JP2004219928A - Method for manufacturing electrode for display panel - Google Patents
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Abstract
【課題】基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物(パーティクル)が残らないような、電極形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行う。そして、上記除去工程は、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものであることを特徴とするものである。
【選択図】 図1There is no short-circuit defect between electrodes in a substrate, and no scattered matter (particles) due to laser beam irradiation, which is a cause of short-circuiting between electrodes facing each other when a display panel is formed by a conventional repair method, remains. Such an electrode forming method is provided.
A resist film having a predetermined shape is formed on an electrode film provided on a substrate, the resist film is used as an etching resistant film, and the electrode film exposed from an opening of the resist film is etched. A method of manufacturing an electrode for a display panel by a photo-etching method, in which an electrode having a shape corresponding to the resist film having a predetermined shape is formed by removing a film, washing, and the like, wherein the resist film having the predetermined shape is formed. After the step and before the etching step, a removing step of removing a pattern defect portion of the resist film that causes a short-circuit defect of the electrode is performed. The removing step is for removing a pattern defect portion of the resist film by irradiating a laser beam.
[Selection diagram] Fig. 1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ELディスプレイパネル、LCDディスプレイパネル等のディスプレイパネル用の電極の作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電流の注入によって発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)を利用して、かかる有機EL材料の薄膜からなる発光層を備えた有機EL素子の複数をマトリクス状に配置した有機ELディスプレイパネルが、携帯端末や車載パネルとして用いられるようになってきた。
今後、パソコンの表示部にも使用される。
有機化合物材料を発光体とする有機EL素子は、液晶素子に比べ視野角が広く、コントラストも良く、視認性に優れており、バックライトが不要なため、薄型、軽量化が実現でき、消費電力の面でも有利で、応答性も速い。
そして、すべて固体であるため振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、表示素子として注目されている。
【0003】
有機EL素子の構造は、基本的には、陽極と陰極の一対の電極間に有機化合物を含む(EL層)を挟持した構造となっており、Tang等の「アノード電極/ 正孔注入層/ 発光層/ カソード電極」の積層構造が基本になっている。(特許1526026号公報)
そして、有機EL素子は、電極間に電場を印加し、EL層に電流を通じることで、発光する。
有機EL素子をディスプレイ用にパネル化して利用する場合、LCDと同様に、電極構成と駆動方法によりパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に大別されるが、このようなパネルにおいて、有機EL素子を用い、カラー化を達成する方法としては、最も基本的なR、G、Bの3色の有機EL材料を表示装置の画素毎に精密に配置する3色並置方式の他に、白色発光層とR、G、Bのカラーフィルター(CFとも言う)を組み合わせるCF方式や、図2にその概略断面を示すパネル化した有機ELパネル構造のように、青色発光層とR、Gの蛍光変換色素フィルターとを組み合わせえるCCM(Color Changing Medium)方式がある。
例えば、CCM方式の有機ELディスプレイパネルとしては、図2に示す構造のものが挙げられ、透明電極270の下層に、耐湿性、耐溶剤性の低い発光層を保護するためのバリア層260と、絶縁層250、OC層(オーバーコート層)240が設けられている。
【0004】
ところで、有機EL素子をディスプレイ用にパネル化して有機ELパネル構造を作製する場合、通常、予め、透明なガラス基板上にカラーフィルタ層、透明電極を形成した有機EL発光層を配設していない状態のパネルをフォトリソ工程等を用いて形成しておき、このように形成された有機EL発光層を配設していない状態のパネルに対して、蒸着等により発光層等を配設し、更に封止してディスプレイパネルを作製する。
