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JP2009298915A - Method for bonding and bonded body - Google Patents

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JP2009298915A JP2008154712A JP2008154712A JP2009298915A JP 2009298915 A JP2009298915 A JP 2009298915A JP 2008154712 A JP2008154712 A JP 2008154712A JP 2008154712 A JP2008154712 A JP 2008154712A JP 2009298915 A JP2009298915 A JP 2009298915A
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conductive
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Seiko Epson Corp
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  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
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Abstract

【課題】2つの基材を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、さらに各基材に設けられた導電部同士を電気的に接続することができる接合方法、および、かかる接合方法により、2つの基材間を電気的に接続しつつ接合してなる接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、配線パターン212が設けられた基材21と、配線パターン222が設けられた基材22とを用意する工程と、基材21に、シリコーン材料と導電性粒子32を含有する液状被膜31を形成する工程と、液状被膜31を介して基材21と基材22とを重ね合わせて仮接合体5とする工程と、導電性粒子32を電気泳動させ、各配線パターン212、222間に偏在させる工程と、液状被膜31を乾燥して、接合膜3を得る工程と、接合膜3にエネルギーを付与することにより、接合膜3に接着性を発現させ、基材21と基材22とを接合して接合体1を得る工程とを有する。
【選択図】図2
A joining method capable of joining two substrates firmly with high dimensional accuracy and efficiently at low temperature, and further electrically connecting conductive portions provided on each substrate, and To provide a joined body obtained by joining the two base materials while electrically connecting the two base materials by such a joining method.
A bonding method according to the present invention includes a step of preparing a base material 21 provided with a wiring pattern 212 and a base material 22 provided with a wiring pattern 222; A step of forming the liquid coating 31 containing the particles 32, a step of superimposing the base material 21 and the base material 22 through the liquid coating 31 to form the temporary joined body 5, and electrophoresis of the conductive particles 32. A step of unevenly distributing between the wiring patterns 212 and 222, a step of drying the liquid coating 31 to obtain the bonding film 3, and applying energy to the bonding film 3, thereby causing the bonding film 3 to exhibit adhesiveness. And joining the base material 21 and the base material 22 to obtain the joined body 1.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、接合方法および接合体に関するものである。   The present invention relates to a joining method and a joined body.

各種電子機器における実装工程において、電子部品の電極と配線パターンとを接続する接続材には、従来、はんだが広く用いられている。しかし、はんだは、実装温度、実装電極ピッチ、取り付け高さ等に制約があり、高密度実装に対しては不利である。
一方、熱硬化性樹脂中に導電性粒子を分散させた異方導電性接着剤組成物が提案されている(例えば、特許文献1参照)。異方導電性接着剤組成物は、はんだに比べて接続に要する処理温度が低いため、接続に際して電子部品の熱劣化を抑えることができる。また、異方導電性接着剤組成物は、圧縮したときに厚さ方向にのみ導電性が発現し、面方向では絶縁性が保持されることから、例えば、狭ピッチで並設された複数の電極同士を一括して接続する場合、対向する電極同士を電気的に接続する一方、隣接する電極同士を絶縁することができる。また、接着する電極の一方にあらかじめこのような異方導電性接着剤組成物を塗布しておくことにより、厳密な位置合わせをすることなく、対向する電極に対して接着することができる。したがって、電極ピッチを比較的狭く設定することが可能になる。さらに、複数の電極間を一括して接続することが容易であり、はんだに比べて厚さを薄く抑えることもできる。これらのことから、異方導電性接着剤組成物は、高密度実装に適する接続材として注目されている。
Conventionally, solder is widely used as a connecting material for connecting electrodes of electronic components and wiring patterns in mounting processes in various electronic devices. However, solder is disadvantageous for high-density mounting because of limitations in mounting temperature, mounting electrode pitch, mounting height, and the like.
On the other hand, an anisotropic conductive adhesive composition in which conductive particles are dispersed in a thermosetting resin has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Since the anisotropic conductive adhesive composition has a lower processing temperature required for connection than solder, thermal degradation of electronic components can be suppressed during connection. In addition, the anisotropic conductive adhesive composition exhibits conductivity only in the thickness direction when compressed, and retains insulation in the surface direction. For example, the anisotropic conductive adhesive composition has a plurality of parallel arrangements at a narrow pitch. When electrodes are connected together, adjacent electrodes can be electrically connected while adjacent electrodes can be insulated. Further, by applying such an anisotropic conductive adhesive composition in advance to one of the electrodes to be bonded, it is possible to bond to the opposing electrode without strict alignment. Therefore, the electrode pitch can be set relatively narrow. Further, it is easy to connect a plurality of electrodes together, and the thickness can be reduced compared to solder. For these reasons, the anisotropic conductive adhesive composition has attracted attention as a connection material suitable for high-density mounting.

また、この異方導電性接着剤組成物を剥離フィルム上に塗布してなる異方導電性フィルムも用いられている。
ところが、このような異方導電性接着剤組成物では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
・有機溶剤に対する耐久性が低い
これらの問題は、いずれも異方導電性接着剤組成物に含まれる熱硬化性樹脂の材料そのものの特性に起因したものであるため、解決するのは容易ではない。
An anisotropic conductive film obtained by applying this anisotropic conductive adhesive composition on a release film is also used.
However, such an anisotropic conductive adhesive composition has the following problems.
・ Low adhesive strength ・ Long curing time required a long time to bond ・ Low durability against organic solvents These problems are all related to thermosetting resin materials contained in anisotropic conductive adhesive compositions It is not easy to solve because it is due to its own characteristics.

特開平7−268303号公報JP 7-268303 A

本発明の目的は、2つの基材を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、さらに各基材に設けられた導電部同士を電気的に接続することができる接合方法、および、かかる接合方法により、2つの基材間を電気的に接続しつつ接合してなる接合体を提供することにある。   The object of the present invention is to join two substrates firmly with high dimensional accuracy and efficiently at low temperature, and further to electrically connect the conductive parts provided on each substrate. And, it is to provide a joined body formed by joining the two base materials while being electrically connected by the joining method.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、接合膜を介して接合される基材として、表面に第1の導電部を有する第1の基材と表面に第2の導電部を有する第2の基材とを用意する第1の工程と、
前記第1の基材および第2の基材の少なくとも一方の表面上に、シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成する第2の工程と、
前記液状被膜に電界および磁界の少なくとも一方を付与することにより、前記導電性粒子を泳動させ、該導電性粒子を前記液状被膜中の前記第1の導電部と前記第2の導電部との間の領域に偏在させる第3の工程と、
前記液状被膜を乾燥して、前記接合膜を得る第4の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜に接着性を発現させ、前記接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とが接合された接合体を得るとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第1の導電部と前記第2の導電部との間を電気的に接続する第5の工程とを有することを特徴とする。
これにより、2つの基材を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、さらに2つの基材間を電気的に接続することができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
In the bonding method of the present invention, a first base material having a first conductive portion on the surface and a second base material having a second conductive portion on the surface are bonded as base materials to be bonded via a bonding film. A first step to be prepared;
A second step of forming a liquid film by supplying a liquid material containing a silicone material and conductive particles on the surface of at least one of the first substrate and the second substrate;
By applying at least one of an electric field and a magnetic field to the liquid coating, the conductive particles are migrated, and the conductive particles are placed between the first conductive portion and the second conductive portion in the liquid coating. A third step of uneven distribution in the region of
A fourth step of drying the liquid film to obtain the bonding film;
By giving energy to the bonding film, the bonding film is made to exhibit adhesiveness, and a bonded body in which the first base material and the second base material are bonded via the bonding film is obtained. And a fifth step of electrically connecting the first conductive portion and the second conductive portion via the conductive particles in the bonding film.
Thereby, two base materials can be joined firmly with high dimensional accuracy and efficiently at a low temperature, and the two base materials can be electrically connected.

本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されることが好ましい。
かかる化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、かかる化合物を含有する接合膜にエネルギーを付与することにより、化合物を構成するメチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜に確実に接着性を発現させることができるため、シリコーン材料として好適に用いられる。
In the bonding method of the present invention, it is preferable that the main skeleton of the silicone material is composed of polydimethylsiloxane.
Such a compound is relatively easily available and inexpensive, and by applying energy to a bonding film containing such a compound, the methyl group constituting the compound is easily cleaved, resulting in bonding. Since the film can surely exhibit adhesiveness, it is suitably used as a silicone material.

本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、シラノール基を有することが好ましい。
これにより、液状材料を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
本発明の接合方法では、前記接合膜に前記エネルギーを付与して、前記接合膜に接着性を発現させた後、前記接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを重ね合わせることにより、前記接合体を得ることが好ましい。
これにより、固体状の接合膜を介して第1の基材と第2の基材とを重ね合わせる作業を行えばよいので、液状被膜の液ダレや付着等の不具合を確実に防止することができる。
In the bonding method of the present invention, the silicone material preferably has a silanol group.
As a result, when the liquid material is dried to obtain a bonding film, the hydroxyl groups of the adjacent silicone materials are bonded to each other, and the film strength of the obtained bonding film is excellent.
In the bonding method of the present invention, the energy is applied to the bonding film to cause the bonding film to exhibit adhesiveness, and then the first base material and the second base material are interposed through the bonding film. It is preferable to obtain the joined body by superimposing.
Thereby, since it is sufficient to perform the operation of superimposing the first base material and the second base material through the solid bonding film, it is possible to reliably prevent problems such as liquid dripping and adhesion of the liquid film. it can.

本発明の接合方法では、前記接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを重ね合わせた後、前記接合膜に前記エネルギーを付与することにより、前記接合膜を得ることが好ましい。
第1の基材と第2の基材とを重ね合わせただけの仮接合体の状態では、第1の基材と第2の基材とは接合されていないので、互いの位置を容易に調整することができる。したがって、一旦、第1の基材と第2の基材とを重ね合わせた後、これらの相対的な位置をずらして微調整することができ、最終的に得られる接合体の寸法精度をより高めることができる。
In the bonding method of the present invention, the first base material and the second base material are overlapped via the bonding film, and then the energy is applied to the bonding film to obtain the bonding film. It is preferable.
Since the first base material and the second base material are not joined in the state of the temporary joined body in which the first base material and the second base material are simply overlapped, the positions of the first base material and the second base material can be easily set. Can be adjusted. Therefore, once the first base material and the second base material are overlapped, the relative position of these can be shifted and finely adjusted, and the dimensional accuracy of the finally obtained joined body can be further increased. Can be increased.

本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、帯電しており、
前記第3の工程において、前記液状被膜に電界を付与することにより、前記導電性粒子を電気泳動させることが好ましい。
これにより、電気泳動現象を利用して、導電性粒子を所定の領域(第1の導電部と第2の導電部との間)に偏在させることができる。
In the bonding method of the present invention, the conductive particles are charged,
In the third step, the conductive particles are preferably electrophoresed by applying an electric field to the liquid film.
Thereby, electrophoretic phenomenon can be utilized to make the conductive particles unevenly distributed in a predetermined region (between the first conductive portion and the second conductive portion).

本発明の接合方法では、前記第3の工程において、前記第1の導電部と前記第2の導電部との間に電圧を印加することにより、前記導電性粒子を、前記第1の導電部と前記第2の導電部との間に偏在させることが好ましい。
これにより、電界を発生させるための電極を別途設ける必要がなく、導電性粒子の偏在を容易に行うことができる。
In the bonding method of the present invention, in the third step, a voltage is applied between the first conductive portion and the second conductive portion, whereby the conductive particles are bonded to the first conductive portion. And the second conductive part are preferably unevenly distributed.
Thereby, it is not necessary to separately provide an electrode for generating an electric field, and the uneven distribution of conductive particles can be easily performed.

本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する金属膜とを有するものであることが好ましい。
これにより、基材粒子の構成材料や導電膜の構成材料を適宜選択することにより、導電性粒子の形状、大きさ(平均粒径等)、物性(導電性、密度等)等の調整が容易となる。
本発明の接合方法では、前記導電膜は、Ni、CuまたはAuを主材料として構成されていることが好ましい。
これらの導電性材料は、導電性に優れているため、導電性の高い導電性粒子が得られ、第1の導電部と第2の導電部との間の導電性を高めることができる。
In the bonding method of the present invention, the conductive particles preferably include base particles and a metal film that covers the surface of the base particles.
This makes it easy to adjust the shape, size (average particle size, etc.) and physical properties (conductivity, density, etc.) of the conductive particles by appropriately selecting the constituent material of the base particles and the constituent material of the conductive film. It becomes.
In the bonding method of the present invention, it is preferable that the conductive film is composed mainly of Ni, Cu or Au.
Since these conductive materials are excellent in conductivity, highly conductive particles can be obtained, and the conductivity between the first conductive portion and the second conductive portion can be increased.

本発明の接合方法では、前記基材粒子は、樹脂材料で構成されていることが好ましい。
樹脂材料は一般にシリコーン材料の比重に近いため、導電性粒子は液状材料中において沈降したり浮上したりし難くなる。すなわち、液状材料中に均一に分散し得る導電性粒子を得ることができる。また、樹脂材料の比重は比較的小さいので、速やかな泳動が可能な導電性粒子が得られる。
In the bonding method of the present invention, it is preferable that the base particles are made of a resin material.
Since the resin material is generally close to the specific gravity of the silicone material, the conductive particles are unlikely to settle or float in the liquid material. That is, conductive particles that can be uniformly dispersed in a liquid material can be obtained. Moreover, since the specific gravity of the resin material is relatively small, conductive particles capable of rapid migration can be obtained.

本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、強磁性材料で構成されており、
前記第3の工程において、前記液状被膜に磁界を付与することにより、前記導電性粒子を磁気泳動させることが好ましい。
これにより、導電性粒子は、磁界の作用で磁化し、それ自体が磁石となる。その結果、複数の導電性粒子が磁界に沿って配列することができ、配列した複数の導電性粒子を導電性の高い配線として機能させることができる。
In the bonding method of the present invention, the conductive particles are made of a ferromagnetic material,
In the third step, the conductive particles are preferably subjected to magnetophoresis by applying a magnetic field to the liquid coating.
Thereby, electroconductive particle is magnetized by the effect | action of a magnetic field, and becomes a magnet itself. As a result, the plurality of conductive particles can be arranged along the magnetic field, and the arranged plurality of conductive particles can function as a highly conductive wiring.

本発明の接合方法では、前記強磁性材料は、Fe、CoまたはNiを含むことが好ましい。
このような強磁性材料は、導電性も高いため、最終的に導電性の高い接合膜が得られる。
本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、弾力性を有していることが好ましい。
これにより、圧縮力を付与することにより、容易に扁平状に変形し得る導電性粒子が得られる。したがって、導電性粒子として柔軟な粒子を用いることにより、第1の導電部と第2の導電部との間で導電性粒子が容易に扁平になるため、第1の導電部および第2の導電部に対する導電性粒子の接触面積を広くすることができる。その結果、接合体において、各導電部間の導電性をより高めることができる。また、導電性粒子が柔軟性を有することにより、導電性粒子の粒径が不均一であっても、導電性粒子が変形することによって粒径のバラツキを補完することができる。さらに、各導電部の表面に凹凸がある場合でも、導電性粒子が変形することによって、各導電部と各導電性粒子とを確実に接触させることができる。
In the bonding method of the present invention, the ferromagnetic material preferably contains Fe, Co, or Ni.
Since such a ferromagnetic material has high conductivity, a highly conductive bonding film is finally obtained.
In the bonding method of the present invention, it is preferable that the conductive particles have elasticity.
Thereby, the electroconductive particle which can be deform | transformed into a flat shape easily by giving a compressive force is obtained. Therefore, by using flexible particles as the conductive particles, the conductive particles are easily flattened between the first conductive portion and the second conductive portion, so that the first conductive portion and the second conductive portion The contact area of the conductive particles with respect to the portion can be increased. As a result, in the joined body, the conductivity between the conductive parts can be further increased. Further, since the conductive particles have flexibility, even when the particle diameter of the conductive particles is not uniform, the variation in the particle diameter can be compensated for by the deformation of the conductive particles. Furthermore, even when the surface of each conductive portion is uneven, the conductive particles can be reliably brought into contact with each other by deformation of the conductive particles.

本発明の接合方法では、前記導電性粒子の平均粒径は、0.5〜100μmであることが好ましい。
これにより、液状材料中において導電性粒子の凝集を防止することができる。また、導電性粒子の平均粒径が大き過ぎて、液状被膜中で導電性粒子同士や導電性粒子と各基材とが接触する確率が高くなるのを防止することができる。
In the bonding method of the present invention, the conductive particles preferably have an average particle size of 0.5 to 100 μm.
Thereby, aggregation of conductive particles can be prevented in the liquid material. Moreover, it can prevent that the average particle diameter of electroconductive particle is too large, and the probability that electroconductive particles and electroconductive particle and each base material will contact in a liquid film will become high.

本発明の接合方法では、前記接合膜中における前記導電性粒子の含有量は、1〜50質量%であることが好ましい。
これにより、第1の導電部と第2の導電部との間を導電性粒子で埋めることが困難になり、これらの間の導電性が低下するのを防止する一方、液状被膜に意図しない導電性が発現してしまい、異方導電性が損なわれるのを防止することができる。
In the bonding method of the present invention, the content of the conductive particles in the bonding film is preferably 1 to 50% by mass.
This makes it difficult to fill the gap between the first conductive portion and the second conductive portion with the conductive particles, and prevents the conductivity between them from decreasing, while preventing the liquid film from being unintentionally conductive. It is possible to prevent the anisotropic conductivity from being impaired.

本発明の接合方法では、前記第1の基材は、第1の絶縁性基板と、前記第1の導電部として、該第1の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第1の導電膜とを有しており、
前記第2の基材は、第2の絶縁性基板と、前記第2の導電部として、該第2の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第2の導電膜とを有しており、
前記接合膜を介して、前記第1の基材と前記第2の基材とを接合するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間を選択的に電気的に接続することが好ましい。
これにより、第1の基材と第2の基材とを重ね合わせてなる仮接合体において、第1の絶縁性基板と第2の絶縁性基板との離間距離は、第1の導電部と第2の導電部との離間距離よりも大きくなっている。したがって、仮接合体において、導電性粒子は第1の絶縁性基板および第2の絶縁性基板に接触する確率が特に低くなる。このため、第1の絶縁性基板と第2の絶縁性基板との間は、絶縁状態となる。以上のことから、液状被膜または接合膜は、厚さ方向では導電性を有し、面方向では絶縁性を有するもの、いわゆる異方導電性を有するものとなる。
In the bonding method of the present invention, the first base material protrudes from a surface located on the bonding film side of the first insulating substrate as the first insulating substrate and the first conductive portion. A first conductive film provided as follows:
The second base is provided as a second insulating substrate and a second conductive portion that protrudes from a surface located on the bonding film side of the second insulating substrate. And a conductive film of
The first base material and the second base material are joined through the joint film, and the first conductive film and the second base material are joined through the conductive particles in the joint film. It is preferable to selectively electrically connect the conductive film.
Thereby, in the temporary joined body formed by superimposing the first base material and the second base material, the separation distance between the first insulating substrate and the second insulating substrate is the same as the first conductive portion. It is larger than the distance from the second conductive portion. Therefore, in the temporary joined body, the probability that the conductive particles are in contact with the first insulating substrate and the second insulating substrate is particularly low. For this reason, it will be in an insulation state between the 1st insulating substrate and the 2nd insulating substrate. From the above, the liquid film or the bonding film has conductivity in the thickness direction and has insulation in the surface direction, that is, has so-called anisotropic conductivity.

本発明の接合方法では、前記接合膜中の前記導電性粒子は、前記第1の導電膜および前記第2の導電膜のうち、互いに対向している領域同士を選択的に電気的に接続することが好ましい。
これにより、第1の導電膜と第2の導電膜との間で、互いに対向する領域のみが導通し、それ以外の領域を絶縁することができる。その結果、例えば、同じパターンの電極同士を接続する場合に、対向する電極同士を接続するとともに、対向していない電極同士を絶縁することができるので、回路形成を簡単に行うことができる。
In the bonding method of the present invention, the conductive particles in the bonding film selectively electrically connect regions facing each other in the first conductive film and the second conductive film. It is preferable.
Thereby, only the area | region which mutually opposes between the 1st electrically conductive film and the 2nd electrically conductive film can conduct | electrically_connect, and an area | region other than that can be insulated. As a result, for example, when electrodes having the same pattern are connected to each other, the electrodes facing each other can be connected and the electrodes not facing each other can be insulated, so that circuit formation can be easily performed.

本発明の接合方法では、前記第5の工程における前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも1つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜の表面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜中の分子構造を必要以上に切断しないので、接合膜の特性が低下してしまうのを避けることができる。
In the bonding method of the present invention, the application of the energy in the fifth step includes a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying a compressive force to the bonding film. It is preferable to carry out by at least one of these methods.
Thereby, the surface of the bonding film can be activated efficiently. In addition, since the molecular structure in the bonding film is not cut more than necessary, it is possible to avoid deterioration of the characteristics of the bonding film.

本発明の接合方法では、前記エネルギー線は、波長126〜300nmの紫外線であることが好ましい。
エネルギー線として前記範囲内の紫外線を用いることにより、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜から表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を確実に発現させることができる。
In the bonding method of the present invention, the energy beam is preferably ultraviolet light having a wavelength of 126 to 300 nm.
By using ultraviolet rays within the above range as energy rays, the amount of energy applied is optimized, so that the molecular bond forming the skeleton in the bonding film is prevented from being destroyed more than necessary, and from the bonding film. Molecular bonds near the surface can be selectively broken. Thereby, adhesiveness can be reliably expressed in the bonding film while preventing deterioration of the characteristics of the bonding film.

本発明の接合方法では、前記加熱の温度は、25〜100℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記圧縮力は、0.2〜10MPaであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて各基材に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合体の接合強度を確実に高めることができる。
In the bonding method of the present invention, the heating temperature is preferably 25 to 100 ° C.
Thereby, it is possible to reliably increase the bonding strength while reliably preventing the bonded body from being deteriorated and deteriorated by heat.
In the joining method of the present invention, the compressive force is preferably 0.2 to 10 MPa.
Accordingly, it is possible to reliably increase the bonding strength of the bonded body while preventing the substrate from being damaged due to the pressure being too high.

本発明の接合方法では、前記第5の工程における前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の接合方法では、前記接合膜の平均厚さは、100nm〜100μmであることが好ましい。
これにより、接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第1の基材と第2の基材とをより強固に接合することができる。
In the bonding method of the present invention, it is preferable that the application of energy in the fifth step is performed in an air atmosphere.
Thereby, it is not necessary to spend time and cost to control the atmosphere, and energy can be applied more easily.
In the bonding method of the present invention, the average thickness of the bonding film is preferably 100 nm to 100 μm.
Thereby, the 1st base material and the 2nd base material can be joined more firmly, preventing the dimensional accuracy of a joined object falling remarkably.

