JP2010541217A - 放射放出用の半導体ボディ - Google Patents

Abstract

第１の波長（λ_１）を有する放射を発生させる活性層（２）と、量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（４）を有する再放出層（３）と、を備える放射放出用の半導体ボディ（１）を記載する。再放出層は、第１の波長を有する放射がバリア層構造において吸収されることによって、第２の波長（λ_２）を有するインコヒーレントな放射を発生させるように設けられている。

Description

放射放出用の半導体ボディについて記載する。

従来の発光ダイオードにおいては、混合色の放射を発生させることが可能であり、この場合、第１の波長の放射が半導体ボディによって生成された後、蛍光体によって第２の波長の放射に変換される。したがって、蛍光体と組み合わされた半導体ボディは、第１の波長および第２の波長の混合色の放射を放出する。

しかしながら、このような発光ダイオードを製造するためには、半導体ボディの対象の放出波長と蛍光体とが正確に合致していることと、蛍光体を正確に計量および形成する方法とが要求される。

独国特許第１０００６７３８号明細書

I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), October 18, 1993, 2174-2176

１つの目的は、単純な方法において製造することのできる半導体ボディを開示することである。特に、本半導体ボディは、動作時において高効率を有する。

さらには、半導体によって混合色の放射を発生させる、または放射を変換するための効率的な方法を開示する。

上記の目的は、請求項１の特徴を備えた半導体ボディ、または請求項１４における方法によって解決される。好ましい実施形態およびさらなる発展形態は、従属請求項の主題である。

放射放出用の半導体ボディには、第１の波長の放射を発生させる活性層と、量子層構造およびバリア層構造を有する量子井戸構造を備えている再放出層（reemission layer）とが形成されており、再放出層は、第１の波長の放射がバリア層構造において吸収されることによって、第２の波長のインコヒーレントな放射を発生させることを目的としている。活性層によって発生する第１の波長の放射も、インコヒーレントであることが好ましい。

これに関連して、用語「量子井戸構造」は、特に、電荷担体のエネルギー状態を閉じ込めによって量子化することのできる任意の構造を意味する。特に、用語「量子井戸構造」は、量子化の次元について何らかの指定を行うものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸、量子細線、および量子ドットと、これらの構造の任意の組合せとが含まれる。

定義を明確にしておく目的で、「活性層」は、電気励起型の放射発生層を意味するものと理解されたい。これに対して、再放出層は、光学的に励起される。

第１の波長の放射を発生させる活性層と、第１の波長の放射の少なくとも一部を第２の波長の放射に変換する再放出層は、半導体ボディの中にモノリシックに集積化されている。したがって、第１の波長の放射を第２の波長の放射に変換するための蛍光体を計量および形成するステップを省くことができ、これは有利である。

さらに、蛍光体によって生じる放射損失（例えば散乱損失）が回避される。これによって、放射放出用の半導体ボディの効率が向上し、これは有利である。

さらに、半導体ボディの特徴的な光パラメータ（例えば、発生する放射の色度あるいは色温度）が、半導体ボディの製造時にすでに設定される。これにより、半導体ボディの製造時、特にウェハ工程において、コスト上の利点を達成することができる。

さらには、例えば、従来の発光ダイオードにおいて蛍光体に起因して生じうるような、スイッチオフ状態において色が見えることが回避される。このように色が見えることは、しばしば望ましくない。このような色の可視性を回避するための特別な製造ステップ（半導体ボディの効率低下および低輝度化を伴うことがある）が必要ない。

本半導体ボディの好ましい発展形態においては、バリア層構造は、１つまたは複数のバリア層を備えている。対応して、量子層構造も、１つまたは複数の量子層を備えていることができる。

さらに、バリア層および量子層は、交互に配置されていることが好ましい。交互に配置されているとは、一連のバリア層と量子層において、量子層の後ろが必ずバリア層であり、バリア層の後ろが必ず量子層であることを意味する。

したがって、量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＳＱＷ）または多重量子井戸構造（ＭＱＷ）として設計することができ、１つまたは複数の量子井戸それぞれは、２つの隣接するバリア層の間の量子層によって形成されている。

半導体ボディの別の実施形態においては、第２の波長の放射が、量子層構造において、したがって例えば１つまたは複数の量子層において、発生する。第１の波長の放射の吸収と、第２の波長の放射の発生とが、空間的に隔てられていることは、再放出層の効率がより高く、それにより放射放出用の半導体ボディの効率がより高いという利点を有する。特に、バリア層は、量子層よりも相当に厚く形成されており、したがって、第１の波長の放射の吸収はバリア層における方が相当に大きく、これにより、全体としての再放出層の刺激は、第１の波長の放射が量子層構造または対応する量子層において吸収されるよりも相当に効率的である。

