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JP2008226887A - Holding apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Holding apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method Download PDF

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JP2008226887A
JP2008226887A JP2007058628A JP2007058628A JP2008226887A JP 2008226887 A JP2008226887 A JP 2008226887A JP 2007058628 A JP2007058628 A JP 2007058628A JP 2007058628 A JP2007058628 A JP 2007058628A JP 2008226887 A JP2008226887 A JP 2008226887A
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Tsuneyuki Hagiwara
恒幸 萩原
Noriyuki Hirayanagi
徳行 平柳
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a holding apparatus for holding a substrate in the more excellent condition by controlling deterioration of flatness of the substrate. <P>SOLUTION: The holding apparatus for holding substrate is provided with a holding member having a first plane for holding one plane of the substrate with an electrostatic force where at least a part of the first plane can be deformed in the normal direction of the first plane and with a supporting member having supporting portions arranged at least in three separate positions within the plane almost parallel to the first plane to control movement of the substrate held in the first plane in the normal direction. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板を保持する保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a holding apparatus that holds a substrate, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、基板(レチクル、感光基板を含む)を保持する保持部材を備えている。露光光として極端紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光を用いるEUV露光装置の場合、基板は真空中に配置される。そのため、EUV露光装置は、基板を静電力で保持する保持部材を備えている。下記特許文献には、基板を静電力で保持する保持部材を有する保持装置の一例が開示されている。
特開2002−299228号公報
An exposure apparatus used in a photolithography process includes a holding member that holds a substrate (including a reticle and a photosensitive substrate). In the case of an EUV exposure apparatus that uses extreme ultra-violet (EUV) light as exposure light, the substrate is placed in a vacuum. Therefore, the EUV exposure apparatus includes a holding member that holds the substrate with an electrostatic force. The following patent document discloses an example of a holding device having a holding member that holds a substrate with an electrostatic force.
JP 2002-299228 A

従来において、EUV露光装置の保持部材には、高い剛性を有するものが用いられている。また、保持部材は、保持面を有しており、基板を保持するために、保持面と基板の一方の面のほぼ全域とを接触させる。このような構成の保持部材の場合、基板の平面度を維持するために、保持面には高い平面度が要求される。その場合、例えば保持部材の製造に大きな負荷がかかる可能性がある。また、保持部材の保持面と基板の一方の面との間に異物が入り込むと、保持した基板の平面度が劣化する可能性が高くなる。その場合、露光精度が劣化する可能性がある。   Conventionally, a member having high rigidity is used as a holding member of an EUV exposure apparatus. Moreover, the holding member has a holding surface, and in order to hold the substrate, the holding surface and almost the entire area of one surface of the substrate are brought into contact with each other. In the case of the holding member having such a configuration, high flatness is required for the holding surface in order to maintain the flatness of the substrate. In that case, for example, a large load may be applied to the manufacture of the holding member. Further, if a foreign substance enters between the holding surface of the holding member and one surface of the substrate, the flatness of the held substrate is likely to deteriorate. In that case, exposure accuracy may deteriorate.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の平面度の劣化を抑制し、基板を良好に保持できる保持装置を提供することを目的とする。また、基板の平面度の劣化を抑制して、露光処理を良好に実行できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the holding | maintenance apparatus which suppresses deterioration of the flatness of a board | substrate and can hold | maintain a board | substrate favorably. It is another object of the present invention to provide an exposure apparatus that can satisfactorily execute an exposure process while suppressing deterioration of the flatness of the substrate, and a device manufacturing method that uses the exposure apparatus.

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。   In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.

本発明の第1の態様に従えば、基板(M)を保持する保持装置であって、基板(M)の一方の面(Mb)を静電力で保持可能な第1面(16)を有し、第1面(16)の少なくとも一部が該第1面(16)の法線方向に変形可能な保持部材(17)と、第1面(16)と略平行な平面内で互いに離れた少なくとも3つの位置に配置され、第1面(16)に保持された基板(M)の法線方向への移動を抑える支持部(18)を有する支持部材(19)と、を備えた保持装置(1)が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the holding device for holding the substrate (M) has the first surface (16) capable of holding one surface (Mb) of the substrate (M) with an electrostatic force. In addition, at least a part of the first surface (16) is separated from the holding member (17) that can be deformed in the normal direction of the first surface (16) and a plane substantially parallel to the first surface (16). And a support member (19) having a support portion (18) which is disposed at at least three positions and suppresses movement of the substrate (M) held on the first surface (16) in the normal direction. A device (1) is provided.

本発明の第1の態様によれば、基板を良好に保持できる。   According to the first aspect of the present invention, the substrate can be favorably held.

本発明の第2の態様に従えば、パターンが形成された第1基板(M)を露光光(EL)で照明し、第1基板(M)からの露光光(EL)で感光性を有する第2基板(P)を露光する露光装置であって、第1基板(M)を保持する第1保持装置(1)、及び第2基板(P)を保持する第2保持装置(2)を備え、第1保持装置(1)及び第2保持装置(2)の少なくとも一方は、上記態様の保持装置を含む露光装置(EX)が提供される。   According to the second aspect of the present invention, the first substrate (M) on which the pattern is formed is illuminated with exposure light (EL), and is photosensitive with exposure light (EL) from the first substrate (M). An exposure apparatus that exposes the second substrate (P), and includes a first holding device (1) that holds the first substrate (M) and a second holding device (2) that holds the second substrate (P). In addition, at least one of the first holding device (1) and the second holding device (2) is provided with an exposure apparatus (EX) including the holding device of the above aspect.

本発明の第2の態様によれば、露光処理を良好に実行できる。   According to the second aspect of the present invention, the exposure process can be executed satisfactorily.

本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置(EX)を用いて第2基板(P)を露光することと、露光された第2基板(P)を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to the third aspect of the present invention, exposing the second substrate (P) using the exposure apparatus (EX) of the above aspect and developing the exposed second substrate (P). A device manufacturing method is provided.

本発明の第3の態様によれば、良好に露光処理できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。   According to the 3rd aspect of this invention, a device can be manufactured using the exposure apparatus which can be favorably exposed.

本発明によれば、基板を良好に保持して、露光処理を良好に実行できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。   According to the present invention, the substrate can be held satisfactorily and the exposure process can be performed satisfactorily. Therefore, a device having a desired performance can be manufactured.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is the Z-axis direction. To do. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、パターンが形成されたマスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ1と、デバイスを形成するための基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1に保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置5とを備えている。また、本実施形態の露光装置EXは、少なくとも露光光ELが通過する所定空間を真空状態に調整する真空システムを有するチャンバ装置6を備えている。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes a mask stage 1 that is movable while holding a mask M on which a pattern is formed, a substrate stage 2 that is movable while holding a substrate P for forming a device, and a mask stage. The illumination system IL that illuminates the mask M held by 1 with the exposure light EL, the projection optical system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate P, and the entire exposure apparatus EX And a control device 5 for controlling the operation. Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment includes a chamber apparatus 6 having a vacuum system that adjusts at least a predetermined space through which the exposure light EL passes to a vacuum state.

本実施形態の露光装置EXは、極端紫外光で基板Pを露光するEUV露光装置である。極端紫外光は、例えば波長5〜50nm程度の軟X線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、EUV光、と称する。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is an EUV exposure apparatus that exposes the substrate P with extreme ultraviolet light. Extreme ultraviolet light is an electromagnetic wave in a soft X-ray region having a wavelength of about 5 to 50 nm, for example. In the following description, extreme ultraviolet light is appropriately referred to as EUV light.

