JP2003123559A - Method for forming transparent conductive film, apparatus therefor, transparent conductive film, and electronic paper - Google Patents
Method for forming transparent conductive film, apparatus therefor, transparent conductive film, and electronic paperInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理部材を高温にすることなく、被処理部
材との密着性を確保することが可能な、透明導電性膜の
形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】 ガス化したヨウ化インジウム、ガス化し
た塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマＣ
ＶＤ法により、基板の表面にＩＴＯの被膜を形成する構
成とした。また、ガス化したチオフェンを原料として、
プラズマＣＶＤ法により、基板の表面にポリチオフェン
の被膜を形成する構成とした。なおプラズマＣＶＤ法
は、アルゴンガスに対する放電を介して行う構成とし
た。また被処理部材は、有機材料からなる構成としても
よい。
(57) [Problem] To provide a method for forming a transparent conductive film, which can secure adhesion to a member to be processed without raising the temperature of the member to be processed. SOLUTION: A plasma C is produced using gasified indium iodide, gasified stannic chloride and oxygen gas as raw materials.
The configuration was such that an ITO film was formed on the surface of the substrate by the VD method. Also, using gasified thiophene as a raw material,
The structure was such that a film of polythiophene was formed on the surface of the substrate by a plasma CVD method. Note that the plasma CVD method was configured to be performed via discharge to an argon gas. The member to be processed may be made of an organic material.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性膜の形
成方法、その装置、透明導電性膜および電子ペーパーに
関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a transparent conductive film, an apparatus therefor, a transparent conductive film, and electronic paper.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子ペーパーの開発が活発に行わ
れている。電子ペーパーは、フレキシブルなフィルム上
に文字や画像を表示するとともに、これらの自由な書き
換えを可能としたものである。図４（１）に代表的な電
子ペーパーの説明図を示す。電子ペーパー１の両面には
透明なフィルム基板２が配置され、それぞれの内表面上
に透明導電性膜であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
なる電極３が形成されている。さらに各ＩＴＯ電極３の
間には、導電性を有する黒色トナー６および電気絶縁性
を有する白色トナー５が封入されている。そして図４
（２）に示すようにＩＴＯ電極３の間に電圧を印加する
と、下方にある黒色トナー６が移動して、上方にある白
色トナー５と入れ替わる。これにより、上方から見た場
合に白色から黒色へと変化して、文字や画像を形成する
ことが可能となる。2. Description of the Related Art In recent years, electronic paper has been actively developed. The electronic paper displays characters and images on a flexible film and enables free rewriting of these. FIG. 4A shows an explanatory view of a typical electronic paper. Transparent film substrates 2 are arranged on both surfaces of the electronic paper 1, and electrodes 3 made of ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent conductive film, are formed on the inner surfaces of the transparent film substrates 2. Further, a black toner 6 having conductivity and a white toner 5 having electric insulation are enclosed between the ITO electrodes 3. And Figure 4
When a voltage is applied between the ITO electrodes 3 as shown in (2), the black toner 6 below moves and is replaced with the white toner 5 above. As a result, when viewed from above, the color changes from white to black, and it becomes possible to form characters and images.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】一般にＩＴＯ電極の形
成には、スパッタ法が用いられている。例えば液晶表示
装置等の製造工程において、ガラス基板上にＩＴＯ電極
を形成する場合には、ターゲットであるＩＴＯの固体に
加速したイオンを照射して表面の分子を蒸発させ、スパ
ッタ蒸発したターゲット物質をガラス基板上に付着させ
て、ＩＴＯ薄膜を形成している。ここで、ＩＴＯ電極と
ガラス基板との密着性を確保するためには、ガラス基板
の温度を３００℃以上の高温にして、スパッタ法を行う
必要がある。Generally, a sputtering method is used for forming an ITO electrode. For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device or the like, when an ITO electrode is formed on a glass substrate, the solid ITO of the target is irradiated with accelerated ions to evaporate the molecules on the surface and sputter-evaporate the target material. An ITO thin film is formed by adhering it on a glass substrate. Here, in order to secure the adhesion between the ITO electrode and the glass substrate, it is necessary to perform the sputtering method with the temperature of the glass substrate set to a high temperature of 300 ° C. or higher.
【０００４】しかし、電子ペーパーのＩＴＯ電極は、有
機材料からなるフィルム基板またはプラスチック基板上
に形成するので、基板を高温にすると基板が変形および
変質してしまうという問題がある。従って、フィルム基
板等とＩＴＯ電極との密着性の確保が困難であるという
問題がある。そして、フィルム基板からＩＴＯ電極が脱
落した場合には、文字や画像を表示することが不可能と
なる。However, since the ITO electrode of the electronic paper is formed on the film substrate or the plastic substrate made of an organic material, there is a problem that the substrate is deformed and deteriorated when the substrate is heated to high temperature. Therefore, there is a problem that it is difficult to secure the adhesion between the film substrate and the ITO electrode. If the ITO electrode falls off the film substrate, it becomes impossible to display characters or images.
【０００５】本発明は上記問題点に着目し、被処理部材
を高温にすることなく被処理部材との密着性確保が可能
な、透明導電性膜の形成方法およびその装置の提供を目
的とする。また本発明は、被処理部材との密着性に優れ
た透明導電性膜を提供することを目的とする。さらに本
発明は、基板と電極との密着性に優れた電子ペーパーを
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method and apparatus for forming a transparent conductive film capable of ensuring adhesion to a member to be processed without raising the temperature of the member to be processed. . Another object of the present invention is to provide a transparent conductive film having excellent adhesion to the member to be treated. Another object of the present invention is to provide an electronic paper having excellent adhesion between the substrate and the electrode.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る透明導電膜の形成方法は、透明導電性
膜の構成物を含む低沸点の材料をガス化して原料に使用
し、プラズマＣＶＤ法により、被処理部材の表面に透明
導電性膜を形成する構成とした。In order to achieve the above object, a method for forming a transparent conductive film according to the present invention is a method in which a low boiling point material containing a constituent of a transparent conductive film is gasified and used as a raw material, The transparent conductive film is formed on the surface of the member to be processed by the plasma CVD method.
【０００７】透明導電性膜の構成物を含む材料をガス化
して原料に使用することにより、プラズマＣＶＤ法を用
いて透明導電性膜を形成することができる。このプラズ
マＣＶＤ法では、プラズマにより分解した原料が被処理
部材上で結合することにより透明導電性膜が形成される
ので、被処理部材との密着性を確保することができる。
また低沸点の、つまり蒸気圧の高い材料を使用すること
により、室温で気化しない膜を低温で形成できる。従っ
て、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との
密着性を確保することができる。By gasifying a material containing the constituents of the transparent conductive film and using it as a raw material, the transparent conductive film can be formed by the plasma CVD method. In this plasma CVD method, since the raw material decomposed by plasma is bonded on the member to be processed to form the transparent conductive film, the adhesion with the member to be processed can be secured.
