JP2005314407A - 新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体、除草剤及びその使用方法並びにその中間体 - Google Patents
新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体、除草剤及びその使用方法並びにその中間体 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 一般式（Ｉ）：
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C6）アルキル。Ｒ2 とＲ5はＨ、（C1-C6）アルキル、（置換）フェニル（C1-C6）アルキル等、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ6及びＲ7はＨ、（C1-C6）アルキル、（C3-C6）シクロアルキル、ハロゲン、ＣＮ等。又、Ｒ3＋Ｒ4及びＲ6＋Ｒ7は３〜７員環を形成することができる。ＡはＯ又はＳ。ＧはＯ、Ｓ又はＣＲ8Ｒ9（Ｒ8、Ｒ9はＨ、（C1-C6）アルキル等。）。Ｑは（C1-C6）アルキル、（置換）（C3-C6）シクロアルキル等、ａ及びｂは０又は１。ＸはＨ、ハロゲン、（C1-C6）アルキル、（置換）フェニル、（置換）複素環等。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類、及び除草剤並びにその使用方法。
【効果】 人畜に対する安全性に優れ、作物選択性が高く、低薬量で高い除草効果を示す。広い適用性、効果の持続性、作物−雑草間の選択性に優れ、特に水田用除草剤として優れている。
【選択図】 なし
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C6）アルキル。Ｒ2 とＲ5はＨ、（C1-C6）アルキル、（置換）フェニル（C1-C6）アルキル等、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ6及びＲ7はＨ、（C1-C6）アルキル、（C3-C6）シクロアルキル、ハロゲン、ＣＮ等。又、Ｒ3＋Ｒ4及びＲ6＋Ｒ7は３〜７員環を形成することができる。ＡはＯ又はＳ。ＧはＯ、Ｓ又はＣＲ8Ｒ9（Ｒ8、Ｒ9はＨ、（C1-C6）アルキル等。）。Ｑは（C1-C6）アルキル、（置換）（C3-C6）シクロアルキル等、ａ及びｂは０又は１。ＸはＨ、ハロゲン、（C1-C6）アルキル、（置換）フェニル、（置換）複素環等。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類、及び除草剤並びにその使用方法。
【効果】 人畜に対する安全性に優れ、作物選択性が高く、低薬量で高い除草効果を示す。広い適用性、効果の持続性、作物−雑草間の選択性に優れ、特に水田用除草剤として優れている。
【選択図】 なし
Description
本発明は新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類及び該化合物を有効成分として含有する除草剤並びにその使用方法に関する。更に本発明は該化合物を製造するための中間体にも関する。
従来、パーフルオロアルキルスルホニルアミノ基を置換基として有するジフェニルエーテル誘導体が除草剤又は抗炎症剤として有用なことが知られているが、ジフェニルエーテル以外の骨格についてはなんらの記載も示唆もない（例えば、特許文献１参照。）。フェノキシ基、フェニルチオ基、フェニルスルホニル基等を置換基として有するパーフルオロアルキルスルホンアニリド誘導体が除草剤又は抗炎症剤として、トリフルオロメタンスルホニルアミノ基を置換基として有するウレア誘導体が除草剤として、トリフルオロメタンスルホニルアミノ基を有するピラジン誘導体が除草剤として知られているが、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体は記載も示唆もされておらず、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体が有するようなイネと水田雑草間の選択除草性に関する記載もない（例えば、特許文献２、３、４参照。）。トリフルオロメタンスルホンアニリド構造を有するヘテロ環誘導体が除草剤として知られているが、トリフルオロメタンスルホンアニリドとヘテロ環が直接結合した骨格であり、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体のようにアルキレン基等のスペーサーを介して結合した骨格の化合物は記載も示唆もされていない（例えば、特許文献５参照。）。４位に２−ピリミジニルオキシ基を有するスルホンアニリド誘導体及び該化合物を有効成分とする除草剤が知られており、イネに薬害がないことや水田への適用性等が記載されているが、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体とは骨格が異なり、他の骨格について特段の記載も示唆もない（例えば、特許文献６、７参照。）。ハロアルキルスルホンアニリドとヘテロ環がアルキレン基等のスペーサーを介してヘテロ環内窒素原子と結合した骨格の化合物が除草剤として知られているが、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体のようにハロアルキルスルホンアニリドが環を構成していない窒素原子とアルキレン基等を介して結合した骨格の化合物は記載も示唆もされていない（例えば、特許文献８参照。）。
上記のように、ある種のハロアルキルスルホンアミド誘導体が除草剤として有用であることが知られているが、その除草効果、難防除雑草を含む多くの雑草種に対する広い適用性、効果の持続性、優れた作物−雑草間の選択性等の特性は充分ではなく、より優れた特性を備えた除草剤の創出が求められていた。
本発明者等は、新規な除草剤を開発すべくスルホンアニリド構造を有する誘導体の合成とその生理活性について鋭意研究を重ねた結果、本発明の一般式（Ｉ）で表される新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体が文献未記載の新規化合物であり、先行技術に開示の化合物に比して顕著な除草効果、難防除雑草を含む多くの雑草種に対する広い適用性、効果の持続性、優れた作物−雑草間の選択性等の特性を兼ね備えており、除草剤特に水田用除草剤として有用なことを見出し、本発明を完成させたものである。
即ち、本発明は一般式（Ｉ）
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C6）アルキル基を示す。Ｒ2 は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C2-C6）アルケニルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、複素環カルボニル基（複素環はピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、オキサチイン環、ジヒドロオキサチイン環、フラン環、テトラヒドロフラン環、チオフェン環、テトラヒドロチオフェン環、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロチオピラン環、オキサゾール環、オキサゾリン環、イソキサゾール環、イソキサゾリン環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアゾリン環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、イミダゾール環、イミダゾリン環、トリアゾール環、トリアゾリン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピロール環又はピロリジン環を示す。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換複素環カルボニル基（複素環は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオカルボニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、フェニルチオ（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルチオ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル（C1-C6）アルキル基、フェニルスルフィニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルスルフィニル（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルホニル（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル（C1-C6）アルキル基、フェニルスルホニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルスルホニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｒ6及びＲ7は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ6とＲ7はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｒ6及びＲ7は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ6とＲ7はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ａは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Ｇは酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ8）（Ｒ9）−（式中、Ｒ8及びＲ9は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ8とＲ9はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、更に、Ｒ6又はＲ7と結合して４〜７員環を形成することができる。）、カルボニル基、−Ｃ（＝ＣＨ2）−で表される基又は−Ｃ（＝ＮＯＲ10）−（式中、Ｒ10は水素原子、（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基を示す。）で表される基を示す。
Ｑは（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する（C3-C6）シクロアルキル基、シアノ基、アミノ基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニルアミノ基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環は前記に同じ。）又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環は前記に同じ。）を示す。
ａ及びｂは同一又は異なっても良く、０又は１を示す。
Ｇは酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ8）（Ｒ9）−（式中、Ｒ8及びＲ9は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ8とＲ9はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、更に、Ｒ6又はＲ7と結合して４〜７員環を形成することができる。）、カルボニル基、−Ｃ（＝ＣＨ2）−で表される基又は−Ｃ（＝ＮＯＲ10）−（式中、Ｒ10は水素原子、（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基を示す。）で表される基を示す。
Ｑは（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する（C3-C6）シクロアルキル基、シアノ基、アミノ基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニルアミノ基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環は前記に同じ。）又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環は前記に同じ。）を示す。
ａ及びｂは同一又は異なっても良く、０又は１を示す。
Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜４個の置換基を示す。
Ｙは同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、
同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、
同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、
（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、 （C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、
フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を示し、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基、ハロ（C1-C4）アルキレン基、（C2-C4）アルケニレン基又はハロ（C2-C4）アルケニレン基により５又は６員環を形成しても良い。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類及び該化合物を有効成分として含有する除草剤並びにその使用方法に関する。
更に本発明はその中間体である一般式（II）
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5’は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5’は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｘ’は同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基又は（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基から選択される１〜４個の置換基を示す。
