JP2003079058A - 電池パック - Google Patents
電池パックInfo
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- JP2003079058A JP2003079058A JP2001266971A JP2001266971A JP2003079058A JP 2003079058 A JP2003079058 A JP 2003079058A JP 2001266971 A JP2001266971 A JP 2001266971A JP 2001266971 A JP2001266971 A JP 2001266971A JP 2003079058 A JP2003079058 A JP 2003079058A
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- battery pack
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Battery Mounting, Suspending (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電池パックの充放電制御用のスイッチとし
て、ハイサイド側にＮ型半導体ＦＥＴに比べて約２倍の
オン抵抗であるＰ型半導体ＦＥＴが多数個並列実装で用
いられており、プリント基板面積の増大や部品増加のた
めコストが上がるという課題があった。 【解決手段】 電池１と、電池１の電圧を検出する電圧
検出手段１０と、電池電流を検出する電流検出手段９
と、電圧検出手段１０及び電流検出手段９からの出力を
入力とする制御手段５と、充放電経路のハイサイド側に
位置して制御手段５からの出力を受け充放電電流の制御
を行うＮ型半導体であって負荷側からの充電電流を制御
する充電用ＦＥＴ２と電池側からの放電電流を制御する
放電用ＦＥＴ３のデバイスから構成されるスイッチング
手段とを備えることにより、小型・安価な電池パックを
提供できる。
て、ハイサイド側にＮ型半導体ＦＥＴに比べて約２倍の
オン抵抗であるＰ型半導体ＦＥＴが多数個並列実装で用
いられており、プリント基板面積の増大や部品増加のた
めコストが上がるという課題があった。 【解決手段】 電池１と、電池１の電圧を検出する電圧
検出手段１０と、電池電流を検出する電流検出手段９
と、電圧検出手段１０及び電流検出手段９からの出力を
入力とする制御手段５と、充放電経路のハイサイド側に
位置して制御手段５からの出力を受け充放電電流の制御
を行うＮ型半導体であって負荷側からの充電電流を制御
する充電用ＦＥＴ２と電池側からの放電電流を制御する
放電用ＦＥＴ３のデバイスから構成されるスイッチング
手段とを備えることにより、小型・安価な電池パックを
提供できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複数の二次電池を使
用した電池パックの充放電電流の制御に関するものであ
る。
用した電池パックの充放電電流の制御に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ノートパソコン等の携帯用電子機
器の電源として、複数のリチウム二次電池を接続し、こ
れらを筐体内に収容した電池パックが広く用いられてい
る。
器の電源として、複数のリチウム二次電池を接続し、こ
れらを筐体内に収容した電池パックが広く用いられてい
る。
【０００３】電池パックは充電状態においては過充電や
過電流による二次電池の劣化や危険を防止するために充
電用ＦＥＴを有する。また放電状態においては過電流に
よる電流経路の焼損、過放電による二次電池の劣化を防
止するために放電用ＦＥＴを有する。
過電流による二次電池の劣化や危険を防止するために充
電用ＦＥＴを有する。また放電状態においては過電流に
よる電流経路の焼損、過放電による二次電池の劣化を防
止するために放電用ＦＥＴを有する。
【０００４】バッテリーマネージメントユニット（以
下、ＢＭＵとする）に於いては、負荷側であるコンピュ
ータ本体と電池パック間でデータをやり取りする必要が
あるため、通信を行うのが一般的である。通信はローサ
イド側を電池パック、コンピュータ本体と共通なグラン
