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JP2003332433A - Method for designing full-mounted chip elements on memory - Google Patents

Method for designing full-mounted chip elements on memory

Info

Publication number
JP2003332433A
JP2003332433A JP2002139761A JP2002139761A JP2003332433A JP 2003332433 A JP2003332433 A JP 2003332433A JP 2002139761 A JP2002139761 A JP 2002139761A JP 2002139761 A JP2002139761 A JP 2002139761A JP 2003332433 A JP2003332433 A JP 2003332433A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
automatic
routing
memory
software
design
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002139761A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yu-Ming Hsu
佑銘 許
Gentai Rin
元泰 林
Shigei Rin
詩芸 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
eMemory Technology Inc
Original Assignee
eMemory Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by eMemory Technology Inc filed Critical eMemory Technology Inc
Priority to JP2002139761A priority Critical patent/JP2003332433A/en
Publication of JP2003332433A publication Critical patent/JP2003332433A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for designing full-mounted chip elements on a memory, which avoids difficulty that a hard macro prevents routing from being sufficiently automated. <P>SOLUTION: The method for designing full-mounted chip elements on a memory comprises dividing an element in the hard macro into ones of transistor level. In the state where two or more high-voltage circuits exist, this method provides multiple bypass circuits as a VSS and a VDD, respectively, which are two power suppliers that can be recognized by software. The many high-voltage circuits are used as ones for routing signals. As a result, automatic routing can be attained in terms of all the elements in the hard macro. For achieving automatic arrangement of all the chips and routing, the basic design in the hard macro is integrated into other portions thereafter. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention 【産業上の利用分野】[Industrial applications]

【0001】本発明は一般に一素子についての設計方法
に関し、より詳細にはメモリ上の全装チップ素子につい
ての設計方法に関する。
The present invention generally relates to a design method for one element, and more particularly to a design method for all mounted chip elements on a memory.

【従来の技術】[Prior art]

【0002】通常使用される設計方法には、主にボトム
アップとトップダウンの両方の取り組み方法がある。ボ
トムアップの取り組み方法は、一般に事前に重要な構成
要素を設計し、かつ各構成要素を異なるモジュールに統
合し、最終的に製品自身を構成するために各モジュール
をつなげる。メモリ素子、すなわち混合モード信号集積
回路素子は、これらの回路のアナログ回路はトランジス
タレベルの設計によるものであるので、一般にボトムア
ップの設計の流れを使用する。先行技術においては、こ
の設計は論理ゲートレベルの設計としての処理を行うこ
とができないので、素子は自動径路設定用に分割するこ
とができない。一方トップダウン設計方法は、最初に製
品効率それ自身を考慮することによって構成要素の設計
を実施する。ボトムアップとトップダウン設計方法の他
に、ボトムアップとトップダウン設計方法を統合し、か
つ製品最適化の課題を達成するためにそれらを使用する
こともまた可能である。
The commonly used design methods primarily include both bottom-up and top-down approaches. Bottom-up approaches generally design important components in advance, and integrate each component into different modules, and finally connect the modules together to form the product itself. Memory devices, or mixed mode signal integrated circuit devices, generally use a bottom-up design flow because the analog circuits of these circuits are of transistor level design. In the prior art, this design cannot be treated as a logic gate level design, so the device cannot be split for automatic path setting. The top-down design method, on the other hand, first designs the components by considering the product efficiency itself. Besides bottom-up and top-down design methods, it is also possible to integrate bottom-up and top-down design methods and use them to achieve product optimization challenges.

【0003】普通のメモリは、主にメモリセルアレイ部
分と論理部分から構成される。メモリ中には多くのアナ
ログ回路、論理配線および論理部分があるので、ボトム
アップ設計方法は通常のメモリの設計に使用される。し
かし、メモリ中の論理部分の設計に際してボトムアップ
設計方法を使用することが提案されてきたが、アナログ
回路部分はトップダウン設計方法を使用しては設計でき
ない。それ故、トップダウン設計方法を使用して論理部
分を設計することは、全装チップ自動化設計の要求を満
たすことができない。
An ordinary memory is mainly composed of a memory cell array portion and a logic portion. Since there are many analog circuits, logic wirings and logic parts in the memory, the bottom-up design method is used for normal memory design. However, although it has been proposed to use a bottom-up design method when designing the logic portion in the memory, the analog circuit portion cannot be designed using the top-down design method. Therefore, designing the logic portion using the top-down design method cannot meet the requirements of full-chip automated design.

