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JP2003517604A - カーボンナノチューブデバイス - Google Patents

カーボンナノチューブデバイス

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JP2003517604A
JP2003517604A JP2001545835A JP2001545835A JP2003517604A JP 2003517604 A JP2003517604 A JP 2003517604A JP 2001545835 A JP2001545835 A JP 2001545835A JP 2001545835 A JP2001545835 A JP 2001545835A JP 2003517604 A JP2003517604 A JP 2003517604A
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nanotube
nanotubes
nanotube device
substrate
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JP2001545835A
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ホンジエ ダイ、
ジン コン、
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ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティー
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
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    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、種々の適用において使用できる新規ナノチューブデバイスのアセンブリを提供する。特に、本発明のナノチューブデバイスは、新規属の用途の広い、化学的センサー及び生物学的センサーを提供する。該デバイスは、基板（２２）上の２つの触媒アイランド（２１）の間に配置されたナノチューブ（２０）を含む。２つの金属電極（２３）は、架橋ナノチューブの二端（２４）を含む個々の触媒アイランドを完全に被覆するよう設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （関連出願の相互参照） 本出願は、１９９８年８月１４日出願の同時係属特許出願０９／１３３，９４
８の分割／一部継続であり、前記出願は本文に参考として引用している。本出願
は、１９９９年１２月１５日出願の仮（プロビジョナル）出願６０／１７１，２
００に基づいており、本出願は、本文に参考として引用している。
【０００２】 （連邦支援研究または開発についての陳述） 本発明は、一部、米国海軍研究局のグラント番号Ｎ０００１４−９９−１−０
４９５の支援を受けた。米国政府は本発明について一定の権利を保有している。
【０００３】 （技術分野） 本発明は、全体としてナノチューブデバイスに関する。さらに詳細には、本発明
は、新規なクラスのナノチューブ化学的センサー及び生物学的センサーに関する
。
【０００４】 （背景技術） 化学物質および生物種の検出は、多くの工業、農業、医療および環境プロセス
で重要な役割を果たしている。たとえば、ＮＯ2ガスの検出は、燃焼または自動
車排出物による環境汚染の重要な対策手段を提供している。また、ＮＨ3量も、
工業、医療および生活環境で緊密にモニターする必要がある。さらに、種々の生
体医療応用において生物種を検出する必要が増大している。
【０００５】 先行技術の化学センサーは、通常、検出剤として半導体金属酸化物のような固
体材料を用いる。検出は、検出材料上に外来性の化学種が吸着したことから生ず
るセンサーの電気抵抗変化を検出することによって、達成される。しかし有意な
感度を達成するためには、この種のセンサーは、化学反応性を増大させるために
高温で稼動しなければならない。これら先行技術センサーの他の欠点としては、
リカバリー時間の長さ（たとえ不可逆性でないにしても）、再現性不良、および
各センサーが検出可能な化学種の範囲が極めて限定されていることがあげられる
。
【０００６】 上記に鑑み、当該技術分野においては、種々の化学および生物種に対して有意
かつ確実に応答するのみならず、さらに有益なことには調整可能な選択性を提供
する検出デバイスが求められている。
