[go: up one dir, main page]

JP2006150348A - カーボン・ナノチューブを形成する方法、フィルタ、露光システム（化学的に修飾されたカーボン・ナノチューブ構造を含む化学的微粒子フィルタ） - Google Patents

カーボン・ナノチューブを形成する方法、フィルタ、露光システム（化学的に修飾されたカーボン・ナノチューブ構造を含む化学的微粒子フィルタ） Download PDF

Info

Publication number
JP2006150348A
JP2006150348A JP2005312981A JP2005312981A JP2006150348A JP 2006150348 A JP2006150348 A JP 2006150348A JP 2005312981 A JP2005312981 A JP 2005312981A JP 2005312981 A JP2005312981 A JP 2005312981A JP 2006150348 A JP2006150348 A JP 2006150348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemically active
filter
substrate
group
carbon nanotube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005312981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006150348A5 (ja
JP5051997B2 (ja
Inventor
J Holmes Steven
スティーブン・ジェイ・ホームズ
C Heiky Mark
マーク・シー・ヘイキー
David V Horak
デビッド・ブイ・ホラク
James G Ryan
ジェームズ・ジー・ライアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2006150348A publication Critical patent/JP2006150348A/ja
Publication of JP2006150348A5 publication Critical patent/JP2006150348A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5051997B2 publication Critical patent/JP5051997B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
    • B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
    • B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
    • B01J20/205—Carbon nanostructures, e.g. nanotubes, nanohorns, nanocones, nanoballs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/30—Processes for preparing, regenerating, or reactivating
    • B01J20/32—Impregnating or coating ; Solid sorbent compositions obtained from processes involving impregnating or coating
    • B01J20/3231—Impregnating or coating ; Solid sorbent compositions obtained from processes involving impregnating or coating characterised by the coating or impregnating layer
    • B01J20/3242—Layers with a functional group, e.g. an affinity material, a ligand, a reactant or a complexing group
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
    • B01D2253/10—Inorganic adsorbents
    • B01D2253/102—Carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
    • B01D2253/30—Physical properties of adsorbents
    • B01D2253/302—Dimensions
    • B01D2253/304—Linear dimensions, e.g. particle shape, diameter
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S55/00—Gas separation
    • Y10S55/05—Methods of making filter
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/745—Carbon nanotubes, CNTs having a modified surface
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/745—Carbon nanotubes, CNTs having a modified surface
    • Y10S977/748—Modified with atoms or molecules bonded to the surface
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/75—Single-walled
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/752—Multi-walled

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
  • Filtering Materials (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

【課題】カーボン・ナノチューブ・フィルタ、カーボン・ナノチューブ・フィルタの使用法およびカーボン・ナノチューブ・フィルタを形成する方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、（ａ）炭素源およびカーボン・ナノチューブ触媒を用意するステップと、（ｂ）炭素源をナノチューブ触媒と反応させることによってカーボン・ナノチューブを成長させるステップと、（ｃ）カーボン・ナノチューブの上に化学的に活性の層を形成し、またはカーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を形成することによって、化学的に活性のカーボン・ナノチューブを形成するステップと、（ｄ）化学的に活性のナノチューブをフィルタ・ハウジングの中に配置するステップとを含む。
【選択図】図３０