Further, by using a material having a low boiling point, that is, a high vapor pressure, a film that does not vaporize at room temperature can be formed at a low temperature. Therefore, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【０００８】また、ガス化したヨウ化インジウム、ガス
化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズ
マＣＶＤ法により、被処理部材の表面にＩＴＯの被膜を
形成する構成とした。ＩＴＯ被膜の構成物を含み、なお
かつ低沸点の材料であるヨウ化インジウムおよび塩化第
二錫を使用することにより、低温でプラズマＣＶＤ法を
実施することができる。従って、被処理部材を高温にす
ることなく、被処理部材との密着性を確保することがで
きる。[0008] Further, the ITO film is formed on the surface of the member to be processed by the plasma CVD method using gasified indium iodide, gasified stannic chloride and oxygen gas as raw materials. The use of indium iodide and stannic chloride, which are low boiling materials, including the constituents of the ITO coating, allows the plasma CVD process to be performed at low temperatures. Therefore, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【０００９】また、ガス化したチオフェンを原料とし
て、プラズマＣＶＤ法により、被処理部材の表面にポリ
チオフェンの被膜を形成する構成とした。低沸点のチオ
フェンを原料として使用することにより、低温でプラズ
マＣＶＤ法を実施することができる。従って、被処理部
材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保
することができる。[0012] Further, it is configured such that a film of polythiophene is formed on the surface of the member to be processed by the plasma CVD method using gasified thiophene as a raw material. By using thiophene having a low boiling point as a raw material, the plasma CVD method can be carried out at a low temperature. Therefore, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【００１０】なお前記被処理部材は、有機材料からなる
構成としてもよい。上記のように、被処理部材を高温に
することなく被処理部材との密着性を確保することがで
きるので、有機材料からなる被処理部材であっても、こ
れらを変形または変質させることなく密着性を確保する
ことができる。The member to be processed may be made of an organic material. As described above, since it is possible to secure the adhesiveness with the member to be treated without raising the temperature of the member to be treated, even the member to be treated made of an organic material can be adhered without being deformed or deteriorated. It is possible to secure the sex.
【００１１】なお前記プラズマＣＶＤ法は、希ガスを導
入して、不活性ガスに対する放電を介して行う構成とす
るのが好ましい。特に前記不活性ガスは、アルゴンガス
である構成とするのが好ましい。アルゴンガスは分子量
が小さいので、電極から放出された電子と容易に衝突す
ることがなく、放電を広げて維持することができる。そ
して希ガスは弱いエネルギーでも分解し、放電しにくい
ガスを導入した際でも容易に放電を維持することができ
る。これにより、プラズマＣＶＤ法を用いて透明導電性
膜を形成することができる。It is preferable that the plasma CVD method is carried out by introducing a rare gas and discharging it through an inert gas. In particular, it is preferable that the inert gas is argon gas. Since the argon gas has a small molecular weight, it does not easily collide with the electrons emitted from the electrode, and the discharge can be spread and maintained. The rare gas is decomposed even with weak energy, and the discharge can be easily maintained even when introducing a gas that is difficult to discharge. Thereby, the transparent conductive film can be formed by using the plasma CVD method.
【００１２】一方、本発明に係る透明導電膜は、請求項
１ないし６のいずれかに記載の透明導電性膜の形成方法
を使用して製造した構成とした。これにより、被処理部
材との密着性に優れた透明導電性膜を提供することがで
きる。On the other hand, the transparent conductive film according to the present invention is manufactured by using the method for forming a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 6. This makes it possible to provide a transparent conductive film having excellent adhesion to the member to be processed.
【００１３】一方、本発明に係る電子ペーパーは、請求
項７に記載の透明導電性膜を使用して製造した構成とし
た。これにより、基板と電極との密着性に優れた電子ペ
ーパーを提供することができる。On the other hand, the electronic paper according to the present invention is manufactured by using the transparent conductive film according to the seventh aspect. This makes it possible to provide an electronic paper having excellent adhesion between the substrate and the electrode.
【００１４】一方、本発明に係る透明導電膜の形成装置
は、被処理部材の表面にＩＴＯの被膜を形成する装置で
あって、前記被処理部材を配置するチャンバと、前記チ
ャンバ内を真空状態とする真空ポンプと、前記チャンバ
内に高周波電界を印加する高周波電源および電極と、前
記チャンバ内にガス化したヨウ化インジウムを供給する
ヨウ化インジウムガス供給手段と、前記チャンバ内にガ
ス化した塩化第二錫を供給する塩化第二錫ガス供給手段
と、前記チャンバ内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給
手段と、前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアル
ゴンガス供給手段と、を有する構成とした。これによ
り、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との
密着性を確保することができる。On the other hand, a transparent conductive film forming apparatus according to the present invention is an apparatus for forming an ITO film on a surface of a member to be processed, and a chamber in which the member to be processed is placed and a vacuum state in the chamber. A vacuum pump, a high frequency power supply and an electrode for applying a high frequency electric field in the chamber, an indium iodide gas supply means for supplying gasified indium iodide in the chamber, and a chloride gasified in the chamber. A structure comprising: stannic chloride gas supply means for supplying stannic tin, oxygen gas supply means for supplying oxygen gas into the chamber, and argon gas supply means for supplying argon gas into the chamber . As a result, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【００１５】また、被処理部材の表面にポリチオフェン
の被膜を形成する装置であって、前記被処理部材を配置
するチャンバと、前記チャンバ内を真空状態とする真空
ポンプと、前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周
波電源および電極と、前記チャンバ内にガス化したチオ
フェンを供給するチオフェンガス供給手段と、前記チャ
ンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段
と、を有する構成とした。これにより、被処理部材を高
温にすることなく、被処理部材との密着性を確保するこ
とができる。A device for forming a coating film of polythiophene on the surface of a member to be processed, wherein a chamber in which the member to be processed is placed, a vacuum pump for evacuating the chamber, and a high frequency electric field in the chamber. A high frequency power source and an electrode for applying a gas, a thiophene gas supply means for supplying gasified thiophene into the chamber, and an argon gas supply means for supplying argon gas into the chamber. As a result, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明に係る透明導電性膜の形成
方法および透明導電性膜の好ましい実施の形態を、添付
図面にしたがって詳細に説明する。なお以下に記載する
のは本発明の実施形態の一態様にすぎず、本発明はこれ
らに限定されるものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the method for forming a transparent conductive film and the transparent conductive film according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be noted that what is described below is only one aspect of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited thereto.
【００１７】最初に、第１実施形態について説明する。
第１実施形態に係る透明導電性膜の形成方法は、ガス化
したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸
素ガスを原料として、プラズマＣＶＤ法により、被処理
部材の表面にＩＴＯの無機被膜を形成するものである。First, the first embodiment will be described.
The method for forming the transparent conductive film according to the first embodiment uses a gasified indium iodide, gasified stannic chloride and oxygen gas as raw materials and a plasma CVD method to form an inorganic ITO film on the surface of a member to be processed. It forms a film.
