JP2005157781A - Information processor and information processing method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、フラッシュROM等のメモリにデータの書き込みもしくは読み出しを行う情報処理装置および情報処理方法に関する。詳しくは、データの読み出しもしくは書き込みの少なくとも一方で、データの値により読み書き処理時間が異なる記憶手段を有する情報処理装置に、データの値を変換する変換手段を設け、書き込み時に、データの値を同ビット長で変換して記憶手段に書き込み、読み出し時に、記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力する構成とすることによって、書き込みに時間がかかるデータを書き込み時間の短いデータに変換して書き込みを行うことで、フラッシュメモリ等の書き込み時間の短縮化を図ることができるようにした情報処理装置等に係るものである。 The present invention relates to an information processing apparatus and information processing method for writing or reading data in a memory such as a flash ROM. Specifically, an information processing apparatus having a storage means whose read / write processing time differs depending on the data value at least one of data reading and writing is provided with a conversion means for converting the data value, and the data value is the same during writing. By converting the value of the converted data read from the storage means to the original value and outputting it at the time of reading and writing to the storage means after conversion by the bit length, data that takes time to write can be obtained. The present invention relates to an information processing apparatus or the like that can shorten the writing time of a flash memory or the like by performing conversion after writing into data with a short writing time.
フラッシュEEPROM(Flash Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory )は、フラッシュメモリ、或いはフラッシュROMとも呼ばれ、書き込みはビット単位で可能であるが、消去は全ビットあるいはブロック単位(つまりまとまったビット数の単位)で行う、電気的に書き込み消去可能な読み出し専用メモリである。 Flash EEPROM (Flash Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) is also called flash memory or flash ROM, and writing is possible in bit units, but erasing is in all bits or block units (that is, a unit of a number of bits). This is a read-only memory that can be electrically written and erased.
従来、フラッシュメモリの書き込みにおいて、作成されたデータをそのまま書き込んでいた。そのため、書き込みデータが多い場合、書き込みに時間がかかるという問題があった。 Conventionally, the created data is written as it is in the writing of the flash memory. Therefore, when there is a lot of write data, there is a problem that it takes time to write.
これを解決するために、メモリのプログラム時間を短縮するできるプログラム電圧制御方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)
この場合、不揮発性のメモリセルにデータをプログラムするときに、プログラム電圧を徐々に増加させながらこのプログラム電圧がメモリセルに複数回印加される。この際、プログラムする全てのメモリセルの閾値電圧が初期値に達するまで、プログラム電圧の増分は第1電圧に設定される。その後、閾値電圧が目標値に達するまで、プログラム電圧の増分は第2電圧に設定される。プログラム電圧をその増分を変えることなく上昇させることで、少ないプログラム回数で、メモリセルの閾値電圧を目標値に近づけることができる。また、閾値電圧が初期値を超えた後、プログラム電圧の増分を第2電圧に設定することで、閾値電圧の目標値に対する誤差を最小限にできる。この結果、メモリセルのプログラム時間を削減できる。
In order to solve this problem, a program voltage control method that can shorten the program time of the memory has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
In this case, when data is programmed in the nonvolatile memory cell, the program voltage is applied to the memory cell a plurality of times while gradually increasing the program voltage. At this time, the increment of the program voltage is set to the first voltage until the threshold voltages of all the memory cells to be programmed reach the initial value. Thereafter, the increment of the program voltage is set to the second voltage until the threshold voltage reaches the target value. By raising the program voltage without changing the increment, the threshold voltage of the memory cell can be brought close to the target value with a small number of programs. Further, by setting the increment of the program voltage to the second voltage after the threshold voltage exceeds the initial value, the error of the threshold voltage with respect to the target value can be minimized. As a result, the memory cell programming time can be reduced.
しかし、フラッシュメモリでは、データを書き込む際に、0の書き込みの方が1の書き込みより書き込み時間が長いため、書き込むデータの値が0が多い場合、従来のように、作成されたデータをそのまま書き込む際に、書き込みに要する時間が長くなり、書き込みには時間がかかるという問題点があった。 However, in the flash memory, when writing data, writing time of 0 is longer than writing time of 1, so when the value of writing data is large, the created data is written as it is as before. However, the time required for writing becomes long, and there is a problem that it takes time for writing.
