JP2008215951A - Radiation detector - Google Patents
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Abstract
【課題】シンチレータ層への水分侵入を防ぎ、高温高湿条件の加速試験においてシンチレータ層の劣化を抑制すると共に、シンチレータ層で発生した可視光を光電変換素子に効率的に放射させることが可能な間接方式の放射線検出器を提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の蓄積キャパシタと、これら薄膜トランジスタおよび蓄積キャパシタを含む前記透明基板上に形成された絶縁層と、前記各薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子とを有する電極基板;電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および少なくともシンチレータ層に形成され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層を含む前記電極基板表面に形成された接着層と、この接着層に接着され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;を備える。
【選択図】 図1It is possible to prevent moisture from entering the scintillator layer, suppress deterioration of the scintillator layer in an accelerated test under a high temperature and high humidity condition, and efficiently radiate visible light generated in the scintillator layer to a photoelectric conversion element. An indirect radiation detector is provided.
A transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, and the thin film transistors, respectively. An electrode substrate having a plurality of photoelectric conversion elements that are connected and convert visible light into an electrical signal; a scintillator layer that is formed on the electrode substrate and converts radiation into visible light; and at least a scintillator layer that is highly thermoplastic. A reflective film layer containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in the molecular compound, an adhesive layer formed on the surface of the electrode substrate including the reflective film layer, and water adhered at 40 ° C. and 90 RH A protective layer having a moisture-proof layer having a transmittance of 0.5 g / m 2 / day or less.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出器に関する。 The present invention relates to a radiation detector that converts incident radiation into an electrical signal.
新世代のX線診断用画像検出器としてアクティブマトリックス型の平面検出器が開発されている。この平面検出器において、照射されたX線を検出することにより、X線撮影像またはリアルタイムのX線画像がデジタル信号として出力される。 As a new generation X-ray diagnostic image detector, an active matrix type flat detector has been developed. By detecting irradiated X-rays in this flat detector, an X-ray image or a real-time X-ray image is output as a digital signal.
この種の平面検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との二通りの方式がある。直接方式は、X線をX線変換膜にて直接電荷信号に変換させることによって画像を取得する方式である。一方、間接方式はX線をシンチレータ層にて可視光に変化させてから、この可視光をアモルファスシリコン(a−Si)フォトダイオードやCCDなどの光電変換素子で電荷信号に変換させて画像を取得する方式である。 There are two types of flat detectors of this type: a direct method and an indirect method. The direct method is a method of acquiring an image by converting X-rays directly into a charge signal by an X-ray conversion film. On the other hand, in the indirect method, X-rays are changed to visible light by a scintillator layer, and then the visible light is converted into a charge signal by a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or CCD to acquire an image. It is a method to do.
直接方式の平面検出器に用いるX線変換膜としては、アモルファスセレン(a−Se)や、ヨウ化鉛(PbI2)、ヨウ化水銀(HgI2)などの材料を使用することが検討されている。このX線変換膜は、X線を直接電荷信号に変換するため、解像度特性が良好な画像を取得できる。しかしながら、このX線変換膜は大気雰囲気下に放置すると水分の影響により材料の劣化を起こし、感度特性や解像度特性が低下する。 The use of materials such as amorphous selenium (a-Se), lead iodide (PbI 2 ), mercury iodide (HgI 2 ) has been studied as an X-ray conversion film used for a direct-type flat panel detector. Yes. Since this X-ray conversion film converts X-rays directly into a charge signal, an image with good resolution characteristics can be acquired. However, when this X-ray conversion film is left in an air atmosphere, the material deteriorates due to the influence of moisture, and the sensitivity characteristics and resolution characteristics deteriorate.
また、間接方式の平面検出器に用いるシンチレータ層としては、ヨウ化セシウム:ナトリウム(CsI:Na)や、ヨウ化セシウム:タリウム(CsI:Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S)などの材料が用いられている。このシンチレータ層は、ダイシングなどによって溝を形成するか、または柱状構造に堆積させたるか、いずれかにより柱状構造を持たせることによって解像度特性の向上が図られている。ところが、このシンチレータ層に用いられる材料は強い吸湿性を示すものが多く、大気雰囲気下に放置すると感度特性や解像度特性が劣化する。 As a scintillator layer used for an indirect type flat panel detector, cesium iodide: sodium (CsI: Na), cesium iodide: thallium (CsI: Tl), sodium iodide (NaI), gadolinium oxysulfide (Gd) Materials such as 2 O 2 S) are used. The scintillator layer is improved in resolution characteristics by forming a groove by dicing or the like, or by depositing it on a columnar structure, or by providing the columnar structure. However, many materials used for the scintillator layer exhibit strong hygroscopicity, and sensitivity characteristics and resolution characteristics deteriorate when left in an air atmosphere.
このようなことから、直接方式の平面検出器に用いるX線変換膜および間接方式の平面検出器に用いるシンチレータ層の特性の劣化を防ぐために、大気や水分に対する遮蔽性を有するとともにX線に対する透過性を有する保護層を設けることが考えられている。特許文献1には、真空あるいは不活性性ガス雰囲気下での蒸発堆積法によって形成したキシリレン系樹脂などの有機膜を保護層として用いることが開示されている。特許文献2には、酸窒化珪素などの無機膜を保護層として用いることが開示されている。
しかしながら、特許文献1に記載の蒸発堆積法にて得られた保護層は、成膜に長時間を要する。高価な蒸着装置を必要とする。また、樹脂の構造が剛直で、基板との接着力が弱く、熱膨張差による剥離を生じる虞がある。樹脂保護層と基板の間での接着力の弱さにより、保護層の端辺において水分透過率が大きくなるため、感度特性や解像度特性の劣化を長時間抑制することが困難になる。さらに、有機膜からなる保護層は形成直後のピンホールなどの欠陥が少なく、薄膜でもクラックが生じ難い特性を有する。しかしながら、X線検出器の組み立てにおいて有機膜のガラス転移温度(Tg)を越える加熱プロセスが加えられるため、有機膜が軟化および変性によってピンホールなどの欠陥が発生して水分透過率が大きくなる虞がある。
However, the protective layer obtained by the evaporation deposition method described in
これに対し、特許文献2に記載の無機膜からなる保護層はガラス転移温度(Tg)が高いため、加熱プロセスによる欠陥発生はないが、薄膜での機械的強度が小さいためにクラックが発生し易い。
On the other hand, the protective layer made of an inorganic film described in
一方、有機物による蒸着法においては基板側の柱状結晶の隙間に樹脂が入り込んで堆積することにより柱状結晶と隙間との屈折率比が1に近くなるため、柱状結晶内の反射効率が小さくなり、長期間安定した高い感度特性および解像度特性を得ることが困難になる。 On the other hand, in the vapor deposition method using an organic substance, the refractive index ratio between the columnar crystal and the gap is close to 1 due to the resin entering the gap between the columnar crystals on the substrate side, and the reflection efficiency in the columnar crystal is reduced. It becomes difficult to obtain high sensitivity characteristics and resolution characteristics that are stable for a long period of time.
本発明は、シンチレータ層への水分侵入を防ぎ、高温高湿条件の加速試験においてシンチレータ層の劣化を抑制すると共に、シンチレータ層で発生した可視光を光電変換素子に効率的に放射させることが可能な間接方式の放射線検出器を提供することを目的とする。 The present invention prevents moisture from entering the scintillator layer, suppresses deterioration of the scintillator layer in an accelerated test under a high temperature and high humidity condition, and can efficiently emit visible light generated in the scintillator layer to the photoelectric conversion element. And an indirect radiation detector.
