JP2010089142A - Apparatus and method of processing workpiece by laser - Google Patents
Apparatus and method of processing workpiece by laser Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010089142A JP2010089142A JP2008263287A JP2008263287A JP2010089142A JP 2010089142 A JP2010089142 A JP 2010089142A JP 2008263287 A JP2008263287 A JP 2008263287A JP 2008263287 A JP2008263287 A JP 2008263287A JP 2010089142 A JP2010089142 A JP 2010089142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- processed
- processing
- film
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 93
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、レーザーによる被処理対象物の処理装置及びその処理方法に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for an object to be processed by a laser and a processing method thereof.
従来、レーザービームにより被処理対象物の表面にライン状加工を行う工程として、例えば、薄膜太陽電池パネルの作製に当たり、電極膜形成のためにITO膜、アモルファスシリコン膜等にスクライビング(切り込み又はけがき)加工を行う加工工程や、アモルファスシリコンをポリシリコンに改質するためにシリコン膜にレーザービームをライン状に施すレーザーアニール工程や、チップ抵抗のセラミック基板に対して、個別チップに分割するためのスクライビングラインを施すスクライビング工程等が知られている。 Conventionally, as a process of performing line-shaped processing on the surface of an object to be processed with a laser beam, for example, in the production of a thin-film solar cell panel, scribing (cutting or scribing) into an ITO film, an amorphous silicon film, etc. to form an electrode film ) Processing process to perform processing, laser annealing process to apply a laser beam to the silicon film in a line to modify amorphous silicon into polysilicon, and chip resistance ceramic substrate to divide into individual chips A scribing process for applying a scribing line is known.
例えば、薄膜太陽電池パネルは、CVD法やスパッタ法で下地層を成膜したガラス基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及びメタル膜等を形成してなる積層膜からなるものである。これらの積層膜が光に対して応答し、電池作用を引き起こす。この太陽電池パネルの生産工程では、レーザービームにより各膜面をスクライビングして、電池を直列に接続する工程が必要になる。この工程で使われるレーザーを、通常、レーザースクライバー又はレーザースクライビング処置と称している。このスクライビング工程では、通常、波長1μm近傍や0.5μm近傍のレーザービーム発振器が多く使われている。他の波長でもスクライビングは可能であるが、装置のコストや入手難や安定性等に鑑みて、上記した波長のレーザービーム発振器が多く使われているのが現状である。このような成膜工程やスクライビング工程についての一連の工程は、知られている(例えば、特許文献1及び2参照)。 For example, a thin film solar cell panel is a laminated film formed by forming a transparent electrode film, a silicon film, a metal film, and the like on a glass substrate on which a base layer is formed by a CVD method or a sputtering method. These laminated films respond to light and cause battery action. In the production process of the solar cell panel, a step of scribing each film surface with a laser beam and connecting the cells in series is necessary. The laser used in this process is usually referred to as a laser scriber or laser scribe process. In this scribing process, a laser beam oscillator with a wavelength of about 1 μm or about 0.5 μm is usually used. Although scribing is possible at other wavelengths, in view of the cost of the apparatus, difficulty in acquisition, stability, etc., the laser beam oscillators of the above wavelengths are currently used in many cases. A series of steps regarding such a film forming step and a scribing step are known (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかるに、薄膜太陽電池パネルの寸法は、その基板サイズがG11世代では、3000mm平方を超えると言われている。そのため、このような大面積化に対応する製造設備(例えば、高精度の大型ステージ)や、製造プロセスの開発と共に、大幅なコスト削減が求められている。 However, the dimensions of the thin-film solar cell panel are said to exceed 3000 mm square when the substrate size is G11 generation. For this reason, there is a demand for significant cost reduction along with the development of manufacturing equipment (for example, a high-precision large-scale stage) corresponding to such an increase in area and a manufacturing process.
また、近年、フラットパネルディスプレイ等の液晶ディスプレイパネルとして、アクティブマトリックスタイプのものが用いられている。このようなフラットパネルディスプレイの場合、画素部駆動用素子として、アモルファスシリコン薄膜が形成された薄膜トランジスタ(TFT)が用いられている。 In recent years, an active matrix type liquid crystal display panel such as a flat panel display has been used. In such a flat panel display, a thin film transistor (TFT) in which an amorphous silicon thin film is formed is used as a pixel unit driving element.
このアモルファスシリコン薄膜は、キャリアの移動度が低いため、基板上にアモルファスシリコンを成膜した後、アニールすることにより結晶化させ、膜質を改善することが一般に行われている(例えば、特許文献3参照)。この場合も、基板の大面積化に対応する製造設備や、製造プロセスの開発と共に、大幅なコスト削減が求められている。 Since this amorphous silicon thin film has low carrier mobility, after amorphous silicon is formed on a substrate, it is generally crystallized by annealing to improve the film quality (for example, Patent Document 3). reference). In this case as well, significant cost reductions are required along with the development of manufacturing equipment and manufacturing processes corresponding to the increase in area of the substrate.
ところで、太陽電池パネルに関しては、現状のG5.5世代では1400×1100mmの寸法の基板に対して、200本以上の加工ラインがスクライビングされている。この場合、レーザー発振器の複数台の搭載は、コスト面のみならず、出力、自重等を考慮すれば、極めて困難であるため、現状では、XYステージにより基板位置又はレーザー発振器を相対的にスライドさせて加工を繰り返し、所定の本数のラインを加工している。将来の基板サイズG11世代になると、上記したように、面積比が4倍以上になり3000mm平方を超えると言われており、加工本数も飛躍的に増えるこのような大型パネルを加工するための高精度の大型ステージを作製することは極めて困難であると共に、現状の設備及び手法ではスクライビング加工に多大の時間がかかり過ぎ、コストも増大するであろうことから、その解決が求められている。 By the way, regarding the solar cell panel, 200 or more processing lines are scribed on a substrate having a size of 1400 × 1100 mm in the current G5.5 generation. In this case, since it is extremely difficult to mount a plurality of laser oscillators in consideration of not only cost but also output, dead weight, etc., at present, the substrate position or the laser oscillator is relatively slid by the XY stage. The processing is repeated to process a predetermined number of lines. In the future substrate size G11 generation, as described above, it is said that the area ratio is more than 4 times and exceeds 3000 mm square, and the number of processing is greatly increased. It is extremely difficult to produce a large-scale stage with high accuracy, and the current equipment and techniques require much time for scribing and will increase costs.