しかしながら、フォトリソ工程等を施し透明電極を形成する際に、通常はポジレジストを用いるため、不要なレジスト残等もしくはレジスト膜上に付着した異物に起因して、透明電極にショート欠陥が生じ、問題となっている。
このような透明電極の加工は、図3に示すように、基板310(図3(a))上に配設された電極用膜320(図3(b))上にレジスト膜330を形成し(図3(c))、露光工程(図3(d))を経て、現像して、所定形状のレジスト膜330のパターンを形成した(図3(e))後、該レジスト膜330のパターンを耐エッチング膜として、レジスト膜330の開口337から露出した電極用膜320をエッチングし、電極320Aを形成し(図3(f))、更にレジスト膜330の除去、更に洗浄等を行うという一連の工程にて行われていた。
尚、通常、このような加工方法を、一般には、フォトエッチング法あるいはフォトエッチング加工法と言う。
【0005】
しかし、このように電極を加工した場合、加工後に、図4に示すような、電極間のショート欠陥475が残存することが多々あり、このようなショート欠陥を修正する必要がある。
尚、図4は、図2に示すデイスプレイパネル用の透明電極470を形成した場合のものである。
このため、加工後、図5(a)に示すように、ショート欠陥部475にレーザ光を照射し、その部分の電極用膜を除去することにより、透明電極470のショート欠陥部の修正が行なわれていた(図5(b))が、この修正方法においては、図5(c)に示すように、レーザ光の照射による飛散物(パーティクルとも言う)490が、透明電極470上に残留することとなり、飛散物が大きい場合、図6に示すように、パネル化された際、有機ELディスプレイパネルの、透明電極570(図5の470に相当)とその対向電極(負極)575間でショートが発生してしまうという問題があった。
また、図5(c)に示すように、レーザ光の照射条件によっては、バリア層460にダメージを与えてしまうことがあり問題となっていた。
尚、図5は、図4のB1−B2断面を示した図で、図4は図5のD1側からみた図で、図5(c)は図5(b)のD2を拡大して示した図である。
【0006】
CF(カラーフィルタ)基板とTFT基板の間を所定のギャップ(セルギャップと言う)を保ち、前記基板間に液晶を注入した構造のLCD(液晶ディスプレイ)パネル用の電極加工においても、近年、セルギャップが小さくなる傾向にあり、上記図3に示すフォトエッチング法により電極形成を行った後、電極のショート欠陥部をレーザ光照射により除去した場合、同様に、前記基板間でショートが発生するという問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、有機ELディスプレイパネル用の電極あるいはLCDパネル用の電極の加工においては、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、修正のためのレーザ光照射による飛散物(パーティクル)に起因する、ディスプレイパネル化した際の対向する電極間でショートが発生しない、電極の形成方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物(パーティクル)が残らないような、電極形成方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことを特徴とするものである。
そして、上記において、除去工程は、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものであることを特徴とするものであり、該レーザ光がYAGレーザ光であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、有機ELディスプレイパネル用の電極の作製方法であることを特徴とするものである。
また、上記において、電極用膜がITO膜であることを特徴とするものである。
尚、レーザ光照射による除去は、レジスト膜のパターン欠陥部のみが好ましいが、電極用膜を若干除去しても構わない。
【0009】
【作用】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、このような構成にすることにより、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物(パーティクル)が残らないような、電極形成方法の提供を可能としている。
また、図5に示す従来のYAGレーザ等のレーザ光照射による電極の下層(図5のバリア層460等に相当)にダメージを与えることがない電極形成方法の提供を可能としている。
具体的には、基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことにより、これを達成している。
除去工程としては、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものが、実用的なものとして挙げられる。
レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去する工程においては、通常、レーザ照射時に飛散物(パーティクルとも言う)が発生するため、レーザ照射後に必要に応じて洗浄を行なう。
レーザ光照射による飛散物としては、異物飛散物、レジスト膜飛散物、電極膜飛散物が挙げられるが、いずれも、レーザ照射後のエッチング工程以降の一連の処理により除去することができる。
レーザ光としては、発振器がコンパクトであり、装置化し易く、扱い易いという面からは、YAGレーザ光が挙げられるが、これに限定はされない。
尚、除去工程としては、上記レーザ光照射に限定されない。
他の簡単な除去方法としては、切削や研磨による除去も挙げられるが、この場合も必要に応じ、切削や研磨後に洗浄を行なう。
【0010】
有機ELディスプレイパネル用の電極の作製方法である場合、従来の修正方法における電極用膜下層のバリア層の損傷の発生を無くすことができ、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物(パーティクル)が残らないという点で、特に、有効である。
勿論、有機ELディスプレイパネル用の電極の作製方法に限定されない。
CF(カラーフィルタ)基板とTFT基板の間を所定のギャップ(セルギャップと言う)を保ち、前記基板間に液晶を注入した構造のLCDパネル用の電極加工においても、近年、セルギャップが小さくなる傾向にあり、同様に、有効である。
電極用膜としては、透明な電極膜等が挙げられる。
