続されている。
【００１４】 図６ａに示されているように、スイッチ８２と９２が開きスイッチ７４と８０
と８６と９０とが閉じている場合には、コンデンサ６４、６６及び６８は、コン
デンサ６４のプレート７０及び７６に接続されている端子９４及び９６の間で、
電気的に並列で接続される。これにより、低電圧状態が提供される。しかしなが
ら、図６ｂに示すように、スイッチ８２と９２とが閉じてスイッチ７４と８０と
８６と９０とが開いている場合には、コンデンサ６４、６６及び６８は、電気的
に直列で接続されて、各々コンデンサ６４及び６８に接続された端子９６と１０
０との間で高電圧状態を形成する。本体１８の層２０上の伝導性領域を含むコン
デンサ６４、６６及び６８を形成することにより、変圧器回路６２を、集積電子
モジュール１０内に形成することができる。絶縁層２０がコンデンサの誘電体と
なる状態で、伝導性領域を層２０の対向する面に配置することができ、層２０の
同一表面上に離間して配置した状態で形成することもできる。スイッチは、ＭＯ
Ｓトランジスタ等のトランジスタとすることができる。トランジスタスイッチは
、本体２０に取り付けられる独立した素子とすることができ、又は、本体１８に
取り付けられる標準のシリコンＩＣ部とすることもできる。トランジスタスイッ
チを、相互接続及びバイアを介してコンデンサに接続して、変圧器回路６２を形
成することができる。
【００１５】 従って、本発明により、層を共に結合して、相当堅い、熱伝導性の材料を含む
基板に結合された本体を形成することで、誘電性材料の各種の層の表面上に被覆
された伝導性材料又は抵抗性材料の領域として形成された、コンデンサ、抵抗器
及びインダクタ等の各種の電子素子を含むことができる集積電子モジュールを提
供する。少なくとも一つの変圧器を、本体上や本体内に形成したり、又は、本体
上に取り付けたりすることができる。また、独立した素子又はシリコン集積回路
の一部の何れかとして、ダイオードやトランジスタ等の能動電子素子を本体に取
り付けることもできる。各種の層上の伝導性材料を含む相互接続及び電源回路を
形成する層に貫通して延びる伝導性材料を含むバイアにより、各種の電子素子を
電気的に接続する。ガラス又はセラミック等の誘電性材料から形成された集積電
子モジュールの本体を有することにより、本体は各種の電子回路の誘電体となる
ばかりでなく、各種電子素子間の優れた絶縁ともなり、そして、電源回路により
生じた熱に耐えることができる。また、基板は、剛性を有する本体を支持するば
かりでなく、電源回路から発生した熱を装置から逃がすための優れたヒートシン
クの役目も果たす。従って、本発明の集積電子モジュールは、シリコン等の半導
体材料を含む基板に形成された集積回路では容易になしえなかった、電源回路を
形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明に基づく電源集積モジュールの概略断面図である。
【図２】 図２は、本発明の電源供給集積電子モジュールに使用することができるインダ
クタの斜視図である。
【図３】 図３は、インダクタのコアが除かれた状態の、図２と同じ図である。
【図４】 図４は、図２及び３に示されたインダクタを用いて形成することができる変圧
器の一形式についての平面図である。
【図５】 図５は、図２及び３に示されたインダクタを用いて形成することができる変圧
器の別の形式についての平面図である。
【図６】 図６ａ及び６ｂは、本発明の電源供給集積電子モジュールに使用することがで
きるスイッチキャパシター変圧器の回路図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｚ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ Ｆターム(参考） 5E082 BB07 CC03 DD01 FF05 LL15

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面を有する基板と、 基板の前記表面に載置されて結合された誘電性材料を含む本体であって、共
    に結合された誘電性材料を含む複数の層から形成された本体と、 少なくとも一つのコンデンサ又は抵抗器を形成する、本体の層の少なくとも
    一つの表面上の伝導性材料と、 本体の層の少なくとも一つの上の変圧器と、 前記コンデンサと抵抗器と変圧器とを電源回路に電気的に接続する手段とを
    備える電源供給集積電子モジュール。
  2. 【請求項２】 前記少なくとも一つのコンデンサ又は抵抗器と変圧器とを接
    続する手段が、前記本体の層の少なくとも一つの表面上の伝導性材料を含む相互
    接続を含む請求項１記載の電源供給集積電子モジュール。
  3. 【請求項３】 前記少なくとも一つのコンデンサ又は抵抗器と変圧器とを接
    続する手段が、前記本体の層を貫通して延びた伝導性材料を含むバイアを更に含
    む請求項１記載の電源供給集積電子モジュール。
  4. 【請求項４】 コンデンサの誘電体を形成する層を有する前記本体の層の対
    向面の伝導性材料を含む領域により、少なくとも幾つかのコンデンサが形成され
    るように、伝導性材料がコンデンサを形成する請求項１記載の電源供給集積電子
    モジュール。
  5. 【請求項５】 ダイオード及びトランジスタ等の、本体表面に取り付けられ
    、少なくとも一つのコンデンサ又は抵抗器及び変圧器に電気的に接続されて電源
    回路を形成する、独立した電子素子を更に備える請求項１記載の電源供給集積電
    子モジュール。
  6. 【請求項６】 変圧器が、磁性材料とコアに沿ってその周囲をらせんのパス
    状に取り巻く伝導性材料とを含むコアを備える請求項１記載の電源供給集積電子
    モジュール。
  7. 【請求項７】 前記コアに沿ってその周囲をらせんのパス状に取り巻く離間
    して配置された伝導性ストリップが二つのセットある請求項６記載の電源供給集
    積電子モジュール。
  8. 【請求項８】 前記コアがクローズドパス状に延び、伝導性ストリップがコ
    アの別の部分を取り巻く請求項７記載の電源供給集積電子モジュール。
  9. 【請求項９】 長い溝が本体の層の少なくとも一つの中にあり、 複数の並行離隔関係の伝導性ストリップの第一のセットが溝の表面に被覆され、
    変圧器のコアが溝内且つ伝導性ストリップの第一のセット上にあり、 並行離隔関係の伝導性ストリップの第二のセットがコア上を延び、第一の伝導性
    ストリップの第一のセットに電気的に接続され、 コアに沿ってその周囲をらせん状に取り巻くコンダクタを形成する請求項６記載
    の電源供給集積電子モジュール。
  10. 【請求項１０】 前記コアが、層の溝表面にコートされ、伝導性ストリップ
    の第一のセット上にコートされた、磁性材料を含む層である請求項９記載の電源
    供給集積電子モジュール。
  11. 【請求項１１】 変圧器が、スイッチを介して共に電気的に接続された複数
    のコンデンサを備える請求項１記載の電源供給集積電子モジュール。
  12. 【請求項１２】 コンデンサが、本体の層の表面上に離間して配置された伝
    導性材料を含む部分を備える請求項１１記載の電源供給集積電子モジュール。
  13. 【請求項１３】 スイッチが、本体に取り付けられ且つコンデンサに電気的
    に接続されたトランジスタである請求項１１記載の電源供給集積電子モジュール
    。
JP2000539570A 1997-12-18 1998-12-18 小型電源 Pending JP2002509364A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/993,292 US6011330A (en) 1997-12-18 1997-12-18 Miniature power supply
US08/993,292 1997-12-18
PCT/US1998/026896 WO1999031789A1 (en) 1997-12-18 1998-12-18 Miniature power supply

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002509364A true JP2002509364A (ja) 2002-03-26

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ID=25539354

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