JP2009231192A - Manufacturing method for organic el device, organic el device, and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】額縁領域を狭くすることが可能な有機EL装置の製造方法、有機EL装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】有機EL装置1の製造方法は、基板10上に発光画素2を形成する発光画素形成工程と、基板10上又は基板50上に枠状のシール剤6を形成するシール剤形成工程と、基板10上又は基板50上のシール剤6に囲まれた領域に充填剤46を塗布する充填剤塗布工程と、基板10と基板50とをシール剤6及び充填剤46を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、シール剤6及び充填剤46を硬化させる硬化工程と、シール剤6に囲まれた領域を通る切断線Lに沿って基板10及び基板50を切断する切断工程と、を有する。
【選択図】図7An organic EL device manufacturing method, an organic EL device, and an electronic apparatus capable of narrowing a frame region are provided.
A method of manufacturing an organic EL device includes a light emitting pixel forming step of forming a light emitting pixel on a substrate and a sealant forming step of forming a frame-shaped sealing agent on the substrate or the substrate. And a filler coating step of coating the substrate 10 or the substrate 50 on a region surrounded by the sealant 6, and the substrate 10 and the substrate 50 are bonded together via the sealant 6 and the filler 46. A bonding process; a curing process for curing the sealant 6 and the filler 46; and a cutting process for cutting the substrate 10 and the substrate 50 along a cutting line L passing through a region surrounded by the sealant 6.
[Selection] Figure 7
Description
本発明に係る一態様は、有機EL装置の製造方法、有機EL装置及び電子機器に関する。 One embodiment according to the present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device, an organic EL device, and an electronic apparatus.
自発光が可能な有機EL(Electro Luminescence)装置は、広視野角、高コントラスト、薄型、高速応答といった利点を有しており、近年では各種電子機器の表示部等に用いられている。有機EL装置の構成の1つとして、発光画素が形成された素子基板と、対向基板とが、発光画素を囲む枠状のシール剤を介して貼り合わされた構成が知られている(特許文献1)。このような構成によれば、素子基板に、カラーフィルタを備えた対向基板を対向させることができ、また発光画素をシール剤、対向基板によって密閉することができる。 An organic EL (Electro Luminescence) device capable of self-emission has advantages such as a wide viewing angle, high contrast, thinness, and high-speed response, and has recently been used in display units of various electronic devices. As one configuration of the organic EL device, a configuration is known in which an element substrate on which a light emitting pixel is formed and a counter substrate are bonded together via a frame-shaped sealing agent surrounding the light emitting pixel (Patent Document 1). ). According to such a configuration, the counter substrate provided with the color filter can be opposed to the element substrate, and the light emitting pixels can be sealed with the sealant and the counter substrate.
また、素子基板、対向基板、シール剤に囲まれた領域にさらに充填剤が封入された構成も知られている。図12は、このような構成の有機EL装置70を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)中のC−C線における断面図である。有機EL装置70は、発光画素2R,2G,2B(以下単に発光画素2とも呼ぶ)が形成された素子基板20と、対向基板60とが、発光画素2を囲む枠状のシール剤6を介して貼り合わされた構成を有している。素子基板20、対向基板60、シール剤6に囲まれた領域には、充填剤46が充填されている。このような構成によれば、発光画素2の密閉性をより向上させることができる。
In addition, a configuration in which a filler is further sealed in a region surrounded by an element substrate, a counter substrate, and a sealant is also known. 12A and 12B are diagrams showing the
しかしながら、上記構成においては、有機EL装置70の外縁部に枠状のシール剤6の形成領域を確保しなければならず、この領域には発光画素2を配置することができない。このため、有機EL装置70の外周と発光画素2との間の額縁領域を狭くすることが困難であるという課題がある。
However, in the above configuration, a region where the frame-
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]第1基板上に発光画素を形成する発光画素形成工程と、前記第1基板上の前記発光画素が形成された側又は第2基板上に、枠状のシール剤を形成するシール剤形成工程と、前記第1基板上又は前記第2基板上の前記シール剤に囲まれた領域に充填剤を塗布する充填剤塗布工程と、前記第1基板と前記第2基板とを前記シール剤及び前記充填剤を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記シール剤及び前記充填剤を硬化させる硬化工程と、前記シール剤に囲まれた領域を通る切断線に沿って前記第1基板及び前記第2基板を切断する切断工程と、を有する有機EL装置の製造方法。 Application Example 1 A light emitting pixel forming step of forming a light emitting pixel on a first substrate, and a frame-shaped sealing agent is formed on the side of the first substrate on which the light emitting pixel is formed or on the second substrate. A sealing agent forming step, a filler applying step of applying a filler to a region surrounded by the sealing agent on the first substrate or the second substrate, and the first substrate and the second substrate. A bonding step of bonding through the sealing agent and the filler; a curing step of curing the sealing agent and the filler; and the first substrate along a cutting line passing through a region surrounded by the sealing agent; And a cutting step of cutting the second substrate.
このような方法によれば、充填剤及び対向基板によって封止された発光画素を有する有機EL装置を製造することができる。ここで、有機EL装置は、シール剤に囲まれた領域を通る切断線に沿って第1基板及び第2基板を切断する切断工程を経て製造される。このため、得られる有機EL装置は、外縁部の少なくとも一部においてシール剤が形成されていない状態となる。このようにすれば、有機EL装置においてシール剤形成領域の一部を省略することができる。よって、発光画素と外周との間の額縁領域を狭くすることができ、ひいては有機EL装置を小型化することが可能となる。 According to such a method, an organic EL device having a light emitting pixel sealed with a filler and a counter substrate can be manufactured. Here, the organic EL device is manufactured through a cutting process of cutting the first substrate and the second substrate along a cutting line passing through a region surrounded by the sealant. For this reason, the obtained organic EL device is in a state in which a sealing agent is not formed on at least a part of the outer edge portion. In this way, a part of the sealing agent forming region can be omitted in the organic EL device. Therefore, the frame region between the light emitting pixel and the outer periphery can be narrowed, and the organic EL device can be downsized.
