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JP2008089954A - Data line drive circuit, liquid crystal display, and electronic device equipped therewith - Google Patents

Data line drive circuit, liquid crystal display, and electronic device equipped therewith Download PDF

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JP2008089954A
JP2008089954A JP2006270443A JP2006270443A JP2008089954A JP 2008089954 A JP2008089954 A JP 2008089954A JP 2006270443 A JP2006270443 A JP 2006270443A JP 2006270443 A JP2006270443 A JP 2006270443A JP 2008089954 A JP2008089954 A JP 2008089954A
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analog
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裕 小橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a data line drive circuit having a built-in DAC consuming less power with a small area. <P>SOLUTION: A hold circuit is provided between a DAC circuit and an analog buffer circuit and longer time is required for writing from the analog buffer circuit to the data line than writing from the DAC circuit to the hold circuit. Furthermore, two hold circuits are used for writing from the analog buffer circuit to the data lines in line sequence. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は例えば、データ線駆動回路、液晶表示装置およびこれを搭載した電子機器に関する。   The present invention relates to, for example, a data line driving circuit, a liquid crystal display device, and an electronic apparatus equipped with the same.

近年、低温ポリシリコン薄膜形成技術を用いてガラス基板上に薄膜トランジスター(TFT)回路を形成する、いわゆるSystem On Glass(SOG)技術がさかんに開発されており、液晶ディスプレイのガラス基板上にドライバー回路を内蔵する駆動回路一体型液晶表示装置、あるいはモノシリックドライバーと呼ばれる表示装置の開発が進んでいる。特にDAC(Digital Analogue Converter)回路(あるいはD/A変換回路などと称される)を含むデータ線駆動回路(あるいは水平駆動回路、H−DRIVERなどと称される)をガラス基板上に形成することでドライバーICのコストが非常に安価になることが期待され、実用化されつつある。このようなDAC回路内蔵のデータ線駆動回路をガラス基板上に構成する場合、特許文献1などに記載されているように、順次選択回路(あるいはシフトレジスタ回路)、第1メモリ回路(あるいはサンプリングラッチ回路)、第2メモリ回路(あるいは線順次駆動ラッチ回路)、DAC回路などで構成される。ここで第1メモリ回路は外部から入力されるデジタル映像信号を順次選択回路によって与えられる適切なタイミングで取り込むためのメモリであって、第2メモリ回路は点順次で送信されるデジタルデータを用いて線順次駆動でDAC回路を動作させるためのメモリである。このようにDAC回路を線順次で駆動することでDAC回路能力に必要な駆動能力を下げ、低消費電力を実現するのである。液晶表示装置の詳細な構成例としては特許文献1などが提案されている。   In recent years, so-called System On Glass (SOG) technology for forming a thin film transistor (TFT) circuit on a glass substrate using a low-temperature polysilicon thin film forming technology has been developed, and a driver circuit is formed on the glass substrate of a liquid crystal display. Development of a display device called a monolithic driver or a liquid crystal display device with a built-in drive circuit is being advanced. In particular, a data line driving circuit (or a horizontal driving circuit or H-DRIVER or the like) including a DAC (Digital Analogue Converter) circuit (or a D / A conversion circuit or the like) is formed on a glass substrate. Therefore, it is expected that the cost of the driver IC will be very low, and it is being put into practical use. When such a data line driving circuit with a built-in DAC circuit is formed on a glass substrate, as described in Patent Document 1, a selection circuit (or shift register circuit), a first memory circuit (or a sampling latch) are sequentially provided. Circuit), a second memory circuit (or a line sequential drive latch circuit), a DAC circuit, and the like. Here, the first memory circuit is a memory for capturing digital video signals input from the outside at an appropriate timing given by the sequential selection circuit, and the second memory circuit uses digital data transmitted in a dot sequential manner. This is a memory for operating a DAC circuit by line sequential driving. In this way, by driving the DAC circuit line-sequentially, the driving capability necessary for the DAC circuit capability is lowered, and low power consumption is realized. Patent document 1 etc. are proposed as a detailed structural example of a liquid crystal display device.

特開2000−242209号公報JP 2000-242209 A

駆動回路一体型液晶表示装置においては複雑な回路をICに比べ10倍程度大きなデザインルールで形成する必要があるため、第1メモリ回路と第2メモリ回路を備えたデータ線駆動回路はサイズが大きくなり、液晶表示装置の表示エリア周縁部サイズが大型化するという問題点を有する。この問題はDAC回路の階調数を多くするほど顕著になる。本発明は上記の問題点に鑑み、第2メモリ回路を省略することで装置の小型化をはかりつつ、消費電力の上昇を抑えたデータ線駆動回路を提案するものである。   In a drive circuit integrated liquid crystal display device, it is necessary to form a complicated circuit with a design rule about 10 times larger than that of an IC. Therefore, the data line drive circuit including the first memory circuit and the second memory circuit is large in size. Therefore, there is a problem that the peripheral area size of the display area of the liquid crystal display device is increased. This problem becomes more prominent as the number of gradations of the DAC circuit is increased. In view of the above problems, the present invention proposes a data line driving circuit which suppresses an increase in power consumption while reducing the size of the device by omitting the second memory circuit.

本発明のある態様によれば、データ線駆動回路が、第1のデジタルデータを第1のアナログ信号に変換して出力するDAC回路と、前記第1のアナログ信号が供給されて前記第1のアナログ信号を保持する第1の保持回路と、前記第1の保持回路に保持された前記第1のアナログ信号に基づく電位をデータ線へ出力するアナログバッファ回路と、を備えている。そして、前記第1のアナログ信号が前記第1のDAC回路から前記第1の保持回路に供給される時間期間は、前記アナログバッファ回路が前記電位を前記データ線へ出力する時間期間より短い。   According to an aspect of the present invention, a data line driving circuit converts a first digital data into a first analog signal and outputs the DAC circuit, and the first analog signal is supplied to the first digital data. A first holding circuit that holds an analog signal; and an analog buffer circuit that outputs a potential based on the first analog signal held in the first holding circuit to a data line. The time period during which the first analog signal is supplied from the first DAC circuit to the first holding circuit is shorter than the time period during which the analog buffer circuit outputs the potential to the data line.

本発明の他の態様では、上記データ線駆動回路が、第2のアナログ信号が供給されて前記第2のアナログ信号を保持する第2の保持回路をさらに備えている。そして、前記DAC回路は前記第1のデジタルデータと第2のデジタルデータとをそれぞれ前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とに変換して、前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とを交互に出力する。また、前記第1の保持回路と前記第2の保持回路とが前記DAC回路へ交互に電気的に導通することで、前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とが前記第1の保持回路と前記第2の保持回路とにそれぞれ供給される。さらに、前記第1の保持回路と前記第2の保持回路とが前記アナログバッファ回路へ交互に電気的に導通することで、前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とが前記アナログバッファ回路に入力される。ここで、前記第1のアナログ信号が前記DAC回路から前記第1の保持回路に供給されるタイミングでは、前記第2のアナログ信号が前記第2の保持回路から前記アナログバッファ回路に入力される。   In another aspect of the present invention, the data line driving circuit further includes a second holding circuit that is supplied with a second analog signal and holds the second analog signal. The DAC circuit converts the first digital data and the second digital data into the first analog signal and the second analog signal, respectively, so that the first analog signal and the second analog signal are converted. The analog signal is output alternately. Further, the first holding circuit and the second holding circuit are alternately electrically connected to the DAC circuit, whereby the first analog signal and the second analog signal are converted into the first analog signal. It is supplied to the holding circuit and the second holding circuit, respectively. Further, the first holding circuit and the second holding circuit are alternately electrically connected to the analog buffer circuit, whereby the first analog signal and the second analog signal are converted into the analog buffer. Input to the circuit. Here, at the timing when the first analog signal is supplied from the DAC circuit to the first holding circuit, the second analog signal is input from the second holding circuit to the analog buffer circuit.

本発明のさらに他の態様では、前記DAC回路は複数のアナログ電位を出力するように構成されていて、前記第1の保持回路は複数のアナログ電位を入力され、一つのアナログ電位を出力する。   In still another aspect of the invention, the DAC circuit is configured to output a plurality of analog potentials, and the first holding circuit receives a plurality of analog potentials and outputs one analog potential.

本発明のさらに他の態様では、上記データ線駆動回路を構成する能動素子はガラス基板上に形成された薄膜トランジスターである。   In still another embodiment of the present invention, the active element constituting the data line driving circuit is a thin film transistor formed on a glass substrate.

本発明のさらに他の態様では、液晶表示装置が上述のデータ線駆動回路を備えている。また、電子機器がこのような液晶表示装置を備えていてもよい。   In still another aspect of the present invention, a liquid crystal display device includes the above-described data line driving circuit. Further, the electronic apparatus may include such a liquid crystal display device.

上記のような構成によれば、第1保持回路をDAC回路の後段に設け、第1保持回路にアナログ電位を保持させることでアナログバッファ回路を線順次駆動でき、消費電力を低減できるうえに第2メモリ回路に比べ、第1保持回路は著しく素子数が少なくなり、装置を小型化できる。   According to the configuration as described above, the first holding circuit is provided in the subsequent stage of the DAC circuit, and the analog buffer circuit can be driven line-sequentially by holding the analog potential in the first holding circuit. Compared to the two-memory circuit, the first holding circuit has a significantly reduced number of elements, and the device can be downsized.

(実施例1)
図1は本発明の第1の実施例を実現するための6BitDAC内蔵VGA液晶用データ線駆動回路302の構成図である。
(Example 1)
FIG. 1 is a block diagram of a 6-bit DAC built-in VGA liquid crystal data line driving circuit 302 for realizing the first embodiment of the present invention.

データ線駆動回路302はデジタル映像信号D1〜D18および信号に同期されるクロックCLK、SYNCタイミングを示す信号STを外部より入力され、これらのデジタル信号をもとにデータ線202−1〜1920にアナログ電位を出力する回路である。   The data line driving circuit 302 receives the digital video signals D1 to D18 and the clock signal CLK synchronized with the signal and the signal ST indicating the SYNC timing from the outside, and the analog signals are supplied to the data lines 202-1 to 1920 based on these digital signals. This circuit outputs a potential.

