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JP2009295306A - Light-emitting device, display, and electronic equipment - Google Patents

Light-emitting device, display, and electronic equipment Download PDF

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JP2009295306A
JP2009295306A JP2008145170A JP2008145170A JP2009295306A JP 2009295306 A JP2009295306 A JP 2009295306A JP 2008145170 A JP2008145170 A JP 2008145170A JP 2008145170 A JP2008145170 A JP 2008145170A JP 2009295306 A JP2009295306 A JP 2009295306A
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JP
Japan
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light emitting
light
emitting layer
layer
color
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008145170A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Mitsuya
将之 三矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008145170A priority Critical patent/JP2009295306A/en
Priority to US12/467,544 priority patent/US8138505B2/en
Priority to KR1020090045925A priority patent/KR20090125702A/en
Priority to CN200910145224.0A priority patent/CN101599535B/en
Publication of JP2009295306A publication Critical patent/JP2009295306A/en
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Abstract

【課題】発光効率に優れる発光素子、この発光素子を備えた信頼性の高い表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】発光素子1は、陰極12と、陽極3と、陰極12と陽極3との間に設けられ、赤色に発光する赤色発光層6と、赤色発光層6と陰極12との間に設けられ、青色に発光する青色発光層8と、赤色発光層6と青色発光層8との層間にこれらに接するように設けられ、第1の材料と第1の材料よりも正孔移動度の高い第2の材料とを含んだ中間層7とを有し、赤色発光層6は、第1の発光材料と第1のホスト材料とを有し、第1の材料、第2の材料、第1のホスト材料のHOMOのエネルギー準位をHL[eV]、HL[eV]、HL[eV]としたとき、次式(1)および次式(2)を満足することを特徴とする。
|HL−HL|<|HL−HL| ・・・ (1)
|HL−HL|≧0.3[eV] ・・・ (2)
【選択図】図1
A light-emitting element having excellent light emission efficiency and a highly reliable display device and electronic device including the light-emitting element are provided.
A light-emitting element 1 is provided between a cathode 12, an anode 3, a cathode 12 and an anode 3, and emits red light between a red light-emitting layer 6, and between a red light-emitting layer 6 and the cathode 12. A blue light-emitting layer 8 that emits blue light, and a layer between the red light-emitting layer 6 and the blue light-emitting layer 8 so as to be in contact therewith, and has a hole mobility higher than that of the first material and the first material. The red light emitting layer 6 includes a first light emitting material and a first host material, and includes a first material, a second material, a second material, When the energy level of HOMO of the host material of 1 is HL A [eV], HL B [eV], HL C [eV], the following expressions (1) and (2) are satisfied: To do.
| HL B -HL C | <| HL A -HL C | (1)
| HL A -HL C | ≧ 0.3 [eV] (2)
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、発光素子、表示装置および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element, a display device, and an electronic device.

有機エレクトロルミネッセンス素子(いわゆる有機EL素子)は、陽極と陰極との間に少なくとも1層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。   An organic electroluminescence element (so-called organic EL element) is a light emitting element having a structure in which at least one light emitting organic layer is interposed between an anode and a cathode. In such a light emitting device, by applying an electric field between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side and holes are injected from the anode side, and electrons and holes are injected into the light emitting layer. Recombination generates excitons, and when the excitons return to the ground state, the energy is emitted as light.

このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、R(赤色)、B(青色)の2色に対応する2層の発光層を積層し、白色発光させるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。このような白色発光する発光素子は、R(赤色)、B(青色)の2色が画素ごとに塗り分けられたカラーフィルタと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。   As such a light emitting element, for example, a light emitting element in which two light emitting layers corresponding to two colors of R (red) and B (blue) are stacked between a cathode and an anode to emit white light is known. (For example, refer to Patent Document 1). Such a light-emitting element that emits white light can display a full-color image when used in combination with a color filter in which two colors of R (red) and B (blue) are separately applied to each pixel.

また、特許文献1にかかる発光素子では、発光層同士の間に中間層を設けることで、発光層間でのキャリア(電子および成功)の移動を制限することができ、各発光層での正孔と電子との再結合の量を調整している。この結果、発光素子の発光効率、発光寿命等の性能を向上させている。
しかしながら、特許文献1にかかる発光素子では、中間層に一般的な正孔輸送材料や電子輸送材料をただ単純に適応しているため、発光効率が十分ではなかった。
Moreover, in the light emitting element concerning patent document 1, the movement of the carrier (electron and success) between light emitting layers can be restrict | limited by providing an intermediate | middle layer between light emitting layers, The hole in each light emitting layer can be restrict | limited. The amount of recombination between electrons and electrons is adjusted. As a result, performances such as light emission efficiency and light emission lifetime of the light emitting element are improved.
However, in the light emitting device according to Patent Document 1, since a general hole transport material or electron transport material is simply applied to the intermediate layer, the light emission efficiency is not sufficient.

特開2007−287691号公報JP 2007-286991 A

本発明の目的は、発光効率に優れる発光素子、この発光素子を備えた信頼性の高い表示装置および電子機器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light-emitting element that is excellent in luminous efficiency, a highly reliable display device and an electronic apparatus including the light-emitting element.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、第1の色に発光する第1の発光層と、
前記第1の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色とは異なる第2の色に発光する第2の発光層と、
前記第1の発光層と前記第2の発光層との層間にこれらに接するように設けられ、第1の材料と前記第1の材料よりも正孔移動度の高い第2の材料とを含んで構成された中間層とを有し、
前記第1の発光層は、前記第1の色に発光する第1の発光材料と、第1の発光材料をゲスト材料として担持する第1のホスト材料とを有し、
前記第1の材料の最高占有分子軌道のエネルギー準位をHL[eV]、前記第2の材料の最高占有分子軌道のエネルギー準位をHL[eV]、前記第1のホスト材料の最高占有分子軌道のエネルギー準位をHL[eV]としたとき、次式(1)および次式(2)を満足することを特徴とする。
|HL−HL|<|HL−HL| ・・・ (1)
|HL−HL|≧0.3[eV] ・・・ (2)
これにより、発光効率に優れる発光素子を提供することができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The light emitting device of the present invention comprises a cathode,
The anode,
A first light-emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light in a first color;
A second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and emitting light in a second color different from the first color;
A first material and a second material having a hole mobility higher than that of the first material, provided between the first light emitting layer and the second light emitting layer so as to be in contact therewith; And an intermediate layer composed of
The first light-emitting layer includes a first light-emitting material that emits light in the first color, and a first host material that supports the first light-emitting material as a guest material,
The energy level of the highest occupied molecular orbital of the first material is HL A [eV], the energy level of the highest occupied molecular orbital of the second material is HL B [eV], and the highest energy level of the first host material is When the energy level of the occupied molecular orbital is HL C [eV], the following expressions (1) and (2) are satisfied.
| HL B -HL C | <| HL A -HL C | (1)
| HL A -HL C | ≧ 0.3 [eV] (2)
Thereby, the light emitting element excellent in luminous efficiency can be provided.

本発明の発光素子では、前記第2の材料と前記第1のホスト材料とは、次式(3)の関係を満足することが好ましい。
|HL−HL|≦0.2[eV] ・・・ (3)
これにより、正孔は、第1の発光層の第1のホスト材料から中間層中の第2の材料へより優先的に移動しやすくなり、発光素子は発光効率に特に優れたものとなる。
In the light-emitting element of the present invention, it is preferable that the second material and the first host material satisfy the relationship of the following formula (3).
| HL B -HL C | ≦ 0.2 [eV] (3)
Accordingly, holes are more likely to move preferentially from the first host material of the first light emitting layer to the second material in the intermediate layer, and the light emitting element is particularly excellent in light emission efficiency.

本発明の発光素子では、前記第1の材料は、前記第2の材料よりも電子移動度の高いものであることが好ましい。
これにより、第2の発光層から第1の発光層へ中間層を介して輸送される電子は、第1の材料によってより優先的に輸送されやすいものとなる。また、発光素子は発光効率に特に優れたものとなる。
本発明の発光素子では、前記第2の色の光は、前記第1の色の光よりも、その波長が短いものであることが好ましい。
これにより、各発光層は、バランスよく発光できるものとなり、発光素子は、発光効率が特に優れたものとなる。
In the light-emitting element of the present invention, it is preferable that the first material has a higher electron mobility than the second material.
Thereby, the electrons transported from the second light emitting layer to the first light emitting layer through the intermediate layer are more easily transported preferentially by the first material. In addition, the light emitting element is particularly excellent in luminous efficiency.
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the light of the second color has a shorter wavelength than the light of the first color.
Thereby, each light emitting layer can emit light in a balanced manner, and the light emitting element has particularly excellent light emission efficiency.

本発明の発光素子では、前記第1の材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]、前記第2の材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]としたとき、次式(4)を満足することが好ましい。
LL−LL≧0.4[eV] ・・・ (4)
このように、第1の材料と第2の材料とで最低空起動のエネルギー準位の差が十分に大きいことにより、第2の発光層から第1の発光層へ中間層を介して輸送される電子は、第1の材料によって輸送されやすいものとなる。
In the light emitting device of the present invention, the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the first material is LL A [eV], and the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the second material is LL B [eV]. It is preferable that the following expression (4) is satisfied.
LL A −LL B ≧ 0.4 [eV] (4)
As described above, since the difference in the energy level of the lowest idle activation is sufficiently large between the first material and the second material, the first material and the second material are transported from the second light emitting layer to the first light emitting layer through the intermediate layer. The electrons that are likely to be transported by the first material.

本発明の発光素子では、前記第2の発光層は、前記第2の色に発光する第2の発光材料と、該第2の発光材料を担持する第2のホスト材料とを有し、
前記第1の材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]、前記第2のホスト材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]としたとき、次式(5)を満足することが好ましい。
|LL−LL|≦0.2[eV] ・・・ (5)
これにより、第2のホスト材料は、第1の材料により優先的に電子を受け渡しやすいものとなる。
In the light-emitting element of the present invention, the second light-emitting layer includes a second light-emitting material that emits light in the second color, and a second host material that supports the second light-emitting material,
When the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the first material is LL A [eV] and the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the second host material is LL D [eV], It is preferable to satisfy (5).
| LL A −LL D | ≦ 0.2 [eV] (5)
As a result, the second host material is more likely to transfer electrons preferentially to the first material.

本発明の発光素子では、前記中間層中における第1の材料の含有量をA[wt%]とし、前記中間層中における第2の材料の含有量をB[wt%]としたときに、B/(A+B)は、0.1〜0.9であることが好ましい。
これにより、第1の発光層および第2の発光層間において中間層を介してキャリア(電子および正孔)の輸送をより好適に行うことができるとともに、第1の発光層および第2の発光層にそれぞれ十分な量の電子および正孔を注入して発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, when the content of the first material in the intermediate layer is A [wt%] and the content of the second material in the intermediate layer is B [wt%] B / (A + B) is preferably 0.1 to 0.9.
Accordingly, carriers (electrons and holes) can be more preferably transported between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer via the intermediate layer, and the first light-emitting layer and the second light-emitting layer can be transported. A sufficient amount of electrons and holes can be injected into each to emit light.