【０００７】 （本発明の目的および利点） したがって、種々の適用において用いることができる新規かつ用途の広いナノ
チューブデバイスアセンブリを提供することが本発明の主な目的である。特に、
これらのナノチューブデバイスは、新規なクラスの化学的センサー及び生物学的
センサーを提供する。本発明のもうひとつの目的は、制御下にそれぞれ分離可能
なナノチューブを成長させる方法を提供することがである。さらに、ナノチュー
ブを機能性デバイスに加工しかつ集積する方法を提供することも本発明の目的で
ある。さらに、ナノチューブの感度を種々の分子種に対して調整できるようにナ
ノチューブを変更するための方法を提供することも本発明の目的である。
【０００８】 本発明の主な利点は、本発明が広範囲の適用にそれぞれ適合させた新規なクラ
スの電気、機械および電気化学ナノチューブデバイスを提供することである。本
発明のもうひとつの独自の特徴は、これらの新規ナノチューブデバイスは、それ
らの環境において化学物質または生物種に対して有意かつ確実な応答を示すこと
、さらに重要であることは、調整可能な選択性を示すことである。 本発明のこれらおよび他の目的および利点は、下記の記載および付属図面を検討
すれば、さらに明らかになるであろう。
【０００９】 （発明の要約） 本発明は、基板および前記基板に配置された２個の触媒アイランドを含むデバ
イスを含む。各触媒アイランドは、高温で炭化水素ガスに暴露させるとナノチュ
ーブを成長させることができる。少なくとも１個のナノチューブは、２個の対峙
するアイランドの間に形成されるが、その際、その２個の末端を前記アイランド
に定着させている。金属電極をその後配置して、触媒アイランドおよび架橋ナノ
チューブの２個の末端を完全に被覆し、ナノチューブの電気的応答を測定するた
めの手段を提供する。
【００１０】 基板は、通常、天然酸化物層を有する、ドープされたシリコンで形成されてい
る。触媒は、Ｆｅ2Ｏ3およびアルミナナノパーティクルを含む。触媒アイランド
の大きさは通常約３〜５ミクロンである。ナノチューブは、一般的に、半導体ま
たは金属でもよい、シングルウォールカーボンナノチューブである。金属電極は
、典型的には、ニッケル―金またはチタン−金の合金を含む。
【００１１】 このように製造されたナノチューブは、特定分子種に対する感度を付与する金
属粒子、ポリマーおよび生物種のような１個以上の検出剤で被覆または装飾する
ことによって、さらに変更することができる。
【００１２】 化学種に対するナノチューブの選択性は、たとえばナノチューブにゲート電圧
を負荷することによって、物理的に調整することもできる。ゲート電圧は、ナノ
チューブのフェルミエネルギーレベルを効果的にシフトさせ、外来性化学種を吸
着すると、ナノチューブの電気伝導度に変化を生じさせる。
【００１３】 本発明はまた、１層の触媒材料で被覆された基板を含むデバイスを含む。前記
触媒は、高温で炭化水素ガスに暴露させるとナノチューブの成長を可能とし、前
記基板に配置された相互連結ナノチューブのフィルムを生じさせる。その際、前
記フィルムの２個の対峙する側面に２個の金属電極を配置するが、金属を全く含
まない間隙によって分離させておく。このようなナノチューブフィルムデバイス
は、大規模かつ低コストで容易に製造できる。
【００１４】 上記ナノチューブフィルムデバイスにおける基板は、典型的には、石英から製
造される。前記触媒は、Ｆｅ2Ｏ3およびアルミナ微粒子を含む。前記ナノチュー
ブは、一般的に、半導体性であるか金属性であるシングルウオールカーボンナノ
チューブである。前記金属電極は、典型的には、ニッケル−金またはチタン−金
の合金を含む。
【００１５】 前記ナノチューブフィルムは、その環境中における特定種に対する感度を付与
するように、１個以上の検出剤でそれを被覆または装飾することによって、さら
に変更することができる。前記検出剤には、金属粒子、ポリマー、および生物種
が含まれる。
【００１６】 本発明のナノチューブデバイスは、広範囲の分子種に対して高感度、確実な応
答および調整可能な選択性を示す。それらは、気体および液体環境において稼動
する。
【００１７】 本発明の新規な特徴は、下記の図面および詳細な説明から最も良く理解される
であろう。
【００１８】 （発明の詳細な説明） 図１Ａ〜１Ｃは、本発明の第１態様による、触媒アイランドでパターン化した
シリコン基板上にそれぞれ明確なナノチューブを合成する方法を示している。前
記方法の主な操作は、当該技術において本発明者らが報告しており（Ｎａｔｕｒ
ｅ ３９５、８７８（１９９８））、本文で参考として引用している。第一に、
１層のレジスト１０を、図１Ａに示したように、基板１１の最表面に配置しパタ
