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JP2008059669A - Thin film magnetic head with heater - Google Patents

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JP2008059669A
JP2008059669A JP2006233899A JP2006233899A JP2008059669A JP 2008059669 A JP2008059669 A JP 2008059669A JP 2006233899 A JP2006233899 A JP 2006233899A JP 2006233899 A JP2006233899 A JP 2006233899A JP 2008059669 A JP2008059669 A JP 2008059669A
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JP
Japan
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thin film
heater
resistance wire
magnetic head
resistance
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Pending
Application number
JP2006233899A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Tanabe
英男 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HGST Netherlands BV
HGST Inc
Original Assignee
Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Hitachi Global Storage Technologies Inc
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Publication date
Application filed by Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV, Hitachi Global Storage Technologies Inc filed Critical Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority to JP2006233899A priority Critical patent/JP2008059669A/en
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Abstract

【課題】ヒータを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータに対し過剰通電になると、ヒータの抵抗線と絶縁体との間にエレクトロマイグレーションが発生し、ヒータ抵抗値が変化する、ヒータ通電寿命が低下する、抵抗線が断線するという問題が発生する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド1は下部磁気シールド層5に近接してヒータ4を備えている。ヒータ4は、抵抗線40を蛇行させたものである。抵抗線40は、NiCr薄膜41とTa薄膜42との積層膜であり、Ta薄膜42がNiCr薄膜41の上下に配置されて、NiCr薄膜41を挟み込むように構成されている。TaとNiCrの電流耐性、いわゆるエレクトロマイグレーション耐性を比較した場合、高融点金属であるTaの方が大幅に優れており、このようなTa薄膜42でNiCr薄膜42を挟み込む構造とすることにより、抵抗線40自体のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。
【選択図】図4A
In a thin film magnetic head equipped with a heater, when the heater is over-energized, electromigration occurs between the heater resistance wire and the insulator, the heater resistance value changes, and the heater energization life is reduced. This causes a problem that the resistance wire is disconnected.
A thin film magnetic head (1) includes a heater (4) adjacent to a lower magnetic shield layer (5). The heater 4 is a meandering resistance wire 40. The resistance wire 40 is a laminated film of a NiCr thin film 41 and a Ta thin film 42, and the Ta thin film 42 is arranged above and below the NiCr thin film 41 so as to sandwich the NiCr thin film 41. When comparing the current resistance of Ta and NiCr, the so-called electromigration resistance, Ta, which is a refractory metal, is significantly superior. By adopting a structure in which the NiCr thin film 42 is sandwiched between such Ta thin films 42, resistance is improved. The electromigration resistance of the line 40 itself is greatly improved.
[Selection] Figure 4A

Description

本発明は、磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気記録媒体上の浮上量を制御するためのヒータを備えた薄膜磁気ヘッドに関する。   The present invention relates to a thin film magnetic head mounted on a magnetic recording apparatus, and more particularly to a thin film magnetic head provided with a heater for controlling a flying height on a magnetic recording medium.

近年、磁気記録装置における記録密度は飛躍的に高められており、これは、それを実現するための主要技術の一つである磁気記録媒体と磁気ヘッド間の隙間、すなわち磁気ヘッド浮上量が極めて小さくなったことによるところが大きい。しかし、浮上量が小さくなることにより媒体とヘッドとの衝突確率が増大し、サーマルアスペリティの発生、ヘッド出力の減衰、ヘッドノイズの増大等、色々な問題も顕在化しつつある。このため、媒体とヘッド間の浮上量は上記のような問題が発生しない程度に制御しつつ、媒体に信号を記録する、あるいは媒体の信号を再生する時にのみこの隙間を小さくする技術を用いた磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置が提案されている。   In recent years, the recording density of magnetic recording devices has been dramatically increased. This is because the gap between the magnetic recording medium and the magnetic head, which is one of the main technologies for realizing it, that is, the flying height of the magnetic head is extremely high. This is largely due to the small size. However, as the flying height decreases, the probability of collision between the medium and the head increases, and various problems such as generation of thermal asperity, attenuation of head output, and increase of head noise are becoming apparent. For this reason, a technique for reducing the gap only when recording a signal on the medium or reproducing the signal of the medium is used while controlling the flying height between the medium and the head to such an extent that the above problems do not occur. Magnetic recording heads and magnetic recording apparatuses have been proposed.

このような従来技術として、例えば特許文献1には、薄膜抵抗体(ヒータ)をヘッド内に埋め込み、これを発熱させて浮上量を可変する電磁誘導型磁気ヘッドと磁気ディスク装置とが開示されている。また、特許文献2には、信号記録部と、磁気記録媒体に記録された信号を磁気抵抗効果を利用して検出する信号再生部とが分離され、かつ磁気記録媒体とヘッド間の浮上量を制御するためのヒータが設けられた、磁気抵抗効果ヘッドと磁気ディスク装置が開示されている。さらに、特許文献3には、磁気抵抗効果素子の温度を上昇させないような位置にヒータを設けて、浮上量を制御する磁気ヘッドスライダと磁気ディスク装置とが記載されている。   As such a prior art, for example, Patent Document 1 discloses an electromagnetic induction type magnetic head and a magnetic disk device in which a thin film resistor (heater) is embedded in a head and the amount of flying is varied by generating heat. Yes. Patent Document 2 discloses that a signal recording unit and a signal reproducing unit that detects a signal recorded on a magnetic recording medium using a magnetoresistive effect are separated, and the flying height between the magnetic recording medium and the head is determined. A magnetoresistive head and a magnetic disk device provided with a heater for control are disclosed. Further, Patent Document 3 describes a magnetic head slider and a magnetic disk device that provide a heater at a position that does not raise the temperature of the magnetoresistive element and control the flying height.