【0004】図1Aと図1Bは、従来のメモリ設計のフ
ローチャートである。先行技術においては、メモリセル
アレイ部分および論理部分は別々に設計される。メモリ
セルアレイ部分の設計は、基本設計100、ハードマク
ロレイアウト102、全装チップ径路設定104、およ
びテープ出力106のステップを含む。
1A and 1B are flow charts of a conventional memory design. In the prior art, the memory cell array portion and the logic portion are designed separately. The design of the memory cell array portion includes the steps of basic design 100, hard macro layout 102, full-chip path setting 104, and tape output 106.

【0005】図1Bは、従来の論理設計のフローチャー
トである。従来の論理設計の流れは、高レベルハードウ
ェア記述言語プログラム110、合成112、自動径路
設定114、およびテープ出力116のステップを含
む。
FIG. 1B is a flowchart of a conventional logic design. A conventional logic design flow includes the steps of high level hardware description language program 110, synthesis 112, automatic route setup 114, and tape output 116.

【0006】図2は、従来のメモリ設計のフローチャー
トである。メモリセルアレイ部分の設計は、基本設計2
00とハードマクロレイアウト、および機能記述202
を含む。論理部分の設計は、高レベルハードウェア記述
言語プログラム204と合成206のステップを含む。
メモリセルアレイ部分のステップと論理部分のステップ
はその後合成され、かつハードマクロによる全装チップ
径路設定のステップ208と、そして最後はテープ出力
210のステップに合体される。全体の設計は二つの異
なる部分に分割されるので、ハードマクロのアナログ回
路図の径路設定設計は手作業方法を使用せざるを得な
い。
FIG. 2 is a flowchart of a conventional memory design. Basic design 2
00, hard macro layout, and function description 202
including. The design of the logic part includes the steps of high level hardware description language program 204 and synthesis 206.
The steps of the memory cell array portion and the steps of the logical portion are then combined and combined with the step 208 of setting up a full chip path by the hard macro and finally the step of tape output 210. Since the whole design is divided into two different parts, the route setting design of the hard macro analog schematic has to use a manual method.

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be Solved by the Invention]

【0007】従来のメモリ設計の流れにおいて、パルス
発生器、コンデンサ、抵抗器、トランジスタ、および高
電圧素子を含むメモリセルアレイ部分中のハードマクロ
は、予め設計されなければならず、その後ハードマクロ
と共にその上で全装チップの径路設定を実施する。径路
設定設計の柔軟性は、このような方法を使用することに
より大きく制限される。従って全体の設計は完全に自動
化できず、それにより設計時間が引き延ばされかつ進行
が遅れるという現象が生じる。
In the conventional memory design flow, the hard macro in the memory cell array portion including the pulse generator, the capacitor, the resistor, the transistor, and the high-voltage element must be designed in advance, and then the hard macro together with the hard macro. Perform path setting for all chips above. The flexibility of the route setting design is greatly limited by using such a method. Therefore, the whole design cannot be completely automated, which causes a phenomenon that the design time is prolonged and the progress is delayed.

【0008】その上、Avanti Corp.によっ
て開発されたApolloソフトウェア、またはCad
ence Corp.によって開発されたSEソフトウ
ェアのような現行の自動配置および径路設定(APR)
ツールは、普通のフラッシュメモリアレイの設計におけ
るように、メモリ設計時に一般的である同じチップ上に
二つ以上の高電圧回路がある状況においては自動径路設
定を実施することができない。従って、同じチップ上に
二つ以上の高電圧回路がある状況において、径路設定は
半自動方法を使用せざるを得ない。
In addition, Avanti Corp. Apollo software developed by or Cad
ence Corp. Current automatic placement and path setting (APR) such as SE software developed by
The tool cannot perform automatic routing in situations where there are two or more high voltage circuits on the same chip, which is common in memory design, such as in conventional flash memory array designs. Therefore, in situations where there are more than one high voltage circuit on the same chip, the path setting must use a semi-automatic method.

【0009】従って本発明の課題は、径路設定がハード
マクロによって十分に自動化できないという困難を回避
するために、メモリ上に全装チップ素子についての設計
方法を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a designing method for all mounted chip elements on a memory in order to avoid the difficulty that the path setting cannot be fully automated by a hard macro.

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

【0010】上記の課題を達成するために、本発明はメ
モリ上に全装チップ素子についての設計方法を提供す
る。この方法はハードマクロ中の素子を自動化設計のた
めにトランジスタレベルを備える素子に分割する。二つ
以上の高電圧回路がある状況において、多重バイパス回
路がVSS およびVDDのような自動配置および径路設定
ツールによって与えられ、ここでVSS およびVDDはソ
フトウェアによって認識できる二つのパワー供給であ
る。これらのパワー供給回路は径路設定用信号回路とし
て使用でき、その結果、ハードマクロ中の総ての素子上
の自動径路設定を実施する課題が達成できる。換言すれ
ば、論理ゲートレベルおよびトランジスタレベル部分
は、自動配置および径路設定ツールを使用することによ
って自動径路設定を実施することができる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a designing method for all mounted chip elements on a memory. This method divides the devices in the hard macro into devices with transistor levels for automated design. In situations where there is more than one high-voltage circuit, given multiple bypass circuit by automatic placement and path setting tools such as V SS and V DD, where V SS and V DD are two power supply that can be recognized by the software Is. These power supply circuits can be used as path setting signal circuits, and as a result, the task of performing automatic path setting on all elements in the hard macro can be achieved. In other words, the logic gate level and transistor level portions can be automatically routed by using an automatic placement and routing tool.