本発明の第1態様によると、透明基板と、この透明基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の蓄積キャパシタと、これら薄膜トランジスタおよび蓄積キャパシタを含む前記透明基板上に形成された絶縁層と、前記各薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子とを有する電極基板;
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
少なくとも前記シンチレータ層に形成され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層を含む前記電極基板表面に形成された接着層と、この接着層に接着され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器が提供される。
According to the first aspect of the present invention, a transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, An electrode substrate connected to each of the thin film transistors and having a plurality of photoelectric conversion elements for converting visible light into electrical signals;
A scintillator layer formed on the electrode substrate for converting radiation into visible light; and a reflective film layer formed on at least the scintillator layer and containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in a thermoplastic polymer compound; A protective layer having an adhesive layer formed on the surface of the electrode substrate including a film layer, and a moisture-proof layer adhered to the adhesive layer and having a moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH;
A radiation detector is provided.
本発明の第2態様によると、透明基板と、この透明基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の蓄積キャパシタと、これら薄膜トランジスタおよび蓄積キャパシタを含む前記透明基板上に形成された絶縁層と、前記各薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子とを有する電極基板;
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
少なくとも前記シンチレータ層に形成され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、電極基板表面および前記シンチレータ層側面の前記反射膜層に位置して接着される枠状接着層と、この枠状接着層上に接着され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器が提供される。
According to a second aspect of the present invention, a transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, An electrode substrate connected to each of the thin film transistors and having a plurality of photoelectric conversion elements for converting visible light into electrical signals;
A scintillator layer formed on the electrode substrate for converting radiation into visible light; and a reflective film layer formed on at least the scintillator layer and containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in a thermoplastic polymer compound; and the electrode substrate A frame-like adhesive layer located on the surface and the side of the scintillator layer and adhered to the reflective film layer, and adhered onto the frame-like adhesive layer, and moisture permeability at 40 ° C. and 90 RH is 0.5 g / m 2 / a protective layer having a moisture-proof layer of day or less;
A radiation detector is provided.
本発明の第3態様によると、透明基板と、この透明基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の蓄積キャパシタと、これら薄膜トランジスタおよび蓄積キャパシタを含む前記透明基板上に形成された絶縁層と、前記各薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子とを有する電極基板;
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
前記シンチレータ層を含む前記電極基板に接着される接着層と、この接着層に接着され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層に積層され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器が提供される。
According to a third aspect of the present invention, a transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, An electrode substrate connected to each of the thin film transistors and having a plurality of photoelectric conversion elements for converting visible light into electrical signals;
A scintillator layer that is formed on the electrode substrate and converts radiation into visible light; and an adhesive layer that is bonded to the electrode substrate including the scintillator layer; and a titanium oxide that is bonded to the adhesive layer and is formed on the thermoplastic polymer compound. A protective layer having a reflective film layer containing 70% by weight or more of a powder and a moisture-proof layer laminated on the reflective film layer and having a moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH;
A radiation detector is provided.
本発明の第4態様によると、透明基板と、この透明基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の蓄積キャパシタと、これら薄膜トランジスタおよび蓄積キャパシタを含む前記透明基板上に形成された絶縁層と、前記各薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子とを有する電極基板;
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
電極基板表面および前記シンチレータ層側面に位置して接着される枠状接着層と、この接着層上に接着され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層上に積層され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器が提供される。
According to a fourth aspect of the present invention, a transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, An electrode substrate connected to each of the thin film transistors and having a plurality of photoelectric conversion elements for converting visible light into electrical signals;
A scintillator layer that is formed on the electrode substrate and converts radiation into visible light; and a frame-like adhesive layer that is bonded to the electrode substrate surface and the side surface of the scintillator layer; A reflective film layer containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in a polymer compound; a moisture-proof layer laminated on the reflective film layer and having a moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH; A protective layer having:
A radiation detector is provided.
本発明によれば、シンチレータ層への水分侵入を防ぎ、高温高湿条件の加速試験においてのシンチレータ層の劣化を抑制すると共に、シンチレータ層で発生した可視光を光電変換素子に効率的に放射させることが可能で、高い感度特性および解像度特性を長期間に亘って安定して維持することが可能な放射線検出器を提供することができる。 According to the present invention, moisture penetration into the scintillator layer is prevented, deterioration of the scintillator layer in an accelerated test under a high temperature and high humidity condition is suppressed, and visible light generated in the scintillator layer is efficiently emitted to the photoelectric conversion element. It is possible to provide a radiation detector capable of stably maintaining high sensitivity characteristics and resolution characteristics over a long period of time.
以下、本発明の実施形態に係る放射線検出器を図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a radiation detector according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る放射線検出器である間接変換方式のX線検出器を示す要部断面図、図2は図1のX線検出器の保護層の形成工程を示す概略断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing an indirect conversion type X-ray detector that is a radiation detector according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a protective layer forming step of the X-ray detector of FIG. FIG.
間接変換方式のX線検出器1は、電極基板であるアクティブマトリクス光変換基板2を備えている。光電変換基板2は、例えばコーニング社製商品名:コーニング1737からなる透光性基板(ガラス基板)3と、このガラス基板3の一主面上にマトリクス状に形成されたスイッチング素子としての複数の薄膜トランジスタ4および矩形平板状の複数の蓄積キャパシタ5と、これらの薄膜トランジスタ4および蓄積キャパシタ5上に形成された絶縁層(平坦化樹脂層)6と、この平坦化樹脂層6上に薄膜トランジスタ4と接続するように形成され、可視光を電気信号に変換する光電変換素子、例えばフォトダイオード7とを備えている。