本発明の発光素子では、前記第1の材料は、アセン系材料であることが好ましい。
これにより、第2の発光層から中間層を介して第1の発光層へ電子を円滑に受け渡すことができ、発光素子は発光効率に特に優れたものとなる。
本発明の発光素子では、前記第2の材料は、アミン系材料であることが好ましい。
これにより、第1の発光層から中間層を介して第2の発光層へ正孔を円滑に受け渡すことができ、発光素子は発光効率に特に優れたものとなる。
In the light emitting device of the present invention, the first material is preferably an acene-based material.
Accordingly, electrons can be smoothly transferred from the second light emitting layer to the first light emitting layer through the intermediate layer, and the light emitting element is particularly excellent in light emission efficiency.
In the light emitting device of the present invention, the second material is preferably an amine material.
Accordingly, holes can be smoothly transferred from the first light emitting layer to the second light emitting layer through the intermediate layer, and the light emitting element is particularly excellent in light emission efficiency.

本発明の発光素子では、前記中間層の平均厚さは、1〜100nmであることが好ましい。
これにより、駆動電圧を抑えつつ、第1の発光層、第2の発光層間での中間層を介しての正孔および電子の受け渡しをより円滑に行うことができ、発光素子は、十分な輝度の光を放出できる。
本発明の発光素子では、前記第1の発光層は、前記第1の色として赤色に発光する赤色発光層であることが好ましい。
これにより、各発光層をよりバランスよく発光させることができる。
本発明の発光素子では、前記第2の発光層は、前記第2の色として青色に発光する青色発光層であることが好ましい。
これにより、各発光層をよりバランスよく発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, the average thickness of the intermediate layer is preferably 1 to 100 nm.
Accordingly, it is possible to more smoothly transfer holes and electrons through the intermediate layer between the first light emitting layer and the second light emitting layer while suppressing the driving voltage, and the light emitting element has sufficient luminance. Can emit light.
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the first light emitting layer is a red light emitting layer that emits red light as the first color.
Thereby, each light emitting layer can be light-emitted in a more balanced manner.
In the light emitting device of the present invention, the second light emitting layer is preferably a blue light emitting layer that emits blue light as the second color.
Thereby, each light emitting layer can be light-emitted in a more balanced manner.

本発明の発光素子では、前記第1の発光層と前記陽極との間、または、前記第2の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色および前記第2の色とは異なる第3の色に発光する第3の発光層を有することが好ましい。
これにより、各発光層をバランスよく発光させて、比較的簡単に目的とする色の光を放出させることができる。
本発明の表示装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
In the light emitting device of the present invention, the first color and the second color are provided between the first light emitting layer and the anode or between the second light emitting layer and the cathode. Preferably has a third light-emitting layer that emits light of a different third color.
Thereby, each light emitting layer can be made to emit light with good balance, and the light of the target color can be emitted comparatively easily.
The display device of the present invention includes the light emitting element of the present invention.
Thereby, a display device having excellent reliability can be provided.
An electronic apparatus according to the present invention includes the display device according to the present invention.
Thereby, an electronic device having excellent reliability can be provided.

以下、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
図1は、本発明の発光素子の好適な実施形態の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図1中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
図1に示す発光素子(エレクトロルミネッセンス素子)1は、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)を発光させて、白色発光するものである。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the light-emitting element, the display device, and the electronic apparatus of the invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a longitudinal section of a preferred embodiment of the light emitting device of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 1 will be described as “upper” and the lower side as “lower”.
A light-emitting element (electroluminescence element) 1 shown in FIG. 1 emits white light by emitting R (red), G (green), and B (blue).

このような発光素子1は、陽極3と正孔注入層4と正孔輸送層5と赤色発光層(第1の発光層)6と中間層7と青色発光層(第2の発光層)8と緑色発光層(第3の発光層)9と電子輸送層10と電子注入層11と陰極12とがこの順に積層されてなるものである。
言い換えすれば、発光素子1は、正孔注入層4と正孔輸送層5と赤色発光層6と中間層7と青色発光層8と緑色発光層9と電子輸送層10と電子注入層11と陰極12とがこの順に積層で積層された積層体15が2つの電極間(陽極3と陰極12との間)に介挿されて構成されている。
Such a light emitting device 1 includes an anode 3, a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, a red light emitting layer (first light emitting layer) 6, an intermediate layer 7, and a blue light emitting layer (second light emitting layer) 8. The green light emitting layer (third light emitting layer) 9, the electron transport layer 10, the electron injection layer 11, and the cathode 12 are laminated in this order.
In other words, the light emitting device 1 includes the hole injection layer 4, the hole transport layer 5, the red light emission layer 6, the intermediate layer 7, the blue light emission layer 8, the green light emission layer 9, the electron transport layer 10, and the electron injection layer 11. A laminated body 15 in which the cathode 12 is laminated in this order is interposed between two electrodes (between the anode 3 and the cathode 12).

そして、発光素子1は、その全体が基板2上に設けられるとともに、封止部材13で封止されている。
このような発光素子1にあっては、赤色発光層6、青色発光層8、および緑色発光層9の各発光層に対し、陰極12側から電子が供給(注入)されるとともに、陽極3側から正孔が供給(注入)される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン(励起子)が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー(蛍光やりん光)を放出(発光)する。これにより、発光素子1は、白色発光する。
The entire light emitting element 1 is provided on the substrate 2 and is sealed with a sealing member 13.
In such a light emitting element 1, electrons are supplied (injected) from the cathode 12 side to the light emitting layers of the red light emitting layer 6, the blue light emitting layer 8, and the green light emitting layer 9, and the anode 3 side. Holes are supplied (injected). In each light emitting layer, holes and electrons recombine, and excitons (excitons) are generated by the energy released during the recombination, and energy (fluorescence or phosphorescence) is generated when the excitons return to the ground state. Is emitted (emitted). Thereby, the light emitting element 1 emits white light.

基板2は、陽極3を支持するものである。本実施形態の発光素子1は、基板2側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)であるため、基板2および陽極3は、それぞれ、実質的に透明(無色透明、着色透明または半透明)とされている。
基板2の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The substrate 2 supports the anode 3. Since the light-emitting element 1 of the present embodiment is configured to extract light from the substrate 2 side (bottom emission type), the substrate 2 and the anode 3 are substantially transparent (colorless transparent, colored transparent, or translucent), respectively. Has been.
Examples of the constituent material of the substrate 2 include resin materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polyarylate, quartz glass, and soda glass. Such glass materials can be used, and one or more of these can be used in combination.

このような基板2の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜30mm程度であるのが好ましく、0.1〜10mm程度であるのがより好ましい。
なお、発光素子1が基板2と反対側から光を取り出す構成(トップエミッション型)の場合、基板2には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
以下、発光素子1を構成する各部を順次説明する。
Although the average thickness of such a board | substrate 2 is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.1-30 mm, and it is more preferable that it is about 0.1-10 mm.
In the case where the light emitting element 1 is configured to extract light from the side opposite to the substrate 2 (top emission type), the substrate 2 can be either a transparent substrate or an opaque substrate.
Examples of the opaque substrate include a substrate made of a ceramic material such as alumina, an oxide film (insulating film) formed on the surface of a metal substrate such as stainless steel, and a substrate made of a resin material. It is done.
Hereinafter, each part which comprises the light emitting element 1 is demonstrated sequentially.

(陽極)
陽極3は、後述する正孔注入層4を介して正孔輸送層5に正孔を注入する電極である。この陽極3の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
陽極3の構成材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物、Au、Pt、Ag、Cuまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極3の平均厚さは、特に限定されないが、10〜200nm程度であるのが好ましく、50〜150nm程度であるのがより好ましい。
(anode)
The anode 3 is an electrode that injects holes into the hole transport layer 5 through a hole injection layer 4 described later. As a constituent material of the anode 3, it is preferable to use a material having a large work function and excellent conductivity.
Examples of the constituent material of the anode 3 include oxides such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), In 3 O 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , and Al-containing ZnO, Au, Pt, and Ag. Cu, alloys containing these, and the like can be used, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the anode 3 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 200 nm, and more preferably about 50 to 150 nm.

(陰極)
一方、陰極12は、後述する電子注入層11を介して電子輸送層10に電子を注入する電極である。この陰極12の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極12の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
(cathode)
On the other hand, the cathode 12 is an electrode that injects electrons into the electron transport layer 10 via an electron injection layer 11 described later. As a constituent material of the cathode 12, it is preferable to use a material having a small work function.
Examples of the constituent material of the cathode 12 include Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Al, Cs, Rb, and alloys containing these. These can be used alone or in combination of two or more thereof (for example, a multi-layer laminate).

特に、陰極12の構成材料として合金を用いる場合には、Ag、Al、Cu等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極12の構成材料として用いることにより、陰極12の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極12の平均厚さは、特に限定されないが、100〜10000nm程度であるのが好ましく、200〜500nm程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子1は、ボトムエミッション型であるため、陰極12に、光透過性は、特に要求されない。
In particular, when an alloy is used as the constituent material of the cathode 12, it is preferable to use an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi. By using such an alloy as the constituent material of the cathode 12, the electron injection efficiency and stability of the cathode 12 can be improved.
Although the average thickness of such a cathode 12 is not specifically limited, It is preferable that it is about 100-10000 nm, and it is more preferable that it is about 200-500 nm.
In addition, since the light emitting element 1 of this embodiment is a bottom emission type, the cathode 12 is not particularly required to have light transmittance.

(正孔注入層)
正孔注入層4は、陽極3からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
この正孔注入層4の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、4,4’,4’’−トリス(N,N−フェニル−3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等が挙げられる。
このような正孔注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、5〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層4は、省略することができる。
(Hole injection layer)
The hole injection layer 4 has a function of improving the hole injection efficiency from the anode 3.
The constituent material (hole injection material) of the hole injection layer 4 is not particularly limited. For example, copper phthalocyanine or 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-phenyl-3-methylphenyl) Amino) triphenylamine (m-MTDATA) and the like.
The average thickness of the hole injection layer 4 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 150 nm, and more preferably about 10 to 100 nm.
The hole injection layer 4 can be omitted.

(正孔輸送層)
正孔輸送層5は、陽極3から正孔注入層4を介して注入された正孔を赤色発光層6まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層5の構成材料には、各種p型の高分子材料や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
このような正孔輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層5は、省略することができる。
(Hole transport layer)
The hole transport layer 5 has a function of transporting holes injected from the anode 3 through the hole injection layer 4 to the red light emitting layer 6.
As the constituent material of the hole transport layer 5, various p-type polymer materials and various p-type low-molecular materials can be used alone or in combination.
The average thickness of the hole transport layer 5 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 150 nm, and more preferably about 10 to 100 nm.
The hole transport layer 5 can be omitted.