【００１８】第１実施形態では、被処理部材の表面にＩ
ＴＯの被膜を形成する。被処理部材にはガラス基板を使
用する。なおＩＴＯ（Indium Tin Oxide）は、酸化イン
ジウムに酸化錫を１〜５重量％ドープしたものであり、
透明で導電性を有する。In the first embodiment, I is formed on the surface of the member to be treated.
A TO film is formed. A glass substrate is used as the member to be processed. ITO (Indium Tin Oxide) is indium oxide doped with 1 to 5% by weight of tin oxide,
It is transparent and conductive.
【００１９】第１実施形態では、プラズマＣＶＤ法でＩ
ＴＯ被膜を形成するので、その原料は、インジウム、錫
および酸素を含み、しかも低温でガス化し得る必要があ
る。なお、ここにいう低温とは、ＩＴＯ被膜等を形成す
る被処理部材が変形または変質することのない温度であ
る。かかる条件を満たす原料として、ヨウ化インジウ
ム、塩化第二錫および酸素ガスを使用する。なおヨウ化
インジウムは標準状態で固体であるが、真空状態では１
２０〜１３０℃程度まで加熱すれば、条件を満たす量の
ガスを供給することができる。また塩化第二錫は標準状
態で液体であるが、その沸点は約１１４℃と低温であ
り、真空状態では１００℃程度で条件を満たす量のガス
を供給することができる。そして、ガス化したヨウ化イ
ンジウム（ＩｎＩ3）および酸素ガス（Ｏ2）をプラズマ
化することにより、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）を形成
することができる。また、ガス化した塩化第二錫（Ｓｎ
Ｃｌ4）および酸素ガス（Ｏ2）をプラズマ化することに
より、酸化錫（ＳｎＯ2）を形成することができる。な
お、塩化第二錫に代えてフッ化錫を使用することも可能
である。In the first embodiment, the plasma CVD method I
Since a TO film is formed, its raw material must contain indium, tin and oxygen and can be gasified at a low temperature. The low temperature mentioned here is a temperature at which the member to be processed forming the ITO film or the like is not deformed or deteriorated. Indium iodide, stannic chloride, and oxygen gas are used as raw materials that satisfy such conditions. Although indium iodide is solid in the standard state, it is 1 in the vacuum state.
By heating to about 20 to 130 ° C., it is possible to supply an amount of gas satisfying the conditions. Although stannic chloride is a liquid in a standard state, its boiling point is a low temperature of about 114 ° C., and in a vacuum state, a sufficient amount of gas can be supplied at about 100 ° C. Then, gasified indium iodide (InI 3 ) and oxygen gas (O 2 ) are converted into plasma, whereby indium oxide (In 2 O 3 ) can be formed. In addition, gasified stannic chloride (Sn
By converting Cl 4 ) and oxygen gas (O 2 ) into plasma, tin oxide (SnO 2 ) can be formed. Note that tin fluoride may be used instead of stannic chloride.
【００２０】ＩＴＯ被膜は、図１に示す透明導電性膜の
形成装置１０を使用して形成する。透明導電性膜の形成
装置１０として、内部に被処理部材を配置するチャンバ
１２を形成する。また、チャンバ１２内を減圧し真空状
態に近づける真空ポンプ１４を接続する。さらに、チャ
ンバ１２の下部には基板８を載置するステージ１３を設
置する。加えて、チャンバ１２の上部には絶縁体１７を
介して電極１６を設置し、高周波電源１８に接続する。
一方、導電性材料で形成したチャンバ１２は接地する。
これにより、チャンバ１２内に高周波電界を印加して、
供給された原料ガスをプラズマ化することが可能とな
る。なお、プラズマによるチャンバ１２内の温度上昇を
抑制するため、チャンバ１２は冷却可能に形成する。ま
た、チャンバ１２には排気ポンプ（不図示）を接続し、
使用後のガスを排気処理装置（不図示）に供給して排気
可能とする。さらには、チャンバ１２を冷却可能としつ
つ、ステージ１３にチラー等の温度制御装置（不図示）
を設けることにより、基板の温度を調整しながら蒸着可
能としてもよい。一般的には、基板温度を高温にして成
膜すると密着性の良い膜が得られるからである。The ITO film is formed by using the transparent conductive film forming apparatus 10 shown in FIG. As the transparent conductive film forming apparatus 10, a chamber 12 in which a member to be processed is arranged is formed. In addition, a vacuum pump 14 is connected to reduce the pressure in the chamber 12 and bring it closer to a vacuum state. Further, a stage 13 on which the substrate 8 is placed is installed below the chamber 12. In addition, an electrode 16 is installed on the upper part of the chamber 12 via an insulator 17, and is connected to a high frequency power supply 18.
On the other hand, the chamber 12 made of a conductive material is grounded.
Thereby, a high frequency electric field is applied in the chamber 12,
The supplied raw material gas can be turned into plasma. In addition, in order to suppress the temperature rise in the chamber 12 due to plasma, the chamber 12 is formed to be coolable. An exhaust pump (not shown) is connected to the chamber 12,
The used gas is supplied to an exhaust treatment device (not shown) so that it can be exhausted. Further, a temperature control device (not shown) such as a chiller is provided on the stage 13 while allowing the chamber 12 to be cooled.
By providing, it is possible to perform vapor deposition while adjusting the temperature of the substrate. This is because, in general, a film having good adhesion can be obtained by forming the film at a high substrate temperature.
【００２１】また、各種ガスの供給手段２０，３０，４
０，５０を設ける。まず、チャンバ１２内にヨウ化イン
ジウムガスを供給するヨウ化インジウムガス供給手段２
０を設ける。具体的には、まず固体のヨウ化インジウム
を収納する容器２２を設ける。また、容器２２の下部に
はヒータ２４を設置し、ヨウ化インジウムのガス化を可
能とする。さらに、容器２２は供給配管２７によりチャ
ンバ１２と接続する。なお、ヨウ化インジウムのガスは
チャンバ１２の負圧により吸引され、チャンバ１２内に
供給される。また、供給配管２７におけるガスの結露を
防止するため、供給配管２７の長さを短くするか、供給
配管２７に沿って結露防止用ヒータ（不図示）を設置す
るのが好ましい。加えて、供給配管２７には流量制御弁
（Mass Flow制御弁）２６を設け、チャンバ１２に流入
するガスの流量を調整可能とする。同様にして、チャン
バ１２内に塩化第二錫ガスを供給する塩化第二錫ガス供
給手段３０を設ける。Further, means for supplying various gases 20, 30, 4
0 and 50 are provided. First, indium iodide gas supply means 2 for supplying indium iodide gas into the chamber 12
0 is set. Specifically, first, a container 22 that stores solid indium iodide is provided. Further, a heater 24 is installed below the container 22 to enable gasification of indium iodide. Further, the container 22 is connected to the chamber 12 by a supply pipe 27. The indium iodide gas is sucked by the negative pressure of the chamber 12 and supplied into the chamber 12. Further, in order to prevent condensation of gas in the supply pipe 27, it is preferable to shorten the length of the supply pipe 27 or install a condensation prevention heater (not shown) along the supply pipe 27. In addition, the supply pipe 27 is provided with a flow rate control valve (Mass Flow control valve) 26 so that the flow rate of the gas flowing into the chamber 12 can be adjusted. Similarly, a stannic chloride gas supply means 30 for supplying stannic chloride gas is provided in the chamber 12.