ドして行うのが一般的である。Ｎ型半導体ＦＥＴは一般
的にローサイド側に充放電スイッチとして用いるため、
これらがオフした時にローサイド側の電流の経路が断た
れてしまう。この状態では通信を行うことが出来ない。
下、ＢＭＵとする）に於いては、負荷側であるコンピュ
ータ本体と電池パック間でデータをやり取りする必要が
あるため、通信を行うのが一般的である。通信はローサ
イド側を電池パック、コンピュータ本体と共通なグラン
ドして行うのが一般的である。Ｎ型半導体ＦＥＴは一般
的にローサイド側に充放電スイッチとして用いるため、
これらがオフした時にローサイド側の電流の経路が断た
れてしまう。この状態では通信を行うことが出来ない。
【０００５】よってＢＭＵにおいては、充放電スイッチ
の動作が通信に影響しない様にハイサイド側に配置され
るＰ型半導体ＦＥＴを用いていた。
の動作が通信に影響しない様にハイサイド側に配置され
るＰ型半導体ＦＥＴを用いていた。
【０００６】以下、従来の電池パックについて、図面を
用いて説明する。図４は従来の電池パックの構成を示す
図である。
用いて説明する。図４は従来の電池パックの構成を示す
図である。
【０００７】同図において、１は二次電池、１１、１２
は充電ＦＥＴ、１３、１４は放電ＦＥＴ、１５は充電Ｆ
ＥＴ制御スイッチ、１６は放電ＦＥＴ制御スイッチ、Ａ
は負荷、５は制御手段（ＭＰＵ）、８は出力接続検出
部、９は電流検出用抵抗９１、増幅器９２とからなる電
流検出手段、１０は電池電圧検出手段である。
は充電ＦＥＴ、１３、１４は放電ＦＥＴ、１５は充電Ｆ
ＥＴ制御スイッチ、１６は放電ＦＥＴ制御スイッチ、Ａ
は負荷、５は制御手段（ＭＰＵ）、８は出力接続検出
部、９は電流検出用抵抗９１、増幅器９２とからなる電
流検出手段、１０は電池電圧検出手段である。
【０００８】ＭＰＵ５は充放電電流、二次電池電圧、二
次電池温度等のモニターを行い、コンピュータ本体との
通信や充放電用ＦＥＴの制御を行っている。充放電制御
はＦＥＴのピンチオフ電圧を超える電圧をゲートに印加
することにより行っている。
次電池温度等のモニターを行い、コンピュータ本体との
通信や充放電用ＦＥＴの制御を行っている。充放電制御
はＦＥＴのピンチオフ電圧を超える電圧をゲートに印加
することにより行っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成におい
てＦＥＴの発熱量はオームの法則から電流の２乗にＦＥ
Ｔのオン抵抗をかけた値に比例する。この値はコンピュ
ータ本体の動作電力の増加に比例して大きくなる。半導
体の接合部の温度上昇が制限値を超える事や機器の安全
性を確保する為、発熱量を低くするための手段としてＦ
ＥＴを並列に多数個使用する方法を採用している。
てＦＥＴの発熱量はオームの法則から電流の２乗にＦＥ
Ｔのオン抵抗をかけた値に比例する。この値はコンピュ
ータ本体の動作電力の増加に比例して大きくなる。半導
体の接合部の温度上昇が制限値を超える事や機器の安全
性を確保する為、発熱量を低くするための手段としてＦ
ＥＴを並列に多数個使用する方法を採用している。
【００１０】この方法では、Ｎ型半導体ＦＥＴに比べて
約２倍のオン抵抗であるＰ型半導体ＦＥＴを並列で多数
個実装するため、プリント基板面積の増大や部品増加の
ためコストが上がるという課題があった。
約２倍のオン抵抗であるＰ型半導体ＦＥＴを並列で多数
個実装するため、プリント基板面積の増大や部品増加の
ためコストが上がるという課題があった。
【００１１】本発明は上記課題を解決するものであり、
充放電電流制御を少ない部品で構成して小型化し、且つ
低コスト化を実現することを目的とするものである。
充放電電流制御を少ない部品で構成して小型化し、且つ
低コスト化を実現することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電池パックは、電池と、前記電池の電圧を検
出する電圧検出手段と、電池電流を検出する電流検出手
段と、前記電圧検出手段及び前記電流検出手段からの出
力を入力とする制御手段と、充放電経路のハイサイド側
に位置して前記制御手段からの出力を受け充放電電流の
制御を行うＰ型半導体ＦＥＴの約２分の１のオン抵抗で
あるＮ型半導体ＦＥＴであって負荷側からの充電電流を