また、特許文献1の場合は、不揮発性のメモリのプログラム電圧を制御することで、メモリのプログラム時間を短縮することができるが、回路および電圧制御の複雑化が問題である。
In the case of
そこで、この発明は、フラッシュメモリ等にデータを書き込む際の書き込み時間を短縮できるようにした情報処理装置および情報処理方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an information processing apparatus and an information processing method capable of shortening a writing time when writing data to a flash memory or the like.
この発明に係る情報処理装置は、データの読み出しもしくは書き込みの少なくとも一方で、該データの値により読み書き処理時間が異なる記憶手段を有する情報処理装置において、データの値を変換する変換手段を備え、該変換手段は、書き込み時に、データの値を同ビット長で変換して記憶手段に書き込み、読み出し時に、記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力するものである。 An information processing apparatus according to the present invention comprises a conversion means for converting a data value in an information processing apparatus having a storage means whose read / write processing time differs depending on a value of the data at least one of reading and writing of the data, The conversion means converts the data value with the same bit length at the time of writing and writes it to the storage means, and at the time of reading, converts the converted data value read from the storage means to the original value and outputs it It is.
例えば、情報処理装置は、データのビット分布を検出する検出手段と、検出手段による検出結果に基づいて、変換処理が必要か否かを判断する判断手段と、判断手段により変換処理が必要と判断される場合、データに変換処理を示す制御情報を設定する設定手段と、データから変換処理を示す制御情報を検出する制御情報検出手段とを更に備え、判断手段は、書き込みに時間がかかるデータの出現頻度の高いとき、処理が必要と判断するようになされる。また、記憶手段はフラッシュメモリである。 For example, the information processing apparatus determines a detection unit that detects a bit distribution of data, a determination unit that determines whether conversion processing is necessary based on a detection result of the detection unit, and a determination unit that determines that conversion processing is necessary. In the case, the setting means for setting the control information indicating the conversion process to the data and the control information detection means for detecting the control information indicating the conversion process from the data are further provided, and the determination means When the appearance frequency is high, it is determined that processing is necessary. The storage means is a flash memory.
この発明に係る情報処理方法は、データの読み出しもしくは書き込みの少なくとも一方で、該データの値により読み書き処理時間が異なる記憶手段を有する情報処理装置における情報処理方法において、書き込み時に、データの値を同ビット長で変換して記憶手段に書き込むステップと、読み出し時に、記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力するステップとを備えるものである。 The information processing method according to the present invention is an information processing method in an information processing apparatus having an information processing apparatus having a read / write processing time that differs depending on a value of the data at least one of reading and writing of the data. The method includes a step of converting the bit length and writing to the storage unit, and a step of converting the value of the converted data read from the storage unit into an original value and outputting at the time of reading.
例えば、情報処理方法は、データのビット分布を検出するステップと、検出結果に基づいて、データの値の変換処理が必要か否かを判断する判断ステップと、変換処理が必要と判断される場合、変換処理を示す制御情報を設定する設定ステップと、書き込み時に、データから制御情報を検出する検出ステップとをさらに備え、この検出ステップで、制御情報が検出された場合、データの値を同ビット長で変換して記憶手段に書き込むようになされる。 For example, the information processing method includes a step of detecting a bit distribution of data, a determination step of determining whether or not a data value conversion process is necessary based on the detection result, and a case where the conversion process is determined to be necessary A setting step for setting control information indicating conversion processing, and a detection step for detecting control information from data at the time of writing. When control information is detected in this detection step, the value of the data is set to the same bit. The length is converted and written to the storage means.