Ｙ’は同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ （C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、
Ｙ’は同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ （C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、
フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ （C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ （C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を示し、Ｙ’はベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。
但し、Ｘ’が水素原子であり、Ｒ1がCF3であり、Ｒ1SO2NHの置換位置が４位であり、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5’が水素原子の化合物は除く。｝で表されるベンジルアミン誘導体又はその塩類に関する。
但し、Ｘ’が水素原子であり、Ｒ1がCF3であり、Ｒ1SO2NHの置換位置が４位であり、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5’が水素原子の化合物は除く。｝で表されるベンジルアミン誘導体又はその塩類に関する。
本発明は、人畜に対する安全性に優れ、作物選択性が高く、低薬量で高い除草効果を示すため、農作業の効率化のみならず、環境の負荷も少ない除草剤を提供するものである。
本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体の一般式（Ｉ）の定義において、「ハロゲン原子」とは塩素原子、臭素原子、沃素原子又はフッ素原子を示す。「（C1-C6）アルキレン基」はメチレン、エチレン、プロピレン、ジメチルメチレン、テトラメチレン、イソブチレン、ジメチルエチレン、ヘキサメチレン等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキレン基を示し、「（C2-C6）アルケニレン基」は直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数２〜６個のアルケニレン基を示す。「（C1-C6）アルキル基」とは、例えばメチル、エチル、ノルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、イソブチル、セカンダリーブチル、ターシャリーブチル、ノルマルペンチル、ネオペンチル、ノルマルヘキシル等の直鎖又は分鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示す。「ハロ（C1-C6）アルキル基」とは、同一又は異なっても良い１以上のハロゲン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、例えばトリフルオロメチル、ジフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロイソプロピル、クロロメチル、ブロモメチル、1−ブロモエチル、２，３−ジブロモプロピル等を示す。「フルオロ（C1-C6）アルキル基」とは、同一又は異なっても良い１以上のフッ素原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、例えばトリフルオロメチル、ジフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロイソプロピル、パーフルオロヘキシル等を示す。「（C3-C6）シクロアルキル基」とは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、２−メチルシクロプロピル、２−メチルシクロペンチル等の炭素原子数３〜６個の脂環式アルキル基を示す。
「（C1-C6）アルコキシ基」とは、例えばメトキシ、エトキシ、ノルマルプロポキシ、イソプロポキシ、ノルマルブトキシ、セカンダリーブトキシ、ターシャリーブトキシ、ノルマルペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、ノルマルヘキシルオキシ等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシ基を示す。「ハロ（C1-C6）アルコキシ基」とは、同一又は異なっても良い１以上のハロゲン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、例えばジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、２，２，２−トリフルオロエトキシ等を示す。「（C1-C6）アルコキシカルボニル基」とは、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ノルマルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ノルマルブトキシカルボニル、ターシャリーブトキシカルボニル等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシカルボニル基を示す。「（C1-C6）アルキルチオ基」とは、例えばメチルチオ、エチルチオ、ノルマルプロピルチオ、イソプロピルチオ、ノルマルブチルチオ、セカンダリーブチルチオ、ターシャリーブチルチオ、ノルマルペンチルチオ、イソペンチルチオ、ノルマルヘキシルチオ等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルチオ基を示す。「（C1-C6）アルキルスルフィニル基」とは、例えばメチルスルフィニル、エチルスルフィニル、ノルマルプロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ノルマルブチルスルフィニル、セカンダリーブチルスルフィニル、ターシャリーブチルスルフィニル、ノルマルペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ノルマルヘキシルスルフィニル等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルフィニル基を示す。「（C1-C6）アルキルスルホニル基」とは、例えばメチルスルホニル、エチルスルホニル、ノルマルプロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ノルマルブチルスルホニル、セカンダリーブチルスルホニル、ターシャリーブチルスルホニル、ノルマルペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ノルマルヘキシルスルホニル等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルホニル基を示す。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体又は一般式（II）で表されるベンジルアミン誘導体の塩類としては、例えば塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、燐酸塩等の無機酸塩類、酢酸塩、フマル酸塩、マレイン酸塩、シュウ酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、パラトルエンスルホン酸塩等の有機酸塩類、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン等との塩類を例示することができる。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体は、その構造式
中に１つ又は複数個の不斉中心を含む場合があり、２種以上の光学異性体及びジアステレオマーが存在する場合もあるが、本発明は各々の光学異性体及びそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。又、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロア
ルキルスルホンアニリド誘導体は、その構造式中に炭素−炭素二重結合又は炭素−窒素二重結合に由来する２種の幾何異性体が存在する場合もあるが、本発明は各々の幾何異性体及びそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。
以下に本発明の代表的な製造方法を図式的に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体は、その構造式
中に１つ又は複数個の不斉中心を含む場合があり、２種以上の光学異性体及びジアステレオマーが存在する場合もあるが、本発明は各々の光学異性体及びそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。又、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロア
ルキルスルホンアニリド誘導体は、その構造式中に炭素−炭素二重結合又は炭素−窒素二重結合に由来する２種の幾何異性体が存在する場合もあるが、本発明は各々の幾何異性体及びそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。
以下に本発明の代表的な製造方法を図式的に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
製造方法１
一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体のうち、Ａが酸素原子である化合物は以下の製造方法で製造することができる。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｘ、Ｇ、Ｑ、ａ及びｂは前記に同じくし、Ｌはハロゲン原子等の脱離基を示す。）
一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体のうち、Ａが酸素原子である化合物は以下の製造方法で製造することができる。
一般式（II’）で表される化合物を塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式（III）で表される酸ハロゲン化物又は酸無水物と反応させることにより、又は一般式（II’）で表される化合物を縮合剤の存在下、必要に応じて塩基を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式（III’）で表されるカルボン酸誘導体と反応させることにより一般式（IV−１）で表される化合物とし、
該化合物を単離し又は単離せずして、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（Ｖ−１）で表されるアミノ化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にＲ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を反応させることにより、一般式（Ｉ−１）で表される本発明化合物を製造することができる。更に一般式（Ｉ−
１）で表される化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−２）で表される本発明化合物を製造することができる
。
該化合物を単離し又は単離せずして、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（Ｖ−１）で表されるアミノ化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にＲ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を反応させることにより、一般式（Ｉ−１）で表される本発明化合物を製造することができる。更に一般式（Ｉ−
１）で表される化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−２）で表される本発明化合物を製造することができる
。
（１−１） 一般式（II’）→一般式（IV−１）
出発物質である一般式（II’）の化合物は公知の文献｛例えば、Rev. Roum. Chim., 34（7）, 1607（1989）、Tetrahedron Lett., 2691（1970）、J. Heterocycl. Chem., 25, 789（1988）、J. Ａm. Chem. Soc., 93, 2897（1971）、J. Org. Chem., 28, 3259（1963）等｝に記載の方法により又はこれらに準じて製造することができる。一般式（III）或いは（III’）の化合物は公知の文献｛例えば、J. Org. Chem., 26, 1003（1961）、Org. Synth., 32, 92（1952）、Tetrahedron lett., 1383（1972）、J. Chem. Soc. Chem. Commun., 229（1976）等｝に記載の方法により又はこれらに準じて製造することができる。
出発物質である一般式（II’）の化合物は公知の文献｛例えば、Rev. Roum. Chim., 34（7）, 1607（1989）、Tetrahedron Lett., 2691（1970）、J. Heterocycl. Chem., 25, 789（1988）、J. Ａm. Chem. Soc., 93, 2897（1971）、J. Org. Chem., 28, 3259（1963）等｝に記載の方法により又はこれらに準じて製造することができる。一般式（III）或いは（III’）の化合物は公知の文献｛例えば、J. Org. Chem., 26, 1003（1961）、Org. Synth., 32, 92（1952）、Tetrahedron lett., 1383（1972）、J. Chem. Soc. Chem. Commun., 229（1976）等｝に記載の方法により又はこれらに準じて製造することができる。