【００２２】また、チャンバ１２内に酸素ガスを供給す
る酸素ガス供給手段４０を設ける。具体的には、酸素ガ
スボンベ等の供給源４２を設け、供給配管４７によりチ
ャンバ１２と接続する。なお同様にして、チャンバ１２
内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段５０
を設け、チャンバ１２内の放電の維持を可能とする。な
お、アルゴンガス以外の不活性ガスを使用してもよい。An oxygen gas supply means 40 for supplying oxygen gas is provided in the chamber 12. Specifically, a supply source 42 such as an oxygen gas cylinder is provided and connected to the chamber 12 by a supply pipe 47. In the same manner, the chamber 12
Argon gas supply means 50 for supplying argon gas into the interior
Is provided so that the discharge in the chamber 12 can be maintained. An inert gas other than argon gas may be used.
【００２３】次に、上記透明導電性膜の形成装置を使用
した、第１実施形態に係る透明導電性膜の形成方法につ
いて説明する。第１実施形態に係る透明導電性膜の形成
方法は、プラズマＣＶＤ法により透明導電性膜を形成す
るものである。まず、チャンバ１２内のステージ１３上
に基板８を配置する。次に真空ポンプ１４により、チャ
ンバ１２内を例えば０．１Ｔｏｒｒ程度まで減圧する。Next, a method of forming the transparent conductive film according to the first embodiment using the above-mentioned transparent conductive film forming apparatus will be described. The method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment is to form a transparent conductive film by a plasma CVD method. First, the substrate 8 is placed on the stage 13 in the chamber 12. Next, the inside of the chamber 12 is decompressed by the vacuum pump 14 to, for example, about 0.1 Torr.
【００２４】次に、ヨウ化インジウムガス供給手段２０
により、チャンバ１２内にヨウ化インジウムガスを供給
する。具体的には、まず容器２２に固体のヨウ化インジ
ウムを配置し、ヒータ２４で１２０〜１３０℃程度に加
熱してガス化させる。なお、チャンバ１２の負圧により
容器２２内も負圧となって、ヨウ化インジウムを比較的
低温でガス化させることができる。またチャンバ１２の
負圧により、ヨウ化インジウムガスが吸引されてチャン
バ１２内に供給される。ここで流量制御弁２６を調整
し、ヨウ化インジウムガスの流量を、例えば１００ｃｃ
ｍ程度とする。同様にして、塩化第二錫ガス供給手段３
０により、チャンバ１２内に塩化第二錫ガスを供給す
る。なお、塩化第二錫ガスの流量は、例えば５ｃｃｍ程
度とする。これにより、酸化インジウムに対する酸化錫
の形成量が１〜５重量％となり、理想的な組成比を有す
るＩＴＯ被膜を形成することができる。Next, indium iodide gas supply means 20
Thus, the indium iodide gas is supplied into the chamber 12. Specifically, first, solid indium iodide is placed in the container 22 and heated by the heater 24 to about 120 to 130 ° C. to be gasified. Note that the negative pressure in the chamber 12 also causes a negative pressure in the container 22, and indium iodide can be gasified at a relatively low temperature. Further, due to the negative pressure in the chamber 12, the indium iodide gas is sucked and supplied into the chamber 12. Here, the flow control valve 26 is adjusted so that the flow rate of the indium iodide gas is, for example, 100 cc.
It is about m. Similarly, stannic chloride gas supply means 3
At 0, stannic chloride gas is supplied into the chamber 12. The flow rate of the stannic chloride gas is, eg, about 5 ccm. As a result, the amount of tin oxide formed relative to indium oxide becomes 1 to 5% by weight, and an ITO film having an ideal composition ratio can be formed.
【００２５】また、酸素ガス供給手段４０により、チャ
ンバ１２内に酸素ガスを供給する。なお酸素ガスの流量
は、例えば２００ｃｃｍ程度とする。さらに、アルゴン
ガス供給手段５０により、チャンバ１２内にアルゴンガ
スを供給する。なおアルゴンガスの流量は、例えば１０
０ｃｃｍ程度とする。The oxygen gas supply means 40 supplies oxygen gas into the chamber 12. The flow rate of oxygen gas is, eg, about 200 ccm. Further, the argon gas supply means 50 supplies the argon gas into the chamber 12. The flow rate of the argon gas is, for example, 10
It is about 0 ccm.
【００２６】次に、高周波電源１８および電極１６によ
りチャンバ１２内に高周波電界を印加する。すると、放
出された電子がチャンバ１２内に供給されたアルゴンの
分子と衝突し、アルゴンラジカルなどのプラズマ粒子が
発生する。さらにこのプラズマ粒子が、チャンバ１２内
に供給されたヨウ化インジウム、塩化第二錫および酸素
の分子と衝突して、インジウムイオン、錫イオンおよび
酸素イオンなどのプラズマ粒子が発生する。そして、こ
れらのプラズマ粒子が基板８上で結合して酸化インジウ
ムおよび酸化錫となり、ガラス基板上にＩＴＯ被膜が形
成される。なお、プラズマによる温度上昇を抑制するた
め、チャンバ１２を冷却して基板８を室温程度に保持す
る。Next, a high frequency electric field is applied to the chamber 12 by the high frequency power source 18 and the electrode 16. Then, the emitted electrons collide with the molecules of argon supplied into the chamber 12, and plasma particles such as argon radicals are generated. Further, the plasma particles collide with the molecules of indium iodide, stannic chloride and oxygen supplied into the chamber 12 to generate plasma particles such as indium ions, tin ions and oxygen ions. Then, these plasma particles combine on the substrate 8 to become indium oxide and tin oxide, and an ITO film is formed on the glass substrate. In order to suppress the temperature rise due to plasma, the chamber 12 is cooled and the substrate 8 is kept at about room temperature.
【００２７】上記のように形成したＩＴＯ被膜につき、
ガラス基板との密着性を確認する試験を行った。具体的
には、ＩＴＯ被膜の上に粘着テープを貼り付け、このテ
ープを剥がす際にＩＴＯ被膜も同時に剥がれるか試験し
た。その結果、第１実施形態に係る透明導電性膜の形成
方法を使用して形成したＩＴＯ被膜は、ガラス基板に密
着して剥がれることはなかった。With respect to the ITO film formed as described above,
A test was conducted to confirm the adhesion to the glass substrate. Specifically, an adhesive tape was attached on the ITO film, and it was tested whether the ITO film was also removed when the tape was removed. As a result, the ITO film formed by using the method for forming the transparent conductive film according to the first embodiment was in close contact with the glass substrate and was not peeled off.