基板Pは、半導体ウエハ等の基材上に感光材(レジスト)等の膜が形成されたものを含む。マスクMは、基板P上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光ELとしてEUV光が用いられ、マスクMは、EUV光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。マスクMは、プレート状の基材Gと、その基材Gに形成された多層膜Fとを含む。露光装置EXは、多層膜Fでパターンが形成されたマスクMの反射面(パターン形成面)Maを露光光(EUV光)ELで照明し、そのマスクMで反射した露光光ELで感光性を有する基板Pを露光する。   The substrate P includes a substrate in which a film such as a photosensitive material (resist) is formed on a base material such as a semiconductor wafer. The mask M includes a reticle on which a device pattern to be projected onto the substrate P is formed. In the present embodiment, EUV light is used as the exposure light EL, and the mask M is a reflective mask having a multilayer film capable of reflecting EUV light. The mask M includes a plate-like substrate G and a multilayer film F formed on the substrate G. The exposure apparatus EX illuminates the reflection surface (pattern formation surface) Ma of the mask M, on which the pattern is formed with the multilayer film F, with exposure light (EUV light) EL, and makes the photosensitivity with the exposure light EL reflected by the mask M. The substrate P having it is exposed.

照明系ILは、複数の光学素子IR〜IRを含み、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。光学素子IR〜IRは、EUV光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子IR〜IRの多層膜は、例えばMo/Si多層膜、Mo/Be多層膜を含む。各光学素子IR〜IRは、不図示の鏡筒に保持されている。 The illumination system IL includes a plurality of optical elements IR 1 to IR 4 and illuminates a predetermined illumination area on the mask M with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. The optical elements IR 1 to IR 4 include a multilayer film reflecting mirror including a multilayer film capable of reflecting EUV light. The multilayer films of the optical elements IR 1 to IR 4 include, for example, a Mo / Si multilayer film and a Mo / Be multilayer film. Each optical element IR 1 ~IR 4 is held in a lens barrel (not shown).

照明系ILは、光源8からの露光光ELでマスクMを照明する。本実施形態の光源8は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング9と、レーザ光を射出するレーザ装置10と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング9内に供給する供給部材11とを含む。レーザ装置10から射出され、集光光学系12で集光されたレーザ光は、供給部材11の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してEUV光を含む光(露光光EL)を発生する。供給部材11の先端で発生した光は、コンデンサ13によって集光される。コンデンサ13を介した光は、ハウジング9の外側に配置されているコリメータミラー14に入射する。なお、光源8は、放電型プラズマ光源、あるいは他の光源でもよい。   The illumination system IL illuminates the mask M with the exposure light EL from the light source 8. The light source 8 of the present embodiment is a laser-excited plasma light source, and includes a housing 9, a laser device 10 that emits laser light, and a supply member 11 that supplies a target material such as xenon gas into the housing 9. . The laser light emitted from the laser device 10 and condensed by the condensing optical system 12 is applied to the target material emitted from the tip of the supply member 11. The target material irradiated with the laser light is turned into plasma and generates light including EUV light (exposure light EL). The light generated at the tip of the supply member 11 is collected by the capacitor 13. The light that has passed through the capacitor 13 enters a collimator mirror 14 that is disposed outside the housing 9. The light source 8 may be a discharge plasma light source or another light source.

マスクステージ1は、マスクMを保持しながら、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ1は、マスクMの反射面MaとXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ1は、マスクMの反射面Maが−Z方向を向くように、マスクMを保持する。マスクステージ(マスクM)の位置情報は、レーザ干渉計(不図示)によって計測される。レーザ干渉計は、マスクステージ1に設けられた計測ミラーを用いて、マスクステージ1のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、マスクステージ1に保持されているマスクMの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθYに関する位置情報)は、フォーカス・レベリング検出システム(不図示)によって検出される。制御装置5は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ1に保持されているマスクMの位置を制御する。   While holding the mask M, the mask stage 1 is movable in directions of six degrees of freedom in the X axis, Y axis, Z axis, θX, θY, and θZ directions. In the present embodiment, the mask stage 1 holds the mask M so that the reflection surface Ma of the mask M and the XY plane are substantially parallel. In the present embodiment, the mask stage 1 holds the mask M so that the reflection surface Ma of the mask M faces the −Z direction. Position information of the mask stage (mask M) is measured by a laser interferometer (not shown). The laser interferometer uses the measurement mirror provided on the mask stage 1 to measure position information regarding the X axis, the Y axis, and the θZ direction of the mask stage 1. Further, surface position information (position information regarding the Z axis, θX, and θY) of the surface of the mask M held on the mask stage 1 is detected by a focus / leveling detection system (not shown). The control device 5 controls the position of the mask M held on the mask stage 1 based on the measurement result of the laser interferometer and the detection result of the focus / leveling detection system.

投影光学系PLは、複数の光学素子PR〜PRを含み、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影する。光学素子PR〜PRは、EUV光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子PR〜PRの多層膜は、例えばMo/Si多層膜、Mo/Be多層膜を含む。各光学素子PR〜PRは、不図示の鏡筒に保持されている。また、本実施形態においては、投影光学系PLの各光学素子R〜PRは、専用の真空チャンバ15に収容されている。なお、専用の真空チャンバは無くてもよい。 Projection optical system PL includes a plurality of optical elements PR 1 to PR 4 and projects an image of the pattern of mask M onto substrate P at a predetermined projection magnification. The optical elements PR 1 to PR 4 include a multilayer film reflecting mirror including a multilayer film capable of reflecting EUV light. The multilayer films of the optical elements PR 1 to PR 4 include, for example, a Mo / Si multilayer film and a Mo / Be multilayer film. Each optical element PR 1 to PR 4 is held in a lens barrel (not shown). In the present embodiment, the optical elements R 1 to PR 4 of the projection optical system PL are accommodated in a dedicated vacuum chamber 15. Note that there is no need for a dedicated vacuum chamber.

基板ステージ2は、基板Pを保持しながら、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ2は、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ2は、基板Pの表面Paが+Z方向を向くように、基板Pを保持する。基板ステージ2(基板P)の位置情報は、レーザ干渉計(不図示)によって計測される。レーザ干渉計は、基板ステージ2に設けられた計測ミラーを用いて、基板ステージ2のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ2に保持されている基板Pの表面Paの面位置情報(Z軸、θX、及びθYに関する位置情報)は、フォーカス・レベリング検出システム(不図示)によって検出される。制御装置5は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ2に保持されている基板Pの位置を制御する。   The substrate stage 2 is movable in the X axis, Y axis, Z axis, θX, θY, and θZ directions while holding the substrate P. In the present embodiment, the substrate stage 2 holds the substrate P so that the surface of the substrate P and the XY plane are substantially parallel. In the present embodiment, the substrate stage 2 holds the substrate P so that the surface Pa of the substrate P faces the + Z direction. The position information of the substrate stage 2 (substrate P) is measured by a laser interferometer (not shown). The laser interferometer uses the measurement mirror provided on the substrate stage 2 to measure position information regarding the X axis, the Y axis, and the θZ direction of the substrate stage 2. Further, surface position information (position information regarding the Z axis, θX, and θY) of the surface Pa of the substrate P held on the substrate stage 2 is detected by a focus / leveling detection system (not shown). The control device 5 controls the position of the substrate P held on the substrate stage 2 based on the measurement result of the laser interferometer and the detection result of the focus / leveling detection system.