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、酢酸エチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン、水等の不活性溶媒を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。
本反応で使用できる塩基としては、例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等を例示することができる。塩基の使用量は反応により発生する酸を中和できるだけの量があれば良いが、過剰量使用することもできる。
本反応で使用できる塩基としては、例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等を例示することができる。塩基の使用量は反応により発生する酸を中和できるだけの量があれば良いが、過剰量使用することもできる。
本反応で使用できる相間移動触媒としては、例えばテトラｎ−ブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド等の４級アンモニウム塩、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル類等を例示することができる。相間移動触媒の使用量は一般式（II’）で表される化合物に対して０．０１〜０．５倍モルの範囲から適宜選択すれば良い。
本反応で使用できる縮合剤としては、例えば１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド、１，３−ジイソプロピルカルボジイミド、１−エチル−３−（３’−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩のようなカルボジイミド類、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール、２−クロロ−１−メチルピリジニウム ヨージド、ジエチルホスホロシアニダート、リン酸ジクロリドフェニルエステル、シアヌリッククロリド、クロロギ酸イソブチル、クロロスルホニルイソシアネート、トリフルオロ酢酸無水物等を例示することができる。縮合剤の使用量は一般式（II’）で表される化合物に対して１〜５倍モルの範囲から適宜選択すれば良い。
本反応は等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応剤を過剰に使用することもできる。反応温度は−２０℃〜使用する不活性溶媒の還流温度の範囲で行うことができ、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応で使用できる縮合剤としては、例えば１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド、１，３−ジイソプロピルカルボジイミド、１−エチル−３−（３’−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩のようなカルボジイミド類、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール、２−クロロ−１−メチルピリジニウム ヨージド、ジエチルホスホロシアニダート、リン酸ジクロリドフェニルエステル、シアヌリッククロリド、クロロギ酸イソブチル、クロロスルホニルイソシアネート、トリフルオロ酢酸無水物等を例示することができる。縮合剤の使用量は一般式（II’）で表される化合物に対して１〜５倍モルの範囲から適宜選択すれば良い。
本反応は等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応剤を過剰に使用することもできる。反応温度は−２０℃〜使用する不活性溶媒の還流温度の範囲で行うことができ、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（１−２） 一般式（IV−１）→一般式（Ｖ−１）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、水等を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。また、次に示す還元剤として使用する酸の水溶液をそのまま不活性溶媒として使用することもできる。
本反応で使用できる還元剤としては、金属−酸、金属−塩等を例示することができ、金属としては、例えば鉄、スズ、亜鉛等を、酸としては、例えば塩酸、硫酸等の鉱酸類、酢酸等の有機酸類、塩化スズ等を、塩としては、例えば塩化アンモニウム等を例示することができる。また、これらを組み合わせて使用することも可能である。
還元剤の使用量は一般式（IV−１）で表される化合物に対して、金属は１〜１０倍モル、酸および塩は０．０５〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
又、還元反応は触媒の存在下、接触水素添加法によっても行うことができ、触媒としては、例えばパラジウム炭素、白金、ラネーニッケル等を例示することができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、水等を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。また、次に示す還元剤として使用する酸の水溶液をそのまま不活性溶媒として使用することもできる。
本反応で使用できる還元剤としては、金属−酸、金属−塩等を例示することができ、金属としては、例えば鉄、スズ、亜鉛等を、酸としては、例えば塩酸、硫酸等の鉱酸類、酢酸等の有機酸類、塩化スズ等を、塩としては、例えば塩化アンモニウム等を例示することができる。また、これらを組み合わせて使用することも可能である。
還元剤の使用量は一般式（IV−１）で表される化合物に対して、金属は１〜１０倍モル、酸および塩は０．０５〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
又、還元反応は触媒の存在下、接触水素添加法によっても行うことができ、触媒としては、例えばパラジウム炭素、白金、ラネーニッケル等を例示することができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（１−３） 一般式（Ｖ−１）→一般式（Ｉ−１）
本反応は（１−１）に準じて行なうことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応は（１−１）に準じて行なうことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（１−４） 一般式（Ｉ−１）→一般式（Ｉ−２）
本反応は（１−１）に準じて行なうことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
本反応は（１−１）に準じて行なうことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
製造方法２
一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、Ａが硫黄原子である化合物は以下の製造方法で製造することができる。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｘ、Ｇ、Ｑ、Ｌ、ａ及びｂは前記に同じ。）
一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、Ａが硫黄原子である化合物は以下の製造方法で製造することができる。
一般式（IV−１）で表される化合物を不活性溶媒の存在下又は非存在下にローソン試薬等の硫黄化剤を反応させることにより、一般式（IV−２）で表されるチオアミド誘導体とし、該化合物を単離し又は単離せずして、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（Ｖ−２）で表されるアミノ化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にＲ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を反応させることにより、一般式（Ｉ−３）で表される本発明化合物を製造することができる。更に一般式（
Ｉ−３）で表される化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、必要に応じて相間
移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−４）で表される本発明化合物を製造することがで
きる。
Ｉ−３）で表される化合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、必要に応じて相間
移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−４）で表される本発明化合物を製造することがで
きる。
（２−１） 一般式（IV−１）→一般式（IV−２）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。
本反応で使用できる硫黄化剤としては、例えばローソン試薬として知られている２，４−ビス（４−メトキシフェニル）−１，３，２，４−ジチアジホスフェタン−２，４−ジスルフィド等を例示することができる。硫黄化剤の使用量は一般式（IV−１）で表される化合物に対して、０．５〜５倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。
本反応で使用できる硫黄化剤としては、例えばローソン試薬として知られている２，４−ビス（４−メトキシフェニル）−１，３，２，４−ジチアジホスフェタン−２，４−ジスルフィド等を例示することができる。硫黄化剤の使用量は一般式（IV−１）で表される化合物に対して、０．５〜５倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（２−２） 一般式（IV−２）→一般式（Ｖ−２）
本反応は（１−２）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応は（１−２）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（２−３） 一般式（Ｖ−２）→一般式（Ｉ−３）
本反応は（１−３）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応は（１−３）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（２−４） 一般式（Ｉ−３）→一般式（Ｉ−４）
本反応は（１−４）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
本反応は（１−４）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
製造方法３
本発明化合物は一般式（II）で表される化合物を出発原料として、以下の製造方法で製造することもできる。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5’、Ｒ6、Ｒ7、Ｘ’、Ｇ、Ｑ、Ｌ、ａ及びｂは前記に同じ。）
本発明化合物は一般式（II）で表される化合物を出発原料として、以下の製造方法で製造することもできる。
一般式（II）で表される化合物を塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式（III）で表される酸ハロゲン化物又は酸無水物と反応させることにより、又は一般式（II）で表される化合物を縮合剤の存在下、必要に応じて塩基を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式（III’）で表されるカルボン酸誘導体と反応させることにより、一般式（Ｉ−５）で表される本発明化合物を
製造することができる。更に一般式（Ｉ−５）で表される化合物を単離し又は単離せずし
て、塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−６）で表さ
れる本発明化合物を製造することができる。更に一般式（Ｉ−６）で表される化合物を単
離し又は単離せずして、不活性溶媒の存在下又は非存在下にローソン試薬等の硫黄化剤を反応させることにより、一般式（Ｉ−８）で表される本発明化合物を製造することができ
る。
また、一般式（Ｉ−５）で表される化合物を単離し又は単離せずして、不活性溶媒の存
在下又は非存在下にローソン試薬等の硫黄化剤を反応させることにより、一般式（Ｉ−７
）で表される本発明化合物を製造することができる。更に一般式（Ｉ−７）で表される化
合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−８）で表される本発明化合物を製造することができる。
製造することができる。更に一般式（Ｉ−５）で表される化合物を単離し又は単離せずし
て、塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−６）で表さ
れる本発明化合物を製造することができる。更に一般式（Ｉ−６）で表される化合物を単
離し又は単離せずして、不活性溶媒の存在下又は非存在下にローソン試薬等の硫黄化剤を反応させることにより、一般式（Ｉ−８）で表される本発明化合物を製造することができ
る。
また、一般式（Ｉ−５）で表される化合物を単離し又は単離せずして、不活性溶媒の存
在下又は非存在下にローソン試薬等の硫黄化剤を反応させることにより、一般式（Ｉ−７
）で表される本発明化合物を製造することができる。更に一般式（Ｉ−７）で表される化
合物を単離し又は単離せずして、塩基の存在下、必要に応じて相間移動触媒を用いて、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、一般式（Ｉ−８）で表される本発明化合物を製造することができる。
（３−１） 一般式（II）→一般式（Ｉ−５）
出発物質である一般式（II）の化合物は新規化合物であるが、公知文献｛例えば、J. Med. Chem., 46, 3116（2003）｝に記載の方法に準じて製造することができる。
本反応は（１−１）に準じて行なうことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
出発物質である一般式（II）の化合物は新規化合物であるが、公知文献｛例えば、J. Med. Chem., 46, 3116（2003）｝に記載の方法に準じて製造することができる。