【0011】本発明のメモリ上の全装チップ素子の設計
方法が、上記のハードマクロにおける基本設計をverilo
g(論理シミュレータ)すなわちEDIFのようなフォーマ
ットに変換した後、それは次いでそれをハードマクロ以
外の(論理部分のような)他の部分に統合する。統合の
後、全装チップレイアウトと径路設定設計、並びに全装
チップレイアウト後の合成が処理され、その結果、全装
チップ自動配置および径路設定が達成できる。
A method of designing all mounted chip elements on a memory according to the present invention verilo the basic design in the above hard macro.
After converting to a format such as g (Logic Simulator) or EDIF, it then integrates it into other parts (such as the logical part) other than hard macros. After integration, full chip layout and routing design, and post-full chip layout compositing are processed so that full chip automatic placement and routing can be achieved.

【0012】本発明において、自動径路設定方法はセル
ベースの自動径路設定方法を使用することによって、N
型金属酸化半導体(NMOS)トランジスタ、P型金属
酸化半導体(PMOS)トランジスタ、およびNMOS
トランジスタおよびPMOSトランジスタより成るイン
バータのような高電圧デバイスに適用される。
In the present invention, the automatic route setting method uses the cell-based automatic route setting method.
-Type metal oxide semiconductor (NMOS) transistor, P-type metal oxide semiconductor (PMOS) transistor, and NMOS
It applies to high voltage devices such as inverters consisting of transistors and PMOS transistors.

【0013】本発明において、NMOSトランジスタ、
PMOSトランジスタ、およびインバータ全体の大きさ
は標準セルの整数倍として規定され(ソフトウェアによ
ってはそれはまた標準セルの非整数倍でも良い)、およ
び径路設定はこれらのデバイス上に実施される。多重バ
イパス回路はまたVSS およびVDDとして与えられ、こ
こでVSS およびVDDはソフトウェアによって認識でき
る二つのパワー供給であり、かつそれらのウェルコンタ
クトは径路設定用の信号回路として使用される。
In the present invention, an NMOS transistor,
The size of the PMOS transistor, and the total inverter, is defined as an integer multiple of the standard cell (depending on software it may also be a non-integer multiple of the standard cell), and routing is implemented on these devices. Multiple bypass circuits are also provided as V SS and V DD , where V SS and V DD are the two power supplies recognizable by software, and their well contacts are used as signal circuits for routing.

【発明の実施の形態】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0014】図3は、本発明による好適な実施例のメモ
リ上の全装チップ素子についての設計のフローチャート
を示す。この実施例において、メモリ上の全装チップ素
子の設計の流れは、基本設計300、基本設計のverilo
g(論理シミュレータ)すなわちEDIFフォーマットへの
変換302、高レベルハードウェア記述言語プログラム
304、合成306、統合全装チップネットリスト30
8、全装チップ配置および径路設定基本設計310、全
装チップレイアウト後の合成312、およびテープ出力
314のステップを含む。設計シーケンスが、図面に示
されている。
FIG. 3 shows a design flow chart for a fully mounted chip element on a memory of a preferred embodiment according to the present invention. In this embodiment, the design flow of all mounted chip elements on the memory is as follows: basic design 300, basic design verilo
g (logic simulator), that is, conversion to EDIF format 302, high-level hardware description language program 304, synthesis 306, integrated full-chip chiplist 30
8, full-chip placement and routing basic design 310, post-full-chip layout synthesis 312, and tape output 314 steps. The design sequence is shown in the drawing.

【0015】ハードマクロは一般に、パルス発生器、コ
ンデンサ、抵抗器、トランジスタ、および高電圧素子よ
り構成されている。これらの素子は、先行技術において
は合成不能であった。しかし、本発明は自動配置および
径路設定ツールを使用することにより、論理ゲートレベ
ル部分、トランジスタレベル部分、および他の合成不能
回路部分上で自動径路設定を同時に実施する。換言すれ
ば,ハードマクロは、この実施例のステップ300の自
動化設計を実施するために、トランジスタレベルを備え
る多数の素子に分割される。他の合成不能回路部分も同
様の方法で設計され、その詳細を以下に説明する。
The hard macro is generally composed of a pulse generator, a capacitor, a resistor, a transistor, and a high voltage element. These devices could not be synthesized in the prior art. However, the present invention uses automatic placement and routing tools to perform automatic routing on logic gate level portions, transistor level portions, and other non-synthesizable circuit portions simultaneously. In other words, the hard macro is divided into a number of devices with transistor levels to implement the automated design of step 300 of this embodiment. The other non-synthesizable circuit parts are designed in the same manner, and the details will be described below.

