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JP2007241183A - Display device and method for repairing display device - Google Patents

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JP2007241183A
JP2007241183A JP2006067350A JP2006067350A JP2007241183A JP 2007241183 A JP2007241183 A JP 2007241183A JP 2006067350 A JP2006067350 A JP 2006067350A JP 2006067350 A JP2006067350 A JP 2006067350A JP 2007241183 A JP2007241183 A JP 2007241183A
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JP
Japan
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electrode
pixel
pixel electrode
display device
drain electrode
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Application number
JP2006067350A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuji Yoshinaga
哲司 吉永
Shigeki Watamura
茂樹 綿村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】 表示装置の製造工程中に発生する異物などによる点欠陥を確実に修復することが困難であった。
【解決手段】 画素電極8と、ドレイン電極5と、ドレイン電極と対向して配置されたソース電極4と、映像信号線3と、映像信号線方向の隣接画素の画素電極と絶縁膜を介して重なり合う突起部11を有する走査配線1と、走査配線1の突起部11と画素電極8との重なり部において、ソース電極4と同一層の導電膜で形成され、且つ画素電極8と接続された島状パターン13とを備える。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To reliably repair a point defect due to a foreign matter or the like generated during a manufacturing process of a display device.
A pixel electrode, a drain electrode, a source electrode disposed opposite to the drain electrode, a video signal line, a pixel electrode of an adjacent pixel in the video signal line direction, and an insulating film. An island formed of the conductive film of the same layer as the source electrode 4 and connected to the pixel electrode 8 at the overlapping portion of the scanning line 1 having the overlapping protruding part 11 and the protruding part 11 of the scanning line 1 and the pixel electrode 8. The pattern 13 is provided.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、欠陥画素の修復を確実に行う表示装置および表示装置の修復方法に関するものであり、特に液晶表示装置に適用して好適なものである。   The present invention relates to a display device that reliably repairs defective pixels and a method for repairing the display device, and is particularly suitable for application to a liquid crystal display device.

アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置は、貼り合わされる一対の絶縁性基板において一方の絶縁性基板上にマトリクス状に配設される画素電極に、TFT(Thin Film Transistor)などのスイッチング素子が接続され、このスイッチング素子のスイッチング動作により各画素電極の選択、非選択が行われ、表示動作を行うよう構成されている。上記のスイッチング素子は、一般に絶縁性基板上に半導体層、絶縁層、液晶駆動用の各種電極を積層した多層構造となっているので、スイッチング素子を製造する為には、絶縁性基板上へ各層のパターンニングが繰り返し行われる。このため、スイッチング素子の製造時に、断線あるいは短絡等により正常な動作を行わない欠陥スイッチング素子が生じることがある。この場合、該欠陥スイッチング素子に接続された画素電極からなる画素は、電圧が印可されない欠陥素子となる。この欠陥素子を有する画素は、特に、電源オフの状態で表示画面を白色に設定する表示動作モードであるノーマリーホワイトモードでの液晶表示装置では、常に光が透過された状態となる輝点欠陥として確認される。 In an active matrix liquid crystal display device, a switching element such as a TFT (Thin Film Transistor) is connected to pixel electrodes arranged in a matrix on one insulating substrate in a pair of insulating substrates to be bonded. Each pixel electrode is selected or not selected by the switching operation of the switching element, and the display operation is performed. Since the above switching element generally has a multilayer structure in which a semiconductor layer, an insulating layer, and various electrodes for driving a liquid crystal are laminated on an insulating substrate, each layer is formed on the insulating substrate in order to manufacture the switching element. The patterning is repeated. For this reason, when a switching element is manufactured, a defective switching element that does not perform normal operation due to disconnection or a short circuit may occur. In this case, a pixel including a pixel electrode connected to the defective switching element is a defective element to which no voltage is applied. The pixel having this defective element is a bright spot defect in which light is always transmitted, particularly in a liquid crystal display device in a normally white mode, which is a display operation mode in which the display screen is set to white with the power off. As confirmed.