この点に関しては、フラットパネルディスプレイ等の液晶ディスプレイパネルの場合にも、大型化に伴って同様な問題が生じると思われる。
本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、被処理対象物が大面積であっても可能な設備や、プロセスと共に、大幅なコスト削減が可能なレーザーによる被処理対象物の処理装置及びその処理方法を提供することにある。 An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art, and to be processed by a laser capable of drastically reducing costs along with equipment and processes that are possible even if the object to be processed has a large area. An object of the present invention is to provide a processing apparatus and a processing method for an object.
本発明者らは、現状の手法では、レーザー発振器の大出力化を図ったとしてもコストの点から不利であることに鑑み、高精度の大型ステージに代わるものとして、被処理対象物である基板を搬送するためにローラー搬送手段を用いれば良いという発想に基づいて、所定の加工処理には、オートフォーカス機構を備えたレーザー発振器からなるレーザー加工装置を利用すれば、高精度ステージが不要となると共に、被処理対象物の搬送中に生じる多少の上下振動等が弾力的に吸収され、目的とする加工処理が可能になることに気が付き、本発明を完成するに至った。 In view of the disadvantage that the present method is disadvantageous in terms of cost even if the output of the laser oscillator is increased in the current method, the substrate that is the object to be processed is an alternative to the high-precision large-scale stage. Based on the idea that a roller conveying means may be used to convey a high-precision stage, a high-precision stage becomes unnecessary for a predetermined processing process by using a laser processing apparatus comprising a laser oscillator equipped with an autofocus mechanism. At the same time, it was noticed that some vertical vibration or the like generated during the conveyance of the object to be processed is elastically absorbed, and the intended processing can be performed, and the present invention has been completed.
本発明のレーザーによる被処理対象物の処理装置は、複数のローラーを有する被処理対象物搬送用ローラー搬送手段と、該被処理対象物を処理するためのレーザー加工装置とからなり、該レーザー加工装置は、レーザー発振器とオートフォーカス機構とを有し、該レーザー発振器に該オートフォーカス機構が接続されており、該レーザー発振器から発振されるレーザービームを、該オートフォーカス機構を介して該被処理対象物の表面へ照射せしめて処理できるように構成されていることを特徴とする。 An apparatus for processing an object to be processed by a laser according to the present invention comprises a roller conveying means for conveying an object to be processed having a plurality of rollers, and a laser processing apparatus for processing the object to be processed. The apparatus has a laser oscillator and an autofocus mechanism, the autofocus mechanism is connected to the laser oscillator, and a laser beam oscillated from the laser oscillator is passed through the autofocus mechanism to the object to be processed. It is characterized in that it can be processed by irradiating the surface of an object.
被処理対象物を載置して駆動させる大型ステージの代わりに、被処理対象物を搬送するローラー搬送手段を設けると共に、僅かな搬送揺れに伴う被処理対象物の上下方向の運動に起因する照射レーザービームの焦点ずれ(ビームの光軸方向への上下動)を補正し、吸収するためのオートフォーカス機構を設けることにより、大面積の被処理対象物であっても、それに対して均等な満足すべき処理が可能となり、大幅なコスト削減が可能となる。勿論、大面積でない現状の被処理対象物であっても、同様なメリットはある。 In place of a large stage for placing and driving the object to be processed, a roller conveying means for conveying the object to be processed is provided, and irradiation caused by vertical movement of the object to be processed accompanying slight conveyance shaking By providing an autofocus mechanism that corrects and absorbs laser beam defocus (up-and-down movement of the beam in the optical axis direction), even an object to be processed with a large area is equally satisfied The processing to be performed becomes possible, and the cost can be greatly reduced. Of course, even if the object to be processed is not a large area, there is a similar merit.
上記レーザー発振器及びオートフォーカス機構が、それぞれ、複数設けられ、各レーザー発振器に各オートフォーカス機構が接続されていることを特徴とする。 A plurality of the laser oscillators and autofocus mechanisms are provided, and each autofocus mechanism is connected to each laser oscillator.
上記レーザー加工装置が、ローラー搬送機構を構成するローラーとローラーとの間に配置されていることを特徴とする。この場合、ローラーがレーザービームを透過せしめる材質で作製されていれば、レーザー加工装置を配置する位置に制限はない。 The said laser processing apparatus is arrange | positioned between the rollers which comprise a roller conveyance mechanism, It is characterized by the above-mentioned. In this case, as long as the roller is made of a material that allows the laser beam to pass therethrough, there is no limitation on the position where the laser processing apparatus is disposed.
上記処理装置が、被処理対象物である太陽電池パネルを構成する積層膜の各膜の表面をスクライビングするレーザースクライビング装置であることを特徴とする。スクライビングすべき被処理対象物の大面積化に対応でき、大幅なコスト削減が可能となる。勿論、大面積でない現状の太陽電池パネルのような被処理対象物であっても、同様なメリットはある。 The said processing apparatus is a laser scribing apparatus which scribes the surface of each film | membrane of the laminated film which comprises the solar cell panel which is a to-be-processed target object. It is possible to cope with an increase in the area of the object to be scribed and to greatly reduce the cost. Of course, even if it is a to-be-processed object like the present solar cell panel which is not large area, there exists the same merit.