本実施例では具体的に、データ線駆動回路302は、643個の順次選択単位回路530−0〜642と、1920個の単位駆動回路540−1〜1920と、インバーター回路570と、基準電位発生源580と、NAND回路581と、インバーター回路582と、を備えている。なお、基準電位発生源580は基準電位発生器とも表記される。   Specifically, in this embodiment, the data line driving circuit 302 includes 643 sequential selection unit circuits 530-0 to 642, 1920 unit driving circuits 540-1 to 1920, an inverter circuit 570, and a reference potential generation. A source 580, a NAND circuit 581, and an inverter circuit 582 are provided. Reference potential generation source 580 is also referred to as a reference potential generator.

順次選択単位回路530−0〜642のそれぞれは、クロック信号端子CLK1と、クロック信号端子CLK2と、in端子と、out端子と、を備えている。そして、順次選択単位回路530−0のin端子にはST信号が接続されている。そのうえで、順次選択単位回路530−0のout端子が、順次選択単位回路530−1のin端子に接続されるという具合に、順次選択単位回路530−0〜642は直列に接続されている。また、順次選択単位回路530−1〜640のそれぞれは、それぞれ対応する選択信号端子510−1〜640を選択するように構成されている。また、順次選択単位回路530−641のout端子および順次選択単位回路530−642のout端子は、NAND回路581の2つの入力端子に接続されている。そして、NAND回路581の出力はインバーター回路582に接続される。インバーター回路582の出力は信号配線590に接続される。   Each of the sequential selection unit circuits 530-0 to 642 includes a clock signal terminal CLK1, a clock signal terminal CLK2, an in terminal, and an out terminal. The ST signal is connected to the in terminal of the sequential selection unit circuit 530-0. In addition, the sequential selection unit circuits 530-0 to 642 are connected in series such that the out terminal of the sequential selection unit circuit 530-0 is connected to the in terminal of the sequential selection unit circuit 530-1. Further, each of the sequential selection unit circuits 530-1 to 640 is configured to select the corresponding selection signal terminal 510-1 to 640. Further, the out terminal of the sequential selection unit circuit 530-641 and the out terminal of the sequential selection unit circuit 530-642 are connected to two input terminals of the NAND circuit 581. The output of the NAND circuit 581 is connected to the inverter circuit 582. The output of the inverter circuit 582 is connected to the signal wiring 590.

ここで、順次選択単位回路530−0〜640のうち、偶数番目のものを偶数段順次選択単位回路と表記し、奇数番目のものを奇数段順次選択単位回路と表記する。この表記を用いると、偶数段順次選択単位回路のクロック信号端子CLK1には外部より入力されるCLK信号が接続され、クロック信号端子CLK2にはインバーター回路570で反転されたCLK信号が接続される。奇数段順次選択単位回路(例えば順次選択単位回路530−1)のクロック信号端子CLK1には、インバーター回路570によって反転されたCLK信号が接続され、クロック信号CLK2には、CLK信号が接続される。つまり、奇数段順次選択回路のクロック信号端子CLK1・CLK2とCLK信号との間の接続関係は、偶数段順次選択回路のそれとは逆である。   Here, among the sequential selection unit circuits 530-0 to 640, the even-numbered ones are expressed as even-numbered sequential selection unit circuits, and the odd-numbered ones are expressed as odd-numbered sequential selection unit circuits. When this notation is used, the CLK signal input from the outside is connected to the clock signal terminal CLK1 of the even-numbered sequential selection unit circuit, and the CLK signal inverted by the inverter circuit 570 is connected to the clock signal terminal CLK2. The CLK signal inverted by the inverter circuit 570 is connected to the clock signal terminal CLK1 of the odd-stage sequential selection unit circuit (for example, the sequential selection unit circuit 530-1), and the CLK signal is connected to the clock signal CLK2. In other words, the connection relationship between the clock signal terminals CLK1 and CLK2 and the CLK signal of the odd-stage sequential selection circuit is opposite to that of the even-stage sequential selection circuit.

図2は順次選択単位回路530−nのそれぞれの回路構成である。ここで、nは1以上640以下の整数である。順次選択単位回路530−nは、クロックド・インバーターによるD−FF回路535−nと、NAND回路531−nと、インバーター回路532−nと、を備えている。なお、順次選択単位回路530−0,641,642の回路構成は、選択信号端子510−nに接続されていない点を除いて、順次選択単位回路530−nの回路構成と同じである。   FIG. 2 shows the circuit configuration of each of the sequential selection unit circuits 530-n. Here, n is an integer of 1 to 640. The sequential selection unit circuit 530-n includes a D-FF circuit 535-n using a clocked inverter, a NAND circuit 531-n, and an inverter circuit 532-n. The circuit configuration of the sequential selection unit circuits 530-0, 641, and 642 is the same as the circuit configuration of the sequential selection unit circuit 530-n except that it is not connected to the selection signal terminal 510-n.

図1に戻ると、さらにデータ線駆動回路302には1920個の単位駆動回路540−1〜1920が配置される。上述のようにnが1以上640以下の整数である場合、隣合う3つの単位駆動回路540−(n*3−2)と、単位駆動回路540−(n*3−1)と、単位駆動回路540−n*3と、には共通の選択信号端子510−nが接続され、選択タイミングを3ユニットずつ順次与えられる。また、単位駆動回路540−(n*3−2)には映像信号D1〜D6が、単位駆動回路540−(n*3−1)には映像信号D7〜D12が、単位駆動回路540−n*3には映像信号D13〜D18が、それぞれ接続される。また、全ての単位駆動回路540−1〜1920のそれぞれには信号配線590が入力される。   Returning to FIG. 1, 1920 unit drive circuits 540-1 to 1920 are further arranged in the data line drive circuit 302. As described above, when n is an integer of 1 to 640, three adjacent unit drive circuits 540- (n * 3-2), unit drive circuit 540- (n * 3-1), and unit drive A common selection signal terminal 510-n is connected to the circuit 540-n * 3, and the selection timing is sequentially given by three units. The unit drive circuit 540- (n * 3-2) receives video signals D1 to D6, the unit drive circuit 540- (n * 3-1) receives video signals D7 to D12, and the unit drive circuit 540-n. * 3 is connected to video signals D13 to D18, respectively. In addition, a signal wiring 590 is input to each of all the unit drive circuits 540-1 to 1920.

図3は単位駆動回路540−mの回路図である。ここで、mは1以上1920以下の整数である。単位駆動回路540−mは、6個の伝送ゲート601−(m,1)〜(m,6)と、6個のクロックド・インバーター602−(m,1)〜(m,6)と、デコーダー回路620と、伝送ゲート610−mと、保持回路545−mと、アナログバッファ回路550−mと、を備えている。   FIG. 3 is a circuit diagram of the unit drive circuit 540-m. Here, m is an integer from 1 to 1920. The unit drive circuit 540-m includes six transmission gates 601- (m, 1) to (m, 6), six clocked inverters 602- (m, 1) to (m, 6), A decoder circuit 620, a transmission gate 610-m, a holding circuit 545-m, and an analog buffer circuit 550-m are provided.

6個の伝送ゲート601−(m,1)〜(m,6)のそれぞれの入力には、デジタル信号Dk〜Dk+5のそれぞれが供給されている。ここでm=1,4,7,...,1918ではk=1であり、m=2,5,8,...,1919ではk=7であり、m=3,6,9,...,1920ではk=13である。   The digital signals Dk to Dk + 5 are supplied to the inputs of the six transmission gates 601- (m, 1) to (m, 6), respectively. Where m = 1, 4, 7,. . . , 1918, k = 1 and m = 2, 5, 8,. . . , 1919, k = 7 and m = 3, 6, 9,. . . , 1920, k = 13.

これらの伝送ゲート601−(m,1)〜(m,6)のそれぞれのゲートには、選択信号端子510−nが共通に供給されている。そして、これら伝送ゲート601−(m,1)〜(m,6)のそれぞれは、選択信号端子510−nが選択されたタイミングで導通状態となり、このためデコーダー回路620に、デジタル信号Dk〜Dk+5のデータが入力される。同時にデジタル信号Dk〜Dk+5に接続されたクロックド・インバーター602−(m,1)〜(m,6)も動作し、デジタル信号Dk〜Dk+5の反転信号もデコーダー回路620に入力される。なお、以下では、デコーダー回路620はDAC回路620とも表記されている。   A selection signal terminal 510-n is commonly supplied to each of the transmission gates 601- (m, 1) to (m, 6). Each of the transmission gates 601- (m, 1) to (m, 6) becomes conductive at the timing when the selection signal terminal 510-n is selected, and therefore the digital signals Dk to Dk + 5 are sent to the decoder circuit 620. Data is input. At the same time, the clocked inverters 602-(m, 1) to (m, 6) connected to the digital signals Dk to Dk + 5 are also operated, and inverted signals of the digital signals Dk to Dk + 5 are also input to the decoder circuit 620. Hereinafter, the decoder circuit 620 is also referred to as a DAC circuit 620.

DAC回路620はNchトランジスターを6個直列に並べたスイッチが64個並んでいるデコーダー回路で、それぞれ基準電源V0〜V63がスイッチの一方に接続される。スイッチのもう一方は短絡されており、伝送ゲート610−mを通じて保持回路545−m及びアナログバッファ回路550−mの入力端子に接続される。ここでDAC回路620は入力されたデジタル信号Dk〜Dk+5のビット状態に応じて基準電源V0〜V63のいずれか一つを伝送ゲート610−mに出力する。例えばデジタル信号Dk〜Dk+5が全てLOWであればV0を出力し、全てHighであればV63を出力する。   The DAC circuit 620 is a decoder circuit in which 64 switches in which 6 Nch transistors are arranged in series are arranged, and reference power supplies V0 to V63 are connected to one of the switches. The other side of the switch is short-circuited and connected to the input terminals of the holding circuit 545-m and the analog buffer circuit 550-m through the transmission gate 610-m. Here, the DAC circuit 620 outputs any one of the reference power supplies V0 to V63 to the transmission gate 610-m according to the bit state of the input digital signals Dk to Dk + 5. For example, if all the digital signals Dk to Dk + 5 are LOW, V0 is output, and if all are high, V63 is output.

