[go: up one dir, main page]

JP2008537350A - 電子部品を製造するための方法と装置 - Google Patents

電子部品を製造するための方法と装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008537350A
JP2008537350A JP2008507010A JP2008507010A JP2008537350A JP 2008537350 A JP2008537350 A JP 2008537350A JP 2008507010 A JP2008507010 A JP 2008507010A JP 2008507010 A JP2008507010 A JP 2008507010A JP 2008537350 A JP2008537350 A JP 2008537350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier foil
sealing liquid
roll
metal
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008507010A
Other languages
English (en)
Inventor
トゥロイデ・ロルフ
Original Assignee
シュタイナー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシャフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シュタイナー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシャフト filed Critical シュタイナー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシャフト
Publication of JP2008537350A publication Critical patent/JP2008537350A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/441Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

真空内での電子部品の製造方法によって、一方において柔軟であり、他方において最適な作用を示す電子部品を一つの作業工程で安価かつ簡単に製造することができるようにする。そのために、キャリア箔(12)は、封止液を部分的及び/又は選択的に印刷されて、次に金属蒸気に曝され、キャリア箔(12)上の封止液層の無いゾーンに金属層を積層させて、蒸着プロセスの間に封止液を蒸発させ、次に更なる蒸着プロセスによって、被覆したキャリア箔(12)上に半導体材料を蒸着させ、それに続いて、アクリラートの塗布を行い、次に再度封止液を部分的及び/又は選択的にアクリラートの層の上に印刷し、次に金属の蒸着を行い、場合によっては、これまでに述べてきた被覆プロセスを繰り返し、そして個々の金属被覆層間の接続部を製作することができる方法を提案する。