ーン化する。基板１１は、１層の天然酸化物を有する、ドープされたシリコンで
製造されている。レジスト１０上のパターン化は、典型的には、電子ビームリソ
グラフィによって実施され、下層基板１１を露出させるホール１２を形成する。
前記ホール１２は、通常、大きさが５ミクロンであり、１０ミクロンずつ離して
配置される。次に、数滴の触媒材料を前記基板１１表面に配置し、ホール１２を
満たす。前記触媒調製には、メタノール１５ｍｌ中においてアルミナナノパーテ
ィクル１５ｍｇ、Ｆｅ（ＮＯ3）3９Ｈ2Ｏを０．０５ｍｍｏｌ、およびＭｏＯ2（
ａｃａｃ）2を０．０１５ｍｍｏｌを混合することを含む。前記溶媒（すなわち
メタノール）が乾燥した後、残りのレジストを持ち上げはずすと、図１Ｂに示す
ように、基板１１上に単離触媒アイランドアレイ１３が出てくる。触媒をパター
ン化した基板を、その後、メタン流に暴露させつつ９００℃以上になるまで、チ
ューブ炉で加熱する。加熱により、Ｆｅ（ＮＯ3）3をＦｅ2Ｏ3に分解する。前記
Ｆｅ2Ｏ3／ナノパーティクル混合物は、高温でメタンガスに暴露させるとカーボ
ンナノチューブの成長を触媒できる。このように成長したカーボンナノチューブ
は、ほとんど構造欠陥のない、それぞれ明確で、シングルウオールを有するナノ
チューブが主である。図１Ｃは、基板１１上における触媒アイランド１３から発
するこれらのナノチューブ１４を示している。それらは、実質的に直線状で、典
型的には長さが１０ミクロン以上までかつ直径が１−３ナノメーターの範囲まで
伸長する。さらに、多くのナノチューブは、隣接アイランドを架橋している。上
記記載の合成プロセスにおいて１個の触媒アイランドから成長しているチューブ
が別のアイランド上に当たりそれと相互作用する際、ナノチューブブリッジが形
成される。
【００１９】 一般に、前記基板は、シリコン、アルミナ、石英、シリカおよびチッ化シリコ
ンで構成される群から選択された材料から製造することができる。前記触媒アイ
ランドは、鉄、モリブデン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、亜鉛およびその
酸化物を含む群から選択された材料を含む。前記ナノチューブは、半導体性でも
金属性でもよい。
【００２０】 カーボンの他、他の材料（例 シリコン）で製造されたナノチューブは、上記
に記載したものと類似の合成プロセスに従うことによっても、成長させることが
できる。当業者であれば、対応する合成方法を実施できるであろう。
【００２１】 このように製造されたナノチューブチップは、種々の電子的デバイスおよび機
械的デバイスに組み込むことができる。シングルナノチューブを含むデバイスも
容易に製造できる。ＡＦＭ（原子力顕微鏡）チップを用いて、２個の触媒アイラ
ンドを架橋しているナノチューブを機械的にまたは電気的に切断して、シングル
チューブを残す。その後電子ビームリソグラフィを用いて、ナノチューブで架橋
された２個の触媒アイランド上に金属電極を配置する。前記電極は、典型的には
、ニッケル−金またはチタン−金の合金で製造される。例えば、ニッケル２０ナ
ノメータ、その上に金６０ナノメータでもよい。これらの電極は、前記ナノチュ
ーブと可視できる電子回路との電気的接続を付与する。図２は、基板２２上で２
個の触媒アイランド２１の間に配置されたシングルナノチューブ２０を含むナノ
チューブデバイスの例示的態様を示している。２個の金属電極２３が形成され、
架橋ナノチューブ２０の２個の末端２４を含めそれぞれの触媒アイランド２１を
完全被覆している。
【００２２】 図３Ａ〜３Ｂは、本発明の第２態様による、触媒層で当初被覆されている基板
上にナノチューブフィルムを合成する方法を示している。まず、石英基板３０を
、図３Ａに示したように、スピンコーティングによって触媒層３１で被覆する。
前記触媒は、典型的には、メタノール１５ｍｌ中にアルミナナノパーティクル１
５ｍｇ、Ｆｅ（ＮＯ3）3９Ｈ2Ｏ ０．０５ｍｍｏｌ、およびＭｏＯ2（ａｃａｃ
）2 ０．０１５ｍｍｏｌを混合することによって調製される。前記触媒被覆基
板をその後９００℃以上になるまでメタン流中で加熱し、図３Ｂに示すような、
基板上に相互連結シングルウオールカーボンナノチューブ３２のフィルムを得る
。それぞれが２０ナノメータのチタンとその後６０ナノメータの金を含む、２個
の金属電極３３を、その後、シャドウマスクを介してナノチューブフィルム上に
蒸発させ、前記２個の電極３３の間に金属を含まない間隙が形成されるようにす
る。このようなナノチューブフィルムデバイスは、低コスト、大規模に容易に製
造できる。
【００２３】 図３Ａ〜３Ｂにおける基板は、典型的には、シリコン、アルミナ、石英、シリ
カおよびチッ化シリコンから構成される群から選択された材料から製造される。