伝送ゲート610−mは選択信号端子510−nが選択されたタイミングで導通状態となっており、基準電位V0〜V63のうちの選択されたいずれか一つは保持回路545−mに書き込まれる。ここで保持回路545−mは接地された適切な容量(ここでは0.5pF)のコンデンサーからなる。選択信号端子510−nが非選択になると伝送ゲート610−mは非導通となり、保持回路545−mに書き込まれた電位は次の選択タイミングまで保持される。保持回路545−mに書き込まれた電位は信号配線590が選択されたタイミングでアナログバッファ回路550−mによって適切な電位となってより高い駆動能力でデータ線202−mに出力される。図5はアナログバッファ回路550−mの回路図である。本実施例では2段増複式の差動アンプを用いており、この場合、入力(in)電位と出力(out)電位は等しい。ここでVH=8V、VL=−4V、Vbias1=0V、Vbias2=4Vである。また、電位VWと電位VBは+4Vと0Vの反転電位とする。外部より入力されるD1〜D18、CLK、STの各信号は0V/8Vのデジタル信号であり、データ線駆動回路302はアナログバッファ回路550−m以外、全て0V/8V電源で駆動される。   The transmission gate 610-m is turned on at the timing when the selection signal terminal 510-n is selected, and any one of the reference potentials V0 to V63 is written into the holding circuit 545-m. Here, the holding circuit 545-m is composed of a capacitor having a proper capacitance (0.5 pF in this case) that is grounded. When the selection signal terminal 510-n is not selected, the transmission gate 610-m is turned off, and the potential written in the holding circuit 545-m is held until the next selection timing. The potential written in the holding circuit 545-m becomes an appropriate potential by the analog buffer circuit 550-m at the timing when the signal wiring 590 is selected, and is output to the data line 202-m with higher driving capability. FIG. 5 is a circuit diagram of the analog buffer circuit 550-m. In this embodiment, a two-stage differential amplifier is used, and in this case, the input (in) potential and the output (out) potential are equal. Here, VH = 8V, VL = -4V, Vbias1 = 0V, and Vbias2 = 4V. The potential VW and the potential VB are inverted potentials of + 4V and 0V. The D1 to D18, CLK, and ST signals input from the outside are digital signals of 0V / 8V, and the data line driving circuit 302 is all driven by a 0V / 8V power supply except the analog buffer circuit 550-m.

上述のように、データ線駆動回路302は基準電位発生源580も有する。図4は基準電位発生源580の回路図である。電位VBと電位VWはそれぞれ黒基準電位と白基準電位であって、一定周期で反転し、互いに逆位相の信号である。この電位VBと電位VWを適当な抵抗値の抵抗で電圧分割し、基準電位V0〜V63を生成する。   As described above, the data line driving circuit 302 also includes the reference potential generation source 580. FIG. 4 is a circuit diagram of the reference potential generation source 580. The potential VB and the potential VW are a black reference potential and a white reference potential, respectively, which are inverted at a constant period and are signals having opposite phases. The potential VB and the potential VW are divided by a resistor having an appropriate resistance value to generate reference potentials V0 to V63.

また、別の実施例として、アナログバッファ回路550−mのかわりに図6に示すアナログバッファ回路550’−mを用いてもよい。この例ではVH=+8V、VL=0V、Vbias=+3Vである。このとき、出力(out)電位は入力(in)電位−3Vである。従って、図4に示した基準電位発生源580の電位VWと電位VBを3V高く設定し、+7Vと+3Vの反転電位とすればよい。この回路構成では素子数が少なく、印加電源電圧が小さいというメリットを有する。ただし、トランジスターの特性が理想的な飽和特性にならないときに入力電位と出力電位の直線性が悪くなるというデメリットを有するので、どちらを採用するかはメリットとデメリットの両方を勘案して決めればよい。   As another embodiment, an analog buffer circuit 550'-m shown in FIG. 6 may be used instead of the analog buffer circuit 550-m. In this example, VH = + 8V, VL = 0V, and Vbias = + 3V. At this time, the output (out) potential is the input (in) potential −3V. Therefore, the potential VW and the potential VB of the reference potential generation source 580 shown in FIG. 4 may be set higher by 3V and set to the inverted potentials of + 7V and + 3V. This circuit configuration has the advantage that the number of elements is small and the applied power supply voltage is small. However, it has a demerit that the linearity of the input potential and the output potential deteriorates when the transistor characteristics are not ideal saturation characteristics, so it is only necessary to decide which one to adopt considering both the merit and demerit .

図7は本実施例のタイミングチャートである。CLK信号は半周期がT1C(秒)のクロックであり、ST信号は周期T1H=646×T1C(秒)、Highである期間がT1C(秒)でCLK信号とT1C÷2(秒)位相がずれた信号であって、いずれも外部より入力される。映像信号D1〜D18はCLK信号と同期して一つのデータ期間がT1C(秒)のデジタル信号である。本実施例では白黒交互表示の場合のデータを示している。最初のデータ(図7ではD1〜D18データHigh=黒)がST信号より1.5×T1C(秒)後に入力され、以降T1C秒毎(CLK信号反転毎)に次のデータが入力される。本実施例ではT1C=53.53ナノ秒である。このようなデータを入力すると、選択信号端子510−nは図7に示すようにT1C秒ずつ選択されていく。すなわち、図3で伝送ゲート610−mはT1C秒間導通状態となるので、DAC回路620が保持回路545−mに電位を書き込む期間はT1C秒である。一方、信号配線590の選択期間(TAMP)は図7に示すように3×T1C秒であり、アナログバッファ回路550−mがデータ線202−mに書き込む時間はDAC回路620が保持回路545−mに書き込む時間の3倍になる。また、VWとVBはST選択期間中に+4Vと0Vを互いに反転する、1292×T1C(秒)周期の信号であって、互いに逆位相となっている。これにより、データ線から出力される電位はST信号毎に極性が逆となるようになる、1H反転駆動が実現されている。   FIG. 7 is a timing chart of this embodiment. The CLK signal is a clock with a half cycle of T1C (seconds), the ST signal has a cycle of T1H = 646 × T1C (seconds), the high period is T1C (seconds), and the CLK signal is out of phase with T1C ÷ 2 (seconds) These signals are both input from the outside. The video signals D1 to D18 are digital signals whose data period is T1C (seconds) in synchronization with the CLK signal. In this embodiment, data in the case of monochrome display is shown. The first data (D1 to D18 data High = black in FIG. 7) is input 1.5 × T1C (seconds) after the ST signal, and then the next data is input every T1C seconds (every CLK signal inversion). In this embodiment, T1C = 53.53 nanoseconds. When such data is input, the selection signal terminal 510-n is selected every T1C seconds as shown in FIG. That is, in FIG. 3, since the transmission gate 610-m is in the conductive state for T1C seconds, the period during which the DAC circuit 620 writes the potential to the holding circuit 545-m is T1C seconds. On the other hand, the selection period (TAMP) of the signal wiring 590 is 3 × T1C seconds as shown in FIG. 7, and the DAC circuit 620 writes the data to the data line 202-m during the analog buffer circuit 550-m. 3 times the time to write to Also, VW and VB are signals of 1292 × T1C (seconds) periods that are inverted from each other + 4V and 0V during the ST selection period, and have opposite phases. As a result, 1H inversion driving is realized in which the potential output from the data line is reversed in polarity for each ST signal.

このように、本実施例によるデータ線駆動回路302では保持回路545−mにアナログ電位を保持させることによって、DAC回路620の書き込み時間よりアナログバッファ回路550−mの書き込み時間を長くしている。このため、データ線202−mの容量が大きくなってもアナログバッファ回路550−mの駆動能力を最小限度にでき、その分、アナログバッファ回路550−mの消費電力を小さくできるという特徴を有する。また、デジタルメモリ回路が存在しないため、駆動回路の面積が小さくなる。   As described above, in the data line driving circuit 302 according to this embodiment, the analog circuit is held in the holding circuit 545-m so that the writing time of the analog buffer circuit 550-m is longer than the writing time of the DAC circuit 620. Therefore, even if the capacity of the data line 202-m is increased, the driving capability of the analog buffer circuit 550-m can be minimized, and the power consumption of the analog buffer circuit 550-m can be reduced correspondingly. In addition, since there is no digital memory circuit, the area of the drive circuit is reduced.

図8は図1のデータ線駆動回路302を用いたアクティブマトリクス基板101の構成図である。アクティブマトリクス基板101上には、480本の走査線(201−1〜480)と1920本のデータ線(202−1〜1920)が直交して形成されており、480本の容量線(203−1〜480)は走査線(201−1〜480)と平行に配置されている。容量線(203−1〜480)は相互に短絡され、また対向導通部(330)にも接続され、電源回路304から適切な共通電位VCOMを与えられる。ここでは共通電位VCOMは+4Vと0VのAC反転電位であって、図7のタイミングチャートの電位VWと同じ位相で駆動される。   FIG. 8 is a configuration diagram of an active matrix substrate 101 using the data line driving circuit 302 of FIG. On the active matrix substrate 101, 480 scanning lines (201-1 to 480) and 1920 data lines (202-1 to 1920) are formed orthogonally, and 480 capacitance lines (203- 1 to 480) are arranged in parallel with the scanning lines (201-1 to 480). The capacitor lines (203-1 to 480) are short-circuited to each other and are also connected to the opposing conductive portion (330), and an appropriate common potential VCOM is applied from the power supply circuit 304. Here, the common potential VCOM is an AC inversion potential of +4 V and 0 V, and is driven with the same phase as the potential VW in the timing chart of FIG.