Description

この発明は、電子部品の製造方法とその方法を実施するための装置に関する。
特許文献1と2により、真空中でキャリア箔上に金属層を部分的に蒸着させる、箔への金属被覆方法が知られている。しかし、その場合封止液として洗い落とせる染料を塗布し、それを後で真空外で洗浄しなければならないというのが不利であることが分かっている。更に、これらの引用文献は、電界効果トランジスタなどの能動部品を製造する手段を開示していない。
特許文献3により、電界効果トランジスタの製造方法も既に知られている。しかし、その場合基板に被覆するために印刷技術を使用している。基板への印刷は、通常の大気圧で行われており、その結果印刷された層が極めて簡単に酸化してしまい、それによって低品質の電子部品が出来上がている。
国際特許公開第02/31214号明細書 欧州特許公開第1291463号明細書 ドイツ特許公開第10033112号明細書
本発明の課題は、一方において柔軟であり、他方において最適な作用を示す電子部品を一つの作業工程で安価かつ簡単に製造することが可能な方法を提示することである。
この課題を解決するために、真空内での電子部品の製造方法であって、キャリア箔は、封止液を部分的に印刷されて、次に金属蒸気に曝され、キャリア箔上の封止液層の無いゾーンに金属層を積層させて、蒸着プロセスの間に封止液を蒸発させ、次に更なる蒸着プロセスによって、被覆したキャリア箔上に半導体材料を蒸着させ、それに続いて、液体のアクリラートの塗布を行い、次に再度封止液を部分的にアクリラートの層の上に印刷し、次に金属の蒸着を行い、場合によっては、これまでに述べてきた被覆プロセスを繰り返し、そして個々の金属被覆層間の接続部を製作することができる方法を提案する。
この方法は、全て真空内で行われ、その結果被覆した層の如何なる領域も酸化する可能性が無くなる。そのため、金属蒸着による被覆時に純粋な金属が箔上に析出することとなる。金属粒子用のキャリア媒体を用いた印刷方法と比べて、被覆領域内において著しく高い濃度の金属が得られる。これらの層は、極めて薄く積層させることが可能である。更に、半導体材料を使用することによって、電界効果トランジスタなどの能動部品も製造することができる。
真空内で箔をフィードロールから巻き戻して、相応の被覆プロセス後にロールに巻き取れることが実証されている。この方法全体を真空室内でロールツーロール法で行うことによって、汚染の害を出来る限り小さくすることが保証される。
制御した形で巻き戻しプロセス及び/又は巻き取りプロセスを行うのが有利である。そうすることによって、場合によっては相異なる時間間隔を必要とする、この方法の個々の工程を最適な順番に適合させることができる。
有利な手法では、隣接する金属被覆ゾーンにおいて、蒸発源の輻射熱と発生する凝縮熱によって、キャリア箔から封止液が蒸発するように、蒸気圧と封止液の量を選定する。事前に封止液を塗っておいた領域における蒸発した封止液の蒸気層によって、その領域に金属蒸気が凝縮することが防止される。
この措置によって、金属被覆プロセスに続いて、洗浄プロセスを行う必要がないか、或いはほとんど行う必要がないようにすることができる。
キャリア箔の約95%までの金属を蒸着させる領域において、シール層を蒸発させた場合、プラズマを用いて、シール層の残りをキャリア箔から洗浄するのが有効である。しかし、それによって、ほんの僅かな量の取り去るべき物質が生じてしまう。その量は、従来技術の方法による洗い落とせる染料を浄化、洗浄する場合と比較にならない程少ない。
蒸着技術によって、隣接する金属被覆領域間の極めて小さい間隔をようやく実現することができる。しかし、二つの隣接する金属被覆領域間の特に小さい間隔を実現する場合、例えば、30μm以内の切れ目を作り、その後半導体材料によって、その切れ目を埋めることができるように、マイクロクラック技術を用いたクラックによって、金属被覆領域を切り分けることを提案する。この場合、切り分けられた金属被覆領域間の半導体材料の幅は、そこで出来上がった能動部品の速度に関して重要な役割を果たすこととなる。
半導体材料として、有機半導体材料、例えば、ペンタセンを使用できることが実証されている。
個々の被覆領域を互いに切り分けるとともに、被覆時に相異なる時間的な順番も保証することが可能であるためには、第二の冷却ロールの領域においてアクリラートを塗布し、電子銃を用いて、そのアクリラートを励起して、ポリマー化するのが有利であることが分かっている。そうすることによって、個々の被覆フェーズに関して、最適な時間に調節することができる。
第一の金属被覆の蒸着された導体通路を電界効果トランジスタ(FET)のドレイン及びソースとして使用し、第二の金属被膜層の蒸着された導体通路をゲートとして使用できることが実証されている。そうすることによって、出来る限り小さい負担で非常に安価に電界効果トランジスタを製造することができる。
しかし、更なる被覆プロセスで誘電材料を被覆する手段も有る。そうすることによって、例えば、コンデンサを製作することができる。
しかし、第一又は第二の蒸着させた金属層を作る際に、同じ被覆工程で導体通路、抵抗、コイル又はアンテナを一緒に製造できることも実証されている。個々の部品を相応に接続することによって、IC全体又はトランスポンダなどの完全な構造ユニットを製造することが可能である。
この場合、穴あけロールを用いて、個々の金属被覆層間の接続部を接続通路として作れることが実証されている。これらの接続通路は、その後の蒸着プロセスによって金属で埋めて、導電性とする。
最終的に、相応に被覆した箔をプラズマ洗浄し、機能を検査して、同じ真空内でそのまま再び巻き取るのも有利である。そうすることによって、一つの真空室内で相応の電子部品を製造して、そのままその機能性を検査することもできる。
この方法を実施するための有利な装置は、請求項15〜17に記載されている。
図面にもとづき、本発明を詳しく説明する。この場合、図面は、巻き戻しユニット2を備えた真空室1を図示している。キャリア箔12は、張力測定ロール、エキスパンダロール、リターンロールなどのロール3を介して、冷却ロール6に案内される。冷却ロール6の領域には、キャリア箔12の後で被覆する表面を洗浄するプラズマ洗浄器が有る。それに続いて、キャリア箔12の上に封止液を部分的及び選択的に塗布するための印刷機5が配備されている。その次に、キャリア箔12は、金属を蒸発させて、封止液を塗られていないキャリア箔12上に定着させるための被覆ゾーン7を通過する。蒸発源の輻射熱と発生する凝縮熱によって、封止液は、キャリア箔12からほぼ完全に蒸発する。キャリア箔12の上に依然として残っている残留物は、プラズマ洗浄器4.1を用いて、キャリア箔12から取り除かれる。
真空内でキャリア箔に金属を蒸着させることによって、隣接する蒸着領域間の極めて小さい間隔をようやく実現することができる。ここで、特に小さい間隔を実現する場合には、マイクロクラック機器8によって、それを作ることができる。マイクロクラックプロセスに続いて、キャリア箔12は、冷却ロール6から第二の冷却ロール6.1に移動する。そこでは、キャリア箔12は、キャリア箔12の部分的及び選択的に被覆され、場合によっては切れ目を入れられた表面上に半導体材料を被覆するための気化管13に達する。キャリア箔12の通過方向に対して、半導体の被覆後には、ノズル9を用いたアクリラートの塗布が行われる。アクリラートは、電子銃10から電子を打ち込まれ、それによって、アクリラートはポリマー化する。それに続いて、更なる印刷プロセスにおいて、印刷機5.1を用いて、キャリア箔12のアクリラートの表面上に部分的及び選択的に封止液を印刷することができる。穴あけロール14によって、アクリラート層を通した、その下の金属被覆層までの接続通路を作ることができる。穴あけロールは、これらの通路を所定の位置に作る。それに続いて、キャリア箔の表面を被覆する。この場合、再び封止液を蒸発させて、封止液が付いていない領域及び穴あけロールによって作られた通路の上に金属を析出させる。残った封止液は、プラズマ洗浄器4.2によって取り除くことができる。
これらの冷却ロールに、例えば、6.2〜6.nまでの更に別の冷却ロールを繋げることができ、それらの領域において、場合によっては順番を変更して、印刷と被覆プロセスを実行することができる。同じく真空室1内に有る巻き取りユニット11にキャリア箔12を巻き取る前に、キャリア箔12を機能検査器15に通して、そこで、出来上がった個々の電子部品の機能を検査することができる。
真空室の図
符号の説明
1 真空室
2 巻き戻しユニット
3 ロール
4 プラズマ洗浄器
5 印刷機
6 冷却ロール
7 被覆ゾーン
8 マイクロクラック機器
9 ノズル
10 電子銃
11 巻き取りユニット
12 キャリア箔
13 気化管
14 穴あけロール
15 機能検査器

