JP2003115393A - Organic electroluminescence element and its manufacturing method, image display equipment - Google Patents
Organic electroluminescence element and its manufacturing method, image display equipmentInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称する。)に
関するものであり、さらにはその製造方法、有機EL素
子を用いた画像表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element), a manufacturing method thereof, and an image display device using the organic EL element.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機EL素子は、一般に、光透過性を有
する透明基板上の透明電極層と、この透明電極層上に形
成され有機EL材料からなる有機発光層と、さらにこの
有機発光層上に形成された金属電極層とを基本的な構成
要素として構成されており、自発光型の表示素子として
注目を集めている。この有機EL素子においては、これ
ら透明電極層及び金属電極層への通電により、それぞれ
の電極から注入された正孔及び電子が有機発光層内で再
結合し、このときのエネルギーにより発光現象を生ず
る。前記発光現象は、発光ダイオードと類似した注入発
光であるため、発光電圧が10V以下と低いことが特徴
である。2. Description of the Related Art In general, an organic EL device has a transparent electrode layer on a transparent substrate having a light transmitting property, an organic light emitting layer formed of an organic EL material on the transparent electrode layer, and further on the organic light emitting layer. It is constituted as a basic constituent element with the metal electrode layer formed on the substrate, and is attracting attention as a self-luminous display element. In this organic EL element, by energizing the transparent electrode layer and the metal electrode layer, holes and electrons injected from the respective electrodes are recombined in the organic light emitting layer, and the energy at this time causes a light emitting phenomenon. . Since the light emission phenomenon is injection light emission similar to that of a light emitting diode, the light emission voltage is low at 10 V or less.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機EL素
子を利用した画像表示装置においては、画素が小さくな
るにつれ電極の配線幅が小さくなり、その結果、特に抵
抗の高い透明電極層(陽極)において配線抵抗が飛躍的
に増加してしまい、電流の積に対する電位降下が生じて
配線自体に大きな電圧が印加されてしまうという問題が
生じている。配線自体に大きな電圧が印加されると、そ
の分、有機EL素子自体に有効な電圧が印加されないこ
とになり、消費電力の損失を招くことになる。By the way, in the image display device using the organic EL element, the wiring width of the electrode becomes smaller as the pixel becomes smaller, and as a result, in the transparent electrode layer (anode) having a particularly high resistance. There is a problem that the wiring resistance increases dramatically, a potential drop occurs with respect to the product of currents, and a large voltage is applied to the wiring itself. When a large voltage is applied to the wiring itself, an effective voltage is not applied to the organic EL element itself by that much, resulting in a loss of power consumption.
【0004】そこで、この配線抵抗の増加を抑えること
を目的に、特許第3162407号公報に開示されるよ
うな補助電極を接続する方法や、特開2000−910
83公報に開示されるような透光部と透光部でない非発
光エリアとから構成する方法などが開発されている。し
かしながら、これらの方法では、発光画素以外の部分に
配線部を配置する必要があることから、パネル全体に発
光画素を配置することができず、全体の輝度が低下して
しまうという新たな問題が発生する。また、透明電極層
と配線部のパターンが異なることから、製造工程が煩雑
化するという問題もある。Therefore, for the purpose of suppressing the increase of the wiring resistance, a method of connecting an auxiliary electrode as disclosed in Japanese Patent No. 3162407, and Japanese Patent Laid-Open No. 2000-910.
A method of forming a light-transmitting portion and a non-light-emitting area that is not the light-transmitting portion as disclosed in Japanese Patent Publication No. 83 has been developed. However, in these methods, since it is necessary to dispose the wiring portion in a portion other than the light emitting pixel, it is not possible to dispose the light emitting pixel in the entire panel, and there is a new problem that the entire brightness is reduced. Occur. Further, since the patterns of the transparent electrode layer and the wiring portion are different, there is a problem that the manufacturing process becomes complicated.
【0005】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、有機発光層の表示側に配される電極
の抵抗を低減し、同時に光透過性を確保し得る有機エレ
クトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、発光画素を効率良
く配置することが可能で、輝度を上げることが可能な画
像表示装置を提供することを目的とし、さらには製造工
程を簡略化し得る画像表示装置を提供することを目的と
する。The present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, and an organic electroluminescence device capable of reducing the resistance of the electrode arranged on the display side of the organic light emitting layer and at the same time ensuring the light transmittance. And its manufacturing method. Another object of the present invention is to provide an image display device capable of efficiently arranging light emitting pixels and increasing brightness, and further to provide an image display device capable of simplifying a manufacturing process. The purpose is to
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、
光透過性の基板上に少なくとも第1電極、有機発光層、
第2電極が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッ
センス素子において、上記第1電極が多層膜、特に透明
導電膜と金属膜からなる多層膜により構成されているこ
とを特徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the organic electroluminescent device of the present invention comprises:
At least a first electrode, an organic light emitting layer on a light-transmissive substrate,
In the organic electroluminescent element in which the second electrode is sequentially laminated, the first electrode is composed of a multilayer film, particularly a multilayer film composed of a transparent conductive film and a metal film.