走査線(201−1〜480)は走査線駆動回路301に接続されて順次駆動信号を与えられる。また、データ線(202−1〜1920)はデータ線駆動回路302に接続されて映像信号を与えられることは既に述べたとおりである。走査線駆動回路301、データ線駆動回路302は電源回路304および信号回路305に接続され、必要な信号(例えばSP,CLK信号)と必要な電位(例えば+8、−4、0VのDC電源)を供給される。データ線駆動回路302は信号入力端子320からデジタル映像信号D1〜D18を与えられる。また信号回路305および電源回路304も必要な信号(マスタークロック、SYNC信号など)および電源電位(例えば+2.6VとGND信号)を与えられる。
走査線駆動回路301、データ線駆動回路302、電源回路304、信号回路305はアクティブマトリクス基板の一部を構成するガラス基板上に能動素子としてのポリシリコン薄膜トランジスターを集積することで形成されており、後述する画素スイッチング素子(401−j−i)と同一工程で製造される、いわゆる駆動回路内蔵型の液晶表示装置となっている。
The scanning lines (201-1 to 480) are connected to the scanning line driving circuit 301 and sequentially given driving signals. As described above, the data lines (202-1 to 1920) are connected to the data line driving circuit 302 and are supplied with video signals. The scanning line driving circuit 301 and the data line driving circuit 302 are connected to the power supply circuit 304 and the signal circuit 305, and supply necessary signals (for example, SP and CLK signals) and necessary potentials (for example, +8, −4, 0V DC power supply). Supplied. The data line driving circuit 302 is supplied with digital video signals D1 to D18 from the signal input terminal 320. The signal circuit 305 and the power supply circuit 304 are also supplied with necessary signals (master clock, SYNC signal, etc.) and power supply potential (for example, +2.6 V and GND signal).
The scanning line driving circuit 301, the data line driving circuit 302, the power supply circuit 304, and the signal circuit 305 are formed by integrating polysilicon thin film transistors as active elements on a glass substrate constituting a part of the active matrix substrate. This is a so-called drive circuit built-in type liquid crystal display device manufactured in the same process as a pixel switching element (401-ji) to be described later.

図9は図8の点線310部で示す画素表示領域中のi番目のデータ線(202−i)とj番目の走査線(201−j)の交差部付近の回路図である。走査線(201−j)とデータ線(202−i)の各交点にはNチャネル型電界効果ポリシリコン薄膜トランジスターよりなる画素スイッチング素子(401−j−i)が形成されており、そのゲート電極は走査線(201−j)に、ソース・ドレイン電極はそれぞれデータ線(202−i)と画素電極(402−j−i)に接続されている。画素電極(402−j−i)及び同一電位に短絡される電極は容量線(203−j)と補助容量コンデンサー(403−j−i)を形成し、また液晶表示装置として組み立てられた際には液晶素子をはさんで対向基板電極930(COM)とやはりコンデンサーを形成する。   FIG. 9 is a circuit diagram in the vicinity of the intersection of the i-th data line (202-i) and the j-th scanning line (201-j) in the pixel display area indicated by the dotted line 310 in FIG. A pixel switching element (401-j-i) made of an N-channel field effect polysilicon thin film transistor is formed at each intersection of the scanning line (201-j) and the data line (202-i), and its gate electrode Are connected to the scanning line (201-j), and the source / drain electrodes are connected to the data line (202-i) and the pixel electrode (402-j-i), respectively. The pixel electrode (402-ji) and the electrode short-circuited to the same potential form a capacitance line (203-j) and an auxiliary capacitance capacitor (403-ji), and when assembled as a liquid crystal display device. Forms a capacitor with the counter substrate electrode 930 (COM) across the liquid crystal element.

図10は図8のアクティブマトリクス基板を用いた第1の実施例における6BitDAC内蔵透過型VGA解像度液晶表示装置の斜視構成図(一部断面図)である。液晶表示装置910は、アクティブマトリクス基板101(第1の基板)と対向基板912(第2の基板)とをシール材923により一定の間隔で貼り合わせ、ネマティック相液晶材料922を挟持してなる。アクティブマトリクス基板101上には図示しないがポリイミドなどからなる配向材料が塗布されラビング処理されて配向膜が形成されている。また、対向基板912は、図示しないが画素に対応したカラーフィルタと、光抜けを防止し、コントラストを向上させるためのブラックマトリクスと、アクティブマトリクス基板101上の対向導通部330と短絡されるコモン電位が供給されるITO膜でなる対向基板電極930が形成される。液晶材料922と接触する面にはポリイミドなどからなる配向材料が塗布され、アクティブマトリクス基板101の配向膜のラビング処理の方向とは直交する方向にラビング処理されている。   FIG. 10 is a perspective configuration diagram (partially sectional view) of the transmission type VGA resolution liquid crystal display device with a built-in 6-bit DAC in the first embodiment using the active matrix substrate of FIG. The liquid crystal display device 910 includes an active matrix substrate 101 (first substrate) and a counter substrate 912 (second substrate) which are bonded to each other with a sealant 923 at a predetermined interval and sandwich a nematic liquid crystal material 922. Although not shown, an alignment material made of polyimide or the like is applied onto the active matrix substrate 101 and rubbed to form an alignment film. The counter substrate 912 includes a color filter corresponding to a pixel (not shown), a black matrix for preventing light leakage and improving contrast, and a common potential short-circuited with the counter conductive portion 330 on the active matrix substrate 101. A counter substrate electrode 930 made of an ITO film is supplied. An alignment material made of polyimide or the like is applied to a surface in contact with the liquid crystal material 922, and is rubbed in a direction orthogonal to the rubbing direction of the alignment film of the active matrix substrate 101.

さらに対向基板912の外側には、上偏光板924を、アクティブマトリクス基板101の外側には、下偏光板925を各々配置し、互いの偏光方向が直交するよう(クロスニコル状)に配置する。さらに下偏光板925下には、面光源を成すバックライトユニット926が配置される。バックライトユニット926は、冷陰極管やLEDに導光板や散乱板を取り付けたものでも良いし、EL素子によって全面発光するユニットでもよい。図示しないが、さらに必要に応じて、周囲を外殻で覆っても良いし、あるいは上偏光板924のさらに上に保護用のガラスやアクリル板を取り付けても良いし、視野角改善のため光学補償フィルムを貼っても良い。   Further, an upper polarizing plate 924 is disposed outside the counter substrate 912, and a lower polarizing plate 925 is disposed outside the active matrix substrate 101, so that the polarization directions thereof are orthogonal to each other (crossed Nicols). Further, a backlight unit 926 forming a surface light source is disposed below the lower polarizing plate 925. The backlight unit 926 may be a cold cathode tube or LED with a light guide plate or a scattering plate attached thereto, or a unit that emits light entirely from an EL element. Although not shown, if necessary, the periphery may be covered with an outer shell, or a protective glass or acrylic plate may be attached further above the upper polarizing plate 924, and optical for improving the viewing angle. A compensation film may be attached.

また、アクティブマトリクス基板101は、対向基板912から張り出す張り出し部927が設けられ、その張り出し部927にある信号入力端子320には、FPC(可撓性基板)928が実装され電気的に接続されている。   In addition, the active matrix substrate 101 is provided with a protruding portion 927 that protrudes from the counter substrate 912, and an FPC (flexible substrate) 928 is mounted on and electrically connected to the signal input terminal 320 in the protruding portion 927. ing.

図11は本実施例での電子機器990の具体的な構成を示すブロック図である。電子機器990において、液晶表示装置910は図10で説明した6BitDAC内蔵VGA解像度液晶表示装置であって、電源回路784、映像処理回路780がFPC(可撓性基板)928および信号入力端子320を通じて必要な信号と電源を液晶表示装置910に供給する。中央演算回路781は外部I/F回路(782)を介して入出力機器(783)からの入力データを取得する。ここで入出力機器(783)とは例えばキーボード、マウス、タッチパネル、トラックボール、LED、スピーカー、アンテナなどである。中央演算回路(781)は外部からのデータをもとに各種演算処理を行い、結果をコマンドとして映像処理回路780あるいは外部I/F回路782へ転送する。映像処理回路780は中央演算回路781からのコマンドに基づき映像情報を更新し、液晶表示装置910への信号を変更することで、液晶表示装置910の表示映像が変化する。   FIG. 11 is a block diagram showing a specific configuration of the electronic device 990 in this embodiment. In the electronic device 990, the liquid crystal display device 910 is the 6-bit DAC built-in VGA resolution liquid crystal display device described with reference to FIG. 10, and a power supply circuit 784 and a video processing circuit 780 are required through an FPC (flexible substrate) 928 and a signal input terminal 320 Various signals and power are supplied to the liquid crystal display device 910. The central processing circuit 781 acquires input data from the input / output device (783) via the external I / F circuit (782). Here, the input / output device (783) is, for example, a keyboard, a mouse, a touch panel, a trackball, an LED, a speaker, an antenna, or the like. The central processing circuit (781) performs various arithmetic processing based on data from the outside, and transfers the result to the video processing circuit 780 or the external I / F circuit 782 as a command. The video processing circuit 780 updates the video information based on the command from the central processing circuit 781 and changes the signal to the liquid crystal display device 910, whereby the display video of the liquid crystal display device 910 changes.

このように構成された電子機器990は表示装置の駆動回路部分が小型であって、消費電力が小さく、駆動回路や信号回路がアクティブマトリクス基板101上に一体形成されているゆえにコストが安い上に信頼性が高い。このため、小型でバッテリー駆動時間が長く、高信頼性の電子機器を安価に提供できるのである。   The electronic device 990 configured as described above has a small driving circuit portion of the display device, low power consumption, and low cost because the driving circuit and the signal circuit are integrally formed on the active matrix substrate 101. High reliability. For this reason, a small and long battery driving time and a highly reliable electronic device can be provided at low cost.

ここで電子機器とは具体的にはモニター、TV、ノートパソコン、PDA、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話、携帯フォトビューワー、携帯ビデオプレイヤー、携帯DVDプレイヤー、携帯オーディオプレイヤーなどである。   Specifically, the electronic device includes a monitor, a TV, a notebook computer, a PDA, a digital camera, a video camera, a mobile phone, a mobile photo viewer, a mobile video player, a mobile DVD player, a mobile audio player, and the like.

(実施例2)
図12は本発明の第2の実施例を実現するための6BitDAC内蔵VGA液晶用データ線駆動回路302bの構成図である。図1のデータ線駆動回路302に比べ、単位駆動回路540−1〜1920が単位駆動回路540b−1〜1920に置き換わり、外部からの信号POLが入力されていること、順次選択単位回路530−641、順次選択単位回路530−642、NAND回路581、インバーター回路582がそれぞれ削除され、信号配線590は外部からのAMPON信号に接続されていることが相違点である。それ以外については第1の実施例の図1となんら変わらない。図12中、図1と構成・動作が変わらない部分については同じ記号を用いることで詳細な説明は省略する。
(Example 2)
FIG. 12 is a configuration diagram of a 6-bit DAC built-in VGA liquid crystal data line driving circuit 302b for realizing the second embodiment of the present invention. Compared with the data line driving circuit 302 in FIG. 1, the unit driving circuits 540-1 to 1920 are replaced with the unit driving circuits 540b-1 to 1920, and the signal POL from the outside is input, and the selection unit circuits 530-641 are sequentially selected. The sequential selection unit circuits 530-642, NAND circuit 581 and inverter circuit 582 are respectively deleted, and the signal wiring 590 is connected to an external AMPON signal. Other than that, there is no difference from FIG. 1 of the first embodiment. In FIG. 12, parts that are the same as those in FIG. 1 are not described in detail by using the same symbols.