また、上記処理装置が、フラットパネルディスプレイにおける薄膜トランジスタのチャネル領域の薄膜を多結晶化処理する装置であることを特徴とする。フラットパネルディスプレイの大面積化に対応可能であり、大幅なコスト削減が可能となる。勿論、大面積でない現状のフラットパネルディスプレイであっても、同様なメリットはある。 The processing apparatus is an apparatus for polycrystallizing a thin film in a channel region of a thin film transistor in a flat panel display. It is possible to cope with the increase in area of flat panel displays, and the cost can be greatly reduced. Of course, even with the current flat panel display having a large area, there are similar advantages.
本発明のレーザーによる被処理対象物の処理方法は、複数のローラーを有するローラー搬送手段により該被処理対象物を搬送させながら、レーザー発振器から発振されたレーザービームを、該レーザー発振器に接続されたオートフォーカス機構を介して該被処理対象物の処理面に照射する際に、該被処理対象物の処理面が光軸方向に焦点ずれしていても、補正して照射し、該被処理対象物の処理を行うことを特徴とする。 In the method of processing an object to be processed by the laser of the present invention, a laser beam oscillated from a laser oscillator is connected to the laser oscillator while the object to be processed is conveyed by roller conveying means having a plurality of rollers. When irradiating the processing surface of the object to be processed via the autofocus mechanism, even if the processing surface of the object to be processed is out of focus in the optical axis direction, the correction is performed and the object is processed. It is characterized by processing an object.
上記のようにして被処理対象物をレーザービームにより処理すれば、ローラー搬送手段により被処理対象物を搬送すると共に、オートフォーカス機構により、搬送中の被処理対象物の僅かな搬送揺れに伴う被処理対象物の上下方向の運動に起因する照射レーザービームの焦点ずれ(ビームの光軸方向への上下動)が補正され、吸収されるので、大面積の被処理対象物に対して均等な満足すべき処理が可能となり、大幅なコスト削減が可能となる。 When the object to be processed is processed with the laser beam as described above, the object to be processed is conveyed by the roller conveying means, and the object to be processed accompanying the slight conveyance shaking of the object to be processed is conveyed by the autofocus mechanism. The defocus (up and down movement of the beam in the optical axis direction) of the irradiation laser beam caused by the vertical movement of the object to be processed is corrected and absorbed. The processing to be performed becomes possible, and the cost can be greatly reduced.
上記レーザーによる被処理対象物の処理方法において、レーザー発振器及びオートフォーカス機構が、それぞれ、複数設けられ、各レーザー発振器に各オートフォーカス機構が接続されているレーザー加工装置を用いることを特徴とする。 In the method for processing an object to be processed by the laser, a laser processing apparatus in which a plurality of laser oscillators and autofocus mechanisms are provided and each autofocus mechanism is connected to each laser oscillator is used.
上記レーザーによる被処理対象物の処理方法において、被処理対象物が太陽電池パネルであり、処理面がこの太陽電池パネルを構成する積層膜の各膜であり、この処理面をスクライビング処理することを特徴とする。太陽電池パネルの大面積化に対応でき、大幅なコスト削減が可能となる。 In the processing method of an object to be processed by the laser, the object to be processed is a solar cell panel, the processing surface is each film of a laminated film constituting the solar cell panel, and the processing surface is subjected to a scribing process. Features. It is possible to cope with the increase in the area of the solar cell panel, and the cost can be greatly reduced.
また、上記レーザーによる被処理対象物の処理方法において、被処理対象物がフラットパネルディスプレイであり、処理面がこのフラットパネルディスプレイにおける薄膜トランジスタのチャネル領域の薄膜であり、この処理面を多結晶化処理することを特徴とする。フラットパネルディスプレイの大面積化に対応可能であり、大幅なコスト削減が可能となる。 Further, in the processing method of an object to be processed by the laser, the object to be processed is a flat panel display, and the processing surface is a thin film of a channel region of the thin film transistor in the flat panel display. It is characterized by doing. It is possible to cope with the increase in area of flat panel displays, and the cost can be greatly reduced.
本発明の被処理対象物の処理方法はまた、被処理対象物として、下地層の形成された透明基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及び金属膜からなる積層膜を有する薄膜太陽電池パネルを製造する場合に、まず該透明基板上に透明電極膜を形成し、この透明電極膜を有する被処理対象物を、複数のローラーを有するローラー搬送手段により搬送させながら、レーザー発振器から発振されたレーザービームを、該レーザー発振器に接続されたオートフォーカス機構を介して該被処理対象物の処理面に照射する際に、該被処理対象物の処理面が光軸方向に焦点ずれしていても、補正して照射し、該処理面をスクライビングすることにより複数本の溝を切り、次いで、溝の切られた透明電極膜上にSi膜発電層を形成し、このSi膜発電層を該ローラー搬送手段により搬送させながら、該透明電極膜の場合と同様にしてSi膜発電層にレーザービームを照射して複数本の溝を切り、その後、溝の切られたSi膜発電層上に金属層を形成し、この金属層を該ローラー搬送手段により搬送させながら、該透明電極膜の場合と同様にして金属層にレーザービームを照射して複数本の溝を切って被処理対象物の処理を行うことを特徴とする。この処理方法において、レーザー発振器及びオートフォーカス機構が、それぞれ、複数設けられ、各レーザー発振器に各オートフォーカス機構が接続されているレーザー加工装置を用いることを特徴とする。 The processing method for an object to be processed according to the present invention also includes a thin film solar cell panel having a laminated film made of a transparent electrode film, a silicon film, and a metal film on a transparent substrate on which an underlayer is formed as the object to be processed. First, a transparent electrode film was formed on the transparent substrate, and the object to be processed having the transparent electrode film was oscillated from a laser oscillator while being conveyed by a roller conveying means having a plurality of rollers. Even when the processing surface of the object to be processed is defocused in the optical axis direction when irradiating the processing surface of the object to be processed through an autofocus mechanism connected to the laser oscillator, Irradiating with correction, and scribing the processed surface to cut a plurality of grooves, and then forming a Si film power generation layer on the transparent electrode film having the grooves cut, and the Si film power generation layer is formed on the roller. While being transported by the transport means, the Si film power generation layer is irradiated with a laser beam in the same manner as in the case of the transparent electrode film to cut a plurality of grooves, and then a metal layer is formed on the grooved Si film power generation layer. In the same manner as in the case of the transparent electrode film, the metal layer is irradiated with a laser beam and a plurality of grooves are cut to process the object to be processed. It is characterized by performing. In this processing method, a laser processing apparatus in which a plurality of laser oscillators and autofocus mechanisms are provided and each autofocus mechanism is connected to each laser oscillator is used.
