JP2007130864A

JP2007130864A - Wafer fixing jig, nozzle substrate manufacturing method, and droplet discharge head manufacturing method

Info

Publication number: JP2007130864A
Application number: JP2005325788A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Kurokochi; 陽一黒河内
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-11-10
Filing date: 2005-11-10
Publication date: 2007-05-31

Abstract

【課題】加工中にシリコン基板が割れたり欠けたりすることがない液滴吐出ヘッド用ノズル基板の製造方法及びそれに使用する治具を提案する。
【解決手段】内部に空間５３が形成された基台５１であって、該基台５１の少なくとも片面はウェハ吸着面５２として平坦に形成され、ウェハ吸着面５２の外周部に空間５３に連通しウェハを吸引する複数の吸引孔５４が形成され、かつウェハ吸着面５２側のウェハ配置領域内の少なくとも二カ所にウェハ位置決め用のピン５５が形成されており、空間５３を真空引き装置に連通するための排気孔５６を備えているウェハ固定治具。
【選択図】図１２
A method for manufacturing a nozzle substrate for a droplet discharge head, in which a silicon substrate does not break or chip during processing, and a jig used therefor are proposed.
A base 51 having a space 53 formed therein, at least one surface of the base 51 is formed flat as a wafer suction surface 52, and communicated with the space 53 at an outer peripheral portion of the wafer suction surface 52. A plurality of suction holes 54 for sucking the wafer are formed, and wafer positioning pins 55 are formed in at least two locations in the wafer arrangement area on the wafer suction surface 52 side, and the space 53 communicates with the vacuuming device. Wafer fixing jig provided with exhaust holes 56 for the purpose.
[Selection] Figure 12

Description

本発明の技術分野は液滴吐出装置の分野であり、特に、液滴吐出ヘッドの構成要素であるノズル基板の製造方法、その方法において利用するウェハ固定治具、並びに液滴吐出ヘッドの製造方法などに関する。 The technical field of the present invention is that of a droplet discharge device, and in particular, a method of manufacturing a nozzle substrate that is a component of a droplet discharge head, a wafer fixing jig used in the method, and a method of manufacturing a droplet discharge head And so on.

インクジェット記録装置などでは、インクジェットヘッドのノズルからインク液滴を吐出するようになっている。インクジェットヘッドにノズルを設ける方式には、インクジェットヘッドの側面側からインク液滴を吐出するサイドイジェクトタイプと、インクジェットヘッドの表面側からインク液滴を吐出するフェイスイジェクトタイプがある。
フェイスイジェクトタイプのインクジェットヘッドでは、ノズルの孔の部分の流路抵抗を調整し、ノズルの長さが最適になるようにノズル基板の厚さを調整するのが望ましい。 In an ink jet recording apparatus or the like, ink droplets are ejected from nozzles of an ink jet head. There are two methods for providing nozzles in an ink jet head: a side eject type that ejects ink droplets from the side surface of the ink jet head, and a face eject type that ejects ink droplets from the surface side of the ink jet head.
In the face eject type ink jet head, it is desirable to adjust the thickness of the nozzle substrate so as to optimize the length of the nozzle by adjusting the flow resistance of the nozzle hole.

このため、従来のフェイスイジェクトタイプのインクジェットヘッド用ノズルプレートの製造方法では、シリコン基板を所望の厚さに研削した後に、シリコン基板の両面からドライエッチングによって第１のノズル孔と、この第１のノズル孔に連通する第２のノズル孔を形成するようにしていた（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−５７９８１号公報（図１、図２） For this reason, in a conventional face eject type nozzle plate manufacturing method for an inkjet head, after the silicon substrate is ground to a desired thickness, the first nozzle hole and the first nozzle hole are dry-etched from both sides of the silicon substrate. A second nozzle hole communicating with the nozzle hole is formed (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 9-57981 (FIGS. 1 and 2)

しかしながら上記のような製造方法では、ドライエッチングによって第１のノズル孔と第２のノズル孔を形成する前に、シリコン基板を研削して薄くするため、製造工程の途中でシリコン基板が割れたり、欠けてしまうことがあるという問題点があった。そしてこのため、歩留まりが低くなり、製造コストが高くなってしまうという問題点があった。
さらに、このインクジェットヘッド用ノズルプレートの製造方法では、ドライエッチング加工の際に、加工形状を安定させるためにノズルプレートの加工面の反対側からヘリウムガス等で冷却を行うが、ノズルの貫通時にヘリウムガス等が加工面側にリークしてエッチングができなくなってしまうという問題点もあった。 However, in the manufacturing method as described above, the silicon substrate is ground and thinned before forming the first nozzle hole and the second nozzle hole by dry etching. There was a problem that it might be missing. For this reason, there is a problem that the yield decreases and the manufacturing cost increases.
Further, in this method of manufacturing a nozzle plate for an ink jet head, cooling is performed with helium gas or the like from the opposite side of the nozzle plate processing surface in order to stabilize the processing shape during dry etching processing. There is also a problem in that etching cannot be performed due to leakage of gas or the like to the processed surface side.

本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、加工中にシリコン基板が割れたり欠けたりすることがないノズル基板の製造方法、それを適用した液滴吐出ヘッドの製造方法、並びにノズル基板の製造に利用するウェハ固定治具を提案するものである。 The present invention has been made in view of the above problems, and a method for manufacturing a nozzle substrate in which a silicon substrate does not break or chip during processing, a method for manufacturing a droplet discharge head to which the nozzle substrate is applied, and a method for manufacturing a nozzle substrate. We propose a wafer fixing jig to be used for the above.

本発明のウェハ固定治具は、内部に空間が形成された基台であって、該基台の少なくとも片面はウェハ吸着面として平坦に形成され、前記ウェハ吸着面の外周部に前記空間に連通し前記ウェハを吸引する複数の吸引孔が形成され、かつ前記ウェハ吸着面側のウェハ配置領域にはウェハを位置決め可能な形状が形成されており、前記空間は真空引き装置に連通可能となっているものである。
この治具によれば、そのウェハ吸着面にウェハを位置決めして吸着固定できるので、ウェハに形成された孔などに充填された接着剤や充填材などを除去する処理を、ウェハに対して割れや欠けを生じさせることなく行うことが可能となる。
上記治具は、前記ウェハ吸着面側のウェハ配置領域内の少なくとも二カ所に、アラインメント用の光を通す貫通孔が、前記基台の片面側から他面側へ形成されていることが好ましい。これにより、その貫通孔を利用して、治部に吸着固定されたままのウェハを他の基板に位置決め接合することが可能となるため、その接合処理工程を簡素化できる。 The wafer fixing jig of the present invention is a base having a space formed therein, and at least one surface of the base is formed flat as a wafer suction surface, and communicates with the space at the outer periphery of the wafer suction surface. A plurality of suction holes for sucking the wafer are formed, and a shape capable of positioning the wafer is formed in the wafer arrangement area on the wafer suction surface side, and the space can be communicated with a vacuuming device. It is what.
According to this jig, since the wafer can be positioned and fixed by suction on the wafer suction surface, the process of removing the adhesive or filler filled in the holes formed in the wafer is cracked against the wafer. It is possible to carry out without causing any chipping.
In the jig, it is preferable that through holes through which light for alignment is passed are formed from one side of the base to the other side in at least two locations in the wafer arrangement region on the wafer suction surface side. This makes it possible to position and bond the wafer that has been attracted and fixed to the healing portion to another substrate using the through-hole, thereby simplifying the bonding process.

本発明のノズル基板の製造方法は、上記のウェハ固定治具を利用するノズル基板の製造方法であって、シリコン基板の片面にノズル孔となる凹部を形成する工程と、前記シリコン基板の前記凹部が形成されている面に支持基板を接着剤で貼り合わせる工程と、前記シリコン基板の前記支持基板が貼り合わせられた面の反対面を、前記凹部の先端部に到達するまで薄板化する工程と、前記シリコン基板から前記支持基板を剥離する工程と、前記支持基板が剥離された前記シリコン基板の薄板化された面を、前記ウェハ固定治具のウェハ吸着面に吸着固定して、前記シリコン基板から前記接着剤を剥離する工程と、を備えたものである。
これによれば、シリコン基板の周囲がウェハ固定治具に吸着されて密着固定されるため、シリコン基板の割れや欠けを防止しつつ、シリコン基板から接着剤を剥離することが可能となる。また、ノズル孔となる凹部内の接着剤も除去し易くなり、ノズル孔の適正な形状を得ることができるため、吐出液の飛行曲がりも防止にも大きく貢献できる。 A method for manufacturing a nozzle substrate according to the present invention is a method for manufacturing a nozzle substrate using the above-described wafer fixing jig, the step of forming a recess serving as a nozzle hole on one side of the silicon substrate, and the recess of the silicon substrate. Bonding the support substrate to the surface on which the support substrate is bonded with an adhesive, and thinning the surface of the silicon substrate opposite to the surface on which the support substrate is bonded until the tip of the recess is reached. Removing the support substrate from the silicon substrate; and fixing and thinning the thinned surface of the silicon substrate from which the support substrate has been peeled off to a wafer suction surface of the wafer fixing jig; And a step of peeling the adhesive.
According to this, since the periphery of the silicon substrate is attracted and fixed in close contact with the wafer fixing jig, it is possible to peel the adhesive from the silicon substrate while preventing the silicon substrate from being cracked or chipped. In addition, it is easy to remove the adhesive in the concave portion that becomes the nozzle hole, and an appropriate shape of the nozzle hole can be obtained, so that it is possible to greatly contribute to the prevention of the bending of the discharge liquid.