本発明の接合方法では、前記第2の工程において、前記第1の基材および前記第2の基材の双方の表面上に、前記液状被膜を形成し、
前記第5の工程において、前記液状被膜同士が密着するように、前記第1の基材と前記第2の基材とを重ね合わせることが好ましい。
これにより、第1の基材と第2の基材との間をより強固に接合することができる。
In the bonding method of the present invention, in the second step, the liquid film is formed on the surfaces of both the first base material and the second base material,
In the fifth step, it is preferable that the first base material and the second base material are overlapped so that the liquid coatings are in close contact with each other.
Thereby, between the 1st substrate and the 2nd substrate can be joined more firmly.

本発明の接合方法では、前記第5の工程の後に、さらに、前記接合体に対して、前記第1の基材と前記第2の基材との接合強度を高める処理を行う工程を有することが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明の接合方法では、前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも1つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
In the joining method of this invention, it has the process of performing the process which raises the joint strength of a said 1st base material and a said 2nd base material with respect to the said conjugate | zygote further after the said 5th process. Is preferred.
Thereby, the joint strength of the joined body can be further improved.
In the bonding method of the present invention, the step of increasing the bonding strength includes a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying compressive force to the bonding film. It is preferable to carry out by at least one method.
Thereby, the further improvement of the joining strength of a joined body can be aimed at easily.

本発明の接合体は、前記第1の基材および前記第2の基材は、互いに対向する面に、それぞれ導電部を有しており、
前記第1の基材と前記第2の基材との間が、請求項1ないし26のいずれかに記載の接合方法により接合されてなり、かつ、前記各導電部間が電気的に接続されてなることを特徴とする。
これにより、2つの基材間を電気的に接続しつつ接合してなる接合体が得られる。
In the joined body of the present invention, the first base material and the second base material each have a conductive portion on a surface facing each other,
The first base material and the second base material are joined by the joining method according to any one of claims 1 to 26, and the conductive portions are electrically connected. It is characterized by.
Thereby, the joined body formed by joining while electrically connecting two base materials is obtained.

以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の接合方法は、2つの基材(第1の基材21および第2の基材22)間を、接合膜3、3’を介して接合し、かつ、電気的に接続する方法である。
この接合膜3、3’は、シリコーン材料中に導電性粒子が分散してなる複合物を主材料とする被膜であり、エネルギーを付与することにより、その表面のエネルギーを付与した領域に、接着性が発現するという特徴を有するものである。
このような特徴を有する接合膜3、3’によれば、2つの基材21、22を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、かつ、電気的に接続することが可能である。そして、本発明によれば、2つの基材21、22が強固に接合し、かつ、電気的に接続してなる信頼性の高い接合体1が得られる。
Hereinafter, a joining method and a joined object of the present invention are explained in detail based on a suitable embodiment shown in an accompanying drawing.
The joining method of the present invention is a method of joining and electrically connecting two base materials (first base material 21 and second base material 22) via bonding films 3, 3 ′. is there.
The bonding films 3 and 3 ′ are films mainly composed of a composite in which conductive particles are dispersed in a silicone material. By applying energy, the bonding films 3 and 3 ′ are bonded to a region to which surface energy is applied. It has the characteristic that sex is expressed.
According to the bonding films 3 and 3 ′ having such characteristics, the two base materials 21 and 22 can be bonded with high dimensional accuracy firmly and efficiently at a low temperature, and can be electrically connected. Is possible. And according to this invention, the two base materials 21 and 22 are joined firmly, and the joining body 1 with high reliability formed by electrically connecting is obtained.

<接合方法>
≪第1実施形態≫
まず、本発明の接合方法および本発明の接合体の各第1実施形態について説明する。
図1および図2は、本発明の接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図1および図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Join method>
<< First Embodiment >>
First, the first embodiment of the bonding method of the present invention and the bonded body of the present invention will be described.
1 and 2 are views (longitudinal sectional views) for explaining a first embodiment of the joining method of the present invention. In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

本実施形態にかかる接合方法は、第1の基材21と第2の基材22とを用意する工程と、第1の基材21上の接合膜形成領域41に、シリコーン材料中に導電性粒子32が分散してなる液状材料30を供給し、液状被膜31を形成する工程と、液状被膜31を介して第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせて仮接合体5とする工程と、液状被膜31に電界を付与することにより、導電性粒子32を泳動させ、導電性粒子32を所定の領域に偏在させる工程と、仮接合体5中の液状被膜31を乾燥して、接合膜3を得る工程と、接合膜3にエネルギーを付与することにより、接合膜3の表面および裏面付近に接着性を発現させ、第1の基材21と第2の基材22とを接合して接合体1を得る工程とを有する。
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
In the bonding method according to the present embodiment, the first base material 21 and the second base material 22 are prepared, and the bonding film forming region 41 on the first base material 21 is electrically conductive in the silicone material. A process of forming a liquid coating 31 by supplying a liquid material 30 in which particles 32 are dispersed, and a first substrate 21 and a second substrate 22 are overlapped with each other via the liquid coating 31 to temporarily bond the bonded body. 5, the step of causing the conductive particles 32 to migrate by applying an electric field to the liquid coating 31, the conductive particles 32 being unevenly distributed in a predetermined region, and the drying of the liquid coating 31 in the temporary joined body 5. Then, the step of obtaining the bonding film 3 and the application of energy to the bonding film 3 cause the adhesiveness to develop near the front surface and the back surface of the bonding film 3. To obtain a joined body 1.
Hereinafter, each process of the joining method concerning this embodiment is demonstrated one by one.

[1]まず、第1の基材21と第2の基材22とを用意する。
本発明の接合方法により接合される第1の基材21および第2の基材22は、それぞれ、いかなる材料で構成されたものでもよいが、本実施形態では、図1(a)に示すように、第1の基材21が、絶縁性基板211(第1の絶縁性基板)とその表面上の一部に設けられた3つの導電膜212a(第1の導電膜)とにより構成されており、また、第2の基材22が、絶縁性基板221(第2の絶縁性基板)とその表面上の一部に設けられた3つの導電膜222a(第2の導電膜)とにより構成されている。なお、各導電膜212aおよび各導電膜222aは、導電性を有しており、それぞれの導電膜212aおよびそれぞれの導電膜222aは互いに離間して設けられている。
[1] First, a first base material 21 and a second base material 22 are prepared.
The first base material 21 and the second base material 22 to be joined by the joining method of the present invention may be composed of any material, but in this embodiment, as shown in FIG. In addition, the first base material 21 is composed of an insulating substrate 211 (first insulating substrate) and three conductive films 212a (first conductive films) provided on a part of the surface thereof. In addition, the second base material 22 includes an insulating substrate 221 (second insulating substrate) and three conductive films 222a (second conductive films) provided on a part of the surface thereof. Has been. Note that the conductive films 212a and the conductive films 222a have conductivity, and the conductive films 212a and the conductive films 222a are provided apart from each other.

また、3つの導電膜212aは、それぞれ帯状をなしており、帯状の導電膜212aがストライプ状に配設されていることにより第1の配線パターン212が構成されている。一方、3つの導電膜222aも、それぞれ帯状をなしており、帯状の導電膜222aがストライプ状に配設されていることにより第2の配線パターン222が構成されている。また、これらの第1の配線パターン212および第2の配線パターン222は、その寸法およびピッチがほぼ同じであり、後述する工程を経ることにより、各導電膜212aとその各々に対応する各導電膜222aとが接合膜を介して電気的に接続される。   Each of the three conductive films 212a has a strip shape, and the first wiring pattern 212 is configured by arranging the strip-shaped conductive films 212a in a stripe shape. On the other hand, each of the three conductive films 222a has a strip shape, and the second conductive pattern 222 is formed by arranging the strip-shaped conductive films 222a in a stripe shape. The first wiring pattern 212 and the second wiring pattern 222 have substantially the same size and pitch, and each conductive film 212a and each conductive film corresponding to the conductive film 212a are subjected to the processes described later. 222a is electrically connected through a bonding film.

各導電膜212aおよび各導電膜222aを構成する導電性材料としては、それぞれ、実質的に導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(p−フェニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリフルオレン、ポリカルバゾールまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル等のマトリックス樹脂中に、イオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム錫酸化物(ITO)、フッ素ドープした錫酸化物(FTO)、錫酸化物(SnO)、インジウム酸化物(IO)等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
その他、導電性材料としては、それぞれ、例えば、ガラス材料、ゴム材料、高分子材料等の導電性を有さない材料中に、金、銀、ニッケル、カーボン等の導電性材料(導電性粒子)を混合して、導電性を付加したような各種複合材料も使用することができる。
The conductive material constituting each conductive film 212a and each conductive film 222a is not particularly limited as long as it is substantially conductive. For example, copper, aluminum, nickel, cobalt, platinum, gold, Metal materials such as silver, molybdenum, tantalum or alloys containing them, carbon-based materials such as carbon black, carbon nanotubes, fullerene, polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, poly (p-phenylene), poly (p-phenylene vinylene) An ionic substance is dispersed in an electroconductive polymer material such as polyfluorene, polycarbazole or derivatives thereof, or a matrix resin such as polyvinyl alcohol, polycarbonate, polyethylene oxide, polyvinyl butyral, polyvinyl carbazole, or vinyl acetate. The ion conductive polymer material was indium tin oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), tin oxide (SnO 2), indium oxide (IO) as a conductive oxide material such as Various types of conductive materials can be used, and one or more of these can be used in combination.
In addition, as the conductive material, for example, a conductive material (conductive particles) such as gold, silver, nickel, and carbon in a non-conductive material such as a glass material, a rubber material, and a polymer material. It is also possible to use various composite materials that are mixed with each other to add conductivity.

また、絶縁性基板211および絶縁性基板221の構成材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルペンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、ガリウムヒ素のような金属系材料、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、またはこれらの各材料の1種または2種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。   The constituent materials of the insulating substrate 211 and the insulating substrate 221 are not particularly limited, but polyolefins such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), cyclic polyolefin, Modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide, polycarbonate, poly- (4-methylpentene-1), ionomer, acrylic resin, polymethyl methacrylate, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer Copolymer (ABS resin), acrylonitrile-styrene copolymer (AS resin), butadiene-styrene copolymer, polyoxymethylene, polyvinyl alcohol (PVA), ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate (PBT), polyester such as polycyclohexane terephthalate (PCT), polyether, polyether ketone (PEK), polyether ether ketone (PEEK), poly Ether imide, polyacetal (POM), polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polysulfone, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyarylate, aromatic polyester (liquid crystal polymer), polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluororesins, Styrene, polyolefin, polyvinyl chloride, polyurethane, polyester, polyamide, polybutadiene, Various thermoplastic elastomers such as polyisoprene, fluororubber, chlorinated polyethylene, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, aramid resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc. Copolymers, blends, resin materials such as polymer alloys, metal materials such as gallium arsenide, silicate glass (quartz glass), alkali silicate glass, soda lime glass, potash lime glass, lead (alkali) ) Glass materials such as glass, barium glass, borosilicate glass, ceramics such as alumina, zirconia, ferrite, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, titanium nitride, silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, tungsten carbide Material, or one of each of these materials The composite material etc. which combined seed | species or 2 or more types are mentioned.

また、半導体基材の構成材料としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのような元素半導体、ガリウムヒ素のような化合物半導体、またはこれらの各材料の1種または2種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの絶縁性基板211および絶縁性基板221は、それぞれ、その表面に、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
In addition, as a constituent material of the semiconductor substrate, an elemental semiconductor such as single crystal silicon, polycrystalline silicon, and amorphous silicon, a compound semiconductor such as gallium arsenide, or one or more of these materials may be used. The composite material etc. which were combined are mentioned.
Each of these insulating substrate 211 and insulating substrate 221 may have its surface subjected to passivation treatment such as chromate treatment or nitriding treatment.

なお、これらの第1の基材21の構成および第2の基材22の構成は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
また、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第1の基材21と第2の基材22とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体1において、剥離を確実に防止することができる。
Note that the configuration of the first base material 21 and the configuration of the second base material 22 may be the same or different.
Moreover, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the 1st base material 21 and the thermal expansion coefficient of the 2nd base material 22 are substantially equal. If these thermal expansion coefficients are substantially equal, when the first base material 21 and the second base material 22 are joined, it is difficult for stress associated with thermal expansion to occur at the joint interface. As a result, peeling can be reliably prevented in the finally obtained bonded body 1.

なお、後に詳述するが、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第1の基材21と第2の基材22とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
また、2つの基材21、22のうち、少なくとも一方は、樹脂材料を主材料として構成されているのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、2つの基材21、22を接合した際に、その接合界面に発生する応力(例えば、熱膨張に伴う応力等)を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体1を得ることができる。
In addition, although it explains in full detail later, even when the thermal expansion coefficient of the 1st base material 21 and the thermal expansion coefficient of the 2nd base material 22 mutually differ, in the process mentioned later, the 1st base material 21 and 2nd By optimizing the conditions for joining the base material 22, these can be firmly joined with high dimensional accuracy.
Moreover, it is preferable that at least one of the two base materials 21 and 22 is made of a resin material as a main material. The resin material can relieve stress (for example, stress accompanying thermal expansion) generated at the bonding interface when the two base materials 21 and 22 are bonded due to its flexibility. For this reason, it becomes difficult to destroy the bonding interface, and as a result, the bonded body 1 having high bonding strength can be obtained.

なお、上記のような観点から、2つの基材21、22のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合体1の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、2つの基材21、22の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体1が得られる。
また、各基材21、22の形状は、それぞれ、液状被膜を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状(層状)、塊状(ブロック状)、棒状等とされる。
In view of the above, at least one of the two base materials 21 and 22 preferably has flexibility. Thereby, the joint strength of the joined body 1 can be further improved. Furthermore, when both the two base materials 21 and 22 have flexibility, the joined body 1 which has flexibility as a whole and high functionality can be obtained.
Moreover, the shape of each base material 21 and 22 should just be a shape which has the surface which supports a liquid film, respectively, For example, it is set as plate shape (layer shape), lump shape (block shape), rod shape, etc.

各基材21、22がそれぞれ板状をなしていることにより、各基材21、22は撓み易くなり、2つの基材21、22を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、2つの基材21、22を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体1における接合強度が高くなる。
また、各基材21、22が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
Since each base material 21 and 22 is each plate-shaped, each base material 21 and 22 becomes easy to bend, and when two base materials 21 and 22 are piled up, it is fully along each other's shape. It can be deformed. For this reason, the adhesiveness when the two base materials 21 and 22 are overlapped is increased, and the bonding strength in the finally obtained bonded body 1 is increased.
In addition, it is expected that the base material 21 and 22 are bent to alleviate the stress generated at the joint interface to some extent.

この場合、各基材21、22の平均厚さは、特に限定されないが、0.01〜10mm程度であるのが好ましく、0.1〜3mm程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態では、図1(a)に示すように、各基材21、22がそれぞれ板状をなしており、このうち第1の基材21の一主面(接合面23)の周縁部を除いた領域が、接合膜3が形成される接合膜形成領域41として設定されている。ここで、この接合膜形成領域41は、第1の配線パターン212を構成する各導電膜212aの一部と重なっているものとする。
In this case, the average thickness of each of the base materials 21 and 22 is not particularly limited, but is preferably about 0.01 to 10 mm, and more preferably about 0.1 to 3 mm.
In addition, in this embodiment, as shown to Fig.1 (a), each base material 21 and 22 has each comprised plate shape, Among these, one main surface (joining surface 23) of the 1st base material 21 is mentioned. A region excluding the peripheral portion is set as a bonding film forming region 41 where the bonding film 3 is formed. Here, it is assumed that the bonding film formation region 41 overlaps a part of each conductive film 212 a constituting the first wiring pattern 212.

次に、必要に応じて、第1の基材21の接合面23、すなわち第1の絶縁性基板211および各導電膜212aの上面に、接合膜3との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面23が清浄化および活性化され、接合面23に対して接合膜3が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面23上に接合膜3を形成したとき、接合面23と接合膜3との接合強度を高めることができる。また、各導電膜212aと接合膜3との間の電気抵抗を低減することができる。   Next, if necessary, a surface treatment for improving the adhesion with the bonding film 3 is performed on the bonding surface 23 of the first base material 21, that is, the upper surfaces of the first insulating substrate 211 and the conductive films 212 a. Thereby, the bonding surface 23 is cleaned and activated, and the bonding film 3 easily acts on the bonding surface 23 chemically. As a result, when the bonding film 3 is formed on the bonding surface 23 in a process described later, the bonding strength between the bonding surface 23 and the bonding film 3 can be increased. In addition, the electrical resistance between each conductive film 212a and the bonding film 3 can be reduced.

この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第1の絶縁性基板211が、樹脂材料(高分子材料)で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
This surface treatment is not particularly limited, for example, physical treatment such as sputtering treatment, blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, Examples thereof include a chemical surface treatment such as ultraviolet irradiation treatment, ozone exposure treatment, or a combination thereof.
In addition, when the 1st insulating board | substrate 211 which performs surface treatment is comprised with the resin material (polymer material), especially a corona discharge process, a nitrogen plasma process, etc. are used suitably.

また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面23を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面23と接合膜3との接合強度を特に高めることができる。また、各導電膜212aと接合膜3との間の電気抵抗を特に低減することができる。
また、第1の絶縁性基板211および第1の配線パターン212の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第1の絶縁性基板211の構成材料としては、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられ、第1の配線パターン212の構成材料としては、例えば、各種金属系材料等を主材料とするものが挙げられる。
In addition, the bonding surface 23 can be further cleaned and activated by performing plasma treatment or ultraviolet irradiation treatment as the surface treatment. As a result, the bonding strength between the bonding surface 23 and the bonding film 3 can be particularly increased. In addition, the electrical resistance between each conductive film 212a and the bonding film 3 can be particularly reduced.
In addition, depending on the constituent materials of the first insulating substrate 211 and the first wiring pattern 212, there are those in which the bonding strength with the bonding film 3 is sufficiently high without performing the surface treatment as described above. Examples of the constituent material of the first insulating substrate 211 that can obtain such an effect include materials mainly composed of various silicon-based materials, various glass-based materials, and the like. Examples thereof include those mainly composed of various metal-based materials.

このような材料で構成された第1の基材21は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第1の基材21を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第1の基材21の接合面23と接合膜3との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第1の絶縁性基板211および第1の配線パターン212の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面23付近が上記のような材料で構成されていればよい。
The surface of the first base material 21 made of such a material is covered with an oxide film, and a hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. Therefore, by using the first base material 21 covered with such an oxide film, the bonding surface 23 of the first base material 21 and the bonding film 3 are not subjected to the surface treatment as described above. Bonding strength can be increased.
In this case, the entire first insulating substrate 211 and the first wiring pattern 212 may not be made of the material as described above, and at least the vicinity of the bonding surface 23 is made of the material as described above. It only has to be.

また、表面処理に代えて、第1の基材21の接合面23に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜3との密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層上に接合膜3を成膜することにより、最終的に、信頼性の高い接合体1を得ることができる。
Instead of the surface treatment, an intermediate layer may be formed in advance on the bonding surface 23 of the first base material 21.
The intermediate layer may have any function. For example, a layer having a function of improving adhesion to the bonding film 3, a cushioning function (buffer function), a function of reducing stress concentration, and the like are preferable. By forming the bonding film 3 on such an intermediate layer, a highly reliable bonded body 1 can be finally obtained.

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the constituent material of the intermediate layer include metal materials such as aluminum and titanium, metal oxides, oxide materials such as silicon oxide, metal nitrides, and nitride materials such as silicon nitride. Carbon materials such as graphite and diamond-like carbon, silane coupling agents, thiol compounds, metal alkoxides, self-assembled film materials such as metal-halogen compounds, resin adhesives, resin films, resin coating materials, Various rubber materials, resin materials such as various elastomers, and the like can be used, and one or more of these can be used in combination.

また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第1の基材21と接合膜3との間の接合強度を特に高めることができる。
なお、以上のような中間層は、接合面23のうち、第1の絶縁性基板211の表面および第1の配線パターン212の表面の双方に設けてもよく、いずれか一方に設けるようにしてもよい。また、第1の絶縁性基板211の表面および第1の配線パターン212の表面の双方に中間層を設ける場合、各表面に設ける中間層は同じであっても異なっていてもよい。また、各表面に設ける中間層は、その導電性を考慮して選択するのが好ましい。すなわち、第1の絶縁性基板211の表面には絶縁性の中間層を設け、第1の配線パターン212の表面には導電性の中間層を設けるのが好ましい。
Further, among the intermediate layers formed of these materials, the intermediate layer formed of the oxide-based material can particularly increase the bonding strength between the first base material 21 and the bonding film 3. it can.
The intermediate layer as described above may be provided on both the surface of the first insulating substrate 211 and the surface of the first wiring pattern 212 in the bonding surface 23, or on either one of them. Also good. Moreover, when providing an intermediate | middle layer in both the surface of the 1st insulating board | substrate 211 and the surface of the 1st wiring pattern 212, the intermediate | middle layer provided in each surface may be the same or different. The intermediate layer provided on each surface is preferably selected in consideration of its conductivity. That is, it is preferable to provide an insulating intermediate layer on the surface of the first insulating substrate 211 and to provide a conductive intermediate layer on the surface of the first wiring pattern 212.

一方、第1の基材21と同様、第2の基材22の接合面24、すなわち第2の絶縁性基板221および各導電膜222aにも、必要に応じて、あらかじめ接合膜3との密着性を高める表面処理を施してもよい。これにより、接合面24を清浄化および活性化する。その結果、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を高めることができる。
この表面処理としては、特に限定されないが、前述の第1の基材21の接合面23に対する表面処理と同様の処理を用いることができる。
On the other hand, as with the first base material 21, the bonding surface 24 of the second base material 22, that is, the second insulating substrate 221 and each conductive film 222 a are adhered to the bonding film 3 in advance as necessary. A surface treatment for enhancing the properties may be performed. Thereby, the bonding surface 24 is cleaned and activated. As a result, the bonding strength between the bonding surface 24 of the second base material 22 and the bonding film 3 can be increased.
Although it does not specifically limit as this surface treatment, The process similar to the surface treatment with respect to the joint surface 23 of the above-mentioned 1st base material 21 can be used.

