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JP2009164431A - Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device cleaning method, and cleaning apparatus - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device cleaning method, and cleaning apparatus Download PDF

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JP2009164431A JP2008001658A JP2008001658A JP2009164431A JP 2009164431 A JP2009164431 A JP 2009164431A JP 2008001658 A JP2008001658 A JP 2008001658A JP 2008001658 A JP2008001658 A JP 2008001658A JP 2009164431 A JP2009164431 A JP 2009164431A
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cleaning liquid
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晃 岡田
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Fujitsu Semiconductor Ltd
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Abstract

【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法において、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１の少なくとも一方にフラックス７を供給する工程と、フラックス７を供給した後、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程と、を含む。
【選択図】図１A cleaning effect of a gap between a circuit board of a semiconductor device and a semiconductor element is enhanced.
In a manufacturing method of a semiconductor device 1 in which a semiconductor element 3 is mounted on a circuit board 2, a flux 7 is supplied to at least one of an electrode 21 formed on the circuit board 2 and a solder bump 31 formed on the semiconductor element 3. The step of bonding the electrode 21 and the solder bump 31 after supplying the flux 7, the step of bonding the electrode 21 and the solder bump 31, and then the vapor 81 in the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Supplying and cleaning a gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、回路基板に半導体素子を実装する半導体装置の製造方法、半導体装置の洗浄方法および半導体素子が実装された回路基板を洗浄する洗浄装置に関し、特に、半導体素子と回路基板の隙間に存在するフラックスを洗浄する半導体装置の製造方法、半導体装置の洗浄方法および洗浄装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a circuit board, a method for cleaning the semiconductor device, and a cleaning apparatus for cleaning a circuit board on which the semiconductor element is mounted, and in particular, exists in a gap between the semiconductor element and the circuit board. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method, a semiconductor device cleaning method, and a cleaning apparatus.

近年、携帯電話など電子機器の小型化、高密度化に伴い、半導体素子を回路基板に実装するための実装密度の向上が要求されている。この要求を満たすために、半導体素子の表面電極上に半田等で形成したバンプ（突起）を配置し、それを、回路基板表面に形成した電極に対して、半導体素子の表面を下に向けて直接接合するＦＣ（Flip Chip：フリップチップ）と呼ばれる実装方法が広く使用されている。   2. Description of the Related Art In recent years, with the reduction in size and density of electronic devices such as mobile phones, there has been a demand for improvement in mounting density for mounting semiconductor elements on circuit boards. In order to satisfy this requirement, bumps (projections) formed of solder or the like are arranged on the surface electrode of the semiconductor element, and the surface of the semiconductor element is directed downward with respect to the electrode formed on the surface of the circuit board. A mounting method called FC (Flip Chip) for direct bonding is widely used.

ＦＣＢＧＡ（Flip Chip Ball Grid Array）では、半導体素子を半田バンプによって基板に接合する際に、フラックスが半田バンプおよび電極に塗布される。回路基板に半導体素子を接合した後に、回路基板と半導体素子との間にフラックスが残留していると、イオン成分による電極間のマイグレーションによってショートが発生するため、半導体装置の信頼性が低下してしまう。   In FCBGA (Flip Chip Ball Grid Array), flux is applied to solder bumps and electrodes when a semiconductor element is bonded to a substrate by solder bumps. If the flux remains between the circuit board and the semiconductor element after bonding the semiconductor element to the circuit board, a short circuit occurs due to migration between the electrodes due to ion components, which reduces the reliability of the semiconductor device. End up.

また、ＦＣＢＧＡでは、半田バンプの接続信頼性を向上させるために、半導体素子と回路基板の隙間にアンダーフィル樹脂を充填する実装方法が行われている。このアンダーフィル樹脂を充填する際にフラックスが残留していると、残留しているフラックスによってアンダーフィル樹脂の充填が阻害されることになる。この結果、アンダーフィル樹脂内にボイドが形成されて接続強度の低下およびショートが発生する可能性が増加し、半導体装置の信頼性が低下してしまう。さらに、ＦＣＢＧＡの場合、回路基板と半導体素子との隙間は５０〜１００μｍと狭いため、隙間内のフラックスを洗浄することは困難である。   In FCBGA, in order to improve the connection reliability of solder bumps, a mounting method is used in which a gap between a semiconductor element and a circuit board is filled with an underfill resin. If flux remains when filling the underfill resin, filling of the underfill resin is hindered by the remaining flux. As a result, voids are formed in the underfill resin, and the possibility that the connection strength is reduced and a short circuit occurs increases, and the reliability of the semiconductor device is reduced. Furthermore, in the case of FCBGA, since the gap between the circuit board and the semiconductor element is as narrow as 50 to 100 μm, it is difficult to clean the flux in the gap.

これに対し、フラックスの残留に対する一般的な洗浄方法として、半導体装置を水などの洗浄液中に浸漬させながら揺動してフラックスを洗浄する方法、超音波によってフラックスを洗浄する方法などがある。   On the other hand, as a general cleaning method for residual flux, there are a method of cleaning the flux by oscillating while immersing the semiconductor device in a cleaning solution such as water, and a method of cleaning the flux with ultrasonic waves.

また、ＦＣＢＧＡの回路基板と半導体素子との隙間に洗浄液を浸入させ、隙間に沿って洗浄液の高速な流れを形成することによって、隙間の内部に浸入している洗浄液を吸引させることにより、隙間の内部を洗浄する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−３００２９４号公報 In addition, the cleaning liquid enters the gap between the circuit board of the FCBGA and the semiconductor element, and by forming a high-speed flow of the cleaning liquid along the gap, the cleaning liquid that has entered the gap is sucked, so that the gap A technique for cleaning the inside is known (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-11-300294

ところで、半導体装置を洗浄液中に浸漬させながら揺動してフラックスを洗浄する方法でＦＣＢＧＡの隙間内を洗浄しても、上記のように洗浄液がＦＣＢＧＡの微小な隙間内に入りにくく、また、揺動してもＦＣＢＧＡの隙間内の洗浄液自体がほとんど動かないため、有効な洗浄効果は得られにくいという問題点がある。   By the way, even when the inside of the FCBGA gap is washed by a method of oscillating while immersing the semiconductor device in the washing liquid and washing the flux, the washing liquid hardly enters the minute gap of the FCBGA as described above. Even if it moves, the cleaning liquid itself in the gap of the FCBGA hardly moves, so that there is a problem that it is difficult to obtain an effective cleaning effect.

また、超音波によってフラックスを洗浄する方法でＦＣＢＧＡの隙間内を洗浄しても、一般的に使用されている低周波数帯の超音波を用いると、キャビテーションによる強力な洗浄効果が得られる一方、半導体素子にダメージを与えてしまう可能性があるという問題点がある。また、キャビテーションの発生しない高周波数帯の超音波を用いた半導体素子デバイスなどの洗浄用の洗浄機も開発されているが、これをＦＣＢＧＡの隙間内の洗浄に用いても十分な洗浄効果が得られにくいという問題点がある。   In addition, even if the inside of the FCBGA gap is cleaned by a method of cleaning the flux with ultrasonic waves, if a generally used low frequency ultrasonic wave is used, a strong cleaning effect by cavitation can be obtained. There is a problem that the element may be damaged. A cleaning machine for cleaning semiconductor element devices using ultrasonic waves in a high frequency band that does not generate cavitation has also been developed. Even if this is used for cleaning in the gaps of FCBGA, a sufficient cleaning effect is obtained. There is a problem that it is difficult to be done.

また、特許文献１に記載されている技術では、図１５に示すように、洗浄槽内に低圧の水流１０８７を流すことにより、半導体装置１００１の回路基板１００２と半導体素子１００３の隙間内のフラックス１００７の洗浄について高い洗浄効果を期待できるが、この隙間以外に水流１０８７のパスがあると、水流１０８７がそのパスを流れてしまい隙間への液流が弱まるので、洗浄性が低下する。このため、ワーク毎に水流１０８７をコントロールする専用洗浄治具が必要となり、コストが高くなるという問題点がある。   In the technique described in Patent Document 1, as shown in FIG. 15, a low-pressure water flow 1087 is caused to flow in the cleaning tank, whereby a flux 1007 in the gap between the circuit board 1002 of the semiconductor device 1001 and the semiconductor element 1003 is obtained. However, if there is a path of the water flow 1087 other than this gap, the water flow 1087 flows through the path and the liquid flow into the gap is weakened, so that the cleaning performance is deteriorated. For this reason, a dedicated cleaning jig for controlling the water flow 1087 is required for each work, and there is a problem that the cost is increased.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高めることによって、信頼性が高い半導体装置の製造方法、ならびに回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高めた半導体装置の洗浄方法および洗浄装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and by enhancing the cleaning effect of the gap between the circuit board and the semiconductor element, the method for manufacturing a highly reliable semiconductor device, and the circuit board and the semiconductor element An object of the present invention is to provide a cleaning method and a cleaning apparatus for a semiconductor device with improved clearance cleaning effect.

この回路基板に半導体素子を実装する半導体装置の製造方法は、前記回路基板に形成された電極および前記半導体素子に形成された半田バンプの少なくとも一方にフラックスを供給する工程と、前記フラックスを供給した後、前記電極と前記半田バンプとを接合する工程と、前記電極と前記半田バンプとを接合した後、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に蒸気を供給して、前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄する工程と、を含むことを要件とする。   A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a circuit board includes supplying a flux to at least one of an electrode formed on the circuit board and a solder bump formed on the semiconductor element, and supplying the flux Then, after joining the electrode and the solder bump, joining the electrode and the solder bump, and supplying steam to the gap between the circuit board and the semiconductor element, the circuit board and the semiconductor And a step of cleaning a gap with the element.

このような半導体装置の製造方法によれば、回路基板に形成された電極および半導体素子に形成された半田バンプの少なくとも一方にフラックスが供給される。次に、回路基板に形成された電極と半導体素子に形成された半田バンプとが接合される。次に、回路基板と半導体素子との隙間に蒸気が供給され、回路基板と半導体素子との隙間が洗浄される。   According to such a method for manufacturing a semiconductor device, flux is supplied to at least one of the electrode formed on the circuit board and the solder bump formed on the semiconductor element. Next, the electrodes formed on the circuit board and the solder bumps formed on the semiconductor element are joined. Next, steam is supplied to the gap between the circuit board and the semiconductor element, and the gap between the circuit board and the semiconductor element is cleaned.

また、この回路基板に半導体素子を実装して構成される半導体装置の洗浄方法によれば、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気を供給して、前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄することを要件とする。   Further, according to the method for cleaning a semiconductor device configured by mounting a semiconductor element on the circuit board, cleaning vapor is supplied to a gap between the circuit board and the semiconductor element, and the circuit board and the semiconductor are It is a requirement to clean the gap with the element.

このような半導体装置の洗浄方法によれば、回路基板と半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気が供給されて、回路基板と半導体素子との隙間が洗浄される。
また、この洗浄装置は、半導体素子が実装された回路基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記回路基板と前記半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気を供給する供給手段とを備えることを要件とする。 According to such a semiconductor device cleaning method, cleaning steam is supplied to the gap between the circuit board and the semiconductor element, and the gap between the circuit board and the semiconductor element is cleaned.
In addition, the cleaning apparatus includes a holding unit that holds the circuit board on which the semiconductor element is mounted, and a supply unit that supplies cleaning vapor to a gap between the circuit board held by the holding unit and the semiconductor element. It is a requirement to have

このような洗浄装置によれば、保持手段により、半導体素子が実装された回路基板が保持される。次に、供給手段により、保持手段によって保持された回路基板と半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気が供給される。   According to such a cleaning apparatus, the circuit board on which the semiconductor element is mounted is held by the holding means. Next, cleaning vapor is supplied to the gap between the circuit board held by the holding means and the semiconductor element by the supply means.

開示の製造方法、洗浄方法および洗浄装置によれば、洗浄液による半導体装置の隙間の内部の不純物の洗浄効果が高まる。   According to the disclosed manufacturing method, cleaning method, and cleaning apparatus, the cleaning effect of impurities inside the gap of the semiconductor device by the cleaning liquid is enhanced.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
まず、本発明の第１の実施の形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[First Embodiment]
First, a first embodiment of the present invention will be described.

最初に、本実施の形態における半導体装置の製造方法の要部について説明する。図１は、第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の要部を説明する図である。
図１に示す、本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、詳しくは図４において後述するが、フラックス７を供給する工程、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程、および蒸気８１を供給して回路基板２と半導体素子３との隙間（ＦＣ−Ｇａｐ）を洗浄する工程から構成される。 First, the main part of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a diagram for explaining the main part of the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment.
The method for manufacturing the semiconductor device 1 according to the present embodiment shown in FIG. 1 will be described in detail later with reference to FIG. 4, but the step of supplying the flux 7, the step of joining the electrodes 21 and the solder bumps 31, and the vapor 81 are performed. This is comprised of a step of supplying and cleaning a gap (FC-Gap) between the circuit board 2 and the semiconductor element 3.

本実施の形態における、回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法の最初の工程では、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１に対して、フラックス７を塗布によって供給する。次の工程では、回路基板２の電極２１と半導体素子３の半田バンプ３１とを接合する。   In the first step of the manufacturing method of the semiconductor device 1 in which the semiconductor element 3 is mounted on the circuit board 2 in the present embodiment, the electrode 21 formed on the circuit board 2 and the solder bump 31 formed on the semiconductor element 3 are applied. Then, the flux 7 is supplied by coating. In the next step, the electrode 21 of the circuit board 2 and the solder bump 31 of the semiconductor element 3 are joined.

電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、次の工程では、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する。ここで、本実施の形態では、ノズル８から高温の水蒸気などの洗浄液の蒸気８１が回路基板２と半導体素子３との隙間を目掛けて噴射される。   After joining the electrode 21 and the solder bump 31, in the next step, the vapor 81 is supplied to the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 to clean the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Here, in the present embodiment, cleaning liquid vapor 81 such as high-temperature water vapor is ejected from the nozzle 8 with the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 as a target.

洗浄液（すなわち液体）では、表面張力により微小な回路基板２と半導体素子３との隙間内に浸入させることが困難である。一方、蒸気８１（すなわち気体）では、微小な隙間内にも容易に浸入させることができる。半導体装置１の隙間の上部から隙間内に入った蒸気８１は、フラックス７を膨潤させ、回路基板２の表面、回路基板２の表面に設けられた電極２１およびソルダーレジスト２２、半導体素子３表面などに接触することにより冷却され液化する。そしてフラックス７を洗浄しながら隙間の下部から排出される。   It is difficult for the cleaning liquid (ie, liquid) to enter the gap between the minute circuit board 2 and the semiconductor element 3 due to surface tension. On the other hand, the vapor 81 (that is, gas) can be easily infiltrated into a minute gap. The vapor 81 entering the gap from the upper part of the gap of the semiconductor device 1 causes the flux 7 to swell and the surface of the circuit board 2, the electrode 21 and the solder resist 22 provided on the surface of the circuit board 2, the surface of the semiconductor element 3, etc. It is cooled and liquefied by contact with And it is discharged from the lower part of the gap while cleaning the flux 7.

このようにして、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７、およびその他の隙間内に付着している不純物が除去される。
次に、本実施の形態の半導体装置の構成について説明する。図２は、第１の実施の形態の半導体装置を説明する平面模式図である。図３は、第１の実施の形態の半導体装置を説明する断面模式図である。また、図３（Ａ）は、図２に示す半導体装置のＡ−Ａ断面を示す図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す半導体装置の断面のＢ部を拡大して示す図である。 In this way, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed.
Next, the configuration of the semiconductor device of this embodiment will be described. FIG. 2 is a schematic plan view illustrating the semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 3A illustrates a cross section taken along the line AA of the semiconductor device illustrated in FIG. FIG. 3B is an enlarged view of a portion B of the cross section of the semiconductor device illustrated in FIG.

図２に示すように、本実施の形態の半導体装置１は、回路基板２、半導体素子３およびアンダーフィル樹脂６で構成されている。回路基板２は、電極２１、ソルダーレジスト２２、および半田ボール２３を備えている。半導体素子３は、半田バンプ３１を備えている。   As shown in FIG. 2, the semiconductor device 1 of the present embodiment includes a circuit board 2, a semiconductor element 3, and an underfill resin 6. The circuit board 2 includes an electrode 21, a solder resist 22, and a solder ball 23. The semiconductor element 3 includes solder bumps 31.

図３（Ａ）に示すように、アンダーフィル樹脂６は、回路基板２および半導体素子３を保護するために、回路基板２と半導体素子３との隙間に充填されている。
半導体素子３は、シリコンなどが基材として用いられている。半導体素子３は、図示しない表面電極を備えており、半導体素子３の表面電極上には、図３（Ｂ）に示すように、例えば、錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）系の半田で形成された半田バンプ３１が複数設けられている。半導体素子３は、この半田バンプ３１により、フリップチップ・ボンディングによってフェースダウンで回路基板２に搭載される。これによって、回路基板２と半導体素子３との間で電源供給および信号の入出力を行うための電気的接続が実現される。 As shown in FIG. 3A, the underfill resin 6 is filled in a gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 in order to protect the circuit board 2 and the semiconductor element 3.
The semiconductor element 3 uses silicon or the like as a base material. The semiconductor element 3 has a surface electrode (not shown), and is formed on the surface electrode of the semiconductor element 3 with, for example, tin (Sn) -lead (Pb) solder as shown in FIG. A plurality of solder bumps 31 are provided. The semiconductor element 3 is mounted on the circuit board 2 face down by flip chip bonding using the solder bumps 31. Thereby, electrical connection for power supply and signal input / output between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is realized.