【００２８】この点、従来のＩＴＯ等の無機透明導電性
膜の形成には、スパッタ法を用いていたため、ＩＴＯ被
膜とガラス基板との密着性を確保するためには、ガラス
基板の温度を３００℃以上の高温にする必要があった。
なお、ガラス基板を低温としたままスパッタ法によりＩ
ＴＯ被膜を形成し、上記密着性試験を行ったところ、粘
着テープと同時にＩＴＯ被膜がガラス基板から剥がれ
て、密着性に欠けることが確認された。In this respect, since the conventional method for forming an inorganic transparent conductive film such as ITO was used a sputtering method, in order to secure the adhesion between the ITO film and the glass substrate, the temperature of the glass substrate was set to 300. It was necessary to raise the temperature to ℃ or higher.
It should be noted that I
When a TO coating was formed and the adhesion test was conducted, it was confirmed that the ITO coating was peeled off from the glass substrate at the same time as the adhesive tape, and the adhesiveness was lacking.
【００２９】しかし、第１実施形態に係る透明導電性膜
の形成方法では、透明導電性膜の構成物を含む低沸点の
材料をガス化して原料に使用し、プラズマＣＶＤ法によ
り被処理部材の表面に透明導電性膜を形成する構成とし
た。透明導電性膜の構成物を含む材料をガス化して原料
に使用することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて透明
導電性膜を形成することができる。このプラズマＣＶＤ
法では、プラズマにより分解した原料が被処理部材上で
結合することにより透明導電性膜が形成されるので、被
処理部材との密着性を確保することができる。また低沸
点の、つまり蒸気圧の高い材料を使用することにより、
低温でプラズマＣＶＤ法を実施することができる。従っ
て、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との
密着性を確保することができる。これにより、有機材料
からなるフィルム基板またはプラスチック基板等を変形
または変質させることなく、これらとの密着性を確保す
ることができる。However, in the method of forming the transparent conductive film according to the first embodiment, a low boiling point material containing the constituents of the transparent conductive film is gasified and used as a raw material, and the material to be processed is processed by the plasma CVD method. The transparent conductive film is formed on the surface. By gasifying a material containing the constituents of the transparent conductive film and using it as a raw material, the transparent conductive film can be formed by the plasma CVD method. This plasma CVD
In the method, the raw material decomposed by plasma is bonded on the member to be processed to form the transparent conductive film, so that the adhesion to the member to be processed can be secured. Also, by using a material with a low boiling point, that is, a high vapor pressure,
The plasma CVD method can be performed at a low temperature. Therefore, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed. As a result, it is possible to secure the adhesiveness with a film substrate or a plastic substrate made of an organic material without being deformed or altered.
【００３０】具体的には、ガス化したヨウ化インジウ
ム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料とし
て、プラズマＣＶＤ法により、被処理部材の表面にＩＴ
Ｏ被膜を形成する構成とした。ＩＴＯ被膜の構成物を含
み、なおかつ低沸点の材料であるヨウ化インジウムおよ
び塩化第二錫を使用することにより、低温でプラズマＣ
ＶＤ法を実施することができる。従って、被処理部材を
高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保する
ことができる。Specifically, IT is formed on the surface of the member to be processed by plasma CVD using gasified indium iodide, gasified stannic chloride and oxygen gas as raw materials.
An O film was formed. By using indium iodide and stannic chloride, which are low boiling materials that include the constituents of the ITO coating, plasma C at low temperatures is obtained.
The VD method can be performed. Therefore, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【００３１】また被処理部材は、有機材料からなる構成
としてもよい。上記のように第１実施形態に係る透明導
電性膜の形成方法により、被処理部材を高温にすること
なく被処理部材との密着性を確保することができるの
で、被処理部材を有機材料からなるフィルム基板または
プラスチック基板等とした場合でも、これらを変形また
は変質させることなく密着性を確保することができる。The member to be processed may be made of an organic material. As described above, the method for forming the transparent conductive film according to the first embodiment can secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed. Even when a film substrate or a plastic substrate made of the above is used, it is possible to secure the adhesiveness without deforming or degrading these.
【００３２】またプラズマＣＶＤ法は、不活性ガスに対
する放電を介して行う構成とした。特に、不活性ガスが
アルゴンガスである構成とした。希ガスは弱いエネルギ
ーでも分解し、放電しにくいガスを導入した際でも容易
に放電を維持することができる。これにより、プラズマ
ＣＶＤ法を用いて透明導電性膜を形成することができ
る。Further, the plasma CVD method is constructed so as to be carried out through discharge with respect to an inert gas. In particular, the inert gas is argon gas. The rare gas decomposes even with weak energy, and the discharge can be easily maintained even when introducing a gas that is difficult to discharge. Thereby, the transparent conductive film can be formed by using the plasma CVD method.
【００３３】また、第１実施形態に係る透明導電性膜の
形成方法により、フィルム基板上にＩＴＯ電極を形成し
て電子ペーパーを製造すれば、フィルム基板のフレキシ
ブル性を損なうことなく、なおかつフィルム基板とＩＴ
Ｏ電極との密着性に優れた電子ペーパーを提供すること
ができる。また第１実施形態に係る透明導電性膜の形成
方法は、電子ペーパー以外にも、液晶表示装置、電磁波
シールド、湿度計等のセンサ、蓄電池および太陽電池等
の製造に利用することが可能である。Further, if the ITO electrode is formed on the film substrate to manufacture the electronic paper by the method for forming the transparent conductive film according to the first embodiment, the flexibility of the film substrate is not impaired, and the film substrate is not damaged. And IT
It is possible to provide an electronic paper having excellent adhesion with the O electrode. In addition to the electronic paper, the method for forming the transparent conductive film according to the first embodiment can be used for manufacturing liquid crystal display devices, electromagnetic wave shields, sensors such as hygrometers, storage batteries and solar cells. .
【００３４】なお、ＩＴＯの成分である酸化錫は、単独
でも無機透明導電性膜としての性質を有する。酸化錫の
被膜は、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料と
して、プラズマＣＶＤ法により形成することができる。
この場合には、塩化第二錫の供給量を例えば１００ｃｃ
ｍ程度とする。また、透明導電性膜の形成装置における
ガス供給手段は、塩化第二錫ガス供給手段、酸素ガス供
給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。The tin oxide, which is a component of ITO, has a property as an inorganic transparent conductive film by itself. The tin oxide film can be formed by plasma CVD using gasified stannic chloride and oxygen gas as raw materials.
In this case, the supply amount of stannic chloride is, for example, 100 cc.
It is about m. Further, the gas supply means in the transparent conductive film forming apparatus is composed of stannic chloride gas supply means, oxygen gas supply means, and argon gas supply means.