Description

本発明は化学的微粒子フィルタの分野に関し、詳細には、化学的に修飾されたカーボン・ナノチューブ構造を含む化学的微粒子フィルタおよびその製造方法に関する。
先進の半導体製造では、空中を浮遊する汚染物質が、フォトレジスト層の劣化および浸漬（immersion）リソグラフィ・ツールなどの先進のフォトリソグラフィ・システムの光学要素の劣化を引き起こすことがあり、このとき空中を浮遊する分子は、先進のリソグラフィ・ツールの非常に高エネルギーの光ビームにさらされたときに重合することがある。その結果生じる重合体（ポリマー）は光学要素を覆ってツールの像（イメージ）品質を低下させ、ツールを覆って位置合せの許容範囲を狭めることがある。汚染物質分子はさらに、フォトレジスト層によって吸着され、その光化学反応を妨害し、フォトレジスト欠陥の原因となることがある。従来のフィルタはこれらの空中浮遊分子の多くを除去できない。同様に、ツールのパージおよびツールの各種構成要素の操作のために使用されるガス流の中にも汚染物質分子が存在することがある。
米国公開特許公報第2003/0165418号 米国特許第6,232,706号 米国公開特許公報第2002/0090330号
したがって、フィルタを通した後の空気流またはガス流あるいはその両方の中の汚染物質の濃度が極めて低い必要がある用途向けの先進の化学的微粒子フィルタが求められている。
本発明は、化学的に活性の層を有するカーボン・ナノチューブ、またはカーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を有するカーボン・ナノチューブをろ材（フィルター媒体）として利用する。カーボン・ナノチューブの小さなサイズは大きな表面積を提供し、化学的に活性の層または化学的に反応性の基は、空気またはガス流中の汚染物質分子を引き寄せ、これと結合し、あるいはこれと化学反応するための場所を提供する。
本発明の第１の態様はカーボン・ナノチューブ・フィルタを形成する方法であり、この方法は、（ａ）炭素源およびカーボン・ナノチューブ触媒を用意するステップと、（ｂ）炭素源をナノチューブ触媒と反応させることによってカーボン・ナノチューブを成長させるステップと、（ｃ）カーボン・ナノチューブの上に化学的に活性の層を形成し、またはカーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を形成することによって、化学的に活性のカーボン・ナノチューブを形成するステップと、（ｄ）化学的に活性のナノチューブをフィルタ・ハウジングの中に配置するステップとを含む。
本発明の第２の態様はフィルタであり、このフィルタは、フィルタ・ハウジングと、このフィルタ・ハウジングの中にあって、カーボン・ナノチューブの上に形成された化学的に活性の層を含み、またはカーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を含む化学的に活性のカーボン・ナノチューブとを含む。
本発明の第３の態様はフィルタであり、このフィルタは、フィルタ・ハウジングと、このフィルタ・ハウジングの中にあって、カーボン・ナノチューブの上に形成された化学的に活性の層を含み、またはカーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を含む化学的に活性のカーボン・ナノチューブと、この化学的に活性のカーボン・ナノチューブを含むろ材とを含む。
本発明の第４の態様は、ウェハの上面のフォトレジスト層を露光するための浸漬露光システムであり、このシステムは、光源、１つまたは複数の集束レンズ、マスク・ホルダ、スリット、浸漬ヘッドおよびウェハ・ステージを含む環境チャンバ（室）であって、光源、１つまたは複数の集束レンズ、マスク・ホルダ、スリットおよび浸漬ヘッドが光軸に対して整列されており、ウェハ・ステージが直交する異なる２つの方向に移動可能であり、それぞれの直交する方向が光軸と直交し、マスク・ホルダおよびスリットが直交する２つの方向のうちの１つの方向に移動可能であり、浸漬ヘッドが、平らな上面と側壁と下面開口とを有するチャンバを有し、この平らな上面が選択された光波長に対して透明である環境チャンバと、浸漬ヘッドのチャンバに浸液を満たすための手段であって、浸漬ヘッドのチャンバが光軸に対して整列し、さらに、環境チャンバの側壁のフィルタを含み、このフィルタは、フィルタ・ハウジングと、このフィルタ・ハウジングの中にあって、カーボン・ナノチューブの上に形成された化学的に活性の層を含み、またはカーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を含む化学的に活性のカーボン・ナノチューブとを含む手段と、さらに、最初にフィルタ内に、次いで環境チャンバの中へ、次いで環境チャンバの外へ空気または不活性ガスを強制的に流すための手段を含む。
本発明の特徴は請求項に記載されている。しかし本発明は、例示的な一実施形態の以下の詳細な説明を添付図面とともに参照することによって最もよく理解される。
カーボン・ナノチューブはより正確にはカーボン・フラーレンと呼ばれ、六角形および五角形に配置されたｓｐ２混成軌道を持つ炭素原子からなる閉じたかご形分子である。カーボン・フラーレンには２つのタイプ、すなわち「バッキー・ボール（bucky ball）」とも呼ばれる閉じた球状かご形フラーレンとフラーレン・チューブとがある。フラーレン・チューブにも２つのタイプ、すなわち中空管（hollowtube）のような構造体である単壁フラーレン・チューブと多壁フラーレン・チューブとがある。多壁フラーレンは同心円筒の集合体に似ている。本発明は、以後単壁ナノチューブ（single-wallnanotube：ＳＷＮＴ）と呼ぶ単壁カーボン・フラーレン、および以後多壁ナノチューブ（multi-wall nanotube：ＭＷＮＴ）と呼ぶ多壁カーボン・フラーレンを利用する。本発明の目的上、用語カーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）はカーボンＳＷＮＴまたはカーボンＭＷＮＴを意味する。
化学的活性ナノチューブ・フィルタという用語は、化学的に活性の（アクティブ）層を有するカーボン・ナノチューブをろ材として含むフィルタ、または化学的に反応性の基を側壁に有するカーボン・ナノチューブをろ材として含むフィルタを指す。
図１から５は、ＣＮＴを製造する第１の方法を示す断面図である。図１では基板１００が用意されている。基板１００（または基板の最上位層）は、基板１００の表面での触媒層の成長を許さない材料から形成されており、そのため基板の表面上ではＣＮＴの成長は起こらない。なお、後に説明するように触媒（一例ではＦｅ（鉄）原子）はガス流から供給される。一例では基板１００がシリコン基板である。適当な基板の例にはこのほか、セラミック、金属、ガラス、プラスチックから形成された基板、あるいはポリシリコン、銅、金、ガラスまたはプラスチックの上位層を有する基板が含まれる。
図２では、基板１００上にテンプレート層１０５が形成されている。テンプレート層１０５は、テンプレート層１０５の表面での触媒層の形成を可能とする材料から形成される。この触媒層が、テンプレート層の表面でのナノチューブの成長を触媒する。一例ではテンプレート層１０５が二酸化シリコンである。他の適当なテンプレート層の例にはこのほか、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウムスズが含まれる。
図３では、テンプレート層１０５（図２参照）がパターン形成されてテンプレート・アイランド１１０が形成されている。テンプレート・アイランド１１０はパターン形成された触媒層と考えることができる。このプロセスは例えば、テンプレート層１０５の上面に保護フォトレジスト・アイランドを形成し、フォトレジスト・アイランドによって保護されていない部分のテンプレート層をエッチングで除去し、次いで保護フォトレジスト・アイランドを除去するフォトリソグラフィ・プロセスによって実行することができる。
あるいは、図２および３に関して説明したプロセスの代わりに、基板１００上のシャドー・マスクを通したテンプレート・アイランド１１０の蒸着または付着を使用してもよい。シャドー・マスクの一例は貫通穴（スルーホール）のパターンを有する金属マスクである。蒸着または付着種はこれらの穴を通過し基板上に付着することができる。穴がないところでは蒸着種はシャドー・マスク上に付着する。
他の代替プロセスでは、テンプレート層をパターン形成せず、テンプレート層１０５の表面全体を１つの大きなテンプレート・アイランド１１０とする。
図４では、基板１００およびテンプレート・アイランド１１０を、ＣＮＴ前駆物質とＣＮＴ触媒からなる高温の蒸気混合物にさらすことによって、テンプレート・アイランド１１０上にＣＮＴ束１１５が成長している。一例では、ＣＮＴ前駆物質がキシレンまたはキシレン異性体混合物（Ｃ８Ｈ１０）であり、ＣＮＴ触媒が、約６００℃から約１１００℃の間の温度に加熱されたフェロセン（Ｆｅ（Ｃ５Ｈ５）２）である。ＣＮＴ束１１５はテンプレート・アイランド１１０と同じ形状をとる。テンプレート・アイランド１１０が円形の場合には（円形の断面を有する）円筒形のＣＮＴ束が得られる。テンプレート・アイランド１１０が長方形の場合には長方形の断面を有する長方形のＣＮＴ束が得られる。ＣＮＴ束１１５は長さＬ１および幅Ｗ１を有する。一例ではＬ１が約１００ミクロンから約５００ミクロンであり、Ｗ１が約１０ミクロンから約５０ミクロンである。一例では、この第１の方法によって形成されるそれぞれのＣＮＴ束１１５の個々のＣＮＴが主に、直径約１０Åから約２０００ÅのＭＷＮＴである。
この第１のＣＮＴ形成方法に基づくＣＮＴの形成のより詳細な議論が、米国公開特許公報第2003/0165418号に記載されている。