回路基板２は、ガラスエポキシ、セラミックなどの材料で製造されており、表面には図示しない配線が施されている。また、図３（Ｂ）に示すように、回路基板２には、半導体素子３の半田バンプ３１と対になる部位に電極２１を備える電極開口部が設けられている。   The circuit board 2 is made of a material such as glass epoxy or ceramic, and a wiring (not shown) is provided on the surface. Further, as shown in FIG. 3B, the circuit board 2 is provided with an electrode opening provided with the electrode 21 in a portion that is paired with the solder bump 31 of the semiconductor element 3.

また、回路基板２の電極開口部以外の箇所は、ソルダーレジスト２２で被覆されている。ソルダーレジスト２２は、半田バンプ３１の半田付けの際に電極２１以外の半田付けが不要な部分に半田が付着しないように、回路基板２の表面の銅箔などの配線部分の導体を覆う感光性と絶縁性および熱硬化性を備えたエポキシ系の合成樹脂被膜である。   Further, portions other than the electrode openings of the circuit board 2 are covered with the solder resist 22. The solder resist 22 is a photosensitive material that covers the conductor of the wiring portion such as the copper foil on the surface of the circuit board 2 so that the solder does not adhere to a portion other than the electrode 21 where soldering is unnecessary when the solder bump 31 is soldered. And an epoxy-based synthetic resin film having insulating properties and thermosetting properties.

半田ボール２３は、半田で形成されており、回路基板２における半導体素子３が搭載される面の裏面に複数設けられている。半田ボール２３は、半導体装置１をマザーボードなどに実装する際に接続端子となる。   The solder balls 23 are formed of solder, and a plurality of solder balls 23 are provided on the back surface of the circuit board 2 on which the semiconductor element 3 is mounted. The solder balls 23 serve as connection terminals when the semiconductor device 1 is mounted on a mother board or the like.

アンダーフィル樹脂６は、回路基板２と半導体素子３との隙間に充填されている、エポキシ系組成物、ウレタン系組成物などによる、絶縁性および熱硬化性を備えた樹脂である。また、アンダーフィル樹脂６には、回路基板２と半導体素子３との熱膨張差を緩衝するための材料が微小粒子の状態で混入されている。   The underfill resin 6 is a resin having an insulating property and a thermosetting property, such as an epoxy composition or a urethane composition, which is filled in a gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. The underfill resin 6 is mixed with a material for buffering a difference in thermal expansion between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 in the form of fine particles.

このアンダーフィル樹脂６を回路基板２と半導体素子３との間の隙間に充填し、アンダーフィル樹脂６を加熱して硬化させることにより、回路基板２と半導体素子３との隙間が封止される。これにより、回路基板２と半導体素子３との接続強度が増加し、回路基板２と半導体素子３との熱膨張差から半導体装置１が保護される。また、半田バンプ３１が、隙間内において半導体装置１の実装時における再加熱によって溶融した場合にも、他の半田バンプおよび／または導体部分とのショートを防止することができる。   The underfill resin 6 is filled in a gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3, and the underfill resin 6 is heated and cured to seal the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. . Thereby, the connection strength between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is increased, and the semiconductor device 1 is protected from the thermal expansion difference between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Further, even when the solder bump 31 is melted by reheating when the semiconductor device 1 is mounted in the gap, it is possible to prevent short circuit with other solder bumps and / or conductor portions.

本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、フラックス７の洗浄効果を高めることにより、このアンダーフィル樹脂６の充填を確実にして、半導体装置１の信頼性を向上させるものである。   The manufacturing method of the semiconductor device 1 according to the present embodiment improves the reliability of the semiconductor device 1 by ensuring the filling of the underfill resin 6 by enhancing the cleaning effect of the flux 7.

次に、本実施の形態の半導体装置１の製造工程について説明する。図４は、第１の実施の形態における半導体装置の製造工程の概要を説明する図である。
本実施の形態の半導体装置１は、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１にフラックス７を供給する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程とによって製造される。 Next, the manufacturing process of the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. FIG. 4 is a diagram for explaining the outline of the manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
In the semiconductor device 1 of the present embodiment, a step of supplying the flux 7 to the electrode 21 formed on the circuit board 2 and the solder bump 31 formed on the semiconductor element 3, and a step of bonding the electrode 21 and the solder bump 31 to each other And the step of supplying the steam 81 to the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and cleaning the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3.

まず、図４左上の製造ステップ４１に示すように、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子に形成された半田バンプ３１にフラックス７を塗布した後、半導体素子３を、回路基板２の表面に、フェースダウンで対面させる。   First, as shown in manufacturing step 41 in the upper left of FIG. 4, flux 7 is applied to the electrodes 21 formed on the circuit board 2 and the solder bumps 31 formed on the semiconductor element, and then the semiconductor element 3 is attached to the circuit board 2. Face the surface face down.

次に、製造ステップ４２に示すように、半田バンプ３１と電極２１とを位置合わせして、半導体素子３を回路基板２にマウントする。次に、製造ステップ４３に示すように、再加熱（リフロー）により半田バンプ３１を溶融させた後、半田バンプ３１と電極２１とを接合することにより、半導体素子３が、複数の半田バンプ３１で、フリップチップ・ボンディングにより回路基板２に溶融接合される。   Next, as shown in the manufacturing step 42, the solder bump 31 and the electrode 21 are aligned and the semiconductor element 3 is mounted on the circuit board 2. Next, as shown in the manufacturing step 43, the solder bump 31 is melted by reheating (reflow), and then the solder bump 31 and the electrode 21 are joined, so that the semiconductor element 3 is made up of a plurality of solder bumps 31. Then, it is melt bonded to the circuit board 2 by flip chip bonding.

次に、製造ステップ４４に示すように、半導体素子３と回路基板２とに付着しているフラックス７を除去するために、噴射によって蒸気８１を供給してフラックス７を洗浄する。この本実施の形態における蒸気８１の供給によるフラックス７の洗浄については、詳しくは図５および図６において後述する。   Next, as shown in the manufacturing step 44, in order to remove the flux 7 adhering to the semiconductor element 3 and the circuit board 2, the steam 7 is supplied by spraying to clean the flux 7. The cleaning of the flux 7 by supplying the steam 81 in this embodiment will be described in detail later with reference to FIGS.

次に、製造ステップ４５に示すように、半導体素子３と回路基板２との隙間にアンダーフィル樹脂６を充填する。次に、製造ステップ４６に示すように、回路基板２の上下を反転して裏返し、回路基板２の裏面（図の製造ステップ４５における上側の面）の電極（図示省略）にフラックス７４を塗布した後、半田ボール２３をマウントする。ここでは説明を省略するが、回路基板２の裏面も、表面と同様に電極（図示省略）およびソルダーレジスト（図示省略）を備えている。   Next, as shown in the manufacturing step 45, the underfill resin 6 is filled in the gap between the semiconductor element 3 and the circuit board 2. Next, as shown in manufacturing step 46, the circuit board 2 is turned upside down and turned over, and a flux 74 is applied to the electrode (not shown) on the back surface of the circuit board 2 (upper surface in the manufacturing step 45 in the figure). Thereafter, the solder balls 23 are mounted. Although the description is omitted here, the back surface of the circuit board 2 is also provided with electrodes (not shown) and solder resist (not shown) in the same manner as the front surface.

次に、製造ステップ４７に示すように、回路基板２の裏面にマウントした半田ボール２３を再加熱して溶融し、半導体装置１に接合する。
次に、製造ステップ４８に示すように、蒸気８６を噴射して半導体装置１の裏面および半田ボール２３に残留しているフラックス７４を洗浄する。次に、製造ステップ４９に示すように、半導体装置１を再び反転させる。これにより、本実施の形態の半導体装置１の製造工程が終了する。 Next, as shown in manufacturing step 47, the solder balls 23 mounted on the back surface of the circuit board 2 are reheated and melted, and joined to the semiconductor device 1.
Next, as shown in manufacturing step 48, steam 86 is injected to clean the flux 74 remaining on the back surface of the semiconductor device 1 and the solder balls 23. Next, as shown in the manufacturing step 49, the semiconductor device 1 is inverted again. Thereby, the manufacturing process of the semiconductor device 1 of the present embodiment is completed.

なお、ここでは、回路基板２と半導体素子３との隙間のフラックス７と、半導体装置１の裏面のフラックス７４とを、それぞれ別個に洗浄する場合の例について説明したが、フラックス７およびフラックス７４を同時に洗浄してもよい。   Here, an example has been described in which the flux 7 in the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the flux 74 on the back surface of the semiconductor device 1 are separately cleaned. You may wash | clean simultaneously.

次に、本実施の形態における、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給する、半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図５は、第１の実施の形態における半導体装置が洗浄される様子を説明する図である。図６は、第１の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。   Next, cleaning of the gap in the semiconductor device 1 that supplies the vapor 81 to the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which the semiconductor device according to the first embodiment is cleaned. FIG. 6 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the first embodiment.

まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図５に示すように、本実施の形態では、ノズル８、ベルトコンベア１１、排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４および循環パイプ１５などの設備を用いて半導体装置１の洗浄を行う。   First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 5, in this embodiment, the semiconductor device 1 is cleaned using equipment such as nozzles 8, a belt conveyor 11, a drainage tank 12, a filter 13, a pump 14, and a circulation pipe 15.

ノズル８は、加熱により気化した水などの洗浄液（図示省略）の蒸気流８２を噴射する。ベルトコンベア１１は、半導体装置１を搬送する搬送機構である。
排液槽１２は、蒸気流８２として噴射された蒸気８１（図１）が凝縮することにより生じた洗浄液と、洗浄液によって洗い流されたフラックスなどの不純物との混合液である廃液８４を溜めて回収するための液槽である。 The nozzle 8 injects a vapor flow 82 of a cleaning liquid (not shown) such as water vaporized by heating. The belt conveyor 11 is a transport mechanism that transports the semiconductor device 1.
The drainage tank 12 stores and collects a waste liquid 84 that is a mixed liquid of a cleaning liquid generated by condensation of the steam 81 (FIG. 1) injected as the steam flow 82 and impurities such as flux washed away by the cleaning liquid. It is a liquid tank to do.

フィルター１３は、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、排液槽１２に回収された廃液８４から洗浄液が分離される。   The filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid by filtration. The cleaning liquid is separated from the waste liquid 84 collected in the drainage tank 12 by the filter 13.

ポンプ１４は、廃液８４および洗浄液を循環させるための機構である。このポンプ１４により、排液槽１２により回収された廃液８４がフィルター１３に送られ、フィルター１３により分離された洗浄液がノズル８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the waste liquid 84 and the cleaning liquid. By this pump 14, the waste liquid 84 collected by the drainage tank 12 is sent to the filter 13, and the cleaning liquid separated by the filter 13 is circulated to the nozzle 8.

循環パイプ１５は、排液槽１２からフィルター１３、ポンプ１４およびノズル８までを連通するためのパイプである。
これらの排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ１５は、洗浄に用いられた廃液８４を洗浄液として再利用するための機構である。 The circulation pipe 15 is a pipe for communicating from the drainage tank 12 to the filter 13, the pump 14 and the nozzle 8.
The drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 15 are mechanisms for reusing the waste liquid 84 used for cleaning as a cleaning liquid.

ここで、本実施の形態における洗浄について具体的な説明を行う。本実施の形態では、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させて配置した半導体装置１がベルトコンベア１１によってノズル８の下方に移動される。次に、上記のように半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように半導体装置１を立てた状態で、半導体装置１の隙間の上方に設けられたノズル８から噴射された蒸気流８２が上記の隙間に吹き付けられる。これにより、回路基板２と半導体素子３との隙間に、ノズル８から噴射された蒸気流８２によって洗浄液の蒸気８１が供給される。   Here, the cleaning in the present embodiment will be specifically described. In the present embodiment, after the electrodes 21 and the solder bumps 31 are joined in the previous process (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first erected perpendicularly to the horizontal plane with the above equipment. The arranged semiconductor device 1 is moved below the nozzle 8 by the belt conveyor 11. Next, from the nozzle 8 provided above the gap of the semiconductor device 1 in a state where the semiconductor device 1 is erected so that the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 becomes vertical as described above. The jetted steam flow 82 is blown into the gap. As a result, the cleaning solution vapor 81 is supplied to the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 by the vapor flow 82 injected from the nozzle 8.

ここで、回路基板２と半導体素子３との隙間を目掛けてノズル８から噴射される、洗浄液の蒸気８１からなる蒸気流８２の圧力は、０〜５ＭＰａ（パスカル）の範囲であって、蒸気圧でＦＣＢＧＡが吹き飛ばされない適切な圧力に設定することが望ましい。なお、蒸気流８２を構成する洗浄液は、水を用いることができるが、水に代えて、準水系洗浄剤、炭化水素系洗浄剤、イソプロパノール（ＩＰＡ：isopropyl alcohol）系洗浄剤、グリコールエーテル系洗浄剤などを用いてもよい。   Here, the pressure of the vapor flow 82 made of the cleaning liquid vapor 81 sprayed from the nozzle 8 over the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is in the range of 0 to 5 MPa (Pascal). It is desirable to set an appropriate pressure at which the FCBGA is not blown away by pressure. Note that water can be used as the cleaning liquid constituting the vapor flow 82, but in place of water, a semi-aqueous cleaning agent, a hydrocarbon cleaning agent, an isopropanol (IPA: isopropyl alcohol) cleaning agent, a glycol ether cleaning is used. An agent or the like may be used.

液体の洗浄液を用いた場合には、その表面張力により、１００μｍ以下と微小である回路基板２と半導体素子３との間の隙間に満遍なく浸入させることは、非常に困難である。しかし、気体である蒸気の流れの蒸気流８２を用いることによって、微小な隙間内にも十分に浸入させることを容易にすることができる。   When a liquid cleaning liquid is used, it is very difficult to evenly enter the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 that are as small as 100 μm or less due to the surface tension. However, by using the vapor flow 82 of the vapor flow which is a gas, it is possible to facilitate the sufficient entry into the minute gap.

この半導体装置１の上側から隙間の上部に浸入した蒸気流８２は、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された蒸気流８２は、凝縮により液化して洗浄液となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から廃液８４として排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。   The vapor flow 82 entering the upper part of the gap from the upper side of the semiconductor device 1 swells the flux 7 and is cooled by contacting the surface of the circuit board 2, the solder bump 31, the semiconductor element 3 and the like. The cooled vapor flow 82 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and flows downward due to gravity. At this time, the cleaning liquid flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap. The waste liquid 84 is discharged from the lower part of the liquid. Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.

また、半導体装置１の隙間の下部から排出された廃液８４は、一旦、ノズル８の下方に設けられた排液槽１２に溜められる。次に、この廃液８４は、ポンプ１４の動作によって循環パイプ１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物と洗浄液とに分離される。その後、洗浄液は、ポンプ１４および循環パイプ１５によって装置内で循環して再利用される。   Further, the waste liquid 84 discharged from the lower part of the gap of the semiconductor device 1 is temporarily stored in the drain tank 12 provided below the nozzle 8. Next, the waste liquid 84 is sent to the filter 13 through the circulation pipe 15 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to be separated into impurities such as the flux 7 and the cleaning liquid. Thereafter, the cleaning liquid is circulated and reused in the apparatus by the pump 14 and the circulation pipe 15.

また、本実施の形態において半導体装置１を洗浄する工程では、上記のノズル８、ベルトコンベア１１、排液槽１２、フィルター１３、１４および循環パイプ１５などの他、図６に示す乾燥処理部１６が用いられる。   Further, in the process of cleaning the semiconductor device 1 in the present embodiment, in addition to the nozzle 8, the belt conveyor 11, the drainage tank 12, the filters 13 and 14 and the circulation pipe 15, the drying processing unit 16 shown in FIG. Is used.

この乾燥処理部１６は、ノズル８から噴射される蒸気流８２による洗浄が完了した半導体装置１を加熱することにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させて除去する。   The drying processing unit 16 heats the semiconductor device 1 that has been cleaned by the vapor flow 82 ejected from the nozzle 8, thereby remaining on the surface of the semiconductor device 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Dry the cleaning solution.

なお、蒸気流８２をノズル８から供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Note that when the vapor flow 82 is supplied from the nozzle 8, the circuit board 2 may not be vertical if the cleaning liquid liquefied and attached to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. You may arrange | position the circuit board 2 inclining with respect to a horizontal surface.

また、ノズル８から供給される蒸気流８２の圧力を強めて、回路基板２と半導体素子３との隙間を、噴射された蒸気流８２の圧力によって洗浄してもよい。
また、乾燥処理部１６に代えて、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。 Further, the pressure of the vapor flow 82 supplied from the nozzle 8 may be increased, and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be cleaned by the pressure of the injected vapor flow 82.
Further, in place of the drying processing unit 16, the semiconductor device 1 is used by using another drying method such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining on the surface of the substrate and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be dried.

以上のように、第１の実施の形態では、半導体素子３が実装された回路基板２の、半導体素子３と回路基板２との隙間に蒸気８１を供給する。これにより、供給された蒸気８１が液化して、半導体素子３と回路基板と２の隙間に十分に浸入する。この結果、洗浄液による半導体装置１の隙間の内部の不純物の洗浄効果が高まる。
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the first embodiment, the vapor 81 is supplied to the gap between the semiconductor element 3 and the circuit board 2 in the circuit board 2 on which the semiconductor element 3 is mounted. Thereby, the supplied steam 81 is liquefied and sufficiently enters the gap between the semiconductor element 3 and the circuit board 2. As a result, the cleaning effect of impurities inside the gap of the semiconductor device 1 by the cleaning liquid is enhanced.
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. Differences from the first embodiment will be mainly described, and the same reference numerals are used for the same matters, and descriptions thereof are omitted.

