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JP2007220181A - Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk and magnetic disk - Google Patents

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk and magnetic disk Download PDF

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JP2007220181A
JP2007220181A JP2006038019A JP2006038019A JP2007220181A JP 2007220181 A JP2007220181 A JP 2007220181A JP 2006038019 A JP2006038019 A JP 2006038019A JP 2006038019 A JP2006038019 A JP 2006038019A JP 2007220181 A JP2007220181 A JP 2007220181A
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JP
Japan
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group
groups
structural unit
glass substrate
general formula
Prior art date
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Pending
Application number
JP2006038019A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Higuchi
俊彦 樋口
Masami Kaneko
正己 金子
Osamu Miyahara
修 宮原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

【課題】磁気ディスク用ガラス基板のエッチング処理された内周端面上に形成される被膜の厚みを大きくする。
【解決手段】中央に円孔を有する円板状ガラス板の内周端面をエッチング処理し、その内周端面に有機ポリシラザン化合物を含有する液を塗布し、焼成する工程を有し、その化合物が構造単位−Si(R)(R)−(NH)−および構造単位−Si(R)(R)−O−を有し、R、R、R、Rはいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基または水素であり、RおよびRのいずれか1以上とRおよびRのいずれか1以上とは前記群から選ばれる基である磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【選択図】なし
An object of the present invention is to increase the thickness of a coating film formed on an inner peripheral end surface of a glass substrate for a magnetic disk that has been subjected to an etching process.
An inner peripheral end face of a disk-shaped glass plate having a circular hole in the center is etched, and a liquid containing an organic polysilazane compound is applied to the inner peripheral end face and baked. It has a structural unit —Si (R 1 ) (R 2 ) — (NH) — and a structural unit —Si (R 3 ) (R 4 ) —O—, and R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are any Is a group selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkylamino group, an alkylsilyl group and an alkoxy group, or any one of R 1 and R 2 And any one or more of R 3 and R 4 is a method for producing a glass substrate for a magnetic disk, which is a group selected from the above group.
[Selection figure] None

Description

磁気ディスクに用いられるガラス基板の製造方法および磁気ディスクに関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a glass substrate used for a magnetic disk and a magnetic disk.

磁気ディスク記憶装置等に使用される磁気ディスクの基板としてガラス基板が用いられている。
このガラス基板は中央に円孔を有する円板状のものであり、その主表面はきわめて高い平坦度および平滑度を有する。一方、その内周端面および外周端面、特に内周端面もガラス基板の機械的強度を向上させるという観点から平滑であることが求められるが、平坦な主表面と違って曲面であるために十分な平滑度が得られるような研磨を行いにくいという問題があった。
A glass substrate is used as a substrate of a magnetic disk used in a magnetic disk storage device or the like.
This glass substrate has a disk shape with a circular hole in the center, and its main surface has extremely high flatness and smoothness. On the other hand, the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface, particularly the inner peripheral end surface, are also required to be smooth from the viewpoint of improving the mechanical strength of the glass substrate, but are sufficient for the curved surface unlike the flat main surface. There was a problem that it was difficult to polish so as to obtain smoothness.

この問題を解決する方法として、内周端面をエッチング処理してガラス基板の機械的強度を支配する深い傷を除去し、次に、そのエッチング処理された内周端面にポリシラザンを含有する液を塗布し、焼成してその表面にシリカ層を形成する方法が提案されている(特許文献1参照)。   As a method for solving this problem, the inner peripheral end face is etched to remove deep scratches that govern the mechanical strength of the glass substrate, and then a liquid containing polysilazane is applied to the etched inner peripheral end face. And the method of baking and forming the silica layer on the surface is proposed (refer patent document 1).

特開平11−328665号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-328665

特許文献1の実施例の例1には、Rをアルキル基として−Si(R)H−NH−という一般式で表される構造単位から主としてなり、他に−Si(H)H−NH−という一般式で表される構造単位も有する東燃社製有機タイプポリシラザン(商品名:L710)をポリシラザンとして用い厚みが2〜3μmである被膜が内周端面および外周端面に形成されたと記載されている。
しかし、このようにして得られた被膜は厚みが2〜3μmであるとクラックが発生しやすくなる問題が起こると考えられる。
本発明はこのような問題を解決できる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの提供を目的とする。
In Example 1 of the example of Patent Document 1, R is an alkyl group, which is mainly composed of a structural unit represented by the general formula of —Si (R) H—NH—, and in addition to —Si (H) H—NH—. It is described that the organic type polysilazane (trade name: L710) manufactured by Tonen which also has a structural unit represented by the general formula is used as polysilazane, and a film having a thickness of 2 to 3 μm is formed on the inner peripheral end face and the outer peripheral end face. .
However, it is considered that the film obtained in this manner has a problem that cracks are likely to occur when the thickness is 2 to 3 μm.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk and a magnetic disk that can solve such problems.

本発明は、中央に円孔を有する円板状ガラス板の内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面に有機ポリシラザン化合物を含有する液を塗布し、焼成する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、その有機ポリシラザン化合物が下記一般式(A)で表される構造単位Aおよび下記一般式(B)で表される構造単位Bを有するものである磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。   The present invention includes a step of etching an inner peripheral end face of a disk-shaped glass plate having a circular hole in the center, applying a liquid containing an organic polysilazane compound to the etched inner peripheral end face, and firing it. A method of manufacturing a glass substrate for a disk, wherein the organic polysilazane compound has a structural unit A represented by the following general formula (A) and a structural unit B represented by the following general formula (B) Provided is a method for manufacturing a glass substrate.

なお、一般式(A)、(B)中のR、R、R、Rはいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基または水素であり、RおよびRのいずれか1以上とRおよびRのいずれか1以上とは前記群から選ばれる基である。 In general formulas (A) and (B), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups, alkylamino groups, alkylsilyl groups. A group selected from the group consisting of a group and an alkoxy group or hydrogen, and one or more of R 1 and R 2 and one or more of R 3 and R 4 are a group selected from the above group.