本反応は（１−１）に準じて行なうことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（３−２） 一般式（Ｉ−５）→一般式（Ｉ−６）
本反応は（１−４）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応は（１−４）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（３−３） 一般式（Ｉ−５）→一般式（Ｉ−７）
本反応は（２−１）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
本反応は（２−１）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
（３−４） 一般式（Ｉ−６）→一般式（Ｉ−８）
本反応は（２−１）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
本反応は（２−１）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
（３−５） 一般式（Ｉ−７）→一般式（Ｉ−８）
本反応は（１−４）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
本反応は（１−４）に準じて行うことができる。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体の代表例を第１表乃至第３表に、一般式（IV−１）又は（IV−２）で表される中間体を第４表及び第５表に、一般式（Ｖ−１）又は（Ｖ−２）で表される中間体を第６表及び第７表に、一般式（II）で表される中間体を第８表に例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。第１表乃至第８表中、物性は融点（℃）又は屈折率を示す。尚、第１表乃至第８表中の物性がＮＭＲと記載された化合物の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルデータを第９表に示した。
以下の表において、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｂｕ」はブチル基を、「Ｈｅｘ」はヘキシル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「Ｂｎ」はベンジル基を、「Ｐｙｎ」はピリジル基を、「Ｐｙｍ」はピリミジル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「ｎ−」はノルマルを、「ｉ−」はイソを、「ｔ−」はターシャリーを、「ｃ−」は脂環式炭化水素基を示す。「ｃ−ｐｅｎｔａｐｙｒａｚｏｌｅ」は以下の構造を表す。
「置換位置」は各々の構造式において、ベンゼン環上のハロアルキルスルホニルアミノ基、ニトロ基又はアミノ基の置換位置を示す。
以下の表において、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｂｕ」はブチル基を、「Ｈｅｘ」はヘキシル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「Ｂｎ」はベンジル基を、「Ｐｙｎ」はピリジル基を、「Ｐｙｍ」はピリミジル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「ｎ−」はノルマルを、「ｉ−」はイソを、「ｔ−」はターシャリーを、「ｃ−」は脂環式炭化水素基を示す。「ｃ−ｐｅｎｔａｐｙｒａｚｏｌｅ」は以下の構造を表す。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は、例えばイヌビエ（イネ科１年生、水田の害草）、タマガヤツリ（カヤツリグサ科１年生草、水田の害草）、マツバイ（カヤツリグサ科多年生草、湿地、水路、水田に発生、水田の多年生害草）、ウリカワ（オモダカ科、水田、湿地、溝に発生する多年生害草）、イヌホタルイ（カヤツリグサ科多年生草、水田、湿地、溝に発生）、スズメノテッポウ（イネ科越年草、水田裏作、低湿地に発生）、カラスムギ（イネ科越年草、平地、荒地、畑地に発生）、ヨモギ（キク科多年生草、山野、畑地に発生）、メヒシバ（イネ科１年生草、畑、樹園地の強害草）、ギシギシ（タデ科多年生草、畑地、道端に発生）、コゴメガヤツリ（カヤツリグサ科１年生草、畑地の害草）、アオビユ（ヒユ科１年生草、空き地、道端、畑地に発生）、オナモミ（キク科１年生草、畑地の害草）、イチビ（アオイ科1年生草、畑地の害草）、シロバナヨウシュチョウセンアサガオ（ナス科1年生草、畑地の害草）、オオイヌノフグリ（ゴマノハグサ科越年草、畑地の害草）、ヤエムグラ（アカネ科越年草、畑地、樹園地の害草）等の水田、畑、樹園地、湿地等に発生する１年生、越年生及び多年生雑草を除草するのに有用である。特に水田における雑草防除に有効であり、イネ−水田雑草間の選択性幅が広いことから水田用除草剤として優れた性能を有する。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は出芽前及び出芽後にある雑草に対して優れた除草効果を示すことから、有用植物の植え付け予定地に予め処理するとか、有用植物の植え付け後（有用植物が樹園のごとく既に定植されている場合を含む）雑草の発生始期から生育期に処理することにより本発明除草剤の有する特徴ある生理活性を効果的に発現させることができる。しかし本発明の除草剤はこのような態様においてのみ使用されねばならないというものではなく、例えば本発明除草剤は水田用除草剤として使用することができるばかりでなく、一般雑草の除草剤としても使用することができ、例えば刈り取り跡、休耕田畑、畦畔、農道、水路、牧草造成地、墓地、公園、道路、運動場、建物の周辺の空き地、開墾地、線路端、森林等の一般雑草の駆除のために使用することもできる。この場合、雑草の発生始期までに処理するのが経済的にも最も効果的であるが、必ずしもこれに限定されず、生育期にある雑草をも防除することが可能である。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を除草剤として使用する場合、農薬製剤上の常法に従い、使用上都合の良い形状に製剤して使用するのが一般的である。即ち、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類は、これらを適当な不活性担体に、又は必要に応じて補助剤と一緒に、適当な割合に配合して溶解、分離、懸濁、混合、含浸、吸着若しくは付着させ、適宜の剤形、例えば懸濁剤、乳懸濁剤、乳剤、液剤、水和剤、粒剤、粉剤、錠剤、ジャンボ剤、パック剤等に製剤して使用すれば良い。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を除草剤として使用する場合、農薬製剤上の常法に従い、使用上都合の良い形状に製剤して使用するのが一般的である。即ち、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類は、これらを適当な不活性担体に、又は必要に応じて補助剤と一緒に、適当な割合に配合して溶解、分離、懸濁、混合、含浸、吸着若しくは付着させ、適宜の剤形、例えば懸濁剤、乳懸濁剤、乳剤、液剤、水和剤、粒剤、粉剤、錠剤、ジャンボ剤、パック剤等に製剤して使用すれば良い。
本発明で使用できる不活性担体としては固体又は液体の何れであっても良く、固体の担体になり得る材料としては、例えば植物質粉末類（例えばダイズ粉、穀物粉、木粉、樹皮粉、鋸粉、タバコ茎粉、クルミ殻粉、ふすま、繊維素粉末、植物エキス抽出後の残渣等）、粉砕合成樹脂等の合成重合体、粘土類（例えばカオリン、ベントナイト、酸性白土等）、タルク類（例えばタルク、ピロフィライト等）、シリカ類｛例えば珪藻土、珪砂、雲母、ホワイトカーボン（含水微粉珪素、含水珪酸ともいわれる合成高分散珪酸で、製品により珪酸カルシウムを主成分として含むものもある。）｝、活性炭、天然鉱物質類（例えばイオウ粉末、軽石、アタパルジャイトおよびゼオライト等）、焼成珪藻土、レンガ粉砕物、フライアッシュ、砂、プラスチック担体等（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等）、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム等の無機鉱物性粉末、硫安、燐安、硝安、尿素、塩安等の化学肥料、堆肥等を挙げることができ、これらは単独で若しくは二種以上の混合物の形で使用される。
液体の担体になり得る材料としては、それ自体溶媒能を有するものの他、溶媒能を有さずとも補助剤の助けにより有効成分化合物を分散させ得ることとなるものから選択され、例えば代表例として次に挙げる担体を例示できるが、これらは単独で若しくは２種以上の混合物の形で使用され、例えば水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール等）、ケトン類（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エ−テル類（例えばエチルエ−テル、ジオキサン、セロソルブ、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等）、脂肪族炭化水素類（例えばケロシン、鉱油等）、芳香族炭化水素類（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等）、ハロゲン化炭化水素類（例えばジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等）、エステル類（例えば酢酸エチル、ジイソプピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等）、アミド類（例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ニトリル類（例えばアセトニトリル等）、ジメチルスルホキシド類等を挙げることができる。
液体の担体になり得る材料としては、それ自体溶媒能を有するものの他、溶媒能を有さずとも補助剤の助けにより有効成分化合物を分散させ得ることとなるものから選択され、例えば代表例として次に挙げる担体を例示できるが、これらは単独で若しくは２種以上の混合物の形で使用され、例えば水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール等）、ケトン類（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エ−テル類（例えばエチルエ−テル、ジオキサン、セロソルブ、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等）、脂肪族炭化水素類（例えばケロシン、鉱油等）、芳香族炭化水素類（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等）、ハロゲン化炭化水素類（例えばジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等）、エステル類（例えば酢酸エチル、ジイソプピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等）、アミド類（例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ニトリル類（例えばアセトニトリル等）、ジメチルスルホキシド類等を挙げることができる。
他の補助剤としては次に例示する代表的な補助剤を挙げることができ、これらの補助剤は目的に応じて使用され、単独で、ある場合は二種以上の補助剤を併用し、又ある場合には全く補助剤を使用しないことも可能である。有効成分化合物の乳化、分散、可溶化及び／又は湿潤の目的のために界面活性剤が使用され、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレン高級脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、アルキルアリールスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸縮合物、リグニンスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル等の界面活性剤を例示することができる。
又、有効成分化合物の分散安定化、粘着及び／又は結合の目的のために、次に例示する補助剤を使用することもでき、例えばカゼイン、ゼラチン、澱粉、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、松根油、糠油、ベントナイト、リグニンスルホン酸塩等の補助剤を使用することもできる。固体製品の流動性改良のために次に挙げる補助剤を使用することもでき、例えばワックス、ステアリン酸塩、燐酸アルキルエステル等の補助剤を使用できる。懸濁性製品の解こう剤として、例えばナフタレンスルホン酸縮合物、縮合燐酸塩等の補助剤を使用することもできる。消泡剤としては、例えばシリコーン油等の補助剤を使用することもできる。
又、有効成分化合物の分散安定化、粘着及び／又は結合の目的のために、次に例示する補助剤を使用することもでき、例えばカゼイン、ゼラチン、澱粉、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、松根油、糠油、ベントナイト、リグニンスルホン酸塩等の補助剤を使用することもできる。固体製品の流動性改良のために次に挙げる補助剤を使用することもでき、例えばワックス、ステアリン酸塩、燐酸アルキルエステル等の補助剤を使用できる。懸濁性製品の解こう剤として、例えばナフタレンスルホン酸縮合物、縮合燐酸塩等の補助剤を使用することもできる。消泡剤としては、例えばシリコーン油等の補助剤を使用することもできる。