次に、図2及び図3を参照しながら、本実施形態に係るマスクステージ1について説明する。図2は、マスクステージ1の一例を示す側面図、図3は、マスクステージ1を−Z側から見た図である。図2には、マスクMを保持した状態のマスクステージ1が示されている。   Next, the mask stage 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a side view showing an example of the mask stage 1, and FIG. 3 is a view of the mask stage 1 as viewed from the −Z side. FIG. 2 shows the mask stage 1 in a state where the mask M is held.

図2に示すように、マスクMは、プレート状の基材Gと、基材Gの一方の面に形成された多層膜Fとを含む。上述のように、本実施形態のマスクMは、EUV光を反射可能な多層膜Fを有する反射型マスクである。多層膜Fは、例えばMo/Si多層膜、Mo/Be多層膜を含む。また、基材Gは、例えばコーニング社製ULE、ショット社製Zerodur(登録商標)等の超低膨張ガラスを含み、所定の剛性を有する。   As shown in FIG. 2, the mask M includes a plate-like base material G and a multilayer film F formed on one surface of the base material G. As described above, the mask M of the present embodiment is a reflective mask having the multilayer film F that can reflect EUV light. The multilayer film F includes, for example, a Mo / Si multilayer film and a Mo / Be multilayer film. The substrate G includes ultra-low expansion glass such as ULE manufactured by Corning, and Zerodur (registered trademark) manufactured by Schott, and has a predetermined rigidity.

図2及び図3に示すように、マスクMを保持するマスクステージ1は、マスクMの裏面Mbを静電力で保持可能な保持面16を有する保持部材17(17A、17B)と、保持部材17を支持する支持部18を有する支持部材19と、支持部材19を支持するテーブル部材20と、テーブル部材20を支持するステージ本体21とを備える。マスクMの裏面Mbは、露光光ELが照射される反射面Maとは反対側の面であって、基材Gの他方の面を含む。   As shown in FIGS. 2 and 3, the mask stage 1 that holds the mask M includes a holding member 17 (17 </ b> A, 17 </ b> B) having a holding surface 16 that can hold the back surface Mb of the mask M with an electrostatic force, and a holding member 17. A support member 19 having a support portion 18 that supports the table, a table member 20 that supports the support member 19, and a stage main body 21 that supports the table member 20. The back surface Mb of the mask M is a surface opposite to the reflection surface Ma irradiated with the exposure light EL and includes the other surface of the base material G.

本実施形態において、保持部材17は、薄いプレート状の部材である。以下の説明において、本実施形態の保持部材17を適宜、プレート部材17、と称する。   In the present embodiment, the holding member 17 is a thin plate-like member. In the following description, the holding member 17 of the present embodiment is appropriately referred to as a plate member 17.

図4は、プレート部材17の近傍を示す拡大図である。図4において、プレート部材17は、マスクMの裏面Mbと対向する保持面16と、保持面16と反対側の裏面22とを有する。本実施形態においては、保持面16及び裏面22のそれぞれは、XY平面とほぼ平行となるように配置される。保持面16は、−Z方向を向くように配置され、裏面22は、+Z方向を向くように配置される。支持部材19の支持部18は、プレート部材17の裏面22と対向し、そのプレート部材17の裏面22を支持するように配置される。   FIG. 4 is an enlarged view showing the vicinity of the plate member 17. In FIG. 4, the plate member 17 has a holding surface 16 that faces the back surface Mb of the mask M, and a back surface 22 opposite to the holding surface 16. In the present embodiment, each of the holding surface 16 and the back surface 22 is disposed so as to be substantially parallel to the XY plane. The holding surface 16 is disposed so as to face the −Z direction, and the back surface 22 is disposed so as to face the + Z direction. The support portion 18 of the support member 19 is disposed so as to face the back surface 22 of the plate member 17 and support the back surface 22 of the plate member 17.

プレート部材17は、可撓性を有する。プレート部材17の保持面16の少なくとも一部は、保持面16の法線方向(Z軸方向)に変形可能である。本実施形態において、プレート部材17の剛性(ヤング率)は、少なくともマスクM(基材G)の剛性(ヤング率)よりも小さい。   The plate member 17 has flexibility. At least a part of the holding surface 16 of the plate member 17 can be deformed in the normal direction (Z-axis direction) of the holding surface 16. In this embodiment, the rigidity (Young's modulus) of the plate member 17 is at least smaller than the rigidity (Young's modulus) of the mask M (base material G).

プレート部材17は、絶縁層23及び電極層24を備える。絶縁層23は、例えばアルミナ(Al)等のセラミックスで形成されている。電極層24は、例えばアルミニウム(Al)等の金属で形成されている。電極層24は、支持部18と対向するように配置される。絶縁層23は、マスクMの裏面Mbと対向可能である。すなわち、本実施形態においては、電極層24は、絶縁層23の+Z側に配置される。保持面16は、絶縁層23の表面(下面)を含み、裏面22は、電極層24の表面(上面)を含む。 The plate member 17 includes an insulating layer 23 and an electrode layer 24. The insulating layer 23 is made of ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ), for example. The electrode layer 24 is made of a metal such as aluminum (Al). The electrode layer 24 is disposed so as to face the support portion 18. The insulating layer 23 can face the back surface Mb of the mask M. That is, in the present embodiment, the electrode layer 24 is disposed on the + Z side of the insulating layer 23. The holding surface 16 includes the surface (lower surface) of the insulating layer 23, and the back surface 22 includes the surface (upper surface) of the electrode layer 24.

なお、本実施形態においては、プレート部材17は、絶縁層23と電極層24との2層構造であるが、他の層が付加されてもよい。   In the present embodiment, the plate member 17 has a two-layer structure of the insulating layer 23 and the electrode layer 24, but other layers may be added.

プレート部材17の保持面16は、マスクMの裏面Mbの広い領域(ほぼ全域)と接触可能なように、所定の大きさを有する。本実施形態のマスクステージ1は、静電力でマスクMを保持する静電チャック機構を含み、プレート部材17の保持面16は、マスクMの裏面Mbを静電力で保持する。   The holding surface 16 of the plate member 17 has a predetermined size so as to be in contact with a wide area (substantially the entire area) of the back surface Mb of the mask M. The mask stage 1 of this embodiment includes an electrostatic chuck mechanism that holds the mask M with electrostatic force, and the holding surface 16 of the plate member 17 holds the back surface Mb of the mask M with electrostatic force.

本実施形態においては、マスクステージ1は、2つのプレート部材17A、17Bを有する。本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、2つのプレート部材17A、17Bのうち、一方のプレート部材17Aが正極となり、他方のプレート部材17Bが負極となる。プレート部材17A、17Bのそれぞれには電圧印加器(不図示)が接続されている。制御装置5は、一方のプレート部材17Aが正極となり、他方のプレート部材17Bが負極となるように、電圧印加器を制御する。これにより、プレート部材17の保持面16とマスクMの裏面Mbとの間に発生するクーロン力(ジャンセン・ラーベック力)によって、マスクMがプレート部材17に吸着されるように保持される。   In the present embodiment, the mask stage 1 has two plate members 17A and 17B. The electrostatic chuck mechanism of the present embodiment is a so-called bipolar system, and one of the two plate members 17A and 17B has one plate member 17A serving as a positive electrode and the other plate member 17B serving as a negative electrode. A voltage applicator (not shown) is connected to each of the plate members 17A and 17B. The control device 5 controls the voltage applicator so that one plate member 17A becomes a positive electrode and the other plate member 17B becomes a negative electrode. As a result, the mask M is held by the plate member 17 by the Coulomb force (Jansen-Rahbek force) generated between the holding surface 16 of the plate member 17 and the back surface Mb of the mask M.