The indirect conversion
前記薄膜トランジスタ4はガラス板3上に形成されたゲート電極11を有し、前記蓄積キャパシタ5はガラス板3上に形成された第1電極12を有する。ゲート絶縁膜および誘電体膜を兼ねる絶縁膜13は、前記電極11,12を含む前記ガラス板3全面に形成されている。例えば不純物ドープ多結晶シリコンからなる活性層14は、前記絶縁膜13上に前記ゲート電極11と対向するように形成されている。不純物ドープ多結晶シリコンからなる第2電極15は、前記絶縁膜13上に前記第1電極12と対向するように形成されている。ソース電極16は、前記活性層14の一方の端部(例えば左端部)に重なるように前記絶縁膜13上に形成されている。ドレイン電極17は、前記活性層14の他方の端部(例えば右端部)および前記第2電極15の一端(例えば左端部)に重なるように前記絶縁膜13上に形成されている。前記平坦化樹脂層6は、活性層14、第2電極15、ソース電極16およびドレイン電極17を含む前記絶縁膜13全面に形成されている。
The
前記フォトダイオード7は、アモルファスシリコン(a−Si)のpnダイオード構造あるいはpinダイオード構造として画素毎に前記平坦化樹脂層6上に形成されている。フォトダイオード7は、第1電極である収電電極21および第2電極である例えばITO(Indium-Tin Oxide)からなるバイアス電極22を有する。収電電極21は、平坦化樹脂層6のスルーホール23を通して前記ドレイン電極17に接続されている。バイアス電極22は、バイアス電圧の印加により収電電極21の間でバイアス電界が形成される。フォトダイオード7および収電電極21、バイアス電極22を除く平坦化樹脂層6上には絶縁樹脂層24がバイアス電極22と面一になるように形成されている。
The photodiode 7 is formed on the
ガラス基板3の表面における行方向に沿った一側縁には、各薄膜トランジスタ4の動作状態、例えば各薄膜トランジスタ4のオンおよびオフを制御する細長矩形平板状の高速信号処理部(図示せず)が取り付けられている。この高速信号処理部は、信号の読み出しを制御したり、読み出された信号を処理したりするためのラインドライバである。高速信号処理部には、複数の制御ライン(図示せず)の一端が電気的に接続されている。各制御ラインは、各画素間に位置するようにガラス基板3の行方向に沿って配線されている。また、各制御ラインは同じの行の各画素を構成する薄膜トランジスタ4のゲート電極11にそれぞれ電気的に接続されている。
On one side edge along the row direction on the surface of the glass substrate 3, there is a high-speed signal processing unit (not shown) in the form of an elongated rectangular plate that controls the operation state of each
ガラス基板3の表面には、複数のデータライン(図示せず)が各画素間に位置するように列方向に沿って配線されている。各データラインは、同じ列の画素を構成する薄膜トランジスタ4のソース電極16にそれぞれ電気的に接続され、同じ列の画素を構成する薄膜トランジスタ4から画像データ信号を受信する。各データラインの一端は、高速信号処理部に電気的に接続され、さらに高速信号処理部はデジタル画像処理部としてのデジタル画像伝送部(図示せず)と電気的に接続されている。このデジタル画像伝送部は、光電変換基板2の外側に導出された状態で取り付けられている。
On the surface of the glass substrate 3, a plurality of data lines (not shown) are wired along the column direction so as to be positioned between the pixels. Each data line is electrically connected to the
入射するX線を可視光に変換するシンチレータ層31は、バイアス電極22を含む絶縁樹脂層24上に形成されている。このシンチレータ層31は、例えば蒸着法、エレクトロビーム法またはスパッタ法などの方法で、個別な柱状構造31aにヨウ化ナトリウム(NaI)やヨウ化セシウム(CsI)などの蛍光体を堆積させて構成された柱状結晶である。したがって、シンチレータ層31は柱状結晶によって発生した光の拡散が小さく、高い解像度を有する。
A
大気や水分に対する遮蔽性とX線に対する透過性とを有する保護層41は、シンチレータ層31の表面および側面を含む光電変換基板2表面に形成されている。この保護層41は、シンチレータ層31の表面および側面に形成された熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層42と、この反射膜層42に接着された接着層43と、この接着層43に積層された40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層44とから構成されている。
The
このような保護層41は、例えば図2に示すようにシンチレータ層31の表面および側面に熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜用塗料を予め塗布して反射膜層42を形成し、一方の面に接着層43を有する防湿層44を反射膜層42を含む光電変換基板2表面に接着層43を介して接着することによって作製される。
For example, as shown in FIG. 2, the
前記保護層41を構成する反射膜層42、接着層43および防湿層44を以下に詳述する。
The
(反射膜層)
反射膜層は、シンチレータ層31への放射線(例えばX線)の入射によりで発生した可視光をフォトダイオード7に向けて反射する役目をなし、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する組成を有する。ここで、酸化チタン粉末は放射線(例えばX線)を吸収したり、反射したりせずに透過するものの、シンチレータ層31への放射線(例えばX線)の入射によりで発生した可視光に対して反射する反射材料として機能する。すなわち、酸化チタン粉末を含有する反射膜層42を有する保護層41は放射線(例えばX線)に対して高い透過性を示す。
(Reflective film layer)
The reflective film layer plays a role of reflecting visible light generated by the incidence of radiation (for example, X-rays) to the
熱可塑性高分子化合物としては、例えばブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。 As the thermoplastic polymer compound, for example, butyral resin, polyester resin, acrylic resin, styrene resin, silicone resin, epoxy resin and the like can be used.
酸化チタン粉末は、0.1〜1μmの平均径を有することが好ましい。酸化チタン粉末は、熱可塑性高分子化合物の劣化を防ぐためにアルミナやアルミナと有機物を用いて表面処理が施されていることが好ましい。 The titanium oxide powder preferably has an average diameter of 0.1 to 1 μm. The titanium oxide powder is preferably subjected to a surface treatment using alumina, alumina and an organic substance in order to prevent deterioration of the thermoplastic polymer compound.
熱可塑性高分子化合物中の酸化チタン粉末の含有量を70重量%未満にすると、可視光に対する反射性が低下する虞がある。酸化チタン粉末の含有量の上限は、前記シンチレータ層31への密着性(接着性)を考慮して95重量%以下にすることが好ましい。
When the content of the titanium oxide powder in the thermoplastic polymer compound is less than 70% by weight, the reflectivity to visible light may be reduced. The upper limit of the content of titanium oxide powder is preferably 95% by weight or less in consideration of adhesion (adhesiveness) to the
反射膜層は、50〜800μmの厚さを有することが好ましい。 The reflective film layer preferably has a thickness of 50 to 800 μm.
なお、前記反射膜層の形成のための反射膜用塗料を調製するには、例えば熱可塑性高分子化合物を溶媒に溶解させ、この溶液に酸化チタン粉末を所定量添加した後、自公転式混合機などで予め混合し、さらにホモジナイザー、三本ロール、サンドミルなどを用いて均一分散させる方法が採用される。 In order to prepare a coating for a reflective film for forming the reflective film layer, for example, a thermoplastic polymer compound is dissolved in a solvent, and a predetermined amount of titanium oxide powder is added to the solution, followed by a revolving mixing. A method of pre-mixing with a machine or the like and further uniformly dispersing using a homogenizer, three rolls, sand mill or the like is employed.
(接着層)
接着層は、一般の接着剤、粘着剤を使用することができる。具体的には、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、酢酸ビニル系粘着剤のようなはゴム系粘着剤、またはエポキシ樹脂系粘着剤、フェノール樹脂系粘着剤、ポリイミド樹脂系粘着剤等を使用することができる。中でも、大型のX線検出器を考慮し、弾性率の低い接着剤や粘着剤、例えば室温で粘着性を示すアクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤またはブチルゴム系粘着剤から接着層を形成することが好ましい。
(Adhesive layer)
A general adhesive agent and an adhesive can be used for the adhesive layer. Specifically, acrylic adhesives, silicone adhesives, vinyl acetate adhesives, etc. use rubber adhesives, epoxy resin adhesives, phenol resin adhesives, polyimide resin adhesives, etc. can do. In particular, in consideration of large X-ray detectors, an adhesive layer is formed from an adhesive or pressure sensitive adhesive having a low elastic modulus, for example, an acrylic pressure sensitive adhesive, a silicone pressure sensitive adhesive, or a butyl rubber based pressure sensitive adhesive at room temperature. Is preferred.
接着層中には、端部からの水分の浸入を防ぐため、樹脂成分に水分遮蔽と熱膨張率を調整するすると共に、塗膜性を向上させる目的で破砕状、球状、亜球状、燐片状の無機成分(特に表面平滑性を考慮して平均粒径10μm以下の球状あるいは亜球状の無機成分)または耐クラック性の補強効果を図る目的で繊維状の無機成分を添加することも可能である。 In the adhesive layer, in order to prevent moisture from entering from the edges, the resin component is adjusted for moisture shielding and coefficient of thermal expansion, and in order to improve the coating properties, it is crushed, spherical, subspherical, flakes It is also possible to add a fibrous inorganic component (in particular, a spherical or subspherical inorganic component having an average particle diameter of 10 μm or less in consideration of surface smoothness) or a fibrous inorganic component for the purpose of reinforcing crack resistance. is there.