【0007】有機発光層の表示側に配される第1電極
は、通常、酸化インジウム錫(ITO)などからなる透
明電極とされるが、その場合、配線抵抗が高く消費電力
の損失が問題になる。また、第1電極を配線抵抗の低い
金属膜のみで形成すると、光透過性を確保することが難
しくなり、表示の妨げになる。本発明の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子においては、有機発光層の表示側に
配される第1電極を、透明導電膜と金属膜の多層膜とし
ているため、配線抵抗が抑えられると同時に、透過率の
減少も抑えられる。The first electrode disposed on the display side of the organic light emitting layer is usually a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) or the like. In that case, the wiring resistance is high and the loss of power consumption becomes a problem. Become. Further, if the first electrode is formed of only a metal film having a low wiring resistance, it becomes difficult to secure the light transmittance, which hinders display. In the organic electroluminescence element of the present invention, the first electrode arranged on the display side of the organic light emitting layer is a multilayer film of a transparent conductive film and a metal film, so that the wiring resistance is suppressed and the transmittance is reduced at the same time. Can also be suppressed.
【0008】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法は、光透過性の基板上に少なくとも
第1電極、有機発光層、第2電極を順次積層する有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法において、上記
第1電極を多層膜とし、この多層膜を構成する各膜をス
パッタ法により成膜することを特徴とするものであり、
さらには、スパッタ法により各膜を成膜するに際し、メ
タルマスクを用いてパターニングすることを特徴とする
ものである。The method for manufacturing an organic electroluminescent element according to the present invention is the method for manufacturing an organic electroluminescent element, wherein at least a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode are sequentially laminated on a light-transmissive substrate. The first electrode is a multi-layer film, and each film forming the multi-layer film is formed by a sputtering method.
Furthermore, when each film is formed by the sputtering method, patterning is performed using a metal mask.
【0009】多層膜、例えば透明導電膜や金属膜をスパ
ッタ法により成膜すると、緻密な膜が形成される。その
結果、電気的な抵抗値が低い膜となる。また、膜が緻密
であると光透過性の点でも有利であり、透過率の減少が
抑えられる。さらに、スパッタ法により各膜を成膜する
に際し、メタルマスクを用いたパターニングを採用すれ
ば、多層膜を構成する全ての膜を同一のメタルマスクを
使用してパターニングすることができ、製造工程が簡略
化される。When a multilayer film such as a transparent conductive film or a metal film is formed by a sputtering method, a dense film is formed. As a result, the film has a low electric resistance value. Further, if the film is dense, it is also advantageous in terms of light transmittance, and a decrease in transmittance can be suppressed. Further, when the respective films are formed by the sputtering method, if the patterning using the metal mask is adopted, all the films constituting the multilayer film can be patterned by using the same metal mask, and the manufacturing process is improved. It is simplified.
【0010】さらに、本発明の画像表示装置は、光透過
性の基板上に少なくとも第1電極、有機発光層、第2電
極が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子がマトリクス状に配列されてなり、各有機エレクト
ロルミネッセンス素子の第1電極が多層膜、特に透明導
電膜と金属膜からなる多層膜により構成されていること
を特徴とするものである。Further, in the image display device of the present invention, organic electroluminescent elements in which at least a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode are sequentially laminated on a light-transmissive substrate are arranged in a matrix. The first electrode of each organic electroluminescence element is composed of a multilayer film, particularly a multilayer film composed of a transparent conductive film and a metal film.
【0011】本発明の画像表示装置では、有機発光層の
表示側に配される第1電極を、透明導電膜と金属膜の多
層膜としており、配線抵抗が抑えられると同時に、透過
率の減少も抑えられているので、補助電極を接続したり
非発光エリアを設ける必要がない。したがって、発光素
子を効率良く配置することができ、パネルの輝度を上げ
ることができる。また、本来の電極パターンと異なるパ
ターンの配線が不要であることから、製造工程を煩雑化
することもない。In the image display device of the present invention, the first electrode arranged on the display side of the organic light emitting layer is a multilayer film of a transparent conductive film and a metal film, so that the wiring resistance can be suppressed and the transmittance can be reduced. Since it is also suppressed, it is not necessary to connect an auxiliary electrode or provide a non-light emitting area. Therefore, the light emitting elements can be efficiently arranged, and the brightness of the panel can be increased. Further, since the wiring of the pattern different from the original electrode pattern is unnecessary, the manufacturing process is not complicated.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した有機エレ
クトロルミネッセンス素子及びその製造方法、さらには
画像表示装置について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an organic electroluminescence device to which the present invention is applied, a method for manufacturing the same, and an image display device will be described.