また、上記のウェハ固定治具を利用するノズル基板の製造方法であって、シリコン基板の片面にノズル孔となる凹部を形成する工程と、前記シリコン基板の前記凹部が形成されている面に支持基板を接着剤で貼り合わせる工程と、前記シリコン基板の前記支持基板が貼り合わせられた面の反対面を、前記凹部の先端部に到達するまで薄板化する工程と、前記シリコン基板と前記支持基板の接合体における前記シリコン基板の薄板化された面を、前記ウェハ固定治具のウェハ吸着面に吸着固定して、前記シリコン基板から前記支持基板及び前記接着剤を剥離する工程と、を備えたものである。
これによれば、シリコン基板の周囲がウェハ固定治具に吸着されて密着固定されるため、シリコン基板の割れや欠けを防止しつつ、シリコン基板から支持基板および接着剤を剥離することが可能となる。また、ノズル孔となる凹部内の接着剤も除去し易くなり、ノズル孔の適正な形状を得ることができるため、吐出液の飛行曲がりも防止にも大きく貢献できる。 Also, a method of manufacturing a nozzle substrate using the wafer fixing jig described above, the step of forming a recess serving as a nozzle hole on one side of the silicon substrate, and the surface of the silicon substrate on which the recess is formed A step of bonding the substrate with an adhesive, a step of thinning a surface opposite to the surface of the silicon substrate to which the support substrate is bonded until reaching the tip of the recess, the silicon substrate and the support substrate A step of adhering and fixing the thinned surface of the silicon substrate in the bonded body to the wafer adsorption surface of the wafer fixing jig, and peeling the support substrate and the adhesive from the silicon substrate. Is.
According to this, since the periphery of the silicon substrate is adsorbed and fixed in close contact with the wafer fixing jig, the support substrate and the adhesive can be peeled from the silicon substrate while preventing the silicon substrate from cracking or chipping. Become. In addition, it is easy to remove the adhesive in the concave portion that becomes the nozzle hole, and an appropriate shape of the nozzle hole can be obtained, so that it is possible to greatly contribute to the prevention of the bending of the discharge liquid.

前記接着剤の剥離は、前記シリコン基板の前記接着剤が塗布された面に粘着テープを貼り付け、その粘着テープを利用して前記接着剤を引き剥がすのが好ましい。この粘着テープを利用した処理は比較的簡易に行える利点がある。
また、前記シリコン基板の前記ウェハ吸着面との接合面にテープを貼り付けた後、前記シリコン基板を前記吸着面に取り付けるのが好ましい。このテープにより、ウェハ固定治具に固定されるシリコン基板の表面を保護することができる。 The adhesive is preferably peeled off by sticking an adhesive tape to the surface of the silicon substrate to which the adhesive has been applied, and peeling the adhesive using the adhesive tape. The treatment using the adhesive tape has an advantage that it can be relatively easily performed.
Moreover, it is preferable that the silicon substrate is attached to the suction surface after a tape is attached to the bonding surface of the silicon substrate with the wafer suction surface. With this tape, the surface of the silicon substrate fixed to the wafer fixing jig can be protected.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記ノズル基板の製造方法により前記支持基板および前記接着剤が剥離されたノズル基板を、液体吐出用圧力室を含む流路が形成されたキャビティ基板に接合するものである。これにより、液滴吐出ヘッドのノズル孔が適正な形状とされ、吐出液の飛行曲がりが防止された液滴吐出ヘッドを得ることができる。
なお、前記ウェハ固定治具に固定されたシリコン基板を、前記治具を利用して前記キャビティ基板に位置決めして、前記シリコン基板と前記キャビティ基板とを接合するようにしてもよい。これにより、ウェハ固定治具からノズル基板であるシリコン基板を外す工程を加えることなく、直ちにシリコン基板とキャビティ基板とを接合することができる。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a droplet discharge head, wherein the nozzle substrate from which the support substrate and the adhesive have been separated by the method for manufacturing a nozzle substrate is used as a cavity substrate having a flow path including a liquid discharge pressure chamber. It is what is joined. Accordingly, it is possible to obtain a liquid droplet ejection head in which the nozzle hole of the liquid droplet ejection head has an appropriate shape and the flying curve of the ejection liquid is prevented.
The silicon substrate fixed to the wafer fixing jig may be positioned on the cavity substrate using the jig, and the silicon substrate and the cavity substrate may be joined. Accordingly, the silicon substrate and the cavity substrate can be bonded immediately without adding a step of removing the silicon substrate that is the nozzle substrate from the wafer fixing jig.

（液滴吐出ヘッドについて）
図１は本発明の方法により製造された液滴吐出ヘッドの一例を示した縦断面図である。なお、図１では、静電駆動方式でフェイスイジェクトタイプの液滴吐出ヘッドを示しており、また駆動回路２１の部分は模式的に示している。
この液滴吐出ヘッド１は、主にキャビティ基板２、電極基板３、及びノズル基板４が接合されることにより構成されている。ノズル基板４はシリコンからなり、例えば円筒状の第１のノズル孔６と、第１のノズル孔６と連通し、第１のノズル孔６よりも径の大きい円筒状の第２のノズル孔７を有するノズル８が形成されている。第１のノズル孔６は、液滴吐出面１０（キャビティ基板２との接合面１１の反対面）に開口するように形成されており、第２のノズル孔７は、キャビティ基板２との接合面１１に開口するように形成されている。ノズル基板４は、後に示す所定の加工を施しやすいように単結晶シリコンを使用するのが望ましい。 (About droplet discharge head)
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a droplet discharge head manufactured by the method of the present invention. In FIG. 1, a face ejection type liquid droplet ejection head using an electrostatic drive system is shown, and the drive circuit 21 is schematically shown.
The droplet discharge head 1 is mainly configured by bonding a cavity substrate 2, an electrode substrate 3, and a nozzle substrate 4. The nozzle substrate 4 is made of silicon, for example, a cylindrical first nozzle hole 6 and a cylindrical second nozzle hole 7 communicating with the first nozzle hole 6 and having a diameter larger than that of the first nozzle hole 6. Is formed. The first nozzle hole 6 is formed so as to open on the droplet discharge surface 10 (the surface opposite to the bonding surface 11 with the cavity substrate 2), and the second nozzle hole 7 is bonded with the cavity substrate 2. It is formed so as to open on the surface 11. The nozzle substrate 4 is preferably made of single crystal silicon so that predetermined processing described later can be easily performed.

キャビティ基板２は、例えば単結晶シリコンからなり、底壁が振動板１２である吐出室（圧力室ともいう）１３となる凹部が複数形成されている。なお複数の吐出室１３は、図１の紙面手前側から紙面奥側にかけて平行に並んで形成されているものとする。またキャビティ基板２には、各吐出室１３にインク等の液滴を供給するためのリザーバ１４となる凹部と、このリザーバ１４と各吐出室１３を連通する細溝状のオリフィス１５となる凹部が形成されている。図１に示す液滴吐出ヘッド１では、リザーバ１４は単一の凹部から形成されており、オリフィス１５は各吐出室１３に対して１つずつ形成されている。なおオリフィス１５は、ノズル基板４の接合面１１に形成するようにしてもよい。
さらにキャビティ基板２の全面には、例えばＣＶＤ又は熱酸化によって酸化シリコン等からなる絶縁膜１６が形成されている。この絶縁膜１６は、液滴吐出ヘッド１の駆動時の絶縁破壊やショートを防止し、また吐出室１３やリザーバ１４の内部の液滴によりキャビティ基板２がエッチングされるのを防止するためのものである。 The cavity substrate 2 is made of, for example, single crystal silicon, and has a plurality of recesses that serve as discharge chambers (also referred to as pressure chambers) 13 whose bottom wall is the diaphragm 12. It is assumed that the plurality of discharge chambers 13 are formed in parallel from the front side to the back side in FIG. In addition, the cavity substrate 2 has a recess serving as a reservoir 14 for supplying a droplet of ink or the like to each discharge chamber 13 and a recess serving as a narrow groove-like orifice 15 that communicates the reservoir 14 with each discharge chamber 13. Is formed. In the droplet discharge head 1 shown in FIG. 1, the reservoir 14 is formed from a single recess, and one orifice 15 is formed for each discharge chamber 13. The orifice 15 may be formed on the bonding surface 11 of the nozzle substrate 4.
Furthermore, an insulating film 16 made of silicon oxide or the like is formed on the entire surface of the cavity substrate 2 by, for example, CVD or thermal oxidation. This insulating film 16 prevents dielectric breakdown or short-circuit when the droplet discharge head 1 is driven, and also prevents the cavity substrate 2 from being etched by droplets inside the discharge chamber 13 or the reservoir 14. It is.

