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JP2008156716A - Manufacturing method of fine structure and fine structure - Google Patents

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JP2008156716A
JP2008156716A JP2006347821A JP2006347821A JP2008156716A JP 2008156716 A JP2008156716 A JP 2008156716A JP 2006347821 A JP2006347821 A JP 2006347821A JP 2006347821 A JP2006347821 A JP 2006347821A JP 2008156716 A JP2008156716 A JP 2008156716A
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micropores
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優介 畠中
Yoshinori Hotta
吉則 堀田
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Abstract

【課題】短時間で、真円性に優れたマイクロポアを有する構造体を得ることができる構造体の製造方法の提供。
【解決手段】
(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程、
(2)該アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、
(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程、および
(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程、をこの順序で含む微細構造体の製造方法。
【選択図】なし
The present invention provides a method for manufacturing a structure capable of obtaining a structure having micropores with excellent roundness in a short time.
[Solution]
(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface,
(2) a step of anodizing the aluminum member to form an anodized film having micropores;
(3) a step of dissolving at least a part of the anodized film with an acid or an alkali, and (4) a step of anodizing, thereby growing new micropores in the depth direction in this order. A manufacturing method of a fine structure including the same.
[Selection figure] None

Description

本発明は、微細構造体の製造方法および微細構造体に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a fine structure and a fine structure.

金属および半導体の薄膜、細線、ドット等の技術領域では、ある特徴的な長さより小さいサイズにおいて自由電子の動きが閉じ込められることにより、電気的、光学的および化学的に特異な現象が見られることが知られている。このような現象は「量子力学的サイズ効果(量子サイズ効果)」と呼ばれている。このような特異な現象を応用した機能性材料の研究開発が、現在、盛んに行なわれている。具体的には、数百nmより微細な構造を有する材料が、「微細構造体」または「ナノ構造体」と称されており、材料開発の対象の一つとされている。   In the technical fields of metal and semiconductor thin films, thin wires, dots, etc., the phenomenon of electrical, optical and chemical peculiarities can be seen by confining the movement of free electrons in a size smaller than a certain characteristic length. It has been known. Such a phenomenon is called “quantum mechanical size effect (quantum size effect)”. Research and development of functional materials applying such a unique phenomenon is being actively conducted. Specifically, a material having a structure finer than several hundred nm is referred to as a “microstructure” or “nanostructure”, and is one of the objects of material development.

こうした微細構造体の作製方法としては、例えば、フォトリソグラフィ、電子線露光、X線露光等の微細パターン形成技術を初めとする半導体加工技術によって直接的にナノ構造体を作製する方法が挙げられる。   As a method for manufacturing such a fine structure, for example, a method for directly manufacturing a nano structure by a semiconductor processing technique including a fine pattern forming technique such as photolithography, electron beam exposure, and X-ray exposure can be given.

中でも、規則的な微細構造を有する微細構造体を作製する方法についての研究が注目され、多く行われている。
例えば、自己規制的に規則的な構造が形成される方法として、電解液中でアルミニウムに陽極酸化処理を施して得られる陽極酸化アルミナ膜(陽極酸化皮膜)が挙げられる。陽極酸化皮膜には、数nm程度から数百nm程度の直径を有する複数の微細孔(マイクロポア)が規則的に形成されることが知られている。この陽極酸化皮膜の自己規則化を用い、完全に規則的な配列を得ると、理論的には、マイクロポアを中心に底面が正六角形である六角柱のセルが形成され、隣接するマイクロポアを結ぶ線が正三角形を成すことが知られている。
In particular, much research has been conducted on a method for manufacturing a microstructure having a regular microstructure.
For example, as a method for forming a regular structure in a self-regulating manner, an anodized alumina film (anodized film) obtained by subjecting aluminum to an anodizing treatment in an electrolytic solution can be mentioned. It is known that a plurality of fine pores (micropores) having a diameter of about several nm to several hundred nm are regularly formed in the anodized film. Using this self-ordering of the anodic oxide film to obtain a perfectly regular arrangement, theoretically, hexagonal prism cells with a regular hexagonal bottom surface are formed around the micropores, and adjacent micropores are formed. It is known that the connecting line forms an equilateral triangle.

このようなマイクロポアを有する陽極酸化皮膜の用途例としては、光機能性ナノデバイス、磁気デバイス、発光担体、触媒担持体等が知られている。例えば、特許文献1には、ポアを金属で封孔し局在プラズモン共鳴を発生させてラマン分光分析用装置へ応用する旨が記載されている。
また、特許文献2には、表面に細孔を有し、該細孔に、陽極酸化と孔径拡大処理を組み合わせることで、連続的に細孔径が変化するテーパー形状を付与した陽極酸化ポーラスアルミナを製造することが記載されている。
As examples of applications of such an anodized film having micropores, optical functional nanodevices, magnetic devices, luminescent carriers, catalyst carriers and the like are known. For example, Patent Document 1 describes that a pore is sealed with a metal to generate localized plasmon resonance and applied to an apparatus for Raman spectroscopic analysis.
Patent Document 2 discloses an anodized porous alumina having a pore on the surface and having a tapered shape in which the pore diameter continuously changes by combining anodization and pore diameter enlargement treatment. Manufacturing is described.

このようなマイクロポアを形成させる陽極酸化処理の前には、陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる窪みを形成させておく方法が知られている。このような窪みを形成させることにより、マイクロポアの配列およびポア径のばらつきを所望の範囲に制御することが容易となる。
窪みを形成させる一般的な方法として、陽極酸化皮膜の自己規則性を利用した自己規則化法が知られている。これは陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則的に配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。
この自己規則化法は、特許文献1に記載されているように、一度陽極酸化処理した後、リン酸および6価クロム酸の混合水溶液への浸せき処理を施し、再度陽極酸化処理を順に行うのが一般的である。
Prior to the anodic oxidation treatment for forming such micropores, a method is known in which a depression that is a starting point for generating micropores in the anodic oxidation treatment is formed. By forming such depressions, it becomes easy to control the variation of the micropore arrangement and the pore diameter within a desired range.
As a general method for forming the depression, a self-ordering method using the self-ordering property of the anodized film is known. This is a method for improving the regularity by utilizing the property that the micropores of the anodized film are regularly arranged and removing the factors that disturb the regular arrangement.
In this self-ordering method, as described in Patent Document 1, after anodizing once, an immersion treatment in a mixed aqueous solution of phosphoric acid and hexavalent chromic acid is performed, and then the anodizing treatment is performed again in order. Is common.

特開2005−307341号公報JP 2005-307341 A 特開2005−156695号公報JP 2005-156695 A

しかしながら、リン酸および6価クロム酸の混合水溶液を用いた脱膜工程は、陽極酸化皮膜の厚さによっても異なるが、通常、数時間から十数時間という長時間をかけて行う必要があった。
また、磁気デバイス等の用途によっては、規則的な配列のみならず、形成されたポアが真円に近いことも必須条件であり、従来技術の製造方法では更なる改良が必要であった。
したがって、本発明は、短時間で、規則的配列且つポアの真円性に優れた微細構造体の製造方法およびそれにより得られる構造体を提供することを目的とする。
However, the film removal process using a mixed aqueous solution of phosphoric acid and hexavalent chromic acid usually requires a long time of several hours to several tens of hours, although it varies depending on the thickness of the anodized film. .
Further, depending on the application of the magnetic device or the like, not only a regular arrangement but also that the formed pores are close to a perfect circle is an indispensable condition, and the conventional manufacturing method requires further improvement.
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for producing a microstructure having a regular arrangement and excellent roundness of pores in a short time, and a structure obtained thereby.

本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成し、陽極酸化、皮膜溶解、陽極酸化をこの順に施すことにより、短時間で、真円性の高いマイクロポアを有する微細構造体を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。   As a result of diligent research to achieve the above object, the present inventor formed a recess having a desired arrangement on the surface of an aluminum member, and performed anodization, film dissolution, and anodization in this order in a short time. The inventors have found that a fine structure having highly circular micropores can be obtained, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、以下の(i)〜(iv)を提供する。
(i)下記の工程をこの順序で含む微細構造体の製造方法:
(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程、
(2)該アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、
(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程、
(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程。
(ii)上記(i)の製造方法で、更に、(5)前記マイクロポアの断面形状が直管構造となるように陽極酸化皮膜の一部を除去する工程を含む微細構造体の製造方法。
(iii) 下記の工程をこの順序で含む微細構造体の製造方法:
(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程、
(2)該アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、
(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程、
(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程、
(5)前記マイクロポアの断面形状が直管構造となるように陽極酸化皮膜の一部を除去する工程、
(6)前記(4)工程および前記(5)工程を少なくとも1回繰返す工程。
(iv)上記の(i)〜(iii)のいずれかに記載の微細構造体の製造方法で得られる微細構造体。
That is, the present invention provides the following (i) to (iv).
(I) A method for producing a microstructure including the following steps in this order:
(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface,
(2) a step of anodizing the aluminum member to form an anodized film having micropores;
(3) a step of dissolving at least a part of the anodized film with an acid or an alkali;
(4) A step of anodizing to grow new micropores in the depth direction.
(Ii) A manufacturing method of the microstructure according to the manufacturing method of (i), further including (5) removing a part of the anodized film so that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure.
(Iii) Manufacturing method of fine structure including the following steps in this order:
(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface,
(2) a step of anodizing the aluminum member to form an anodized film having micropores;
(3) a step of dissolving at least a part of the anodized film with an acid or an alkali;
(4) Anodizing, thereby growing new micropores in the depth direction;
(5) a step of removing a part of the anodized film so that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure;
(6) A step of repeating the step (4) and the step (5) at least once.
(Iv) A fine structure obtained by the method for producing a fine structure according to any one of (i) to (iii) above.

本発明の微細構造体の製造方法によれば、短時間で、真円度の高いマイクロポアを有する微細構造体を得ることができる。   According to the method for manufacturing a fine structure of the present invention, a fine structure having micropores with high roundness can be obtained in a short time.

以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明の製造方法は、
(i)下記の工程をこの順序で含む微細構造体の製造方法:
(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程、
(2)該アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、
(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程、
(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程。
(ii)上記工程(i)にさらに、(5)前記マイクロポアの断面形状が直管構造となるように陽極酸化皮膜の一部を除去する工程を含む上記(i)に記載の微細構造体の製造方法。
(iii)上記工程(ii)にさらに、工程(4)と工程(5)とを1回以上繰り返す工程。
The present invention is described in detail below.
The production method of the present invention comprises:
(I) A method for producing a microstructure including the following steps in this order:
(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface,
(2) a step of anodizing the aluminum member to form an anodized film having micropores;
(3) a step of dissolving at least a part of the anodized film with an acid or an alkali;
(4) A step of anodizing to grow new micropores in the depth direction.
(Ii) The microstructure according to (i), further including (5) a step of removing a part of the anodized film so that a cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure. Manufacturing method.
(Iii) A step of further repeating the step (4) and the step (5) at least once in the step (ii).