図５では、ＣＮＴ束１１５の上に化学的に活性の層１２０が形成されており、ＣＮＴ束が付着された基板１００は次いでフィルタとしてパッケージ化される。化学的に活性の層１２０の形成は、それぞれのＣＮＴ束１１５のＣＮＴの上に化学的に活性の層を形成すること、またはそれぞれのＣＮＴ束１１５のＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を形成することを含む。化学的に活性の層の例には、二酸化オスミウム（ＯｓＯ２）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｆｅまたは酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含む層が含まれる。化学的に反応性の基の例には、アルキル基、アリール基、フルオロ基、ピロリジン基、水素、アミノ、アルデヒド、カルボキシル、アミド、イミノおよびスルホ基が含まれる。化学的に活性の層１２０の形成については後に詳細に論じる。
先に説明した第１のＣＮＴ形成方法の代替法では、テンプレート層１０５（図２参照）をパターン形成してテンプレート・アイランドを形成するステップを実施せず、ＣＮＴのランダム・アレイ（配列）を生成させる。
図６から１０は、ＣＮＴを製造する第２の方法を示す断面図である。図６では基板１２５が用意されている。基板１２５（または基板の最上位層）は、ナノ多孔質表面層１３０を形成するように処理された材料から形成されている。一例では基板１２５がシリコン基板であり、ナノ多孔質層１３０が、細孔径約３００ｎｍの下位ナノ多孔質層の上に細孔径約３ｎｍの上位ナノ多孔質層を含む。一例では、基板１２５が＜１００＞結晶面方位を有するシリコンを含むときに、エタノール／フッ化水素酸混合物中での基板１２５の表面の電気化学エッチングによってナノ多孔質層１３０を形成する。
図７では、ナノ多孔質層１３０の上にテンプレート・アイランド１３５が形成されている。一例ではテンプレート・アイランド１３５がシャドー・マスクを通した鉄の蒸着によって形成される。
図８では、基板１２５、ナノ多孔質層１３０およびテンプレート・アイランド１３５（図７参照）が酸化されて、テンプレート・アイランドから触媒テンプレート・アイランド１４０が形成されている。ナノ多孔質層１３５の表面の触媒テンプレート・アイランド１４０によって保護されていない部分は二酸化シリコン層１４５に転化されている。テンプレート・アイランド１３５（図７参照）が鉄である例では、触媒テンプレート・アイランド１４０が酸化鉄を含む。酸化鉄は、その表面でのナノチューブの成長を可能とする（触媒する）材料である。したがって触媒テンプレート・アイランド１４０はパターン形成された触媒層と考えることができる。
図９では、基板１２５および触媒テンプレート・アイランド１４０を高温のＣＮＴ前駆物質蒸気にさらすことによって、触媒テンプレート・アイランド１４０上にＣＮＴ束１５０（それぞれのＣＮＴ束は多数の個々のＣＮＴを含んでいる）が成長している。一例ではＣＮＴ前駆物質が約７００℃に加熱されたエチレンである。触媒テンプレート・アイランド１４０が円形の場合には（円形の断面を有する）円筒形のＣＮＴ束が得られる。触媒テンプレート・アイランド１４０が長方形の場合には長方形の断面を有するＣＮＴ束が得られる。ＣＮＴ束１５０は長さＬ２および幅Ｗ２を有する。一例ではＬ２が約３０ミクロンから約２５０ミクロンであり、Ｗ２が約２ミクロンから約５０ミクロンである。
この第２の方法に基づくＣＮＴの形成のより詳細な議論が、米国特許第6,232,706号に記載されている。
図１０では、それぞれのＣＮＴ束１５０のＣＮＴの表面に化学的に活性の層１２０が形成されており、ＣＮＴが付着された基板１２５は次いでフィルタとしてパッケージ化される。化学的に活性の層１２０の形成については後に詳細に論じる。
先に説明した第２のＣＮＴ形成方法の第１の代替法では、シャドー・マスクを通して鉄を付着させる代わりにブランケット鉄層を付着させ、ＣＮＴ束のランダム・アレイを生成させる。ブランケット鉄層は、蒸着によって、または濃鉄塩溶液を基板上にスピン・コートし次いで溶媒を蒸発させることによって付着させることができる。
先に説明した第２のＣＮＴ形成方法の第２の代替法では、多孔質基板を使用する代わりに、石英、セラミック、アルミナ、サファイア、シリカなどの基板上に触媒層またはパターン形成された触媒層を直接に形成する。
図１１は、図１から４および図６から９に示した方法によって製造されたＣＮＴの等角図である。図１１では、基板１６０上にアイランド１６５が形成されている。アイランド１６５上にはＣＮＴ１７０が成長している。基板１６０は基板１００（図１参照）または基板１２５（図６参照）を表す。アイランド１６５はテンプレート・アイランド１１０（図３参照）または触媒テンプレート・アイランド１４０（図８参照）を表す。ＣＮＴ１７０はＣＮＴ１１５（図４参照）またはＣＮＴ束１５０（図９参照）を表す。ＣＮＴ１７０は間隔を置いて行および列の形態に配置されており、行間の距離がＳ１、列間の距離がＳ２である。ＣＮＴ１７０は高さＨ１を有する。間隔Ｓ１およびＳ２は製造時に選択することができ、高さＨ１は製造プロセス中に制御することができるので、間隔Ｓ１、Ｓ２および高さＨ１は、第１に、官能基をＣＮＴ１７０に付着する余地を与える十分な間隔を提供し、次いで空中を浮遊する汚染物質またはガス流中の汚染物質を付着された官能基が引き寄せて捕獲するのに最も効率的なＣＮＴ間の間隔を提供するように選択することができる。
図１２は、カーボン・ナノチューブを製造する第３の方法の一プロセス・ステップを示す断面図である。本発明の第３の方法は、本発明の第１および第２の方法に関して先に説明したプロセスを利用するが、基板が平らではなく中空の円筒である点が異なる。図１２では、円筒基板１７５が、図面の平面（紙面）から手前および奥へ向かって延びる縦軸１８０を有する。縦軸１８０と基板１７５の内面１９５との間には、開口１９０のパターンを有する円筒形のシャドー・マスク１８５が配置されており、シャドー・マスク１８５の開口１９０を通した蒸着または付着（例えば化学的気相堆積（ＣＶＤ））によって触媒アイランド２００が形成されている。次いでシャドー・マスクを除去し、先に説明した第１または第２の方法あるいは当技術分野で知られている他の方法を使用して、触媒アイランド２００上にＣＮＴを成長させる。
図１３は、この第３のカーボン・ナノチューブ製造法によって製造されたＣＮＴの端面図、図１４は、図１３の線４Ｃ−４Ｃで切った断面図である。図１３では、触媒アイランド２００上にＣＮＴまたはＣＮＴ束２０５が成長されており、ＣＮＴまたはＣＮＴ束２０５は後に説明するように化学的に活性であり、次いでフィルタとしてパッケージ化される。図示のように、ＣＮＴまたはＣＮＴ束２０５の成長は、隣接するＣＮＴまたはＣＮＴ束同士が接触する前に停止される。代替法では、絡み合ったＣＮＴおよびＣＮＴ束が円筒基板１７５の内容積を埋めるように、ＣＮＴまたはＣＮＴ束２０５を成長させる。
図１５は、第４の方法に従ってカーボン・ナノチューブを製造するための装置の概略図である。図１５では、管３０５の中にターゲット３００が置かれている。ターゲット３００は炭素を含み、さらにカーボン・ナノチューブ触媒であるコバルト（Ｃｏ）、Ｎｉ、Ｆｅなどの１種または数種の金属を含む。管３０５の周りを加熱要素３１０が取り囲んでいる。加熱要素３１０は管３０５の内部に加熱されたゾーン３１５を生成する。加熱されたゾーン３１５の外側の管３０５の下流端３２５には冷却された捕集装置（コレクタ）３２０が配置されている。レーザ（図示せず）によって生成させた第１のレーザ・ビーム３３０Ａおよび任意選択の第２のレーザ・ビーム３３０Ｂを、管３０５の上流端３３５からターゲット３００に当てる。ターゲット３００と捕集装置３２０の間には任意選択のタングステン・ワイヤまたはメッシュ３４０が管３０５の直径全体にわたって張られている。ワイヤまたはメッシュ３４０は加熱されたゾーン３１５に配置されている。管の上流端３３５から管３０５の中へアルゴン、ヘリウムなどの不活性スイープ・ガスを導入する。
動作時には、ターゲット３００を、約１１００℃から約１３００℃の間の温度に加熱する。任意選択でスイープ・ガスを、管３０５に入る前に加熱してもよい。一例では、スイープ・ガスを約４００℃から約１５００℃の間の温度に加熱する。捕集装置３２０は約５０℃から約７００℃の温度に維持する。レーザ・ビーム３３０Ａ（および任意選択のレーザ・ビーム３３０Ｂ）がターゲット３００の一部を、炭素蒸気と１種または数種のＣｏ、ＮｉまたはＦｅ金属蒸気との混合物に転化させる。この炭素蒸気と１種または数種のＣｏ、ＮｉまたはＦｅ金属蒸気との混合物はスイープ・ガスによって押し流され、加熱されたゾーン３１５の中でＣＮＴを形成し、形成されたＣＮＴは次いで捕集装置３２０上に集められる。ＣＮＴが成長するのは、VI族またはVIII族金属がそれぞれのＣＮＴの成長端を触媒するためである。
ワイヤまたはメッシュ３４０が存在する場合、生み出されるＣＮＴはより長くなる。生み出されるＣＮＴが、ワイヤまたはメッシュと捕集装置３２０の間の距離と同じ長さになることもある。ワイヤまたはメッシュを使用するとき、ワイヤまたはメッシュ上に捕獲された「シード」ＣＮＴが最初に形成された後、VI族またはVIII族金属蒸気は必要なくなる。したがって、ターゲット３００の代わりに炭素だけを含むターゲットを使用することができ、あるいはターゲット３００の上流端がVI族またはVIII族金属を含み、ターゲットの大部分（バルク）が炭素だけを含むことができる。
ターゲット３００にVI族またはVIII族金属が存在するときに生成されるＣＮＴは主にＳＷＮＴである。それらは、約１３．６ミクロンの直径および約０．１ミクロンから約１０００ミクロンの長さを有することがある。ＣＮＴは捕集装置３２０のところで、マット状に一つに積み重なって絡み合った個々のＣＮＴの集合として捕集される。
上記第４のＣＮＴ形成方法の第１の代替法では、ターゲット３００の中にVI族またはVIII族金属が存在せず、ワイヤまたはメッシュ３４０が使用されず、そのためＣＮＴではなく閉じた球状かご形フラーレンが生み出される。
（ワイヤまたはメッシュ３４０を利用して）ＣＮＴを形成する上記第４の方法の第２の代替法では、「シード」ＣＮＴが形成された後にレーザを止め、スイープ・ガスに炭化水素ガスを追加する。使用することができる炭化水素には、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オレフィン、環状または芳香族炭化水素あるいは他の任意の炭化水素が含まれる。