【0016】同じチップ上に二つ以上の高電圧回路があ
る状況において、セルベース自動径路設定が径路設定用
に使用される。この実施例は、Avanti Cor
p.によって開発されたApolloソフトウェア、ま
たはCadence Corp.によって開発されたS
Eソフトウェアのような自動径路設定ソフトウェアを使
用することによりVSS およびVDD(VSS およびVDD
ソフトウェアによって認識できる二つのパワー供給であ
る)のような多重バイパス回路を提供し、かつ径路設定
用信号回路としてこれら二つ以上の高電圧回路を使用
し、その結果、ハードマクロ中の総ての素子上に自動径
路設定を実施する課題が達成できる。径路設定用信号回
路として二つ以上の高電圧回路を使用することは、自動
配置および径路設定ツールが二つの高電圧回路のみを認
識できるというボトルネックを改善するのみでなく、ハ
ードマクロ中の各素子上での自動径路設定も実施する。
上記の説明は例としてApolloソフトウェア、また
はSEソフトウェアを使用するけれども、本発明はこの
ソフトウェアのみを使用することに限定されない。
Cell-based automatic routing is used for routing in situations where there are more than one high voltage circuit on the same chip. This example is based on Avanti Cor
p. Apollo software developed by Cadence Corp. Developed by S
Providing multiple bypass circuits such as V SS and V DD (V SS and V DD are two power supplies that can be recognized by the software) by using automatic routing software such as E software, and routing By using these two or more high voltage circuits as the signal circuits for use, as a result, it is possible to achieve the task of performing automatic path setting on all the elements in the hard macro. Using more than one high voltage circuit as the path setting signal circuit not only improves the bottleneck that the automatic placement and path setting tool can only recognize two high voltage circuits, but also each Automatic path setting on the device is also performed.
Although the above description uses Apollo software, or SE software as an example, the present invention is not limited to using this software alone.

【0017】本発明のメモリ上の全装チップ素子の設計
方法が、上記のハードマクロにおける基本設計をverilo
g(論理シミュレータ)すなわちEDIFのようなフォーマ
ットに変換した後、それは次いでそれをハードマクロ以
外の(論理部分のような)他の部分に統合する。統合の
後、全装チップレイアウトおよび径路設定設計、並びに
全装チップレイアウト後の合成が処理され、その結果、
全装チップ自動配置および径路設定が達成できる。
A method of designing all chip elements on a memory of the present invention verilo the basic design in the above hard macro.
After converting to a format such as g (Logic Simulator) or EDIF, it then integrates it into other parts (such as the logical part) other than hard macros. After integration, full chip layout and routing design and post-full chip layout synthesis are processed, resulting in:
Automatic placement of all chips and path setting can be achieved.

【0018】更に、パルス発生器の入力静電容量(入力
C)、コンデンサ、抵抗器、ハードマクロのトランジス
タと高電圧素子、ファン・アウト負荷、最大静電容量、
およびタイミング情報は、総ての.libファイルに記
録される。
Further, the input capacitance (input C) of the pulse generator, the capacitor, the resistor, the hard macro transistor and the high voltage element, the fan-out load, the maximum capacitance,
And the timing information is recorded in all .lib files.

【0019】図4は、本発明による好適な実施例のメモ
リ上の全装チップ素子における、N型基板上のマルチパ
ワー供給型NMOSトランジスタをフローチャートに示
す。N型基板400はその中にPウェル402を持つ。
基板400の表面付近のPウェル402の中に、ソース
/ドレイン404とウェルコンタクト406がある。N
型基板400はまた、その上にゲート408を持つ。
FIG. 4 is a flowchart showing a multi-power supply type NMOS transistor on an N-type substrate in a fully mounted chip element on a memory according to a preferred embodiment of the present invention. N-type substrate 400 has P-well 402 therein.
In the P well 402 near the surface of the substrate 400, there are source / drain 404 and well contacts 406. N
The mold substrate 400 also has a gate 408 thereon.