図5は、支持部材19、テーブル部材20、及びステージ本体21を示す図である。図5は、図3のマスクステージ1からプレート部材17を取り外した状態を示す。図5に示すように、支持部18を有する支持部材19は、保持面16と略平行なXY平面内で互いに離れた複数の位置に配置されている。本実施形態においては、支持部材19は、テーブル部材20の表面(下面)20Aにおいて、互いに離れた6つの位置に配置されている。すなわち、本実施形態においては、支持部18を有する支持部材19は、6箇所に配置されている。   FIG. 5 is a view showing the support member 19, the table member 20, and the stage main body 21. FIG. 5 shows a state where the plate member 17 is removed from the mask stage 1 of FIG. As shown in FIG. 5, the support member 19 having the support portion 18 is disposed at a plurality of positions separated from each other within an XY plane substantially parallel to the holding surface 16. In the present embodiment, the support member 19 is disposed at six positions separated from each other on the front surface (lower surface) 20 </ b> A of the table member 20. That is, in the present embodiment, the support members 19 having the support portions 18 are arranged at six locations.

図2及び図4等に示したように、支持部材19は、ロッド状の部材である。本実施形態においては、プレート部材17の裏面22と対向する支持部材19の支持部18は、XY平面とほぼ平行な平面である。以下の説明において、本実施形態の支持部材19の支持部18を適宜、支持面18、と称する。支持面18は、プレート部材17の裏面22よりも十分に小さい。複数の支持面18のそれぞれは、同一平面内(XY平面内)に配置される(面一である)。   As shown in FIGS. 2 and 4 and the like, the support member 19 is a rod-shaped member. In the present embodiment, the support portion 18 of the support member 19 that faces the back surface 22 of the plate member 17 is a plane substantially parallel to the XY plane. In the following description, the support portion 18 of the support member 19 of the present embodiment is appropriately referred to as a support surface 18. The support surface 18 is sufficiently smaller than the back surface 22 of the plate member 17. Each of the plurality of support surfaces 18 is disposed in the same plane (in the XY plane) (is flush).

本実施形態においては、XY平面内におけるステージ本体21の外形は、テーブル部材20よりも大きい。また、本実施形態においては、XY平面内におけるテーブル部材20の表面(下面)20Aの外形は、マスクMの裏面Mbよりも僅かに小さい矩形状である。支持部材19は、表面20Aの4つのコーナー、及び表面20Aの中央の2つの位置のそれぞれに配置されている。本実施形態においては、一方のプレート部材17Aに対して3つの支持部材19が配置されるとともに、他方のプレート部材17Bに対して3つの支持部材19が配置されている。そして、1つのマスクMに対して6つの支持部材19が配置される。   In the present embodiment, the outer shape of the stage main body 21 in the XY plane is larger than the table member 20. In the present embodiment, the outer shape of the front surface (lower surface) 20A of the table member 20 in the XY plane is a rectangular shape slightly smaller than the back surface Mb of the mask M. The support member 19 is disposed at each of four corners of the surface 20A and two positions at the center of the surface 20A. In the present embodiment, three support members 19 are arranged for one plate member 17A, and three support members 19 are arranged for the other plate member 17B. Then, six support members 19 are arranged for one mask M.

複数の支持部材19の支持面18のそれぞれは、プレート部材17(17A、17B)の裏面22と接触可能である。上述のように、プレート部材17は可撓性を有し、Z軸方向に変形可能であるものの、支持面18に支持された部分(支持面18に接触している部分)においては、プレート部材17のZ軸方向への変形は抑制(拘束)される。したがって、プレート部材17の保持面16に保持されたマスクMのZ軸方向の移動は、支持面18(支持部材19)によって抑制される。一方、プレート部材17のうち、支持面18と接触していない領域においては、プレート部材17はZ軸方向に変形可能である。   Each of the support surfaces 18 of the plurality of support members 19 can come into contact with the back surface 22 of the plate member 17 (17A, 17B). As described above, the plate member 17 is flexible and can be deformed in the Z-axis direction. However, in the portion supported by the support surface 18 (the portion in contact with the support surface 18), the plate member The deformation of 17 in the Z-axis direction is suppressed (restrained). Therefore, the movement of the mask M held on the holding surface 16 of the plate member 17 in the Z-axis direction is suppressed by the support surface 18 (support member 19). On the other hand, in the region of the plate member 17 that is not in contact with the support surface 18, the plate member 17 can be deformed in the Z-axis direction.

また、本実施形態においてはマスクステージ1は、プレート部材17の裏面22の周縁を固定する固定部材25を備えている。固定部材25の一端(上端)は、ステージ本体21の下面21Aに固定され、他端(下端)が、プレート部材17の裏面22に固定されている。固定部材25は、ロッド状の部材であり、XY平面で互いに離れた複数の位置に配置されている。本実施形態においては、一方のプレート部材17Aに対して3つの固定部材25が配置されるとともに、他方のプレート部材17Bに対して3つの固定部材25が配置されている。そして、1つのマスクMに対して6つの固定部材25が配置される。   In the present embodiment, the mask stage 1 includes a fixing member 25 that fixes the periphery of the back surface 22 of the plate member 17. One end (upper end) of the fixing member 25 is fixed to the lower surface 21 </ b> A of the stage main body 21, and the other end (lower end) is fixed to the back surface 22 of the plate member 17. The fixing member 25 is a rod-shaped member and is arranged at a plurality of positions separated from each other on the XY plane. In the present embodiment, three fixing members 25 are arranged for one plate member 17A, and three fixing members 25 are arranged for the other plate member 17B. Then, six fixing members 25 are arranged for one mask M.

固定部材25でプレート部材17の周縁を固定することにより、プレート部材17の周縁が、例えば自重(重力作用)等によって変形することを抑制できる。   By fixing the peripheral edge of the plate member 17 with the fixing member 25, it is possible to suppress the peripheral edge of the plate member 17 from being deformed by its own weight (gravity action) or the like.

次に、上述の構成を有する露光装置EXの動作の一例について説明する。基板Pの露光を行うために、不図示の搬送システムによって基板Pが基板ステージ2に搬送され、保持されるとともに、マスクMがマスクステージ1に搬送される。制御装置5は、マスクMの裏面Mbとマスクステージ1のプレート部材17の保持面16とを接触させた状態で、一方のプレート部材17Aが正極となり、他方のプレート部材17Bが負極となるように、電圧印加器によって、プレート部材17A、17Bのそれぞれに電圧を印加する。これにより、マスクMは、プレート部材17に静電力で保持される。   Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described. In order to perform exposure of the substrate P, the substrate P is transported and held to the substrate stage 2 by a transport system (not shown), and the mask M is transported to the mask stage 1. In a state where the back surface Mb of the mask M and the holding surface 16 of the plate member 17 of the mask stage 1 are in contact with each other, the control device 5 makes one plate member 17A a positive electrode and the other plate member 17B a negative electrode. A voltage is applied to each of the plate members 17A and 17B by a voltage applicator. Thereby, the mask M is held by the plate member 17 with an electrostatic force.