有効成分化合物の配合割合は必要に応じて加減することができ特に制限されないが、下限はおよそ０．００１重量％程度〜上限は９０重量％程度であり、好ましくは例えば粉剤或いは粒剤とする場合の下限は０．０１重量％程度でより好ましくは０．１重量％程度、上限は５０重量％程度でより好ましくは１０重量％程度であり、乳剤、水和剤或いは顆粒水和剤等とする場合の下限は０．０１重量％程度でより好ましくは０．１重量％程度、上限は９０重量％程度でより好ましくは６０重量％程度が適当である。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は、各種雑草を枯殺し若しくは生育を抑制するためにそのまま、又は水等で適宜希釈し、若しくは懸濁させた形で殺草若しくは生育抑制に有効な量を当該雑草に、又は当該雑草の発生若しくは成育が好ましくない場所において茎葉又は土壌に適用して使用すればよい。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤の使用量は種々の因子、例えば目的、対象雑草、作物の生育状況、雑草の発生傾向、天候、環境条件、剤型、施用方法、施用場所、施用時期等により変動するが、有効成分化合物として１ヘクタール当たり０．1ｇ〜1０ｋｇの範囲から目的に応じて適宜選択すれば良い。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤を更に防除対象雑草、防除適期の拡大のため、或いは薬量の低減をはかる目的で他の除草剤と混合して使用することも可能である。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤の使用量は種々の因子、例えば目的、対象雑草、作物の生育状況、雑草の発生傾向、天候、環境条件、剤型、施用方法、施用場所、施用時期等により変動するが、有効成分化合物として１ヘクタール当たり０．1ｇ〜1０ｋｇの範囲から目的に応じて適宜選択すれば良い。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤を更に防除対象雑草、防除適期の拡大のため、或いは薬量の低減をはかる目的で他の除草剤と混合して使用することも可能である。
実施例１
（１−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４―クロロベンズアミド（化合物No．４−２０）の合成
（２−ニトロベンジル）メチルアミン（０．５ｇ、３．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついで４−クロロ安息香酸（０．６ｇ、３．２ミリモル）を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１時間撹拌した。反応液に水（１０ｍｌ）を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．８ｇ、収率８８％）を得た。融点は８０．６℃であった。
（１−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４―クロロベンズアミド（化合物No．４−２０）の合成
（２−ニトロベンジル）メチルアミン（０．５ｇ、３．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついで４−クロロ安息香酸（０．６ｇ、３．２ミリモル）を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１時間撹拌した。反応液に水（１０ｍｌ）を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．８ｇ、収率８８％）を得た。融点は８０．６℃であった。
（１−２） Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズアミド（化合物No．６−１９）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．５ｇ、１．６ミリモル）、鉄粉末（０．５ｇ、８．０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．０４ｇ、０．８ミリモル）をエタノール（１０ｍｌ）と水（５ｍｌ）に溶解し、２時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズアミド（０．４ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．６０４２（２０℃）であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．５ｇ、１．６ミリモル）、鉄粉末（０．５ｇ、８．０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．０４ｇ、０．８ミリモル）をエタノール（１０ｍｌ）と水（５ｍｌ）に溶解し、２時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズアミド（０．４ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．６０４２（２０℃）であった。
（１−３） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズアミド（化合物No．１−２４）の合成
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズアミド（０．４ｇ、１．６ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、１．６ミリモル）をクロロホルム（１０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５ｇ、１．６ミリモル）をクロロホルム０．５ｍｌで希釈した溶液を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１０時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．４ｇ、収率６０％）を得た。融点は１１２．０〜１１２．５℃であった。
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズアミド（０．４ｇ、１．６ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、１．６ミリモル）をクロロホルム（１０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５ｇ、１．６ミリモル）をクロロホルム０．５ｍｌで希釈した溶液を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１０時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．４ｇ、収率６０％）を得た。融点は１１２．０〜１１２．５℃であった。
実施例２
（２−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（化合物No．５−１６）の合成
１−フェニル−１−シクロプロパンカルボン酸（１．１ｇ、６．６ミリモル）を室温にてテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解し、ついで２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド（１．８ｇ、７．７ミリモル）、トリエチルアミン（１．５ｇ、１５．１ミリモル）、（２−ニトロベンジル）メチルアミン（１．０ｇ、６．０ミリモル）を加えた。そのままの温度で２１時間撹拌した後、反応液に水（２０ｍｌ）を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を１規定塩酸で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．９ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．５８３４（２５℃）であった。
（２−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（化合物No．５−１６）の合成
１−フェニル−１−シクロプロパンカルボン酸（１．１ｇ、６．６ミリモル）を室温にてテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解し、ついで２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド（１．８ｇ、７．７ミリモル）、トリエチルアミン（１．５ｇ、１５．１ミリモル）、（２−ニトロベンジル）メチルアミン（１．０ｇ、６．０ミリモル）を加えた。そのままの温度で２１時間撹拌した後、反応液に水（２０ｍｌ）を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を１規定塩酸で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．９ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．５８３４（２５℃）であった。
（２−２） Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（化合物No．７−１６）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．９ｇ、６．０ミリモル）、鉄粉末（１．７ｇ、３０．２ミリモル）、塩化アンモニウム（０．２ｇ、３．０ミリモル）をエタノール（４０ｍｌ）と水（２０ｍｌ）に溶解し、２時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、析出した結晶をヘキサンージエチルエーテル（１：１）混合溶液で洗浄し、ろ過、乾燥し、Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．４ｇ、収率８４％）を得た。融点は７９．１〜７９．３℃であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．９ｇ、６．０ミリモル）、鉄粉末（１．７ｇ、３０．２ミリモル）、塩化アンモニウム（０．２ｇ、３．０ミリモル）をエタノール（４０ｍｌ）と水（２０ｍｌ）に溶解し、２時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、析出した結晶をヘキサンージエチルエーテル（１：１）混合溶液で洗浄し、ろ過、乾燥し、Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．４ｇ、収率８４％）を得た。融点は７９．１〜７９．３℃であった。
（２−３） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（化合物No．２−１７）の合成
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．４ｇ、５．１ミリモル）とトリエチルアミン（０．５ｇ、５．３ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．４ｇ、５．１ミリモル）をクロロホルム０．５ｍｌで希釈した溶液を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１０時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．８ｇ、収率８８％）を得た。融点は９２．７〜９２．８℃であった。
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．４ｇ、５．１ミリモル）とトリエチルアミン（０．５ｇ、５．３ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．４ｇ、５．１ミリモル）をクロロホルム０．５ｍｌで希釈した溶液を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１０時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−１−フェニル−１−シクロプロパンカルボキサミド（１．８ｇ、収率８８％）を得た。融点は９２．７〜９２．８℃であった。
実施例３
（３−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（化合物No．５−３１）の合成
２−フェノキシプロピオン酸（０．３ｇ、１．７ミリモル）を室温にてテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に溶解し、ついで２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド（０．５ｇ、１．９ミリモル）、トリエチルアミン（０．４ｇ、４．０ミリモル）、（２−ニトロベンジル）メチルアミン（０．３ｇ、１．６ミリモル）を加えた。そのままの温度で３時間撹拌した後、反応液に水（２０ｍｌ）を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を１規定塩酸で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．５６８０（２７℃）であった。
（３−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（化合物No．５−３１）の合成
２−フェノキシプロピオン酸（０．３ｇ、１．７ミリモル）を室温にてテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に溶解し、ついで２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド（０．５ｇ、１．９ミリモル）、トリエチルアミン（０．４ｇ、４．０ミリモル）、（２−ニトロベンジル）メチルアミン（０．３ｇ、１．６ミリモル）を加えた。そのままの温度で３時間撹拌した後、反応液に水（２０ｍｌ）を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を１規定塩酸で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．５６８０（２７℃）であった。
（３−２） Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−２−フェノキシプロピオンアミド（化合物No．７−３２）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、１．６ミリモル）、鉄粉末（０．３ｇ、４．８ミリモル）、酢酸エチル（１０ｍｌ）、酢酸（３ｍｌ）と水（３ｍｌ）に溶解し、２時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを８とし、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．５７００（２７℃）であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、１．６ミリモル）、鉄粉末（０．３ｇ、４．８ミリモル）、酢酸エチル（１０ｍｌ）、酢酸（３ｍｌ）と水（３ｍｌ）に溶解し、２時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを８とし、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去し、Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、収率１００％）を得た。屈折率は１．５７００（２７℃）であった。