【0020】多重バイパス回路410、412が、Av
anti Corp.によって開発されたApollo
ソフトウェア、またはCadence Corp.によ
って開発されたSEソフトウェアのような自動配置およ
び径路設定ツール(APRツール)を使用することによ
りPR境界401内に設けられる。回路410、412
はそれぞれVDDおよびVSSのような電圧に繋がり、ここ
でVSS およびVDDはソフトウェアによって認識できる
二つのパワー供給であり、高電圧回路は径路設定用信号
回路414として使用される。ここで、信号回路414
は挿入スタブ415を経てウェルコンタクト406に電
気的につながりかつ電圧VDP につながり、その結果、
ハードマクロ中の総ての素子上で自動径路設定を実施す
る課題が達成できる。
The multiple bypass circuits 410, 412 have Av
anti Corp. Developed by Apollo
Software, or Cadence Corp. It is provided within the PR boundary 401 by using an automatic placement and path setting tool (APR tool) such as SE software developed by. Circuits 410, 412
Are connected to voltages such as V DD and V SS , respectively, where V SS and V DD are two power supplies recognizable by software, and the high voltage circuit is used as a path setting signal circuit 414. Here, the signal circuit 414
Is electrically connected to the well contact 406 via the insertion stub 415 and to the voltage V DP , so that
The task of performing automatic path setting on all elements in the hard macro can be achieved.

【0021】図5は、本発明による好適な実施例のメモ
リ上の全装チップ素子におけるN型基板上のマルチパワ
ー供給型(または分離Nウェル)PMOSトランジスタ
をフローチャートに示す。N型基板500はPウェル5
02aと深いPウェル502bを持ち、かつPウェル5
02aと深いPウェル502bの内側にNウェル518
がある。ここで基板500の表面付近のNウェル518
の中に、ソース/ドレイン504とウェルコンタクト5
06がある。N型基板はまたその上にゲート508を持
つ。
FIG. 5 is a flow chart showing a multi-power supply type (or separate N well) PMOS transistor on an N type substrate in a fully mounted chip element on a memory according to a preferred embodiment of the present invention. N-type substrate 500 is P well 5
02a and deep P well 502b, and P well 5
02a and N well 518 inside deep P well 502b
There is. Here, the N well 518 near the surface of the substrate 500
Source / drain 504 and well contact 5 in
There is 06. The N-type substrate also has a gate 508 thereon.

【0022】多重バイパス回路510、512が、Av
anti Corp.によって開発されたApollo
ソフトウェア、またはCadence Corp.によ
って開発されたSEソフトウェアのような自動配置およ
び径路設定ツール(APRツール)を使用することによ
りPR境界501内に設けられる。回路510、512
はそれぞれVDDおよびVSSのような電圧に繋がり、ここ
でVSS およびVDDはソフトウェアによって認識できる
二つのパワー供給であり、高電圧回路は径路設定用信号
回路514、516として使用される。ここで、信号回
路514は挿入スタブ515を経てPウェル502aに
電気的につながりかつ電圧VDP につながり、信号回路
516は挿入スタブ517を経てウェルコンタクト50
6に電気的につながりかつ電圧VB につながり、その結
果、ハードマクロ中の総ての素子上で自動径路設定を実
施する課題が達成できる。
The multiple bypass circuits 510 and 512 have Av
anti Corp. Developed by Apollo
Software, or Cadence Corp. It is provided within the PR boundary 501 by using an automatic placement and path setting tool (APR tool) such as SE software developed by. Circuits 510 and 512
Are connected to voltages such as V DD and V SS , respectively, where V SS and V DD are two power supplies recognizable by software and the high voltage circuit is used as path setting signal circuits 514, 516. Here, the signal circuit 514 is electrically connected to the P-well 502a and connected to the voltage V DP via the insertion stub 515, and the signal circuit 516 is connected to the well contact 50 via the insertion stub 517.
6 electrically and connected to voltage V B , so that the task of implementing automatic path setting on all elements in the hard macro can be achieved.

【0023】図6は、本発明による好適な実施例のメモ
リ上の全装チップ素子におけるN型基板上のインバータ
をフローチャートに示す。N型基板600はPウェル6
02aと深いPウェル602bを持ち、かつPウェル6
02aと深いPウェル602bの内側にNウェル618
がある。ここで、基板600の表面付近のPウェル60
2a中に、ソース/ドレイン604aとウェルコンタク
ト606aがある。Pウェル602aはまた、その上に
ゲート608aを持つ。その上、基板600の表面付近
のNウェル618の中に、ソース/ドレイン604bと
ウェルコンタクト606bがある。Nウェル618はま
た、その上にゲート608bを持つ。
FIG. 6 is a flow chart showing an inverter on an N-type substrate in all mounted chip elements on a memory according to a preferred embodiment of the present invention. N-type substrate 600 is P-well 6
02a and deep P well 602b, and P well 6
02a and deep P well 602b inside N well 618
There is. Here, the P well 60 near the surface of the substrate 600
There is a source / drain 604a and a well contact 606a in 2a. P-well 602a also has a gate 608a thereon. In addition, in the N well 618 near the surface of the substrate 600, there are source / drain 604b and well contact 606b. N-well 618 also has a gate 608b thereon.