【００３５】また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）も無機透明導電
性膜としての性質を有する。酸化亜鉛の被膜は、ガス化
した硝酸亜鉛（Ｚｎ（ＮＯ3）2・６Ｈ2Ｏ）および酸素
ガスを原料として、プラズマＣＶＤ法により形成するこ
とができる。硝酸亜鉛は標準状態で固体であるが、比較
的低温でガス化することができる。また、透明導電性膜
の形成装置におけるガス供給手段は、硝酸亜鉛ガス供給
手段、酸素ガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で
構成する。Zinc oxide (ZnO) also has a property as an inorganic transparent conductive film. The zinc oxide film can be formed by a plasma CVD method using gasified zinc nitrate (Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O) and oxygen gas as raw materials. Zinc nitrate is solid under normal conditions but can be gasified at relatively low temperatures. Further, the gas supply means in the transparent conductive film forming apparatus is composed of zinc nitrate gas supply means, oxygen gas supply means and argon gas supply means.
【００３６】また、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物
も、無機透明導電性膜としての性質を有する。この混合
物の被膜は、ガス化した硝酸亜鉛、ガス化した塩化ガリ
ウム（ＧａＣｌ3）および酸素ガスを原料として、プラ
ズマＣＶＤ法により形成することができる。なお、塩化
ガリウムは常温で固体であり、その沸点は２００℃であ
る。また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手
段は、硝酸亜鉛ガス供給手段、塩化ガリウムガス供給手
段、酸素ガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構
成する。A mixture of zinc oxide and gallium oxide also has a property as an inorganic transparent conductive film. The coating film of this mixture can be formed by a plasma CVD method using gasified zinc nitrate, gasified gallium chloride (GaCl 3 ) and oxygen gas as raw materials. Note that gallium chloride is a solid at room temperature and its boiling point is 200 ° C. Further, the gas supply means in the transparent conductive film forming apparatus is composed of zinc nitrate gas supply means, gallium chloride gas supply means, oxygen gas supply means and argon gas supply means.
【００３７】次に、第２実施形態について説明する。第
２実施形態に係る透明導電性膜の形成方法は、ガス化し
たチオフェンを原料として、プラズマＣＶＤ法により、
被処理部材の表面にポリチオフェンの有機被膜を形成す
るものである。なお、第１実施形態と同じ構成となる部
分についてはその説明を省略する。Next, the second embodiment will be described. The method for forming the transparent conductive film according to the second embodiment is a plasma CVD method using gasified thiophene as a raw material.
An organic coating of polythiophene is formed on the surface of a member to be treated. It should be noted that description of portions having the same configurations as those of the first embodiment will be omitted.
【００３８】第２実施形態では、ガス化したチオフェン
を原料とする。図２（１）にチオフェンの化学構造式を
示す。チオフェン（Ｃ4Ｈ4Ｓ）の物理的性質および化学
的性質はベンゼンに類似し、標準状態では液体でその沸
点は約８４℃と低温であり、真空状態では４０℃程度で
条件を満たす量のガスを供給することができる。また第
２実施形態では、被処理部材としてポリエチレン製のフ
ィルム基板を使用する。そしてこのフィルム基板上に、
ポリチオフェンの有機被膜を形成する。図２（２）にポ
リチオフェンの化学構造式を示す。ポリチオフェンは赤
色を帯びた透明の膜であり、導電性を有する。In the second embodiment, gasified thiophene is used as a raw material. FIG. 2 (1) shows the chemical structural formula of thiophene. The physical and chemical properties of thiophene (C 4 H 4 S) are similar to those of benzene. In the standard state, it is a liquid and its boiling point is as low as about 84 ° C. Gas can be supplied. In the second embodiment, a polyethylene film substrate is used as the member to be processed. And on this film substrate,
Form an organic coating of polythiophene. FIG. 2 (2) shows the chemical structural formula of polythiophene. Polythiophene is a reddish transparent film having conductivity.
【００３９】ポリチオフェンの被膜は、図３に示す透明
導電性膜の形成装置７０を使用して形成する。なお、原
料ガスの供給手段８０以外の構成は、図１に示す透明導
電性膜の形成装置１０と同様である。原料ガス供給手段
として、チャンバ１２にチオフェンガスを供給するチオ
フェンガス供給手段８０を設ける。具体的には、液体の
チオフェンを収納する容器２２を設ける。その他の点
は、図１に示す透明導電性膜の形成装置１０におけるヨ
ウ化インジウムガス供給手段２０または塩化第二錫ガス
供給手段３０と同様である。The polythiophene coating film is formed by using the transparent conductive film forming apparatus 70 shown in FIG. The configuration other than the source gas supply means 80 is the same as that of the transparent conductive film forming apparatus 10 shown in FIG. A thiophene gas supply means 80 for supplying thiophene gas to the chamber 12 is provided as a source gas supply means. Specifically, a container 22 that stores liquid thiophene is provided. Other points are the same as those of the indium iodide gas supply means 20 or the stannic chloride gas supply means 30 in the transparent conductive film forming apparatus 10 shown in FIG.
【００４０】次に、上記透明導電性膜の形成装置を使用
した、第２実施形態に係る透明導電性膜の形成方法につ
いて説明する。なお、第１実施形態と同じ構成となる部
分についてはその説明を省略する。第２実施形態では、
チオフェンガス供給手段８０により、チャンバ１２内に
チオフェンガスを供給する。チオフェンガスの流量は、
例えば１００ｃｃｍ程度とする。またアルゴンガス供給
手段５０により、チャンバ１２内にアルゴンガスを供給
する。なおアルゴンガスの流量は、例えば１００ｃｃｍ
程度とする。Next, a method for forming a transparent conductive film according to the second embodiment using the above-described transparent conductive film forming apparatus will be described. It should be noted that description of portions having the same configurations as those of the first embodiment will be omitted. In the second embodiment,
The thiophene gas supply means 80 supplies thiophene gas into the chamber 12. The flow rate of thiophene gas is
For example, it is about 100 ccm. Further, the argon gas supply means 50 supplies the argon gas into the chamber 12. The flow rate of the argon gas is 100 ccm, for example.
The degree.
【００４１】次に、高周波電源１８および電極１６によ
りチャンバ１２内に高周波電界を印加する。すると、ア
ルゴンラジカルなどのプラズマ粒子が発生し、このプラ
ズマ粒子がチャンバ１２内に供給されたチオフェンの分
子と衝突して、炭素と水素との結合が切断された活性な
チオフェンが発生する。そして、この活性なチオフェン
が基板９上で重合することにより、フィルム基板上にポ
リチオフェンの被膜が形成される。なお第１実施形態と
同様に、チャンバ１２を冷却して基板９を室温程度に保
持する。上述した第２実施形態に係る透明導電性膜の形
成方法により、被処理部材を高温にすることなく、被処
理部材との密着性を確保することができる。Next, a high frequency electric field is applied to the chamber 12 by the high frequency power source 18 and the electrode 16. Then, plasma particles such as argon radicals are generated, and the plasma particles collide with molecules of thiophene supplied into the chamber 12 to generate active thiophene in which the bond between carbon and hydrogen is broken. Then, the active thiophene is polymerized on the substrate 9 to form a polythiophene coating film on the film substrate. As in the first embodiment, the chamber 12 is cooled to keep the substrate 9 at room temperature. By the method for forming the transparent conductive film according to the second embodiment described above, it is possible to secure the adhesion to the member to be processed without raising the temperature of the member to be processed.