そして、マスクステージ1の保持部材17に保持されたマスクMは、光源装置8より射出され、照明系ILを介した露光光(EUV光)ELで照明される。照明系ILより射出された露光光ELは、マスクMの反射面Maに入射する。マスクMの反射面Maに照射され、その反射面Maで反射した露光光ELは、投影光学系PLの物体面側から投影光学系PLに入射する。投影光学系PLの物体面側から投影光学系PLに入射した露光光ELは、投影光学系PLの像面側に射出され、基板Pの表面(露光面)Paに照射される。これにより、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像が、投影光学系PLを介して、感光性の基板Pに投影され、基板Pは露光される。   The mask M held by the holding member 17 of the mask stage 1 is emitted from the light source device 8 and illuminated with exposure light (EUV light) EL via the illumination system IL. The exposure light EL emitted from the illumination system IL is incident on the reflection surface Ma of the mask M. The exposure light EL that is irradiated onto the reflective surface Ma of the mask M and reflected by the reflective surface Ma enters the projection optical system PL from the object plane side of the projection optical system PL. The exposure light EL that has entered the projection optical system PL from the object plane side of the projection optical system PL is emitted to the image plane side of the projection optical system PL, and is irradiated onto the surface (exposure plane) Pa of the substrate P. Thereby, the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL is projected onto the photosensitive substrate P via the projection optical system PL, and the substrate P is exposed.

本実施形態においては、マスクMを保持するプレート部材17は、保持面16の法線方向に変形可能である。そのため、図6に示すように、仮にマスクMの裏面Mbとプレート部材17の保持面16との間に異物が入り込んでも、マスクMの変形は抑制される。上述のように、プレート部材17の剛性は、マスクM(基材G)の剛性よりも小さい。したがって、図6に示すように、マスクMとプレート部材17との間に異物が入り込んだ場合、プレート部材17の少なくとも一部がZ軸方向に変形するものの、マスクMの変形は抑制される。したがって、マスクMの平面度は維持される。   In the present embodiment, the plate member 17 that holds the mask M can be deformed in the normal direction of the holding surface 16. Therefore, as shown in FIG. 6, even if a foreign substance enters between the back surface Mb of the mask M and the holding surface 16 of the plate member 17, the deformation of the mask M is suppressed. As described above, the rigidity of the plate member 17 is smaller than the rigidity of the mask M (base material G). Therefore, as shown in FIG. 6, when a foreign substance enters between the mask M and the plate member 17, at least a part of the plate member 17 is deformed in the Z-axis direction, but the deformation of the mask M is suppressed. Therefore, the flatness of the mask M is maintained.

また、プレート部材17は、支持部材19で支持されているので、プレート部材17に保持されたマスクMのZ軸方向への移動は抑制される。マスクMは所定の剛性を有するので、プレート部材17に保持された状態で、その変形が抑制される。また、マスクMのXY方向への移動は、プレート部材17の静電力によって抑制される。   Further, since the plate member 17 is supported by the support member 19, the movement of the mask M held by the plate member 17 in the Z-axis direction is suppressed. Since the mask M has a predetermined rigidity, the deformation of the mask M is suppressed while being held by the plate member 17. Further, the movement of the mask M in the XY directions is suppressed by the electrostatic force of the plate member 17.

また、支持面18は、プレート部材17の裏面22に対して十分に小さく、支持面18に支持された部分のプレート部材17とマスクMとの間に異物が入り込む確率が十分に抑えられている。   Further, the support surface 18 is sufficiently small with respect to the back surface 22 of the plate member 17, and the probability that foreign matter enters between the portion of the plate member 17 supported by the support surface 18 and the mask M is sufficiently suppressed. .

また、固定部材25によって、プレート部材17の周縁部が変形したり、マスクステージ1からプレート部材17が脱落することが抑制される。   Further, the fixing member 25 prevents the peripheral portion of the plate member 17 from being deformed or the plate member 17 from dropping from the mask stage 1.

以上説明したように、本実施形態によれば、マスクMの平面度の劣化を抑制し、マスクMをマスクステージ1で良好に保持できる。したがって、露光精度の劣化を抑制でき、基板Pを良好に露光できる。   As described above, according to the present embodiment, deterioration of the flatness of the mask M can be suppressed, and the mask M can be favorably held by the mask stage 1. Therefore, deterioration of exposure accuracy can be suppressed, and the substrate P can be exposed satisfactorily.

また、プレート部材17の保持面16の平面度がある程度ラフでも、支持部材19の支持面18のZ軸方向の位置及び平面度を所望状態にすることで、プレート部材17でマスクMを保持した際にも、マスクMの平面度の劣化を抑制できる。上述のように、支持面18は微小であり、マスクステージ1の製造工程に大きな負荷をかけることなく、支持面18を所望の精度(位置精度、形状精度を含む)に調整できる。   Further, even if the flatness of the holding surface 16 of the plate member 17 is somewhat rough, the mask M is held by the plate member 17 by setting the position and flatness of the support surface 18 of the support member 19 in the Z-axis direction to a desired state. At the same time, the deterioration of the flatness of the mask M can be suppressed. As described above, the support surface 18 is minute, and the support surface 18 can be adjusted to desired accuracy (including position accuracy and shape accuracy) without imposing a heavy load on the manufacturing process of the mask stage 1.

なお、本実施形態においては、支持部(支持面)18が6つ配置される場合を例にして説明したが、例えば、図7に示すように、支持部18が5つであってもよい。また、図8に示すように、支持部18が3つであってもよい。支持部18を少なくとも3つの位置に配置することによって、マスクMのZ軸、θX、及びθY方向への移動を抑制できる。また、支持部18を少なくとも5つの位置に配置することによって、マスクMのZ軸、θX、及びθY方向への移動を抑制できるとともに、マスクMの面精度をより良好に維持することができる。   In the present embodiment, the case where six support portions (support surfaces) 18 are arranged has been described as an example. However, for example, as shown in FIG. 7, five support portions 18 may be provided. . Moreover, as shown in FIG. 8, the support part 18 may be three. By disposing the support portion 18 at at least three positions, the movement of the mask M in the Z-axis, θX, and θY directions can be suppressed. Further, by disposing the support portion 18 at at least five positions, the movement of the mask M in the Z-axis, θX, and θY directions can be suppressed, and the surface accuracy of the mask M can be maintained better.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図9は、第2実施形態に係るマスクステージ1Bを示す図である。図9に示すように、第2実施形態に係るマスクステージ1Bは、マスクMの裏面を静電力で保持可能な保持面16を有するプレート部材17(17A、17B)と、テーブル部材20Bと、テーブル部材20Bを支持するステージ本体21Bとを備える。   FIG. 9 is a diagram showing a mask stage 1B according to the second embodiment. As shown in FIG. 9, the mask stage 1B according to the second embodiment includes a plate member 17 (17A, 17B) having a holding surface 16 that can hold the back surface of the mask M with an electrostatic force, a table member 20B, and a table. A stage body 21B that supports the member 20B.

本実施形態のマスクステージ1Bは、テーブル部材20Bの表面(下面)に配置され、支持面181を有する複数のピン部材191と、それら複数のピン部材191を囲むようにテーブル部材20Bの表面(下面)に配置された支持面182を有する周壁部材192とを備える。以下の説明において、ピン部材191を適宜、第1支持部材191、と称し、周壁部材192を適宜、第2支持部材192、と称する。   The mask stage 1B of the present embodiment is disposed on the surface (lower surface) of the table member 20B, and includes a plurality of pin members 191 having a support surface 181 and the surface (lower surface) of the table member 20B so as to surround the plurality of pin members 191. ) And a peripheral wall member 192 having a support surface 182 disposed thereon. In the following description, the pin member 191 is appropriately referred to as a first support member 191, and the peripheral wall member 192 is appropriately referred to as a second support member 192.