触媒アイランドは、鉄、モリブデン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、亜鉛お
よびその酸化物を含む群から選択された材料を含む。ナノチューブは、半導体性
でも金属性でもよい。電極は、典型的には、ニッケル−金またはチタン−金から
製造される。
【００２４】 上記のナノチューブデバイスは、特定用途に適合させるため、物理的にまたは
化学的にさらに修飾できる。半導体または金属性カーボンナノチューブは、ある
種の化学的ガスに暴露させると、ナノチューブ上へ前記ガス粒子が吸着した結果
、電気伝導度の固有変化を示す。さらに重要なこととして、１個以上の検出剤を
前記ナノチューブに配置することによって、広範囲の化学および生物種に対する
感度を得ることができる。前記ナノチューブの化学種に対する選択性は、ゲート
電圧を前記ナノチューブに負荷することによって調整することもできる。前記ゲ
ート電圧は、ナノチューブのフェルミエネルギーレベルを効果的にシフトさせ、
ナノチューブを特定種に対してより応答性とすることができる。下記に述べる態
様は、本発明の新規ナノチューブデバイスの機能性および用途広範性を示す。
【００２５】 図４は、半導体シングルウオールカーボンナノチューブを備えたデバイスの種
々の量のＮＯ2およびＮＨ3に対する電気応答を示している。前記ガス検出は、デ
バイスをガラスフラスコの中に取り囲むことによって、実施される。前記フラス
コには、前記デバイスと外側の電気測定回路を電気的に結合する電気プリント配
線板が設置されている。フラスコはまた、ガスフローを可能とする。キャリアー
ガス（例 Ａｒまたは空気）をＮＯ2またはＮＨ3で希釈したものを前記フラスコ
中に流し、一方、ナノチューブの電気応答を記録する。前記デバイスは、ＮＯ2
およびＮＨ3のそれぞれの到着に対して迅速かつ有意な応答を示す。さらに、各
ガス検出測定の後、前記ナノチューブの電気的特性が、数時間にわたる純粋なキ
ャリアーガスフロー中で完全に復旧できる。
【００２６】 図５は、チオール蒸気に対する金装飾シングルナノチューブの電気的応答を示
している。金は、蒸発によってナノチューブ上に蒸着される。それはカーボンを
湿らせないので、蒸発した金粒子は、ナノチューブ上に連続層を形成するという
よりはむしろ、ナノチューブを装飾する。チオールに対する観察されたこの反応
は、この場合、金粒子の存在の結果生じる。というのは、カーボンナノチューブ
単独ではチオールに応答しないからである。チオール層を金装飾ナノチューブに
付着させることによって多くの生物分子がそれ自体をチオールに結合させる傾向
があることを考慮すれば、この複合系は用途の多い生物学的センサーでありうる
。
【００２７】 図６は、成長したナノチューブフィルム（マット）デバイスおよびＰＭＭＡ（
ポリメチルメタクリレート）被覆ナノチューブフィルム（マット）デバイスのＮ
Ｏ2ガスに対する電気的応答を示している。後者におけるＰＭＭＡコーティング
は、典型的には、約１００ナノメータ厚であり、その存在は、ＮＯ2に対するナ
ノチューブデバイスの感度および応答時間を有意に改善する。
【００２８】 図７Ａは、チオール蒸気に対する金装飾ナノチューブフィルムデバイスの電気
的応答を示し、図７Ｂは、チオール被覆金装飾ナノチューブフィルムデバイスを
用いたアビジン（プロテインの一種）の検出を示している。この場合、金粒子は
、最初にナノチューブフィルム上に蒸発し、その後、カルボキシル官能基を有す
るチオール単層を金粒子に付着させる。チオール存在は、ナノチューブデバイス
の電気伝導度を変える。アビジンに暴露させると、チオール分子のカルボキシル
基はカルボジイミドの化学的性質によってアビジン分子に結合される傾向があり
、その結果、ナノチューブフィルムデバイスの電気伝導度をさらに変化させる。
なお、この場合、ナノチューブデバイスは液体環境で稼動する。
【００２９】 図８は、プラチナ修飾ナノチューブフィルムデバイスを用いたＨ2検出を示し
ている。プラチナ粒子は、ナノチューブフィルム上に蒸着しそれを装飾する。前
記デバイスをＨ2分子に応答できるようにしているのは、それらの存在である。
【００３０】 さらに、ナノチューブまたはナノチューブフィルムに酵素を付着させることに
よって、対応する酵素被覆ナノチューブデバイスは、グルコースおよび他の生物
種に暴露するとその電気伝導度に変化を示す。これは、医療において重要な意味
を有している。ＣＯ検出もまた、修飾ナノチューブデバイスを用いることによっ
て達成されている。
【００３１】 上記の検出剤に加えて、他の金属粒子（例 ニッケル、ロジウム、白金、Ｔｉ
Ｏ2）、ポリマー、および生物種を検出剤として用いて、化学物質および生物種