上記の従来技術においては、薄膜抵抗体を発熱させるために必要な最適な通電量の制御について、ヘッドと媒体との接触時を検知する、ヘッドの出力レベルを検知する、ヘッドと媒体とを点接触または線接触させる、あるいはヘッド近傍の温度を検知しこれを浮上量の情報に変換する、というように各種色々な方法が採用されている。   In the above prior art, regarding the control of the optimum energization amount necessary for heating the thin film resistor, the head and the medium are detected, the head output level is detected, the head output level is detected. Various methods are employed such as contact or line contact, or detection of the temperature in the vicinity of the head and conversion of the temperature into information on the flying height.

一方、ヒータの構造に関して、特許文献4には、ヒータ部材の発熱部を、比抵抗の低いヒータ層と比抵抗の高いキャップ層の上下2層構造にすることにより、ヒータ部材全体の抵抗値のばらつきを低減する技術が開示されており、特許文献5には、ヒータ近傍に、ヒータとヒータの周辺を満たす物質(アルミナ)よりも熱伝導率の高い温度勾配緩和材を形成し、ヒータ抵抗線のマイグレーションによる断線を少なくする技術が開示されている。   On the other hand, regarding the structure of the heater, Patent Document 4 discloses that the heating part of the heater member has a two-layer structure of a heater layer having a low specific resistance and a cap layer having a high specific resistance, so that the resistance value of the entire heater member is reduced. A technique for reducing the variation is disclosed. Patent Document 5 forms a temperature gradient relaxation material having a higher thermal conductivity than the heater (alumina) that fills the periphery of the heater in the vicinity of the heater. A technique for reducing disconnection due to migration is disclosed.

特開平5−20635号公報JP-A-5-20635 特開2003−272335号公報JP 2003-272335 A 特開2004−241092号公報JP 2004-241092 A 特開2004−280887号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-280887 特開2006−53972号公報JP 2006-53972 A

上述したように、従来技術では薄膜抵抗体(ヒータ)を発熱させるために必要な通電量を決定する方法として、ヘッドと媒体との接触を検知する、ヘッドの出力レベルを検知する、ヘッドと媒体とを点接触または線接触させる、あるいはヘッド近傍の温度を検知しこれを浮上量の情報に変換する、等の方法が採用されている。しかし、ヘッドと媒体との接触を検知する、あるいはヘッドと媒体とを点接触または線接触させる方法については、接触によるヘッドへのダメージが大きく、その後のヘッドの使用に支障をきたす場合があり、問題がある。また、ヘッドの出力レベルを検知する、あるいはヘッド近傍の温度を検知しこれを浮上量の情報に変換する方法では、ロット間、ウェハ間、ウェハ内、さらには加工工程等に起因する、ヘッド個々の特性にばらつきがあるため、ヘッドによってはヘッドと媒体が接触しない限り所望の出力が得られるまでヒータに通電していくことになる。この場合、磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗素子部の温度が大幅に上昇し素子の通電寿命を大幅に低下させる結果になる。さらに、ヒータ自身に対しても過剰通電になり、抵抗線と絶縁体との間にエレクトロマイグレーションが発生し、抵抗線の金属成分が絶縁層との界面で優先的に移動するので、抵抗線の抵抗値が変化(増加)する。抵抗線の抵抗値が増加すると、同じ通電量に対して発熱量が増加するので、ヘッドの浮上量を正確に制御できなくなるし、ヒータの通電寿命も低下する。また、エレクトロマイグレーションにより、抵抗線が予想を越えて劣化する場合があり、その場合には抵抗線が断線することになる。   As described above, in the prior art, as a method for determining the energization amount necessary to generate heat in the thin film resistor (heater), the contact between the head and the medium is detected, the output level of the head is detected, and the head and the medium Are point contact or line contact, or the temperature in the vicinity of the head is detected and converted into the flying height information. However, the method of detecting contact between the head and the medium, or making the point and line contact between the head and the medium has a large damage to the head due to the contact, which may hinder subsequent use of the head. There's a problem. In the method of detecting the output level of the head, or detecting the temperature in the vicinity of the head and converting this to information on the flying height, the individual heads caused by lots, wafers, wafers, and processing processes, etc. Therefore, depending on the head, the heater is energized until a desired output is obtained unless the head contacts the medium. In this case, the temperature of the magnetoresistive element portion of the magnetoresistive head is significantly increased, resulting in a significant decrease in the energization life of the element. In addition, the heater itself is excessively energized, electromigration occurs between the resistance wire and the insulator, and the metal component of the resistance wire moves preferentially at the interface with the insulating layer. The resistance value changes (increases). When the resistance value of the resistance wire increases, the amount of heat generation increases with respect to the same energization amount, so that the flying height of the head cannot be accurately controlled, and the energization life of the heater also decreases. In addition, due to electromigration, the resistance wire may be deteriorated more than expected, and in this case, the resistance wire is disconnected.

本発明の目的は、ヒータを内蔵する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータ抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性を向上することにある。   An object of the present invention is to improve electromigration resistance of a heater resistance wire in a thin film magnetic head incorporating a heater.

本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータを構成する抵抗線がNiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜と、この金属薄膜の上下に設けられた高融点の金属薄膜とで構成されるものである。   The thin film magnetic head of the present invention includes a reproducing head in which a magnetoresistive effect element is provided between a lower magnetic shield layer and an upper magnetic shield layer, and a recording head in which a coil is provided between the lower magnetic core and the upper magnetic core; A thin film magnetic head having a heater provided in the vicinity of the read head, and a resistance wire constituting the heater is at least one metal thin film selected from the group consisting of NiCr, Nb, Ta, Ti and W And a high melting point metal thin film provided above and below the metal thin film.

また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータの上部で、下部磁気シールド層の近傍に、非磁性金属層が設けられるものである。   The thin film magnetic head of the present invention is a recording head in which a magnetoresistive effect element is provided between the lower magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer, and a coil is provided between the lower magnetic core and the upper magnetic core. In a thin film magnetic head having a head and a heater provided in the vicinity of the reproducing head, a nonmagnetic metal layer is provided above the heater and in the vicinity of the lower magnetic shield layer.

さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータは、コの字状にパターン化された抵抗線を有し、抵抗線の角部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で覆われているか、抵抗線の角部が円弧状を成しているか、あるいは抵抗線の角部同士を接続するクロスパターン部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で構成されているものである。   Furthermore, the thin film magnetic head of the present invention is a recording head in which a magnetoresistive effect element is provided between the lower magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer, and a coil is provided between the lower magnetic core and the upper magnetic core. In a thin film magnetic head having a head and a heater provided in the vicinity of the reproducing head, the heater has a resistance wire patterned in a U-shape, and the corner portion of the resistance wire has a higher melting point than the resistance wire. The resistance wire corners are arc-shaped, or the cross pattern portion connecting the resistance wire corners is made of a metal thin film having a higher melting point than the resistance wires. It is what.

本発明によれば、ヒータ抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性を向上することができるので、通電量に対して信頼性的に十分なマージンを持ったヒータを有する、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。   According to the present invention, since the resistance to electromigration of the heater resistance wire can be improved, a thin film magnetic film having a heater having a sufficient margin with respect to the energization amount is optimal for high-density magnetic recording / reproduction. A head can be provided.

図8及び図9を参照して、本発明に関連する磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの概略構成について説明する。図8は磁気ディスク装置の全体構成を示す上面図であり、図9は薄膜磁気ヘッドを浮上面側から見た斜視図である。磁気ディスク装置100は、スピンドルモータ102によって回転される磁気ディスク104と、再生ヘッドと記録ヘッドを搭載する薄膜磁気ヘッド1と、薄膜磁気ヘッド1を支持するサスペンション106と、サスペンション106を回転させるアクチュエータ110と、薄膜磁気ヘッド1が退避するランプ機構112とを備えている。薄膜磁気ヘッド1は、サスペンション106に支持されて、回転する磁気ディスク上を浮上し、磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。アクチュエータ110は、ボイスコイルモータにより構成され、薄膜磁気ヘッド1の記録再生動作の終了時、あるいは磁気ディスク装置100の停止時に、サスペンション先端部のリフトタブ108を介して、薄膜磁気ヘッド1をランプ機構112に退避させる。   With reference to FIG. 8 and FIG. 9, a schematic configuration of a magnetic disk device and a thin film magnetic head related to the present invention will be described. FIG. 8 is a top view showing the overall configuration of the magnetic disk device, and FIG. 9 is a perspective view of the thin film magnetic head as seen from the air bearing surface side. The magnetic disk device 100 includes a magnetic disk 104 rotated by a spindle motor 102, a thin film magnetic head 1 on which a reproducing head and a recording head are mounted, a suspension 106 that supports the thin film magnetic head 1, and an actuator 110 that rotates the suspension 106. And a ramp mechanism 112 for retracting the thin film magnetic head 1. The thin film magnetic head 1 is supported by a suspension 106, floats on a rotating magnetic disk, and reads / writes magnetic information recorded on the magnetic disk. The actuator 110 is constituted by a voice coil motor. When the recording / reproducing operation of the thin film magnetic head 1 is completed or when the magnetic disk device 100 is stopped, the thin film magnetic head 1 is connected to the ramp mechanism 112 via the lift tab 108 at the tip of the suspension. Evacuate.

図9を参照するに、薄膜磁気ヘッド1は、スライダ(基板)2と素子部15とを有し、素子部15に再生ヘッドと記録ヘッドが積層されたヘッド素子部16が形成されている。スライダ2の磁気ディスクと対向する浮上面には、浮上レール17と、浅溝レール18と、深溝19が形成されている。図10Aに、薄膜磁気ヘッド1が磁気ディスク104上を浮上している様子を示す。薄膜磁気ヘッド1は、磁気ディスク104が矢印方向に回転することにより生じる粘性層流に乗り、空気流出端側(ヘッド素子部16側)よりも空気流入端側を持ち上げて浮上する。磁気ディスク104の表面からヘッド素子部16までの距離が、薄膜磁気ヘッド1の浮上量hとして定義される。   Referring to FIG. 9, the thin film magnetic head 1 has a slider (substrate) 2 and an element portion 15, and a head element portion 16 in which a reproducing head and a recording head are stacked is formed on the element portion 15. A flying rail 17, a shallow groove rail 18, and a deep groove 19 are formed on the flying surface of the slider 2 facing the magnetic disk. FIG. 10A shows a state in which the thin film magnetic head 1 is flying above the magnetic disk 104. The thin film magnetic head 1 rides on a viscous laminar flow generated by the rotation of the magnetic disk 104 in the direction of the arrow, and floats by lifting the air inflow end side from the air outflow end side (head element unit 16 side). The distance from the surface of the magnetic disk 104 to the head element unit 16 is defined as the flying height h of the thin film magnetic head 1.

図1は、本発明の実施例1による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の構成を示す図であり、図9のA−A線断面図である。本実施例による薄膜磁気ヘッド1は、基板(スライダ)2上にアルミナ絶縁層3を介して、ヘッド/媒体間の浮上量を調整するためのヒータ4が所定の形状に形成され、続いて、再生ヘッドを構成する下部磁気シールド層5、アルミナ絶縁層6、アルミナ絶縁層6の中に磁気抵抗効果素子部7、上部磁気シールド層8が形成され、この上に、アルミナ絶縁層6′を介して記録ヘッドを構成する下部磁気コア9、コイル10、上部ポール11、上部磁気コア12が形成され、これらの上に保護絶縁層13が形成されてなるものである。   1 is a diagram showing a configuration of a head element portion of a thin film magnetic head according to Embodiment 1 of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. In the thin film magnetic head 1 according to the present embodiment, a heater 4 for adjusting the flying height between the head and the medium is formed in a predetermined shape on the substrate (slider) 2 via the alumina insulating layer 3. A magnetoresistive effect element portion 7 and an upper magnetic shield layer 8 are formed in the lower magnetic shield layer 5, the alumina insulating layer 6, and the alumina insulating layer 6 constituting the reproducing head, and the alumina insulating layer 6 ′ is interposed therebetween. The lower magnetic core 9, the coil 10, the upper pole 11, and the upper magnetic core 12 constituting the recording head are formed, and the protective insulating layer 13 is formed thereon.

