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JP2007305766A - Circuit board manufacturing method - Google Patents

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JP2007305766A
JP2007305766A JP2006132297A JP2006132297A JP2007305766A JP 2007305766 A JP2007305766 A JP 2007305766A JP 2006132297 A JP2006132297 A JP 2006132297A JP 2006132297 A JP2006132297 A JP 2006132297A JP 2007305766 A JP2007305766 A JP 2007305766A
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Japan
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region
layer
conductive layer
hole
exposure
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Pending
Application number
JP2006132297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Kaneda
安生 金田
Munetoshi Irisawa
宗利 入沢
Yuji Toyoda
裕二 豊田
Kunihiro Nakagawa
邦弘 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Paper Mills Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】各導電配線層間の導通を行う孔と表面配線部との間の位置ずれをなくし、配線パターンの微細化が可能となる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層上の導電層の上に形成したレジスト層に露光処理を行って、3種類の現像処理速度の異なる領域(第1領域、第2領域、第3領域と呼ぶ)を形成し、第1領域のレジスト層の除去処理(第1現像処理)と第2領域のレジスト層の除去処理(第2現像処理)との間で、第1領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第1領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第2現像処理と第3領域のレジスト層の除去処理(第3現像処理)との間で、第2領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第2領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第3現像処理の後に、第1領域、第2領域、第3領域のいずれかの領域の絶縁層に孔を形成する工程を含む事を特徴とする回路基板の製造方法。
【選択図】図3
There is provided a circuit board manufacturing method capable of miniaturizing a wiring pattern by eliminating a positional shift between a hole for conducting between conductive wiring layers and a surface wiring portion.
An exposure process is performed on a resist layer formed on a conductive layer on an insulating layer to form three types of regions having different development processing speeds (referred to as a first region, a second region, and a third region). In addition, between the removal process of the resist layer in the first area (first development process) and the removal process of the resist layer in the second area (second development process), Plating is applied to the conductive layer in one region, and the conductive layer in the second region is removed or removed between the second developing process and the resist layer removing process (third developing process) in the third region. And a step of applying plating to the conductive layer in the two regions, and forming a hole in the insulating layer in any one of the first region, the second region, and the third region after the third development processing. A method for manufacturing a circuit board.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、回路基板の製造方法に関し、特に複数の導電配線層を積層して形成された多層基板において、各導電配線層間の導通を行う孔と配線パターンとの間の位置ずれをなくし、配線パターンの微細化が可能となる回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a circuit board, and in particular, in a multilayer board formed by laminating a plurality of conductive wiring layers, a positional shift between a hole for conducting electricity between each conductive wiring layer and a wiring pattern is eliminated. The present invention relates to a method of manufacturing a circuit board that enables pattern miniaturization.

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板も高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段としては、回路基板の多層化が挙げられる。図23で示したように、複数の導電配線層を積層して形成した回路基板は、一般にスルーホール(貫通孔)41、バイアホール42、インタースティシャルバイアホール43と呼ばれる、内壁を導電層で被覆したあるいは充填した貫通孔、非貫通孔(以下、孔)といった細孔を通じて各層間の導通が行われている。   As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, circuit boards have also been increased in density and wiring patterns, and means for achieving such conditions include multilayer circuit boards. . As shown in FIG. 23, a circuit board formed by laminating a plurality of conductive wiring layers is generally called a through hole (through hole) 41, a via hole 42, and an interstitial via hole 43. Conduction between layers is performed through pores such as coated or filled through holes and non-through holes (hereinafter referred to as holes).

図24は、孔を上部から見た概略図である。孔17の周囲にランド18と呼ばれる導電層が形成されている。ランドは、角形、円形、楕円形、異形等の種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形状のランドを使用する事が多い。また、高密度化に対応するためには、ランドレス又は狭小ランド幅の孔が必要とされている。ここでランド幅とは、円形状ランドの場合は孔周囲の環状導体幅の最小値を意味している。穴明け加工時の孔の直径をD0、円形状ランドの環状導体の直径をDとすると、ランドレスとは、ランド幅Lw=(D−D0)/2がゼロであり、狭小ランド幅とは、ランド幅Lwが0より大きく40μm以下をいう。   FIG. 24 is a schematic view of the hole as viewed from above. A conductive layer called a land 18 is formed around the hole 17. There are various types of lands such as a square, a circle, an ellipse, and an irregular shape, but a circular land is often used because of the occupied area or the ease of use of the design surface. In order to cope with higher density, a landless or narrow land width hole is required. Here, the land width means the minimum value of the annular conductor width around the hole in the case of a circular land. If the diameter of the hole at the time of drilling is D0 and the diameter of the circular conductor of the circular land is D, the landless is that the land width Lw = (D−D0) / 2 is zero, and the narrow land width is The land width Lw is greater than 0 and 40 μm or less.

回路基板を製造する方法としては、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法によって微細回路を形成する場合、導電層のサイドエッチングによる画線の細り等があるため、微細回路に対して不利とされている。一方、アディティブ法は、微細回路に対しては有利であるが、無電解めっきで全ての導電層を形成するため、製造コストが高いという問題がある。セミアディティブ法は、多工程であるが、高速作業が可能な電解めっきを使用する事ができるために、微細回路製造方法として、優位に用いる事ができる。   As a method for manufacturing a circuit board, a subtractive method, an additive method, and a semi-additive method are known. In the case of forming a fine circuit by the subtractive method, there is a disadvantage to the fine circuit because there is a thinning of an image line due to side etching of the conductive layer. On the other hand, the additive method is advantageous for a fine circuit, but has a problem of high manufacturing cost because all the conductive layers are formed by electroless plating. Although the semi-additive method is multi-step, it can be used as a fine circuit manufacturing method because it can use electrolytic plating capable of high-speed operation.

セミアディティブ法で、回路基板を製造する一例を挙げる。まず、絶縁層1(図25)にスルーホールと呼ばれる貫通孔41を開け(図26)、貫通孔内壁を含む表面に薄い導電層2を設ける(図27)。次いで、非回路部にめっきレジスト層36を形成する(図28)。続いて、電解めっき処理により、導電層2が露出する部分の表面に導電層を形成する(図29)。その後、該めっきレジスト層36を除去し(図30)、該めっきレジスト層36下の薄い導電層2をエッチング除去して回路基板を形成する(図31)。   An example of manufacturing a circuit board by the semi-additive method will be given. First, a through hole 41 called a through hole is formed in the insulating layer 1 (FIG. 25) (FIG. 26), and the thin conductive layer 2 is provided on the surface including the inner wall of the through hole (FIG. 27). Next, a plating resist layer 36 is formed on the non-circuit portion (FIG. 28). Subsequently, a conductive layer is formed on the surface of the portion where the conductive layer 2 is exposed by electrolytic plating (FIG. 29). Thereafter, the plating resist layer 36 is removed (FIG. 30), and the thin conductive layer 2 under the plating resist layer 36 is removed by etching to form a circuit board (FIG. 31).

めっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成する事ができるが、高密度化に対応するには、フォトファブリケーション法を優位に用いる事ができる。フォトファブリケーション法としては、ネガ型(光架橋型)もしくはポジ型(光分解型)フォトレジストを用いた方法が一般的である。セミアディティブ法では、電解めっき処理により孔内部に導電層を設けるため、孔部分にめっきレジスト層が形成されていない状態が必要である。   The plating resist layer can be formed by a screen printing method, a photofabrication method having an exposure / development process using a photosensitive material, an ink jet method, or the like. Can be used with advantage. As a photofabrication method, a method using a negative type (photocrosslinking type) or a positive type (photolytic type) photoresist is generally used. In the semi-additive method, since a conductive layer is provided inside the hole by electrolytic plating, a state where a plating resist layer is not formed in the hole portion is necessary.

ネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストを用いた場合、図32に示したように、孔およびランド部は遮光して、ネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにし、未反応ドライフィルムフォトレジストを除去して、孔部およびランド部にはめっきレジスト層が無い状態とする。これら工程では、孔の穴開け加工や露光工程の位置合わせが重要となり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。   When using a negative (photocrosslinking type) dry film photoresist, as shown in FIG. 32, the holes and land portions are shielded from light so that the negative (photocrosslinking type) dry film photoresist does not crosslink. Unreacted dry film photoresist is removed so that there is no plating resist layer in the holes and lands. In these processes, it is important to perform hole drilling and alignment in the exposure process, and in particular, in a landless and narrow land width hole required for a high-density circuit board, extremely high alignment accuracy is required.

例えば、図33(b)に示したように、広大ランド幅の場合に、Xの距離だけ位置ずれが発生したとしても、孔部分は完全に遮光された状態となってネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストは架橋されないが、図33(a)に示したように、ランドレス及び狭小ランド幅の場合には、孔とランドが同距離Xだけずれると、ランドが孔部分から切れてしまい、全ての外周に渡って良好に導電層を形成する事ができないという問題がある。   For example, as shown in FIG. 33 (b), in the case of a large land width, even if a positional shift occurs by a distance of X, the hole portion is completely shielded from light and is of a negative type (photocrosslinking type). ) Dry film photoresist is not cross-linked, but as shown in FIG. 33 (a), in the case of landless and narrow land width, if the hole and the land are shifted by the same distance X, the land is cut off from the hole portion. Therefore, there is a problem that the conductive layer cannot be satisfactorily formed over the entire outer periphery.