[適用例2]上記有機EL装置の製造方法であって、前記第1基板上に、列状に並んだ複数の端子を含む端子部を形成する工程を有し、前記シール剤形成工程は、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って前記シール剤を形成する工程を含み、前記切断工程は、前記端子部に沿って形成された前記シール剤を内部に含む矩形の切断線に沿って前記第1基板及び前記第2基板を切断する工程を含む有機EL装置の製造方法。 Application Example 2 In the method of manufacturing the organic EL device, the method includes a step of forming a terminal portion including a plurality of terminals arranged in a row on the first substrate, and the sealing agent forming step includes: A step of forming the sealing agent along the terminal portion between the terminal portion and the light emitting pixel, and the cutting step includes a rectangular shape including the sealing agent formed along the terminal portion inside. An organic EL device manufacturing method including a step of cutting the first substrate and the second substrate along a cutting line.
このような方法によれば、充填剤塗布工程において、シール剤が隔壁となることにより端子部に充填剤が浸入するのを防ぐことができる。これにより、外部に露出された端子部を有する狭額縁の有機EL装置を製造することができる。 According to such a method, it is possible to prevent the filler from entering the terminal portion due to the sealing agent serving as the partition wall in the filler application step. Thereby, an organic EL device having a narrow frame having a terminal part exposed to the outside can be manufactured.
[適用例3]上記有機EL装置の製造方法であって、前記発光画素形成工程は、前記第1基板上に、複数の前記有機EL装置を構成する前記発光画素を形成する工程を含み、前記シール剤形成工程は、複数の前記有機EL装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含む有機EL装置の製造方法。 Application Example 3 In the method for manufacturing the organic EL device, the light emitting pixel forming step includes forming the light emitting pixels constituting the plurality of organic EL devices on the first substrate, The sealing agent forming step is a method of manufacturing an organic EL device including a step of forming the frame-shaped sealing agent surrounding the light emitting pixels included in the plurality of organic EL devices.
このような方法によれば、有機EL装置ごとに発光画素をシール剤で囲む方法に比べて、シール剤形成領域の長さを短縮することができる。また、充填剤を塗布する位置の自由度を高くすることができる。これらにより、有機EL装置の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。 According to such a method, the length of the sealant forming region can be shortened as compared with the method of surrounding the light emitting pixels with the sealant for each organic EL device. Moreover, the freedom degree of the position which applies a filler can be made high. Accordingly, the manufacturing process of the organic EL device can be simplified or shortened.
[適用例4]上記有機EL装置の製造方法であって、前記発光画素形成工程は、隣り合う2つの前記有機EL装置を構成する前記端子部が、当該2つの有機EL装置を構成する前記発光画素を挟んで反対側に位置するように、前記第1基板上に前記発光画素及び前記端子部を形成する工程を含み、前記シール剤形成工程は、少なくとも前記2つの有機EL装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含む有機EL装置の製造方法。 Application Example 4 In the method for manufacturing the organic EL device, in the light emitting pixel forming step, the light emitting element in which the terminal portions constituting the two adjacent organic EL devices constitute the two organic EL devices. Forming the light emitting pixel and the terminal portion on the first substrate so as to be located on the opposite side across the pixel, and the sealing agent forming step is included in at least the two organic EL devices A manufacturing method of an organic EL device including a step of forming a frame-shaped sealing agent surrounding a light emitting pixel.
このような方法によれば、シール剤形成領域の長さをさらに短縮することができる。また、充填剤を塗布する位置の自由度をさらに高くすることができる。これらにより、有機EL装置の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。 According to such a method, the length of the sealant forming region can be further shortened. Further, the degree of freedom of the position where the filler is applied can be further increased. Accordingly, the manufacturing process of the organic EL device can be simplified or shortened.
[適用例5]上記有機EL装置の製造方法であって、前記シール剤は紫外線硬化性樹脂であり、前記硬化工程は、前記シール剤に紫外線を照射する工程を含む有機EL装置の製造方法。 Application Example 5 A manufacturing method of the organic EL device, wherein the sealing agent is an ultraviolet curable resin, and the curing step includes a step of irradiating the sealing agent with ultraviolet rays.
このような方法によれば、硬化工程においてシール剤に紫外線を照射することにより容易にシール剤を硬化させることができる。 According to such a method, the sealing agent can be easily cured by irradiating the sealing agent with ultraviolet rays in the curing step.
[適用例6]上記有機EL装置の製造方法であって、前記充填剤は熱硬化性樹脂であり、前記硬化工程は、前記充填剤を加熱する工程を含む有機EL装置の製造方法。 Application Example 6 In the method for manufacturing the organic EL device, the filler is a thermosetting resin, and the curing step includes a step of heating the filler.
このような方法によれば、硬化工程において充填剤を加熱することにより容易に充填剤を硬化させることができる。 According to such a method, the filler can be easily cured by heating the filler in the curing step.
[適用例7]上記有機EL装置の製造方法であって、前記シール剤の粘度は前記充填剤の粘度より大きい有機EL装置の製造方法。 Application Example 7 A manufacturing method of the organic EL device, wherein the sealing agent has a viscosity higher than that of the filler.
このような方法によれば、貼り合わせ工程において、シール剤が、充填剤の拡大範囲を規定する隔壁として機能するため、充填剤を所望の領域内に形成することができる。 According to such a method, in the bonding step, the sealing agent functions as a partition that defines the expansion range of the filler, and therefore the filler can be formed in a desired region.
[適用例8]第1基板と、前記第1基板に、シール剤及び充填剤を介して貼り合わされた第2基板と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に形成された発光画素と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面の外縁部に、前記第1基板の少なくとも1つの辺に沿って形成された複数の端子を含む端子部と、を備え、前記シール剤は、平面視で、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って形成され、前記充填剤は、前記第1基板と前記第2基板との間の領域のうち、前記シール剤の前記発光画素側に充填されている有機EL装置。 Application Example 8 Light Emitting Formed on the First Substrate, the Second Substrate Affixed to the First Substrate via Sealant and Filler, and the Surface of the First Substrate Opposing to the Second Substrate A pixel portion; and a terminal portion including a plurality of terminals formed along at least one side of the first substrate on an outer edge portion of a surface of the first substrate facing the second substrate, and the seal The agent is formed along the terminal portion between the terminal portion and the light emitting pixel in a plan view, and the filler is the region of the region between the first substrate and the second substrate. An organic EL device filled on the light emitting pixel side of a sealing agent.
このような構成の有機EL装置は、外縁部の少なくとも一部においてシール剤が形成されていない。このため、発光画素と外周との間の額縁領域を狭くすることができ、ひいては有機EL装置を小型化することが可能となる。 In the organic EL device having such a configuration, a sealing agent is not formed on at least a part of the outer edge portion. For this reason, the frame region between the light emitting pixel and the outer periphery can be narrowed, and as a result, the organic EL device can be miniaturized.