破砕状等の無機成分としては、例えば溶融シリカ、結晶性シリカ、ガラス、タルク、アルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、マグネシア、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、雲母などが用いられる。これらの無機成分の中で特に溶融シリカあるいは結晶性シリカが好ましい。 Examples of inorganic components such as crushed materials include fused silica, crystalline silica, glass, talc, alumina, calcium silicate, calcium carbonate, barium sulfate, magnesia, silicon nitride, boron nitride, aluminum nitride, magnesium oxide, beryllium oxide, Mica is used. Of these inorganic components, fused silica or crystalline silica is particularly preferable.
繊維状の無機成分としては、例えばチタニア、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、チタン酸カリウム、塩基性マグネシウム、酸化亜鉛、グラファイト、マグネシア、硫酸カルシウム、ホウ酸マグネシウム、二ホウ化チタン、α−アルミナ、クリソタイル、ワラストナイトなどのウィスカ類、またはEガラス繊維、シリカアルミナ繊維、シリカガラス繊維などの非晶質繊維、チラノ繊維、炭化ケイ素繊維、ジルコニア繊維、γアルミナ繊維、α−アルミナ繊維、PAN系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維などの結晶性繊維などを使用できる。これらの繊維状の無機成分は、平均繊維径が5μm以下で最大繊維長が10μm以下のものが塗膜表面の均一性の点で好ましい。 Examples of fibrous inorganic components include titania, aluminum borate, silicon carbide, silicon nitride, potassium titanate, basic magnesium, zinc oxide, graphite, magnesia, calcium sulfate, magnesium borate, titanium diboride, α- Whiskers such as alumina, chrysotile, wollastonite, or amorphous fibers such as E glass fiber, silica alumina fiber, silica glass fiber, Tyranno fiber, silicon carbide fiber, zirconia fiber, γ alumina fiber, α-alumina fiber, Crystalline fibers such as PAN-based carbon fibers and pitch-based carbon fibers can be used. Of these fibrous inorganic components, those having an average fiber diameter of 5 μm or less and a maximum fiber length of 10 μm or less are preferable from the viewpoint of the uniformity of the coating film surface.
無機成分は、樹脂成分および無機成分の総量に対して0.1〜50重量%の範囲で配合することが好ましい。無機成分の配合量を0.1重量%未満にすると、接着層の熱膨張率が大きくなり、耐熱衝撃性の向上を期待できなくなる虞がある。一方、無機成分の配合量が50重量%を超えると、接着層の流動性が不十分となり、作業性が低下し、ボイドの発生原因になって、均一な厚さの保護層を形成することが困難となる。 The inorganic component is preferably blended in the range of 0.1 to 50% by weight with respect to the total amount of the resin component and the inorganic component. When the blending amount of the inorganic component is less than 0.1% by weight, the thermal expansion coefficient of the adhesive layer increases, and there is a possibility that improvement in thermal shock resistance cannot be expected. On the other hand, when the blending amount of the inorganic component exceeds 50% by weight, the fluidity of the adhesive layer becomes insufficient, the workability decreases, and voids are generated, thereby forming a protective layer with a uniform thickness. It becomes difficult.
弾性率の高い樹脂成分を用いる接着層の場合、X線検出器が冷熱サイクルを受けたときの時の耐クラック性を向上させる点から、熱可塑性樹脂、ゴム成分、各種オリゴマなどを添加して弾性率を下げることが可能である。熱可塑性樹脂としては、例えばブチラール樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、MBS樹脂、ABS樹脂や、シリコーンオイル、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどで変性させることもできる。 In the case of an adhesive layer using a resin component having a high elastic modulus, a thermoplastic resin, a rubber component, various oligomers, and the like are added in order to improve crack resistance when the X-ray detector is subjected to a thermal cycle. It is possible to lower the elastic modulus. Examples of the thermoplastic resin may be modified with butyral resin, polyamide resin, aromatic polyester resin, phenoxy resin, MBS resin, ABS resin, silicone oil, silicone resin, silicone rubber, fluororubber, or the like.
接着層には、さらに各種プラスチック粉末、各種エンジニアリングプラスチック粉末などを添加することもできる。また、接着層には接着性をさらに向上せるための接着性付与剤や、撥水剤、撥油剤、防虫剤、紫外線吸収剤、抗菌剤、帯電防止剤、塗料定着剤、防シワ剤、酸化防止剤、界面活性剤、カップリング剤、着色剤などを添加して配合することもできる。 Various plastic powders, various engineering plastic powders, and the like can be further added to the adhesive layer. In addition, the adhesive layer has an adhesion-imparting agent to further improve the adhesion, water repellent, oil repellent, insect repellent, ultraviolet absorber, antibacterial agent, antistatic agent, paint fixing agent, anti-wrinkle agent, oxidation An inhibitor, a surfactant, a coupling agent, a colorant and the like can be added and blended.
樹脂成分に無機成分を配合するには、樹脂成分に無機成分を添加し、必要に応じて溶剤を添加し、三本ロール、ボールミル、サンドミル、らいかい機、ホモジナイザ、自公転式混合装置、万能混合機、押出し機、ヘンシェルミキサなどを用いて均一に混合する方法を採用することができる。 To add inorganic components to the resin component, add the inorganic component to the resin component, add solvent as necessary, three rolls, ball mill, sand mill, rakai machine, homogenizer, self-revolving mixer, universal A method of uniformly mixing using a mixer, an extruder, a Henschel mixer, or the like can be employed.
(防湿層)
防湿層は、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の特性を有し、例えば無機物蒸着樹脂フィルムを用いることができる。
(Dampproof layer)
The moisture-proof layer has a characteristic of moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH, and for example, an inorganic vapor deposited resin film can be used.
フィルム基材としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、PVA、PCTFEなどの熱可塑性樹脂が好ましく、アロイ化されたものも使用できる。 As the film substrate, for example, thermoplastic resins such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, PVA, and PCTFE are preferable, and an alloyed one can also be used.
無機物蒸着層としては、例えば二酸化珪素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化珪素(Si3N4)が好ましい。 As the inorganic deposition layer, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and silicon nitride (Si 3 N 4 ) are preferable.
具体的な無機物蒸着樹脂フィルムとしては、シリカ蒸着膜を形成させたテックバリアフィルムであるV、P2、H、T、TZ、NY、NR、S(いずれも三菱樹脂株式会社製商品名)、GLフィルムのアルミナ蒸着フィルムであるGL−AU、GL−AE、GL−AEH、GL−AEY、GL−AEO、アルミナ蒸着GXフィルムGX(いずれも凸版印刷株式会社製商品名)、GLフィルムのシリカ蒸着フィルムであるGL−E(凸版印刷株式会社製商品名)等を挙げることができる。 Specific inorganic vapor-deposited resin films include V, P2, H, T, TZ, NY, NR, and S (all trade names made by Mitsubishi Plastics), GL, which are tech barrier films formed with a silica vapor-deposited film. GL-AU, GL-AE, GL-AEH, GL-AEY, GL-AEO, alumina-deposited GX film GX (all trade names manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.), and GL film-silica-deposited film GL-E (trade name, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.) and the like.
防湿層は、前記無機物蒸着樹脂フィルムを多層化して用いることができる。 The moisture-proof layer can be used by multilayering the inorganic deposited resin film.