この問題を解決し、露光工程での位置ずれが発生しても、孔の外周に渡って良好に導電層を形成できる技術が開示されている(例えば特許文献1参照)。この方法によれば、トナー電着を利用する事で、孔部にランドレス又は狭小ランドの開口部を精度良く形成する事ができ、セミアディティブ工法に応用する事でファインパターンの形成が可能となる。この方法によれば、図34に示すように、位置ずれの無い状態(図34(a))から、位置ずれX1が発生して図34(b)となっても、孔の回りの座切れ(孔の外周に渡って、良好な導電層が形成されていないカ所)の発生が回避できる。しかし、配線パターンが孔にかかる程の位置ずれX2が発生した場合(図34(c))には、ショート欠陥が発生してしまう。   A technique that solves this problem and can satisfactorily form a conductive layer over the outer periphery of a hole even if a positional shift occurs in an exposure process is disclosed (see, for example, Patent Document 1). According to this method, by using toner electrodeposition, a landless or narrow land opening can be accurately formed in the hole, and a fine pattern can be formed by applying to a semi-additive method. Become. According to this method, as shown in FIG. 34, even if the positional deviation X1 occurs from the state without positional deviation (FIG. 34A) and becomes FIG. Occurrence of (a place where a good conductive layer is not formed over the outer periphery of the hole) can be avoided. However, when the positional deviation X2 that causes the wiring pattern to cover the hole occurs (FIG. 34C), a short defect occurs.

これは、導電層間の接続をとるための孔を形成する孔開け加工工程と表面の配線パターンを形成するパターン露光工程がそれぞれ別個に基板に対して位置合わせを行って加工を行っているためであり、それぞれの工程の位置合わせ精度には限界があるため、位置ずれが発生するのは避けられない。特に、微細な配線パターンを有した回路基板の製造の際には問題となっていた。   This is because the drilling process for forming holes for connecting the conductive layers and the pattern exposure process for forming the wiring pattern on the surface are performed by performing alignment with the substrate separately. In addition, since there is a limit to the alignment accuracy of each process, it is inevitable that a displacement occurs. In particular, there has been a problem when manufacturing a circuit board having a fine wiring pattern.

また、多孔質の絶縁体からなる基板に光めっきプロセスを利用して、回路基板を作製し、孔位置と配線パターンの位置ずれが発生しないような配線基板についても開示されている(例えば、特許文献2参照)。これは、2種類の光透過領域を持たせたマスクを利用して、孔部と配線部とを1回の露光により形成する。これにより位置ずれが発生しない回路基板が作製できる。   In addition, a circuit board is manufactured by using a photoplating process on a substrate made of a porous insulator, and a wiring board in which positional deviation between a hole position and a wiring pattern does not occur is also disclosed (for example, a patent) Reference 2). In this method, a hole and a wiring part are formed by one exposure using a mask having two kinds of light transmission regions. This makes it possible to produce a circuit board that does not cause misalignment.

ただし、多孔質体の内部に導電層と絶縁層を形成するため、通常、絶縁層として用いられているポリイミド等の絶縁樹脂層に比べ、絶縁信頼性は劣っており、マイグレーションの問題、接続信頼性の問題に対しては、高い信頼性がまだ確立されていないのが現状である。   However, since the conductive layer and the insulating layer are formed inside the porous body, the insulation reliability is inferior compared to the insulating resin layer such as polyimide usually used as the insulating layer. However, the present situation is that high reliability has not yet been established.

また、基材の上にポジ型のレジスト膜を形成し、第1の領域と第2の領域の露光量を変えて露光を行い、第1の領域と第2の領域のRIE(反応性イオンエッチング)によるエッチング加工深さを変え、かつ第1の領域と第2の領域の位置関係のずれを発生しないようにした技術も開示されている(例えば、特許文献3参照)。しかし、この方法では、エッチング加工を行う方法として、RIEによる方法が開示されているが、通常の回路基板の孔加工は、コスト、生産性の点から、RIEは用いられず、ドリルによる加工やレーザによる加工、湿式のエッチング処理による加工によって行われており、その場合には、この方法のようにレジスト膜を孔開け加工処理の際のレジストとして使用する事は、レジスト膜の耐性の点から難しい。   Further, a positive resist film is formed on the substrate, and exposure is performed by changing the exposure amounts of the first region and the second region, and RIE (reactive ions) of the first region and the second region are formed. There is also disclosed a technique in which the etching processing depth by etching) is changed and the positional relationship between the first region and the second region is not shifted (see, for example, Patent Document 3). However, in this method, a method using RIE is disclosed as a method for performing etching processing. However, RIE is not used for hole processing of a normal circuit board in terms of cost and productivity. In this case, the resist film is used as a resist in the drilling process because of the resistance of the resist film. difficult.

また、より微細なパターンの回路基板の製造方法においては、前述のようにセミアディティブ法が好適に用いられ、レジスト層を除去した部分にめっき処理を施す。特許文献3のような方法では、半分の露光量で露光したポジ型レジストを除去した部分にめっき処理を施さなくてはならず、その場合には、半分の露光量で露光したポジ型レジストの除去部には、レジスト残渣が残り、めっき処理を行う事は難しい。この方法は、レベンソン型位相シフトマスクの製造や、デュアルダマシン構造の半導体装置をRIEを用いてエッチングのみを行う場合には適用可能であるが、異なる処理液を組み合わせて処理を行う回路基板の製造に際しては、レジスト膜の耐性の問題やレジスト残渣の問題があり、適用する事はできなかった。
特開2005−286297号公報 特開2002−368383号公報 特開2006−53249号公報
In addition, in the method of manufacturing a circuit board with a finer pattern, the semi-additive method is preferably used as described above, and a plating process is performed on the portion from which the resist layer has been removed. In a method such as Patent Document 3, plating must be applied to a portion where the positive resist exposed at half the exposure amount is removed. In this case, the positive resist exposed at half the exposure amount Resist residue remains in the removed portion, and it is difficult to perform the plating process. This method can be applied to the manufacture of Levenson-type phase shift masks or the etching of dual damascene semiconductor devices using RIE, but the manufacture of circuit boards that perform processing by combining different processing solutions. At that time, there were problems of resist film resistance and resist residue, and it could not be applied.
JP 2005-286297 A JP 2002-368383 A JP 2006-53249 A

本発明の課題は、複数の導電配線層を積層して形成された多層基板において、各導電配線層間の導通を行う孔と表面配線部との間の位置ずれをなくし、配線パターンの微細化が可能となる回路基板の製造方法を提供する事にある。   It is an object of the present invention to eliminate a positional shift between a hole for conducting between each conductive wiring layer and a surface wiring portion in a multilayer substrate formed by laminating a plurality of conductive wiring layers, and miniaturize a wiring pattern. It is an object of the present invention to provide a circuit board manufacturing method that can be used.

本発明者らは、この課題を解決するため研究を行った結果、
(1)絶縁層上の導電層の上にレジスト層を形成する工程、エッチング除去処理もしくはめっき付与処理を行って導電層の除去もしくは付与を行う工程、該絶縁層に孔を形成する工程、を含む回路基板の製造方法において、レジスト層を形成した後に該レジスト層に露光処理を行って、3種類の現像処理速度の異なる領域(第1領域、第2領域、第3領域と呼ぶ)を形成し、第1領域のレジスト層の除去処理(第1現像処理)、第2領域のレジスト層の除去処理(第2現像処理)、第3領域のレジスト層の除去処理(第3現像処理)をこの順で別々に行い、第1現像処理と第2現像処理の間で、第1領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第1領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第2現像処理と第3現像処理との間で、第2領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第2領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第3現像処理の後に、第1領域、第2領域、第3領域のいずれかの領域の絶縁層に孔を形成する工程を含む回路基板の製造方法、
(2)レジスト層が光架橋性樹脂層であり、第1領域が露光処理において未露光の領域であり、第2領域が露光処理において低露光量で露光された領域であり、第3領域が露光処理において高露光量で露光された領域である事を特徴とする上記(1)の回路基板の製造方法、
(3)(a)絶縁層上の導電層の上に光架橋性樹脂層を形成する工程、
(b)光架橋性樹脂層に露光処理を行って、未露光部(第1領域)、低露光量露光部(第2領域)、高露光量露光部(第3領域)を形成する工程、
(c)第1現像処理により、第1領域の光架橋性樹脂層を除去して、第1領域の導電層を露出する工程、
(d)エッチング処理により、第1領域の露出導電層をエッチング除去する工程、
(e)第2現像処理により、第2領域の光架橋性樹脂層を除去して、第2領域の導電層を露出させる工程、
(f)電解めっき処理により第2領域の露出導電層上にパターンめっきを行う工程、
(g)第3現像処理により、第3領域の光架橋性樹脂層を除去する工程、
(h)第1領域の絶縁層を除去して孔を形成する工程、
(i)孔内の導電化処理を行う工程、
(j)フラッシュエッチングして、第3領域の導電層を除去する工程、
をこの順で含む回路基板の製造方法、
を見出した。
The present inventors have conducted research to solve this problem,
(1) A step of forming a resist layer on the conductive layer on the insulating layer, a step of removing or applying the conductive layer by performing an etching removal process or a plating application process, and a step of forming a hole in the insulating layer. In the method of manufacturing a circuit board including the above, after forming a resist layer, the resist layer is subjected to exposure processing to form three types of regions having different development processing speeds (referred to as a first region, a second region, and a third region). Then, the first layer resist layer removal process (first development process), the second area resist layer removal process (second development process), and the third area resist layer removal process (third development process). In this order separately, between the first development process and the second development process, the etching removal process of the conductive layer in the first region or the plating application process to the conductive layer in the first region is performed, and the second development process and Between the third development process and the second area Etching removal processing of the electric layer or plating application processing to the conductive layer in the second region is performed, and after the third development processing, a hole is formed in the insulating layer in any one of the first region, the second region, and the third region. A method of manufacturing a circuit board including a step of forming,
(2) The resist layer is a photocrosslinkable resin layer, the first area is an unexposed area in the exposure process, the second area is an area exposed at a low exposure amount in the exposure process, and the third area is The method for producing a circuit board according to the above (1), which is a region exposed at a high exposure amount in the exposure process,
(3) (a) forming a photocrosslinkable resin layer on the conductive layer on the insulating layer;
(B) performing an exposure process on the photocrosslinkable resin layer to form an unexposed portion (first region), a low exposure amount exposure portion (second region), and a high exposure amount exposure portion (third region);
(C) removing the photocrosslinkable resin layer in the first region and exposing the conductive layer in the first region by a first development process;
(D) a step of etching away the exposed conductive layer in the first region by an etching process;
(E) removing the photocrosslinkable resin layer in the second region and exposing the conductive layer in the second region by the second development treatment;
(F) a step of performing pattern plating on the exposed conductive layer in the second region by electrolytic plating;
(G) a step of removing the photocrosslinkable resin layer in the third region by the third development treatment;
(H) removing the insulating layer in the first region to form a hole;
(I) a step of conducting the conductive treatment in the hole;
(J) flash etching to remove the conductive layer in the third region;
Circuit board manufacturing method including
I found.