[適用例9]上記有機EL装置を備える電子機器。 Application Example 9 Electronic equipment including the organic EL device.
このような構成によれば、狭額縁の有機EL装置を用いることによって、電子機器の設計自由度を高めることができる。 According to such a configuration, the degree of freedom in designing electronic equipment can be increased by using an organic EL device with a narrow frame.
以下、図面を参照し、有機EL装置の製造方法、有機EL装置及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。 Hereinafter, embodiments of a method for manufacturing an organic EL device, an organic EL device, and an electronic apparatus will be described with reference to the drawings. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately different from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.
(第1の実施形態)
<有機EL装置>
図1は、有機EL装置1の配線構造を示す模式図である。有機EL装置1は、スイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor)素子を用いたアクティブマトリクス型の有機EL装置である。有機EL装置1は、複数の走査線16と、各走査線16に対して交差する方向に延びる複数の信号線17と、各信号線17に並列に延びる複数の電源線18とがそれぞれ配線された構成を有している。走査線16と信号線17との交差ごとに、発光画素2R,2G,2Bが形成されている。発光画素2R,2G,2Bは、それぞれ赤色、緑色、青色の光を発光する。以下では、発光色を区別しない場合には、単に発光画素2とも呼ぶ。
(First embodiment)
<Organic EL device>
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of the
信号線17は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路14に接続されている。また、走査線16は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査線駆動回路15に接続されている。データ線駆動回路14、走査線駆動回路15は、外部回路と接続するための端子19に電気的に接続されている。
The signal line 17 is connected to a data
発光画素2の領域のそれぞれには、走査線16を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT11と、スイッチング用TFT11を介して信号線17から供給される画素信号を保持する保持容量13と、保持容量13によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT12と、駆動用TFT12を介して電源線18に電気的に接続したときに電源線18から駆動電流が流れ込む有機機能層30とが設けられている。
In each of the regions of the
有機EL装置1では、走査線16が駆動されてスイッチング用TFT11がオン状態になると、そのときの信号線17の電位が保持容量13に保持され、保持容量13の状態に応じて駆動用TFT12のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT12のチャネルを介して電源線18から有機機能層30に電流が流れる。有機機能層30は、この電流の大きさに応じた輝度で発光する。
In the
図2は、有機EL装置1の平面図である。また、図3は、図2中のA−A線における断面図であり、図4は、図2中のB−B線における断面図である。有機EL装置1は、第1基板としての矩形の基板10を含む素子基板20と、第2基板としての矩形の基板50を含む対向基板60とが、シール剤6及び充填剤46を介して貼り合わされた構成を有している。基板10の基板50に対向する面には、発光画素2が形成されている。
FIG. 2 is a plan view of the
図2に示すように、発光画素2は、基板10上に平面視でマトリクス状に配置されている。発光画素2R,2G,2Bは、行方向にこの順に繰り返し配列されている。行方向に並んだ隣り合う3つの発光画素2R,2G,2Bからなる発光画素群が、表示の単位(ピクセル)となる。列方向の配置としては、例えば、ある列に配置される発光画素2の色を全て同一とし、発光画素2R,2G,2Bがストライプ状に並ぶような配置とすることができる。
As shown in FIG. 2, the
基板10を含む素子基板20は、基板50を含む対向基板60より大きく、一部が対向基板60に対して張り出した状態となっている。この張り出した部位には、端子19が露出した状態で形成されている。より詳しくは、基板10のうち基板50に対向する面の外縁部に、複数の端子19を含む端子部9が形成されている。端子部9は、基板10の1つの辺に沿って形成されている。すなわち、端子19は、基板10の1つの辺に沿って並ぶように配列されている。端子部9は、基板10のその他の3辺には形成されていない。端子部9は、図示しない外部回路に接続される。
The
シール剤6は、平面視で、端子部9と発光画素2との間に、端子部9に沿って形成されている。したがって、シール剤6は、基板50の外縁部のうち、端子部9に沿う部分にのみ形成されている。充填剤46は、基板10と基板50との間の領域のうち、シール剤6の発光画素2側(図2においてドットが配されている領域)に充填されている。
The sealing
図3に示すように、有機EL装置1は、基板10上に、回路素子層21と、画素電極24、有機機能層30、陰極36から構成される多数の有機EL素子と、これらの有機EL素子を覆う陰極保護層38、緩衝層42、ガスバリア層44とを備えている。ここでは、有機機能層30から発した光がガスバリア層44側に射出されるトップエミッション方式の有機EL装置1を例に説明する。
As shown in FIG. 3, the
基板10としては、ガラス基板、石英基板等を用いることができる。回路素子層21は、基板10上に形成されている。回路素子層21は、画素電極24を駆動するための駆動用TFT12、各種回路及び素子、導通部、層間絶縁層等で構成されている。図4に示すように、回路素子層21上のうち、基板10の1つの辺に沿う領域には、複数の端子19を含む端子部9が形成されている。
As the
回路素子層21上のうち、各発光画素2に相当する領域には、画素電極24が形成されている。画素電極24は、駆動用TFT12のドレインに、コンタクトホールを介して電気的に接続されている。画素電極24の材料としては、有機EL装置1がトップエミッション方式であることから、透光性又は不透光性の導電材料を適宜用いることができる。画素電極24の材料は、例えばITO(Indium Tin Oxide)である。なお、画素電極24は、反射性をより高めるために、例えば反射層/無機絶縁層/透光性陽極のような多層構造を有していてもよい。
A