本実施形態においては、複数(2つ)のプレート部材17A、17Bのそれぞれに対応するように、第2支持部材192が複数(2つ)配置されている。第1支持部材191は、第2支持部材192の内側で、互いに所定間隔で複数配置されている。第1支持部材191の支持面181、及び第2支持部材192の支持面182のそれぞれは同一平面内(XY平面内)に配置され、プレート部材17の裏面22を支持する。   In the present embodiment, a plurality of (two) second support members 192 are arranged so as to correspond to each of the plurality (two) of plate members 17A, 17B. A plurality of first support members 191 are arranged at predetermined intervals inside the second support member 192. Each of the support surface 181 of the first support member 191 and the support surface 182 of the second support member 192 is disposed in the same plane (in the XY plane) and supports the back surface 22 of the plate member 17.

本実施形態においても、マスクステージ1Bは、マスクMを良好に保持できる。   Also in this embodiment, the mask stage 1B can hold the mask M satisfactorily.

<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図10は、第3実施形態に係るマスクステージ1Cを示す側断面図である。図10に示すように、本実施形態のマスクステージ1Cは、マスクMの裏面Mbを静電力で保持可能な保持面16Cを有する保持部材17Cと、保持面16Cに保持された基板PのZ軸方向への移動を抑制する支持面18Cを有する支持部材19Cと、支持部材19Cを支持するテーブル部材20Cと、テーブル部材20Cを支持するステージ本体21Cとを備える。   FIG. 10 is a side sectional view showing a mask stage 1C according to the third embodiment. As shown in FIG. 10, the mask stage 1C of this embodiment includes a holding member 17C having a holding surface 16C capable of holding the back surface Mb of the mask M with an electrostatic force, and the Z axis of the substrate P held by the holding surface 16C. A support member 19C having a support surface 18C that suppresses movement in the direction, a table member 20C that supports the support member 19C, and a stage body 21C that supports the table member 20C are provided.

保持部材17Cは、少なくともZ軸方向に弾性変形可能な表面(下面)27を有する絶縁部材23Cと、絶縁部材23Cの表面27と反対側の裏面28と対向する電極部材24Cとを備える。絶縁部材23Cは、例えばシリコンゴムで形成される。保持部材17Cの保持面16Cは、絶縁部材23Cの表面27を含む。   The holding member 17C includes an insulating member 23C having a surface (lower surface) 27 that can be elastically deformed at least in the Z-axis direction, and an electrode member 24C facing the back surface 28 opposite to the surface 27 of the insulating member 23C. The insulating member 23C is made of, for example, silicon rubber. The holding surface 16C of the holding member 17C includes the surface 27 of the insulating member 23C.

本実施形態においては、絶縁部材23C及び電極部材24Cは、ロッド状の支持部材19Cを配置するための孔23H、24Hをそれぞれ有する。孔23H、24Hに配置された支持部材19Cの支持面18Cは、保持面16Cから露出し、支持面18CとマスクMの裏面Mbとは接触する。本実施形態においては、支持部材19Cは3つ設けられており、支持部材19Cの支持面18Cは、マスクMの裏面Mbの3つの位置を支持する。   In the present embodiment, the insulating member 23C and the electrode member 24C have holes 23H and 24H for disposing the rod-shaped support member 19C, respectively. The support surface 18C of the support member 19C disposed in the holes 23H and 24H is exposed from the holding surface 16C, and the support surface 18C and the back surface Mb of the mask M are in contact with each other. In the present embodiment, three support members 19C are provided, and the support surface 18C of the support member 19C supports three positions on the back surface Mb of the mask M.

図11は、電極部材24Cを示す平面図である。図11に示すように、電極部材24Cは、正極となる第1電極部材241と、負極となる第2電極部材242とを含む。電極部材24Cは、支持部材19Cを配置するための孔24Hを有する。孔24Hは、複数(3つ)の支持部材19Cに対応するように形成されている。孔24Hは、支持部材19Cの外径よりも大きい内径を有し、支持部材19Cは、電極部材24Cと接触しないように、孔24Hに配置される。   FIG. 11 is a plan view showing the electrode member 24C. As shown in FIG. 11, the electrode member 24C includes a first electrode member 241 that is a positive electrode and a second electrode member 242 that is a negative electrode. The electrode member 24C has a hole 24H for arranging the support member 19C. The holes 24H are formed to correspond to a plurality (three) of support members 19C. The hole 24H has an inner diameter larger than the outer diameter of the support member 19C, and the support member 19C is disposed in the hole 24H so as not to contact the electrode member 24C.

本実施形態においては、マスクMの裏面Mbが支持部材19Cで支持されているので、マスクMのZ軸方向への移動は抑制される。また、マスクMのXY方向への移動は、保持部材17Cの静電力によって抑制される。   In the present embodiment, since the back surface Mb of the mask M is supported by the support member 19C, the movement of the mask M in the Z-axis direction is suppressed. Further, the movement of the mask M in the XY directions is suppressed by the electrostatic force of the holding member 17C.

また、本実施形態においては、マスクMを保持する絶縁部材23Cの保持面16Cは、その保持面16Cの法線方向(Z軸方向)に変形可能である。したがって、図12に示すように、仮にマスクMの裏面Mbと絶縁部材23Cの保持面16Cとの間に異物が入り込んでも、マスクMの変形が抑制される。絶縁部材23Cの剛性は、マスクM(基材G)の剛性よりも小さく、その表面27(保持面16C)は弾性変形可能なので、図12に示すように、マスクMの裏面Mbと絶縁部材23Cの保持面16Cとの間に異物が入り込んだ場合、絶縁部材23Cの少なくとも一部がZ軸方向に変形するものの、マスクMの変形は抑制される。したがって、マスクMの平面度は維持される。   In the present embodiment, the holding surface 16C of the insulating member 23C that holds the mask M can be deformed in the normal direction (Z-axis direction) of the holding surface 16C. Therefore, as shown in FIG. 12, even if a foreign substance enters between the back surface Mb of the mask M and the holding surface 16C of the insulating member 23C, the deformation of the mask M is suppressed. Since the rigidity of the insulating member 23C is smaller than the rigidity of the mask M (base material G) and the surface 27 (holding surface 16C) can be elastically deformed, as shown in FIG. 12, the back surface Mb of the mask M and the insulating member 23C. When a foreign object enters between the holding surface 16C and the insulating surface 23C, at least a part of the insulating member 23C is deformed in the Z-axis direction, but deformation of the mask M is suppressed. Therefore, the flatness of the mask M is maintained.

また、支持部材19Cの支持面18Cは、マスクMの裏面Mbに対して十分に小さく、支持面18CとマスクMとの間に異物が入り込む確率が十分に抑えられている。   Further, the support surface 18C of the support member 19C is sufficiently small with respect to the back surface Mb of the mask M, and the probability that foreign matter enters between the support surface 18C and the mask M is sufficiently suppressed.

<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図13は、本実施形態に係る基板ステージ2Dの一例を示す図である。図13に示す基板ステージ2Dは、上述の第1実施形態で説明したマスクステージ1と同等の構成を有する。   FIG. 13 is a diagram showing an example of the substrate stage 2D according to the present embodiment. A substrate stage 2D shown in FIG. 13 has a configuration equivalent to that of the mask stage 1 described in the first embodiment.