防湿層は、10〜500μmの厚さを有することが好ましい。 It is preferable that the moisture-proof layer has a thickness of 10 to 500 μm.
前記多層化フィルムの形成方法としては、例えば防湿層に前記接着剤をスクリーン印刷法、メタルスクリーン印刷法、ディスペンス法、圧着法、ディピング、刷毛塗り、ローラ塗り、流し塗り、各種スプレ塗装、ダイコータ、ナイフコータ、スピンコータ、カーテンフローコータ、リバースコータなどにより塗布した後、この塗膜を乾燥する方法を採用することができる。塗膜の乾燥方法は、自然乾燥、通風乾燥、加熱乾燥、真空乾燥、マイクロ波を用いた乾燥、超音波を用いた乾燥を使用できる。 As the method for forming the multilayer film, for example, the adhesive is applied to the moisture-proof layer by a screen printing method, a metal screen printing method, a dispensing method, a pressure bonding method, dipping, brush coating, roller coating, flow coating, various spray coatings, a die coater, A method of drying the coating film after applying with a knife coater, spin coater, curtain flow coater, reverse coater or the like can be employed. As a method for drying the coating film, natural drying, ventilation drying, heat drying, vacuum drying, drying using microwaves, and drying using ultrasonic waves can be used.
次に、第1実施形態に係るX線検出器の作用について説明する。 Next, the operation of the X-ray detector according to the first embodiment will be described.
まず、X線を保護層41を通してシンチレータ層31に入射すると、シンチレータ層31で可視光が発生される。可視光は、保護層41およびフォトダイオード7に向けて放射される。保護層41には、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層42を有するため、この反射膜層42で可視光が反射されてフォトダイオード7に向けて放射される。可視光は、フォトダイオード7で光電変換される。このとき、フォトダイオード7を挟んで上部側のバイアス電極22にバイアス電圧を印加して収電電極21にバイアス電界を発生させることにより、フォトダイオード7で生じた電荷(信号電荷)は、収電電極21に移動し、この収電電極21からドレイン電極17などを通して蓄積キャパシタ5に蓄積される。
First, when X-rays enter the
一方、この蓄積キャパシタ5に蓄積された信号電荷は、図示しない高速信号処理部で例えば画素単位の行ごとに順に制御されて読み出される。
On the other hand, the signal charges stored in the
すなわち、高速信号処理部から図示しないデータラインを通して第1行目に位置する画素単位のゲート電極11にそれぞれ例えば10Vのオン信号を入力して、第1行目の画素単位の薄膜トランジスタ4をそれぞれオン状態にする。薄膜トランジスタ4のオンにより第1行目の画素単位の蓄積キャパシタ5に蓄積された信号電荷は、ドレイン電極17からソース電極16に電気信号として出力される。ソース電極16に出力した電気信号は、それぞれ高速信号処理部によって増幅される。増幅された電気信号は、デジタル画像伝送部(図示せず)に出力され、直列信号に変換され、さらにデジタル信号に変換されて図示しない次段の信号処理回路へと送られる。
That is, an ON signal of, for example, 10 V is input from the high-speed signal processing unit to the pixel-
第1行目に位置する画素単位の蓄積キャパシタ5の電荷の読み出しが終了すると、高速信号処理部からデータラインを通して第1行目の画素単位のゲート電極11に対して、例えば−5Vのオフ信号が入力されて第1行目の画素単位の薄膜トランジスタ4をそれぞれオフ状態にする。
When the readout of the charge of the
この後、上述した動作が第2行目以下の画素単位に対しても順になされる。全ての画素単位の蓄積キャパシタ5に蓄積した信号電荷が読み出され、順次デジタル信号に変換されて出力されて、1つのX線画面に対応する電気信号が図示しないデジタル画像伝送部から出力される。
Thereafter, the above-described operation is sequentially performed for the pixel units in the second row and thereafter. The signal charges stored in the
以上説明したように、第1実施形態によればX線検出器1のシンチレータ層31を含む電極基板(光変換基板)2上に反射膜層42と接着層43と40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の優れた防湿性能を有する防湿層44とをこの順序で積層した保護層41を設けることによって、シンチレータ層31への水分侵入を抑制することが可能になる。特に、反射膜層42をシンチレータ層31の表面および側面に形成し、接着層43をこの反射膜層42から光変換基板2表面に亘って形成することによって、保護層41の端部側面からシンチレータ層31に向かう水分の浸入を抑制できる。しかも、接着層43として室温で粘着性を示すアクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤またはブチルゴム系粘着剤を用いることによって、光変換基板2に対して安定した接着性を示し、端部側面からからシンチレータ層31に向かう水分の浸入をより確実に抑制できる。
As described above, according to the first embodiment, on the electrode substrate (light conversion substrate) 2 including the
また、X線が入射されたシンチレータ層31で発生された可視光を熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層42によりフォトダイオード7に向けて反射できるため、フォトダイオード7での光電変換効率を向上できる。
Further, since visible light generated in the
さらに、反射膜層42は熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する組成を有し、例えば簡易な塗布法によりシンチレータ層31に形成できる。この後、接着層43と防湿層44の多層化フィルムを反射膜層42に重ねて接着することにより三層構造の保護層41を形成できる。その結果、従来の蒸着膜を反射層として用いた場合のような大掛かりな設備を必要とせず、反射膜層42を有し、ピンホールなどの欠陥のない保護層41を形成できる。
Furthermore, the
したがって、シンチレータ層31への水分侵入を防ぎ、高温高湿条件の加速試験においてシンチレータ層31の劣化を抑制して解像度および発光効率の低下を防止でき、かつシンチレータ層31で発生した可視光を光電変換素子(フォトダイオード)7に効率的に放射させてフォトダイオード7での光電変換効率を向上できるため、高い感度特性および解像度特性を長期間に亘って維持することが可能なX線検出器を提供できる。
Accordingly, it is possible to prevent moisture from entering the
(第2実施形態)
図3は、第2実施形態に係る放射線検出器(例えばX線検出器)において、シンチレータ層への保護層の形成工程を示す概略断面図である。なお、図3において前述した図1、図2と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a process of forming a protective layer on the scintillator layer in the radiation detector (for example, X-ray detector) according to the second embodiment. In FIG. 3, the same members as those in FIGS. 1 and 2 described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第2実施形態は、シンチレータ層31を含む電極基板(光変換基板)2上に熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜用塗料を予め塗布して反射膜層42を形成し、この反射膜層42を含む電極基板(光変換基板)2上に一方の面の周辺に枠状接着層45を有し、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層44を前記枠状接着層45が反射膜層42を含むシンチレータ層31側面および光変換基板2表面に位置するように接着して保護層を形成した構造を有する。
In the second embodiment, a reflective film coating material containing 70 wt% or more of a titanium oxide powder in a thermoplastic polymer compound is applied in advance on an electrode substrate (light conversion substrate) 2 including a
このような第2実施形態によれば、防湿層44を枠状接着層45を用いて反射膜層42で覆われたシンチレータ層31を含む光変換基板2に形成することによって、保護層の端部側面からシンチレータ層31に向かう水分の浸入を前述した第1実施形態の保護層に比べてより確実に抑制できる。したがって、高温高湿条件の加速試験においてシンチレータ層31の劣化をより長期間に亘って抑えることが可能になり、高い感度特性および解像度特性をより一層長期間に亘って維持することが可能なX線検出器を提供することができる。
According to the second embodiment, the end of the protective layer is formed by forming the moisture-
(第3実施形態)
図4は、第3実施形態に係る放射線検出器(例えばX線検出器)において、シンチレータ層への保護層の形成工程を示す概略断面図である。なお、図4において前述した図1、図2と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a process of forming a protective layer on the scintillator layer in the radiation detector (for example, X-ray detector) according to the third embodiment. In FIG. 4, the same members as those shown in FIGS.