隣り合う画素電極24間には、親液性の無機バンク26が形成されている。無機バンク26は、それぞれの発光画素2に対応して開口部を有して形成されている。また、無機バンク26は、開口部の周囲に沿って画素電極24の周縁部に所定幅で重なる部分を有している。無機バンク26は、例えばSiO2等の無機材料からなる。
A lyophilic
無機バンク26上には、発光画素2の領域を区画する有機バンク28が形成されている。有機バンク28は、無機バンク26の開口部に重なる開口部を有している。有機バンク28は、例えばアクリル樹脂等の有機材料からなる。
On the
画素電極24を底部とし、有機バンク28を側壁とする凹部には、正孔輸送層32、発光層34がこの順に積層されている。より詳しくは、発光画素2R,2G,2Bには、それぞれ赤色、緑色、青色の発光を行う発光層34が形成されている。有機機能層30は、正孔輸送層32と発光層34とから構成されている。正孔輸送層32から注入される正孔と、陰極36から注入される電子とが発光層34で再結合することにより、R、G、Bのいずれかの発光が得られる。なお、有機機能層30は、発光層34の上に積層された電子注入層をさらに有していてもよいし、発光層34を含む4層以上の機能層で構成されていてもよい。
A
正孔輸送層32の材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体等、又はそれらのドーピング体等を用いることができる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液等を用いることができる。
As a material of the
発光層34の材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系等が好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。上述した高分子材料に代えて、公知の低分子材料を用いてもよい。
As the material of the
有機機能層30上及び有機バンク28上には、これらを覆うように陰極36が形成されている。陰極36は、有機EL装置1がトップエミッション方式であることから、透光性導電材料からなる。陰極36の材料としては、電子注入効果の大きい材料、例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体、ITO等を用いることができる。本実施形態では、陰極36の材料として、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ITOの積層体を、透光性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
A
陰極36上には、陰極36を覆う陰極保護層38が形成されている。陰極保護層38は、製造工程において、上層に位置する緩衝層42の残留水分等により陰極36が損傷を受けるのを防止するためのものである。また、陰極保護層38は、緩衝層42の形成時の平坦性、消泡性、密着性等の向上や側面端部の低角度化も目的とする。陰極保護層38の材料としては、透光性、緻密性、耐水性、絶縁性、ガスバリア性を考慮して、緻密かつ高弾性率の珪素窒化物や珪素窒酸化物等の窒素を含む珪素化合物等が好ましい。陰極保護層38の材料の弾性率は、100GPa以上が好ましい。陰極保護層38の膜厚は、50nm〜200nm程度が好ましい。本実施形態では、陰極保護層38の材料をSiONとし、膜厚を200nm程度とする。陰極保護層38の形成方法としては、例えば、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が適用できる。
A cathode
陰極保護層38上には、陰極36よりも広い範囲に緩衝層42が設けられている。緩衝層42は、有機バンク28の形状が反映された陰極36表面の凹凸形状の凹部を埋めるように配置されており、略平坦に形成された上面を有している。緩衝層42は、基板10の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、有機バンク28からの陰極36の剥離を防止する機能を有している。また、緩衝層42の上面が略平坦化されるので、緩衝層42上に位置し、硬い被膜からなるガスバリア層44も平坦化される。これにより、ガスバリア層44において、応力が集中する部位がなくなるので、クラックや剥離、欠損の発生を防止できる。緩衝層42は、例えばエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマー等の、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分のない塗布材料を塗布した後に硬化剤等を用いて硬化させることで形成することができる。
A
緩衝層42上には、緩衝層42と陰極保護層38とを覆うガスバリア層44が形成されている。ガスバリア層44は、酸素や水分が浸入することによる陰極36や有機機能層30の劣化を防止するためのものである。ガスバリア層44の材料としては、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物等が用いられる。ガスバリア層44は、水蒸気等のガスを遮断するため、緻密で欠陥のない被膜であることが好ましい。したがって、ガスバリア層44の形成方法としては、緻密な膜を形成できるECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が好適である。
A
陰極36及び有機機能層30上に積層された陰極保護層38、緩衝層42、ガスバリア層44を、以下ではまとめて薄膜封止層8とも呼ぶ。陰極36及び有機機能層30は、薄膜封止層8によりガスや水分から保護されている。基板10からガスバリア層44までの要素により、素子基板20が構成される。
The cathode
続いて、対向基板60について説明する。対向基板60は、基板50を基体として構成される。基板50としては、例えばガラス基板や石英基板を用いることができる。基板50の基板10側の面には、カラーフィルタ52R,52G,52B(以下では、対応する色について区別しない場合には単にカラーフィルタ52とも呼ぶ。)が形成されている。カラーフィルタ52R,52G,52Bは、それぞれ平面視で発光画素2R,2G,2Bと重なる領域に形成され、それぞれ赤色、緑色、青色の光を選択的に透過する。カラーフィルタ52を配置することによって、有機EL装置1から取り出される光の色純度を向上させることができる。また、視角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度遮断することができる。
Next, the
カラーフィルタ52と同一の層のうち、カラーフィルタ52の形成領域を除いた領域には、遮光層54が形成されている。遮光層54は、光をほとんど透過させない樹脂であり、隣り合う発光画素2の間の混色を防止する役割を果たす。基板50、カラーフィルタ52、遮光層54により、対向基板60が構成される。
In the same layer as the color filter 52, a
素子基板20と対向基板60との間には、充填剤46が充填されている。充填剤46は、ガスバリア層44上に対向基板60を固定させるとともに、外部からの機械的衝撃に対して有機機能層30やガスバリア層44を保護する緩衝機能を有している。また、充填剤46により、外部からのガスや水分の浸入を防止することができる。充填剤46は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系等の樹脂で、対向基板60より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されている。充填剤46の材料としては、透光性樹脂材料が好ましい。また、熱硬化性の樹脂とすることが好ましい。より低温で硬化させるため硬化剤を添加する2液混合型の材料であってもよい。