液晶表示装置における輝点欠陥を修復する従来技術としては、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極との重なり部にレーザー照射し、ゲート絶縁膜が破壊されてゲート電極とドレイン電極が溶融し電気的に接続され、ドレイン電極に接続された画素電極を介して液晶には走査パルスが直流電圧として印加され、この結果ノーマリーホワイトモードでは暗表示となり、輝点欠陥を目立たなくしていた(例えば、特許文献1参照)。 As a conventional technique for repairing bright spot defects in liquid crystal display devices, laser irradiation is applied to the overlap between the gate electrode and drain electrode of the thin film transistor, the gate insulating film is destroyed and the gate electrode and drain electrode are melted and electrically connected. Then, a scanning pulse is applied as a DC voltage to the liquid crystal through the pixel electrode connected to the drain electrode. As a result, dark display is obtained in the normally white mode, and the bright spot defect is not noticeable (for example, Patent Document 1). reference).

また、その他の点欠陥を修復する従来技術として、ゲート配線と画素電極とを接続すべくゲート配線と画素電極の重なり部を別途設け、画素電極とゲート配線をレーザー照射によって接続し、ゲート電圧を印加して白点の欠陥画素を黒点に転換して目立たなくしていた(例えば、特許文献2参照)。 In addition, as a conventional technique for repairing other point defects, an overlapping portion of the gate wiring and the pixel electrode is separately provided to connect the gate wiring and the pixel electrode, the pixel electrode and the gate wiring are connected by laser irradiation, and the gate voltage is set. When applied, the defective pixel of the white spot is converted into a black spot to make it inconspicuous (see, for example, Patent Document 2).

特開平5−210111号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-210111 特許平9−113936号公報Japanese Patent No. 9-119366

しかしながら、特許文献1に記載の従来の表示装置の輝点欠陥の修復方法では、TFTが形成された絶縁性基板と対向基板とを貼り合わせた後の状態で、輝点欠陥が検出されて修復を行う場合、TFTが形成された絶縁性基板の裏面側より、ドレイン電極とゲート配線との重なり部にレーザー照射を行うこととなるが、この場合重なり部の位置を明確に確認することが出来ず、レーザー照射を確実に行うことが困難であり、ゲート配線とドレイン電極とが確実に接続されず、欠陥を修復できないという問題点があった。   However, in the conventional method for repairing a bright spot defect of a display device described in Patent Document 1, a bright spot defect is detected and repaired after the insulating substrate on which the TFT is formed and the counter substrate are bonded together. In this case, laser irradiation is performed on the overlapping part of the drain electrode and the gate wiring from the back side of the insulating substrate on which the TFT is formed. In this case, the position of the overlapping part can be clearly confirmed. Therefore, there is a problem that it is difficult to reliably perform laser irradiation, the gate wiring and the drain electrode are not reliably connected, and the defect cannot be repaired.

また、特許文献2に記載の従来の表示装置の輝点欠陥の修復方法では、ゲート配線と画素電極に重なり部を設ける表示装置の場合は、レーザー照射位置は特定することができるが、ゲート配線と画素電極をレーザー照射により接続する方法は、画素電極は主に透明導電膜が用いられるため、レーザー照射時に画素電極が飛び散り、確実に接続できないという問題点があった。 Further, in the conventional bright spot defect repairing method disclosed in Patent Document 2, in the case of a display device in which an overlap portion is provided between the gate wiring and the pixel electrode, the laser irradiation position can be specified. And the method of connecting the pixel electrode by laser irradiation have a problem in that the pixel electrode is scattered at the time of laser irradiation because the transparent conductive film is mainly used for the pixel electrode, so that the pixel electrode cannot be reliably connected.

また、ゲート配線と画素電極に重なり部を設ける特許文献2に記載の液晶表示装置の場合は、レーザー照射位置は特定することができるが、ゲート電極に画素電極との重なり部を設けているため、ゲート電極とドレイン電極と間の寄生容量(Cgd)が増加してしまい、表示品質を低下させてしまうという問題点もあった。 In the case of the liquid crystal display device described in Patent Document 2 in which an overlap portion is provided between the gate wiring and the pixel electrode, the laser irradiation position can be specified, but the gate electrode has an overlap portion with the pixel electrode. Further, the parasitic capacitance (Cgd) between the gate electrode and the drain electrode is increased, and there is a problem that display quality is deteriorated.

