JP2006346803A - Substrate polishing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラス等から成る基板を研磨する装置に関し、特に、所定の寸法に分断された基板の側面を研磨して面取りする基板研磨装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for polishing a substrate made of glass or the like, and more particularly to a substrate polishing apparatus that polishes and chamfers a side surface of a substrate divided into predetermined dimensions.
従来より、液晶表示パネルや有機EL(Electro Luminescent)表示パネル等に用いるガラス基板の分断方法として、いわゆるスクライブ・ブレイク工程が知られている。このスクライブ・ブレイク工程により分断されたガラス基板の側面には、その基板の不規則な割れによるバリが生じていた。そのため、上記表示パネルの製造工程では、ガラス基板の側面に対して面取りを行う必要がある。この面取りは、例えば次に示すような基板研磨装置により行われる。 2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called scribe / break process is known as a method for dividing a glass substrate used in a liquid crystal display panel, an organic EL (Electro Luminescent) display panel, or the like. The side surface of the glass substrate cut by the scribing / breaking process had burrs due to irregular cracking of the substrate. Therefore, in the manufacturing process of the display panel, it is necessary to chamfer the side surface of the glass substrate. This chamfering is performed, for example, by a substrate polishing apparatus as shown below.
図7は従来例に係る基板研磨装置を説明する図である。なお、図7(A)はその基板研磨装置の上面図であり、図7(B)は図7(A)のZ−Z線に沿った断面図である。図7(A)及び図7(B)に示すように、この基板研磨装置は、ガラス基板10を保持して所定の進行方向に移動する保持テーブルTBを備えている。
FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional substrate polishing apparatus. 7A is a top view of the substrate polishing apparatus, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line ZZ in FIG. 7A. As shown in FIGS. 7A and 7B, the substrate polishing apparatus includes a holding table TB that holds the
そして、ガラス基板10の側面と対向した位置に、その側面を研磨するための回転可能な円盤状の砥石20(中心軸Cを回転軸とする)と、砥石20を支持すると共に中心軸Cで回転させる回転装置21が配置されている。この回転装置21は、それ自体が移動可能である構成を有しており、砥石20がガラス基板10の側面に当接される位置に至るまで移動する。
Then, at a position facing the side surface of the
また、保持テーブルTB(即ちガラス基板10)の中央の上方に延びるようにして、所定の水(もしくは洗浄水)が供給された固定配水管30が、固定的に配置されている。この固定配水管30の端部には、ガラス基板10の上の全体に水を放射状にスプレー噴射する中央ノズル31が接続されている。
A fixed
また、図7(A)での図示は省略するが、図7(B)に示すように、回転装置21には、研磨中の砥石20に生じる摩擦熱を冷却するための冷却水を噴射する冷却用ノズルNが固定されている。この冷却用ノズルNから噴射された冷却水は、ガラス基板10に接する砥石20の所定箇所に当たるようにして噴射される。
Although not shown in FIG. 7A, as shown in FIG. 7B, the
また、ガラス基板10上に付着した異物等(例えば他の工程において付着した異物等)を、砥石20に挟まれるガラス基板10の領域に持ち込ませないように除去するための水のスプレー噴射を行う異物除去用配水管40が配置されている。この異物除去用配水管40は、ガラス基板10上に水を噴射する噴射口もしくは不図示のノズルを備えている。
Further, water spray is performed to remove foreign matter or the like adhering to the glass substrate 10 (for example, foreign matter adhering in another process) so as not to be brought into the region of the
この基板研磨装置では、ガラス基板10の側面が、それと当接する砥石20の回転により研磨される。このとき、研磨時に生じるガラス粒子等の研磨屑が、上記冷却水と混合され、この混合水が砥石20の回転による遠心力によりガラス基板10の中央に向かって飛散する。
In this substrate polishing apparatus, the side surface of the
なお、本願に関連する技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