図13は単位駆動回路540b−mの回路図である。図3の単位駆動回路540−mと比べ、保持回路545−mが第1保持回路546−mと第2保持回路547−mに置き換わっており、第1保持回路546−mと第2保持回路547−mの入力をPOL信号で切り替える第1入力伝送ゲート621−mと第2入力伝送ゲート622−m、第1保持回路546−mと第2保持回路547−mの出力をPOL信号で切り替える第1出力伝送ゲート623−mと第2出力伝送ゲート624−mがそれぞれ追加されている。POL信号がLowのときは第1入力伝送ゲート621−mと第2出力伝送ゲート624−mがONし、第2入力伝送ゲート622−mと第1出力伝送ゲート623−mがOFFし、POL信号がHighのときはその逆となるように構成されている。図13中、図3と構成・動作が変わらない部分については同じ記号を用いることで詳細な説明は省略する。   FIG. 13 is a circuit diagram of the unit drive circuit 540b-m. Compared to the unit drive circuit 540-m in FIG. 3, the holding circuit 545-m is replaced with a first holding circuit 546-m and a second holding circuit 547-m, and the first holding circuit 546-m and the second holding circuit are replaced. The first input transmission gate 621-m and the second input transmission gate 622-m that switch the input of the 547-m by the POL signal, and the outputs of the first holding circuit 546-m and the second holding circuit 547-m are switched by the POL signal. A first output transmission gate 623-m and a second output transmission gate 624-m are respectively added. When the POL signal is Low, the first input transmission gate 621-m and the second output transmission gate 624-m are turned on, the second input transmission gate 622-m and the first output transmission gate 623-m are turned off, and POL When the signal is High, the reverse is the case. In FIG. 13, the same reference numerals are used for portions that are the same as those in FIG. 3, and detailed description thereof is omitted.

図14は第2の実施例におけるタイミングチャートである。AMPON信号(信号配線590)は周期T1H(=646×T1C)で、Highである期間(TAMP’)が640×T1C秒である。また、POL信号はVWと同一の波形である。その他の波形は第1の実施例の図7と同様である。従って、選択信号端子510−nが選択されるたびにPOL信号はHigh・Lowが反転しており、第1入力伝送ゲート621−nまたは第2入力伝送ゲート622−nのいずれかが交互に開いている。すなわち、DAC回路620から出力されたアナログ電位は第1保持回路546−m、第2保持回路547−mのいずれか交互に充電されるのである。   FIG. 14 is a timing chart in the second embodiment. The AMPON signal (signal wiring 590) has a period T1H (= 646 × T1C), and a high period (TAMP ′) is 640 × T1C seconds. The POL signal has the same waveform as VW. Other waveforms are the same as those in FIG. 7 of the first embodiment. Therefore, every time the selection signal terminal 510-n is selected, High / Low is inverted in the POL signal, and either the first input transmission gate 621-n or the second input transmission gate 622-n is alternately opened. ing. In other words, the analog potential output from the DAC circuit 620 is charged alternately between the first holding circuit 546-m and the second holding circuit 547-m.

一方、アナログバッファ回路550−mの入力(in)は第1出力伝送ゲート623−m及び第2出力伝送ゲート624−mに接続され、同様に選択信号端子510−nが選択されるたびにどちらかが交互にONし、第1保持回路546−mもしくは第2保持回路547−mのどちらかの電位が交互に入力されるが、このときアナログバッファ回路550−mの入力に接続される保持回路と、DAC回路620から書き込まれる保持回路は常に別である。すなわち、DAC回路620から第1保持回路546−mに電位が書き込まれているタイミングではアナログバッファ回路550−mは第2保持回路547−mと接続されているし、DAC回路620から第2保持回路547−mに電位が書き込まれているタイミングではアナログバッファ回路550−mは第1保持回路546−mと接続されているのである。   On the other hand, the input (in) of the analog buffer circuit 550-m is connected to the first output transmission gate 623-m and the second output transmission gate 624-m, and each time the selection signal terminal 510-n is selected, Are alternately turned ON, and the potential of either the first holding circuit 546-m or the second holding circuit 547-m is alternately input. At this time, the holding connected to the input of the analog buffer circuit 550-m The circuit and the holding circuit written from the DAC circuit 620 are always different. That is, at the timing when the potential is written from the DAC circuit 620 to the first holding circuit 546-m, the analog buffer circuit 550-m is connected to the second holding circuit 547-m, and from the DAC circuit 620 to the second holding circuit. At the timing when the potential is written in the circuit 547-m, the analog buffer circuit 550-m is connected to the first holding circuit 546-m.

このようにして、AMPON信号High期間中にアナログバッファ回路550−mから出力される電位は、一つ前のAMPON信号High期間中にDAC回路620から書き込まれた電位である。すなわち、第1保持回路546−mおよび第2保持回路547−mがアナログ電位メモリとして機能するのでアナログバッファ回路550−mが線順次書き込みで駆動できるのである。   In this manner, the potential output from the analog buffer circuit 550-m during the AMPON signal High period is the potential written from the DAC circuit 620 during the previous AMPON signal High period. That is, since the first holding circuit 546-m and the second holding circuit 547-m function as an analog potential memory, the analog buffer circuit 550-m can be driven by line sequential writing.

従来例での第1メモリ回路・第2メモリ回路はデジタルS−RAM型メモリ回路であり、回路面積が大きくなるが、第1保持回路546−mおよび第2保持回路547−mは蓄積容量素子一つを接地しただけの構成であるから回路面積が小さくなる。またアナログバッファ回路550−mの書き込み時間はAMPON信号High期間(=640×T1C)時間であって、第1の実施例での書き込み時間(3×T1C)に比べさらに長くなっており、駆動能力をさらに小さく設定し、消費電力を抑えることができる。   The first memory circuit and the second memory circuit in the conventional example are digital S-RAM type memory circuits, and the circuit area increases. However, the first holding circuit 546-m and the second holding circuit 547-m are storage capacitor elements. Since only one is grounded, the circuit area is reduced. The writing time of the analog buffer circuit 550-m is the AMPON signal High period (= 640 × T1C), which is longer than the writing time (3 × T1C) in the first embodiment, and the driving capability. Can be set even smaller to reduce power consumption.

本実施例のデータ線駆動回路302bを用いたアクティブマトリクス基板101、液晶表示装置910、電子機器の構成はデータ線駆動回路302をデータ線駆動回路302bに置き換えただけで他は第1の実施例と同様であるので省略する。なお、データ線駆動回路302bで用いるAMPON信号およびPOL信号は信号回路305により供給される。   The configuration of the active matrix substrate 101, the liquid crystal display device 910, and the electronic equipment using the data line driving circuit 302b of this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the data line driving circuit 302 is replaced with the data line driving circuit 302b. Since it is the same as that, it is omitted. Note that the AMPON signal and the POL signal used in the data line driver circuit 302 b are supplied from the signal circuit 305.

また、図15は図13にかわる第2の実施例における別なる実施形態を提供する単位駆動回路540c−mの構成図である。図13に比べ、クロックド・インバーター602−(m,1)〜(m,6)を削除し、第1メモリ回路630−(m,1)〜(m,6)に置き換えている。また、伝送ゲート610−mは削除し、DAC回路620の出力はそのまま第1入力伝送ゲート621−m及び第2入力伝送ゲート622−mに接続されている。   FIG. 15 is a block diagram of a unit drive circuit 540c-m that provides another embodiment of the second embodiment instead of FIG. Compared with FIG. 13, the clocked inverters 602-(m, 1) to (m, 6) are deleted and replaced with first memory circuits 630-(m, 1) to (m, 6). Further, the transmission gate 610-m is deleted, and the output of the DAC circuit 620 is directly connected to the first input transmission gate 621-m and the second input transmission gate 622-m.

この別実施形態では、選択信号端子510−nが選択され、伝送ゲート601−(m,1)〜(m,6)を通過したデジタル映像信号Dk〜Dk+5は、第1メモリ回路630−(m,1)〜(m,6)でラッチされ、次に選択信号端子510−nが選択されるまで保持される。従って、DAC回路620は選択信号端子510−nが選択されてから次に選択されるまでの期間、同じ電位を出力しつづける。書き込まれる保持回路はPOL信号が反転するタイミングで切り替わるから、実際にDAC回路620が第1保持回路546−mもしくは第2保持回路547−mに書き込んでいる期間は(646−n)×T1C(秒)である。n=1〜640であるから、最低でも6×T1C(秒)であり、図12の構成に比べ書き込み時間は少なくとも6倍である。従って、DAC回路620および基準電位発生源580の書き込み能力を下げることが可能になり、より低消費電力・小回路面積で回路を構成できる。DAC回路620および基準電位発生源580の書き込み能力はn=1〜640全て一律に6×T1C(秒)で書き込みを完了できるように設計してもよいし、nが小さい場合は書き込み能力を落としても良い。その他の点については図13における単位駆動回路540b−mと変わらないので、同じ記号を用いることで詳細な説明は省略する。この別実施形態をとったデータ線駆動回路については図12のデータ線駆動回路において単位駆動回路540b−mを単位駆動回路540c−mに置き換えるのみであるので説明は省略する。   In this alternative embodiment, the selection signal terminal 510-n is selected, and the digital video signals Dk to Dk + 5 that have passed through the transmission gates 601- (m, 1) to (m, 6) are converted into the first memory circuit 630- (m , 1) to (m, 6), and then held until the selection signal terminal 510-n is selected. Therefore, the DAC circuit 620 continues to output the same potential during the period from the selection of the selection signal terminal 510-n to the next selection. Since the holding circuit to be written is switched at the timing when the POL signal is inverted, the period during which the DAC circuit 620 is actually writing to the first holding circuit 546-m or the second holding circuit 547-m is (646-n) × T1C ( Second). Since n = 1 to 640, it is at least 6 × T1C (seconds), and the writing time is at least 6 times that of the configuration of FIG. Therefore, the writing ability of the DAC circuit 620 and the reference potential generation source 580 can be lowered, and the circuit can be configured with lower power consumption and a small circuit area. The writing capability of the DAC circuit 620 and the reference potential generation source 580 may be designed so that all of n = 1 to 640 can be written uniformly at 6 × T1C (seconds). If n is small, the writing capability is reduced. May be. The other points are the same as those of the unit drive circuit 540b-m in FIG. 13, and the detailed description is omitted by using the same symbols. A description of the data line driving circuit according to this alternative embodiment will be omitted because only the unit driving circuit 540b-m is replaced with the unit driving circuit 540c-m in the data line driving circuit of FIG.