A
なお、充填剤46には、シランカップリング剤又はアルコキシシランを添加しておくのが好ましい。このようにすれば、形成される充填剤46とガスバリア層44との密着性がより良好になり、したがって、機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。また、ガスバリア層44が珪素化合物で形成されている場合等では、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層44との密着性を向上させることができ、したがって、ガスバリア層44のガスバリア性を高めることができる。
In addition, it is preferable to add a silane coupling agent or alkoxysilane to the
図2及び図3に示すように、素子基板20のうち端子部9が形成されていない3辺の近傍においては、充填剤46は、平面視で素子基板20及び対向基板60に重なる領域に隙間なく充填されている。一方、図2、図4に示すように、素子基板20のうち端子部9が形成されている辺の近傍には、この辺に沿って(すなわち端子部9に沿って)シール剤6が形成されており、充填剤46は、シール剤6の発光画素2側に充填されている。ここで、シール剤6は、例えば紫外線硬化性樹脂からなり、素子基板20と対向基板60とを接着する役割を有するとともに、内部に分散された球状のスペーサによって素子基板20と対向基板60の間隔を一定に保つ役割を果たす。また、シール剤6は、充填剤46と同様に、外部からの機械的衝撃や、外部からのガス、水分の浸入に対して有機機能層30やガスバリア層44を保護する機能を有する。
As shown in FIGS. 2 and 3, in the vicinity of the three sides of the
シール剤6が、端子部9に沿った部分にのみ形成され、残りの3辺には形成されていない本実施形態の構成によれば、4辺に沿って枠状にシール剤6が形成された従来の構成(図12(a))と比較して、発光画素2と外周との間の額縁領域を狭くすることができる。すなわち、従来は、紫外線硬化性樹脂からなるシール剤6に紫外線を照射するために、シール剤6を遮光層54と重なる位置に設けることができず、遮光層54のさらに外側にシール剤6を形成しなければならなかったため、シール剤6の分だけ額縁領域が広くなってしまうという課題があった。これに対し本実施形態の構成によれば、シール剤6の形成されていない辺については遮光層54を基板外周の近傍まで配置することができ(図3、図4)、換言すれば基板の外周を遮光層54の形成領域近傍まで内側に設定することができるため、狭額縁化が可能となる。これにより、有機EL装置1を小型化することが可能となる。
According to the configuration of the present embodiment in which the
なお、有機EL装置1は、ボトムエミッション方式であってもよい。有機EL装置1がボトムエミッション方式である場合には、基板10側から光を取り出す構成であるので、基板10の材料としては、透光性又は半透光性のものが用いられ、ガラス基板が好適である。また、画素電極24も透光性材料が用いられる。一方、陰極36は、反射膜としても機能するよう光反射性を有する構成とする。また、充填剤46、対向基板60は、いずれも透光性をもたない材料とすることもできる。
The
<有機EL装置の製造方法>
続いて、有機EL装置1の製造方法について、図5から図7を用いて説明する。図5は、第1の実施形態に係る有機EL装置1の製造方法を示すフローチャートである。図6は、有機EL装置1の製造工程を示す断面図である。図7は、有機EL装置1の製造工程における、シール剤6及び充填剤46の形成位置を示す平面図である。図5のフローチャートにおいて、工程S11から工程S14が素子基板20を製造するための工程であり、工程S21が対向基板60を製造するための工程である。工程S31から工程S34は、素子基板20及び対向基板60を組み合わせて有機EL装置1を完成させるための工程である。工程S11から工程S14と、工程S21とは、それぞれ独立に行われる。以下、図5のフローチャートに沿って説明する。
<Method for manufacturing organic EL device>
Next, a method for manufacturing the
工程S11では、基板10上に発光画素2を形成する(図6(a))。より詳しくは、基板10上に、図3に示す回路素子層21、無機バンク26、有機バンク28、発光層34を含む有機機能層30、陰極36等を形成する。なお、図6においては、これらの構成要素のいくつかを省略して描いている。ここで、図7に示すように、基板10上には、複数の有機EL装置1を構成する発光画素2を形成する。したがって、工程S11から工程S14によって製造される素子基板20は、同一基板上に複数の有機EL装置1に対応する構成要素を含む複合素子基板である。図7では、基板10上に6つの有機EL装置1に対応する構成要素を形成しているが、有機EL装置1の数は必要に応じて増減させることができる。また、工程S11では、基板10上に、列状に並んだ複数の端子19を含む端子部9(図2、図4)も併せて形成する。工程S11は、プラズマCVD法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。発光層34の形成方法としては、蒸着法又は液滴吐出法のいずれを用いてもよい。工程S11は、発光画素形成工程に対応する。
In step S11, the
工程S12では、基板10上の発光画素2に対して薄膜封止を行う(図6(a))。より詳しくは、発光画素2を覆うようにして、図3に示す陰極保護層38、緩衝層42、ガスバリア層44を形成する。図6においては、陰極保護層38、緩衝層42、ガスバリア層44をまとめて薄膜封止層8として描いている。この工程は、プラズマCVD法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。
In step S12, thin film sealing is performed on the
工程S13では、基板10上の発光画素2が形成された側に、枠状のシール剤6を形成する(図6(b))。この工程は、基板10上に、ディスペンサ塗布法により紫外線硬化性樹脂からなるシール剤6を塗布することによって行う。シール剤6は、工程S14において塗布される充填剤46より粘度の大きいものを用いる。また、シール剤6にはスペーサを混入させておく。シール剤6の塗布量は、例えば、工程S31の貼り合わせ後のシール剤6の幅が約2mmとなるような量とする。シール剤6の平面的な形成位置は、図7に示すように、各有機EL装置1に含まれる発光画素2を囲むような略矩形の枠状の領域である。ここで、図7における鎖線は、後に有機EL装置1の外形となる位置を示しており、シール剤6の一部は、有機EL装置1の外形の外側に配置される。より詳しくは、端子部9と発光画素2との間に、端子部9に沿うようにシール剤6が形成されており、この端子部9に沿う部分を除いたシール剤6は、有機EL装置1の外形の外側に位置している。したがって、工程S13は、端子部9と発光画素2との間に端子部9に沿ってシール剤6を形成する工程を含んでいる。工程S13は、シール剤形成工程に対応する。なお、スクリーン印刷法等の他の塗布法によってシール剤6を形成してもよい。
In step S13, a frame-shaped