図2は、磁気抵抗効果素子部7を浮上面側から見た拡大図であり、GMR(Giant Magnetoresistine)素子の層構造を示す。磁気抵抗効果素子部7は、図示しない絶縁層の上に反強磁性層71が形成され、続いて強磁性体の固定層72、Cu等の非磁性導電層73、強磁性体の自由層74が積層された多層膜である。この多層膜の両端には、磁区制御層75、電極層76が配置されている。固定層72は、反強磁性層71との界面で生じる交換結合磁界により磁化の向きが固定されている。それに対して、自由層74は、外部磁界の向きに応じて磁化の向きが可変可能となっている。磁気ディスク装置は、固定層72と自由層74との成す角度によりGMR素子7の抵抗が変化する特性を利用して、磁気ディスク上の情報を再生している。具体的には、固定層72の磁化の向きと自由層74の磁化の向きが平行の場合、GMR素子7の抵抗は最小となり、反平行の場合は、GMR素子7の抵抗は最大となる。   FIG. 2 is an enlarged view of the magnetoresistive effect element portion 7 as viewed from the air bearing surface side, and shows a layer structure of a GMR (Giant Magnetoresistine) element. In the magnetoresistive effect element portion 7, an antiferromagnetic layer 71 is formed on an insulating layer (not shown), followed by a ferromagnetic fixed layer 72, a nonmagnetic conductive layer 73 such as Cu, and a ferromagnetic free layer 74. Is a multilayer film laminated. A magnetic domain control layer 75 and an electrode layer 76 are disposed on both ends of the multilayer film. The magnetization direction of the fixed layer 72 is fixed by an exchange coupling magnetic field generated at the interface with the antiferromagnetic layer 71. On the other hand, the magnetization direction of the free layer 74 can be changed according to the direction of the external magnetic field. The magnetic disk device reproduces information on the magnetic disk by utilizing the characteristic that the resistance of the GMR element 7 changes depending on the angle formed by the fixed layer 72 and the free layer 74. Specifically, when the magnetization direction of the fixed layer 72 and the magnetization direction of the free layer 74 are parallel, the resistance of the GMR element 7 is minimum, and when it is antiparallel, the resistance of the GMR element 7 is maximum.

図3にヒータ4の平面形状を示す。ヒータ4は、抵抗線40を蛇行させた構造であり、その両端には電流を供給するためのリード線43、44を有する。図4A、図4Bに抵抗線40の構成を断面図で示す。図4Aに示す抵抗線40は、NiCr薄膜41とTa薄膜42との積層膜で構成されている。この構成の特徴は、Ta薄膜42がNiCr薄膜41の上層および下層に配置され、NiCr薄膜41を挟み込むように形成されていることである。TaとNiCrの電流耐性、いわゆるエレクトロマイグレーション耐性を比較した場合、高融点金属であるTaの方が大幅に優れており、このようなTa薄膜でNiCr薄膜を挟み込む構造とすることにより、抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上することになる。また、Ta薄膜42でNiCr薄膜41を挟み込むことにより、NiCr薄膜41のエレクトロマイグレーションの起源となる、NiCr薄膜と絶縁層との界面をなくすことになり、NiCr薄膜自体のエレクトロマイグレーション耐性を向上することができる。図4Bに示す抵抗線40は、NiCr薄膜41を多層とし、各NiCr薄膜41の上下にTa薄膜42を配置したものである。この場合も、各NiCr薄膜41は、Ta薄膜42に挟まれているので、抵抗線及びNiCr薄膜のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。   FIG. 3 shows a planar shape of the heater 4. The heater 4 has a structure in which a resistance wire 40 meanders, and has lead wires 43 and 44 for supplying current at both ends thereof. 4A and 4B are sectional views showing the configuration of the resistance wire 40. FIG. The resistance wire 40 shown in FIG. 4A is composed of a laminated film of a NiCr thin film 41 and a Ta thin film 42. The feature of this configuration is that the Ta thin film 42 is disposed in the upper layer and the lower layer of the NiCr thin film 41 and is formed so as to sandwich the NiCr thin film 41 therebetween. When comparing the current resistance of Ta and NiCr, so-called electromigration resistance, Ta, which is a refractory metal, is significantly superior. By adopting a structure in which the NiCr thin film is sandwiched between such Ta thin films, the resistance wire Electromigration resistance will be greatly improved. Further, by sandwiching the NiCr thin film 41 with the Ta thin film 42, the interface between the NiCr thin film and the insulating layer, which is the origin of electromigration of the NiCr thin film 41, is eliminated, and the electromigration resistance of the NiCr thin film itself is improved. Can do. The resistance wire 40 shown in FIG. 4B is obtained by forming a NiCr thin film 41 into a multilayer and disposing Ta thin films 42 above and below each NiCr thin film 41. Also in this case, since each NiCr thin film 41 is sandwiched by the Ta thin film 42, the resistance resistance and the electromigration resistance of the NiCr thin film are greatly improved.

図4A、図4Bに示す、エレクトロマイグレーション耐性に優れたヒータ4を実装した図1に示す薄膜磁気ヘッド1は、抵抗線40の抵抗変化が少ないため、通電量に対して予定した発熱量が得られる。したがって、ヒータ4を用いた薄膜磁気ヘッド1の浮上量制御を正確に行うことができる。また、予定した発熱量で安定的に使用できるため、ヒータ4の通電寿命を長くすることができる。さらに、エレクトロマイグレーションによる劣化が少ないので、抵抗線40の断線を防止することができる。   The thin-film magnetic head 1 shown in FIG. 1 on which the heater 4 having excellent electromigration resistance shown in FIGS. 4A and 4B is mounted has a small resistance change of the resistance wire 40, and therefore a predetermined amount of heat generation can be obtained with respect to the energization amount. It is done. Therefore, the flying height control of the thin film magnetic head 1 using the heater 4 can be accurately performed. Moreover, since it can be used stably with the planned calorific value, the energization life of the heater 4 can be extended. Furthermore, since the deterioration due to electromigration is small, disconnection of the resistance wire 40 can be prevented.