(実施例3)
図16は本発明の第3の実施例を実現するための6BitDAC内蔵VGA液晶用データ線駆動回路302dの構成図である。第2の実施例でのデータ線駆動回路302cを示す図12に比べ、順次選択単位回路530−641を追加し、順次選択単位回路530−640に直列に繋いでいる。また、各単位駆動回路540b−mは各単位駆動回路540d−mに置き換えられ、選択信号端子510−nの他に、隣接する選択信号端子510−n+1にも接続される。基準電位発生源580も基準電位発生源580dに置き換えられる。それ以外については第2実施例の図12となんら変わらない。図16中、図12と構成・動作が変わらない部分については同じ記号を用いることで詳細な説明は省略する。
(Example 3)
FIG. 16 is a diagram showing the configuration of a 6-bit DAC built-in VGA liquid crystal data line driving circuit 302d for realizing the third embodiment of the present invention. Compared to FIG. 12 showing the data line driving circuit 302c in the second embodiment, sequential selection unit circuits 530-641 are sequentially added and are sequentially connected in series to the selection unit circuits 530-640. Further, each unit drive circuit 540b-m is replaced with each unit drive circuit 540d-m, and is connected to an adjacent selection signal terminal 510-n + 1 in addition to the selection signal terminal 510-n. The reference potential generation source 580 is also replaced with the reference potential generation source 580d. Other than that, there is no difference from FIG. 12 of the second embodiment. In FIG. 16, the same reference numerals are used for portions that are the same as those in FIG. 12, and detailed description thereof is omitted.

図17は単位駆動回路540d−mの回路図である。第2実施例別構成例での単位駆動回路540c−mを示す図15に比べ、第1メモリ回路630−(m,1)〜(m,6)を第1メモリ回路640−(m,1)〜(m,6)に置き換え、隣接する選択信号端子510−n+1を接続している。また、DAC回路620がDAC回路620’に置き換わり、DAC回路620’からの出力端子691は第3入力伝送ゲート625−mを通じて第1CDAC回路548−m(第1の保持回路に相当する)に、第4入力伝送ゲート626−mを通じて第2CDAC回路549−m(第2の保持回路に相当する)にそれぞれ接続される。DAC回路620’からの出力端子692は第5入力伝送ゲート627−mを通じて第1CDAC回路548−m(第1の保持回路に相当する)に、第6入力伝送ゲート628−mを通じて第2CDAC回路549−m(第2の保持回路に相当する)にそれぞれ接続される。第1CDAC回路548−mは第1メモリ回路640−(m,1)〜(m,2)の正・負それぞれの出力と、POL信号に接続され、出力端子は第1出力伝送ゲート623−mに接続される。第2CDAC回路549−mは第1メモリ回路640−(m,1)〜(m,2)の正・負それぞれの出力と、POL信号の逆相信号に接続され、出力端子は第2出力伝送ゲート624−mに接続される。本実施例におけるタイミングチャートは第2実施例で用いた図14と基本的に同じなので説明は省略する。なお、出力端子691は第1出力信号配線とも表記され、また出力端子692は第2出力信号配線とも表記される。   FIG. 17 is a circuit diagram of the unit drive circuit 540d-m. Compared to FIG. 15 showing the unit drive circuit 540c-m in the configuration example according to the second embodiment, the first memory circuit 630- (m, 1) to (m, 6) is replaced with the first memory circuit 640- (m, 1 ) To (m, 6), and adjacent selection signal terminals 510-n + 1 are connected. Further, the DAC circuit 620 is replaced with the DAC circuit 620 ′, and the output terminal 691 from the DAC circuit 620 ′ is connected to the first CDAC circuit 548-m (corresponding to the first holding circuit) through the third input transmission gate 625-m. The second CDAC circuit 549-m (corresponding to the second holding circuit) is connected to each other through the fourth input transmission gate 626-m. The output terminal 692 from the DAC circuit 620 ′ is connected to the first CDAC circuit 548-m (corresponding to the first holding circuit) through the fifth input transmission gate 627-m, and to the second CDAC circuit 549 through the sixth input transmission gate 628-m. -M (corresponding to the second holding circuit) respectively. The first CDAC circuit 548-m is connected to the positive and negative outputs of the first memory circuit 640- (m, 1) to (m, 2) and the POL signal, and the output terminal is the first output transmission gate 623-m. Connected to. The second CDAC circuit 549-m is connected to the positive and negative outputs of the first memory circuit 640- (m, 1) to (m, 2) and the reverse-phase signal of the POL signal, and the output terminal transmits the second output. Connected to gate 624-m. Since the timing chart in the present embodiment is basically the same as that of FIG. 14 used in the second embodiment, description thereof is omitted. The output terminal 691 is also referred to as a first output signal wiring, and the output terminal 692 is also referred to as a second output signal wiring.

図17におけるDAC回路620’は第1実施例および第2実施例のDAC回路620と異なり、第1メモリ回路640−(m,3)〜(m,6)の出力信号のみを使ってデコードを行う、4Bit構成のDAC回路である。DAC回路620’は第1サブDAC回路620’aと第2サブDAC回路620’bとによって構成されており、これらはいずれも4つのnチャネル型トランジスターを直列に接続したものを16個並列に配置し、基準電位Vnに一端を、他端を短絡して出力端子691または出力端子692に接続したものであって、第1実施例および第2実施例のDAC回路620とBit数が6Bitから4Bitになっているだけで他は変わらない。第1サブDAC回路620’aと第2サブDAC回路620’bは繋がっている基準電位が1レベルずれている。すなわち、第1メモリ回路640−(m,3)〜(m,6)の出力(OUT)が全てHighの時、第1サブDAC回路620’aは基準電位V16を選択するのに対し、第2サブDAC回路620’bは基準電位V15を選択する。すなわち、出力端子691が基準電位Vnであれば出力端子692は基準電位Vn−1というように常に隣接した基準電位を出力する。ここで出力端子692には第1メモリ回路640−(m,1)〜(m,2)の出力(OUT)が全てLowの時にデータ線に書き込むべきアナログ電位を出力し、出力端子691にはそれより6Bit映像信号でいうと4階調上のアナログ電位を出力する。出力端子691に与えられたアナログ電位(以下、VIN1とする)はPOL信号=Lowの時は第3入力伝送ゲート625−mを通じて第1CDAC回路548−mの第1入力端子IN1に、POL信号=Highの時は第4入力伝送ゲート626−mを通じて第2CDAC回路549−m(第2の保持回路に相当する)の第1入力端子IN1にそれぞれ入力され、同様に出力端子692に与えられたアナログ電位(以下、VIN2とする)はPOL信号=Lowの時は第5入力伝送ゲート627−mを通じて第1CDAC回路548−mの第2入力端子IN2に、POL信号=Highの時は第6入力伝送ゲート628−mを通じて第2CDAC回路549−m(第2の保持回路に相当する)の第2入力端子IN2にそれぞれ入力される。その他、図17中、図15と構成・動作が変わらない部分については同じ記号を用いることで詳細な説明は省略する。   The DAC circuit 620 ′ in FIG. 17 differs from the DAC circuit 620 of the first and second embodiments in that decoding is performed using only the output signals of the first memory circuits 640- (m, 3) to (m, 6). This is a 4-bit DAC circuit. The DAC circuit 620 ′ includes a first sub-DAC circuit 620′a and a second sub-DAC circuit 620′b, each of which includes 16 n-channel transistors connected in series. 1 and connected to the output terminal 691 or the output terminal 692 with one end shorted to the reference potential Vn and connected to the output terminal 691 or the output terminal 692, and the number of bits is 6 bits from the DAC circuit 620 of the first and second embodiments. The other is just the 4bit. The reference potential connected between the first sub DAC circuit 620'a and the second sub DAC circuit 620'b is shifted by one level. That is, when all the outputs (OUT) of the first memory circuits 640- (m, 3) to (m, 6) are High, the first sub DAC circuit 620′a selects the reference potential V16, whereas The two sub DAC circuit 620′b selects the reference potential V15. That is, if the output terminal 691 is the reference potential Vn, the output terminal 692 always outputs an adjacent reference potential such as the reference potential Vn-1. Here, when the outputs (OUT) of the first memory circuits 640- (m, 1) to (m, 2) are all low, an analog potential to be written to the data line is output to the output terminal 692, and to the output terminal 691. If it is a 6-bit video signal, an analog potential on four gradations is output. When the POL signal = Low, the analog potential applied to the output terminal 691 (hereinafter referred to as VIN1) is supplied to the first input terminal IN1 of the first CDAC circuit 548-m through the third input transmission gate 625-m. When High, the analog signal is input to the first input terminal IN1 of the second CDAC circuit 549-m (corresponding to the second holding circuit) through the fourth input transmission gate 626-m, and is similarly supplied to the output terminal 692. The potential (hereinafter referred to as VIN2) is transmitted to the second input terminal IN2 of the first CDAC circuit 548-m through the fifth input transmission gate 627-m when the POL signal = Low, and the sixth input transmission when the POL signal = High. The signals are input to the second input terminal IN2 of the second CDAC circuit 549-m (corresponding to the second holding circuit) through the gate 628-m.In FIG. 17, the same reference numerals are used for portions that are the same as those in FIG. 15, and detailed description thereof is omitted.