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、点欠陥を有する表示装置において、画素の寄生容量の増加を抑制し、TFTが形成された絶縁性基板裏面側からでも正確に輝点欠陥を修正できるような画素構造を有する表示装置および表示装置の修復方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such problems, and in a display device having a point defect, an increase in the parasitic capacitance of the pixel is suppressed and the brightness is accurately emitted from the back side of the insulating substrate on which the TFT is formed. An object of the present invention is to provide a display device having a pixel structure capable of correcting a point defect and a method for repairing the display device.

本発明は、欠陥画素を修復可能な表示装置に関し、映像信号線方向の隣接画素の画素電極と絶縁膜を介して重なり合う突起部を有する走査配線を備え、該走査配線の突起部と前記画素電極との重なり部において、TFTを形成するソース電極と同一層の導電膜で形成され且つ上記画素電極と接続された島状パターンとを備えるものである。 The present invention relates to a display device capable of repairing a defective pixel, and includes a scanning wiring having a protrusion overlapping with a pixel electrode of an adjacent pixel in an image signal line direction via an insulating film, and the protrusion of the scanning wiring and the pixel electrode And an island pattern formed of the same conductive film as the source electrode forming the TFT and connected to the pixel electrode.

本発明によれば、点欠陥を確実に修復可能な表示装置および表示装置の製造方法を得る。   According to the present invention, a display device and a display device manufacturing method capable of reliably repairing point defects are obtained.

実施の形態1.
本発明の実施の形態1を図1〜図4により説明する。図1は本発明の実施の形態1における表示装置の略1画素の平面図、図2は図1におけるA−A断面図、図3は本発明の実施の形態1における表示装置の修復方法を説明する略1画素の平面図、図4は図3におけるB−B断面図である。
Embodiment 1 FIG.
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a plan view of substantially one pixel of a display device according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a method for repairing the display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 3.

図1、図2において、走査信号を入力する走査配線(ゲート配線)1と絶縁膜(ゲート絶縁膜)2を介し、且つ交差して映像信号線3が形成されている。映像信号線3は、一体して形成されたソース電極4を備えている。さらに、ソース電極4と対向して形成されたドレイン電極5は、層間絶縁膜6に形成されたコンタクトホール7を介してITOなどの透明導電膜からなる画素電極8に接続されている。上記のソース電極、ドレイン電極および走査配線から形成されるゲート電極と図示せぬ半導体膜などによって、スイッチング素子であるTFT9が形成される。また、ドレイン電極5は、走査配線1に並行に、且つ画素電極8の一辺の端部を覆う延在部10を備えている。さらに、走査配線1には、映像信号線方向に隣接する画素の画素電極8と、絶縁膜2を介して重なるように突起部11が形成されている。該突起部11は、上記隣接画素の画素電極8との重なり部において、層間絶縁膜6に形成されたコンタクトホール12によって透明導電膜8と接続された島状パターン13を備えている。該島状パターン13は、上述のように隣接画素の走査配線と一体形成された突起部と画素電極との間に形成されているため、開口率の低下を極力抑制することが可能となっている。なお、該突起部11は、上述のように隣接する画素の画素電極と重なるように形成されているため、当該画素のゲート電極とドレイン電極との間の寄生容量(Cgd)を増加させることもない。   In FIG. 1 and FIG. 2, a video signal line 3 is formed through and intersecting a scanning wiring (gate wiring) 1 for inputting a scanning signal and an insulating film (gate insulating film) 2. The video signal line 3 includes a source electrode 4 formed integrally. Further, the drain electrode 5 formed facing the source electrode 4 is connected to a pixel electrode 8 made of a transparent conductive film such as ITO through a contact hole 7 formed in the interlayer insulating film 6. A TFT 9 that is a switching element is formed by the gate electrode formed from the source electrode, the drain electrode, and the scanning wiring, a semiconductor film (not shown), and the like. In addition, the drain electrode 5 includes an extending portion 10 in parallel with the scanning wiring 1 and covering an end portion of one side of the pixel electrode 8. Further, a projection 11 is formed on the scanning wiring 1 so as to overlap with the pixel electrode 8 of the pixel adjacent in the video signal line direction through the insulating film 2. The protrusion 11 includes an island pattern 13 connected to the transparent conductive film 8 by a contact hole 12 formed in the interlayer insulating film 6 at an overlapping portion with the pixel electrode 8 of the adjacent pixel. Since the island pattern 13 is formed between the protrusion and the pixel electrode formed integrally with the scanning wiring of the adjacent pixel as described above, it is possible to suppress the decrease in the aperture ratio as much as possible. Yes. Since the protrusion 11 is formed so as to overlap with the pixel electrode of the adjacent pixel as described above, the parasitic capacitance (Cgd) between the gate electrode and the drain electrode of the pixel may be increased. Absent.