Claims (17)

  1. 真空内での電子部品の製造方法であって、キャリア箔(12)は、封止液を部分的及び/又は選択的に印刷されて、次に金属蒸気に曝され、キャリア箔(12)上の封止液層の無いゾーンに金属層を積層させて、蒸着プロセスの間に封止液を蒸発させ、次に更なる蒸着プロセスによって、被覆したキャリア箔(12)上に半導体材料を蒸着させ、それに続いて、アクリラートの塗布を行い、次に再度キャリア液を部分的及び/又は選択的にアクリラートの層の上に印刷し、次に金属の蒸着を行い、場合によっては、これまでに述べてきた被覆プロセスを繰り返し、そして個々の金属被覆層間の接続部を製作することができる方法。
  2. 真空内でキャリア箔(12)をフィードローラーから巻き戻して、被覆プロセス後にロールに巻き取ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 制御した形で巻き戻しプロセス及び/又は巻き取りプロセスを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
  4. キャリア箔(12)は、張力測定ロール、エキスパンダロール、リターンロールなどのロール(3)を介して、冷却ロール(6,6.1)に案内されることと、金属の蒸着が、冷却ロール(6,6.1)の領域において行われることとを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. 蒸気圧と封止液の量は、それに続く金属被覆ゾーン(7)において、蒸発源の輻射熱と発生する凝縮熱によって、キャリア箔(12)から封止液が蒸発して、事前に封止液を塗った領域における蒸発した封止液の蒸発層によって、それらの領域に金属蒸気が凝縮するのが防止されるように選定することを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載の方法。
  6. 約95%までの金属被覆ゾーン(10)において、封止液をキャリア箔(12)から蒸発させることと、プラズマを用いて、その封止液の残りをキャリア箔(12)から洗浄することとを特徴とする請求項1から5までのいずれか一つに記載の方法。
  7. マイクロクラック技術を用いて、蒸着させた金属層に切れ目を入れることによって、二つの隣接する金属被覆領域間の特に小さい間隔を作り出すことを特徴とする請求項1から6までのいずれか一つに記載の方法。
  8. 半導体材料として、有機半導体材料、例えば、ペンタセンを使用することを特徴とする請求項1から7までのいずれか一つに記載の方法。
  9. 第二の冷却ロール(6.1)の領域において、液体のアクリラートの塗布を行うことと、電子銃(10)を用いて、アクリラートを励起して、ポリマー化することとを特徴とする請求項1から8までのいずれか一つに記載の方法。
  10. 第一の金属被覆層の蒸着された導体通路が、電界効果トランジスタのドレイン及びソースとして使用され、第二の金属被覆層の蒸着された導体通路が、ゲートとして使用されることを特徴とする請求項1から9までのいずれか一つに記載の方法。
  11. 更なる被覆プロセスにおいて、誘電材料を蒸着させることを特徴とする請求項1から10までのいずれか一つに記載の方法。
  12. 当該の導体通路が、電界効果トランジスタの機能以外に、抵抗、コイル、コンデンサ又はアンテナとして構成されることを特徴とする請求項1から11までのいずれか一つに記載の方法。
  13. 個々の金属被覆層間の接続部が、穴あけロール(14)を用いて、接続通路として作られることを特徴とする請求項1から12までのいずれか一つに記載の方法。
  14. 最終的に、被覆したキャリア箔(12)は、プラズマ洗浄されて、機能検査を受け、真空内で巻き取られること。
  15. 請求項1から14までのいずれか一つに記載の方法を実施するための装置において、
    真空室(1)と、巻き戻し機器(2)と、冷却ロール(6)と、キャリア箔(12)に封止液を印刷するための印刷機(5)と、金属被覆機器(7)と、隣接する金属被覆層間に最小限の間隔を作るためのマイクロクラック機器と、別の冷却ロール(6.1)の領域における半導体媒体用気化管(13)と、キャリア箔(12)にアクリラートを塗るための塗布用ノズル(9)と、アクリラートをポリマー化するための電子銃(10)と、アクリラートに部分的及び/又は選択的に印刷するための別の印刷機(5.1)と、個々の金属被覆層間の接続通路を製造するための穴あけロール(14)と、更なる金属被覆ゾーン(7.1)とを特徴とする装置。
  16. プラズマ洗浄器(4,4.1,4.2)を特徴とする請求項15に記載の装置。
  17. 巻き取りユニット(11)の前に、機能を検査するためのユニット(15)が配備されていることを特徴とする請求項15又は16に記載の装置。
JP2008507010A 2005-04-22 2006-04-21 電子部品を製造するための方法と装置 Pending JP2008537350A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005018984A DE102005018984A1 (de) 2005-04-22 2005-04-22 Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von elektronischen Bauteilen
PCT/EP2006/003678 WO2006111400A2 (de) 2005-04-22 2006-04-21 Verfahren und vorrichtung zum herstellen von elektronischen bauteilen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008537350A true JP2008537350A (ja) 2008-09-11