キャビティ基板２の振動板１２側には、例えばホウ珪酸ガラスからなる電極基板３が接合されている。電極基板３には、振動板１２と対向する複数の電極１７がギャップ９を介して形成されている。この電極１７は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）をスパッタすることにより形成する。また電極基板３には、リザーバ１４と連通する液滴供給孔１８が形成されている。この液滴供給孔１８は、リザーバ１４の底壁に設けられた孔と繋がっており、リザーバ１４にインク等の液滴を外部から供給するために設けられている。 An electrode substrate 3 made of borosilicate glass, for example, is bonded to the cavity substrate 2 side of the cavity substrate 2. A plurality of electrodes 17 facing the diaphragm 12 are formed on the electrode substrate 3 with gaps 9 therebetween. The electrode 17 is formed, for example, by sputtering ITO (Indium Tin Oxide). In addition, a droplet supply hole 18 that communicates with the reservoir 14 is formed in the electrode substrate 3. The droplet supply hole 18 is connected to a hole provided in the bottom wall of the reservoir 14 and is provided to supply droplets such as ink to the reservoir 14 from the outside.

次に液滴吐出ヘッド１の動作について説明する。キャビティ基板２と各吐出室１３に対応する個々の電極１７には駆動回路２１が接続されている。駆動回路２１によりキャビティ基板２と電極１７の間にパルス電圧が印加されると、振動板１２が電極１７の側に撓み、リザーバ１４の内部に溜まっていたインク等の液滴が吐出室１３に流れ込む。そして、キャビティ基板２と電極１７の間に印加されていた電圧がなくなると、振動板１２が元の位置に戻って吐出室１３の内部の圧力が高くなり、ノズル８からインク等の液滴が吐出される。
なお本実施形態では、液滴吐出ヘッドの例として静電駆動方式の液滴吐出ヘッドを示しているが、本実施形態で示すノズル基板４の製造方法は圧電駆動方式やバブルジェット（登録商標）方式等の液滴吐出ヘッドにも適用することができる。 Next, the operation of the droplet discharge head 1 will be described. A drive circuit 21 is connected to each electrode 17 corresponding to the cavity substrate 2 and each discharge chamber 13. When a pulse voltage is applied between the cavity substrate 2 and the electrode 17 by the drive circuit 21, the vibration plate 12 bends toward the electrode 17, and droplets of ink or the like accumulated in the reservoir 14 enter the discharge chamber 13. Flows in. When the voltage applied between the cavity substrate 2 and the electrode 17 disappears, the diaphragm 12 returns to the original position, the pressure inside the discharge chamber 13 increases, and droplets such as ink from the nozzle 8 are discharged. Discharged.
In the present embodiment, an electrostatic drive type droplet discharge head is shown as an example of the droplet discharge head. However, the manufacturing method of the nozzle substrate 4 shown in the present embodiment is a piezoelectric drive method or bubble jet (registered trademark). It can also be applied to a droplet discharge head of a method or the like.

図２はノズル基板４を液滴吐出面１０側から見た上面図である。図２に示すように、第１のノズル孔６がノズル基板４の液滴吐出面１０側に複数開口している。なお、第２のノズル孔７は、図２の個々のノズル孔６の紙面奥側に形成されている。また、キャビティ基板２の吐出室１３は、個々の第１のノズル孔６（ノズル８）ごとに形成されており、個々の吐出室１３は図２の破線Ａ−Ａ方向に細長いものとする。
以下において、ノズル基板４を製造するためのシリコン基板の加工方法について説明する。なお本実施形態に係る液滴吐出ヘッド１では、第１のノズル孔６と第２のノズル孔７の中心軸が高い精度で一致しているものとする。これにより、ノズル８から液滴を吐出する際の液滴の直進性を向上させることができる。 FIG. 2 is a top view of the nozzle substrate 4 as viewed from the droplet discharge surface 10 side. As shown in FIG. 2, a plurality of first nozzle holes 6 are opened on the droplet discharge surface 10 side of the nozzle substrate 4. The second nozzle hole 7 is formed on the back side of the paper surface of each nozzle hole 6 in FIG. The discharge chamber 13 of the cavity substrate 2 is formed for each individual first nozzle hole 6 (nozzle 8), and each discharge chamber 13 is elongated in the direction of the broken line AA in FIG.
Below, the processing method of the silicon substrate for manufacturing the nozzle substrate 4 is demonstrated. In the droplet discharge head 1 according to the present embodiment, it is assumed that the central axes of the first nozzle hole 6 and the second nozzle hole 7 coincide with each other with high accuracy. As a result, it is possible to improve the straightness of the droplet when the droplet is discharged from the nozzle 8.

（液滴吐出ヘッドの製造方法について）
図３から図８は本発明の実施形態で示した液滴吐出ヘッドの製造工程を示した縦断面図である。なお、この工程中の図３〜図６は本発明に係るノズル基板４の製造方法を、図７及び図８はキャビティ基板２と電極基板３の接合体である接合基板５を含めた液滴吐出ヘッドの製造工程を、それぞれ示している。 (About manufacturing method of droplet discharge head)
3 to 8 are longitudinal sectional views showing manufacturing steps of the droplet discharge head shown in the embodiment of the present invention. 3 to 6 in this process show the manufacturing method of the nozzle substrate 4 according to the present invention, and FIGS. 7 and 8 show droplets including the bonding substrate 5 which is a bonded body of the cavity substrate 2 and the electrode substrate 3. The manufacturing process of the ejection head is shown respectively.

まずノズル基板４の素材として、例えば厚さが５２５μｍのシリコン基板（シリコンウェハ）３０を準備し、このシリコン基板３０の全面にシリコン酸化膜３１を均一に成膜する（図３（Ａ））。このシリコン酸化膜３１は、例えば熱酸化装置により温度１０７５℃、酸素と水蒸気の混合雰囲気中で４時間熱酸化することにより形成する。
次に、シリコン基板３０の片面にレジスト３２をコーティングし、第２のノズル孔７となる部分７ａをパターニングして、第２のノズル孔７となる部分７ａのレジスト３２を除去する（図３（Ｂ））。なおレジスト３２のコーティングされた面は、後にノズル基板４の接合面１１となる面である。
そして、例えばフッ酸水溶液とフッ化アンモニウム水溶液を１対６で混合した緩衝フッ酸水溶液でシリコン酸化膜３１をハーフエッチングし、第２のノズル孔７となる部分７ａのシリコン酸化膜３１を薄くする（図３（Ｃ））。なおこのときレジスト３２の形成されていない面のシリコン酸化膜３１も薄くなる。
それから、シリコン酸化膜３１の片面に形成されたレジスト３２を剥離する（図３（Ｄ））。 First, as a material for the nozzle substrate 4, for example, a silicon substrate (silicon wafer) 30 having a thickness of 525 μm is prepared, and a silicon oxide film 31 is uniformly formed on the entire surface of the silicon substrate 30 (FIG. 3A). The silicon oxide film 31 is formed, for example, by thermal oxidation for 4 hours in a mixed atmosphere of oxygen and water vapor at a temperature of 1075 ° C. using a thermal oxidation apparatus.
Next, a resist 32 is coated on one surface of the silicon substrate 30, and the portion 7a that becomes the second nozzle hole 7 is patterned to remove the resist 32 in the portion 7a that becomes the second nozzle hole 7 (FIG. 3 ( B)). The coated surface of the resist 32 is a surface that will later become the bonding surface 11 of the nozzle substrate 4.
Then, for example, the silicon oxide film 31 is half-etched with a buffered hydrofluoric acid aqueous solution in which a hydrofluoric acid aqueous solution and an ammonium fluoride aqueous solution are mixed 1: 6, so that the silicon oxide film 31 in the portion 7a to be the second nozzle hole 7 is thinned. (FIG. 3C). At this time, the silicon oxide film 31 on the surface where the resist 32 is not formed is also thinned.
Then, the resist 32 formed on one surface of the silicon oxide film 31 is removed (FIG. 3D).

その後、再度接合面１１となる面にレジスト３３をコーティングし、第１のノズル孔６となる部分６ａをパターニングして、第１のノズル孔６となる部分６ａのレジスト３３を除去する（図４（Ｅ））。
そして、例えばフッ酸水溶液とフッ化アンモニウム水溶液を１対６で混合した緩衝フッ酸水溶液でシリコン酸化膜３１をハーフエッチングし、第１のノズル孔６となる部分６ａのシリコン酸化膜３１を除去する（図４（Ｆ））。なおこのときレジスト３３の形成されていない面のシリコン酸化膜３１も除去される。
それから、図４（Ｅ）の工程で形成されたレジスト３３を剥離する（図４（Ｇ））。
次に、ＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）放電によるドライエッチングによって第１のノズル孔６となる部分６ａから異方性エッチングを行い、例えば深さ２５μｍの凹部６ｂを形成する（図４（Ｈ））。なおこの凹部６ｂは、第１のノズル孔６となる凹部６ｃの元となるものである（図５（Ｊ）参照）。この異方性ドライエッチングのエッチングガスとして、Ｃ₄Ｆ₈、ＳＦ₆を交互に使用することができる。このとき、Ｃ₄Ｆ₈は凹部６ｂの側面方向にエッチングが進行しないように凹部６ｂの側面を保護するために使用し、ＳＦ₆は凹部６ｂの垂直方向のエッチングを促進するために使用する。 Thereafter, the resist 33 is again coated on the surface to be the bonding surface 11, the portion 6 a to be the first nozzle hole 6 is patterned, and the resist 33 in the portion 6 a to be the first nozzle hole 6 is removed (FIG. 4). (E)).
Then, for example, the silicon oxide film 31 is half-etched with a buffered hydrofluoric acid aqueous solution in which a hydrofluoric acid aqueous solution and an ammonium fluoride aqueous solution are mixed 1: 6, and the silicon oxide film 31 in the portion 6a to be the first nozzle hole 6 is removed. (FIG. 4F). At this time, the silicon oxide film 31 on the surface where the resist 33 is not formed is also removed.
Then, the resist 33 formed in the step of FIG. 4E is peeled off (FIG. 4G).
Next, anisotropic etching is performed from the portion 6a serving as the first nozzle hole 6 by dry etching using ICP (Inductively Coupled Plasma) discharge, thereby forming a recess 6b having a depth of 25 μm, for example (FIG. 4H). The recess 6b is a source of the recess 6c to be the first nozzle hole 6 (see FIG. 5J). C ₄ F ₈ and SF ₆ can be used alternately as etching gases for this anisotropic dry etching. At this time, C ₄ F ₈ is used to protect the side surface of the recess 6 b so that the etching does not proceed in the side direction of the recess 6 b, and SF ₆ is used to promote the etching of the recess 6 b in the vertical direction.