上記のように構成される画素における点欠陥画素の修復方法について、以下に図3、図4を用いて説明する。図3、図4において、図1、図2と同じ構成部分については同一の符号を付している。例えば製造工程中に発生した異物などによりTFT9が正常に動作しないなどのことにより、画素が所望の表示を行わない所謂欠陥画素が発生した場合、まず当該画素の画素電極8と隣接する画素の走査配線の突起部11との重なり部に形成された島状パターン13にレーザー照射を行う。この場合、レーザー照射は、TFTが形成された絶縁性基板(以下、アレイ基板という)と対向して配置される対向基板とを貼り合わせた後の状態においては、アレイ基板のTFTが形成されていない裏面側からレーザー照射することが好ましいが、対向基板をまだ貼り合わせていないアレイ基板のみの状態においては、アレイ基板のTFTが形成された面または形成されていない裏面側のどちらからレーザー照射してもよい。このようにレーザー照射することで、島状パターン13と走査配線の突起部11との間の絶縁膜2が破壊され、島状パターン13と走査配線の突起部11とが接続される(図3、図4における接続部14参照)。 A method for repairing point defect pixels in the pixels configured as described above will be described below with reference to FIGS. 3 and 4, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. For example, when a so-called defective pixel in which a pixel does not perform a desired display occurs due to, for example, the TFT 9 not operating normally due to foreign matter generated during the manufacturing process, first, scanning of the pixel adjacent to the pixel electrode 8 of the pixel is performed. Laser irradiation is performed on the island-like pattern 13 formed in the overlapping portion with the protruding portion 11 of the wiring. In this case, the laser irradiation is performed after the insulating substrate on which the TFT is formed (hereinafter referred to as the array substrate) and the counter substrate disposed opposite to each other are bonded to each other. It is preferable to irradiate laser from the back side, but in the state of only the array substrate that has not yet bonded the counter substrate, laser irradiation is performed from either the surface of the array substrate where the TFT is formed or the back side where it is not formed. May be. By irradiating the laser in this way, the insulating film 2 between the island pattern 13 and the scanning wiring protrusion 11 is broken, and the island pattern 13 and the scanning wiring protrusion 11 are connected (FIG. 3). , See the connecting portion 14 in FIG. 4).

次に、ドレイン電極5において、画素電極8と接続される部分(図3におけるX−X部分)をレーザー照射にて切断する。このようにすることで、映像信号と走査信号とが短絡されることによる不具合を解消することができる。 Next, a portion of the drain electrode 5 connected to the pixel electrode 8 (XX portion in FIG. 3) is cut by laser irradiation. By doing in this way, the malfunction by a video signal and a scanning signal being short-circuited can be eliminated.

上記のような構成とすることにより、製造工程中に発生した異物などにより発生した欠陥画素に、画素の開口率の低下を抑制しつつ、走査信号を常時印加することが可能となり、欠陥を確実に黒点化(暗表示化)することで目立たなくすることが可能となる。 With the above-described configuration, it becomes possible to constantly apply a scanning signal to a defective pixel caused by a foreign matter or the like generated during the manufacturing process while suppressing a decrease in the aperture ratio of the pixel, thereby ensuring a defect. It becomes possible to make it inconspicuous by making a black spot (dark display).