工程S14では、基板10上のシール剤6に囲まれた領域に、充填剤46を塗布する(図6(c))。この工程は、基板10上に、ディスペンサ塗布法又は液滴吐出法により熱硬化性樹脂からなる充填剤46を塗布することによって行う。充填剤46は、シール剤6より粘度の低いものを用いる。また、充填剤46は、硬化後に透明となるものを用い、また100℃以下の低温で硬化するものを用いることが好ましい。この工程においては、シール剤6によって形作られる矩形の枠内の全体に充填剤46が濡れ広がる必要はないが、充填剤46の粘度が低く濡れ広がっていく場合でも、シール剤6が隔壁として機能するため、充填剤46はシール剤6の枠内に配置される。充填剤46の塗布量は、工程S31の貼り合わせの際に、素子基板20、対向基板60、シール剤6によって囲まれる領域の体積と略等しい体積とする。工程S14は、充填剤塗布工程に対応する。工程S11から工程S14を経て、素子基板20が完成する。
In step S14, the
工程S21では、基板50上に、図3に示すカラーフィルタ52及び遮光層54を形成して対向基板60を製造する。ここで、基板50上には、複数の有機EL装置1を構成するカラーフィルタ52、遮光層54を形成する。したがって、工程S21によって製造される対向基板60は、同一基板上に複数の有機EL装置1に対応する構成要素を含む複合対向基板である。
In step S21, the
工程S31は貼り合わせ工程であり、この工程では、基板10を含む素子基板20と基板50を含む対向基板60とをシール剤6及び充填剤46を介して貼り合わせる(図6(d))。より詳しくは、減圧環境下において素子基板20と対向基板60との間でアライメント(位置合わせ)をした状態で接触、圧着させる。このとき、素子基板20と対向基板60とは、シール剤6に含まれるスペーサによって支持され、一定の間隔を有した状態で貼り合わされる。素子基板20と対向基板60の間隔(すなわちスペーサの直径)は、例えば10μmとする。そして、素子基板20、対向基板60、シール剤6によって囲まれた領域に、充填剤46が充填される。ここで、シール剤6には充填剤46より粘度の大きなものが用いられているため、充填剤46は、素子基板20と対向基板60とによって押し広げられる一方でシール剤6が隔壁となってシール剤6の形作る枠内にとどまる。これにより、端子部9に充填剤46が浸入する不具合を防ぎながら充填剤46を上記領域に充填することができる。
Step S31 is a bonding step. In this step, the
工程S32では、シール剤6を硬化させる。詳しくは、紫外線硬化性樹脂からなるシール剤6に対し、対向基板60側から紫外線を照射することにより、シール剤6を硬化させる。
In step S32, the sealing
工程S33では、充填剤46を硬化させる。詳しくは、熱硬化性樹脂からなる充填剤46に対し熱処理を行うことにより、充填剤46を硬化させる。熱処理の方法としては、例えば貼り合わせ後の素子基板20及び対向基板60を焼成炉内で加熱する方法を用いることができる。このとき、有機機能層30の劣化を防止する観点から、100℃以下の温度で加熱することが好ましい。工程S32及び工程S33は、硬化工程に対応し、これらの工程を経てシール剤6及び充填剤46が硬化される。硬化後のシール剤6及び充填剤46は、素子基板20と対向基板60の間隔を一定に保つ役割も果たす。
In step S33, the
工程S34は切断工程であり、この工程では、基板10及び基板50を切断して、貼り合わせ後の基板から個々の有機EL装置1を切り出す(図6(e))。より詳しくは、図7に鎖線で示す切断線Lに沿って基板10(素子基板20)及び基板50(対向基板60)を切断する。切断線Lは、有機EL装置1の外形線と一致する。例えば、まず切断線Lに沿って基板10,50をスクライブし、その後基板10,50に外力を印加して切断線Lに沿って切断(ブレイク)する。
Step S34 is a cutting step. In this step, the
ここで、シール剤6は、一部が有機EL装置1の外形線の外側に形成されているため、シール剤6に囲まれた領域(シール剤6が形作る枠の内側)を通る切断線Lに沿って基板10及び基板50を切断することとなる。つまり、切断線Lの一部は、シール剤6の枠内の充填剤46が充填された領域に設定され、シール剤6の一部は切断後に得られる有機EL装置1には含まれないこととなる。また、この切断線Lは、端子部9に沿って形成されたシール剤6を内部に含む矩形の切断線であり、端子部9に沿って形成されたシール剤6は、切断後の有機EL装置1内に残る。したがって、工程S34においては、端子部9と発光画素2との間にシール剤6を有し、端子部9の形成されていない3辺にはシール剤6が形成されていない状態の有機EL装置1(図2)が取り出される。
Here, since a part of the sealing
このような方法によれば、得られる有機EL装置1は、外縁部の少なくとも一部においてシール剤6が形成されていない状態となる。このようにすれば、有機EL装置1においてシール剤6の形成領域の一部を省略することができる。よって、発光画素2と外周との間の額縁領域を狭くすることができ、ひいては有機EL装置1を小型化することが可能となる。
According to such a method, the obtained
(第2の実施形態)
続いて、第2の実施形態に係る有機EL装置1の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法によって得られる有機EL装置1の構成は第1の実施形態に係る有機EL装置1と同じである。また、本実施形態の有機EL装置1の製造方法は、一部が第1の実施形態と異なり、その他の工程は同一である。このため、以下では第1の実施形態との製造方法の相違点について説明する。
(Second Embodiment)
Next, a method for manufacturing the
図8は、第2の実施形態に係る有機EL装置1の製造工程における、シール剤6及び充填剤46の形成位置を示す平面図である。この図に示すように、本実施形態では、シール剤6は、隣り合って並んだ3つの有機EL装置1に含まれる発光画素2を囲むように基板10上に形成される。換言すれば、本実施形態のシール剤形成工程(工程S13)は、複数の有機EL装置1に含まれる発光画素2を囲む枠状のシール剤6を形成する工程を含む。このようにすれば、有機EL装置1ごとに発光画素2をシール剤6で囲む方法に比べて、シール剤6の形成領域の長さを短縮することができる。よって、ディスペンサ塗布法等を用いた描画の時間を短縮することができる。なお、本実施形態においても、シール剤6の一部は、有機EL装置1の外形の外側に配置される。すなわち、有機EL装置1の内部のうち端子部9と発光画素2との間にはシール剤6が形成される一方、その他のシール剤6は有機EL装置1の領域外に形成される。
FIG. 8 is a plan view illustrating positions where the sealing
続く充填剤塗布工程(工程S14)では、シール剤6に囲まれた領域に、充填剤46を塗布する。このとき、シール剤6が形作る矩形の枠が第1の実施形態に比べて大きいため、ディスペンサや液滴吐出装置により充填剤46を塗布又は吐出する位置の自由度を高くすることができる。
In the subsequent filler application step (step S14), the