ここで、図10A、図10Bを参照して、上記薄膜磁気ヘッド1の浮上量制御について説明する。図10Aは、ヒータ4に通電しない場合であり、図10Bはヒータ4に通電した場合を示す。薄膜磁気ヘッド1のヒータ4は、抵抗線40がエレクトロマイグレーションを起こさないので、抵抗線40の抵抗値は所定の値を維持し、通電量に対して所定の発熱量が得られる。したがって、図10Bに示すように、ヘッド素子部16の突出量pを正確に制御することができるので、図10Aに示す薄膜磁気ヘッド1の浮上量hを、突出量pだけ低減した浮上量h′に正確に制御することができる。   Here, the flying height control of the thin film magnetic head 1 will be described with reference to FIGS. 10A and 10B. FIG. 10A shows a case where the heater 4 is not energized, and FIG. 10B shows a case where the heater 4 is energized. In the heater 4 of the thin film magnetic head 1, since the resistance wire 40 does not cause electromigration, the resistance value of the resistance wire 40 maintains a predetermined value, and a predetermined heat generation amount is obtained with respect to the energization amount. Accordingly, as shown in FIG. 10B, the protrusion amount p of the head element portion 16 can be accurately controlled. Therefore, the flying height h of the thin film magnetic head 1 shown in FIG. 10A is reduced by the protrusion amount p. It can be accurately controlled.

以上の説明のとおり、実施例1によるヒータ構造とすることにより、個々のヘッドに対して最適な浮上量を調整、制御するために、ヒータへ設定された最適な通電量に対し、信頼性的に十分な耐電流マージンを持ったヒータを実現することができ、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドとすることができる。   As described above, since the heater structure according to the first embodiment is used, in order to adjust and control the optimum flying height for each head, it is reliable for the optimum energization amount set to the heater. Therefore, it is possible to realize a heater having a sufficient current resistance margin, and to obtain a thin film magnetic head that is optimal for high-density magnetic recording / reproduction.

なお、上記実施例1では、ヒータ材料としてNiCr薄膜およびTa薄膜を用いたが、NiCr薄膜に変えてTa,Ti,Nb,W等の高融点金属薄膜あるいはその他遷移金属薄膜を使用することができる。また、Ta薄膜42に変えて、Ti,Nb,W等の高融点金属薄膜を使用することができる。   In Example 1, the NiCr thin film and the Ta thin film were used as the heater material. However, instead of the NiCr thin film, a refractory metal thin film such as Ta, Ti, Nb, or W or other transition metal thin film can be used. . Further, in place of the Ta thin film 42, a refractory metal thin film of Ti, Nb, W or the like can be used.

図5に、実施例2による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の断面図を示す。図5に示す薄膜磁気ヘッド1′は、下部磁気シールド層5の後部に設置されたヒータ4に対し、同図に示すようにヒータ4の上部を覆うように、かつ下部磁気シールド層5に近接するようにCuからなる非磁性金属層46を積層したものである。その他の構成は、実施例1と同じである。ヒータ4全体をこのようにCuからなる非磁性金属層46で覆い、かつ非磁性金属層46を下部磁気シールド層5に近接するように形成することにより、ヒータ4で発生する熱を効率よく非磁性金属層46を通して下部磁気シールド層5側に逃がすことができるので、浮上面を効率的に突出させる効果があると同時に、ヒータ4自体の温度上昇が緩和されるので、抵抗線40のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。   FIG. 5 is a sectional view of the head element portion of the thin film magnetic head according to the second embodiment. The thin-film magnetic head 1 'shown in FIG. 5 is close to the lower magnetic shield layer 5 so as to cover the upper portion of the heater 4 as shown in the figure with respect to the heater 4 installed at the rear of the lower magnetic shield layer 5. Thus, a nonmagnetic metal layer 46 made of Cu is laminated. Other configurations are the same as those in the first embodiment. By covering the entire heater 4 with the nonmagnetic metal layer 46 made of Cu and forming the nonmagnetic metal layer 46 so as to be close to the lower magnetic shield layer 5, the heat generated by the heater 4 is efficiently reduced. Since it can escape to the lower magnetic shield layer 5 side through the magnetic metal layer 46, it has the effect of efficiently projecting the air bearing surface, and at the same time, the temperature rise of the heater 4 itself is mitigated. Resistance is greatly improved.

実施例2によるヒータ構成にすることによっても、個々のヘッドに対して設定された最適なヒータ通電量に対し、信頼性的に十分な耐電流マージンを持った加熱ヒータを実現することができ、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。   Even with the heater configuration according to the second embodiment, a heater having a sufficient withstand current margin can be realized with respect to the optimum heater energization amount set for each head. A thin film magnetic head optimal for high-density magnetic recording / reproduction can be provided.

なお、実施例2では、ヒータ4を覆う非磁性金属層43としてCu層を用いたが、これに変えて、非磁性で熱伝導性の良い他の金属材料を使用することができる。また、非磁性金属層43は下部磁気シールド層5に接触するように設けられても特に問題はなく、ヒータ4の発熱による浮上面の突出に関しては、むしろ効率が良くなる。   In Example 2, a Cu layer was used as the nonmagnetic metal layer 43 covering the heater 4. However, instead of this, another metal material that is nonmagnetic and has good thermal conductivity can be used. Further, there is no particular problem even if the nonmagnetic metal layer 43 is provided so as to be in contact with the lower magnetic shield layer 5, and the efficiency of the protrusion of the air bearing surface due to the heat generated by the heater 4 is rather improved.