実施の形態2.
本発明の実施の形態2を図5〜図8により説明する。図5は本発明の実施の形態2における表示装置の略1画素の平面図、図6は図5におけるC−C断面図、図7は本発明の実施の形態2における表示装置の修復方法を説明する略1画素の平面図、図8は図7におけるD−D断面図である。図5〜図8において、図1〜図4と同じ構成部分については同一の符号を付しており、その差異について説明を行う。
Embodiment 2. FIG.
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 is a plan view of substantially one pixel of the display device according to the second embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 5, and FIG. 7 is a method for repairing the display device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 7. 5 to 8, the same components as those in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and the differences will be described.

図5、図6において、ドレイン電極の延在部10に接続された半導体膜15が、走査配線1と絶縁膜2を介して形成されている。該半導体膜15は、走査配線1上まで延在して形成され、ソース電極4と同一層の導電膜から形成される島状パターン16に接続されている。該島状パターン16は、上述のように同一画素のドレイン電極の延在部から半導体膜を介して走査配線上に形成されているため、開口率の低下をさらに抑制することが可能となっている。   5 and 6, the semiconductor film 15 connected to the extended portion 10 of the drain electrode is formed via the scanning wiring 1 and the insulating film 2. The semiconductor film 15 is formed to extend up to the scanning wiring 1 and is connected to an island pattern 16 formed of a conductive film in the same layer as the source electrode 4. Since the island pattern 16 is formed on the scanning wiring from the extended portion of the drain electrode of the same pixel through the semiconductor film as described above, it is possible to further suppress the decrease in the aperture ratio. Yes.

上記のように構成される画素における点欠陥画素の修復方法について、以下に図7、図8を用いて説明する。図7、図8において、図5、図6と同じ構成部分については同一の符号を付している。例えば製造工程中に発生した異物などによりTFT9が正常に動作しないなどのことにより、画素が所望の表示を行わない欠陥画素が発生した場合、まず当該画素の走査配線1と島状パターン16との重なり部にレーザー照射を行う。この場合、実施の形態1と同様に、レーザー照射は、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせた後の状態においては、アレイ基板のTFTが形成されていない裏面側からレーザー照射することが好ましいが、対向基板をまだ貼り合わせていない状態においては、アレイ基板のTFTが形成された面または形成されていない裏面側のどちらからレーザー照射してもよい。このようにレーザー照射することで、島状パターン16と走査配線1との間の絶縁膜2が破壊され、島状パターン16と走査配線1とが接続される(図7、図8における接続部17参照)。このことのより、走査配線1の電位が、島状パターン16、半導体膜15を介してドレイン電極の延在部10に接続され、さらに図7におけるコンタクトホール7を経由して画素電極8に印加されることとなる。 A method for repairing point defect pixels in the pixels configured as described above will be described below with reference to FIGS. 7 and 8, the same components as those in FIGS. 5 and 6 are denoted by the same reference numerals. For example, when a defective pixel in which a pixel does not perform a desired display due to, for example, the TFT 9 not operating normally due to foreign matter generated during the manufacturing process, first, the scanning wiring 1 of the pixel and the island pattern 16 are first connected. Laser irradiation is performed on the overlapping part. In this case, as in the first embodiment, laser irradiation is preferably performed from the back surface side where the TFT of the array substrate is not formed in a state after the array substrate and the counter substrate are bonded together. In a state where the counter substrate is not yet bonded, laser irradiation may be performed from either the surface of the array substrate where the TFT is formed or the back surface side where it is not formed. By irradiating the laser in this way, the insulating film 2 between the island pattern 16 and the scanning wiring 1 is broken, and the island pattern 16 and the scanning wiring 1 are connected (the connection portion in FIGS. 7 and 8). 17). As a result, the potential of the scanning wiring 1 is connected to the drain electrode extension 10 via the island pattern 16 and the semiconductor film 15, and further applied to the pixel electrode 8 via the contact hole 7 in FIG. Will be.