また、第1の基材21の場合と同様に、第2の絶縁性基板221および第2の配線パターン222の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との密着性が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第2の絶縁性基板221の構成材料としては、例えば、前述したような各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられ、第2の配線パターン222の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料等を主材料とするものが挙げられる。   Similarly to the case of the first base material 21, depending on the constituent materials of the second insulating substrate 221 and the second wiring pattern 222, the bonding film 3 and the bonding film 3 can be formed without performing the surface treatment as described above. Some have sufficiently high adhesion. Examples of the constituent material of the second insulating substrate 221 that can obtain such an effect include those mainly composed of various silicon-based materials and various glass-based materials as described above. As a constituent material of the pattern 222, for example, a material mainly composed of various metal-based materials as described above can be used.

すなわち、このような材料で構成された第2の基材22は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第2の基材22を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第2の絶縁性基板221および第2の配線パターン222の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面24付近が上記のような材料で構成されていればよい。
また、第2の基材22の接合面24に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を十分に高くすることができる。
That is, the surface of the second substrate 22 made of such a material is covered with an oxide film, and hydroxyl groups are bonded to the surface of the oxide film. Therefore, by using the second base material 22 covered with such an oxide film, the bonding surface 24 of the second base material 22 and the bonding film 3 can be formed without performing the surface treatment as described above. Bonding strength can be increased.
In this case, the entire second insulating substrate 221 and the second wiring pattern 222 do not have to be made of the material as described above, and at least the vicinity of the bonding surface 24 is made of the material as described above. It only has to be.
Further, when the bonding surface 24 of the second base material 22 includes the following groups and substances, the bonding surface 24 and the bonding film of the second base material 22 are not subjected to the surface treatment as described above. 3 can be sufficiently increased in bonding strength.

このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような各種官能基、各種ラジカル、開環分子または、2重結合、3重結合のような不飽和結合を有する脱離性中間体分子、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも1つの基や物質、または、これらの基が脱離してなる終端化されていない結合手(未結合手、ダングリングボンド)が挙げられる。   Examples of such groups and substances include various functional groups such as hydroxyl group, thiol group, carboxyl group, amino group, nitro group, and imidazole group, various radicals, ring-opening molecules, double bonds, and triple bonds. At least one group or substance selected from the group consisting of a leaving intermediate molecule having an unsaturated bond, a halogen such as F, Cl, Br, and I, a peroxide, or the group is desorbed. An unterminated bond (an unbonded bond, a dangling bond) is provided.

このうち、脱離性中間体分子は、開環分子または不飽和結合を有する炭化水素分子であるのが好ましい。このような炭化水素分子は、開環分子および不飽和結合の顕著な反応性に基づき、接合膜3に対して強固に作用する。したがって、このような炭化水素分子を有する接合面24は、接合膜3に対して特に強固に接合可能なものとなる。
また、接合面24が有する官能基は、特に水酸基が好ましい。これにより、接合面24は、接合膜3に対して特に容易かつ強固に接合可能なものとなる。
Of these, the leaving intermediate molecule is preferably a ring-opening molecule or a hydrocarbon molecule having an unsaturated bond. Such hydrocarbon molecules act strongly on the bonding film 3 based on the remarkable reactivity of ring-opening molecules and unsaturated bonds. Therefore, the bonding surface 24 having such hydrocarbon molecules can be bonded to the bonding film 3 particularly firmly.
The functional group possessed by the bonding surface 24 is particularly preferably a hydroxyl group. Thereby, the bonding surface 24 can be bonded to the bonding film 3 particularly easily and firmly.

また、このような基や物質を有するように、接合面24に対して上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜3に対して強固に接合可能な第2の基材22が得られる。
このうち、第2の基材22の接合面24には、水酸基が存在しているのが好ましい。このような接合面24には、水酸基が露出した接合膜3との間に、水素結合に基づく大きな引力が生じる。これにより、最終的に、第1の基材21と第2の基材22とを特に強固に接合することができる。
また、表面処理に代えて、第2の基材22の接合面24に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
In addition, the second base capable of being strongly bonded to the bonding film 3 by appropriately selecting and performing various surface treatments as described above on the bonding surface 24 so as to have such a group or substance. A material 22 is obtained.
Among these, it is preferable that the bonding surface 24 of the second base material 22 has a hydroxyl group. A large attractive force based on the hydrogen bond is generated between the bonding surface 24 and the bonding film 3 from which the hydroxyl group is exposed. Thereby, finally, the first base material 21 and the second base material 22 can be bonded particularly firmly.
Further, instead of the surface treatment, an intermediate layer may be formed in advance on the bonding surface 24 of the second base material 22.

この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、前記第1の基材21の場合と同様に、接合膜3との密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。
かかる中間層の構成材料には、例えば、前記第1の基材21の接合面23に形成する中間層の構成材料と同様の材料を用いることができる。
また、この表面処理および中間層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
The intermediate layer may have any function. For example, as in the case of the first base material 21, the intermediate layer has a function of improving adhesion to the bonding film 3, a cushioning property (buffer function), a stress. What has the function etc. which ease concentration is preferable.
As the constituent material of the intermediate layer, for example, the same material as the constituent material of the intermediate layer formed on the bonding surface 23 of the first base member 21 can be used.
Further, the surface treatment and the formation of the intermediate layer may be performed as necessary, and can be omitted when a high bonding strength is not particularly required.

[2]次に、図1(b)に示すように、第1の基材21の接合膜形成領域41に、シリコーン材料と導電性粒子32を含有する液状材料30を供給し、接合膜形成領域41に液状被膜31を形成する。
具体的には、第1の基材21上に、接合膜形成領域41の形状に対応する形状をなす窓部を有するマスクを設け、このマスクを介して、液状材料を供給する。このようにすれば、接合膜形成領域41に対して液状材料が選択的に供給され、接合膜形成領域41に液状被膜31が形成される。
[2] Next, as shown in FIG. 1B, the liquid material 30 containing the silicone material and the conductive particles 32 is supplied to the bonding film forming region 41 of the first base material 21 to form the bonding film. A liquid film 31 is formed in the region 41.
Specifically, a mask having a window portion having a shape corresponding to the shape of the bonding film forming region 41 is provided on the first base material 21, and a liquid material is supplied through the mask. In this way, the liquid material is selectively supplied to the bonding film formation region 41, and the liquid film 31 is formed in the bonding film formation region 41.

液状材料30を接合膜形成領域41に供給する方法としては、例えば、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法のような各種塗布法が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、インクジェット法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、比較的容易に、かつ優れた精度で、液状材料を、第1の基材21の接合膜形成領域41に選択的に供給することができる。
その後、各種エッチング法を用いて、マスクを除去する。
Examples of a method for supplying the liquid material 30 to the bonding film forming region 41 include an inkjet method, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, Various coating methods such as a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and a microcontact printing method can be mentioned, and one or more of these can be used in combination. it can. Of these, the inkjet method is preferably used. According to such a method, the liquid material can be selectively supplied to the bonding film forming region 41 of the first base member 21 with relative ease and excellent accuracy.
Thereafter, the mask is removed using various etching methods.

また、前述のようなマスクを用いずに、第1の基材21の接合膜形成領域41に、インクジェット法によって液状材料30を選択的に供給し、液状被膜31を形成するようにしてもよい。これにより、マスクの形成および除去が不要になるので、液状被膜31の形成工程を簡易化することができる。
なお、このとき、接合面23に供給する液状材料30の量を適宜設定することにより、形成される接合膜3の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
ここで、液状材料30は、シリコーン材料を含有するものである。
Alternatively, the liquid material 31 may be selectively supplied to the bonding film forming region 41 of the first base material 21 by the ink jet method without using the mask as described above. . Thereby, since formation and removal of a mask become unnecessary, the formation process of the liquid film 31 can be simplified.
At this time, the thickness of the bonding film 3 to be formed can be controlled relatively easily by appropriately setting the amount of the liquid material 30 to be supplied to the bonding surface 23.
Here, the liquid material 30 contains a silicone material.

「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物のことを言い、主鎖の一部から突出する分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式(1)で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式(2)で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式(3)で表わされる構造単位を有している。
“Silicone material” is a compound having a polyorganosiloxane skeleton, and usually refers to a compound in which the main skeleton (main chain) portion is composed mainly of repeating organosiloxane units, and is a component protruding from a part of the main chain. It may have a branched structure, may be a cyclic body in which the main chain is cyclic, or may be a straight chain in which the ends of the main chain are not connected to each other.
For example, in a compound having a polyorganosiloxane skeleton, the organosiloxane unit has a structural unit represented by the following general formula (1) at the terminal portion and a structural unit represented by the following general formula (2) at the connecting portion. In addition, the branch part has a structural unit represented by the following general formula (3).

Figure 2009298915
[式中、各Rは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Zは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Xはシロキサン残基を表し、aは0または1〜3の整数を表し、bは0または1〜2の整数を表し、cは0または1を表す。]
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−O−(Si)構造(Siは隣接する構造単位が有するケイ素原子)となっている。
Figure 2009298915
[In the formula, each R independently represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group, each Z independently represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group, X represents a siloxane residue, a Represents an integer of 0 or 1 to 3, b represents an integer of 0 or 1 to 2, and c represents 0 or 1. ]
The siloxane residue is a substituent that is bonded to a silicon atom of an adjacent structural unit through an oxygen atom and forms a siloxane bond. Specifically, it has an —O— (Si) structure (Si is a silicon atom of an adjacent structural unit).

このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式(1)で表わされる構造単位、上記一般式(2)で表わされる構造単位および上記一般式(3)で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物(以下、「分枝状化合物」と略すこともある。)は、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。   In such a silicone material, the polyorganosiloxane skeleton is branched, that is, the structural unit represented by the general formula (1), the structural unit represented by the general formula (2), and the general formula (3). It is preferable that it is comprised by the structural unit represented by this. The compound having a branched polyorganosiloxane skeleton (hereinafter sometimes abbreviated as “branched compound”) is a compound in which the main skeleton (main chain) portion is mainly composed of repeating organosiloxane units. The repeating of the organosiloxane unit branches in the middle of the main chain, and the ends of the main chain are not connected to each other.

この分枝状化合物を用いることにより、次工程において、液状材料中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜3が形成されることから、得られる接合膜3は特に膜強度に優れたものとなる。
なお、上記一般式(1)〜上記一般式(3)中、基R(置換または無置換の炭化水素基)としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、I)フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II)グリシドキシ基のようなエポキシ基、III)メタクリル基のような(メタ)アクリロイル基、IV)カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
By using this branched compound, in the next step, the bonding film 3 is formed so that the branched chains of this compound contained in the liquid material are entangled with each other. In particular, the film strength is excellent.
In the general formula (1) to the general formula (3), examples of the group R (substituted or unsubstituted hydrocarbon group) include, for example, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a cyclopentyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclohexyl group, aryl groups such as phenyl group, tolyl group and biphenylyl group, aralkyl groups such as benzyl group and phenylethyl group. Furthermore, some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms of these groups are: I) a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, II) an epoxy group such as a glycidoxy group, III) Examples include (meth) acryloyl groups such as methacryl groups, IV) groups substituted with anionic groups such as carboxyl groups and sulfonyl groups, and the like.

加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、1×10〜1×10程度のものであるのが好ましく、1×10〜1×10程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
Hydrolysis groups include alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group and butoxy group, ketoxime groups such as dimethyl ketoxime group and methylethyl ketoxime group, acyloxy groups such as acetoxy group, isopropenyloxy group, isobutenyl Examples include alkenyloxy groups such as oxy groups.
Further, the branched compound preferably has a molecular weight of about 1 × 10 4 to 1 × 10 6, more preferably about 1 × 10 5 to 1 × 10 6 . By setting the molecular weight within such a range, the viscosity of the liquid material can be relatively easily set within the above-described range.

このような分枝状化合物は、シラノール基を有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位において、各基Zは水酸基であるのが好ましい。これにより、次工程において、液状被膜31を乾燥させて接合膜3を得る際に、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜3の膜強度が優れたものとなる。さらに、第1の基材21として、前述したように、その接合面(表面)23から水酸基が露出しているものを用いた場合には、分枝状化合物が備える水酸基と、第1の基材21が備える水酸基とが結合することから、分枝状化合物を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても第1の基材21に結合させることができる。その結果、接合膜3は、第1の基材21の接合面23に対して、強固に結合したものとなる。   Such branched compounds are preferably those having a silanol group. That is, in the structural units represented by the general formula (1) to the general formula (3), each group Z is preferably a hydroxyl group. Thus, in the next step, when the liquid film 31 is dried to obtain the bonding film 3, the hydroxyl groups of the adjacent branched compounds are bonded to each other, and the obtained bonding film 3 has excellent film strength. It becomes. Furthermore, as described above, when the first base member 21 having a hydroxyl group exposed from the bonding surface (surface) 23 is used, the hydroxyl group included in the branched compound and the first group Since the hydroxyl group of the material 21 is bonded, the branched compound can be bonded to the first substrate 21 not only by physical bonding but also by chemical bonding. As a result, the bonding film 3 is firmly bonded to the bonding surface 23 of the first base material 21.

また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Zが水酸基である上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。   Moreover, it is preferable that the hydrocarbon group connected to the silicon atom of the silanol group is a phenyl group. That is, the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z is a hydroxyl group is preferably a phenyl group. Thereby, since the reactivity of a silanol group improves more, the coupling | bonding of the hydroxyl groups which an adjacent branched compound has comes to be performed more smoothly.

さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Zが存在しない上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Zが存在しない上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程において、接合膜3に接合用エネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜3に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物(シリコーン材料)として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式(4)で表わされる化合物が好適に用いられる。
Furthermore, the hydrocarbon group linked to the silicon atom in which no silanol group is present is preferably a methyl group. That is, the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z does not exist is preferably a methyl group. Thus, a compound in which the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z does not exist is a methyl group is relatively easily available and inexpensive. In addition, in the subsequent step, by applying bonding energy to the bonding film 3, the methyl group is easily cleaved, and as a result, the bonding film 3 can surely exhibit adhesiveness. It is suitably used as a branch compound (silicone material).
Considering the above, as the branched compound, for example, a compound represented by the following general formula (4) is preferably used.

Figure 2009298915
[式中、nは、それぞれ独立して、0または1以上の整数を表す。]
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程において、接合膜3を介して第1の基材21に第2の基材22を接合して接合体1を得る際に、例えば、第1の基材21と第2の基材22との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材21、22間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体1において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
Figure 2009298915
[Wherein n independently represents an integer of 0 or 1 or more. ]
Furthermore, the above-mentioned branched compound is a material having a relatively high flexibility. Therefore, when the second base material 22 is bonded to the first base material 21 via the bonding film 3 to obtain the joined body 1 in the subsequent process, for example, the first base material 21 and the second base material are used. Even in the case where different constituent materials from the material 22 are used, the stress accompanying thermal expansion generated between the base materials 21 and 22 can be reliably relieved. Thereby, it can prevent reliably that peeling arises in the bonded body 1 finally obtained.

また、分枝状化合物は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜3を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、分枝状化合物は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。   Moreover, since the branched compound is excellent in chemical resistance, it can be effectively used for joining members that are exposed to chemicals and the like for a long time. Specifically, for example, when manufacturing a droplet discharge head of an industrial inkjet printer that uses an organic ink that easily erodes a resin material, if the bonding film 3 is used for bonding, the durability can be ensured. Can be improved. In addition, since the branched compound is excellent in heat resistance, it can be effectively used for joining members that are exposed to high temperatures.

また、導電性粒子32は、少なくとも表面付近が導電性材料によって構成されたものである。このような導電性粒子32としては、具体的には、例えば、その全体が導電性材料によって構成されたものであってもよく、基材粒子と、この基材粒子の表面を被覆する導電膜とによって構成されたものであってもよい。このうち、導電性粒子32を後者の構成とすることにより、導電性粒子32の形状、大きさ(平均粒径等)、物性(導電性、密度等)等の調整が容易となる。   Further, the conductive particles 32 are at least near the surface made of a conductive material. Specifically, as such conductive particles 32, for example, the entirety thereof may be composed of a conductive material, and a base particle and a conductive film that covers the surface of the base particle. It may be constituted by. Among these, by setting the conductive particles 32 to the latter configuration, it is easy to adjust the shape, size (average particle diameter, etc.), physical properties (conductivity, density, etc.), etc. of the conductive particles 32.

基材粒子の構成材料としては、特に限定されないが、各種金属材料、各種セラミックス材料、各種樹脂材料等が挙げられる。このうち、特に樹脂材料を用いるのが好ましい。樹脂材料は一般にシリコーン材料の比重に近いため、導電性粒子32は液状材料30中において沈降したり浮上したりし難くなる。すなわち、液状材料30中に均一に分散し得る導電性粒子32を得ることができる。また、樹脂材料の比重は比較的小さいので、速やかな泳動が可能な導電性粒子32が得られる。   Although it does not specifically limit as a constituent material of base material particles, Various metal materials, various ceramic materials, various resin materials, etc. are mentioned. Among these, it is particularly preferable to use a resin material. Since the resin material is generally close to the specific gravity of the silicone material, the conductive particles 32 are unlikely to settle or float in the liquid material 30. That is, the conductive particles 32 that can be uniformly dispersed in the liquid material 30 can be obtained. Further, since the specific gravity of the resin material is relatively small, the conductive particles 32 capable of rapid migration can be obtained.

また、樹脂材料のような材料は一般に柔軟性に富むため、このような柔軟性に富む材料で構成された粒子は、圧縮力を付与することにより、容易に扁平状に変形することができる。したがって、導電性粒子32として柔軟な粒子を用いることにより、第1の基材21と第2の基材22との間で導電性粒子32が容易に扁平になるため、第1の導電パターン212および第2の導電パターン222に対する導電性粒子32の接触面積を広くすることができる。その結果、接合体1において、各導電パターン212、222間の導電性をより高めることができる。また、導電性粒子32が柔軟性を有することにより、導電性粒子32の粒径が不均一であっても、導電性粒子32が変形することによって、粒径のバラツキを補完することができる。さらに、第1の導電パターン212の表面および第2の導電パターン222の表面に凹凸がある場合でも、導電性粒子32が変形することによって、各導電パターン212、222と各導電性粒子32とを確実に接触させることができる。   In addition, since a material such as a resin material is generally rich in flexibility, particles made of such a flexible material can be easily deformed into a flat shape by applying a compressive force. Therefore, by using flexible particles as the conductive particles 32, the conductive particles 32 are easily flattened between the first base material 21 and the second base material 22, and thus the first conductive pattern 212. In addition, the contact area of the conductive particles 32 with respect to the second conductive pattern 222 can be increased. As a result, in the joined body 1, the conductivity between the conductive patterns 212 and 222 can be further increased. Further, since the conductive particles 32 have flexibility, even when the particle diameter of the conductive particles 32 is non-uniform, the variation in the particle diameter can be compensated for by the deformation of the conductive particles 32. Further, even when the surface of the first conductive pattern 212 and the surface of the second conductive pattern 222 are uneven, the conductive particles 32 are deformed, so that the conductive patterns 212 and 222 and the conductive particles 32 are It can be reliably contacted.

また、導電性粒子32の導電膜の構成材料には、前述の各導電膜212aおよび各導電膜222aの構成材料と同様の導電性材料が挙げられるが、特に、Ni、Cu、またはAuを主材料とする導電性材料が好ましく用いられる。これらの導電性材料は、導電性に優れているため、導電性の高い導電性粒子32が得られ、各導電パターン212、222間の導電性を高めることができる。
なお、導電性粒子32の具体的な形態としては、Ni粒子や、Auめっき処理が施されたNi粒子、Auめっき処理が施されたCu粒子、Auめっき処理が施された樹脂製粒子等が挙げられる。
In addition, examples of the constituent material of the conductive film of the conductive particles 32 include the same conductive materials as those of the conductive films 212a and the conductive films 222a described above. In particular, Ni, Cu, or Au is mainly used. A conductive material is preferably used. Since these conductive materials are excellent in conductivity, conductive particles 32 having high conductivity can be obtained, and the conductivity between the conductive patterns 212 and 222 can be increased.
Specific examples of the conductive particles 32 include Ni particles, Ni particles that have been subjected to Au plating, Cu particles that have been subjected to Au plating, resin particles that have been subjected to Au plating, and the like. Can be mentioned.

また、導電性粒子の粒子形状は、特に限定されず、例えば、球状、扁平状、針状、不定形状等のいずれでもよい。
また、導電性粒子32は、弾力性を有しているのが好ましい。弾力性を有する導電性粒子32は、圧縮された際に、元の形状に戻ろうとする復元力が発生する。この復元力は、導電性粒子32が各導電パターン212、222間で圧縮されているときには、導電性粒子32の表面を各導電パターン212、222に押し付けるように作用する。このため、各導電パターン212、222と導電性粒子32との接触抵抗を低減することができ、各導電パターン212、222間の導電性をより高めることができる。
Further, the particle shape of the conductive particles is not particularly limited, and may be any of spherical shape, flat shape, needle shape, indefinite shape, and the like.
Moreover, it is preferable that the electroconductive particle 32 has elasticity. When the conductive particles 32 having elasticity are compressed, a restoring force for returning to the original shape is generated. This restoring force acts to press the surface of the conductive particles 32 against the conductive patterns 212 and 222 when the conductive particles 32 are compressed between the conductive patterns 212 and 222. For this reason, the contact resistance between the conductive patterns 212 and 222 and the conductive particles 32 can be reduced, and the conductivity between the conductive patterns 212 and 222 can be further increased.

このような導電性粒子32の平均粒子径は、0.5〜100μm程度であるのが好ましく、2〜50μm程度であるのがより好ましい。導電性粒子32の平均粒径が前記下限値より小さいと、液状材料30中において導電性粒子32が凝集し易くなり、導電性粒子32を均一に分散させるのが困難になる。その結果、得られる接合膜3において、厚さ方向および面方向における電気抵抗が不均一になる可能性がある。一方、導電性粒子32の平均粒径が前記上限値を超えると、液状被膜31中で各導電性粒子32同士が接触する確率が高くなり、接合膜3に意図しない導電性が発現するおそれがある。   The average particle diameter of such conductive particles 32 is preferably about 0.5 to 100 μm, and more preferably about 2 to 50 μm. If the average particle diameter of the conductive particles 32 is smaller than the lower limit value, the conductive particles 32 tend to aggregate in the liquid material 30 and it is difficult to uniformly disperse the conductive particles 32. As a result, in the obtained bonding film 3, there is a possibility that the electric resistance in the thickness direction and the surface direction becomes nonuniform. On the other hand, when the average particle diameter of the conductive particles 32 exceeds the upper limit, the probability that the conductive particles 32 are in contact with each other in the liquid coating 31 is increased, and there is a possibility that unintended conductivity is developed in the bonding film 3. is there.