次に、図6A〜図6Dを参照して、実施例3による薄膜磁気ヘッドのヒータ構成について説明する。図6Aに、ヒータ4の基本構成を示すが、ヒータ4はNiCr薄膜の抵抗線40がコの字状にパターン化されたものである。図6Bに、具体的構成例を示すが、この例の特徴は、コの字状のNiCr薄膜の抵抗線40の角部40aにおいて、NiCr薄膜とは異なる金属膜、例えばTa薄膜40bを積層することである。この構成により、角部40aに集中する電流によって生じるエレクトロマイグレーションが抑制されるので、抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することができる。   Next, the heater configuration of the thin film magnetic head according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 6A to 6D. FIG. 6A shows a basic configuration of the heater 4. The heater 4 is obtained by patterning a resistance wire 40 of a NiCr thin film into a U-shape. FIG. 6B shows a specific configuration example. This example is characterized in that a metal film different from the NiCr thin film, for example, a Ta thin film 40b, is stacked at the corner 40a of the resistance wire 40 of the U-shaped NiCr thin film. That is. With this configuration, electromigration caused by a current concentrated on the corner portion 40a is suppressed, so that the electromigration resistance of the resistance wire itself can be greatly improved.

図6Cに、他の構成例を示すが、この構成の特徴は、コの字状のNiCr薄膜の抵抗線40の角部40aを円弧状40cあるいは面取りした形状40dにすることである。この構成によっても、角部40aに集中する電流によって生じるエレクトロマイグレーションが抑制されるので、抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することができる。   FIG. 6C shows another configuration example. The feature of this configuration is that the corner portion 40a of the resistance wire 40 of the U-shaped NiCr thin film has an arc shape 40c or a chamfered shape 40d. Also with this configuration, electromigration caused by the current concentrated on the corner portion 40a is suppressed, so that the electromigration resistance of the resistance wire itself can be greatly improved.

図6Dに、さらに他の構成例を示すが、この構成の特徴は、コの字状の抵抗線40の、ヘッド素子高さ方向に延びるパターン40eをNiCr薄膜で形成し、このパターンの端部同士を接続するクロスパターン40fを、NiCr薄膜とは異なる金属膜、例えばTa薄膜で形成するものである。この構成によっても、コの字状パターンの角部40aに集中する電流によって生じるエレクトロマイグレーションが抑制されるので、抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することができる。   FIG. 6D shows still another configuration example. The feature of this configuration is that a pattern 40e of the U-shaped resistance wire 40 extending in the head element height direction is formed of a NiCr thin film, and an end portion of this pattern is formed. The cross pattern 40f that connects the two is formed of a metal film different from the NiCr thin film, for example, a Ta thin film. Also with this configuration, electromigration caused by the current concentrated on the corner 40a of the U-shaped pattern is suppressed, so that the electromigration resistance of the resistance wire itself can be greatly improved.

さらに、図6B、図6C、図6Dに示したパターン化されたヒータ4において、図6Aに示すように、抵抗線40のパターン間の間隔bを、パターン幅aの1倍以上とし、コの字状パターンの互いに交わるラインパターン同士の長さCおよびDの比C/Dが1〜2以内となるように形成することにより、ヒータ抵抗を100Ωから1000Ωに制御することができる。これにより、ヒータ自体の発熱の集中による温度上昇を緩和する効果があり、これによっても抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性を向上することができる。   Further, in the patterned heater 4 shown in FIGS. 6B, 6C, and 6D, as shown in FIG. 6A, the interval b between the patterns of the resistance lines 40 is set to be not less than 1 times the pattern width a. The heater resistance can be controlled from 100Ω to 1000Ω by forming the length pattern C so that the ratio C / D of the length C and D of the line patterns intersecting each other is within 1-2. This has the effect of alleviating the temperature rise due to the concentration of heat generated by the heater itself, and this can also improve the resistance to electromigration of the resistance wire.

ところで、ヒータ4の発熱により、浮上面を突出させて、浮上量を最適値に制御するためには、磁気記録装置に薄膜磁気ヘッド1を搭載した際、ヒータ4に通電しない時の浮上量に対して、通電により2〜10nm程度の突出が必要であり、そのためにはヒータ4に印加する電力に対する磁気抵抗効果素子部7における浮上面の突出感度は、約1〜2nm/10mW前後に設計するのが望ましい。図7は、実施例3において、抵抗線パターン幅aを2μmとして、ヒータ4の抵抗を500Ωに設計し、浮上面の突出感度を約1nm/10mWにした場合における、ヒータ4の自己発熱による抵抗変化率に対する抵抗線パターン間隔bとパターン幅aの比b/aと、ラインパターン同士の長さの比C/Dの関係を示したものである。同図からb/aが大きくなる程、C/Dが1に近い程、抵抗変化率は低下する。すなわち、浮上面の突出感度は一定に保ちながらヒータ4の温度上昇を抑制できる効果があることがわかる。この効果により、上述したように抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性が向上するものである。なお、本実施例では抵抗線パターン幅aを2μmとしたが、パターン幅aは0.5〜5μmの範囲で設計するのが望ましい。   By the way, in order to control the flying height to the optimum value by projecting the floating surface by the heat generation of the heater 4, when the thin film magnetic head 1 is mounted on the magnetic recording device, the flying height when the heater 4 is not energized is set. On the other hand, a protrusion of about 2 to 10 nm is necessary by energization. For this purpose, the protrusion sensitivity of the air bearing surface in the magnetoresistive effect element portion 7 with respect to the electric power applied to the heater 4 is designed to be about 1-2 nm / 10 mW. Is desirable. FIG. 7 shows the resistance due to self-heating of the heater 4 in Example 3 when the resistance line pattern width a is 2 μm, the resistance of the heater 4 is designed to be 500Ω, and the protrusion sensitivity of the air bearing surface is about 1 nm / 10 mW. The relationship between the ratio b / a of the resistance line pattern interval b to the pattern width a with respect to the rate of change and the ratio C / D of the lengths of the line patterns is shown. From the figure, the resistance change rate decreases as b / a increases and C / D approaches 1. That is, it can be seen that there is an effect that the temperature rise of the heater 4 can be suppressed while keeping the protrusion sensitivity of the air bearing surface constant. This effect improves the electromigration resistance of the resistance wire itself as described above. In this embodiment, the resistance line pattern width a is set to 2 μm, but the pattern width a is preferably designed in the range of 0.5 to 5 μm.