に対するナノチューブ感度を変更できる。
【００３２】 本発明のナノチューブデバイスの化学的センサーおよび生物センサーとしての
能力が単に上記の例示態様に限定されないことは明白である。さらに、本発明の
ナノチューブデバイスは、電気化学、電気機械および他の機能性デバイスとして
も利用できる。
【００３３】 また、本発明の上記態様は例示目的のためであって、本発明の範囲を全く限定
しないことは、当業者に明白であろう。多くの変更および改良が、本発明の範囲
を超えない限り上記の態様に可能である。したがって、本発明の範囲は、実施例
によってではなく、付属の請求の範囲およびそれらの法的均等物によって決定す
べきである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 本発明の一態様による、基板上にそれぞれ明確なナノチューブを合成する方法
を示している。
【図１Ｂ】 本発明の一態様による、基板上にそれぞれ明確なナノチューブを合成する方法
を示している。
【図１Ｃ】 本発明の一態様による、基板上にそれぞれ明確なナノチューブを合成する方法
を示している。
【図２】 本発明によるシングルナノチューブを含むナノチューブデバイスの例示態様を
図示している。
【図３Ａ】 本発明の別の態様による、ナノチューブフィルムデバイスを製造する方法を示
している。
【図３Ｂ】 本発明の別の態様による、ナノチューブフィルムデバイスを製造する方法を示
している。
【図４】 それぞれＮＯ2およびＮＨ3に対するシングルナノチューブデバイスの電気応答
を示している。
【図５】 チオール蒸気に対する金修飾シングルナノチューブの電気的応答を示している
。
【図６】 ＮＯ2ガスに対する成長したナノチューブフィルムデバイスおよびＰＭＭＡ被
覆ナノチューブフィルムの電気的応答を示している。
【図７Ａ】 チオール蒸気に対する金装飾ナノチューブフィルムデバイスの電気的応答、お
よびチオール被覆金装飾ナノチューブフィルムデバイスを用いたアビジンの検出
を示している。
【図７Ｂ】 チオール蒸気に対する金装飾ナノチューブフィルムデバイスの電気的応答、お
よびチオール被覆金装飾ナノチューブフィルムデバイスを用いたアビジンの検出
を示している。
【図８】 プラチナ修飾ナノチューブフィルムデバイスを用いたＨ2検出を示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 27/30 ３０１Ｕ (72)発明者 コン、 ジン アメリカ合衆国 94062 カルフォルニア 州 メンロー パーク アパートメント ５ ロウブル アヴェニュー 879 Ｆターム(参考） 2G046 AA05 AA10 AA11 AA13 AA34 BA01 BA04 BA09 BB02 BB04 BC05 FB00 FC07 FE00 FE03 FE09 FE12 FE22 FE25 FE35 FE38 FE48 2G060 AB03 AB07 AB08 AB10 AC10 AE17 AE19 AF07 AF08 AG10 AG15 BA07 BB09 BB16 BB18 DA02 DA14 HC07 HC18 JA01 JA06

Claims (79)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１個のナノチューブを含むナノチューブデバイス
    であって、前記ナノチューブの第１末端は第１伝導性エレメントに電気的に接触
    しており、前記ナノチューブの第２末端は第２伝導性エレメントに電気的に接触
    していることを特徴とするナノチューブデバイス。
  2. 【請求項２】 前記ナノチューブがカーボンナノチューブである請求項１記
    載のナノチューブデバイス。
  3. 【請求項３】 前記ナノチューブがシングルウオールナノチューブである請
    求項２記載のナノチューブデバイス。
  4. 【請求項４】 前記ナノチューブがシリコンナノチューブである請求項１記
    載のナノチューブデバイス。
  5. 【請求項５】 前記ナノチューブが半導体性である請求項１記載のナノチュ
    ーブデバイス。
  6. 【請求項６】 前記ナノチューブが金属性である請求項１記載のナノチュー
    ブデバイス。
  7. 【請求項７】 前記ナノチューブが表面に配置されている請求項１記載のナ
    ノチューブデバイス。
  8. 【請求項８】 前記表面が、シリコン、アルミナ、石英、シリカおよびチッ
    化シリコンから構成される群から選択された材料を含む基板の最表面である請求
    項７記載のナノチューブデバイス。
  9. 【請求項９】 前記基板が、天然酸化物層で被覆され、ドープされたシリコ