制御する充電用ＦＥＴと電池側からの放電電流を制御す
る放電用ＦＥＴのデバイスから構成されるスイッチング
手段とを備えたことを特徴とするものである。
に本発明の電池パックは、電池と、前記電池の電圧を検
出する電圧検出手段と、電池電流を検出する電流検出手
段と、前記電圧検出手段及び前記電流検出手段からの出
力を入力とする制御手段と、充放電経路のハイサイド側
に位置して前記制御手段からの出力を受け充放電電流の
制御を行うＰ型半導体ＦＥＴの約２分の１のオン抵抗で
あるＮ型半導体ＦＥＴであって負荷側からの充電電流を
制御する充電用ＦＥＴと電池側からの放電電流を制御す
る放電用ＦＥＴのデバイスから構成されるスイッチング
手段とを備えたことを特徴とするものである。
【００１３】またＮ型半導体ＦＥＴの制御に必要なゲー
ト電圧をチャージポンプにより昇圧することを特徴とす
るものである。このように、ゲート電圧をソース電圧よ
り高くすることで、Ｎ型半導体ＦＥＴをハイサイド側に
配置出来る。これによりＦＥＴの発熱を大幅に下げるこ
とが可能となる。
ト電圧をチャージポンプにより昇圧することを特徴とす
るものである。このように、ゲート電圧をソース電圧よ
り高くすることで、Ｎ型半導体ＦＥＴをハイサイド側に
配置出来る。これによりＦＥＴの発熱を大幅に下げるこ
とが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照にしながら説明する。
て図面を参照にしながら説明する。
【００１５】図１は本発明の電池パックの回路図であ
る。図１において１は二次電池、２は充電ＦＥＴ、３は
放電ＦＥＴ、４はチャージポンプからなる昇圧手段、５
は制御手段（ＭＰＵ）、６は充電ＦＥＴ制御スイッチ、
７は放電ＦＥＴ制御スイッチであり、充電ＦＥＴ２と放
電ＦＥＴ３と充電ＦＥＴ制御スイッチ６、放電ＦＥＴ制
御スイッチ７とによりスイッチング手段を構成してい
る。８は出力接続検出部、９は電流検出用抵抗９１、増
幅器９２からなる電流検出手段、１０は電圧検出手段、
Ａは負荷である。
る。図１において１は二次電池、２は充電ＦＥＴ、３は
放電ＦＥＴ、４はチャージポンプからなる昇圧手段、５
は制御手段（ＭＰＵ）、６は充電ＦＥＴ制御スイッチ、
７は放電ＦＥＴ制御スイッチであり、充電ＦＥＴ２と放
電ＦＥＴ３と充電ＦＥＴ制御スイッチ６、放電ＦＥＴ制
御スイッチ７とによりスイッチング手段を構成してい
る。８は出力接続検出部、９は電流検出用抵抗９１、増
幅器９２からなる電流検出手段、１０は電圧検出手段、
Ａは負荷である。
【００１６】４の昇圧手段はスイッチ４１、４２、４
３、４４、インバータ４５、コンデンサー４６、４７、
バッファ４８からなる。
３、４４、インバータ４５、コンデンサー４６、４７、
バッファ４８からなる。
【００１７】ＭＰＵはメインクロックを分周した数十キ
ロヘルツ程度のクロックを出力する。このクロックのＨ
Ｉ、ＬＯの論理変化に同期してスイッチ４１、４２、４
３、４４が動作する。これらのスイッチは全て論理がＨ
Ｉの時、オン動作を行う。スイッチ４１、４２はφ出力
がＨＩの時にオンする。この時スイッチ４３、４４はイ
ンバータ４５を通過しているので論理が反転しており、
オフの状態である。
ロヘルツ程度のクロックを出力する。このクロックのＨ
Ｉ、ＬＯの論理変化に同期してスイッチ４１、４２、４
３、４４が動作する。これらのスイッチは全て論理がＨ
Ｉの時、オン動作を行う。スイッチ４１、４２はφ出力
がＨＩの時にオンする。この時スイッチ４３、４４はイ
ンバータ４５を通過しているので論理が反転しており、
オフの状態である。
【００１８】この回路のＶＤＤ、ＧＮＤ間の電圧Ｖ１は
スイッチ４１、４２がオンすることによりコンデンサー
４６に充電される。この動作によりコンデンサー４６の
電圧はＶ１と同程度になる。
スイッチ４１、４２がオンすることによりコンデンサー
４６に充電される。この動作によりコンデンサー４６の
電圧はＶ１と同程度になる。
【００１９】次にクロックが反転することによりスイッ
チ４１、４２はＬＯが入力されるためオフの状態にな
る。よってＶＤＤ、ＧＮＤ間の電圧Ｖ１によるコンデン
サー４６への充電は停止する。また、スイッチ４３、４
４の制御電圧はインバータ４５を通過しているのでスイ
ッチ４１、４２と論理が反転しておりＨＩである。よっ
てスイッチ４３、４４はオン状態となる。