第3実施形態は、接着層43と熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層42と40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層44とからなる多層化樹脂フィルム46をシンチレータ層31を含む電極基板(光変換基板)2上に接着して保護層を形成した構造を有する。このような多層化樹脂フィルム46の接着にあたっては、減圧下で行うことが好ましい。
In the third embodiment, the
このような第3実施形態によれば、シンチレータ層31への水分侵入を防湿層44により防止できるばかりか、多層化樹脂フィルム46を光導電層31を含む電極基板(光変換基板)2上に接着層43を介して接着することによって、前述した第1実施形態に比べてより簡易に保護層を形成でき、生産性の向上に寄与できる。
According to the third embodiment, moisture penetration into the
(第4実施形態)
図5は、第4実施形態に係る放射線検出器(例えばX線検出器)において、シンチレータ層への保護層の形成工程を示す概略断面図である。なお、図5において前述した図1、図2と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
(Fourth embodiment)
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a process of forming a protective layer on the scintillator layer in the radiation detector (for example, X-ray detector) according to the fourth embodiment. In FIG. 5, the same members as those in FIGS. 1 and 2 described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第4実施形態は、シンチレータ層31を含む電極基板(光変換基板)2上に一方の面の周辺に枠状接着層45を有し、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層42とこの反射膜層42に積層され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層44を前記枠状接着層45が電極基板2表面およびシンチレータ層31側面に位置するように接着して保護層を形成した構造を有する。
The fourth embodiment has a frame-
このような第4実施形態によれば、多層化した反射膜層42と防湿層44を枠状接着層45を用いてシンチレータ層31を含む光変換基板2に形成することによって、保護層の端部側面からシンチレータ層31に向かう水分の浸入を前述した図4に示す構造の保護層に比べてより確実に防止できる。したがって、高温高湿条件の加速試験においてシンチレータ層31の劣化をより長期間に亘って抑えることが可能になり、高い感度特性および解像度特性をより一層長期間に亘って維持することが可能なX線検出器を提供することができる。
According to the fourth embodiment, by forming the multilayered
なお、第4実施形態において図6に示すように防湿層44を反射膜層42のみならず枠状接着層45の外側面に積層して保護層を形成してもよい。このような構成によれば、防湿層44が枠状接着層45の外側面にも積層されているため、前述した図5に示す保護層に比べてシンチレータ層31への水分侵入をより確実に抑制することが可能になる。
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 6, the moisture-
前述した第2〜第4の実施形態において、シンチレータ層31と直接接する接着層43(または枠状接着層45)の弾性率を小さくすることによって、シンチレータ層31と直接接する接着層43による応力集中を緩和でき、長期間安定した接着力を保持できると共に、大型のガラス基板3の使用が可能になる。
In the second to fourth embodiments described above, the stress concentration by the
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
(実施例1)
平均粒径0.25μmの酸化チタン粉末90重量%およびブチラール樹脂(積水化学社製商品名;エスレックBMS)10重量%をシクロヘキサノンと共に自公転式混合機で混合した後、ホモジナイザーを用いて均一に分散させ反射膜用塗料を予め調製した。
(Example 1)
90% by weight of titanium oxide powder with an average particle size of 0.25 μm and 10% by weight of butyral resin (trade name manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .; ESREC BMS) are mixed together with cyclohexanone using a revolving mixer and then uniformly dispersed using a homogenizer. The coating for reflecting film was prepared in advance.
次いで、コーニング社製商品名:コーニング1737からなるガラス基板上に厚さ600μmのCsI変換膜層(シンチレータ層)を形成した。つづいて、このシンチレータ層の表面および側面に前記反射膜用塗料をディスペンサーを用いて塗布し、乾燥して厚さ100μmの反射膜層を形成した。ひきつづき、厚さ80μmの防湿層(凸版印刷社製商品名;GXフィルム)の片面に厚さ0.6mmのアクリル系両面粘着剤(綜研化学社製商品名;S−0679)を接着層として接着した多層化樹脂フィルムを前記反射膜層を含むガラス基板表面に貼り付けて保護層を作製した。 Next, a CsI conversion film layer (scintillator layer) having a thickness of 600 μm was formed on a glass substrate made of Corning Corporation trade name: Corning 1737. Subsequently, the reflective film paint was applied to the surface and side surfaces of the scintillator layer using a dispenser and dried to form a reflective film layer having a thickness of 100 μm. Subsequently, an acrylic double-sided pressure-sensitive adhesive (trade name, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd .; S-0679) with a thickness of 0.6 mm is adhered to one side of a moisture-proof layer (trade name, manufactured by Toppan Printing Co .; The multilayered resin film thus prepared was attached to the surface of the glass substrate including the reflective film layer to produce a protective layer.
(実施例2)
平均粒径0.25μmの酸化チタン粉末90重量%およびブチラール樹脂(積水化学社製商品名;エスレックBMS)10重量%をシクロヘキサノンと共に自公転式混合機で混合した後、ホモジナイザーを用いて均一に分散させ反射膜用塗料を予め調製した。
(Example 2)
90% by weight of titanium oxide powder with an average particle size of 0.25 μm and 10% by weight of butyral resin (trade name manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .; ESREC BMS) are mixed together with cyclohexanone using a revolving mixer and then uniformly dispersed using a homogenizer. The coating for reflecting film was prepared in advance.
コーニング社製商品名:コーニング1737からなるガラス基板上に厚さ600μmのCsI変換膜層(シンチレータ層)を形成した。つづいて、このシンチレータ層の表面および側面に前記反射膜用塗料をディスペンサーを用いて塗布し、乾燥して厚さ100μmの反射膜層を形成した。ひきつづき、厚さ80μmの防湿層(凸版印刷社製商品名;GXフィルム)の片面周縁に厚さ0.7mmのアクリル系両面粘着剤(綜研化学社製商品名;S−0779)を枠状に接着し、この枠状接着層を介して前記反射膜層を含むガラス基板表面に貼り付けて保護層を作製した。 A CsI conversion film layer (scintillator layer) having a thickness of 600 μm was formed on a glass substrate made of Corning Corporation product name: Corning 1737. Subsequently, the reflective film paint was applied to the surface and side surfaces of the scintillator layer using a dispenser and dried to form a reflective film layer having a thickness of 100 μm. Subsequently, an acrylic double-sided adhesive (trade name, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd .; S-0779) having a thickness of 0.7 mm is formed in a frame shape on the periphery of one side of a moisture-proof layer (trade name, manufactured by Toppan Printing Co .; The protective layer was prepared by adhering and pasting on the surface of the glass substrate including the reflective film layer via the frame-shaped adhesive layer.