この発明においては、情報の読み出しもしくは書き込みの少なくとも一方で、データの値により読み書き処理時間が異なる記憶手段を有する情報処理装置には、データの値を変換する変換手段を設け、書き込み時に、データの値を同ビット長で変換して記憶手段に書き込み、読み出し時に、記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力することによって、書き込みに時間がかかるデータを書き込み時間の短いデータに変換して書き込みを行うようになされる。これにより、書き込みに時間がかかるデータを書き込み時間の短いデータに変換して書き込みを行うことで、フラッシュROM等のメモリの書き込み時間の短縮を図ることが可能となる。 According to the present invention, the information processing apparatus having a storage means whose read / write processing time differs depending on the data value at least one of reading and writing of information is provided with a conversion means for converting the value of the data. Converts the value with the same bit length and writes it to the storage means, and at the time of reading, converts the value of the converted data read from the storage means to the original value and outputs the data, which takes time to write Conversion is made to data with a short writing time, and writing is performed. Thereby, it is possible to reduce the writing time of a memory such as a flash ROM by converting data that takes a long time to write into data having a short writing time.
また、この発明においては、例えば、情報処理装置にはデータのビット分布を検出する検出手段と、検出手段による検出結果に基づいて、反転処理が必要か否かを判断する判断手段と、判断手段により変換処理が必要と判断される場合、データに変換処理を示す制御情報を設定する設定手段と、データから変換処理を示す制御情報を検出する制御情報検出手段とを更に備える。検出手段により書き込むデータにおいて0の値を検出し、判断手段によりデータの値が0が多いか否かを判断し、0が多い場合、反転処理が必要と判断され、設定手段によりデータに変換処理を示す制御情報が設定され、書き込み時に、制御情報が検出された場合、データの値を同ビット長で反転変換して記憶手段に書き込み、また、読み出し時に、記憶手段から読み出された反転変換されたデータの値を元の値に変換して出力するようになされる。これにより、フラッシュROM等のメモリの書き込み時間の短縮を図ることが可能となると共に、データのビット分布の検出、および反転処理が必要かの判断を自動的に行うことが可能となる。 In the present invention, for example, the information processing apparatus includes a detection unit that detects a bit distribution of data, a determination unit that determines whether inversion processing is necessary based on a detection result by the detection unit, and a determination unit When it is determined that the conversion process is necessary, setting means for setting control information indicating the conversion process in the data and control information detection means for detecting control information indicating the conversion process from the data are further provided. A value of 0 is detected in the data to be written by the detecting means, and it is determined whether or not the data value is large by the determining means. If there are many 0, it is determined that inversion processing is necessary, and conversion processing to data is performed by the setting means. If the control information is set, and the control information is detected at the time of writing, the data value is inverted and converted to the same bit length and written to the storage means, and at the time of reading, the inverted conversion read from the storage means The converted data value is converted to the original value and output. As a result, it is possible to reduce the writing time of a memory such as a flash ROM, and it is possible to automatically detect the bit distribution of data and determine whether the inversion process is necessary.
この発明によれば、情報処理装置には、データの値を変換する変換手段を設け、書き込み時に、データの値を同ビット長で変換して記憶手段に書き込み、また、読み出し時に、記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力するものであり、書き込みに時間がかかるデータを書き込み時間の短いデータに変換して書き込みを行うことで、フラッシュROM等のメモリの書き込み時間の短縮を図ることができる。 According to the present invention, the information processing apparatus is provided with conversion means for converting the value of the data. At the time of writing, the data value is converted into the same bit length and written to the storage means, and at the time of reading from the storage means. The read converted data value is converted to the original value and output, and the data that takes a long time to write is converted to the data with a short writing time to perform the writing. The memory writing time can be shortened.