別の有利な設計においては、半導体ボディは、化合物半導体材料、特に、窒化物化合物半導体材料またはリン化物化合物半導体材料を含む。

特に、放射放出用の半導体ボディは、化合物半導体材料、より好ましくは窒化物化合物半導体材料またはリン化物化合物半導体材料をベースとすることができる。これらの半導体材料は、特に効率的な放射の発生を特徴としており、再放出層がモノリシックに集積化されていることによって、窒化物化合物半導体材料のみ、またはリン化物化合物半導体材料のみをベースとする活性層によって通常では発生させることのできない放出スペクトルを達成することができる。

特に、再放出層を適切に設計することによって、半導体ボディの光パラメータ（例えば色度あるいは色温度）を、幅広い範囲内において自由に確立することができる。

これに関連して、「窒化物化合物半導体をベースとしている」とは、半導体ボディ、好ましくは活性層もしくは再放出層またはその両方、あるいはこれらの少なくとも一部の層が、ＩＩＩ−Ｖ属窒化物化合物半導体材料、好ましくはＡｌ_ｎＧａ_ｍＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｎ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）（好ましくはｎまたはｍの少なくとも一方が０でない）を含むことを意味する。この材料は、上の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、Ａｌ_ｎＧａ_ｍＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｎ材料の特徴的な物理特性を著しく変化させることのない１つまたは複数のドーパントおよび追加の構成成分を有することができる。説明を簡潔にする目的で、上の化学式は、結晶格子の重要な構成成分（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ）のみを含むが、これらの構成成分は、その一部を少量の別の物質に置き換えることができる。

これに関連して、「リン化物化合物半導体をベースとしている」とは、半導体ボディ、好ましくは活性層もしくは再放出層またはその両方、あるいはこれらの少なくとも一部の層が、ＩＩＩ−Ｖ属リン化物化合物半導体材料、好ましくはＡｌ_ｎＧａ_ｍＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｐ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）（好ましくはｎまたはｍの少なくとも一方が０でない）を含むことを意味する。この材料は、上の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、Ａｌ_ｎＧａ_ｍＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｐ材料の特徴的な物理特性を著しく変化させることのない１つまたは複数のドーパントおよび追加の構成成分を有することができる。説明を簡潔にする目的で、上の化学式は、結晶格子の重要な構成成分（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ）のみを含むが、これらの構成成分は、その一部を少量の別の物質に置き換えることができる。

半導体ボディの好ましい実施形態においては、第１の波長の放射は、その一部分のみが再放出層によって第２の波長の放射に変換され、したがって、半導体ボディは、第１の波長の放射と第２の波長の放射を同時に放出する役割を果たす。

さらに好ましくは、第１の波長は、青色のスペクトル領域内である（例えば４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長である）ことができ、第２の波長は、黄〜橙色のスペクトル範囲内であることができ、したがって、全体として白の色印象を持つ混合色の放射が放出される。この実施形態における半導体ボディは、モノリシックに集積化されている白色光源である。

あるいは、第１の波長の放射が、本質的に完全に再放出層によって第２の波長の放射に変換されるようにすることもでき、したがって、放射放出用の半導体ボディは、動作時に第２の波長の放射を放出するのみである。例えば、活性層が紫外放射を発生し、この紫外放射が、可視スペクトル領域（例えば、緑色のスペクトル領域）における第２の波長を有する放射に完全に変換されるようにすることができる。この代替実施形態の有利な発展形態においては、半導体ボディに、放射が放出される側に、第１の波長の放射を選択的に半導体ボディに反射して戻す反射層を設けることができる。したがって、放射のうち反射される部分は、再び再放出層に送られて変換される。

したがって、いずれの場合においても要求条件に従って、放射放出用の半導体ボディでは、混合色の放射、または、半導体ボディの活性層の放出波長に一致しない波長の放射を、発生させることができる。

窒化物化合物半導体材料をベースとする半導体ボディの場合、活性層はＩｎＧａＮを含むことが好ましい。

第１の波長は、３６０ｎｍ〜４００ｎｍのであることがさらに好ましい。

別の好ましい発展形態においては、バリア層構造はＧａＮを含む。

ＩｎＧａＮを含む活性層は、３６０ｎｍ〜４００ｎｍの間の範囲の波長によって特に効率的に励起可能である、ＧａＮをベースとするバリア層構造と組み合わせることが、特に適している。