第２の実施の形態は、半導体装置１に対してノズル８から蒸気流８２が噴射される位置において、半導体装置１の下方に冷却ユニット２１７が設置されている点で、第１の実施の形態と異なる。   The second embodiment is that the cooling unit 217 is installed below the semiconductor device 1 at a position where the vapor flow 82 is injected from the nozzle 8 to the semiconductor device 1. And different.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図７は、第２の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。
まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図７に示すように、本実施の形態では、第１の実施の形態で用いるノズル８、ベルトコンベア１１、排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、循環パイプ１５、乾燥処理部１６などの他、冷却ユニット２１７を用いて半導体装置１の洗浄を行う。 Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the second embodiment.
First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 7, in this embodiment, the nozzle 8, the belt conveyor 11, the drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, the circulation pipe 15, the drying processing unit 16, etc. used in the first embodiment are used. The semiconductor device 1 is cleaned using the cooling unit 217.

ノズル８は、第１の実施の形態と同様に、洗浄液（図示省略）の蒸気流８２を噴射する。ベルトコンベア１１は、第１の実施の形態と同様に、半導体装置１を搬送する搬送機構である。   The nozzle 8 injects a vapor flow 82 of a cleaning liquid (not shown) as in the first embodiment. The belt conveyor 11 is a transport mechanism that transports the semiconductor device 1 as in the first embodiment.

排液槽１２は、第１の実施の形態と同様に、蒸気流８２として噴射された蒸気８１（図１）が凝縮することにより生じた洗浄液と、洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合液である廃液８４を溜めて回収するための液槽である。   Similarly to the first embodiment, the drainage tank 12 includes a cleaning liquid generated by condensation of the steam 81 (FIG. 1) injected as the steam flow 82, impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid, and the like. This is a liquid tank for collecting and recovering the waste liquid 84 which is a mixed liquid.

フィルター１３は、第１の実施の形態と同様に、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、排液槽１２に回収された廃液８４から洗浄液が分離される。   As in the first embodiment, the filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid by filtration. The cleaning liquid is separated from the waste liquid 84 collected in the drainage tank 12 by the filter 13.

ポンプ１４は、第１の実施の形態と同様に、廃液８４および洗浄液を循環させるための機構である。このポンプ１４により、排液槽１２により回収された廃液８４がフィルター１３に送られ、フィルター１３により分離された洗浄液がノズル８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the waste liquid 84 and the cleaning liquid as in the first embodiment. By this pump 14, the waste liquid 84 collected by the drainage tank 12 is sent to the filter 13, and the cleaning liquid separated by the filter 13 is circulated to the nozzle 8.

循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、排液槽１２からフィルター１３、ポンプ１４およびノズル８までを連通するためのパイプである。
これらの排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、洗浄に用いられた廃液８４を洗浄液として再利用するための機構である。 The circulation pipe 15 is a pipe for communicating from the drainage tank 12 to the filter 13, the pump 14 and the nozzle 8 as in the first embodiment.
The drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 15 are mechanisms for reusing the waste liquid 84 used for cleaning as a cleaning liquid, as in the first embodiment.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。第１の実施の形態と同様に、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させて配置した半導体装置１がベルトコンベア１１によってノズル８の下方に移動される。次に、上記のように半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように半導体装置１を立てた状態で、半導体装置１の隙間の上方に設けられたノズル８から噴射された蒸気流８２が上記の隙間に吹き付けられる。これにより、回路基板２と半導体素子３との隙間に、ノズル８から噴射された蒸気流８２によって洗浄液の蒸気８１が供給される。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. As in the first embodiment, after the electrode 21 and the solder bump 31 are joined in the previous process (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first perpendicular to the horizontal plane by the above equipment. The semiconductor device 1 placed upright is moved below the nozzle 8 by the belt conveyor 11. Next, from the nozzle 8 provided above the gap of the semiconductor device 1 in a state where the semiconductor device 1 is erected so that the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 becomes vertical as described above. The jetted steam flow 82 is blown into the gap. As a result, the cleaning solution vapor 81 is supplied to the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 by the vapor flow 82 injected from the nozzle 8.

ここで、第１の実施の形態と同様に、回路基板２と半導体素子３との隙間を目掛けてノズル８によって半導体装置１の上側から噴射された蒸気流８２は、隙間の上部に浸入する。この半導体装置１の上側から隙間の上部に浸入した蒸気流８２は、第１の実施の形態と同様に、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された蒸気流８２は、凝縮により液化して洗浄液となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。   Here, as in the first embodiment, the vapor flow 82 sprayed from the upper side of the semiconductor device 1 by the nozzle 8 in the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 enters the upper part of the gap. . The vapor flow 82 entering the upper part of the gap from the upper side of the semiconductor device 1 causes the flux 7 to swell as well as the surface of the circuit board 2, the solder bump 31, the semiconductor element 3, etc., as in the first embodiment. Cools in contact. The cooled vapor flow 82 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and flows downward due to gravity. At this time, the cleaning liquid flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap. It will be discharged from the lower part.

これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。
ここで、本実施の形態では、半導体装置１の下方に冷却ユニット２１７を、半導体装置１に接触するように設置して、半導体装置１の下部を冷却する。これにより、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３が、下方から冷却される。この結果、半導体装置１の隙間内における蒸気８１の液化が促進される。この冷却ユニット２１７は、本実施の形態では、水を内部に循環させたラジエータを用いて構成する。 Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.
Here, in the present embodiment, a cooling unit 217 is installed below the semiconductor device 1 so as to be in contact with the semiconductor device 1 and the lower portion of the semiconductor device 1 is cooled. Thereby, the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 are cooled from below. As a result, the liquefaction of the vapor 81 in the gap of the semiconductor device 1 is promoted. In the present embodiment, the cooling unit 217 is configured using a radiator in which water is circulated.

また、第１の実施の形態と同様に、排出された洗浄液からなる廃液８４は、一旦、ノズル８の下方に設けられた排液槽１２に溜められる。次に、この廃液８４は、ポンプ１４の動作によって循環パイプ１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物と洗浄液とに分離される。その後、洗浄液は、ポンプ１４および循環パイプ１５によって装置内で循環して再利用される。   Similarly to the first embodiment, the waste liquid 84 composed of the discharged cleaning liquid is temporarily stored in the drain tank 12 provided below the nozzle 8. Next, the waste liquid 84 is sent to the filter 13 through the circulation pipe 15 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to be separated into impurities such as the flux 7 and the cleaning liquid. Thereafter, the cleaning liquid is circulated and reused in the apparatus by the pump 14 and the circulation pipe 15.

次に、第１の実施の形態と同様に、乾燥処理部１６によって、ノズル８から噴射される蒸気流８２による洗浄が完了した半導体装置１が加熱されて洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液が乾燥して除去される。   Next, as in the first embodiment, the semiconductor device 1 that has been cleaned by the vapor flow 82 ejected from the nozzle 8 is heated by the drying processing unit 16 to evaporate the cleaning liquid, thereby the semiconductor device 1. The cleaning liquid remaining on the surface and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is dried and removed.

なお、冷却ユニット２１７は、ラジエータなどを用いた水冷式に限らず、空冷式または他の一般的な冷却方法を用いて構成することができる。また、冷却ユニット２１７は、回路基板２および半導体素子３のうち、いずれか一方のみを冷却してもよい。また、冷却ユニット２１７は、半導体装置１に接触させずに、半導体装置１の周囲の温度を低下させることによって、洗浄液の液化を促進してもよい。   The cooling unit 217 is not limited to a water-cooled type using a radiator or the like, and can be configured using an air-cooled type or other general cooling methods. Further, the cooling unit 217 may cool only one of the circuit board 2 and the semiconductor element 3. In addition, the cooling unit 217 may promote liquefaction of the cleaning liquid by reducing the temperature around the semiconductor device 1 without contacting the semiconductor device 1.

また、第１の実施の形態と同様に、蒸気流８２をノズル８から供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Similarly to the first embodiment, when the vapor flow 82 is supplied from the nozzle 8, if the cleaning liquid liquefied and adhered to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3, the circuit The substrate 2 does not have to be vertical, and the circuit substrate 2 may be inclined with respect to the horizontal plane.

また、第１の実施の形態と同様に、ノズル８から供給される蒸気流８２の圧力を強めて、回路基板２と半導体素子３との隙間を、噴射された蒸気流８２の圧力によって洗浄してもよい。   Further, as in the first embodiment, the pressure of the vapor flow 82 supplied from the nozzle 8 is increased, and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is cleaned by the pressure of the injected vapor flow 82. May be.

また、乾燥処理部１６に代えて、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   Further, in place of the drying processing unit 16, the semiconductor device 1 is used by using another drying method such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining on the surface of the substrate and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be dried.

以上のように、第２の実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、半導体装置１の下方に、冷却ユニット２１７を設置して、半導体装置１の下部を冷却する。これにより、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３が下方から冷却され、ノズル８から半導体装置１の隙間に供給された蒸気８１の液化が促進される。この結果、洗浄液による半導体装置１の隙間の内部の不純物の洗浄効果がさらに高まり、作業効率が向上する。
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the second embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the cooling unit 217 is installed below the semiconductor device 1 to cool the lower portion of the semiconductor device 1. Thereby, the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 are cooled from below, and liquefaction of the vapor 81 supplied from the nozzle 8 to the gap between the semiconductor devices 1 is promoted. As a result, the cleaning effect of impurities inside the gap of the semiconductor device 1 by the cleaning liquid is further enhanced, and the working efficiency is improved.
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described. Differences from the first embodiment will be mainly described, and the same reference numerals are used for the same matters, and descriptions thereof are omitted.

第３の実施の形態は、ノズル８に代えて、一度に複数の半導体装置１に対して蒸気流３８２を噴出可能なマルチノズル３０８を用いる点で、第１の実施の形態と異なる。
以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図８は、第３の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。 The third embodiment differs from the first embodiment in that a multi-nozzle 308 capable of ejecting a vapor flow 382 to a plurality of semiconductor devices 1 at a time is used instead of the nozzle 8.
Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 8 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the third embodiment.

まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図８に示すように、本実施の形態では、第１の実施の形態で用いるベルトコンベア１１、排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、循環パイプ１５、乾燥処理部１６などを用いて半導体装置１の洗浄を行う。また、本実施の形態では、上記のように、第１の実施の形態で用いるノズル８に代えて、マルチノズル３０８を用いる。   First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 8, in this embodiment, a semiconductor device using the belt conveyor 11, the drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, the circulation pipe 15, the drying processing unit 16, and the like used in the first embodiment. 1. Wash 1 In the present embodiment, as described above, the multi-nozzle 308 is used instead of the nozzle 8 used in the first embodiment.

本実施の形態では、マルチノズル３０８は、複数の噴射口（例えば、４個）を備え、一度に複数の半導体装置１に対して、洗浄液（図示省略）の蒸気流３８２を噴射することができる。ベルトコンベア１１は、第１の実施の形態と同様に、半導体装置１を搬送する搬送機構である。   In the present embodiment, the multi-nozzle 308 includes a plurality of injection ports (for example, four), and can inject a vapor flow 382 of a cleaning liquid (not shown) to a plurality of semiconductor devices 1 at a time. . The belt conveyor 11 is a transport mechanism that transports the semiconductor device 1 as in the first embodiment.

排液槽１２は、第１の実施の形態と同様に、蒸気流３８２として噴射された蒸気８１（図１）が凝縮することにより生じた洗浄液と、洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合液である廃液８４を溜めて回収するための液槽である。   As in the first embodiment, the drainage tank 12 includes a cleaning liquid generated by condensation of the steam 81 (FIG. 1) injected as the steam flow 382, impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid, and the like. This is a liquid tank for collecting and recovering the waste liquid 84 which is a mixed liquid.

フィルター１３は、第１の実施の形態と同様に、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、排液槽１２に回収された廃液８４から洗浄液が分離される。   As in the first embodiment, the filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid by filtration. The cleaning liquid is separated from the waste liquid 84 collected in the drainage tank 12 by the filter 13.

ポンプ１４は、第１の実施の形態と同様に、廃液８４および洗浄液を循環させるための機構である。このポンプ１４により、排液槽１２により回収された廃液８４がフィルター１３に送られ、フィルター１３により分離された洗浄液がマルチノズル３０８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the waste liquid 84 and the cleaning liquid as in the first embodiment. By this pump 14, the waste liquid 84 collected by the drainage tank 12 is sent to the filter 13, and the cleaning liquid separated by the filter 13 is circulated to the multi nozzle 308.

循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、排液槽１２からフィルター１３、ポンプ１４およびマルチノズル３０８までを連通するためのパイプである。
これらの排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、洗浄に用いられた廃液８４を洗浄液として再利用するための機構である。 The circulation pipe 15 is a pipe for communicating from the drainage tank 12 to the filter 13, the pump 14, and the multi-nozzle 308, as in the first embodiment.
The drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 15 are mechanisms for reusing the waste liquid 84 used for cleaning as a cleaning liquid, as in the first embodiment.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。本実施の形態では、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させた状態で複数個並べられた半導体装置１が、順次、ベルトコンベア１１によってマルチノズル３０８が備える複数の噴射口の下方に移動される。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. In the present embodiment, after the electrodes 21 and the solder bumps 31 are joined in the previous step (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first erected perpendicularly to the horizontal plane with the above equipment. A plurality of semiconductor devices 1 arranged in a state are sequentially moved by the belt conveyor 11 below a plurality of injection ports provided in the multi-nozzle 308.

次に、上記のように半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように複数個の半導体装置１が並んで立てられた状態で、上方に設けられているマルチノズル３０８が備えるそれぞれの噴射口から蒸気流３８２が噴射される。このマルチノズル３０８から噴射された蒸気流３８２が、上記の隙間を目掛けて吹き付けられる。これにより、第１の実施の形態と同様に、複数の半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に、マルチノズル３０８から噴射された蒸気流３８２によって洗浄液の蒸気８１が供給される。   Next, the multi-nozzle provided above in the state where the plurality of semiconductor devices 1 are arranged side by side so that the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is vertical as described above. A steam flow 382 is jetted from each jet port provided in 308. The steam flow 382 ejected from the multi-nozzle 308 is blown over the gap. As a result, as in the first embodiment, the cleaning solution vapor 81 is supplied to the gaps between the circuit boards 2 and the semiconductor elements 3 of the plurality of semiconductor devices 1 by the vapor flow 382 ejected from the multi-nozzle 308. .

この半導体装置１の上側から隙間の上部に入った蒸気流３８２は、第１の実施の形態と同様に、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された蒸気流３８２は、凝縮により液化して洗浄液となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。   The vapor flow 382 entering the upper part of the gap from the upper side of the semiconductor device 1 causes the flux 7 to swell as well as the surface of the circuit board 2, solder bump 31, semiconductor element 3, etc., as in the first embodiment. Cools in contact. The cooled steam flow 382 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and flows downward by gravity. At this time, the cleaning liquid flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap. It will be discharged from the lower part. Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.

また、第１の実施の形態と同様に、排出された洗浄液からなる廃液８４は、一旦、マルチノズル３０８の下方に設けられた排液槽１２に溜められる。次に、この廃液８４は、ポンプ１４の動作により循環パイプ１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物と洗浄液とに分離される。その後、洗浄液は、ポンプ１４および循環パイプ１５によって装置内で循環して再利用される。   Similarly to the first embodiment, the waste liquid 84 composed of the discharged cleaning liquid is temporarily stored in the drain tank 12 provided below the multi-nozzle 308. Next, the waste liquid 84 is sent to the filter 13 through the circulation pipe 15 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to be separated into impurities such as the flux 7 and the cleaning liquid. Thereafter, the cleaning liquid is circulated and reused in the apparatus by the pump 14 and the circulation pipe 15.

次に、第１の実施の形態と同様に、乾燥処理部１６によって、マルチノズル３０８から噴射される蒸気流３８２による洗浄が完了した半導体装置１が加熱されて洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液が乾燥して除去される。   Next, similarly to the first embodiment, the drying processing unit 16 heats the semiconductor device 1 that has been cleaned by the vapor flow 382 ejected from the multi-nozzle 308 to evaporate the cleaning liquid, thereby the semiconductor device. The cleaning liquid remaining on the surface of 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is dried and removed.

なお、蒸気流３８２をマルチノズル３０８から供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Note that when the vapor flow 382 is supplied from the multi-nozzle 308, the circuit board 2 may not be vertical as long as the cleaning liquid liquefied and attached to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. The circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

また、マルチノズル３０８に限らず、例えば半導体装置１の上方に複数の噴射口が設けられた配管を配置して、この噴射口から洗浄液の蒸気流３８２が噴射されるようにしてもよい。   Further, not limited to the multi-nozzle 308, for example, a pipe provided with a plurality of injection ports may be arranged above the semiconductor device 1, and the cleaning liquid vapor flow 382 may be injected from the injection ports.

また、マルチノズル３０８から供給される蒸気流３８２の圧力を強めて、回路基板２と半導体素子３との隙間を、噴射された蒸気流３８２の圧力によって洗浄してもよい。
また、乾燥処理部１６に代えて、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。 Further, the pressure of the vapor flow 382 supplied from the multi-nozzle 308 may be increased, and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be cleaned by the pressure of the injected vapor flow 382.
Further, in place of the drying processing unit 16, the semiconductor device 1 is used by using another drying method such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining on the surface of the substrate and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be dried.