<アルミニウム部材>
本発明に用いられるアルミニウム部材は、アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に存在する、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜とを有する。このアルミニウム部材は、アルミニウム基板の少なくとも一方の表面に陽極酸化処理を施して得ることができる。
<Aluminum member>
The aluminum member used in the present invention has an aluminum substrate and an anodized film having micropores present on the surface of the aluminum substrate. This aluminum member can be obtained by anodizing at least one surface of an aluminum substrate.

図1、2は、本発明の微細構造体の製造方法を説明するためのアルミニウム部材および微細構造体の模式的な端面図である。   1 and 2 are schematic end views of an aluminum member and a microstructure for explaining the method for manufacturing a microstructure according to the present invention.

<アルミニウム基板>
アルミニウム基板は、特に限定されず、例えば、純アルミニウム板;アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板が挙げられる。
<Aluminum substrate>
The aluminum substrate is not particularly limited. For example, a pure aluminum plate; an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a small amount of foreign elements; a substrate obtained by depositing high-purity aluminum on low-purity aluminum (for example, recycled material); silicon Examples of the substrate include a substrate in which high purity aluminum is coated on the surface of a wafer, quartz, glass or the like by a method such as vapor deposition or sputtering; a resin substrate in which aluminum is laminated.

アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、99.5質量%以上であるのが好ましく、99.9質量%以上であるのがより好ましく、99.99質量%以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、ポア配列の規則性が十分となる。   Of the aluminum substrate, the surface on which the anodized film is provided by anodizing treatment preferably has an aluminum purity of 99.5% by mass or more, more preferably 99.9% by mass or more, and 99.99% by mass. % Or more is more preferable. When the aluminum purity is in the above range, the regularity of the pore arrangement is sufficient.

アルミニウム基板の形状は、特に限定されない。例えば、アルミニウムウェブであってもよく、枚葉状シートであってもよい。   The shape of the aluminum substrate is not particularly limited. For example, an aluminum web may be sufficient and a sheet-like sheet may be sufficient.

<ロールによるウエブの搬送>
アルミニウム基板がアルミニウムウェブである場合は、後述する皮膜溶解処理、陽極酸化処理および直管状処理を、アルミニウムウェブを搬送しつつ施すのが好ましい。
アルミニウムウェブの搬送においては、大量かつ安定に搬送を行う観点から、それに用いられる搬送ロールの曲率半径が50mm以上であるのが好ましく、70mm以上であるのがより好ましく、100mm以上であるのが更に好ましい。上記範囲であると、搬送ロールに強い圧がかかってアルミニウムウェブが切れるおそれが小さい。
<Conveying web by roll>
When the aluminum substrate is an aluminum web, it is preferable to perform film dissolution treatment, anodizing treatment, and straight tube treatment, which will be described later, while conveying the aluminum web.
In the conveyance of the aluminum web, from the viewpoint of carrying a large amount and stably, it is preferable that the radius of curvature of the conveyance roll used therein is 50 mm or more, more preferably 70 mm or more, and further more preferably 100 mm or more. preferable. When it is within the above range, the aluminum web is less likely to be cut by applying a strong pressure to the transport roll.

アルミニウムウェブの幅は、大量搬送の観点から、50mm以上であるのが好ましく、100mm以上であるのがより好ましく、150mm以上であるのが更に好ましい。上記範囲であると、張力によりアルミニウムウェブが切れてしまうおそれが小さい。   The width of the aluminum web is preferably 50 mm or more, more preferably 100 mm or more, and further preferably 150 mm or more from the viewpoint of mass conveyance. When it is in the above range, there is little possibility that the aluminum web will be cut by tension.

搬送速度は、大量搬送の観点から、1mm/min〜150m/minであるのが好ましく、10mm/min〜100m/minであるのがより好ましく、50mm/min〜50m/minであるのが更に好ましい。上記範囲であると、搬送速度が速すぎてアルミニウムウェブが切れてしまうおそれが小さく、また、搬送速度が遅すぎて生産性が低くなりすぎることがない。
搬送の方法は、連続的および非連続的のいずれであってもよい。
The conveyance speed is preferably 1 mm / min to 150 m / min from the viewpoint of mass conveyance, more preferably 10 mm / min to 100 m / min, and still more preferably 50 mm / min to 50 m / min. . Within the above range, there is little possibility that the aluminum web will be cut because the conveying speed is too high, and the productivity is not too low because the conveying speed is too slow.
The method of conveyance may be either continuous or discontinuous.

アルミニウム基板の表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理を施されるのが好ましい。   The surface of the aluminum substrate is preferably subjected to degreasing and mirror finishing in advance.

また、本発明により得られる微細構造体を、光透過性を利用する用途に用いる場合は、あらかじめアルミニウム基板が熱処理を施されるのが好ましい。熱処理により、ポア配列の規則性が高い領域が広くなる。   Moreover, when using the microstructure obtained by this invention for the use using a light transmittance, it is preferable to heat-process an aluminum substrate previously. By heat treatment, a region having a high regularity of pore arrangement is widened.

<熱処理>
熱処理を施す場合は、200〜350℃で30秒〜2分程度施すのが好ましい。これにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法が挙げられる。
<Heat treatment>
When heat treatment is performed, it is preferably performed at 200 to 350 ° C. for about 30 seconds to 2 minutes. Thereby, the regularity of the arrangement | sequence of the micropore produced | generated by the anodic oxidation process mentioned later improves.
The aluminum substrate after the heat treatment is preferably cooled rapidly. As a method of cooling, for example, a method of directly feeding into water or the like can be mentioned.

<脱脂処理>
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
<Degreasing treatment>
Degreasing treatment uses acids, alkalis, organic solvents, etc. to dissolve and remove organic components such as dust, fat, and resin that adhere to the aluminum surface, and causes defects in each treatment described later due to the organic components. This is done for the purpose of preventing the occurrence of.
A conventionally known degreasing agent can be used for the degreasing treatment. Specifically, for example, various commercially available degreasing agents can be used by a predetermined method.

中でも、以下の各方法が好適に例示される。
アルコール(例えば、メタノール)、ケトン、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム表面に接触させる方法(有機溶剤法);石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から80℃までの温度でアルミニウム表面に接触させ、その後、水洗する方法(界面活性剤法);濃度10〜200g/Lの硫酸水溶液を常温から70℃までの温度でアルミニウム表面に30〜80秒間接触させ、その後、水洗する方法;濃度5〜20g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム表面に30秒間程度接触させつつ、アルミニウム表面を陰極にして電流密度1〜10A/dm2の直流電流を流して電解し、その後、濃度100〜500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム表面に接触させつつ、アルミニウム表面を陰極にして電流密度1〜10A/dm2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法;濃度10〜200g/Lのアルカリ水溶液を40〜50℃でアルミニウム表面に15〜60秒間接触させ、その後、濃度100〜500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から50℃までの温度でアルミニウム表面に接触させ、その後、水洗する方法(乳化脱脂法);炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から50℃までの温度でアルミニウム表面に30〜180秒間接触させ、その後、水洗する方法(リン酸塩法)。
Especially, the following each method is illustrated suitably.
A method in which an organic solvent such as alcohol (for example, methanol), ketone, benzine, volatile oil or the like is brought into contact with the aluminum surface at room temperature (organic solvent method); a solution containing a surfactant such as soap or neutral detergent at a temperature from 80 to 80 A method in which the aluminum surface is contacted at a temperature up to ℃, and then washed with water (surfactant method); a sulfuric acid aqueous solution having a concentration of 10 to 200 g / L is brought into contact with the aluminum surface at a temperature from room temperature to 70 ° C for 30 to 80 seconds. Then, a method of washing with water; while a sodium hydroxide aqueous solution having a concentration of 5 to 20 g / L was brought into contact with the aluminum surface at room temperature for about 30 seconds, a direct current having a current density of 1 to 10 A / dm 2 was passed with the aluminum surface as a cathode. And then neutralizing with a nitric acid aqueous solution having a concentration of 100 to 500 g / L; various known anodizing electrolytes are usually used. In while in contact with the aluminum surface, the aluminum surface by applying a direct current of a current density of 1 to 10 A / dm 2 in the cathode, or a method of electrolysis by passing an alternating current; the alkaline aqueous solution in the concentration of 10 to 200 g / L A method of bringing the aluminum surface into contact at 40 to 50 ° C. for 15 to 60 seconds, and then neutralizing by contacting with an aqueous nitric acid solution having a concentration of 100 to 500 g / L; a surfactant, water or the like was mixed with light oil or kerosene. A method in which the emulsion is brought into contact with the aluminum surface at a temperature from room temperature to 50 ° C. and then washed with water (emulsion degreasing method); a mixed solution of sodium carbonate, phosphates, surfactants, etc. is brought to a temperature from room temperature to 50 ° C. The aluminum surface is brought into contact with the aluminum surface for 30 to 180 seconds and then washed with water (phosphate method).

脱脂処理は、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない方法が好ましい。この点で、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。   The degreasing treatment is preferably a method in which the fat on the aluminum surface can be removed while aluminum is hardly dissolved. In this respect, the organic solvent method, the surfactant method, the emulsion degreasing method, and the phosphate method are preferable.

<鏡面仕上げ処理>
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸をなくして、電着法等による粒子形成処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。アルミニウム部材の表面の凹凸としては、例えば、アルミニウム部材が圧延を経て製造されたものである場合における、圧延時に発生した圧延筋が挙げられる。
本発明において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤(例えば、ダイヤ、アルミナ)とバフとを組み合わせた方法が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる方法を、用いる研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、#1500のものが好ましい。これにより、光沢度を50%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに50%以上)とすることができる。
<Mirror finish processing>
The mirror finishing process is performed to eliminate unevenness on the surface of the aluminum substrate and improve the uniformity and reproducibility of the particle forming process by an electrodeposition method or the like. As an unevenness | corrugation of the surface of an aluminum member, the rolling rebar generated at the time of rolling in the case where an aluminum member is manufactured through rolling is mentioned, for example.
In the present invention, the mirror finish is not particularly limited, and a conventionally known method can be used. Examples thereof include mechanical polishing, chemical polishing, and electrolytic polishing.
Examples of the mechanical polishing include a method of polishing with various commercially available polishing cloths, and a method of combining various commercially available abrasives (for example, diamond, alumina) and a buff. Specifically, a method in which the method using an abrasive is performed by changing the abrasive used from coarse particles to fine particles over time is preferably exemplified. In this case, the final polishing agent is preferably # 1500. Thereby, the glossiness can be 50% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 50% or more).