（３−３） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（化合物No．２−３３）の合成
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、１．６ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、１．７ミリモル）をクロロホルム（１０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５ｇ、１．６ミリモル）をクロロホルム０．５ｍｌで希釈した溶液を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１０時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（０．１ｇ、収率２０％）を得た。屈折率は１．５２８１（２５℃）であった。
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−２−フェノキシプロピオンアミド（０．５ｇ、１．６ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、１．７ミリモル）をクロロホルム（１０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５ｇ、１．６ミリモル）をクロロホルム０．５ｍｌで希釈した溶液を２分で滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後，徐々に反応温度を室温まで上昇させながらさらに１０時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−フェノキシプロピオンアミド（０．１ｇ、収率２０％）を得た。屈折率は１．５２８１（２５℃）であった。
実施例４
Ｎ−メチル−Ｎ−｛２−［Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル−Ｎ−（２−メチルプロポキシカルボニル）］アミノベンジル｝−４−クロロベンズアミド（化合物No．１−１５０）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．５ｇ、１．２ミリモル）とトリエチルアミン（０．１ｇ、１．４ミリモル）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロ炭酸イソブチル（０．２ｇ、１．４ミリモル）を加えて室温で８時間攪拌した。その後氷水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。析出した結晶をヘキサン-エーテルで洗浄し、Ｎ−メチル−Ｎ−｛２−［Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル−Ｎ−（２−メチルプロポキシカルボニル）］アミノベンジル｝−４−クロロベンズアミド（０．１ｇ、収率２１％）を得た。融点は９７．２℃であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−｛２−［Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル−Ｎ−（２−メチルプロポキシカルボニル）］アミノベンジル｝−４−クロロベンズアミド（化合物No．１−１５０）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズアミド（０．５ｇ、１．２ミリモル）とトリエチルアミン（０．１ｇ、１．４ミリモル）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロ炭酸イソブチル（０．２ｇ、１．４ミリモル）を加えて室温で８時間攪拌した。その後氷水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。析出した結晶をヘキサン-エーテルで洗浄し、Ｎ−メチル−Ｎ−｛２−［Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル−Ｎ−（２−メチルプロポキシカルボニル）］アミノベンジル｝−４−クロロベンズアミド（０．１ｇ、収率２１％）を得た。融点は９７．２℃であった。
実施例５
（５−１） Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
２−ニトロベンジルアミン（５．０ｇ、３２．９ミリモル）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に懸濁し、ついで氷冷下、二炭酸ジ−t−ブチル（７．９ｇ、３６．２ミリモル）を加えて室温で３時間攪拌した。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（８．３ｇ、収率１００％）を得た。
（５−１） Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
２−ニトロベンジルアミン（５．０ｇ、３２．９ミリモル）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に懸濁し、ついで氷冷下、二炭酸ジ−t−ブチル（７．９ｇ、３６．２ミリモル）を加えて室温で３時間攪拌した。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（８．３ｇ、収率１００％）を得た。
（５−２） Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（８．３ｇ、３２．９ミリモル）と塩化アンモニウム（０．９ｇ、１６．５ミリモル）をエタノール（１００ｍｌ）、水（５０ｍｌ）に懸濁し、ついで鉄（９．２ｇ、１６７．５ミリモル）を加えて１時間還流した。溶液をセライトろ過した後、溶媒を留去した。その後、水を加えて酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（５．６ｇ、収率７６％）を得た。
Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（８．３ｇ、３２．９ミリモル）と塩化アンモニウム（０．９ｇ、１６．５ミリモル）をエタノール（１００ｍｌ）、水（５０ｍｌ）に懸濁し、ついで鉄（９．２ｇ、１６７．５ミリモル）を加えて１時間還流した。溶液をセライトろ過した後、溶媒を留去した。その後、水を加えて酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（５．６ｇ、収率７６％）を得た。
（５−３） Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（２．７ｇ、１１．９ミリモル）とトリエチルアミン（１.３ｇ、１２．５ミリモル）をクロロホルム（５０ｍｌ）に懸濁し、溶液を寒剤により−１０℃以下にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．４ｇ、１１．９ミリモル）を滴下した。−１０℃以下で1時間攪拌した後、希塩酸を加えることで反応を停止させた。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（４．５ｇ、収率１００％）を得た。
Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（２．７ｇ、１１．９ミリモル）とトリエチルアミン（１.３ｇ、１２．５ミリモル）をクロロホルム（５０ｍｌ）に懸濁し、溶液を寒剤により−１０℃以下にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．４ｇ、１１．９ミリモル）を滴下した。−１０℃以下で1時間攪拌した後、希塩酸を加えることで反応を停止させた。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（４．５ｇ、収率１００％）を得た。
（５−４） Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］トリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（化合物No．８−１）の合成
Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルを濃塩酸（５０ｍｌ）とエタノール（５０ｍｌ）に懸濁し、1時間還流した。その後溶媒を留去することにより、Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］トリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（４．０ｇ、収率１００％）を得た。融点は１７８〜１８２℃であった。
Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルを濃塩酸（５０ｍｌ）とエタノール（５０ｍｌ）に懸濁し、1時間還流した。その後溶媒を留去することにより、Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］トリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（４．０ｇ、収率１００％）を得た。融点は１７８〜１８２℃であった。
実施例６
（６−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
（２−ニトロベンジル）メチルアミン（４．０ｇ、２４．１ミリモル）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に懸濁し、ついで氷冷下、二炭酸ジ−t−ブチル（５．８ｇ、２６．５ミリモル）を加えて室温で２時間攪拌した。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（７．５ｇ、収率１００％）を得た。
（６−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
（２−ニトロベンジル）メチルアミン（４．０ｇ、２４．１ミリモル）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に懸濁し、ついで氷冷下、二炭酸ジ−t−ブチル（５．８ｇ、２６．５ミリモル）を加えて室温で２時間攪拌した。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（７．５ｇ、収率１００％）を得た。
（６−２） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（７．５ｇ、２８．２ミリモル）と塩化アンモニウム（０．８ｇ、１４．１ミリモル）をエタノール（８０ｍｌ）、水（４０ｍｌ）に懸濁し、ついで鉄（７．９ｇ、１４１．０ミリモル）を加えて１時間還流した。溶液をセライトろ過した後、溶媒を留去した。その後、水を加えて酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（４．４ｇ、収率６６%）を得た。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（７．５ｇ、２８．２ミリモル）と塩化アンモニウム（０．８ｇ、１４．１ミリモル）をエタノール（８０ｍｌ）、水（４０ｍｌ）に懸濁し、ついで鉄（７．９ｇ、１４１．０ミリモル）を加えて１時間還流した。溶液をセライトろ過した後、溶媒を留去した。その後、水を加えて酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（４．４ｇ、収率６６%）を得た。
（６−３） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルの合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（４．４ｇ、１８．７ミリモル）とトリエチルアミン（２．０ｇ、１９．６ミリモル）をクロロホルム（５０ｍｌ）に懸濁し、溶液を寒剤により−１０℃以下にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（５．３ｇ、１８．７ミリモル）を滴下した。−１０℃以下で1時間攪拌した後、希塩酸を加えることで反応を停止させた。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（６．３ｇ、収率９２%）を得た。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（４．４ｇ、１８．７ミリモル）とトリエチルアミン（２．０ｇ、１９．６ミリモル）をクロロホルム（５０ｍｌ）に懸濁し、溶液を寒剤により−１０℃以下にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（５．３ｇ、１８．７ミリモル）を滴下した。−１０℃以下で1時間攪拌した後、希塩酸を加えることで反応を停止させた。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した後、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステル（６．３ｇ、収率９２%）を得た。
（６−４） Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］−Ｎ−メチルトリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（化合物No．８−３）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルを濃塩酸（５０ｍｌ）とエタノール（５０ｍｌ）に懸濁し、1時間還流した。その後溶媒を留去することにより、Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］−Ｎ−メチルトリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（５．６ｇ、収率１００％）を得た。融点は１７４〜１７８℃であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）カルバミン酸 １，１−ジメチルエチルエステルを濃塩酸（５０ｍｌ）とエタノール（５０ｍｌ）に懸濁し、1時間還流した。その後溶媒を留去することにより、Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］−Ｎ−メチルトリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（５．６ｇ、収率１００％）を得た。融点は１７４〜１７８℃であった。