【0013】有機エレクトロルミネッセンス素子は、図
1に示すように、光透過性を有する基板1上に、第1電
極に相当する陽極2、有機EL材料からなる有機発光層
を含む有機EL層3、第2電極に相当する陰極4を積層
形成してなるものであり、その表面が保護層5によって
被覆されている。上記有機EL層3は、本例では3層構
造とされており、上記陽極2と接する側に配される正孔
輸送層3a、有機発光層3b、及び上記陰極4と接する
側に配される電子輸送層3cとから構成されている。な
お、上記の構成において、上記有機EL層3と陰極4の
間に例えばLiOを数オングストローム程度の膜厚で成
膜してもよい。この層により発光開始電圧を下げること
が可能である。As shown in FIG. 1, the organic electroluminescence element includes an anode 2 corresponding to a first electrode, an organic EL layer 3 including an organic light emitting layer made of an organic EL material, on a substrate 1 having light transparency. The cathode 4 corresponding to the second electrode is laminated and formed, and the surface thereof is covered with a protective layer 5. The organic EL layer 3 has a three-layer structure in this example, and is arranged on the side in contact with the anode 2, the hole transport layer 3a, the organic light emitting layer 3b, and the cathode 4. It is composed of an electron transport layer 3c. In the above structure, for example, LiO may be formed between the organic EL layer 3 and the cathode 4 with a film thickness of about several angstroms. With this layer, the light emission start voltage can be lowered.
【0014】ここで、本発明においては、上記陽極2が
透明導電膜と金属膜とからなる多層膜とされていること
が大きな特徴であり、例えば図2に示すように、透明導
電層2a、金属層2b、透明導電層2cからなる3層膜
とされている。勿論、これに限らず、例えば2層膜であ
ってもよいし、4層膜以上とすることも可能である。先
にも述べたように、陽極2は、通常、酸化インジウム錫
(ITO)などからなる透明電極とされるが、その場
合、配線抵抗が高く消費電力の損失が問題になる。ま
た、陽極2を配線抵抗の低い金属膜のみで形成すると、
光透過性を確保することが難しくなり、表示の妨げにな
る。有機EL層3の表示側に配される陽極2を、上記の
ように透明導電層2a,2cと金属層2bからなる多層
膜とすれば、配線抵抗を抑えることができ、また、透過
率の減少を抑えることができる。Here, the present invention is characterized in that the anode 2 is a multilayer film composed of a transparent conductive film and a metal film. For example, as shown in FIG. 2, the transparent conductive layer 2a, It is a three-layer film including a metal layer 2b and a transparent conductive layer 2c. Of course, the present invention is not limited to this, and may be, for example, a two-layer film, or a four-layer film or more. As described above, the anode 2 is usually a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) or the like, but in that case, the wiring resistance is high and the loss of power consumption becomes a problem. Further, if the anode 2 is formed of only a metal film having a low wiring resistance,
It becomes difficult to secure the light transmittance, which hinders display. If the anode 2 arranged on the display side of the organic EL layer 3 is a multilayer film including the transparent conductive layers 2a and 2c and the metal layer 2b as described above, the wiring resistance can be suppressed and the transmittance can be reduced. The decrease can be suppressed.
【0015】上記陽極2を構成する多層膜のうち、金属
膜には、なるべく比抵抗の小さい材料を用いることが好
ましく、かかる材料としては、例えばAu,Ag,A
l,Cu,Ni,Co,Fe,Mo,Nb,Pd,Pt
等を挙げることができる。これらを単独で用いてもよい
し、2種類以上からなる合金を用いてもよい。一方、透
明導電膜、特に有機EL層3と接合される透明導電膜
は、効率良くホール(正孔)を注入するために真空準位
からの仕事関数が大きな電極材料からなることが好まし
く、また、陽極2側から有機EL層3における有機電界
発光を取り出せるように光透過性を有する材料からなる
ことが望ましい。これらの観点から、具体的には、酸化
インジウム錫(ITO:Indium Tin Oxide)、酸化イン
ジウム−酸化亜鉛(いわゆるIXO)、SnO2、Zn
O等を挙げることができる。なお、前記IXOは、イン
ジウム・亜鉛の酸化物からなる六方晶層状化合物と酸化
インジウムからなるもので、一般式In2O3(Zn
O)n(nは3以上の整数。)で表される。これらの中
で、生産性、制御性の観点からはITOを用いることが
好ましい。Of the multi-layered film forming the anode 2, it is preferable to use a material having a resistivity as small as possible for the metal film. Examples of such a material include Au, Ag and A.
l, Cu, Ni, Co, Fe, Mo, Nb, Pd, Pt
Etc. can be mentioned. These may be used alone, or an alloy composed of two or more kinds may be used. On the other hand, the transparent conductive film, particularly the transparent conductive film joined to the organic EL layer 3, is preferably made of an electrode material having a large work function from the vacuum level in order to efficiently inject holes. It is desirable to use a material having light transmissivity so that organic electroluminescence in the organic EL layer 3 can be taken out from the anode 2 side. From these viewpoints, specifically, indium tin oxide (ITO), indium oxide-zinc oxide (so-called IXO), SnO 2 , Zn
O and the like can be mentioned. The IXO is composed of a hexagonal layered compound composed of an oxide of indium and zinc and indium oxide, and has the general formula In 2 O 3 (Zn
O) n (n is an integer of 3 or more). Of these, ITO is preferably used from the viewpoint of productivity and controllability.