その後、シリコン酸化膜３１をハーフエッチングして、第２のノズル孔７となる部分７ａのシリコン酸化膜３１を除去する（図５（Ｉ））。なおこのとき、シリコン酸化膜３１のその他の部分も薄くなる。
そして、再度ＩＣＰ放電によるドライエッチングによって第２のノズル孔７となる部分７ａ（凹部６ｂを含む）から例えば深さ４０μｍだけ異方性ドライエッチングを行い、第１のノズル孔６となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔７となる凹部７ｂを形成する（図５（Ｊ））。
それから、シリコン基板３０に残ったシリコン酸化膜３１を例えばフッ酸水溶液ですべて除去した後、シリコン基板３０の全面に例えば厚さ０．１μｍのシリコン酸化膜３４を均一に成膜する（図５（Ｋ））。このシリコン酸化膜３４は、例えば熱酸化装置により温度１０００℃、酸素雰囲気中で２時間熱酸化することにより形成する。なお図５（Ｋ）では熱酸化によりシリコン酸化膜３４を成膜するため、第１のノズル孔６となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔７となる凹部７ｂの内壁にも均一にシリコン酸化膜３４を形成することができる。 Thereafter, the silicon oxide film 31 is half-etched to remove the silicon oxide film 31 in the portion 7a to be the second nozzle hole 7 (FIG. 5I). At this time, the other portions of the silicon oxide film 31 are also thinned.
Then, by dry etching by ICP discharge again, anisotropic dry etching is performed by a depth of, for example, 40 μm from the portion 7a (including the recess 6b) that becomes the second nozzle hole 7, and the recess 6c that becomes the first nozzle hole 6 and A recess 7b to be the second nozzle hole 7 is formed (FIG. 5J).
Then, after all the silicon oxide film 31 remaining on the silicon substrate 30 is removed with, for example, a hydrofluoric acid aqueous solution, a silicon oxide film 34 of, eg, a 0.1 μm thickness is uniformly formed on the entire surface of the silicon substrate 30 (FIG. 5 ( K)). This silicon oxide film 34 is formed, for example, by performing thermal oxidation for 2 hours in an oxygen atmosphere at a temperature of 1000 ° C. using a thermal oxidation apparatus. In FIG. 5K, since the silicon oxide film 34 is formed by thermal oxidation, the silicon oxide film is uniformly formed on the inner walls of the recess 6c to be the first nozzle hole 6 and the recess 7b to be the second nozzle hole 7. 34 can be formed.

次に、例えばガラス等の透明材料からなる支持基板４０の片面に剥離層４１をスピンコートし、その上に接着剤として、例えば樹脂からなる樹脂層（又は樹脂）４２をスピンコートする。そして支持基板４０の剥離層４１及び樹脂層４２をスピンコートした面と、シリコン基板３０の第２のノズル孔７となる凹部７ｂ等が形成されている面を向かい合わせて樹脂層４２を硬化させることにより、第１の支持基板４０とシリコン基板３０を貼り合わせる（図５（Ｌ））。なお図５（Ｌ）以降の工程では、シリコン基板３０の向きが図３から図５までと上下逆にしている。
本実施形態では、図５（Ｌ）の支持基板４０とシリコン基板３０の貼り合わせを真空中で行い、樹脂層４２を構成する樹脂が第１のノズル孔６となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔７となる凹部７ｂに充填されるようにする。このように支持基板４０とシリコン基板３０の貼り合わせを真空中で行うことにより、第１のノズル孔６となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔７となる凹部７ｂに気泡等が溜まることを防止することができる。 Next, a release layer 41 is spin-coated on one side of a support substrate 40 made of a transparent material such as glass, and a resin layer (or resin) 42 made of resin, for example, is spin-coated thereon as an adhesive. Then, the surface of the support substrate 40 on which the release layer 41 and the resin layer 42 are spin-coated and the surface of the silicon substrate 30 on which the recesses 7b to be the second nozzle holes 7 are formed face each other, and the resin layer 42 is cured. Thus, the first support substrate 40 and the silicon substrate 30 are bonded together (FIG. 5L). 5L and the subsequent steps, the orientation of the silicon substrate 30 is upside down with respect to FIGS.
In the present embodiment, the support substrate 40 and the silicon substrate 30 in FIG. 5L are bonded together in a vacuum, and the resin constituting the resin layer 42 is formed with the recess 6c and the second nozzle in which the first nozzle hole 6 is formed. The recess 7b to be the hole 7 is filled. In this way, by bonding the support substrate 40 and the silicon substrate 30 in a vacuum, it is possible to prevent bubbles and the like from accumulating in the recesses 6c serving as the first nozzle holes 6 and the recesses 7b serving as the second nozzle holes 7. can do.

ここで、図５（Ｌ）の工程における剥離層４１及び樹脂層４２について説明する。
剥離層４１は、レーザー光等の光が当てられることにより剥離層４１内部やシリコン基板３１との界面において剥離（層内剥離又は界面剥離という）を起こすものである（図６（Ｏ）参照）。即ち剥離層４１は、一定の強度の光を受けることにより剥離層４１を構成する材料の原子又は分子間の結合力が消失若しくは減少することにより、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ、切除又は除去）を生じる。剥離層４１は一定の強度の光を受けると、剥離層４１を構成する材料の成分が気体となることにより剥離を起こす。これにより、以下の図６（Ｏ）の工程において薄板化されたシリコン基板３０から支持基板４０を取り外すことができる。
なお、支持基板４０は、光を透過するガラス等からなるものを用いるのが望ましい。これによりシリコン基板３０から支持基板４０を剥離するときに、支持基板４０の裏面（シリコン基板３０が接合された面の反対面）から剥離層４１に光を照射して十分な剥離エネルギーを与えることが可能となる。 Here, the peeling layer 41 and the resin layer 42 in the step of FIG.
The peeling layer 41 causes peeling (referred to as intra-layer peeling or interface peeling) in the peeling layer 41 or at the interface with the silicon substrate 31 when light such as laser light is applied (see FIG. 6O). . That is, the release layer 41 receives a certain intensity of light, and ablation (ablation, removal or removal) occurs due to disappearance or reduction of the bonding force between atoms or molecules of the material constituting the release layer 41. When the release layer 41 receives light of a certain intensity, the component of the material constituting the release layer 41 becomes a gas and causes peeling. Thereby, the support substrate 40 can be removed from the silicon substrate 30 thinned in the process of FIG.
The support substrate 40 is preferably made of glass that transmits light. Thus, when the support substrate 40 is peeled from the silicon substrate 30, the release layer 41 is irradiated with light from the back surface of the support substrate 40 (the surface opposite to the surface to which the silicon substrate 30 is bonded) to give sufficient peeling energy. Is possible.

剥離層４１を構成する材料は、上記のような機能を有するものであれば特に限定されないが、例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ、アモルファスシリコン）、酸化ケイ素、ケイ酸化合物や、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化セラミックス、光の照射によって原子間結合が切断される有機高分子材料、又はアルミニウム、リチウム、チタン、マンガン、インジウム、錫、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジウム、プラセオジム、ガドリニウム、サマリウム等の金属、若しくは上記の金属を少なくとも１種以上含んだ合金等が挙げられる。これらの材料のうち、剥離層４１の構成材料として非晶質シリコンを用いるのが好ましく、この非晶質シリコンの中に水素が含まれているのがさらに好ましい。このような材料を用いることにより、剥離層４１が光を受けた場合に水素が放出されて剥離層４１に内圧が発生し、剥離を促進させることができる。この場合の剥離層４１の水素の含有量は、２重量％以上が好ましく、２〜２０重量％であるとさらに好ましい。 The material constituting the release layer 41 is not particularly limited as long as it has the above functions. For example, amorphous silicon (a-Si, amorphous silicon), silicon oxide, silicate compound, silicon nitride, Nitride ceramics such as aluminum nitride and titanium nitride, organic polymer materials whose atomic bonds are broken by light irradiation, or aluminum, lithium, titanium, manganese, indium, tin, yttrium, lanthanum, cerium, neodymium, praseodymium, gadolinium And a metal such as samarium, or an alloy containing at least one of the above metals. Among these materials, it is preferable to use amorphous silicon as a constituent material of the peeling layer 41, and it is more preferable that hydrogen is contained in the amorphous silicon. By using such a material, when the peeling layer 41 receives light, hydrogen is released and an internal pressure is generated in the peeling layer 41, so that peeling can be promoted. In this case, the content of hydrogen in the release layer 41 is preferably 2% by weight or more, and more preferably 2 to 20% by weight.