以上のように、第３の実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、半導体装置１の隙間の上方に、マルチノズル３０８を備える。これにより、一度に複数の半導体装置１に対して洗浄液の蒸気８１を噴射することができる。この結果、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間の洗浄に要する時間が短縮され、作業効率が向上する。
［第４の実施の形態］
次に、第４の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点および第３の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the third embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the multi-nozzle 308 is provided above the gap of the semiconductor device 1. As a result, the cleaning solution vapor 81 can be sprayed to a plurality of semiconductor devices 1 at a time. As a result, the time required for cleaning the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is shortened, and the working efficiency is improved.
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment will be described. Differences from the first embodiment described above and differences from the third embodiment will be mainly described, and the same matters are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

第４の実施の形態は、第３の実施の形態における、複数の半導体装置１に対してマルチノズル３０８から蒸気流３８２が一度に噴射され得る位置において、半導体装置１の下方に冷却ユニット４１７が設置されている点で、第１の実施の形態および第３の実施の形態と異なる。   In the fourth embodiment, a cooling unit 417 is provided below the semiconductor device 1 at a position where the vapor flow 382 can be ejected from the multi-nozzle 308 to the plurality of semiconductor devices 1 at the same time in the third embodiment. It differs from the first and third embodiments in that it is installed.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図９は、第４の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。
まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図９に示すように、本実施の形態では、第３の実施の形態で用いるベルトコンベア１１、排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、循環パイプ１５、乾燥処理部１６、マルチノズル３０８などの他、冷却ユニット４１７を用いて半導体装置１の洗浄を行う。 Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the fourth embodiment.
First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 9, in this embodiment, the belt conveyor 11, drainage tank 12, filter 13, pump 14, circulation pipe 15, drying processing unit 16, multi-nozzle 308, etc. used in the third embodiment are used. In addition, the semiconductor device 1 is cleaned using the cooling unit 417.

マルチノズル３０８は、第３の実施の形態と同様に、複数の噴射口（例えば、４個）を備え、一度に複数の半導体装置１に対して、洗浄液（図示省略）の蒸気流３８２を噴射することができる。ベルトコンベア１１は、第１の実施の形態と同様に、半導体装置１を搬送する搬送機構である。   As in the third embodiment, the multi-nozzle 308 includes a plurality of injection ports (for example, four), and injects a vapor flow 382 of a cleaning liquid (not shown) to a plurality of semiconductor devices 1 at a time. can do. The belt conveyor 11 is a transport mechanism that transports the semiconductor device 1 as in the first embodiment.

排液槽１２は、第１の実施の形態と同様に、蒸気流３８２として噴射された蒸気８１（図１）が凝縮することにより生じた洗浄液と、洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合液である廃液８４を溜めて回収するための液槽である。   As in the first embodiment, the drainage tank 12 includes a cleaning liquid generated by condensation of the steam 81 (FIG. 1) injected as the steam flow 382, impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid, and the like. This is a liquid tank for collecting and recovering the waste liquid 84 which is a mixed liquid.

フィルター１３は、第１の実施の形態と同様に、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、排液槽１２に回収された廃液８４から洗浄液が分離される。   As in the first embodiment, the filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid by filtration. The cleaning liquid is separated from the waste liquid 84 collected in the drainage tank 12 by the filter 13.

ポンプ１４は、第１の実施の形態と同様に、廃液８４および洗浄液を循環させるための機構である。このポンプ１４により、排液槽１２により回収された廃液８４がフィルター１３に送られ、フィルター１３により分離された洗浄液がマルチノズル３０８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the waste liquid 84 and the cleaning liquid as in the first embodiment. By this pump 14, the waste liquid 84 collected by the drainage tank 12 is sent to the filter 13, and the cleaning liquid separated by the filter 13 is circulated to the multi nozzle 308.

循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、排液槽１２からフィルター１３、ポンプ１４およびマルチノズル３０８までを連通するためのパイプである。
これらの排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、洗浄に用いられた廃液８４を洗浄液として再利用するための機構である。 The circulation pipe 15 is a pipe for communicating from the drainage tank 12 to the filter 13, the pump 14, and the multi-nozzle 308, as in the first embodiment.
The drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 15 are mechanisms for reusing the waste liquid 84 used for cleaning as a cleaning liquid, as in the first embodiment.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。第３の実施の形態と同様に、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させた状態で複数個並べられた半導体装置１が、順次、ベルトコンベア１１によってマルチノズル３０８が備える複数の噴射口の下方に移動される。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. As in the third embodiment, after the electrode 21 and the solder bump 31 are joined in the previous process (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first perpendicular to the horizontal plane by the above equipment. A plurality of semiconductor devices 1 arranged in a standing state are sequentially moved below the plurality of injection ports provided in the multi-nozzle 308 by the belt conveyor 11.

次に、上記のように半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように複数個の半導体装置１が並んで立てられた状態で、上方に設けられているマルチノズル３０８が備えるそれぞれの噴射口から蒸気流３８２が噴射される。このマルチノズル３０８から噴射された蒸気流３８２が、上記の隙間を目掛けて吹き付けられる。これにより、第１の実施の形態と同様に、複数の半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に、マルチノズル３０８から噴射された蒸気流３８２によって洗浄液の蒸気８１が供給される。   Next, the multi-nozzle provided above in the state where the plurality of semiconductor devices 1 are arranged side by side so that the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is vertical as described above. A steam flow 382 is jetted from each jet port provided in 308. The steam flow 382 ejected from the multi-nozzle 308 is blown over the gap. As a result, as in the first embodiment, the cleaning solution vapor 81 is supplied to the gaps between the circuit boards 2 and the semiconductor elements 3 of the plurality of semiconductor devices 1 by the vapor flow 382 ejected from the multi-nozzle 308. .

この半導体装置１の上側から隙間の上部に入った蒸気流３８２は、第１の実施の形態と同様に、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された蒸気流３８２は、凝縮により液化して洗浄液となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。   The vapor flow 382 entering the upper part of the gap from the upper side of the semiconductor device 1 causes the flux 7 to swell as well as the surface of the circuit board 2, solder bump 31, semiconductor element 3, etc., as in the first embodiment. Cools in contact. The cooled steam flow 382 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and flows downward by gravity. At this time, the cleaning liquid flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap. It will be discharged from the lower part. Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.

ここで、本実施の形態では、マルチノズル３０８が噴射する蒸気流３８２を半導体装置１に吹き付ける位置の下方に冷却ユニット４１７を、半導体装置１に接触するように設置する。この冷却ユニット４１７によって、マルチノズル３０８から噴射された蒸気流３８２が吹き付けられている半導体装置１の下部を冷却する。これにより、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３が下方から冷却される。この結果、半導体装置１の隙間内における蒸気８１の液化が促進される。この冷却ユニット４１７は、本実施の形態では、水を内部に循環させたラジエータを用いて構成する。   Here, in the present embodiment, the cooling unit 417 is installed in contact with the semiconductor device 1 below the position where the vapor flow 382 ejected by the multi-nozzle 308 is blown onto the semiconductor device 1. The cooling unit 417 cools the lower part of the semiconductor device 1 to which the vapor flow 382 ejected from the multi-nozzle 308 is blown. Thereby, the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 are cooled from below. As a result, the liquefaction of the vapor 81 in the gap of the semiconductor device 1 is promoted. In this embodiment, the cooling unit 417 is configured using a radiator in which water is circulated.

また、第３の実施の形態と同様に、排出された洗浄液からなる廃液８４は、一旦、マルチノズル３０８の下方に設けられた排液槽１２に溜められる。次に、この廃液８４は、ポンプ１４の動作により循環パイプ１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物と洗浄液とに分離される。その後、洗浄液は、ポンプ１４および循環パイプ１５によって装置内で循環して再利用される。   Similarly to the third embodiment, the waste liquid 84 composed of the discharged cleaning liquid is temporarily stored in the drainage tank 12 provided below the multi-nozzle 308. Next, the waste liquid 84 is sent to the filter 13 through the circulation pipe 15 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to be separated into impurities such as the flux 7 and the cleaning liquid. Thereafter, the cleaning liquid is circulated and reused in the apparatus by the pump 14 and the circulation pipe 15.

次に、第１の実施の形態と同様に、乾燥処理部１６によって、マルチノズル３０８から噴射される蒸気流３８２による洗浄が完了した半導体装置１が加熱されて洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液が乾燥して除去される。   Next, similarly to the first embodiment, the drying processing unit 16 heats the semiconductor device 1 that has been cleaned by the vapor flow 382 ejected from the multi-nozzle 308 to evaporate the cleaning liquid, thereby the semiconductor device. The cleaning liquid remaining on the surface of 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is dried and removed.

なお、冷却ユニット４１７は、ラジエータなどを用いた水冷式に限らず、空冷式または他の一般的な冷却方法を用いて構成することができる。また、冷却ユニット４１７は、回路基板２および半導体素子３のうち、いずれか一方のみを冷却してもよい。また、冷却ユニット４１７は、半導体装置１に接触させずに、半導体装置１の周囲の温度を低下させることによって、洗浄液の液化を促進してもよい。   The cooling unit 417 is not limited to a water-cooled type using a radiator or the like, and can be configured using an air-cooled type or other general cooling methods. In addition, the cooling unit 417 may cool only one of the circuit board 2 and the semiconductor element 3. In addition, the cooling unit 417 may promote liquefaction of the cleaning liquid by reducing the temperature around the semiconductor device 1 without contacting the semiconductor device 1.

また、第３の実施の形態と同様に、蒸気流３８２をマルチノズル３０８から供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Similarly to the third embodiment, when the vapor flow 382 is supplied from the multi-nozzle 308, if the cleaning liquid liquefied and attached to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3, The circuit board 2 does not have to be vertical, and the circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

また、第３の実施の形態と同様に、マルチノズル３０８に限らず、例えば半導体装置１の上方に複数の噴射口が設けられた配管を配置して、この噴射口から洗浄液の蒸気流３８２が噴射されるようにしてもよい。   Similarly to the third embodiment, not only the multi-nozzle 308 but also a pipe provided with a plurality of injection ports provided above the semiconductor device 1, for example, and a cleaning liquid vapor flow 382 is generated from the injection ports. You may make it be injected.

また、第３の実施の形態と同様に、マルチノズル３０８から供給される蒸気流３８２の圧力を強めて、回路基板２と半導体素子３との隙間を、噴射された蒸気流３８２の圧力によって洗浄してもよい。   Further, as in the third embodiment, the pressure of the vapor flow 382 supplied from the multi-nozzle 308 is increased, and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is cleaned by the pressure of the injected vapor flow 382. May be.

また、乾燥処理部１６に代えて、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   Further, in place of the drying processing unit 16, the semiconductor device 1 is used by using another drying method such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining on the surface of the substrate and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be dried.

以上のように、第４の実施の形態では、第１の実施の形態の効果および第３の実施の形態の効果に加えて、マルチノズル３０８から噴射される洗浄液の蒸気流３８２が半導体装置１に吹き付けられる位置の下方に冷却ユニット４１７を設置して、半導体装置１の下部を冷却する。これにより、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３が下方から冷却され、マルチノズル３０８から半導体装置１の隙間に供給された蒸気８１の液化が促進される。この結果、洗浄液による半導体装置１の隙間の内部の不純物の洗浄効果がさらに高まり、作業効率が向上する。
［第５の実施の形態］
次に、第５の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the fourth embodiment, in addition to the effect of the first embodiment and the effect of the third embodiment, the vapor flow 382 of the cleaning liquid ejected from the multi-nozzle 308 generates the semiconductor device 1. A cooling unit 417 is installed below the position sprayed on the semiconductor device 1 to cool the lower part of the semiconductor device 1. Thereby, the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 are cooled from below, and liquefaction of the steam 81 supplied from the multi-nozzle 308 to the gap between the semiconductor devices 1 is promoted. As a result, the cleaning effect of impurities inside the gap of the semiconductor device 1 by the cleaning liquid is further enhanced, and the working efficiency is improved.
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described. Differences from the first embodiment will be mainly described, and the same reference numerals are used for the same matters, and descriptions thereof are omitted.

第５の実施の形態は、ノズル８に代えて、一度に複数の半導体装置１に対して蒸気流５８２を噴出可能な蒸気噴射ユニット５０８を用いる点、および複数の半導体装置１に対してベルトコンベア１１を用いずに洗浄槽５１８で一括して洗浄処理を行う点で、第１の実施の形態と異なる。   The fifth embodiment uses a vapor jet unit 508 capable of jetting a vapor flow 582 to a plurality of semiconductor devices 1 at once instead of the nozzles 8, and a belt conveyor for the plurality of semiconductor devices 1. 11 is different from the first embodiment in that the cleaning process is performed collectively in the cleaning tank 518 without using 11.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図１０は、第５の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。
まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図１０に示すように、本実施の形態では、第１の実施の形態で用いる排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、循環パイプ１５などを用いて半導体装置１の洗浄を行う。また、本実施の形態では、上記のように、第１の実施の形態で用いるノズル８に代えて、蒸気噴射ユニット５０８を用い、ベルトコンベア１１を用いずに大口径の洗浄槽５１８を用いる。また、半導体装置１を洗浄槽５１８に設置するために治具５１９を用いる。 Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 10 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the fifth embodiment.
First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 10, in this embodiment, the semiconductor device 1 is cleaned using the drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, the circulation pipe 15, and the like used in the first embodiment. In the present embodiment, as described above, instead of the nozzle 8 used in the first embodiment, the steam injection unit 508 is used, and the large-diameter cleaning tank 518 is used without using the belt conveyor 11. In addition, a jig 519 is used to install the semiconductor device 1 in the cleaning tank 518.

本実施の形態では、蒸気噴射ユニット５０８は、洗浄槽５１８に覆い被さるように設置されている。蒸気噴射ユニット５０８は、複数の噴射口（例えば、１２個）を備え、一度に複数の半導体装置１に対して、洗浄液（図示省略）の蒸気流５８２を噴射することができる。   In the present embodiment, the steam injection unit 508 is installed so as to cover the cleaning tank 518. The vapor injection unit 508 includes a plurality of injection ports (for example, 12), and can inject a vapor flow 582 of a cleaning liquid (not shown) to a plurality of semiconductor devices 1 at a time.

洗浄槽５１８は、半導体装置１を内部に収容して蒸気流５８２により洗浄するための内部を密閉可能な槽である。治具５１９は、複数の半導体装置１を洗浄槽５１８に設置するための器具である。治具５１９は、半導体装置１を支持するとともに、位置決めなどを正確に行うために案内する。半導体装置１を洗浄槽５１８に設置するときには、設置するすべての半導体装置１を一旦治具５１９に取り付ける。次に、半導体装置１を治具５１９ごと洗浄槽５１８に配置する。半導体装置１を洗浄槽５１８から取り出すときには、治具５１９ごと取り出す。この治具５１９を用いることによって、一度に複数の半導体装置１を配置しおよび取り出すことができる。   The cleaning tank 518 is a tank capable of sealing the inside for housing the semiconductor device 1 and cleaning it with the vapor flow 582. The jig 519 is an instrument for installing the plurality of semiconductor devices 1 in the cleaning tank 518. The jig 519 supports the semiconductor device 1 and guides it for accurate positioning and the like. When the semiconductor device 1 is installed in the cleaning tank 518, all the semiconductor devices 1 to be installed are temporarily attached to the jig 519. Next, the semiconductor device 1 is placed in the cleaning tank 518 together with the jig 519. When taking out the semiconductor device 1 from the cleaning tank 518, the jig 519 is taken out. By using this jig 519, a plurality of semiconductor devices 1 can be arranged and taken out at a time.

排液槽１２は、第１の実施の形態と同様に、蒸気流５８２として噴射された蒸気８１（図１）が凝縮することにより生じた洗浄液と、洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合液である廃液８４を溜めて回収するための液槽である。   As in the first embodiment, the drainage tank 12 includes a cleaning liquid generated by condensation of the steam 81 (FIG. 1) injected as the steam flow 582, and impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid. This is a liquid tank for collecting and recovering the waste liquid 84 which is a mixed liquid.

フィルター１３は、第１の実施の形態と同様に、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、排液槽１２に回収された廃液８４から洗浄液が分離される。   As in the first embodiment, the filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid by filtration. The cleaning liquid is separated from the waste liquid 84 collected in the drainage tank 12 by the filter 13.

ポンプ１４は、第１の実施の形態と同様に、廃液８４および洗浄液を循環させるための機構である。このポンプ１４により、排液槽１２により回収された廃液８４がフィルター１３に送られ、フィルター１３により分離された洗浄液が蒸気噴射ユニット５０８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the waste liquid 84 and the cleaning liquid as in the first embodiment. By this pump 14, the waste liquid 84 collected by the drain tank 12 is sent to the filter 13, and the cleaning liquid separated by the filter 13 is circulated to the vapor injection unit 508.

循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、排液槽１２からフィルター１３、ポンプ１４および蒸気噴射ユニット５０８までを連通するためのパイプである。
これらの排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、洗浄に用いられた廃液８４を洗浄液として再利用するための機構である。 The circulation pipe 15 is a pipe for communicating from the drainage tank 12 to the filter 13, the pump 14, and the steam injection unit 508, as in the first embodiment.
The drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 15 are mechanisms for reusing the waste liquid 84 used for cleaning as a cleaning liquid, as in the first embodiment.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。本実施の形態では、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させた状態で複数個（例えば、１２個）の半導体装置１が、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように治具５１９に立てられた状態で並べて取り付けられる。そしてこれらの半導体装置１は、治具５１９ごと洗浄槽５１８に配置される。次に、洗浄槽５１８を覆うように上方に設けられている蒸気噴射ユニット５０８が備えるそれぞれの噴射口から蒸気流５８２が噴射される。この蒸気噴射ユニット５０８から噴射された蒸気流５８２が、上記の隙間に吹き付けられる。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. In the present embodiment, after the electrodes 21 and the solder bumps 31 are joined in the previous step (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first erected perpendicularly to the horizontal plane with the above equipment. A plurality of (for example, twelve) semiconductor devices 1 are mounted side by side in a standing state on a jig 519 so that the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is vertical. These semiconductor devices 1 are arranged in the cleaning tank 518 together with the jig 519. Next, a steam flow 582 is jetted from each jet port provided in the steam jet unit 508 provided above so as to cover the cleaning tank 518. A steam flow 582 injected from the steam injection unit 508 is blown into the gap.