【0016】上記陽極2に用いられる多層膜において
は、これを構成する金属膜、透明導電膜の膜厚設計が重
要である。例えば、多層膜全体の膜厚のうち金属膜の膜
厚が占める割合が大きくなると、配線抵抗を低減するこ
とはできても、透過率の低下が著しくなり、表示の妨げ
になる。逆に、金属膜の膜厚が占める割合が小さくなり
過ぎると、透過率の点では問題ないが、配線抵抗の上昇
を招く。かかる観点から、多層膜(陽極2)全体の膜厚
を85nm〜100nmとする場合、金属膜の膜厚は1
0nm〜15nmとすることが好ましい。In the multilayer film used for the anode 2, it is important to design the film thickness of the metal film and the transparent conductive film which compose the multilayer film. For example, if the ratio of the thickness of the metal film to the total thickness of the multilayer film is large, the wiring resistance can be reduced, but the transmittance is significantly reduced, which hinders display. On the other hand, if the ratio of the film thickness of the metal film becomes too small, the wiring resistance will increase although there is no problem in terms of transmittance. From this viewpoint, when the thickness of the entire multilayer film (anode 2) is 85 nm to 100 nm, the thickness of the metal film is 1
The thickness is preferably 0 nm to 15 nm.
【0017】上記多層膜は、金属膜や透明導電膜をスパ
ッタ法により成膜することにより形成することができ
る。スパッタ法により成膜された膜は緻密であり、電気
抵抗が低く、光透過性にも優れる。多層膜を構成する金
属膜や透明導電膜は、全て同一のメタルマスクを用いた
成膜が可能であり、製造工程を煩雑化することはない。The above-mentioned multilayer film can be formed by forming a metal film or a transparent conductive film by a sputtering method. The film formed by the sputtering method is dense, has low electric resistance, and has excellent light transmittance. The metal film and the transparent conductive film forming the multilayer film can all be formed using the same metal mask, and the manufacturing process is not complicated.
【0018】一方、上記陽極2以外の構成要素について
は、公知のものがいずれも採用可能である。例えば、基
板1に用いる材料は、良好な平坦性を有する基板を形成
することができるもので、光透過性を有するものであれ
ば如何なるものであってもよく、例えば高分子ポリマー
系材料を用いることができる。勿論、ガラス基板であっ
ても構わないが、特に、可撓性を有する高分子ポリマー
基板を用いれば、可撓性を有する有機ELディスプレイ
を構築することが可能である。On the other hand, as the constituent elements other than the anode 2, any known one can be adopted. For example, the material used for the substrate 1 may be any material as long as it can form a substrate having good flatness and has a light transmitting property. For example, a polymer material is used. be able to. Of course, a glass substrate may be used, but in particular, a flexible polymer EL substrate can be used to construct a flexible organic EL display.
【0019】有機EL層3のうち、正孔輸送層3aは、
陽極2から注入された正孔を有機発光層3bまで輸送す
るという役割を果たすものである。この正孔輸送層3a
に用いられる正孔輸送材料としては、公知のものがいず
れも使用可能であり、ベンジン、スチリルアミン、トリ
フェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダ
ゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フ
ェニレンジアミン、アリールアミン、オキサゾール、ア
ントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、
またはこれらの誘導体、並びにポリシラン系化合物、ビ
ニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニ
リン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマ
ー、ポリマー等が使用可能である。具体的化合物として
は、α−ナフチルフェニルジアミン、ポルフィリン、金
属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニ
ン、4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニル
アミノ)トリフェニルアミン、N,N,N,N−テトラ
キス(p−トリル)p−フェニレンジアミン、N,N,
N,N−テトラフェニル4,4−ジアミノビフェニル、
N−フェニルカルバゾール、4−ジ−p−トリルアミノ
スチルベン、ポリ(パラフェニレンビニレン)、ポリ
(チオフェンビニレン)、ポリ(2,2−チエニルピロ
ール)等を挙げることができるが、勿論これらに限定さ
れるものではない。Of the organic EL layer 3, the hole transport layer 3a is
It plays a role of transporting holes injected from the anode 2 to the organic light emitting layer 3b. This hole transport layer 3a
As the hole transport material used in, any known material can be used, benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, Oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene,
Alternatively, derivatives thereof, and heterocyclic conjugated monomers, oligomers, polymers and the like such as polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds and aniline compounds can be used. Specific compounds include α-naphthylphenyldiamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, metal naphthalocyanine, 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, N, N, N, N- Tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine, N, N,
N, N-tetraphenyl 4,4-diaminobiphenyl,
Examples thereof include N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenylenevinylene), poly (thiophenvinylene), poly (2,2-thienylpyrrole), but are not limited thereto. Not something.