また、樹脂層４２は、シリコン基板３０の凹凸を吸収し、且つシリコン基板３０と支持基板４０を接合するためのものである。樹脂層４２を構成する材料としては、シリコン基板３０と第１の支持基板４０を接合する機能を有するものであれば特に限定されないが、例えば熱硬化性接着剤や光硬化性接着剤等の硬化性接着剤を用いることができる。なお樹脂層４２は、耐ドライエッチング性の高い材料を主材料としているものが望ましい。 The resin layer 42 is for absorbing unevenness of the silicon substrate 30 and bonding the silicon substrate 30 and the support substrate 40. The material constituting the resin layer 42 is not particularly limited as long as it has a function of joining the silicon substrate 30 and the first support substrate 40. For example, curing is performed using a thermosetting adhesive or a photocurable adhesive. Adhesives can be used. The resin layer 42 is preferably made of a material having high dry etching resistance.

本実施形態では、剥離層４１と樹脂層４２は別々の層として形成されているが、例えばこれらの層を１つの層から構成するようにしてもよい。これは例えば、シリコン基板３０と支持基板４０を接着する機能を有し、且つ光エネルギーや熱エネルギーによって剥離を引き起こす機能を持った層を形成することで実現できる。なおこのような機能を持った材料については、例えば特開２００２−３７３８７１号公報を参照されたい。 In the present embodiment, the release layer 41 and the resin layer 42 are formed as separate layers. However, for example, these layers may be composed of one layer. For example, this can be realized by forming a layer having a function of bonding the silicon substrate 30 and the support substrate 40 and having a function of causing peeling by light energy or thermal energy. For materials having such a function, refer to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-338771.

ここで再び製造工程の説明に戻る。シリコン基板３０と支持基板４０を接合した後に、シリコン基板３０の支持基板４０が接合された面の反対面からバックグラインダー、ポリッシャー、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｍｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって研磨加工を行い、第１のノズル孔６となる凹部６ｃの先端のシリコン酸化膜３４が除去されるまでシリコン基板３０を薄板化する（図６（Ｍ））。なおこのとき、例えばバックグラインダーで第１のノズル孔６となる凹部６ｃの先端のシリコン酸化膜３４の付近までシリコン基板３０を薄板化し、薄板化の仕上げをポリッシャー又はＣＭＰによって行うようにすれば、シリコン基板３０の表面を鏡面状に仕上げることができる。 Here, it returns to description of a manufacturing process again. After the silicon substrate 30 and the support substrate 40 are bonded, the first nozzle is polished by a back grinder, polisher, CMP (Chemical Mechanical Polishing), or the like from the opposite surface of the silicon substrate 30 to which the support substrate 40 is bonded. The silicon substrate 30 is thinned until the silicon oxide film 34 at the tip of the recess 6c to be the hole 6 is removed (FIG. 6M). At this time, for example, if the silicon substrate 30 is thinned to the vicinity of the silicon oxide film 34 at the tip of the recess 6c to be the first nozzle hole 6 with a back grinder, the thinning is finished by a polisher or CMP. The surface of the silicon substrate 30 can be finished in a mirror shape.

次に、シリコン基板３０の支持基板４０が接合された面の反対面に、スパッタ装置を用いて酸化シリコンからなる耐インク保護膜３５を、例えば厚さ０．１μｍで形成する。なお本実施形態では、耐インク保護膜３５を形成するのにＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｏｒｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタ装置等の常温スパッタ装置を用いる。これは、ＥＣＲスパッタ装置を用いて緻密な耐インク保護膜３５を形成するためと、樹脂層４２が熱によって劣化するのを防止するためである。なお樹脂層４２が劣化しない温度（約２００℃以下）のものであれば、他のスパッタ装置や他の方法で耐インク保護膜３５を形成してもよい。
そしてシリコン基板３０の耐インク保護膜３５の表面に、例えば蒸着やディッピング（浸漬）等によって、撥インク膜３６を形成する（図６（Ｎ））。撥インク膜３６の材料としては、フッ素原子を含有した撥インク材料を用いることができる。この段階でシリコン基板３０自体の加工は終了し、ノズル基板４が完成する。なお図６（Ｎ）の工程では、樹脂が第１のノズル孔６及び第２のノズル孔７に充填されているため、ノズル８の内部が撥インク処理されることがない。 Next, an ink-resistant protective film 35 made of silicon oxide is formed with a thickness of, for example, 0.1 μm on the opposite surface of the silicon substrate 30 to the surface to which the support substrate 40 is bonded using a sputtering apparatus. In the present embodiment, a room temperature sputtering apparatus such as an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering apparatus is used to form the ink resistant protective film 35. This is because the dense ink-resistant protective film 35 is formed using an ECR sputtering apparatus and the resin layer 42 is prevented from being deteriorated by heat. Note that the ink-resistant protective film 35 may be formed by another sputtering apparatus or another method as long as the resin layer 42 has a temperature that does not deteriorate (about 200 ° C. or less).
Then, an ink repellent film 36 is formed on the surface of the ink-resistant protective film 35 of the silicon substrate 30 by, for example, vapor deposition or dipping (immersion) (FIG. 6N). As a material of the ink repellent film 36, an ink repellent material containing fluorine atoms can be used. At this stage, the processing of the silicon substrate 30 itself is finished, and the nozzle substrate 4 is completed. In the process of FIG. 6N, since the resin is filled in the first nozzle hole 6 and the second nozzle hole 7, the inside of the nozzle 8 is not subjected to ink repellent treatment.

次に、支持基板４０側からレーザー光等を照射して、剥離層４１の部分から支持基板４０を剥離し、ノズル基板を分離させる（図６（Ｏ））。
その後、本発明に係る治具にシリコン基板を固定して、シリコン基板３０から樹脂層４２をゆっくりと引き剥がす（図６（Ｐ））。この際、ノズル８の内部の樹脂も樹脂層４２と共に引き抜かれるようにする。この工程及び治具については後で詳細に説明する。 Next, laser light or the like is irradiated from the support substrate 40 side, the support substrate 40 is peeled off from the part of the release layer 41, and the nozzle substrate is separated (FIG. 6 (O)).
Thereafter, the silicon substrate is fixed to the jig according to the present invention, and the resin layer 42 is slowly peeled off from the silicon substrate 30 (FIG. 6 (P)). At this time, the resin inside the nozzle 8 is also pulled out together with the resin layer 42. This process and jig will be described later in detail.

次に、図７及び図８を用いてキャビティ基板２と電極基板３の接合体である接合基板５を含めた液滴吐出ヘッド１の製造工程の一例を説明する。
まず、ホウ珪酸ガラス等からなるガラス基板を、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用してフッ酸によってエッチングすることにより凹部１９を形成する。なおこの凹部１９は、電極１７の形状より少し大きい溝状のものであって複数形成するものとする。
そして凹部１９の内部に、例えばスパッタによってＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）からなる電極１７を形成する。
その後、ドリル等によって液滴供給孔１８となる孔部１８ａを形成して電極基板３を形成する（図７（ａ））。 Next, an example of a manufacturing process of the droplet discharge head 1 including the bonded substrate 5 that is a bonded body of the cavity substrate 2 and the electrode substrate 3 will be described with reference to FIGS.
First, a concave portion 19 is formed by etching a glass substrate made of borosilicate glass or the like with hydrofluoric acid using, for example, a gold / chromium etching mask. A plurality of the recesses 19 are formed in a groove shape slightly larger than the shape of the electrode 17 and are formed.
Then, an electrode 17 made of ITO (Indium Tin Oxide) is formed in the recess 19 by, for example, sputtering.
Thereafter, a hole 18a to be the droplet supply hole 18 is formed by a drill or the like to form the electrode substrate 3 (FIG. 7A).

次に、例えば厚さが５２５μｍのシリコン基板２ａの両面を鏡面研磨した後に、シリコン基板２ａの片面にプラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌＯｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）からなる厚さ０．１μｍのシリコン酸化膜２２を形成する（図７（ｂ））。なおシリコン酸化膜２２を形成する前に、エッチングストップのためのボロンを表面にドープして、ボロンドープ層を形成するようにしてもよい。振動板１２をボロンドープ層から形成することにより、厚み精度の高い振動板１２を形成することができる。
それから、図７（ｂ）に示すシリコン基板２ａと、図７（ａ）に示す電極基板３を例えば３６０℃に加熱し、シリコン基板２ａに陽極、電極基板３に陰極を接続して８００Ｖ程度の電圧を印加して陽極接合を行う（図７（ｃ））
シリコン基板２ａと電極基板３を陽極接合した後に、水酸化カリウム水溶液等で図７（ｃ）の工程で得られた接合基板をエッチングすることにより、シリコン基板２ａの全体を例えば厚さ１４０μｍになるまで薄板化する（図７（ｄ））。 Next, for example, after both surfaces of a silicon substrate 2a having a thickness of 525 μm are mirror-polished, a silicon oxide film 22 having a thickness of 0.1 μm made of TEOS (Tetra Ethyl Orthosilicate) is formed on one surface of the silicon substrate 2a by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition). Is formed (FIG. 7B). Before the silicon oxide film 22 is formed, boron for etching stop may be doped on the surface to form a boron doped layer. By forming the diaphragm 12 from a boron-doped layer, the diaphragm 12 with high thickness accuracy can be formed.
Then, the silicon substrate 2a shown in FIG. 7B and the electrode substrate 3 shown in FIG. 7A are heated to, for example, 360 ° C., and the anode is connected to the silicon substrate 2a and the cathode is connected to the electrode substrate 3, so that the voltage is about 800V. Anodic bonding is performed by applying voltage (FIG. 7C).
After anodic bonding of the silicon substrate 2a and the electrode substrate 3, the entire substrate 2a has a thickness of 140 μm, for example, by etching the bonding substrate obtained in the step of FIG. (Fig. 7 (d)).