【0024】多重バイパス回路610、612が、Av
anti Corp.によって開発されたApollo
ソフトウェア、またはCadence Corp.によ
って開発されたSEソフトウェアのような自動配置およ
び径路設定ツール(APRツール)を使用することによ
りPR境界601内に設けられる。回路610、612
はそれぞれVDDおよびVSSのような電圧に繋がり、ここ
でVSS およびVDDはソフトウェアによって認識できる
二つのパワー供給であり、高電圧回路は径路設定用信号
回路614、616として使用される。ここで、信号回
路614は挿入スタブ615を経てPウェル602aに
電気的につながりかつ電圧VDP につながり、並びに信
号回路616は挿入スタブ617を経てウェルコンタク
ト606bに電気的につながりかつ電圧VB につなが
り、その結果、ハードマクロ中の総ての素子上で自動径
路設定を実施する課題が達成できる。
The multiple bypass circuits 610 and 612 have Av
anti Corp. Developed by Apollo
Software, or Cadence Corp. It is provided within the PR boundary 601 by using an automatic placement and path setting tool (APR tool) such as SE software developed by. Circuits 610 and 612
Are connected to voltages such as V DD and V SS , respectively, where V SS and V DD are two power supplies recognizable by software, and the high voltage circuit is used as the path setting signal circuits 614, 616. Here, the signal circuit 614 is electrically connected to the P-well 602a via the insertion stub 615 and connected to the voltage V DP , and the signal circuit 616 is electrically connected to the well contact 606b via the insertion stub 617 and connected to the voltage V B. As a result, it is possible to achieve the task of performing automatic path setting on all the elements in the hard macro.

【0025】図7は、本発明による好適な実施例のメモ
リ上の全装チップ素子におけるN型基板上の単一パワー
供給型NMOSトランジスタをフローチャートに示す。
N型基板700はPウェル702を持ち、そしてPウェ
ル702の分布区域が図面に示されている。基板700
の表面付近のPウェル702の中に、NMOSトランジ
スタ708がある。
FIG. 7 is a flowchart showing a single power supply type NMOS transistor on an N-type substrate in a fully mounted chip device on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.
N-type substrate 700 has P-well 702, and the distribution area of P-well 702 is shown in the drawing. Board 700
In the P well 702 near the surface of the NMOS transistor 708.

【0026】多重バイパス回路704、706が、Av
anti Corp.によって開発されたApollo
ソフトウェア、またはCadence Corp.によ
って開発されたSEソフトウェアのような自動配置およ
び径路設定ツール(APRツール)を使用することによ
りPR境界701内に設けられる。回路704、706
はPR境界701の端部に置かれ、回路704は電圧V
SSにつながり、回路706はPウェル702上に置かれ
かつ電圧VDDに電気的につながる。上記のVSSおよびV
DDは、ソフトウェアによって認識できる二つのパワー供
給である。
The multiple bypass circuits 704 and 706 have Av
anti Corp. Developed by Apollo
Software, or Cadence Corp. It is provided within the PR boundary 701 by using an automatic placement and path setting tool (APR tool) such as SE software developed by. Circuits 704 and 706
Is placed at the end of the PR boundary 701 and the circuit 704 has a voltage V
Connected to SS , circuit 706 is placed on P-well 702 and electrically connected to voltage V DD . Above V SS and V
DD is two power supplies that can be recognized by software.

【0027】図8は、本発明による好適な実施例のメモ
リ上の全装チップ素子におけるN型基板上の単一パワー
供給型(または共用Nウェル)PMOSトランジスタを
フローチャートに示す。N型基板800はPウェル80
2を持ち、そしてPウェル802の分布区域が図面に示
される。基板800の表面付近のPウェル802の分布
区域以外の他の区域中に、PMOSトランジスタ808
がある。
FIG. 8 is a flow chart showing a single power supply type (or shared N well) PMOS transistor on an N type substrate in a fully mounted chip element on a memory according to a preferred embodiment of the present invention. N-type substrate 800 is P-well 80
2, and the distribution area of P-well 802 is shown in the drawing. The PMOS transistor 808 is provided in the area other than the distribution area of the P well 802 near the surface of the substrate 800.
There is.