(赤色発光層)
この赤色発光層(第1の発光層)6は、赤色(第1の色)に発光する第1の発光材料と、発光材料を担持するホスト材料(第1のホスト材料)とを含んで構成されている。
このように第1の色として比較的長い波長の光を用いることにより、最低非占有分子軌道(HOMO)と最高占有分子軌道(LUMO)とのエネルギー準位差(バンドギャップ)が比較的小さい発光材料を用いることができる。このようにバンドギャップが比較的小さい発光材料は、正孔や電子を捕獲しやすく、発光しやすい。したがって、陽極3側に赤色発光層6を設けることで、バンドギャップが大きく発光し難い青色発光層8や緑色発光層9を陰極12側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
(Red light emitting layer)
The red light-emitting layer (first light-emitting layer) 6 includes a first light-emitting material that emits red light (first color) and a host material (first host material) that carries the light-emitting material. Has been.
As described above, by using light having a relatively long wavelength as the first color, light emission with a relatively small energy level difference (band gap) between the lowest unoccupied molecular orbital (HOMO) and the highest occupied molecular orbital (LUMO) is obtained. Materials can be used. Thus, a light emitting material having a relatively small band gap easily captures holes and electrons and easily emits light. Therefore, by providing the red light emitting layer 6 on the anode 3 side, the blue light emitting layer 8 and the green light emitting layer 9 which have a large band gap and are difficult to emit light can be set to the cathode 12 side, and each light emitting layer can emit light in a balanced manner.

また、このように第1の発光材料がバンドギャップの比較的小さな材料であると、第1の発光層6中の電子、正孔の密度が少ない場合であっても、好適に発光することができる。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
In addition, when the first light-emitting material is a material having a relatively small band gap as described above, even when the density of electrons and holes in the first light-emitting layer 6 is low, light can be suitably emitted. it can.
Such a red light emitting material is not particularly limited, and various red fluorescent materials and red phosphorescent materials can be used singly or in combination.

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化1に示すテトラアリールジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、2−(1,1−ジメチルエチル)−6−(2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ(ij)キノリジン−9−イル)エテニル)−4H−ピラン−4H−イリデン)プロパンジニトリル(DCJTB)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)等を挙げられる。   The red fluorescent material is not particularly limited as long as it emits red fluorescence. For example, perylene derivatives such as tetraaryldiindenoperylene derivatives shown in the following chemical formula 1, europium complexes, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothios. Xanthene derivatives, porphyrin derivatives, Nile red, 2- (1,1-dimethylethyl) -6- (2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H) -Benzo (ij) quinolizin-9-yl) ethenyl) -4H-pyran-4H-ylidene) propanedinitrile (DCJTB), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl)- And 4H-pyran (DCM).

Figure 2009295306
Figure 2009295306

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム(アセチルアセトネート)(btp2Ir(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−12H,23H−ポルフィリン−白金(II)、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。 The red phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits red phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among the ligands of these metal complexes, And those having at least one of phenylpyridine skeleton, bipyridyl skeleton, porphyrin skeleton and the like. More specifically, tris (1-phenylisoquinoline) iridium, bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinate-N, C 3 ′] iridium (acetylacetonate) (btp2Ir ( acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-12H, 23H-porphyrin-platinum (II), bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl ) Pyridinate-N, C 3 '] iridium, bis (2-phenylpyridine) iridium (acetylacetonate).

赤色発光層6中における赤色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01〜10wt%であるのが好ましく、0.1〜5wt%であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する青色発光層8や緑色発光層9の発光量とのバランスをとりつつ赤色発光層6を発光させることができる。   The content (dope amount) of the red light emitting material in the red light emitting layer 6 is preferably 0.01 to 10 wt%, and more preferably 0.1 to 5 wt%. By setting the content of the red light emitting material within such a range, the light emission efficiency can be optimized, and the red light emitting layer is balanced with the light emitting amount of the blue light emitting layer 8 and the green light emitting layer 9 described later. 6 can emit light.

また、赤色発光層6の構成材料としては、前述したような赤色発光材料に加えて、この赤色発光材料をゲスト材料とする第1のホスト材料を用いる。この第1のホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動(フェルスター移動またはデクスター移動)させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このような第1のホスト材料は、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとして第1のホスト材料にドープして用いることができる。
また、この第1のホスト材料は、後述する中間層7にある各材料と所定の条件を満足するものである。
As a constituent material of the red light emitting layer 6, in addition to the red light emitting material as described above, a first host material using the red light emitting material as a guest material is used. The first host material recombines holes and electrons to generate excitons, and moves the exciton energy to the red light-emitting material (Ferster movement or Dexter movement) to thereby generate a red light-emitting material. It has a function to excite. Such a first host material can be used, for example, by doping the first host material with a red light emitting material, which is a guest material, as a dopant.
The first host material satisfies predetermined conditions with each material in the intermediate layer 7 described later.

このような第1のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ナフタセン誘導体、2−t−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(TBADN)等のアントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの4量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ルブレンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第1のホスト材料としては、例えば、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニルカルバゾール、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。
Such a first host material is not particularly limited as long as it exhibits the above-described function with respect to the red light emitting material to be used. When the red light emitting material includes a red fluorescent material, for example, Styrylarylene derivatives, naphthacene derivatives, anthracene derivatives such as 2-t-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (TBADN), perylene derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylamine derivatives, tris (8-quinolinolato) ) Quinolinolato metal complexes such as aluminum complexes (Alq 3 ), triarylamine derivatives such as tetramers of triphenylamine, oxadiazole derivatives, rubrene and derivatives thereof, silole derivatives, dicarbazole derivatives, oligothiophene derivatives, benzopyrans Derivatives, triazole derivatives Examples include benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi), and one of these is used alone or in combination of two or more. It can also be used.
Further, when the red light emitting material includes a red phosphorescent material, examples of the first host material include 3-phenyl-4- (1′-naphthyl) -5-phenylcarbazole, 4,4′-N, N ′. -Carbazole derivatives, such as dicarbazole biphenyl (CBP), etc. are mentioned, Among these, it can also be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

(中間層)
この中間層7は、前述した赤色発光層6と後述する青色発光層8との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層7は、青色発光層8から赤色発光層6へ輸送される電子の量を調節する機能を有する。また、中間層7は、赤色発光層6から青色発光層8へ輸送される正孔の量を調節する機能を有する。この機能により、赤色発光層6および青色発光層8をそれぞれ効率よく発光させることができる。
(Middle layer)
The intermediate layer 7 is provided between the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 described later so as to be in contact therewith. The intermediate layer 7 has a function of adjusting the amount of electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6. The intermediate layer 7 has a function of adjusting the amount of holes transported from the red light emitting layer 6 to the blue light emitting layer 8. With this function, the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 can each emit light efficiently.

特に、本発明では、中間層7は、第1の材料と、第1の材料よりも正孔移動度の高い第2の材料とを含んで構成されている。また、第1の材料の最高占有分子軌道(HOMO)のエネルギー準位をHL[eV]、第2の材料の最高占有分子軌道(HOMO)のエネルギー準位をHL[eV]、第1のホスト材料の最高占有分子軌道(HOMO)のエネルギー準位をHL[eV]としたとき、次式(1)および次式(2)を満足するものである。
|HL−HL|<|HL−HL| ・・・ (1)
|HL−HL|≧0.3[eV] ・・・ (2)
上記のような式(1)および式(2)を満足することにより、赤色発光層6から青色発光層8へ輸送される正孔の量を制御することができる。この結果、発光素子1は、発光効率に優れたものとなる。
In particular, in the present invention, the intermediate layer 7 includes a first material and a second material having a hole mobility higher than that of the first material. The energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the first material is HL A [eV], the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the second material is HL B [eV], and the first When the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the host material is HL C [eV], the following expressions (1) and (2) are satisfied.
| HL B -HL C | <| HL A -HL C | (1)
| HL A -HL C | ≧ 0.3 [eV] (2)
By satisfying the above formulas (1) and (2), the amount of holes transported from the red light emitting layer 6 to the blue light emitting layer 8 can be controlled. As a result, the light emitting device 1 is excellent in luminous efficiency.

詳しく説明すると、第1のホスト材料のHOMOのエネルギー準位が、第1の材料のHOMOのエネルギー準位よりも第2のHOMOのエネルギー準位と近く、第1のホスト材料のHOMOエネルギー準位が第2のHOMOのエネルギー準位と十分にはなれている。このため、正孔は、赤色発光層6の第1のホスト材料から中間層7中の第2の材料へ優先的に移動しやすくなる。また、正孔は、第1のホスト材料から第1の材料へは移動しにくいものとなる。すなわち、中間層7における第1の材料と第2の材料との含有量の比率を変更することで、赤色発光層6から青色発光層8へ輸送される正孔の量を調整することができる。   More specifically, the HOMO energy level of the first host material is closer to the second HOMO energy level than the HOMO energy level of the first material, and the HOMO energy level of the first host material. Is sufficiently separated from the energy level of the second HOMO. For this reason, holes easily move preferentially from the first host material of the red light emitting layer 6 to the second material in the intermediate layer 7. Further, holes are difficult to move from the first host material to the first material. That is, the amount of holes transported from the red light emitting layer 6 to the blue light emitting layer 8 can be adjusted by changing the content ratio of the first material and the second material in the intermediate layer 7. .

また、第2の材料は、第1の材料よりも正孔移動度が高いものである。このため、一旦第2の材料に移動した正孔は、効率よく青色発光層8へ輸送される。
以上より、発光素子1は、このような中間層7を有することにより、各発光層中の正孔の密度を制御することができ、発光素子1の各発光層はバランスよく発光することができる。このため、発光素子1の発光効率を優れたものとすることができる。
The second material has a higher hole mobility than the first material. For this reason, the holes once moved to the second material are efficiently transported to the blue light emitting layer 8.
As described above, since the light emitting element 1 has such an intermediate layer 7, the density of holes in each light emitting layer can be controlled, and each light emitting layer of the light emitting element 1 can emit light in a balanced manner. . For this reason, the luminous efficiency of the light emitting element 1 can be made excellent.

また、第2の材料と、第1のホスト材料とは、下記式(3)の関係を満足することが好ましい。このように、第2の材料と第1のホスト材料とのHOMOのエネルギー準位差が十分に小さいことにより、正孔は、赤色発光層6の第1のホスト材料から中間層7中の第2の材料へより優先的に移動しやすくなる。
|HL−HL|≦0.2[eV] ・・・ (3)
なお、|HL−HL|≦0.1[eV]を満足することがより好ましい。
Further, it is preferable that the second material and the first host material satisfy the relationship of the following formula (3). As described above, the difference in the HOMO energy levels between the second material and the first host material is sufficiently small, so that holes are transferred from the first host material of the red light emitting layer 6 to the second layer in the intermediate layer 7. It becomes easy to move to the material of 2 more preferentially.
| HL B -HL C | ≦ 0.2 [eV] (3)
Note that it is more preferable to satisfy | HL B −HL C | ≦ 0.1 [eV].