本発明によれば、被処理対象物が大面積化しても、高精度の大型ステージを設けることもなく、大面積化に対応した簡単な処理装置及び処理方法により、大幅なコスト削減や、加工精度、被処理対象物の搬送性、タクトタイム(加工時間等)等の改善が可能となるという効果を奏する。 According to the present invention, even if an object to be processed has a large area, a large processing stage and a processing method corresponding to the increase in area can be achieved, without providing a high-precision large stage. There is an effect that it is possible to improve accuracy, transportability of the object to be processed, tact time (processing time, etc.) and the like.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明に係るレーザーによる被処理対象物の処理装置の実施の形態によれば、この処理装置は、例えば、図1(a)及び(b)に模式的に示すように、複数のローラー1を有する被処理対象物2を図面上右方向に搬送するためのローラー搬送手段と、被処理対象物2を処理するためのレーザー加工装置3とからなり、このレーザー加工装置3は、複数のレーザー発振器と複数のオートフォーカス機構とを有するオートフォーカス機構搭載加工ビームユニット3aであり、図示していないチャンバー内に配置されており、各レーザー発振器には1つのオートフォーカス機構が接続されており、各レーザー発振器から発振されるレーザービームを、対応するオートフォーカス機構を介して被処理対象物2の表面へ照射せしめて処理できるように構成されており、また、このレーザー加工装置3は、ローラー搬送手段を構成するローラー1とローラー1との間に配置されている。この場合、ローラーがレーザービームを透過せしめる材質で作製されていれば、レーザー加工装置3を配置する位置に制限はない。上記レーザー加工装置3は、チャンバーに固定されている。このレーザー加工装置の数は、搭載するレーザー発振器の出力、処理面の面積等に応じて、複数回の往復処理動作を行うことなく一方向の動作で処理ができるように、適宜選択すればよい。
According to the embodiment of the processing apparatus for the object to be processed by the laser according to the present invention, this processing apparatus includes, for example, a plurality of rollers 1 as schematically shown in FIGS. 1 (a) and (b). It comprises a roller transport means for transporting the
上記処理装置には、被処理対象物を載置して駆動させて位置決めする大型ステージの代わりに、被処理対象物2を搬送するローラー搬送手段が設けられていると共に、この搬送手段上を被処理対象物2が通過するときはできるだけスムーズな搬送を前提とするが、僅かな搬送揺れに伴う被処理対象物の上下方向の運動に起因する照射レーザービームの焦点ずれ(ビームの光軸方向への上下動)を補正し、吸収するためのオートフォーカス機構が設けられている。 The processing apparatus is provided with roller transporting means for transporting the object to be processed 2 instead of a large stage for placing and driving and positioning the object to be processed. When the object to be processed 2 passes, it is assumed that the object to be processed is as smooth as possible. However, the focal point of the irradiation laser beam (in the direction of the optical axis of the beam) is caused by the vertical movement of the object to be processed due to slight movement of the object. An autofocus mechanism is provided for correcting and absorbing the vertical movement of the image.
上記処理装置によれば、大面積の被処理対象物であっても、それに対して均等な満足すべき処理が可能となり、大幅なコスト削減が可能となる。勿論、大面積でない現状の被処理対象物であっても、同様なメリットはある。 According to the processing apparatus, even an object to be processed having a large area can be satisfactorily processed equally, and the cost can be greatly reduced. Of course, even if the object to be processed is not a large area, there is a similar merit.
上記オートフォーカス機構は、特に制限されるものではなく、被処理対象物への照射レーザービームの焦点ずれを補正できる公知の機構であればよい。例えば、特開2001−264623号公報、特開2002−162558号公報、特開2004−94230号公報、特開2004−198631号公報等に記載の焦点調節装置等を含めて、市販されている焦点調節装置を使用できる。 The autofocus mechanism is not particularly limited as long as it is a known mechanism that can correct the defocus of the irradiation laser beam on the object to be processed. For example, a commercially available focus including the focus adjusting apparatus described in JP 2001-264623 A, JP 2002-162558 A, JP 2004-94230 A, JP 2004-198631 A, and the like. An adjustment device can be used.