Figure 2007220181
Figure 2007220181

Figure 2007220181
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また、記録層となるべき磁性層を含む複数の層がガラス基板上に積層されている磁気ディスクであって、そのガラス基板が前記製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板である磁気ディスクを提供する。   A magnetic disk in which a plurality of layers including a magnetic layer to be a recording layer are laminated on a glass substrate, and the glass substrate is a glass substrate for a magnetic disk manufactured by the manufacturing method. provide.

本発明者は、前記ポリシラザンを用いて内周端面に形成された被膜にはその厚みが2〜3μmであると先に述べたような問題、すなわち被膜にクラックが発生しやすくなるという問題が起こり、このためにかえってガラス基板の機械的強度が低下する可能性が高くなると考え、被膜においてクラックが発生しやすくなることなく被膜の厚みを大きくできる可能性があるポリシラザン化合物を探索し、本発明に至った。すなわち、ポリシラザン組成物に関する発明が記載されている特開2005−36089号公報に、旭硝子社製高歪点ガラス基板上にたとえば厚みが10μmである高耐熱性被膜を形成できるポリシラザン組成物が記載されており、また、層間絶縁膜用感光性組成物等に関する発明が記載されている特開2004−77874号公報に、層間絶縁膜の膜厚限界を高くできる変性ポリシルセスキアザンが記載されていることを見出し、本発明に至った。   The present inventor found that the film formed on the inner peripheral end face using the polysilazane has a problem as described above that the thickness is 2 to 3 μm, that is, a problem that the film is likely to be cracked. For this reason, the possibility that the mechanical strength of the glass substrate is reduced is increased, and a polysilazane compound that can increase the thickness of the coating without easily causing cracks in the coating is searched for, and the present invention is applied. It came. That is, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-36089 in which an invention related to a polysilazane composition is described, a polysilazane composition capable of forming a high heat-resistant film having a thickness of, for example, 10 μm on a high strain point glass substrate manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. is described. JP-A-2004-77874, which describes an invention relating to a photosensitive composition for an interlayer insulating film, describes a modified polysilsesquiazane that can increase the film thickness limit of the interlayer insulating film. As a result, they have reached the present invention.

本発明によれば、ポリシラザン化合物を含有する液を内周端面に塗布し、焼成して得られた被膜の厚みを大きくすることが可能になり、その結果磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスクの機械的強度を高くすることが可能になる。   According to the present invention, it is possible to increase the thickness of a coating film obtained by applying a liquid containing a polysilazane compound to an inner peripheral end face and baking it, and as a result, a magnetic disk glass substrate and a magnetic disk machine. It is possible to increase the mechanical strength.

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法(以下、本発明の製造方法という。)においては通常次のような工程を経て磁気ディスク用ガラス基板が製造される。すなわち、円板状ガラス板の中央に円孔を開け、端面研磨、面取り、主表面ラッピング、外周端面鏡面研磨を順次行う。その後円板状ガラス板を積層して内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面に有機ポリシラザン化合物含有液をスプレー法等によって塗布し、焼成して内周端面に被膜を形成する。次に、内周端面に被膜が形成された円板状ガラス板の主表面を研磨して平坦かつ平滑な面とし磁気ディスク用ガラス基板とされる。   In the method for producing a glass substrate for magnetic disk of the present invention (hereinafter referred to as the production method of the present invention), the glass substrate for magnetic disk is usually produced through the following steps. That is, a circular hole is formed in the center of the disk-shaped glass plate, and end face polishing, chamfering, main surface lapping, and outer peripheral end face mirror polishing are sequentially performed. After that, a disk-shaped glass plate is laminated and the inner peripheral end face is etched. An organic polysilazane compound-containing liquid is applied to the etched inner peripheral end face by a spray method or the like, and baked to form a coating on the inner peripheral end face. To do. Next, the main surface of the disk-shaped glass plate having the coating film formed on the inner peripheral end surface is polished to obtain a flat and smooth surface, thereby obtaining a magnetic disk glass substrate.

本発明の製造方法によって製造される磁気ディスク用ガラス基板(以下、本発明のガラス基板という。)の外径、内径(円孔の直径)、厚みは特には限定されないが、外径95mmのものであれば内径25mm、厚みが1.0mmまたは0.8mm、外径84mmのものであれば内径25mm、厚みが1.0mmまたは0.63mm、外径65mmのものであれば内径20mm、厚み0.635mm、外径48mmのものであれば内径12mm、厚み0.55mm、外径27.1mmのものであれば内径7mm、厚み0.38mmであるものが例示される。   The outer diameter, inner diameter (circular hole diameter), and thickness of the magnetic disk glass substrate (hereinafter referred to as the glass substrate of the present invention) produced by the production method of the present invention are not particularly limited, but those having an outer diameter of 95 mm If the diameter is 25 mm, the thickness is 1.0 mm or 0.8 mm, and the outer diameter is 84 mm, the inner diameter is 25 mm. If the thickness is 1.0 mm or 0.63 mm, the outer diameter is 65 mm, the inner diameter is 20 mm, and the thickness is 0. If the diameter is 635 mm and the outer diameter is 48 mm, the inner diameter is 12 mm and the thickness is 0.55 mm. If the outer diameter is 27.1 mm, the inner diameter is 7 mm and the thickness is 0.38 mm.