【００４２】従来、有機透明導電性膜の形成には、ＬＢ
（ラングミュアーブロジェット）法や真空蒸着法を用い
ていた。ＬＢ法とは、液上に形成した単分子膜に基板を
押し付けて引き上げるものである。また真空蒸着法と
は、真空中で加熱蒸発させた材料を基板上に付着させて
薄膜を形成するものである。これらの方法では、被処理
部材との密着性を確保するのが困難であり、実用化する
ことは不可能であった。Conventionally, LB has been used to form an organic transparent conductive film.
(Langmuir-Blodgett) method and vacuum deposition method were used. The LB method is a method of pressing a substrate against a monomolecular film formed on a liquid and pulling it up. Further, the vacuum vapor deposition method is a method of forming a thin film by depositing a material heated and evaporated in a vacuum on a substrate. With these methods, it is difficult to secure the adhesion to the member to be processed, and it was impossible to put them into practical use.
【００４３】しかし、第２実施形態に係る透明導電性膜
の形成方法では、ガス化したチオフェンを原料として、
プラズマＣＶＤ法により、被処理部材の表面にポリチオ
フェンの有機被膜を形成する構成とした。プラズマＣＶ
Ｄ法では、被処理部材上でプラズマ粒子が結合して透明
導電性膜が形成されるので、被処理部材との密着性を確
保することができる。また低沸点のチオフェンを使用す
ることにより、低温でプラズマＣＶＤ法を実施すること
ができる。従って、被処理部材を高温にすることなく、
被処理部材との密着性を確保することができる。これに
より、ポリエチレン製のフィルム基板等を変形または変
質させることなく、これらとの密着性を確保することが
できる。However, in the method for forming a transparent conductive film according to the second embodiment, gasified thiophene is used as a raw material.
An organic film of polythiophene was formed on the surface of the member to be processed by the plasma CVD method. Plasma CV
In the method D, the plasma particles are combined with each other on the member to be processed to form the transparent conductive film, so that the adhesion with the member to be processed can be secured. Further, by using thiophene having a low boiling point, the plasma CVD method can be carried out at a low temperature. Therefore, without heating the member to be treated,
Adhesion with the member to be processed can be ensured. As a result, it is possible to secure the adhesiveness with a polyethylene film substrate or the like without deforming or degrading the film substrate.
【００４４】なお、ポリアセチレンも有機透明導電性膜
としての性質を有する。ポリアセチレンの被膜は、アセ
チレンガス（Ｃ2Ｈ2）を原料として、プラズマＣＶＤ法
により形成することができる。また、透明導電性膜の形
成装置におけるガス供給手段は、アセチレンガス供給手
段およびアルゴンガス供給手段で構成する。Polyacetylene also has a property as an organic transparent conductive film. The film of polyacetylene can be formed by a plasma CVD method using acetylene gas (C 2 H 2 ) as a raw material. The gas supply means in the transparent conductive film forming apparatus is composed of an acetylene gas supply means and an argon gas supply means.
【００４５】また、ポリアニリンも有機透明導電性膜と
しての性質を有する。ポリアニリンの被膜は、ガス化し
たアニリン（Ｃ6Ｈ5ＮＨ2）を原料として、プラズマＣ
ＶＤ法により形成することができる。なお、アニリンは
常温で液体であり、その沸点は約１８３℃である。ま
た、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、
アニリンガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構
成する。Polyaniline also has a property as an organic transparent conductive film. The polyaniline film is formed by plasma C using gasified aniline (C 6 H 5 NH 2 ) as a raw material.
It can be formed by the VD method. It should be noted that aniline is a liquid at room temperature and its boiling point is about 183 ° C. Further, the gas supply means in the transparent conductive film forming apparatus,
It comprises an aniline gas supply means and an argon gas supply means.
【００４６】また、ポリピロールも有機透明導電性膜と
しての性質を有する。ポリピロールの被膜は、ガス化し
たピロール（Ｃ4Ｈ5Ｎ）を原料として、プラズマＣＶＤ
法により形成することができる。なお、ピロールは常温
で液体であり、その沸点は約１３０℃である。また、透
明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、ピロー
ルガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成す
る。Polypyrrole also has a property as an organic transparent conductive film. The polypyrrole film is formed by plasma CVD using gasified pyrrole (C 4 H 5 N) as a raw material.
It can be formed by a method. Pyrrole is a liquid at room temperature and its boiling point is about 130 ° C. Further, the gas supply means in the transparent conductive film forming apparatus is composed of a pyrrole gas supply means and an argon gas supply means.
【００４７】[0047]
【発明の効果】ガス化したヨウ化インジウム、ガス化し
た塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマＣ
ＶＤ法により、被処理部材の表面にＩＴＯの被膜を形成
する構成としたので、被処理部材を高温にすることな
く、被処理部材との密着性を確保することができる。EFFECT OF THE INVENTION Gas C indium iodide, gasified stannic chloride and oxygen gas are used as raw materials for plasma C
Since the ITO film is formed on the surface of the member to be processed by the VD method, the adhesion to the member to be processed can be secured without raising the temperature of the member to be processed.
【図１】 第１実施形態に係る透明導電性膜の形成装置
の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a transparent conductive film forming apparatus according to a first embodiment.
【図２】 （１）はチオフェンの化学構造式であり、
（２）はポリチオフェンの化学構造式である。FIG. 2 (1) is the chemical structural formula of thiophene,
(2) is a chemical structural formula of polythiophene.
【図３】 第２実施形態に係る透明導電性膜の形成装置
の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a transparent conductive film forming apparatus according to a second embodiment.
【図４】 電子ペーパーの説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of electronic paper.
【符号の説明】
１………電子ペーパー、２………フィルム基板、３……
…ＩＴＯ電極、５………白色トナー、６………黒色トナ
ー、８，９………基板、１０………透明導電性膜の形成
装置、１２………チャンバ、１３………ステージ、１４
………真空ポンプ、１６………電極、１７………絶縁
体、１８………高周波電源、２０………ヨウ化インジウ
ムガス供給手段、２２………容器、２４………ヒータ、
２６………流量制御弁、２７………供給配管、３０……
…塩化第二錫ガス供給手段、３２………容器、３４……
…ヒータ、３６………流量制御弁、３７………供給配
管、４０………酸素ガス供給手段、４２………供給源、
４６………流量制御弁、４７………供給配管、５０……
…アルゴンガス供給手段、５２………供給源、５６……
…流量制御弁、５７………供給配管、７０………透明導
電性膜の形成装置、８０………ヨウ化インジウムガス供
給手段、８２………容器、８４………ヒータ、８６……
…流量制御弁、８７………供給配管。[Explanation of Codes] 1 ... Electronic paper, 2 ......... Film substrate, 3 ...