【0028】多重バイパス回路804、806が、Av
anti Corp.によって開発されたApollo
ソフトウェア、またはCadence Corp.によ
って開発されたSEソフトウェアのような自動配置およ
び径路設定ツール(APRツール)を使用することによ
りPR境界801内に設けられる。回路804、806
はPR境界801の端部に置かれ、回路804は電圧V
SSにつながり、回路806はPウェル802上に置かれ
かつ電圧VDDに電気的につながる。上記のVSSおよびV
DDは、ソフトウェアによって認識できる二つのパワー供
給である。
The multiple bypass circuits 804 and 806 have Av
anti Corp. Developed by Apollo
Software, or Cadence Corp. It is provided within the PR boundary 801 by using an automatic placement and path setting tool (APR tool) such as SE software developed by. Circuits 804 and 806
Is placed at the end of the PR boundary 801 and the circuit 804 has a voltage V
Connected to SS , circuit 806 is placed on P-well 802 and electrically connected to voltage V DD . Above V SS and V
DD is two power supplies that can be recognized by software.

【0029】上記の実施例は説明用の例としてPMOS
トランジスタ、NMOSトランジスタ、およびN型基板
上のインバータのみを使用するが、本発明はこれらのデ
バイスのものを使用することに限定されない。本発明は
また、P型基板上の素子の設計にも適用できる。
The above embodiment is a PMOS as an example for explanation.
Only transistors, NMOS transistors, and inverters on N-type substrates are used, but the invention is not limited to using those of these devices. The present invention is also applicable to the design of devices on P-type substrates.

【0030】[0030]

【発明の効果】要約して、本発明によるメモリ上の全装
チップ素子の設計方法は、少なくとも次の利点を有す
る。すなわち、 1.本発明によるメモリ上の全装チップ素子の設計方法
は、ハードマクロを自動径路設定用トランジスタレベル
を備える多数の素子に分割し、その結果、ハードマクロ
が独力で自動径路設定を実施することができない、とい
うボトルネックが改善される。 2.本発明によるメモリ上の全装チップ素子の設計方法
はVSS およびVDDとしての回路を設けた後、この方法
は更に自動配置および径路設定ツールが二つのパワー供
給のみを認識できるという制限を削除するために、高電
圧回路を径路設定用の信号回路として使用する。 3.本発明によるメモリ上の全装チップ素子の設計方法
は、自動配置および径路設定ツールを使用することによ
り論理ゲートレベル部分、トランジスタレベル部分、お
よび他の合成不能回路部分上の自動径路設定を同時に実
施し、その結果、素子を設計する時間がかなり低減でき
る。
In summary, the method for designing a fully mounted chip device on a memory according to the present invention has at least the following advantages. That is, 1. The method for designing all chip elements on a memory according to the present invention divides a hard macro into a large number of elements having transistor levels for automatic path setting, and as a result, the hard macro cannot independently perform automatic path setting. , Bottleneck is improved. 2. The method of designing all chip elements on the memory according to the present invention, after providing the circuits as V SS and V DD , further removes the limitation that the automatic placement and routing tool can recognize only two power supplies. To do this, the high voltage circuit is used as a signal circuit for path setting. 3. The method of designing all chip elements on a memory according to the present invention uses an automatic placement and path setting tool to simultaneously perform automatic path setting on a logic gate level portion, a transistor level portion, and other non-synthesizable circuit portions. As a result, the time for designing the device can be considerably reduced.

【0031】本発明はその特定の実施例を参照して説明
されてきたが、説明された実施例に対する変更は本発明
の意図から逸脱することなく為され得る、ということは
この技術分野において通常の当事者にとって明らかであ
る。従って本発明の範囲は、上の詳細な説明によってで
はなく添付の特許請求の範囲によって規定される。
Although the present invention has been described with reference to particular embodiments thereof, it is normal in the art that modifications to the described embodiments can be made without departing from the spirit of the invention. Is clear to the parties. The scope of the invention is therefore defined by the appended claims rather than by the above detailed description.

【0032】添付図面は本発明の理解を深めるために含
まれ、および本発明に組込まれかつその一部を構成す
る。図面は本発明の実施例を図示し、記述内容と共に本
発明の原理を説明するのに役立つ。図面において、
The accompanying drawings are included to provide a thorough understanding of the present invention, and are incorporated in and constitute a part of the present invention. The drawings illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention. In the drawing,

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1A】 従来のメモリ設計のフローチャートを示
す。
FIG. 1A shows a flowchart of a conventional memory design.

【図1B】 従来の論理設計のフローチャートを示す。FIG. 1B shows a flowchart of a conventional logic design.

【図2】 従来のメモリ設計のフローチャートを示
す。
FIG. 2 shows a flowchart of a conventional memory design.

【図3】 本発明による好適な実施例のメモリ上の全
装チップ素子についての設計のフローチャートを示す。
FIG. 3 shows a flow chart of a design for a fully mounted chip element on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.