また、本実施の形態では、洗浄槽５１８の内部が、蒸気噴射ユニット５０８から噴射された蒸気流５８２により、洗浄液の蒸気８１で充満する。ここでさらに蒸気流５８２の噴射を続けることにより、洗浄槽５１８の内部の空気が、洗浄液の蒸気８１で飽和状態になる。   In the present embodiment, the inside of the cleaning tank 518 is filled with the steam 81 of the cleaning liquid by the steam flow 582 injected from the steam injection unit 508. Here, by further injecting the steam flow 582, the air inside the cleaning tank 518 is saturated with the steam 81 of the cleaning liquid.

これらにより、第１の実施の形態と同様に、複数の半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に、蒸気噴射ユニット５０８から噴射された蒸気流５８２によって洗浄液の蒸気８１が供給される。   Accordingly, as in the first embodiment, the cleaning solution vapor 81 is supplied to the gaps between the circuit boards 2 and the semiconductor elements 3 of the plurality of semiconductor devices 1 by the vapor flow 582 ejected from the vapor ejection unit 508. The

この半導体装置１の上側から隙間の上部に入った蒸気流５８２は、第１の実施の形態と同様に、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された蒸気流５８２は、凝縮により液化して洗浄液となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。   The vapor flow 582 entering the upper part of the gap from the upper side of the semiconductor device 1 causes the flux 7 to swell as well as the surface of the circuit board 2, the solder bump 31, the semiconductor element 3, etc., as in the first embodiment. Cools in contact. The cooled vapor flow 582 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and flows downward by gravity. At this time, the cleaning liquid flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap, and the gap It will be discharged from the lower part. Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.

また、第１の実施の形態と同様に、排出された洗浄液からなる廃液８４は、一旦、洗浄槽５１８の下方に設けられた排液槽１２に溜められる。次に、この廃液８４は、ポンプ１４の動作により循環パイプ１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物と洗浄液とに分離される。その後、洗浄液は、ポンプ１４および循環パイプ１５によって装置内で循環して再利用される。   Similarly to the first embodiment, the waste liquid 84 composed of the discharged cleaning liquid is temporarily stored in the drainage tank 12 provided below the cleaning tank 518. Next, the waste liquid 84 is sent to the filter 13 through the circulation pipe 15 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to be separated into impurities such as the flux 7 and the cleaning liquid. Thereafter, the cleaning liquid is circulated and reused in the apparatus by the pump 14 and the circulation pipe 15.

なお、蒸気噴射ユニット５０８から噴射される蒸気流５８２による洗浄が完了した半導体装置１を、洗浄槽５１８を用いて、または、例えば第１の実施の形態の乾燥処理部１６のような、他の設備を用いて加熱し、洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥して除去してもよい。さらに、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   Note that the semiconductor device 1 that has been cleaned by the vapor flow 582 injected from the vapor injection unit 508 is replaced with another type using the cleaning tank 518 or the drying processing unit 16 of the first embodiment, for example. The cleaning liquid remaining on the surface of the semiconductor device 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be dried and removed by heating using equipment and evaporating the cleaning liquid. Furthermore, the surface of the semiconductor device 1 and the circuit board 2 and the semiconductor can be obtained by using other drying methods such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining in the gap between the element 3 and the like may be dried.

また、蒸気流５８２を蒸気噴射ユニット５０８から供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Further, when the vapor flow 582 is supplied from the vapor injection unit 508, if the cleaning liquid that has been liquefied and adhered to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3, the circuit board 2 may not be vertical. Alternatively, the circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

また、蒸気噴射ユニット５０８から供給される蒸気流５８２の圧力を強めて、回路基板２と半導体素子３との隙間を、噴射された蒸気流５８２の圧力によって洗浄してもよい。
以上のように、第５の実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、複数の半導体装置１を治具５１９に取り付け、これを洗浄槽５１８に配置する。この治具５１９に取り付けられた複数の半導体装置１に向けて、洗浄槽５１８の上方に設けられた蒸気噴射ユニット５０８から蒸気流５８２を噴射する。これにより、一度に複数の半導体装置１に対して洗浄液の蒸気８１を噴射することができる。この結果、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間の洗浄に要する時間が短縮され、作業効率が向上する。
［第６の実施の形態］
次に、第６の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点および第５の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 Further, the pressure of the vapor flow 582 supplied from the vapor injection unit 508 may be increased, and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be cleaned with the pressure of the injected vapor flow 582.
As described above, in the fifth embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, a plurality of semiconductor devices 1 are attached to the jig 519 and disposed in the cleaning tank 518. A steam flow 582 is jetted from a vapor jet unit 508 provided above the cleaning tank 518 toward the plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 519. As a result, the cleaning solution vapor 81 can be sprayed to a plurality of semiconductor devices 1 at a time. As a result, the time required for cleaning the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is shortened, and the working efficiency is improved.
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment will be described. Differences from the first embodiment and differences from the fifth embodiment will be mainly described, and the same reference numerals are used for the same matters, and descriptions thereof are omitted.

第６の実施の形態は、第５の実施の形態における、治具５１９に取り付けられた複数の半導体装置１に対して蒸気噴射ユニット５０８から蒸気流５８２が噴射され得る位置において、半導体装置１の下方に冷却ユニット６１７が設置されている点で、第１の実施の形態および第５の実施の形態と異なる。   In the sixth embodiment, the position of the semiconductor device 1 in the position where the steam flow 582 can be jetted from the vapor jet unit 508 to the plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 519 in the fifth embodiment. It differs from the first embodiment and the fifth embodiment in that a cooling unit 617 is installed below.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図１１は、第６の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。
まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図１１に示すように、本実施の形態では、第５の実施の形態で用いる排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、循環パイプ１５、蒸気噴射ユニット５０８、洗浄槽５１８、治具５１９などの他、冷却ユニット６１７を用いて半導体装置１の洗浄を行う。 Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 11 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the sixth embodiment.
First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 11, in this embodiment, the drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, the circulation pipe 15, the steam injection unit 508, the cleaning tank 518, the jig 519, etc. used in the fifth embodiment are used. In addition, the semiconductor device 1 is cleaned using the cooling unit 617.

蒸気噴射ユニット５０８は、第５の実施の形態と同様に、洗浄槽５１８に覆い被さるように設置されている。蒸気噴射ユニット５０８は、複数の噴射口（例えば、１２個）を備え、一度に複数の半導体装置１に対して、洗浄液（図示省略）の蒸気流５８２を噴射することができる。   The steam injection unit 508 is installed so as to cover the cleaning tank 518 as in the fifth embodiment. The vapor injection unit 508 includes a plurality of injection ports (for example, 12), and can inject a vapor flow 582 of a cleaning liquid (not shown) to a plurality of semiconductor devices 1 at a time.

洗浄槽５１８は、第５の実施の形態と同様に、半導体装置１を内部に収容して蒸気流５８２により洗浄するための内部を密閉可能な槽である。治具５１９は、第５の実施の形態と同様に、複数の半導体装置１を洗浄槽５１８に設置するための器具である。治具５１９は、半導体装置１を支持するとともに、位置決めなどを正確に行うために案内する。半導体装置１を洗浄槽５１８に設置するときには、設置するすべての半導体装置１を一旦治具５１９に取り付ける。次に、半導体装置１を治具５１９ごと洗浄槽５１８に配置する。半導体装置１を洗浄槽５１８から取り出すときには、治具５１９ごと取り出す。この治具５１９を用いることによって、一度に複数の半導体装置１を配置しおよび取り出すことができる。   As in the fifth embodiment, the cleaning tank 518 is a tank capable of sealing the inside for housing the semiconductor device 1 and cleaning it with the vapor flow 582. The jig 519 is an instrument for installing a plurality of semiconductor devices 1 in the cleaning tank 518 as in the fifth embodiment. The jig 519 supports the semiconductor device 1 and guides it for accurate positioning and the like. When the semiconductor device 1 is installed in the cleaning tank 518, all the semiconductor devices 1 to be installed are temporarily attached to the jig 519. Next, the semiconductor device 1 is placed in the cleaning tank 518 together with the jig 519. When taking out the semiconductor device 1 from the cleaning tank 518, the jig 519 is taken out. By using this jig 519, a plurality of semiconductor devices 1 can be arranged and taken out at a time.

排液槽１２は、第１の実施の形態と同様に、蒸気流５８２として噴射された蒸気８１（図１）が凝縮することにより生じた洗浄液と、洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合液である廃液８４を溜めて回収するための液槽である。   As in the first embodiment, the drainage tank 12 includes a cleaning liquid generated by condensation of the steam 81 (FIG. 1) injected as the steam flow 582, and impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid. This is a liquid tank for collecting and recovering the waste liquid 84 which is a mixed liquid.

フィルター１３は、第１の実施の形態と同様に、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、排液槽１２に回収された廃液８４から洗浄液が分離される。   As in the first embodiment, the filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid by filtration. The cleaning liquid is separated from the waste liquid 84 collected in the drainage tank 12 by the filter 13.

ポンプ１４は、第１の実施の形態と同様に、廃液８４および洗浄液を循環させるための機構である。このポンプ１４により、排液槽１２により回収された廃液８４がフィルター１３に送られ、フィルター１３により分離された洗浄液が蒸気噴射ユニット５０８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the waste liquid 84 and the cleaning liquid as in the first embodiment. By this pump 14, the waste liquid 84 collected by the drain tank 12 is sent to the filter 13, and the cleaning liquid separated by the filter 13 is circulated to the vapor injection unit 508.

循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、排液槽１２からフィルター１３、ポンプ１４および蒸気噴射ユニット５０８までを連通するためのパイプである。
これらの排液槽１２、フィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ１５は、第１の実施の形態と同様に、洗浄に用いられた廃液８４を洗浄液として再利用するための機構である。 The circulation pipe 15 is a pipe for communicating from the drainage tank 12 to the filter 13, the pump 14, and the steam injection unit 508, as in the first embodiment.
The drainage tank 12, the filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 15 are mechanisms for reusing the waste liquid 84 used for cleaning as a cleaning liquid, as in the first embodiment.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。第５の実施の形態と同様に、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させた状態で複数個（例えば、１２個）の半導体装置１が、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように治具５１９に立てられた状態で並べて取り付けられる。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. Similar to the fifth embodiment, after the electrode 21 and the solder bump 31 are joined in the previous process (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first perpendicular to the horizontal plane with the above equipment. A plurality of (for example, twelve) semiconductor devices 1 are arranged in a standing state on the jig 519 so that the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is vertical. It is attached.

そしてこれらの半導体装置１は、治具５１９ごと洗浄槽５１８に配置される。次に、洗浄槽５１８を覆うように上方に設けられている蒸気噴射ユニット５０８が備えるそれぞれの噴射口から蒸気流５８２が噴射される。この蒸気噴射ユニット５０８から噴射された蒸気流５８２が、上記の隙間に吹き付けられる。   These semiconductor devices 1 are arranged in the cleaning tank 518 together with the jig 519. Next, a steam flow 582 is jetted from each jet port provided in the steam jet unit 508 provided above so as to cover the cleaning tank 518. A steam flow 582 injected from the steam injection unit 508 is blown into the gap.

また、第５の実施の形態と同様に、洗浄槽５１８の内部が、蒸気噴射ユニット５０８から噴射された蒸気流５８２により、洗浄液の蒸気８１で充満する。ここでさらに蒸気流５８２の噴射を続けることにより、洗浄槽５１８の内部の空気が、洗浄液の蒸気８１で飽和状態になる。   Similarly to the fifth embodiment, the inside of the cleaning tank 518 is filled with the steam 81 of the cleaning liquid by the steam flow 582 injected from the steam injection unit 508. Here, by further injecting the steam flow 582, the air inside the cleaning tank 518 is saturated with the steam 81 of the cleaning liquid.

これらにより、第５の実施の形態と同様に、複数の半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に、蒸気噴射ユニット５０８から噴射された蒸気流５８２によって洗浄液の蒸気８１が供給される。   As a result, as in the fifth embodiment, the cleaning solution vapor 81 is supplied to the gaps between the circuit boards 2 and the semiconductor elements 3 of the plurality of semiconductor devices 1 by the vapor flow 582 ejected from the vapor ejection unit 508. The

この半導体装置１の上側から隙間の上部に入った蒸気流５８２は、第１の実施の形態と同様に、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された蒸気流５８２は、凝縮により液化して洗浄液となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。   The vapor flow 582 entering the upper part of the gap from the upper side of the semiconductor device 1 causes the flux 7 to swell as well as the surface of the circuit board 2, the solder bump 31, the semiconductor element 3, etc., as in the first embodiment. Cools in contact. The cooled vapor flow 582 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and flows downward by gravity. At this time, the cleaning liquid flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap, and the gap It will be discharged from the lower part. Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.

ここで、本実施の形態では、洗浄槽５１８内において治具５１９に取り付けられた複数の半導体装置１の下方に冷却ユニット６１７を、半導体装置１に接触させずに、冷却ユニット６１７と半導体装置１との距離が、半導体装置１の冷却に十分な近さの範囲内に設置する。この冷却ユニット６１７が半導体装置１の周囲の温度を低下させることによって、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３が下方から冷却される。この結果、半導体装置１の隙間内における蒸気８１の液化が促進される。この冷却ユニット６１７は、本実施の形態では、水を内部に循環させたラジエータを用いて構成する。   Here, in the present embodiment, the cooling unit 617 and the semiconductor device 1 are placed in the cleaning tank 518 below the plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 519 without contacting the semiconductor device 1. The distance is set within a range close enough to cool the semiconductor device 1. As the cooling unit 617 lowers the temperature around the semiconductor device 1, the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 are cooled from below. As a result, the liquefaction of the vapor 81 in the gap of the semiconductor device 1 is promoted. In this embodiment, the cooling unit 617 is configured using a radiator in which water is circulated.

また、第１の実施の形態と同様に、排出された洗浄液からなる廃液８４は、一旦、洗浄槽５１８の下方に設けられた排液槽１２に溜められる。次に、この廃液８４は、ポンプ１４の動作により循環パイプ１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物と洗浄液とに分離される。その後、洗浄液は、ポンプ１４および循環パイプ１５によって装置内で循環して再利用される。   Similarly to the first embodiment, the waste liquid 84 composed of the discharged cleaning liquid is temporarily stored in the drainage tank 12 provided below the cleaning tank 518. Next, the waste liquid 84 is sent to the filter 13 through the circulation pipe 15 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to be separated into impurities such as the flux 7 and the cleaning liquid. Thereafter, the cleaning liquid is circulated and reused in the apparatus by the pump 14 and the circulation pipe 15.

なお、冷却ユニット６１７は、ラジエータなどを用いた水冷式に限らず、空冷式または他の一般的な冷却方法を用いて構成することができる。また、冷却ユニット６１７は、回路基板２および半導体素子３のうち、いずれか一方のみを冷却してもよい。   The cooling unit 617 is not limited to a water-cooled type using a radiator or the like, and can be configured using an air-cooled type or other general cooling methods. Further, the cooling unit 617 may cool only one of the circuit board 2 and the semiconductor element 3.

また、第５の実施の形態と同様に、蒸気噴射ユニット５０８から噴射される蒸気流５８２による洗浄が完了した半導体装置１を、洗浄槽５１８を用いて、または、例えば第１の実施の形態の乾燥処理部１６のような、他の設備を用いて加熱し、洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥して除去してもよい。さらに、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   Similarly to the fifth embodiment, the semiconductor device 1 that has been cleaned by the vapor flow 582 injected from the vapor injection unit 508 is used for the cleaning tank 518 or, for example, as in the first embodiment. The cleaning liquid remaining on the surface of the semiconductor device 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is dried by heating using other equipment such as the drying processing unit 16 and evaporating the cleaning liquid. May be removed. Furthermore, the surface of the semiconductor device 1 and the circuit board 2 and the semiconductor can be obtained by using other drying methods such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining in the gap between the element 3 and the like may be dried.

また、第５の実施の形態と同様に、蒸気流５８２を蒸気噴射ユニット５０８から供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Similarly to the fifth embodiment, when the vapor flow 582 is supplied from the vapor injection unit 508, the cleaning liquid that is liquefied and attached to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. The circuit board 2 does not have to be vertical, and the circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

また、第５の実施の形態と同様に、蒸気噴射ユニット５０８から供給される蒸気流５８２の圧力を強めて、回路基板２と半導体素子３との隙間を、噴射された蒸気流５８２の圧力によって洗浄してもよい。   Further, as in the fifth embodiment, the pressure of the vapor flow 582 supplied from the vapor injection unit 508 is increased, and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is increased by the pressure of the injected vapor flow 582. You may wash.