本発明のガラス基板のガラスは特には限定されないが、耐侯性が高いものとしたい場合には以下に示すような耐水性、耐酸性、耐アルカリ性の基準を満たすものであることが好ましい。
耐水性:80℃の水にガラスを24時間浸漬したときの、ガラスからの成分溶出にともなうガラスの減量(溶出量)が0.02mg/cm以下。
耐酸性:80℃の0.1規定塩酸水溶液にガラスを24時間浸漬したときの、ガラスからの成分溶出にともなうガラスの減量(溶出量)が0.06mg/cm以下。
耐アルカリ性:80℃の0.1規定水酸化ナトリウム水溶液にガラスを24時間浸漬したときの、ガラスからの成分溶出にともなうガラスの減量(溶出量)が1mg/cm以下、より好ましくは0.18mg/cm以下。
The glass of the glass substrate of the present invention is not particularly limited, but when it is desired to have high weather resistance, it is preferable that the glass meets the following criteria for water resistance, acid resistance, and alkali resistance.
Water resistance: When the glass is immersed in water at 80 ° C. for 24 hours, the weight loss (elution amount) of the glass accompanying elution of the components from the glass is 0.02 mg / cm 2 or less.
Acid resistance: When the glass is immersed in an aqueous 0.1 N hydrochloric acid solution at 80 ° C. for 24 hours, the weight loss (elution amount) of the glass accompanying elution of the components from the glass is 0.06 mg / cm 2 or less.
Alkali resistance: When the glass is immersed in an aqueous 0.1 N sodium hydroxide solution at 80 ° C. for 24 hours, the weight loss (elution amount) of the glass accompanying elution of the components from the glass is 1 mg / cm 2 or less, more preferably 0.8. 18 mg / cm 2 or less.

また、本発明の製造方法においては化学強化工程は必須ではないので、NaやLi等のアルカリ金属の含有量をある値以上にしなければならないという制約は存在しない。
本発明のガラス基板のガラスとして、ソーダライムシリカガラス等のアルカリ金属酸化物を1〜20質量%含有するガラス、アルミナシリケートガラス(アルカリ金属酸化物を1〜20質量%含有するものも含む)、無アルカリガラス、結晶化ガラスが例示される。
Moreover, in the manufacturing method of this invention, since a chemical strengthening process is not essential, there is no restriction | limiting that content of alkali metals, such as Na and Li, must be made into a certain value or more.
As glass of the glass substrate of the present invention, glass containing 1-20% by mass of alkali metal oxide such as soda lime silica glass, alumina silicate glass (including those containing 1-20% by mass of alkali metal oxide), Non-alkali glass and crystallized glass are exemplified.

無アルカリガラスとして、下記酸化物基準の質量百分率表示組成が、SiO 56.0%、B 6.0%、Al 11.0%、Fe 0.05%、NaO 0.1%、MgO 2%、CaO 3%、BaO 15.0%、SrO 6.5%であるガラスAが例示される。このガラスの耐水性、耐酸性、耐アルカリ性の各試験における溶出量(単位:mg/cm)はそれぞれ、0.01、0.03、0.67である。 As an alkali-free glass, the following oxide-based mass percentage display composition is SiO 2 56.0%, B 2 O 3 6.0%, Al 2 O 3 11.0%, Fe 2 O 3 0.05%, Na 2 O 0.1%, MgO 2 %, CaO 3%, BaO 15.0%, the glass a is illustrated which is 6.5% SrO. The elution amounts (unit: mg / cm 2 ) in the water resistance, acid resistance, and alkali resistance tests of this glass are 0.01, 0.03, and 0.67, respectively.

中央に円孔を有する円板状ガラス板の円孔の表面すなわち内周端面はエッチング処理する前に#200〜#1000メッシュ程度の砥粒、たとえば#500メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒によって研磨しておくことが好ましい。
内周端面が研磨された円板状ガラス板の中心と円孔の中心との差は25μm以下、円孔の真円度は25μm以下であることが好ましい。
また、研磨された内周端面に対しては通常面取りを行い、その後酸化セリウム等の研磨材を用いて前記面取りされた面について鏡面研磨を行う。
The surface of the circular hole of the disk-shaped glass plate having a circular hole in the center, that is, the inner peripheral end surface is polished with abrasive grains of about # 200 to # 1000 mesh, for example, diamond abrasive grains of # 500 mesh under, before etching. It is preferable to keep it.
The difference between the center of the disk-shaped glass plate whose inner peripheral end face is polished and the center of the circular hole is preferably 25 μm or less, and the roundness of the circular hole is preferably 25 μm or less.
Further, the polished inner peripheral end surface is usually chamfered, and then the chamfered surface is mirror-polished using an abrasive such as cerium oxide.

内周端面のエッチング処理には、一般的なガラスのエッチング方法であるエッチング液を用いたウェットエッチング方法、エッチングガスを用いたドライエッチング方法、等が使用できる。中でも、フッ酸液、フツ硫酸液、フツ硝酸液、ケイフッ化水素酸などのエッチング液を用いたウェットエッチング方法が好適に使用できるが、フツ硫酸液またはフツ硝酸を用いた方法が特に好適である。
このエッチング処理は、円板状ガラス板をエッチング液中に浸漬して行う方法が一般的であるが、スプレー法、その他の方法でも可能である。なお、このエッチング処理は内周端面に高い突起を形成しないようなものであることが好ましい。
For the etching process of the inner peripheral end face, a wet etching method using an etching solution, which is a general glass etching method, a dry etching method using an etching gas, or the like can be used. Among them, a wet etching method using an etching solution such as a hydrofluoric acid solution, a hydrofluoric acid solution, a hydrofluoric acid solution, or hydrofluoric acid can be preferably used, but a method using a hydrofluoric acid solution or a hydrofluoric acid is particularly preferable. .
This etching process is generally performed by immersing a disk-shaped glass plate in an etching solution, but can also be performed by a spray method or other methods. This etching process is preferably such that high protrusions are not formed on the inner peripheral end face.