また、本実施形態では、導電性粒子32が帯電している。帯電した導電性粒子32は、電界の作用により所定の方向に泳動する。このようにして導電性粒子32の電気泳動現象を利用することにより、導電性粒子32を所定の領域に偏在させることができる。
なお、導電性粒子32を帯電させる方法としては、特に限定されないが、コロナ放電法、電極注入法、摩擦法、表面に官能基を導入する方法等を用いることができる。
In the present embodiment, the conductive particles 32 are charged. The charged conductive particles 32 migrate in a predetermined direction by the action of an electric field. Thus, by utilizing the electrophoretic phenomenon of the conductive particles 32, the conductive particles 32 can be unevenly distributed in a predetermined region.
The method of charging the conductive particles 32 is not particularly limited, and a corona discharge method, an electrode injection method, a friction method, a method of introducing a functional group on the surface, or the like can be used.

このような液状材料30の粘度(25℃)は、通常、0.5〜200mPa・s程度であるのが好ましく、3〜20mPa・s程度であるのがより好ましい。液状材料30の粘度が前記範囲内であれば、液状材料30がある程度の粘性を有したものとなり、より厚さの厚い液状被膜31を形成することが可能となる。さらに、この液状材料30で構成される液状被膜31を次工程で乾燥させた際に、接合膜3を形成するのに十分な量のシリコーン材料および導電性粒子32を液状材料30中に含有したものとすることができる。
一方、液状材料30の粘度が前記上限値を上回った場合、液状被膜31の厚さや形状の精度が著しく低下するおそれがある。
In general, the viscosity (25 ° C.) of the liquid material 30 is preferably about 0.5 to 200 mPa · s, and more preferably about 3 to 20 mPa · s. If the viscosity of the liquid material 30 is within the above range, the liquid material 30 has a certain degree of viscosity, and a thicker liquid coating 31 can be formed. Further, when the liquid film 31 composed of the liquid material 30 is dried in the next step, the liquid material 30 contains a sufficient amount of silicone material and conductive particles 32 to form the bonding film 3. Can be.
On the other hand, when the viscosity of the liquid material 30 exceeds the upper limit, the accuracy of the thickness and shape of the liquid coating 31 may be significantly reduced.

また、液状材料30は、前述のようにシリコーン材料と導電性粒子32を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし、これに導電性粒子32を分散させた状態で目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料に導電性粒子32を分散させた分散液を、そのまま液状材料30として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料30中に別途溶媒または分散媒を追加するようにしてもよい。   The liquid material 30 contains the silicone material and the conductive particles 32 as described above, but the silicone material alone is in a liquid state and the conductive particles 32 are dispersed in the liquid material 30. When the viscosity is within the range, a dispersion obtained by dispersing conductive particles 32 in a silicone material can be used as the liquid material 30 as it is. In addition, when the silicone material alone forms a solid or high-viscosity liquid, a solvent or a dispersion medium may be added to the liquid material 30 separately.

このような溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
また、液状材料30中には、導電性粒子32の分散性を高める分散剤が含まれていてもよい。この分散剤により、液状材料30中において導電性粒子32が凝集するのを防止することができる。
Examples of such a solvent or dispersion medium include inorganic solvents such as ammonia, water, hydrogen peroxide, carbon tetrachloride, and ethylene carbonate, ketone solvents such as methyl ethyl ketone (MEK) and acetone, methanol, ethanol, and isopropanol. Alcohol solvents such as butanol, ether solvents such as diethyl ether and diisopropyl ether, cellosolv solvents such as methyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane and pentane, and aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and benzene Solvents, aromatic heterocyclic compounds such as pyridine, pyrazine, furan, amides such as N, N-dimethylformamide (DMF), halogen compounds such as dichloromethane and chloroform, esters such as ethyl acetate and methyl acetate Solvent, dimethyl sulfoxide (D SO), sulfur compound solvents such as sulfolane, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, various organic solvents such as organic acid solvents such as formic acid and trifluoroacetic acid, or mixed solvents containing these. Can be used.
Further, the liquid material 30 may contain a dispersant that improves the dispersibility of the conductive particles 32. This dispersant can prevent the conductive particles 32 from aggregating in the liquid material 30.

[3]次に、図1(c)に示すように、液状被膜31を介して第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせる。これにより、図1(d)に示す仮接合体5を得る。
なお、この仮接合体5の状態では、第1の基材21と第2の基材22とは接合されていないので、互いの位置を容易に調整することができる。したがって、一旦、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせた後、これらの相対的な位置をずらして微調整することができ、最終的に得られる接合体の寸法精度をより高めることができる。
[3] Next, as shown in FIG. 1C, the first base material 21 and the second base material 22 are overlapped with each other through the liquid film 31. Thereby, the temporary joined body 5 shown in FIG.1 (d) is obtained.
In addition, in the state of this temporary joined body 5, since the 1st base material 21 and the 2nd base material 22 are not joined, a mutual position can be adjusted easily. Therefore, after the first base material 21 and the second base material 22 are once overlapped, the relative positions of these can be finely adjusted, and the dimensional accuracy of the finally obtained joined body can be adjusted. Can be further enhanced.

[4]次に、図2(e)に示すように、第1の導電パターン212と第2の導電パターン222との間に電圧を印加する。これにより、各導電性粒子32が有する電荷の極性に応じて、第1の導電パターン212または第2の導電パターン222のいずれかに向かって各導電性粒子32が泳動する。その結果、第1の導電パターン212と第2の導電パターン222との間に、各導電性粒子32が集まり、一定時間経過後には、十分な数の導電性粒子32が集まる。その結果、第1の導電パターン212と第2の導電パターン222との間が、導電性粒子32を介して電気的に接続される。   [4] Next, as shown in FIG. 2E, a voltage is applied between the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222. Accordingly, each conductive particle 32 migrates toward either the first conductive pattern 212 or the second conductive pattern 222 in accordance with the polarity of the electric charge that each conductive particle 32 has. As a result, each conductive particle 32 gathers between the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222, and a sufficient number of conductive particles 32 gather after a certain period of time. As a result, the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222 are electrically connected via the conductive particles 32.

また、各導電膜212aと各導電膜222aとの間には、各導電性粒子32が存在するものの、導電膜のない領域、すなわち第1の絶縁性基板211の接合面23と第2の絶縁性基板221の接合面24との間には、導電性粒子32がほとんど存在しない。このため、各導電膜212aは、それぞれ、対向する導電膜222aに対してのみ導通し、隣接する導電膜212aとの間や対向していない導電膜222aとの間は導通することがない。すなわち、本発明によれば、各導電膜212aと各導電膜222aとの間を、選択的に電気的に接続することができる。   In addition, although each conductive particle 32 exists between each conductive film 212a and each conductive film 222a, a region where there is no conductive film, that is, the bonding surface 23 of the first insulating substrate 211 and the second insulation. There are almost no conductive particles 32 between the bonding surface 24 of the conductive substrate 221. Therefore, each conductive film 212a is electrically connected only to the opposing conductive film 222a, and is not electrically connected to the adjacent conductive film 212a or the conductive film 222a not facing. That is, according to the present invention, each conductive film 212a and each conductive film 222a can be selectively electrically connected.

次いで、必要に応じて、得られた仮接合体5を、図2(f)に示すように厚さ方向に圧縮する。図1に示す各導電膜212aおよび各導電膜222aは、各絶縁性基板211、221の表面から突出するように設けられているので、仮接合体5を圧縮したときには、第1の絶縁性基板211と第2の絶縁性基板との離間距離は、各導電膜212aと各導電膜222aとの離間距離よりも大きくなっている。これにより、導電性粒子32が第1の導電性パターン212および第2の導電性パターン222に対してより強く接触し、各導電性パターン212、222間をより確実に導通させることができる。
なお、液状被膜31を形成する液状材料30は、前述したようにある程度の粘性を有しているため、仮接合体5は、圧縮力を解除しても、圧縮された状態を維持することができる。
Next, the obtained temporary joined body 5 is compressed in the thickness direction as shown in FIG. Each conductive film 212a and each conductive film 222a shown in FIG. 1 are provided so as to protrude from the surfaces of the respective insulating substrates 211 and 221. Therefore, when the temporary joined body 5 is compressed, the first insulating substrate The distance between 211 and the second insulating substrate is greater than the distance between each conductive film 212a and each conductive film 222a. As a result, the conductive particles 32 make stronger contact with the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222, and the conductive patterns 212 and 222 can be more reliably connected.
Since the liquid material 30 forming the liquid film 31 has a certain degree of viscosity as described above, the temporary joined body 5 can maintain the compressed state even when the compressive force is released. it can.

また、本実施形態では、第1の導電性パターン212と第2の導電性パターン222との間に電圧を印加することにより、これらの間に電界を発生させ、これにより導電性粒子32を電気泳動させている。これにより、電界を発生させるための電極を別途設ける必要がないので、導電性粒子32の偏在を容易に行うことができる。
なお、電気泳動した導電性粒子32は、必然的に各導電膜212aと各導電膜222aとの間に集まる。このため、例えば、同じパターンの電極同士を接続する場合に、対向する電極同士を接続するとともに、対向していない電極同士を絶縁することができるので、回路形成を簡単に行うことができる。
Further, in this embodiment, an electric field is generated between the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222 by applying a voltage between them, whereby the conductive particles 32 are electrically connected. It is running. Thereby, since it is not necessary to separately provide an electrode for generating an electric field, the uneven distribution of the conductive particles 32 can be easily performed.
The electrophoretic conductive particles 32 inevitably gather between the conductive films 212a and the conductive films 222a. For this reason, for example, when electrodes having the same pattern are connected to each other, the electrodes facing each other can be connected and the electrodes not facing each other can be insulated, so that circuit formation can be easily performed.

また、電圧を印加する電源に、第1の導電性パターン212と第2の導電性パターン222との間の短絡を防止する機能を持たせることにより、電気泳動によって導電性粒子32が第1の導電性パターン212と第2の導電性パターン222との間を埋めた瞬間に発生する短絡電流を電源が検知して、電圧の印加を止める的確なタイミングを図ることができる。これにより、無駄な電圧が印加されるのを防止しつつ、導電性粒子32を効率よく偏在させることができる。   In addition, by providing a power source to which a voltage is applied with a function of preventing a short circuit between the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222, the conductive particles 32 are moved by the electrophoresis. The power supply can detect a short-circuit current generated at the moment when the space between the conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222 is filled, so that an accurate timing for stopping the application of voltage can be achieved. Thereby, it is possible to efficiently distribute the conductive particles 32 while preventing useless voltage from being applied.

[5]次に、仮接合体5中の液状被膜31を乾燥する(溶媒または分散媒を揮発させる)。これにより、接合膜形成領域41の形状(所定形状)に対応してパターニングされた接合膜3が形成される。
このようにして得られた接合膜3は、エネルギーを付与することにより接着性が発現するものとなる。かかる接合膜3は、例えばシリコーン材料としてシラノール基を有するものを用いた場合には、シリコーン材料が有するシラノール基同士を、さらには、このシラノール基と第1の基材21が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜3を膜強度に優れ、かつ第1の基材21および第2の基材22に対して強固に結合することができる。
[5] Next, the liquid film 31 in the temporary joined body 5 is dried (a solvent or a dispersion medium is volatilized). Thereby, the bonding film 3 patterned corresponding to the shape (predetermined shape) of the bonding film formation region 41 is formed.
The bonding film 3 obtained in this manner exhibits adhesiveness by applying energy. When the bonding film 3 has a silanol group as a silicone material, for example, the silanol groups included in the silicone material, and further, the silanol groups and the hydroxyl group included in the first base material 21, Since the bonding film 3 can be reliably bonded, the formed bonding film 3 is excellent in film strength and can be firmly bonded to the first base material 21 and the second base material 22.

また、この接合膜3では、導電性粒子32が、厚さ方向では各導電膜212aおよび各導電膜222aに接触しているが、面方向では絶縁性材料であるシリコーン材料を介して互いに絶縁されている。このため、接合膜3は、厚さ方向では導電性を有し、面方向では絶縁性を有するもの、いわゆる異方導電性を有するものとなる。
液状材料30を乾燥させる際の温度は、25℃以上であるのが好ましく、25〜100℃程度であるのがより好ましい。
In the bonding film 3, the conductive particles 32 are in contact with the conductive films 212a and the conductive films 222a in the thickness direction, but are insulated from each other through a silicone material that is an insulating material in the plane direction. ing. For this reason, the bonding film 3 has conductivity in the thickness direction and has insulation in the surface direction, that is, has so-called anisotropic conductivity.
The temperature at which the liquid material 30 is dried is preferably 25 ° C. or higher, more preferably about 25 to 100 ° C.

また、乾燥させる時間は、0.5〜48時間程度であるのが好ましく、15〜30時間程度であるのがより好ましい。
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、133.3×10−5〜1333Pa(1×10−5〜10Torr)程度であるのが好ましく、133.3×10−4〜133.3Pa(1×10−4〜1Torr)程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料30の乾燥を促進させるとともに、接合膜3の膜密度が緻密化して、接合膜3をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜3を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜3の膜強度等を所望のものとすることができる。
Further, the drying time is preferably about 0.5 to 48 hours, more preferably about 15 to 30 hours.
Furthermore, the atmospheric pressure during drying may be under atmospheric pressure, but is preferably under reduced pressure. Specifically, the degree of decompression is preferably about 133.3 × 10 −5 to 1333 Pa (1 × 10 −5 to 10 Torr), preferably 133.3 × 10 −4 to 133.3 Pa (1 × 10 -4 to 1 Torr) is more preferable. Thereby, while drying of the liquid material 30 is accelerated | stimulated, the film | membrane density of the joining film | membrane 3 can be densified, and the joining film | membrane 3 can have the more outstanding film | membrane intensity | strength.
As described above, the film strength and the like of the formed bonding film 3 can be made desired by appropriately setting the conditions for forming the bonding film 3.

なお、接合膜3中における導電性粒子32の含有率は、1〜50質量%程度であるのが好ましく、5〜30質量%程度であるのがより好ましい。導電性粒子32の含有率が前記下限値より少ないと、各導電膜212aと各導電膜222aとの間を導電性粒子32で埋めることが困難になり、これらの間の導電性が低下するおそれがある。一方、導電性粒子32の含有率が前記上限値を超えると、導電性粒子32を泳動させなくても液状被膜31に導電性が発現してしまい、互いに対向する各導電膜212aと各導電膜222aとの間のみを選択的に導通させることができなくなるおそれがある。すなわち、接合膜3の面方向にも導電性が発現してしまうおそれがある。   In addition, it is preferable that the content rate of the electroconductive particle 32 in the joining film | membrane 3 is about 1-50 mass%, and it is more preferable that it is about 5-30 mass%. If the content of the conductive particles 32 is less than the lower limit value, it is difficult to fill the gap between each conductive film 212a and each conductive film 222a with the conductive particles 32, and the conductivity between them may be reduced. There is. On the other hand, when the content ratio of the conductive particles 32 exceeds the upper limit, the liquid coating 31 exhibits conductivity even when the conductive particles 32 are not migrated, and the conductive films 212a and the conductive films facing each other. There is a possibility that it is not possible to selectively connect only to 222a. That is, there is a possibility that conductivity is also exhibited in the surface direction of the bonding film 3.

また、接合膜3の平均厚さは、導電性領域では導電性粒子32の粒径に依存するものの、絶縁性領域では、100nm〜100μm程度であるのが好ましく、200nm〜10μm程度であるのがより好ましい。供給する液状材料30の量を適宜設定して、形成される接合膜3の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第1の基材21と第2の基材22とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。   The average thickness of the bonding film 3 depends on the particle diameter of the conductive particles 32 in the conductive region, but is preferably about 100 nm to 100 μm in the insulating region, and preferably about 200 nm to 10 μm. More preferred. The joining which joined the 1st base material 21 and the 2nd base material 22 by setting the quantity of the liquid material 30 to supply suitably, and setting the average thickness of the joining film 3 formed in the said range. It is possible to bond more firmly while preventing the dimensional accuracy of the body from significantly decreasing.

なお、接合膜3の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜3の平均厚さが前記上限値を上回ると、接合体1の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
また、接合膜3の平均厚さをかかる範囲とすることにより、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせた際に、接合膜3と接触させる第2の基材22の接合面24にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜3で包み込むようにして接合膜3と接合面24とを接合することができる。したがって、このパーティクルが存在することによって、接合膜3と接合面24との界面における接合強度が低下したり、接合界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
In addition, when the average thickness of the bonding film 3 is less than the lower limit value, sufficient bonding strength may not be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 3 exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the bonded body 1 may be significantly reduced.
Further, by setting the average thickness of the bonding film 3 in such a range, the second base material 22 brought into contact with the bonding film 3 when the first base material 21 and the second base material 22 are overlapped with each other. Even if particles or the like adhere to the bonding surface 24, the bonding film 3 and the bonding surface 24 can be bonded so as to enclose the particles with the bonding film 3. Therefore, the presence of the particles can accurately suppress or prevent the bonding strength at the interface between the bonding film 3 and the bonding surface 24 from being lowered or the separation at the bonding interface from occurring.

[6]次に、仮接合体5中の接合膜3にエネルギーを付与する。
接合膜3にエネルギーを付与すると、この接合膜3では、表面および裏面付近の分子結合の一部が切断され、表面および裏面が活性化されることに起因して、第1の基材21および第2の基材22に対する接着性が発現する。その結果、接合膜3を介して、第1の基材21と第2の基材22とを、化学的結合に基づいて強固に接合することができる。
[6] Next, energy is applied to the bonding film 3 in the temporary bonded body 5.
When energy is applied to the bonding film 3, in the bonding film 3, a part of molecular bonds in the vicinity of the front surface and the back surface is cut and the front surface and the back surface are activated. Adhesiveness to the second base material 22 is developed. As a result, the first base material 21 and the second base material 22 can be firmly bonded through the bonding film 3 based on chemical bonding.

ここで、本明細書中において、表面および裏面が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜3の表面および裏面の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜3中に終端化されていない結合手(以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。)が生じた状態の他、この未結合手が水酸基(OH基)によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜3が「活性化された」状態と言うこととする。   Here, in the present specification, the state in which the front and back surfaces are “activated” means a part of molecular bonds on the front and back surfaces of the bonding film 3 as described above, specifically, for example, polydimethyl In addition to the state in which the methyl group included in the siloxane skeleton is cleaved to generate a bond not terminated in the bonding film 3 (hereinafter also referred to as “unbonded bond” or “dangling bond”). The bonding film 3 is referred to as an “activated” state including a state where the bond is terminated by a hydroxyl group (OH group) and a state where these states are mixed.

接合膜3に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜3にエネルギー線を照射する方法、接合膜3を加熱する方法、接合膜3に圧縮力(物理的エネルギー)を付与する方法、接合膜3をプラズマに曝す(プラズマエネルギーを付与する)方法、接合膜3をオゾンガスに曝す(化学的エネルギーを付与する)方法等が挙げられる。これにより、接合膜3の表面および裏面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜3中の分子構造を必要以上に切断しないので、接合膜3の特性が低下してしまうのを避けることができる。   The energy applied to the bonding film 3 may be applied using any method. For example, a method of irradiating the bonding film 3 with an energy beam, a method of heating the bonding film 3, and a compression to the bonding film 3 Examples thereof include a method of applying force (physical energy), a method of exposing the bonding film 3 to plasma (applying plasma energy), a method of exposing the bonding film 3 to ozone gas (applying chemical energy), and the like. Thereby, the front surface and the back surface of the bonding film 3 can be activated efficiently. In addition, since the molecular structure in the bonding film 3 is not cut more than necessary, it is possible to avoid deterioration of the characteristics of the bonding film 3.

上記の方法の中でも、本実施形態では、接合膜3にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜3にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜3に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、X線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を2種以上組み合わせたものが挙げられる。
Among the above methods, in the present embodiment, as a method for applying energy to the bonding film 3, it is particularly preferable to use a method of irradiating the bonding film 3 with energy rays. Since this method can apply energy to the bonding film 3 relatively easily and efficiently, it is preferably used as a method for applying energy.
Among these, as energy rays, for example, light such as ultraviolet rays and laser light, electromagnetic waves such as X-rays and γ rays, particle beams such as electron beams and ion beams, or two types of these energy rays are used. The combination is mentioned.

これらのエネルギー線の中でも、特に、波長126〜300nm程度の紫外線を用いるのが好ましい(図2(g)参照)。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜3中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜3から表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜3の特性(機械的特性、化学的特性等)が低下するのを防止しつつ、接合膜3に接着性を確実に発現させることができる。   Among these energy rays, it is particularly preferable to use ultraviolet rays having a wavelength of about 126 to 300 nm (see FIG. 2G). With the ultraviolet rays within such a range, the amount of energy applied is optimized, so that the molecular bond forming the skeleton in the bonding film 3 is prevented from being broken more than necessary, and the surface of the bonding film 3 is near the surface. Can be selectively cleaved. As a result, it is possible to reliably cause the bonding film 3 to exhibit adhesiveness while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film 3 from deteriorating.

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、分子結合の切断を効率よく行うことができる。さらに、紫外線には、例えば、UVランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、126〜200nm程度とされる。
また、UVランプを用いる場合、その出力は、接合膜3の面積に応じて異なるが、1mW/cm〜1W/cm程度であるのが好ましく、5mW/cm〜50mW/cm程度であるのがより好ましい。なお、この場合、UVランプと接合膜3との離間距離は、3〜3000mm程度とするのが好ましく、10〜1000mm程度とするのがより好ましい。
In addition, since ultraviolet rays can be processed over a wide range in a short time without unevenness, molecular bonds can be efficiently cut. Furthermore, ultraviolet rays also have the advantage that they can be generated with simple equipment such as UV lamps.
The wavelength of the ultraviolet light is more preferably about 126 to 200 nm.
In the case of using the UV lamp, the output may vary depending on the area of the bonding film 3 is preferably from 1mW / cm 2 ~1W / cm 2 or so, at 5mW / cm 2 ~50mW / cm 2 of about More preferably. In this case, the distance between the UV lamp and the bonding film 3 is preferably about 3 to 3000 mm, more preferably about 10 to 1000 mm.

また、紫外線を照射する時間は、接合膜3の表面付近の分子結合を切断し得る程度の時間、すなわち、接合膜3の表面付近に存在する分子結合を選択的に切断し得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜3の構成材料等に応じて若干異なるものの、1秒〜30分程度であるのが好ましく、1秒〜10分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的(パルス状)に照射されてもよい。
The time for irradiating the ultraviolet rays is such a time that molecular bonds near the surface of the bonding film 3 can be broken, that is, a time that molecular bonds existing near the surface of the bonding film 3 can be selectively broken. It is preferable to do this. Specifically, although it varies slightly depending on the amount of ultraviolet light, the constituent material of the bonding film 3, etc., it is preferably about 1 second to 30 minutes, and more preferably about 1 second to 10 minutes.
Moreover, although an ultraviolet-ray may be irradiated continuously in time, you may irradiate intermittently (pulse form).