以上のように、第６の実施の形態では、第１の実施の形態の効果および第５の実施の形態の効果に加えて、治具５１９に取り付けられた複数の半導体装置１の下方に冷却ユニット６１７を設置して、半導体装置１の下部を冷却する。これにより、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３が下方から冷却され、蒸気噴射ユニット５０８から半導体装置１の隙間に供給された蒸気８１の液化が促進される。この結果、洗浄液による半導体装置１の隙間の内部の不純物の洗浄効果がさらに高まり、作業効率が向上する。
［第７の実施の形態］
次に、第７の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the sixth embodiment, in addition to the effects of the first embodiment and the effects of the fifth embodiment, cooling is performed below the plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 519. A unit 617 is installed to cool the lower part of the semiconductor device 1. Thereby, the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 are cooled from below, and the liquefaction of the steam 81 supplied from the steam injection unit 508 to the gap between the semiconductor devices 1 is promoted. As a result, the cleaning effect of impurities inside the gap of the semiconductor device 1 by the cleaning liquid is further enhanced, and the working efficiency is improved.
[Seventh Embodiment]
Next, a seventh embodiment will be described. Differences from the first embodiment will be mainly described, and the same reference numerals are used for the same matters, and descriptions thereof are omitted.

第７の実施の形態は、複数の半導体装置１に対してベルトコンベア１１を用いずに洗浄槽７１８で一括して洗浄処理を行う点、およびノズル８によって蒸気流８２を噴出させるのではなく、洗浄槽７１８の下部に溜められている洗浄液７８３をヒーター７２０で加熱して飽和蒸気７８５とする点で、第１の実施の形態と異なる。   In the seventh embodiment, the cleaning process is collectively performed in the cleaning tank 718 without using the belt conveyor 11 for the plurality of semiconductor devices 1 and the vapor flow 82 is not ejected by the nozzle 8. It differs from the first embodiment in that the cleaning liquid 783 stored in the lower part of the cleaning tank 718 is heated by the heater 720 to be saturated steam 785.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図１２は、第７の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。
まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図１２に示すように、本実施の形態では、第１の実施の形態で用いるフィルター１３、ポンプ１４などを用いて半導体装置１の洗浄を行うが、本実施の形態では、上記のように、第１の実施の形態で用いるベルトコンベア１１を用いずに大口径の洗浄槽７１８を用いる。また、半導体装置１を洗浄槽７１８に設置するために治具７１９を用いる。 Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the seventh embodiment.
First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 12, in this embodiment, the semiconductor device 1 is cleaned using the filter 13 and the pump 14 used in the first embodiment. In this embodiment, as described above, A large-diameter cleaning tank 718 is used without using the belt conveyor 11 used in the first embodiment. In addition, a jig 719 is used to install the semiconductor device 1 in the cleaning tank 718.

また、本実施の形態の循環パイプ７１５は、第１の実施の形態の循環パイプ１５と異なり、洗浄槽７１８から回収した洗浄液７８３をフィルター１３でろ過した後は、ポンプ１４によって洗浄槽７１８に供給する。   Further, unlike the circulation pipe 15 of the first embodiment, the circulation pipe 715 of this embodiment is supplied to the cleaning tank 718 by the pump 14 after the cleaning liquid 783 recovered from the cleaning tank 718 is filtered by the filter 13. To do.

本実施の形態の洗浄槽７１８は、半導体装置１を内部に収容して飽和蒸気７８５により洗浄するための内部を密閉可能な槽である。洗浄槽７１８は、下部に洗浄液７８３を溜めることができる。   The cleaning tank 718 of the present embodiment is a tank capable of sealing the inside for housing the semiconductor device 1 and cleaning it with saturated steam 785. The cleaning tank 718 can store the cleaning liquid 783 in the lower part.

本実施の形態では、ヒーター７２０が、洗浄槽７１８の下部において溜められた洗浄液７８３に浸るように設けられている。ヒーター７２０は、洗浄槽７１８の下部に溜められている洗浄液７８３を加熱して蒸発させ、飽和蒸気７８５を発生させることができる。   In this embodiment mode, the heater 720 is provided so as to be immersed in the cleaning liquid 783 stored in the lower portion of the cleaning tank 718. The heater 720 can heat and evaporate the cleaning liquid 783 stored in the lower portion of the cleaning tank 718 to generate saturated vapor 785.

治具７１９は、複数の半導体装置１を洗浄槽７１８に設置するための器具である。治具７１９は、半導体装置１を支持するとともに、位置決めなどを正確に行うために案内する。半導体装置１を洗浄槽７１８に設置するときには、設置するすべての半導体装置１を一旦治具７１９に取り付ける。次に、半導体装置１を治具７１９ごと洗浄槽７１８に配置する。半導体装置１を洗浄槽７１８から取り出すときには、治具７１９ごと取り出す。この治具７１９を用いることによって、一度に複数の半導体装置１を配置しおよび取り出すことができる。   The jig 719 is an instrument for installing the plurality of semiconductor devices 1 in the cleaning tank 718. The jig 719 supports the semiconductor device 1 and guides it for accurate positioning. When installing the semiconductor device 1 in the cleaning tank 718, all the semiconductor devices 1 to be installed are temporarily attached to the jig 719. Next, the semiconductor device 1 is placed in the cleaning tank 718 together with the jig 719. When the semiconductor device 1 is taken out from the cleaning tank 718, the jig 719 is taken out. By using this jig 719, a plurality of semiconductor devices 1 can be arranged and taken out at a time.

フィルター１３は、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液７８３とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、洗浄槽７１８の下部に回収された洗浄液７８３からフラックス７が除去される。ポンプ１４は、洗浄液７８３を循環させるための機構である。このポンプ１４により、フィルター１３によりフラックス７が除去された洗浄液７８３が再び洗浄槽７１８に循環される。循環パイプ７１５は、洗浄槽７１８からフィルター１３およびポンプ１４を介して、再び洗浄槽７１８まで連通するためのパイプである。これらのフィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ７１５は、洗浄に用いられた洗浄液７８３からフラックス７を除去することにより、洗浄液７８３を浄化するための機構である。   The filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid 783 by filtration. The filter 13 removes the flux 7 from the cleaning liquid 783 collected in the lower part of the cleaning tank 718. The pump 14 is a mechanism for circulating the cleaning liquid 783. The cleaning liquid 783 from which the flux 7 has been removed by the filter 13 is circulated again to the cleaning tank 718 by the pump 14. The circulation pipe 715 is a pipe for communicating from the cleaning tank 718 to the cleaning tank 718 again through the filter 13 and the pump 14. The filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 715 are a mechanism for purifying the cleaning liquid 783 by removing the flux 7 from the cleaning liquid 783 used for cleaning.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。本実施の形態では、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させた状態で複数個（例えば、１０個）の半導体装置１が、治具７１９に取り付けられる。このとき、半導体装置１は、回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように立てられた状態で並べて治具７１９に取り付けられる。そしてこれらの半導体装置１は、治具７１９ごと洗浄槽７１８に配置される。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. In the present embodiment, after the electrodes 21 and the solder bumps 31 are joined in the previous step (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first erected perpendicularly to the horizontal plane with the above equipment. In a state, a plurality of (for example, 10) semiconductor devices 1 are attached to the jig 719. At this time, the semiconductor device 1 is attached to the jig 719 side by side in a state where the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is vertical. These semiconductor devices 1 are arranged in the cleaning tank 718 together with the jig 719.

次に、本実施の形態では、洗浄槽７１８の下部に設けられているヒーター７２０を加熱して洗浄槽７１８の下部に溜められている洗浄液７８３を蒸発させることにより、洗浄液７８３の飽和蒸気７８５が発生する。ここでさらにヒーター７２０によって洗浄液７８３を加熱し続けることにより、洗浄槽７１８の内部の空気が、洗浄液の飽和蒸気７８５で満たされることになる。また、ヒーター７２０によって加熱されている飽和蒸気７８５は、洗浄槽７１８の内部を上昇する。この飽和蒸気７８５が半導体装置１の付近まで上昇し、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１（図１）として、隙間の下側を中心にすべての方向から隙間に供給される。   Next, in this embodiment, the saturated vapor 785 of the cleaning liquid 783 is obtained by heating the heater 720 provided in the lower part of the cleaning tank 718 and evaporating the cleaning liquid 783 stored in the lower part of the cleaning tank 718. appear. Here, the cleaning liquid 783 is further heated by the heater 720, whereby the air inside the cleaning tank 718 is filled with the saturated vapor 785 of the cleaning liquid. Further, the saturated steam 785 heated by the heater 720 rises inside the cleaning tank 718. This saturated vapor 785 rises to the vicinity of the semiconductor device 1, and forms a vapor 81 (FIG. 1) in the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1, from all directions centering on the lower side of the gap. Supplied.

本実施の形態では、この半導体装置１の隙間にすべての方向から入った飽和蒸気７８５は、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された飽和蒸気７８５は、凝縮により液化して洗浄液７８３となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液７８３は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液７８３によって除去される。   In the present embodiment, the saturated vapor 785 entering the gap of the semiconductor device 1 from all directions causes the flux 7 to swell and contacts the surfaces of the circuit board 2, the solder bump 31, the semiconductor element 3, etc. Is done. The cooled saturated vapor 785 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid 783 and flows downward by gravity. At this time, the cleaning liquid 783 flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap. It will be discharged from the lower part of the gap. Thereby, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 and other impurities adhering in the gap in the first step are removed by the cleaning liquid 783.

洗浄槽７１８の下部には、飽和蒸気７８５が凝縮することにより生じた洗浄液と、この洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合状態の洗浄液７８３が溜められる。この混合状態の洗浄液７８３の一部は、ポンプ１４の動作によって循環パイプ７１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物が除去される。その後、洗浄液７８３は、ポンプ１４および循環パイプ７１５によって洗浄槽７１８に送られ、装置内で循環して再利用される。   A cleaning liquid 783 in a mixed state of cleaning liquid generated by condensation of the saturated vapor 785 and impurities such as flux 7 washed away by the cleaning liquid is stored below the cleaning tank 718. A part of the cleaning liquid 783 in the mixed state is sent to the filter 13 through the circulation pipe 715 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to remove impurities such as the flux 7. Thereafter, the cleaning liquid 783 is sent to the cleaning tank 718 by the pump 14 and the circulation pipe 715, and is circulated and reused in the apparatus.

なお、洗浄槽７１８内の飽和蒸気７８５による洗浄が完了した半導体装置１を、洗浄槽７１８を用いて、または、例えば第１の実施の形態の乾燥処理部１６のような、他の設備を用いて加熱し、洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥して除去してもよい。さらに、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   The semiconductor device 1 that has been cleaned by the saturated vapor 785 in the cleaning tank 718 is used by using the cleaning tank 718 or other equipment such as the drying processing unit 16 of the first embodiment. The cleaning liquid remaining on the surface of the semiconductor device 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 may be dried and removed by heating and evaporating the cleaning liquid. Furthermore, the surface of the semiconductor device 1 and the circuit board 2 and the semiconductor can be obtained by using other drying methods such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining in the gap between the element 3 and the like may be dried.

また、洗浄槽７１８において飽和蒸気７８５を供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液７８３が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Further, when the saturated vapor 785 is supplied to the cleaning tank 718, the circuit board 2 may not be vertical if the cleaning liquid 783 liquefied and adhered to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Alternatively, the circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

以上のように、第７の実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、複数の半導体装置１を治具７１９に取り付け、これを洗浄槽７１８に配置する。この治具７１９に取り付けられた複数の半導体装置１を洗浄槽７１８に収容する。この洗浄槽７１８の下部に溜まっている洗浄液７８３をヒーター７２０で加熱することにより、洗浄液７８３の飽和蒸気７８５を洗浄槽７１８に充満させる。これにより、大量の半導体装置１を洗浄する場合にも、一度の処理で大量の半導体装置１に洗浄液の蒸気８１を供給することができる。この結果、大量の半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間の洗浄に要する時間が短縮され、作業効率が向上する。
［第８の実施の形態］
次に、第８の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点および第７の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the seventh embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, a plurality of semiconductor devices 1 are attached to the jig 719 and disposed in the cleaning tank 718. A plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 719 are accommodated in the cleaning tank 718. The cleaning liquid 783 accumulated in the lower portion of the cleaning tank 718 is heated by the heater 720, so that the saturated steam 785 of the cleaning liquid 783 is filled in the cleaning tank 718. As a result, even when a large amount of the semiconductor device 1 is cleaned, the cleaning solution vapor 81 can be supplied to the large amount of the semiconductor device 1 by a single process. As a result, the time required for cleaning the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of a large amount of the semiconductor device 1 is shortened, and the working efficiency is improved.
[Eighth Embodiment]
Next, an eighth embodiment will be described. Differences from the first embodiment and differences from the seventh embodiment will be mainly described, and the same items will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

第８の実施の形態は、第７の実施の形態における、治具７１９に取り付けられた複数の半導体装置１を収容する洗浄槽７１８の上方に冷却ユニット８１７が設置されている点で、第１の実施の形態および第７の実施の形態と異なる。   The eighth embodiment is different from the seventh embodiment in that a cooling unit 817 is installed above a cleaning tank 718 that houses a plurality of semiconductor devices 1 attached to a jig 719. Different from the seventh embodiment and the seventh embodiment.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図１３は、第８の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。
まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図１３に示すように、本実施の形態では、第７の実施の形態で用いるフィルター１３、ポンプ１４、循環パイプ７１５、洗浄槽７１８、治具７１９などの他、冷却ユニット８１７を用いて半導体装置１の洗浄を行う。 Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 13 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the eighth embodiment.
First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 13, in this embodiment, a semiconductor device using a cooling unit 817 in addition to a filter 13, a pump 14, a circulation pipe 715, a cleaning tank 718, a jig 719, and the like used in the seventh embodiment. 1. Wash 1

洗浄槽７１８は、第７の実施の形態と同様に、半導体装置１を内部に収容して飽和蒸気７８５により洗浄するための内部を密閉可能な槽である。洗浄槽７１８は、下部に洗浄液７８３を溜めることができる。   As in the seventh embodiment, the cleaning tank 718 is a tank capable of sealing the inside for housing the semiconductor device 1 and cleaning it with saturated steam 785. The cleaning tank 718 can store the cleaning liquid 783 in the lower part.

ヒーター７２０は、第７の実施の形態と同様に、洗浄槽７１８の下部において溜められた洗浄液７８３に浸るように設けられている。ヒーター７２０は、洗浄槽７１８の下部に溜められている洗浄液７８３を加熱して蒸発させ、飽和蒸気７８５を発生させることができる。   As in the seventh embodiment, the heater 720 is provided so as to be immersed in the cleaning liquid 783 stored in the lower portion of the cleaning tank 718. The heater 720 can heat and evaporate the cleaning liquid 783 stored in the lower portion of the cleaning tank 718 to generate saturated vapor 785.

治具７１９は、第７の実施の形態と同様に、複数の半導体装置１を洗浄槽７１８に設置するための器具である。治具７１９は、半導体装置１を支持するとともに、位置決めなどを正確に行うために案内する。半導体装置１を洗浄槽７１８に設置するときには、設置するすべての半導体装置１を一旦治具７１９に取り付ける。次に、半導体装置１を治具７１９ごと洗浄槽７１８に配置する。半導体装置１を洗浄槽７１８から取り出すときには、治具７１９ごと取り出す。この治具７１９を用いることによって、一度に複数の半導体装置１を配置しおよび取り出すことができる。   The jig 719 is an instrument for installing a plurality of semiconductor devices 1 in the cleaning tank 718 as in the seventh embodiment. The jig 719 supports the semiconductor device 1 and guides it for accurate positioning. When installing the semiconductor device 1 in the cleaning tank 718, all the semiconductor devices 1 to be installed are temporarily attached to the jig 719. Next, the semiconductor device 1 is placed in the cleaning tank 718 together with the jig 719. When the semiconductor device 1 is taken out from the cleaning tank 718, the jig 719 is taken out. By using this jig 719, a plurality of semiconductor devices 1 can be arranged and taken out at a time.

フィルター１３は、第７の実施の形態と同様に、回路基板２および半導体素子３から除去されたフラックス７と洗浄液７８３とをろ過によって分離する。このフィルター１３により、洗浄槽７１８の下部に回収された洗浄液７８３からフラックス７が除去される。   As in the seventh embodiment, the filter 13 separates the flux 7 removed from the circuit board 2 and the semiconductor element 3 and the cleaning liquid 783 by filtration. The filter 13 removes the flux 7 from the cleaning liquid 783 collected in the lower part of the cleaning tank 718.

ポンプ１４は、第７の実施の形態と同様に、洗浄液７８３を循環させるための機構である。このポンプ１４により、フィルター１３によりフラックス７が除去された洗浄液７８３が再び洗浄槽７１８に循環される。   The pump 14 is a mechanism for circulating the cleaning liquid 783 as in the seventh embodiment. The cleaning liquid 783 from which the flux 7 has been removed by the filter 13 is circulated again to the cleaning tank 718 by the pump 14.

循環パイプ７１５は、第７の実施の形態と同様に、洗浄槽７１８からフィルター１３およびポンプ１４を介して、再び洗浄槽７１８まで連通するためのパイプである。
これらのフィルター１３、ポンプ１４、および循環パイプ７１５は、第７の実施の形態と同様に、洗浄に用いられた洗浄液７８３からフラックス７を除去することにより、洗浄液７８３を浄化するための機構である。 Similar to the seventh embodiment, the circulation pipe 715 is a pipe for communicating with the cleaning tank 718 again from the cleaning tank 718 via the filter 13 and the pump 14.
The filter 13, the pump 14, and the circulation pipe 715 are mechanisms for purifying the cleaning liquid 783 by removing the flux 7 from the cleaning liquid 783 used for cleaning, as in the seventh embodiment. .