実施例７
（７−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（化合物No．４−６４）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズアミド（１．０ｇ、３．３ミリモル）と２，４−ビス（４−メトキシフェニル）−１，３−ジチア−２，４−ジホスフェタン−２，４−ジスルフィド（１．６ｇ、４．０ミリモル）をトルエン（１５ｍｌ）に溶解・懸濁し、4時間加熱還流した。室温に冷却した後、酢酸エチルを加え、３規定塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した。有機層を濃縮後、シリカゲルカラムクトマトグラフィー（ヘキサン:酢酸エチル＝４：１）を用いて精製しＮ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（０．６ｇ、収率６０％）を得た。融点は１４８〜１４９℃であった。
（７−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（化合物No．４−６４）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズアミド（１．０ｇ、３．３ミリモル）と２，４−ビス（４−メトキシフェニル）−１，３−ジチア−２，４−ジホスフェタン−２，４−ジスルフィド（１．６ｇ、４．０ミリモル）をトルエン（１５ｍｌ）に溶解・懸濁し、4時間加熱還流した。室温に冷却した後、酢酸エチルを加え、３規定塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した。有機層を濃縮後、シリカゲルカラムクトマトグラフィー（ヘキサン:酢酸エチル＝４：１）を用いて精製しＮ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（０．６ｇ、収率６０％）を得た。融点は１４８〜１４９℃であった。
（７−２） Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズチオアミド（化合物No．６−６２）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（０．６ｇ、２．０ミリモル）と塩化アンモニウム（０．０６ｇ、１．０ミリモル）を水（５ｍｌ）とエタノール（１０ｍｌ）に溶解し、鉄粉（０．６ｇ、１０．０ミリモル）を加えて２時間加熱還流した。室温に冷却した後不溶物をセライトろ過によって除き、ろ液に酢酸エチルを加えて分液操作を行った。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に濃縮しＮ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズチオアミド（０．４５ｇ、収率７７％）を得た。屈折率は１．６１４９（２０℃）であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（０．６ｇ、２．０ミリモル）と塩化アンモニウム（０．０６ｇ、１．０ミリモル）を水（５ｍｌ）とエタノール（１０ｍｌ）に溶解し、鉄粉（０．６ｇ、１０．０ミリモル）を加えて２時間加熱還流した。室温に冷却した後不溶物をセライトろ過によって除き、ろ液に酢酸エチルを加えて分液操作を行った。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に濃縮しＮ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズチオアミド（０．４５ｇ、収率７７％）を得た。屈折率は１．６１４９（２０℃）であった。
（７−３） Ｎ−メチル−Ｎ−（２-トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（化合物No．１−６８）の合成
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズチオアミド（０．４５ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン（０．２４ｇ、２．４ｍｍｏｌ）をクロロホルム（７ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．４６ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後に、氷を加え、さらに６規定塩酸を加えて反応液を酸性にし、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で精製してＮ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（０．２ｇ、収率３５％）を得た。融点は７５〜８５℃であった。
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−４−クロロベンズチオアミド（０．４５ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン（０．２４ｇ、２．４ｍｍｏｌ）をクロロホルム（７ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．４６ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後に、氷を加え、さらに６規定塩酸を加えて反応液を酸性にし、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で精製してＮ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−４−クロロベンズチオアミド（０．２ｇ、収率３５％）を得た。融点は７５〜８５℃であった。
実施例８
（８−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（化合物No．４−１０３）の合成
（２−ニトロベンジル）メチルアミン（０．５ｇ、３．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に溶解した。ここにトリエチルアミン（０．８ｇ、７．５ミリモル）、２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド（０．９ｇ、３．６ミリモル）、１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボン酸（０．６ｇ、３．３ミリモル）を加え５時間室温で撹拌した。水を加え酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に濃縮しＮ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．９ｇ、収率９２％）を得た。融点は１２０〜１２３℃であった。
（８−１） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（化合物No．４−１０３）の合成
（２−ニトロベンジル）メチルアミン（０．５ｇ、３．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に溶解した。ここにトリエチルアミン（０．８ｇ、７．５ミリモル）、２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド（０．９ｇ、３．６ミリモル）、１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボン酸（０．６ｇ、３．３ミリモル）を加え５時間室温で撹拌した。水を加え酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に濃縮しＮ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．９ｇ、収率９２％）を得た。融点は１２０〜１２３℃であった。
（８−２） Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（化合物No．６−９９）の合成
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．４ｇ、１．３ミリモル）と塩化アンモニウム（０．０４ｇ、０．６ミリモル）を水（５ｍｌ）とエタノール（１０ｍｌ）に溶解し、鉄粉（０．４ｇ、６ミリモル）を加えて2時間加熱還流した。室温に冷却した後不溶物をセライトろ過によって除き、ろ液に酢酸エチルを加えて分液操作を行った。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に濃縮しＮ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．３g、収率９１％）を得た。屈折率は１．５８４４（２５℃）であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ニトロベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．４ｇ、１．３ミリモル）と塩化アンモニウム（０．０４ｇ、０．６ミリモル）を水（５ｍｌ）とエタノール（１０ｍｌ）に溶解し、鉄粉（０．４ｇ、６ミリモル）を加えて2時間加熱還流した。室温に冷却した後不溶物をセライトろ過によって除き、ろ液に酢酸エチルを加えて分液操作を行った。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に濃縮しＮ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．３g、収率９１％）を得た。屈折率は１．５８４４（２５℃）であった。
（８−３） Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（化合物No．１−１０８）の合成
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．３ｇ、１．１ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、１．８ミリモル）をクロロホルム（７ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．３ｇ、１．１ミリモル）を２０分かけて滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後に、氷を加え、さらに６規定塩酸を加えて反応液を酸性にし、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で精製してＮ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．３ｇ、収率６１％）を得た。融点は９９〜１０１℃であった。
Ｎ−（２−アミノベンジル）−Ｎ−メチル−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．３ｇ、１．１ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、１．８ミリモル）をクロロホルム（７ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−１０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．３ｇ、１．１ミリモル）を２０分かけて滴下した。そのままの温度で２時間撹拌した後に、氷を加え、さらに６規定塩酸を加えて反応液を酸性にし、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で１回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で精製してＮ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−１−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−３−シクロペンタピラゾールカルボキサミド（０．３ｇ、収率６１％）を得た。融点は９９〜１０１℃であった。
実施例９
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−ニトロベンズアミド（化合物No．１−１８０）の合成
Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］−トリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（０．３ｇ、１．０ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、２．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に懸濁し、氷冷下２−ニトロベンゾイルクロライド（９０％）（０．２ｇ、１．０ミリモル）を加え、そのままの温度で1時間攪拌した。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、次いで溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）により精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−ニトロベンズアミド（０．３ｇ、収率７８%）を得た。融点は１１７〜１２０℃であった。
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−ニトロベンズアミド（化合物No．１−１８０）の合成