透明な電極膜としてはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、In2 O3 が挙げられるが、通常、ITOが用いられる。
また、レーザ光としては、発振器がコンパクトであり、装置化し易く、扱い易いという面からは、YAGレーザ光が挙げられるが、これに限定はされない。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の1例を挙げ、図に基づいて説明する。
図1は、本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の1例の工程断面図である。
図1中、110は基板、120は電極用膜、120Aは電極、130はレジスト膜、135は(レジストの)パターン欠陥部、136は修正箇所、137は開口、140はフォトマスク、150は露光光、160はレーザ光(YAGレーザ光)である。
本例のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、図2に示す、CCM方式の有機ELパネル用の、発光層配設前のCCMパネルにおける、ITOからなる透明電極の作製方法である。
そして、基板110上(図2のバリア層260の上に相当)に配設された電極用膜120上に所定形状のレジスト膜130を形成し、該レジスト膜130を耐エッチング膜として、レジスト膜130の開口から露出した電極用膜120をエッチングし、更にレジスト膜130の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜130に対応した形状の電極120Aを形成する、フォトエッチング法による作製方法であり、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部をYAGレーザ光を照射して除去する除去工程を行うものである。
図1に基づいて更に説明する。
先ず、ガラス基板上に、順にCF層、CCM層、オーバーコート層、絶縁層、バリア層が配設された基板110を用意し(図1(a))、基板110のバリア層(図2の260に相当)上に全面に電極用膜120を配設し(図1(b))、更に、該電極用膜120上全面に感光性のレジストを塗布、乾燥を行う。(図1(c))
感光性のレジストとしては、通常、ポジレジストが用いられ、所望の解像性があり、処理性の良いものが好ましいが、特に、限定はされない。
次いで、形成する電極形状に対応したフォトマスク140を用いて、感光性のレジスト膜130の所定領域を露光し(図1(d))、現像処理を行い、検査にてレジスト膜130のパターンのショート欠陥部135を把握する。(図1(e))
図1(e)は、現像後状態で、ショート欠陥部を含む断面である。
検査方法は、図示していないが、現像後の状態で、残ったレジスト膜130のパターンのショート欠陥部135の抽出を行うもので、これにより、ショート欠陥部135の位置を把握する。
検査方法としては、例えば、反射光による目視検査によるショート欠陥部抽出方法が挙げられ、この場合は、欠陥位置をガラス基板面へマーキングすることにより把握することができる。
別には、X−Yステージ上に現像後の基板をおき、反射光およびまたは透過光により全面走査して欠陥抽出し、その位置を自動検査にて把握する方法もある。
【0012】
次いで、レーザ光照射装置にて、照射サイズ、出力を調整して、レジスト膜130のパターンのショート欠陥部135へレーザ光を照射し(図1(f))、レジスト膜のパターンのショート欠陥部135を除去する修正を行う。(図1(g))
照射するレーザ光としては、レジスト膜130を除去でき、電極用膜120を除去しないものが好ましく、場合によっては、電極用膜120を若干除去するようにしても良いが、ショート欠陥部135の修正に用いるレーザ光の波長、出力条件を予めテスト等により把握しておくとなお良い。
レーザ光としては、YAGレーザの第4高調波(266nm)等が用いられるが、これに限定はされない。
モニターにて修正箇所136を拡大観察してみることにより、レジスト膜130の除去は確認できる。
次いで、レジスト膜130を耐エッチングマスクとして、レジスト膜130の開口137から露出した電極用膜120をエッチングして、電極120Aを形成した(図1(h))後、レジスト膜130を所定の剥離液にて除去して、基板110のバリア層(図2の260に相当)上に電極120Aを形成したものを得る(図1(i))
レーザ光照射による修正において、飛散物(パーティクル)が発生するが、飛散物(パーティクル)は、後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去される。
本例の方法では、レーザ光照射による修正を行い、発生した飛散異物(パーティクル)を後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去されるため、ディスプレイパネルとした際に飛散異物に起因したEL層の破壊や寿命劣化の問題がない品質の高い有機ELパネルを供給可能となる。
【0013】
本例は、CCM方式の有機ELパネル用の、発光層配設前のCCMパネルにおける、ITOからなる透明電極の作製方法であるが、他の方式の電極形成やLCD用の電極形成にも本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は適用できることは言うまでもない。
勿論、透明電極がITO以外の場合にも適用できる。
【0014】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物(パーティクル)が残らないような、電極形成方法の提供を可能とした。
また、従来のYAGレーザ等のレーザ光照射による電極の下層にダメージを与えることがない電極形成方法の提供を可能とした。
特に、レジスト膜のパターンのショート欠陥部に除去をレーザ光照射により行う場合、レジスト膜の修正により発生した飛散異物(パーティクル)を、後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去されるため、ディスプレイパネルとした際に、飛散異物(パーティクル)に起因したEL層の破壊や寿命劣化を抑制した高品質の有機ELパネルを供給可能とした。
勿論、この場合、専用の洗浄装置を必要としないメリットがある。
本発明は、有機EL、LCD以外のディスプレイパネル全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の1例の工程断面図である。
【図2】CCM方式有機ELパネル構造の断面図である。
【図3】従来の透明電極の加工方法の工程断面図である。