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。第７の実施の形態と同様に、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、まず、回路基板２を水平面に対して垂直に起立させた状態で複数個（例えば、１０個）の半導体装置１が、治具７１９に取り付けられる。このとき、半導体装置１は、回路基板２と半導体素子３との隙間が垂直になるように立てられた状態で並べて治具７１９に取り付けられる。そしてこれらの半導体装置１は、治具７１９ごと洗浄槽７１８に配置される。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. Similar to the seventh embodiment, after the electrode 21 and the solder bump 31 are joined in the previous process (manufacturing step 43 in FIG. 4), the circuit board 2 is first perpendicular to the horizontal plane by the above equipment. A plurality of (for example, 10) semiconductor devices 1 are attached to the jig 719 in a state where they are raised up. At this time, the semiconductor device 1 is attached to the jig 719 side by side in a state where the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is vertical. These semiconductor devices 1 are arranged in the cleaning tank 718 together with the jig 719.

次に、第７の実施の形態と同様に、洗浄槽７１８の下部に設けられているヒーター７２０を加熱して洗浄槽７１８の下部に溜められている洗浄液７８３を蒸発させることにより、洗浄液７８３の飽和蒸気７８５が発生する。ここでさらにヒーター７２０によって洗浄液７８３を加熱し続けることにより、洗浄槽７１８の内部の空気が、洗浄液の飽和蒸気７８５で満たされることになる。また、ヒーター７２０によって加熱されている飽和蒸気７８５は、洗浄槽７１８の内部を上昇する。この飽和蒸気７８５が半導体装置１の付近まで上昇し、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１（図１）として、隙間の下側を中心にすべての方向から隙間に供給される。   Next, similarly to the seventh embodiment, the heater 720 provided at the lower part of the cleaning tank 718 is heated to evaporate the cleaning liquid 783 stored at the lower part of the cleaning tank 718, thereby cleaning the cleaning liquid 783. Saturated steam 785 is generated. Here, the cleaning liquid 783 is further heated by the heater 720, whereby the air inside the cleaning tank 718 is filled with the saturated vapor 785 of the cleaning liquid. Further, the saturated steam 785 heated by the heater 720 rises inside the cleaning tank 718. This saturated vapor 785 rises to the vicinity of the semiconductor device 1, and forms a vapor 81 (FIG. 1) in the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1, from all directions centering on the lower side of the gap. Supplied.

この半導体装置１の隙間にすべての方向から入った飽和蒸気７８５は、第７の実施の形態と同様に、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された飽和蒸気７８５は、凝縮により液化して洗浄液７８３となり、重力によって下方に流れていくが、このとき洗浄液７８３は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液７８３によって除去される。   The saturated vapor 785 entering the gap of the semiconductor device 1 from all directions causes the flux 7 to swell as well as the surface of the circuit board 2, solder bump 31, semiconductor element 3, etc., as in the seventh embodiment. Cools in contact. The cooled saturated vapor 785 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid 783 and flows downward by gravity. At this time, the cleaning liquid 783 flows while cleaning the flux 7 and the like adhering in the gap. It will be discharged from the lower part of the gap. Thereby, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 and other impurities adhering in the gap in the first step are removed by the cleaning liquid 783.

ここで、本実施の形態では、洗浄槽７１８内において治具７１９に取り付けられた複数の半導体装置１の上方に冷却ユニット８１７を、半導体装置１に接触させずに、冷却ユニット８１７と半導体装置１との距離が、半導体装置１の冷却に十分な近さの範囲内に設置する。この冷却ユニット８１７が半導体装置１の周囲の温度を低下させることによって、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３の周囲の空気の温度が低下する。この結果、半導体装置１の隙間内における蒸気８１の液化が促進される。この冷却ユニット８１７は、本実施の形態では、水を内部に循環させたラジエータを用いて構成する。   Here, in the present embodiment, the cooling unit 817 and the semiconductor device 1 are placed in contact with the semiconductor device 1 without contacting the cooling unit 817 above the plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 719 in the cleaning tank 718. The distance is set within a range close enough to cool the semiconductor device 1. When the cooling unit 817 lowers the temperature around the semiconductor device 1, the temperature of the air around the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is lowered. As a result, the liquefaction of the vapor 81 in the gap of the semiconductor device 1 is promoted. In this embodiment, the cooling unit 817 is configured using a radiator in which water is circulated.

洗浄槽７１８の下部には、第７の実施の形態と同様に、飽和蒸気７８５が凝縮することにより生じた洗浄液と、この洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合状態の洗浄液７８３が溜められる。この混合状態の洗浄液７８３の一部は、ポンプ１４の動作によって循環パイプ７１５を通じてフィルター１３に送られ、フィルター１３によりろ過されてフラックス７などの不純物が除去される。その後、洗浄液７８３は、ポンプ１４および循環パイプ７１５によって洗浄槽７１８に送られ、装置内で循環して再利用される。   In the lower part of the cleaning tank 718, as in the seventh embodiment, the cleaning liquid 783 in a mixed state of the cleaning liquid generated by condensation of the saturated vapor 785 and impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid is stored. Can be stored. A part of the cleaning liquid 783 in the mixed state is sent to the filter 13 through the circulation pipe 715 by the operation of the pump 14, and is filtered by the filter 13 to remove impurities such as the flux 7. Thereafter, the cleaning liquid 783 is sent to the cleaning tank 718 by the pump 14 and the circulation pipe 715, and is circulated and reused in the apparatus.

なお、冷却ユニット８１７は、ラジエータなどを用いた水冷式に限らず、空冷式または他の一般的な冷却方法を用いて構成することができる。また、冷却ユニット８１７は、回路基板２および半導体素子３のうち、いずれか一方のみを冷却してもよい。また、冷却ユニット８１７は、半導体装置１に接触させずに、半導体装置１の周囲の温度を低下させることによって、洗浄液の液化を促進してもよい。   The cooling unit 817 is not limited to the water-cooled type using a radiator or the like, and can be configured using an air-cooled type or other general cooling methods. The cooling unit 817 may cool only one of the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Further, the cooling unit 817 may promote liquefaction of the cleaning liquid by reducing the temperature around the semiconductor device 1 without contacting the semiconductor device 1.

また、第７の実施の形態と同様に、洗浄槽７１８内の飽和蒸気７８５による洗浄が完了した半導体装置１を、洗浄槽７１８を用いて、または、例えば第１の実施の形態の乾燥処理部１６のような、他の設備を用いて加熱し、洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥して除去してもよい。さらに、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   Similarly to the seventh embodiment, the semiconductor device 1 that has been cleaned by the saturated vapor 785 in the cleaning tank 718 is used by using the cleaning tank 718 or, for example, the drying processing unit of the first embodiment. The cleaning liquid remaining on the surface of the semiconductor device 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 is dried and removed by heating using other equipment such as 16 and evaporating the cleaning liquid. May be. Furthermore, the surface of the semiconductor device 1 and the circuit board 2 and the semiconductor can be obtained by using other drying methods such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining in the gap between the element 3 and the like may be dried.

また、第７の実施の形態と同様に、洗浄槽７１８において飽和蒸気７８５を供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液７８３が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Similarly to the seventh embodiment, when the saturated vapor 785 is supplied in the cleaning tank 718, the cleaning liquid 783 that is liquefied and adhered to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. The circuit board 2 does not have to be vertical, and the circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

以上のように、第８の実施の形態では、第１の実施の形態の効果および第７の実施の形態の効果に加えて、治具７１９に取り付けられた複数の半導体装置１の上方に冷却ユニット８１７を設置して、半導体装置１を上方から冷却する。これにより、半導体装置１の回路基板２および半導体素子３の周囲の気温が低下し、洗浄槽７１８において半導体装置１の隙間に供給された蒸気８１の液化が促進される。この結果、洗浄液による半導体装置１の隙間の内部の不純物の洗浄効果がさらに高まり、作業効率が向上する。
［第９の実施の形態］
次に、第９の実施の形態について説明する。上記の第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については同一の符号を用いるとともに説明を省略する。 As described above, in the eighth embodiment, in addition to the effects of the first embodiment and the effects of the seventh embodiment, cooling is performed above the plurality of semiconductor devices 1 attached to the jig 719. A unit 817 is installed to cool the semiconductor device 1 from above. Thereby, the temperature around the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1 is lowered, and the liquefaction of the vapor 81 supplied to the gap of the semiconductor device 1 in the cleaning tank 718 is promoted. As a result, the cleaning effect of impurities inside the gap of the semiconductor device 1 by the cleaning liquid is further enhanced, and the working efficiency is improved.
[Ninth Embodiment]
Next, a ninth embodiment will be described. Differences from the first embodiment will be mainly described, and the same reference numerals are used for the same matters, and descriptions thereof are omitted.

第９の実施の形態は、複数の半導体装置１に対してベルトコンベア１１を用いずに洗浄槽９１８で一括して洗浄処理を行う点、およびノズル８によって蒸気流８２を噴出させるのではなく、まず、洗浄槽９１８に飽和蒸気９８５を充満させて半導体装置１の隙間内に供給して洗浄液を浸入させてから、洗浄液流９８６によって洗浄する点で、第１の実施の形態と異なる。   In the ninth embodiment, the plurality of semiconductor devices 1 are not collectively cleaned in the cleaning tank 918 without using the belt conveyor 11, and the vapor flow 82 is not ejected by the nozzle 8. First, the cleaning tank 918 is filled with saturated steam 985 and supplied into the gap of the semiconductor device 1 to infiltrate the cleaning liquid, and then the cleaning tank 918 is cleaned by the cleaning liquid flow 986, which is different from the first embodiment.

以下に、本実施の形態における半導体装置１の隙間の洗浄について説明する。図１４は、第９の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。また、図１４（Ａ）は、半導体装置を収容する洗浄槽が飽和蒸気で満たされた様子を示す図である。図１４（Ｂ）は、半導体装置を収容する洗浄槽に洗浄液流を流した様子を示す図である。   Hereinafter, the cleaning of the gap of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be described. FIG. 14 is a diagram illustrating a process of cleaning the semiconductor device according to the ninth embodiment. FIG. 14A is a diagram illustrating a state in which the cleaning tank that houses the semiconductor device is filled with saturated vapor. FIG. 14B is a diagram illustrating a state in which a cleaning liquid flow is supplied to the cleaning tank that houses the semiconductor device.

まず、本実施の形態の半導体装置１の洗浄に用いる装置について説明する。図１４に示すように、本実施の形態では、上記のように、洗浄槽９１８およびトレイ９２１を用いる。   First, an apparatus used for cleaning the semiconductor device 1 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 14, in the present embodiment, as described above, the cleaning tank 918 and the tray 921 are used.

本実施の形態の洗浄槽９１８は、半導体装置１を内部に収容して飽和蒸気９８５および洗浄液流９８６により洗浄するための内部を密閉可能な槽である。洗浄槽９１８は、上部に蓋部９２２を備え、下部に弁９２３を備えている。   The cleaning tank 918 of this embodiment is a tank capable of sealing the inside for housing the semiconductor device 1 and cleaning it with the saturated vapor 985 and the cleaning liquid flow 986. The cleaning tank 918 includes a lid 922 at the top and a valve 923 at the bottom.

洗浄槽９１８は、図１４（Ａ）に示す飽和蒸気９８５の供給時には、蓋部９２２および弁９２３を開くことにより、洗浄槽９１８は、洗浄液を蒸発させて得られた飽和蒸気９８５の供給を受けたり、排出したりすることができる。また、蓋部９２２および弁９２３を閉じることにより、内部に飽和蒸気９８５を充満させることができる。   When supplying the saturated steam 985 shown in FIG. 14A, the cleaning tank 918 opens the lid 922 and the valve 923 so that the cleaning tank 918 receives supply of saturated steam 985 obtained by evaporating the cleaning liquid. Or can be discharged. Further, by closing the lid portion 922 and the valve 923, the inside can be filled with saturated steam 985.

また、洗浄槽９１８は、図１４（Ｂ）に示す洗浄液流９８６による洗浄時には、蓋部９２２および弁９２３を開くことにより、洗浄槽９１８は、洗浄液流９８６を上部の蓋部９２２から流入させて、下部の弁９２３から流出させることができる。   Further, the cleaning tank 918 opens the lid 922 and the valve 923 during the cleaning with the cleaning liquid flow 986 shown in FIG. 14B, so that the cleaning tank 918 causes the cleaning liquid flow 986 to flow from the upper lid 922. , And can flow out from the lower valve 923.

トレイ９２１は、複数の半導体装置１を洗浄槽９１８に設置するための器具である。トレイ９２１は、半導体装置１を支持するとともに、位置決めなどを正確に行うために案内する。半導体装置１を洗浄槽９１８に設置するときには、設置するすべての半導体装置１を一旦トレイ９２１に固定して並べる。次に、半導体装置１をトレイ９２１ごと洗浄槽９１８に配置する。半導体装置１を洗浄槽９１８から取り出すときには、トレイ９２１ごと取り出す。このトレイ９２１を用いることによって、一度に複数の半導体装置１を配置しおよび取り出すことができる。   The tray 921 is an instrument for installing a plurality of semiconductor devices 1 in the cleaning tank 918. The tray 921 supports the semiconductor device 1 and guides it for accurate positioning. When the semiconductor device 1 is installed in the cleaning tank 918, all the semiconductor devices 1 to be installed are temporarily fixed and arranged on the tray 921. Next, the semiconductor device 1 is placed in the cleaning tank 918 together with the tray 921. When the semiconductor device 1 is taken out from the cleaning tank 918, the whole tray 921 is taken out. By using this tray 921, a plurality of semiconductor devices 1 can be arranged and taken out at a time.

次に、本実施の形態における半導体装置１の洗浄について具体的な説明を行う。本実施の形態では、前工程（図４の製造ステップ４３）で電極２１と半田バンプ３１とが接合された後、以上の設備により、図１４（Ａ）に示すように、まず、複数個（例えば、１８個）の半導体装置１がトレイ９２１に並べられた状態で取り付けられる。そしてこれらの半導体装置１は、トレイ９２１ごと洗浄槽９１８に配置される。   Next, the cleaning of the semiconductor device 1 in the present embodiment will be specifically described. In the present embodiment, after the electrodes 21 and the solder bumps 31 are joined in the previous process (manufacturing step 43 in FIG. 4), a plurality of (first, as shown in FIG. For example, 18 semiconductor devices 1 are attached in a state of being arranged on the tray 921. These semiconductor devices 1 are arranged in the cleaning tank 918 together with the tray 921.

次に、本実施の形態では、洗浄槽９１８の蓋部９２２および弁９２３から洗浄液の飽和蒸気９８５を供給する。その後、洗浄槽９１８の内部が飽和蒸気９８５で充満したら、蓋部９２２および弁９２３を閉じる。この供給された飽和蒸気９８５が半導体装置１の付近まで入り込み、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１（図１）として供給される。   Next, in the present embodiment, saturated vapor 985 of the cleaning liquid is supplied from the lid 922 and the valve 923 of the cleaning tank 918. Thereafter, when the inside of the cleaning tank 918 is filled with saturated steam 985, the lid 922 and the valve 923 are closed. The supplied saturated vapor 985 enters the vicinity of the semiconductor device 1 and is supplied as a vapor 81 (FIG. 1) to the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1.

本実施の形態では、この半導体装置１の隙間に入り込んだ飽和蒸気９８５は、フラックス７を膨潤させるとともに、回路基板２、半田バンプ３１、半導体素子３などの表面に接触して冷却される。この冷却された飽和蒸気９８５は、凝縮により液化して洗浄液となり、半導体装置１の隙間内に十分に浸入する。   In the present embodiment, the saturated vapor 985 that has entered the gap of the semiconductor device 1 swells the flux 7 and contacts the surfaces of the circuit board 2, the solder bump 31, the semiconductor element 3, etc., and is cooled. The cooled saturated vapor 985 is liquefied by condensation to become a cleaning liquid and sufficiently enters the gap of the semiconductor device 1.

次に、本実施の形態では、洗浄槽９１８の蓋部９２２および弁９２３を開き、図１４（Ｂ）に示すように、蓋部９２２から洗浄液流９８６を流入させる。流入した洗浄液流９８６は、トレイ９２１の周囲を流れた後、弁９２３から流出する。このとき、予め半導体装置１をトレイ９２１に取り付けるときに、半導体装置１の隙間が洗浄液流９８６の流れる方向と平行になり、洗浄液流９８６が隙間に流入し易いように配置する。これにより、洗浄液流９８６は、半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間に流れ込む。   Next, in the present embodiment, the lid 922 and the valve 923 of the cleaning tank 918 are opened, and a cleaning liquid flow 986 is caused to flow from the lid 922 as shown in FIG. The flowing cleaning liquid flow 986 flows around the tray 921 and then flows out from the valve 923. At this time, when the semiconductor device 1 is attached to the tray 921 in advance, the gap between the semiconductor devices 1 is parallel to the direction in which the cleaning liquid flow 986 flows, and the cleaning liquid flow 986 is arranged to easily flow into the gap. As a result, the cleaning liquid flow 986 flows into the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of the semiconductor device 1.

このとき洗浄液流９８６は、隙間内に付着しているフラックス７などを洗浄しながら流れていき、隙間の下部から排出されることになる。これにより、最初の工程において電極２１および半田バンプ３１に供給されたフラックス７およびその他の隙間内に付着している不純物が、洗浄液によって除去される。   At this time, the cleaning liquid flow 986 flows while cleaning the flux 7 adhering in the gap and is discharged from the lower part of the gap. Thus, the flux 7 supplied to the electrode 21 and the solder bump 31 in the first step and other impurities adhering in the gap are removed by the cleaning liquid.