本発明で使用するオートフォーカス機構の一例について、図2を参照して説明する。上記レーザー加工装置3のオートフォーカス機構搭載加工ビームユニット3aを構成するレーザー発振器から発振され、被処理対象物21の表面に照射されたレーザービームは、被処理対象物21の表面から戻り、この戻りビーム22が集光レンズ23を透過し、ミラー24で反射された後、シリンドリカルレンズ25を透過して4分割センサー面26において3種類のパターンになる。そのため、電気的にこの情報を制御して、集光レンズ23を上下に移動せしめることにより、被処理対象物21の僅かな搬送揺れに伴う上下方向の運動に起因する照射レーザービームの焦点ずれ(ビームの光軸方向への上下動)を補正して、所定の位置にレーザービームを照射できるので、目的とする処理を精度良く実施することができる。従って、被処理対象物の厚みムラ、表面の平坦性のムラ等も、オートフォーカス機構の搭載により相殺でき、高精度の処理が実施可能である。
An example of the autofocus mechanism used in the present invention will be described with reference to FIG. The laser beam oscillated from the laser oscillator constituting the
本発明に係る処理装置のより具体的な実施の形態によれば、この処理装置は、複数のローラーを有する被処理対象物搬送用ローラー搬送手段と、被処理対象物である太陽電池パネルに対してスクライビング処理するためのレーザースクライビング装置とからなり、このレーザースクライビング装置は、複数のレーザー発振器と複数のオートフォーカス機構とを有し、図示していないチャンバー内に配置され、各レーザー発振器に1つのオートフォーカス機構が接続されており、各レーザー発振器から発振されるレーザービームを、対応するオートフォーカス機構を介して太陽電池パネルを構成する積層膜の各膜の表面へ照射せしめてスクライビング処理できるように構成されており、また、このレーザースクライビング装置は、ローラー搬送機構を構成するローラーとローラーとの間に配置されている。この場合、ローラーがレーザービームを透過する材質で作製されていれば、レーザースクライビング装置を配置する位置に制限はない。上記レーザースクライビング装置は、チャンバーに固定されている。 According to a more specific embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the processing apparatus has a roller conveying means for conveying an object to be processed having a plurality of rollers, and a solar cell panel that is an object to be processed. The laser scribing apparatus includes a plurality of laser oscillators and a plurality of autofocus mechanisms. The laser scribing apparatus is disposed in a chamber (not shown), and one laser scribing apparatus is provided for each laser oscillator. An autofocus mechanism is connected so that the laser beam oscillated from each laser oscillator can be irradiated to the surface of each film of the laminated film constituting the solar cell panel via the corresponding autofocus mechanism so that the scribing process can be performed. This laser scribing device is also composed of roller transport It is disposed between the roller and the roller constituting the structure. In this case, as long as the roller is made of a material that transmits the laser beam, the position where the laser scribing device is disposed is not limited. The laser scribing apparatus is fixed to the chamber.
本発明に係るレーザーによる被処理対象物の処理方法の実施の形態によれば、レーザービームを用いて被処理対象物としての太陽電池パネルを処理する方法において、複数のローラーを有するローラー搬送手段により太陽電池パネルを搬送させながら、複数のレーザー発振器からそれぞれ発振されたレーザービームを、各オートフォーカス機構を介して太陽電池パネルを構成する積層膜の各膜の表面に照射し、このオートフォーカス機構により、搬送中に太陽電池パネルの積層膜の各膜の照射面が光軸方向に焦点ずれしていても、補正して照射できるようにして、各膜のスクライビング処理を行う。 According to the embodiment of the processing method of the object to be processed by the laser according to the present invention, in the method of processing the solar cell panel as the object to be processed using the laser beam, the roller conveying means having a plurality of rollers. While transporting the solar cell panel, the laser beam emitted from each of the laser oscillators is irradiated to the surface of each film of the laminated film constituting the solar cell panel via each autofocus mechanism. The scribing process of each film is performed so that irradiation can be performed even if the irradiation surface of each film of the laminated film of the solar cell panel is out of focus in the optical axis direction during conveyance.
太陽電池パネルは、上記したように、例えば、CVD法やスパッタ法で下地層を成膜したガラス基板のような透明基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及びメタル膜等を形成してなる積層膜を有するものである。この太陽電池パネルの生産工程では、レーザービームにより積層膜の各膜面をスクライビングして、電池を直列に接続することが必要になる。このスクライビング工程では、通常、波長1μm近傍や0.5μm近傍のレーザービーム発振器が多く使われている。このような成膜工程やスクライビング工程についての一連の工程は公知であり、例えば、上記した特許文献1及び2等に記載されている。
As described above, the solar cell panel is formed by forming a transparent electrode film, a silicon film, a metal film, and the like on a transparent substrate such as a glass substrate on which a base layer is formed by CVD or sputtering. It has a laminated film. In the production process of the solar cell panel, it is necessary to connect the cells in series by scribing each film surface of the laminated film with a laser beam. In this scribing process, a laser beam oscillator with a wavelength of about 1 μm or about 0.5 μm is usually used. A series of steps regarding such a film forming step and a scribing step are known, and are described in, for example,
太陽電池パネルにおける成膜工程及びスクライビング工程の一例について、図3(a)〜(c)及び図4(a)〜(b)を参照して説明する。 An example of a film forming process and a scribing process in the solar cell panel will be described with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (c) and FIGS. 4 (a) to 4 (b).