図13において、基板Pを保持する基板ステージ2Dは、基板Pの裏面Pbを静電力で保持可能な保持面16Dを有するプレート部材17Dと、プレート部材17Dを支持する支持部18Dを有する支持部材19Dと、支持部材19Dを支持するテーブル部材20Dと、テーブル部材20Dを支持するステージ本体21Dとを備える。基板Pの裏面Pbは、露光光ELが照射される表面Paとは反対側の面である。支持部材19Dの支持面18Dは、プレート部材17Dの下面の少なくとも3つの位置を支持する。   In FIG. 13, a substrate stage 2D that holds a substrate P includes a plate member 17D having a holding surface 16D that can hold the back surface Pb of the substrate P with an electrostatic force, and a support member 19D having a support portion 18D that supports the plate member 17D. And a table member 20D that supports the support member 19D, and a stage body 21D that supports the table member 20D. The back surface Pb of the substrate P is a surface on the side opposite to the surface Pa irradiated with the exposure light EL. The support surface 18D of the support member 19D supports at least three positions on the lower surface of the plate member 17D.

プレート部材17Dは、絶縁層23D及び電極層24Dを含み、可撓性を有する。プレート部材17Dの保持面16Dは、基板Pの裏面Pbの広い領域(ほぼ全域)と接触可能なように、所定の大きさを有する。プレート部材17Dの保持面16Dは、絶縁層23Dの表面を含み、基板Pの裏面Pbを静電力で保持する。   The plate member 17D includes an insulating layer 23D and an electrode layer 24D, and has flexibility. The holding surface 16D of the plate member 17D has a predetermined size so as to be able to contact a wide area (substantially the entire area) of the back surface Pb of the substrate P. The holding surface 16D of the plate member 17D includes the surface of the insulating layer 23D, and holds the back surface Pb of the substrate P with an electrostatic force.

また、プレート部材17Dの周縁を固定する固定部材25Dが配置されている。固定部材25Dでプレート部材17Dの周縁を固定することにより、プレート部材17Dの周縁が、例えば自重(重力作用)等によって変形することを抑制できる。   A fixing member 25D for fixing the peripheral edge of the plate member 17D is disposed. By fixing the periphery of the plate member 17D with the fixing member 25D, it is possible to suppress deformation of the periphery of the plate member 17D due to, for example, its own weight (gravity action).

図14は、基板ステージ2Eの一例を示す図である。図14に示す基板ステージ2Eは、上述の第3実施形態で説明したマスクステージ1Cと同等の構成を有する。   FIG. 14 is a diagram illustrating an example of the substrate stage 2E. A substrate stage 2E shown in FIG. 14 has a configuration equivalent to the mask stage 1C described in the third embodiment.

図14において、基板ステージ2Eは、基板Pの裏面Pbを静電力で保持可能な保持面16Eを有する保持部材17Eと、保持面16Eに保持された基板PのZ軸方向への移動を抑制する支持面18Eを有する支持部材19Eと、支持部材19Eを支持するテーブル部材20Eと、テーブル部材20Eを支持するステージ本体21Eとを備える。   In FIG. 14, the substrate stage 2E suppresses the movement of the holding member 17E having the holding surface 16E capable of holding the back surface Pb of the substrate P with electrostatic force and the movement of the substrate P held by the holding surface 16E in the Z-axis direction. A support member 19E having a support surface 18E, a table member 20E that supports the support member 19E, and a stage body 21E that supports the table member 20E are provided.

保持部材17Eは、少なくともZ軸方向に弾性変形可能な表面(上面)27Eを有する絶縁部材23Eと、絶縁部材23Eの表面27Eと反対側の裏面28Eと対向する電極部材24Eとを備える。絶縁部材23Eは、例えばシリコンゴムで形成される。保持部材17Eの保持面16Eは、絶縁部材23Eの表面27Eを含む。   The holding member 17E includes an insulating member 23E having a surface (upper surface) 27E that can be elastically deformed at least in the Z-axis direction, and an electrode member 24E facing the back surface 28E opposite to the surface 27E of the insulating member 23E. The insulating member 23E is made of, for example, silicon rubber. The holding surface 16E of the holding member 17E includes a surface 27E of the insulating member 23E.

支持部材19Eの支持面18Eは、保持面16Eから露出し、支持面18Eと基板Pの裏面Pbとは接触する。本実施形態においては、支持部材19Eは3つ設けられており、支持部材19Eの支持面18Eは、基板Pの裏面Pbの3つの位置を支持する。   The support surface 18E of the support member 19E is exposed from the holding surface 16E, and the support surface 18E and the back surface Pb of the substrate P are in contact with each other. In the present embodiment, three support members 19E are provided, and the support surface 18E of the support member 19E supports three positions on the back surface Pb of the substrate P.

以上説明したように、上述の実施形態で説明したマスクステージの構成を、基板ステージに適用することができる。本実施形態によれば、基板Pの平面度の劣化を抑制し、基板Pを基板ステージで良好に保持できる。したがって、露光精度の劣化を抑制でき、基板Pを良好に露光できる。   As described above, the configuration of the mask stage described in the above embodiment can be applied to the substrate stage. According to this embodiment, the deterioration of the flatness of the substrate P can be suppressed, and the substrate P can be favorably held on the substrate stage. Therefore, deterioration of exposure accuracy can be suppressed, and the substrate P can be exposed satisfactorily.

なお、上述の第1〜第4実施形態において、支持部材19は、XY平面とほぼ平行な平面を含む支持面18を備えているが、支持面が曲面状、球面状であってもよい。例えば、図15に示すように、プレート部材17の裏面22を支持する支持部材19の支持部18Fが曲面状(球面状)であってもよい。この場合、支持部18Fとプレート部材17の裏面22とは点接触し、支持部18は、プレート部材17の裏面22に対して支持点を形成する。このような構成であっても、マスクステージはマスクMを良好に保持でき、基板ステージは基板Pを良好に保持できる。   In the first to fourth embodiments described above, the support member 19 includes the support surface 18 including a plane substantially parallel to the XY plane, but the support surface may be curved or spherical. For example, as shown in FIG. 15, the support portion 18 </ b> F of the support member 19 that supports the back surface 22 of the plate member 17 may be curved (spherical). In this case, the support portion 18 </ b> F and the back surface 22 of the plate member 17 are in point contact, and the support portion 18 forms a support point with respect to the back surface 22 of the plate member 17. Even in such a configuration, the mask stage can hold the mask M well, and the substrate stage can hold the substrate P well.

なお、上述の実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   As the substrate P in the above-described embodiment, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask (reticle) used in an exposure apparatus ( Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、例えば米国特許第6,611,316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate through a projection optical system, and one scanning exposure is performed on one substrate. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of shot areas almost simultaneously.

また、本発明は、米国特許6,341,007号、米国特許6,400,441号、米国特許6,549,269号、米国特許6,590,634号、米国特許6,208,407号、米国特許6,262,796号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   Further, the present invention relates to US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,400,441, US Pat. No. 6,549,269, US Pat. No. 6,590,634, US Pat. No. 6,208,407. The present invention is also applicable to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,262,796.

更に、例えば特開平11−135400号公報(対応国際公開第1999/23692号パンフレット)、米国特許第6,897,963号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135400 (corresponding to International Publication No. 1999/23692), US Pat. No. 6,897,963, etc., a substrate stage for holding a substrate and a reference mark are provided. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a formed reference member and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD) In addition, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.

なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   As long as it is permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX according to the embodiment of the present application maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図16に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。   As shown in FIG. 16, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a substrate of the device. Manufacturing step 203, substrate processing step 204 including substrate processing (exposure processing) for exposing the substrate with an image of a mask pattern and developing the exposed substrate according to the above-described embodiment, device assembly step (dicing process, bonding) (Including processing processes such as process and package process) 205, inspection step 206 and the like.