それから、シリコン基板２ａの上面（電極基板３が接合されている面の反対面）の全面にプラズマＣＶＤによって例えば厚さ１．５μｍのＴＥＯＳ膜を形成する。
そしてこのＴＥＯＳ膜に、吐出室１３となる凹部１３ａ、リザーバ１４となる凹部１４ａ及びオリフィスとなる凹部１５ａとなる部分を形成するためのレジストをパターニングし、この部分のＴＥＯＳ膜をエッチング除去する。
その後、シリコン基板２ａを水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、吐出室１３となる凹部１３ａ、リザーバ１４となる凹部１４ａ及びオリフィスとなる凹部１５ａを形成する（図８（ｅ））。このとき、電極取出し部２３となる部分もエッチングして薄板化しておく。なお図８（ｅ）のウェットエッチングの工程では、例えば初めに３５重量％の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後３重量％の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板１２の面荒れを抑制することができる。 Then, a TEOS film having a thickness of, for example, 1.5 μm is formed on the entire upper surface of the silicon substrate 2a (the surface opposite to the surface to which the electrode substrate 3 is bonded) by plasma CVD.
The TEOS film is patterned with a resist for forming a recess 13a to be the discharge chamber 13, a recess 14a to be the reservoir 14, and a recess 15a to be the orifice, and the TEOS film in this portion is removed by etching.
Thereafter, the silicon substrate 2a is etched with a potassium hydroxide aqueous solution or the like, thereby forming a recess 13a serving as the discharge chamber 13, a recess 14a serving as the reservoir 14, and a recess 15a serving as an orifice (FIG. 8E). At this time, the part which becomes the electrode extraction part 23 is also etched and thinned. In the wet etching step shown in FIG. 8E, for example, a 35% by weight potassium hydroxide aqueous solution can be used first, and then a 3% by weight potassium hydroxide aqueous solution can be used. Thereby, surface roughness of the diaphragm 12 can be suppressed.

シリコン基板２ａのエッチングが終了した後に、接合基板をフッ酸水溶液でエッチングしてシリコン基板２ａに形成されたＴＥＯＳ膜を除去する。また電極基板３の液滴供給孔１８となる孔部１８ａにレーザー加工を施し、液滴供給孔１８が電極基板３を貫通するようにする（図８（ｆ））。
次に、シリコン基板２ａの吐出室１３となる凹部１３ａ等の形成された面に、例えばＣＶＤによってＴＥＯＳ等からなる液滴保護膜２４を、例えば厚さ０．１μｍで形成する（図８（ｇ））。
それからＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）等によって電極取出し部２３を開放する。またシリコン基板２ａに機械加工又はレーザー加工を行って、液滴供給孔１８をリザーバ１４となる凹部１４ａまで貫通させる。これにより、キャビティ基板２と電極基板３が接合された接合体である接合基板５が完成する（図８（ｈ））。 After the etching of the silicon substrate 2a is completed, the bonding substrate is etched with a hydrofluoric acid aqueous solution to remove the TEOS film formed on the silicon substrate 2a. Further, laser processing is performed on the hole portion 18a which becomes the droplet supply hole 18 of the electrode substrate 3 so that the droplet supply hole 18 penetrates the electrode substrate 3 (FIG. 8F).
Next, a droplet protective film 24 made of TEOS or the like is formed, for example, by CVD on the surface of the silicon substrate 2a where the recess 13a or the like that becomes the discharge chamber 13 is formed, for example, with a thickness of 0.1 μm (FIG. 8G )).
Then, the electrode take-out part 23 is opened by RIE (Reactive Ion Etching) or the like. Further, the silicon substrate 2a is machined or laser processed to penetrate the droplet supply hole 18 to the concave portion 14a serving as the reservoir 14. Thereby, the bonded substrate 5 which is a bonded body in which the cavity substrate 2 and the electrode substrate 3 are bonded is completed (FIG. 8H).

液滴吐出ヘッド１を製造するには、この接合基板５に、先にシリコン基板３０から製造したノズル基板４を接合する。この接合は、ノズル基板４の第２のノズル孔７が形成されている面に接着剤を転写して接着剤層を形成し、そのノズル基板４を接合基板５のキャビティ基板２と接合することにより行うことができる（図８（ｉ））。
そして最後に、例えばキャビティ基板２、電極基板３、及びノズル基板４が接合された接合基板をダイシング（切断）により分離することで、液滴吐出ヘッド１が完成する。 In order to manufacture the droplet discharge head 1, the nozzle substrate 4 previously manufactured from the silicon substrate 30 is bonded to the bonding substrate 5. In this bonding, the adhesive is transferred to the surface of the nozzle substrate 4 where the second nozzle holes 7 are formed to form an adhesive layer, and the nozzle substrate 4 is bonded to the cavity substrate 2 of the bonding substrate 5. (FIG. 8 (i)).
Finally, for example, the junction substrate on which the cavity substrate 2, the electrode substrate 3, and the nozzle substrate 4 are joined is separated by dicing (cutting), whereby the droplet discharge head 1 is completed.

上記のノズル基板および液滴吐出ヘッドの製造方法によれば、まず、シリコン基板３０の一方の面をエッチングすることによりノズル８となる凹部を形成し、ノズル８となる凹部が形成されている面に支持基板４０を貼り合わせた後に、支持基板４０が貼り合わせられた面の反対面からシリコン基板３０を薄板化するため、ノズル８となる凹部を形成するときに厚いシリコン基板３０を使用することができ、シリコン基板３０が割れたり欠けたりするのを防止することができる。また薄板化したシリコン基板３０をさらに加工する工程がないため、シリコン基板３０が割れたり欠けたりするのを効果的に防止することができる。従って、ノズル基板４の製造歩留まりが向上する。
また、シリコン基板３０に支持基板４０を貼り合わせる工程において、樹脂が第１のノズル孔６となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔７となる凹部７ｂに充填されるようにするため、シリコン基板３０を薄板化する際にノズル８の先端部が欠けるのを防止することができる。
さらに、厚いシリコン基板３０に非貫通状態でノズル８となる凹部を形成するため、ヘリウムガス等が加工面側にリークしてエッチングができなくなるのを防止することができる。 According to the manufacturing method of the nozzle substrate and the droplet discharge head described above, first, a recess that becomes the nozzle 8 is formed by etching one surface of the silicon substrate 30, and the surface on which the recess that becomes the nozzle 8 is formed. After the support substrate 40 is bonded together, the silicon substrate 30 is thinned from the opposite surface to the surface on which the support substrate 40 is bonded. It is possible to prevent the silicon substrate 30 from being cracked or chipped. Further, since there is no step for further processing the thinned silicon substrate 30, it is possible to effectively prevent the silicon substrate 30 from being cracked or chipped. Therefore, the manufacturing yield of the nozzle substrate 4 is improved.
In addition, in the step of bonding the support substrate 40 to the silicon substrate 30, the silicon substrate 30 is formed so that the resin is filled into the recesses 6 c serving as the first nozzle holes 6 and the recesses 7 b serving as the second nozzle holes 7. It is possible to prevent the tip of the nozzle 8 from being chipped when thinning the plate.
Furthermore, since the concave portion that becomes the nozzle 8 in the non-penetrating state is formed in the thick silicon substrate 30, it is possible to prevent helium gas or the like from leaking to the processing surface side to prevent etching.