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態の情報処理装置および情報処理方法について説明する。 Hereinafter, an information processing apparatus and an information processing method according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施の形態の情報処理装置100の構成を示す図である。図1に示すように、情報処理装置100は、CPU(Central Processing Unit)11と、バスインタフェース12と、DMAC(Direct Memory Access Controller)13と、RAM(Random Access Memory)14と、フラッシュメモリ15と、ビデオインタフェース16と、モニタ17と、キーボードインタフェース18と、キーボード19と、ディスクインタフェース20と、HDD(Hard Disk Drive)21とから構成されている。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an
CPU11は、バスインタフェース12を介してバスに接続されている。CPU11は、バスを介してRAM14及びフラッシュメモリ15へのアクセスが可能となる。CPU11は、データの値を反転変換する変換手段として機能する。読み出しもしくは書き込み時に、データの値を同ビット長で反転変換するようになされる。
The
また、CPU11は、データのビット分布を検出する検出手段と、この検出手段による検出結果に基づいて、反転が必要か否かを判断する判断手段としても機能する。書き込み時に、判断手段により書き込むデータにおいて0の値を検出し、判断手段によりデータの値が0が多いか否かを判断し、0が多い場合、反転が必要と判断され、データの値を同ビット長で反転変換して記憶手段に書き込み、また、読み出し時に、記憶手段から読み出された反転変換されたデータの値を元の値に変換して出力するようになされる。
The
DMAC13は、周辺機器とメモリの間のデータ転送を仲介する専用のブロックである。このDMAC13は、バスを介してRAM14及びフラッシュメモリ15へのアクセスが可能となる。またDMAC13は、CPU11を介さずに周辺機器とメモリの間で直接データを転送する処理を制御する。なお、上述した変換手段、検出手段および判断手段はDMAC13に設けられてもよい。
The DMAC 13 is a dedicated block that mediates data transfer between the peripheral device and the memory. The DMAC 13 can access the
RAM14は、バスに接続されており、データ処理する際にワークエリアとして使用される。
The
フラッシュメモリ15は、不揮発性半導体メモリの一種で、メモリセル(記憶単位)は、スタックトゲート型MOSトランジスタ1個で構成される。このフラッシュメモリ15は、CPU11またはDMACによりプログラム情報を書き込み、読み出し可能である。
The
モニタ17は、ビデオインタフェース16を介してバスに接続され、入力されたデータなどが表示される。また、キーボード19は、キーボードインタフェース18を介してバスに接続され、データを入力する手段である。また、HDD21は、ディスクインタフェース20を介してバスに接続されている。このHDD21は、各種データを記憶するものである。
The
図2は、フラッシュメモリ15に書き込むプログラムやデータのビットの出現率を示したものである。図2に示すように、プログラム1、プログラム2およびデータファイルのビット0の出現率は、それぞれ64.3%、59.5%および85.1%である。この結果により多数のプログラムまたはデータファイルのビット0の出現率は、ビット1よりも多い。
FIG. 2 shows the appearance rate of bits of programs and data written to the
フラッシュメモリ15において、ビット0の書き込みはビット1の書き込みより時間がかかる。そして、書き込みの際に、プログラムやデータをビット変換を行うことで、書き込み時間を早くすることが可能である。
In the
続いて、図面を参照しながら、情報処理方法について、本発明に係る情報処理装置100の動作例を説明する。
Subsequently, an operation example of the
図3は、書き込み時の動作例を示すフローチャートである。図3に示すように、情報処理装置100において、データを書き込み時に、まず、ステップS11で、書き込みデータを作成する。例えば、所定のプログラムを作成する。次に、ステップS12で、データ分布を検出する。ここで、CPU11(検出手段)により、ステップS11で作成した書き込みデータに0の出現率を調べる。
FIG. 3 is a flowchart showing an operation example at the time of writing. As shown in FIG. 3, in the
次に、ステップS13で、反転処理が必要か否かを判断する。この場合、上述のステップS12での検出結果に基づいて、0の出現率が多い場合、反転処理が必要と判断される。判断はCPU11(判断手段)で行われる。 Next, in step S13, it is determined whether a reversal process is necessary. In this case, based on the detection result in step S12 described above, if the appearance rate of 0 is large, it is determined that inversion processing is necessary. The determination is made by the CPU 11 (determination means).
ステップS13で反転処理が必要と判断された場合には、ステップS14で、反転設定をレジスタに書き込む。なお、ステップS13で反転処理が不必要と判断された場合には、ステップS15へ進む。 If it is determined in step S13 that inversion processing is necessary, inversion setting is written in the register in step S14. If it is determined in step S13 that the inversion process is unnecessary, the process proceeds to step S15.