上記第４の方法によって生み出されたＣＮＴではしばしば、含まれるVI族およびVIII金属、アモルファス炭素ならびに他の汚染物質を除去する必要がある。当技術分野ではこれを達成する多くの方法が知られている。一例では酸性酸化性溶液中でＣＮＴマットを加熱する。「洗浄」後のＣＮＴは多孔質ポリテトラフルオロエチレン・フィルタで集めることができる。
この第４のＣＮＴ形成方法に基づくＣＮＴの形成のより詳細な議論が、米国公開特許公報第2002/0090330号に記載されている。
ＣＮＴマットを形成し清浄化した後、フィルタとしてパッケージ化する前に、ＣＮＴの上に化学的に活性の層を後述するように形成する。
活性の層（ＣＮＴ上の化学的に活性の層またはＣＮＴの側壁の化学的に反応性の基）の形成は、基板の上に形成されたＣＮＴに対してＣＮＴが基板上にある間に実施され、またはＣＮＴマットの形態にあるＣＮＴに対して実施される。
ＣＮＴの上に化学的に活性の層を形成する多くの例が知られており、そのいくつかを次に説明する。
第１の例では、２５℃のトルエンの中でＣＮＴを、波長２５４ｎｍの光の照射下で四酸化オスミウム（ＯｓＯ４）と２時間混合して、ＣＮＴの表面上にＯｓＯ２ナノ結晶を形成させることによって、ＣＮＴの表面に二酸化オスミウム層を形成させる。
第２の例では、１００℃の硝酸／硫酸混合物でＣＮＴを３０分間前処理し、このＣＮＴを約７００℃に加熱して約１時間置き、ヘキサクロロ白金酸のアルコール溶液と反応させ、次いで水素または窒素ガス中で７００℃まで加熱することによって、ＣＮＴの表面に白金層を形成させる。ＣＮＴの長さ方向に沿って白金ナノ結晶が形成される。
第３の例では、ＣＮＴの上へのＴｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、ＡｌまたはＦｅの蒸着によって、ＣＮＴの表面にそれぞれＴｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、ＡｌまたはＦｅ層を形成させる。金属の厚さは約０．５ｎｍから約１５ｎｍである。ＴｉはＴｉナノワイヤを、ＮｉおよびＰｄは均一なコーティングを、Ａｕ、ＡｌおよびＦｅは微粒子をＣＮＴの表面に形成する。
第４の例では、約０．２５％ポリエチルイミン水溶液に浸漬し、続いて乾燥させ、超音波攪拌下でテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）水溶液と反応させることによって、ＣＮＴの上にＳｉＯｘ層を形成させる。このＳｉＯｘの付着は、約２５℃で約９６時間後に終了させることができる。一例ではＳｉＯｘ層の厚さが約３ｎｍである。
ＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を形成する多くの例が知られており、次にそのいくつかを説明する。
第１の例では、アルキルリチウムまたはアルキルマグネシウム（グリニャール）試薬をフッ化ＣＮＴ（後のフッ化ＣＮＴの調製の項を参照されたい）と反応させることによって、ＣＮＴの側壁にアルキル基を付着させることができる。アルキルリチウム試薬の場合には、約２５℃のヘキサン中で約５から約１０分、フッ化ＣＮＴと反応させる。アルキルマグネシウム試薬の場合には、約２５℃のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中で４時間、フッ化ＣＮＴと反応させる。アルキル化剤との反応後にＣＮＴ上に存在する残留フッ素は、約２５℃のヒドラジン／ＴＨＦ／イソプロパノール混合物を用いて約３０分で除去することができる。
第２の例では、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスで希釈したＦ２ガスとＣＮＴを、約１５０℃から約６０℃の温度で約１から４時間反応させることによって、ＣＮＴの側壁にフルオロ基を付着させることができる。
第３の例では、約２５℃のアセトニトリル中でジアゾニウム塩とＣＮＴを反応させることによってＣＮＴの側壁にアリール基を付着させることができ、ＣＮＴの炭素原子の５％がアリール化される。あるいは、この反応を、アリールアミンおよび亜硝酸イソアミルをそのままで（ｉｎ ｓｉｔｕ）ジアゾニウム塩源として使用して、オルトジクロロベンゼンとＴＨＦの５：１混合物の中で約５５℃から約６０℃の温度で約４８時間実施してもよい。ＣＮＴ側壁に付着されたアリール基は、官能性エステル、ニトロ、アルキル、カルボキシル、アルキルエーテルおよびアセチレン部分を有するジアゾニウム塩を使用することによって置換することができる。
第４の例では、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶媒中でアルデヒドおよびＮ置換グリシン誘導体とＣＮＴとを約１３０℃で約４８時間反応させることによって、ピロリジン基および置換ピロリジン基、例えばアルキル置換、アルキルエーテル置換およびアリール置換ピロリジン基をＣＮＴの側壁に付着させることができる。
第５の例では、液体アンモニア中でリチウム金属と反応させることによって、ＣＮＴの側壁に水素を付着させることができ、ＣＮＴの炭素原子の約１０％が水素化される。
第６の例では、低圧アンモニア・プラズマまたは低圧エチレンジアミン・プラズマにＣＮＴを暴露することによって、ＣＮＴの側壁にアミノ基を付着させることができる。例示的なプラズマ条件は、圧力約０．３トル、ＲＦ周波数約２００ｋＨｚ、ＲＦ電力約２０ワット、約２５℃、約１分である。例えばシアノホウ水素化ナトリウムを還元剤として使用した、付着されたイミン基（後述）の化学還元によっても、ＣＮＴの上にアミンを生成することができる。
第７の例では、低圧アセトアルデヒド・プラズマにＣＮＴを暴露することによってＣＮＴの側壁にアルデヒド基を付着させることができる。例示的なプラズマ条件は、圧力約０．３トル、ＲＦ周波数約２００ｋＨｚ、ＲＦ電力約２０ワット、約２５℃、約１分である。
第８の例では、低圧酢酸プラズマにＣＮＴを暴露することによってＣＮＴの側壁にカルボキシル基を付着させることができる。例示的なプラズマ条件は、圧力約０．３トル、ＲＦ周波数約２００ｋＨｚ、ＲＦ電力約２０ワット、約２５℃、約１分である。
第９の例では、ＣＮＴの側壁にアミド基を付着させることができる。アミド官能基は、約２５℃のＥＤＣ（１−エチル−３−（ジメチルアミノプロピル）カルボ−ジ−イミド）カップリング剤の存在下で、ＣＮＴのカルボン酸誘導体（前述）をアミンと水性反応させることによって生成することができる。
第１０の例では、アルキルアミン蒸気またはアンモニア蒸気との反応により、付着されたアルデヒド基（前述）をイミノ基に転化させることによって、ＣＮＴの側壁にイミノ基を付着させることができる。付着されたイミノ基は、アミン官能基化ＣＮＴ（前述）とケトンまたはアルデヒドとの反応によっても生成することができる。一例ではこれらの反応が、約２５℃、ｐＨ約６から約８の水溶液中で約２４時間かけて達成される。
第１１の例では、Ｎ２の中にＳＯ３を約１重量％含む混合物を用いた約２５℃、約２から約５分の気相スルホン化によって、ＣＮＴの側壁にスルホ基を付着させることができる。最初にアセトアルデヒド・プラズマ処理またはアルカン・プラズマ処理（メタン、エタン、プロパン、ヘキサンなど）を実行して、ＣＮＴの表面上に炭化水素を形成させる。
次のステップは、化学的に活性の層を有するＣＮＴまたは側壁に化学的に反応性の基を有するＣＮＴをフィルタとしてパッケージ化するステップである。
図１６は、本発明に基づく例示的な第１の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図、図１７は、図１６の線６Ｂ−６Ｂで切った断面図である。図１６および１７では、多数のＣＮＴ４０５を有する単一の基板４００が、入口（インレット）４１５および出口（アウトレット）４２０を有するフィルタ・ハウジング４１０の中に入れられている。ＣＮＴ４０５はＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。
図１８は、本発明に基づく例示的な第２の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図、図１９は、図１８の線７Ｂ−７Ｂで切った断面図である。図１８および１９では、多数のＣＮＴ４０５Ａをそれぞれが有する複数の基板４００Ａおよび多数のＣＮＴ４０５Ｂをそれぞれが有する複数の基板４００Ｂが、入口４３０および出口４３５を有するフィルタ・ハウジング４２５の中に入れられている。ＣＮＴ４０５ＡはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。ＣＮＴ４０５ＢはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。化学的に活性の層または化学的に反応性の基はＣＮＴ４０５ＡとＣＮＴ４０５Ｂとで同じでもよいし、あるいはＣＮＴ４０５Ａの上の化学的に活性の層または化学的に反応性の基が、ＣＮＴ４０５Ｂの上の化学的に活性の層または化学的に反応性の基とは異なっていてもよい。基板４００Ａ／ＣＮＴ４０５Ａセットおよび基板４００Ｂ／ＣＮＴ４０５Ｂセットの数を増やすことによって、フィルタに通される空気またはガスの流量を増大させることができ、および／またはフィルタの寿命を延ばすことができる。ＣＮＴ４０５Ａと４０５Ｂの上の化学的に活性の層または化学的に反応性の基を異なるものにすることによって、複数の異なる汚染物質を空気から除去することができる。異なる化学的に活性の層または化学的に反応性の基をそれぞれが有する基板／ＣＮＴの組合せを、その特定のフィルタリング用途が必要とする数だけ使用することができる。
図２０は、本発明に基づく例示的な第３の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図、図２１は、図２０の線８Ｂ−８Ｂで切った断面図である。図２０および２１では、多数のＣＮＴ４４５を有する単一の中空円筒基板４４０が、入口４５５および出口４６０を有する中空円筒フィルタ・ハウジング４５０の中に入れられている。ＣＮＴ４４０はＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。