【図4】電極間のショート欠陥が残存する電極加工後の状態を示した図である
【図5】従来の電極間のショート欠陥部の修正と問題点を説明するための図である。
【図6】従来のレーザ光照射による修正により発生した飛散異物のディスプレイパネルにおける問題を説明するための図である。
【符号の説明】
110 基板
120 電極用膜
120A 電極
130 レジスト膜
135 (レジストの)パターン欠陥部
136 修正箇所
137 開口
140 フォトマスク
150 露光光
160 レーザ光(YAGレーザ光)
210 ガラス基板
220 CF層(カラーフィルタ層とも言う)
230 CCM層
240 OC層(オーバーコート層とも言う)
250 絶縁層
260 バリア層
270 透明電極(正極)
275 電極(負極)
280 発光層
285 障壁
310 基板
320 電極用膜
320A 電極
330 レジスト膜
337 開口
340 フォトマスク
350 露光光
410 ガラス基板
420 CF層(カラーフィルタ層とも言う)
430 CCM層
440 OC層(オーバーコート層とも言う)
450 絶縁層
460 バリア層
470 透明電極(正極)
475 欠陥部(ショート欠陥部とも言う)
476 欠陥修正箇所
477 ダメージ部
480 YAGレーザ光
490 飛散異物(パーティクルとも言う)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an electrode for a display panel such as an organic EL display panel and an LCD display panel.
[0002]
[Prior art]
In recent years, by using electroluminescence (hereinafter, referred to as organic EL) of an organic compound material that emits light by current injection, a plurality of organic EL elements each including a light emitting layer formed of a thin film of such an organic EL material are arranged in a matrix. Organic EL display panels have come to be used as mobile terminals and in-vehicle panels.
In the future, it will be used for the display of personal computers.
An organic EL element using an organic compound material as a light emitter has a wider viewing angle, better contrast, better visibility than a liquid crystal element, and can be thinner and lighter because a backlight is not required. It is also advantageous in terms of speed and quick response.
Since they are all solid, they are resistant to vibration and have a wide operating temperature range.
[0003]
The structure of an organic EL element is basically a structure in which an organic compound-containing (EL layer) is sandwiched between a pair of electrodes of an anode and a cathode. It is based on a laminated structure of “light emitting layer / cathode electrode”. (Japanese Patent No. 1526026)
The organic EL element emits light by applying an electric field between the electrodes and passing a current through the EL layer.
When an organic EL element is used as a panel for a display, it is roughly classified into a passive matrix type and an active matrix type according to an electrode configuration and a driving method as in the case of an LCD. In such a panel, an organic EL element is used. As a method of achieving colorization, in addition to a three-color juxtaposition method in which the most basic three-color organic EL materials of R, G, and B are precisely arranged for each pixel of a display device, a white light emitting layer and an R , G, B color filters (also referred to as CF), or a blue light emitting layer and R, G fluorescence conversion dye filters, such as a panelized organic EL panel structure whose schematic cross section is shown in FIG. There is a CCM (Color Changing Medium) system that can combine the above.