    ンを含むことを特徴とする請求項８記載のナノチューブデバイス。
  10. 【請求項１０】 前記伝導性エレメントの少なくとも１個が、金属電極で被
    覆された触媒アイランドを含み、かつ前記ナノチューブの前記末端の少なくとも
    ひとつが前記触媒アイランドに定着しており、前記金属電極によって被覆されて
    いることを特徴とする請求項１記載のナノチューブデバイス。
  11. 【請求項１１】 前記触媒アイランドが、鉄、モリブデン、コバルト、ニッ
    ケル、ルテニウム、亜鉛およびその酸化物から構成される群から選択された材料
    を含む請求項１０記載のナノチューブデバイス。
  12. 【請求項１２】前記触媒アイランドが、Ｆｅ2Ｏ3およびアルミナナノパーテ
    ィクルを含む請求項１０記載のナノチューブデバイス。
  13. 【請求項１３】 前記触媒アイランドが、典型的には、大きさが３〜５ミク
    ロンの範囲にある請求項１０記載のナノチューブデバイス。
  14. 【請求項１４】 前記金属電極が、ニッケル−金の合金を含む請求項１０記
    載のナノチューブデバイス。
  15. 【請求項１５】 前記金属電極が、チタン−金の合金を含む請求項１０記載
    のナノチューブデバイス。
  16. 【請求項１６】前記伝導性エレメントの少なくとも１個が、前記ナノチュー
    ブの前記末端の少なくともひとつを被覆する金属パッドを含む請求項１記載のナ
    ノチューブデバイス。
  17. 【請求項１７】 前記金属パッドが、チタン、金、アルミニウム、クロムお
    よび白金から構成される群から選択される材料を含む請求項１６記載のナノチュ
    ーブデバイス。
  18. 【請求項１８】 さらに前記ナノチューブに付着した１個以上の検出剤を含
    む請求項１記載のナノチューブデバイス。
  19. 【請求項１９】 ａ）第１側面および第２側面を有するナノチューブフィル
    ム；および ｂ）前記ナノチューブフィルムの第１側面および第２側面上に配置された２個
    の金属電極、 を含むナノチューブ装置。
  20. 【請求項２０】 前記ナノチューブフィルムが相互連結カーボンナノチュー
    ブを含む請求項１９記載のナノチューブ装置。
  21. 【請求項２１】 前記ナノチューブフィルムが相互連結シングルウオールナ
    ノチューブを含む請求項２０記載のナノチューブ装置。
  22. 【請求項２２】 前記ナノチューブフィルムが相互連結シリコンナノチュー
    ブを含む請求項１９記載のナノチューブ装置。
  23. 【請求項２３】 前記ナノチューブフィルムが半導体性ナノチューブを含む
    請求項１９記載のナノチューブ装置。
  24. 【請求項２４】 前記ナノチューブフィルムが金属性ナノチューブを含む請
    求項１９記載のナノチューブ装置。
  25. 【請求項２５】 前記ナノチューブフィルムが基板の最表面に配置されてい
    る請求項１９記載のナノチューブ装置。
  26. 【請求項２６】 前記基板が、シリコン、アルミナ、石英、シリカおよびチ
    ッ化シリコンから構成される群から選択された材料を含む請求項２５記載のナノ
    チューブ装置。
  27. 【請求項２７】 前記基板は、さらに、その最表面に触媒層を含む請求項２
    ６記載のナノチューブ装置。
  28. 【請求項２８】 前記触媒層は、鉄、モリブデン、コバルト、ニッケル、ル
    テニウム、亜鉛およびその酸化物から構成される群から選択された材料を含む請
    求項２７記載のナノチューブ装置。
  29. 【請求項２９】 前記触媒層は、Ｆｅ2Ｏ3およびアルミナナノパーティクル
    を含む請求項２７記載のナノチューブ装置。
  30. 【請求項３０】 前記金属電極がニッケル−金の合金を含む請求項１９記載
    のナノチューブ装置。
  31. 【請求項３１】 前記金属電極が、チタン−金の合金を含む請求項１９記載
    のナノチューブ装置。
  32. 【請求項３２】 前記金属電極が、典型的には、約１〜１００ミクロン離れ
    ている請求項１９記載のナノチューブ装置。
  33. 【請求項３３】 さらに前記ナノチューブに付着した１個以上の検出剤を含
    む請求項１９記載のナノチューブ装置。
  34. 【請求項３４】 ａ）少なくとも１個のカーボンナノチューブを含むナノチ
    ューブデバイスであって、前記ナノチューブの第１末端が第１伝導性エレメント
    と電気的に接触しており、かつ前記ナノチューブの第２末端が第２伝導性エレメ
    ントと電気的に接触していること、および ｂ）前記ナノチューブ上に配置された１個以上の検出剤の被覆、 を含む分子センサーであって、 前記検出剤が、前記検出剤被覆ナノチューブが特定の分子種に応答するように