【0020】有機発光層3bに用いられる材料は、電圧
印加時に陽極側から正孔を、また陰極側から電子を注入
できること、注入された電荷、すなわち正孔及び電子を
移動させ、これら正孔と電子が再結合できる場を提供で
きること、発光効率が高いこと、等の条件を満たしてい
れば如何なるものであってもよく、例えば低分子蛍光色
素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料等が挙げら
れる。このような材料としては、具体的には、アントラ
セン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセ
ン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯
体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、トリ
(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム
錯体、ジトルイルビニルビフェニル、α−ナフチルフェ
ニルジアミン等を挙げることができる。The material used for the organic light-emitting layer 3b is capable of injecting holes from the anode side and electrons from the cathode side when a voltage is applied, and moves the injected charges, that is, holes and electrons, so that these holes and Any material may be used so long as it can provide a field where electrons can be recombined, high luminous efficiency, and the like. For example, an organic material such as a low-molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex. Etc. Specific examples of such a material include anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, and bis (benzoquinolinolato) beryllium complex. , Tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex, ditoluylvinylbiphenyl, α-naphthylphenyldiamine, and the like.
【0021】電子輸送層3cは、陰極4から注入された
電子を有機発光層3bまで輸送するものである。電子輸
送層3cに使用可能な電子輸送材料としては、キノリ
ン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、またはこれら
の誘導体を挙げることができる。具体的化合物として
は、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、アントラセ
ン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、
ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチル
ベン、(8−キノリノラト)アルミニウム錯体またはこ
れらの誘導体等を例示することができる。The electron transport layer 3c transports electrons injected from the cathode 4 to the organic light emitting layer 3b. Examples of the electron transport material that can be used for the electron transport layer 3c include quinoline, perylene, bisstyryl, pyrazine, and derivatives thereof. Specific compounds include 8-hydroxyquinoline aluminum, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene,
Examples thereof include perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, (8-quinolinolato) aluminum complex and derivatives thereof.
【0022】上記陰極4には、効率良く電子を注入する
ために、真空準位からの仕事関数が小さい電極材料(金
属)を用いることが好ましい。具体的には、アルミニウ
ム、インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バリ
ウム、リチウム等の仕事関数が小さい金属を単体で用い
る。あるいは、これらの金属を他の金属との合金として
安定性を高めて使用してもよい。In order to efficiently inject electrons, the cathode 4 is preferably made of an electrode material (metal) having a small work function from the vacuum level. Specifically, a metal having a low work function such as aluminum, indium, magnesium, silver, calcium, barium, or lithium is used alone. Alternatively, these metals may be used as alloys with other metals with increased stability.
【0023】上記有機EL層3を構成する正孔輸送層3
a、有機発光層3b、電子輸送層3cや、陰極4は、例
えば真空蒸着法により形成することができる。このと
き、先の陽極2を構成する多層膜と同様、メタルマスク
を用いて成膜すれば、所定のパターンに形成することが
できる。Hole transport layer 3 constituting the organic EL layer 3
The a, the organic light emitting layer 3b, the electron transport layer 3c, and the cathode 4 can be formed by, for example, a vacuum vapor deposition method. At this time, as in the case of the multilayer film forming the anode 2, the film can be formed into a predetermined pattern by using a metal mask.
【0024】上記保護層5は、有機EL素子の駆動の信
頼性を確保し、また有機EL素子の劣化を防止するため
の設けられるもので、有機EL素子を封止し、酸素や水
分を遮断する機能を有するものである。したがって、保
護層5に用いられる材料としては、気密性を保つことが
可能であることが必要であり、具体的には、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム等を挙げることができる。The protective layer 5 is provided to ensure the driving reliability of the organic EL element and prevent the deterioration of the organic EL element. The protective layer 5 seals the organic EL element and blocks oxygen and moisture. It has a function to do. Therefore, the material used for the protective layer 5 needs to be capable of maintaining hermeticity, and specific examples thereof include silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, and aluminum nitride.
【0025】以上の構成を有する有機EL素子を基板上
にマトリクス状に配列し、これを選択的に駆動すれば画
像表示が可能であり、自発光型の画像表示装置が構築さ
れる。この画像表示装置においては、各有機EL素子を
構成する陽極が透明導電膜と金属膜の多層膜とされてお
り、配線抵抗が抑えられると同時に、透過率の減少も抑
えられているので、補助電極を接続したり非発光エリア
を設ける必要がない。したがって、発光素子を効率良く
配置することができ、パネルの輝度を上げることができ
る。また、本来の電極パターンと異なるパターンの配線
が不要であることから、製造工程が煩雑化することもな
い。Image display is possible by arranging the organic EL elements having the above structure in a matrix on the substrate and selectively driving them, and a self-luminous image display device is constructed. In this image display device, the anode that constitutes each organic EL element is a multilayer film of a transparent conductive film and a metal film, so that the wiring resistance is suppressed, and at the same time, the reduction of the transmittance is also suppressed. There is no need to connect electrodes or provide non-light emitting areas. Therefore, the light emitting elements can be efficiently arranged, and the brightness of the panel can be increased. In addition, since the wiring having a pattern different from the original electrode pattern is unnecessary, the manufacturing process does not become complicated.