【図4】 本発明による好適な実施例のメモリ上の全
装チップ素子におけるN型基板上のマルチパワー供給型
NMOSトランジスタをフローチャートに示す。
FIG. 4 is a flowchart showing a multi-power supply type NMOS transistor on an N-type substrate in a fully mounted chip device on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.

【図5】 本発明による好適な実施例のメモリ上の全
装チップ素子におけるN型基板上のマルチパワー供給型
PMOSトランジスタをフローチャートに示す。
FIG. 5 is a flowchart showing a multi-power supply type PMOS transistor on an N-type substrate in a fully mounted chip device on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.

【図6】 本発明による好適な実施例のメモリ上の全
装チップ素子におけるN型基板上のインバータをフロー
チャートに示す。
FIG. 6 is a flowchart showing an inverter on an N-type substrate in all mounted chip elements on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.

【図7】 本発明による好適な実施例のメモリ上の全
装チップ素子におけるN型基板上の単一パワー供給型N
MOSトランジスタをフローチャートに示す。
FIG. 7 is a single power supply type N on an N type substrate in a fully mounted chip device on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.
The MOS transistor is shown in the flowchart.

【図8】 本発明による好適な実施例のメモリ上の全
装チップ素子におけるN型基板上の単一パワー供給型P
MOSトランジスタをフローチャートに示す。.
FIG. 8 is a single power supply type P on an N type substrate in a fully mounted chip element on a memory according to a preferred embodiment of the present invention.
The MOS transistor is shown in the flowchart. .

フロントページの続き Fターム(参考) 5B025 AD09 AD15 AE00 5F064 BB21 CC01 CC21 CC22 CC23 DD02 EE02 EE52 HH01 HH06 HH08 HH09 5J056 AA00 BB59 CC03 EE00 HH03 KK00 KK02 Continued front page    F-term (reference) 5B025 AD09 AD15 AE00                 5F064 BB21 CC01 CC21 CC22 CC23                       DD02 EE02 EE52 HH01 HH06                       HH08 HH09                 5J056 AA00 BB59 CC03 EE00 HH03                       KK00 KK02

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、自動配置および径路設定ソ
フトウェアを提供し、自動配置および径路設定ソフトウ
ェアを使用することにより、論理ゲートレベル部分、ト
ランジスタレベル部分、および他の合成不能回路部分上
の自動径路設定を実施し、並びに全装チップ自動径路設
定の課題を達成するために、論理ゲートレベル部分、ト
ランジスタレベル部分、および他の合成不能回路部分上
の径路設定を統合するステップを有する、ことを特徴と
するメモリ上の全装チップ素子についての設計方法。
1. Automatic route setting on logic gate level portions, transistor level portions, and other non-synthesizable circuit portions by providing at least automatic place and route setting software. And to integrate the routing on the logic gate level portion, the transistor level portion, and other non-synthesizable circuit portions to implement the full chip automatic routing problem. Design method for all chip elements on memory.
【請求項2】 少なくとも、自動配置および径路設定ソ
フトウェアを提供し、自動配置および径路設定ソフトウ
ェアを使用することにより、論理ゲートレベル部分、ト
ランジスタレベル部分、および他の合成不能回路部分上
の自動径路設定を実施し、並びに全装チップ自動径路設
定の課題を達成するために論理ゲートレベル部分、トラ
ンジスタレベル部分、および他の合成不能回路部分上の
径路設定を統合するステップを有する、ことを特徴とす
るアナログ回路上の全装チップ素子についての設計方
法。
2. Automatic route setting on logic gate level portions, transistor level portions, and other non-synthesizable circuit portions by at least providing automatic placement and route setting software. And integrating routing on logic gate level portions, transistor level portions, and other non-synthesizable circuit portions to achieve the task of full-chip automatic routing. Design method for all chip elements on analog circuit.
【請求項3】 複数のパワー供給回路を有する素子上に
自動径路設定を実施することに適したセル本体の自動径
路設定方法において、自動配置および径路設定ソフトウ
ェアを提供し、VSS およびVDDとして複数のバイパス
パワー供給ノードを提供し、ここでVSSおよびVDDは自
動配置および径路設定ツールによって認識できるパワー
供給であり、および自動配置および径路設定ソフトウェ
アにおいて複数のパワー供給回路を自動径路設定用の信
号回路として割り当てるステップを有する、ことを特徴
とする方法。
3. An automatic path setting method for a cell body suitable for performing an automatic path setting on an element having a plurality of power supply circuits, wherein automatic placement and path setting software is provided, and V SS and V DD are provided. Providing multiple bypass power supply nodes, where V SS and V DD are the power supplies that can be recognized by the automatic placement and routing tool, and multiple power supply circuits for automatic routing in the automatic placement and routing software. And assigning it as a signal circuit of.
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