JP2008537350A - 電子部品を製造するための方法と装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 23
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 18
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
2 巻き戻しユニット
3 ロール
4 プラズマ洗浄器
5 印刷機
6 冷却ロール
7 被覆ゾーン
8 マイクロクラック機器
9 ノズル
10 電子銃
11 巻き取りユニット
12 キャリア箔
13 気化管
14 穴あけロール
15 機能検査器
Claims (17)
- 真空内での電子部品の製造方法であって、キャリア箔(12)は、封止液を部分的及び/又は選択的に印刷されて、次に金属蒸気に曝され、キャリア箔(12)上の封止液層の無いゾーンに金属層を積層させて、蒸着プロセスの間に封止液を蒸発させ、次に更なる蒸着プロセスによって、被覆したキャリア箔(12)上に半導体材料を蒸着させ、それに続いて、アクリラートの塗布を行い、次に再度キャリア液を部分的及び/又は選択的にアクリラートの層の上に印刷し、次に金属の蒸着を行い、場合によっては、これまでに述べてきた被覆プロセスを繰り返し、そして個々の金属被覆層間の接続部を製作することができる方法。
- 真空内でキャリア箔(12)をフィードローラーから巻き戻して、被覆プロセス後にロールに巻き取ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 制御した形で巻き戻しプロセス及び/又は巻き取りプロセスを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- キャリア箔(12)は、張力測定ロール、エキスパンダロール、リターンロールなどのロール(3)を介して、冷却ロール(6,6.1)に案内されることと、金属の蒸着が、冷却ロール(6,6.1)の領域において行われることとを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 蒸気圧と封止液の量は、それに続く金属被覆ゾーン(7)において、蒸発源の輻射熱と発生する凝縮熱によって、キャリア箔(12)から封止液が蒸発して、事前に封止液を塗った領域における蒸発した封止液の蒸発層によって、それらの領域に金属蒸気が凝縮するのが防止されるように選定することを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載の方法。
- 約95%までの金属被覆ゾーン(10)において、封止液をキャリア箔(12)から蒸発させることと、プラズマを用いて、その封止液の残りをキャリア箔(12)から洗浄することとを特徴とする請求項1から5までのいずれか一つに記載の方法。
- マイクロクラック技術を用いて、蒸着させた金属層に切れ目を入れることによって、二つの隣接する金属被覆領域間の特に小さい間隔を作り出すことを特徴とする請求項1から6までのいずれか一つに記載の方法。
- 半導体材料として、有機半導体材料、例えば、ペンタセンを使用することを特徴とする請求項1から7までのいずれか一つに記載の方法。
- 第二の冷却ロール(6.1)の領域において、液体のアクリラートの塗布を行うことと、電子銃(10)を用いて、アクリラートを励起して、ポリマー化することとを特徴とする請求項1から8までのいずれか一つに記載の方法。
- 第一の金属被覆層の蒸着された導体通路が、電界効果トランジスタのドレイン及びソースとして使用され、第二の金属被覆層の蒸着された導体通路が、ゲートとして使用されることを特徴とする請求項1から9までのいずれか一つに記載の方法。
- 更なる被覆プロセスにおいて、誘電材料を蒸着させることを特徴とする請求項1から10までのいずれか一つに記載の方法。
- 当該の導体通路が、電界効果トランジスタの機能以外に、抵抗、コイル、コンデンサ又はアンテナとして構成されることを特徴とする請求項1から11までのいずれか一つに記載の方法。
- 個々の金属被覆層間の接続部が、穴あけロール(14)を用いて、接続通路として作られることを特徴とする請求項1から12までのいずれか一つに記載の方法。
- 最終的に、被覆したキャリア箔(12)は、プラズマ洗浄されて、機能検査を受け、真空内で巻き取られること。
- 請求項1から14までのいずれか一つに記載の方法を実施するための装置において、
真空室(1)と、巻き戻し機器(2)と、冷却ロール(6)と、キャリア箔(12)に封止液を印刷するための印刷機(5)と、金属被覆機器(7)と、隣接する金属被覆層間に最小限の間隔を作るためのマイクロクラック機器と、別の冷却ロール(6.1)の領域における半導体媒体用気化管(13)と、キャリア箔(12)にアクリラートを塗るための塗布用ノズル(9)と、アクリラートをポリマー化するための電子銃(10)と、アクリラートに部分的及び/又は選択的に印刷するための別の印刷機(5.1)と、個々の金属被覆層間の接続通路を製造するための穴あけロール(14)と、更なる金属被覆ゾーン(7.1)とを特徴とする装置。 - プラズマ洗浄器(4,4.1,4.2)を特徴とする請求項15に記載の装置。
- 巻き取りユニット(11)の前に、機能を検査するためのユニット(15)が配備されていることを特徴とする請求項15又は16に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005018984A DE102005018984A1 (de) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von elektronischen Bauteilen |
| PCT/EP2006/003678 WO2006111400A2 (de) | 2005-04-22 | 2006-04-21 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von elektronischen bauteilen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008537350A true JP2008537350A (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=37084985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008507010A Pending JP2008537350A (ja) | 2005-04-22 | 2006-04-21 | 電子部品を製造するための方法と装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7767591B2 (ja) |
| EP (1) | EP1872417B1 (ja) |
| JP (1) | JP2008537350A (ja) |
| CN (1) | CN101164177B (ja) |
| AT (1) | ATE504947T1 (ja) |
| DE (2) | DE102005018984A1 (ja) |
| WO (1) | WO2006111400A2 (ja) |
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- 2006-04-21 EP EP06724491A patent/EP1872417B1/de not_active Not-in-force
- 2006-04-21 JP JP2008507010A patent/JP2008537350A/ja active Pending
- 2006-04-21 CN CN2006800133967A patent/CN101164177B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-21 AT AT06724491T patent/ATE504947T1/de active
- 2006-04-21 DE DE502006009253T patent/DE502006009253D1/de active Active
- 2006-04-21 US US11/918,814 patent/US7767591B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-21 WO PCT/EP2006/003678 patent/WO2006111400A2/de active Application Filing
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090219 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100527 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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