... ITO electrode, 5 ... White toner, 6 ... Black toner, 8,9 ... Substrate, 10 ... Transparent conductive film forming device, 12 ... Chamber, 13 ... Stage, 14
……… Vacuum pump, 16 ………… Electrode, 17 ………… Insulator, 18 ………… High frequency power supply, 20 ………… Indium iodide gas supply means, 22 ………… Container, 24 ………… Heater,
26 ......... Flow control valve, 27 ... Supply pipe, 30 ...
... Stannous chloride gas supply means, 32 ... ... container, 34 ...
... heater, 36 ... ... flow control valve, 37 ... supply pipe, 40 ... oxygen gas supply means, 42 ... supply source,
46 ......... Flow control valve, 47 ... Supply pipe, 50 ...
... Argon gas supply means, 52 ......... Supply source, 56 ...
... Flow control valve, 57 ... Supply pipe, 70 ... Transparent conductive film forming device, 80 Indium iodide gas supply means, 82 ... Container, 84 ... Heater, 86 ...
… Flow control valve, 87… Supply pipe.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA03 AA14 BA11 BA42 BA45 CA06 FA03 LA01 LA11 5G307 FA02 FB01 FC05 5G323 BA03 BB03 BB06 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4K030 AA02 AA03 AA14 BA11 BA42 BA45 CA06 FA03 LA01 LA11 5G307 FA02 FB01 FC05 5G323 BA03 BB03 BB06
Claims (10)
い材料をガス化して原料に使用し、プラズマＣＶＤ法に
より、被処理部材の表面に透明導電性膜を形成すること
を特徴とする透明導電性膜の形成方法。1. A transparent conductive film is formed on a surface of a member to be processed by a plasma CVD method by using a material having a high vapor pressure including a constituent of the transparent conductive film as a raw material after being gasified. A method for forming a transparent conductive film.
た塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマＣ
ＶＤ法により、被処理部材の表面にＩＴＯの被膜を形成
することを特徴とする透明導電性膜の形成方法。2. Plasma C using gasified indium iodide, gasified stannic chloride and oxygen gas as raw materials.
A method for forming a transparent conductive film, which comprises forming an ITO film on the surface of a member to be processed by the VD method.
ラズマＣＶＤ法により、被処理部材の表面にポリチオフ
ェンの被膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の
形成方法。3. A method for forming a transparent conductive film, which comprises forming a film of polythiophene on the surface of a member to be processed by plasma CVD using gasified thiophene as a raw material.
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の透
明導電性膜の形成方法。4. The method for forming a transparent conductive film according to claim 1, wherein the member to be processed is made of an organic material.
対する放電を介して行うことを特徴とする請求項１ない
し３のいずれかに記載の透明導電性膜の形成方法。5. The method for forming a transparent conductive film according to claim 1, wherein the plasma CVD method is performed through discharge with respect to an inert gas.
ことを特徴とする請求項５に記載の透明導電性膜の形成
方法。6. The method for forming a transparent conductive film according to claim 5, wherein the inert gas is argon gas.
明導電性膜の形成方法を使用して製造したことを特徴と
する透明導電性膜。7. A transparent conductive film manufactured by using the method for forming a transparent conductive film according to claim 1.
て製造したことを特徴とする電子ペーパー。8. An electronic paper manufactured by using the transparent conductive film according to claim 7.
する装置であって、 内部に前記被処理部材を配置するチャンバと、 前記チャンバ内を減圧するポンプと、 前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周波電源およ
び電極と、 前記チャンバ内にガス化したヨウ化インジウムを供給す
るヨウ化インジウムガス供給手段と、 前記チャンバ内にガス化した塩化第二錫を供給する塩化
第二錫ガス供給手段と、 前記チャンバ内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段
と、 前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス
供給手段と、 を有することを特徴とする透明導電性膜の形成装置。9. An apparatus for forming an ITO film on a surface of a member to be processed, wherein a chamber in which the member to be processed is disposed, a pump for decompressing the chamber, and a high frequency electric field in the chamber. A high-frequency power source and an electrode to be applied, an indium iodide gas supply means for supplying gasified indium iodide into the chamber, and a stannic chloride gas supply means for supplying gasified stannic chloride into the chamber An oxygen gas supply means for supplying an oxygen gas into the chamber; and an argon gas supply means for supplying an argon gas into the chamber.
被膜を形成する装置であって、 内部に前記被処理部材を配置するチャンバと、 前記チャンバ内を減圧するポンプと、 前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周波電源およ
び電極と、 前記チャンバ内にガス化したチオフェンを供給するチオ
フェンガス供給手段と、 前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス
供給手段と、 を有することを特徴とする透明導電性膜の形成装置。10. An apparatus for forming a coating film of polythiophene on a surface of a member to be processed, wherein a chamber in which the member to be processed is arranged, a pump for decompressing the inside of the chamber, and a high frequency electric field in the chamber. A transparent conductive material, comprising: a high-frequency power source and an electrode to be applied; a thiophene gas supply means for supplying gasified thiophene into the chamber; and an argon gas supply means for supplying argon gas into the chamber. Membrane forming device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001322272A JP2003123559A (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Method for forming transparent conductive film, apparatus therefor, transparent conductive film, and electronic paper |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2001322272A JP2003123559A (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Method for forming transparent conductive film, apparatus therefor, transparent conductive film, and electronic paper |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003123559A true JP2003123559A (en) | 2003-04-25 |
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|---|---|---|---|
| JP2001322272A Pending JP2003123559A (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Method for forming transparent conductive film, apparatus therefor, transparent conductive film, and electronic paper |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003123559A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100700450B1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-03-28 | 주식회사 메카로닉스 | ITO thin film production method by atomic layer deposition and indium thin film production method |
| KR100700449B1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-03-28 | 주식회사 메카로닉스 | Method of manufacturing ITO thin film by chemical vapor deposition |
| US8641622B2 (en) | 2004-10-06 | 2014-02-04 | Guided Therapy Systems, Llc | Method and system for treating photoaged tissue |
| US10689808B2 (en) | 2008-03-20 | 2020-06-23 | Faculdade De Ciências E Tecnologia Da Universidade Nova De Lisboa | Process for using and producing paper based on natural cellulose fibers, synthetic fibers or mixed fibers as physical support and storing medium for electrical charges in self-sustaining field-effect transistors with memory using active semiconductor oxides |
-
2001
- 2001-10-19 JP JP2001322272A patent/JP2003123559A/en active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| KR100700449B1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-03-28 | 주식회사 메카로닉스 | Method of manufacturing ITO thin film by chemical vapor deposition |
| US10689808B2 (en) | 2008-03-20 | 2020-06-23 | Faculdade De Ciências E Tecnologia Da Universidade Nova De Lisboa | Process for using and producing paper based on natural cellulose fibers, synthetic fibers or mixed fibers as physical support and storing medium for electrical charges in self-sustaining field-effect transistors with memory using active semiconductor oxides |
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