（ウェハ固定治具とその利用方法について）
次に、図６（Ｐ）の工程の説明中に言及した本発明に係るウェハ固定治具とその治具を利用して、シリコン基板３０から樹脂層４２を剥離する方法を説明する。
図９は本発明の実施形態に係るウェハ固定治具５０の平面図、図１０はそのＢ−Ｂ断面図である。
ウェハ固定治具５０は、内部に空間５３が形成された基台５１であって、該基台５１の少なくとも片面はシリコンウェハなどの半導体ウェハの吸着面５２として平坦に形成され、吸着面５２の外周部には空間５３に連通し吸着面５２上のウェハを吸引する複数の吸引孔５４が形成されている。また、ウェハ吸着面５２側のウェハ配置領域には、ウェハを位置決め可能な形状としてのピン５５が二カ所に形成されており、空間５３は排気孔５６を介して真空引き装置（図示せず）に連通可能となっている。空間５３は複数の部屋に別れて形成されていてもよく、その場合には各部屋毎に真空引き用の排気孔５６を設けるのが好ましい。
また、ウェハを位置決め可能な形状はピン５５に限られるものではなく、他の形状としてもよい。例えば、ウェハ配置領域に低い外周壁を設けて、その外周壁にウェハの外縁を当接させるようにしても、ウェハの位置決めは可能である。
なお、図９中に符号６０で示した破線はシリコンウェハの配置予定範囲を、符号６０ａは載置されたシリコンウェハのチップエリアを、それぞれ示している。 (Wafer fixing jig and how to use it)
Next, a method for peeling the resin layer 42 from the silicon substrate 30 using the wafer fixing jig according to the present invention mentioned in the description of the process of FIG.
FIG. 9 is a plan view of a wafer fixing jig 50 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a sectional view taken along the line BB.
The wafer fixing jig 50 is a base 51 in which a space 53 is formed. At least one surface of the base 51 is formed flat as a suction surface 52 of a semiconductor wafer such as a silicon wafer. A plurality of suction holes 54 that communicate with the space 53 and suck the wafer on the suction surface 52 are formed in the outer peripheral portion. Further, in the wafer arrangement area on the wafer suction surface 52 side, two pins 55 are formed in a shape capable of positioning the wafer, and the space 53 is evacuated through an exhaust hole 56 (not shown). It is possible to communicate with. The space 53 may be formed separately in a plurality of rooms. In that case, it is preferable to provide an exhaust hole 56 for evacuation for each room.
Further, the shape capable of positioning the wafer is not limited to the pins 55, but may be other shapes. For example, the wafer can be positioned even if a low outer peripheral wall is provided in the wafer arrangement region and the outer edge of the wafer is brought into contact with the outer peripheral wall.
In FIG. 9, the broken line indicated by reference numeral 60 indicates the silicon wafer arrangement planned range, and reference numeral 60a indicates the chip area of the mounted silicon wafer.

図１１には図９のウェハ固定治具５０に載置されるシリコン基板３０の平面図（ａ）と、そのうちの１つのチップ（各ノズル基板４となるもの）の拡大図（ｂ）を示した。この段階のノズル基板４は、図６（Ｏ）の段階まで加工されたものである。すなわち、全体としてはシリコンウェハ３０の状態であり、最終的に切り出されてノズル基板４となる各チップにはそれぞれ複数のノズル孔８が形成されているとともに、支持基板４０との接合に使用した接着剤としての樹脂又は樹脂層４２が、ノズル孔８（６，７）の内部及シリコン基板３０の表面に貼り付いた状態となっている。
なお、シリコン基板３０は図９の符号６０に対応する位置に配置されるものであり、そのチップエリア３０ａは図９の符号６０ａに対応する。また、シリコン基板３０には、ウェハ固定治具５０のピン５５に嵌る位置決め孔３９が形成されているものとする。 FIG. 11 shows a plan view (a) of the silicon substrate 30 placed on the wafer fixing jig 50 of FIG. 9, and an enlarged view (b) of one of the chips (which will become each nozzle substrate 4). It was. The nozzle substrate 4 at this stage is processed up to the stage shown in FIG. That is, the whole is in the state of the silicon wafer 30, and a plurality of nozzle holes 8 are formed in each chip that is finally cut out to become the nozzle substrate 4, and used for bonding to the support substrate 40. A resin or a resin layer 42 as an adhesive is in a state of being adhered to the inside of the nozzle hole 8 (6, 7) and the surface of the silicon substrate 30.
The silicon substrate 30 is arranged at a position corresponding to the reference numeral 60 in FIG. 9, and the chip area 30a corresponds to the reference numeral 60a in FIG. In addition, it is assumed that positioning holes 39 that fit into the pins 55 of the wafer fixing jig 50 are formed in the silicon substrate 30.

図１２はウェハ固定治具５０にシリコン基板３０を載置した状態を示す説明図である。図１２において、符号７１はシリコン基板３０に貼り付けられた基板用粘着テープを、符号７２はシリコン基板３０に付着している接着剤としての樹脂に貼り付けられた樹脂用テープを、それぞれ示している。基板用粘着テープ７１はシリコン基板３０の表面保護を目的とし、樹脂用テープ７２はそれを利用しての樹脂引き剥がしを目的としている。
シリコン基板３０（図１２ではノズル孔と樹脂の図示を省略）は基板用粘着テープ７１をウェハ吸着面５２に接触させた状態でウェハ固定治具５０に配置されている。この場合、シリコン基板３０は、ウェハ固定治具５０のピン５５を位置決め孔３９に通すことで、ウェハ固定治具５０に対する位置決めがなされている。 FIG. 12 is an explanatory view showing a state in which the silicon substrate 30 is placed on the wafer fixing jig 50. In FIG. 12, reference numeral 71 denotes a substrate adhesive tape attached to the silicon substrate 30, and reference numeral 72 denotes a resin tape attached to a resin as an adhesive adhered to the silicon substrate 30. Yes. The substrate adhesive tape 71 is intended to protect the surface of the silicon substrate 30, and the resin tape 72 is intended to remove the resin using it.
The silicon substrate 30 (the nozzle holes and the resin are not shown in FIG. 12) is disposed on the wafer fixing jig 50 with the substrate adhesive tape 71 in contact with the wafer suction surface 52. In this case, the silicon substrate 30 is positioned with respect to the wafer fixing jig 50 by passing the pins 55 of the wafer fixing jig 50 through the positioning holes 39.

図１２に示した状態において、排気孔５６を真空ポンプなどの真空引き装置に連通させて、ウェハ固定治具５０のウェハ吸着面５２に置かれたシリコン基板３０を吸引孔５４を介して吸引し、ウェハ固定治具５０の基台５１に吸着固定する。そして、このように固定されたシリコン基板３０から樹脂を剥離する。次に、その工程を図１３により説明する。
図１３（ａ）は、ウェハ固定治具５０のウェハ吸着面５２にシリコン基板３０が吸着固定されている状態を示している。その状態から、樹脂用粘着テープ７２を引張って、シリコン基板３０から樹脂４２を引き剥がし、図１３（ｂ）と１３（ｃ）のような状態に分離する。このときシリコン基板３０はウェハ固定治具５０にしっかりと固定されているため、割れや欠けを生じることなく、樹脂層４２が取り除かれる。その後、ウェハ固定治具５０からシリコン基板３０を外し、さらにシリコン基板３０から基板用粘着テープ７１を剥がすと、ノズル基板が完成する。 In the state shown in FIG. 12, the exhaust hole 56 is communicated with a vacuum pumping device such as a vacuum pump, and the silicon substrate 30 placed on the wafer suction surface 52 of the wafer fixing jig 50 is sucked through the suction hole 54. Then, the wafer is fixed to the base 51 of the wafer fixing jig 50 by suction. And resin is peeled from the silicon substrate 30 fixed in this way. Next, the process will be described with reference to FIG.
FIG. 13A shows a state in which the silicon substrate 30 is sucked and fixed to the wafer suction surface 52 of the wafer fixing jig 50. From that state, the resin adhesive tape 72 is pulled, and the resin 42 is peeled off from the silicon substrate 30 to be separated into the states shown in FIGS. 13B and 13C. At this time, since the silicon substrate 30 is firmly fixed to the wafer fixing jig 50, the resin layer 42 is removed without causing cracks or chipping. Thereafter, the silicon substrate 30 is removed from the wafer fixing jig 50 and the substrate adhesive tape 71 is peeled off from the silicon substrate 30 to complete the nozzle substrate.

ところで、シリコン基板３０をウェハ固定治具５０に固定したまま、そのシリコン基板３０を他の基板へ接合させることも可能である。その場合には、ウェハ固定治具５０に固定されたシリコン基板３０と他の基板とのアライメントが取れるようにする必要がある。図１４はウェハ固定治具５０を利用してノズル基板４と接合基板５とのアラインメントを取る方法の一例を示す説明図である。図１４では、ウェハ吸着面５２のウェハ配置領域内の少なくとも二カ所に、アラインメント用の光を通す貫通孔が矢印のラインに沿って、基台５１の厚さ方向に片面側から他面側へ形成されている。一方、シリコン基板３０にも同様の貫通孔を形成しておき、それらの貫通孔を一致させて、シリコン基板３０をウェハ固定治具５０に吸着固定しておく。このようにしておけば、アラインメントカメラ８０からウェハ固定治具５０及びシリコン基板３０を通して、接合基板５に予め形成していたアラインメントマークへ光を当てて、シリコン基板３０と接合基板５とのアライメントを取りながらそれらを接合させることができる。これにより、ノズル基板４をウェハ固定治具５０から外してその後位置決めするという２つ工程を、１つの工程で済ませることが可能となり、液滴吐出ヘッドの生産性が向上する。
なお、ウェハ固定治具５０にシリコン基板３０を吸着固定する場合、ウェハ固定治具５０のウェハ吸着面５２にある吸引孔５４の利用箇所を選択できるようにすれば、シリコン基板３０のなかの必要なチップのみを取り出すことも可能となる。 By the way, it is also possible to bond the silicon substrate 30 to another substrate while the silicon substrate 30 is fixed to the wafer fixing jig 50. In that case, the silicon substrate 30 fixed to the wafer fixing jig 50 needs to be aligned with another substrate. FIG. 14 is an explanatory view showing an example of a method for aligning the nozzle substrate 4 and the bonding substrate 5 using the wafer fixing jig 50. In FIG. 14, through holes for passing alignment light are provided along at least two locations in the wafer placement area of the wafer suction surface 52 from the one surface side to the other surface side in the thickness direction of the base 51 along the arrow line. Is formed. On the other hand, similar through holes are formed in the silicon substrate 30, and the through holes are made coincident to fix the silicon substrate 30 to the wafer fixing jig 50. If it does in this way, light will be applied to the alignment mark previously formed in the joining board | substrate 5 through the wafer fixing jig 50 and the silicon substrate 30 from the alignment camera 80, and alignment with the silicon substrate 30 and the joining board | substrate 5 will be carried out. They can be joined while taking. As a result, the two steps of removing the nozzle substrate 4 from the wafer fixing jig 50 and then positioning the nozzle substrate 4 can be completed in one step, and the productivity of the droplet discharge head is improved.
In the case where the silicon substrate 30 is fixed to the wafer fixing jig 50 by suction, the use of the suction holes 54 on the wafer suction surface 52 of the wafer fixing jig 50 can be selected. It is also possible to take out only a simple chip.