チ４１、４２はＬＯが入力されるためオフの状態にな
る。よってＶＤＤ、ＧＮＤ間の電圧Ｖ１によるコンデン
サー４６への充電は停止する。また、スイッチ４３、４
４の制御電圧はインバータ４５を通過しているのでスイ
ッチ４１、４２と論理が反転しておりＨＩである。よっ
てスイッチ４３、４４はオン状態となる。
【００２０】コンデンサー４７はマイナス側をＶＤＤと
接続している。コンデンサー４６に蓄えられているＶ１
と同程度の電位である電荷がスイッチ４３、４４を流れ
コンデンサー４７を充電する。
接続している。コンデンサー４６に蓄えられているＶ１
と同程度の電位である電荷がスイッチ４３、４４を流れ
コンデンサー４７を充電する。
【００２１】この時、コンデンサー４７のマイナス側の
電位はＶＤＤである。このため電池パックのローサイド
側であるＧＮＤから見た時、端子ｄでは電圧がＶ１＋Ｖ
１となる。
電位はＶＤＤである。このため電池パックのローサイド
側であるＧＮＤから見た時、端子ｄでは電圧がＶ１＋Ｖ
１となる。
【００２２】図１において放電ＦＥＴ３と、充電ＦＥＴ
２、共にソースをそれぞれ負荷側、電池側に接続してい
る。Ｎ型半導体ＦＥＴはゲート電圧をソース電圧に対し
てピンチオフ電圧以上高くした場合にオン動作が行われ
る。
２、共にソースをそれぞれ負荷側、電池側に接続してい
る。Ｎ型半導体ＦＥＴはゲート電圧をソース電圧に対し
てピンチオフ電圧以上高くした場合にオン動作が行われ
る。
【００２３】昇圧手段４によってＮ型半導体ＦＥＴのゲ
ートにはソース電圧よりＶ１程高い電圧が得られる。よ
ってＮ型半導体ＦＥＴの制御に必要なゲート電圧が得ら
れており充放電電流のオン、オフ動作が可能となる。
ートにはソース電圧よりＶ１程高い電圧が得られる。よ
ってＮ型半導体ＦＥＴの制御に必要なゲート電圧が得ら
れており充放電電流のオン、オフ動作が可能となる。
【００２４】図２にスイッチ４１〜４４の制御波形とＧ
ＮＤに対するコンデンサー４６、４７の電圧波形を示し
ている。
ＮＤに対するコンデンサー４６、４７の電圧波形を示し
ている。
【００２５】次に昇圧手段４の動作状態ついて述べる。
電池パックを使用する環境において考えられるモードは
放電、充電、待機の３通りである。
電池パックを使用する環境において考えられるモードは
放電、充電、待機の３通りである。
【００２６】放電、充電時に於いては、大電流が通過す
るため、昇圧手段４を動作させて充放電ＦＥＴをオンす
る。しかし待機時には充放電経路に電流は流れないた
め、昇圧手段４を連続動作させると、電池の自己放電に
対して回路の消費電流が大きくなる問題が発生する。
るため、昇圧手段４を動作させて充放電ＦＥＴをオンす
る。しかし待機時には充放電経路に電流は流れないた
め、昇圧手段４を連続動作させると、電池の自己放電に
対して回路の消費電流が大きくなる問題が発生する。
【００２７】この解決手段を状態の変化を例にして記述
する。
する。
【００２８】第１の状態変化として充放電時から待機時
に移行した場合を考える。
に移行した場合を考える。
【００２９】図１で９は電流検出手段で９１は電流検出
用抵抗、９２は増幅器である。ＭＰＵ５は常時、電流の
計測を行っている。充放電電流があるしきい値以下に一
定時間おかれるとＭＰＵは充電が終了、あるいは負荷が
動作を停止したと判断し、φ出力を停止する。
用抵抗、９２は増幅器である。ＭＰＵ５は常時、電流の
計測を行っている。充放電電流があるしきい値以下に一
定時間おかれるとＭＰＵは充電が終了、あるいは負荷が
動作を停止したと判断し、φ出力を停止する。
【００３０】この動作により、昇圧手段４が停止し待機
時の消費電流を低くすることが出来る。
時の消費電流を低くすることが出来る。
【００３１】第２の状態変化として待機時から充電時に
移行した場合を考える。
移行した場合を考える。
【００３２】図１の８は出力接続検出部である。
【００３３】出力接続検出部８は電池電圧であるＶ１を
２分の１に変換し高インピーダンスで、負荷側とＡ／Ｄ
３に接続している。
２分の１に変換し高インピーダンスで、負荷側とＡ／Ｄ
３に接続している。
【００３４】待機時は充放電ＦＥＴがオフ状態であるの
で、Ａ／Ｄ３にはＶ１／２が入力されている。負荷側か
ら充電器が接続されると、出力接続検出部の電圧が上昇