図3(a)の断面図に示すように、まず、ガラス基板31上に透明電極膜(いわゆるTCO膜、例えば、ITO膜)32を、スパッタ法により、公知のプロセス条件下で所定の膜厚で形成し、このTCO膜32に対して、所定の波長(例えば、λ=0.5〜1.1μm)のレーザービームを照射してスクライビングすることにより複数本の溝32aを切る。次いで、溝の切られたTCO膜32上に、アモルファスSi膜(a−Si膜)発電層33を、CVD法により、公知のプロセス条件下で所定の膜厚で形成し、このa−Si膜発電層33に対して、所定の波長(例えば、λ=0.5〜1.1μm)のレーザービームを照射してスクライビングすることにより複数本の溝33aを切る。その後、溝の切られたa−Si膜発電層33上に、Al等の金属層34を、スパッタ法により、公知のプロセス条件下で所定の膜厚で形成し、この金属層34に対して、所定の波長(例えば、λ=0.5〜1.1μm)のレーザービームを照射してスクライビングすることにより複数本の溝34aを切り、スクライビング工程を終了する。
As shown in the sectional view of FIG. 3A, first, a transparent electrode film (so-called TCO film, for example, an ITO film) 32 is formed on a
TCO膜32、a−Si膜発電層33、及び金属層34のそれぞれの溝32a、33a、及び34aは、均等な間隔で切られており、かつこれらの溝は、図3(a)〜(c)に示されているように、お互いに重ならないように切られている。勿論、場合によっては、溝の間隔を全て均等ではなく切ることも可能であり、また、重なるように切ることも可能である。
The
図4(a)は、図3(a)に対応する上面図であり、レーザー加工装置35を用いるスクライビング工程により、基板上に形成されたTCO膜に複数の溝32aが切られていることを示しており、図4(b)は、図3(c)に対応する上面図であり、スクライビング工程により、基板上には、各層に、それぞれ、溝32a、33a、及び34aが切られていることを示している。かくして、溝が切られたTCO膜32と金属層34とを接続して、電池を直列に接続することが可能となる(図5)。これらの溝は、連続したラインであっても良いし、場合によっては、所定の間隔で断続したラインであっても良い。
FIG. 4A is a top view corresponding to FIG. 3A, and shows that a plurality of
本発明に係る処理装置のより具体的な別の実施の形態によれば、この処理装置は、複数のローラーを有する被処理対象物搬送用ローラー搬送手段と、被処理対象物であるフラットパネルディスプレイにおける薄膜トランジスタのチャネル領域の薄膜に対して、この薄膜を多結晶化処理するレーザー加工装置とからなり、この加工装置は、複数のレーザー発振器と複数のオートフォーカス機構とを有し、図示していないチャンバー内に配置され、各レーザー発振器に1つのオートフォーカス機構が接続されており、各レーザー発振器から発振されるレーザービームを、対応するオートフォーカス機構を介して薄膜トランジスタのチャネル領域の薄膜(a−Si薄膜)の表面へ照射せしめて薄膜を多結晶化処理できるように構成されており、また、この加工装置は、ローラー搬送機構を構成するローラーとローラーとの間に配置されている。この場合、ローラーがレーザービームを透過する材質で作成されていれば、加工装置を固定して配置する位置に制限はない。 According to another more specific embodiment of the processing apparatus according to the present invention, this processing apparatus includes a roller conveying means for conveying an object to be processed having a plurality of rollers, and a flat panel display which is an object to be processed. The thin film in the channel region of the thin film transistor comprises a laser processing device for polycrystallizing the thin film, and this processing device has a plurality of laser oscillators and a plurality of autofocus mechanisms, not shown. One autofocus mechanism is connected to each laser oscillator, and the laser beam oscillated from each laser oscillator is passed through the corresponding autofocus mechanism through a thin film (a-Si) in the channel region of the thin film transistor. It is configured to be able to polycrystallize the thin film by irradiating the surface of the thin film) The processing device is disposed between the roller and the roller constituting the roller conveyor mechanism. In this case, as long as the roller is made of a material that transmits the laser beam, there is no restriction on the position where the processing apparatus is fixedly arranged.
本発明に係るレーザーによる被処理対象物の処理方法の別の実施の形態によれば、レーザービームを用いて被処理対象物としてのフラットパネルディスプレイにおける薄膜トランジスタのチャネル領域の薄膜(a−Si薄膜)を多結晶化処理する方法において、複数のローラーを有するローラー搬送手段により、フラットパネルディスプレイを搬送させながら、複数のレーザー発振器からそれぞれ発振されたレーザービームを、各オートフォーカス機構を介して多結晶化のための処理面に照射し、このオートフォーカス機構により、搬送中に処理面であるa−Si薄膜の照射面が光軸方向に焦点ずれしていても、補正して照射できるようにして、a−Si薄膜の多結晶化処理を行う。 According to another embodiment of the method for processing an object to be processed by the laser according to the present invention, a thin film (a-Si thin film) in a channel region of a thin film transistor in a flat panel display as an object to be processed using a laser beam In the method of polycrystallizing, the laser beam emitted from a plurality of laser oscillators is polycrystallized through each autofocus mechanism while the flat panel display is conveyed by the roller conveying means having a plurality of rollers. With this autofocus mechanism, even if the irradiation surface of the a-Si thin film that is the processing surface is out of focus in the optical axis direction during transportation, it can be corrected and irradiated. The a-Si thin film is polycrystallized.
薄膜トランジスタ(TFT)は、例えば、図6に模式的に示すように、Si基板又はガラス基板等の基板61上にソース拡散領域62、ドレイン拡散領域63、チャネル領域64が設けられたものである。図中、Sはソース、Dはドレイン、Gはゲートを示す。
The thin film transistor (TFT) is, for example, provided with a
このチャネル領域64に形成されているa−Si薄膜(チャネル層)を、本発明に従って多結晶化処理すれば、膜質が改善され、キャリアの移動度が向上する。すなわち、ローラー搬送手段によりフラットパネルディスプレイを搬送させながら、複数のレーザー発振器からそれぞれ発振されたレーザービームを、各オートフォーカス機構を介してチャネル層の上方からそのa−Si薄膜面に照射し、このオートフォーカス機構により、搬送中にa−Si薄膜の照射面が光軸方向に焦点ずれしていても、補正して照射できるようにして、a−Si薄膜の多結晶化処理を行う。
If the a-Si thin film (channel layer) formed in the
上記のようにしてa−Si薄膜をレーザービームにより処理すれば、オートフォーカス機構により、搬送中のフラットパネルディスプレイの僅かな搬送揺れに伴う上下方向の運動に起因する照射レーザービームの焦点ずれ(ビームの光軸方向への上下動)が補正され、吸収されるので、チャネル領域のa−Si薄膜の均一な多結晶化処理ができる。 If the a-Si thin film is processed with a laser beam as described above, the autofocus mechanism causes a defocus (beam) of the irradiated laser beam due to the vertical movement caused by slight transport fluctuation of the flat panel display being transported. (Up and down movement in the optical axis direction) is corrected and absorbed, so that a uniform polycrystallization of the a-Si thin film in the channel region can be performed.