以上の説明のとおり、本発明によれば、ヒータのエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することが可能であり、したがってヒータを用いた薄膜磁気ヘッド個々に対して設定された最適なヒータ通電量に対し、信頼性的に十分な耐電流マージンを持つヒータを実現することができ、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to greatly improve the electromigration resistance of the heater, and therefore, with respect to the optimum heater energization amount set for each thin film magnetic head using the heater. Thus, a heater having a sufficient current withstanding margin can be realized, and a thin film magnetic head optimal for high-density magnetic recording / reproduction can be provided.

本発明の実施例1による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の断面図である。It is sectional drawing of the head element part of the thin film magnetic head by Example 1 of this invention. 図1の磁気抵抗効果素子部を浮上面から見た拡大図である。It is the enlarged view which looked at the magnetoresistive effect element part of FIG. 1 from the air bearing surface. 図1のヒータの形状を示す平面図である。It is a top view which shows the shape of the heater of FIG. 実施例1におけるヒータの抵抗線を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a resistance wire of a heater in Example 1. 実施例1におけるヒータの抵抗線の他の例を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of a resistance wire of a heater in Embodiment 1. FIG. 本発明の実施例2による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の断面図である。It is sectional drawing of the head element part of the thin film magnetic head by Example 2 of this invention. 本発明の実施例3による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの基本構成を示す平面図である。It is a top view which shows the basic composition of a heater of the thin film magnetic head by Example 3 of this invention. 本発明の実施例3による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの具体的構成を示す平面図である。It is a top view which shows the specific structure of a heater of the thin film magnetic head by Example 3 of this invention. 本発明の実施例3による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの具体的構成の他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of the specific structure of a heater of the thin film magnetic head by Example 3 of this invention. 本発明の実施例3による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの具体的構成のさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the further another example of the specific structure of a heater of the thin film magnetic head by Example 3 of this invention. 実施例3におけるヒータの、自己発熱による抵抗変化率に対する抵抗線パターン間隔bとパターン幅aの比b/aと、ラインパターン同士の長さの比C/Dの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the ratio b / a of the resistance line pattern space | interval b and the pattern width a with respect to the resistance change rate by self-heating of the heater in Example 3, and ratio C / D of the length of line patterns. 本発明に関連する磁気ディスク装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the magnetic disc apparatus relevant to this invention. 本発明に関連する薄膜磁気ヘッドの浮上面側から見た斜視図である。It is the perspective view seen from the air bearing surface side of the thin film magnetic head relevant to this invention. 薄膜磁気ヘッドが磁気ディスク上を浮上している様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the thin film magnetic head has floated on the magnetic disk. ヒータに通電することにより、薄膜磁気ヘッドの浮上量を制御している様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the flying height of a thin film magnetic head is controlled by supplying with electricity to a heater.

符号の説明Explanation of symbols

1,1′…薄膜磁気ヘッド、2…基板(スライダ)、3,6,6′…:アルミナ絶縁層、4…ヒータ、5…下部磁気シールド層、7…磁気抵抗効果素子部、8…上部磁気シールド層、9…下部磁気コア、10…コイル、11…上部ポール、12…上部磁気コア、13…保護絶縁層、15…素子部、16…ヘッド素子部、17…浮上レール、18…浅溝レール、19…深溝、40…抵抗線、40a…角部、40b,40f…Ta薄膜、40e…抵抗線パターン、40f…クロスパターン、41…NiCr薄膜、42…Ta薄膜、43,44…リード線、46…非磁性金属層、100…磁気ディスク装置、102…スピンドルモータ、104…磁気ディスク、106…サスペンション、108…リフトタブ、110…アクチュエータ、112…ランプ機構。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1 '... Thin-film magnetic head, 2 ... Substrate (slider), 3, 6, 6' ...: Alumina insulating layer, 4 ... Heater, 5 ... Lower magnetic shield layer, 7 ... Magnetoresistive element part, 8 ... Upper Magnetic shield layer, 9 ... Lower magnetic core, 10 ... Coil, 11 ... Upper pole, 12 ... Upper magnetic core, 13 ... Protective insulating layer, 15 ... Element part, 16 ... Head element part, 17 ... Floating rail, 18 ... Shallow Groove rail, 19 ... deep groove, 40 ... resistance wire, 40a ... corner, 40b, 40f ... Ta thin film, 40e ... resistance wire pattern, 40f ... cross pattern, 41 ... NiCr thin film, 42 ... Ta thin film, 43, 44 ... lead Reference numeral 46: Nonmagnetic metal layer 100: Magnetic disk device 102: Spindle motor 104: Magnetic disk 106: Suspension 108: Lift tab 110: Actuator 112: Ramp mechanism

Claims (16)