内周端面のエッチング量、すなわちエッチング処理による内周端面ガラスの除去厚さであるエッチング深さは、好ましくは8〜40μmである。8μm未満では内周端面に存在する深い傷の除去が不充分となり、機械的強度が低下するおそれがある。40μm超では内周端面に高い突起が形成されるおそれがある。   The etching depth, which is the etching amount of the inner peripheral end face, that is, the removal thickness of the inner peripheral end face glass by the etching process, is preferably 8 to 40 μm. If it is less than 8 μm, the removal of deep scratches existing on the inner peripheral end face becomes insufficient, and the mechanical strength may be lowered. If it exceeds 40 μm, a high protrusion may be formed on the inner peripheral end face.

前記ガラスAからなり、外径65mm、内径20mm、厚みが0.9mmである円板状ガラス板の内周端面エッチング処理はたとえば、フッ酸および硫酸をそれぞれ5質量%含有するフツ硫酸液中に10分間浸漬して行えばよく、そのときのエッチング深さは約20μmである。   The inner peripheral end face etching process of a disk-shaped glass plate made of the glass A and having an outer diameter of 65 mm, an inner diameter of 20 mm, and a thickness of 0.9 mm is, for example, in a sulfuric acid solution containing 5% by mass of hydrofluoric acid and sulfuric acid What is necessary is just to immerse for 10 minutes, and the etching depth at that time is about 20 micrometers.

エッチング処理された内周端面への有機ポリシラザン化合物を含有する液(以下、この液をコート液という。)の塗布はたとえば次の(1)〜(4)のいずれかの方法によって行うが、その際コート液が内周端面からはみ出して主表面に及んでもかまわない。
(1)刷毛を用いて塗布する刷毛塗り法。
(2)発泡プラスチック等からなるローラブラシの多孔質表面にコート液を供給し、そのローラブラシのロールを10〜60rpmで回転させながら円板状ガラス板の内周端面に接触させてコート液を転写・塗布するローラ塗り法。この場合、その円板状ガラス板も真空吸着によって保持して30〜50rpmで回転させることが好ましい。
(3)円板状ガラス板を真空吸着によって保持して10〜200rpmで回転させながらその内周端面にディスペンサによりコート液を供給して塗布する直接塗り法。
(4)円板状ガラス板を積層し、その積層体を5〜50rpmで回転させながら、その内周端面にスプレーノズルからコート液を噴霧するスプレーコート法。
The liquid containing the organic polysilazane compound (hereinafter referred to as the coating liquid) is applied to the etched inner peripheral end face by, for example, any one of the following methods (1) to (4). The coating liquid may protrude from the inner peripheral end surface and reach the main surface.
(1) A brush coating method using a brush.
(2) The coating liquid is supplied to the porous surface of the roller brush made of foamed plastic or the like, and the roller brush roll is rotated at 10 to 60 rpm while contacting the inner peripheral end surface of the disk-shaped glass plate to apply the coating liquid. Roller coating method to transfer and apply. In this case, it is preferable that the disk-shaped glass plate is also held by vacuum suction and rotated at 30 to 50 rpm.
(3) A direct coating method in which a disk-shaped glass plate is held by vacuum suction and is rotated at 10 to 200 rpm, and a coating liquid is supplied to the inner peripheral end surface by a dispenser and applied.
(4) A spray coating method in which a disk-shaped glass plate is laminated, and a coating liquid is sprayed from a spray nozzle onto the inner peripheral end face of the laminated body while rotating the laminated body at 5 to 50 rpm.

次に、本発明におけるコート液が含有する有機ポリシラザン化合物(以下、この有機ポリシラザン化合物を単に有機ポリシラザン化合物ということがある。)について説明する。
有機ポリシラザン化合物は構造単位AおよびBを有するものであるが、有機ポリシラザン化合物中では各構造単位は一般に、m、nを正の整数としてAまたはBという形で存在する。以下で述べる構造単位についても同様である。
Next, the organic polysilazane compound (hereinafter, this organic polysilazane compound may be simply referred to as an organic polysilazane compound) contained in the coating liquid in the present invention will be described.
The organic polysilazane compound has structural units A and B. In the organic polysilazane compound, each structural unit generally exists in the form of Am or Bn , where m and n are positive integers. The same applies to the structural units described below.

コート液の重合性成分が反応して形成されるコポリマー中のSi−O結合の数をNSi−O、Si−N結合の数をNSi−NとしてNSi−O/(NSi−N+NSi−O)は、好ましくは0.50〜0.99、特に好ましくは0.80〜0.95である。NSi−O/(NSi−N+NSi−O)が0.50より小さいと弾性率が上昇して脆くなる傾向があり、0.99を超えるとポリマー中の架橋点が減少してポリマーの硬度が不十分になることがある。 N Si—O / (N Si—N where N Si—O is the number of Si—O bonds and N Si—N is the number of Si—N bonds in the copolymer formed by the reaction of the polymerizable component of the coating liquid. + N Si—O 2 ) is preferably 0.50 to 0.99, particularly preferably 0.80 to 0.95. If N Si-O / (N Si-N + N Si-O ) is less than 0.50, the elastic modulus tends to increase and become brittle, and if it exceeds 0.99, the number of crosslinking points in the polymer decreases and the polymer The hardness may be insufficient.

有機ポリシラザン化合物は下記式(C)で表される構造単位Cを有してもよい。
なお、下記一般式(C)中のR、R、R、Rはいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基または水素であり、R、R、RおよびRのいずれか1以上は前記群から選ばれる基であり、Rは2価の芳香族基である。
The organic polysilazane compound may have a structural unit C represented by the following formula (C).
In the following general formula (C), R 5 , R 6 , R 8 and R 9 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups, alkylamino groups, alkylsilyl groups and alkoxy groups. A group selected from the group consisting of groups or hydrogen, wherein at least one of R 5 , R 6 , R 8 and R 9 is a group selected from the above group, and R 7 is a divalent aromatic group. .