図２２は、図２０および２１の例示的な第３の化学的活性ナノチューブ・フィルタを延長したものである。図２２では、多数のＣＮＴ４４５Ａを有する中空円筒基板４４０Ａおよび多数のＣＮＴ４４５Ｂを有する中空円筒基板４４０Ｂが、入口４７０および出口４７５を有する中空円筒フィルタ・ハウジング４６５の中に入れられている。ＣＮＴ４４５ＡはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。ＣＮＴ４４５ＢはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。化学的に活性の層または化学的に反応性の基はＣＮＴ４４５ＡとＣＮＴ４４５Ｂとで同じでもよいし、あるいはＣＮＴ４４５Ａの上の化学的に活性の層または化学的に反応性の基が、ＣＮＴ４４５Ｂの上の化学的に活性の層または化学的に反応性の基とは異なっていてもよい。多数のＣＮＴをそれぞれが有する３つ以上の中空円筒基板をフィルタ・ハウジングの中に直列に配置してもよい。
図２３は、本発明に基づく例示的な第４の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図、図２４は、図２３の線９Ｂ−９Ｂで切った断面図である。図２３および２４では、多数のＣＮＴ４９０Ａを有する中空円筒基板４８５Ａからなる第１の層４８０Ａ、多数のＣＮＴ４９０Ｂを有する中空円筒基板４８５Ｂからなる第２の層４８０Ｂおよび多数のＣＮＴ４９０Ｃを有する中空円筒基板４８５Ｃからなる第３の層４８０Ｃが、入口面５００および出口面５０５を有するフィルタ・ハウジング４９５の中に入れられている。層４８０Ｂは層４８０Ａと４８０Ｃの間に配置されている。個々の中空円筒基板４８５Ａ、４８５Ｂおよび４８５Ｃは、入口面５００からフィルタ・ハウジング４９５に入った空気またはガスが、多数のそれぞれのＣＮＴ４９０Ａ、４９０Ｂおよび４９０Ｃを通過し、出口面５０５からフィルタ・ハウジングを出ることができるように配置されている。シーラント５１０は個々の中空円筒基板４８５Ａ、４８５Ｂおよび４８５Ｃを、フィルタ・ハウジング４９５に対しておよび互いに対して所定の位置に保持する。基板４８５Ａ、４８５Ｂおよび４８５Ｃ間の空間はシーラントで満たされており、空気またはガスは強制的に基板４８５Ａ、４８５Ｂおよび４８５ＣのＣＮＴの中に通される。ＣＮＴ４９０Ａ、４９０Ｂおよび４９０ＣはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。化学的に活性の層または化学的に反応性の基はＣＮＴ４９０Ａ、４９０Ｂおよび４９０Ｃで同じでもよいし、あるいは、ＣＮＴ４９０Ａ、４９０Ｂおよび４９０Ｃの上の化学的に活性の層または化学的に反応性の基が互いに異なっていてもよい。３つの層４８０Ａ、４８０Ｂおよび４８０Ｃが示されているが、ハウジングには図２３および２４に示した方法で１つの層だけを入れ、または必要な数の層を入れることができる。
図２５は、本発明に基づく例示的な第５の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図、図２６は、図２５の線１０Ｂ−１０Ｂで切った断面図である。図２５および２６では、多数のＣＮＴ５２５Ａを有する基板５２０Ａからなる第１の層５１５Ａ、多数のＣＮＴ５２５Ｂを有する基板５２０Ｂからなる第２の層５１５Ｂ、および多数のＣＮＴ５２５Ｃを有する基板５２０Ｃからなる第３の層５１５Ｃが、入口面５３０および出口面５３５を有するフィルタ・ハウジング５４０の中に入れられている。層５１５Ｂは層５１５Ａと５１５Ｃの間に配置されている。個々の基板５２０Ａ、５２０Ｂおよび５２０Ｃは、入口面５３０からフィルタ・ハウジング５４０に入った空気またはガスが、多数のそれぞれのＣＮＴ５２５Ａ、５２５Ｂおよび５２５Ｃを通過し、出口面５３５からフィルタ・ハウジングを出ることができるように配置されている。シーラント５４５は個々の基板５２０Ａ、５２０Ｂおよび５２０Ｃを、フィルタ・ハウジング５４０に対しておよび互いに対して所定の位置に保持する。シーラントが外縁の基板５２０Ａ、５２０Ｂおよび５２０Ｃ上のＣＮＴを目詰まりさせることを防ぐために、層５１５Ａ、５１５Ｂおよび５１５Ｃの周囲には、任意選択の薄いシース（覆い）５５０が配置されている。ＣＮＴ５２５Ａ、５２５Ｂおよび５２５ＣはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。化学的に活性の層または化学的に反応性の基はＣＮＴ５２５Ａ、５２５Ｂおよび５２５Ｃで同じでもよいし、あるいはＣＮＴ５２５Ａ、５２５Ｂおよび５２５Ｃの表面の化学的に活性の層または化学的に反応性の基が互いに異なっていてもよい。３つの層５１５Ａ、５１５Ｂおよび５１５Ｃが示されているが、ハウジングには図２５および２６に示した方法で１つの層だけを入れ、または必要な数の層を入れることができる。
図２７は、本発明に基づく例示的な第６の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図、図２８は、図２７の線１１Ｂ−１１Ｂで切った断面図である。図２７および２８では、化学的に活性のＣＮＴのマットが充てんされた多孔壁容器（コンテナ）５６５Ａからなる第１の層５６０Ａ、化学的に活性のＣＮＴのマットが充てんされた多孔壁容器５６５Ｂからなる第２の層５６０Ｂ、化学的に活性のＣＮＴのマットが充てんされた多孔壁容器５６５Ｃからなる第３の層５６０Ｃ、化学的に活性のＣＮＴのマットが充てんされた多孔壁容器５６５Ｄからなる第４の層５６０Ｄ、および化学的に活性のＣＮＴのマットが充てんされた多孔壁容器５６５Ｅからなる第５の層５６０Ｅが、入口面５７５および出口面５８０を有するフィルタ・ハウジング５７４の中に入れられている。層５６０Ｃは最も内側の層であり、層５６０Ｂと５６０Ｄの間に配置されている。層５６０Ｂは層５６０Ａと５６０Ｃの間に配置されている。層５６０Ｄは層５６０Ｃと５６０Ｅの間に配置されている。入口面５７５からフィルタ・ハウジング５７０に入った空気またはガスは、それぞれ多孔質容器５６５Ａ、５６５Ｂ、５６５Ｃ、５６５Ｄおよび５２５Ｅからなるそれぞれの層５６０Ａ、５６０Ｂ、５６０Ｃ、５６０Ｄおよび５６０Ｅを通過し、出口面５８０からフィルタ・ハウジングを出る。多孔質容器５６５Ａ、５６５Ｂ、５６５Ｃ、５６５Ｄおよび５２５Ｅの中のＣＮＴマットはＣＮＴの上に化学的に活性の層を有し、またはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する。化学的に活性の層または化学的に反応性の基は多孔質容器５６５Ａ、５６５Ｂ、５６５Ｃ、５６５Ｄおよび５２５ＥのＣＮＴマット間で同じでもよいし、あるいは一部または全ての多孔質容器５６５Ａ、５６５Ｂ、５６５Ｃ、５６５Ｄおよび５２５ＥのＣＮＴマットの化学的に活性の層または化学的に反応性の基が互いに異なっていてもよい。５つの層５６０Ａ、５６０Ｂ、５６０Ｃ、５６０Ｄおよび５６０Ｅが示されているが、ハウジングには図２７および２８に示した方法で１つの層だけを入れ、または必要な数の層を入れることができる。
図２９は、本発明に基づく修正ＨＥＰＡフィルタ（modified highefficiency particulate air filter）の断面図である。図２９では、フィルタ・アセンブリ５８０が、ＨＥＰＡフィルタ５９０と任意選択の前置フィルタ５９５との間に化学的活性ＣＮＴフィルタ５８５を含む。化学的活性ＣＮＴフィルタは、図２３および２４、図２５および２６または図２７および２８に示し先に説明したフィルタ、あるいは化学的に活性のコーティングを有しまたは側壁に化学的に反応性の基を有する化学的に活性のＣＮＴのマットまたはマットの集合体とすることができる。
図３０は、本発明に基づく化学的活性ナノチューブ・フィルタを製造する方法の流れ図である。ステップ６００では基板を用意する。ステップ６０５では基板上に触媒層を形成する。任意選択でこの触媒層をパターン形成してもよい。ステップ６１０では触媒層上にＣＮＴを形成する。ステップ６００、６０５および６１０の代わりにステップ６１５および６２０を実行してもよい。ステップ６１５ではＣＮＴ前駆物質およびＣＮＴ触媒を用意する。ステップ６２０ではＣＮＴマットを形成する。ステップ６２５では、ＣＮＴの上に活性の層を形成し、またはＣＮＴの側壁に反応性の基を形成することによって、ステップ６１０による基板上のＣＮＴまたはステップ６２０によるＣＮＴマット中のＣＮＴを化学的に活性化させる。ステップ６３０では、化学的に活性のＣＮＴを有する基板または化学的に活性のＣＮＴマットをフィルタ・ハウジングの中に入れる。
図３１は、本発明に基づく化学的活性ナノチューブ・エア・フィルタが組み込まれた例示的な浸漬リソグラフィ・システムの図である。図３１では浸漬リソグラフィ・システム７００が制御環境チャンバ７０５および制御装置（コントローラ）７１０を含む。制御環境チャンバ７０５の中には、集束ミラー７１５、光源７２０、第１の集束レンズ（またはレンズ・セット）７２５、マスク７３０、露光スリット７３５、第２の集束レンズ（またはレンズ・セット）７４０、最終集束レンズ７４５、浸漬ヘッド７５０およびウェハ・チャック７５５が含まれる。浸漬ヘッド７５０は、透明窓７６０、中央チャンバ部分７６５、周囲プレート部分７７０、浸液入口７７５Ａおよび浸液出口７７５Ｂを含む。浸液７８５は中央チャンバ部分７６５を満たし、ウェハ７９０の上面７８８のフォトレジスト層７８６と接触する。プレート部分７７０はフォトレジスト層７８６に十分に近接して配置されて、プレート部分７７０の下にメニスカス７９２を形成する。窓７６０は、フォトレジスト層７８６を露光するために選択された光の波長に対して透明でなければならない。一例では、約１９０ｎｍ以下の波長に対して窓７６０が透明である。