(実施例3)
平均粒径0.2μmの酸化チタン粉末80重量%およびブチラール樹脂(積水化学社製商品名;エスレックBMS)20重量%をシクロヘキサノンと共に自公転式混合機で混合した後、ホモジナイザーを用いて均一に分散させ反射膜用塗料を予め調製した。つづいて、厚さ80μmの防湿層(凸版印刷社製商品名;GXフィルム)の片面に前記反射膜用塗料を前記反射膜用塗料をバーコ−タを用いて塗布し、乾燥して厚さ100μmの反射膜層を形成した。ひきつづき、この反射膜層に厚さ0.7mmのアクリル系両面粘着剤(綜研化学社製商品名;S−0779)を接着層として接着した多層化樹脂フィルムとした。
(Example 3)
After mixing 80% by weight of titanium oxide powder having an average particle size of 0.2 μm and 20% by weight of butyral resin (trade name of Sekisui Chemical Co., Ltd .; ESREC BMS) together with cyclohexanone, the mixture is uniformly dispersed using a homogenizer. The coating for reflecting film was prepared in advance. Subsequently, the reflective coating material was applied to one side of an 80 μm thick moisture-proof layer (trade name, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd .; GX film) using a bar coater and dried to a thickness of 100 μm. The reflective film layer was formed. Subsequently, a multilayer resin film in which a 0.7 mm-thick acrylic double-sided pressure-sensitive adhesive (trade name; S-0779, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) was adhered as an adhesive layer to the reflective film layer was used.
次いで、コーニング社製商品名:コーニング1737からなるガラス基板上に厚さ600μmのCsI変換膜層(シンチレータ層)を形成した。つづいて、このシンチレータ層の表面および側面を含むガラス基板表面に前記多層化樹脂フィルムを接着層を介して貼り付けることにより保護層を作製した。 Next, a CsI conversion film layer (scintillator layer) having a thickness of 600 μm was formed on a glass substrate made of Corning Corporation trade name: Corning 1737. Then, the protective layer was produced by sticking the said multilayer resin film through the contact bonding layer on the glass substrate surface containing the surface and side surface of this scintillator layer.
(実施例4)
平均粒径0.2μmの酸化チタン粉末80重量%およびブチラール樹脂(積水化学社製商品名;エスレックBMS)20重量%をシクロヘキサノンと共に自公転式混合機で混合した後、ホモジナイザーを用いて均一に分散させ反射膜用塗料を予め調製した。つづいて、厚さ80μmの防湿層(凸版印刷社製商品名;GXフィルム)の片面に前記反射膜用塗料をバーコ−タを用いて塗布し、乾燥して厚さ100μmの反射膜層を形成した。ひきつづき、この反射膜層表面の周縁に厚さ0.7mmのアクリル系両面粘着剤(綜研化学社製商品名;S−0779)を枠状に接着して枠状接着層を有する多層化樹脂フィルムとした。
Example 4
After mixing 80% by weight of titanium oxide powder having an average particle size of 0.2 μm and 20% by weight of butyral resin (trade name of Sekisui Chemical Co., Ltd .; ESREC BMS) together with cyclohexanone, the mixture is uniformly dispersed using a homogenizer. The coating for reflecting film was prepared in advance. Next, the reflective film coating was applied to one side of a moisture-proof layer (trade name: GX film manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.) having a thickness of 80 μm using a bar coater and dried to form a reflective film layer having a thickness of 100 μm. did. Subsequently, a multilayered resin film having a frame-like adhesive layer by adhering a 0.7 mm thick acrylic double-sided adhesive (trade name; S-0779, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) to the periphery of the surface of the reflective film layer. It was.
次いで、コーニング社製商品名:コーニング1737からなるガラス基板上に厚さ600μmのCsI変換膜層(シンチレータ層)を形成した。つづいて、このシンチレータ層の表面および側面を含むガラス基板表面に前記多層化樹脂フィルムを枠状接着層を介して貼り付けることにより保護層を作製した。 Next, a CsI conversion film layer (scintillator layer) having a thickness of 600 μm was formed on a glass substrate made of Corning Corporation trade name: Corning 1737. Then, the protective layer was produced by sticking the said multilayer resin film through the frame-shaped contact bonding layer on the glass substrate surface containing the surface and side surface of this scintillator layer.
(実施例5)
平均粒径0.2μmの酸化チタン粉末80重量%およびブチラール樹脂(積水化学社製商品名;エスレックBMS)20重量%をシクロヘキサノンと共に自公転式混合機で混合した後、ホモジナイザーを用いて均一に分散させ反射膜用塗料を予め調製した。つづいて、厚さ80μmの防湿層(凸版印刷社製商品名;GXフィルム)の片面に前記反射膜用塗料をバーコ−タを用いてその片面周縁が露出するように塗布し、乾燥して厚さ100μmの反射膜層を形成した。ひきつづき、この反射膜層表面の周縁に厚さ0.7mmのアクリル系両面粘着剤綜研化学社製商品名;S−0779)を枠状に接着した後、防湿層周縁の反射膜層未形成部分を枠状接着層の側面に折り曲げて接着することにより多層化樹脂フィルムとした。
(Example 5)
After mixing 80% by weight of titanium oxide powder having an average particle size of 0.2 μm and 20% by weight of butyral resin (trade name of Sekisui Chemical Co., Ltd .; ESREC BMS) together with cyclohexanone, the mixture is uniformly dispersed using a homogenizer. The coating for reflecting film was prepared in advance. Subsequently, the coating for reflective film was applied to one side of an 80 μm thick moisture-proof layer (trade name, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd .; GX film) using a bar coater so that the peripheral edge of the one side was exposed, dried and thickened. A reflective film layer having a thickness of 100 μm was formed. Next, after adhering a 0.7 mm thick acrylic double-sided adhesive (trade name: S-0779) to the periphery of the surface of the reflective film layer in the shape of a frame, the reflective film layer-unformed part at the periphery of the moisture-proof layer Was bent to the side surface of the frame-like adhesive layer and adhered to obtain a multilayer resin film.
次いで、コーニング社製商品名:コーニング1737からなるガラス基板上に厚さ600μmのCsI変換膜層(シンチレータ層)を形成した。つづいて、このシンチレータ層の表面および側面を含むガラス基板表面に前記多層化樹脂フィルムを枠状接着層を介して貼り付けることにより保護層を作製した。この貼り付けは、60℃の真空乾燥機中で行った。 Next, a CsI conversion film layer (scintillator layer) having a thickness of 600 μm was formed on a glass substrate made of Corning Corporation trade name: Corning 1737. Then, the protective layer was produced by sticking the said multilayer resin film through the frame-shaped contact bonding layer on the glass substrate surface containing the surface and side surface of this scintillator layer. This pasting was performed in a 60 ° C. vacuum dryer.
(比較例1)
コーニング社製商品名:コーニング1737からなるガラス基板上に厚さ600μmのCsI変換膜層(シンチレータ層)を形成した。つづいて、このシンチレータ層の表面および側面を含むガラス基板表面に厚さ40μmのパリレン蒸着膜を防湿層として形成した後、パリレン蒸着膜の端部を二液硬化型エポキシ樹脂で処理して保護層を作製した。
(Comparative Example 1)
A CsI conversion film layer (scintillator layer) having a thickness of 600 μm was formed on a glass substrate made of Corning Corporation product name: Corning 1737. Subsequently, a parylene vapor-deposited film having a thickness of 40 μm is formed as a moisture-proof layer on the glass substrate surface including the surface and side surfaces of the scintillator layer, and then the end portion of the parylene vapor-deposited film is treated with a two-component curable epoxy resin. Was made.