貼り合わせ工程、硬化工程の後に、切断工程(工程S34)を行う。より詳しくは、図8に鎖線で示す切断線Lに沿って基板10(素子基板20)及び基板50(対向基板60)を切断する。切断線Lは、有機EL装置1の外形線と一致する。ここで、シール剤6は、端子部9に沿って形成された部分を除いて有機EL装置1の外形線の外側に形成されているため、切断線Lの一部は、シール剤6の枠内の充填剤46が充填された領域に設定され、シール剤6の一部は切断後に得られる有機EL装置1には含まれないこととなる。よって、切断後には、端子部9と発光画素2との間にシール剤6を有し、端子部9の形成されていない3辺にはシール剤6が形成されていない状態の有機EL装置1(図2)が取り出される。よって、第1の実施形態と同様に狭額縁の有機EL装置1が得られる。
A cutting process (process S34) is performed after a bonding process and a hardening process. More specifically, the substrate 10 (element substrate 20) and the substrate 50 (counter substrate 60) are cut along a cutting line L indicated by a chain line in FIG. The cutting line L matches the outline of the
本実施形態の有機EL装置1の製造方法によれば、シール剤6の形成領域の長さを短縮することができ、また、充填剤46を塗布する位置の自由度を高くすることができるため、有機EL装置1の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。
According to the method for manufacturing the
(第3の実施形態)
続いて、第3の実施形態に係る有機EL装置1の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法によって得られる有機EL装置1の構成は第1の実施形態に係る有機EL装置1と同じである。また、本実施形態の有機EL装置1の製造方法は、一部が第1の実施形態と異なり、その他の工程は同一である。このため、以下では第1の実施形態との製造方法の相違点について説明する。
(Third embodiment)
Next, a method for manufacturing the
図9は、第3の実施形態に係る有機EL装置1の製造工程における、シール剤6及び充填剤46の形成位置を示す平面図である。この図に示すように、本実施形態では、素子基板20(複合素子基板)、対向基板60(複合対向基板)における有機EL装置1の配置は、列方向(図9の縦方向)に隣り合うものについては上下逆になっている。つまり、列方向に隣り合う2つの有機EL装置1の端子部9は、この2つの有機EL装置1を構成する発光画素2を挟んで反対側に位置している。このような構成とするため、本実施形態の発光画素形成工程(工程S11)は、隣り合う2つの有機EL装置1を構成する端子部9が、当該2つの有機EL装置1を構成する発光画素2を挟んで反対側に位置するように、基板10上に発光画素2及び端子部9を形成する工程を含む。
FIG. 9 is a plan view illustrating positions where the sealing
また、シール剤6は、2行3列にわたって隣り合って並んだ6つの有機EL装置1に含まれる発光画素2を囲むように基板10上に形成される。換言すれば、本実施形態のシール剤形成工程(工程S13)は、上記のように隣り合う(すなわち端子部9が互いの発光画素2を挟んで反対側に位置する状態で隣り合う)有機EL装置1に含まれる発光画素2を囲むような枠状にシール剤6を形成する工程を含む。このとき、シール剤6は、各有機EL装置1の端子部9と発光画素2との間に形成される一方で、その他については有機EL装置1の領域外に形成される。このようにすれば、多数の有機EL装置1の発光画素2を囲むようにシール剤6を形成することができ、有機EL装置1ごとに発光画素2をシール剤6で囲む方法に比べて、シール剤6の形成領域の長さを短縮することができる。
Further, the
続く充填剤塗布工程(工程S14)では、シール剤6に囲まれた領域に、充填剤46を塗布する。このとき、シール剤6が形作る矩形の枠が第1及び第2の実施形態に比べて大きいため、ディスペンサや液滴吐出装置により充填剤46を塗布又は吐出する位置の自由度を高くすることができる。
In the subsequent filler application step (step S14), the
貼り合わせ工程、硬化工程の後に、切断工程(工程S34)を行う。より詳しくは、図9に鎖線で示す切断線Lに沿って基板10(素子基板20)及び基板50(対向基板60)を切断する。切断線Lは、有機EL装置1の外形線と一致する。ここで、シール剤6は、端子部9に沿って形成された部分を除いて有機EL装置1の外形線の外側に形成されているため、切断線Lの一部は、シール剤6の枠内の充填剤46が充填された領域に設定され、シール剤6の一部は切断後に得られる有機EL装置1には含まれないこととなる。よって、切断後には、端子部9と発光画素2との間にシール剤6を有し、端子部9の形成されていない3辺にはシール剤6が形成されていない状態の有機EL装置1(図2)が取り出される。よって、第1の実施形態と同様に狭額縁の有機EL装置1が得られる。
A cutting process (process S34) is performed after a bonding process and a hardening process. More specifically, the substrate 10 (element substrate 20) and the substrate 50 (counter substrate 60) are cut along a cutting line L indicated by a chain line in FIG. The cutting line L matches the outline of the
本実施形態の有機EL装置1の製造方法によれば、シール剤6の形成領域の長さをさらに短縮することができ、また、充填剤46を塗布する位置の自由度を高くすることができるため、有機EL装置1の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。
According to the manufacturing method of the
(電子機器)
上述した有機EL装置1は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができる。図11は、電子機器としての携帯電話機100の斜視図である。携帯電話機100は、表示部110及び操作ボタン120を有している。表示部110は、内部に組み込まれた有機EL装置1によって、操作ボタン120で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。このような構成によれば、狭額縁の有機EL装置1を用いることによって、携帯電話機100の設計自由度を高めることができる。
(Electronics)
The
なお、有機EL装置1は、上記携帯電話機100の他、モバイルコンピュータ、テレビ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の各種電子機器に用いることができる。
The
上記実施形態に対しては、様々な変形を加えることが可能である。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。 Various modifications can be made to the above embodiment. As modifications, for example, the following can be considered.