上記実施形態では、支持基板４０が取り外されたシリコン基板３０をウェハ固定治具５０に装着して、ウェハ固定治具５０上ではシリコン基板３０から接着剤としての樹脂４２を剥離する方法を説明した。しかしながら、シリコン基板３０と支持基板５の接合体である接合基板５をウェハ固定治具５０に固定する方法をとっても良い。すなわち、接合基板５におけるシリコン基板３０の薄板化された面を、ウェハ固定治具５０のウェハ吸着面に吸着固定して、まずシリコン基板３０から支持基板５を剥離して外し、その後にシリコン基板３０に残った樹脂４２を、上記の方法により剥離するようにしてもよい。 In the above embodiment, the method of mounting the silicon substrate 30 from which the support substrate 40 has been removed to the wafer fixing jig 50 and peeling the resin 42 as the adhesive from the silicon substrate 30 on the wafer fixing jig 50 has been described. . However, a method of fixing the bonded substrate 5, which is a bonded body of the silicon substrate 30 and the support substrate 5, to the wafer fixing jig 50 may be used. That is, the thinned surface of the silicon substrate 30 in the bonding substrate 5 is sucked and fixed to the wafer suction surface of the wafer fixing jig 50, and the support substrate 5 is first peeled off from the silicon substrate 30, and then the silicon substrate is removed. The resin 42 remaining in 30 may be peeled off by the above method.

また、上記の製造方法で得られた液滴吐出ヘッドは、一般的にはインクジェットプリンタに適用される。しかし、吐出する液滴に種々の材料を含有させて、カラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、生体液体の吐出装置などにも適用することができる。 Further, the droplet discharge head obtained by the above manufacturing method is generally applied to an ink jet printer. However, various materials can be contained in the discharged droplets, and the present invention can also be applied to the manufacture of color filters, the formation of the light emitting portion of an organic EL display device, and the discharge device for biological liquids.

本発明の方法により製造された液滴吐出ヘッドの一例を示した縦断面図。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an example of a droplet discharge head manufactured by the method of the present invention. ノズル基板を液滴吐出面側から見た上面図。The top view which looked at the nozzle substrate from the droplet discharge surface side. 本発明の実施形態に係るノズル基板の製造工程を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of the nozzle substrate which concerns on embodiment of this invention. 図３の製造工程の続きの工程を示した縦断面図。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a step subsequent to the manufacturing step of FIG. 3. 図４の製造工程の続きの工程を示した縦断面図。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a step subsequent to the manufacturing step of FIG. 4. 図５の製造工程の続きの工程を示した縦断面図。FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a process subsequent to the manufacturing process of FIG. 5. 本発明の実施形態に係る液滴吐出ヘッドの製造工程を示す縦断面図。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a manufacturing process of a droplet discharge head according to an embodiment of the present invention. 図７の製造工程の続きの工程を示した縦断面図。FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a step subsequent to the manufacturing step of FIG. 7. 本発明の実施形態に係るウェハ固定治具の平面図。The top view of the wafer fixing jig which concerns on embodiment of this invention. 図９のウェハ固定治具のＢ−Ｂ断面図。BB sectional drawing of the wafer fixing jig of FIG. ノズル基板となるシリコンウェハの平面図（ａ）とそのうちの１つのチップの拡大図（ｂ）。The top view (a) of the silicon wafer used as a nozzle substrate, and the enlarged view (b) of one of them. ウェハ固定治具にノズル基板を載置した状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which mounted the nozzle board | substrate in the wafer fixing jig. ウェハ固定治具に固定されたノズル基板から樹脂を剥離する説明図。Explanatory drawing which peels resin from the nozzle substrate fixed to the wafer fixing jig. ウェハ固定治具を利用してノズル基板と接合基板とのアラインメントを取る方法の一例を示す説明図。Explanatory drawing which shows an example of the method of taking alignment with a nozzle substrate and a joining board | substrate using a wafer fixing jig.

Explanation of symbols

１液滴吐出ヘッド、２キャビティ基板、３電極基板、４ノズル基板、５接合基板、６第１のノズル孔、７第２のノズル孔、８ノズル、９ギャップ、１０液滴吐出面、１１接合面、１２振動板、１３吐出室、１４リザーバ、１５オリフィス、１６絶縁膜、１７電極、１８液滴供給孔、２１駆動回路、３０シリコン基板（シリコンウェハ）、３０ａチップエリア、３９シリコン基板３０の位置決め孔、４０支持基板、４２樹脂層（又は樹脂）、５０ウェハ固定治具、５１基台、５２ウェハ吸着面、５３空間、５４吸引孔、５５ピン、５６排気孔、７１基板用粘着テープ、７２樹脂用粘着テープ、８０アラインメントカメラ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Droplet discharge head, 2 Cavity substrate, 3 Electrode substrate, 4 Nozzle substrate, 5 Bonding substrate, 6 1st nozzle hole, 7 2nd nozzle hole, 8 Nozzle, 9 gap, 10 Droplet discharge surface, 11 Bonding Surface, 12 diaphragm, 13 discharge chamber, 14 reservoir, 15 orifice, 16 insulating film, 17 electrode, 18 droplet supply hole, 21 drive circuit, 30 silicon substrate (silicon wafer), 30a chip area, 39 silicon substrate 30 Positioning hole, 40 Support substrate, 42 Resin layer (or resin), 50 Wafer fixing jig, 51 Base, 52 Wafer suction surface, 53 Space, 54 Suction hole, 55 pin, 56 Exhaust hole, 71 Adhesive tape for substrate 72 Adhesive tape for resin, 80 alignment camera.

Claims

A base having a space formed therein, wherein at least one surface of the base is formed flat as a wafer suction surface, and a plurality of suctions for sucking the wafer in communication with the space on the outer periphery of the wafer suction surface A wafer fixing jig is characterized in that a hole is formed, and a shape capable of positioning a wafer is formed in a wafer arrangement area on the wafer suction surface side, and the space can communicate with a vacuuming device. Ingredients.

2. A through-hole through which light for alignment is passed is formed from one side of the base to the other side in at least two locations within a wafer arrangement region on the wafer suction surface side. Wafer fixing jig.

A method for manufacturing a nozzle substrate using the wafer fixing jig according to claim 1 or 2,
Forming a recess to be a nozzle hole on one side of the silicon substrate;
Bonding the support substrate to the surface of the silicon substrate where the recess is formed with an adhesive;
Thinning the surface of the silicon substrate opposite to the surface to which the support substrate is bonded until reaching the tip of the recess;
Peeling the support substrate from the silicon substrate;
Adhering and fixing the thinned surface of the silicon substrate from which the support substrate has been peeled off to the wafer suction surface of the wafer fixing jig, and peeling the adhesive from the silicon substrate;
A method for manufacturing a nozzle substrate, comprising:

A method for manufacturing a nozzle substrate using the wafer fixing jig according to claim 1 or 2,
Forming a recess to be a nozzle hole on one side of the silicon substrate;
Bonding a support substrate with an adhesive to the surface of the silicon substrate on which the recess is formed;
Thinning the surface of the silicon substrate opposite to the surface to which the support substrate is bonded until reaching the tip of the recess;
The thinned surface of the silicon substrate in the bonded body of the silicon substrate and the support substrate is adsorbed and fixed to the wafer adsorption surface of the wafer fixing jig, and the support substrate and the adhesive are peeled off from the silicon substrate. And a process of
A method for manufacturing a nozzle substrate, comprising:

5. The adhesive according to claim 3, wherein the adhesive is peeled off by sticking an adhesive tape to a surface of the silicon substrate to which the adhesive is applied, and peeling the resin using the adhesive tape. A method for manufacturing a nozzle substrate.

6. The method of manufacturing a nozzle substrate according to claim 3, wherein the silicon substrate is attached to the suction surface after a tape is attached to a bonding surface of the silicon substrate with the wafer suction surface. .

A method for manufacturing a droplet discharge head, comprising: bonding a nozzle substrate manufactured by the method according to claim 3 to a cavity substrate in which a flow path including a liquid discharge pressure chamber is formed. .

8. The bonding between the nozzle substrate and the cavity substrate is performed using positioning means provided on the wafer fixing jig while the nozzle substrate is held on the wafer fixing jig. A method for manufacturing the liquid droplet ejection head as described.