一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ(パルスレーザ)、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜3のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜3の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜3の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。   On the other hand, examples of the laser light include a pulsed laser (pulse laser) such as an excimer laser, a continuous wave laser such as a carbon dioxide laser, and a semiconductor laser. Among these, a pulse laser is preferably used. In the pulse laser, heat hardly accumulates with time in the portion of the bonding film 3 irradiated with the laser light, so that the deterioration and deterioration of the bonding film 3 due to the accumulated heat can be reliably prevented. That is, according to the pulse laser, it is possible to prevent the heat accumulated in the bonding film 3 from being affected.

また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が1ps(ピコ秒)以下であるのが好ましく、500fs(フェムト秒)以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜3に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、200〜1200nm程度であるのが好ましく、400〜1000nm程度であるのがより好ましい。
The pulse width of the pulse laser is preferably as short as possible in consideration of the influence of heat. Specifically, the pulse width is preferably 1 ps (picoseconds) or less, and more preferably 500 fs (femtoseconds) or less. If the pulse width is within the above range, the influence of heat generated in the bonding film 3 due to laser light irradiation can be accurately suppressed. A pulse laser having a pulse width as small as the above range is called a “femtosecond laser”.
The wavelength of the laser light is not particularly limited, but is preferably about 200 to 1200 nm, and more preferably about 400 to 1000 nm.

また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、0.1〜10W程度であるのが好ましく、1〜5W程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、0.1〜100kHz程度であるのが好ましく、1〜10kHz程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。
In the case of a pulse laser, the peak output of the laser light varies depending on the pulse width, but is preferably about 0.1 to 10 W, and more preferably about 1 to 5 W.
Furthermore, the repetition frequency of the pulse laser is preferably about 0.1 to 100 kHz, and more preferably about 1 to 10 kHz. By setting the frequency of the pulse laser within the above range, molecular bonds near the surface can be selectively cut.

なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温(室温)〜600℃程度、より好ましくは200〜600℃程度、さらに好ましくは300〜400℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇するのを防止して、表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。
また、接合膜3に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜3の表面に合わせた状態で、この表面に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜3の表面に存在する分子結合を選択的に脱離させることができる。
The various conditions of such laser light are such that the temperature of the portion irradiated with the laser light is preferably from room temperature (room temperature) to about 600 ° C., more preferably about 200 to 600 ° C., and even more preferably 300 to 400 ° C. It is preferable to adjust as appropriate. As a result, it is possible to prevent the temperature of the portion irradiated with the laser light from significantly increasing and selectively break the molecular bond near the surface.
In addition, it is preferable that the laser light applied to the bonding film 3 is scanned along the surface in a state where the focal point is aligned with the surface of the bonding film 3. Thereby, the heat generated by the laser light irradiation is locally accumulated near the surface. As a result, molecular bonds existing on the surface of the bonding film 3 can be selectively desorbed.

また、接合膜3に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧(真空)雰囲気等が挙げられるが、中でも、大気雰囲気(特に、露点が低い雰囲気下)中で行うのが好ましい。これにより、接合膜3の表面付近にオゾンガスが生じて、表面の活性化がより円滑に行われることとなる。さらに、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。   The bonding film 3 may be irradiated with energy rays in any atmosphere. Specifically, the atmosphere, an oxidizing gas atmosphere such as oxygen, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, An inert gas atmosphere such as argon, or a reduced pressure (vacuum) atmosphere in which these atmospheres are decompressed may be mentioned. Among them, it is preferable to perform in an air atmosphere (in particular, an atmosphere having a low dew point). Thereby, ozone gas is generated in the vicinity of the surface of the bonding film 3, and the surface is activated more smoothly. Furthermore, it is not necessary to spend time and cost to control the atmosphere, and the irradiation of energy rays can be performed more easily.

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜3に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による第1の基材21の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜3で切断される分子結合の量を調整することが可能となる。このように切断される分子結合の量を調整することにより、第1の基材21と第2の基材22との間の接合強度を容易に制御することができる。
As described above, according to the method of irradiating energy rays, it is possible to easily apply energy selectively to the bonding film 3, and therefore, for example, alteration / deterioration of the first base material 21 due to application of energy. Can be prevented.
Moreover, according to the method of irradiating energy rays, the magnitude of energy to be applied can be easily adjusted with high accuracy. For this reason, it is possible to adjust the amount of molecular bonds cut by the bonding film 3. By adjusting the amount of molecular bonds to be cut in this way, the bonding strength between the first base material 21 and the second base material 22 can be easily controlled.

すなわち、表面付近で切断される分子結合の量を多くすることにより、接合膜3の表面付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜3に発現する接着性をより高めることができる。一方、表面付近で切断される分子結合の量を少なくすることにより、接合膜3の表面付近に生じる活性手を少なくし、接合膜3に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
That is, by increasing the amount of molecular bonds that are cleaved near the surface, more active hands are generated near the surface of the bonding film 3, so that the adhesiveness expressed in the bonding film 3 can be further enhanced. On the other hand, by reducing the amount of molecular bonds cleaved in the vicinity of the surface, the number of active hands generated near the surface of the bonding film 3 can be reduced, and the adhesiveness expressed in the bonding film 3 can be suppressed.
In addition, in order to adjust the magnitude | size of the energy to provide, what is necessary is just to adjust conditions, such as the kind of energy beam, the output of an energy beam, the irradiation time of an energy beam.

さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
以上のようにして、第1の基材21と第2の基材22とが接合膜3を介して化学的に結合され、図2(h)に示すような接合体1が得られる。
このようにして得られた接合体1では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、2つの基材21、22が接合されている。このため、接合体1は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
Furthermore, according to the method of irradiating energy rays, a large amount of energy can be applied in a short time, so that the energy can be applied more efficiently.
As described above, the first base member 21 and the second base member 22 are chemically bonded via the bonding film 3 to obtain the bonded body 1 as shown in FIG.
The bonded body 1 thus obtained is not bonded mainly based on a physical bond such as an anchor effect, but a short time such as a covalent bond, unlike the adhesive used in the conventional bonding method. The two base materials 21 and 22 are bonded to each other based on the strong chemical bond generated in step (b). For this reason, the bonded body 1 can be formed in a short time, is extremely difficult to peel off, and is difficult to cause uneven bonding.

また、このような接合方法によれば、高温(例えば180℃以上)での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第1の基材21および第2の基材22をも、接合に供することができる。
また、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合しているため、各基材21、22の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、本発明によれば、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
Moreover, according to such a joining method, since the heat processing at high temperature (for example, 180 degreeC or more) is not required, the 1st base material 21 and the 2nd base material 22 which were comprised with the material with low heat resistance. Can also be used for bonding.
In addition, since the first base material 21 and the second base material 22 are bonded via the bonding film 3, there is an advantage that the constituent materials of the base materials 21 and 22 are not limited.
From the above, according to the present invention, the range of selection of each constituent material of the first base material 21 and the second base material 22 can be expanded.

また、接合体1では、第1の配線パターン212を構成する各導電膜212aと第2の配線パターン222を構成する各導電膜222aとの間に、接合膜3中に分散した導電性粒子32が偏在することによって、各導電膜212aと各導電膜222aとの間が電気的に接続されている。
また、接合体1では、互いに対向していない導電膜212aと導電膜222aとの間は、接合膜3中のシリコーン材料によって絶縁されている。また、隣接する導電膜212a同士の間、および、隣接する導電膜222a同士の間も、それぞれ絶縁されている。
以上のことから、接合体1では、接合膜3(液状被膜31)の圧縮量を適宜調整することによって、導電性領域と絶縁性領域とを簡単に形成することができる。
In the bonded body 1, the conductive particles 32 dispersed in the bonding film 3 between the conductive films 212 a constituting the first wiring pattern 212 and the conductive films 222 a constituting the second wiring pattern 222. Is unevenly distributed, so that each conductive film 212a and each conductive film 222a are electrically connected.
In the bonded body 1, the conductive film 212 a and the conductive film 222 a that are not opposed to each other are insulated by the silicone material in the bonding film 3. Further, the adjacent conductive films 212a and the adjacent conductive films 222a are also insulated from each other.
From the above, in the bonded body 1, the conductive region and the insulating region can be easily formed by appropriately adjusting the compression amount of the bonding film 3 (liquid coating 31).

また、接合膜3は、前述したように、隣接する導電膜212a、222a同士を絶縁する機能を有しているので、導電膜212a、222aのピッチを比較的狭く設定した場合でも、導電膜212a、222a間の絶縁性を確保することができる。また、接合膜3は、適正な膜厚範囲が比較的薄いので、接続材が占有するスペースを極めて小さく抑えることができる。これらのことから、電気回路の高密度化に貢献することができる。   Further, since the bonding film 3 has a function of insulating the adjacent conductive films 212a and 222a as described above, even when the pitch of the conductive films 212a and 222a is set to be relatively narrow, the conductive film 212a. , 222a can be secured. In addition, since the appropriate film thickness range of the bonding film 3 is relatively thin, the space occupied by the connecting material can be kept extremely small. From these things, it can contribute to the densification of an electric circuit.

また、接合膜3は、異方導電性フィルム等で用いられる接着剤に比べて、耐有機溶剤性に優れるため、製造工程や動作に際して、接続材に有機溶剤が接触する可能性のある場合でも好適に用いることができる。
さらに、接合膜3は、複数の導電膜212aと複数の導電膜222aとの間を一括して接続することができるため、接続工程に要する時間を短縮することができる。
In addition, the bonding film 3 is more resistant to organic solvents than an adhesive used for anisotropic conductive films and the like. Therefore, even in the manufacturing process and operation, there is a possibility that the organic solvent contacts the connecting material. It can be used suitably.
Furthermore, since the bonding film 3 can collectively connect the plurality of conductive films 212a and the plurality of conductive films 222a, the time required for the connection process can be shortened.

また、接合膜3は、厚さ方向の導電性を高めると同時に、熱伝導性も高めることができる。
また、接合膜3は、従来の接着剤等に比べて、熱膨張係数が極めて小さい。このため、接合膜3は、環境温度が変化してもその厚さが変化し難いものとなり、その結果、接合体1は寸法精度の極めて高いものとなる。
In addition, the bonding film 3 can increase the conductivity in the thickness direction, and at the same time, increase the thermal conductivity.
Further, the bonding film 3 has an extremely small coefficient of thermal expansion as compared with a conventional adhesive or the like. For this reason, the thickness of the bonding film 3 hardly changes even when the environmental temperature changes. As a result, the bonded body 1 has extremely high dimensional accuracy.

また、本実施形態では、接合すべき領域(接合膜形成領域41)のみに部分的に接合膜3を形成するようにしたため、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差に基づいて接合界面に生じる応力が、接合面23全体に接合膜3を形成した場合に比べて小さく抑えられる。その結果、第1の基材21と第2の基材22の剥離を確実に抑制または防止することができる。   In this embodiment, since the bonding film 3 is partially formed only in the region to be bonded (bonding film forming region 41), the thermal expansion of the first base material 21 and the second base material 22 is performed. The stress generated at the bonding interface based on the difference in rate is suppressed as compared with the case where the bonding film 3 is formed on the entire bonding surface 23. As a result, peeling of the first base material 21 and the second base material 22 can be reliably suppressed or prevented.

また、例えば、接合膜形成領域41の面積や形状を制御することによって、接合体1の接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、第1の基材21と第2の基材22とを容易に分離可能な接合体1が得られる。すなわち、接合体1の接合強度を調整可能であると同時に、接合体1を分離する際の強度(割裂強度)を調整可能である。
かかる観点から、容易に分離可能な接合体1を作製する場合には、接合体1の接合強度は、人の手で容易に分離可能な程度の大きさであるのが好ましい。これにより、接合体1を分離する際、装置等を用いることなく、簡単に行うことができる。
Further, for example, the bonding strength of the bonded body 1 can be easily adjusted by controlling the area and shape of the bonding film forming region 41. As a result, for example, the joined body 1 capable of easily separating the first base material 21 and the second base material 22 is obtained. That is, the bonding strength of the bonded body 1 can be adjusted, and at the same time, the strength (split strength) when separating the bonded body 1 can be adjusted.
From this point of view, when the bonded body 1 that can be easily separated is manufactured, the bonding strength of the bonded body 1 is preferably large enough to be easily separated by a human hand. Thereby, when isolate | separating the conjugate | zygote 1 can be performed easily, without using an apparatus etc.

また、第1の基材21と第2の基材22の接合膜3と接触する領域の面積や形状を制御することにより、接合膜3に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第1の基材21と第2の基材22との間で熱膨張率差が大きい場合でも、各基材21、22を確実に接合することができる。
さらに、本実施形態にかかる接合方法によれば、接合膜3が形成されていない領域では、第1の基材21と第2の基材22との間に、接合膜3の厚さに相当する距離(高さ)の空間3cが形成される。このような空間3cを活かすため、接合膜形成領域41の形状を適宜調整することにより、第1の基材21と第2の基材22との間に、閉空間や流路を形成したりすることができる。
また、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
Further, by controlling the area and shape of the region of the first base material 21 and the second base material 22 that are in contact with the bonding film 3, local concentration of stress generated in the bonding film 3 can be reduced. Thereby, for example, even when the difference in thermal expansion coefficient between the first base material 21 and the second base material 22 is large, the base materials 21 and 22 can be reliably bonded.
Furthermore, according to the bonding method according to the present embodiment, the region where the bonding film 3 is not formed corresponds to the thickness of the bonding film 3 between the first base material 21 and the second base material 22. A space 3c having a distance (height) to be formed is formed. In order to make use of such a space 3c, a closed space or a flow path is formed between the first base material 21 and the second base material 22 by appropriately adjusting the shape of the bonding film forming region 41. can do.
Moreover, when the thermal expansion coefficient of the 1st base material 21 and the thermal expansion coefficient of the 2nd base material 22 are mutually different, it is preferable to join at as low a temperature as possible. By performing the bonding at a low temperature, it is possible to further reduce the thermal stress generated at the bonding interface.

具体的には、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差にもよるが、第1の基材21および第2の基材22の温度が25〜50℃程度である状態下で、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせるのが好ましく、25〜40℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体1における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。   Specifically, the temperature of the first base material 21 and the second base material 22 is 25 to 50 ° C., depending on the difference in thermal expansion coefficient between the first base material 21 and the second base material 22. It is preferable that the first base material 21 and the second base material 22 are bonded together under the condition of about 25 to 40 ° C., and more preferable. Within such a temperature range, even if the difference in thermal expansion coefficient between the first base material 21 and the second base material 22 is large to some extent, the thermal stress generated at the bonding interface can be sufficiently reduced. . As a result, it is possible to reliably suppress or prevent the occurrence of warpage or peeling in the bonded body 1.

また、この場合、具体的な第1の基材21と第2の基材22との間の熱膨張係数の差が、5×10−5/K以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
ここで、本工程において、第1の基材21と第2の基材22とを接合するメカニズムについて説明する。
In this case, when the specific difference in thermal expansion coefficient between the first base material 21 and the second base material 22 is 5 × 10 −5 / K or more, as described above. Therefore, it is particularly recommended to perform bonding at as low a temperature as possible.
Here, a mechanism for joining the first base material 21 and the second base material 22 in this step will be described.

例えば、第2の基材22の接合面24に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第1の基材21に形成された接合膜3と、第2の基材22の接合面24とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜3の表面に存在する水酸基と、第2の基材22の接合面24に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第1の基材21と第2の基材22とが接合されると推察される。   For example, the case where a hydroxyl group is exposed on the bonding surface 24 of the second substrate 22 will be described as an example. In this step, the bonding film 3 formed on the first substrate 21 and the second substrate When these are bonded so that the bonding surface 24 of 22 is in contact, the hydroxyl groups present on the surface of the bonding film 3 and the hydroxyl groups present on the bonding surface 24 of the second substrate 22 are bonded by hydrogen bonding. They attract each other and an attractive force is generated between the hydroxyl groups. It is inferred that the first base material 21 and the second base material 22 are joined by this attractive force.

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合する。その結果、第1の基材21と第2の基材22との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士または該結合手同士が酸素原子を介して結合する。これにより、第1の基材21と第2の基材22とがより強固に接合されると推察される。
また、第1の基材21の接合膜3の表面や内部、および、第2の基材22の接合面24や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手(ダングリングボンド)が存在している場合、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う(絡み合う)ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜3と第2の基材22とが特に強固に接合される。
以上のようにして、図2(h)に示す接合体(本発明の接合体)1を得ることができる。
Further, the hydroxyl groups attracting each other by this hydrogen bond are dehydrated and condensed depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the first base material 21 and the second base material 22, the bonds in which the hydroxyl groups are bonded or the bonds are bonded via oxygen atoms. Thereby, it is guessed that the 1st base material 21 and the 2nd base material 22 are joined more firmly.
Further, bonds that are not terminated on the surface and inside of the bonding film 3 of the first base member 21 and the bonding surface 24 and inside of the second base member 22, that is, unbonded hands (dangling bonds). When the first base material 21 and the second base material 22 are bonded together, these unbonded hands are recombined. Since this recombination occurs in a complicated manner so as to overlap (entangle) with each other, a network-like bond is formed at the bonding interface. Thereby, the bonding film 3 and the second base material 22 are particularly strongly bonded.
As described above, the joined body (joined body of the present invention) 1 shown in FIG. 2 (h) can be obtained.

また、このようにして得られた接合体1は、第1の基材21と第2の基材22との間の接合強度が5MPa(50kgf/cm)以上であるのが好ましく、10MPa(100kgf/cm)以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体1は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の接合方法によれば、第1の基材21と第2の基材22とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体1を効率よく作製することができる。 In addition, the bonded body 1 thus obtained preferably has a bonding strength between the first base material 21 and the second base material 22 of 5 MPa (50 kgf / cm 2 ) or more. 100 kgf / cm 2 ) or more is more preferable. The bonded body 1 having such bonding strength can sufficiently prevent the peeling. Moreover, according to the joining method of the present invention, it is possible to efficiently produce the joined body 1 in which the first base material 21 and the second base material 22 are joined with the above-described great joint strength.

また、接合膜3の厚さ方向での体積抵抗率は、導電性粒子32を介して電気的に接続された領域(導電性領域)では、1×10Ω・cm以下であるのが好ましく、1×10Ω・cm以下であるのがより好ましい。これに対し、シリコーン材料で絶縁された領域(絶縁性領域)では、接合膜3の厚さ方向の体積抵抗率は、1×10Ω・cm以上であるのが好ましく、1×10Ω・cm以上であるのがより好ましい。また、接合膜3の面方向の体積抵抗率も、同様に、1×10Ω・cm以上であるのが好ましく、1×10Ω・cm以上であるのがより好ましい。このような抵抗率の接合膜3であれば、各導電膜212aと各導電膜222aとの間を確実に導通させるとともに、隣接する導電膜212a同士の間、および、隣接する導電膜222a同士の間を、それぞれ確実に絶縁することができる。その結果、接合体1を用いて、損失や短絡を確実に防止し得る電気回路を構築することができる。また、本発明の接合方法によれば、このような優れた異方導電性を発現する接合膜3を効率よく作製することができる。
なお、接合体1を得る際、または、接合体1を得た後に、この接合体1に対して、必要に応じ、以下の2つの工程([6A]および[6B])のうちの少なくとも1つの工程(接合体1の接合強度を高める工程)を行うようにしてもよい。これにより、接合体1の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
Further, the volume resistivity in the thickness direction of the bonding film 3 is preferably 1 × 10 5 Ω · cm or less in a region (conductive region) electrically connected through the conductive particles 32. More preferably, it is 1 × 10 4 Ω · cm or less. On the other hand, in the region insulated with the silicone material (insulating region), the volume resistivity in the thickness direction of the bonding film 3 is preferably 1 × 10 8 Ω · cm or more, and preferably 1 × 10 9 Ω. -More preferably, it is cm or more. Similarly, the volume resistivity in the surface direction of the bonding film 3 is preferably 1 × 10 8 Ω · cm or more, and more preferably 1 × 10 9 Ω · cm or more. With the bonding film 3 having such a resistivity, the conductive films 212a and the conductive films 222a are reliably connected to each other, and between the adjacent conductive films 212a and between the adjacent conductive films 222a. Each can be reliably insulated. As a result, it is possible to construct an electric circuit that can reliably prevent loss and short circuit using the joined body 1. Further, according to the bonding method of the present invention, the bonding film 3 that exhibits such excellent anisotropic conductivity can be efficiently produced.
In addition, when obtaining the joined body 1 or after obtaining the joined body 1, at least one of the following two steps ([6A] and [6B]) is performed on the joined body 1 as necessary. One step (step of increasing the bonding strength of the bonded body 1) may be performed. Thereby, the joint strength of the joined body 1 can be further improved easily.

[6A] 図2(h)に示すように、得られた接合体1を、第1の基材21と第2の基材22とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第1の基材21の表面および第2の基材22の表面に、それぞれ接合膜3の表面がより近接し、接合体1における接合強度をより高めることができる。
また、接合体1を加圧することにより、接合体1中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体1における接合強度をさらに高めることができる。
[6A] As shown in FIG. 2 (h), the obtained bonded body 1 is pressurized in a direction in which the first base material 21 and the second base material 22 approach each other.
Thereby, the surface of the bonding film 3 is closer to the surface of the first substrate 21 and the surface of the second substrate 22, respectively, and the bonding strength in the bonded body 1 can be further increased.
Further, by pressurizing the bonded body 1, the gap remaining at the bonded interface in the bonded body 1 can be crushed and the bonded area can be further expanded. Thereby, the joint strength in the joined body 1 can be further increased.

さらに、導電性粒子32が柔軟性を有している場合、圧縮されてさらに扁平状となり、導電性粒子32と各導電膜212a、222aとの接触面積をより広げることができる。また、導電性粒子32がより扁平状になることにより、各導電性粒子32が元の形状に戻ろうとする復元力が生じるため、各導電性粒子32と各導電膜212a、222aとの間がより密着する。以上のようなことにより、各導電膜212aと各導電膜222aとの間の導電性をより高めることができる。   Further, when the conductive particles 32 have flexibility, the conductive particles 32 are compressed and further flattened, and the contact area between the conductive particles 32 and the respective conductive films 212a and 222a can be further expanded. In addition, since the conductive particles 32 become flatter, a restoring force is generated so that each conductive particle 32 returns to its original shape. Therefore, there is a gap between each conductive particle 32 and each conductive film 212a, 222a. Get closer. As described above, the conductivity between each conductive film 212a and each conductive film 222a can be further increased.