本発明の回路基板の製造方法(1)においては、絶縁層上の導電層の上にレジスト層を形成する工程、エッチング除去処理もしくはめっき付与処理を行って導電層の除去もしくは付与を行う工程、該絶縁層に孔を形成する工程、を含む回路基板の製造方法において、レジスト層を形成した後に該レジスト層に露光処理を行って、3種類の現像処理速度の異なる領域(第1領域、第2領域、第3領域と呼ぶ)を形成し、第1領域のレジスト層の除去処理(第1現像処理)、第2領域のレジスト層の除去処理(第2現像処理)、第3領域のレジスト層の除去処理(第3現像処理)をこの順で別々に行い、第1現像処理と第2現像処理の間で、第1領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第1領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第2現像処理と第3現像処理との間で、第2領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第2領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第3現像処理の後に、第1領域、第2領域、第3領域のいずれかの領域の絶縁層に孔を形成する工程を含む方法で回路基板の製造を行う。最初の露光処理によって第1領域、第2領域、第3領域を規定する事で、3種類の状態、すなわち、孔形成領域、表面配線領域、表面非配線領域の3種類の領域をその位置関係を位置ずれ無しに決める事ができる。   In the method (1) for producing a circuit board of the present invention, a step of forming a resist layer on the conductive layer on the insulating layer, a step of removing or applying the conductive layer by performing an etching removal process or a plating application process, In the method of manufacturing a circuit board including a step of forming a hole in the insulating layer, the resist layer is subjected to an exposure process after the resist layer is formed, and three regions having different development processing speeds (first region, first region, and second region) are formed. 2 regions and third regions), a resist layer removal process in the first region (first development process), a resist layer removal process in the second region (second development process), a resist in the third region The layer removal process (third development process) is performed separately in this order, and between the first development process and the second development process, the etching removal process of the conductive layer in the first region or the conductive layer in the first region is performed. Plating is applied and second development The etching process of removing the conductive layer in the second region or the plating application process to the conductive layer in the second region is performed between the first development process and the third development process. Then, the circuit board is manufactured by a method including a step of forming a hole in the insulating layer in any region of the third region. By defining the first area, the second area, and the third area by the first exposure process, the three types of states, that is, the three areas of the hole forming area, the surface wiring area, and the surface non-wiring area are in a positional relationship. Can be determined without misalignment.

また、それぞれの領域のレジスト層を、別々の工程で順次除去し、それぞれの段階で導電層のエッチング除去処理もしくはめっき付与処理を行う事で、3種類の状態を良好に形成する事ができる。また、全領域のレジスト層を完全に除去した際には、それ以前に導電層のエッチング除去処理もしくはめっき付与処理によって、3種類の導電層の状態の違いができあがっている事となり、その後の工程を適切に選ぶ事で、孔形成領域、表面配線領域、表面非配線領域の3領域を良好に位置ずれなく形成して回路基板を製造する事が可能となる。また、絶縁層に孔を形成する処理を行う際には、レジスト層をすべて除去した状態で行う事により、レジスト層がダメージを受けて悪影響を及ぼすような問題が発生する事なく、孔形成が可能となる。また、導電層の無い領域に孔の形成処理を行う事により、孔開けの位置が正確に規定され、良好な孔形成が可能となる。これにより、露光時や孔開け時の位置合わせの精度を向上させるために多大な時間とコストをかける事なく、簡単な構成で、孔位置と表面配線部との位置決めができ、よって、ランドレス等の微細なパターンの回路基板を安定に精度良く製造する事ができる。   In addition, the resist layer in each region is sequentially removed in separate steps, and the conductive layer is removed by etching or plating is applied at each stage, so that three types of states can be formed satisfactorily. In addition, when the resist layer of the entire region is completely removed, the state of the three kinds of conductive layers has been completed by the etching removal process or plating application process of the conductive layer before that, and the subsequent steps By appropriately selecting the above, it is possible to manufacture the circuit board by properly forming the three regions of the hole forming region, the surface wiring region, and the surface non-wiring region without misalignment. In addition, when the hole is formed in the insulating layer, the hole is formed without causing a problem that the resist layer is damaged and adversely affected by removing the resist layer. It becomes possible. In addition, by performing a hole forming process in a region where there is no conductive layer, the position of the hole is accurately defined, and a favorable hole can be formed. As a result, the position of the hole and the surface wiring portion can be positioned with a simple configuration without taking much time and cost to improve the alignment accuracy during exposure and drilling. A circuit board with a fine pattern such as can be manufactured stably and accurately.

本発明の回路基板の製造方法(2)においては、レジスト層を光架橋性樹脂層として、露光処理において、未露光部を第1領域とし、低露光量露光部を第2領域とし、高露光量露光部を第3領域とする事で、既存の設備を利用し、簡便に、3種類の領域を形成する事ができ、各現像処理を別々の工程で順次行い、各領域のレジストを良好に除去していく事が可能となる。また、光架橋性樹脂層を用いると、露出導電層領域にめっき付与処理を行う場合には、露出導電層表面にレジスト残渣が残らないため、良好なめっき付与処理が行われる。また、露光量を適正に調整する事で、レジスト層の厚みも必要充分な厚みを維持する事が可能となる。   In the circuit board manufacturing method (2) of the present invention, the resist layer is a photocrosslinkable resin layer, and in the exposure process, the unexposed area is the first area, the low exposure dose exposed area is the second area, and the high exposure is performed. By making the amount exposure part the third region, it is possible to easily form three types of regions using existing equipment, and each development process is performed sequentially in separate steps, and the resist in each region is good It is possible to remove it. In addition, when a photocrosslinkable resin layer is used, when a plating treatment is performed on the exposed conductive layer region, a resist residue does not remain on the exposed conductive layer surface, so that a favorable plating treatment is performed. In addition, by adjusting the exposure amount appropriately, it is possible to maintain the necessary and sufficient thickness of the resist layer.

本発明の回路基板の製造方法(3)においては、まず、絶縁層上の導電層の上に光架橋性樹脂層を形成する。次いで、光架橋性樹脂層に露光処理を行って、未露光部(第1領域)、低露光量露光部(第2領域)、高露光量露光部(第3領域)を形成する。これにより、続く各処理工程を経て、3種類の異なった状態、すなわち、孔形成部分、表面配線部分、表面非配線部分を作り出すための元となる状態が形成できる。また、この3領域を露光処理によって、一括的に形成する事で、各領域の位置関係を正確に規定する事が可能となり、孔位置と配線パターンとの間の位置ずれのない回路基板が得られる。その後第1現像処理により、第1領域の光架橋性樹脂層を除去して、第1領域の導電層を露出する。その後、エッチング処理により第1領域の露出導電をエッチング除去する。次に第2現像処理により、第2領域の光架橋性樹脂層を除去して、第2領域の導電層を露出させ、電解めっき処理により第2領域の露出導電上にパターンめっきを行う。孔部分の導電層はすでにエッチングで除去されているため、表面配線部分のみにめっきが成長する。続いて、第3現像処理により、第3領域の光架橋性樹脂層を除去した後、第1領域の絶縁層を除去して孔を形成する。絶縁層に孔を形成する際に、導電層には、エッチング処理及びめっき処理により、すでに導電層の3種類の状態(導電層無し領域、厚導電層領域、薄導電層領域)ができあがっている事となり、レジスト層のダメージによる悪影響を回避して、正確な位置に、良好な孔形成ができる。次に孔内の導電化処理を行い、最後にフラッシュエッチングをして、第3領域の導電層を除去する事で、全く位置ずれのない微細なパターンを有した回路基板が製造される。   In the circuit board manufacturing method (3) of the present invention, first, a photocrosslinkable resin layer is formed on a conductive layer on an insulating layer. Next, the photocrosslinkable resin layer is subjected to an exposure treatment to form an unexposed portion (first region), a low exposure amount exposure portion (second region), and a high exposure amount exposure portion (third region). As a result, three different states, that is, a base state for creating a hole forming portion, a surface wiring portion, and a surface non-wiring portion can be formed through each subsequent processing step. In addition, by forming these three areas collectively by exposure processing, it is possible to accurately define the positional relationship between the areas, and a circuit board having no positional deviation between the hole position and the wiring pattern can be obtained. It is done. Thereafter, by the first development process, the photocrosslinkable resin layer in the first region is removed, and the conductive layer in the first region is exposed. Thereafter, the exposed conduction in the first region is removed by etching. Next, the photo-crosslinkable resin layer in the second region is removed by the second development treatment to expose the conductive layer in the second region, and pattern plating is performed on the exposed conductive in the second region by the electrolytic plating treatment. Since the conductive layer in the hole portion has already been removed by etching, the plating grows only on the surface wiring portion. Subsequently, after the photocrosslinkable resin layer in the third region is removed by the third development process, the insulating layer in the first region is removed to form a hole. When the hole is formed in the insulating layer, the conductive layer has already been subjected to three types of states (conductive layer-free region, thick conductive layer region, and thin conductive layer region) by etching and plating. As a result, it is possible to avoid the adverse effects due to the damage of the resist layer, and to form favorable holes at accurate positions. Next, the conductive treatment in the hole is performed, and finally the flash etching is performed to remove the conductive layer in the third region, thereby manufacturing a circuit board having a fine pattern with no displacement.