化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」,第6版,(社)日本アルミニウム協会編,2001年,p.164−165に記載されている各種の方法が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Alupol I法、Alupol V法、Alcoa R5法、H3PO4−CH3COOH−Cu法、H3PO4−HNO3−CH3COOH法が好適に挙げられる。中でも、リン酸−硝酸法、H3PO4−CH3COOH−Cu法、H3PO4−HNO3−CH3COOH法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
As chemical polishing, for example, “Aluminum Handbook”, 6th edition, edited by Japan Aluminum Association, 2001, p. Various methods described in 164 to 165 may be mentioned.
Further, phosphoric acid - nitric acid method, Alupol I method, Alupol V method, Alcoa R5 method, H 3 PO 4 -CH 3 COOH -Cu method, H 3 PO 4 -HNO 3 -CH 3 COOH method are preferable. Of these, the phosphoric acid-nitric acid method, the H 3 PO 4 —CH 3 COOH—Cu method, and the H 3 PO 4 —HNO 3 —CH 3 COOH method are preferable.
By chemical polishing, the glossiness can be made 70% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 70% or more).

電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」,第6版,(社)日本アルミニウム協会編,2001年,p.164−165に記載されている各種の方法が挙げられる。
また、米国特許第2708655号明細書に記載されている方法が好適に挙げられる。
また、「実務表面技術」,vol.33,No.3,1986年,p.32−38に記載されている方法も好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
As electrolytic polishing, for example, “Aluminum Handbook”, 6th edition, edited by Japan Aluminum Association, 2001, p. Various methods described in 164 to 165 may be mentioned.
Moreover, the method described in US Pat. No. 2,708,655 is preferable.
“Practical Surface Technology”, vol. 33, no. 3, 1986, p. The method described in 32-38 is also preferably exemplified.
By electropolishing, the gloss can be 70% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 70% or more).

これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。例えば、研磨剤を用いる方法を、用いる研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行い、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。   These methods can be used in appropriate combination. For example, a method of using an abrasive is preferably performed by changing the abrasive to be used from coarse particles to fine particles over time, and then performing electrolytic polishing.

鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さRa0.1μm以下、光沢度50%以上の表面を得ることができる。平均表面粗さRaは、0.03μm以下であるのが好ましく、0.02μm以下であるのがより好ましい。また、光沢度は70%以上であるのが好ましく、80%以上であるのがより好ましい。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、JIS Z8741−1997の「方法3 60度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計(例えば、VG−1D、日本電色工業社製)を用いて、正反射率70%以下の場合には入反射角度60度で、正反射率70%を超える場合には入反射角度20度で、測定する。
By mirror finishing, for example, a surface having an average surface roughness R a of 0.1 μm or less and a glossiness of 50% or more can be obtained. The average surface roughness Ra is preferably 0.03 μm or less, and more preferably 0.02 μm or less. Further, the glossiness is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.
The glossiness is a regular reflectance obtained in accordance with JIS Z8741-1997 “Method 3 60 ° Specular Gloss” in the direction perpendicular to the rolling direction. Specifically, using a variable angle gloss meter (for example, VG-1D, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), when the regular reflectance is 70% or less, the incident reflection angle is 60 degrees and the regular reflectance is 70%. In the case of exceeding, the incident / reflection angle is 20 degrees.

<(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程>
アルミニウム表面にマイクロポアを形成させる陽極酸化処理の前に、陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる窪みを形成させておく。このような窪みを形成させることにより、後述するマイクロポアの配列およびポア径の真円度を所望の範囲に制御することが容易となる。
<(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface>
Before the anodic oxidation treatment for forming micropores on the aluminum surface, a depression that is the starting point for generating micropores in the anodic oxidation treatment is formed. By forming such depressions, it becomes easy to control the arrangement of micropores and the roundness of the pore diameter, which will be described later, within a desired range.

窪みを形成させる方法は、特に限定されず、例えば、転写法を含む物理的方法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法が挙げられる。
電気化学的なマイクロポアの形成は行わない。これにより陽極酸化により形成されるマイクロポアの起点を任意の所望の配列とすることができるようになり得られる構造体の真円性を高くすることができる。
The method for forming the depression is not particularly limited, and examples thereof include a physical method including a transfer method, a particle beam method, a block copolymer method, and a resist pattern / exposure / etching method.
Electrochemical micropores are not formed. As a result, the starting points of the micropores formed by anodic oxidation can be arranged in any desired arrangement, and the roundness of the resulting structure can be increased.

<物理的方法>
例えば、インプリント法(突起を有する基板またはロールをアルミニウム板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法)を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平10−121292号公報に記載されている方法を用いることができる。
また、アルミニウム表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からSiO2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたSiO2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
<Physical method>
For example, a method using an imprint method (a transfer method or a press patterning method in which a substrate or a roll having a protrusion is pressed against an aluminum plate to form a recess) can be used. Specifically, a method of forming a depression by pressing a substrate having a plurality of protrusions on the surface thereof against the aluminum surface can be mentioned. For example, a method described in JP-A-10-121292 can be used.
Another example is a method in which polystyrene spheres are arranged in a dense state on the aluminum surface, SiO 2 is vapor-deposited thereon, then the polystyrene spheres are removed, and the substrate is etched using the vapor-deposited SiO 2 as a mask to form depressions. It is done.

<粒子線法>
粒子線法は、アルミニウム表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)、電子ビームが挙げられる。
粒子線法としては、例えば、特開2001−105400号公報に記載されている方法を用いることもできる。
<Particle beam method>
The particle beam method is a method in which a hollow is formed by irradiating the aluminum surface with a particle beam. The particle beam method has an advantage that the position of the depression can be freely controlled.
Examples of the particle beam include a charged particle beam, a focused ion beam (FIB), and an electron beam.
As the particle beam method, for example, a method described in JP-A-2001-105400 can be used.

<ブロックコポリマー法>
ブロックコポリマー法は、アルミニウム表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
ブロックコポリマー法としては、例えば、特開2003−129288号公報に記載されている方法を用いることができる。
<Block copolymer method>
The block copolymer method is a method in which a block copolymer layer is formed on an aluminum surface, a sea-island structure is formed in the block copolymer layer by thermal annealing, and then an island portion is removed to form a depression.
As a block copolymer method, the method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-129288 can be used, for example.

<レジストパターン・露光・エッチング法>
レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム板表面のレジストに露光および現像を施し、レジストパタンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
<Resist pattern, exposure, etching method>
In the resist pattern / exposure / etching method, the resist on the surface of the aluminum plate is exposed and developed by photolithography or electron beam lithography to form a resist pattern, which is then etched. In this method, a resist is provided and etched to form a recess penetrating to the aluminum surface.

上述した種々の窪みを形成させる方法の中でも、物理的方法、FIB法、レジストパターン・露光・エッチング法が望ましい。   Among the above-described methods for forming various depressions, a physical method, an FIB method, and a resist pattern / exposure / etching method are desirable.

本発明において、アルミニウム板の表面に複数の窪みを所定の間隔および配列で形成し、特に細孔間隔が0.1μm前後の非常に微細な多孔性陽極酸化アルミナ膜を作製する場合、上記アルミニウム板表面に微細な窪みを人工的に規則正しく形成するために電子ビームリソグラフィやX線リソグラフィなどを用いた高解像度の微細加工技術を用いる必要があり、このような微細加工技術を多孔性陽極酸化アルミナを製造するたびに毎回適用することは経済的でないため、複数の突起を表面に備えた基板を陽極酸化するアルミニウム板表面に押し付ける転写(インプリント)法が好ましい。
具体的には、突起を有する基板またはロールをアルミニウム板上に密着させ、油圧プレスなどを用いて圧力を印加することにより実施できる。基板に設ける突起の配列(パターン)は、陽極酸化によって形成する多孔性陽極酸化アルミナ膜の細孔の配列に対応させるものとし、正六角形状の周期的な配列は言うに及ばず、周期的配列の一部を欠いたような任意のパターンとすることもできる。また、突起を形成する基板は鏡面の表面を有するとともに、押し付ける圧力により破壊されたり突起の配置が変形することのない強度と硬度を有するものが望ましい。このためには、アルミニウムやタンタルのような金属基板も含め、微細加工が容易で汎用的なシリコン基板等を用いることができるが、強度の高いダイヤモンドやシリコンカーバイドで構成されている基板は、繰り返し使用回数を多くすることができるので、より望ましい。これによって、突起を有する基板またはロールを1個作製しておけば、これを繰り返し使用することにより、効率的に多数のアルミニウム板に規則的な窪み配列を形成することができる。
In the present invention, when a plurality of depressions are formed on the surface of the aluminum plate at a predetermined interval and arrangement, and particularly when a very fine porous anodized alumina film having a pore interval of around 0.1 μm is produced, the aluminum plate In order to artificially form fine depressions on the surface regularly, it is necessary to use high-resolution micromachining technology using electron beam lithography, X-ray lithography, etc. Since it is not economical to apply it every time it is manufactured, a transfer (imprint) method of pressing a substrate having a plurality of protrusions on the surface of an aluminum plate to be anodized is preferable.
Specifically, it can be carried out by bringing a substrate or roll having protrusions into close contact with an aluminum plate and applying pressure using a hydraulic press or the like. The arrangement (pattern) of the protrusions provided on the substrate is made to correspond to the arrangement of the pores of the porous anodized alumina film formed by anodic oxidation, not to mention the regular hexagonal periodic arrangement, but the periodic arrangement. It is also possible to use an arbitrary pattern that lacks a part of. Further, it is desirable that the substrate on which the protrusion is formed has a mirror surface and has a strength and a hardness that are not broken by the pressing pressure and the arrangement of the protrusion is not deformed. For this purpose, it is possible to use a general-purpose silicon substrate that is easy to finely process, including a metal substrate such as aluminum or tantalum. However, a substrate made of high-strength diamond or silicon carbide is repeatedly used. Since the number of times of use can be increased, it is more desirable. Thus, if one substrate or roll having protrusions is prepared, a regular array of depressions can be efficiently formed on a large number of aluminum plates by repeatedly using the substrate or roll.