なお、この圧力は、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、0.2〜10MPa程度であるのが好ましく、1〜5MPa程度であるのがより好ましい。これにより、接合体1の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料によっては、各基材21、22に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、10秒〜30分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体1を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
In addition, what is necessary is just to adjust this pressure suitably according to conditions, such as each constituent material of each of the 1st base material 21 and the 2nd base material 22, each thickness, and a joining apparatus. Specifically, it is preferably about 0.2 to 10 MPa, preferably about 1 to 5 MPa, although it varies slightly depending on the constituent materials and thicknesses of the first base material 21 and the second base material 22. It is more preferable that Thereby, the joining strength of the joined body 1 can be reliably increased. In addition, although this pressure may exceed the said upper limit, depending on each component material of the 1st base material 21 and the 2nd base material 22, there exists a possibility that damage etc. may arise in each base material 21 and 22. .
The time for pressurization is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time to pressurize according to the pressure at the time of pressurizing. Specifically, the higher the pressure at which the bonded body 1 is pressed, the higher the bonding strength can be achieved even if the pressing time is shortened.

[6B] 図2(h)に示すように、得られた接合体1を加熱する。
これにより、接合体1における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体1を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体1の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは25〜100℃程度とされ、より好ましくは50〜100℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体1が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
[6B] As shown in FIG. 2H, the obtained bonded body 1 is heated.
Thereby, the joint strength in the joined body 1 can be further increased.
At this time, the temperature at the time of heating the bonded body 1 is not particularly limited as long as it is higher than room temperature and lower than the heat resistance temperature of the bonded body 1, but is preferably about 25 to 100 ° C., more preferably 50 to 100 ° C. About ℃. By heating at a temperature in such a range, it is possible to reliably increase the bonding strength while reliably preventing the bonded body 1 from being altered or deteriorated by heat.

また、加熱時間は、特に限定されないが、1〜30分程度であるのが好ましい。
また、前記工程[6A]、[6B]の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図2(h)に示すように、接合体1を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体1の接合強度を特に高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体1における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
The heating time is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30 minutes.
Moreover, when performing both said process [6A] and [6B], it is preferable to perform these simultaneously. That is, as shown in FIG. 2 (h), it is preferable to heat the bonded body 1 while pressurizing it. Thereby, the effect by pressurization and the effect by heating are exhibited synergistically, and the joint strength of the joined body 1 can be particularly increased.
By performing the steps as described above, it is possible to easily further improve the bonding strength in the bonded body 1.

≪第2実施形態≫
次に、本発明の接合方法の第2実施形態について説明する。
図3および図4は、本発明の接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図3および図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第2実施形態について説明するが、前記第1実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the joining method of the present invention will be described.
3 and 4 are views (longitudinal sectional views) for explaining a second embodiment of the joining method of the present invention. In the following description, the upper side in FIGS. 3 and 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
Hereinafter, although 2nd Embodiment of the joining method is described, it demonstrates centering around difference with the joining method concerning the said 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted about the same matter.

本実施形態にかかる接合方法は、第1の基材21と第2の基材22の双方に、それぞれ接合膜を形成し、これら接合膜を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合して接合体1を得るようにした以外は、前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、第1の基材21と第2の基材22とを用意する工程と、第1の基材21上の接合膜形成領域(第1の接合膜形成領域41a)、および、第2の基材22上の接合膜形成領域(第2の接合膜形成領域41b)に、それぞれ、液状材料30を供給し、各接合膜形成領域41a、41bに液状被膜31a、31bを形成する工程と、液状被膜31aと液状被膜31bとが密着するように、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせて仮接合体5’とする工程と、各液状被膜31a、31bに電界を付与することにより、導電性粒子32を泳動させ、導電性粒子32を所定の領域に偏在させる工程と、仮接合体5’中の各液状被膜31a、31bを乾燥して、接合膜3’を得る工程と、仮接合体5’中の接合膜3’にエネルギーを付与することにより、接合膜3’の表面および裏面付近に接着性を発現させ、第1の基材21と第2の基材22とを接合して接合体1’を得る工程とを有する。
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
In the bonding method according to the present embodiment, a bonding film is formed on each of the first base material 21 and the second base material 22, and the first base material 21 and the second base material are interposed via these bonding films. Except for joining the material 22 and obtaining the joined body 1, it is the same as that of the said 1st Embodiment.
That is, the bonding method according to the present embodiment includes a step of preparing the first base material 21 and the second base material 22, and a bonding film formation region on the first base material 21 (first bonding film formation). The liquid material 30 is supplied to the region 41a) and the bonding film formation region (second bonding film formation region 41b) on the second substrate 22, and the liquid film is applied to each bonding film formation region 41a, 41b. A step of forming 31a and 31b, and a step of superimposing the first base material 21 and the second base material 22 to form a temporary joined body 5 ′ so that the liquid coating 31a and the liquid coating 31b are in close contact with each other. The step of causing the conductive particles 32 to migrate by applying an electric field to each of the liquid coatings 31a and 31b, causing the conductive particles 32 to be unevenly distributed in a predetermined region, and the liquid coatings 31a and 31b in the temporary joined body 5 ′. Are dried to obtain a bonding film 3 ′ and the contact in the temporary bonded body 5 ′. By applying energy to the composite film 3 ′, adhesiveness is developed in the vicinity of the front surface and the back surface of the bonding film 3 ′, and the first base material 21 and the second base material 22 are bonded to each other to join the bonded body 1 ′. And obtaining a process.
Hereinafter, each process of the joining method concerning this embodiment is demonstrated one by one.

[1]まず、前記第1実施形態と同様にして、第1の絶縁性基板211と第1の配線パターン212とよりなる第1の基材21、および、第2の絶縁性基板212と第2の配線パターン222とよりなる第2の基材22を用意する。なお、本実施形態では、図3(a)に示すように、第1の基材21の一方の面(接合面23)の周縁部以外の領域が、接合膜が形成される第1の接合膜形成領域41aとして設定され、第2の基材22の一方の面(接合面24)の周縁部以外の領域が、接合膜が形成される第2の接合膜形成領域41bとして設定されている。ここで、第1の接合膜形成領域41aは、第1の配線パターン212を構成する各導電膜212aの一部と重なっており、第2の接合膜形成領域41bは、第2の配線パターン222を構成する各導電膜222aの一部と重なっているものとする。   [1] First, in the same manner as in the first embodiment, the first base material 21 including the first insulating substrate 211 and the first wiring pattern 212, the second insulating substrate 212, and the first A second base material 22 composed of two wiring patterns 222 is prepared. In the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the first bonding in which the bonding film is formed in a region other than the peripheral portion of one surface (bonding surface 23) of the first base material 21. The film forming region 41a is set, and the region other than the peripheral portion of one surface (bonding surface 24) of the second base material 22 is set as the second bonding film forming region 41b where the bonding film is formed. . Here, the first bonding film formation region 41 a overlaps a part of each conductive film 212 a constituting the first wiring pattern 212, and the second bonding film formation region 41 b includes the second wiring pattern 222. It overlaps with a part of each conductive film 222a which constitutes.

[2]次に、図3(b)に示すように、第1の基材21の第1の接合膜形成領域41aに、シリコーン材料と導電性粒子32とを含有する液状材料30を供給し、液状被膜31aを得る。また、それと同様に、第2の基材22の第2の接合膜形成領域41bに、シリコーン材料と導電性粒子32とを含有する液状材料30を供給し、液状被膜31bを得る。   [2] Next, as shown in FIG. 3B, the liquid material 30 containing the silicone material and the conductive particles 32 is supplied to the first bonding film forming region 41a of the first base member 21. A liquid coating 31a is obtained. Similarly, the liquid material 30 containing the silicone material and the conductive particles 32 is supplied to the second bonding film forming region 41b of the second base material 22 to obtain the liquid coating 31b.

この場合、第1の接合膜形成領域41aに供給する液状材料30と、第2の接合膜形成領域41bに供給する液状材料30とは、互いにシリコーン材料の組成や重合度、導電性粒子の種類、平均粒径、含有量等が異なる液状材料であってもよいが、好ましくは同種の液状材料とされる。これにより、液状被膜31aと液状被膜32bとの親和性が向上する。その結果、後述する工程を経ることにより、液状被膜31aと液状被膜32bとがより一体化し易くなるので、第1の基材21と第2の基材22との間をより強固に接合することができる。   In this case, the liquid material 30 supplied to the first bonding film formation region 41a and the liquid material 30 supplied to the second bonding film formation region 41b are mutually composed of the silicone material, the degree of polymerization, and the type of conductive particles. Liquid materials having different average particle diameters, contents, etc. may be used, but the same kind of liquid material is preferable. Thereby, the affinity between the liquid coating 31a and the liquid coating 32b is improved. As a result, the liquid coating 31a and the liquid coating 32b can be more easily integrated through the steps described later, so that the first substrate 21 and the second substrate 22 can be bonded more firmly. Can do.

[3]次に、図3(c)に示すように、液状被膜31aと液状被膜31bとが密着するように、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせる。これにより、図3(d)に示す仮接合体5’を得る。
[4]次に、図4(e)に示すように、第1の導電パターン212と第2の導電パターン222との間に電圧を印加する。これにより、第1の導電パターン222との間212と第2の導電パターン222との間に電界が生じ、液状被膜31a中および液状被膜31b中に分散していた導電性粒子32が、前記第1実施形態と同様にして、第1の導電パターン212と第2の導電パターン222との間に集まる。
[3] Next, as shown in FIG. 3C, the first base material 21 and the second base material 22 are overlapped so that the liquid coating 31a and the liquid coating 31b are in close contact with each other. Thereby, provisional joined body 5 'shown in Drawing 3 (d) is obtained.
[4] Next, as shown in FIG. 4E, a voltage is applied between the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222. As a result, an electric field is generated between the first conductive pattern 222 and the second conductive pattern 222, and the conductive particles 32 dispersed in the liquid coating 31a and the liquid coating 31b are transferred to the first conductive pattern 222. As in the first embodiment, the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222 are gathered.

次いで、必要に応じて、得られた仮接合体5’を、図4(f)に示すように厚さ方向に圧縮する。これにより、前記第1実施形態と同様、導電性粒子32が第1の導電性パターン212および第2の導電性パターン222に対してより強く接触し、各導電性パターン212、222間をより確実に導通させることができる。
また、このようにして圧縮された仮接合体5’では、図4(g)に示すように、液状被膜31aと液状被膜31bとが一体化する。
また、本実施形態では、2層の液状被膜31a、31bを重ね合わせているので、これらが一体化することにより得られた液状被膜は、各接合膜形成領域41a、41bよりも外側に広がることとなる。したがって、この広がり量を考慮して、あらかじめ各接合膜形成領域41a、41bの大きさを設定しておくのが好ましい。
Next, as necessary, the obtained temporary joined body 5 ′ is compressed in the thickness direction as shown in FIG. As a result, as in the first embodiment, the conductive particles 32 make stronger contact with the first conductive pattern 212 and the second conductive pattern 222, and the conductive patterns 212 and 222 are more reliably connected. Can be conducted.
Further, in the temporary joined body 5 ′ thus compressed, as shown in FIG. 4G, the liquid coating 31a and the liquid coating 31b are integrated.
In this embodiment, since the two liquid coatings 31a and 31b are overlapped, the liquid coating obtained by integrating them spreads outside the bonding film forming regions 41a and 41b. It becomes. Therefore, it is preferable to set the sizes of the bonding film formation regions 41a and 41b in advance in consideration of the spread amount.

[5]次に、仮接合体5’中の各液状被膜31a、31bを乾燥する。これにより、接合膜3’が形成される。
[6]次に、仮接合体5’中の接合膜3’にエネルギーを付与する(図4(g)参照)。
接合膜3’にエネルギーを付与すると、この接合膜3’では、表面および裏面付近の分子結合の一部が切断し、表面および裏面が活性化されることに起因して、第1の基材21および第2の基材22に対する接着性が発現する。その結果、接合膜3’を介して、第1の基材21と第2の基材22とを、化学的結合に基づいて強固に接合することができる。
以上のようにして、第1の基材21と第2の基材22とが接合膜3’を介して化学的に結合され、図4(h)に示すような接合体1’が得られる。
[5] Next, the liquid coatings 31a and 31b in the temporary joined body 5 ′ are dried. Thereby, the bonding film 3 ′ is formed.
[6] Next, energy is applied to the bonding film 3 ′ in the temporary bonded body 5 ′ (see FIG. 4G).
When energy is applied to the bonding film 3 ′, a part of molecular bonds in the vicinity of the front surface and the back surface is cut in the bonding film 3 ′, and the surface and the back surface are activated. Adhesiveness to 21 and the second substrate 22 is developed. As a result, the first base material 21 and the second base material 22 can be firmly bonded to each other based on chemical bonding via the bonding film 3 ′.
As described above, the first base material 21 and the second base material 22 are chemically bonded via the bonding film 3 ′, and a bonded body 1 ′ as shown in FIG. 4 (h) is obtained. .

また、接合体1’では、第1の配線パターン212を構成する各導電膜212aと第2の配線パターン222を構成する各導電膜222aとの間に、接合膜3’中に分散した導電性粒子32が偏在することによって、各導電膜212aと各導電膜222aとの間が電気的に接続されている。
また、各導電膜212aとそれに対向していない各導電膜222aとの間は、接合膜3’中のシリコーン材料によって絶縁されている。また、隣接する導電膜212a同士の間、および、隣接する導電膜222a同士の間も、それぞれ絶縁されている。
Further, in the bonded body 1 ′, the conductivity dispersed in the bonding film 3 ′ between the respective conductive films 212 a constituting the first wiring pattern 212 and the respective conductive films 222 a constituting the second wiring pattern 222. When the particles 32 are unevenly distributed, the conductive films 212a and the conductive films 222a are electrically connected.
In addition, each conductive film 212a and each conductive film 222a not facing it are insulated by the silicone material in the bonding film 3 ′. Further, the adjacent conductive films 212a and the adjacent conductive films 222a are also insulated from each other.

なお、接合体1’を得た後、この接合体1’に対して、必要に応じて、前記第1実施形態における2つの工程([6A]および[6B])のうちの少なくとも1つの工程を行うようにしてもよい。これにより、接合体1’の接合強度、および、接合膜3’の厚さ方向における導電性のさらなる向上を容易に図ることができる。
このような第2実施形態においても、前記第1実施形態と同様の作用・効果が得られる。
また、本実施形態では、特に、第1の基材21と第2の基材22の両方に、同じパターンで各液状被膜31a、31bが形成されているが、各液状被膜31a、31bのパターンは互いに異なっていてもよい。
After obtaining the joined body 1 ′, at least one of the two steps ([6A] and [6B]) in the first embodiment is performed on the joined body 1 ′ as necessary. May be performed. Thereby, it is possible to easily further improve the bonding strength of the bonded body 1 ′ and the conductivity in the thickness direction of the bonding film 3 ′.
In such a second embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.
In the present embodiment, the liquid coatings 31a and 31b are formed in the same pattern on both the first base material 21 and the second base material 22, but the pattern of the liquid coatings 31a and 31b. May be different from each other.

≪第3実施形態≫
次に、本発明の接合方法の第3実施形態について説明する。
図5および図6は、本発明の接合方法の第3実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図5および図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第3実施形態について説明するが、前記第1実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<< Third Embodiment >>
Next, a third embodiment of the joining method of the present invention will be described.
5 and 6 are views (longitudinal sectional views) for explaining a third embodiment of the joining method of the present invention. In the following description, the upper side in FIGS. 5 and 6 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
Hereinafter, the third embodiment of the bonding method will be described, but the description will focus on differences from the bonding method according to the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.

本実施形態にかかる接合方法は、磁界の作用により導電性粒子32を偏在させた後、液状被膜31を乾燥させ、接合膜3とし、この接合膜3にエネルギーを付与した後、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合するようにした以外は、前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、第1の基材21と第2の基材22とを用意し、第1の基材21上の接合膜形成領域41に、シリコーン材料中に導電性粒子32が分散してなる液状材料30を供給し、液状被膜31を形成する工程と、液状被膜31に磁界を付与することにより、導電性粒子32を泳動させ、導電性粒子32を所定の領域に偏在させる工程と、液状被膜31を乾燥して、接合膜3を得る工程と、接合膜3にエネルギーを付与することにより、接合膜3の表面および裏面付近に接着性を発現させる工程と、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせて接合体1”を得る工程とを有する。
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
In the bonding method according to the present embodiment, the conductive particles 32 are unevenly distributed by the action of a magnetic field, and then the liquid film 31 is dried to form the bonding film 3. After applying energy to the bonding film 3, the bonding film 3 is formed. The first embodiment is the same as the first embodiment except that the first base material 21 and the second base material 22 are joined together.
That is, in the bonding method according to the present embodiment, the first base material 21 and the second base material 22 are prepared, and the bonding film forming region 41 on the first base material 21 is electrically conductive in the silicone material. The step of supplying the liquid material 30 in which the particles 32 are dispersed to form the liquid coating 31 and applying a magnetic field to the liquid coating 31 causes the electroconductive particles 32 to migrate, thereby causing the electroconductive particles 32 to move into a predetermined region. A step of unevenly distributing, a step of drying the liquid coating 31 to obtain the bonding film 3, a step of developing adhesiveness in the vicinity of the front surface and the back surface of the bonding film 3 by applying energy to the bonding film 3, A step of bonding the first base material 21 and the second base material 22 through the bonding film 3 to obtain a bonded body 1 ″.
Hereinafter, each process of the joining method concerning this embodiment is demonstrated one by one.

[1]まず、前記第1実施形態と同様にして、図5(a)に示すように、第1の絶縁性基板211と第1の配線パターン212とよりなる第1の基材21、および、第2の絶縁性基板221と第2の配線パターン222とよりなる第2の基材22を用意する。
[2]次に、前記第1実施形態と同様にして、図5(b)に示すように、第1の基材21の接合膜形成領域41に、シリコーン材料と導電性粒子32を含有する液状材料30を供給し、接合膜形成領域41に液状被膜31を形成する。
[1] First, in the same manner as in the first embodiment, as shown in FIG. 5A, a first base material 21 including a first insulating substrate 211 and a first wiring pattern 212, and A second base material 22 comprising a second insulating substrate 221 and a second wiring pattern 222 is prepared.
[2] Next, as in the first embodiment, as shown in FIG. 5B, the bonding film forming region 41 of the first base material 21 contains the silicone material and the conductive particles 32. The liquid material 30 is supplied, and the liquid film 31 is formed in the bonding film formation region 41.

なお、本実施形態では、導電性粒子32が磁性を帯びている。磁性を帯びた導電性粒子32は、磁界の作用により所定の方向に泳動する。このようにして導電性粒子32の磁気泳動現象を利用することにより、導電性粒子32を所定の領域に偏在させることができる。
このような導電性粒子32は、各種強磁性材料で構成されている。これにより、導電性粒子32は、磁界の作用で磁化し、それ自体が磁石となる。その結果、後に詳述するが、複数の導電性粒子32が磁界に沿って配列することができ、配列した複数の導電性粒子32を導電性の高い配線として機能させることができる。
In the present embodiment, the conductive particles 32 are magnetized. The magnetic conductive particles 32 migrate in a predetermined direction by the action of a magnetic field. By utilizing the magnetophoretic phenomenon of the conductive particles 32 in this manner, the conductive particles 32 can be unevenly distributed in a predetermined region.
Such conductive particles 32 are made of various ferromagnetic materials. Thereby, the electroconductive particle 32 is magnetized by the effect | action of a magnetic field, and becomes a magnet itself. As a result, as will be described in detail later, the plurality of conductive particles 32 can be arranged along the magnetic field, and the arranged plurality of conductive particles 32 can function as a highly conductive wiring.

なお、導電性粒子32を構成する強磁性材料としては、Fe、CoおよびNiのいずれかを含む材料が好ましく用いられる。このような強磁性材料は、導電性も高いため、最終的に導電性の高い接合膜3が得られる。
なお、強磁性材料のうち、硬磁性材料は、保磁力が大きいため、導電性粒子32は一旦磁化すると互いに凝集し易くなる。かかる観点から、導電性粒子32を構成する材料は、強磁性材料の中でも特に軟磁性材料であるのが好ましい。軟磁性材料で構成された導電性粒子32は、保磁力が小さいため、一旦磁化しても磁界がなくなれば前述したような凝集が防止される。このため、付与する位置を微調整しつつ複数回にわたって磁界を付与するような場合でも、導電性粒子32を所定の領域に確実に偏在させることができる。
In addition, as a ferromagnetic material which comprises the electroconductive particle 32, the material containing either Fe, Co, and Ni is used preferably. Since such a ferromagnetic material has high conductivity, the bonding film 3 having high conductivity is finally obtained.
Of the ferromagnetic materials, the hard magnetic material has a large coercive force, so that the conductive particles 32 tend to aggregate together once magnetized. From this point of view, the material constituting the conductive particles 32 is preferably a soft magnetic material among the ferromagnetic materials. Since the conductive particles 32 made of a soft magnetic material have a small coercive force, the agglomeration as described above can be prevented if the magnetic field disappears once it is magnetized. For this reason, even when the magnetic field is applied a plurality of times while finely adjusting the applied position, the conductive particles 32 can be reliably distributed in a predetermined region.

[3]次に、図5(c)に示すように、第1の基材21において、第1の絶縁性基板211の下面側から、磁気発生手段6を用いて、第1の導電パターン212の各導電膜212a付近に選択的に磁界を発生させる。これにより、磁界の作用により、液状被膜31中に分散していた磁性を帯びた導電性粒子32が、泳動現象に基づいて第1の導電パターン212上に集まる。
また、導電性粒子32が磁性を帯びていると、磁界の向きに沿って導電性粒子32が整列する。その結果、第1の導電パターン212の各導電膜212aの面に対して直交する方向に、各導電性粒子32が整列することとなる。
磁気発生手段6としては、例えば、永久磁石、電磁石、コイル等が挙げられる。
[3] Next, as shown in FIG. 5C, in the first base material 21, the first conductive pattern 212 is used from the lower surface side of the first insulating substrate 211 using the magnetism generating means 6. A magnetic field is selectively generated near each conductive film 212a. As a result, the magnetically conductive particles 32 dispersed in the liquid coating 31 are collected on the first conductive pattern 212 based on the migration phenomenon by the action of the magnetic field.
Further, when the conductive particles 32 are magnetized, the conductive particles 32 are aligned along the direction of the magnetic field. As a result, the conductive particles 32 are aligned in a direction orthogonal to the surface of each conductive film 212a of the first conductive pattern 212.
Examples of the magnetism generating means 6 include a permanent magnet, an electromagnet, and a coil.