以下、本発明の回路基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the circuit board manufacturing method of the present invention will be described in detail.

本発明の回路基板の製造方法の一例を、両面板の製造を例に、図1から図11を用いて説明する。レジスト層を光架橋性樹脂層とし、第1現像処理と第2現像処理との間でエッチング除去処理を、第2現像処理と第3現像処理との間でめっき付与処理を行う場合の例について説明する。   An example of a method for manufacturing a circuit board according to the present invention will be described with reference to FIGS. An example in which the resist layer is a photocrosslinkable resin layer, the etching removal process is performed between the first development process and the second development process, and the plating application process is performed between the second development process and the third development process. explain.

図1に示すように、絶縁層1の表面に導電層2を形成した基板を準備し、図2に示すように光架橋性樹脂層からなるレジスト層3を形成した後、該レジスト層3に露光処理を行って、第1領域のレジスト層31、第2領域のレジスト層32、第3領域のレジスト層33の3種類の領域のレジスト層を形成する(図3)。第1領域のレジスト層31は未露光部、第2領域のレジスト層32は低露光量露光部、第3領域のレジスト層33は高露光量露光部である。続いて、第1領域のレジスト層31の除去処理(第1現像処理)を行って、図4のように、第1領域の導電層21を露出する。続いてエッチング除去処理を行う事により、第1領域の導電層21の除去を行う(図5)。次に第2現像処理により、第2領域のレジスト層32の除去処理を行い、第2領域の導電層22を露出させる(図6)。続いて、電解めっき処理を行って、露出した導電層22上に導電層の付与を行い、第2領域の導電層の厚みを厚くする(図7)。次に、第3現像処理を行って、第3領域のレジスト層33の除去を行って、第3領域の導電層23を露出させる(図8)。次に、絶縁層1が露出している第1領域に孔を形成する(図9)。その後、孔内の導電化処理を行い、孔内導電層24を形成して両面の導電層間の導通を行う(図10)。最後に、フラッシュエッチング処理により、第3領域の導電層23の除去を行い、図11に示すような回路基板の製造がなされる。   As shown in FIG. 1, after preparing the board | substrate which formed the conductive layer 2 on the surface of the insulating layer 1, and forming the resist layer 3 which consists of a photocrosslinkable resin layer as shown in FIG. An exposure process is performed to form three types of resist layers: a resist layer 31 in the first region, a resist layer 32 in the second region, and a resist layer 33 in the third region (FIG. 3). The resist layer 31 in the first region is an unexposed portion, the resist layer 32 in the second region is a low exposure amount exposure portion, and the resist layer 33 in the third region is a high exposure amount exposure portion. Subsequently, a removal process (first development process) of the resist layer 31 in the first region is performed to expose the conductive layer 21 in the first region as shown in FIG. Subsequently, the conductive layer 21 in the first region is removed by performing an etching removal process (FIG. 5). Next, by a second development process, a removal process of the resist layer 32 in the second region is performed to expose the conductive layer 22 in the second region (FIG. 6). Subsequently, an electrolytic plating process is performed, and a conductive layer is applied on the exposed conductive layer 22 to increase the thickness of the conductive layer in the second region (FIG. 7). Next, a third development process is performed to remove the resist layer 33 in the third region, thereby exposing the conductive layer 23 in the third region (FIG. 8). Next, a hole is formed in the first region where the insulating layer 1 is exposed (FIG. 9). Thereafter, the conductive treatment in the hole is performed, and the conductive layer 24 in the hole is formed to conduct between the conductive layers on both sides (FIG. 10). Finally, the conductive layer 23 in the third region is removed by flash etching, and a circuit board as shown in FIG. 11 is manufactured.

上記の説明では、レジスト層を光架橋性樹脂層(すなわち、ネガ型のレジスト層)としたが、ポジ型のレジスト層を使用する事もできる。ただし、その場合には、第1領域が高露光量露光部、第2領域が低露光量露光部、第3領域が未露光部、となる。ただし、めっき付与処理を行う場合には、レジスト残渣がない事や、膜厚が厚く維持できる事、等のメリットのため、光架橋性樹脂層が好適に用いられる。   In the above description, the resist layer is a photocrosslinkable resin layer (that is, a negative resist layer), but a positive resist layer can also be used. However, in this case, the first area is a high exposure amount exposure part, the second area is a low exposure amount exposure part, and the third area is an unexposed part. However, when performing the plating treatment, a photocrosslinkable resin layer is preferably used because of merits such as the absence of resist residue and the ability to maintain a large film thickness.

また、上記の説明では、第1現像処理と第2現像処理との間でエッチング除去処理を、第2現像処理と第3現像処理との間でめっき付与処理を行う場合の例について説明したが、それぞれ、エッチング除去処理及びめっき付与処理を任意に組み合わせる事ができる。少なくとも、第3現像処理によって第3領域のレジスト層の除去を終えた時点で、3種類の異なった導電層膜厚を持った領域を作り出す事ができれば、いずれの組み合わせも使用可能である。ただし、セミアディティブ法のように表面配線部をパターンめっきによって形成し、その際のめっき液の寿命管理を厳密に行う際には、低露光量露光部の第2領域のレジスト層が混入する事は好ましくなく、めっき付与処理は、第2領域のレジスト層が除去される第2現像処理の後になされるのが好ましい。   In the above description, an example in which the etching removal process is performed between the first development process and the second development process and the plating application process is performed between the second development process and the third development process has been described. The etching removal process and the plating application process can be arbitrarily combined. Any combination can be used as long as the regions having three different conductive layer thicknesses can be created at least when the removal of the resist layer in the third region is completed by the third development process. However, when the surface wiring portion is formed by pattern plating as in the semi-additive method and the life of the plating solution is strictly controlled at that time, the resist layer in the second region of the low-exposure-exposure portion is mixed. It is not preferable, and the plating treatment is preferably performed after the second development process in which the resist layer in the second region is removed.

本発明に係わる絶縁層としては、フェノール樹脂層やエポキシ樹脂層、ポリエステル樹脂層、ポリイミド樹脂層、液晶高分子層が挙げられる。孔開けが可能であれば、ガラス布や紙等の基材を有していても良い。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、42アロイ、ニクロム、タングステン、ITO、導電性高分子、各種導電錯体等を使用する事ができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されている。   Examples of the insulating layer according to the present invention include a phenol resin layer, an epoxy resin layer, a polyester resin layer, a polyimide resin layer, and a liquid crystal polymer layer. If perforation is possible, you may have base materials, such as glass cloth and paper. As the conductive layer, copper, silver, gold, aluminum, stainless steel, 42 alloy, nichrome, tungsten, ITO, conductive polymer, various conductive complexes, and the like can be used. Examples of these are described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987).

本発明に係わる絶縁層上に導電層を設ける方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法、電解めっき法、絶縁層に導電箔等の極薄導電層を張り合わせる方法や、導電層を張り合わせた積層板の導電層をエッチング処理によって薄膜とする方法などを単独もしくは組み合わせて用いる事ができる。また、導電層に前記絶縁層の樹脂を塗布する事によっても形成する事ができる。   As a method of providing a conductive layer on the insulating layer according to the present invention, a sputtering method, a vapor deposition method, an electroless plating method, an electrolytic plating method, a method of bonding an ultrathin conductive layer such as a conductive foil to the insulating layer, or a conductive layer A method of forming a conductive layer of a laminate laminated with a thin film by etching treatment can be used alone or in combination. It can also be formed by applying the resin of the insulating layer to the conductive layer.

本発明に係わるレジスト層としては、ネガ型もしくはポジ型の感光性フォトポリマーを使用する。適正な、第1現像処理による除去性、第2現像処理による除去性、第3現像処理による除去性を有し、かつ、第1現像処理と第2現像処理との間で行われるエッチング除去処理もしくはめっき付与処理、第2現像処理と第3現像処理との間で行われるエッチング除去処理もしくはめっき付与処理に対して、耐性を有していれば、いずれのものも使用可能である。第1現像処理において、第2領域及び第3領域のレジスト層は、第2領域及び第3領域の導電層が露出しなければ、膜厚の減少が発生しても良い。ただし、第1現像処理と第2現像処理との間でめっき付与処理を行う場合には、第1現像処理後の第2領域及び第3領域のレジスト層の厚みは、そのめっき付与処理で付与するめっきの厚みよりは厚くなるような設定が好ましい。   As the resist layer according to the present invention, a negative or positive photosensitive photopolymer is used. Etching removal process that is performed between the first development process and the second development process, and has appropriate removability by the first development process, removability by the second development process, and removability by the third development process Alternatively, any one can be used as long as it has resistance to the plating application process, the etching removal process or the plating application process performed between the second development process and the third development process. In the first development process, the resist layers in the second region and the third region may be reduced in thickness if the conductive layers in the second region and the third region are not exposed. However, when the plating application process is performed between the first development process and the second development process, the thicknesses of the resist layers in the second region and the third region after the first development process are applied by the plating application process. A setting that is thicker than the thickness of the plating to be performed is preferable.