集束ミラー７１５、光源７２０、第１の集束レンズ７２５、マスク７３０、露光スリット７３５、第２の集束レンズ７４０、最終集束レンズ７４５および浸漬ヘッド７５０は全て、Ｚ方向を定義する光軸８００に沿って整列している。Ｘ方向は、Ｚ方向と直交しかつ図面の平面内にある方向と定義される。Ｙ方向は、Ｘ方向とＺ方向の両方と直交する方向と定義される。制御装置７１０の指示の下でウェハ・チャック７５５をＸおよびＹ方向に移動させて、フォトレジスト層７８６の中に露光されたフォトレジストの領域と露光されていないフォトレジストの領域とを形成することができる。ＸＹステージが移動すると、フォトレジスト層７８６の新しい部分が浸液７８５と接触し、以前に浸漬されていたフォトレジスト層の部分は浸液との接触を解消する。制御装置７１０の制御下でマスク７３０およびスリット７３５をＹ方向に移動させて、マスク７３０上の像（図示せず）をフォトレジスト層７８６上へ走査して結像させることができる。一例では、マスク７３０上の像が、プリント（転写）される像の１倍（×１）から１０倍（×１０）の拡大像であり、１つまたは複数の集積回路チップ像を含む。
露光が完了したら、浸液７８５をこぼすことなく制御環境チャンバ７０５からウェハ７９０を取り出さなければならない。そのために制御環境チャンバ７０５はカバー・プレート７９５をさらに含み、このカバー・プレートは、ウェハ・チャックが浸漬ヘッド７５０の下の位置から移動するときにまずウェハ・チャック７５５と接触し、次いでウェハ・チャックとともに移動して、ウェハ・チャックに代わって浸漬ヘッド７５０の下に収まるように移動させることができる。
制御環境チャンバ７０５は供給プレナム８０５および排出プレナム８１０を含む。空気または不活性ガスは、供給プレナム８０５からフィルタ８１５、制御環境チャンバ７０５を通して排出プレナム８１０に送られる。制御環境チャンバ７０５の中を流れる空気または不活性ガスの中の汚染物質とさまざまな反応を引き起こし、これらの汚染物質を不必要な重合体としてツールの構成要素およびウェハ７９０の上に付着させることがある浸漬リソグラフィ・システム７００で使用される高エネルギーで高強度の光のため、フィルタ８１５は、化学的に活性の層を有しまたはＣＮＴの側壁に化学的に反応性の基を有する化学的に活性のＣＮＴを含む。化学的に活性のＣＮＴの調製については以前に説明した。図２３および２４、図２５および２６、図２７および２８または図２９に示し先に説明した任意のフィルタをフィルタ８１５として使用することができる。
図３１には浸漬露光システムを示したが、本発明は任意のリソグラフィ・システムに適用可能である。
したがって本発明は、フィルタを通した後の空気流またはガス流あるいはその両方の中の汚染物質の濃度が極めて低い必要がある用途向けの先進の化学的微粒子フィルタを提供する。
本発明の理解を提供するため、以上に本発明の実施形態を説明した。本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない当業者には明白なさまざまな修正、再配置および置換が可能性であることを理解されたい。例えば、ＣＮＴを形成する複数の方法を提示したが、当技術分野で知られている他の方法をこれらの代わりに使用してもよい。同様に、ＣＮＴに官能基性を追加する複数の例を提示したが、ＣＮＴに官能基性を追加する当技術分野で知られている他の方法をこれらの代わりに使用してもよい。さらに、ＣＮＴおよびＣＮＴ束は、多孔質基板、すなわちろ過中の流体が通り抜けることができる基板上に形成することができ、その場合、この基板は、フィルタ内での流体の流れに垂直なフィルタ・ホルダの中に付着させることができ、ＣＮＴまたはＣＮＴ束は流体流の上流側に配置される。したがって、請求項は、このような全ての修正および変更を、本発明の真の趣旨および範囲に含まれるものとしてカバーする。
カーボン・ナノチューブを製造する第１の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第１の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第１の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第１の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第１の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第２の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第２の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第２の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第２の方法を示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第２の方法を示す断面図である。 図１から４および図６から９に示した方法によって製造されたカーボン・ナノチューブの等角図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第３の方法の一プロセス・ステップを示す断面図である。 カーボン・ナノチューブを製造する第３の方法によって製造されたナノチューブの端面図である。 図１３の線４Ｃ−４Ｃで切った断面図である。 第４の方法に従ってカーボン・ナノチューブを製造するための装置の概略図である。 本発明に基づく例示的な第１の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図である。 図１６の線６Ｂ−６Ｂで切った断面図である。 本発明に基づく例示的な第２の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図である。 図１８の線７Ｂ−７Ｂで切った断面図である。 本発明に基づく例示的な第３の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図である。 図２０の線８Ｂ−８Ｂで切った断面図である。 図２０および２１の例示的な第３の化学的活性ナノチューブ・フィルタを延長したフィルタを示す図である。 本発明に基づく例示的な第４の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図である。 図２３の線９Ｂ−９Ｂで切った断面図である。 本発明に基づく例示的な第５の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図である。 図２５の線１０Ｂ−１０Ｂで切った断面図である。 本発明に基づく例示的な第６の化学的活性ナノチューブ・フィルタの断面図である。 図２７の線１１Ｂ−１１Ｂで切った断面図である。 本発明に基づく修正ＨＥＰＡフィルタの断面図である。 本発明に基づく化学的活性ナノチューブ・フィルタを製造する方法の流れ図である。 本発明に基づく化学的活性ナノチューブ・エア・フィルタが組み込まれた例示的な浸漬リソグラフィ・システムの図である。
符号の説明
１００ 基板
１０５ テンプレート層
１１０ テンプレート・アイランド
１１５ ＣＮＴ束
１２０ 化学的に活性の層
１２５ 基板
１３０ ナノ多孔質表面層
１３５ テンプレート・アイランド
１４０ 触媒テンプレート・アイランド
１４５ 二酸化シリコン層
１５０ ＣＮＴ束
１６０ 基板
１６５ アイランド
１７０ ＣＮＴ
１７５ 円筒基板
１８０ 縦軸
１８５ シャドー・マスク
１９０ シャドー・マスクの開口
１９５ 基板の内面
２００ 触媒アイランド
２０５ ＣＮＴまたはＣＮＴ束
３００ ターゲット
３０５ 管
３１０ 加熱要素
３１５ 加熱されたゾーン
３２０ 捕集装置
３２５ 管の下流端
３３０Ａ 第１のレーザ・ビーム
３３０Ｂ 第２のレーザ・ビーム
３３５ 管の上流端
３４０ タングステン・ワイヤまたはメッシュ
４００ 基板
４００Ａ 基板
４００Ｂ 基板
４０５ ＣＮＴ
４０５Ａ ＣＮＴ
４０５Ｂ ＣＮＴ
４１０ フィルタ・ハウジング
４１５ 入口
４２０ 出口
４２５ フィルタ・ハウジング
４３０ 入口
４３５ 出口
４４０ 中空円筒基板
４４０Ａ 中空円筒基板
４４０Ｂ 中空円筒基板
４４５ ＣＮＴ
４４５Ａ ＣＮＴ
４４５Ｂ ＣＮＴ
４５０ 中空円筒フィルタ・ハウジング
４５５ 入口
４６０ 出口
４６５ 中空円筒フィルタ・ハウジング
４７０ 入口
４７５ 出口
４８０Ａ 中空円筒基板の第１の層
４８０Ｂ 中空円筒基板の第２の層
４８０Ｃ 中空円筒基板の第３の層
４８５Ａ 中空円筒基板
４８５Ｂ 中空円筒基板
４８５Ｃ 中空円筒基板
４９０Ａ ＣＮＴ
４９０Ｂ ＣＮＴ
４９０Ｃ ＣＮＴ
４９５ フィルタ・ハウジング
５００ 入口面
５０５ 出口面
５１０ シーラント
５１５Ａ 基板の第１の層
５１５Ｂ 基板の第２の層
５１５Ｃ 基板の第３の層
５２０Ａ 基板
５２０Ｂ 基板
５２０Ｃ 基板
５２５Ａ ＣＮＴ
５２５Ｂ ＣＮＴ
５２５Ｃ ＣＮＴ
５３０ 入口面
５３５ 出口面
５４０ フィルタ・ハウジング
５４５ シーラント
５５０ シース
５６０Ａ 多孔壁容器の第１の層
５６０Ｂ 多孔壁容器の第２の層
５６０Ｃ 多孔壁容器の第３の層
５６０Ｄ 多孔壁容器の第４の層
５６０Ｅ 多孔壁容器の第５の層
５６５Ａ 多孔壁容器
５６５Ｂ 多孔壁容器
５６５Ｃ 多孔壁容器
５６５Ｄ 多孔壁容器
５６５Ｅ 多孔壁容器
５７０ フィルタ・ハウジング
５７５ 入口面
５８０ 出口面
５８０ フィルタ・アセンブリ
５８５ 化学的活性ＣＮＴフィルタ
５９０ ＨＥＰＡフィルタ
５９５ 前置フィルタ
７００ 浸漬リソグラフィ・システム
７０５ 制御環境チャンバ
７１０ 制御装置
７１５ 集束ミラー
７２０ 光源
７２５ 第１の集束レンズ
７３０ マスク
７３５ 露光スリット
７４０ 第２の集束レンズ
７４５ 最終集束レンズ
７５０ 浸漬ヘッド
７５５ ウェハ・チャック
７６０ 透明窓
７６５ 中央チャンバ部分
７７０ 周囲プレート部分
７７５Ａ 浸液入口
７７５Ｂ 浸液出口
７８５ 浸液
７８６ フォトレジスト層
７８８ ウェハの上面
７９０ ウェハ
７９２ メニスカス
７９５ カバー・プレート
８０５ 供給プレナム
８１０ 排出プレナム
８１５ フィルタ