Figure 2007220181
Figure 2007220181

有機ポリシラザン化合物は下記一般式(D)で表される構造単位D、下記一般式(E)で表される構造単位Eおよび下記一般式(F)で表される構造単位Fからなる群から選ばれる1以上の構造単位を有するものでもよい。   The organic polysilazane compound is selected from the group consisting of a structural unit D represented by the following general formula (D), a structural unit E represented by the following general formula (E), and a structural unit F represented by the following general formula (F). It may have one or more structural units.

なお、一般式(D)、(E)、(F)中のR10、R11、R12、R13、R14はいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基である。 In general formulas (D), (E), and (F), R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , and R 14 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, and aralkyl groups. , A group selected from the group consisting of an alkylamino group, an alkylsilyl group and an alkoxy group.

Figure 2007220181
Figure 2007220181

Figure 2007220181
Figure 2007220181

Figure 2007220181
Figure 2007220181

有機ポリシラザン化合物は下記一般式(G)で表される構造単位G、下記一般式(H)で表される構造単位Hおよび下記一般式(I)で表される構造単位Iからなる群から選ばれる1以上の構造単位を有するものでもよい。   The organic polysilazane compound is selected from the group consisting of the structural unit G represented by the following general formula (G), the structural unit H represented by the following general formula (H), and the structural unit I represented by the following general formula (I). It may have one or more structural units.

なお、一般式(G)、(H)、(I)中のR15、R17、R18、R20はいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基であり、R16、R19、R21はいずれも2価の芳香族基である。 In general formulas (G), (H) and (I), R 15 , R 17 , R 18 and R 20 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups, alkylamino groups. A group selected from the group consisting of a group, an alkylsilyl group and an alkoxy group, and R 16 , R 19 and R 21 are all divalent aromatic groups.

Figure 2007220181
Figure 2007220181

Figure 2007220181
Figure 2007220181

Figure 2007220181
Figure 2007220181

本発明において、アルキル基はC1〜C3アルキル基、アルケニル基はC1〜C2アルケニル基、シクロアルキル基はC6〜C8シクロアルキル基、アリール基はC6〜C8アリール基、アラルキル基はC1〜C3アラルキル基、アルキルアミノ基はC1〜C3アルキルアミノ基、アルキルシリル基はC1〜C3アルキルシリル基、アルコキシ基はC1〜C3アルコキシ基であることがそれぞれ好ましい。   In the present invention, the alkyl group is a C1-C3 alkyl group, the alkenyl group is a C1-C2 alkenyl group, the cycloalkyl group is a C6-C8 cycloalkyl group, the aryl group is a C6-C8 aryl group, and the aralkyl group is a C1-C3 aralkyl group. The alkylamino group is preferably a C1-C3 alkylamino group, the alkylsilyl group is preferably a C1-C3 alkylsilyl group, and the alkoxy group is preferably a C1-C3 alkoxy group.

本発明において、2価の芳香族基はアラルキレン基またはアリーレン基であることが好ましく、特に好ましくはフェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ベンジリデン基、フェネチリデン基、α−メチルベンジリデン基、シンナミリデン基またはナフチレン基である。   In the present invention, the divalent aromatic group is preferably an aralkylene group or an arylene group, and particularly preferably a phenylene group, a tolylene group, a xylylene group, a benzylidene group, a phenethylidene group, an α-methylbenzylidene group, a cinnamylidene group, or a naphthylene. It is a group.

2価の芳香族基であるR16、R19、R21の他の好ましい態様として下記一般式で表される基が挙げられる。 Other preferred embodiments of R 16 , R 19 and R 21 which are divalent aromatic groups include groups represented by the following general formula.

Figure 2007220181
Figure 2007220181

なお、上記一般式中の(R22)aはハロゲン原子または低級アルキル基であり、好ましくはC1〜C3アルキル基である。
また、aは0〜4のいずれかの整数であり、Zは直接結合しているか、または下記一般式で表される基である。
下記一般式中のR23はハロゲン原子または低級アルキル基であり、好ましくはC1〜C3アルキル基である。bは0〜4のいずれかの整数であり、Yは直接結合しているかまたは二価の基であり、好ましくはYは直接結合しているか、−O−、−S−、−CH−、または−CHCH−である。
In the above general formula, (R22) a is a halogen atom or a lower alkyl group, preferably a C1-C3 alkyl group.
A is an integer of 0 to 4, and Z is a direct bond or a group represented by the following general formula.
R23 in the following general formula is a halogen atom or a lower alkyl group, preferably a C1-C3 alkyl group. b is an integer of 0 to 4, Y is a direct bond or a divalent group, and preferably Y is a direct bond, —O—, —S—, —CH 2 —. Or —CH 2 CH 2 —.

Figure 2007220181
Figure 2007220181

16、R19、R21はいずれも、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ベンジリデン基、フェネチリデン基、α−メチルベンジリデン基、シンナミリデン基およびナフチレン基からなる群から選ばれる基であることが好ましい。 R 16 , R 19 and R 21 are all preferably groups selected from the group consisting of a phenylene group, a tolylene group, a xylylene group, a benzylidene group, a phenethylidene group, an α-methylbenzylidene group, a cinnamylidene group and a naphthylene group. .

有機ポリシラザン化合物は特開2005−36089号公報、特開2004−77874号公報等によって公知の方法によって合成できる。   The organic polysilazane compound can be synthesized by a known method according to JP-A No. 2005-36089, JP-A No. 2004-77874, or the like.

たとえば、恒温槽内に設置した反応容器を乾燥窒素で置換した後、キシレン1000mlにフェニルトリクロロシラン(PhSiCl)47g(0.222モル)、ジフェニルジクロロシラン(PhSiCl)56g(0.222モル)、メチルジクロロシラン(MeSiHCl)3.8g(0.033モル)、および1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)ベンゼン50g(0.19モル)を溶解させたものを前記反応容器に投入する。 For example, after replacing a reaction vessel installed in a thermostat with dry nitrogen, 47 g (0.222 mol) of phenyltrichlorosilane (PhSiCl 3 ) and 56 g (0.222) of diphenyldichlorosilane (Ph 2 SiCl 2 ) are added to 1000 ml of xylene. Mol), 3.8 g (0.033 mol) of methyldichlorosilane (MeSiHCl 2 ), and 50 g (0.19 mol) of 1,4-bis (dimethylchlorosilyl) benzene are charged into the reaction vessel. To do.