図18は第1メモリ回路640−mの回路図である。IN端子は容量641に接続され、またNAND回路643の入力端子に接続される。インバーター回路642の出力は容量641の他端に接続され、入力はNAND回路643の出力に繋がる。NAND回路643のもう一方の入力はNT端子(=選択信号端子510−n+1)に接続される。NT端子はクロックド・インバーター644の制御端子にも接続され、NT端子からの信号はインバーター645で逆相信号が生成されてクロックド・インバーター644の逆相制御端子に接続される。クロックド・インバーター644の入力はIN端子に接続されており、出力は容量646の一端およびインバーター647に接続される。   FIG. 18 is a circuit diagram of the first memory circuit 640-m. The IN terminal is connected to the capacitor 641 and also connected to the input terminal of the NAND circuit 643. The output of the inverter circuit 642 is connected to the other end of the capacitor 641, and the input is connected to the output of the NAND circuit 643. The other input of the NAND circuit 643 is connected to the NT terminal (= selection signal terminal 510-n + 1). The NT terminal is also connected to the control terminal of the clocked inverter 644, and the signal from the NT terminal generates a reverse phase signal at the inverter 645 and is connected to the reverse phase control terminal of the clocked inverter 644. The input of the clocked inverter 644 is connected to the IN terminal, and the output is connected to one end of the capacitor 646 and the inverter 647.

このような構成をとると、選択信号端子510−nが選択された際に伝送ゲート601−(3*n−2,1〜6),(3*n−1,1〜6),(3*n,1〜6)が開いてIN端子に入力された信号がHighの時、選択信号端子510−nが選択されたタイミングでインバーター回路642によってレベルシフトされる。一方、IN端子に入力された信号がLowの時はそのままである。つまり、クロックド・インバーター644に入力される電位振幅は映像信号Dkの電位振幅+インバーター回路642の電源電位差となり、レベルシフトが行われるので、入力振幅より出力振幅が増幅されるレベルシフタ内蔵メモリ回路として動作するのである。このような構成により、映像信号Dkの電位振幅を下げて消費電力を低減しつつ、DAC回路620’に印加する電位レベルは向上させて駆動能力を確保することが可能になる。   With such a configuration, when the selection signal terminal 510-n is selected, the transmission gates 601- (3 * n-2, 1-6), (3 * n-1, 1-6), (3 When * n, 1-6) is opened and the signal input to the IN terminal is High, the level is shifted by the inverter circuit 642 at the timing when the selection signal terminal 510-n is selected. On the other hand, when the signal input to the IN terminal is Low, it remains as it is. That is, the potential amplitude input to the clocked inverter 644 becomes the potential amplitude of the video signal Dk + the power source potential difference of the inverter circuit 642, and level shift is performed, so that a memory circuit with a built-in level shifter whose output amplitude is amplified from the input amplitude It works. With such a configuration, it is possible to increase the potential level applied to the DAC circuit 620 ′ and ensure driving capability while reducing the power consumption by reducing the potential amplitude of the video signal Dk.

本実施例では映像信号Dk(k=1〜18)の電位振幅は0V/5V、インバーター回路642とNAND回路643の電源電位は0V/5V、クロックド・インバーター644、インバーター645,647,648の電源電位は0V/8Vとする。その他の電源電位設定は第1実施例および第2の実施例と同様である。このような構成により映像信号Dkの電位振幅は0V/5Vであるにも関わらず、第1メモリ回路からの出力振幅は0V/8Vとなるのである。   In this embodiment, the potential amplitude of the video signal Dk (k = 1 to 18) is 0V / 5V, the power supply potential of the inverter circuit 642 and the NAND circuit 643 is 0V / 5V, the clocked inverter 644, and the inverters 645, 647, and 648. The power supply potential is 0V / 8V. Other power supply potential settings are the same as those in the first and second embodiments. With such a configuration, although the potential amplitude of the video signal Dk is 0V / 5V, the output amplitude from the first memory circuit is 0V / 8V.

なお、レベルシフトが不要な場合は第1メモリ回路として図18の640−mで示す構成ではなく、図15の第1メモリ回路630−mで示した回路構成を用いてもよい。第1メモリ回路630−mの回路構成のほうが面積は小さくなるので、どちらを選択するかは消費電力と回路面積の優先度から判断すればよい。また、第1メモリ回路640−mを廃し、図13の構成のようにクロックド・インバーター602−mのみおき、DAC回路620’の出力部に伝送ゲート610−mを置いてもよい。この場合、さらに回路面積は縮小するが、DAC回路620’の書き込み時間が短くなるので消費電力が高くなる。また同様に、第2実施例の図15で第1メモリ回路630−mを図18の第1メモリ回路640−mの構成に置き換えてもよいことはもちろんである。   Note that when the level shift is unnecessary, the circuit configuration shown by the first memory circuit 630-m in FIG. 15 may be used as the first memory circuit instead of the configuration shown by 640-m in FIG. Since the area of the circuit configuration of the first memory circuit 630-m is smaller, which one should be selected may be determined from the power consumption and the priority of the circuit area. Alternatively, the first memory circuit 640-m may be eliminated, only the clocked inverter 602-m may be provided as in the configuration of FIG. 13, and the transmission gate 610-m may be placed at the output of the DAC circuit 620 '. In this case, the circuit area is further reduced, but since the writing time of the DAC circuit 620 'is shortened, the power consumption is increased. Similarly, of course, the first memory circuit 630-m in FIG. 15 of the second embodiment may be replaced with the configuration of the first memory circuit 640-m in FIG.

図19は第1CDAC回路548−mおよび第2CDAC回路549−mの回路図である。第1入力端子IN1上の電位は伝送ゲート811−m,813−mを介し、第2入力端子IN2上の電位は伝送ゲート812−m,814−mを介し、入力信号D1,XD1,D2,XD2に応じて伝送ゲート821−mおよび伝送ゲート822−mにそれぞれ選択され入力される。第1CDAC回路548−mのCMB端子はPOL信号に、第2CDAC回路549−mのCMB端子はPOL信号の逆相信号に、それぞれ接続されているから、入力端子IN1に電位が入力されている(すなわち図17における第3入力伝送ゲート625−mおよび第5入力伝送ゲート627−mが開いている)タイミングでは第1CDAC回路548−mのCMB信号(=POL信号)は常にLOWであるし、入力端子IN2に電位が入力されている(図17におけるすなわち第4入力伝送ゲート626−mおよび第6入力伝送ゲート628−mが開いている)タイミングでは第2CDAC回路549−mのCMB信号(=POL信号の逆相)は常にLOWである。すなわち、このタイミングでは伝送ゲート821−mおよび伝送ゲート822−mは開であるから、選択された電位は容量841−mおよび容量842−mに充電される。また、843−mには入力端子IN2の電位VIN2が充電される。このとき、伝送ゲート831−mと伝送ゲート832−mは閉である。   FIG. 19 is a circuit diagram of the first CDAC circuit 548-m and the second CDAC circuit 549-m. The potential on the first input terminal IN1 is transmitted through the transmission gates 811-m and 813-m, and the potential on the second input terminal IN2 is transmitted through the transmission gates 812-m and 814-m to input signals D1, XD1, D2, and so on. The signals are selected and input to the transmission gate 821-m and the transmission gate 822-m according to XD2. Since the CMB terminal of the first CDAC circuit 548-m is connected to the POL signal and the CMB terminal of the second CDAC circuit 549-m is connected to the reverse phase signal of the POL signal, the potential is input to the input terminal IN1 ( That is, at the timing when the third input transmission gate 625-m and the fifth input transmission gate 627-m in FIG. 17 are open), the CMB signal (= POL signal) of the first CDAC circuit 548-m is always LOW, At the timing when a potential is input to the terminal IN2 (that is, the fourth input transmission gate 626-m and the sixth input transmission gate 628-m in FIG. 17 are open), the CMB signal (= POL) of the second CDAC circuit 549-m. The reverse phase of the signal is always LOW. That is, since the transmission gate 821-m and the transmission gate 822-m are open at this timing, the selected potential is charged in the capacitor 841-m and the capacitor 842-m. Further, 843-m is charged with the potential VIN2 of the input terminal IN2. At this time, the transmission gate 831-m and the transmission gate 832-m are closed.

例えばD1=High(ゆえにXD1=Low)、D2=Low(ゆえにXD2=High)のときを想定すると、伝送ゲート811−mと伝送ゲート814−mが開、伝送ゲート812−mと伝送ゲート813−mが閉である。従って容量841−mにはVIN1、容量842−mにはVIN2、容量843−mにはVIN2がそれぞれ充電される。   For example, assuming that D1 = High (hence XD1 = Low) and D2 = Low (hence XD2 = High), the transmission gate 811-m and the transmission gate 814-m are opened, and the transmission gate 812-m and the transmission gate 813- m is closed. Accordingly, the capacitor 841-m is charged with VIN1, the capacitor 842-m is charged with VIN2, and the capacitor 843-m is charged with VIN2.

次にPOL信号が反転すると、伝送ゲート821−m,822−m,823−mは閉となり、伝送ゲート831−m,832−mは開となる。すると容量841−m、容量842−m、容量843−mの一端は全て出力端子OUTと短絡する。   Next, when the POL signal is inverted, the transmission gates 821-m, 822-m, and 823-m are closed, and the transmission gates 831-m and 832-m are opened. Then, one ends of the capacitors 841-m, 842-m, and 843-m are all short-circuited with the output terminal OUT.

容量841−mの容量を100fF、容量842−mの容量を200fF、容量843−mの容量の容量を100fFとすると、先ほどの例の状態でPOL信号が反転するとOUT端子の電位VOUTはVOUT=VIN1×1/4+VIN2×3/4となる。このように、POL信号が反転したときの出力電位VOUTは入力信号D1,XD1,D2,XD2に応じてVOUT=VIN1×3/4+VIN2×1/4〜VIN2まで、(VIN1−VIN2)×1/4ステップで4段階に変化する。すなわち、2BitのC−DACとして動作する。   When the capacitance of the capacitor 841-m is 100 fF, the capacitance of the capacitor 842-m is 200 fF, and the capacitance of the capacitor 843-m is 100 fF, when the POL signal is inverted in the state of the previous example, the potential VOUT at the OUT terminal is VOUT = VIN1 × 1/4 + VIN2 × 3/4. Thus, the output potential VOUT when the POL signal is inverted is (VIN1−VIN2) × 1/1 from VOUT = VIN1 × 3/4 + VIN2 × 1/4 to VIN2 in accordance with the input signals D1, XD1, D2, and XD2. There are 4 steps in 4 steps. That is, it operates as a 2-bit C-DAC.