Family

ID=37084985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008507010A Pending JP2008537350A (ja) 2005-04-22 2006-04-21 電子部品を製造するための方法と装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7767591B2 (ja)
EP (1) EP1872417B1 (ja)
JP (1) JP2008537350A (ja)
CN (1) CN101164177B (ja)
AT (1) ATE504947T1 (ja)
DE (2) DE102005018984A1 (ja)
WO (1) WO2006111400A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188362A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法
WO2023008475A1 (ja) * 2021-07-30 2023-02-02 株式会社ニコン 金属配線の製造方法、トランジスタの製造方法及び金属配線

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013212395A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Kühlen eines bandförmigen Substrates
DE102020106742A1 (de) 2020-03-12 2021-09-16 Auto-Kabel Management Gmbh Elektrisches Kontaktteil sowie Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kontaktteils
TWI839613B (zh) 2020-06-04 2024-04-21 美商應用材料股份有限公司 用於蒸發源的溫度控制屏蔽、用於在基板上沉積材料的材料沉積設備及方法
DE102020207090A1 (de) 2020-06-05 2021-12-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren zum Herstellen eines strukturierten Objekts auf einem flexiblen Substrat durch elektrohydrodynamisches Drucken

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002212744A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体の製造装置
JP2002367774A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Sony Corp 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置
WO2003016599A1 (fr) * 2001-08-09 2003-02-27 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Element a semi-conducteur organique
JP2003303981A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型太陽電池の製造方法およびパターニング装置
JP2003347624A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子
JP2004095677A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板処理装置
WO2004070810A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置の製造方法
WO2004111729A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Avantone Oy A method and an apparatus for manufacturing an electronic thin-film component and an electronic thin-film component