従来例に係る基板研磨装置では、中央ノズル31からの水の噴射により、その水がガラス基板10上を外部へ向かって流れるようにすることで、研磨屑を含む上記冷却水を押し流し、ガラス基板10上での研磨屑の付着を防止するようにしていた。しかしながら、砥石20の回転による遠心力によって飛散する研磨屑を含む水(主に冷却水)の勢いが、中央ノズル31から外部へ向かう水の勢いよりも強いため、研磨屑の付着を充分に防止することが不可能もしくは困難であった。
In the substrate polishing apparatus according to the conventional example, by spraying water from the
その結果、乾燥工程後のガラス基板10上に研磨屑が付着したままになる場合がある。この場合、その後の工程においてガラス基板10上に形成される所定の層(例えば有機EL材料等)は、その残留した研磨屑上に形成されることになる。これにより、ガラス基板10上に形成される所定の層は形成不良となり、表示パネルの歩留まりが低下するという問題が生じていた。
As a result, polishing dust may remain attached on the
この問題に対して、ブラシの当接により研磨屑を除去することが考えられる。しかしながら、ガラス基板10上に既に形成されている層がある場合、ガラス粒子である研磨屑は、その層に突き刺さるように付着しているため、その研磨屑の除去は困難であった。もしくは、ブラシの当接により、ガラス基板10の表面に損傷が生じて表示パネルの歩留まりが低下する場合があった。
In order to solve this problem, it is conceivable to remove polishing debris by contact of a brush. However, when there is a layer that is already formed on the
そこで本発明は、ガラス等から成る基板の側面を面取りする基板研磨装置において、研磨時に生じる研磨屑の基板上での付着防止及び除去を図る。 Therefore, the present invention aims at preventing and removing adhesion of polishing waste generated during polishing in a substrate polishing apparatus for chamfering the side surface of a substrate made of glass or the like.
本発明の基板研磨装置は、上述した課題に鑑みて為されたものであり、基板を保持して所定の進行方向に移動する保持テーブルと、回転可能な砥石と、砥石を支持して回転させると共にその砥石が基板の側面に当接する位置に至るまで移動する回転装置と、保持テーブルの端部上において上記所定の進行方向に沿って延びるように配置された配水管と、砥石側に対向して配水管に所定の間隔で接続され、基板の端部上に水をスプレー噴射する複数のノズルと、を備え、基板の側面が、回転した砥石と当接することにより研磨され、その研磨時に発生する研磨屑が、複数のノズルから砥石側に向かって基板の端部上にスプレー噴射された水により、砥石側に押し流されることを特徴とする。 The substrate polishing apparatus of the present invention has been made in view of the above-described problems, and supports and rotates a holding table that holds a substrate and moves in a predetermined traveling direction, a rotatable grindstone, and a grindstone. And a rotating device that moves to a position where the grindstone comes into contact with the side surface of the substrate, a water distribution pipe arranged to extend along the predetermined traveling direction on the end of the holding table, and the grindstone side. A plurality of nozzles connected to the water distribution pipe at predetermined intervals and spraying water onto the edge of the substrate, and the side surface of the substrate is polished by abutting against the rotating grindstone, which occurs during the polishing. The polishing debris to be carried out is washed away to the grindstone side by water sprayed onto the edge of the substrate from the plurality of nozzles toward the grindstone side.
また、本発明の基板研磨装置は、上記構成に加えて、配水管が、基板の長手方向の長さよりも長く延びており、その長手方向の全体にわたって、砥石側に対向して複数のノズルが所定の間隔で接続されていることを特徴とする。 Further, in the substrate polishing apparatus of the present invention, in addition to the above configuration, the water distribution pipe extends longer than the length in the longitudinal direction of the substrate, and a plurality of nozzles are opposed to the grindstone side throughout the longitudinal direction. They are connected at a predetermined interval.
また、本発明の基板研磨装置は、基板を保持して所定の進行方向に移動する保持テーブルと、回転可能な砥石と、砥石を支持して回転させると共にその砥石が基板の側面に当接する位置に至るまで移動する回転装置と、保持テーブルの端部上において砥石を囲むように配置された配水管と、砥石の中心軸に対向して配水管に所定の間隔で接続され、基板の端部上に水をスプレー噴射する複数のノズルと、を備え、基板の側面が、回転した砥石と当接することにより研磨され、その研磨時に発生する研磨屑が、複数のノズルから砥石側に向かって基板の端部上にスプレー噴射された水により、砥石側に押し流されることを特徴とする。 Further, the substrate polishing apparatus of the present invention has a holding table that holds the substrate and moves in a predetermined traveling direction, a rotatable grindstone, a position that supports and rotates the grindstone, and the grindstone contacts the side surface of the substrate. A rotating device that moves to the end of the holding table, a water distribution pipe arranged to surround the grindstone on the end of the holding table, and an end of the substrate that is connected to the water distribution pipe at a predetermined interval so as to face the central axis of the grindstone A plurality of nozzles for spraying water on the substrate, and the side surface of the substrate is polished by contacting with the rotating grindstone, and polishing debris generated at the time of polishing is substrate from the plurality of nozzles toward the grindstone side The water is sprayed onto the end of the steel plate and is washed away to the grindstone side.
また、本発明の基板研磨装置は、上記構成に加えて、配水管が、それに接続されたノズルと砥石との距離が常に一定となるようにして、回転装置に固定されていることを特徴とする。 Further, the substrate polishing apparatus of the present invention is characterized in that, in addition to the above configuration, the water distribution pipe is fixed to the rotating device so that the distance between the nozzle connected to it and the grindstone is always constant. To do.
本発明によれば、基板研磨装置において、研磨時に生じる基板上の研磨屑を、基板上に付着させずに除去することができる。結果として、その基板を用いて製造される装置の歩留まりを向上することができる。 According to the present invention, in the substrate polishing apparatus, polishing debris on the substrate generated during polishing can be removed without adhering to the substrate. As a result, the yield of an apparatus manufactured using the substrate can be improved.
例えば、有機EL表示パネルに用いるガラス基板の側面を研磨して面取りする場合、そのガラス基板上の研磨屑が極力除去されるため、後の有機EL材料の蒸着工程における歩留まりが向上し、結果として有機EL表示パネルの歩留まりが向上する。 For example, when polishing and chamfering the side surface of a glass substrate used for an organic EL display panel, since the polishing waste on the glass substrate is removed as much as possible, the yield in the subsequent organic EL material vapor deposition process is improved, and as a result The yield of the organic EL display panel is improved.
次に、本発明の第1の実施形態に係る基板研磨装置について図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板研磨装置を説明する図である。なお、図1(A)はその基板研磨装置の上面図であり、図1(B)は図1(A)のX−X線に沿った断面図である。また、図1(A)及び図1(B)では、従来例に係る図7に示す基板研磨装置と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を行うものとする。また、図1(A)のX−X線上には後述する側部ノズル32が存在していないが、図1(B)では、説明の便宜上これを図示している。
Next, a substrate polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining a substrate polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 1A is a top view of the substrate polishing apparatus, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 1A. 1A and 1B, components similar to those of the conventional substrate polishing apparatus shown in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals and described. Moreover, although the
図1(A)及び図1(B)に示すように、この基板研磨装置は、ガラス基板10を保持して、所定の進行方向(研磨の対象となるガラス基板10の側面に沿った方向)に移動可能であり、かつ回転可能な保持テーブルTBを備えている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate polishing apparatus holds a
そして、保持テーブルTBの両側(即ちその所定の進行方向に沿った側)には、ガラス基板10の側面と対向にして、中心軸Cを回転軸として回転する円盤状の砥石20、及び砥石20を支持すると共に中心軸Cで回転させる回転装置21が配置されている。また、この回転装置21は、それ自体が移動可能である構成を有しており、砥石20がガラス基板10の側面に当接される位置に至るまで移動する。なお、この移動は、例えば、互いに長さの異なる第1の辺及び第2の辺を有したガラス基板10を研磨の対象とした場合に、研磨する側面を一方の辺に切り換える度に行われる。
Then, on both sides of the holding table TB (that is, the side along the predetermined traveling direction), a disc-
また、保持テーブルTBの両端部(即ちガラス基板10の両端部)の上方には、保持テーブルTBの進行方向に沿って平行に、かつ砥石20の直径の長さ程度に延びるようにして、第1の配水管30Aが配置されている。
Further, above both end portions of the holding table TB (that is, both end portions of the glass substrate 10), the length extends in parallel with the traveling direction of the holding table TB and about the length of the diameter of the
このガラス基板10の端部上に配置された第1の配水管30Aには、ガラス基板10の端部上に水をスプレー噴射する複数の側部ノズル32が所定の間隔(例えば約70mm)で接続されている。この側部ノズル32は、その噴射口を砥石20側に向けて、ガラス基板10の表面に対する所定の噴射角度θを以って配置されている。この所定の噴射角度θは、例えば約45度である。
In the first
さらにいえば、第1の配水管30A及び側部ノズル32は、それらから噴射された水が、ガラス基板10の表面の端部のうち、その最端部を除く砥石20に近い位置(例えばガラス基板10の外縁から5mm〜10mm程度内側の位置)に当たるようにして配置されていることが好ましい。
Furthermore, in the first
なお、第1の配水管30Aは、保持テーブルTBの両端部上のみならず、図7の従来例で示した固定配水管30と同様に保持テーブルTBの中央部の上方に延びて配置され、その端部にはガラス基板10上の全体に水を放射状にスプレー噴射する中央ノズル31が接続されている。また、図示しないが、図7の従来例と同様に、回転装置21には、研磨中の砥石20に生じる摩擦熱を冷却するための冷却水を噴射する冷却用ノズル(即ち図7の冷却用ノズルN)が固定されている。この冷却用ノズルNから噴射された冷却水は、ガラス基板10に接する砥石20の所定箇所に当たるようにして噴射される。
The first
次に、上記構成の基板研磨装置の動作について説明する。最初に、ガラス基板10を保持した保持テーブルTBが、その両側に配置された砥石20の間を所定の進行方向に沿って移動する。このとき、回転装置21は砥石20をガラス基板10の側面に当接するようにして、ガラス基板10に向かって移動する。そして、ガラス基板10の側面が、それと当接した砥石20の回転により研磨される。
Next, the operation of the substrate polishing apparatus having the above configuration will be described. First, the holding table TB holding the
それと同時に、ガラス基板10上に中央ノズル31及び側部ノズル32から水が噴射され、その水がガラス基板10上から外部へ向かって流れようとする。また、不図示の冷却用ノズルからの冷却水が、砥石20に当てられる。ここで、上記冷却水は研磨屑を含みながら、砥石20の回転による遠心力によってガラス基板10の中央に向かって飛散するが、この冷却水の飛散は、側部32ノズルから噴射される水の圧力により防止される。これにより、研磨屑をガラス基板10上に付着させずに除去することが可能となる。
At the same time, water is sprayed from the
なお、図1に示した基板研磨装置では、側部ノズル32からスプレー噴射された水の圧力によって砥石20側に向かう水流を形成できる範囲は、ガラス基板10の端部上のうち、砥石20との当接箇所(側部ノズル32から噴射された水が当たる箇所)の近傍に限られていた。そのため、砥石20との当接箇所より離れたガラス基板10上の領域、即ち、側部ノズル32から噴射された水の当たらないガラス基板10上の領域では、砥石20の遠心力によって飛散した研磨屑を含んだ冷却水が付着し、その冷却水に含まれた研磨屑が残留してしまう恐れがある。そこで、本発明の発明者らは、第1の実施形態に対して改良を加えた第2の実施形態を想到するに至った。
In the substrate polishing apparatus shown in FIG. 1, the range in which the water flow toward the
次に、本発明の第2の実施形態に係る基板研磨装置について図面を参照して説明する。図2は、本発明の第2の実施形態に係る基板研磨装置を説明する図である。なお、図1に示した第1の実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。 Next, a substrate polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In addition, about the component similar to 1st Embodiment shown in FIG. 1, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
図2(A)及び図2(B)に示すように、この基板研磨装置では、保持テーブルTB(即ちガラス基板10)の中央の上方に延びるようにして、図7の従来例に示したものと同様の固定配水管30及び中央ノズル31が配置されている。
As shown in FIGS. 2A and 2B, this substrate polishing apparatus is shown in the conventional example of FIG. 7 so as to extend above the center of the holding table TB (that is, the glass substrate 10). The same fixed
さらに、保持テーブルTBの両端部(即ちガラス基板10の両端部)の上方には、保持テーブルTBの所定の進行方向に沿って平行に延び、かつ砥石20と対向するガラス基板10の辺の全体を覆うようにして、第2の配水管30Bが配置されている。即ち、第2の配水管30Bの長さは、ガラス基板10の長手方向(第1及び第2の辺の長さが等しい場合はその一辺)の長さ以上である。
Furthermore, above both ends of the holding table TB (that is, both ends of the glass substrate 10), the entire side of the
また、第2の配水管30Bには、その長手方向の全体にわたって、第1の実施形態と同様の複数の側部ノズル32が、所定の間隔(例えば約70mm)、及び所定の噴射角度θ(例えば45度)を以って接続されている。
Further, the second
さらにいえば、第2の配水管30B及び側部ノズル32は、それらから噴射された水が、ガラス基板10の表面の端部のうち、その最端部を除く砥石20に近い位置(例えばガラス基板10の外縁から5mm〜10mm程度内側の位置)に当たるようにして配置されていることが好ましい。
Furthermore, in the second
また、本実施形態では、第1の実施形態を改良した構成として、第2の配水管30Bは、回転装置21に固定されており、砥石20と側部ノズル32との距離を一定に保ちながら回転装置21と共に移動する。
In the present embodiment, as a configuration obtained by improving the first embodiment, the second
次に、上記構成の基板研磨装置の動作について説明する。この基板研磨装置では、第1の実施形態と同様に、ガラス基板10の研磨と同時に、中央ノズル31及び側部ノズル32からガラス基板10上に水がスプレー噴射され、その水は、ガラス基板10上から外部(砥石20側)へ向かって流れようとする。
Next, the operation of the substrate polishing apparatus having the above configuration will be described. In this substrate polishing apparatus, as in the first embodiment, simultaneously with polishing of the
ここで、第1の実施形態とは異なり、第2の配水管30B及び側部ノズル32は、砥石20と対向するガラス基板10の端部上の全体を覆うようにして配置されている。そのため、その辺の全体にわたって、上記砥石20側に向かう水流を形成することができ、ガラス基板10の中央に向かう流れを抑制できる。
Here, unlike the first embodiment, the second
また、第1の実施形態とは異なり、研磨の対象となるガラス基板10の側面を第1及び第2の辺うちの一方に切り換えた際に、ガラス基板10に当接する砥石20の位置が回転装置21の移動により変化した場合においても、砥石20と側部ノズル32との距離が常に一定となる。従って、第1の実施形態に比してより確実に、スプレー噴射された水と共にガラス基板10上の研磨屑を、ガラス基板10上に付着させずに除去することが可能となる。
Unlike the first embodiment, when the side surface of the
なお、図1や図2に示した基板研磨装置では、研磨の対象となるガラス基板10の側面を第1及び第2の辺うちの一方に切り換える際に、保持テーブルTBによりガラス基板10を回転させる必要がある。その際に、側部ノズル32からガラス基板10上にスプレー噴射された水は、ガラス基板10の端部以外の領域にも到達してしまい、研磨屑を含む水をガラス基板10上に散乱させることになる。この問題に対処するため、本発明の発明者らは、第2の実施形態に対してさらなる改良を加えた第3の実施形態を想到するに至った。
In the substrate polishing apparatus shown in FIGS. 1 and 2, the
次に、本発明の第3の実施形態に係る基板研磨装置について図面を参照して説明する。図3は、本発明の第3の実施形態に係る基板研磨装置を説明する図である。なお、図3(A)はその基板研磨装置の上面図であり、図3(B)は図3(A)のY−Y線に沿った断面図である。また、図2に示した第2の実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。 Next, a substrate polishing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a diagram illustrating a substrate polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention. 3A is a top view of the substrate polishing apparatus, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line YY in FIG. 3A. Further, the same components as those of the second embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
図3(A)及び図3(B)に示すように、この基板研磨装置では、保持テーブルTB(即ちガラス基板10)の両側の端部の上方には、各砥石20を囲むようにして、かつその砥石20との距離が一定になるようにして第3の配水管30Cが配置されている。第3の配水管30Cには、ガラス基板10の端部上に水をスプレー噴射する複数の側部ノズル32が、砥石20の中心軸Cに対向して所定の間隔で接続されている。
As shown in FIGS. 3 (A) and 3 (B), in this substrate polishing apparatus, the
また、側部ノズル32は、そのスプレー噴射時のガラス基板10上の水流が、隣接する側部ノズル32からの水流と互いに接触しない(もしくは極力接触しない)ような角度を以って、第3の配水管30Cに接続されている。また、側部ノズル32のガラス基板10に対する所定の噴射角度θは、第1及び第2の実施形態と同様である。また、この第3の配水管30Cは、回転装置21に固定されており、砥石20と側部ノズル32との距離を一定に保ちながら、回転装置21と共に移動する。
Further, the
次に、この基板研磨装置の動作について図面を参照して説明する。図4は、この基板研磨装置の上面図であり、ガラス基板10の端部及びそれと接する砥石20近傍を拡大して示している。ただし、図4では、第3の配水管30Cの図示は省略している。
Next, the operation of the substrate polishing apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a top view of the substrate polishing apparatus, and shows an enlarged end portion of the
図3及び図4に示すように、ガラス基板10上に中央ノズル31及び側部ノズル32から水が噴射され、その水がガラス基板10上から外部へ向かって流れようとする。また、不図示の冷却用ノズルからの冷却水が砥石20に当てられる。ここで、上記冷却水は研磨屑を含み、砥石20の回転による遠心力によってガラス基板10の中央に向かって飛散するが、この冷却水は、側部ノズル32から噴射される水の圧力により、側部ノズル32より外側のガラス基板10上の領域A内に滞留する。そして、領域A内に滞留する研磨屑を含んだ冷却水は、砥石20の回転により生じた水流によって、ガラス基板10の外部へ排出される。
As shown in FIGS. 3 and 4, water is jetted from the
また、本実施形態では、研磨の対象となるガラス基板10の側面を第1及び第2の辺うちの一方に切り換えた際に、ガラス基板10と当接する砥石20の位置が回転装置21の移動により変化した場合においても、砥石20と側部ノズル32との距離が常に一定となる。
Further, in this embodiment, when the side surface of the
さらに、本実施形態では、第3の配水管30C及び側部ノズル32は、砥石20を囲むようにして配置されている。これにより、研磨の対象となるガラス基板10の側面を第1及び第2の辺うちの一方に切り換える際に、保持テーブルTBによりガラス基板10が回転する場合においても、側部ノズル32からスプレー噴射された水が、ガラス基板10の端部上以外の領域に到達することがない。
Furthermore, in this embodiment, the 3rd
また、側部ノズル32のスプレー噴射時の水流が、隣接する側部ノズル32からの水流と互いに接触しない(もしくは極力接触しない)ため、水流同士の干渉により、水流が弱くなることを回避できる。即ち、砥石20の回転によってガラス基板10の中央に向かって飛散する冷却水を砥石20側に押し返す水流を、極力大きく保つことが可能となる。従って、第1及び第2の実施形態に比してより確実に、ガラス基板10の端部上において、研磨屑をガラス基板10上に付着させずに除去することができる。
Moreover, since the water flow at the time of the spray injection of the
ところで、上述した第1、第2、及び第3の実施形態では、図5(A)に示すように、砥石20側からガラス基板10側面の断面をみると、側部ノズル32からスプレー噴射された水は、側部ノズル32を頂点として三角形状に広がる。即ち、複数の側部ノズル32からスプレー噴射された水の幕の間に、隙間50が存在する。そのため、図5(B)に示すように、2つの砥石20間を結ぶ線に沿ったガラス基板10の断面をみると、砥石20の回転やガラス基板10での跳ね返り等によってガラス基板10の中央に向かって飛散する飛沫、即ち研磨屑を含んだ冷却水や側部ノズル32からスプレー噴射された水の一部が、隙間50を通り抜けてガラス基板10の中央の表面上に到達するという問題が生じる場合があった。
By the way, in the first, second, and third embodiments described above, as shown in FIG. 5A, when the cross section of the side surface of the
そこで、上記問題に対処するため、上述した第1、第2、及び第3の実施形態では、上記飛沫を遮断するための飛沫防止壁60が配置されてもよい。次に、飛沫防止壁60について図6を参照して説明する。図6(A)は、砥石20側からガラス基板10側面をみた場合の基板研磨装置及びガラス基板10の断面を示している。また、図6(B)は、2つの砥石20間を結ぶ線に沿った基板研磨装置及びガラス基板10の断面を示している。
Therefore, in order to deal with the above problem, in the first, second, and third embodiments described above, the
図6(A)及び図6(B)に示すように、飛沫防止壁60は、上記飛沫を遮断するように、複数の側部ノズル32からスプレー噴射された水の幕の間に存在する隙間50を塞ぐようにして配置されている。また、飛沫防止壁60は、側部ノズル32からスプレー噴射された水に極力接触しない所定の形状及び面積を有している。図6では、飛沫防止壁60は五角形の形状を有しているが、その他の形状であってもよい。
As shown in FIGS. 6 (A) and 6 (B), the
また、飛沫防止壁60は、第1の配水管30A、第2の配水管30B、第3の配水管30Cの全体、もしくは一部に沿うようにして配置される。この飛沫防止壁60により、複数の側部ノズル32間らの隙間50が塞がれるため、上記飛沫のガラス基板10の中央への飛散を抑止することができる。
Moreover, the
なお、上述した第2の実施形態における第2の配水管30B、及び第3の実施形態に係る第3の配水管30Cは、回転装置21に接続されるものとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、研磨するガラス基板10の側面を第1の辺から第2の辺へ切り換える必要がない場合、第2の配水管30Bもしくは第3の配水管30Cは、保持テーブルTB(即ちガラス基板10)の端部の上方に配置されるものであれば、その位置に固定されていてもよい。
In addition, although the 2nd
また、上述した第1、第2、及び第3の実施形態では、異物除去用配水管40は、第1の配水管30Aもしくは固定配水管30と別個に配置されているが、本発明はこれに限定されず、異物除去用配水管40と、第1の配水管30Aもしくは固定配水管30とは、共通の配水管により構成されてもよい。
In the first, second, and third embodiments described above, the foreign matter removing
また、上述した第1、第2、及び第3の実施形態では、研磨の対象となる基板は、有機EL表示パネルに用いられるガラス基板10であるとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、有機EL表示パネル以外の表示パネル、例えば液晶表示パネルに用いられるガラス基板を研磨の対象とする場合についても適用できる。さらにいえば、上記ガラス基板の替わりに、ガラス以外の材料から成る基板、例えば半導体基板を研磨の対象としてもよい。
In the first, second, and third embodiments described above, the substrate to be polished is the
10 ガラス基板 20 砥石 21 回転装置
30 固定配水管 30A 第1の配水管 30B 第2の配水管
30C 第3の配水管 31 中央ノズル 32 側部ノズル
40 異物除去用配水管 50 隙間 60 飛沫防止壁
N 冷却用ノズル TB 保持テーブル
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記基板の側面が、回転した前記砥石と当接することにより研磨され、
その研磨時に発生する研磨屑が、前記複数のノズルから前記砥石側に向かって前記基板の端部上にスプレー噴射された水により、前記砥石側に押し流されることを特徴とする基板研磨装置。 A holding table that holds the substrate and moves in a predetermined traveling direction, a rotatable grindstone, a rotating device that supports and rotates the grindstone, and moves to a position where the grindstone contacts the side surface of the substrate; A water distribution pipe disposed on the end of the holding table so as to extend along the predetermined traveling direction; and on the end of the substrate connected to the water distribution pipe at a predetermined interval so as to face the grindstone side. A plurality of nozzles for spraying water
The side surface of the substrate is polished by coming into contact with the rotated grindstone,
Polishing debris generated at the time of polishing is washed away to the grindstone side by water sprayed onto the end of the substrate from the plurality of nozzles toward the grindstone side.
前記基板の側面が、回転した前記砥石と当接することにより研磨され、
その研磨時に発生する研磨屑が、前記複数のノズルから前記砥石側に向かって前記基板の端部上にスプレー噴射された水により、前記砥石側に押し流されることを特徴とする基板研磨装置。 A holding table that holds the substrate and moves in a predetermined traveling direction, a rotatable grindstone, a rotating device that supports and rotates the grindstone, and moves to a position where the grindstone contacts the side surface of the substrate; A water distribution pipe arranged on the end of the holding table so as to surround the grindstone, and connected to the water distribution pipe at a predetermined interval so as to face the central axis of the grindstone, and water on the end of the substrate. A plurality of nozzles for spraying,
The side surface of the substrate is polished by coming into contact with the rotated grindstone,
Polishing debris generated at the time of polishing is washed away to the grindstone side by water sprayed onto the end of the substrate from the plurality of nozzles toward the grindstone side.
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009081637A1 (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass plate face grinding device and method |
| JP2009172749A (en) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | End face grinding device for glass plate and method therefor |
| JP2010260132A (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | O M Ltd | Device for machining end face of plate material |
| CN102198638A (en) * | 2011-05-12 | 2011-09-28 | 无锡机床股份有限公司 | Grinding and cooling structure of grinding machine |
| JP2013022717A (en) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Dicing device |
| JP2016083738A (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 日本電気硝子株式会社 | Grinding method of plate glass |
| US9573239B2 (en) * | 2011-08-29 | 2017-02-21 | First Solar, Inc. | Apparatus and method employing a grinder wheel coolant guard |
| CN107322406A (en) * | 2017-08-04 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of substrate dirtproof cover and substrate edger unit |
| WO2018189239A1 (en) * | 2017-04-12 | 2018-10-18 | Berndorf Band Gmbh | Device and method for polishing a surface |
| JP2020500722A (en) * | 2016-11-29 | 2020-01-16 | コーニング インコーポレイテッド | Apparatus and method for edge treatment of sheet-like substrate |
-
2005
- 2005-06-15 JP JP2005175353A patent/JP2006346803A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009172749A (en) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | End face grinding device for glass plate and method therefor |
| KR101502903B1 (en) * | 2007-12-25 | 2015-03-18 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | Glass plate face grinding device and method |
| WO2009081637A1 (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass plate face grinding device and method |
| JP2010260132A (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | O M Ltd | Device for machining end face of plate material |
| CN102198638A (en) * | 2011-05-12 | 2011-09-28 | 无锡机床股份有限公司 | Grinding and cooling structure of grinding machine |
| JP2013022717A (en) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Dicing device |
| US9573239B2 (en) * | 2011-08-29 | 2017-02-21 | First Solar, Inc. | Apparatus and method employing a grinder wheel coolant guard |
| JP2016083738A (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 日本電気硝子株式会社 | Grinding method of plate glass |
| JP2020500722A (en) * | 2016-11-29 | 2020-01-16 | コーニング インコーポレイテッド | Apparatus and method for edge treatment of sheet-like substrate |
| JP7388925B2 (en) | 2016-11-29 | 2023-11-29 | コーニング インコーポレイテッド | Apparatus and method for edge treatment of sheet-like substrates |
| WO2018189239A1 (en) * | 2017-04-12 | 2018-10-18 | Berndorf Band Gmbh | Device and method for polishing a surface |
| CN107322406A (en) * | 2017-08-04 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of substrate dirtproof cover and substrate edger unit |
| CN107322406B (en) * | 2017-08-04 | 2019-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | A substrate antifouling cover and substrate edging equipment |
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