上記の転写法を用いた場合の圧力としては、基板の種類にもよるが、0.001〜100トン/cmが好ましく、0.01〜75トン/cmがより好ましく、0.1〜50トン/cmが特に好ましい。
また、プレス時の温度としては、0〜300℃が好ましく、5〜200℃がより好ましく、10〜100℃が特に好ましく、プレスの時間としては、2秒〜30分が好ましく、5秒〜15分がより好ましく、10秒〜5分が特に好ましい。
また、プレス後の表面形状を固定化する観点から、アルミニウム表面部を冷却する方法も後処理として付け加えることができる。
The pressure when using the above transfer method is preferably 0.001 to 100 tons / cm 2 , more preferably 0.01 to 75 tons / cm 2 , although depending on the type of substrate. 50 tons / cm 2 is particularly preferred.
Moreover, as temperature at the time of press, 0-300 degreeC is preferable, 5-200 degreeC is more preferable, 10-100 degreeC is especially preferable, As time of a press, 2 seconds-30 minutes are preferable, and 5 seconds-15 Minute is more preferable, and 10 seconds to 5 minutes is particularly preferable.
Further, from the viewpoint of fixing the surface shape after pressing, a method for cooling the aluminum surface portion can also be added as a post-treatment.

図1(A)に示されるように、アルミニウム基板12は、例えば、表面に所望の突起を有する基板13を、矢印の方向に圧接され、図1(B)に示されるように、表面に所望の配列を有する窪み15が形成される。   As shown in FIG. 1A, an aluminum substrate 12 is formed by pressing a substrate 13 having a desired protrusion on the surface, for example, in the direction of an arrow, and applying the desired surface to the surface as shown in FIG. A recess 15 having the following arrangement is formed.

<(2)アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、陽極酸化処理>
陽極酸化処理としては、従来公知の方法を用いることができる。具体的には、高純度のアルミニウムを使用し、電解液の種類に応じた電圧で、長時間(例えば、数時間から十数時間)かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させる。
この方法においては、ポア径は電圧に依存するので、電圧を制御することにより、ある程度所望のポア径を得ることができる。
<(2) Step of forming anodized film having micropores by anodizing aluminum member, anodizing>
As the anodizing treatment, a conventionally known method can be used. Specifically, high-purity aluminum is used, and an anodized film is formed at a low speed over a long period of time (for example, several hours to several tens of hours) at a voltage according to the type of the electrolytic solution.
In this method, since the pore diameter depends on the voltage, a desired pore diameter can be obtained to some extent by controlling the voltage.

陽極酸化処理をする際の平均流速は、0.5〜20.0m/minであるのが好ましく、1.0〜15.0m/minであるのがより好ましく、2.0〜10.0m/minであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため、好ましい。そのようなかくはん装置としては、例えば、AS ONE社製のマグネティックスターラーHS−50Dが挙げられる。
The average flow rate during the anodizing treatment is preferably 0.5 to 20.0 m / min, more preferably 1.0 to 15.0 m / min, and 2.0 to 10.0 m / min. More preferably, it is min. By performing anodizing treatment at a flow rate in the above range, uniform and high regularity can be obtained.
Moreover, the method of flowing the electrolytic solution under the above-mentioned conditions is not particularly limited, but, for example, a method using a general stirring device such as a stirrer is used. It is preferable to use a stirrer that can control the stirring speed with a digital display because the average flow rate can be controlled. As such a stirring apparatus, for example, magnetic stirrer HS-50D manufactured by AS ONE can be mentioned.

陽極酸化処理は、例えば、酸濃度1〜10質量%の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電する方法を用いることができる。陽極酸化処理に用いられる溶液としては、酸溶液であることが好ましく、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。   For the anodizing treatment, for example, a method in which an aluminum substrate is used as an anode in a solution having an acid concentration of 1 to 10% by mass can be used. The solution used for the anodizing treatment is preferably an acid solution, more preferably sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid, amidosulfonic acid, etc., among which sulfuric acid, phosphoric acid, Oxalic acid is particularly preferred. These acids can be used alone or in combination of two or more.

陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度0.1〜20質量%、液温−10〜30℃、電流密度0.01〜20A/dm2、電圧3〜300V、電解時間0.5〜30時間であるのが好ましく、電解液濃度0.5〜15質量%、液温−5〜25℃、電流密度0.05〜15A/dm2、電圧5〜250V、電解時間1〜25時間であるのがより好ましく、電解液濃度1〜10質量%、液温0〜20℃、電流密度0.1〜10A/dm2、電圧10〜200V、電解時間2〜20時間であるのが更に好ましい。
陽極酸化皮膜の厚さは、1〜300μmであるのが好ましく、5〜150μmであるのがより好ましく、10〜100μmであるのが更に好ましい。
The conditions for anodizing treatment vary depending on the electrolyte used, and therefore cannot be determined unconditionally. In general, however, the electrolyte concentration is 0.1 to 20% by mass, the solution temperature is -10 to 30 ° C., and the current density. 0.01 to 20 A / dm 2 , voltage 3 to 300 V, electrolysis time 0.5 to 30 hours are preferable, electrolyte concentration 0.5 to 15% by mass, liquid temperature −5 to 25 ° C., current density 0 0.05 to 15 A / dm 2 , voltage 5 to 250 V, electrolysis time 1 to 25 hours are more preferable, electrolyte concentration 1 to 10% by mass, solution temperature 0 to 20 ° C., current density 0.1 to 10 A / More preferably, dm 2 , voltage of 10 to 200 V, and electrolysis time of 2 to 20 hours are used.
The thickness of the anodized film is preferably 1 to 300 μm, more preferably 5 to 150 μm, and still more preferably 10 to 100 μm.

陽極酸化処理の処理時間は、0.5分〜16時間であるのが好ましく、1分〜12時間であるのがより好ましく、2分〜8時間であるのが更に好ましい。   The treatment time for the anodizing treatment is preferably 0.5 minutes to 16 hours, more preferably 1 minute to 12 hours, and further preferably 2 minutes to 8 hours.

陽極酸化処理は、一定電圧下で行う以外に、電圧を断続的または連続的に変化させる方法も用いることができる。この場合は電圧を順次低くしていくのが好ましい。これにより、陽極酸化皮膜の抵抗を下げることが可能になり、後に電着処理を行う場合に、均一化することができる。   The anodizing treatment can be performed by changing the voltage intermittently or continuously in addition to being performed under a constant voltage. In this case, it is preferable to decrease the voltage sequentially. As a result, the resistance of the anodized film can be lowered, and can be made uniform when the electrodeposition treatment is performed later.

平均ポア密度は50〜1500個/μm2であるのが好ましい。 The average pore density is preferably 50-1500 / μm 2 .

マイクロポアの占める面積率は、20〜50%であるのが好ましい。なお、マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合で定義される。   The area ratio occupied by the micropores is preferably 20 to 50%. The area ratio occupied by the micropores is defined by the ratio of the total area of the micropore openings to the area of the aluminum surface.

図1(C)に示されるように、陽極酸化されたアルミニウム部材10aは、アルミニウム基板12の表面に、マイクロポア16aを有する陽極酸化皮膜14aを有する。陽極酸化皮膜14aのアルミニウム基板12側には、バリア層18aが存在する。   As shown in FIG. 1C, the anodized aluminum member 10 a has an anodized film 14 a having micropores 16 a on the surface of the aluminum substrate 12. A barrier layer 18a exists on the aluminum substrate 12 side of the anodized film 14a.

<(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程>
溶解処理は、陽極酸化皮膜の一部を溶解する。ポアワイド処理とも呼ばれる。
<(3) Step of dissolving at least a part of the anodized film with acid or alkali>
In the dissolution treatment, a part of the anodized film is dissolved. Also called pore wide processing.

陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程は、上述したアルミニウム部材の陽極酸化皮膜の一部を溶解する処理である。好ましくは、FE−SEMで倍率20000倍の像を観察したときに、マイクロポアの配列がより規則的に見えるところまで溶解する。具体的には陽極酸化皮膜の一部とバリア層とが残存するように溶解させる処理である。陽極酸化皮膜をほとんど溶解させて除去しても良い。   The step of dissolving a part of the anodized film is a process of dissolving a part of the anodized film of the aluminum member described above. Preferably, when an image with a magnification of 20000 is observed with an FE-SEM, the micropores are dissolved to such an extent that they appear more regular. Specifically, it is a treatment for dissolving so that a part of the anodized film and the barrier layer remain. The anodized film may be almost dissolved and removed.

この皮膜溶解処理により、陽極酸化皮膜の表面の配列が不規則な部分が一部溶解するため、マイクロポアの配列の規則性が高くなる。一方、陽極酸化皮膜のマイクロポア内部も同様に一部溶解し、後述する陽極酸化処理の起点となる。   By this film dissolution treatment, a part of the irregularly arranged surface of the anodic oxide film is partially dissolved, so that the regularity of the micropore array becomes high. On the other hand, a part of the inside of the micropore of the anodic oxide film is similarly dissolved, and becomes a starting point of an anodic oxidation process described later.

図2(A)に示されるように、皮膜溶解処理により、図1(C)に示される陽極酸化皮膜14aの表面およびマイクロポア16aの内部(バリア層18aおよび多孔質層)が溶解し、アルミニウム基板12上に、マイクロポア16bを有する陽極酸化皮膜14bを有するアルミニウム部材10bが得られる。   As shown in FIG. 2A, the film dissolution treatment dissolves the surface of the anodized film 14a and the inside of the micropores 16a (the barrier layer 18a and the porous layer) shown in FIG. An aluminum member 10b having an anodic oxide film 14b having micropores 16b on the substrate 12 is obtained.

皮膜溶解処理は、アルミニウム部材を酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。   The film dissolution treatment is performed by bringing the aluminum member into contact with an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution. The method of making it contact is not specifically limited, For example, the immersion method and the spray method are mentioned. Of these, the dipping method is preferred.

皮膜溶解処理に酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は1〜10質量%であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、25〜60℃であるのが好ましい。
皮膜溶解処理にアルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は0.1〜5質量%であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、20〜35℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、50g/L、40℃のリン酸水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化ナトリウム水溶液または0.5g/L、30℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、8〜120分であるのが好ましく、10〜90分であるのがより好ましく、15〜60分であるのが更に好ましい。
When an acid aqueous solution is used for the film dissolution treatment, it is preferable to use an aqueous solution of an inorganic acid such as sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof. Especially, the aqueous solution which does not contain chromic acid is preferable at the point which is excellent in safety | security. The concentration of the acid aqueous solution is preferably 1 to 10% by mass. The temperature of the acid aqueous solution is preferably 25 to 60 ° C.
When an alkaline aqueous solution is used for the film dissolution treatment, it is preferable to use an aqueous solution of at least one alkali selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. The concentration of the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 to 5% by mass. The temperature of the alkaline aqueous solution is preferably 20 to 35 ° C.
Specifically, for example, 50 g / L, 40 ° C. phosphoric acid aqueous solution, 0.5 g / L, 30 ° C. sodium hydroxide aqueous solution or 0.5 g / L, 30 ° C. potassium hydroxide aqueous solution is preferably used. .
The immersion time in the acid aqueous solution or alkali aqueous solution is preferably 8 to 120 minutes, more preferably 10 to 90 minutes, and still more preferably 15 to 60 minutes.