Claims (42)

  1. カーボン・ナノチューブ・フィルタを形成する方法であって、
    （ａ）炭素源およびカーボン・ナノチューブ触媒を用意するステップと、
    （ｂ）前記炭素源を前記ナノチューブ触媒と反応させることによってカーボン・ナノチューブを成長させるステップと、
    （ｃ）前記カーボン・ナノチューブの上に化学的に活性の層を形成し、または前記カーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を形成することによって、化学的に活性のカーボン・ナノチューブを形成するステップと、
    （ｄ）前記化学的に活性のナノチューブをフィルタ・ハウジングの中に配置するステップと
    を含む方法。
  2. 前記ナノチューブ触媒が、基板上または前記基板上のテンプレート層上の前記ナノチューブ触媒の層として提供される、請求項１に記載の方法。
  3. ステップ（ａ）がさらに、
    前記カーボン・ナノチューブ触媒の前記層をパターン形成して、カーボン・ナノチューブ触媒のアイランドを形成し、または前記カーボン・ナノチューブ触媒の層を含む前記テンプレート層のアイランドを形成するステップ
    を含む、請求項２に記載の方法。
  4. 前記基板が平らであり、前記カーボン・ナノチューブが前記ナノチューブ触媒の前記層の上面に成長しており、前記ナノチューブ触媒の前記層が前記基板の上面にあり、または前記基板が中空円筒であり、前記カーボン・ナノチューブが前記ナノチューブ触媒層の前記上面に成長しており、前記ナノチューブ触媒層が前記基板の内面にある、請求項２に記載の方法。
  5. 前記カーボン・ナノチューブが前記基板に付着されている間にステップ（ｃ）および（ｄ）が実行される、請求項２に記載の方法。
  6. 前記基板が、シリコン、セラミック、ガラス、プラスチック、ポリシリコン、銅および金からなるグループから選択された材料を含む、請求項２に記載の方法。
  7. 前記カーボン・ナノチューブ触媒がコバルト、ニッケルおよび鉄からなるグループから選択された、請求項２に記載の方法。
  8. ステップ（ｄ）で、前記カーボン・ナノチューブがカーボン・ナノチューブのマットの形態をとる、請求項１に記載の方法。
  9. 前記化学的に活性の層が、酸化オスミウム、白金、チタン、ニッケル、金、パラジウム、アルミニウム、鉄または酸化シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
  10. 前記化学的に反応性の基が、アルキル基、フルオロ基、アリール基、ピロリジン基、水素、アミノ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アミド基、イミノ基およびスルホ基からなる基から選択された、請求項１に記載の方法。
  11. 前記カーボン・ナノチューブが単壁カーボン・ナノチューブまたは多壁カーボン・ナノチューブである、請求項１に記載の方法。
  12. フィルタ・ハウジングと、
    前記フィルタ・ハウジングの中にあって、カーボン・ナノチューブの上に形成された化学的に活性の層を含み、または前記カーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を含む化学的に活性のカーボン・ナノチューブと
    を含むフィルタ。
  13. 基板をさらに含み、前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが、前記基板または前記基板上のテンプレート層に結合されている、
    請求項１２に記載のフィルタ。
  14. 前記基板が平らであり、前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが触媒層の上面に結合されており、前記触媒層が前記基板の上面に結合されており、または前記基板が中空円筒であり、前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが触媒層の前記上面に結合されており、前記触媒層が前記基板の内面に結合されている、請求項１３に記載のフィルタ。
  15. 前記基板が、シリコン、セラミック、ガラス、プラスチック、ポリシリコン、銅および金からなるグループから選択された材料を含む、請求項１３に記載のフィルタ。
  16. 基板をさらに含み、それぞれの前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブの末端が前記基板に結合されている、
    請求項１２に記載のフィルタ。
  17. 基板をさらに含み、それぞれの前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブの末端が前記基板の表面上のカーボン・ナノチューブ触媒層に結合されている、
    請求項１２に記載のフィルタ。
  18. 前記基板が、二酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化インジウムスズを含む、請求項１７に記載のフィルタ。
  19. 前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブがカーボン・ナノチューブのマットの形態をとる、請求項１２に記載のフィルタ。
  20. 前記化学的に活性の層が、酸化オスミウム、白金、チタン、ニッケル、金、パラジウム、アルミニウム、鉄または酸化シリコンを含む、請求項１２に記載のフィルタ。
  21. 前記化学的に反応性の基が、アルキル基、フルオロ基、アリール基、ピロリジン基、水素、アミノ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アミド基、イミノ基およびスルホ基からなる基から選択された、請求項１２に記載のフィルタ。
  22. 前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが単壁カーボン・ナノチューブまたは多壁カーボン・ナノチューブである、請求項１２に記載のフィルタ。
  23. フィルタ・ハウジングと、
    前記フィルタ・ハウジングの中にあって、カーボン・ナノチューブの上に形成された化学的に活性の層を含み、または前記カーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を含む化学的に活性のカーボン・ナノチューブと、
    前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブを含むろ材と
    を含むフィルタ。
  24. 前記ろ材が、それぞれの前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブの末端が結合した基板、または前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブのマットの形態の前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブを含む多孔壁容器を含む、請求項２３に記載のフィルタ。
  25. 前記化学的に活性のナノチューブが、前記フィルタの入口面および出口面に平行な２つ以上の層として配置された、請求項２３に記載のフィルタ。
  26. 前記化学的に活性のナノチューブが、前記フィルタ・ハウジング内でのガス流の意図された方向に垂直な２つ以上の層として配置された、請求項２３に記載のフィルタ。
  27. 前記化学的に活性のナノチューブが２つ以上の層として配置され、前記２つ以上の層のうちの少なくとも２つの異なる層の化学的に活性のナノチューブが、互いに異なる化学的に活性の層または互いに異なる化学的に反応性の基を有する、請求項２３に記載のフィルタ。
  28. 前記ろ材が２つ以上の層として配置され、前記２つ以上の層のうちの少なくとも２つの異なる層のろ材の中の化学的に活性のナノチューブが、互いに異なる化学的に活性の層または互いに異なる化学的に反応性の基を有する、請求項２３に記載のフィルタ。
  29. 前記ろ材がＨＥＰＡフィルタであり、前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが、前記ＨＥＰＡフィルタの表面にマットとして形成された、請求項２３に記載のフィルタ。
  30. 前記化学的に活性の層が、酸化オスミウム、白金、チタン、ニッケル、金、パラジウム、アルミニウム、鉄または酸化シリコンを含む、請求項２３に記載のフィルタ。
  31. 前記化学的に反応性の基が、アルキル基、フルオロ基、アリール基、ピロリジン基、水素、アミノ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アミド基、イミノ基およびスルホ基からなるグループから選択された、請求項２３に記載のフィルタ。
  32. 前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが単壁カーボン・ナノチューブまたは多壁カーボン・ナノチューブである、請求項２３に記載のフィルタ。
  33. ウェハの上面のフォトレジスト層を露光するための露光システムであって、
    光源、１つまたは複数の集束レンズ、マスク・ホルダ、スリットおよびウェハ・ステージを含む環境チャンバであって、前記光源、前記１つまたは複数の集束レンズ、前記マスク・ホルダおよび前記スリットが光軸に対して整列されており、前記ウェハ・ステージが直交する異なる２つの方向に移動可能であり、それぞれの前記直交する方向が前記光軸と直交し、前記マスク・ホルダおよび前記スリットが前記直交する２つの方向のうちの１つの方向に移動可能である環境チャンバと、
    前記環境チャンバの側壁のフィルタと
    を含み、前記フィルタが、
    フィルタ・ハウジングと、
    前記フィルタ・ハウジングの中にあって、カーボン・ナノチューブの上に形成された化学的に活性の層を含み、または前記カーボン・ナノチューブの側壁に化学的に反応性の基を含む化学的に活性のカーボン・ナノチューブと
    を含み、
    さらに、
    最初に前記フィルタ内に、次いで前記環境チャンバの中へ、次いで前記環境チャンバの外へ空気または不活性ガスを強制的に流すための手段
    を含む露光システム。
  34. それぞれの前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブの末端が基板に結合されており、または前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブがマットの形態で多孔壁容器の中に含まれる、請求項３３に記載の露光システム。
  35. 前記化学的に活性のナノチューブが、前記フィルタの入口面および出口面に平行な２つ以上の層として配置された、請求項３３に記載の露光システム。
  36. 前記化学的に活性のナノチューブが、前記フィルタ・ハウジング内でのガス流の意図された方向に垂直な２つ以上の層として配置された、請求項３３に記載の露光システム。
  37. 前記化学的に活性のナノチューブが２つ以上の層として配置され、前記２つ以上の層のうちの少なくとも２つの異なる層の化学的に活性のナノチューブが、互いに異なる化学的に活性の層または互いに異なる化学的に反応性の基を有する、請求項３３に記載の露光システム。
  38. 前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブがＨＥＰＡフィルタの表面にマットとして形成された、請求項３３に記載の露光システム。
  39. 前記化学的に活性の層が、酸化オスミウム、白金、チタン、ニッケル、金、パラジウム、アルミニウム、鉄または酸化シリコンを含む、請求項３３に記載の露光システム。
  40. 前記化学的に活性の基が、アルキル基、フルオロ基、アリール基、ピロリジン基、水素、アミノ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アミド基、イミノ基およびスルホ基からなるグループから選択された、請求項３３に記載の露光システム。
  41. 前記化学的に活性のカーボン・ナノチューブが単壁カーボン・ナノチューブまたは多壁カーボン・ナノチューブである、請求項３３に記載の露光システム。
  42. 浸漬ヘッドをさらに含み、前記浸漬ヘッドが、上面と側壁と下面開口とを有するチャンバを有し、前記上面が選択された光波長に対して透明であり、さらに、
    前記浸漬ヘッドの前記チャンバに浸液を満たすための手段を含み、前記浸漬ヘッドの前記チャンバが前記光軸に対して整列した、
    請求項３３に記載の露光システム。
JP2005312981A 2004-11-19 2005-10-27 カーボン・ナノチューブを形成する方法、フィルタ、露光システム（化学的に修飾されたカーボン・ナノチューブ構造を含む化学的微粒子フィルタ） Expired - Fee Related JP5051997B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/904,633 US7459013B2 (en) 2004-11-19 2004-11-19 Chemical and particulate filters containing chemically modified carbon nanotube structures
US10/904633 2004-11-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006150348A true JP2006150348A (ja) 2006-06-15
JP2006150348A5 JP2006150348A5 (ja) 2008-08-14
JP5051997B2 JP5051997B2 (ja) 2012-10-17