For example, an organic EL display panel of the CCM type has a structure shown in FIG. 2, and a barrier layer 260 for protecting a light-emitting layer having low moisture resistance and low solvent resistance under a transparent electrode 270; An insulating layer 250 and an OC layer (overcoat layer) 240 are provided.
[0004]
By the way, when an organic EL element is formed into a panel for a display to produce an organic EL panel structure, usually, an organic EL light emitting layer having a color filter layer and a transparent electrode formed on a transparent glass substrate is not provided in advance. A panel in a state is formed using a photolithography process or the like, and a light emitting layer or the like is disposed by vapor deposition or the like on a panel in which the organic EL light emitting layer thus formed is not disposed. The display panel is manufactured by sealing.
However, when a transparent electrode is formed by performing a photolithography process or the like, a positive resist is generally used, so that a short defect occurs in the transparent electrode due to unnecessary resist residue or a foreign matter attached to the resist film. It has become.
In processing such a transparent electrode, as shown in FIG. 3, a resist film 330 is formed on an electrode film 320 (FIG. 3B) disposed on a substrate 310 (FIG. 3A). (FIG. 3 (c)), development through an exposure step (FIG. 3 (d)) to form a pattern of a resist film 330 having a predetermined shape (FIG. 3 (e)), and then the pattern of the resist film 330 Is used as an etching resistant film, the electrode film 320 exposed from the opening 337 of the resist film 330 is etched to form an electrode 320A (FIG. 3F), and the resist film 330 is removed, and a series of cleaning is performed. Was performed in the process.
Incidentally, such a processing method is generally referred to as a photoetching method or a photoetching method.
[0005]
However, when the electrodes are processed in this manner, a short defect 475 between the electrodes often remains after the processing, as shown in FIG. 4, and it is necessary to correct such a short defect.
FIG. 4 shows a case where the
For this reason, after processing, as shown in FIG. 5A, the short defect portion 475 is irradiated with a laser beam, and the electrode film at that portion is removed, thereby correcting the short defect portion of the
Further, as shown in FIG. 5C, the barrier layer 460 may be damaged depending on the laser light irradiation conditions, which has been a problem.
5 is a diagram showing a cross section taken along line B1-B2 of FIG. 4, FIG. 4 is a diagram viewed from the D1 side of FIG. 5, and FIG. 5C is an enlarged view of D2 of FIG. 5B. FIG.
[0006]
In electrode processing for LCD (liquid crystal display) panels having a structure in which a predetermined gap (referred to as a cell gap) is maintained between a CF (color filter) substrate and a TFT substrate and a liquid crystal is injected between the substrates, a cell has recently been used. When the gap is apt to be small and the electrode is formed by the photo-etching method shown in FIG. 3 and then the short-circuit defect portion of the electrode is removed by laser beam irradiation, a short-circuit occurs between the substrates. There's a problem.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in processing an electrode for an organic EL display panel or an electrode for an LCD panel, there is no short-circuit defect between the electrodes in the substrate, and there is no scattering due to laser beam irradiation for correction. There has been a demand for a method of forming electrodes that does not cause a short circuit between electrodes facing each other when a display panel is formed.
The present invention responds to this problem, and has no short-circuit defect between electrodes in a substrate, and causes a short-circuit between opposing electrodes when a display panel is formed by a conventional repair method. An object of the present invention is to provide a method for forming an electrode such that flying particles (particles) do not remain.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the method for manufacturing an electrode for a display panel of the present invention, a resist film having a predetermined shape is formed on an electrode film provided on a substrate, and the resist film is exposed from an opening of the resist film as an etching resistant film. Etching the electrode film, further removing the resist film, washing and the like, forming an electrode having a shape corresponding to the predetermined shape of the resist film, a method for producing an electrode for a display panel by a photo-etching method, After the step of forming the resist film having the predetermined shape, before the step of etching, a removing step of removing a pattern defect portion of the resist film that causes a short-circuit defect of the electrode is performed. .
In the above, the removing step is characterized by removing a pattern defect portion of the resist film by irradiating a laser beam, and the laser beam is a YAG laser beam. is there.