次に、反応容器内温度を−5℃とし、水13.0g(0.7222モル)をピリジンl000mlに溶解させた溶液を約30ml/分の速度で反応容器に注入する。この時、注入とともにハロシランと水との反応が起こり、容器内温度が−2℃まで上昇する。水とピリジン混合溶液の注入が終了した後、1時間撹拌を継続する。その後、未反応のクロロシランを完全に反応させる目的でアンモニアを2モル/分の速度で10分間注入し撹拌する。反応終了後、乾燥窒素を吹き込み未反応のアンモニアを除去した後、窒素雰囲気下で加圧濾過し、濾液約2300mlを得る。この濾液を減圧下で溶媒置換して、100gの無色透明な粘性樹脂である有機ポリシラザン化合物a1が得られる。   Next, the temperature in the reaction vessel is set to −5 ° C., and a solution prepared by dissolving 13.0 g (0.7222 mol) of water in 1000 ml of pyridine is poured into the reaction vessel at a rate of about 30 ml / min. At this time, the reaction between halosilane and water occurs with the injection, and the temperature in the container rises to -2 ° C. Stirring is continued for 1 hour after the injection of the water and pyridine mixed solution is completed. Thereafter, ammonia is injected at a rate of 2 mol / min for 10 minutes and stirred for the purpose of completely reacting unreacted chlorosilane. After completion of the reaction, dry nitrogen is blown to remove unreacted ammonia, followed by pressure filtration under a nitrogen atmosphere to obtain about 2300 ml of filtrate. The filtrate is subjected to solvent substitution under reduced pressure to obtain 100 g of an organic polysilazane compound a1, which is a colorless and transparent viscous resin.

得られた有機ポリシラザン化合物a1は、その数平均分子量が2200であり、RおよびRがフェニル基である構造単位A、RおよびRがフェニル基である構造単位B、R、R、RおよびRがCH、Rがフェニル基である構造単位C、R10がCHである構造単位D、R11がフェニル基である構造単位Eを有する有機ポリシラザン化合物である。
有機ポリシラザン化合物a1についてIRスペクトル分祈を行うと、波数3350cm−1にN−H基に基づく吸収、2160cm−1にSi−Hに基づく吸収、1140cm−1にSi−Ph基に基づく吸収、1060−1100cm−1にSi−Oに基づく吸収、1020−820cm−1にSi−HおよびSi−N−Siに基づく吸収、3140cm−1、2980cm−1および1270cm−1にC−Hに基づく吸収、810cm−1および780cm−1にベンゼン環のC−Hに基づく吸収がそれぞれ確認される。
The obtained organic polysilazane compound a1 has a number average molecular weight of 2200, structural units A in which R 1 and R 2 are phenyl groups, and structural units B, R 5 , R in which R 3 and R 4 are phenyl groups 6 , an organic polysilazane compound having a structural unit C in which R 8 and R 9 are CH 3 , R 7 is a phenyl group, a structural unit D in which R 10 is CH 3 , and a structural unit E in which R 11 is a phenyl group .
Doing prayer IR spectra min the organic polysilazane compound a1, absorption based on N-H group at a wave number of 3350 cm -1, absorption based on Si-H to 2160 cm -1, absorption based on Si-Ph group in 1140 cm -1, 1060 absorption based on Si-O in -1100Cm -1, absorption based on Si-H and Si-N-Si in 1020-820cm -1, 3140cm -1, 2980cm -1 and 1270 cm -1 in based on C-H absorption, Absorption based on C—H of the benzene ring is confirmed at 810 cm −1 and 780 cm −1 , respectively.

また、有機ポリシラザン化合物a1のH−NMRスペクトルを測定すると、δ7.2ppm(br,C)、δ4.8ppm(br,SiH)、δ1.4ppm(br,NH)、δ0.3ppm(br,SiCH)の吸収がそれぞれ確認される。 Further, when the 1 H-NMR spectrum of the organic polysilazane compound a1 was measured, δ 7.2 ppm (br, C 6 H 5 ), δ 4.8 ppm (br, SiH), δ 1.4 ppm (br, NH), δ 0.3 ppm ( br, SiCH 3 ) absorption is confirmed.

なお、この有機ポリシラザン化合物a1のNSi−O/(NSi−N+NSi−O)の理論値は0.928である。 The theoretical value of N Si—O 2 / (N Si—N + N Si—O 2 ) of the organic polysilazane compound a1 is 0.928.

耐熱性または耐薬品性を高くしたい等の場合には、コート液は下記一般式(J)で表される構造単位Jを有する無機ポリシラザン化合物(以下、この無機ポリシラザン化合物を単に無機ポリシラザン化合物ということがある。)を含有することが好ましい場合がある。なお、無機ポリシラザン化合物中で構造単位Jはlを正の整数としてJという形で存在し、lは一般に10〜10000、典型的には10〜200である。 When it is desired to increase heat resistance or chemical resistance, the coating liquid is an inorganic polysilazane compound having a structural unit J represented by the following general formula (J) (hereinafter, this inorganic polysilazane compound is simply referred to as an inorganic polysilazane compound). It may be preferred to contain. In the inorganic polysilazane compound, the structural unit J is present in the form of J l where l is a positive integer, and l is generally 10 to 10,000, typically 10 to 200.