実施例1〜5および比較例1について、以下の方法により保護層の水蒸気透過率、シンチレータ層の吸水率、解像度の維持率およびシンチレータ層の水分吸収に伴う形状変化を調べた。 For Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the water vapor transmission rate of the protective layer, the water absorption rate of the scintillator layer, the retention rate of resolution, and the shape change accompanying the water absorption of the scintillator layer were examined by the following methods.
1.保護層の水蒸気透過率測定
実施例1〜5および比較例1に用いた保護層について、傷、ボイド、折れのない箇所を選び、米国のMOCON社製の水蒸気透過率測定装置によって、40℃、湿度90%雰囲気での質量変化から吸湿量を測定して水分透過率を算出した。
1. Measurement of water vapor transmission rate of protective layer About the protective layer used in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, a scratch, a void, a portion without breakage was selected, and a water vapor transmission rate measurement device manufactured by MOCON of the United States of America was used. The moisture permeability was calculated by measuring the amount of moisture absorption from the change in mass in a 90% humidity atmosphere.
2.シンチレータ層の吸水率測定
ガラス基板上に実施例1〜5および比較例1に用いた保護層を形成し、60℃、90%RH雰囲気に500時間放置した後の吸水率を測定した。
2. Measurement of water absorption rate of scintillator layer The protective layers used in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were formed on a glass substrate, and the water absorption rate after being left in an atmosphere of 60 ° C. and 90% RH for 500 hours was measured.
3.解像度の維持率測定
ガラス基板上のシンチレータ層に保護層を形成した実施例1〜5、比較例1の構造物を60℃、90%RH雰囲気に500時間放置した後、X線照射条件は加速電圧70kV−1mAで、軟X線除去用アルミ製フィルターを挿入した条件で1mmの間隔にライン・アンド・スペースが2ペア含まれる細かさの解像度チャートを用いてX線像の明暗がどの程度はっきりしているかの指標としてコントラスト伝達関数 (Contrast Transfer Function : CTF)の測定を実施し、初期値に対する変化を維持率とした。
3. Measurement of retention rate of resolution After the structures of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 in which a scintillator layer on a glass substrate was formed and left in a 60 ° C., 90% RH atmosphere for 500 hours, the X-ray irradiation conditions were accelerated. How bright and dark the X-ray image is with a fine resolution chart that includes two pairs of line-and-space at a distance of 1 mm under the condition that an aluminum filter for soft X-ray removal is inserted at a voltage of 70 kV-1 mA. The contrast transfer function (Contrast Transfer Function: CTF) was measured as an index to determine whether or not the change was in the initial value.
4.シンチレータ層のSEM観察結果
ガラス基板上のシンチレータ層に保護層を形成した実施例1〜5および比較例1の構造物を60℃、90%RH雰囲気に500時間放置した後に保護層を除去してシンチレータ層の形状をSEMで観察した。
4). SEM observation results of scintillator layer The structures of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 in which a protective layer was formed on a scintillator layer on a glass substrate were left in an atmosphere of 60 ° C. and 90% RH for 500 hours, and then the protective layer was removed. The shape of the scintillator layer was observed with SEM.
これらの結果を下記表1に示す。 These results are shown in Table 1 below.
前記表1から明らかなように実施例1〜5は、比較例1に比べて保護層による高い防湿性を示し、さらに高い解像度の維持率を示すことがわかる。 As apparent from Table 1, it can be seen that Examples 1 to 5 show higher moisture resistance due to the protective layer than Comparative Example 1, and show a higher resolution maintenance rate.
1…X線検出器、2…光変換基板(電極基板)、3…ガラス基板(透光性基板)、4…薄膜トランジスタ、5…蓄積キャパシタ、7…フォトダイオード(光電変換素子)、31…シンチレータ層、41…保護層、52…反射膜層、43…接着層、44…防湿層、45…枠状接着層。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
少なくとも前記シンチレータ層に形成され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層を含む前記電極基板表面に形成された接着層と、この接着層に接着され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 A transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, and connected to each of the thin film transistors, and visible An electrode substrate having a plurality of photoelectric conversion elements for converting light into an electrical signal;
A scintillator layer formed on the electrode substrate for converting radiation into visible light; and a reflective film layer formed on at least the scintillator layer and containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in a thermoplastic polymer compound; A protective layer having an adhesive layer formed on the surface of the electrode substrate including a film layer, and a moisture-proof layer adhered to the adhesive layer and having a moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH;
A radiation detector comprising:
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
少なくとも前記シンチレータ層に形成され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、電極基板表面および前記シンチレータ層側面の前記反射膜層に位置して接着される枠状接着層と、この枠状接着層上に接着され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 A transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, and connected to each of the thin film transistors, and visible An electrode substrate having a plurality of photoelectric conversion elements for converting light into an electrical signal;
A scintillator layer formed on the electrode substrate for converting radiation into visible light; and a reflective film layer formed on at least the scintillator layer and containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in a thermoplastic polymer compound; and the electrode substrate A frame-like adhesive layer located on the surface and the side of the scintillator layer and adhered to the reflective film layer, and adhered onto the frame-like adhesive layer, and moisture permeability at 40 ° C. and 90 RH is 0.5 g / m 2 / a protective layer having a moisture-proof layer of day or less;
A radiation detector comprising:
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
前記シンチレータ層を含む前記電極基板に接着される接着層と、この接着層に接着され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層に積層され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 A transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, and connected to each of the thin film transistors, and visible An electrode substrate having a plurality of photoelectric conversion elements for converting light into an electrical signal;
A scintillator layer that is formed on the electrode substrate and converts radiation into visible light; and an adhesive layer that is bonded to the electrode substrate including the scintillator layer; and a titanium oxide that is bonded to the adhesive layer and is formed on the thermoplastic polymer compound. A protective layer having a reflective film layer containing 70% by weight or more of a powder and a moisture-proof layer laminated on the reflective film layer and having a moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH;
A radiation detector comprising:
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層;および
電極基板表面および前記シンチレータ層側面に位置して接着される枠状接着層と、この接着層上に接着され、熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を70重量%以上含有する反射膜層と、この反射膜層上に積層され、40℃、90RHでの水分透過率0.5g/m2/day以下の防湿層とを有する保護層;
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 A transparent substrate, a plurality of thin film transistors and a plurality of storage capacitors provided on the transparent substrate, an insulating layer formed on the transparent substrate including the thin film transistors and the storage capacitors, and connected to each of the thin film transistors, and visible An electrode substrate having a plurality of photoelectric conversion elements for converting light into an electrical signal;
A scintillator layer that is formed on the electrode substrate and converts radiation into visible light; and a frame-like adhesive layer that is bonded to the electrode substrate surface and the side surface of the scintillator layer; A reflective film layer containing 70% by weight or more of titanium oxide powder in a polymer compound; a moisture-proof layer laminated on the reflective film layer and having a moisture permeability of 0.5 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90 RH; A protective layer having
A radiation detector comprising:
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007051793A JP2008215951A (en) | 2007-03-01 | 2007-03-01 | Radiation detector |
| US12/038,596 US20080302970A1 (en) | 2007-03-01 | 2008-02-27 | Radiation ray detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007051793A JP2008215951A (en) | 2007-03-01 | 2007-03-01 | Radiation detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008215951A true JP2008215951A (en) | 2008-09-18 |
Family
ID=39836171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007051793A Pending JP2008215951A (en) | 2007-03-01 | 2007-03-01 | Radiation detector |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080302970A1 (en) |
| JP (1) | JP2008215951A (en) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080302970A1 (en) | 2008-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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