ネガ型及びポジ型の感光性フォトポリマーの例としては、「フォトポリマーハンドブック」(フォトポリマー懇話会編、(株)工業調査会、1989年)や「フォトポリマー・テクノロジー」(山本亜夫、永松元太郎編、日刊工業新聞社、1988年)等に記載されている。   Examples of negative-type and positive-type photosensitive photopolymers include “Photopolymer Handbook” (edited by Photopolymer Social Society, Kogyo Kenkyukai, 1989) and “Photopolymer Technology” (Akio Yamamoto, Mototaro Nagamatsu). Ed., Nikkan Kogyo Shimbun, 1988).

めっき付与処理を行う場合には、レジスト残渣がない事や、膜厚が厚く維持できる事、等のメリットのため、ネガ型、すなわち、光架橋性樹脂層が好適に用いられる。本発明において、光架橋性樹脂層として利用できる光架橋性樹脂としては、例えば、回路基板製造用の光架橋型ドライフィルムフォトレジストが挙げられる。以下に例を挙げるが、本発明の趣旨と異ならない限り何れの光架橋性樹脂層であっても適用可能である。例えば、カルボン酸基を含むバインダーポリマー、光重合性の多官能モノマー、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなるネガ型の感光性樹脂組成物が使用できる。それらの配合比率は、感度、解像度、硬度等の要求される性質に合わせて決定される。これらの例は市販品としては、例えばデュポンMRCドライフィルム株式会社のリストン、日立化成工業株式会社のフォテック、旭化成エレクトロニクス株式会社のサンフォート等を使用する事ができる。市販品は、光架橋性樹脂フィルムが、ポリエステルフィルム等の支持体フィルムとポリエチレンフィルム等の保護フィルムとで挟まれた状態となっている。レジスト層の形成は、ドライフィルムフォトレジストを使用する場合は、熱ラミネート法が好適に利用できる。   In the case of performing the plating treatment, a negative type, that is, a photocrosslinkable resin layer is preferably used because of merits such that there is no resist residue and the film thickness can be maintained thick. In the present invention, examples of the photocrosslinkable resin that can be used as the photocrosslinkable resin layer include a photocrosslinkable dry film photoresist for manufacturing a circuit board. Examples will be given below, but any photocrosslinkable resin layer can be applied as long as it does not differ from the gist of the present invention. For example, a negative photosensitive resin composition comprising a binder polymer containing a carboxylic acid group, a photopolymerizable polyfunctional monomer, a photopolymerization initiator, a solvent, and other additives can be used. Their blending ratio is determined in accordance with required properties such as sensitivity, resolution, and hardness. In these examples, as a commercial product, for example, Liston from DuPont MRC Dry Film Co., Ltd., Fotec from Hitachi Chemical Co., Ltd., Sunfort from Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. can be used. In the commercial product, the photocrosslinkable resin film is sandwiched between a support film such as a polyester film and a protective film such as a polyethylene film. For the formation of the resist layer, when a dry film photoresist is used, a thermal laminating method can be suitably used.

露光処理によって、第1領域、第2領域、第3領域の3種類の領域を形成する方法としては、その後の第1現像処理、第2現像処理、第3現像処理において第1領域のレジスト層、第2領域のレジスト層、第3領域のレジスト層がそれぞれ別々に除去されるような構成でできれば、いずれの露光処理も可能である。露光波長や露光量を変えて露光する事で、3種類の領域を形成する。3種類の領域を位置ずれの発生しない一連の工程で処理を行う事が好ましいが、位置ずれの量が少なく設定する事が可能であれば、同一装置上で、異なった露光処理で3種類の領域の露光処理を行う事もできる。   As a method of forming three types of regions, the first region, the second region, and the third region, by the exposure process, a resist layer in the first region is used in the subsequent first development process, second development process, and third development process. As long as the resist layer in the second region and the resist layer in the third region can be removed separately, any exposure processing can be performed. Three types of regions are formed by changing the exposure wavelength and exposure amount. It is preferable to process the three types of areas in a series of steps that do not cause misregistration. However, if the amount of misregistration can be set to a small amount, the three types of areas can be processed by different exposure processes on the same apparatus. An area exposure process can also be performed.

既存の露光処理設備を利用できる点から、露光量を変えて3種類の領域を形成する事が望ましい。光架橋性樹脂層をレジスト層として使用し、露光量によって3種類の領域を形成するには、第1領域は未露光の領域、第2領域は低露光量の領域、第3領域は高露光量の領域とするのが望ましい。露光処理設備として、直接描画装置によって露光する際には、低露光量の露光と高露光量の露光の2回露光を行う事で、3種類の領域の形成を行う事ができる。また、フォトマスクを利用しての露光の場合には、あらかじめ第2領域部分の遮光濃度をハーフトーンとしたハーフトーンマスクを利用する事で、一回の露光で3種類の領域の形成ができる。ハーフトーンマスクにおいては、第2領域部分は、光学濃度の調整によってハーフトーンにしても良いし、微細な網点パターンを形成する事でもハーフトーンを形成する事ができる。   From the viewpoint that existing exposure processing equipment can be used, it is desirable to form three types of regions by changing the exposure amount. To use the photocrosslinkable resin layer as a resist layer and to form three types of regions according to the exposure amount, the first region is an unexposed region, the second region is a low exposure region, and the third region is a high exposure. It is desirable to make it an area of quantity. When exposure is performed directly by a drawing apparatus as an exposure processing facility, three types of regions can be formed by performing two exposures of a low exposure amount exposure and a high exposure amount exposure. In the case of exposure using a photomask, by using a halftone mask in which the shading density of the second region portion is halftone in advance, three types of regions can be formed by one exposure. . In the halftone mask, the second region portion may be halftone by adjusting the optical density, or the halftone can be formed by forming a fine halftone dot pattern.

各領域の露光処理条件と、続く各現像処理工程での現像処理条件を適正に設定する事で、第1領域は第1現像処理で除去可能な領域、第2領域は、第1現像処理では除去されないが第2現像処理で除去可能な領域、第3領域は、第1及び第2現像処理では除去されないが第3現像処理では除去可能な領域、とする事ができる。   By appropriately setting the exposure processing conditions in each region and the development processing conditions in each subsequent development processing step, the first region can be removed by the first development processing, and the second region can be removed by the first development processing. The area that is not removed but can be removed by the second development process and the third area can be an area that is not removed by the first and second development processes but can be removed by the third development process.

上記を満足すれば、いずれの露光処理条件も可能であるが、光架橋性樹脂層を使用した場合、第2領域の露光量は、第3領域の露光量の1%から80%の範囲、より好ましくは3%から60%の範囲、好適には5%から40%の範囲である。第2領域の露光量が低すぎると、第1現像処理で第2領域のレジスト層の膜厚減少が大きすぎるために第2領域の導電層が露出してしまい問題となり、露光量が高すぎると硬化が進みすぎて、第2現像処理で第2領域のレジスト層の除去が難しくなるという問題が生ずる。   If the above conditions are satisfied, any exposure processing condition is possible, but when the photocrosslinkable resin layer is used, the exposure amount of the second region is in the range of 1% to 80% of the exposure amount of the third region, More preferably, it is in the range of 3% to 60%, preferably in the range of 5% to 40%. If the exposure amount of the second region is too low, the film thickness reduction of the resist layer in the second region is too large in the first development process, which causes a problem that the conductive layer in the second region is exposed, and the exposure amount is too high. Then, the curing proceeds too much, and there arises a problem that it is difficult to remove the resist layer in the second region by the second development process.

また、本発明に係わる露光処理に使用する露光装置としては、レーザ直接描画、フォトマスクを介した密着露光、プロキシミティ露光、投影露光等によって行われる。光源としては、各種レーザ光源の他、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を使用する事ができる。   The exposure apparatus used for the exposure processing according to the present invention is performed by direct laser drawing, contact exposure through a photomask, proximity exposure, projection exposure, or the like. As the light source, in addition to various laser light sources, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used.

各現像処理は、光架橋性樹脂層がアルカリ可溶性である場合には、アルカリ性の現像処理液を用いて現像処理を行う事が望ましい。上記のように適正な除去ができれば、いずれの方式、条件も可能であるが、好ましくは、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液を使用する。   Each development process is desirably performed using an alkaline development processing solution when the photocrosslinkable resin layer is alkali-soluble. Any method and condition can be used as long as proper removal is possible as described above, but an aqueous solution of sodium carbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide or the like is preferably used.

第1現像処理と第2現像処理で同一の処理液を使用した場合には、第2現像処理の処理時間は、第1現像処理の処理時間の0.5倍以上30倍以下、より好ましくは1.5倍以上20倍以下、好適には2倍以上10倍以下の処理時間で第2現像処理を行う事が望ましい。   When the same processing solution is used in the first development process and the second development process, the processing time of the second development process is 0.5 to 30 times the processing time of the first development process, more preferably It is desirable to perform the second development processing in a processing time of 1.5 times to 20 times, preferably 2 times to 10 times.