Figure 2007220181
Figure 2007220181

無機ポリシラザン化合物の末端基は特に限定されないが、一般にシリル基、メチル基、アミノ基、メトキシ基、アルコキシ基またはトリメチルシリル基である。また、その末端には有機ポリシラザン化合物等の他の成分と結合するために、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、カルボニル基等を有していてもよい。   The terminal group of the inorganic polysilazane compound is not particularly limited, but is generally a silyl group, methyl group, amino group, methoxy group, alkoxy group or trimethylsilyl group. Moreover, in order to couple | bond with other components, such as an organic polysilazane compound, the terminal may have a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carbonyl group.

無機ポリシラザン化合物はたとえばペルヒドロポリシラザンである。
ペルヒドロポリシラザンの製造法は、たとえば特開昭60−145903号公報、D. SeyferthらによるCommunication of Am.cer.sor., c−13, January (1982)に記載されている。
The inorganic polysilazane compound is, for example, perhydropolysilazane.
A method for producing perhydropolysilazane is disclosed in, for example, JP-A-60-145903, D.C. Seyferth et al., Communication of Am. cer. sor. , C-13, January (1982).

たとえば、内容積1lの四つ口フラスコにガス吹き込み管、メカニカルスターラ、ジュワーコンデンサーを装着し、この反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ口フラスコに乾燥ピリジンを490ml入れ、これを氷冷する。
次にジクロロシラン51.9gを加え、白色固体状のアダクト(SiHCl・2CN)を生成させる。この反応混合物を氷冷し、撹拌しながら水酸化ナトリウム管(吸収菅)および活性炭を通して精製したアンモニア51.0gを吹き込んだ後、100℃に加熱する。
反応終了後、反応混合物を遠心分離し、乾燥ピリジンを用いて洗浄した後、さらに乾燥窒素雰囲気下で濾過して濾液850mlを得る。濾液5mlから溶媒を除去し樹脂状固体のペルヒドロポリシラザン0.102gを得る。
For example, a gas blowing tube, a mechanical stirrer, and a dewar condenser are attached to a 4-liter flask having an internal volume of 1 liter, and after the inside of the reactor is replaced with deoxygenated dry nitrogen, 490 ml of dry pyridine is placed in the four-necked flask. This is ice-cooled.
Next, 51.9 g of dichlorosilane is added to form a white solid adduct (SiH 2 Cl 2 .2C 2 H 5 N). The reaction mixture is ice-cooled, and 51.0 g of purified ammonia is blown through a sodium hydroxide tube (absorption paddle) and activated carbon with stirring, and then heated to 100 ° C.
After completion of the reaction, the reaction mixture is centrifuged, washed with dry pyridine, and further filtered under a dry nitrogen atmosphere to obtain 850 ml of filtrate. The solvent is removed from 5 ml of the filtrate to obtain 0.102 g of resinous solid perhydropolysilazane.

このペルヒドロポリシラザンの数平均分子量は、GPC(ポリスチレン喚算)にて測定すると1100である。
また、IRスペクトル分祈を行うと、波数3390cm−1および1180cm−1のN−Hに基づく吸収、2170cm−1のSi−Hに基づく吸収、1040〜800cm−1のSi−N−Siに基づく吸収がそれぞれ確認される。
The number average molecular weight of this perhydropolysilazane is 1100 when measured by GPC (polystyrene addition).
Further, when the prayer IR spectrum component, absorption based on N-H at a wavenumber of 3390 cm -1 and 1180 cm -1, absorption based on Si-H of 2170 cm -1, based on Si-N-Si of 1040~800Cm -1 Each absorption is confirmed.

無機ポリシラザン化合物を添加する場合の配合割合は目的に応じて任意に選択しうるが、有機ポリシラザン化合物と無機ポリシラザン化合物の合計を100質量部として無機ポリシラザン化合物の配合割合は90質量部以下であることが好ましく、50質量部以下であることが特に好ましい。
この配合割合を変化させることで、特に形成される保護膜の硬度や膜厚限界が変化するので、使用されるガラス基板に応じて適切に変化させることが好ましい。
The blending ratio in the case of adding the inorganic polysilazane compound can be arbitrarily selected according to the purpose, but the blending ratio of the inorganic polysilazane compound is 90 parts by mass or less with the total of the organic polysilazane compound and the inorganic polysilazane compound being 100 parts by mass. Is preferably 50 parts by mass or less.
By changing the blending ratio, the hardness and the film thickness limit of the protective film to be formed are particularly changed. Therefore, it is preferable to change appropriately depending on the glass substrate to be used.

コート液は通常溶剤を含み、その他に必要に応じて触媒等を含有してもよい。
有機ポリシラザン化合物a1のキシレン溶液(固形分濃度5質量%)、このキシレン溶液と前記ペルヒドロポリシラザンのキシレン溶液(固形分濃度5質量%)とを質量比1:1で混合した溶液、等がコート液として例示される。
The coating liquid usually contains a solvent and may contain a catalyst or the like as necessary.
Coated with a xylene solution of organic polysilazane compound a1 (solid content concentration 5 mass%), a solution in which this xylene solution and the xylene solution of perhydropolysilazane (solid content concentration 5 mass%) are mixed at a mass ratio of 1: 1. Illustrated as a liquid.

エッチング処理された内周端面へのコート液の塗布はたとえばスプレーコート法によって行う。
焼成は通常オーブンを用いて行う。典型的には210〜220℃に20〜30分間保持する乾燥を行い、その後375℃に保持してコート液を硬化させる。
コート液をガラスに塗布、焼成し、硬化させて得られる被膜の厚みは、典型的には3μm超20μm以下であり、たとえば4〜10μmである。
The coating liquid is applied to the inner peripheral end surface subjected to the etching process by, for example, a spray coating method.
Firing is usually performed using an oven. Typically, drying is performed by holding at 210 to 220 ° C. for 20 to 30 minutes, and then holding at 375 ° C. to cure the coating solution.
The thickness of the film obtained by applying the coating liquid to glass, baking and curing it is typically more than 3 μm and 20 μm or less, for example, 4 to 10 μm.