なお、上述の実施形態においては、基板Pにパターンを形成するための装置が、感光性を有する基板Pに露光光ELを照射することによってその基板Pにパターンを形成する露光装置である場合を例にして説明したが、本発明の保持装置は、基板P上にパターンを形成する種々のパターン形成装置に適用可能である。そのようなパターン形成装置としては、例えばインクの滴を基板上に吐出することによってその基板上にパターンを形成するインクジェット装置、凹凸パターンが形成された原版と有機材料が塗布された基板とを基板のガラス転移温度以上に加熱しながら押し当て、その後、原版と基板とを離すとともに基板を冷却して基板上に原版のパターンを転写するナノインプリント装置などが挙げられる。これらの装置に基板を保持する保持装置が設けられている場合には、本発明の保持装置を用いて基板を保持することで、基板を所望状態で保持することができる。   In the above-described embodiment, the case where the apparatus for forming a pattern on the substrate P is an exposure apparatus that forms a pattern on the substrate P by irradiating the exposure light EL to the substrate P having photosensitivity. Although described as an example, the holding device of the present invention is applicable to various pattern forming apparatuses that form patterns on the substrate P. As such a pattern forming apparatus, for example, an ink jet apparatus that forms a pattern on a substrate by ejecting ink droplets onto the substrate, an original plate on which a concavo-convex pattern is formed, and a substrate on which an organic material is applied And a nanoimprinting apparatus for transferring the pattern of the original plate onto the substrate by separating the original plate and the substrate and then cooling the substrate. When a holding device that holds a substrate is provided in these apparatuses, the substrate can be held in a desired state by holding the substrate using the holding device of the present invention.

なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。   Although the embodiments of the present invention have been described as described above, the present invention can be used by appropriately combining all the above-described constituent elements, and some constituent elements may not be used.

第1実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るマスクステージを示す側面図である。It is a side view which shows the mask stage which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るマスクステージを下側から見た図である。It is the figure which looked at the mask stage which concerns on 1st Embodiment from the lower side. 第1実施形態に係るマスクステージの一部を拡大した図である。It is the figure which expanded a part of mask stage concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るマスクステージの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of mask stage which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るマスクステージの作用を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect | action of the mask stage which concerns on 1st Embodiment. マスクステージの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a mask stage. マスクステージの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a mask stage. 第2実施形態に係るマスクステージを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mask stage which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係るマスクステージを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the mask stage which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係るマスクステージの電極部材を示す図である。It is a figure which shows the electrode member of the mask stage which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係るマスクステージの作用を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect | action of the mask stage which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る基板ステージを示す側面図である。It is a side view which shows the substrate stage which concerns on 4th Embodiment. 基板ステージの一例を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows an example of a substrate stage. 支持部材の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a supporting member. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice.

符号の説明Explanation of symbols

1…マスクステージ、2…基板ステージ、16…保持面、17…保持部材、18…支持部、19…支持部材、23…絶縁層、23C…絶縁部材、23H…孔、24…電極層、24C…電極部材、24H…孔、25…固定部材、EL…露光光、EX…露光装置、M…マスク、Ma…反射面、Mb…裏面、P…基板、Pa…表面、Pb…裏面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mask stage, 2 ... Substrate stage, 16 ... Holding surface, 17 ... Holding member, 18 ... Supporting part, 19 ... Supporting member, 23 ... Insulating layer, 23C ... Insulating member, 23H ... Hole, 24 ... Electrode layer, 24C ... Electrode member, 24H ... Hole, 25 ... Fixing member, EL ... Exposure light, EX ... Exposure apparatus, M ... Mask, Ma ... Reflecting surface, Mb ... Back surface, P ... Substrate, Pa ... Front surface, Pb ... Back surface

Claims (11)

基板を保持する保持装置であって、
前記基板の一方の面を静電力で保持可能な第1面を有し、前記第1面の少なくとも一部が該第1面の法線方向に変形可能な保持部材と、
前記第1面と略平行な平面内で互いに離れた少なくとも3つの位置に配置され、前記第1面に保持された前記基板の前記法線方向への移動を抑える支持部を有する支持部材と、を備えた保持装置。
A holding device for holding a substrate,
A holding member having a first surface capable of holding one surface of the substrate by electrostatic force, wherein at least a part of the first surface is deformable in a normal direction of the first surface;
A support member having a support portion disposed at least at three positions separated from each other in a plane substantially parallel to the first surface and suppressing the movement of the substrate held on the first surface in the normal direction; Holding device.
前記保持部材は、絶縁層及び電極層を備えた可撓性を有するプレート部材を含む請求項1記載の保持装置。   The holding device according to claim 1, wherein the holding member includes a flexible plate member including an insulating layer and an electrode layer. 前記プレート部材は、前記第1面及び該第1面と反対側の第2面を有し、
前記支持部材の支持部は、前記プレート部材の前記第2面の少なくとも3つの位置を支持する請求項2記載の保持装置。
The plate member has the first surface and a second surface opposite to the first surface;
The holding device according to claim 2, wherein the support portion of the support member supports at least three positions of the second surface of the plate member.
前記プレート部材の前記第2面の周縁を固定する固定部材を備えた請求項2又は3記載の保持装置。   The holding device according to claim 2, further comprising a fixing member that fixes a peripheral edge of the second surface of the plate member. 前記保持部材は、少なくとも前記法線方向に弾性変形可能な表面を有する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記表面と反対側の裏面と対向する電極部材とを備え、
前記第1面は、前記絶縁部材の表面を含む請求項1記載の保持装置。
The holding member has an insulating member having a surface that is elastically deformable at least in the normal direction;
An electrode member facing the back surface opposite to the surface of the insulating member;
The holding device according to claim 1, wherein the first surface includes a surface of the insulating member.
前記支持部材の支持部は、前記基板の一方の面の少なくとも3つの位置を支持する請求項5記載の保持装置。   The holding device according to claim 5, wherein the support portion of the support member supports at least three positions on one surface of the substrate. 前記絶縁部材は、前記支持部材の少なくとも一部を配置するための孔を有する請求項5又は6記載の保持装置。   The holding device according to claim 5 or 6, wherein the insulating member has a hole for disposing at least a part of the support member. 前記基板の他方の面に露光光が照射される請求項1〜7のいずれか一項記載の保持装置。   The holding device according to claim 1, wherein the other surface of the substrate is irradiated with exposure light. パターンが形成された第1基板を露光光で照明し、前記第1基板からの前記露光光で感光性を有する第2基板を露光する露光装置であって、
前記第1基板を保持する第1保持装置、及び前記第2基板を保持する第2保持装置を備え、
前記第1保持装置及び前記第2保持装置の少なくとも一方は、請求項1〜8のいずれか一項記載の保持装置を含む露光装置。
An exposure apparatus that illuminates a first substrate on which a pattern is formed with exposure light and exposes a second substrate having photosensitivity with the exposure light from the first substrate,
A first holding device for holding the first substrate; and a second holding device for holding the second substrate;
The exposure apparatus including the holding device according to claim 1, wherein at least one of the first holding device and the second holding device.
前記露光光は極端紫外光を含む請求項9記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 9, wherein the exposure light includes extreme ultraviolet light. 請求項9又は10記載の露光装置を用いて前記第2基板を露光することと、
前記露光された前記第2基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the second substrate using the exposure apparatus according to claim 9 or 10,
Developing the exposed second substrate. A device manufacturing method comprising:
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