しＡ／Ｄ３に入力される。ＭＰＵはＡ／Ｄ３の電圧変化
を検出することにより、φ出力を発生し、Ｐ１、Ｐ２を
オンする。
で、Ａ／Ｄ３にはＶ１／２が入力されている。負荷側か
ら充電器が接続されると、出力接続検出部の電圧が上昇
しＡ／Ｄ３に入力される。ＭＰＵはＡ／Ｄ３の電圧変化
を検出することにより、φ出力を発生し、Ｐ１、Ｐ２を
オンする。
【００３５】第３の状態変化として待機時から放電時に
移行した場合を考える。
移行した場合を考える。
【００３６】待機時は充放電ＦＥＴがオフ状態であるの
で、Ａ／Ｄ３にはＶ１／２が入力されている。この状態
から負荷が接続されると、出力検出手段８は高インピー
ダンスで電圧を出力しているため、負荷の容量及び抵抗
成分に影響を受けて低下する。電圧があるしきい値以下
になると負荷が接続されたと判断し、φ出力を発生し、
Ｐ１、Ｐ２をオンする。
で、Ａ／Ｄ３にはＶ１／２が入力されている。この状態
から負荷が接続されると、出力検出手段８は高インピー
ダンスで電圧を出力しているため、負荷の容量及び抵抗
成分に影響を受けて低下する。電圧があるしきい値以下
になると負荷が接続されたと判断し、φ出力を発生し、
Ｐ１、Ｐ２をオンする。
【００３７】これら３通りの状態変化において、前記の
動作を行うことにより、待機時に昇圧手段４を停止出来
る。これにより回路の消費電流を大幅に抑えることが可
能である。
動作を行うことにより、待機時に昇圧手段４を停止出来
る。これにより回路の消費電流を大幅に抑えることが可
能である。
【００３８】図３に各状態におけるＭＰＵポートとＦＥ
Ｔの状態を示す。
Ｔの状態を示す。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明の電池パックは、ス
イッチとして充放電用ＦＥＴに同程度のサイズとコスト
であればＰ型半導体ＦＥＴの約半分のオン抵抗であるＮ
型半導体ＦＥＴを用いた構成にし、ＦＥＴの制御に必要
なゲート電圧をチャージポンプにより電池電圧より高く
し、Ｎ型半導体ＦＥＴをハイサイド側に配置することに
よって、低コスト且つ小型で構成出来るものである。充
放電電流に対してＦＥＴの発熱量を低くすることが出来
るため、熱ストレス等に対するディレーティングが大き
いことになり、電池パックの信頼性を大きく向上するこ
とが可能である。
イッチとして充放電用ＦＥＴに同程度のサイズとコスト
であればＰ型半導体ＦＥＴの約半分のオン抵抗であるＮ
型半導体ＦＥＴを用いた構成にし、ＦＥＴの制御に必要
なゲート電圧をチャージポンプにより電池電圧より高く
し、Ｎ型半導体ＦＥＴをハイサイド側に配置することに
よって、低コスト且つ小型で構成出来るものである。充
放電電流に対してＦＥＴの発熱量を低くすることが出来
るため、熱ストレス等に対するディレーティングが大き
いことになり、電池パックの信頼性を大きく向上するこ
とが可能である。
【００４０】また、電池パックの状態をモニターする事
により、負荷と非接続時等、待機時に昇圧手段を停止す
ることにより、制御手段、昇圧手段の消費電流を大幅に
低減し、電池パックの長時間使用を可能とすることがで
きる。
により、負荷と非接続時等、待機時に昇圧手段を停止す
ることにより、制御手段、昇圧手段の消費電流を大幅に
低減し、電池パックの長時間使用を可能とすることがで
きる。
【００４１】また、基板単位面積に対して許容電流の大
きい電池パックを低コストで提供出来る。
きい電池パックを低コストで提供出来る。
【図１】本発明の電池パックを示すブロック図
【図２】コンデンサー４６、４７の電圧波形図
【図３】ＭＰＵとＦＥＴの状態遷移図
【図４】従来の電池パックを示すブロック図
１ 二次電池
２ 充電用ＦＥＴ
３ 放電用ＦＥＴ
４ 昇圧手段
４１〜４４ 充電用スイッチ
４５ インバーター
４６、４７ 昇圧用コンデンサー
４８ バッファ
５ 制御手段（ＭＰＵ）
６ 充電用スイッチ
７ 放電用スイッチ
８ 出力接続検出部
９ 電流検出手段
９１ 電流検出用抵抗
９２ 増幅器
１０ 電圧検出手段
Ａ 負荷
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5G003 AA01 BA01 CA01 CA11 CC02
DA07 DA13 FA04 GA01 GB03
GC05
5H030 AA01 AA09 AS11 BB01 BB21