内周端面に被膜が形成された円板状ガラス板はその主表面をたとえば平均粒径2.5μmの酸化セリウムを用いて研磨されるなどして磁気ディスク用ガラス基板とされる。なお、この研磨の際に内周端面からはみ出した被膜は除去される。   A disk-shaped glass plate having a coating formed on the inner peripheral end surface thereof is used as a magnetic disk glass substrate by polishing its main surface with, for example, cerium oxide having an average particle diameter of 2.5 μm. Note that the film protruding from the inner peripheral end face during the polishing is removed.

磁気ディスク用ガラス基板の製造に利用できる。また、磁気ディスクとして利用できる。
It can be used to manufacture a glass substrate for a magnetic disk. It can also be used as a magnetic disk.

Claims (6)

中央に円孔を有する円板状ガラス板の内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面に有機ポリシラザン化合物を含有する液を塗布し、焼成する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、その有機ポリシラザン化合物が下記一般式(A)で表される構造単位Aおよび下記一般式(B)で表される構造単位Bを有するものである磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
なお、一般式(A)、(B)中のR、R、R、Rはいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基または水素であり、RおよびRのいずれか1以上とRおよびRのいずれか1以上とは前記群から選ばれる基である。
Figure 2007220181
Figure 2007220181
A glass substrate for a magnetic disk having a process of etching an inner peripheral end face of a disk-shaped glass plate having a circular hole in the center, applying a liquid containing an organic polysilazane compound to the inner peripheral end face subjected to the etching process, and baking the liquid. The organic polysilazane compound has a structural unit A represented by the following general formula (A) and a structural unit B represented by the following general formula (B). Production method.
In general formulas (A) and (B), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups, alkylamino groups, alkylsilyl groups. A group selected from the group consisting of a group and an alkoxy group or hydrogen, and one or more of R 1 and R 2 and one or more of R 3 and R 4 are a group selected from the above group.
Figure 2007220181
Figure 2007220181
前記有機ポリシラザン化合物が下記一般式(C)で表される構造単位Cを有するものである請求項1に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
なお、一般式(C)中のR、R、R、Rはいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基または水素であり、R、R、RおよびRのいずれか1以上は前記群から選ばれる基であり、Rは2価の芳香族基である。
Figure 2007220181
The method for producing a glass substrate for a magnetic disk according to claim 1, wherein the organic polysilazane compound has a structural unit C represented by the following general formula (C).
In general formula (C), R 5 , R 6 , R 8 and R 9 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups, alkylamino groups, alkylsilyl groups and alkoxy groups. A group selected from the group consisting of or hydrogen, any one or more of R 5 , R 6 , R 8 and R 9 is a group selected from the above group, and R 7 is a divalent aromatic group.
Figure 2007220181
前記有機ポリシラザン化合物が下記一般式(D)で表される構造単位D、下記一般式(E)で表される構造単位Eおよび下記一般式(F)で表される構造単位Fからなる群から選ばれる1以上の構造単位を有するものである請求項1または2に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
なお、一般式(D)、(E)、(F)中のR10、R11、R12、R13、R14はいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基である。
Figure 2007220181
Figure 2007220181
Figure 2007220181
The organic polysilazane compound comprises a structural unit D represented by the following general formula (D), a structural unit E represented by the following general formula (E), and a structural unit F represented by the following general formula (F). The method for producing a glass substrate for a magnetic disk according to claim 1, wherein the method comprises one or more structural units selected.
In general formulas (D), (E), and (F), R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , and R 14 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, and aralkyl groups. , A group selected from the group consisting of an alkylamino group, an alkylsilyl group and an alkoxy group.
Figure 2007220181
Figure 2007220181
Figure 2007220181
前記有機ポリシラザン化合物が下記一般式(G)で表される構造単位G、下記一般式(H)で表される構造単位Hおよび下記一般式(I)で表される構造単位Iからなる群から選ばれる1以上の構造単位を有するものである請求項1、2または3に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
なお、一般式(G)、(H)、(I)中のR15、R17、R18、R20はいずれも、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基およびアルコキシ基からなる群から選ばれる基であり、R16、R19、R21はいずれも2価の芳香族基である。
Figure 2007220181
Figure 2007220181
Figure 2007220181
The organic polysilazane compound is selected from the group consisting of a structural unit G represented by the following general formula (G), a structural unit H represented by the following general formula (H), and a structural unit I represented by the following general formula (I). 4. The method for producing a glass substrate for a magnetic disk according to claim 1, wherein the glass substrate has one or more selected structural units.
In general formulas (G), (H) and (I), R 15 , R 17 , R 18 and R 20 are all alkyl groups, alkenyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups, alkylamino groups. A group selected from the group consisting of a group, an alkylsilyl group and an alkoxy group, and R 16 , R 19 and R 21 are all divalent aromatic groups.
Figure 2007220181
Figure 2007220181
Figure 2007220181
前記有機ポリシラザン化合物を含有する液が、下記一般式(J)で表される構造単位Jを有する無機ポリシラザン化合物を含有する請求項1〜4のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
Figure 2007220181
The manufacturing method of the glass substrate for magnetic discs in any one of Claims 1-4 in which the liquid containing the said organic polysilazane compound contains the inorganic polysilazane compound which has the structural unit J represented by the following general formula (J). .
Figure 2007220181
記録層となるべき磁性層を含む複数の層がガラス基板上に積層されている磁気ディスクであって、そのガラス基板が請求項1〜5のいずれかの製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板である磁気ディスク。
A magnetic disk glass comprising a plurality of layers including a magnetic layer to be a recording layer laminated on a glass substrate, wherein the glass substrate is produced by the production method according to claim 1. A magnetic disk that is a substrate.
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