【0026】[0026]
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について、実
験結果に基づいて説明する。EXAMPLES Specific examples of the present invention will be described below based on experimental results.
【0027】有機EL素子の作製
作製した有機EL素子の構造は、図1及び図2に示す通
りである。先ず、厚さ200μmのポリエステルスルホ
ン(PES)からなる基板を準備し、この上に陽極とな
る多層膜をメタルマスクを使用しスパッタ法により形成
した。[0027]Fabrication of organic EL device
The structure of the manufactured organic EL device is as shown in FIGS.
It is Ri. First, 200 μm thick polyester sulfo
Substrate (PES) is prepared and an anode is formed on it.
A multi-layer film using a metal mask by sputtering
did.
【0028】次に、上述した陽極多層膜上に有機EL層
を形成した。有機EL層は、正孔輸送層、有機発光層、
電子輸送層をこの順に積層して形成した。積層形成に際
しては、パターンを形成するためのメタルマスクを使用
し、真空蒸着法により成膜した。ここで、正孔輸送層に
は、4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニル
アミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を用
いた。また、有機発光層には、α−ナフチルフェニルジ
アミン(α−NPD)を用いた。電子輸送層には、トリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq3)
を用いた。有機EL層の厚さは、150nmとした。Next, an organic EL layer was formed on the above-mentioned anode multilayer film. The organic EL layer includes a hole transport layer, an organic light emitting layer,
The electron transport layer was formed by laminating in this order. At the time of stacking, a metal mask for forming a pattern was used and the film was formed by a vacuum deposition method. Here, 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) was used for the hole transport layer. Further, α-naphthylphenyldiamine (α-NPD) was used for the organic light emitting layer. The electron transport layer contains tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq3).
Was used. The thickness of the organic EL layer was 150 nm.
【0029】上記のように形成された有機EL層上に陰
極を形成した。陰極も、有機EL層と同様、メタルマス
クを使用し、真空蒸着法により成膜した。最後に、以上
により形成した各層を覆うようにSiNからなる厚さ1
000nmの保護層を形成した。保護層は、反応性DC
スパッタリングにより形成した。A cathode was formed on the organic EL layer formed as described above. Similarly to the organic EL layer, the cathode was formed by a vacuum evaporation method using a metal mask. Finally, a thickness of SiN 1 is formed so as to cover each layer formed as described above.
A protective layer of 000 nm was formed. The protective layer is reactive DC
It was formed by sputtering.
【0030】光学薄膜シミュレーション(その1)
上記構造を有する有機EL素子において、陽極の構成、
膜厚を変え、種々のサンプルを作製した。これらのサン
プルについて、光学薄膜シミュレーションにより、緑色
光に対する透過率を調べた。結果を図3〜図5に示す。
なお、図3は金属膜(Au)の膜厚が10nmの場合、
図4は金属膜(Au)の膜厚が15nmの場合、図5は
金属膜(Au)の膜厚が20nmの場合である。[0030]Optical thin film simulation (1)
In the organic EL device having the above structure, the constitution of the anode,
Various samples were prepared by changing the film thickness. These sun
About pull, green by optical thin film simulation
The transmittance for light was examined. The results are shown in FIGS.
Note that FIG. 3 shows that when the film thickness of the metal film (Au) is 10 nm,
FIG. 4 shows the case where the film thickness of the metal film (Au) is 15 nm, and FIG.
This is the case where the film thickness of the metal film (Au) is 20 nm.
【0031】緑色光の中心波長(520nm)での透過
率は、例えば金属膜のみ(Au15nmのみ)の場合、
64.4%であるのに対して、3層多層膜とした場合に
は、75.8%であり、約11%透過率を増加させるこ
とができることがわかる。また、多層膜とする場合、3
層多層膜でなく2層多層膜とした場合にも透過率の増加
が見られるが、3層多層膜の方がその効果が大きいこと
がわかる。The transmittance of the green light at the central wavelength (520 nm) is, for example, in the case of only the metal film (Au 15 nm only).
It is 64.4%, whereas it is 75.8% in the case of a three-layer multilayer film, and it can be seen that the transmittance can be increased by about 11%. In the case of a multilayer film, 3
When the two-layer multilayer film is used instead of the two-layer multilayer film, the transmittance is increased, but the three-layer multilayer film is more effective.
【0032】光学特性及び配線抵抗
図6に実際に成膜した陽極の光学特性を示す。なお、図
中、破線はITO(150nm)単層とした場合、実線
はITO(42nm)+Au(15nm)+ITO(4
2nm)からなる3層多層膜とした場合の特性を示す。[0032]Optical characteristics and wiring resistance
FIG. 6 shows the optical characteristics of the actually formed anode. Note that the figure
In the figure, the broken line is the solid line when the ITO (150 nm) single layer is used.
Is ITO (42 nm) + Au (15 nm) + ITO (4
2 shows characteristics when a three-layer multilayer film composed of 2 nm) is formed.