また、第1の材料と第2の材料とは、第1の材料の最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギー準位をLL[eV]、第2の材料の最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギー準位をLL[eV]としたとき、次式(4)を満足することが好ましい。
LL−LL≧0.4[eV] ・・・ (4)
なお、LL−LL≧0.5[eV]を満足することがより好ましい。
このように、第1の材料と第2の材料とでLUMOのエネルギー準位の差が十分に大きいことにより、青色発光層8から赤色発光層6へ中間層7を介して輸送される電子は、第1の材料によって輸送されやすいものとなり、発光素子1は、発光効率に特に優れたものとなる。
In addition, the first material and the second material have the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first material as LL A [eV] and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the second material. When the energy level of) is LL B [eV], it is preferable that the following expression (4) is satisfied.
LL A −LL B ≧ 0.4 [eV] (4)
In addition, it is more preferable to satisfy LL A −LL B ≧ 0.5 [eV].
As described above, the difference in the LUMO energy level between the first material and the second material is sufficiently large, so that the electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 through the intermediate layer 7 are Thus, the light-emitting element 1 is easily transported by the first material, and the light-emitting element 1 is particularly excellent in luminous efficiency.

詳しく説明すると、青色発光層8の後述する第2のホスト材料から、第1の材料が電子を受け取った場合において、第1の材料に受け渡された電子は、LUMOのエネルギー準位が十分に高い第2の材料へは移りづらく、第1の材料を経由して輸送される。一旦第1の材料に受け渡された電子は、LUMOのエネルギー準位がより高い第2の材料へは移りづらく、第1の材料を経由して輸送される。以上より、青色発光層8から赤色発光層6へ中間層7を介して輸送される電子は、第1の材料によって輸送されやすいものとなる。この結果、第1の材料と第2の材料との含有量を調整することによって、青色発光層8から赤色発光層6へ中間層7を介して輸送される電子の量を調節することができる。以上より、発光素子1は、各発光層がバランスよく発光し、発光効率が特に優れたものとなったと考えられる。   More specifically, when the first material receives electrons from a second host material, which will be described later, of the blue light emitting layer 8, the electrons transferred to the first material have a sufficient LUMO energy level. It is difficult to move to a high second material and is transported via the first material. The electrons once transferred to the first material are not easily transferred to the second material having a higher LUMO energy level, and are transported through the first material. As described above, the electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 through the intermediate layer 7 are easily transported by the first material. As a result, the amount of electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 through the intermediate layer 7 can be adjusted by adjusting the contents of the first material and the second material. . From the above, it is considered that in the light-emitting element 1, each light-emitting layer emits light in a well-balanced manner and the light emission efficiency is particularly excellent.

また、後述する第2のホスト材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]としたとき、第2のホスト材料と第1の材料とは、次式(5)を満足することが好ましい。このように、第2のホスト材料と第1の材料とのLUMOのエネルギー準位差が十分に小さいことにより、第2のホスト材料は、第1の材料により優先的に電子を受け渡しやすいものとなる。このため、青色発光層8から赤色発光層6へ中間層7を介して輸送される電子は、第1の材料によってより優先的に輸送されやすいものとなる。 Further, when the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the second host material described later is LL D [eV], the second host material and the first material satisfy the following formula (5). It is preferable. As described above, since the LUMO energy level difference between the second host material and the first material is sufficiently small, the second host material can easily pass electrons preferentially to the first material. Become. For this reason, the electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 via the intermediate layer 7 are more easily transported preferentially by the first material.

|LL−LL|≦0.2[eV] ・・・ (5)
なお、|LL−LL|≦0.1[eV]を満足することがより好ましい。
また、発光素子1は、次式(6)を満足することが好ましい。このように、第2のホスト材料のLUMOのエネルギー準位よりも第2の材料のLUMOのエネルギー準位が十分に高いことにより、青色発光層8から中間層7に注入される電子は、第2の材料へは移動しにくいものとなる。言いかえると、第2のホスト材料は、第1の材料により優先的に電子を受け渡しやすいものとなり、青色発光層8から赤色発光層6へ中間層7を介して輸送される電子は、第1の材料によってより優先的に輸送されやすいものとなる。
| LL A −LL D | ≦ 0.2 [eV] (5)
It is more preferable to satisfy | LL A −LL D | ≦ 0.1 [eV].
Moreover, it is preferable that the light emitting element 1 satisfies following formula (6). As described above, since the LUMO energy level of the second material is sufficiently higher than the LUMO energy level of the second host material, electrons injected from the blue light emitting layer 8 into the intermediate layer 7 are It becomes difficult to move to the second material. In other words, the second host material is likely to transfer electrons preferentially by the first material, and the electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 via the intermediate layer 7 are the first host material. Depending on the material, it will be more preferentially transported.

LL−LL≧0.3[eV] ・・・ (6)
なお、式(6)では、LL−LL≧0.5[eV]を満足することがより好ましく、上述したような効果をより顕著に得ることができる。
また、第1の材料は、第2の材料よりも電子移動度の高いものであることが好ましい。これにより、青色発光層8から赤色発光層6へ中間層7を介して輸送される電子は、第1の材料によってより優先的に輸送されやすいものとなる。
LL D −LL B ≧ 0.3 [eV] (6)
In the expression (6), it is more preferable to satisfy LL D −LL B ≧ 0.5 [eV], and the effects as described above can be obtained more remarkably.
Moreover, it is preferable that the first material has a higher electron mobility than the second material. Thereby, the electrons transported from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 through the intermediate layer 7 are more easily transported preferentially by the first material.

また、第1の材料および第2の材料としては、上述したような式(1)および式(2)の関係を満足するものであれば特に限定されず、正孔を輸送する機能を有する各種材料および電子を輸送する機能を有する各種材料を用いることができるが、例えば、第1の材料としてアセン系材料(すなわちアセン骨格を有する材料)を、第2の材料としてアミン系材料(すなわちアミン骨格を有する材料)を用いることができる。
発光素子1は、第1の材料および第2の材料としてこのような化合物を用いることにより、上述したような式(1)および式(2)を容易に満たすことができる。
Further, the first material and the second material are not particularly limited as long as the relations of the above formulas (1) and (2) are satisfied, and various types having a function of transporting holes. Various materials having a function of transporting materials and electrons can be used. For example, an acene-based material (that is, a material having an acene skeleton) is used as the first material, and an amine-based material (that is, an amine skeleton is used as the second material). Can be used.
The light emitting element 1 can satisfy the above-described formulas (1) and (2) easily by using such compounds as the first material and the second material.

また、アミン系材料は正孔輸送性を有し、正孔移動度が比較的高いものである。また、アセン系材料は電子輸送性および正孔輸送性を有し、電子移動度が比較的高いものである。これにより、中間層7は、電子輸送性および正孔輸送性を有する。すなわち、中間層7は、バイポーラ性を有する。このように中間層7がバイポーラ性を有すると、赤色発光層6から中間層7を介して青色発光層8へ正孔を円滑に受け渡すとともに、青色発光層8から中間層7を介して赤色発光層6へ電子を円滑に受け渡すことができる。その結果、赤色発光層6および青色発光層8にそれぞれ電子および正孔を効率的に注入して発光させることができる。
また、このような中間層7は、キャリア(電子、正孔)の輸送性に優れるため、中間層7内において、電子と正孔とが再結合しにくく、励起子が生成しにくいものとなっている。これにより、中間層7の励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子1の耐久性を優れたものとすることができる。
The amine-based material has a hole transport property and a relatively high hole mobility. Further, the acene-based material has an electron transport property and a hole transport property, and has a relatively high electron mobility. Thereby, the intermediate layer 7 has an electron transport property and a hole transport property. That is, the intermediate layer 7 has a bipolar property. Thus, when the intermediate layer 7 has bipolar properties, holes are smoothly transferred from the red light emitting layer 6 to the blue light emitting layer 8 through the intermediate layer 7, and the red light is transmitted from the blue light emitting layer 8 through the intermediate layer 7. Electrons can be smoothly transferred to the light emitting layer 6. As a result, electrons and holes can be efficiently injected into the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 to emit light.
In addition, since such an intermediate layer 7 is excellent in carrier (electron, hole) transportability, electrons and holes are hardly recombined in the intermediate layer 7 and excitons are not easily generated. ing. Thereby, the deterioration by the exciton of the intermediate layer 7 can be prevented or suppressed, and as a result, the durability of the light emitting element 1 can be made excellent.

第1の材料として用いることのできるアセン系材料としては、上述したような式(1)および式(2)を満すことができ、アセン骨格を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、アントラセン誘導体を用いるのが好ましい。
アントラセン誘導体は、優れた電子輸送性を有しながらも、気相成膜法により簡単に成膜することができる。したがって、アセン系材料としてアントラセン誘導体を用いることにより、第1の材料(ひいては中間層7)の電子輸送性を優れたものとしつつ、均質な中間層7の形成を容易なものとすることができる。
The acene-based material that can be used as the first material is not particularly limited as long as it can satisfy the formulas (1) and (2) as described above and has an acene skeleton. , Naphthalene derivatives, anthracene derivatives, tetracene derivatives, pentacene derivatives, hexacene derivatives, heptacene derivatives, and the like. Among these, one kind or a combination of two or more kinds can be used, but anthracene derivatives are preferably used.
Anthracene derivatives can be easily formed by a vapor deposition method while having excellent electron transport properties. Therefore, by using an anthracene derivative as the acene-based material, it is possible to easily form the homogeneous intermediate layer 7 while improving the electron transport property of the first material (and thus the intermediate layer 7). .

特に、アントラセン誘導体のなかでも、中間層7に用いられるアセン系材料としては、アントラセン骨格の9位および10位のそれぞれにナフチル基が導入されたものが好ましい。これにより、前述した効果が顕著となる。このようなアントラセン誘導体としては、例えば、下記化2で表されるような9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(ADN)や、下記化3で表されるような2−t−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(TBADN)、下記化4で表されるような2−メチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(MADN)、下記化5で表わされるような2−メチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン(α,α‐MADN)等が挙げられる。   In particular, among the anthracene derivatives, the acene-based material used for the intermediate layer 7 is preferably one in which a naphthyl group is introduced at each of the 9th and 10th positions of the anthracene skeleton. Thereby, the effect mentioned above becomes remarkable. Examples of such anthracene derivatives include 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (ADN) represented by the following chemical formula 2 and 2-t-butyl- represented by the chemical formula 3 shown below. 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (TBADN), 2-methyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (MADN) as represented by the following chemical formula 4, as represented by the chemical formula 5 below. 2-methyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene (α, α-MADN) and the like.