上記では、オートフォーカス機構搭載加工ビームユニットを構成する各レーザー発振器から発振されたレーザービームを、それぞれ、直接処理面に照射して処理する例について説明したが、1つのレーザー発振器から発振されたレーザービームを光学的に多分岐して、この多分岐後のビームをユニット的に構成されているオートフォーカス機構のそれぞれのオートフォーカス機構へ導いた後、集光レンズを介して加工ビームとし、この加工ビームを用いて被処理対象物を処理しても良い。 In the above, an example in which a laser beam oscillated from each laser oscillator constituting the processing beam unit equipped with the autofocus mechanism is directly irradiated onto the processing surface has been described, but the laser oscillated from one laser oscillator is described. The beam is optically multi-branched, and the beam after multi-branching is guided to each auto-focus mechanism of the auto-focus mechanism configured as a unit, and then processed as a processing beam through a condenser lens. An object to be processed may be processed using a beam.
この場合、オートフォーカス機構へのレーザービームの導入は、光ファイバー等の伝達手段や、レンズ・ミラーを用いた伝達手段等を用いれば良い。このような構成であれば、レーザー発振器を処理装置内に複数台搭載する必要もなく、所望の集光レンズに必要なエネルギーを遠隔から供給することができるというメリットがある。また、レーザービームのON/OFF動作も可能となるので、省電力につながり、また、レーザーの寿命を延ばすことができると共に、一枚の被処理対象物を複数枚に分割する場合等に有効である。 In this case, the laser beam may be introduced into the autofocus mechanism using a transmission means such as an optical fiber or a transmission means using a lens / mirror. With such a configuration, there is no need to mount a plurality of laser oscillators in the processing apparatus, and there is an advantage that energy necessary for a desired condenser lens can be supplied remotely. In addition, since the laser beam can be turned on and off, it is possible to save power, extend the life of the laser, and is effective for dividing one object to be processed into multiple sheets. is there.
本発明で用いることができるレーザーとしては、例えば、半導体励起ファイバーレーザー、マイクロチップレーザーの他に、半導体レーザー(レーザーダイオード)等を挙げることができる。 Examples of the laser that can be used in the present invention include a semiconductor laser (laser diode) in addition to the semiconductor excitation fiber laser and the microchip laser.
本実施例では、被処理対象物として太陽電池パネルを用い、積層膜の各膜に対してスクライビング処理を行った。このスクライビング処理は図1に示す処理装置を用いて行った。 In this example, a solar cell panel was used as an object to be processed, and a scribing process was performed on each film of the laminated film. This scribing process was performed using the processing apparatus shown in FIG.
まず、スパッタ法により下地層の成膜されたガラス基板を用い、この下地層上にITOからなる透明電極膜を形成し、ITO膜の形成された基板を図1に示す処理装置を用いて搬送しながら、ITO膜に対して、レーザービームを照射してスクライビングすることにより所定の本数の溝を切った。次いで、溝の切られたITO膜上にa−Si膜発電層を形成し、このa−Si膜発電層の形成された基板を図1に示す処理装置を用いて搬送しながら、a−Si膜発電層に対してレーザービームを照射してスクライビングすることにより所定の本数の溝を切った。その後、溝の切られたa−Si膜発電層の形成された基板上に金属膜を形成した。この金属膜の形成された基板を図1に示す処理装置を用いて搬送しながら、金属膜に対してレーザービームを照射してスクライビングすることにより所定の本数の溝を切った。 First, a glass substrate with a base layer formed by sputtering is used, a transparent electrode film made of ITO is formed on the base layer, and the substrate on which the ITO film is formed is transported using the processing apparatus shown in FIG. Meanwhile, a predetermined number of grooves were cut by scribing the ITO film by irradiating a laser beam. Next, an a-Si film power generation layer is formed on the grooved ITO film, and the substrate on which the a-Si film power generation layer is formed is conveyed using the processing apparatus shown in FIG. A predetermined number of grooves were cut by scribing the membrane power generation layer with a laser beam. Thereafter, a metal film was formed on the substrate on which the grooved a-Si film power generation layer was formed. While the substrate on which the metal film was formed was transported using the processing apparatus shown in FIG. 1, a predetermined number of grooves were cut by scribing the metal film by irradiating it with a laser beam.
かくして得られた、均一な幅及び深さを有する溝が切られたITO膜と金属層とを接続すると、太陽電池パネルが作製できた。 A solar cell panel could be produced by connecting the ITO film obtained by cutting grooves having a uniform width and depth and the metal layer thus obtained.
ガラス基板上に、ソース拡散領域、ドレイン拡散領域、a−Si薄膜からなるチャネル領域が設けられた薄膜トランジスタを、図1に示す処理装置を用いて搬送しながら、チャネル領域のa−Si薄膜に対してレーザービームを照射して多結晶化処理を行った。その結果、a−Siが均一に多結晶化していることが確認できた。 A thin film transistor in which a channel region composed of a source diffusion region, a drain diffusion region, and an a-Si thin film is provided on a glass substrate is conveyed to the a-Si thin film in the channel region using the processing apparatus shown in FIG. Then, a polycrystallizing treatment was performed by irradiating a laser beam. As a result, it was confirmed that a-Si was uniformly polycrystallized.
本発明によれば、被処理対象物が大面積化しても、高精度の大型ステージを設けることもなく、大面積化に対応した簡単な処理装置及び処理方法により、大幅なコスト削減や、加工精度、被処理対象物の搬送性、タクトタイム(加工時間等)等の改善が可能となるので、本発明は、太陽電池や液晶パネルディスプレイ等の技術分野で利用可能である。 According to the present invention, even if an object to be processed has a large area, a large processing stage and a processing method corresponding to the increase in area can be achieved, without providing a high-precision large stage. Since accuracy, transportability of the object to be processed, tact time (processing time, etc.) can be improved, the present invention can be used in technical fields such as solar cells and liquid crystal panel displays.