【0033】ITOを室温で成膜した場合、緑色光の中
心波長(520nm)での透過率は80.0%であるの
に対し、金属膜を含む3層多層膜とした場合の透過率は
75.3%であり、透過率の低下は約5%にとどまっ
た。また、8cm×154μmのストライプ配線パター
ンを作製したところ、ITO単層とした場合の配線抵抗
が23.3kΩであったのに対し、3層多層膜とした場
合の配線抵抗は3.2kΩであり、約7分の1まで配線
抵抗を低減することができた。When ITO is deposited at room temperature, the transmittance at the central wavelength of green light (520 nm) is 80.0%, whereas the transmittance when a three-layer multilayer film including a metal film is It was 75.3%, and the decrease in transmittance was about 5%. When a 8 cm × 154 μm striped wiring pattern was prepared, the wiring resistance was 23.3 kΩ when the ITO single layer was used, whereas the wiring resistance was 3.2 kΩ when the three-layer multilayer film was used. The wiring resistance could be reduced to about 1/7.
【0034】光学薄膜シミュレーション(その2)
上記構造を有する有機EL素子において、陽極の構成、
膜厚を変え、種々のサンプルを作製した。先の例と異な
るのは、金属膜の材質であり、ここではAPC(Ag,
Pd,Cuの混合物)を用いた。これらのサンプルにつ
いて、光学薄膜シミュレーションにより、緑色光に対す
る透過率を調べた。結果を図7〜図9に示す。なお、図
7は金属膜(APC)の膜厚が10nmの場合、図8は
金属膜(APC)の膜厚が15nmの場合、図9は金属
膜(APC)の膜厚が20nmの場合である。[0034]Optical thin film simulation (2)
In the organic EL device having the above structure, the constitution of the anode,
Various samples were prepared by changing the film thickness. Different from the previous example
It is the material of the metal film that is APC (Ag,
A mixture of Pd and Cu) was used. For these samples
The green light by an optical thin film simulation.
The transmittance was measured. The results are shown in FIGS. Note that the figure
7 is a metal film (APC) having a film thickness of 10 nm, FIG.
When the film thickness of the metal film (APC) is 15 nm, FIG.
This is the case where the film thickness of the film (APC) is 20 nm.
【0035】これらの図からも明らかなように、金属膜
をAPCにした場合にも、多層化により透過率を増加す
ることができる。As is clear from these figures, even when the metal film is made of APC, the transmittance can be increased due to the multilayer structure.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、有機
発光層の表示側に配される第1電極を、透明導電膜と金
属膜の多層膜としているため、配線抵抗を抑えることが
でき、同時に、光透過率の減少も抑えることができる。
また、本発明の製造方法によれば、緻密な膜(第1電
極)を形成することができ、配線抵抗が低く及び光透過
性に優れた電極形成が可能である。さらに、メタルマス
クを用いたパターニングを採用すれば、製造工程の煩雑
化を招くこともない。As is apparent from the above description, according to the organic electroluminescence device of the present invention, the first electrode arranged on the display side of the organic light emitting layer is the multilayer film of the transparent conductive film and the metal film. Therefore, the wiring resistance can be suppressed, and at the same time, the reduction of the light transmittance can be suppressed.
Further, according to the manufacturing method of the present invention, a dense film (first electrode) can be formed, and it is possible to form an electrode having low wiring resistance and excellent light transmittance. Further, if patterning using a metal mask is adopted, the manufacturing process will not be complicated.
【0037】さらに、本発明の画像表示装置によれば、
各有機EL素子の有機発光層の表示側に配される第1電
極を、透明導電膜と金属膜の多層膜としており、配線抵
抗が抑えられると同時に、透過率の減少も抑えられてい
るので、補助電極を接続したり非発光エリアを設ける必
要がない。したがって、発光素子を効率良く配置するこ
とができ、パネルの輝度を上げることができる。また、
本来の電極パターンと異なるパターンの配線が不要であ
ることから、製造工程を煩雑化することもない。Further, according to the image display device of the present invention,
Since the first electrode arranged on the display side of the organic light emitting layer of each organic EL element is a multilayer film of a transparent conductive film and a metal film, the wiring resistance is suppressed, and at the same time, the decrease in transmittance is also suppressed. It is not necessary to connect auxiliary electrodes or provide non-light emitting areas. Therefore, the light emitting elements can be efficiently arranged, and the brightness of the panel can be increased. Also,
Since the wiring of the pattern different from the original electrode pattern is unnecessary, the manufacturing process is not complicated.
【図1】有機EL素子の構成例を模式的に示す断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of an organic EL element.
【図2】陽極の構成例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of an anode.
【図3】光学薄膜シミュレーション結果を示す特性図で
あり、Au10nmとした場合の特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing an optical thin film simulation result, and is a characteristic diagram in the case of Au 10 nm.
【図4】光学薄膜シミュレーション結果を示す特性図で
あり、Au15nmとした場合の特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing an optical thin film simulation result, and is a characteristic diagram in the case of Au 15 nm.