(変形例1)
上記各実施形態では、端子部9は、基板10の外縁部のうち1つの辺に沿う領域にのみ形成されているが、複数の辺に沿って端子部9が形成された構成としてもよい。図10は、本変形例に係る有機EL装置1A,1Bの平面図である。図10(a)に示す有機EL装置1Aは、対向する2辺に端子部9が形成された構成を有しており、図10(b)に示す有機EL装置1Bは、直交する2辺に端子部9が形成された構成を有している。このような構成においても、シール剤6は、端子部9と発光画素2との間に、端子部9に沿って形成される。すなわち、シール剤6は、図10(a)においては対向する2辺の端子部9に沿って、また図10(b)においては直交する2辺の端子部9に沿って、それぞれ形成されており、その他の辺には形成されていない。また、シール剤6を挟んで端子部9の反対側の領域には、充填剤46が充填されている。このような構成の有機EL装置1A,1Bも、端子部9の形成されていない辺にはシール剤6がないため、上記各実施形態と同様に額縁領域を狭くすることができる。
(Modification 1)
In each of the embodiments described above, the
(変形例2)
上記各実施形態では、第1基板としての基板10側にシール剤6及び充填剤46を配置してから貼り合わせているが、これに代えて、第2基板としての基板50側にシール剤6及び充填剤46を配置してから貼り合わせを行ってもよい。
(Modification 2)
In each of the embodiments described above, the sealing
(変形例3)
上記各実施形態では、シール剤6に紫外線硬化性樹脂を用い、充填剤46に熱硬化性樹脂を用いているが、この構成に限定する趣旨ではなく、シール剤6及び充填剤46は、それぞれ紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれを用いてもよい。
(Modification 3)
In each of the above embodiments, an ultraviolet curable resin is used for the
1…有機EL装置、2…発光画素、8…薄膜封止層、9…端子部、10…第1基板としての基板、11…スイッチング用TFT、12…駆動用TFT、13…保持容量、14…データ線駆動回路、15…走査線駆動回路、16…走査線、17…信号線、18…電源線、19…端子、20…素子基板、21…回路素子層、24…画素電極、26…無機バンク、28…有機バンク、30…有機機能層、32…正孔輸送層、34…発光層、36…陰極、38…陰極保護層、42…緩衝層、44…ガスバリア層、46…充填剤、50…第2基板としての基板、52…カラーフィルタ、54…遮光層、60…対向基板、100…携帯電話機、110…表示部、120…操作ボタン、L…切断線。
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記第1基板上の前記発光画素が形成された側又は第2基板上に、枠状のシール剤を形成するシール剤形成工程と、
前記第1基板上又は前記第2基板上の前記シール剤に囲まれた領域に充填剤を塗布する充填剤塗布工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを前記シール剤及び前記充填剤を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記シール剤及び前記充填剤を硬化させる硬化工程と、
前記シール剤に囲まれた領域を通る切断線に沿って前記第1基板及び前記第2基板を切断する切断工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 A light emitting pixel forming step of forming a light emitting pixel on the first substrate;
A sealing agent forming step of forming a frame-shaped sealing agent on the side of the first substrate where the light emitting pixels are formed or on the second substrate;
A filler application step of applying a filler to a region surrounded by the sealant on the first substrate or the second substrate;
A bonding step of bonding the first substrate and the second substrate through the sealant and the filler;
A curing step of curing the sealant and the filler;
And a cutting step of cutting the first substrate and the second substrate along a cutting line passing through the region surrounded by the sealant.
前記第1基板上に、列状に並んだ複数の端子を含む端子部を形成する工程を有し、
前記シール剤形成工程は、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って前記シール剤を形成する工程を含み、
前記切断工程は、前記端子部に沿って形成された前記シール剤を内部に含む矩形の切断線に沿って前記第1基板及び前記第2基板を切断する工程を含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1,
Forming a terminal portion including a plurality of terminals arranged in a row on the first substrate;
The sealing agent forming step includes a step of forming the sealing agent along the terminal portion between the terminal portion and the light emitting pixel,
The cutting step includes a step of cutting the first substrate and the second substrate along a rectangular cutting line including the sealing agent formed along the terminal portion. Device manufacturing method.
前記発光画素形成工程は、前記第1基板上に、複数の前記有機EL装置を構成する前記発光画素を形成する工程を含み、
前記シール剤形成工程は、複数の前記有機EL装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 2,
The light emitting pixel forming step includes a step of forming the light emitting pixels constituting the plurality of organic EL devices on the first substrate,
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the sealing agent forming step includes a step of forming a frame-like sealing agent surrounding the light emitting pixels included in the plurality of organic EL devices.
前記発光画素形成工程は、隣り合う2つの前記有機EL装置を構成する前記端子部が、当該2つの有機EL装置を構成する前記発光画素を挟んで反対側に位置するように、前記第1基板上に前記発光画素及び前記端子部を形成する工程を含み、
前記シール剤形成工程は、少なくとも前記2つの有機EL装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 3,
In the light emitting pixel forming step, the first substrate is arranged such that the terminal portions constituting the two adjacent organic EL devices are located on opposite sides of the light emitting pixels constituting the two organic EL devices. Forming the light emitting pixel and the terminal portion on the substrate;
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the sealing agent forming step includes a step of forming the frame-shaped sealing agent surrounding the light emitting pixels included in at least the two organic EL devices.
前記シール剤は紫外線硬化性樹脂であり、
前記硬化工程は、前記シール剤に紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 4,
The sealing agent is an ultraviolet curable resin,
The method for manufacturing an organic EL device, wherein the curing step includes a step of irradiating the sealant with ultraviolet rays.
前記充填剤は熱硬化性樹脂であり、
前記硬化工程は、前記充填剤を加熱する工程を含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 4,
The filler is a thermosetting resin;
The method for manufacturing an organic EL device, wherein the curing step includes a step of heating the filler.
前記シール剤の粘度は前記充填剤の粘度より大きいことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 6,
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the sealant has a viscosity higher than that of the filler.
前記第1基板に、シール剤及び充填剤を介して貼り合わされた第2基板と、
前記第1基板の前記第2基板に対向する面に形成された発光画素と、
前記第1基板の前記第2基板に対向する面の外縁部に、前記第1基板の少なくとも1つの辺に沿って形成された複数の端子を含む端子部と、を備え、
前記シール剤は、平面視で、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って形成され、
前記充填剤は、前記第1基板と前記第2基板との間の領域のうち、前記シール剤の前記発光画素側に充填されていることを特徴とする有機EL装置。 A first substrate;
A second substrate bonded to the first substrate via a sealant and a filler;
A light emitting pixel formed on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A terminal portion including a plurality of terminals formed along at least one side of the first substrate at an outer edge portion of the surface of the first substrate facing the second substrate;
The sealing agent is formed along the terminal portion between the terminal portion and the light emitting pixel in a plan view.
The organic EL device, wherein the filler is filled on the light emitting pixel side of the sealant in a region between the first substrate and the second substrate.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010024006A1 (en) * | 2008-09-01 | 2012-01-26 | シャープ株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT PANEL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING, AND METHOD FOR PRODUCING THEM |
| JP2013196919A (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Sony Corp | Organic el display device, organic el display device manufacturing method, and color filter substrate |
| JP2014232625A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and process of manufacturing the same |
| US9525154B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-12-20 | Japan Display Inc. | Display device |
| JP2017004747A (en) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 双葉電子工業株式会社 | Organic EL display device |
-
2008
- 2008-03-25 JP JP2008077447A patent/JP2009231192A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010024006A1 (en) * | 2008-09-01 | 2012-01-26 | シャープ株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT PANEL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING, AND METHOD FOR PRODUCING THEM |
| JP2013196919A (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Sony Corp | Organic el display device, organic el display device manufacturing method, and color filter substrate |
| JP2014232625A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and process of manufacturing the same |
| CN104218184A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-17 | 株式会社日本显示器 | Display device and method for producing the same |
| US9525154B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-12-20 | Japan Display Inc. | Display device |
| JP2017004747A (en) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 双葉電子工業株式会社 | Organic EL display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110607 |