ここで、この隙間には予め飽和蒸気９８５を供給したときに洗浄液が浸入している。このため、この隙間に洗浄液流が浸入し易い。この結果、隙間の内部の洗浄効果がさらに高まる。   Here, the cleaning liquid has entered the gap when the saturated vapor 985 is supplied in advance. For this reason, the cleaning liquid flow easily enters the gap. As a result, the cleaning effect inside the gap is further enhanced.

このとき、洗浄槽９１８の下部には、飽和蒸気９８５が凝縮することにより生じた洗浄液と、この洗浄液によって洗い流されたフラックス７などの不純物との混合状態の洗浄液が流れることになる。この混合状態の洗浄液は、洗浄槽９１８の下部の弁９２３から排出される。   At this time, a cleaning liquid in a mixed state of the cleaning liquid generated by the condensation of the saturated vapor 985 and impurities such as the flux 7 washed away by the cleaning liquid flows under the cleaning tank 918. The mixed cleaning liquid is discharged from a valve 923 below the cleaning tank 918.

なお、洗浄液流９８６による洗浄が完了した半導体装置１を、洗浄槽９１８を用いて、または、例えば第１の実施の形態の乾燥処理部１６のような、他の設備を用いて加熱し、洗浄液を蒸発させることにより、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥して除去してもよい。さらに、遠心力によって洗浄液を飛散させて乾燥するスピン乾燥、または真空中で洗浄液を蒸発させて乾燥する真空乾燥などの、他の乾燥方法を用いて、半導体装置１の表面および回路基板２と半導体素子３との隙間などに残留している洗浄液を乾燥させてもよい。   The semiconductor device 1 that has been cleaned by the cleaning liquid flow 986 is heated using the cleaning tank 918 or other equipment such as the drying processing unit 16 of the first embodiment, and the cleaning liquid May be removed by drying the cleaning liquid remaining on the surface of the semiconductor device 1 and the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. Furthermore, the surface of the semiconductor device 1 and the circuit board 2 and the semiconductor can be obtained by using other drying methods such as spin drying in which the cleaning liquid is scattered and dried by centrifugal force or vacuum drying in which the cleaning liquid is evaporated in vacuum. The cleaning liquid remaining in the gap between the element 3 and the like may be dried.

また、洗浄槽９１８において飽和蒸気９８５を供給するとき、液化して半導体装置１に付着した洗浄液が回路基板２および半導体素子３の隙間から排出されれば、回路基板２は垂直でなくてもよく、回路基板２を水平面に対して傾斜させて配置してもよい。   Further, when the saturated vapor 985 is supplied in the cleaning tank 918, the circuit board 2 may not be vertical as long as the cleaning liquid liquefied and attached to the semiconductor device 1 is discharged from the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3. The circuit board 2 may be arranged to be inclined with respect to the horizontal plane.

また、洗浄槽９１８から排出された飽和蒸気９８５および洗浄液流９８６を回収して、フィルターでろ過し、飽和蒸気９８５および洗浄液流９８６の少なくともいずれか一方に再利用してもよい。   Further, the saturated steam 985 and the cleaning liquid stream 986 discharged from the cleaning tank 918 may be collected, filtered through a filter, and reused in at least one of the saturated steam 985 and the cleaning liquid stream 986.

また、飽和蒸気９８５を供給する工程と洗浄液流９８６で洗浄する工程とを同一の洗浄槽９１８で行ったが、これに限らず異なる槽で行ってもよい。
また、洗浄液流９８６で半導体装置１の隙間を洗浄するときに、半導体装置１の隙間に洗浄液流９８６を直接流入させているが、これに限らず、他の洗浄方法を用いることができる。 Moreover, although the process of supplying the saturated vapor 985 and the process of cleaning with the cleaning liquid flow 986 are performed in the same cleaning tank 918, the present invention is not limited to this and may be performed in different tanks.
In addition, when cleaning the gap of the semiconductor device 1 with the cleaning liquid flow 986, the cleaning liquid flow 986 is directly introduced into the gap of the semiconductor device 1, but this is not a limitation, and other cleaning methods can be used.

以上のように、第９の実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、複数の半導体装置１をトレイ９２１に取り付け、これを洗浄槽９１８に配置する。このトレイ９２１に取り付けられた複数の半導体装置１を洗浄槽９１８に収容する。この洗浄槽９１８の上部の蓋部９２２から洗浄液の飽和蒸気９８５を供給することにより、飽和蒸気９８５を洗浄槽９１８に充満させて、半導体装置１の隙間に洗浄液を浸入させる。その後、洗浄液流９８６で半導体装置１の隙間を洗浄する。これにより、大変微小であって洗浄液を浸入させにくい半導体装置１の隙間に、予め洗浄液が浸入している。この結果、大量の半導体装置１の回路基板２と半導体素子３との隙間の洗浄に要する時間が短縮され、作業効率が向上する。   As described above, in the ninth embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, a plurality of semiconductor devices 1 are attached to the tray 921 and arranged in the cleaning tank 918. A plurality of semiconductor devices 1 attached to the tray 921 are accommodated in the cleaning tank 918. The saturated vapor 985 of the cleaning liquid is supplied from the lid portion 922 at the upper part of the cleaning tank 918 so that the saturated steam 985 is filled in the cleaning tank 918, and the cleaning liquid enters the gap of the semiconductor device 1. Thereafter, the gap between the semiconductor devices 1 is cleaned with the cleaning liquid flow 986. As a result, the cleaning liquid has entered the gap in the semiconductor device 1 that is very small and difficult to allow the cleaning liquid to enter. As a result, the time required for cleaning the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 3 of a large amount of the semiconductor device 1 is shortened, and the working efficiency is improved.

なお、上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。   The above merely shows the principle of the present invention. In addition, many modifications and changes can be made by those skilled in the art, and the present invention is not limited to the precise configuration and application shown and described above, and all corresponding modifications and equivalents may be And the equivalents thereof are considered to be within the scope of the invention.

以上の第１の実施の形態から第９の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１） 回路基板に半導体素子を実装する半導体装置の製造方法において、
前記回路基板に形成された電極および前記半導体素子に形成された半田バンプの少なくとも一方にフラックスを供給する工程と、
前記フラックスを供給した後、前記電極と前記半田バンプとを接合する工程と、
前記電極と前記半田バンプとを接合した後、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に蒸気を供給して、前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 With respect to the first to ninth embodiments, the following additional notes are disclosed.
(Additional remark 1) In the manufacturing method of the semiconductor device which mounts a semiconductor element on a circuit board,
Supplying flux to at least one of the electrodes formed on the circuit board and the solder bumps formed on the semiconductor element;
After supplying the flux, bonding the electrode and the solder bump;
After bonding the electrodes and the solder bumps, supplying steam to the gap between the circuit board and the semiconductor element to clean the gap between the circuit board and the semiconductor element;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:

（付記２） 前記隙間を洗浄するとき、前記隙間に供給された前記蒸気が凝縮することにより生じた液体によって洗浄することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。   (Supplementary note 2) The method for manufacturing a semiconductor device according to supplementary note 1, wherein when the gap is washed, the gap is washed with a liquid generated by condensation of the vapor supplied to the gap.

（付記３） 前記隙間を洗浄するとき、前記回路基板および前記半導体素子の少なくとも一方を冷却することを特徴とする付記１または２記載の半導体装置の製造方法。
（付記４） 前記蒸気を供給するとき、前記回路基板を水平面に対して垂直に起立させて配置することを特徴とする付記１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 (Supplementary note 3) The method for manufacturing a semiconductor device according to Supplementary note 1 or 2, wherein when cleaning the gap, at least one of the circuit board and the semiconductor element is cooled.
(Supplementary note 4) The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of supplementary notes 1 to 3, wherein when supplying the vapor, the circuit board is arranged to stand vertically to a horizontal plane.

（付記５） 前記蒸気を供給するとき、前記回路基板を水平面に対して傾斜させて配置することを特徴とする付記１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記６） 前記蒸気を供給するとき、前記蒸気を前記隙間の上方から供給することを特徴とする付記５記載の半導体装置の製造方法。 (Additional remark 5) When supplying the said vapor | steam, the said circuit board is inclined and arrange | positioned with respect to a horizontal surface, The manufacturing method of the semiconductor device as described in any one of Additional remark 1 to 3 characterized by the above-mentioned.
(Supplementary note 6) The semiconductor device manufacturing method according to supplementary note 5, wherein when the steam is supplied, the steam is supplied from above the gap.

（付記７） 前記蒸気を供給するとき、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に対して前記蒸気を噴射して供給し、
前記噴射された前記蒸気の圧力によって前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄することを特徴とする付記１から６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 (Supplementary Note 7) When supplying the steam, the steam is injected and supplied to the gap between the circuit board and the semiconductor element,
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendices 1 to 6, wherein a gap between the circuit board and the semiconductor element is cleaned by the pressure of the jetted steam.

（付記８） 前記蒸気を供給するとき、マルチノズルを用いて、複数の前記回路基板に対して前記蒸気を供給することを特徴とする付記７記載の半導体装置の製造方法。
（付記９） 前記蒸気を供給するとき、前記蒸気が充満した槽内に、前記回路基板および前記半導体素子を配置することにより、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に前記蒸気を供給することを特徴とする付記１から５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 (Supplementary note 8) The semiconductor device manufacturing method according to supplementary note 7, wherein when the vapor is supplied, the vapor is supplied to the plurality of circuit boards using a multi-nozzle.
(Supplementary Note 9) When supplying the steam, the steam is supplied to a gap between the circuit board and the semiconductor element by disposing the circuit board and the semiconductor element in a tank filled with the steam. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendices 1 to 5, wherein:

（付記１０） 回路基板に半導体素子を実装して構成される半導体装置の洗浄方法であって、
前記回路基板と前記半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気を供給して、前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。 (Additional remark 10) It is the washing | cleaning method of the semiconductor device comprised by mounting a semiconductor element on a circuit board,
A cleaning method for a semiconductor device, comprising: supplying a cleaning vapor to a gap between the circuit board and the semiconductor element to clean the gap between the circuit board and the semiconductor element.

（付記１１） 半導体素子が実装された回路基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記回路基板と前記半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気を供給する供給手段とを備えることを特徴とする洗浄装置。 (Supplementary Note 11) Holding means for holding a circuit board on which a semiconductor element is mounted;
A cleaning apparatus comprising: a supply unit configured to supply cleaning vapor to a gap between the circuit board held by the holding unit and the semiconductor element.

（付記１２） 前記回路基板および前記半導体素子の少なくとも一方を冷却する冷却手段を備えることを特徴とする付記１１記載の洗浄装置。
（付記１３） 前記供給手段は、前記蒸気を噴射する噴射手段であることを特徴とする付記１１または１２記載の洗浄装置。 (Additional remark 12) The washing | cleaning apparatus of Additional remark 11 characterized by including the cooling means which cools at least one of the said circuit board and the said semiconductor element.
(Additional remark 13) The said supply means is an injection means which injects the said vapor | steam, The washing | cleaning apparatus of Additional remark 11 or 12 characterized by the above-mentioned.

（付記１４） 前記供給手段は、前記回路基板および前記半導体素子を収容するとともに、前記蒸気が充満する槽であることを特徴とする付記１１から１３のいずれか１つに記載の洗浄装置。   (Additional remark 14) The said supply means is a tank filled with the said vapor | steam while accommodating the said circuit board and the said semiconductor element, The washing | cleaning apparatus as described in any one of Additional remark 11 to 13 characterized by the above-mentioned.

（付記１５） 前記回路基板または前記半導体素子から除去されたフラックスと、前記蒸気が凝縮することにより生じた液体とを含む廃液を回収する回収槽と、
前記回収槽に回収した前記廃液から前記液体を分離する分離手段と、
前記分離手段により分離された前記液体を前記供給手段に循環させる循環手段と、
を備えることを特徴とする付記１１から１４のいずれか１つに記載の洗浄装置。 (Additional remark 15) The collection tank which collect | recovers the waste liquid containing the flux removed from the said circuit board or the said semiconductor element, and the liquid produced when the said vapor | steam condensed,
Separation means for separating the liquid from the waste liquid collected in the collection tank;
A circulation means for circulating the liquid separated by the separation means to the supply means;
The cleaning apparatus according to any one of appendices 11 to 14, characterized by comprising:

第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の要部を説明する図である。It is a figure explaining the principal part of the manufacturing method of the semiconductor device in 1st Embodiment. 第１の実施の形態の半導体装置を説明する平面模式図である。1 is a schematic plan view illustrating a semiconductor device according to a first embodiment. 第１の実施の形態の半導体装置を説明する断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram explaining the semiconductor device of 1st Embodiment. 第１の実施の形態における半導体装置の製造工程の概要を説明する図である。It is a figure explaining the outline | summary of the manufacturing process of the semiconductor device in 1st Embodiment. 第１の実施の形態における半導体装置が洗浄される様子を説明する図である。It is a figure explaining a mode that the semiconductor device in a 1st embodiment is washed. 第１の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in 1st Embodiment is wash | cleaned. 第２の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in 2nd Embodiment is wash | cleaned. 第３の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in 3rd Embodiment is wash | cleaned. 第４の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process by which the semiconductor device in 4th Embodiment is wash | cleaned. 第５の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in a 5th embodiment is washed. 第６の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in a 6th embodiment is washed. 第７の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in a 7th embodiment is washed. 第８の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process in which the semiconductor device in 8th Embodiment is wash | cleaned. 第９の実施の形態における半導体装置が洗浄される工程を説明する図である。It is a figure explaining the process by which the semiconductor device in 9th Embodiment is wash | cleaned. 従来の半導体装置の製造方法の概要を示す図である。It is a figure which shows the outline | summary of the manufacturing method of the conventional semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体装置
２ 回路基板
３ 半導体素子
６ アンダーフィル樹脂
７，７４ フラックス
８ ノズル
１１ ベルトコンベア
１２ 排液槽
１３ フィルター
１４ ポンプ
１５，７１５ 循環パイプ
１６ 乾燥処理部
２１ 電極
２２ ソルダーレジスト
２３ 半田ボール
３１ 半田バンプ
４１〜４９ 製造ステップ
８１，８６ 蒸気
８２，３８２，５８２ 蒸気流
８４ 廃液
２１７，４１７，６１７，８１７ 冷却ユニット
３０８ マルチノズル
５０８ 蒸気噴射ユニット
５１８，７１８，９１８ 洗浄槽
５１９，７１９ 治具
７２０ ヒーター
７８３ 洗浄液
７８５，９８５ 飽和蒸気
９２１ トレイ
９２２ 蓋部
９２３ 弁
９８６ 洗浄液流 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Circuit board 3 Semiconductor element 6 Underfill resin 7,74 Flux 8 Nozzle 11 Belt conveyor 12 Drain tank 13 Filter 14 Pump 15,715 Circulation pipe 16 Drying process part 21 Electrode 22 Solder resist 23 Solder ball 31 Solder bump 41 to 49 Production steps 81, 86 Steam 82, 382, 582 Steam flow 84 Waste liquid 217, 417, 617, 817 Cooling unit 308 Multi-nozzle 508 Steam injection unit 518, 718, 918 Cleaning tank 519, 719 Jig 720 Heater 783 Cleaning liquid 785,985 saturated steam 921 tray 922 lid 923 valve 986 cleaning liquid flow

Claims (6)

回路基板に半導体素子を実装する半導体装置の製造方法において、
前記回路基板に形成された電極および前記半導体素子に形成された半田バンプの少なくとも一方にフラックスを供給する工程と、
前記フラックスを供給した後、前記電極と前記半田バンプとを接合する工程と、
前記電極と前記半田バンプとを接合した後、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に蒸気を供給して、前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a manufacturing method of a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a circuit board,
Supplying flux to at least one of the electrodes formed on the circuit board and the solder bumps formed on the semiconductor element;
After supplying the flux, bonding the electrode and the solder bump;
After bonding the electrodes and the solder bumps, supplying steam to the gap between the circuit board and the semiconductor element to clean the gap between the circuit board and the semiconductor element;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記隙間を洗浄するとき、前記回路基板および前記半導体素子の少なくとも一方を冷却することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein when cleaning the gap, at least one of the circuit board and the semiconductor element is cooled. 前記蒸気を供給するとき、前記蒸気が充満した槽内に、前記回路基板および前記半導体素子を配置することにより、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に前記蒸気を供給することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。   When supplying the steam, the steam is supplied to a gap between the circuit board and the semiconductor element by disposing the circuit board and the semiconductor element in a tank filled with the steam. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 回路基板に半導体素子を実装して構成される半導体装置の洗浄方法であって、
前記回路基板と前記半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気を供給して、前記回路基板と前記半導体素子との隙間を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。 A method of cleaning a semiconductor device configured by mounting a semiconductor element on a circuit board,
A cleaning method for a semiconductor device, comprising: supplying a cleaning vapor to a gap between the circuit board and the semiconductor element to clean the gap between the circuit board and the semiconductor element. 半導体素子が実装された回路基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記回路基板と前記半導体素子との隙間に洗浄用の蒸気を供給する供給手段とを備えることを特徴とする洗浄装置。 Holding means for holding a circuit board on which a semiconductor element is mounted;
A cleaning apparatus comprising: a supply unit configured to supply cleaning vapor to a gap between the circuit board held by the holding unit and the semiconductor element. 前記回路基板および前記半導体素子の少なくとも一方を冷却する冷却手段を備えることを特徴とする請求項５記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 5, further comprising a cooling unit that cools at least one of the circuit board and the semiconductor element.
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