【図5】光学薄膜シミュレーション結果を示す特性図で
あり、Au20nmとした場合の特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing an optical thin film simulation result, and is a characteristic diagram when Au is 20 nm.
【図6】実際に成膜した陽極の光学特性を示す特性図で
ある。FIG. 6 is a characteristic diagram showing optical characteristics of an actually formed anode.
【図7】光学薄膜シミュレーション結果を示す特性図で
あり、APC10nmとした場合の特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing an optical thin film simulation result, and is a characteristic diagram when APC is 10 nm.
【図8】光学薄膜シミュレーション結果を示す特性図で
あり、APC15nmとした場合の特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing an optical thin film simulation result, and is a characteristic diagram when APC is 15 nm.
【図9】光学薄膜シミュレーション結果を示す特性図で
あり、APC20nmとした場合の特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing an optical thin film simulation result, and is a characteristic diagram when APC is 20 nm.
1 基板、2 陽極、2a,2c 透明導電層、2b
金属層、3 有機EL層、3a 正孔輸送層、3b 有
機発光層、3c 電子輸送層、4 陰極、5 保護層1 substrate, 2 anode, 2a, 2c transparent conductive layer, 2b
Metal layer, 3 organic EL layer, 3a hole transport layer, 3b organic light emitting layer, 3c electron transport layer, 4 cathode, 5 protective layer
Claims (15)
極、有機発光層、第2電極が順次積層されてなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、 上記第1電極が多層膜とされていることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。1. An organic electroluminescence device comprising at least a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode sequentially laminated on a light-transmissive substrate, wherein the first electrode is a multilayer film. And an organic electroluminescent device.
構成されていることを特徴とする請求項1記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the multilayer film is composed of a transparent conductive film and a metal film.
明導電膜の順に積層された3層膜であることを特徴とす
る請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。3. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the multilayer film is a three-layer film in which a transparent conductive film, a metal film, and a transparent conductive film are laminated in this order.
u,Ni,Co,Fe,Mo,Nb,Pd,Ptから選
ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項
2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。4. The metal film is made of Au, Ag, Al, C
3. The organic electroluminescence device according to claim 2, comprising at least one selected from u, Ni, Co, Fe, Mo, Nb, Pd and Pt.
酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、
酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種からなることを特
徴とする請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。5. The transparent conductive film is indium tin oxide,
Indium oxide-zinc oxide, indium oxide, tin oxide,
The organic electroluminescence device according to claim 2, comprising at least one selected from zinc oxide.
材料からなり、可撓性を有することを特徴とする請求項
1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light transmissive substrate is made of a polymer material and has flexibility.
極、有機発光層、第2電極を順次積層する有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法において、 上記第1電極を多層膜とし、この多層膜を構成する各膜
をスパッタ法により成膜することを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法。7. A method of manufacturing an organic electroluminescence device, comprising: a light-transmissive substrate, and at least a first electrode, an organic light-emitting layer, and a second electrode, which are sequentially laminated on each other. A method for manufacturing an organic electroluminescence device, characterized in that each of the constituent films is formed by a sputtering method.
際し、メタルマスクを用いてパターニングすることを特
徴とする請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法。8. The method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 7, wherein when forming each film by the sputtering method, patterning is performed using a metal mask.
法により成膜することを特徴とする請求項7記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。9. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 7, wherein the organic light emitting layer and the second electrode are formed by a vacuum vapor deposition method.
極、有機発光層、第2電極が順次積層されてなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子がマトリクス状に配列され
てなり、 各有機エレクトロルミネッセンス素子の第1電極が多層
膜とされていることを特徴とする画像表示装置。10. An organic electroluminescent element, which is formed by sequentially stacking at least a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode on a transparent substrate, and is arranged in a matrix. An image display device, wherein one electrode is a multilayer film.
ら構成されていることを特徴とする請求項10記載の画
像表示装置。11. The image display device according to claim 10, wherein the multilayer film includes a transparent conductive film and a metal film.
透明導電膜の順に積層された3層膜であることを特徴と
する請求項11記載の画像表示装置。12. The multilayer film is a transparent conductive film, a metal film,
The image display device according to claim 11, wherein the image display device is a three-layer film in which transparent conductive films are laminated in this order.
u,Ni,Co,Fe,Mo,Nb,Pd,Ptから選
ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項
11記載の画像表示装置。13. The metal film is made of Au, Ag, Al, C.
The image display device according to claim 11, comprising at least one selected from u, Ni, Co, Fe, Mo, Nb, Pd, and Pt.
錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化
錫、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種からなること
を特徴とする請求項11記載の画像表示装置。14. The image display device according to claim 11, wherein the transparent conductive film is made of at least one selected from indium tin oxide, indium oxide-zinc oxide, indium oxide, tin oxide, and zinc oxide. .
ー材料からなり、可撓性を有することを特徴とする請求
項10記載の画像表示装置。15. The image display device according to claim 10, wherein the light transmissive substrate is made of a polymer material and has flexibility.
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