下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、前記再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヒータを構成する抵抗線がNiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜と、該金属薄膜の上下に設けられた高融点の金属薄膜を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。   A reproducing head in which a magnetoresistive element is provided between the lower magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer, a recording head in which a coil is provided between the lower magnetic core and the upper magnetic core, and provided in the vicinity of the reproducing head In the thin film magnetic head having the heater, at least one metal thin film selected from the group consisting of NiCr, Nb, Ta, Ti and W, the resistance wire constituting the heater, and the upper and lower sides of the metal thin film A thin-film magnetic head comprising a high-melting-point metal thin film provided on the head. 前記高融点の金属薄膜がTa、Nb、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属で構成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。   2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the high melting point metal thin film is made of at least one metal selected from the group consisting of Ta, Nb, Ti and W. 前記金属薄膜がNiCr膜であり、前記高融点の金属薄膜がTa膜であることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。   2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the metal thin film is a NiCr film, and the high melting point metal thin film is a Ta film. 前記ヒータの抵抗線が、NiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜を2層以上有し、該2層以上の金属薄膜それぞれの上下に設けられた高融点の金属薄膜を有することを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。   The resistance wire of the heater has two or more thin films of at least one metal selected from the group consisting of NiCr, Nb, Ta, Ti and W, and is provided above and below each of the two or more metal thin films. 2. The thin film magnetic head according to claim 1, further comprising a thin metal film having a high melting point. 前記高融点の金属薄膜がTa、Nb、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属で構成されていることを特徴とする請求項4記載の薄膜磁気ヘッド。   5. The thin film magnetic head according to claim 4, wherein the high melting point metal thin film is made of at least one metal selected from the group consisting of Ta, Nb, Ti and W. 前記金属薄膜がNiCr膜であり、前記高融点の金属薄膜がTa膜であることを特徴とする請求項4記載の薄膜磁気ヘッド。   5. The thin film magnetic head according to claim 4, wherein the metal thin film is a NiCr film, and the high melting point metal thin film is a Ta film. 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、前記再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヒータの上部で、前記下部磁気シールド層の近傍に、非磁性金属層が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。   A reproducing head in which a magnetoresistive element is provided between the lower magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer, a recording head in which a coil is provided between the lower magnetic core and the upper magnetic core, and provided in the vicinity of the reproducing head A thin film magnetic head having a heater, wherein a nonmagnetic metal layer is provided in the vicinity of the lower magnetic shield layer above the heater. 前記ヒータの抵抗線がNiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜で構成され、前記非磁性金属層がCuで構成されていることを特徴とする請求項7記載の薄膜磁気ヘッド。   The resistance wire of the heater is composed of a thin film of at least one metal selected from the group consisting of NiCr, Nb, Ta, Ti and W, and the nonmagnetic metal layer is composed of Cu. The thin film magnetic head according to claim 7. 前記非磁性金属層が前記下部磁気シールド層の後部に設けられていることを特徴とする請求項7記載の薄膜磁気ヘッド。   8. The thin film magnetic head according to claim 7, wherein the nonmagnetic metal layer is provided at a rear portion of the lower magnetic shield layer. 前記非磁性金属層が前記下部磁気シールド層の後部に接して設けられていることを特徴とする請求項7記載の薄膜磁気ヘッド。   8. The thin film magnetic head according to claim 7, wherein the nonmagnetic metal layer is provided in contact with a rear portion of the lower magnetic shield layer. 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、前記再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヒータは、コの字状にパターン化された抵抗線を有し、該抵抗線の角部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で覆われているか、または前記抵抗線の角部が円弧状を成しているか、または前記抵抗線の角部同士を接続するクロスパターン部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で構成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。   A reproducing head in which a magnetoresistive element is provided between the lower magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer, a recording head in which a coil is provided between the lower magnetic core and the upper magnetic core, and provided in the vicinity of the reproducing head In the thin film magnetic head having a heater, the heater has a resistance wire patterned in a U shape, and a corner portion of the resistance wire is covered with a metal thin film having a higher melting point than the resistance wire. Or the corners of the resistance wire are arcuate, or the cross pattern portion connecting the corners of the resistance wire is made of a metal thin film having a melting point higher than that of the resistance wire. Thin film magnetic head. 前記抵抗線がNiCr膜であり、該抵抗線の角部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で覆われている場合、該高融点の金属薄膜はTa膜であることを特徴とする請求項11記載の薄膜磁気ヘッド。   The resistance wire is a NiCr film, and when a corner portion of the resistance wire is covered with a metal thin film having a higher melting point than the resistance wire, the high melting point metal thin film is a Ta film. 11. The thin film magnetic head according to 11. 前記抵抗線のパターン幅をa、パターンの間隔をbとした場合、b/aが1以上であり、前記抵抗線の素子高さ方向のパターンの長さをC、クロスパターンの長さをDとした場合、C/Dが1〜2であることを特徴とする請求項12記載の薄膜磁気ヘッド。   When the pattern width of the resistance line is a and the pattern interval is b, b / a is 1 or more, the length of the resistance line in the element height direction is C, and the length of the cross pattern is D. 13. The thin film magnetic head according to claim 12, wherein C / D is 1 to 2. 前記抵抗線がNiCr膜であり、該抵抗線の角部同士を接続するクロスパターン部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で構成されている場合、該高融点の金属薄膜はTa膜であることを特徴とする請求項11記載の薄膜磁気ヘッド。   When the resistance wire is a NiCr film and the cross pattern portion connecting the corners of the resistance wire is composed of a metal thin film having a higher melting point than the resistance wire, the high melting point metal thin film is a Ta film. The thin film magnetic head according to claim 11. 前記抵抗線のパターン幅をa、パターンの間隔をbとした場合、b/aが1以上であり、前記抵抗線の素子高さ方向のパターンの長さをC、クロスパターンの長さをDとした場合、C/Dが1〜2であることを特徴とする請求項14記載の薄膜磁気ヘッド。   When the pattern width of the resistance line is a and the pattern interval is b, b / a is 1 or more, the length of the resistance line in the element height direction is C, and the length of the cross pattern is D. 15. The thin film magnetic head according to claim 14, wherein C / D is 1 to 2. 前記抵抗線の角部が円弧状を成しており、前記抵抗線のパターン幅をa、パターンの間隔をbとした場合、b/aが1以上であり、前記抵抗線の素子高さ方向のパターンの長さをC、クロスパターンの長さをDとした場合、C/Dが1〜2であることを特徴とする請求項15記載の薄膜磁気ヘッド。   When the corner portion of the resistance wire has an arc shape, the pattern width of the resistance wire is a, and the pattern interval is b, b / a is 1 or more, and the element height direction of the resistance wire 16. The thin film magnetic head according to claim 15, wherein C / D is 1 to 2 where C is the pattern length and D is the cross pattern length.
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