Figure 2009295306
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このようなアセン系材料は、一般に、電子輸送性に優れており、アセン系材料の電子移動度は、後述するアミン系材料の電子移動度よりも高い。したがって、青色発光層8から中間層7を介して赤色発光層6へ電子を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層7中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、10〜90wt%であるのが好ましく、30〜70wt%であるのがより好ましく、40〜60wt%であるのがさらに好ましい。
Such acene-based materials are generally excellent in electron transport properties, and the electron mobility of acene-based materials is higher than the electron mobility of amine-based materials described later. Therefore, electrons can be smoothly transferred from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 through the intermediate layer 7.
The content of the acene-based material in the intermediate layer 7 is not particularly limited, but is preferably 10 to 90 wt%, more preferably 30 to 70 wt%, and 40 to 60 wt%. Further preferred.

また、第2の材料として用いることのできるアミン系材料としては、前述したような式(1)を満足し、アミン骨格を有するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層7に用いられるアミン系材料としては、2つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、下記化6で表されるようなN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)や、下記化7で表されるようなN,N,N’,N’−テトラナフチル−ベンジジン(TNB)などが挙げられる。
The amine-based material that can be used as the second material is not particularly limited as long as it satisfies the above-described formula (1) and has an amine skeleton. Of the materials, materials having an amine skeleton can be used, but benzidine-based amine derivatives are preferably used.
In particular, among the benzidine-based amine derivatives, the amine-based material used for the intermediate layer 7 is preferably one in which two or more naphthyl groups are introduced. Examples of such benzidine-based amine derivatives include N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4, Examples thereof include 4′-diamine (α-NPD) and N, N, N ′, N′-tetranaphthyl-benzidine (TNB) represented by the following chemical formula 7.

Figure 2009295306
Figure 2009295306

Figure 2009295306
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このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れており、アミン系材料の正孔移動度は、前述したアセン系材料の正孔移動度よりも高い。したがって、赤色発光層6から中間層7を介して青色発光層8へ正孔を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層7中におけるアミン系材料の含有量は、特に限定されないが、10〜90wt%であるのが好ましく、30〜70wt%であるのがより好ましく、40〜60wt%であるのがさらに好ましい。
Such an amine material generally has excellent hole transport properties, and the hole mobility of the amine material is higher than the hole mobility of the acene material described above. Therefore, holes can be smoothly transferred from the red light emitting layer 6 to the blue light emitting layer 8 through the intermediate layer 7.
The content of the amine-based material in the intermediate layer 7 is not particularly limited, but is preferably 10 to 90 wt%, more preferably 30 to 70 wt%, and 40 to 60 wt%. Further preferred.

また、中間層7中における第1の材料の含有量をA[wt%]とし、中間層7中における第2の材料の含有量をB[wt%]としたときに、B/(A+B)は、0.1〜0.9であるのが好ましく、0.3〜0.7であるのがより好ましく、0.4〜0.6であるのがさらに好ましい。これにより、赤色発光層6および青色発光層8間において中間層7を介してキャリア(電子および正孔)の輸送をより好適に行うことができるとともに、赤色発光層6および青色発光層8にそれぞれ十分な量の電子および正孔を注入して発光させることができる。   Further, when the content of the first material in the intermediate layer 7 is A [wt%] and the content of the second material in the intermediate layer 7 is B [wt%], B / (A + B) Is preferably from 0.1 to 0.9, more preferably from 0.3 to 0.7, and even more preferably from 0.4 to 0.6. Accordingly, carriers (electrons and holes) can be more preferably transported between the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 via the intermediate layer 7, and the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 are respectively provided. A sufficient amount of electrons and holes can be injected to emit light.

また、中間層7の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100nmであるのが好ましく、3〜50nmであるのがより好ましく、5〜30nmであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、赤色発光層6、青色発光層8間での中間層7を介しての正孔および電子の受け渡しをより円滑に行うことができ、発光素子1は、十分な輝度の光を放出できる。   Moreover, although the average thickness of the intermediate | middle layer 7 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 nm, It is more preferable that it is 3-50 nm, It is further more preferable that it is 5-30 nm. Thereby, it is possible to more smoothly transfer holes and electrons between the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 through the intermediate layer 7 while suppressing the driving voltage. Bright light can be emitted.

(青色発光層)
青色発光層(第2の発光層)8は、青色(第2の色)に発光する青色発光材料(第2の発光材料)と、青色発光材料をゲスト材料として担持する第2のホスト材料とを含んで構成されている。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Blue light emitting layer)
The blue light emitting layer (second light emitting layer) 8 includes a blue light emitting material (second light emitting material) that emits blue light (second color), and a second host material that supports the blue light emitting material as a guest material. It is comprised including.
Such a blue light emitting material is not particularly limited, and various blue fluorescent materials and blue phosphorescent materials can be used alone or in combination of two or more.

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリル誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)、ポリ[(9.9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジヘキシルオキシフルオレン−2,7−ジイル)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−{2−エトキシヘキシルオキシ}フェニレン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(エチルニルベンゼン)]等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。   The blue fluorescent material is not particularly limited as long as it emits blue fluorescence. For example, distyryl derivatives, fluoranthene derivatives, pyrene derivatives, perylene and perylene derivatives, anthracene derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazoles Derivatives, chrysene derivatives, phenanthrene derivatives, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene, 4,4′-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene) -1,1′-biphenyl (BCzVBi), poly [(9.9- Dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,5-dimethoxybenzene-1,4-diyl)], poly [(9,9-dihexyloxyfluorene-2,7-diyl) -ortho-co- (2-methoxy-5- {2-ethoxyhexylo Si} phenylene-1,4-diyl)]], poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (ethylnylbenzene)] and the like, and one of these may be used alone. Alternatively, two or more kinds can be used in combination.

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス[4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C’]−ピコリネート−イリジウム、トリス[2−(2,4−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム、ビス[2−(3,5−トリフルオロメチル)ピリジネート−N,C’]−ピコリネート−イリジウム、ビス(4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C’)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。
また、青色発光層8に用いることのできる第2のホスト材料としては、前述した第1のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
The blue phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits blue phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. More specifically, bis [4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, tris [2- (2,4-difluorophenyl) pyridinate -N, C 2'] iridium , bis [2- (3,5-trifluoromethyl) pyridinate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, bis (4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2') iridium (acetylacetonate ).
In addition, as the second host material that can be used for the blue light-emitting layer 8, the same host material as the first host material described above can be used.

(緑色発光層)
緑色発光層(第3の発光層)9は、緑色(第3の色)に発光する緑色発光材料(第3の発光材料)と、緑色発光材料をゲスト材料とする第3のホスト材料とを含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Green light emitting layer)
The green light emitting layer (third light emitting layer) 9 includes a green light emitting material (third light emitting material) that emits green light (third color) and a third host material that uses the green light emitting material as a guest material. It is configured to include.
Such a green light emitting material is not particularly limited, and various green fluorescent materials and green phosphorescent materials can be used singly or in combination.

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドンおよびその誘導体、9,10−ビス[(9−エチル−3−カルバゾール)−ビニレニル]−アントラセン、ポリ(9,9−ジヘキシル−2,7−ビニレンフルオレニレン)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(1,4−ジフェニレン−ビニレン−2−メトキシ−5−{2−エチルヘキシルオキシ}ベンゼン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−(2−エトキシルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。   The green fluorescent material is not particularly limited as long as it emits green fluorescence. For example, coumarin derivatives, quinacridone and derivatives thereof, 9,10-bis [(9-ethyl-3-carbazole) -vinylenyl] -anthracene , Poly (9,9-dihexyl-2,7-vinylenefluorenylene), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (1,4-diphenylene-vinylene-2-methoxy -5- {2-ethylhexyloxy} benzene)], poly [(9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene) -ortho-co- (2-methoxy-5- (2-ethoxylhexyloxy) ) -1,4-phenylene)] and the like, and one of these may be used alone or two or more of them may be used in combination.

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジネート−N,C’)イリジウム(アセチルアセトネート)、ファク−トリス[5−フルオロ−2−(5−トリフルオロメチル−2−ピリジン)フェニル−C,N]イリジウムが挙げられる。
また、緑色発光層9に用いることのできる第3のホスト材料としては、前述した第1のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
The green phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits green phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among these, at least one of the ligands of these metal complexes preferably has a phenylpyridine skeleton, a bipyridyl skeleton, a porphyrin skeleton, or the like. More specifically, fac - tris (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3), bis (2-phenyl-pyridinium sulfonate -N, C 2 ') iridium (acetylacetonate), fac - tris [ 5-fluoro-2- (5-trifluoromethyl-2-pyridine) phenyl-C, N] iridium.
Further, as the third host material that can be used for the green light emitting layer 9, the same host material as the first host material described above can be used.

(電子輸送層)
電子輸送層10は、陰極12から電子注入層11を介して注入された電子を緑色発光層9に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層10の構成材料(電子輸送材料)としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層10の平均厚さは、特に限定されないが、0.5〜100nm程度であるのが好ましく、1〜50nm程度であるのがより好ましい。
(Electron transport layer)
The electron transport layer 10 has a function of transporting electrons injected from the cathode 12 through the electron injection layer 11 to the green light emitting layer 9.
As a constituent material (electron transport material) of the electron transport layer 10, for example, a quinoline derivative such as an organometallic complex having an 8-quinolinol or its derivative such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) as a ligand. Oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, and the like, and one or more of these can be used in combination.
Although the average thickness of the electron carrying layer 10 is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.5-100 nm, and it is more preferable that it is about 1-50 nm.

(電子注入層)
電子注入層11は、陰極12からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層11の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
(Electron injection layer)
The electron injection layer 11 has a function of improving the efficiency of electron injection from the cathode 12.
Examples of the constituent material (electron injection material) of the electron injection layer 11 include various inorganic insulating materials and various inorganic semiconductor materials.

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド(酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物)、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物(アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等)は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層11を構成することにより、発光素子1は、高い輝度が得られるものとなる。   Examples of such inorganic insulating materials include alkali metal chalcogenides (oxides, sulfides, selenides, tellurides), alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides. Of these, one or two or more of these can be used in combination. By forming the electron injection layer using these as main materials, the electron injection property can be further improved. In particular, alkali metal compounds (alkali metal chalcogenides, alkali metal halides, and the like) have a very small work function, and the light-emitting element 1 can have high luminance by forming the electron injection layer 11 using the work function. Become.

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、LiO、LiO、NaS、NaSe、NaO等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等が挙げられる。
Examples of the alkali metal chalcogenide include Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO.
Examples of the alkaline earth metal chalcogenide include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, MgO, and CaSe.
Examples of the alkali metal halide include CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl.

アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF、BaF、SrF、MgF、BeF等が挙げられる。
また、無機半導体材料としては、例えば、Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnのうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層11の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜1000nm程度であるのが好ましく、0.2〜100nm程度であるのがより好ましく、0.2〜50nm程度であるのがさらに好ましい。
Examples of the alkaline earth metal halide include CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 .
In addition, as the inorganic semiconductor material, for example, an oxide including at least one element of Li, Na, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn , Nitrides, oxynitrides, and the like, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the electron injection layer 11 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 1000 nm, more preferably about 0.2 to 100 nm, and about 0.2 to 50 nm. Further preferred.

(封止部材)
封止部材13は、陽極3、積層体15、および陰極12を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材13を設けることにより、発光素子1の信頼性の向上や、変質・劣化の防止(耐久性向上)等の効果が得られる。
封止部材13の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材13の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材13と陽極3、積層体15、および陰極12との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
(Sealing member)
The sealing member 13 is provided so as to cover the anode 3, the laminate 15, and the cathode 12, and has a function of hermetically sealing them and blocking oxygen and moisture. By providing the sealing member 13, effects such as improvement in reliability of the light emitting element 1, prevention of deterioration / deterioration (improvement in durability), and the like can be obtained.
Examples of the constituent material of the sealing member 13 include Al, Au, Cr, Nb, Ta, Ti, alloys containing these, silicon oxide, various resin materials, and the like. In addition, when using the material which has electroconductivity as a constituent material of the sealing member 13, in order to prevent a short circuit, it is required between the sealing member 13 and the anode 3, the laminated body 15, and the cathode 12. Accordingly, it is preferable to provide an insulating film.

また、封止部材13は、平板状として、基板2と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
以上のように構成された発光素子1によれば、第1の材料と第2の材料とを含んで構成された中間層7が赤色発光層6と青色発光層8との間での電子と正孔の輸送のバランスをとることができるため、赤色発光層6および青色発光層8をそれぞれ効率よく発光させることができる。このため、発光素子1は、発光効率が優れたものとなっている。
Further, the sealing member 13 may be formed in a flat plate shape so as to face the substrate 2 and be sealed with a sealing material such as a thermosetting resin.
According to the light emitting device 1 configured as described above, the intermediate layer 7 configured to include the first material and the second material has electrons between the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8. Since the transport of holes can be balanced, the red light emitting layer 6 and the blue light emitting layer 8 can each emit light efficiently. For this reason, the light emitting element 1 has excellent luminous efficiency.

特に、本実施形態では、第2の色の光は、第1の色の光よりも、その波長が短いものである。このような場合、一般の発光素子では、波長の短い光が発光層から放出されにくく、各発光層の発光バランスを取りにくい欠点があった。しかしながら、本発明では、上述したような中間層7により、波長の短い光を放出する層(本実施形態では青色発光層)に電子と正孔とを集中させることができる。このため、各発光層は、バランスよく発光できるものとなっており、発光素子1は、発光効率が優れたものとなっている。
また、本実施形態では、陽極3側から陰極12側へ、赤色発光層6、中間層7、青色発光層8、緑色発光層9の順に設けることで、比較的簡単に、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)をバランスよく発光させて、白色発光させることができる。
以上のような発光素子1は、例えば、次のようにして製造することができる。
In particular, in this embodiment, the light of the second color has a shorter wavelength than the light of the first color. In such a case, a general light emitting device has a drawback that light having a short wavelength is not easily emitted from the light emitting layer, and it is difficult to balance the light emission of each light emitting layer. However, in the present invention, the intermediate layer 7 as described above can concentrate electrons and holes in the layer that emits light with a short wavelength (in this embodiment, the blue light emitting layer). For this reason, each light emitting layer can emit light in a well-balanced manner, and the light emitting element 1 has excellent luminous efficiency.
In this embodiment, the red light emitting layer 6, the intermediate layer 7, the blue light emitting layer 8, and the green light emitting layer 9 are provided in this order from the anode 3 side to the cathode 12 side, so that R (red), G (green) and B (blue) can be emitted in a well-balanced manner to emit white light.
The above light emitting element 1 can be manufactured as follows, for example.

[1] まず、基板2を用意し、この基板2上に陽極3を形成する。
陽極3は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
[2] 次に、陽極3上に正孔注入層4を形成する。
正孔注入層4は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[1] First, the substrate 2 is prepared, and the anode 3 is formed on the substrate 2.
The anode 3 is, for example, a chemical vapor deposition method (CVD) such as plasma CVD or thermal CVD, a dry plating method such as vacuum deposition, a wet plating method such as electrolytic plating, a thermal spraying method, a sol-gel method, a MOD method, or a metal foil. It can be formed by using, for example, bonding.
[2] Next, the hole injection layer 4 is formed on the anode 3.
The hole injection layer 4 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.

また、正孔注入層4は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極3上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層4を比較的容易に形成することができる。
In addition, the hole injection layer 4 is dried (desolvent or desolvent) after supplying the hole injection layer forming material obtained by, for example, dissolving the hole injection material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the anode 3. It can also be formed by using a dispersion medium.
As a method for supplying the hole injection layer forming material, for example, various coating methods such as a spin coating method, a roll coating method, and an ink jet printing method can be used. By using such a coating method, the hole injection layer 4 can be formed relatively easily.

正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極3の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極3の上面を親液性を付与すること、陽極3の上面に付着する有機物を除去(洗浄)すること、陽極3の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー100〜800W程度、酸素ガス流量50〜100mL/min程度、被処理部材(陽極3)の搬送速度0.5〜10mm/sec程度、基板2の温度70〜90℃程度とするのが好ましい。
Examples of the solvent or dispersion medium used for the preparation of the hole injection layer forming material include various inorganic solvents, various organic solvents, or mixed solvents containing these.
The drying can be performed, for example, by standing in an atmospheric pressure or a reduced pressure atmosphere, heat treatment, or blowing an inert gas.
Prior to this step, the upper surface of the anode 3 may be subjected to oxygen plasma treatment. Thereby, it is possible to impart lyophilicity to the upper surface of the anode 3, remove (clean) organic substances adhering to the upper surface of the anode 3, adjust the work function near the upper surface of the anode 3, and the like. .
Here, the oxygen plasma treatment conditions include, for example, a plasma power of about 100 to 800 W, an oxygen gas flow rate of about 50 to 100 mL / min, a conveyance speed of the member to be treated (anode 3) of about 0.5 to 10 mm / sec, and a substrate. The temperature of 2 is preferably about 70 to 90 ° C.

[3] 次に、正孔注入層4上に正孔輸送層5を形成する。
正孔輸送層5は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層4上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[3] Next, the hole transport layer 5 is formed on the hole injection layer 4.
The hole transport layer 5 can be formed, for example, by a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering.
Further, by supplying a hole transport layer forming material obtained by dissolving a hole transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the hole injection layer 4, drying (desolvation or dedispersion medium) is performed. Can also be formed.

[4] 次に、正孔輸送層5上に、赤色発光層6を形成する。
赤色発光層6は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[5] 次に、赤色発光層6上に、中間層7を形成する。
中間層7は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[4] Next, the red light emitting layer 6 is formed on the hole transport layer 5.
The red light emitting layer 6 can be formed by a vapor phase process using, for example, a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
[5] Next, the intermediate layer 7 is formed on the red light emitting layer 6.
The intermediate layer 7 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition, sputtering, or the like.

[6] 次に、中間層7上に、青色発光層8を形成する。
青色発光層8は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[7] 次に、青色発光層8上に、緑色発光層9を形成する。
緑色発光層9は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[6] Next, the blue light emitting layer 8 is formed on the intermediate layer 7.
The blue light emitting layer 8 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering.
[7] Next, the green light emitting layer 9 is formed on the blue light emitting layer 8.
The green light emitting layer 9 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.

[8] 次に、緑色発光層9上に電子輸送層10を形成する。
電子輸送層10は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層10は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層9上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[9] 次に、電子輸送層10上に、電子注入層11を形成する。
電子注入層11の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層11は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
[8] Next, the electron transport layer 10 is formed on the green light emitting layer 9.
The electron transport layer 10 can be formed by a vapor phase process using, for example, a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition, sputtering, or the like.
Further, the electron transport layer 10 is dried (desolvent or dedispersed) after supplying an electron transport layer forming material obtained by, for example, dissolving an electron transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the green light emitting layer 9. It can also be formed by the medium.
[9] Next, the electron injection layer 11 is formed on the electron transport layer 10.
When an inorganic material is used as the constituent material of the electron injection layer 11, the electron injection layer 11 is formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or coating and baking of inorganic fine particle ink. Etc. can be used.

[10] 次に、電子注入層11上に、陰極12を形成する。
陰極12は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子1が得られる。
最後に、得られた発光素子1を覆うように封止部材13を被せ、基板2に接合する。
以上説明したような発光素子1は、例えば光源等として使用することができる。また、複数の発光素子1をマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置(本発明の表示装置)を構成することができる。
なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
[10] Next, the cathode 12 is formed on the electron injection layer 11.
The cathode 12 can be formed using, for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, bonding of metal foil, application and baking of metal fine particle ink, and the like.
The light emitting element 1 is obtained through the steps as described above.
Finally, the sealing member 13 is covered so as to cover the obtained light emitting element 1 and bonded to the substrate 2.
The light emitting element 1 as described above can be used as, for example, a light source. Moreover, a display apparatus (display apparatus of this invention) can be comprised by arrange | positioning the several light emitting element 1 in matrix form.
The driving method of the display device is not particularly limited, and may be either an active matrix method or a passive matrix method.

次に、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の一例について説明する。
図2は、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図2に示すディスプレイ装置100は、基板21と、サブ画素100R、100G、100Bに対応して設けられた複数の発光素子1R、1G、1Bおよびカラーフィルタ19R、19G、19Bと、各発光素子1R、1G、1Bをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ24とを有している。ここで、ディスプレイ装置100は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。
Next, an example of a display device to which the display device of the present invention is applied will be described.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a display device to which the display device of the present invention is applied.
The display device 100 shown in FIG. 2 includes a substrate 21, a plurality of light emitting elements 1R, 1G, and 1B and color filters 19R, 19G, and 19B provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, and each light emitting element 1R. And a plurality of driving transistors 24 for driving 1G and 1B, respectively. Here, the display device 100 is a display panel having a top emission structure.

基板21上には、複数の駆動用トランジスタ24が設けられ、これらの駆動用トランジスタ24を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層22が形成されている。
各駆動用トランジスタ24は、シリコンからなる半導体層241と、半導体層241上に形成されたゲート絶縁層242と、ゲート絶縁層242上に形成されたゲート電極243と、ソース電極244と、ドレイン電極245とを有している。
平坦化層上には、各駆動用トランジスタ24に対応して発光素子1R、1G、1Bが設けられている。
A plurality of driving transistors 24 are provided on the substrate 21, and a planarizing layer 22 made of an insulating material is formed so as to cover these driving transistors 24.
Each driving transistor 24 includes a semiconductor layer 241 made of silicon, a gate insulating layer 242 formed on the semiconductor layer 241, a gate electrode 243 formed on the gate insulating layer 242, a source electrode 244, and a drain electrode. H.245.
On the planarization layer, light emitting elements 1R, 1G, and 1B are provided corresponding to the driving transistors 24, respectively.