次に、実施の形態1と同様に、ドレイン電極5において、画素電極8と接続される部分(図7におけるX−X部分)をレーザー照射にて切断する。このようにすることで、映像信号と走査信号とが短絡されることによる不具合を解消することができる。 Next, as in the first embodiment, a portion of the drain electrode 5 connected to the pixel electrode 8 (XX portion in FIG. 7) is cut by laser irradiation. By doing in this way, the malfunction by a video signal and a scanning signal being short-circuited can be eliminated.

上記のような構成とすることで、実施の形態1と同様に、製造工程中に発生した異物などにより発生した欠陥画素に、画素の開口率の低下をさらに抑制しつつ、走査信号を常時印加することが可能となり、欠陥を確実に黒点化(暗表示化)することで目立たなくすることが可能となる。 By adopting the configuration as described above, as in the first embodiment, a scanning signal is always applied to a defective pixel caused by a foreign matter or the like generated during the manufacturing process while further suppressing a decrease in the aperture ratio of the pixel. It becomes possible to make the defect inconspicuous by surely blackening (darkening) the defect.

以上、本発明を上記実施の形態1、2により説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるのはいうまでもない。上記実施の形態1、2を、液晶を用いた表示装置に限らず、画素電極と各種信号線を有するあらゆる表示装置の修復に適用してもよい。 As mentioned above, although this invention was demonstrated by the said Embodiment 1, 2, this invention is not limited to the said embodiment, It cannot be overemphasized that it can change variously in the range which does not deviate from the summary. . The first and second embodiments may be applied not only to a display device using liquid crystal but also to repairing any display device having a pixel electrode and various signal lines.

本発明の実施の形態1における表示装置の略1画素の平面図である。It is a top view of substantially 1 pixel of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 図1におけるA−A断面図である。It is AA sectional drawing in FIG. 本発明の実施の形態1における表示装置の修復方法を説明する略1画素の平面図である。FIG. 5 is a plan view of substantially one pixel for explaining the display device repairing method according to the first embodiment of the present invention. 図3におけるB−B断面図である。It is BB sectional drawing in FIG. 本発明の実施の形態2における表示装置の略1画素の平面図である。It is a top view of substantially 1 pixel of the display apparatus in Embodiment 2 of this invention. 図5におけるC−C断面図である。It is CC sectional drawing in FIG. 本発明の実施の形態2における表示装置の修復方法を説明する略1画素の平面図である。FIG. 10 is a plan view of substantially one pixel for explaining a display device repairing method according to Embodiment 2 of the present invention. 図7におけるD−D断面図である。It is DD sectional drawing in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 走査配線、2 絶縁膜、3 映像信号線、4 ソース電極、5 ドレイン電極、6 層間絶縁膜、7 コンタクトホール、8 画素電極、9 TFT、10 ドレイン電極の延在部、11 突起部、12 コンタクトホール、13 島状パターン、14 接続部、15 半導体膜、16 島状パターン、17 接続部

1 Scanning wiring, 2 Insulating film, 3 Video signal line, 4 Source electrode, 5 Drain electrode, 6 Interlayer insulating film, 7 Contact hole, 8 Pixel electrode, 9 TFT, 10 Drain electrode extension, 11 Protrusion, 12 Contact hole, 13 island pattern, 14 connection, 15 semiconductor film, 16 island pattern, 17 connection

Claims (6)