Further, in the above, there is provided a method of manufacturing an electrode for an organic EL display panel.
In the above, the electrode film is an ITO film.
The removal by laser beam irradiation is preferably performed only on the pattern defect portion of the resist film, but the electrode film may be slightly removed.
[0009]
[Action]
The method for manufacturing an electrode for a display panel according to the present invention, by adopting such a structure, eliminates a short-circuit defect between electrodes in a substrate, and furthermore, a gap between electrodes facing each other when a display panel is formed by a conventional repair method. It is possible to provide an electrode forming method that does not leave scattered particles (particles) due to laser beam irradiation, which is a cause of short circuit.
Further, it is possible to provide an electrode forming method that does not damage the lower layer of the electrode (corresponding to the barrier layer 460 or the like in FIG. 5) by irradiating a laser beam such as the conventional YAG laser shown in FIG.
Specifically, a resist film having a predetermined shape is formed on the electrode film provided on the substrate, the resist film is used as an etching resistant film, and the electrode film exposed from the opening of the resist film is etched. A method of manufacturing an electrode for a display panel by a photo-etching method, wherein a resist film is removed, washed, and the like, and an electrode having a shape corresponding to the predetermined shape of the resist film is formed. This is achieved by performing a removing step of removing a pattern defect portion of the resist film that causes a short-circuit defect of the electrode after the step of performing the etching and before the step of etching.
As a removal step, a method of removing a pattern defect portion of a resist film by irradiating a laser beam may be mentioned as a practical one.
In a step of removing a pattern defect portion of a resist film by laser light irradiation, scattering objects (also referred to as particles) are usually generated at the time of laser irradiation. Therefore, cleaning is performed as necessary after the laser irradiation.
Examples of the scattered matter by laser light irradiation include foreign matter scattered matter, resist film scattered matter, and electrode film scattered matter, and all of them can be removed by a series of processes after an etching step after laser irradiation.
Examples of the laser light include, but are not limited to, a YAG laser light from the viewpoint that the oscillator is compact, easy to implement, and easy to handle.
Note that the removing step is not limited to the laser beam irradiation.
Other simple removal methods include removal by cutting or polishing. In this case, too, cleaning is performed after cutting or polishing, if necessary.
[0010]
In the case of a method for manufacturing an electrode for an organic EL display panel, it is possible to eliminate the occurrence of damage to the barrier layer below the electrode film in the conventional repair method, and to face the display panel in the conventional repair method. This is particularly effective in that scattered matter (particles) due to laser beam irradiation, which is a cause of short-circuit between electrodes, does not remain.
Of course, the present invention is not limited to a method for manufacturing an electrode for an organic EL display panel.
In recent years, the cell gap has been reduced in electrode processing for LCD panels having a structure in which a predetermined gap (referred to as a cell gap) is maintained between a CF (color filter) substrate and a TFT substrate, and a liquid crystal is injected between the substrates. Prone and equally effective.
Examples of the electrode film include a transparent electrode film.
Examples of the transparent electrode film include ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2 , and In 2 O 3. In general, ITO is used.
In addition, as the laser light, a YAG laser light is cited from the viewpoint that the oscillator is compact, easy to implement, and easy to handle, but is not limited thereto.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
One example of an embodiment of a method for manufacturing an electrode for a display panel according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a process cross-sectional view of one example of an embodiment of a method for manufacturing an electrode for a display panel of the present invention.
In FIG. 1, 110 is a substrate, 120 is an electrode film, 120A is an electrode, 130 is a resist film, 135 is a pattern defect (of resist), 136 is a repaired portion, 137 is an opening, 140 is a photomask, and 150 is exposure Reference numeral 160 denotes a laser beam (YAG laser beam).
The method of manufacturing an electrode for a display panel of this example is a method of manufacturing a transparent electrode made of ITO in a CCM panel for a CCM type organic EL panel before a light emitting layer is provided, as shown in FIG.
Then, a resist film 130 having a predetermined shape is formed on the
This will be further described with reference to FIG.
First, a substrate 110 on which a CF layer, a CCM layer, an overcoat layer, an insulating layer, and a barrier layer are sequentially provided on a glass substrate is prepared (FIG. 1A), and a barrier layer (FIG. On the entire surface of the
As the photosensitive resist, a positive resist is usually used, and a resist having desired resolution and good processability is preferable, but is not particularly limited.