発光素子1Rは、平坦化層22上に、反射膜32、腐食防止膜33、陽極3、積層体(有機EL発光部)15、陰極12、陰極カバー34がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子1R、1G、1Bの陽極3は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ24のドレイン電極245に導電部(配線)27により電気的に接続されている。また、各発光素子1R、1G、1Bの陰極12は、共通電極とされている。   In the light emitting element 1 </ b> R, a reflective film 32, a corrosion prevention film 33, an anode 3, a laminate (organic EL light emitting unit) 15, a cathode 12, and a cathode cover 34 are laminated in this order on a planarization layer 22. In the present embodiment, the anode 3 of each light emitting element 1R, 1G, 1B constitutes a pixel electrode and is electrically connected to the drain electrode 245 of each driving transistor 24 by a conductive portion (wiring) 27. Moreover, the cathode 12 of each light emitting element 1R, 1G, 1B is a common electrode.

なお、発光素子1G、1Bの構成は、発光素子1Rの構成と同様である。また、図2では、図1と同様の構成に関しては、同一符号を付してある。また、反射膜32の構成(特性)は、光の波長に応じて、発光素子1R、1G、1B間で異なっていてもよい。
隣接する発光素子1R、1G、1B同士の間には、隔壁31が設けられている。また、これらの発光素子1R、1G、1B上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層35が形成されている。
The configurations of the light emitting elements 1G and 1B are the same as the configuration of the light emitting element 1R. In FIG. 2, the same reference numerals are assigned to the same configurations as those in FIG. 1. Further, the configuration (characteristics) of the reflective film 32 may be different among the light emitting elements 1R, 1G, and 1B depending on the wavelength of light.
A partition wall 31 is provided between the adjacent light emitting elements 1R, 1G, and 1B. An epoxy layer 35 made of an epoxy resin is formed on the light emitting elements 1R, 1G, and 1B so as to cover them.

カラーフィルタ19R、19G、19Bは、前述したエポキシ層35上に、発光素子1R、1G、1Bに対応して設けられている。
カラーフィルタ19Rは、発光素子1Rからの白色光Wを赤色に変換するものである。また、カラーフィルタ19Gは、発光素子1Gからの白色光Wを緑色に変換するものである。また、カラーフィルタ19Bは、発光素子1Bからの白色光Wを青色に変換するものである。このようなカラーフィルタ19R、19G、19Bを発光素子1R、1G、1Bと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
The color filters 19R, 19G, and 19B are provided on the epoxy layer 35 described above corresponding to the light emitting elements 1R, 1G, and 1B.
The color filter 19R converts the white light W from the light emitting element 1R into red. The color filter 19G converts the white light W from the light emitting element 1G into green. The color filter 19B is for converting the white light W from the light emitting element 1B into blue. By using such color filters 19R, 19G, and 19B in combination with the light emitting elements 1R, 1G, and 1B, a full color image can be displayed.

また、隣接するカラーフィルタ19R、19G、19B同士の間には、遮光層36が形成されている。これにより、意図しないサブ画素100R、100G、100Bが発光するのを防止することができる。
そして、カラーフィルタ19R、19G、19Bおよび遮光層36上には、これらを覆うように封止基板20が設けられている。
A light shielding layer 36 is formed between the adjacent color filters 19R, 19G, and 19B. Thereby, it is possible to prevent the unintended subpixels 100R, 100G, and 100B from emitting light.
A sealing substrate 20 is provided on the color filters 19R, 19G, 19B and the light shielding layer 36 so as to cover them.

以上説明したようなディスプレイ装置100は、単色表示であってもよく、各発光素子1R、1G、1Bに用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このようなディスプレイ装置100(本発明の表示装置)は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図3は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
The display device 100 as described above may be a single color display, and color display is also possible by selecting a light emitting material used for each light emitting element 1R, 1G, 1B.
Such a display device 100 (the display device of the present invention) can be incorporated into various electronic devices.
FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.

この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ1100において、表示ユニット1106が備える表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
In this figure, a personal computer 1100 includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display. The display unit 1106 is rotatable with respect to the main body 1104 via a hinge structure. It is supported by.
In the personal computer 1100, the display unit included in the display unit 1106 is configured by the display device 100 described above.

図4は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and a display unit.
In the cellular phone 1200, the display unit is configured by the display device 100 described above.

図5は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.
A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.

ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
ケースの内部には、回路基板1308が設置されている。この回路基板1308は、撮像信号を格納(記憶)し得るメモリが設置されている。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリに転送・格納される。
In the digital still camera 1300, the display unit is configured by the display device 100 described above.
A circuit board 1308 is installed inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) an imaging signal.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.

また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニタ1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピュータ1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板1308のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ1430や、パーソナルコンピュータ1440に出力される構成になっている。   In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

なお、本発明の電子機器は、図3のパーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、図4の携帯電話機、図5のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。   The electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, in addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 3, the mobile phone in FIG. 4, and the digital still camera in FIG. Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, internal Endoscope display device), fish finder, various measuring instruments, Vessels such (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.

以上、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、発光素子が3層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が2層または4層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のR、G、Bに限定されない。発光層が2層または4層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。
また、中間層は、発光層同士の少なくとも1つの層間に設けられていればよく、2層以上の中間層を有していてもよい。
The light emitting element, the display device, and the electronic device of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these.
For example, in the above-described embodiment, the light emitting element has three light emitting layers. However, the light emitting layer may be two layers or four or more layers. Further, the emission color of the light emitting layer is not limited to R, G, and B in the above-described embodiment. Even when there are two or more light emitting layers, white light can be emitted by appropriately setting the emission spectrum of each light emitting layer.
Moreover, the intermediate | middle layer should just be provided between the at least 1 interlayer of light emitting layers, and may have an intermediate | middle layer of two or more layers.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1.発光素子の製造
(実施例1)
<1> まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ50nmのITO電極(陽極)を形成した。
そして、基板をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Production of light emitting device (Example 1)
<1> First, a transparent glass substrate having an average thickness of 0.5 mm was prepared. Next, an ITO electrode (anode) having an average thickness of 50 nm was formed on the substrate by sputtering.
And after immersing a board | substrate in order of acetone and 2-propanol and ultrasonically cleaning, the oxygen plasma process was performed.

<2> 次に、ITO電極上に、LG101(LGケミカル社製)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ30nmの正孔注入層を形成した。
<3> 次に、正孔注入層上に、前記化1に表わされるN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ20nmの正孔輸送層を形成した。
<2> Next, LG101 (manufactured by LG Chemical Co., Ltd.) was deposited on the ITO electrode by a vacuum deposition method to form a hole injection layer having an average thickness of 30 nm.
<3> Next, N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4,4 ′ represented by Chemical Formula 1 is formed on the hole injection layer. -Diamine ((alpha) -NPD) was vapor-deposited by the vacuum evaporation method, and the positive hole transport layer with an average thickness of 20 nm was formed.

<4> 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの赤色発光層(第1の発光層)を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料(ゲスト材料)として前記化1で表わされるテトラアリールジインデノペリレン誘導体(RD−1)を用い、ホスト材料としてルブレン(RB)を用いた。また、赤色発光層中の発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、1.5wt%とした。   <4> Next, the constituent material of the red light-emitting layer was deposited on the hole transport layer by a vacuum vapor deposition method to form a red light-emitting layer (first light-emitting layer) having an average thickness of 10 nm. As a constituent material of the red light emitting layer, a tetraaryldiindenoperylene derivative (RD-1) represented by Chemical Formula 1 was used as a red light emitting material (guest material), and rubrene (RB) was used as a host material. The content (dope concentration) of the light emitting material (dopant) in the red light emitting layer was 1.5 wt%.

<5> 次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ15nmの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、第1の材料として前記化5で表わされるα、α−MADN(アセン系材料)を用い、第2の材料として前述した化6で表されるα−NPD(アミン系材料)を用いた。また、中間層中における第1の材料の含有量は、50wt%とし、中間層中における第2の材料の含有量は、50wt%とした。   <5> Next, the constituent material of the intermediate layer was vapor-deposited on the red light emitting layer by a vacuum vapor deposition method to form an intermediate layer having an average thickness of 15 nm. As the constituent material of the intermediate layer, α, α-MADN (acene-based material) represented by the chemical formula 5 is used as the first material, and α-NPD (amine) represented by the chemical formula 6 described above as the second material. System material) was used. The content of the first material in the intermediate layer was 50 wt%, and the content of the second material in the intermediate layer was 50 wt%.

<6> 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの青色発光層(第2の発光層)を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料としてBD102(出光興産社製)を用い、ホスト材料として2−t−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(TBADN)を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、9.0wt%とした。   <6> Next, the constituent material of the blue light-emitting layer was deposited on the intermediate layer by a vacuum vapor deposition method to form a blue light-emitting layer (second light-emitting layer) having an average thickness of 10 nm. As a constituent material of the blue light emitting layer, BD102 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as the blue light emitting material, and 2-t-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (TBADN) was used as the host material. Further, the content (dope concentration) of the blue light emitting material (dopant) in the blue light emitting layer was 9.0 wt%.

<7> 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ30nmの緑色発光層(第3の発光層)を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料(ゲスト材料)としてキナクリドンを用い、ホスト材料としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、3.0wt%とした。
<8> 次に、緑色発光層上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ20nmの電子輸送層を形成した。
<7> Next, the constituent material of the green light emitting layer was deposited on the blue light emitting layer by a vacuum deposition method, thereby forming a green light emitting layer (third light emitting layer) having an average thickness of 30 nm. As a constituent material of the green light emitting layer, quinacridone was used as a green light emitting material (guest material), and tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) was used as a host material. Further, the content (dope concentration) of the green light emitting material (dopant) in the green light emitting layer was 3.0 wt%.
<8> Next, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) was formed on the green light-emitting layer by a vacuum deposition method, thereby forming an electron transport layer having an average thickness of 20 nm.

<9> 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ1nmの電子注入層を形成した。
<10> 次に、電子注入層上に、Alを真空蒸着法により成膜した。これにより、Alで構成される平均厚さ200nmの陰極を形成した。
<11> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図1に示すような発光素子を製造した。
<9> Next, on the electron transport layer, lithium fluoride (LiF) was formed by a vacuum vapor deposition method, thereby forming an electron injection layer having an average thickness of 1 nm.
<10> Next, Al was formed into a film by the vacuum evaporation method on the electron injection layer. Thereby, a cathode having an average thickness of 200 nm made of Al was formed.
<11> Next, a glass protective cover (sealing member) was placed over the formed layers, and fixed and sealed with an epoxy resin.
Through the above steps, a light emitting device as shown in FIG. 1 was manufactured.