透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差し、前記映像信号線方向の隣接画素の画素電極と前記絶縁膜を介して重なり合う突起部を有する走査配線と、
前記走査配線の突起部と前記隣接画素の画素電極との重なり部において、前記ソース電極と同一層の導電膜で形成され、且つ前記画素電極と接続された島状パターンと、
を備えることを特徴とする表示装置。
A pixel electrode made of a transparent conductive film;
A drain electrode connected to the pixel electrode;
A source electrode disposed opposite the drain electrode;
A video signal line connected to the source electrode;
A scanning wiring having a protrusion that intersects with the video signal line through an insulating film and overlaps with a pixel electrode of an adjacent pixel in the video signal line direction through the insulating film;
An island pattern formed of a conductive film in the same layer as the source electrode and connected to the pixel electrode in an overlapping portion between the protrusion of the scanning wiring and the pixel electrode of the adjacent pixel;
A display device comprising:
前記島状パターンと前記走査配線の突起部とが、前記絶縁膜に形成された穴によって接続されており、前記ドレイン電極において前記画素電極へと接続される部分が切断されていることを特徴とする請求項1記載の表示装置。 The island pattern and the projection of the scanning wiring are connected by a hole formed in the insulating film, and a portion of the drain electrode connected to the pixel electrode is cut. The display device according to claim 1. 透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差する走査配線と、
前記ドレイン電極と接続され、前記走査配線と前記絶縁膜を介して重なる位置まで延在して形成された半導体膜と、
前記走査配線上の半導体膜に接続され、前記ソース電極と同一層の導電膜から形成された島状パターンと、
を備えることを特徴とする表示装置。
A pixel electrode made of a transparent conductive film;
A drain electrode connected to the pixel electrode;
A source electrode disposed opposite the drain electrode;
A video signal line connected to the source electrode;
A scanning wiring intersecting with the video signal line through an insulating film;
A semiconductor film connected to the drain electrode and extending to a position overlapping the scan line via the insulating film;
An island pattern connected to the semiconductor film on the scanning wiring and formed from the same conductive film as the source electrode;
A display device comprising:
前記島状パターンと前記走査配線とが、前記絶縁膜に形成された穴によって接続されており、前記ドレイン電極において前記画素電極へと接続される部分が切断されていることを特徴とする請求項3記載の表示装置。 The island pattern and the scanning wiring are connected by a hole formed in the insulating film, and a portion of the drain electrode connected to the pixel electrode is cut. 3. The display device according to 3. 透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差し、前記映像信号線方向の隣接画素の画素電極と前記絶縁膜を介して重なり合う突起部を有する走査配線と、
前記走査配線の突起部と前記隣接画素の画素電極との重なり部において、前記ソース電極と同一層の導電膜で形成され、且つ前記画素電極と接続された島状パターンと、
を備える液晶表示装置の修復方法であって、
前記島状パターンと前記走査配線の突起部とを、レーザー照射により接続する工程と、
前記ドレイン電極における前記画素電極へと接続される部分をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の修復方法。
A pixel electrode made of a transparent conductive film;
A drain electrode connected to the pixel electrode;
A source electrode disposed opposite the drain electrode;
A video signal line connected to the source electrode;
A scanning wiring having a protrusion that intersects with the video signal line through an insulating film and overlaps with a pixel electrode of an adjacent pixel in the video signal line direction through the insulating film;
An island pattern formed of a conductive film in the same layer as the source electrode and connected to the pixel electrode in an overlapping portion between the protrusion of the scanning wiring and the pixel electrode of the adjacent pixel;
A method for repairing a liquid crystal display device comprising:
Connecting the island pattern and the projection of the scanning wiring by laser irradiation;
Cutting the portion of the drain electrode connected to the pixel electrode by laser irradiation;
A method of repairing a display device, comprising:
透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差する走査配線と、
前記ドレイン電極と接続され、前記走査配線と前記絶縁膜を介して重なる位置まで延在して形成された半導体膜と、
前記走査配線上の半導体膜に接続され、前記ソース電極と同一層の導電膜から形成された島状パターンと、
を備える液晶表示装置の修復方法であって、
前記島状パターンと前記走査配線とを、レーザー照射により接続する工程と、
前記ドレイン電極における前記画素電極へと接続される部分をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の修復方法。

A pixel electrode made of a transparent conductive film;
A drain electrode connected to the pixel electrode;
A source electrode disposed opposite the drain electrode;
A video signal line connected to the source electrode;
A scanning wiring intersecting with the video signal line through an insulating film;
A semiconductor film connected to the drain electrode and extending to a position overlapping the scan line via the insulating film;
An island pattern connected to the semiconductor film on the scanning wiring and formed from the same conductive film as the source electrode;
A method for repairing a liquid crystal display device comprising:
Connecting the island pattern and the scanning wiring by laser irradiation;
Cutting the portion of the drain electrode connected to the pixel electrode by laser irradiation;
A method for repairing a display device, comprising:

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