本発明にかかわるエッチング除去処理に使用されるエッチング液は、各領域に存在しているレジスト層が耐性を持ち、かつ導電層を溶解除去できるものであれば良い。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄、等の一般的なエッチング液を使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング、等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、1987年刊行、日刊工業新聞社発行)に記載されている。   The etching solution used for the etching removal process according to the present invention may be any one as long as the resist layer present in each region has resistance and can dissolve and remove the conductive layer. For example, common etching solutions such as alkaline ammonia, sulfuric acid-hydrogen peroxide, cupric chloride, persulfate, ferric chloride, and the like can be used. Moreover, as an apparatus and a method, apparatuses and methods, such as horizontal spray etching and immersion etching, can be used, for example. These details are described in “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun).

本発明にかかわるめっき付与処理としては、電解めっき処理が好適に利用できる。例えば、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されているものを使用する事ができる。   As the plating application treatment according to the present invention, an electrolytic plating treatment can be suitably used. For example, those described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987) can be used.

本発明に係わる絶縁層に孔を形成する方法としては、導電層の変形等が起こらずに、絶縁層が除去できる方法であればいずれの方法も利用可能である。レーザによる孔開けや、絶縁層エッチング液による処理が利用できる。一括処理が可能である点から絶縁層エッチング液のよる処理が好ましい。   As a method for forming a hole in the insulating layer according to the present invention, any method can be used as long as the insulating layer can be removed without causing deformation of the conductive layer. Laser drilling and treatment with an insulating layer etchant can be used. A treatment with an insulating layer etchant is preferable because batch treatment is possible.

絶縁層エッチング液としては、導電層を溶解させずに絶縁層を溶解させる液であればいずれの液も使用可能である。絶縁層の種類によって好適な液が選ばれる。ポリイミド樹脂層を絶縁層として用いた場合は、従来公知のポリイミド樹脂用のエッチング液が使用可能であるが、特に、N−(β−アミノエチル)エタノールアミン、水酸化カリウム、エタノールアミンを含有する水溶液からなるポリイミド樹脂のエッチング液により絶縁層のエッチングを行うと、小径の孔径において良好な形状でエッチングが行えるため好ましい。   As the insulating layer etching liquid, any liquid can be used as long as it dissolves the insulating layer without dissolving the conductive layer. A suitable liquid is selected depending on the type of the insulating layer. When a polyimide resin layer is used as an insulating layer, a conventionally known etching solution for polyimide resin can be used, and particularly contains N- (β-aminoethyl) ethanolamine, potassium hydroxide, and ethanolamine. It is preferable to etch the insulating layer with a polyimide resin etchant made of an aqueous solution because the etching can be performed in a good shape with a small hole diameter.

本発明に係わる孔内の導電化処理を行う方法としては、導電性ペーストの充填や、無電解めっき、電解めっき等公知の方法を用いる事ができる。全面に無電解めっきを行った後、特許文献1に開示されているような方法により、孔部以外にめっきレジストを形成し、孔内のみにめっきを行う事により、孔の位置にのみめっきが行われるため好ましい。また、次のような方法によっても孔内の導電化処理が可能である。   As a method for conducting the conductive treatment in the holes according to the present invention, a known method such as filling with a conductive paste, electroless plating, or electrolytic plating can be used. After electroless plating is performed on the entire surface, a plating resist is formed in addition to the holes by the method disclosed in Patent Document 1, and plating is performed only in the holes, so that plating is performed only at the positions of the holes. Since it is performed, it is preferable. Also, the conductive treatment in the holes can be performed by the following method.

すなわち、図9まで作製した後、孔内に無電解めっき処理を施す。その後、片面にめっきレジスト用ドライフィルムレジストをラミネートする。その後、反対面よりアルカリ現像液により、ドライフィルムレジストの孔部のみを溶解除去する。狭小ランドが必要な場合には、孔部周辺部まで除去を行う。その後、ドライフィルムのカバーフィルム(ポリエステルフィルム)を剥がした後、露光を行い硬化させる。反対面にも同様にドライフィルムのラミネート、ラミネートした側と反対側から孔を通してのアルカリ現像液供給、カバーフィルムの除去、露光による硬化を行う事で、両面に孔内のみ位置ずれなく開口させためっきレジスト層を形成できる。その後電解めっき処理により孔内のめっきを行った後、めっきレジスト層を剥離する事で、孔内の導電化処理ができる(図10)。その後は、図11に示すようにフラッシュエッチングを行って、表面非配線部の導電層のエッチング除去を行い、回路基板を製造する。   That is, after producing to FIG. 9, the electroless plating process is performed in the hole. Thereafter, a dry film resist for plating resist is laminated on one side. Thereafter, only the pores of the dry film resist are dissolved and removed from the opposite surface with an alkali developer. When a narrow land is required, the removal is performed up to the periphery of the hole. Then, after peeling off the cover film (polyester film) of the dry film, it is exposed and cured. Similarly, dry film lamination, supply of alkaline developer solution through the hole from the opposite side, removal of the cover film, and curing by exposure were performed on the opposite side, so that both sides were opened without misalignment. A plating resist layer can be formed. Then, after plating in the hole by electrolytic plating treatment, the plating resist layer is peeled off, so that the conductive treatment in the hole can be performed (FIG. 10). After that, as shown in FIG. 11, flash etching is performed, and the conductive layer of the surface non-wiring portion is removed by etching to manufacture a circuit board.

孔内の導電化は、導電性ペースト等を用いて、充填させても良いし、無電解めっき及び電解めっきの組み合わせにより壁面に導電層を形成させても良い。また、電解めっきにより孔内を導電層によって充填させる事もできる。   The inside of the hole may be made conductive by using a conductive paste or the like, or a conductive layer may be formed on the wall surface by a combination of electroless plating and electrolytic plating. Moreover, the inside of a hole can also be filled with a conductive layer by electrolytic plating.

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to these examples.

25μm厚のポリイミドフィルムを絶縁層とし、その両面に導電層として12μm厚の銅層を形成した基材を準備した。次に、ドライフィルムフォトレジスト用ラミネータを用いて、15μm厚の光架橋性樹脂層及び25μmのマスク層(支持体フィルム、材質:ポリエステル、図示せず)よりなる、回路形成用ドライフィルムフォトレジストを基材の両面に熱圧着し、レジスト層(光架橋性樹脂層)を形成した。   A substrate having a 25 μm-thick polyimide film as an insulating layer and a 12 μm-thick copper layer formed on both sides as a conductive layer was prepared. Next, using a laminator for dry film photoresist, a dry film photoresist for circuit formation comprising a 15 μm thick photocrosslinkable resin layer and a 25 μm mask layer (support film, material: polyester, not shown) is prepared. A resist layer (photocrosslinkable resin layer) was formed by thermocompression bonding on both surfaces of the substrate.

表面配線部及び孔部のパターンを形成したハーフトーンフォトマスク(表面配線部の導体幅及び間隙:20μm、孔径:25μm)を基材両面のマスク層に接触させ、吸引密着機構を有する紫外線露光機を用いて、60秒間、両面の露光を行った。使用したハーフトーンフォトマスクは、孔部が遮光され、表面非配線部が透明であり、表面配線部がハーフトーンとなっているものを用いた。孔部が第1領域、表面配線部が第2領域、表面非配線部が第3領域に相当する。ハーフトーンフォトマスクのハーフトーン部は、透過光量が、透明部の30%となるように設定してあるものを用いた。両面のハーフトーンマスクは、基材を挟んだ時に、両面のパターンの位置ずれがないようにあらかじめ位置調整され連結規制されている。   A UV exposure machine having a suction adhesion mechanism by bringing a halftone photomask (surface width conductor width and gap: 20 μm, hole diameter: 25 μm) having a surface wiring portion and hole pattern formed thereon into contact with the mask layer on both sides of the substrate Was used for both-side exposure for 60 seconds. The halftone photomask used was one in which the hole portion was shielded from light, the surface non-wiring portion was transparent, and the surface wiring portion was halftone. The hole portion corresponds to the first region, the surface wiring portion corresponds to the second region, and the surface non-wiring portion corresponds to the third region. The halftone portion of the halftone photomask used was set so that the amount of transmitted light was 30% of the transparent portion. The double-sided halftone masks are position-adjusted and regulated in advance so that there is no positional deviation between the patterns on both sides when the substrate is sandwiched.

続いて、マスク層のフィルムを剥がした後に、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液(25℃)で15秒間シャワースプレーを当てる事で、第1現像処理を行い、孔部の光架橋性樹脂層の除去を行い、孔部の銅を露出させた。   Then, after peeling off the film of the mask layer, the first development treatment is performed by applying shower spray with a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (25 ° C.) for 15 seconds to remove the photocrosslinkable resin layer in the hole. The copper in the hole was exposed.

次に塩化第二鉄エッチング液を用いて、孔部の銅のエッチング除去処理を行い、孔部のポリイミドを露出させた。   Next, using a ferric chloride etchant, the copper in the hole was removed by etching to expose the polyimide in the hole.

次に10質量%の炭酸ナトリウム水溶液(25℃)を用いて、120秒間シャワースプレーを当てる事で、第2現像処理を行い、表面配線部の光架橋性樹脂層の除去を行い、表面配線部の銅を露出させた。   Next, using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (25 ° C.), a second spray treatment is performed by applying shower spray for 120 seconds to remove the photocrosslinkable resin layer on the surface wiring portion. Exposed copper.