図20は基準電位発生源580dの回路図である。図4に示した第1実施例および第2実施例の基準電位発生源580に比べ、基本構成は同じであるが電圧分割出力する電位数が64から17に減じている。これはDAC回路620’のBit数に応じた変更である。   FIG. 20 is a circuit diagram of the reference potential generation source 580d. Compared with the reference potential generating source 580 of the first and second embodiments shown in FIG. 4, the basic configuration is the same, but the number of potentials for voltage division output is reduced from 64 to 17. This is a change according to the number of bits of the DAC circuit 620 '.

このように本回路構成ではDAC回路620’で上位の4Bitをデコードし、2つのアナログ電位を出力し、第1CDAC回路548−mもしくは第2CDAC回路549−mで下位2Bitをデコードする、2段階のDAC構成となっている。第1CDAC回路548−mおよび第2CDAC回路549−mは第2の実施例の第1保持回路546−m、第2保持回路547−mと同様の役割も同時にはたす。すなわち、POL信号=LOW時は第1CDAC回路548−mに入力が行われているとき、第2CDAC回路549−mは前の周期で入力された電位をデコードして適切なアナログ電位に変換し、第2出力伝送ゲート624−mを通じてアナログバッファ回路550−mに出力しており、POL信号=High時はその逆である。   Thus, in this circuit configuration, the DAC circuit 620 ′ decodes the upper 4 bits, outputs two analog potentials, and the first CDAC circuit 548-m or the second CDAC circuit 549-m decodes the lower 2 bits. It has a DAC configuration. The first CDAC circuit 548-m and the second CDAC circuit 549-m also play the same role as the first holding circuit 546-m and the second holding circuit 547-m of the second embodiment. That is, when the POL signal is LOW, when the input is made to the first CDAC circuit 548-m, the second CDAC circuit 549-m decodes the potential inputted in the previous cycle and converts it into an appropriate analog potential, The signal is output to the analog buffer circuit 550-m through the second output transmission gate 624-m, and vice versa when the POL signal = High.

このように構成することで、出力アナログ階調数を犠牲にすることなくDAC回路620’のサイズを第1実施例・第2実施例のDAC回路620の半分に縮小し、さらに小回路面積のデータ線駆動回路を実現できるのである。   With this configuration, the size of the DAC circuit 620 ′ is reduced to half that of the DAC circuit 620 of the first embodiment and the second embodiment without sacrificing the number of output analog gradations, and the circuit area is further reduced. A data line driving circuit can be realized.

本発明は実施例の形態に限定されるものではなく、TNモードではなく垂直配向モード(VAモード)、横電界を利用したIPSモード、フリンジ電界を利用したFFSモードなどの液晶表示装置に利用しても構わない。また、全透過型のみならず全反射型、反射透過兼用型であっても構わない。   The present invention is not limited to the embodiments, and is used for liquid crystal display devices such as a vertical alignment mode (VA mode) instead of the TN mode, an IPS mode using a lateral electric field, and an FFS mode using a fringe electric field. It doesn't matter. Moreover, not only a total transmission type but also a total reflection type and a reflection / transmission combined type may be used.

本発明の第1実施例に係るデータ線駆動回路の回路図。1 is a circuit diagram of a data line driving circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る順次選択単位回路の回路図。The circuit diagram of the sequential selection unit circuit based on the Example of this invention. 本発明の第1実施例に係る単位駆動回路の回路図。1 is a circuit diagram of a unit drive circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る基準電位回路の回路図。The circuit diagram of the reference potential circuit concerning the example of the present invention. 本発明の実施例に係るアナログバッファ回路の回路図。1 is a circuit diagram of an analog buffer circuit according to an embodiment of the present invention. 本発明の第1実施例の別実施形態に係るアナログバッファ回路の回路図。The circuit diagram of the analog buffer circuit concerning another embodiment of the 1st example of the present invention. 本発明の第1実施例に係るタイミングチャート。The timing chart which concerns on 1st Example of this invention. 本発明の実施例に係るアクティブマトリクス基板の構成図。1 is a configuration diagram of an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係るアクティブマトリクス基板の画素回路図。1 is a pixel circuit diagram of an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る液晶表示装置の斜視図。1 is a perspective view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の電子機器の実施例を示すブロック図。1 is a block diagram illustrating an embodiment of an electronic device of the present invention. 本発明の第2実施例に係るデータ線駆動回路の回路図。The circuit diagram of the data line drive circuit concerning 2nd Example of this invention. 本発明の第2実施例に係る単位駆動回路の回路図。The circuit diagram of the unit drive circuit which concerns on 2nd Example of this invention. 本発明の第2実施例に係るタイミングチャート。The timing chart which concerns on 2nd Example of this invention. 本発明の第2実施例の別実施形態に係る単位駆動回路の回路図。The circuit diagram of the unit drive circuit which concerns on another embodiment of 2nd Example of this invention. 本発明の第3実施例に係るデータ線駆動回路の回路図。The circuit diagram of the data line drive circuit concerning 3rd Example of this invention. 本発明の第3実施例に係る単位駆動回路の回路図。The circuit diagram of the unit drive circuit which concerns on 3rd Example of this invention. 本発明の第3実施例に係る第1メモリ回路の回路図。The circuit diagram of the 1st memory circuit concerning the 3rd example of the present invention. 本発明の第3実施例に係るCDAC回路の回路図。The circuit diagram of the CDAC circuit which concerns on 3rd Example of this invention. 本発明の第3実施例に係る基準電位回路の回路図。FIG. 6 is a circuit diagram of a reference potential circuit according to a third embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

101…アクティブマトリクス基板、201…走査線、202…データ線、302…データ線駆動回路、540…単位駆動回路、550,550’…アナログバッファ回路、545…保持回路、580…基準電位発生源、620…DAC回路、401…画素スイッチ
ング素子、402…画素電極、910…液晶表示装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Active matrix board | substrate, 201 ... Scan line, 202 ... Data line, 302 ... Data line drive circuit, 540 ... Unit drive circuit, 550, 550 '... Analog buffer circuit, 545 ... Holding circuit, 580 ... Reference potential generation source, 620 ... DAC circuit, 401 ... pixel switching element, 402 ... pixel electrode, 910 ... liquid crystal display device.

Claims (6)

第1のデジタルデータを第1のアナログ信号に変換して出力するDAC回路と、
前記第1のアナログ信号が供給されて前記第1のアナログ信号を保持する第1の保持回路と、
前記第1の保持回路に保持された前記第1のアナログ信号に基づく電位をデータ線へ出力するアナログバッファ回路と、
を備えたデータ線駆動回路であって、
前記第1のアナログ信号が前記第1のDAC回路から前記第1の保持回路に供給される時間期間は、前記アナログバッファ回路が前記電位を前記データ線へ出力する時間期間より短い
ことを特徴としたデータ線駆動回路。
A DAC circuit for converting the first digital data into a first analog signal and outputting the first analog signal;
A first holding circuit which is supplied with the first analog signal and holds the first analog signal;
An analog buffer circuit for outputting a potential based on the first analog signal held in the first holding circuit to a data line;
A data line driving circuit comprising:
The time period during which the first analog signal is supplied from the first DAC circuit to the first holding circuit is shorter than the time period during which the analog buffer circuit outputs the potential to the data line. Data line driving circuit.
請求項1に記載のデータ線駆動回路であって、
第2のアナログ信号が供給されて前記第2のアナログ信号を保持する第2の保持回路をさらに備え、
前記DAC回路は前記第1のデジタルデータと第2のデジタルデータとをそれぞれ前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とに変換して、前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とを交互に出力し、
前記第1の保持回路と前記第2の保持回路とが前記DAC回路へ交互に電気的に導通することで、前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とが前記第1の保持回路と前記第2の保持回路とにそれぞれ供給されて、
前記第1の保持回路と前記第2の保持回路とが前記アナログバッファ回路へ交互に電気的に導通することで、前記第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号とが前記アナログバッファ回路に入力されて、
前記第1のアナログ信号が前記DAC回路から前記第1の保持回路に供給されるタイミングでは、前記第2のアナログ信号が前記第2の保持回路から前記アナログバッファ回路に入力される、
ことを特徴としたデータ線駆動回路。
The data line driving circuit according to claim 1,
A second holding circuit that is supplied with a second analog signal and holds the second analog signal;
The DAC circuit converts the first digital data and the second digital data into the first analog signal and the second analog signal, respectively, so that the first analog signal and the second analog signal are converted. Output signals alternately,
The first holding circuit and the second holding circuit are alternately electrically connected to the DAC circuit, so that the first analog signal and the second analog signal become the first holding circuit. And the second holding circuit, respectively.
The first holding circuit and the second holding circuit are alternately electrically connected to the analog buffer circuit, whereby the first analog signal and the second analog signal are transferred to the analog buffer circuit. Entered,
At a timing when the first analog signal is supplied from the DAC circuit to the first holding circuit, the second analog signal is input from the second holding circuit to the analog buffer circuit.
A data line driving circuit characterized by that.
請求項1または2に記載のデータ線駆動回路であって、
前記DAC回路は複数のアナログ電位を出力してなり、
前記第1の保持回路は複数のアナログ電位を入力され、一つのアナログ電位を出力する
ことを特徴としたデータ線駆動回路。
The data line driving circuit according to claim 1 or 2,
The DAC circuit outputs a plurality of analog potentials,
The data line driving circuit, wherein the first holding circuit receives a plurality of analog potentials and outputs one analog potential.
前記データ線駆動回路を構成する能動素子はガラス基板上に形成された薄膜トランジスターであることを特徴とした請求項1から3のいずれか一つに記載のデータ線駆動回路。   4. The data line driving circuit according to claim 1, wherein the active element constituting the data line driving circuit is a thin film transistor formed on a glass substrate. 請求項1から4のいずれか一つに記載のデータ線駆動回路を備えた液晶表示装置。   A liquid crystal display device comprising the data line driving circuit according to claim 1. 請求項5に記載の液晶表示装置を備えた電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal display device according to claim 5.
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