皮膜溶解処理において、陽極酸化皮膜の溶解量は、陽極酸化皮膜の表面の配列が不規則な部分を溶解させて、マイクロポアの配列の規則性を高くすることができるとともに、マイクロポアの底部分の陽極酸化皮膜を溶解させずに残存させて、後述する陽極酸化処理の起点を残すことができる。   In the film dissolution treatment, the amount of dissolution of the anodized film is such that the irregularity of the arrangement of the surface of the anodized film can be dissolved to increase the regularity of the arrangement of the micropores, and the bottom part of the micropores It is possible to leave the starting point of the anodizing treatment described later by leaving the anodized film without dissolving.

<(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程、陽極酸化処理>
陽極酸化処理は、上述した皮膜溶解処理の後に行われる。これにより、アルミニウム基板の酸化反応が進行し、皮膜溶解処理により一部溶解した陽極酸化皮膜より深さ方向に向かって新たなマイクロポアが成長する。
<(4) Anodizing treatment, thereby growing new micropores in the depth direction, anodizing treatment>
The anodizing treatment is performed after the above-described film dissolution treatment. Thereby, the oxidation reaction of the aluminum substrate proceeds, and new micropores grow in the depth direction from the anodized film partially dissolved by the film dissolution treatment.

図2(B)に示されるように、陽極酸化処理により、図2(A)に示されるアルミニウム基板12の酸化反応が進行し、アルミニウム基板12上に、マイクロポア16bよりも深くなったマイクロポア16cを有する陽極酸化皮膜14cを有する微細構造体20aが得られる。   As shown in FIG. 2 (B), the oxidation reaction of the aluminum substrate 12 shown in FIG. 2 (A) proceeds by the anodic oxidation treatment, and the micropores deeper than the micropores 16b are formed on the aluminum substrate 12. The microstructure 20a having the anodic oxide film 14c having 16c is obtained.

皮膜溶解処理後の陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、上述した皮膜溶解処理前の陽極酸化処理と同一の条件で行われるのが好ましい。
また、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法、直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法も好適に用いることができる。これらの方法によれば、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
上述した電圧を断続的に変化させる方法においては、電圧を順次低くしていくのが好ましい。これにより、陽極酸化皮膜の抵抗を下げることが可能になり、後に電着処理を行う場合に、均一化することができる。
For the anodic oxidation treatment after the film dissolution treatment, a conventionally known method can be used, but it is preferable that the anodic oxidation treatment is performed under the same conditions as the above-described anodization treatment before the film dissolution treatment.
Also, a method of repeatedly turning on and off the current intermittently while keeping the DC voltage constant, and a method of repeatedly turning on and off the current while intermittently changing the DC voltage can be suitably used. According to these methods, fine micropores are generated in the anodic oxide film, which is preferable in that uniformity is improved particularly when sealing treatment is performed by electrodeposition.
In the above-described method of intermittently changing the voltage, it is preferable to decrease the voltage sequentially. As a result, the resistance of the anodized film can be lowered, and can be made uniform when the electrodeposition treatment is performed later.

陽極酸化皮膜の厚さの増加量は、0.1〜100μmであるのが好ましく、0.5〜50μmであるのがより好ましい。上記範囲であると、ポアの配列の規則性をより高くすることができる。
バリア層の厚さは、1〜90nmであるのが好ましく、5〜60nmであるのがより好ましい。
The amount of increase in the thickness of the anodized film is preferably from 0.1 to 100 μm, and more preferably from 0.5 to 50 μm. Within the above range, the regularity of the pore arrangement can be further increased.
The thickness of the barrier layer is preferably 1 to 90 nm, and more preferably 5 to 60 nm.

<(5)前記マイクロポアの断面形状が直管構造となるように陽極酸化皮膜の一部を除去する工程、直管状工程>
直管状工程は、マイクロポアの断面形状が直管構造となるように、陽極酸化皮膜の一部を除去する。マイクロポアの断面形状が直管構造となるように、陽極酸化皮膜の一部を除去するとは、例えば、予め処理液浸漬前後の陽極酸化皮膜を、断面方向からFE−SEMにより撮影して溶解条件を定め、予め定められた溶解条件で溶解処理することができる。より具体的には、アルミニウム部材の破断面を形成し、FE−SEMで倍率20000倍で観察することにより、マイクロポアの断面の内径の深さ方向の変曲点より表面側の陽極酸化皮膜を溶解除去できる条件とする。これにより、陽極酸化皮膜の表面が溶解して、マイクロポアの直管性が高くなり、その結果マイクロポアの真円度の高い微細構造体が得られる。
<(5) A step of removing a part of the anodized film such that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure, a straight tube step>
In the straight tube process, a part of the anodized film is removed so that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure. To remove a part of the anodic oxide film so that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure, for example, the anodic oxide film before and after immersion in the treatment solution is photographed by FE-SEM from the cross-sectional direction in advance. Can be dissolved under predetermined dissolution conditions. More specifically, by forming a fracture surface of the aluminum member and observing with a FE-SEM at a magnification of 20000 times, the anodized film on the surface side from the inflection point in the depth direction of the inner diameter of the cross section of the micropore is formed. Conditions that allow dissolution and removal. As a result, the surface of the anodized film is dissolved, and the straightness of the micropores is increased. As a result, a microstructure having a high roundness of the micropores can be obtained.

図2(C)に示されるように、直管状処理により、図2(B)に示される陽極酸化皮膜14cの変曲点より表面側のマイクロポア16cの内部が溶解し、アルミニウム基板12上に、直管状のマイクロポア16dを有する陽極酸化皮膜14dを有する微細構造体20bが得られる。   As shown in FIG. 2C, the inside of the micropore 16c on the surface side from the inflection point of the anodized film 14c shown in FIG. Thus, the microstructure 20b having the anodic oxide film 14d having the straight tubular micropore 16d is obtained.

直管状工程は、基本的に、皮膜溶解処理と同様の条件で行うことができるので、以下に相違する点のみを説明する。
直管状工程においては、マイクロポアの断面形状が直管構造となるように、陽極酸化皮膜の一部を除去する。マイクロポアの断面の内径の深さ方向の変曲点より表面側の陽極酸化皮膜を溶解除去するには、例えば、1)予め処理液浸漬前後の陽極酸化皮膜を、断面方向からFE−SEMにより撮影して溶解条件を定め、予め定められた溶解条件で溶解処理することができる。または2)予め先の陽極酸化条件から変極点の深さ方向の位置を推定し、推定位置の1〜70nm、好ましくは2〜60nm、より好ましくは3〜50nm深さ方向まで陽極酸化皮膜を溶解する。または、3)陽極酸化膜の表面をFE−SEMにより観察してより表面のマイクロポアの配列がほぼ規則的になる深さまで溶解する。
Since the straight tube process can be basically performed under the same conditions as the film dissolution treatment, only the differences will be described below.
In the straight tube process, a part of the anodized film is removed so that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure. In order to dissolve and remove the anodic oxide film on the surface side from the inflection point in the depth direction of the inner diameter of the cross section of the micropore, for example, 1) The anodic oxide film before and after immersion in the treatment solution is previously removed from the cross-sectional direction by FE-SEM. The dissolution conditions can be determined by photographing, and the dissolution treatment can be performed under the predetermined dissolution conditions. Or 2) The position of the inflection point in the depth direction is estimated in advance from the previous anodic oxidation conditions, and the anodized film is dissolved to the estimated position of 1 to 70 nm, preferably 2 to 60 nm, more preferably 3 to 50 nm. To do. Or 3) The surface of the anodic oxide film is observed by FE-SEM and dissolved to a depth where the arrangement of micropores on the surface becomes almost regular.

直管状工程においては、陽極酸化皮膜の溶解量は、特に限定されず、0.01〜30質量%であるのが好ましく、0.1〜15質量%であるのがより好ましい。
直管状工程においては、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、8〜90分であるのが好ましく、10〜60分であるのがより好ましく、15〜45分であるのが更に好ましい。
In the straight tube process, the dissolution amount of the anodic oxide film is not particularly limited, and is preferably 0.01 to 30% by mass, and more preferably 0.1 to 15% by mass.
In the straight tube process, the immersion time in the aqueous acid solution or aqueous alkali solution is preferably 8 to 90 minutes, more preferably 10 to 60 minutes, and still more preferably 15 to 45 minutes.

<(6)前記(4)工程および前記(5)工程を少なくとも1回繰返す工程>
次に、好ましくは上述した(4)陽極酸化処理とその後の(5)直管状工程とを含む工程を1回以上行う。繰り返すことによって上述したマイクロポアの断面形状が直管構造となる。この点で、この工程を3〜10回繰り返して行うのが好ましく、5〜7回繰り返して行うのがより好ましい。
上記工程を2回以上繰り返して行う場合、各回の陽極酸化処理および直管状工程の条件はそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。中でも、真円度向上性の観点から、2回以上の陽極酸化処理において、電圧を異なったものとするのが好ましい態様の一つである。その場合、徐々に高電圧の条件に変えていくのが、真円度向上性の観点から、より好ましい。
<(6) Step of repeating step (4) and step (5) at least once>
Next, preferably, the process including the above-described (4) anodizing treatment and the subsequent (5) straight tube process is performed once or more. By repeating, the cross-sectional shape of the micropore described above becomes a straight tube structure. In this respect, this step is preferably repeated 3 to 10 times, more preferably 5 to 7 times.
When the above steps are repeated twice or more, the conditions of each anodizing treatment and straight tube step may be the same or different. Among these, from the viewpoint of improving the roundness, it is one of preferred embodiments that the voltages are different in two or more anodic oxidation treatments. In that case, it is more preferable to gradually change to a high voltage condition from the viewpoint of improving roundness.