[4]次に、液状被膜31を乾燥する(溶媒または分散媒を揮発させる)。これにより、接合膜形成領域41の形状(所定形状)に対応してパターニングされた接合膜3が形成される。
なお、本実施形態では、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせる前に、液状被膜31を乾燥させるので、その後の重ね合わせる作業を容易に行うことができる。すなわち、液状被膜31を乾燥させることにより、固体の接合膜3が得られ、この接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせる作業を行えばよいので、液状被膜31の液ダレや付着等の不具合を確実に防止することができる。
[4] Next, the liquid coating 31 is dried (the solvent or the dispersion medium is volatilized). Thereby, the bonding film 3 patterned corresponding to the shape (predetermined shape) of the bonding film formation region 41 is formed.
In the present embodiment, since the liquid coating 31 is dried before the first base material 21 and the second base material 22 are superposed, the subsequent superposition operation can be easily performed. That is, by drying the liquid coating 31, the solid bonding film 3 can be obtained, and the first base material 21 and the second base material 22 can be overlapped via the bonding film 3. In addition, problems such as dripping and adhesion of the liquid coating 31 can be reliably prevented.

[5]次に、図6(d)に示すように、接合膜3にエネルギーを付与する。これにより、接合膜3に接着性が発現する。
[6]次に、図6(e)に示すように、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせる。これにより、接合体1”が得られる。
なお、接合体1”を得た後、この接合体1”に対して、必要に応じて、前記第1実施形態における2つの工程([6A]および[6B])のうちの少なくとも1つの工程を行うようにしてもよい。
このような第3実施形態においても、前記第1実施形態と同様の作用・効果が得られる。
以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
[5] Next, as shown in FIG. 6D, energy is applied to the bonding film 3. Thereby, adhesiveness is expressed in the bonding film 3.
[6] Next, as shown in FIG. 6 (e), the first base material 21 and the second base material 22 are bonded together via the bonding film 3. Thereby, a joined body 1 ″ is obtained.
After obtaining the joined body 1 ″, at least one of the two steps ([6A] and [6B]) in the first embodiment is performed on the joined body 1 ″ as necessary. May be performed.
In the third embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.
The joining method according to each of the embodiments as described above can be used to join various members.

このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機EL素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。
また、特に、各種半導体装置や電子部品の回路基板への実装、回路基板同士や配線同士の接続に対しては、高密度実装が可能な本発明の接合方法を、より効果的に適用することができる。
Examples of members used for such bonding include semiconductor elements such as transistors, diodes, and memories, piezoelectric elements such as crystal oscillators, optical elements such as reflectors, optical lenses, diffraction gratings, and optical filters. , Photoelectric conversion elements such as solar cells, semiconductor substrates and semiconductor elements mounted thereon, insulating substrates and wiring or electrodes, inkjet recording heads, microreactors, microelectromechanical system (MEMS) components such as micromirrors, pressure Sensor parts such as sensors, acceleration sensors, package parts for semiconductor elements and electronic parts, magnetic recording media, magneto-optical recording media, recording media such as optical recording media, liquid crystal display elements, organic EL elements, electrophoretic display elements Such display element parts, fuel cell parts, and the like.
In particular, the bonding method of the present invention capable of high-density mounting should be applied more effectively to mounting various semiconductor devices and electronic components on circuit boards, and to connecting circuit boards to each other and between wirings. Can do.

<液晶表示装置>
ここでは、本発明の接合体を透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態について説明する。
図7は、透過型液晶装置表示装置を示す平面図、図8は、図7に示す透過型液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図、図9は、図7中A−A線断面図、図10は、図7中B−B線断面図である。なお、各図では、図が煩雑になるのを避けるため、一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図7中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言い、図8〜図10中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Liquid crystal display device>
Here, an embodiment in which the joined body of the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display device will be described.
7 is a plan view showing a transmissive liquid crystal display device, FIG. 8 is an exploded perspective view of a liquid crystal panel included in the transmissive liquid crystal display device shown in FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. In each figure, some members are omitted in order to avoid the figure from becoming complicated. In the following description, the front side of the paper in FIG. 7 is referred to as “up”, the back side of the paper is referred to as “down”, the upper side in FIGS. 8 to 10 is referred to as “up”, and the lower side is referred to as “lower”. .

各図に示す透過型液晶表示装置(以下、単に「液晶表示装置」と言う)501は、液晶パネル(表示パネル)502と、液晶パネル502を駆動するための複数のドライバICパッケージ503と、2つの入力用配線基板505と、バックライト(光源手段)506とを有している。この液晶表示装置501は、バックライト506からの光を液晶パネル502に透過させることにより画像(情報)を表示し得るものである。   A transmissive liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as “liquid crystal display device”) 501 shown in each drawing includes a liquid crystal panel (display panel) 502, a plurality of driver IC packages 503 for driving the liquid crystal panel 502, and 2 Two input wiring boards 505 and a backlight (light source means) 506 are provided. The liquid crystal display device 501 can display an image (information) by transmitting light from the backlight 506 to the liquid crystal panel 502.

液晶パネル502は、互いに対向して配置された第1の基材507と第2の基材508とを有し、これらの第1の基材507と第2の基材508との間には、表示領域を囲むようにしてシール材509(図9参照)が設けられている。
そして、これらの第1の基材507、第2の基材508およびシール材509により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、図8および図9に示すように、液晶層(中間層)510が形成されている。
The liquid crystal panel 502 includes a first base material 507 and a second base material 508 that are arranged to face each other, and between the first base material 507 and the second base material 508, A sealant 509 (see FIG. 9) is provided so as to surround the display area.
Then, in the space defined by the first base material 507, the second base material 508, and the sealing material 509, liquid crystal that is an electro-optical material is accommodated, as shown in FIGS. A liquid crystal layer (intermediate layer) 510 is formed.

第1の基材507および第2の基材508は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
第1の基材507は、その上面(液晶層510側の面)に、マトリックス状(行列状)に配置された複数の画素電極511と、X方向に延在する信号電極512とが設けられ、1列分の画素電極511の各々が1本の信号電極512に、それぞれ、TFD素子やTFT素子のようなスイッチング素子513を介して接続されている。
また、第1の基材507の下面には、偏光板514が設けられている。
The first base material 507 and the second base material 508 are each composed of, for example, various glass materials, various resin materials, and the like.
The first base 507 is provided with a plurality of pixel electrodes 511 arranged in a matrix (matrix) and a signal electrode 512 extending in the X direction on the upper surface (the surface on the liquid crystal layer 510 side). Each column of pixel electrodes 511 is connected to one signal electrode 512 via a switching element 513 such as a TFD element or a TFT element.
In addition, a polarizing plate 514 is provided on the lower surface of the first base material 507.

一方、第2の基材508の下面(液晶層510側の面)には、複数の帯状をなす走査電極515が設けられている。これらの走査電極515は、信号電極512とほぼ直交するY方向に沿って、互いに所定の間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極511の対向電極となるように配列されている。
画素電極511と走査電極515とが重なる部分(この近傍の部分も含む)が1画素を構成し、これらの電極間において、各画素毎に液晶層510の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
On the other hand, a plurality of strip-shaped scanning electrodes 515 are provided on the lower surface (the surface on the liquid crystal layer 510 side) of the second substrate 508. These scanning electrodes 515 are arranged to be substantially parallel to each other at a predetermined interval along the Y direction substantially orthogonal to the signal electrode 512 and to be opposed to the pixel electrode 511.
The portion where the pixel electrode 511 and the scanning electrode 515 overlap (including the vicinity thereof) constitutes one pixel, and the liquid crystal of the liquid crystal layer 510 is driven for each pixel between these electrodes, that is, the alignment state of the liquid crystal Changes.

ここで、第1の基板507は、図7に示すように、平面視で第2の基板508の外縁より外側(図7中、左側および上側)へ張り出した張出領域(額縁)507Aを有している。
この張出領域507Aの上面には、信号電極512および走査電極515に連続する配線パターン522が形成されている。
Here, as shown in FIG. 7, the first substrate 507 has an overhang region (frame) 507A that protrudes outward from the outer edge (left side and upper side in FIG. 7) of the second substrate 508 in plan view. is doing.
A wiring pattern 522 that is continuous to the signal electrode 512 and the scanning electrode 515 is formed on the upper surface of the overhang region 507A.

各走査電極515の下面には、それぞれ、赤(R)、緑(G)、青(B)の有色層(カラーフィルター)516が設けられ、これらの各有色層516がブラックマトリックス517によって仕切られている。
また、第2の基板508の上面には、前記偏光板514と偏光軸が異なる偏光板518が設けられている。
Red (R), green (G), and blue (B) colored layers (color filters) 516 are provided on the lower surface of each scanning electrode 515, and these colored layers 516 are partitioned by a black matrix 517. ing.
A polarizing plate 518 having a polarizing axis different from that of the polarizing plate 514 is provided on the upper surface of the second substrate 508.

このような構成の液晶パネル502では、バックライト506から発せられた光は、偏光板514で偏光された後、第1の基板507および各画素電極511を介して、液晶層510に入射する。液晶層510に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層516、走査電極515および第2の基板508を通過した後、偏光板518で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置501では、第2の基板508の液晶層510と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像動画および静止画の双方を含む)を視認することができる。   In the liquid crystal panel 502 having such a structure, light emitted from the backlight 506 is polarized by the polarizing plate 514 and then enters the liquid crystal layer 510 through the first substrate 507 and the pixel electrodes 511. Light incident on the liquid crystal layer 510 is intensity-modulated by the liquid crystal whose alignment state is controlled for each pixel. Each light whose intensity is modulated passes through the colored layer 516, the scanning electrode 515, and the second substrate 508, and is then polarized by the polarizing plate 518 and emitted to the outside. Thereby, in the liquid crystal display device 501, from the opposite side to the liquid crystal layer 510 of the second substrate 508, for example, both color image moving images and still images such as letters, numbers, and figures can be visually recognized.

図7および図9に示すように、各ドライバICパッケージ503は、それぞれ、駆動用配線パターン519が設けられた可撓性基板520と、該可撓性基板520内に収納され、駆動用配線パターン519と電気的に接続されたドライバIC521とを有している。
ドライバIC521は、信号電極512および走査電極515に供給すべき駆動信号を生成する機能を有するものであり、半導体チップで構成されている。
また、図10に示すように、駆動用配線パターン519は、配線パターン522に対応するようにストライプ状に設けられ、駆動用配線パターン519の各配線519aの一端部が、それぞれ、配線パターン522の各配線522aと接続(接合)されている。
As shown in FIGS. 7 and 9, each driver IC package 503 includes a flexible substrate 520 provided with a drive wiring pattern 519, and is housed in the flexible substrate 520. 519 and a driver IC 521 which is electrically connected.
The driver IC 521 has a function of generating a drive signal to be supplied to the signal electrode 512 and the scan electrode 515, and is composed of a semiconductor chip.
Further, as shown in FIG. 10, the driving wiring pattern 519 is provided in a stripe shape so as to correspond to the wiring pattern 522, and one end portion of each wiring 519 a of the driving wiring pattern 519 is each of the wiring pattern 522. Each wiring 522a is connected (joined).

各入力用配線基板505は、それぞれ、入力用配線パターン523を有するプリント配線基板であり、電源用ICや制御用ICが実装された回路基板(図示せず)からの信号(画像信号等)を、その入力用配線パターン523を介して、各ドライバIC521に伝達する。
各入力用配線パターン523は、各駆動用配線パターン519に対応するように設けられ、入力用配線パターン523の各配線の一端部は、それぞれ、駆動用配線パターン519の各配線519aと接続(接合)されている。また、入力用配線パターン523の各配線の他端部は、それぞれ、回路基板が有する各配線と接続されている。
Each input wiring board 505 is a printed wiring board having an input wiring pattern 523, and receives a signal (image signal or the like) from a circuit board (not shown) on which a power supply IC and a control IC are mounted. Then, the signal is transmitted to each driver IC 521 through the input wiring pattern 523.
Each input wiring pattern 523 is provided so as to correspond to each driving wiring pattern 519, and one end portion of each wiring of the input wiring pattern 523 is connected (bonded) to each wiring 519a of the driving wiring pattern 519, respectively. ) The other end of each wiring of the input wiring pattern 523 is connected to each wiring of the circuit board.

このように構成された液晶表示装置501の駆動系では、回路基板からの信号が、各入力用配線パターン523および各駆動用配線パターン519を介して各ドライバIC521に入力され、これら各ドライバIC521によって信号電極512および走査電極515に供給すべき駆動信号が生成される。信号電極側のドライバIC521(図7中Y方向に沿って並列するドライバIC521)によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン519および信号電極512を介してスイッチング素子に供給される。スイッチング素子は、供給された駆動信号に応じて画素電極511に電流を供給する。また、走査電極515側のドライバIC521(図7中X方向に沿って並列するドライバIC521)によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン519を介して走査電極515に供給される。これにより、画素電極511と走査電極515との間で、各画素毎に、液晶層510の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。   In the drive system of the liquid crystal display device 501 configured as described above, a signal from the circuit board is input to each driver IC 521 via each input wiring pattern 523 and each driving wiring pattern 519, and each of these driver ICs 521 performs the operation. A drive signal to be supplied to the signal electrode 512 and the scan electrode 515 is generated. A drive signal generated by the driver IC 521 on the signal electrode side (driver IC 521 arranged in parallel along the Y direction in FIG. 7) is supplied to the switching element via the drive wiring pattern 519 and the signal electrode 512. The switching element supplies current to the pixel electrode 511 in accordance with the supplied drive signal. Further, the drive signal generated by the driver IC 521 on the scan electrode 515 side (driver IC 521 arranged in parallel along the X direction in FIG. 7) is supplied to the scan electrode 515 through the drive wiring pattern 519. Thereby, between the pixel electrode 511 and the scanning electrode 515, the liquid crystal of the liquid crystal layer 510 is driven for each pixel, that is, the alignment state of the liquid crystal changes.

以上のような液晶表示装置において、図10に示すように、配線パターン522が設けられた張出領域507Aと、駆動用配線パターン519が設けられたドライバICパッケージ503とを接合する際、および、入力用配線基板505とドライバICパッケージ503とを接合する際に、少なくとも1箇所において本発明の接合方法が適用されている。
換言すれば、張出領域507AとドライバICパッケージ503との接合体、入力用配線基板505とドライバICパッケージ503との接合体のうち、少なくとも1箇所に本発明の接合体が適用されている。
In the liquid crystal display device as described above, as shown in FIG. 10, when the overhang region 507A provided with the wiring pattern 522 and the driver IC package 503 provided with the driving wiring pattern 519 are joined, and When the input wiring board 505 and the driver IC package 503 are bonded, the bonding method of the present invention is applied to at least one place.
In other words, the joined body of the present invention is applied to at least one of the joined body of the overhang region 507A and the driver IC package 503 and the joined body of the input wiring board 505 and the driver IC package 503.

なお、本実施形態では、図10に示すように、張出領域507Aに設けられた配線パターン522とドライバICパッケージ503に設けられた駆動用配線パターン519との間と、この駆動用配線パターン519と入力用配線基板505に設けられた入力用配線パターン523との間が、それぞれ接合膜3を介して接合されるとともに電気的に接続されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 10, between the wiring pattern 522 provided in the overhang area 507A and the driving wiring pattern 519 provided in the driver IC package 503, and this driving wiring pattern 519. And the input wiring pattern 523 provided on the input wiring substrate 505 are bonded and electrically connected through the bonding film 3, respectively.

このような液晶表示装置501は、配線パターン522、駆動用配線パターン519、入力用配線パターン523の各ピッチが比較的狭く設定されていても、配線パターン522と駆動用配線パターン519、および、駆動用配線パターン519と入力用配線パターン523とが、接合膜3を介して、隣接する配線間の絶縁性を確実に保持しつつ、導電性よく接続されている。その結果、液晶表示装置501は、小型化を図りつつ、高い信頼性を得ることができる。
以上、本発明の接合方法および接合体について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
In such a liquid crystal display device 501, even if the pitches of the wiring pattern 522, the driving wiring pattern 519, and the input wiring pattern 523 are set to be relatively narrow, the wiring pattern 522, the driving wiring pattern 519, and the driving The wiring pattern 519 for use and the wiring pattern 523 for input are connected to each other with high conductivity through the bonding film 3 while ensuring the insulation between the adjacent wirings. As a result, the liquid crystal display device 501 can obtain high reliability while achieving downsizing.
As mentioned above, although the joining method and joined body of this invention were demonstrated based on suitable embodiment, this invention is not limited to this.

例えば、前記第1実施形態では、仮接合体5中の液状被膜31に対して電界を付与するようにしたが、仮接合体5を得る前、すなわち、第1の基材21上に液状被膜31を形成した後に、電界を付与して導電性粒子32を各導電膜212a上に偏在させるようにしてもよい。この場合、別途電界を発生させるための電極等を用意し、各導電膜212a付近のみに選択的に電界が発生するようにすればよい。   For example, in the first embodiment, an electric field is applied to the liquid coating 31 in the temporary bonded body 5. However, before the temporary bonded body 5 is obtained, that is, on the first substrate 21, the liquid coating is applied. After forming 31, an electric field may be applied so that conductive particles 32 are unevenly distributed on each conductive film 212 a. In this case, an electrode or the like for generating an electric field may be prepared separately so that the electric field is selectively generated only in the vicinity of each conductive film 212a.

また、各導電性パターン212、222間に電圧を印加することによって前述の電界を発生させるのではなく、別途電極を用意し、これにより電界を発生させるようにしてもよい。
また、前記第3実施形態では、第1の基材21上に液状被膜31を形成した後に、磁界を付与して導電性粒子32を各導電膜212a上に偏在させるようにしたが、前記第1実施形態のように、仮接合体5を得た後、仮接合体5中の液状被膜31に対して磁界を付与するようにしてもよい。
また、本発明の接合方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。
Further, instead of generating the above-described electric field by applying a voltage between the conductive patterns 212 and 222, a separate electrode may be prepared to generate the electric field.
In the third embodiment, after the liquid coating 31 is formed on the first substrate 21, the magnetic particles are applied to cause the conductive particles 32 to be unevenly distributed on each conductive film 212a. As in the embodiment, after obtaining the temporary joined body 5, a magnetic field may be applied to the liquid coating 31 in the temporary joined body 5.
Moreover, in the joining method of this invention, arbitrary processes can also be added as needed.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1.接合体の製造
(実施例1)
まず、第1の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられたPET(ポリエチレンテレフタレート)基板を用意し、第2の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられた石英ガラス基板を用意した。なお、各配線パターンは、それぞれ基板表面から突出するように形成されている。
また、PET基板および石英ガラス基板の寸法は、それぞれ、縦20mm×横20mm×平均厚さ1mmであり、また、各配線パターンは、いずれも銅薄膜によって構成され、配線の幅が200μm、ピッチが200μmである。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Manufacture of joined body (Example 1)
First, a PET (polyethylene terephthalate) substrate provided with a striped wiring pattern was prepared as a first base material, and a quartz glass substrate provided with a striped wiring pattern was prepared as a second base material. . Each wiring pattern is formed so as to protrude from the substrate surface.
The dimensions of the PET substrate and the quartz glass substrate are each 20 mm long × 20 mm wide × 1 mm average thickness. Each wiring pattern is composed of a copper thin film, the wiring width is 200 μm, and the pitch is 200 μm.

次に、シリコーン材料としてポリジメチルシロキサン骨格を有するものを含有し、溶媒としてトルエンおよびイソブタノールを含有する溶液(信越化学工業社製、「KR−251」:粘度(25℃)18.0mPa・s)に、導電性粒子として金めっきが施されたポリスチレン粒子を、最終的に得られる接合膜中での含有率が10質量%になるよう溶液中に分散させ、液状材料を用意した。なお、用いた導電性粒子は、平均粒径5μmの弾力性のある球形状粒子であった。また、導電性粒子には、帯電した粒子を用いた。
そして、PET基板およびガラス基板の上に、接合膜形成領域(周縁部の枠状の領域を除いた領域)の形状に対応する形状をなす窓部を有するマスクを設け、このマスクを介して、ロールコート法によって液状材料を供給した。これにより、両基板の配線パターンを覆うように液状被膜を形成した。
Next, a solution containing a polydimethylsiloxane skeleton as a silicone material and containing toluene and isobutanol as a solvent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KR-251”: viscosity (25 ° C.) 18.0 mPa · s ) Was dispersed in a solution so that the content in the finally obtained bonding film was 10% by mass to prepare a liquid material. The conductive particles used were elastic spherical particles having an average particle diameter of 5 μm. In addition, charged particles were used as the conductive particles.
Then, on the PET substrate and the glass substrate, a mask having a window portion having a shape corresponding to the shape of the bonding film forming region (region excluding the frame-like region of the peripheral portion) is provided, and through this mask, A liquid material was supplied by a roll coating method. Thereby, a liquid film was formed so as to cover the wiring patterns of both the substrates.

次に、マスクを除去した後、液状被膜同士が密着するように、また、両基板に設けられた配線パターン同士が向き合うようにして、両基板を重ね合わせた。これにより、仮接合体を得た。
次いで、得られた仮接合体の対向する配線パターン間に直流電圧を印加する。直流電圧を印加すると、仮接合体中の液状被膜において帯電した導電性粒子が電気泳動し、対向する配線パターン間に導電性粒子の集合が認められた。
続いて、仮接合体を厚さ方向に3MPaの圧力で圧縮した。
次に、仮接合体を、常温(25℃)で、24時間乾燥させた。これにより、接合膜を得た。
次に、得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
Next, after removing the mask, the substrates were overlapped so that the liquid coatings were in close contact with each other and the wiring patterns provided on both substrates were facing each other. Thereby, a temporary joined body was obtained.
Next, a DC voltage is applied between the opposing wiring patterns of the obtained temporary joined body. When a direct current voltage was applied, the charged conductive particles in the liquid coating in the temporary joined body were electrophoresed, and a collection of conductive particles was observed between the opposing wiring patterns.
Subsequently, the temporary joined body was compressed at a pressure of 3 MPa in the thickness direction.
Next, the temporary joined body was dried at room temperature (25 ° C.) for 24 hours. Thereby, a bonding film was obtained.
Next, the obtained bonding film was irradiated with ultraviolet rays under the following conditions.