次に、ステップS15で、反転識別フラグを設定する。ここで、予め位置とビット値がわかっているデータでよい、例えば、反転識別フラグに1を設定する。そして、ステップS16で、書き込みデータをRAM14に読み出す。例えば、読み出されたデータは、「0x00A4」である。このデータは、ビット1が3個であり、ビット0が13個である。
Next, in step S15, an inversion identification flag is set. Here, data whose position and bit value are known in advance may be used. For example, 1 is set in the inversion identification flag. In step S16, the write data is read out to the
次に、ステップS17で、レジスタは反転設定されたか否かを判断する。レジスタは反転設定されたと判断された場合には、ステップS18で、データのビット反転を行う。ここで、例えば、データ「0x00A4」からデータ「0xFF5B」に反転される。このデータは、ビット1が13個であり、ビット0が3個である。
Next, in step S17, it is determined whether or not the register is set to be inverted. If it is determined that the register is set to invert, the data is inverted in step S18. Here, for example, the data “0x00A4” is inverted to the data “0xFF5B”. This data has 13
次に、ステップS19で、反転処理により得られたデータをフラッシュメモリ15に書き込む。そして、書き込み動作を終了する。
Next, in step S19, the data obtained by the inversion process is written into the
このように、ビット0の多いデータをビット0の少ないデータに変換して書き込みを行うことで、書き込み速度が向上することができる。
In this manner, writing speed can be improved by converting data with
また、図4は、読み出し時の動作例を示すフローチャートである。図4に示すように、情報処理装置100において、データを読み出し時に、まず、ステップS21で、フラッシュメモリ15から非反転で反転識別フラグを読み出す。ここで、予め位置とビットがわかっているデータが反転されているかで反転書き込みされたかが分かる。
FIG. 4 is a flowchart showing an operation example at the time of reading. As shown in FIG. 4, in the
次に、ステップS22で、レジスタに反転、非反転情報を設定する。そして、ステップS23で、フラッシュメモリ15からデータを読み出す。例えば、データ「0xFF5B」が読み出される。このデータは、ビット1が13個であり、ビット0が3個である。
In step S22, inversion / non-inversion information is set in the register. In step S23, data is read from the
次に、ステップS24で、レジスタは反転設定であるか否かを判断する。ここで、レジスタは反転設定であると判断された場合には、ステップS25で、読み出されたデータをビット反転処理する。例えば、データ「0xFF5B」からデータ「0x00A4」に反転される。このデータは、ビット1が3個、ビット0が13個であり、書き込み前のデータと同一である。得られたデータを出力して、読み出し動作を終了する。
Next, in step S24, it is determined whether or not the register is set to be inverted. Here, if it is determined that the register is in the inversion setting, the read data is subjected to bit inversion processing in step S25. For example, the data “0xFF5B” is inverted to the data “0x00A4”. This data has 3
図5は、書き込みデータおよび読み出しデータの状態を示す図である。図5(a)は、反転書き込み、反転読み出しの場合のデータ状態を示している。図5(b)は、非反転書き込み、非反転読み出しの場合のデータ状態を示している。 FIG. 5 is a diagram illustrating states of write data and read data. FIG. 5A shows a data state in the case of inversion writing and inversion reading. FIG. 5B shows a data state in the case of non-inversion writing and non-inversion reading.
図5(a)に示すように、書き込みデータの先頭1ビットでは反転識別フラグである。この反転識別フラグは、例えば”0”である場合、反転書き込みを行う。フラッシュメモリに反転されたデータが書き込まれる。読み出し時は、反転識別フラグを認識して、反転読み出しを行うことで、図に示す反転読み出しデータが得られる。 As shown in FIG. 5A, the first 1 bit of the write data is an inversion identification flag. For example, when the inversion identification flag is “0”, inversion writing is performed. The inverted data is written into the flash memory. At the time of reading, the reverse identification data shown in the figure is obtained by recognizing the reverse identification flag and performing reverse read.
また、図5(b)に示すように、書き込みデータの先頭1ビットでは反転識別フラグである。この反転識別フラグは、例えば”1”である場合、非反転書き込みを行う。フラッシュメモリに書き込みデータをそのまま書き込む。読み出し時は、非反転識別フラグを認識して、非反転読み出しを行うことで、図に示す読み出しデータが得られる。 As shown in FIG. 5B, the first 1 bit of the write data is an inversion identification flag. For example, when the inversion identification flag is “1”, non-inversion writing is performed. Write data to flash memory as it is. At the time of reading, the non-inverted identification flag is recognized and non-inverted reading is performed to obtain read data shown in the figure.