<微細構造体>
上述した本発明の微細構造体の製造方法により、本発明の微細構造体が得られる。
本発明の微細構造体は、平均ポア密度が50〜1500個/μm2であるのが好ましい。
また、本発明の微細構造体は、マイクロポアの占める面積率が20〜50%であるのが好ましい。
更に、本発明の微細構造体は、マイクロポアについて下記式(1)により定義される真円度が0.1以下であるのが好ましい。より好ましくは0.08以下、さらには0.06以下である。
<Microstructure>
The microstructure of the present invention can be obtained by the above-described method for manufacturing a microstructure of the present invention.
The fine structure of the present invention preferably has an average pore density of 50 to 1500 / μm 2 .
In the microstructure of the present invention, the area ratio occupied by the micropores is preferably 20 to 50%.
Furthermore, the fine structure of the present invention preferably has a roundness defined by the following formula (1) of micropores of 0.1 or less. More preferably, it is 0.08 or less, and further 0.06 or less.

具体的には、得られた酸化皮膜を表面側からFE−SEMにて撮影し、画像解析ソフトにより1μm中の全ての孔形状を抽出して(なお、マイクロポア自体の配列は、実施例1〜5、比較例1、2いずれもハニカム配列を取っていた。)、各孔の等価円半径、最大半径、最小半径を求め、下記一般式により、真円度パラメータTを算出した。値が小さいほど真円に近いことを表す。
一般式(1):T=Σ(Smax−Smin)÷ΣS
ここで、Sは表面方向から孔を観察したときの等価円半径、Smaxは最大半径、Sminは最小半径を表す。
Specifically, the obtained oxide film was photographed by FE-SEM from the surface side, and all the hole shapes in 1 μm 2 were extracted by image analysis software (Note that the arrangement of the micropores itself is an example. 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 all had a honeycomb arrangement.) The equivalent circular radius, maximum radius, and minimum radius of each hole were determined, and the roundness parameter T was calculated according to the following general formula. The smaller the value, the closer to a perfect circle.
General formula (1): T = Σ (S max −S min ) ÷ ΣS
Here, S represents an equivalent circular radius when the hole is observed from the surface direction, S max represents the maximum radius, and S min represents the minimum radius.

<その他の処理>
また、必要に応じて、その他の処理を施すことができる。
例えば、本発明の微細構造体を試料台にして、水溶液を垂らして膜状にしたい場合には、水との接触角を小さくするために、親水化処理を施してもよい。親水化処理は、従来公知の方法により施すことができる。
また、本発明の微細構造体を試料台にして、酸で変性し、または分解されるタンパク質を対象とする場合には、ポアワイド処理に用いられ、アルミニウム表面に残留している酸を中和するために、中和処理を施してもよい。中和処理は、従来公知の方法により施すことができる。
<Other processing>
Further, other processes can be performed as necessary.
For example, when the microstructure of the present invention is used as a sample stage and the aqueous solution is dropped to form a film, a hydrophilic treatment may be performed in order to reduce the contact angle with water. The hydrophilic treatment can be performed by a conventionally known method.
In addition, when the microstructure of the present invention is used as a sample stage to target a protein that is denatured or decomposed with an acid, it is used for pore-wide treatment and neutralizes the acid remaining on the aluminum surface. Therefore, neutralization treatment may be performed. The neutralization treatment can be performed by a conventionally known method.

また、本発明の微細構造体は、用途に応じて、アルミニウム基板を除去することもできる。
アルミニウム基板を除去する方法は、特に限定されないが、例えば、アルミナが難溶または不溶であり、アルミニウムが可溶である溶剤に浸せきさせる方法が好ましい。
溶剤の種類としては、臭素、ヨウ素等のハロゲン溶剤;希硫酸、リン酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸等の酸性溶剤;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ性溶剤が好適に例示される。中でも、臭素、ヨウ素が好ましい。
The fine structure of the present invention can also remove the aluminum substrate depending on the application.
The method for removing the aluminum substrate is not particularly limited, but for example, a method in which alumina is hardly soluble or insoluble, and is immersed in a solvent in which aluminum is soluble is preferable.
Types of solvents include halogen solvents such as bromine and iodine; acidic solvents such as dilute sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid and amidosulfonic acid; sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, etc. The alkaline solvent is preferably exemplified. Of these, bromine and iodine are preferable.

本発明の微細構造体は、用途に応じて、陽極酸化皮膜のマイクロポアに触媒を担持することもできる。
触媒は、触媒機能を有するものであれば特に限定されないが、例えば、以下のものが挙げられる。
The microstructure of the present invention can also carry a catalyst on the micropores of the anodized film depending on the application.
Although a catalyst will not be specifically limited if it has a catalyst function, For example, the following are mentioned.

AlCl3、AlBr3、Al23、SiO2、SiO2−Al23、Siゼオライト、SiO2−NiO、活性炭、PbO/Al23、LaCoO3、H3PO4、H427、Bi23−MoO3、Sb25、SbO5−Fe23、SnO2−Sb25、Cu、CuO2−Cr23、Cu−Cr23−ZnO、Cu/SiO2、CuCl2、Ag/α−Al23、Au、ZnO、ZnO−Cr23、ZnCl2、ZnO−Al23−CaO、TiO2、TiCl4・Al(C253、Pt/TiO2、V25、V25−P25、V25/TiO2、Cr23、Cr23/Al23、MoO3、MoO3−SnO2、Co・Mo/Al23、Ni・Mo/Al23、MoS2、Mo−Bi−O、MoO3−Fe23、H3PMo1240、WO3、H3PW1240、MnO2、Fe−K2O−Al23、Fe23−Cr23、Fe23−Cr23−K2O、Fe23、Co、Co/活性炭、Co34、Coカルボニル錯体、Ni、RaneyNi、Ni/担体、修飾Ni、Pt、Pt/Al23、Pt−Rh−Pd/担体、Pd、Pd/SiO2、Pd/Al23、PdCl2−CuCl2、Re、Re−Pt/Al23、Re27/Al23、Ru、Ru/Al23、Rh、Rh錯体。 AlCl 3 , AlBr 3 , Al 2 O 3 , SiO 2 , SiO 2 —Al 2 O 3 , Si zeolite, SiO 2 —NiO, activated carbon, PbO / Al 2 O 3 , LaCoO 3 , H 3 PO 4 , H 4 P 2 O 7 , Bi 2 O 3 —MoO 3 , Sb 2 O 5 , SbO 5 —Fe 2 O 3 , SnO 2 —Sb 2 O 5 , Cu, CuO 2 —Cr 2 O 3 , Cu—Cr 2 O 3 — ZnO, Cu / SiO 2 , CuCl 2 , Ag / α-Al 2 O 3 , Au, ZnO, ZnO—Cr 2 O 3 , ZnCl 2 , ZnO—Al 2 O 3 —CaO, TiO 2 , TiCl 4 .Al ( C 2 H 5) 3, Pt / TiO 2, V 2 O 5, V 2 O 5 -P 2 O 5, V 2 O 5 / TiO 2, Cr 2 O 3, Cr 2 O 3 / Al 2 O 3, MoO 3 , MoO 3 —SnO 2 , Co · Mo / Al 2 O 3 , Ni · Mo / Al 2 O 3 , MoS 2 , Mo—Bi -O, MoO 3 -Fe 2 O 3 , H 3 PMo 12 O 40, WO 3, H 3 PW 12 O 40, MnO 2, Fe-K 2 O-Al 2 O 3, Fe 2 O 3 -Cr 2 O 3 , Fe 2 O 3 —Cr 2 O 3 —K 2 O, Fe 2 O 3 , Co, Co / activated carbon, Co 3 O 4 , Co carbonyl complex, Ni, RaneyNi, Ni / support, modified Ni, Pt, Pt / Al 2 O 3, Pt- Rh-Pd / support, Pd, Pd / SiO 2, Pd / Al 2 O 3, PdCl 2 -CuCl 2, Re, Re-Pt / Al 2 O 3, Re 2 O 7 / Al 2 O 3 , Ru, Ru / Al 2 O 3 , Rh, Rh complex.

担持の方法は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
例えば、電着法;触媒粒子の分散液を、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム部材に塗布し乾燥させる方法が好適に挙げられる。触媒は、単一粒子または凝集体であるのが好ましい。
電着法は、従来公知の方法を用いることができる。具体的には、例えば、金電着法の場合、1g/LのHAuCl4と7g/LのH2SO4を含有する30℃の分散液に、アルミニウム部材を浸せきさせ、11Vの定電圧(スライダックで調整)で、5〜6分間電着処理する方法が挙げられる。
電着法としては、現代化学,1997年1月号,p.51−54に銅、スズおよびニッケルを用いた例が詳細に記載されており、この方法を用いることもできる。
The method for supporting is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
For example, an electrodeposition method; a method in which a dispersion of catalyst particles is applied to an aluminum member having an anodized film and dried is preferably mentioned. The catalyst is preferably a single particle or an aggregate.
As the electrodeposition method, a conventionally known method can be used. Specifically, for example, in the case of gold electrodeposition, an aluminum member is immersed in a dispersion at 30 ° C. containing 1 g / L HAuCl 4 and 7 g / L H 2 SO 4, and a constant voltage of 11 V ( (Adjusted with slidac), and a method of electrodeposition treatment for 5 to 6 minutes.
As the electrodeposition method, Hyundai Kagaku, January 1997, p. Examples using copper, tin and nickel are described in detail in 51-54, and this method can also be used.

触媒粒子を用いる方法に用いられる分散液は、従来公知の方法により得ることができる。例えば、低真空蒸発法による微粒子の作製方法、触媒塩の水溶液を還元する触媒コロイド作製方法により得ることができる。
触媒コロイド粒子は、平均粒径が1〜200nmであるのが好ましく、1〜100nmであるのがより好ましく、2〜80nmであるのが更に好ましい。
分散液に用いられる分散媒としては、水が好適に用いられる。また、水と混合しうる溶剤、例えば、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、i−プロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、t−ブチルアルコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のアルコールと、水との混合溶媒も用いることができる。
The dispersion used in the method using catalyst particles can be obtained by a conventionally known method. For example, it can be obtained by a method for producing fine particles by a low vacuum evaporation method or a method for producing a catalyst colloid in which an aqueous solution of a catalyst salt is reduced.
The catalyst colloidal particles preferably have an average particle size of 1 to 200 nm, more preferably 1 to 100 nm, and even more preferably 2 to 80 nm.
As the dispersion medium used in the dispersion, water is preferably used. In addition, a solvent that can be mixed with water, for example, alcohol such as ethyl alcohol, n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, 1-butyl alcohol, 2-butyl alcohol, t-butyl alcohol, methyl cellosolve, butyl cellosolve, and water These mixed solvents can also be used.