    選択されることを特徴とする分子センサー。
  35. 【請求項３５】 前記１個以上の検出剤が、金属粒子、ポリマー、および生
    物種から構成される群から選択された１個以上の材料を含む請求項３４記載の分
    子センサー。
  36. 【請求項３６】 前記群が、金、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム、
    ＴｉＯ2、チオールおよび酵素を含む請求項３５記載の分子センサー。
  37. 【請求項３７】 前記ナノチューブが半導体性である請求項３４記載の分子
    センサー。
  38. 【請求項３８】 前記ナノチューブに対してゲート電圧を負荷する電圧源を
    さらに含む請求項３７記載の分子センサーであって、前記ゲート電圧が、前記ゲ
    ート電圧でバイアスされた前記ナノチューブが特定の分子種に応答するように選
    択されることを特徴とする、分子センサー。
  39. 【請求項３９】 前記ゲート電圧が、典型的には、−２０から２０ボルトの
    範囲にある請求項３８記載の分子センサー。
  40. 【請求項４０】 少なくとも１個のカーボンナノチューブを含むデバイスを
    製造する方法で、 ａ）基板の最表面にレジスト層を配置すること； ｂ）下層基板を露出させるホールで前記レジストをパターン化すること； ｃ）前記ホールに触媒材料を満たすこと； ｄ）前記レジストの残りを除去し、それによって、触媒アイランドのアレイを
    前記基板上に配置すること； ｅ）それぞれのカーボンナノチューブが前記触媒アイランドから放出されいく
    つかの前記ナノチューブが隣接触媒アイランドを架橋するように、高温で炭化水
    素ガスに前記触媒アイランドを暴露すること； ｆ）前記隣接触媒アイランドの２個を架橋している１個のナノチューブを除い
    て全てを破断すること；および ｇ）前記金属電極が前記２個の隣接触媒アイランドを完全に被覆し、かつさら
    に前記２個の隣接触媒アイランドに定着させた前記１個のナノチューブの第１お
    よび第２末端上に伸長するように、前記２個の隣接触媒アイランド上に金属電極
    を配置すること、 の段階を含むことを特徴とする方法。
  41. 【請求項４１】 前記基板が、シリコン、アルミナ、石英、シリカおよびチ
    ッ化シリコンから構成される群から選択された材料を含む請求項４０記載の方法
    。
  42. 【請求項４２】 前記触媒アイランドが、鉄、モリブデン、コバルト、ニッ
    ケル、ルテニウム、亜鉛およびその酸化物から構成される群から選択された材料
    を含む請求項４０記載の方法。
  43. 【請求項４３】 前記触媒アイランドは、Ｆｅ2Ｏ3およびアルミナナノパー
    ティクルを含む請求項４０記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記触媒アイランドが、典型的には、大きさが３〜５ミク
    ロンの範囲にある請求項４０記載の方法。
  45. 【請求項４５】 前記触媒アイランドが、典型的には、約１０ミクロン離れ
    ている請求項４０記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記金属電極が、ニッケル−金の合金を含む請求項４０記
    載の方法。
  47. 【請求項４７】 前記金属電極が、チタン−金の合金を含む請求項４０記載
    の方法。
  48. 【請求項４８】 前記炭化水素ガスがメタンを含有する請求項４０記載の方
    法。
  49. 【請求項４９】 前記高温が９００℃より高いことを特徴とする請求項４０
    記載の方法。
  50. 【請求項５０】 前記ナノチューブがシングルウオールカーボンナノチュー
    ブである請求項４０記載の方法。
  51. 【請求項５１】 前記ナノチューブが、典型的には、直径が３ナノメータま
    でである請求項４０記載の方法。
  52. 【請求項５２】 前記ナノチューブが、典型的には、長さが数十ミクロンで
    ある請求項４０記載の方法。
  53. 【請求項５３】 前記ナノチューブが半導体性である請求項４０記載の方法
    。
  54. 【請求項５４】 ゲート電圧でバイアスされた前記ナノチューブが特定の分
    子種に応答するように、前記ナノチューブに対してゲート電圧を負荷することを
    さらに含む請求項４０記載の方法。
  55. 【請求項５５】 前記ゲート電圧が、典型的には、−２０から２０ボルトの
    範囲にある請求項５５記載の方法。