Next, using a photomask 140 corresponding to the shape of the electrode to be formed, a predetermined region of the photosensitive resist film 130 is exposed (FIG. 1D), developed, and inspected to determine the pattern of the resist film 130 by inspection. The short defect portion 135 is grasped. (Fig. 1 (e))
FIG. 1E is a cross section including a short defect portion in a state after development.
Although the inspection method is not shown, the short defect portion 135 of the pattern of the remaining resist film 130 is extracted in a state after the development, whereby the position of the short defect portion 135 is grasped.
As an inspection method, for example, a method of extracting a short defect portion by a visual inspection using reflected light can be cited. In this case, the defect position can be grasped by marking the defect position on the glass substrate surface.
Alternatively, there is a method in which a substrate after development is placed on an XY stage, the entire surface is scanned with reflected light and / or transmitted light to extract defects, and the position is grasped by automatic inspection.
[0012]
Next, the irradiation size and the output are adjusted by a laser beam irradiation device, and the laser beam is irradiated on the short defect portion 135 of the pattern of the resist film 130 (FIG. 1 (f)), and the short defect portion of the pattern of the resist film is formed. A correction to remove 135 is made. (Fig. 1 (g))
As the laser light to be irradiated, it is preferable that the resist film 130 can be removed and the
As the laser light, the fourth harmonic (266 nm) of a YAG laser or the like is used, but the laser light is not limited to this.
By observing the corrected
Next, using the resist film 130 as an etching resistant mask, the
In the correction by laser light irradiation, scattered matter (particles) is generated, and the scattered matter (particles) is removed in subsequent steps such as etching and resist removal.
In the method of the present example, the generated foreign particles (particles) are corrected by laser light irradiation, and the generated foreign particles (particles) are removed in subsequent steps such as etching and resist removal. Therefore, when the display panel is formed, the EL layer caused by the foreign particles is used. It is possible to supply a high-quality organic EL panel that does not have the problem of destruction and deterioration of the service life.
[0013]
This example is a method of manufacturing a transparent electrode made of ITO in a CCM panel before a light emitting layer is provided for an organic EL panel of a CCM method. It goes without saying that the method for manufacturing an electrode for a display panel of the invention can be applied.
Of course, the present invention can be applied to a case where the transparent electrode is other than ITO.
[0014]
【The invention's effect】
The present invention, as described above, has no short-circuit defect between electrodes in a substrate, and is a scattered object due to laser beam irradiation, which is a cause of short-circuiting between opposed electrodes when a display panel is formed by a conventional repair method. It has become possible to provide an electrode forming method that does not leave (particles).
Further, it has become possible to provide an electrode forming method which does not damage the lower layer of the electrode due to irradiation with a laser beam such as a conventional YAG laser.
In particular, in the case where the short defect portion of the pattern of the resist film is removed by laser light irradiation, scattered foreign particles (particles) generated by the modification of the resist film are removed in subsequent steps such as etching and resist removal. When a panel is formed, it is possible to supply a high-quality organic EL panel in which destruction of the EL layer and deterioration of life due to scattering foreign particles (particles) are suppressed.
Of course, in this case, there is an advantage that a dedicated cleaning device is not required.
The present invention is applicable to all display panels other than organic EL and LCD.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process cross-sectional view of one example of an embodiment of a method for manufacturing an electrode for a display panel of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view of a CCM type organic EL panel structure.
FIG. 3 is a process sectional view of a conventional transparent electrode processing method.
FIG. 4 is a diagram showing a state after electrode processing in which a short defect between electrodes remains. FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional correction of a short defect portion between electrodes and a problem.
FIG. 6 is a diagram for explaining a problem in a display panel of a scattered foreign matter generated by correction by laser light irradiation in the related art.
[Explanation of symbols]
110
210
230 CCM layer 240 OC layer (also called overcoat layer)
250 Insulating layer 260 Barrier layer 270 Transparent electrode (positive electrode)
275 electrode (negative electrode)
280 light emitting layer 285
430
450 Insulating layer 460
475 defective part (also called short defective part)
476
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