このように本実施の形態においては、情報処理装置100にデータのビット分布を検出する検出手段と、検出手段による検出結果に基づいて、反転が必要か否かを判断する判断手段と、データの値を反転変換する変換手段が設けられ、書き込み時に、判断手段により書き込むデータにおいて0の値を検出し、判断手段によりデータの値が0が多いか否かを判断し、0が多い場合、反転が必要と判断され、データの値を同ビット長で反転変換して記憶手段に書き込み、また、読み出し時に、記憶手段から読み出された反転変換されたデータの値を元の値に変換して出力するようになされる。
As described above, in the present embodiment, the
これにより、フラッシュROM等のメモリの書き込み時間の短縮化を図ることができる。高速書き込みにより、データ書き込み工程の生産性が向上する。また、データのビット分布の検出、および反転処理が必要かの判断を自動的行うことができ、データ書き換え作業が容易になる。 Thereby, it is possible to shorten the writing time of a memory such as a flash ROM. High-speed writing improves the productivity of the data writing process. In addition, it is possible to automatically detect the bit distribution of the data and determine whether the inversion process is necessary, thereby facilitating the data rewriting work.
なお、上述実施の形態においては、図6(a)に示すように、データの反転変換は1ビット単位で行うものであり、例えば、B’00011011のデータ中の「0」を「1」に変換し、「1」を「0」に変換するようになされているが、これに限定されるものではない。1セル複数ビットの場合、例えば、図6(b)に示すように、2ビットずつ変換してもよい。この場合、B’00011011のデータ中の「00」を「11」に変換し、「01」を「01」に、「10」を「10」に、「11」を「00」に変換するようになされる。 In the above embodiment, as shown in FIG. 6A, the inversion conversion of data is performed in units of 1 bit. For example, “0” in the data of B′00011011 is changed to “1”. The conversion is performed to convert “1” to “0”, but the present invention is not limited to this. In the case of one cell multiple bits, for example, as shown in FIG. In this case, “00” in the data of B′00011011 is converted to “11”, “01” is converted to “01”, “10” is converted to “10”, and “11” is converted to “00”. To be made.
このように、ビット0の多いデータをビット0の少ないデータに変換して書き込みを行うことで、書き込み速度を向上することができる。
In this manner, writing speed can be improved by converting data with
また、上述実施の形態においては、情報処理装置100にデータのビット分布を検出する検出手段と、該検出手段による検出結果に基づいて、反転が必要か否かを判断する判断手段とを設けるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、予めデータのビット分布調べ、反転が必要かを判断して、反転識別フラグをデータに設定するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the
また、上述実施の形態においては、記憶手段は、フラッシュメモリとしたが、これに限定されるものではない。他のデータの値により読み書き処理時間が異なるメモリを記憶手段として用いてもよい。 In the above embodiment, the storage means is a flash memory, but the present invention is not limited to this. A memory having different read / write processing times depending on other data values may be used as the storage means.
以上のように、この発明に係る情報処理方法を用いた情報処理装置において、データの値により読み書き処理時間が異なるフラッシュメモリに対して、書き込み時間を短縮し、高速書き込みにより、データ書き込み工程の生産性が向上する目的に利用できる。 As described above, in the information processing apparatus using the information processing method according to the present invention, the writing time is shortened and the data writing process is produced by high-speed writing with respect to the flash memory whose reading / writing processing time varies depending on the data value. It can be used for the purpose of improving the performance.