  56. 【請求項５６】 前記ナノチューブが金属性である請求項４０記載の方法。
  57. 【請求項５７】 検出剤被覆ナノチューブが特定の分子種に応答するように
    、前記ナノチューブを１個以上の検出剤で被覆することをさらに含む請求項４０
    記載の方法。
  58. 【請求項５８】 前記１個以上の検出剤が、金属粒子、ポリマー、および生
    物種から構成される群から選択された１個以上の材料を含む請求項５７記載の方
    法。
  59. 【請求項５９】 前記群が、金、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム、
    ＴｉＯ2、チオール、および酵素を含む請求項５８記載の方法。
  60. 【請求項６０】 カーボンナノチューブフィルムを含む装置を製造する方法
    で、 ａ）基板の最表面を触媒層で被覆すること； ｂ）相互連結カーボンナノチューブを含むナノチューブフィルムが形成される
    ように、前記触媒被覆基板を高温で炭化水素ガスに暴露すること；および ｃ）前記ナノチューブフィルムの第１側面および第２側面に２個の金属電極を
    配置すること、 を含む方法。
  61. 【請求項６１】 前記基板が、シリコン、アルミナ、石英、シリカおよびチ
    ッ化シリコンから構成される群から選択された材料を含む請求項６０記載の方法
    。
  62. 【請求項６２】 前記触媒層が、鉄、モリブデン、コバルト、ニッケル、ル
    テニウム、亜鉛およびその酸化物から構成される群から選択された材料を含む請
    求項６０記載の方法。
  63. 【請求項６３】 前記触媒層が、Ｆｅ2Ｏ3およびアルミナナノパーティクル
    を含む請求項６０記載の方法。
  64. 【請求項６４】 前記金属電極が、ニッケル−金の合金を含む請求項６０記
    載の方法。
  65. 【請求項６５】 前記金属電極が、チタン−金の合金を含む請求項６０記載
    の方法。
  66. 【請求項６６】 前記金属電極が、典型的には、約１〜１００ミクロン離れ
    ている請求項６０記載の方法。
  67. 【請求項６７】 前記炭化水素ガスがメタンを含有する請求項６０記載の方
    法。
  68. 【請求項６８】 前記高温が９００℃より高いことを特徴とする請求項６０
    記載の方法。
  69. 【請求項６９】 前記ナノチューブフィルムが相互連結シングルウオールカ
    ーボンナノチューブを含む請求項６０記載の方法。
  70. 【請求項７０】 前記ナノチューブフィルムが半導体性ナノチューブを含む
    請求項６０記載の方法。
  71. 【請求項７１】 前記ナノチューブフィルムが金属性ナノチューブを含む請
    求項６０記載の方法。
  72. 【請求項７２】 検出剤被覆ナノチューブが特定の分子種に応答するように
    、前記ナノチューブを１個以上の検出剤で被覆することをさらに含む請求項６０
    記載の方法。
  73. 【請求項７３】 前記１個以上の検出剤が、金属粒子、ポリマー、および生
    物種から構成される群から選択された１個以上の材料を含む請求項７２記載の方
    法。
  74. 【請求項７４】 前記群が、金、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム、
    ＴｉＯ2、チオール、および酵素を含む請求項７３記載の方法。
  75. 【請求項７５】 ａ）格納装置内部に少なくとも１個のカーボンナノチュー
    ブを含む分子センサーを配置し、ここで、前記ナノチューブの第１末端は第１伝
    導性エレメントに電気的に接触しており、またおよび前記ナノチューブの第２末
    端は第２伝導性エレメントに電気的に接触していること； ｂ）前記第１および第２伝導性エレメントを電気測定回路に接続すること；お
    よび ｃ）前記格納装置に分子種を導入し、一方、前記分子センサーの電気的応答を
    モニタリングすること、 を含む検出方法。
  76. 【請求項７６】 前記分子種が気体を含む請求項７５記載の検出方法。
  77. 【請求項７７】 前記分子種が液体を含む請求項７５記載の検出方法。
  78. 【請求項７８】 前記ナノチューブが前記分子種に応答できるように、前記
    ナノチューブに１個以上の検出剤が配置されている請求項７５記載の検出方法。
  79. 【請求項７９】 前記ナノチューブが半導体性で、前記ナノチューブが前記
    分子種に応答するように、前記ゲート電圧でバイアスされている請求項７５記載
    の検出方法。
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