触媒コロイド粒子を用いる方法において、塗布方法は特に限定されず、例えば、バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン塗布、浸せき塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、ロール塗布等が挙げられる。   In the method using the catalyst colloidal particles, the coating method is not particularly limited, and examples thereof include bar coater coating, spin coating, spray coating, curtain coating, dip coating, air knife coating, blade coating, and roll coating.

触媒コロイド粒子を用いる方法に用いられる分散液としては、例えば、金コロイド粒子の分散液、銀コロイド粒子の分散液が好適に用いられる。
金コロイド粒子の分散液としては、例えば、特開平2001−89140号公報および特開平11−80647号公報に記載されているものを用いることができる。また、市販品を用いることもできる。
銀コロイド粒子の分散液は、陽極酸化皮膜から溶出する酸によって影響を受けない点で、銀とパラジウムの合金の粒子を含有するのが好ましい。この場合、パラジウムの含有量は、5〜30質量%であるのが好ましい。
As the dispersion liquid used in the method using the catalyst colloid particles, for example, a gold colloid particle dispersion liquid and a silver colloid particle dispersion liquid are preferably used.
As the dispersion of colloidal gold particles, for example, those described in JP-A-2001-89140 and JP-A-11-80647 can be used. Commercial products can also be used.
The dispersion of silver colloidal particles preferably contains silver and palladium alloy particles in that they are not affected by the acid eluted from the anodized film. In this case, the palladium content is preferably 5 to 30% by mass.

分散液を塗布した後、水等の溶媒を用いて適宜洗浄する。これにより、マイクロポアに担持された触媒粒子のみ陽極酸化皮膜に残存し、マイクロポアに充填されなかった触媒粒子は除去される。   After applying the dispersion, it is appropriately washed with a solvent such as water. As a result, only the catalyst particles supported on the micropores remain in the anodic oxide film, and the catalyst particles not filled in the micropores are removed.

担持処理後の触媒の付着量は、10〜1000mg/m2であるのが好ましく、50〜800mg/m2であるのがより好ましく、100〜500mg/m2であるのが特に好ましい。
また、担持処理後の表面空隙率は、70%以下であるのが好ましく、50%以下であるのがさらに好ましく、30%以下であるのが特に好ましい。担持処理後の表面空隙率は、アルミニウム表面の面積に対する担持されていないマイクロポアの開口部の面積の合計の割合である。
Adhesion amount of the catalyst after carrying treatment is preferably from 10 to 1000 mg / m 2, more preferably from 50 to 800 mg / m 2, particularly preferably from 100 to 500 mg / m 2.
Further, the surface porosity after the supporting treatment is preferably 70% or less, more preferably 50% or less, and particularly preferably 30% or less. The surface porosity after the supporting treatment is a ratio of the total area of the openings of the unsupported micropores to the area of the aluminum surface.

分散液に用いられる触媒コロイド粒子は、通常、粒径分布のばらつきが変動係数で10〜20%程度である。本発明においては、ポア径のばらつきを特定の範囲にすることにより、粒径分布にばらつきのあるコロイド粒子を効率よく封孔に用いることができる。   The catalyst colloidal particles used in the dispersion usually have a variation in particle size distribution of about 10 to 20% as a coefficient of variation. In the present invention, by setting the pore diameter variation within a specific range, colloidal particles having a variation in particle size distribution can be efficiently used for sealing.

ポア径が50nm以上である場合は、触媒コロイド粒子を用いる方法が好適に用いられる。また、ポア径が50nm未満である場合は、電着法が好適に用いられる。両者を組み合わせる方法も好適に用いられる。   When the pore diameter is 50 nm or more, a method using catalyst colloidal particles is preferably used. Moreover, when a pore diameter is less than 50 nm, an electrodeposition method is used suitably. A method of combining both is also preferably used.

本発明の微細構造体は、真円度の高いマイクロポアを有するため、種々の用途に応用することができる。   Since the microstructure of the present invention has micropores with high roundness, it can be applied to various uses.

以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
1.微細構造体の作製
(実施例1〜5および比較例1、2)
基板に、鏡面仕上げ処理を施した後、以下に記載の方法で各微細構造体を得た。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
1. Fabrication of microstructure (Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2)
Each substrate was mirror-finished, and each microstructure was obtained by the method described below.

(1)基板
微細構造体の作製に用いた基板は、高純度アルミニウム基板(住友軽金属工業(株)製、純度99.99質量%、厚さ0.4mm)であった。この高純度アルミニウム基板を、陽極酸化処理を施す部分を一辺10cmの正方形にすることができるような大きさにカットして用いた。
(1) Substrate The substrate used for the production of the fine structure was a high-purity aluminum substrate (manufactured by Sumitomo Light Metal Industries, Ltd., purity 99.99 mass%, thickness 0.4 mm). This high-purity aluminum substrate was used after being cut into such a size that the portion to be anodized could be made into a square having a side of 10 cm.

(2)鏡面仕上げ処理
上記基板に鏡面仕上げ処理を施した。
<鏡面仕上げ処理>
研磨布を用いた研磨、バフ研磨および電解研磨をこの順に行うことにより、鏡面仕上げ処理を施した。バフ研磨後には水洗を行った。
研磨布を用いた研磨は、研磨盤(Struers Abramin、丸本工業社製)および耐水研磨布(市販品)を用い、耐水研磨布の番手を#200、#500、#800、、#1000および#1500の順に変更しつつ行った。
バフ研磨は、スラリー状研磨剤(FM No.3(平均粒径1μm)およびFM No.4(平均粒径0.3μm)、いずれもフジミインコーポレーテッド社製)を用いて行った。
電解研磨は、下記組成の電解液(温度70℃)を用いて、陽極を基板、陰極をカーボン電極とし、130mA/cm2の定電流で、2分間行った。電源としては、GP0110−30R(高砂製作所社製)を用いた。
(2) Mirror finish treatment The substrate was subjected to a mirror finish treatment.
<Mirror finish processing>
By performing polishing using a polishing cloth, buffing and electrolytic polishing in this order, a mirror finish was applied. After buffing, it was washed with water.
Polishing using a polishing cloth uses a polishing machine (Struers Abramin, manufactured by Marumoto Kogyo Co., Ltd.) and a water-resistant polishing cloth (commercially available), and the number of the water-resistant polishing cloth is # 200, # 500, # 800, # 1000 and The change was made in the order of # 1500.
The buffing was performed using a slurry-like abrasive (FM No. 3 (average particle size 1 μm) and FM No. 4 (average particle size 0.3 μm), both manufactured by Fujimi Incorporated).
The electrolytic polishing was performed for 2 minutes using an electrolytic solution (temperature: 70 ° C.) having the following composition, using the anode as a substrate and the cathode as a carbon electrode at a constant current of 130 mA / cm 2 . As a power source, GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho) was used.

<電解液組成>
・85質量%リン酸(和光純薬工業社製試薬) 660mL
・純水 160mL
・硫酸 150mL
・エチレングリコール 30mL
<Electrolyte composition>
-660 mL of 85% by mass phosphoric acid (reagent manufactured by Wako Pure Chemical Industries)
・ Pure water 160mL
・ Sulfuric acid 150mL
・ Ethylene glycol 30mL

(3)工程(1)窪み形成工程
シリコン基板上に、ポジ型電子ビームレジスト(ZEP−520:日本ゼオン(株)の商品名)を0.1μmの厚さにスピンコートし、電子ビーム露光装置で各突起に対して周辺の突起が正六角形状に0.1μmの周期で配列したドットパタンを露光した後、これを現像して前記レジストに約25nm径の細孔を開けた。この上に、電子ビーム蒸着装置を用いて50nmの厚さのクロムを蒸着し、溶剤であるジグライム中に浸漬して超音波を印可し、レジスト上のクロムをレジストと共に除去することにより、約25nm径で、50nmの高さのクロムの突起を形成した。そして、このクロムをマスクとして、CF4 ガスを用いた反応性ドライエッチング法によりシリコン基板を60nmの深さにエッチングした。この後、酸素プラズマでクロムを除去して、約25nm径、高さ60nmの突起を、0.1μm周期で、規則的に配列した基板を作製した。そして、上述の突起を形成したシリコン基板を前記鏡面仕上げ処理後のアルミニウム上に置き、油圧プレス機を用いて3トン/cm2の圧力を加えることにより、アルミニウム板表面に窪みを形成した。
(3) Process (1) Indentation forming process A positive electron beam resist (ZEP-520: trade name of Nippon Zeon Co., Ltd.) is spin-coated on a silicon substrate to a thickness of 0.1 μm, and an electron beam exposure apparatus Then, after exposing a dot pattern in which peripheral protrusions were arranged in a regular hexagonal shape with a period of 0.1 μm with respect to each protrusion, this was developed to open pores having a diameter of about 25 nm in the resist. On this, chromium having a thickness of 50 nm is deposited using an electron beam deposition apparatus, immersed in diglyme as a solvent, ultrasonic waves are applied, and chromium on the resist is removed together with the resist, thereby removing about 25 nm. Chromium protrusions with a diameter of 50 nm were formed. Then, using this chromium as a mask, the silicon substrate was etched to a depth of 60 nm by a reactive dry etching method using CF 4 gas. Thereafter, chromium was removed with oxygen plasma, and a substrate in which protrusions having a diameter of about 25 nm and a height of 60 nm were regularly arranged with a period of 0.1 μm was produced. Then, the silicon substrate on which the above-described protrusions were formed was placed on the aluminum after the mirror finish, and a depression was formed on the surface of the aluminum plate by applying a pressure of 3 ton / cm 2 using a hydraulic press.

(4)工程(2)陽極酸化処理
処理後のアルミニウム基板に、0.50mol/Lシュウ酸水溶液の電解液を用いて、電圧40V、液温度15℃、液流速3.0m/minの条件で5時間陽極酸化処理を行なった。なお、陰極はステンレス電極とし、電源は、GP0110−30R(高砂製作所社製)を用いた。また、冷却装置としては、NeoCool BD36(ヤマト科学社製)、かくはん加温装置としてペアスターラー PS−100(EYELA社製)を用いた。電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(AS ONE製)を用いて計測した。
(4) Step (2) Anodizing treatment An electrolytic solution of 0.50 mol / L oxalic acid aqueous solution was used for the treated aluminum substrate under the conditions of a voltage of 40 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. Anodizing was performed for 5 hours. The cathode used was a stainless steel electrode, and GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho Co., Ltd.) was used as the power source. In addition, NeoCool BD36 (manufactured by Yamato Kagaku Co.) was used as the cooling device, and Pair Stirrer PS-100 (manufactured by EYELA) was used as the stirring and heating device. The flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).