次に電解銅めっき処理(奥野製薬(株)、OPCプロセスM)を実施し、表面配線部の銅露出部に厚み約10μmの電解銅めっき層を形成した。次に、3質量%水酸化ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、第3現像処理を行い、表面非配線部の光架橋性樹脂層の除去を行った。   Next, electrolytic copper plating treatment (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., OPC Process M) was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 10 μm on the exposed copper portion of the surface wiring portion. Next, using a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (30 ° C.), a third development treatment was performed to remove the photocrosslinkable resin layer on the surface non-wiring portion.

次に、N−(β−アミノエチル)エタノールアミン33質量%、水酸化カリウム27質量%、エタノールアミン1質量%を含む水溶液からなるポリイミド用エッチング液(75℃)に基材を浸漬する事で、露出しているポリイミドのエッチングを行い、ポリイミドからなる絶縁層に孔を形成させた。両面の孔部は位置ずれなく一致しており、良好に両面を貫通した貫通孔が得られた。   Next, the substrate is immersed in an etching solution for polyimide (75 ° C.) made of an aqueous solution containing 33% by mass of N- (β-aminoethyl) ethanolamine, 27% by mass of potassium hydroxide, and 1% by mass of ethanolamine. The exposed polyimide was etched to form holes in the insulating layer made of polyimide. The hole portions on both surfaces were matched without any positional deviation, and a through-hole penetrating both surfaces satisfactorily was obtained.

次に、3−メチル−1,3−ブタンジオールを含む水酸化ナトリウム水溶液でエッチング処理を行った後、銅EDTA浴にて無電解めっきを行い、孔内壁に0.5μm厚の銅層からなる導電層の形成を行った。   Next, after etching with a sodium hydroxide aqueous solution containing 3-methyl-1,3-butanediol, electroless plating is performed in a copper EDTA bath, and a copper layer having a thickness of 0.5 μm is formed on the inner wall of the hole. A conductive layer was formed.

その後、次のようにして孔開口部以外の表面にめっきレジスト層を形成させた。すなわち、片面にドライフィルムレジストのラミネートを行い、めっきレジスト層とポリエステルからなるマスク層を形成する。マスク層をつけたまま、反対面から孔を通してアルカリ現像液を供給し、孔上のレジスト層の溶解除去を行い、その後紫外線照射によってめっきレジスト層を硬化させた。マスク層の除去の後、反対面に同様にめっきレジスト層及びマスク層のラミネートを行い、ラミネートした面と反対側から孔を通してアルカリ現像液を供給する事で、孔上のレジスト層の溶解除去を行った。続いて、紫外線露光を行って硬化し、マスク層を除去する事で、基材両面に、孔開口部以外の表面にめっきレジスト層を形成させた。めっきレジスト層の開口部は、孔の位置と全く位置ずれなく形成されていた。   Thereafter, a plating resist layer was formed on the surface other than the hole openings as follows. That is, a dry film resist is laminated on one surface to form a plating resist layer and a mask layer made of polyester. With the mask layer attached, an alkali developer was supplied from the opposite surface through the hole to dissolve and remove the resist layer on the hole, and then the plating resist layer was cured by ultraviolet irradiation. After removing the mask layer, the plating resist layer and the mask layer are similarly laminated on the opposite surface, and the alkali developer is supplied through the hole from the opposite side of the laminated surface, so that the resist layer on the hole is dissolved and removed. went. Then, it exposed and hardened | cured by ultraviolet exposure, and the plating resist layer was formed in surfaces other than a hole opening part on both surfaces of a base material by removing a mask layer. The opening of the plating resist layer was formed without any displacement from the position of the hole.

続いて、電解めっき処理を行い孔内に約10μmの厚みの電解銅めっき層を形成し、両面の導電配線層の導通を形成させた。その後、水酸化ナトリウム水溶液により表面に形成しためっきレジスト層の除去を行い、フラッシュエッチングを行う事で、表面非配線部の銅層を除去して、回路基板の製造を行った。   Subsequently, an electrolytic plating process was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 10 μm in the hole, and conduction between the conductive wiring layers on both sides was formed. Thereafter, the plating resist layer formed on the surface with a sodium hydroxide aqueous solution was removed, and flash etching was performed to remove the copper layer on the surface non-wiring portion, thereby producing a circuit board.

できあがった回路基板を観察した所、両面の表面配線部と孔部の位置ずれは全くなく、微細配線パターンを有した回路基板の製造ができた。   When the completed circuit board was observed, there was no positional deviation between the surface wiring part and the hole part on both sides, and a circuit board having a fine wiring pattern could be manufactured.

実施例1と同様にして形成した両面回路基板(図11)の両面に絶縁層1を形成した後、ニッケルクロム層及び銅層からなる導電層2をスパッタにより形成した(図12)。実施例1と同様にしてドライフィルムフォトレジスト用ラミネータを用いて、15μm厚の光架橋性樹脂層及び25μmのマスク層(支持体フィルム、材質:ポリエステル、図示せず)よりなる、回路形成用ドライフィルムフォトレジストを基材の両面に熱圧着し、レジスト層(光架橋性樹脂層)を形成した(図13)。   After the insulating layer 1 was formed on both sides of the double-sided circuit board (FIG. 11) formed in the same manner as in Example 1, a conductive layer 2 composed of a nickel chromium layer and a copper layer was formed by sputtering (FIG. 12). Using a laminator for dry film photoresist in the same manner as in Example 1, a circuit forming dry film comprising a 15 μm thick photocrosslinkable resin layer and a 25 μm mask layer (support film, material: polyester, not shown). A film photoresist was thermocompression bonded to both sides of the substrate to form a resist layer (photocrosslinkable resin layer) (FIG. 13).

次に、表面配線部及び孔部のパターンを形成したハーフトーンフォトマスク(表面配線部の導体幅及び間隙:20μm、孔径:25μm)を基材の片面に位置合わせし、60秒間の紫外線露光を行った。反対面に関しても同様に、ハーフトーンフォトマスクを位置合わせし、60秒間、紫外線露光を行った(図14)。使用したハーフトーンフォトマスクは、孔部が遮光され、表面非配線部が透明であり、表面配線部がハーフトーンとなっているものを用いた。孔部が第1領域、表面配線部が第2領域、表面非配線部が第3領域に相当する。ハーフトーンフォトマスクのハーフトーン部は、透過光量が、透明部の30%となるように設定してあるものを用いた。それぞれの面のハーフトーンマスクは、両面回路基板の内層パターンに合うように位置合わせがなされる。   Next, a halftone photomask (surface wiring portion conductor width and gap: 20 μm, hole diameter: 25 μm) in which a pattern of the surface wiring portion and the hole portion is formed is aligned with one side of the substrate, and ultraviolet exposure is performed for 60 seconds. went. Similarly, with respect to the opposite surface, the halftone photomask was aligned and subjected to ultraviolet exposure for 60 seconds (FIG. 14). The halftone photomask used was one in which the hole portion was shielded from light, the surface non-wiring portion was transparent, and the surface wiring portion was halftone. The hole portion corresponds to the first region, the surface wiring portion corresponds to the second region, and the surface non-wiring portion corresponds to the third region. The halftone portion of the halftone photomask used was set so that the amount of transmitted light was 30% of the transparent portion. The halftone masks on each side are aligned to match the inner layer pattern of the double-sided circuit board.

ハーフトーンマスクの位置合わせは、両面回路基板作製時の露光の際に使用したマスクパターンとの寸法精度のずれのないハーフトーンマスクを用い、位置ずれが全くないように位置合わせを行う事により、両面回路基板の配線パターンとほとんど位置ずれなく、外層にも配線パターンの形成ができる。   The alignment of the halftone mask is done by using a halftone mask that has no deviation in dimensional accuracy with the mask pattern used in the exposure at the time of double-sided circuit board production, and by aligning so that there is no positional deviation, The wiring pattern can be formed on the outer layer with almost no displacement from the wiring pattern of the double-sided circuit board.

露光処理後、実施例1と同様にして、第1領域のレジスト層31の除去(図15)、第1領域の導電層のエッチング除去処理(図16)、第2領域のレジスト層32の除去(図17)、第2領域の露出導電層22へのめっき付与処理(図18)、第3領域のレジスト層33の除去(図19)を行い、その後、レーザ照射により、孔の形成(図20)を行った。レーザ孔開けは、レーザの出力を、銅層には影響を与えずに、絶縁層のみ除去を行う条件にて孔開けを行った。その後、実施例1と同様にして、孔内に無電解めっき処理を行った後、以下のようにして、孔部以外にめっきレジスト層を形成させた後に電解めっきを行う事で、孔内の導電化処理を行った。   After the exposure process, similarly to Example 1, the removal of the resist layer 31 in the first region (FIG. 15), the etching removal process of the conductive layer in the first region (FIG. 16), and the removal of the resist layer 32 in the second region. (FIG. 17), plating treatment for the exposed conductive layer 22 in the second region (FIG. 18), removal of the resist layer 33 in the third region (FIG. 19), and then formation of holes (FIG. 17) by laser irradiation. 20). Laser drilling was performed under conditions where only the insulating layer was removed without affecting the output of the laser to the copper layer. Thereafter, in the same manner as in Example 1, after performing electroless plating treatment in the hole, by performing electrolytic plating after forming a plating resist layer other than the hole portion as follows, Conductive treatment was performed.