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5097800A (en) * 1983-12-19 1992-03-24 Spectrum Control, Inc. High speed apparatus for forming capacitors
DE4309717C2 (de) * 1993-03-25 2002-03-28 Unaxis Deutschland Holding Verfahren zum Aufdampfen einer Schicht
DE19527604A1 (de) * 1995-07-28 1997-01-30 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von metallfreien Streifen bei der Metallbedampfung
KR100372863B1 (ko) * 1997-11-18 2003-02-19 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 적층체, 콘덴서, 및 적층체의 제조 방법
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
ES2387696T3 (es) * 2000-10-09 2012-09-28 Hueck Folien Ges.M.B.H. Lámina metalizada y procedimiento para su fabricación, así como su uso
DE10143523B4 (de) * 2001-09-05 2008-08-21 Hueck Folien Gesellschaft M.B.H. Verfahren zur Herstellung einer selektiv metallisierten Folie
US20030203210A1 (en) * 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
DE10317731A1 (de) * 2003-04-11 2004-11-18 Infineon Technologies Ag Transponder und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10350648A1 (de) * 2003-10-29 2005-06-16 Steiner Gmbh & Co. Kg Transponder
US7468214B2 (en) * 2005-07-05 2008-12-23 Seagate Technology Llc Tilted magnetic recording media

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002212744A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体の製造装置
JP2002367774A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Sony Corp 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置
WO2003016599A1 (fr) * 2001-08-09 2003-02-27 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Element a semi-conducteur organique
JP2003303981A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型太陽電池の製造方法およびパターニング装置
JP2003347624A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子
JP2004095677A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板処理装置
WO2004070810A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置の製造方法
WO2004111729A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Avantone Oy A method and an apparatus for manufacturing an electronic thin-film component and an electronic thin-film component

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188362A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法
WO2023008475A1 (ja) * 2021-07-30 2023-02-02 株式会社ニコン 金属配線の製造方法、トランジスタの製造方法及び金属配線

Also Published As

Publication number Publication date
ATE504947T1 (de) 2011-04-15
DE102005018984A1 (de) 2006-11-02
CN101164177B (zh) 2010-10-13
EP1872417A2 (de) 2008-01-02
DE502006009253D1 (de) 2011-05-19
WO2006111400A2 (de) 2006-10-26
WO2006111400A3 (de) 2007-04-19
EP1872417B1 (de) 2011-04-06
CN101164177A (zh) 2008-04-16
US7767591B2 (en) 2010-08-03
US20090068788A1 (en) 2009-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008537350A (ja) 電子部品を製造するための方法と装置
JP5362942B2 (ja) トランジスタ
JP6950767B2 (ja) デバイス製造方法
Roh et al. Overcoming tradeoff between mobility and bias stability in organic field-effect transistors according to the self-assembled monolayer chain lengths
Perinot et al. Accessing MHz operation at 2 V with field‐effect transistors based on printed polymers on plastic
CN105821375A (zh) 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
US7592043B2 (en) Method and apparatus for coating a patterned thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
WO2010061823A1 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび電子機器
KR920015542A (ko) 반도체장치의 다층배선형성법
US20180245199A1 (en) Mask frame assembly and method of manufacturing the same
Nobusa et al. Inkjet printing of single-walled carbon nanotube thin-film transistors patterned by surface modification
Closser et al. Correcting defects in area selective molecular layer deposition
Stuart et al. Roll-to-roll patterning of Al/Cu/Ag electrodes on flexible poly (ethylene terephthalate) by oil masking: a comparison of thermal evaporation and magnetron sputtering
WO2016094580A1 (en) Screen printing systems and techniques for creating thin-film transistors using separated carbon nanotubes
CN106029944A (zh) 用于薄膜处理应用的装置和方法
Kim et al. Patterning of rubrene thin-film transistors based on electron irradiation of a polystyrene dielectric layer
Sun et al. Direct patterning of organic light-emitting devices by organic-vapor jet printing
CN102903848A (zh) 一种可寻址纳米尺度分子结制备方法
Abbas et al. Organic thin-film transistors with electron-beam cured and flash vacuum deposited polymeric gate dielectric
JP2008071867A (ja) 有機トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法
US10325778B2 (en) Utilizing multiple layers to increase spatial frequency
JP6709005B2 (ja) 成膜装置及びそれを用いた成膜方法
WO2005006463A1 (en) Ofet channel fabrication
KR102178401B1 (ko) 유기발광다이오드용 박막 패턴형성 방법 및 이로부터 제조된 유기물 박막
US20120002347A1 (en) Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090219

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100527

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121127