(5)工程(3)陽極酸化皮膜溶解処理
上記で得られた陽極酸化処理後のサンプルを温度40℃、0.50mol/Lのリン酸水溶液に25分間浸せきした。
(5) Step (3) Anodized film dissolution treatment The sample after the anodization treatment obtained above was immersed in a phosphoric acid aqueous solution at a temperature of 40 ° C and 0.50 mol / L for 25 minutes.

(6)工程(4)陽極酸化処理
上記処理後のサンプルを、0.50mol/Lシュウ酸水溶液の電解液を用いて、電圧40V、液温度15℃、液流速3.0m/minの条件で5時間陽極酸化処理を行なった。電極並びに装置等は、上記工程(2)で使用したものと同様のものを用いた。
(6) Step (4) Anodizing treatment The sample after the above treatment was subjected to conditions of a voltage of 40 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min using an electrolyte of 0.50 mol / L oxalic acid aqueous solution. Anodizing was performed for 5 hours. The same electrode and apparatus as those used in the above step (2) were used.

(7)工程(5)陽極酸化皮膜溶解処理(直管状工程)
上記で得られた陽極酸化処理後のサンプルを温度40℃、0.50mol/Lのリン酸水溶液に25分間浸せきし、実施例1のサンプルを得た。
(7) Process (5) Anodized film dissolution treatment (straight tubular process)
The sample after the anodizing treatment obtained above was immersed in an aqueous phosphoric acid solution at a temperature of 40 ° C. and 0.50 mol / L for 25 minutes to obtain a sample of Example 1.

(実施例2)
上記実施例1において、工程(1)の窪み形成処理用の突起基板を以下記載の方法で作成した。すなわち、ダイヤモンド薄膜を厚さ0.5μm堆積したシリコンカーバイド基板上に、電子ビームネガ型レジスト(SNR−M5:東ソ(株)の商品名)を0.1μmスピンコートし、電子ビーム露光で、約25nm径、高さ70nmの突起を、100nm周期で規則的に配列した突起を形成した。
その後、実施例1と同様の方法で作成した鏡面仕上げ済みのアルミニウム基板表面に、突起を形成したシリコンカーバイド基板を密着させ、油圧プレス機を用い、4トン/cm2 の圧力を加えることによりアルミニウム板表面に窪みを形成した。
その後は、実施例1と同様の方法で、工程(2)〜(5)の処理を順に施し、実施例2のサンプルを得た。
(Example 2)
In the said Example 1, the projection board | substrate for the hollow formation process of a process (1) was created with the method of the following description. Specifically, an electron beam negative resist (SNR-M5: trade name of Tosoh Corporation) is spin-coated on a silicon carbide substrate on which a diamond thin film is deposited to a thickness of 0.5 μm, and approximately 0.1 μm is applied by electron beam exposure. Protrusions having a diameter of 25 nm and a height of 70 nm were regularly arranged with a period of 100 nm.
After that, a silicon carbide substrate with projections is brought into close contact with the mirror-finished aluminum substrate surface prepared by the same method as in Example 1, and aluminum is applied by applying a pressure of 4 ton / cm 2 using a hydraulic press. A depression was formed on the plate surface.
Thereafter, the processes of steps (2) to (5) were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a sample of Example 2.

(実施例3)
上記実施例1において、
工程(1)の突起基材の周期を62.5nmとし、工程(2)および(4)で処理液を0.30mol/Lの硫酸とし、電圧を25Vとし、工程(3)および(5)で処理時間を20分とした以外は、実施例1と同じ方法で、工程(1)〜(5)の処理を順に施し、実施例3のサンプルを得た。
(Example 3)
In Example 1 above,
The period of the protruding substrate in step (1) is 62.5 nm, the treatment liquid is 0.30 mol / L sulfuric acid in steps (2) and (4), the voltage is 25 V, and steps (3) and (5) In the same manner as in Example 1 except that the processing time was set to 20 minutes, the processes of Steps (1) to (5) were sequentially performed to obtain a sample of Example 3.

(実施例4)
上記実施例1において、工程(5)を省略した以外は、実施例1と同様の方法で、工程(1)〜(4)の処理を順に施し、実施例4のサンプルを得た。
Example 4
In the said Example 1, the process of (1)-(4) was performed in order by the method similar to Example 1 except having omitted the process (5), and the sample of Example 4 was obtained.

(実施例5)
上記実施例1において、工程(4)/(5)をそれぞれさらに2回追加した以外は、実施例1と同様の方法で、実施例5のサンプルを得た。
(Example 5)
A sample of Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Steps (4) / (5) were added twice more in Example 1 above.

(比較例1)
上記実施例1において、工程(3)、(4)、(5)を省略した以外は、実施例1と同様の方法で、工程(1)(2)の処理を順に施し、比較例1のサンプルを得た。
(Comparative Example 1)
In Example 1, except that Steps (3), (4), and (5) were omitted, Steps (1) and (2) were sequentially performed in the same manner as in Example 1, and Comparative Example 1 A sample was obtained.

(比較例2)
上記実施例1において、工程(4)、(5)を省略した以外は、実施例1と同様の方法で、工程(1)〜(3)の処理を順に施し、比較例2のサンプルを得た。
(Comparative Example 2)
In Example 1, except that steps (4) and (5) were omitted, the steps (1) to (3) were sequentially performed in the same manner as in Example 1 to obtain a sample of Comparative Example 2. It was.

2.構造体の形状解析
上記のようにして得られた実施例1〜5、及び、比較例1、2の構造体サンプルの表面方向からみた時のマイクロポアの真円度を評価した。
具体的には、得られた酸化皮膜を表面側からFE−SEMにて撮影し、画像解析ソフトにより1μm中の全ての孔形状を抽出して(なお、マイクロポア自体の配列は、実施例1〜5、比較例1、2いずれもハニカム配列を取っていた。)、各孔の等価円半径、最大半径、最小半径を求め、下記一般式により、真円度パラメータTを算出した。値が小さいほど真円に近いことを表す。結果を第1表に示す。
一般式(1):T=Σ(Smax−Smin)÷ΣS
ここで、Sは表面方向から孔を観察したときの等価円半径、Smaxは最大半径、Sminは最小半径を表す。
2. Shape analysis of structure The roundness of the micropore when viewed from the surface direction of the structure samples of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 obtained as described above was evaluated.
Specifically, the obtained oxide film was photographed by FE-SEM from the surface side, and all the hole shapes in 1 μm 2 were extracted by image analysis software (Note that the arrangement of the micropores itself is an example. 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 all had a honeycomb arrangement.) The equivalent circular radius, maximum radius, and minimum radius of each hole were determined, and the roundness parameter T was calculated according to the following general formula. The smaller the value, the closer to a perfect circle. The results are shown in Table 1.
General formula (1): T = Σ (S max −S min ) ÷ ΣS
Here, S represents an equivalent circular radius when the hole is observed from the surface direction, S max represents the maximum radius, and S min represents the minimum radius.

Figure 2008156716
Figure 2008156716

第1表から明らかなように、本発明の微細構造体の製造方法(実施例1〜5)は、真円度パラメータが小さく比較例1、2に比べて真円にちかい微細構造体を得ることができる。   As apparent from Table 1, the fine structure manufacturing method (Examples 1 to 5) of the present invention has a small roundness parameter and obtains a fine structure that is closer to a perfect circle than Comparative Examples 1 and 2. be able to.

図1(A)、(B)、(C)は、本発明の微細構造体の製造方法を説明するためのアルミニウム部材および微細構造体の模式的な端面図である。FIGS. 1A, 1B, and 1C are schematic end views of an aluminum member and a microstructure for explaining the method of manufacturing a microstructure according to the present invention. 図2(A)、(B)、(C)は、本発明の微細構造体の製造方法を説明するためのアルミニウム部材および微細構造体の模式的な端面図である。2A, 2B, and 2C are schematic end views of an aluminum member and a microstructure for explaining the manufacturing method of the microstructure of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、2、4、5、7、8、16a、16b、16c、16d マイクロポア
10a、10b、10c アルミニウム部材
12 アルミニウム基板
13 基板
14a、14b、14c、14d 陽極酸化皮膜
15 窪み
18a、18b、18c、18d バリア層
20a,20b 微細構造体
1, 2, 4, 5, 7, 8, 16a, 16b, 16c, 16d Micropore 10a, 10b, 10c Aluminum member 12 Aluminum substrate 13 Substrate 14a, 14b, 14c, 14d Anodized film 15 Recess 18a, 18b, 18c 18d Barrier layer 20a, 20b Fine structure

Claims (4)

下記の工程をこの順序で含む微細構造体の製造方法:
(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程、
(2)該アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、
(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程、
(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程。
A method for producing a microstructure comprising the following steps in this order:
(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface,
(2) a step of anodizing the aluminum member to form an anodized film having micropores;
(3) a step of dissolving at least a part of the anodized film with an acid or an alkali;
(4) A step of anodizing to grow new micropores in the depth direction.
さらに、(5)前記マイクロポアの断面形状が直管構造となるように陽極酸化皮膜の一部を除去する工程を含む請求項1に記載の微細構造体の製造方法。   Furthermore, (5) The manufacturing method of the microstructure of Claim 1 including the process of removing a part of an anodic oxide film so that the cross-sectional shape of the said micropore may become a straight pipe structure. 下記の工程をこの順序で含む微細構造体の製造方法:
(1)アルミニウム部材表面に所望の配列を有する窪みを形成する工程、
(2)該アルミニウム部材を陽極酸化処理しマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程、
(3)酸またはアルカリで少なくとも該陽極酸化皮膜の一部を溶解する工程、
(4)陽極酸化処理し、これにより深さ方向に向かって新たなマイクロポアを成長させる工程、
(5)前記マイクロポアの断面形状が直管構造となるように陽極酸化皮膜の一部を除去する工程、
(6)前記(4)工程および前記(5)工程を少なくとも1回繰返す工程。
A method for producing a microstructure comprising the following steps in this order:
(1) The process of forming the hollow which has a desired arrangement | sequence on the aluminum member surface,
(2) a step of anodizing the aluminum member to form an anodized film having micropores;
(3) a step of dissolving at least a part of the anodized film with an acid or an alkali;
(4) Anodizing, thereby growing new micropores in the depth direction;
(5) a step of removing a part of the anodized film so that the cross-sectional shape of the micropore has a straight tube structure;
(6) A step of repeating the step (4) and the step (5) at least once.
前記請求項1〜3のいずれかに記載の微細構造体の製造方法で得られる微細構造体。   The fine structure obtained by the manufacturing method of the fine structure in any one of the said Claims 1-3.
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