DD05 DD08 FF42 FF43 FF44
5H040 AA03 AA40 AS11 AY04 DD08
DD26 GG09
Claims (3)
- 【請求項１】 電池と、前記電池の電圧を検出する電圧
検出手段と、電池電流を検出する電流検出手段と、前記
電圧検出手段及び前記電流検出手段からの出力を入力と
する制御手段と、充放電経路のハイサイド側に位置して
前記制御手段からの出力を受け充放電電流の制御を行う
Ｎ型半導体であって負荷側からの充電電流を制御する充
電用ＦＥＴと電池側からの放電電流を制御する放電用Ｆ
ＥＴのデバイスから構成されるスイッチング手段とを備
えたことを特徴とする電池パック。 - 【請求項２】 Ｎ型半導体の動作に必要なゲート電圧を
昇圧手段で発生することを特徴とする請求項１記載の電
池パック。 - 【請求項３】 電池パックが負荷と非接続時等の待機時
に制御回路の消費電力を抑える機能を持つことを特徴と
する請求項１または２いずれかに記載の電池パック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001266971A JP2003079058A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 電池パック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001266971A JP2003079058A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 電池パック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003079058A true JP2003079058A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19093170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001266971A Pending JP2003079058A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 電池パック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003079058A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202633B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-04-10 | Sony Corporation | Driving circuit for field effect transistor |
| KR101076953B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2011-10-26 | 소니 주식회사 | 전지팩 |
| WO2013018282A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 三洋電機株式会社 | スイッチング装置、それを用いた太陽光発電システムおよび車両駆動システム |
| WO2013076877A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 株式会社日立製作所 | 蓄電池システム |
| JP2021158752A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | エイブリック株式会社 | 充放電制御装置及びバッテリ装置 |
| JP2022535476A (ja) * | 2019-11-26 | 2022-08-09 | エルジー エナジー ソリューション リミテッド | Ｆｅｔ制御装置及び方法 |
-
2001
- 2001-09-04 JP JP2001266971A patent/JP2003079058A/ja active Pending
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