Ｎ−［２−（アミノメチル）フェニル］−トリフルオロメタンスルホンアミド塩酸塩（０．３ｇ、１．０ミリモル）とトリエチルアミン（０．２ｇ、２．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に懸濁し、氷冷下２−ニトロベンゾイルクロライド（９０％）（０．２ｇ、１．０ミリモル）を加え、そのままの温度で1時間攪拌した。その後、水を加えて、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、次いで溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）により精製し、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−ニトロベンズアミド（０．３ｇ、収率７８%）を得た。融点は１１７〜１２０℃であった。
以下に本発明の代表的な製剤例及び試験例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、製剤例中、部とあるのは重量部を示す。
製剤例１
本発明化合物 １０部
キシレン ７０部
Ｎ−メチルピロリドン １０部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 １０部
以上を均一に混合溶解して乳剤とする。
製剤例２
本発明化合物 ３部
クレー粉末 ８２部
珪藻土粉末 １５部
以上を均一に混合粉砕して粉剤とする。
製剤例１
本発明化合物 １０部
キシレン ７０部
Ｎ−メチルピロリドン １０部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 １０部
以上を均一に混合溶解して乳剤とする。
製剤例２
本発明化合物 ３部
クレー粉末 ８２部
珪藻土粉末 １５部
以上を均一に混合粉砕して粉剤とする。
製剤例３
本発明化合物 ５部
ベントナイトとクレーの混合粉末 ９０部
リグニンスルホン酸カルシウム ５部
以上を均一に混合し、適量の水を加えて混練し、造粒、乾燥して粒剤とする。
製剤例４
本発明化合物 ２０部
カオリンと合成高分散珪酸 ７５部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 ５部
以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。
本発明化合物 ５部
ベントナイトとクレーの混合粉末 ９０部
リグニンスルホン酸カルシウム ５部
以上を均一に混合し、適量の水を加えて混練し、造粒、乾燥して粒剤とする。
製剤例４
本発明化合物 ２０部
カオリンと合成高分散珪酸 ７５部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 ５部
以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。
試験例１ 出芽前（ｐｒｅ）の水田雑草に対する除草効果試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌホタルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍの状態に湛水した。翌日に、製剤例１から４に準じて調製した本発明化合物（第１表及び第２表に記載の化合物）を有効成分とする薬剤を水で希釈し、水面に滴下処理した（有効薬量：１ｋｇ／ｈａ）。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、下記の基準に従って除草効果を評価した。
除草効果（生育抑制程度）及び薬害の判定基準。
４・・・９０％〜１００％の除草効果、薬害。
３・・・７０％〜８９％の除草効果、薬害。
２・・・４０％〜６９％の除草効果、薬害。
１・・・１％〜３９％の除草効果、薬害。
０・・・０％の除草効果、薬害。
結果を第１０表に示す。尚、表中の「／」は試験未実施を示す。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌホタルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍの状態に湛水した。翌日に、製剤例１から４に準じて調製した本発明化合物（第１表及び第２表に記載の化合物）を有効成分とする薬剤を水で希釈し、水面に滴下処理した（有効薬量：１ｋｇ／ｈａ）。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、下記の基準に従って除草効果を評価した。
除草効果（生育抑制程度）及び薬害の判定基準。
４・・・９０％〜１００％の除草効果、薬害。
３・・・７０％〜８９％の除草効果、薬害。
２・・・４０％〜６９％の除草効果、薬害。
１・・・１％〜３９％の除草効果、薬害。
０・・・０％の除草効果、薬害。
結果を第１０表に示す。尚、表中の「／」は試験未実施を示す。
試験例２ 出芽後（ｐｏｓｔ）の水田雑草に対する除草効果試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌビエ、イヌホタルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍの状態に湛水し、温室内で育成した。供試植物が一葉期の時期に、本発明化合物（第１表及び第２表に記載の化合物）を有効成分とする薬剤を水で希釈し、水面に滴下処理した（有効薬量：１ｋｇ／ｈａ）。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って除草効果を評価した。結果を第１０表に示す。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌビエ、イヌホタルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍの状態に湛水し、温室内で育成した。供試植物が一葉期の時期に、本発明化合物（第１表及び第２表に記載の化合物）を有効成分とする薬剤を水で希釈し、水面に滴下処理した（有効薬量：１ｋｇ／ｈａ）。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って除草効果を評価した。結果を第１０表に示す。
試験例３ 移植水稲に対する薬害試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水深５ｃｍの状態に湛水し、２葉期のイネ（品種：日本晴）を移植深度１ｃｍで２本移植した。温室内で育成し、移植５日後に、本発明化合物（第１表及び第２表に記載の化合物）を有効成分とする薬剤を水で希釈し、水面に滴下処理した（有効薬量：１ｋｇ／ｈａ）。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に薬害を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って薬害を評価した。結果を第１０表に示す。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水深５ｃｍの状態に湛水し、２葉期のイネ（品種：日本晴）を移植深度１ｃｍで２本移植した。温室内で育成し、移植５日後に、本発明化合物（第１表及び第２表に記載の化合物）を有効成分とする薬剤を水で希釈し、水面に滴下処理した（有効薬量：１ｋｇ／ｈａ）。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に薬害を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って薬害を評価した。結果を第１０表に示す。
Claims (7)
- 一般式（Ｉ）
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｒ6及びＲ7は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ6とＲ7はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ａは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Ｇは酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ8）（Ｒ9）−（式中、Ｒ8及びＲ9は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ8とＲ9はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、更に、Ｒ6又はＲ7と結合して４〜７員環を形成することができる。）、カルボニル基、−Ｃ（＝ＣＨ2）−で表される基又は−Ｃ（＝ＮＯＲ10）−（式中、Ｒ10は水素原子、（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基を示す。）で表される基を示す。
Ｑは（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する（C3-C6）シクロアルキル基、シアノ基、アミノ基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニルアミノ基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環は前記に同じ。）又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環は前記に同じ。）を示す。
ａ及びｂは同一又は異なっても良く、０又は１を示す。
Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜４個の置換基を示す。
Ｙは同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、 （C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C
1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を示し、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基、ハロ（C1-C4）アルキレン基、（C2-C4）アルケニレン基又はハロ（C2-C4）アルケニレン基により５又は６員環を形成しても良い。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。 - Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ａ、Ｇ、Ｑ、ａ及びｂは請求項１に同じくし、Ｒ3及びＲ4が水素原子を示し、Ｘが同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ （C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜４個の置換基を示す請求項１記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
- Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ａ、Ｑ、ａ及びｂは請求項１に同じくし、Ｒ1がフルオロ（C1-C6）アルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4が水素原子を示し、Ｇが酸素原子又はＣＲ8Ｒ9（式中、Ｒ8及びＲ9は請求項１に同じ。）を示し、
Ｘが同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基又は（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基から選択される１〜４個の置換基を示し、
Ｙが同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は請求項１に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ （C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ （C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を示し、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い請求項１記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。 - 請求項１乃至３のいずれか１項記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有することを特徴とする除草剤。
- 請求項４記載の除草剤の有効量を土壌又は植物に処理することを特徴とする除草剤の使用方法。
- 一般式（II）
Ｒ5’は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基はピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピラゾリル基又はピロリジニル基を示す。）、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ’（Ｙ’は後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基を示す。
Ｘ’は同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基又は（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基から選択される１〜４個の置換基を示す。
Ｙ’は同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基、アミノ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、シアノ基又はニトロ基から選択される１〜５個の置換基を示し、Ｙ’はベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。
但し、Ｘ’が水素原子であり、Ｒ1がCF3であり、Ｒ1SO2NHの置換位置が４位であり、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5’が水素原子の化合物は除く。｝で表されるベンジルアミン誘導体又はその塩類。 - Ｒ5’及びＸ’は請求項６に同じくし、Ｒ1がフルオロ（C1-C6）アルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4が水素原子を示す請求項６記載のベンジルアミン誘導体又はその塩類。
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