1 ローラー 2 被処理対象物
3 レーザー加工装置
3a オートフォーカス機構搭載加工ビームユニット
21 被処理対象物 22 戻りビーム
23 集光レンズ 24 ミラー
25 シリンドリカルレンズ 26 4分割センサー面
31 ガラス基板 32 透明電極膜(TCO膜)
32a 溝 33 a−Si膜発電層
33a 溝 34 金属層
34a 溝 61 基板
62 ソース拡散領域 63 ドレイン拡散領域
64 チャネル領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (11)
The laser processing apparatus according to claim 10, wherein a plurality of laser oscillators and autofocus mechanisms are provided, and a laser processing apparatus in which each autofocus mechanism is connected to each laser oscillator is used. Processing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008263287A JP2010089142A (en) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | Apparatus and method of processing workpiece by laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008263287A JP2010089142A (en) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | Apparatus and method of processing workpiece by laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010089142A true JP2010089142A (en) | 2010-04-22 |
Family
ID=42252366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008263287A Pending JP2010089142A (en) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | Apparatus and method of processing workpiece by laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010089142A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259234A (en) * | 2010-05-26 | 2011-11-30 | Ntn株式会社 | Laser Patterning Device And Laser Patterning Method |
| JP2012011397A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Hitachi High-Technologies Corp | Laser machining method, laser machining device, and method for manufacturing solar panel |
| JP2014024303A (en) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Scribing device and scribing method |
| US11938563B2 (en) | 2016-10-20 | 2024-03-26 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Annealed workpiece manufacturing method, laser anneal base stage, and laser anneal processing apparatus |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221491A (en) * | 1985-07-23 | 1987-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Laser cutting machine |
| JP2001168068A (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Canon Inc | Apparatus and method for processing deposited film and deposited film processed by the method |
| JP2003154480A (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Toppan Forms Co Ltd | Laser processing system |
| JP2003255552A (en) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Nec Corp | Laser irradiation device, exposure method using scanning laser beam, and manufacturing method for color filter using scanning laser beam |
| JP2004151668A (en) * | 2002-09-02 | 2004-05-27 | Hitachi Displays Ltd | Display device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus |
| JP2004170455A (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Laser processing apparatus, laser processing system and solar cell |
-
2008
- 2008-10-09 JP JP2008263287A patent/JP2010089142A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221491A (en) * | 1985-07-23 | 1987-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Laser cutting machine |
| JP2001168068A (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Canon Inc | Apparatus and method for processing deposited film and deposited film processed by the method |
| JP2003154480A (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Toppan Forms Co Ltd | Laser processing system |
| JP2003255552A (en) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Nec Corp | Laser irradiation device, exposure method using scanning laser beam, and manufacturing method for color filter using scanning laser beam |
| JP2004151668A (en) * | 2002-09-02 | 2004-05-27 | Hitachi Displays Ltd | Display device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus |
| JP2004170455A (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Laser processing apparatus, laser processing system and solar cell |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259234A (en) * | 2010-05-26 | 2011-11-30 | Ntn株式会社 | Laser Patterning Device And Laser Patterning Method |
| JP2012011397A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Hitachi High-Technologies Corp | Laser machining method, laser machining device, and method for manufacturing solar panel |
| JP2014024303A (en) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Scribing device and scribing method |
| US11938563B2 (en) | 2016-10-20 | 2024-03-26 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Annealed workpiece manufacturing method, laser anneal base stage, and laser anneal processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8170072B2 (en) | Laser annealing method and apparatus | |
| KR100692326B1 (en) | Manufacturing method of display panel and display panel | |
| CN102343484B (en) | Utilize the laser processing procedure of beam multiplex and each suitable laser optical head | |
| US7193693B2 (en) | Apparatus for manufacturing flat panel display devices | |
| TW200415536A (en) | Display device, process and apparatus for its production | |
| US20080087895A1 (en) | Polysilicon thin film transistor and method of fabricating the same | |
| KR20070097189A (en) | Substrate cutting method and substrate cutting apparatus used therein | |
| JP2016100537A (en) | Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method, and laser annealing apparatus | |
| CN101303969B (en) | Radiation apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and method, and manufacturing method of display device | |
| JP2008085236A (en) | 2 wavelength laser annealing equipment | |
| US8507156B2 (en) | Laser mask and sequential lateral solidification crystallization method using the same | |
| JP2010089142A (en) | Apparatus and method of processing workpiece by laser | |
| KR101172791B1 (en) | Laser lift-off method and laser lift-off apparatus | |
| JP2010118409A (en) | Laser annealing apparatus and laser annealing method | |
| TWI521563B (en) | Laser processing device | |
| JP2010087041A (en) | Method of removing thin film by laser beam, and method of manufacturing thin-film solar cell panel | |
| US9460930B2 (en) | Method for performing laser crystallization | |
| JP5037926B2 (en) | Laser annealing equipment | |
| KR20040068022A (en) | Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system | |
| JP5451625B2 (en) | Mother board and manufacturing method thereof | |
| JP2009190943A (en) | Substrate cutting apparatus, substrate cutting method, and substrate manufactured using the method | |
| KR100878159B1 (en) | Laser processing equipment | |
| KR100667899B1 (en) | Laser annealing apparatus and method for low temperature polycrystalline polysilicon thin film transistor liquid crystal display | |
| TWI809843B (en) | System and method for processing micro light-emitting devices | |
| WO2019234856A1 (en) | Laser annealing method, laser annealing apparatus and method for producing active matrix substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121114 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121115 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130403 |