<紫外線照射条件>
・雰囲気ガスの組成 :大気(空気)
・雰囲気ガスの温度 :20℃
・雰囲気ガスの圧力 :大気圧(100kPa)
・紫外線の波長 :172nm
・紫外線の照射時間 :5分
次に、得られた接合体を3MPaで加圧しつつ、80℃で加熱し、15分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
<Ultraviolet irradiation conditions>
-Atmospheric gas composition: Air (air)
・ Atmospheric gas temperature: 20 ℃
・ Atmospheric gas pressure: Atmospheric pressure (100 kPa)
UV wavelength: 172 nm
-Ultraviolet irradiation time: 5 minutes Next, the obtained joined body was heated at 80 ° C while being pressurized at 3 MPa, and maintained for 15 minutes. Thereby, the joint strength of the joined body was improved.

(実施例2)
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度を80℃から25℃に変更した以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
(実施例3〜4)
第1の基材の基板材料および第2の基材の基板材料を、それぞれ表1に示す材料に変更した以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
(Example 2)
A joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating temperature for heating the joined body was changed from 80 ° C to 25 ° C.
(Examples 3 to 4)
A joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate material of the first base material and the substrate material of the second base material were changed to the materials shown in Table 1, respectively.

(実施例5)
導電性粒子を、平均粒径が1μmのものに変更した以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
(実施例6)
仮接合体に対して紫外線を照射する方法に代えて、仮接合体を100℃で加熱するようにした以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
(実施例7)
導電性粒子として、銅粒子を用いた以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
(Example 5)
A joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were changed to those having an average particle diameter of 1 μm.
(Example 6)
A bonded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the temporary bonded body was heated at 100 ° C. instead of the method of irradiating the temporary bonded body with ultraviolet rays.
(Example 7)
A joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that copper particles were used as the conductive particles.

(実施例8)
ガラス基板には接合膜を形成せず、PET基板にのみ接合膜を形成した以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
(実施例9)
以下のようにして、第1の基材と第2の基材とを重ね合わせる前に、液状被膜に磁界を付与することにより、磁性を帯びた導電性粒子を磁気泳動させ、対向する配線パターン間に導電性粒子を集合させるようにした以外は、前記実施例1と同様にして接合体を得た。
まず、実施例1と同様の第1の基材および第2の基材を用意した。なお、各配線パターンは、いずれも銅薄膜によって構成され、配線の幅が3mm、ピッチが3mmである。
(Example 8)
A bonded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the bonding film was not formed on the glass substrate and the bonding film was formed only on the PET substrate.
Example 9
Before superimposing the first base material and the second base material as described below, a magnetic field is applied to the liquid coating to cause the electroconductive particles having magnetism to undergo magnetophoresis, thereby opposing wiring patterns. A joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were gathered therebetween.
First, the same 1st base material and 2nd base material as Example 1 were prepared. Each wiring pattern is made of a copper thin film, and has a wiring width of 3 mm and a pitch of 3 mm.

次に、実施例1と同様の溶液中に、導電性粒子として、表面に金めっき処理が施されたニッケル粒子を、最終的に得られる接合体中での含有率が10質量%になるよう分散させ、液状材料を調製した。なお、用いた導電性粒子は、平均粒径5μmの磁性を帯びた球形状粒子であった。
次いで、PET基板の表面上に、実施例1と同様にして液状材料を供給し、これにより、PET基板の配線パターンを覆うように液状被膜を形成した。
Next, in the same solution as in Example 1, nickel particles having a surface plated with gold as conductive particles so that the content in the finally obtained bonded body is 10% by mass. A liquid material was prepared by dispersing. The conductive particles used were spherical particles having an average particle diameter of 5 μm.
Next, a liquid material was supplied onto the surface of the PET substrate in the same manner as in Example 1, thereby forming a liquid film so as to cover the wiring pattern of the PET substrate.

次に、PET基板の裏面のうち、配線パターンに対応した位置に永久磁石を配置した。これにより、永久磁石の磁界に応じて、磁性を帯びた導電性粒子が磁気泳動し、それぞれ配線パターン上に集合した。
次に、液状被膜を乾燥させた。これにより接合膜を得た。
次いで、得られた接合膜に、実施例1と同様にして紫外線を照射した。そして、接合膜と第2の基材の導電パターン側の面とが密着するように、第1の基材と第2の基材とを貼り合わせた。これにより、接合体を得た。
次に、得られた接合体を3MPaで加圧しつつ、80℃で加熱し、15分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
Next, a permanent magnet was disposed at a position corresponding to the wiring pattern on the back surface of the PET substrate. As a result, in accordance with the magnetic field of the permanent magnet, the conductive particles having magnetism migrated and gathered on the wiring pattern.
Next, the liquid film was dried. Thereby, a bonding film was obtained.
Next, the obtained bonding film was irradiated with ultraviolet rays in the same manner as in Example 1. And the 1st base material and the 2nd base material were bonded together so that the bonding film and the surface by the side of the conductive pattern of the 2nd base material may stick. Thereby, the joined body was obtained.
Next, the resulting joined body was heated at 80 ° C. while being pressurized at 3 MPa, and maintained for 15 minutes. Thereby, the joint strength of the joined body was improved.

(実施例10)
導電性粒子として、ニッケル粒子を用いた以外は、前記実施例9と同様にして接合体を得た。なお、用いた導電性粒子は、平均粒径5μmの磁性粒子であった。
(比較例1〜3)
第1の基材の基板材料および第2の基材の基板材料を、それぞれ表1に示す材料とし、実施例1の接合膜形成領域(導電性パターンを包含する領域)と同様の領域を、以下の異方導電性フィルムで接着した以外は、前記実施例1と同様にして、接合体を得た。
(Example 10)
A joined body was obtained in the same manner as in Example 9 except that nickel particles were used as the conductive particles. The conductive particles used were magnetic particles having an average particle diameter of 5 μm.
(Comparative Examples 1-3)
The substrate material of the first base material and the substrate material of the second base material are materials shown in Table 1, respectively, and a region similar to the bonding film formation region (region including the conductive pattern) of Example 1 A bonded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following anisotropic conductive film was adhered.

<異方導電性フィルム>
メーカー :日立化成工業(株)
品名 :異方導電フィルム「ANISOLM」AC−7000系
接着剤 :スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SBS)系ホットメルト
導電性粒子:ニッケル粒子
<Anisotropic conductive film>
Manufacturer: Hitachi Chemical Co., Ltd.
Product name: Anisotropic conductive film "ANISOLM" AC-7000 series Adhesive: Styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS) hot melt Conductive particles: Nickel particles

2.接合体の評価
2.1 接合強度(割裂強度)の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ接合強度を測定した。
接合強度の測定は、各基材を引き剥がしたとき、剥がれる直前の強度(荷重)を測定することにより行った。そして、接合強度を以下の基準にしたがって評価した。
その結果、各実施例で得られた接合体の接合強度は、いずれも各比較例で得られた接合体の接合強度とほぼ同等かまたは各比較例より大きかった。
2. 2. Evaluation of Bonded Body 2.1 Evaluation of Bonding Strength (Split Strength) The bonding strength was measured for each of the bonded bodies obtained in each Example and each Comparative Example.
The measurement of the bonding strength was performed by measuring the strength (load) immediately before peeling off each substrate. Then, the bonding strength was evaluated according to the following criteria.
As a result, the joint strengths of the joined bodies obtained in the respective examples were almost equal to or greater than those of the joined bodies obtained in the respective comparative examples.

2.2 接合膜および導電性接着材の導電性の評価
各実施例で形成した接合膜および比較例1〜3で用いた異方導電性フィルム(導電性接着剤)について、厚さ方向および面方向における電気抵抗を測定した。
ここでは、各実施例および各比較例で得られた接合体において、接合膜または導電性接着剤を介して接続された導電パターン間の電気抵抗を測定することにより、接合膜および導電性接着剤の厚さ方向の電気抵抗をそれぞれ測定した。
そして、測定した接合膜および導電性接着剤の厚さ方向の電気抵抗に基づいて算出した抵抗率を、以下の評価基準にしたがって評価した。
2.2 Evaluation of Conductivity of Bonding Film and Conductive Adhesive For the bonding film formed in each Example and the anisotropic conductive film (conductive adhesive) used in Comparative Examples 1 to 3, the thickness direction and surface The electrical resistance in the direction was measured.
Here, in the joined body obtained in each example and each comparative example, the bonding film and the conductive adhesive are measured by measuring the electrical resistance between the conductive patterns connected via the bonding film or the conductive adhesive. The electrical resistance in the thickness direction was measured.
And the resistivity computed based on the measured electrical resistance of the thickness direction of a joining film | membrane and a conductive adhesive was evaluated in accordance with the following evaluation criteria.

<抵抗率の評価基準>
◎:1×10Ω・cm未満
○:1×10Ω・cm以上、1×10Ω・cm未満
△:1×10Ω・cm以上、1×10Ω・cm未満
×:1×10Ω・cm以上
<Evaluation criteria for resistivity>
◎: Less than 1 × 10 2 Ω · cm ○: 1 × 10 2 Ω · cm or more, less than 1 × 10 5 Ω · cm Δ: 1 × 10 5 Ω · cm or more, less than 1 × 10 8 Ω · cm ×: 1 × 10 8 Ω · cm or more

2.3 耐薬品性の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体を、80℃に維持したインクジェットプリンタ用インク(エプソン社製、「HQ4」)に、以下の条件で3週間浸漬した。その後、各基材を引き剥がし、接合界面にインクが浸入していないかを確認した。そして、その結果を以下の基準にしたがって評価した。
2.3 Evaluation of chemical resistance The joined bodies obtained in each of Examples and Comparative Examples were immersed in ink for inkjet printers (manufactured by Epson, “HQ4”) maintained at 80 ° C. for 3 weeks under the following conditions. did. Thereafter, each base material was peeled off, and it was confirmed whether or not ink entered the bonding interface. The results were evaluated according to the following criteria.

<耐薬品性の評価基準>
◎:全く浸入していない
○:角部にわずかに浸入している
△:縁部に沿って浸入している
×:内側に浸入している
以上、2.2〜2.3の各評価結果を表1に示す。
<Evaluation criteria for chemical resistance>
◎: Not penetrated at all ○: Slightly penetrated into the corner △: Infiltrated along the edge ×: Intruded inside As described above, each evaluation result of 2.2 to 2.3 Is shown in Table 1.

Figure 2009298915
Figure 2009298915

表1から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、その導電パターン間の導電性が、各比較例で得られた接合体とほぼ同等かまたはやや優れていた。
また、各実施例で得られた接合体は、優れた耐薬品性を示した。一方、各比較例で得られた接合体は、耐薬品性が十分ではなかった。
As is clear from Table 1, the joined bodies obtained in each example had conductivity between the conductive patterns substantially equal to or slightly superior to the joined bodies obtained in each comparative example.
Moreover, the joined body obtained in each Example showed excellent chemical resistance. On the other hand, the joined body obtained in each comparative example was not sufficient in chemical resistance.

本発明の接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 1st Embodiment of the joining method of this invention. 本発明の接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 1st Embodiment of the joining method of this invention. 本発明の接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 2nd Embodiment of the joining method of this invention. 本発明の接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 2nd Embodiment of the joining method of this invention. 本発明の接合方法の第3実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal section) for explaining a 3rd embodiment of the joining method of the present invention. 本発明の接合方法の第3実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal section) for explaining a 3rd embodiment of the joining method of the present invention. 本発明の接合体を適用して得られた透過型液晶装置表示装置を示す上面図である。It is a top view which shows the transmission type liquid crystal display device obtained by applying the conjugate | zygote of this invention. 図7に示す液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the liquid crystal panel with which the liquid crystal display device shown in FIG. 7 is provided. 図7中A−A線断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図7中B−B線断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along line B-B in FIG. 7.

符号の説明Explanation of symbols

1、1’、1”……接合体 21……第1の基材 211……第1の絶縁性基板 212……第1の配線パターン 212a……導電膜 22……第2の基材 221……第2の絶縁性基板 222……第2の配線パターン 222a……導電膜 23、24……接合面 3、3’……接合膜 3c……空間 30……液状材料 31、31a、31b……液状被膜 41……接合膜形成領域 41a……第1の接合膜形成領域 41b……第2の接合膜形成領域 5、5’……仮接合体 501……液晶表示装置 502……液晶パネル 503……ドライバICパッケージ 505……入力用配線基板 506……バックライト 507……第1の基材 507A……張出領域 508……第2の基材 509……シール材 510……液晶層 511……画素電極 512……信号電極 513……スイッチング素子 514……偏光板 515……走査電極 516……有色層 517……ブラックマトリックス 518……偏光板 519……駆動用配線パターン 520……可撓性基板 521……ドライバIC 522……配線パターン 523……入力用配線パターン   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1 ', 1 "... Assembly 21 ... 1st base material 211 ... 1st insulating board 212 ... 1st wiring pattern 212a ... Conductive film 22 ... 2nd base material 221 2nd insulating substrate 222 ... 2nd wiring pattern 222a ... Conductive film 23, 24 ... Bonding surface 3, 3 '... Bonding film 3c ... Space 30 ... Liquid material 31, 31a, 31b ...... Liquid coating film 41... Bonding film forming area 41 a... First bonding film forming area 41 b... Second bonding film forming area 5, 5 ′ Temporary bonding body 501. Panel 503... Driver IC package 505 .. Input wiring board 506... Backlight 507... First substrate 507 A .. Overhang region 508 ....... Second substrate 509. Layer 511 …… Elementary electrode 512... Signal electrode 513. Switching element 514... Polarizing plate 515 .. Scan electrode 516 .. Colored layer 517... Black matrix 518 ... Polarizing plate 519. Substrate 521 …… Driver IC 522 …… Wiring pattern 523 …… Input wiring pattern

Claims (27)

接合膜を介して接合される基材として、表面に第1の導電部を有する第1の基材と表面に第2の導電部を有する第2の基材とを用意する第1の工程と、
前記第1の基材および第2の基材の少なくとも一方の表面上に、シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成する第2の工程と、
前記液状被膜に電界および磁界の少なくとも一方を付与することにより、前記導電性粒子を泳動させ、該導電性粒子を前記液状被膜中の前記第1の導電部と前記第2の導電部との間の領域に偏在させる第3の工程と、
前記液状被膜を乾燥して、前記接合膜を得る第4の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜に接着性を発現させ、前記接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とが接合された接合体を得るとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第1の導電部と前記第2の導電部との間を電気的に接続する第5の工程とを有することを特徴とする接合方法。
A first step of preparing a first base material having a first conductive portion on the surface and a second base material having a second conductive portion on the surface as the base material to be bonded via the bonding film; ,
A second step of forming a liquid film by supplying a liquid material containing a silicone material and conductive particles on the surface of at least one of the first substrate and the second substrate;
By applying at least one of an electric field and a magnetic field to the liquid coating, the conductive particles are migrated, and the conductive particles are placed between the first conductive portion and the second conductive portion in the liquid coating. A third step of uneven distribution in the region of
A fourth step of drying the liquid film to obtain the bonding film;
By giving energy to the bonding film, the bonding film is made to exhibit adhesiveness, and a bonded body in which the first base material and the second base material are bonded via the bonding film is obtained. And a fifth step of electrically connecting the first conductive portion and the second conductive portion via the conductive particles in the bonding film.
前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される請求項1に記載の接合方法。   The bonding method according to claim 1, wherein the silicone material has a main skeleton made of polydimethylsiloxane. 前記シリコーン材料は、シラノール基を有する請求項1または2に記載の接合方法。   The bonding method according to claim 1, wherein the silicone material has a silanol group. 前記接合膜に前記エネルギーを付与して、前記接合膜に接着性を発現させた後、前記接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを重ね合わせることにより、前記接合体を得る請求項1ないし3のいずれかに記載の接合方法。   By applying the energy to the bonding film and expressing the bonding film with adhesiveness, the first base material and the second base material are overlapped with each other through the bonding film. The joining method according to any one of claims 1 to 3, wherein a joined body is obtained. 前記接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを重ね合わせた後、前記接合膜に前記エネルギーを付与することにより、前記接合膜を得る請求項1ないし3のいずれかに記載の接合方法。   4. The bonding film according to claim 1, wherein the bonding film is obtained by superimposing the first base material and the second base material on the bonding film and then applying the energy to the bonding film. The joining method according to the above. 前記導電性粒子は、帯電しており、
前記第3の工程において、前記液状被膜に電界を付与することにより、前記導電性粒子を電気泳動させる請求項1ないし5のいずれかに記載の接合方法。
The conductive particles are charged,
The bonding method according to claim 1, wherein in the third step, the conductive particles are electrophoresed by applying an electric field to the liquid film.
前記第3の工程において、前記第1の導電部と前記第2の導電部との間に電圧を印加することにより、前記導電性粒子を、前記第1の導電部と前記第2の導電部との間に偏在させる請求項6に記載の接合方法。   In the third step, by applying a voltage between the first conductive portion and the second conductive portion, the conductive particles are changed into the first conductive portion and the second conductive portion. The bonding method according to claim 6, wherein the bonding method is unevenly distributed between the two. 前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する金属膜とを有するものである請求項1ないし7のいずれかに記載の接合方法。   The bonding method according to claim 1, wherein the conductive particles include base particles and a metal film that covers the surface of the base particles. 前記導電膜は、Ni、CuまたはAuを主材料として構成されている請求項8に記載の接合方法。   The bonding method according to claim 8, wherein the conductive film is composed of Ni, Cu, or Au as a main material. 前記基材粒子は、樹脂材料で構成されている請求項8または9に記載の接合方法。   The joining method according to claim 8 or 9, wherein the base particles are made of a resin material. 前記導電性粒子は、強磁性材料で構成されており、
前記第3の工程において、前記液状被膜に磁界を付与することにより、前記導電性粒子を磁気泳動させる請求項1ないし5のいずれかに記載の接合方法。
The conductive particles are made of a ferromagnetic material,
The bonding method according to claim 1, wherein in the third step, the conductive particles are subjected to magnetophoresis by applying a magnetic field to the liquid film.
前記強磁性材料は、Fe、CoまたはNiを含む請求項11に記載の接合方法。   The bonding method according to claim 11, wherein the ferromagnetic material contains Fe, Co, or Ni. 前記導電性粒子は、弾力性を有している請求項1ないし12のいずれかに記載の接合方法。   The joining method according to claim 1, wherein the conductive particles have elasticity. 前記導電性粒子の平均粒径は、0.5〜100μmである請求項1ないし13のいずれかに記載の接合方法。   The joining method according to claim 1, wherein an average particle diameter of the conductive particles is 0.5 to 100 μm. 前記接合膜中における前記導電性粒子の含有量は、1〜50質量%である請求項1ないし14のいずれかに記載の接合方法。   The bonding method according to claim 1, wherein a content of the conductive particles in the bonding film is 1 to 50% by mass. 前記第1の基材は、第1の絶縁性基板と、前記第1の導電部として、該第1の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第1の導電膜とを有しており、
前記第2の基材は、第2の絶縁性基板と、前記第2の導電部として、該第2の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第2の導電膜とを有しており、
前記接合膜を介して、前記第1の基材と前記第2の基材とを接合するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間を選択的に電気的に接続する請求項1ないし15のいずれかに記載の接合方法。
The first base material is provided as a first insulating substrate and a first conductive portion so as to protrude from a surface located on the bonding film side of the first insulating substrate. And a conductive film of
The second base is provided as a second insulating substrate and a second conductive portion that protrudes from a surface located on the bonding film side of the second insulating substrate. And a conductive film of
The first base material and the second base material are joined through the joint film, and the first conductive film and the second base material are joined through the conductive particles in the joint film. The bonding method according to claim 1, wherein the conductive film is selectively electrically connected to the conductive film.
前記接合膜中の前記導電性粒子は、前記第1の導電膜および前記第2の導電膜のうち、互いに対向している領域同士を選択的に電気的に接続する請求項16に記載の接合方法。   The bonding according to claim 16, wherein the conductive particles in the bonding film selectively electrically connect regions facing each other in the first conductive film and the second conductive film. Method. 前記第5の工程における前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも1つの方法により行われる請求項1ないし17のいずれかに記載の接合方法。   The application of energy in the fifth step is performed by at least one of a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying compressive force to the bonding film. The joining method according to claim 1, wherein the joining method is performed. 前記エネルギー線は、波長126〜300nmの紫外線である請求項18に記載の接合方法。   The bonding method according to claim 18, wherein the energy rays are ultraviolet rays having a wavelength of 126 to 300 nm. 前記加熱の温度は、25〜100℃である請求項18に記載の接合方法。   The bonding method according to claim 18, wherein the heating temperature is 25 to 100 ° C. 前記圧縮力は、0.2〜10MPaである請求項18に記載の接合方法。   The joining method according to claim 18, wherein the compressive force is 0.2 to 10 MPa. 前記第5の工程における前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項1ないし21のいずれかに記載の接合方法。   The joining method according to any one of claims 1 to 21, wherein the application of the energy in the fifth step is performed in an air atmosphere. 前記接合膜の平均厚さは、100nm〜100μmである請求項1ないし22のいずれかに記載の接合方法。   The bonding method according to claim 1, wherein an average thickness of the bonding film is 100 nm to 100 μm. 前記第2の工程において、前記第1の基材および前記第2の基材の双方の表面上に、前記液状被膜を形成し、
前記第5の工程において、前記液状被膜同士が密着するように、前記第1の基材と前記第2の基材とを重ね合わせる請求項1ないし23のいずれかに記載の接合方法。
In the second step, the liquid film is formed on the surfaces of both the first base material and the second base material,
The joining method according to any one of claims 1 to 23, wherein in the fifth step, the first base material and the second base material are overlapped so that the liquid coatings are in close contact with each other.
前記第5の工程の後に、さらに、前記接合体に対して、前記第1の基材と前記第2の基材との接合強度を高める処理を行う工程を有する請求項1ないし24のいずれかに記載の接合方法。   The process according to any one of claims 1 to 24, further comprising, after the fifth step, a process of increasing a bonding strength between the first base material and the second base material on the joined body. The joining method described in 1. 前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも1つの方法により行われる請求項25に記載の接合方法。   The step of increasing the bonding strength is performed by at least one of a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying a compressive force to the bonding film. The bonding method according to claim 25. 前記第1の基材および前記第2の基材は、互いに対向する面に、それぞれ導電部を有しており、
前記第1の基材と前記第2の基材との間が、請求項1ないし26のいずれかに記載の接合方法により接合されてなり、かつ、前記各導電部間が電気的に接続されてなることを特徴とする接合体。
Each of the first base material and the second base material has a conductive portion on a surface facing each other,
The first base material and the second base material are joined by the joining method according to any one of claims 1 to 26, and the conductive portions are electrically connected. A joined body characterized by comprising.
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