孔部以外にめっきレジスト層を形成させる方法は次のようにして行った。すなわち、両面にめっきレジスト用のドライフィルムレジスト(10μm厚)をラミネートし、カバーフィルムを除去した後、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、トナーを孔部以外の全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させた後、アルカリ水溶液で処理して、孔部のめっきレジスト層の除去を行い、孔部以外にめっきレジスト層を形成させた基板を作製した。その後、実施例1の孔内導電化処理と同様にして電解めっき処理を行い、孔内に孔内導電層24として銅を充填させた。その後めっきレジスト層を除去した(図21)。最後にフラッシュエッチングにより第3領域の導電層の除去を行い、図22に示すような4層回路基板を製造した。   A method of forming a plating resist layer other than the hole was performed as follows. That is, a dry film resist for plating resist (10 μm thick) is laminated on both sides, the cover film is removed, and then a positive charge toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.) is used. Then, a bias voltage +200 V was applied to perform electrodeposition coating, and the toner was electrodeposited on the entire surface other than the hole. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes, and then the substrate was treated with an alkaline aqueous solution to remove the plating resist layer in the hole, thereby producing a substrate on which the plating resist layer was formed other than the hole. . Thereafter, an electrolytic plating treatment was performed in the same manner as the in-hole conductive treatment in Example 1, and copper was filled in the holes as the in-hole conductive layer 24. Thereafter, the plating resist layer was removed (FIG. 21). Finally, the conductive layer in the third region was removed by flash etching to manufacture a four-layer circuit board as shown in FIG.

できあがった回路基板を観察した所、両面の表面配線部と孔部の位置ずれは全くなく、微細配線パターンを有した回路基板の製造ができた。   When the completed circuit board was observed, there was no positional deviation between the surface wiring part and the hole part on both sides, and a circuit board having a fine wiring pattern could be manufactured.

本発明の方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the method of this invention. 本発明の方法における図1に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 1 in the method of this invention. 本発明の方法における図2に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 2 in the method of this invention. 本発明の方法における図3に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 3 in the method of this invention. 本発明の方法における図4に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 4 in the method of this invention. 本発明の方法における図5に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 5 in the method of this invention. 本発明の方法における図6に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 6 in the method of this invention. 本発明の方法における図7に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 7 in the method of this invention. 本発明の方法における図8に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 8 in the method of this invention. 本発明の方法における図9に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 9 in the method of this invention. 本発明の方法における図10に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 10 in the method of this invention. 本発明の方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the method of this invention. 本発明の方法における図12に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 12 in the method of this invention. 本発明の方法における図13に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 13 in the method of this invention. 本発明の方法における図14に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 14 in the method of this invention. 本発明の方法における図15に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 15 in the method of this invention. 本発明の方法における図16に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 16 in the method of this invention. 本発明の方法における図17に続く工程を示す断面図。FIG. 18 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 17 in the method of the present invention. 本発明の方法における図18に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process of following the process in FIG. 18 in the method of this invention. 本発明の方法における図19に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 19 in the method of this invention. 本発明の方法における図20に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 20 in the method of this invention. 本発明の方法における図21に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 21 in the method of this invention. 多層回路基板の一例を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a multilayer circuit board. 孔とランドを表す概略平面図。The schematic plan view showing a hole and a land. 従来の方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the conventional method. 従来の方法における図25に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process of following the conventional method in FIG. 従来の方法における図26に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process of following the conventional method in FIG. 従来の方法における図27に続く工程を示す断面図。FIG. 28 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 27 in the conventional method. 従来の方法における図28に続く工程を示す断面図。FIG. 29 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 28 in the conventional method. 従来の方法における図29に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process of following the conventional method in FIG. 従来の方法における図30に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 30 in the conventional method. 従来の方法における孔部の露光工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the exposure process of the hole part in the conventional method. 孔とランドと配線パターンとの位置ずれを表す概略図。Schematic showing the position shift with a hole, a land, and a wiring pattern. 孔に対する配線パターンの位置ずれを表す概略図。Schematic showing the position shift of the wiring pattern with respect to a hole.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁層
2 導電層
3 レジスト層
17 孔
18 ランド
21 第1領域の導電層
22 第2領域の導電層
23 第3領域の導電層
24 孔内導電層
31 第1領域のレジスト層
32 第2領域のレジスト層
33 第3領域のレジスト層
36 めっきレジスト層
37 ネガ型ドライフィルムフォトレジスト
41 スルーホール(貫通孔)
42 バイアホール
43 インタースティシャルバイアホール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating layer 2 Conductive layer 3 Resist layer 17 Hole 18 Land 21 Conductive layer of 1st area | region 22 Conductive layer of 2nd area | region 23 Conductive layer of 3rd area | region 24 In-hole conductive layer 31 Resist layer 32 of 1st area | region 32 2nd area | region Resist layer 33 Third region resist layer 36 Plating resist layer 37 Negative dry film photoresist 41 Through hole (through hole)
42 Viahole 43 Interstitial Viahole

Claims (3)

絶縁層上の導電層の上にレジスト層を形成する工程、エッチング除去処理もしくはめっき付与処理を行って導電層の除去もしくは付与を行う工程、該絶縁層に孔を形成する工程、を含む回路基板の製造方法において、レジスト層を形成した後に該レジスト層に露光処理を行って、3種類の現像処理速度の異なる領域(第1領域、第2領域、第3領域と呼ぶ)を形成し、第1領域のレジスト層の除去処理(第1現像処理)、第2領域のレジスト層の除去処理(第2現像処理)、第3領域のレジスト層の除去処理(第3現像処理)をこの順で別々に行い、第1現像処理と第2現像処理の間で、第1領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第1領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第2現像処理と第3現像処理との間で、第2領域の導電層のエッチング除去処理もしくは第2領域の導電層へのめっき付与処理を行い、第3現像処理の後に、第1領域、第2領域、第3領域のいずれかの領域の絶縁層に孔を形成する工程を含む事を特徴とする回路基板の製造方法。   A circuit board including a step of forming a resist layer on a conductive layer on an insulating layer, a step of removing or applying the conductive layer by performing an etching removal process or a plating application process, and a step of forming a hole in the insulating layer In this manufacturing method, after the resist layer is formed, the resist layer is exposed to form three types of regions having different development processing speeds (referred to as a first region, a second region, and a third region). The resist layer removal process (first development process) in one area, the resist layer removal process (second development process) in the second area, and the resist layer removal process (third development process) in the third area in this order. Separately, between the first development process and the second development process, an etching removal process of the conductive layer in the first region or a plating application process to the conductive layer in the first region is performed, and the second development process and the third development process In between the processing, the second region conductive layer A step of performing etching removal processing or plating application processing to the conductive layer in the second region, and forming a hole in the insulating layer in any one of the first region, the second region, and the third region after the third development processing. A method for manufacturing a circuit board, comprising: レジスト層が光架橋性樹脂層であり、第1領域が露光処理において未露光の領域であり、第2領域が露光処理において低露光量で露光された領域であり、第3領域が露光処理において高露光量で露光された領域である事を特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。   The resist layer is a photocrosslinkable resin layer, the first area is an unexposed area in the exposure process, the second area is an area exposed at a low exposure amount in the exposure process, and the third area is in the exposure process. 2. The method of manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein the region is exposed at a high exposure amount. (a)絶縁層上の導電層の上に光架橋性樹脂層を形成する工程、
(b)光架橋性樹脂層に露光処理を行って、未露光部(第1領域)、低露光量露光部(第2領域)、高露光量露光部(第3領域)を形成する工程、
(c)第1現像処理により、第1領域の光架橋性樹脂層を除去して、第1領域の導電層を露出する工程、
(d)エッチング処理により、第1領域の露出導電層をエッチング除去する工程、
(e)第2現像処理により、第2領域の光架橋性樹脂層を除去して、第2領域の導電層を露出させる工程、
(f)電解めっき処理により第2領域の露出導電層上にパターンめっきを行う工程、
(g)第3現像処理により、第3領域の光架橋性樹脂層を除去する工程、
(h)第1領域の絶縁層を除去して孔を形成する工程、
(i)孔内の導電化処理を行う工程、
(j)フラッシュエッチングして、第3領域の導電層を除去する工程、
をこの順で含む回路基板の製造方法。
(A) forming a photocrosslinkable resin layer on the conductive layer on the insulating layer;
(B) performing an exposure process on the photocrosslinkable resin layer to form an unexposed portion (first region), a low exposure amount exposure portion (second region), and a high exposure amount exposure portion (third region);
(C) removing the photocrosslinkable resin layer in the first region and exposing the conductive layer in the first region by a first development process;
(D) a step of etching away the exposed conductive layer in the first region by an etching process;
(E) removing the photocrosslinkable resin layer in the second region and exposing the conductive layer in the second region by the second development treatment;
(F) a step of performing pattern plating on the exposed conductive layer in the second region by electrolytic plating;
(G) a step of removing the photocrosslinkable resin layer in the third region by the third development treatment;
(H) removing the insulating layer in the first region to form a hole;
(I) a step of conducting the conductive treatment in the hole;
(J) removing the conductive layer in the third region by flash etching;
A method of manufacturing a circuit board including the above in this order.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118660394A (en) * 2024-08-19 2024-09-17 广州广合科技股份有限公司 A method for manufacturing a circuit board with back-drilled resin plugging holes and non-resin plugging holes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN118660394A (en) * 2024-08-19 2024-09-17 广州广合科技股份有限公司 A method for manufacturing a circuit board with back-drilled resin plugging holes and non-resin plugging holes

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