Family

ID=36629253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005312981A Expired - Fee Related JP5051997B2 (ja) 2004-11-19 2005-10-27 カーボン・ナノチューブを形成する方法、フィルタ、露光システム（化学的に修飾されたカーボン・ナノチューブ構造を含む化学的微粒子フィルタ）

Country Status (3)

Country Link
US (5) US7459013B2 (ja)
JP (1) JP5051997B2 (ja)
CN (1) CN100425321C (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006305422A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sharp Corp フィルター、その製造方法、空気清浄装置
JP2013523587A (ja) * 2010-04-09 2013-06-17 ユーシーエル ビジネス パブリック リミテッド カンパニー 分離方法
WO2016117198A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 国立大学法人静岡大学 開口基板
WO2016117197A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 国立大学法人静岡大学 Ｃｎｔフォレスト、ｃｎｔフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法
KR101871036B1 (ko) * 2016-02-22 2018-06-25 부산대학교 산학협력단 탄소 기반의 3차원 하이브리드 구조체, 이의 제조 방법 및 멤브레인 필터

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7459013B2 (en) * 2004-11-19 2008-12-02 International Business Machines Corporation Chemical and particulate filters containing chemically modified carbon nanotube structures
CN101873992B (zh) * 2006-02-07 2013-11-06 哈佛大学校长及研究员协会 碳纳米管的气相官能化
EP2125212A2 (en) 2007-03-23 2009-12-02 Lydall, Inc. Substrate for carrying catalytic particles
US8919428B2 (en) * 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
US7901475B2 (en) * 2008-01-18 2011-03-08 Gm Global Technology Operations, Inc. Diesel particulate filter with zoned resistive heater
US7993524B2 (en) * 2008-06-30 2011-08-09 Nanoasis Technologies, Inc. Membranes with embedded nanotubes for selective permeability
US9079775B2 (en) 2008-07-03 2015-07-14 Ucl Business Plc Method for separating nanomaterials
SG10201401475UA (en) 2008-07-03 2014-08-28 Ucl Business Plc Method For Dispersing And Separating Nanotubes
CN102119363B (zh) * 2008-08-05 2015-10-21 斯莫特克有限公司 用于光刻的高深宽比模板、制作相同模板的方法、以及这种模板在纳米级基板射孔中的应用
US8105411B2 (en) * 2008-08-28 2012-01-31 Illinois Tool Works Inc. Fluid filter system and method
US8192685B2 (en) * 2008-11-04 2012-06-05 Advanced Concepts And Technologies International, L.L.C. Molecular separators, concentrators, and detectors preparatory to sensor operation, and methods of minimizing false positives in sensor operations
WO2010093926A2 (en) 2009-02-13 2010-08-19 Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc Composite materials formed with anchored nanostructures
WO2010093932A2 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc Anchored nanostructure materials and ball milling method of fabrication
US8318250B2 (en) * 2009-02-13 2012-11-27 Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc Anchored nanostructure materials and method of fabrication
US8945691B2 (en) * 2009-02-13 2015-02-03 Consolidated Nuclear Security, LLC Nano-material and method of fabrication
US8541058B2 (en) * 2009-03-06 2013-09-24 Timothy S. Fisher Palladium thiolate bonding of carbon nanotubes
JP4948676B2 (ja) * 2009-03-12 2012-06-06 独立行政法人科学技術振興機構 有機修飾カーボンナノチューブの製造方法
WO2010126686A2 (en) * 2009-04-07 2010-11-04 Yale University Carbon nanotube filters
EP2459483A2 (en) 2009-07-31 2012-06-06 Massachusetts Institute of Technology Systems and methods related to the formation of carbon-based nanostructures
JP5374354B2 (ja) * 2009-12-25 2013-12-25 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ複合構造体および粘着部材
TWI410275B (zh) * 2010-02-06 2013-10-01 Nat Univ Tsing Hua 可見光吸收之具二氧化鈦／奈米碳管結構之光觸媒之製備方法以及光觸媒過濾網
GB201005398D0 (en) 2010-03-31 2010-05-12 Univ Cranfield Gas filter
US9663368B2 (en) 2010-10-28 2017-05-30 Massachusetts Institute Of Technology Carbon-based nanostructure formation using large scale active growth structures
KR20120054256A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 성균관대학교산학협력단 촉매 주형을 이용한 3차원 그래핀의 제조방법
KR101527102B1 (ko) * 2010-11-26 2015-06-10 (주)바이오니아 유해물질 제거 장치
KR101274522B1 (ko) * 2010-11-30 2013-06-13 한양대학교 산학협력단 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 이용한 미세유체 필터 및 그 제조 방법
US9155923B2 (en) 2011-12-06 2015-10-13 East Carolina University Portable respirators suitable for agricultural workers
JP5893374B2 (ja) 2011-12-08 2016-03-23 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体およびそれを用いた粘弾性体
US8865073B2 (en) * 2012-06-14 2014-10-21 Shimadzu Corporation Air purifier and total organic carbon measuring device using the air purifier
WO2014088556A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-12 Empire Technology Development, Llc Graphene nanotube array for gas filtration
US20140166990A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US10195797B2 (en) 2013-02-28 2019-02-05 N12 Technologies, Inc. Cartridge-based dispensing of nanostructure films
WO2014151105A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Seldon Technologies, Inc. A pharmaceutical component, device and method for the same
WO2014152584A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Seerstone Llc Methods and systems for forming catalytic assemblies, and related catalytic assemblies
WO2015094236A1 (en) 2013-12-18 2015-06-25 Halliburton Energy Services, Inc. Earth-boring drill bits with nanotube carpets
WO2015137947A1 (en) * 2014-03-12 2015-09-17 Halliburton Energy Services, Inc. Particle exclusion and accumulation prevention using nanoforest filters on downhole tools
US10020300B2 (en) 2014-12-18 2018-07-10 Agilome, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US9859394B2 (en) 2014-12-18 2018-01-02 Agilome, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US9857328B2 (en) 2014-12-18 2018-01-02 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same
EP3235010A4 (en) 2014-12-18 2018-08-29 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistor
US9618474B2 (en) 2014-12-18 2017-04-11 Edico Genome, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US10006910B2 (en) 2014-12-18 2018-06-26 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same
LU92758B1 (en) * 2015-06-29 2016-12-30 Luxembourg Inst Of Science And Tech (List) Carbon-nanotube-based composite coating and production method thereof
US10598575B2 (en) * 2015-07-17 2020-03-24 The Penn State Research Foundation Sizable tunable enrichment platform for capturing nano particles in a fluid
US10811539B2 (en) 2016-05-16 2020-10-20 Nanomedical Diagnostics, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
WO2018144847A1 (en) * 2017-02-06 2018-08-09 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Composite membranes comprising nanoparticles for liquid filtration
EP3537189A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-11 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Collimator filter
CN110822580A (zh) * 2019-11-12 2020-02-21 上海莒纳新材料科技有限公司 一种密闭空间的空气质量控制系统及应用
US11921046B2 (en) * 2020-08-31 2024-03-05 Honeywell International Inc. Filter media and system using the same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07185327A (ja) * 1993-12-28 1995-07-25 Nec Corp 吸着剤と濾過剤およびそれらの使用方法
JPH11221414A (ja) * 1998-02-09 1999-08-17 Mitsubishi Electric Corp 空気清浄フィルタユニット
WO2003069019A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-21 Rensselaer Polytechnic Institute Directed assembly of highly-organized carbon nanotube architectures
US20040007528A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 The Regents Of The University Of California Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium
JP2004066009A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 炭素材料及び排煙処理装置
JP2004148304A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Osaka Gas Co Ltd ダイオキシン類除去フィルタ、並びにそれを用いたダイオキシン類除去方法及び排ガス処理装置
JP2004148305A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Osaka Gas Co Ltd 光触媒フィルタ及びそれを用いた空気清浄機
WO2004080578A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-23 Seldon Technologies, Llc Purification of fluids with nanomaterials
JP2006095429A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Sharp Corp 気体清浄装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2637556B2 (ja) * 1989-05-16 1997-08-06 キヤノン株式会社 電子写真装置
WO1995010535A1 (en) * 1993-10-14 1995-04-20 The Scripps Research Institute Cyclic peptide tube
US6162926A (en) * 1995-07-31 2000-12-19 Sphere Biosystems, Inc. Multi-substituted fullerenes and methods for their preparation and characterization
US6183714B1 (en) * 1995-09-08 2001-02-06 Rice University Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes
EP0907773B1 (en) * 1996-05-15 2006-08-16 Hyperion Catalysis International, Inc. High surface area nanofibers
CA2254970C (en) * 1996-05-15 2007-10-02 Hyperion Catalysis International, Inc. Rigid porous carbon structures, methods of making, methods of using and products containing same
DE69728410T2 (de) * 1996-08-08 2005-05-04 William Marsh Rice University, Houston Makroskopisch manipulierbare, aus nanoröhrenanordnungen hergestellte vorrichtungen
US6683783B1 (en) 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
WO1998053897A1 (en) * 1997-06-02 1998-12-03 Hitco Carbon Composites, Inc. High performance filters
JP3740295B2 (ja) * 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
JP3017161B2 (ja) * 1998-03-16 2000-03-06 双葉電子工業株式会社 単層カーボンナノチューブの製造方法
JP4746183B2 (ja) * 1998-09-18 2011-08-10 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ 溶媒和を容易にするための単層カーボンナノチューブの化学的誘導体化及び誘導体化ナノチューブの使用
US6835366B1 (en) * 1998-09-18 2004-12-28 William Marsh Rice University Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof, and use of derivatized nanotubes
US6232706B1 (en) * 1998-11-12 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same
WO2001067821A1 (en) * 2000-03-07 2001-09-13 Chang Robert P H Carbon nanostructures and methods of preparation
KR100820652B1 (ko) 2001-01-29 2008-04-10 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 카본 나노혼 흡착재와 그 제조방법
US6533847B2 (en) * 2001-02-13 2003-03-18 Donaldson Company, Inc. Adsorption apparatus
AUPR421701A0 (en) * 2001-04-04 2001-05-17 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process and apparatus for the production of carbon nanotubes
KR100420787B1 (ko) * 2001-04-30 2004-03-02 한국과학기술원 탄소 분자체 및 그의 제조 방법
JP2005506898A (ja) * 2001-06-08 2005-03-10 ドナルドソン カンパニー，インコーポレイティド 吸着エレメントと吸着方法
TW200307563A (en) * 2002-02-14 2003-12-16 Sixty Inc C Use of BUCKYSOME or carbon nanotube for drug delivery
EP1483202B1 (en) 2002-03-04 2012-12-12 William Marsh Rice University Method for separating single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
US6764628B2 (en) * 2002-03-04 2004-07-20 Honeywell International Inc. Composite material comprising oriented carbon nanotubes in a carbon matrix and process for preparing same
US6692551B2 (en) * 2002-07-17 2004-02-17 Delphi Technologies, Inc. Air cleaner assembly and process
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7125533B2 (en) * 2002-11-15 2006-10-24 William Marsh Rice University Method for functionalizing carbon nanotubes utilizing peroxides
KR20050085235A (ko) * 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100648952B1 (ko) * 2002-12-23 2006-11-24 삼성전자주식회사 탄소 나노 튜브를 이용하는 필터
KR100749772B1 (ko) * 2002-12-23 2007-08-17 삼성전자주식회사 공기 정화기
US7468097B2 (en) * 2004-07-27 2008-12-23 University Of North Texas Method and apparatus for hydrogen production from greenhouse gas saturated carbon nanotubes and synthesis of carbon nanostructures therefrom
US20060027499A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Banaras Hindu University Carbon nanotube filter
US7459013B2 (en) * 2004-11-19 2008-12-02 International Business Machines Corporation Chemical and particulate filters containing chemically modified carbon nanotube structures
US7371677B2 (en) * 2005-09-30 2008-05-13 Freescale Semiconductor, Inc. Laterally grown nanotubes and method of formation
US7575735B2 (en) * 2005-11-02 2009-08-18 The Research Foundation Of State University Of New York Metal oxide and metal fluoride nanostructures and methods of making same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07185327A (ja) * 1993-12-28 1995-07-25 Nec Corp 吸着剤と濾過剤およびそれらの使用方法
JPH11221414A (ja) * 1998-02-09 1999-08-17 Mitsubishi Electric Corp 空気清浄フィルタユニット
WO2003069019A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-21 Rensselaer Polytechnic Institute Directed assembly of highly-organized carbon nanotube architectures
US20040007528A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 The Regents Of The University Of California Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium
JP2004066009A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 炭素材料及び排煙処理装置
JP2004148304A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Osaka Gas Co Ltd ダイオキシン類除去フィルタ、並びにそれを用いたダイオキシン類除去方法及び排ガス処理装置
JP2004148305A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Osaka Gas Co Ltd 光触媒フィルタ及びそれを用いた空気清浄機
WO2004080578A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-23 Seldon Technologies, Llc Purification of fluids with nanomaterials
JP2006095429A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Sharp Corp 気体清浄装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006305422A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sharp Corp フィルター、その製造方法、空気清浄装置
JP2013523587A (ja) * 2010-04-09 2013-06-17 ユーシーエル ビジネス パブリック リミテッド カンパニー 分離方法
WO2016117198A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 国立大学法人静岡大学 開口基板
WO2016117197A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 国立大学法人静岡大学 Ｃｎｔフォレスト、ｃｎｔフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法
JPWO2016117198A1 (ja) * 2015-01-23 2017-11-30 国立大学法人静岡大学 開口基板
JPWO2016117197A1 (ja) * 2015-01-23 2017-12-28 国立大学法人静岡大学 Ｃｎｔフォレスト、ｃｎｔフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法
KR101871036B1 (ko) * 2016-02-22 2018-06-25 부산대학교 산학협력단 탄소 기반의 3차원 하이브리드 구조체, 이의 제조 방법 및 멤브레인 필터

Also Published As

Publication number Publication date
US20080282893A1 (en) 2008-11-20
US8512458B2 (en) 2013-08-20
CN100425321C (zh) 2008-10-15
US20080284992A1 (en) 2008-11-20
US20080271606A1 (en) 2008-11-06
US7922796B2 (en) 2011-04-12
JP5051997B2 (ja) 2012-10-17
US7708816B2 (en) 2010-05-04
CN1775342A (zh) 2006-05-24
US20100119422A1 (en) 2010-05-13
US7674324B2 (en) 2010-03-09
US20080286466A1 (en) 2008-11-20
US7459013B2 (en) 2008-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5051997B2 (ja) カーボン・ナノチューブを形成する方法、フィルタ、露光システム（化学的に修飾されたカーボン・ナノチューブ構造を含む化学的微粒子フィルタ）
US7700157B2 (en) Method of producing regular arrays of nano-scale objects using nano-structured block-copolymeric materials
KR101119985B1 (ko) 단층 카본 나노튜브 및 배향 단층 카본 나노튜브?벌크 구조체 및 그들의 제조방법?장치 및 용도
US20080102017A1 (en) Single-wall carbon nanotube heterojunction and method of manufacturing the same and semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5607693B2 (ja) 基板上にナノ粒子を位置付けるための方法
Franklin et al. Patterned growth of single-walled carbon nanotubes on full 4-inch wafers
JP4555529B2 (ja) パターン化されたカーボンナノチューブ
US6921575B2 (en) Carbon nanotube structures, carbon nanotube devices using the same and method for manufacturing carbon nanotube structures
CN100368287C (zh) 单壁碳质毫微管有助于其溶剂化的化学衍生化以及经衍生化毫微管的用途
US6346189B1 (en) Carbon nanotube structures made using catalyst islands
JP2006150348A5 (ja)
KR101274522B1 (ko) 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 이용한 미세유체 필터 및 그 제조 방법
JP5437305B2 (ja) 一次元炭素ナノ構造体の製造方法
CN101166691B (zh) 非对称末端官能化的碳纳米管
JP2004351602A (ja) カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体
JPWO2006025393A1 (ja) ナノスケールの低次元量子構造体の製造方法、及び、当該製造方法を用いた集積回路の製造方法
WO2004040671A2 (en) Dispersed growth of nanotubes on a substrate
US20070186629A1 (en) Functionalizable nanowire-based AFM probe
US20060216636A1 (en) Catalytic resist including metal precursor compound and method of patterning catalyst particles using the same
US7718224B2 (en) Synthesis of single-walled carbon nanotubes
JP2005263536A (ja) シリコン粒子超格子、その製造方法、及びそれを用いたシリコン粒子超格子構造物、並びに発光素子及び電子部品
KR20240156965A (ko) 나노튜브 번들의 제조 및 이를 위한 반응기
JP2010190587A (ja) カーボンナノチューブの電気特性評価法
Lipscomb Single-walled carbon nanotube conductive thin films: morphological control and electrical characterization
KR20120130668A (ko) 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100601

RD12 Notification of acceptance of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432

Effective date: 20100603

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100603

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100805

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120703

RD14 Notification of resignation of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434

Effective date: 20120703

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120724

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5051997

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees