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JP2006319163A - EUV exposure equipment - Google Patents

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JP2006319163A
JP2006319163A JP2005140806A JP2005140806A JP2006319163A JP 2006319163 A JP2006319163 A JP 2006319163A JP 2005140806 A JP2005140806 A JP 2005140806A JP 2005140806 A JP2005140806 A JP 2005140806A JP 2006319163 A JP2006319163 A JP 2006319163A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
foreign matter
exposure apparatus
euv
foreign
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005140806A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriyuki Hirayanagi
徳行 平柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2005140806A priority Critical patent/JP2006319163A/en
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】 レチクルの静電チャック面に異物が付着した場合に、予めそれを検出して、不適当なレチクルを使用しないようにすることにより、正確な露光転写を行うことができるEUV露光装置を提供する。
【解決手段】 レチクル1は、真空ロボットの搬送アーム2に搭載された状態で、異物検査装置3の下側に搬送される。この状態で、レチクル1の上面が静電チャックに吸着される面、下面がパターンが形成された面となっている。異物検査装置3は、光源装置4を有しており、光源装置4から放出される照射光5がレチクル1の上面を照射する。レチクル1の上面である静電吸着面は平面となっており、異物が無い場合には、レチクル1で反射する光束が検出器7に入射しないように、検出器7が配置されている。静電吸着面に異物が存在すると、照射光5は散乱され、散乱光6が検出器7に入射する。これにより、静電吸着面に異物が存在するかどうかを検出することができる。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To detect an EUV exposure apparatus capable of performing an accurate exposure transfer by detecting in advance when a foreign matter adheres to an electrostatic chuck surface of a reticle and preventing the use of an inappropriate reticle. provide.
A reticle 1 is transported to the lower side of a foreign matter inspection apparatus 3 while being mounted on a transport arm 2 of a vacuum robot. In this state, the upper surface of the reticle 1 is a surface that is attracted to the electrostatic chuck, and the lower surface is a surface on which a pattern is formed. The foreign matter inspection apparatus 3 includes a light source device 4, and irradiation light 5 emitted from the light source device 4 irradiates the upper surface of the reticle 1. The electrostatic attraction surface which is the upper surface of the reticle 1 is a flat surface, and the detector 7 is arranged so that the light beam reflected by the reticle 1 does not enter the detector 7 when there is no foreign matter. When foreign matter is present on the electrostatic adsorption surface, the irradiation light 5 is scattered and the scattered light 6 enters the detector 7. Thereby, it is possible to detect whether or not a foreign substance exists on the electrostatic adsorption surface.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、EUV光を使用してレチクル上に形成されたパターンをウエハ上に露光転写するEUV露光装置に関するものである。   The present invention relates to an EUV exposure apparatus that exposes and transfers a pattern formed on a reticle onto a wafer using EUV light.

近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長(11〜14nm)のEUV光を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている。この技術は、最近ではEUV(Extreme UltraViolet)リソグラフィと呼ばれており、従来の波長190nm程度の光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、70nm以下の解像力を得られる技術として期待されている。   In recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuits, EUV light having a shorter wavelength (11 to 14 nm) is used in place of conventional ultraviolet rays in order to improve the resolving power of the optical system limited by the diffraction limit of light. Projection lithography techniques have been developed. This technique is recently called EUV (Extreme UltraViolet) lithography, and is expected as a technique capable of obtaining a resolution of 70 nm or less, which cannot be realized by conventional optical lithography using light having a wavelength of about 190 nm.

EUV光に対して透過率の高い物質は現在のところ見つかっておらず、従って、EUV光を使用した露光装置(EUV露光装置)においては、従来の露光装置におけるレンズのような透過屈折型の光学素子を使用できず、反射を利用した光学系が使用される。又、レチクル(ウエハを含む)も反射型のレチクルが使用されている。   At present, no substance having a high transmittance with respect to EUV light has been found. Therefore, in an exposure apparatus using EUV light (EUV exposure apparatus), a transmission refraction type optical element such as a lens in a conventional exposure apparatus is used. An element cannot be used, and an optical system utilizing reflection is used. In addition, the reticle (including the wafer) is also a reflective reticle.

露光装置においては、レチクルは、通常レチクルステージに装着して使用される。従来の露光装置においては、レチクルは、真空吸着等により、レチクルの下側をレチクルステージに支えられるような形でレチクルステージに装着されていた。そして、レチクルをレチクルステージに真空吸着等により固定する部分は、レチクルパターンの形成された部分の外側が使用され、その大きさも小さなもので十分であった。   In an exposure apparatus, a reticle is usually used by being mounted on a reticle stage. In the conventional exposure apparatus, the reticle is mounted on the reticle stage such that the lower side of the reticle is supported by the reticle stage by vacuum suction or the like. Further, the portion where the reticle is fixed to the reticle stage by vacuum suction or the like is used outside the portion where the reticle pattern is formed, and it is sufficient that the size is small.

しかしながら、EUV露光装置においては、露光装置の本体部が高度の真空雰囲気中に置かれるため、レチクルを真空吸着でレチクルステージに固定することができず、静電チャックを使用してレチクルステージに固定するのが一般的である。又、レチクルが反射型であり、レチクルのパターン面が下側となるように配置される必要がある。そのため、静電チャックにより吸着される面は、レチクルパターンが形成される面と反対側の面に置かれ、レチクルは上方から静電チャックにより、レチクルパターンが形成された面と反対側の面(以下、レチクルパターンが形成された面を「表面側」、その反対側の面を「裏面側」と呼ぶことがある。)をレチクルステージに固定されることになる。   However, in the EUV exposure apparatus, the main body of the exposure apparatus is placed in a highly vacuum atmosphere, so the reticle cannot be fixed to the reticle stage by vacuum suction, and is fixed to the reticle stage using an electrostatic chuck. It is common to do. Further, the reticle is a reflection type, and it is necessary to arrange the reticle so that the pattern surface is on the lower side. Therefore, the surface to be attracted by the electrostatic chuck is placed on the surface opposite to the surface on which the reticle pattern is formed, and the reticle is the surface on the opposite side to the surface on which the reticle pattern is formed by the electrostatic chuck from above ( Hereinafter, the surface on which the reticle pattern is formed may be referred to as “front surface side” and the opposite surface may be referred to as “back surface side”).

このような場合、静電チャックは、レチクルの重量を支える必要があるので、チャック面を大きくする必要があり、従って、レチクルの裏面側の大部分が静電チャック面となり、かつ、レチクルの上面側となる。このような状態においては、レチクル裏面側の静電チャック面にゴミ等の異物が付着しやすい。   In such a case, since the electrostatic chuck needs to support the weight of the reticle, it is necessary to enlarge the chuck surface. Therefore, most of the back side of the reticle becomes the electrostatic chuck surface, and the upper surface of the reticle. Become the side. In such a state, foreign matter such as dust tends to adhere to the electrostatic chuck surface on the back side of the reticle.

レチクル裏面側に異物が付着すると、レチクルをレチクルステージに固定した場合に、レチクル基板が変形してその影響がレチクルの表面側まで及び、レチクルパターン位置が変化するという問題点がある。このことにより、所望のレチクルパターンを正確にウエハ等の感応基板上に露光転写できなくなる。   If foreign matter adheres to the back side of the reticle, there is a problem that when the reticle is fixed to the reticle stage, the reticle substrate is deformed and the influence extends to the front side of the reticle and the reticle pattern position changes. This makes it impossible to accurately transfer a desired reticle pattern onto a sensitive substrate such as a wafer.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、レチクルの静電チャック面に異物が付着した場合に、予めそれを検出して、不適当なレチクルを使用しないようにすることができるEUV露光装置を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and in the case where foreign matter adheres to the electrostatic chuck surface of the reticle, it can be detected in advance, and an EUV that does not use an inappropriate reticle can be used. It is an object to provide an exposure apparatus.

前記課題を解決するための第1の手段は、EUV光を使用してレチクル上に形成されたパターンをウエハ上に露光転写するEUV露光装置であって、前記レチクルのEUV装置本体部に保持される部分に存在する異物を検査する異物検査装置を有することを特徴とするEUV露光装置である。   A first means for solving the above-mentioned problem is an EUV exposure apparatus that exposes and transfers a pattern formed on a reticle onto a wafer using EUV light, and is held by the EUV apparatus main body of the reticle. An EUV exposure apparatus comprising a foreign matter inspection apparatus for inspecting foreign matter existing in a portion to be exposed.

本手段においては、異物検査装置により、レチクルのEUV装置本体部に保持される部分に存在する異物を検査することができるので、異物の存在するレチクルを露光転写に使用しないようにすることができ、露光転写精度を向上させることができる。なお、EUV装置本体部とは、照明光学系、レチクルステージ、投影光学系、ウエハステージを主要部分として形成され、直接露光転写に寄与する部分を言う。   In this means, the foreign matter inspection apparatus can inspect the foreign matter existing in the portion of the reticle held by the main body of the EUV apparatus, so that the reticle containing the foreign matter can be prevented from being used for exposure transfer. , Exposure transfer accuracy can be improved. The EUV apparatus main body refers to a portion that is formed mainly with an illumination optical system, a reticle stage, a projection optical system, and a wafer stage and contributes directly to exposure transfer.

前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記レチクルを、前記露光装置本体部に搬送する搬送装置中に前記異物検査装置を有し、前記搬送装置は、前記異物検査装置による異物検査結果が基準値を満たす場合にのみ、前記レチクルを前記露光装置本体部に搬送する機能を有することを特徴とするものである。   A second means for solving the above-mentioned problem is the first means, wherein the foreign matter inspection device is included in a transport device that transports the reticle to the exposure apparatus main body, and the transport device is The reticle has a function of transporting the reticle to the exposure apparatus main body only when the result of foreign matter inspection by the foreign matter inspection apparatus satisfies a reference value.

本手段においては、レチクルを露光装置本体部に搬送する搬送装置中に異物検査装置を有するので、レチクルを露光装置本体部に装着するために搬送する途中で異物検査を行うことが可能となり、搬送シーケンス動作中に異物検査工程を含めることが可能となる。そして、異物検査装置による異物検査結果が基準値を満たす場合にのみ、レチクルを露光装置本体部に搬送して装着し、使用するようにすることができる。   In this means, since the foreign material inspection device is included in the transport device for transporting the reticle to the exposure apparatus main body, it becomes possible to inspect the foreign material in the middle of transporting the reticle for mounting on the exposure device main body. It is possible to include a foreign substance inspection process during the sequence operation. Then, only when the result of foreign matter inspection by the foreign matter inspection apparatus satisfies the reference value, the reticle can be transported and mounted on the exposure apparatus main body for use.

前記課題を解決するための第3の手段は、前記第2の手段であって、前記レチクルは、外部からカバーで覆われた状態で前記搬送装置中に入れられ、前記搬送装置中で、前記レチクルが前記EUV装置本体部に保持される部分側のカバーが取り外された後に、前記異物検査装置による異物検査が行われるようにされていることを特徴とするものである。   A third means for solving the problem is the second means, wherein the reticle is placed in the transport device in a state of being covered with a cover from the outside, and in the transport device, The foreign matter inspection is performed by the foreign matter inspection apparatus after the cover on the part side where the reticle is held by the main body of the EUV device is removed.

通常、レチクルは、ゴミ等の付着を避けるために、カバーで覆われている。カバーは上蓋と下蓋からなる容器型の場合もあれば、レチクルの上下面を覆い容器の形をしない形態のものも用いられる。そして、搬送装置中の真空部分で、レチクルステージの静電チャックで吸着される側(レチクルの裏面側であり、通常上側)のカバーが取られ、レチクルステージの静電チャックで吸着可能な状態としてから露光装置本体部に搬送される。本手段においては、このような場合に、レチクルがEUV装置本体部に保持される裏面側の容器のカバーが取り外された後に、異物検査装置による異物検査を行うようにしているので、カバーの影響を受けることなく、正確な異物検査が可能となる。   Usually, the reticle is covered with a cover in order to avoid adhesion of dust and the like. The cover may be a container type composed of an upper lid and a lower lid, or a cover that does not have the shape of a container covering the upper and lower surfaces of the reticle. Then, in the vacuum part in the transfer device, the cover on the side that is attracted by the electrostatic chuck of the reticle stage (the back side of the reticle, usually the upper side) is removed, and the vacuum can be attracted by the electrostatic chuck of the reticle stage. To the exposure apparatus main body. In this means, in such a case, after the cover of the container on the back side where the reticle is held by the EUV apparatus main body is removed, the foreign substance inspection is performed by the foreign substance inspection apparatus. Accurate foreign matter inspection can be performed without receiving the test.

本発明によれば、レチクルの静電チャック面に異物が付着した場合に、予めそれを検出して、不適当なレチクルを使用しないようにすることにより、正確な露光転写を行うことができるEUV露光装置を提供することができる。また、汚れたレチクルをチャックすることでレチクル静電チャックに異物が付着することを低減可能である。   According to the present invention, when foreign matter adheres to the electrostatic chuck surface of a reticle, it can be detected in advance, and EUV that can perform accurate exposure transfer by preventing the use of an inappropriate reticle. An exposure apparatus can be provided. Further, by chucking the dirty reticle, it is possible to reduce the adhesion of foreign matter to the reticle electrostatic chuck.

以下、本発明の実施の形態の例を図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態であるEUV露光装置に使用する異物検査装置の例を示す図である。レチクル1は、後に説明する真空ロボットの搬送アーム2に搭載された状態で、異物検査装置3の下側に搬送される。異物検査装置3の下側は、光が通過する部分にのみ開口が設けられており、迷光が検査に影響しないようにされている。この状態で、レチクル1の上面が静電チャックに吸着される面、下面がパターンが形成された面となっている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example of a foreign matter inspection apparatus used in an EUV exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The reticle 1 is transported to the lower side of the foreign matter inspection apparatus 3 while being mounted on a transport arm 2 of a vacuum robot described later. The lower side of the foreign substance inspection apparatus 3 is provided with an opening only in a portion through which light passes so that stray light does not affect the inspection. In this state, the upper surface of the reticle 1 is a surface that is attracted to the electrostatic chuck, and the lower surface is a surface on which a pattern is formed.

異物検査装置3は、光源装置4を有しており、光源装置4から放出される照射光5が、レチクル1の上面に照射される。レチクル1の上面である静電吸着面は平面となっており、異物が無い場合にレチクル1で反射する光束が検出器7に入射しないように検出器7が配置される。静電吸着面に異物が存在すると、照射光5は散乱され、散乱光6が検出器7に入射する。これにより、静電吸着面に異物が存在するかどうかを検出することができる。なお、レチクル1に照射される照射光5は、ポイントビーム、ラインビーム等、各種のビーム形状を用いることができる。搬送アーム2を移動させることにより、静電吸着面全面の異物検査を行うことができる。なお、周知の技術であるので図示を省略するが、異物検査装置3の代わりに光学顕微鏡と撮像装置、画像処理装置を組み合わせて、光学顕微鏡と撮像装置により撮像した静電吸着面の像を、画像処理することにより異物の存在を検出するようにしてもよい。また、本例では、レチクル1が照射光5を反射する場合について説明したが、レチクル1が照射光5を透過する場合でも、同様に散乱光6を検出することにより異物の有無を検出可能である。また、異物検査の手法は、上述の例に限らず、公知の手法を適宜使用することが可能である。   The foreign matter inspection apparatus 3 has a light source device 4, and irradiation light 5 emitted from the light source device 4 is irradiated on the upper surface of the reticle 1. The electrostatic attraction surface which is the upper surface of the reticle 1 is a flat surface, and the detector 7 is arranged so that the light beam reflected by the reticle 1 does not enter the detector 7 when there is no foreign object. When a foreign substance exists on the electrostatic adsorption surface, the irradiation light 5 is scattered and the scattered light 6 enters the detector 7. Thereby, it is possible to detect whether or not a foreign substance exists on the electrostatic adsorption surface. Note that the irradiation light 5 applied to the reticle 1 can use various beam shapes such as a point beam and a line beam. By moving the transfer arm 2, foreign matter inspection on the entire surface of the electrostatic chucking surface can be performed. Although not shown in the figure because it is a well-known technique, an image of the electrostatic chucking surface imaged by the optical microscope and the imaging device by combining an optical microscope, an imaging device, and an image processing device instead of the foreign substance inspection device 3, The presence of foreign matter may be detected by image processing. Further, in this example, the case where the reticle 1 reflects the irradiation light 5 has been described. However, even when the reticle 1 transmits the irradiation light 5, the presence or absence of a foreign object can be detected by detecting the scattered light 6 similarly. is there. In addition, the method for inspecting foreign matter is not limited to the above example, and a known method can be used as appropriate.

このような異物検査装置を、EUV露光装置の一部であり、EUV露光装置にレチクルを搬送する搬送装置中に組み込んだ例を図2に示す。   FIG. 2 shows an example in which such a foreign matter inspection apparatus is incorporated in a transport apparatus that is a part of an EUV exposure apparatus and transports a reticle to the EUV exposure apparatus.

クリーンフィルタポッド12内に収納され、さらにレチクルキャリア13内に収納された状態で、外部から搬送されてきたレチクル11は、大気ロボット22により、レチクルキャリアオープナ23に搬入され、レチクルキャリア13内からレチクルキャリアオープナ23内の清浄雰囲気中へクリーンフィルタポッド12が取り出される。その後、大気ロボット24により、クリーンフィルタポッド12が取り出されてロードロック室25中に搬入される。なお、大気ロボット24を含むロードロック室25とレチクルキャリアオープナ23との間の光路は清浄雰囲気となっている。   The reticle 11 that has been stored in the clean filter pod 12 and further transferred from the outside in the state of being stored in the reticle carrier 13 is carried into the reticle carrier opener 23 by the atmospheric robot 22, and is transferred from the reticle carrier 13 to the reticle carrier. The clean filter pod 12 is taken out into the clean atmosphere in the opener 23. Thereafter, the clean filter pod 12 is taken out by the atmospheric robot 24 and carried into the load lock chamber 25. The optical path between the load lock chamber 25 including the atmospheric robot 24 and the reticle carrier opener 23 is a clean atmosphere.

そして、ロードロック室25内にて、真空引きが行われ、ロードロック室25内及びクリーンフィルタポッド12内が真空状態となる。真空引きが完了した後、クリーンフィルタポッド12が真空ロボット26によりロードロック室25内から取り出される。すなわち、ロードロック室25には、2つの扉25a、25bが取り付けられており、ロードロック室25が大気開放状態のとき、扉25bを閉めて、扉25aを開け、クリーンフィルタポッド12をレチクルキャリアオープナ23内から搬入し、その後、扉25aを閉めて真空引きを行い、真空引きが完了した後は、扉25bを開けて、真空ロボット26によりクリーンフィルタポッド12を真空領域内に取り出す。   Then, evacuation is performed in the load lock chamber 25, and the load lock chamber 25 and the clean filter pod 12 are evacuated. After the evacuation is completed, the clean filter pod 12 is taken out from the load lock chamber 25 by the vacuum robot 26. That is, two doors 25a and 25b are attached to the load lock chamber 25. When the load lock chamber 25 is open to the atmosphere, the door 25b is closed, the door 25a is opened, and the clean filter pod 12 is attached to the reticle carrier opener. Then, the door 25a is closed and evacuation is performed. After the evacuation is completed, the door 25b is opened, and the vacuum robot 26 takes out the clean filter pod 12 into the vacuum region.

真空領域内に搬入されたクリーンフィルタポッド12は、真空レチクルライブラリ27中に搬入され、そこで一時的に保管される。実際に、EUV露光装置本体においてレチクル11を使用するときは、それを収納したクリーンフィルタポッド12が、真空ロボット26により真空レチクルライブラリ27から取り出され、CFPオープナ28内に搬入され、CFPオープナ28により、クリーンフィルタポッド12の上蓋がレチクル11と下蓋から分離される。   The clean filter pod 12 carried into the vacuum region is carried into the vacuum reticle library 27 where it is temporarily stored. Actually, when the reticle 11 is used in the EUV exposure apparatus main body, the clean filter pod 12 storing the reticle 11 is taken out from the vacuum reticle library 27 by the vacuum robot 26 and carried into the CFP opener 28, and the CFP opener 28 The upper cover of the clean filter pod 12 is separated from the reticle 11 and the lower cover.

その後、レチクル11は、下蓋の上に載った状態で、真空ロボット26により、EUV露光装置本体のレチクルステージ29aまで搬送される。そして、レチクルステージ29aが有する静電チャックによりチャッキングされて、下蓋と分離され、露光に使用される。分離された下蓋は、真空ロボット26によりCFPオープナ28内に戻され、真空ロボット26に保持された状態で、レチクル11の使用が終了するまで待機する。   Thereafter, the reticle 11 is transported to the reticle stage 29a of the EUV exposure apparatus main body by the vacuum robot 26 while being placed on the lower lid. Then, it is chucked by the electrostatic chuck of the reticle stage 29a, separated from the lower lid, and used for exposure. The separated lower lid is returned to the CFP opener 28 by the vacuum robot 26 and is held by the vacuum robot 26 until the use of the reticle 11 is completed.

レチクル11の使用が終了すると、真空ロボット26が下蓋をレチクルステージ29aまで搬送する。そして所定の位置で停止した状態で静電チャックのチャッキングを解除すると、レチクル11が下蓋の上に載置される。その状態で、真空ロボット26が下蓋をCFPオープナ28内に搬送し、CFPオープナ28内で先に分離した上蓋を下蓋にかぶせる。その後、真空ロボット26は、クリーンフィルタポッド12を真空レチクルライブラリ27中に戻し保管する。   When the use of the reticle 11 is finished, the vacuum robot 26 conveys the lower lid to the reticle stage 29a. When the chucking of the electrostatic chuck is released while stopped at a predetermined position, the reticle 11 is placed on the lower lid. In this state, the vacuum robot 26 transports the lower lid into the CFP opener 28, and covers the lower lid with the upper lid previously separated in the CFP opener 28. Thereafter, the vacuum robot 26 returns the clean filter pod 12 to the vacuum reticle library 27 for storage.

クリーンフィルタポッド12を真空領域から取り出すときは、真空ロボット26により真空レチクルライブラリ27中のクリーンフィルタポッド12をロードロック室25中に入れ、そこでロードロック室25内を大気圧とした後、大気ロボット24によりレチクルキャリアオープナ23中に戻し、レチクルキャリア13中に収納して大気レチクルストッカ21内に格納する。そして、大気レチクルストッカ21に収納されている所望のレチクルキャリア13を作業者あるいはロボットが外部に搬出する。   When the clean filter pod 12 is removed from the vacuum region, the clean filter pod 12 in the vacuum reticle library 27 is placed in the load lock chamber 25 by the vacuum robot 26, and the atmospheric pressure is set in the load lock chamber 25, and then the atmospheric robot 24 is used. It is returned to the reticle carrier opener 23, stored in the reticle carrier 13, and stored in the atmospheric reticle stocker 21. Then, an operator or a robot carries out a desired reticle carrier 13 stored in the atmospheric reticle stocker 21 to the outside.

本発明の実施の形態であるEUV露光装置の搬送装置においては、CFPオープナ28の入側に、前述の異物検出装置3が設けられている。そして、CFPオープナ28によって、クリーンフィルタポッド12の上蓋が取り外され、レチクル11が真空ロボット26の搬送アームに載置されてレチクルステージ29aに搬送される前に、図1に示したような方法でレチクル11の静電チャック装着面の異物検査を行う。異物検査の結果が、予め定められた基準を満たすとき、真空ロボット26は、前述のようにレチクル11をレチクルステージ29aに搬送する。異物検査の結果が、予め定められた基準を満たさないときは、そのレチクル11は、CFPオープナ28内に戻され、上蓋を被せられて、前述のようなシーケンスに従って搬送装置の外に搬出され、洗浄等の処理を受ける。この基準として、例えば、異物の大きさや個数(例えば、100nm以上の異物が10個以下、500nm以上の異物が0個等)を予め設定しておき、これを超えるときには、不良とするようにすることができる。   In the transport apparatus of the EUV exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, the aforementioned foreign matter detection apparatus 3 is provided on the entry side of the CFP opener 28. Then, the upper cover of the clean filter pod 12 is removed by the CFP opener 28, and the reticle 11 is placed on the transfer arm of the vacuum robot 26 and transferred to the reticle stage 29a by the method shown in FIG. 11 performs foreign matter inspection on the electrostatic chuck mounting surface. When the result of the foreign substance inspection satisfies a predetermined standard, the vacuum robot 26 conveys the reticle 11 to the reticle stage 29a as described above. When the result of the foreign object inspection does not satisfy a predetermined standard, the reticle 11 is returned into the CFP opener 28, covered with an upper lid, and carried out of the conveying device according to the sequence as described above. Receive treatment such as washing. As this reference, for example, the size and the number of foreign matters (for example, 10 or less foreign matters of 100 nm or more, 0 foreign matters of 500 nm or more, etc.) are set in advance. be able to.

以下、図2に示された露光装置(EUV露光装置)29の本体部の概要を図3を用いて説明する。図3において、EUV露光装置は、レチクルステージ29a、投影光学系32、ウエハステージ33を中心として構成されている。この他に、EUV光を発生してレチクルを照明する照明光学系があるが、図3においては図示を省略している。   The outline of the main body of the exposure apparatus (EUV exposure apparatus) 29 shown in FIG. 2 will be described below with reference to FIG. In FIG. 3, the EUV exposure apparatus is configured around a reticle stage 29a, a projection optical system 32, and a wafer stage 33. In addition, there is an illumination optical system that emits EUV light and illuminates the reticle, but this is not shown in FIG.

レチクルステージ29aには、レチクルチャック34が取り付けられており、静電力によりレチクル35を保持している。同様、ウエハステージ33には、ウエハチャック36が設けられており、ウエハ37を保持している。照明光学系から照射される均一な照明光38でレチクル35のパターン面を照射し、その像を、投影光学系32によりウエハ37に塗布されたレジスト上に投影する。レチクルステージ31とウエハステージ33を同期して走査することにより、レチクル35のパターン面に形成されたパターンの全てをウエハ37に塗布されたレジスト上に投影することができる。   A reticle chuck 34 is attached to the reticle stage 29a, and holds the reticle 35 by electrostatic force. Similarly, the wafer stage 33 is provided with a wafer chuck 36 and holds a wafer 37. The pattern surface of the reticle 35 is irradiated with uniform illumination light 38 irradiated from the illumination optical system, and the image is projected onto the resist coated on the wafer 37 by the projection optical system 32. By scanning the reticle stage 31 and the wafer stage 33 in synchronization, the entire pattern formed on the pattern surface of the reticle 35 can be projected onto the resist applied to the wafer 37.

レチクル35は、図2に示すような搬送装置によって搬送され、異物検査装置3によって異物検査を受けた後、真空ロボット26によって搬送され、レチクルチャック34にチャッキングされて使用される。   The reticle 35 is transported by a transport device as shown in FIG. 2, is subjected to foreign matter inspection by the foreign matter inspection device 3, is then transported by the vacuum robot 26, and is chucked on the reticle chuck 34 for use.

本発明の実施の形態であるEUV露光装置に使用する異物検査装置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the foreign material inspection apparatus used for the EUV exposure apparatus which is embodiment of this invention. 異物検査装置を、EUV露光装置の一部であり、EUV露光装置にレチクルを搬送する搬送装置中に組み込んだ例を示す図である。It is a figure which shows the example which incorporated the foreign material inspection apparatus in the conveying apparatus which is a part of EUV exposure apparatus, and conveys a reticle to an EUV exposure apparatus. EUV露光装置の本体部の概要を示す図である。It is a figure which shows the outline | summary of the main-body part of an EUV exposure apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1…レチクル、2…搬送アーム、3…異物検査装置、4…光源装置、5…照射光、6…散乱光、7…検出器、11…レチクル、12…クリーンフィルタポッド、13…レチクルキャリア、21…大気レチクルストッカ、22…大気ロボット、23…レチクルキャリアオープナ、24…大気ロボット、25…ロードロック室、26…真空ロボット、27…真空レチクルライブラリ、28…CFPオープナ、29…EUV露光装置本体、29a…レチクルステージ、32…投影光学系、33…ウエハステージ、34…レチクルチャック、35…レチクル、36…ウエハチャック、37…ウエハ、38…照明光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reticle, 2 ... Conveying arm, 3 ... Foreign material inspection apparatus, 4 ... Light source device, 5 ... Irradiation light, 6 ... Scattered light, 7 ... Detector, 11 ... Reticle, 12 ... Clean filter pod, 13 ... Reticle carrier, 21 ... atmospheric reticle stocker, 22 ... atmospheric robot, 23 ... reticle carrier opener, 24 ... atmospheric robot, 25 ... load lock chamber, 26 ... vacuum robot, 27 ... vacuum reticle library, 28 ... CFP opener, 29 ... main body of EUV exposure apparatus, 29a ... reticle stage, 32 ... projection optical system, 33 ... wafer stage, 34 ... reticle chuck, 35 ... reticle, 36 ... wafer chuck, 37 ... wafer, 38 ... illumination light

Claims (3)

EUV光を使用してレチクル上に形成されたパターンをウエハ上に露光転写するEUV露光装置であって、前記レチクルのEUV装置本体部に保持される部分に存在する異物を検査する異物検査装置を有することを特徴とするEUV露光装置。 An EUV exposure apparatus that exposes and transfers a pattern formed on a reticle using EUV light onto a wafer, and a foreign substance inspection apparatus that inspects foreign substances present in a portion of the reticle held by the main body of the EUV apparatus. An EUV exposure apparatus comprising: 請求項1に記載のEUV露光装置であって、前記レチクルを、前記露光装置本体部に搬送する搬送装置中に前記異物検査装置を有し、前記搬送装置は、前記異物検査装置による異物検査結果が基準値を満たす場合にのみ、前記レチクルを前記露光装置本体部に搬送する機能を有することを特徴とするEUV露光装置。 2. The EUV exposure apparatus according to claim 1, wherein the foreign matter inspection device is included in a transport device that transports the reticle to the exposure apparatus main body, and the transport device is a foreign matter inspection result by the foreign matter inspection device. The EUV exposure apparatus has a function of transporting the reticle to the exposure apparatus main body only when the value satisfies a reference value. 請求項1又は請求項2に記載のEUV露光装置であって、前記レチクルは、外部からカバーに覆われた状態で前記搬送装置中に入れられ、前記搬送装置中で、前記レチクルが前記EUV装置本体部に保持される部分側のカバーが取り外された後に、前記異物検査装置による異物検査が行われるようにされていることを特徴とするEUV露光装置。 3. The EUV exposure apparatus according to claim 1, wherein the reticle is put into the transport apparatus while being covered with a cover from the outside, and the reticle is placed in the EUV apparatus in the transport apparatus. An EUV exposure apparatus, wherein a foreign substance inspection is performed by the foreign substance inspection apparatus after the cover on the part side held by the main body is removed.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010286632A (en) * 2009-06-11 2010-12-24 Asahi Glass Co Ltd Cleaning method for photomask blanks
JP2011040653A (en) * 2009-08-17 2011-02-24 Asahi Glass Co Ltd Method of cleaning photomask blanks
JP2012169593A (en) * 2011-01-26 2012-09-06 Canon Inc Imprint apparatus, detection method, method of manufacturing article, and foreign matter detection apparatus
JP2012182235A (en) * 2011-02-28 2012-09-20 Toppan Printing Co Ltd Reflective mask and exposure device
CN111564396A (en) * 2020-05-22 2020-08-21 北京北方华创微电子装备有限公司 Method for calibrating manipulator of semiconductor processing equipment and semiconductor equipment

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010286632A (en) * 2009-06-11 2010-12-24 Asahi Glass Co Ltd Cleaning method for photomask blanks
JP2011040653A (en) * 2009-08-17 2011-02-24 Asahi Glass Co Ltd Method of cleaning photomask blanks
JP2012169593A (en) * 2011-01-26 2012-09-06 Canon Inc Imprint apparatus, detection method, method of manufacturing article, and foreign matter detection apparatus
JP2012182235A (en) * 2011-02-28 2012-09-20 Toppan Printing Co Ltd Reflective mask and exposure device
CN111564396A (en) * 2020-05-22 2020-08-21 北京北方华创微电子装备有限公司 Method for calibrating manipulator of semiconductor processing equipment and semiconductor equipment
CN111564396B (en) * 2020-05-22 2023-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 Method for calibrating manipulator of semiconductor processing equipment and semiconductor equipment

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