(実施例2)
前述した化4で表されるTBADN(アセン系材料)を第1の材料として用いて中間層を形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(比較例)
前述した化4で表される2−メチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(MADN)を第1の材料として用いて中間層を形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(Example 2)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer was formed using TBADN (acene-based material) represented by Chemical Formula 4 as the first material.
(Comparative example)
Except that the intermediate layer was formed using 2-methyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (MADN) represented by Chemical Formula 4 as the first material, the same as in Example 1 described above. Thus, a light emitting device was manufactured.

2.放射輝度(発光効率)の評価
各実施例および比較例について、直流電源を用いて発光素子に18mA/cmの定電流を流し、輝度計を用いて放射輝度(初期の放射輝度)を測定した。なお、各実施例および比較例において、放射輝度をそれぞれ5個の発光素子について測定した。また、放射輝度としたのは、発光スペクトルの形状によらず、発光強度を評価するためである。
表1に、各実施例および比較例の赤色発光層、青色発光層のホスト材料、中間層の構成およびHOMO、LUMOのエネルギー準位、また、上記の放射輝度の評価の結果を示す。但し、表中のX1〜X3およびY1、Y2は、それぞれ、下記式によって求められる値である。
2. Evaluation of Radiance (Luminescence Efficiency) For each example and comparative example, a constant current of 18 mA / cm 2 was passed through the light emitting element using a DC power source, and the radiance (initial radiance) was measured using a luminance meter. . In each example and comparative example, radiance was measured for five light emitting elements. The radiance is used to evaluate the emission intensity regardless of the shape of the emission spectrum.
Table 1 shows the structure of the red light emitting layer, the blue light emitting layer, the intermediate layer, the energy levels of HOMO and LUMO, and the evaluation results of the radiance described above. However, X1 to X3 and Y1 and Y2 in the table are values obtained by the following formulas, respectively.

X1=|HL−HL|−|HL−HL
X2=|HL−HL
X3=|HL−HL
Y1=LL−LL
Y2=|LL−LL
X1 = | HL A -HL C |-| HL B -HL C |
X2 = | HL A -HL C |
X3 = | HL B −HL C |
Y1 = LL A -LL B
Y2 = | LL A −LL D |

Figure 2009295306
Figure 2009295306

表1から明らかなように、各実施例の発光素子は、基準となる比較例の発光素子に比して一定の電流下での放射輝度が高いものであった。すなわち、各実施例の発光素子は、発光効率優れているものであった。   As is clear from Table 1, the light emitting elements of the respective examples had higher radiance under a constant current than the light emitting elements of the comparative example serving as a reference. That is, the light emitting device of each example was excellent in luminous efficiency.

本発明の発光素子の好適な実施形態の縦断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the longitudinal cross-section of suitable embodiment of the light emitting element of this invention. 本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of the display apparatus to which the display apparatus of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which an electronic apparatus of the present invention is applied. 本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the digital still camera to which the electronic device of this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

1、1B、1G、1R……発光素子 2……基板 3……陽極 4……正孔注入層 5……正孔輸送層 6……赤色発光層(第1の発光層) 7……中間層 8……青色発光層(第2の発光層) 9……緑色発光層(第3の発光層) 10……電子輸送層 11……電子注入層 12……陰極 13……封止部材 15……積層体 19B、19G、19R……カラーフィルタ 100……ディスプレイ装置 100B、100G、100R……サブ画素 20……封止基板 21……基板 22……平坦化層 24……駆動用トランジスタ 241……半導体層 242……ゲート絶縁層 243……ゲート電極 244……ソース電極 245……ドレイン電極 27……配線 31……隔壁 32……反射膜 33……腐食防止膜 34……陰極カバー 35……エポキシ層 36……遮光層 1100……パーソナルコンピュータ 1102……キーボード 1104……本体部 1106……表示ユニット 1200……携帯電話機 1202……操作ボタン 1204……受話口 1206……送話口 1300……ディジタルスチルカメラ 1302……ケース(ボディー) 1304……受光ユニット 1306……シャッタボタン 1308……回路基板 1312……ビデオ信号出力端子 1314……データ通信用の入出力端子 1430……テレビモニタ 1440……パーソナルコンピュータ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1B, 1G, 1R ... Light emitting element 2 ... Substrate 3 ... Anode 4 ... Hole injection layer 5 ... Hole transport layer 6 ... Red light emitting layer (1st light emitting layer) 7 ... Middle Layer 8: Blue light emitting layer (second light emitting layer) 9 ... Green light emitting layer (third light emitting layer) 10 ... Electron transport layer 11 ... Electron injection layer 12 ... Cathode 13 ... Sealing member 15 ...... Stacked body 19B, 19G, 19R ... Color filter 100 ... Display device 100B, 100G, 100R ... Subpixel 20 ... Sealing substrate 21 ... Substrate 22 ... Planarization layer 24 ... Driving transistor 241 ... Semiconductor layer 242 ... Gate insulating layer 243 ... Gate electrode 244 ... Source electrode 245 ... Drain electrode 27 ... Wiring 31 ... Partition 32 ... Reflective film 33 ... Corrosion prevention film 34 ... Cathode cover 3 …… Epoxy layer 36 ...... Light-shielding layer 1100 …… Personal computer 1102 …… Keyboard 1104 ...... Main body 1106 ...... Display unit 1200 …… Cellular phone 1202 …… Operation buttons 1204 …… Earpiece 1206 …… Speaker 1300 …… Digital still camera 1302 …… Case (body) 1304 …… Light receiving unit 1306 …… Shutter button 1308 …… Circuit board 1312 …… Video signal output terminal 1314 …… I / O terminal for data communication 1430 …… TV monitor 1440 ……Personal computer

Claims (15)

陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、第1の色に発光する第1の発光層と、
前記第1の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色とは異なる第2の色に発光する第2の発光層と、
前記第1の発光層と前記第2の発光層との層間にこれらに接するように設けられ、第1の材料と前記第1の材料よりも正孔移動度の高い第2の材料とを含んで構成された中間層とを有し、
前記第1の発光層は、前記第1の色に発光する第1の発光材料と、第1の発光材料をゲスト材料として担持する第1のホスト材料とを有し、
前記第1の材料の最高占有分子軌道のエネルギー準位をHL[eV]、前記第2の材料の最高占有分子軌道のエネルギー準位をHL[eV]、前記第1のホスト材料の最高占有分子軌道のエネルギー準位をHL[eV]としたとき、次式(1)および次式(2)を満足することを特徴とする発光素子。
|HL−HL|<|HL−HL| ・・・ (1)
|HL−HL|≧0.3[eV] ・・・ (2)
A cathode,
The anode,
A first light-emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light in a first color;
A second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and emitting light in a second color different from the first color;
A first material and a second material having a hole mobility higher than that of the first material, provided between the first light emitting layer and the second light emitting layer so as to be in contact therewith; And an intermediate layer composed of
The first light-emitting layer includes a first light-emitting material that emits light in the first color, and a first host material that supports the first light-emitting material as a guest material,
The energy level of the highest occupied molecular orbital of the first material is HL A [eV], the energy level of the highest occupied molecular orbital of the second material is HL B [eV], and the highest energy level of the first host material is A light emitting element characterized by satisfying the following expressions (1) and (2) when the energy level of the occupied molecular orbital is HL C [eV].
| HL B -HL C | <| HL A -HL C | (1)
| HL A -HL C | ≧ 0.3 [eV] (2)
前記第2の材料と前記第1のホスト材料とは、次式(3)の関係を満足する請求項1に記載の発光素子。
|HL−HL|≦0.2[eV] ・・・ (3)
2. The light-emitting element according to claim 1, wherein the second material and the first host material satisfy a relationship of the following formula (3).
| HL B -HL C | ≦ 0.2 [eV] (3)
前記第1の材料は、前記第2の材料よりも電子移動度の高いものである請求項1または2に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the first material has a higher electron mobility than the second material. 前記第2の色の光は、前記第1の色の光よりも、その波長が短いものである請求項1ないし3のいずれかに記載の発光素子。   4. The light emitting device according to claim 1, wherein the light of the second color has a shorter wavelength than the light of the first color. 5. 前記第1の材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]、前記第2の材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]としたとき、次式(4)を満足する請求項1ないし4のいずれかに記載の発光素子。
LL−LL≧0.4[eV] ・・・ (4)
When the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the first material is LL A [eV] and the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the second material is LL B [eV], the following formula ( The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, which satisfies 4).
LL A −LL B ≧ 0.4 [eV] (4)
前記第2の発光層は、前記第2の色に発光する第2の発光材料と、該第2の発光材料を担持する第2のホスト材料とを有し、
前記第1の材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]、前記第2のホスト材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位をLL[eV]としたとき、次式(5)を満足する請求項1ないし5のいずれかに記載の発光素子。
|LL−LL|≦0.2[eV] ・・・ (5)
The second light-emitting layer includes a second light-emitting material that emits light in the second color, and a second host material that carries the second light-emitting material,
When the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the first material is LL A [eV] and the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the second host material is LL D [eV], The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, which satisfies (5).
| LL A −LL D | ≦ 0.2 [eV] (5)
前記中間層中における第1の材料の含有量をA[wt%]とし、前記中間層中における第2の材料の含有量をB[wt%]としたときに、B/(A+B)は、0.1〜0.9である請求項1ないし6のいずれかに記載の発光素子。   When the content of the first material in the intermediate layer is A [wt%] and the content of the second material in the intermediate layer is B [wt%], B / (A + B) is The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, which is 0.1 to 0.9. 前記第1の材料は、アセン系材料である請求項1ないし7のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first material is an acene-based material. 前記第2の材料は、アミン系材料である請求項1ないし8のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 1, wherein the second material is an amine material. 前記中間層の平均厚さは、1〜100nmである請求項1ないし9のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 1, wherein the intermediate layer has an average thickness of 1 to 100 nm. 前記第1の発光層は、前記第1の色として赤色に発光する赤色発光層である請求項1ないし10のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 10, wherein the first light emitting layer is a red light emitting layer that emits red light as the first color. 前記第2の発光層は、前記第2の色として青色に発光する青色発光層である請求項1ないし11のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 1, wherein the second light emitting layer is a blue light emitting layer that emits blue light as the second color. 前記第1の発光層と前記陽極との間、または、前記第2の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色および前記第2の色とは異なる第3の色に発光する第3の発光層を有する請求項1ないし12のいずれかに記載の発光素子。   A third color different from the first color and the second color is provided between the first light emitting layer and the anode or between the second light emitting layer and the cathode. The light-emitting element according to claim 1, further comprising a third light-emitting layer that emits light. 請求項1ないし13のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする表示装置。   A display device comprising the light-emitting element according to claim 1. 請求項14に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the display device according to claim 14.
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