11・・・CPU、12・・・バスインタフェース、13・・・DMAC、14・・・RAM、15・・・フラッシュメモリ、16・・・ビデオインタフェース、17・・・モニタ、18・・・キーボードインタフェース、19・・・キーボード、20・・・ディスクインタフェース、21・・・HDD、100・・・情報処理装置、
11 ... CPU, 12 ... bus interface, 13 ... DMAC, 14 ... RAM, 15 ... flash memory, 16 ... video interface, 17 ... monitor, 18 ... keyboard Interface, 19 ... Keyboard, 20 ... Disk interface, 21 ... HDD, 100 ... Information processing device,
Claims (12)
上記データの値を変換する変換手段を備え、
上記変換手段は、
書き込み時に、上記データの値を同ビット長で変換して上記記憶手段に書き込み、
読み出し時に、上記記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力する
ことを特徴とする情報処理装置。 In at least one of data reading or writing, in an information processing apparatus having a storage unit that has different read / write processing times depending on the value of the data,
Conversion means for converting the value of the data,
The conversion means is
At the time of writing, the value of the data is converted with the same bit length and written to the storage means,
An information processing apparatus, wherein at the time of reading, the converted data value read from the storage means is converted into an original value and output.
上記検出手段による検出結果に基づいて、変換処理が必要か否かを判断する判断手段と、
上記判断手段により変換処理が必要と判断される場合、上記データに変換処理を示す制御情報を設定する設定手段と、
上記データから変換処理を示す制御情報を検出する制御情報検出手段とを更に備え、
上記判断手段は、書き込みに時間がかかるデータの出現頻度の高いとき、処理が必要と判断する
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。 Detection means for detecting the bit distribution of the data;
Determination means for determining whether conversion processing is necessary based on a detection result by the detection means;
When the determination unit determines that the conversion process is necessary, a setting unit that sets control information indicating the conversion process in the data;
Further comprising control information detecting means for detecting control information indicating conversion processing from the data,
The information processing apparatus according to claim 1, wherein the determination unit determines that processing is necessary when the appearance frequency of data that takes time to write is high.
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 1, wherein the storage unit is a flash memory.
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 1, wherein the conversion unit converts a plurality of storage cell units at the same time in the data read / write unit.
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 1, wherein the conversion unit converts data that takes a long time during writing into data having a short writing time.
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 1, wherein when there are a plurality of storage units, the conversion unit performs conversion only when reading from and writing to a predetermined storage unit.
書き込み時に、上記データの値を同ビット長で変換して上記記憶手段に書き込むステップと、
読み出し時に、上記記憶手段から読み出された変換されたデータの値を元の値に変換して出力するステップと
を備えることを特徴とする情報処理方法。 In an information processing method in an information processing apparatus having a storage unit in which read / write processing time differs depending on a value of the data, at least one of reading and writing data,
When writing, converting the value of the data with the same bit length and writing to the storage means;
An information processing method comprising: a step of converting the value of the converted data read from the storage means into an original value and outputting the original value at the time of reading.
上記検出結果に基づいて、上記データの値の変換処理が必要か否かを判断する判断ステップと、
上記変換処理が必要と判断される場合、変換処理を示す制御情報を設定する設定ステップと、
書き込み時に、上記データから上記制御情報を検出する検出ステップとをさらに備え、
上記検出ステップで、上記制御情報が検出された場合、上記データの値を同ビット長で変換して上記記憶手段に書き込む
ことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。 Detecting a bit distribution of the data;
A determination step of determining whether conversion processing of the value of the data is necessary based on the detection result;
If it is determined that the conversion process is necessary, a setting step for setting control information indicating the conversion process;
A detection step of detecting the control information from the data at the time of writing;
8. The information processing method according to claim 7, wherein when the control information is detected in the detection step, the value of the data is converted with the same bit length and written to the storage means.
ことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。 The information processing method according to claim 7, wherein the conversion processing performs conversion in units of a plurality of storage cells at the same time in the data read / write unit.
ことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。 The information processing method according to claim 7, wherein the conversion process converts data that takes a long time during writing into data having a short writing time.
ことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。 8. The information processing method according to claim 7, wherein when there are a plurality of storage means, the conversion means performs conversion only when reading from and writing to the predetermined storage means.
ことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。
The information processing method according to claim 7, wherein the conversion is performed only when the write data is biased.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2003395977A Pending JP2005157781A (en) | 2003-11-26 | 2003-11-26 | Information processor and information processing method |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2005157781A (en) |
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