窒化物化合物半導体材料をベースとする半導体ボディは、青色のスペクトル範囲の（例えば、４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長の）放射を発生させるうえでも適している。

放射放出用の半導体ボディは、薄膜半導体ボディとして具体化されていることが好ましい。

薄膜半導体ボディは、特に、以下の特徴のうちの少なくとも１つを特徴とする。

− 放射を発生させるエピタキシャル層積層体の主面のうち、キャリアに面している第１の主面上に反射層が堆積または塗布されており、この反射層は、エピタキシャル層積層体において発生した電磁放射の少なくとも一部をエピタキシャル層積層体の方に反射して戻す。

− エピタキシャル層積層体は、２０μｍ以下の範囲、特に１０μｍ以下の厚さを有する。

− エピタキシャル層積層体は、少なくとも一面が混合構造（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｍｉｘｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）である少なくとも１つの半導体層を含み、この混合構造によって、理想的な場合にはエピタキシャル層積層体において近似的に光のエルゴード分布につながり、すなわち、この構造は、実質的にエルゴード的確率過程である散乱挙動を有する。

薄膜発光ダイオードチップの基本的な原理は、例えば、非特許文献１に記載されており、これに関するその開示内容は、参照によって本願に組み込まれるものとする。

薄膜発光ダイオードチップは、ランバート面状の放射装置の良好な近似である。

あるいは、半導体ボディには、成長基板（エピタキシャル基板とも称される）の形における基板を設けることもでき、この基板は、第１の波長もしくは第２の波長、またはその両方の発生する放射に対して好ましくは透過性である。

有利な発展形態においては、半導体ボディには、放射側とは反対側にミラー層が設けられている。これにより、放射側から取り出される放射の割合が増大し、これは有利である。さらに、ミラー層との間で往復する第１の波長の放射が、定在波場を形成することができる。この場合、再放出層は、定在波場のピーク（したがって波腹）に配置されていることが好ましい。これによって、第１の波長の放射の有利に高い吸収率が達成され、これにより第２の波長の放射の発生効率が増大する。

半導体ボディによって混合色の放射を発生させる、または放射を変換する方法において、半導体ボディは活性層および再放出層を含む。再放出層は、量子層構造およびバリア層構造を有する量子井戸構造を備えている。混合色の放射の発生または放射の変換は、
− 活性層において第１の波長（λ_１）の好ましくはインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
− バリア層構造において、第１の波長（λ_１）の放射の少なくとも一部分を吸収するステップと、
− 量子層構造において、第２の波長（λ_２）のインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
によって行われる。

バリア層構造において第１の波長の放射の一部分のみが吸収される場合、第１の波長の放射の残りの部分を、量子層構造において発生する第２の波長の放射と一緒に放出させることができ、したがって、全体として、具体的には、第１の波長のスペクトル分と第２の波長のスペクトル分とを含む混合色の放射が発生する。

あるいは、第１の波長の放射が第２の波長の放射に完全に変換されるように、第１の波長の放射をバリア層構造において完全に吸収させることができる。

これに関連して、「完全に」とは、第１の波長の放射の無視できる残留分または不回避の残留分を除いて、半導体ボディが放射の主方向に第２の波長の放射のみを放射することを意味する。実際に、第１の波長の放射のエネルギーは、第２の波長の放射にできる限り完全に変換されることが好ましいが、絶対に必要な条件ではない。

本方法は、上述した特徴の少なくとも１つを備えている半導体ボディによって実行されることが好ましい。

半導体ボディの第１の例示的な実施形態の概略的な断面図を示している。 混合色の放射を発生させる、または放射を変換する方法の例示的な実施形態の概略図を示している。 半導体ボディの第２の例示的な実施形態の概略的な断面図を示している。 半導体ボディの第３の例示的な実施形態の概略的な断面図を示している。 半導体ボディの第４の例示的な実施形態の概略的な断面図を示している。

本発明のその他の特徴、利点、および有用性は、図１〜図５を参照しながら以下に説明されている例示的な実施形態から理解できるであろう。

図面において類似する要素または機能が類似する要素は、同じ参照数字によって表してある。

図１は、放射発生活性層２と再放出層３とを備えている放射放出用の半導体ボディ１を示している。

再放出層３および活性層２が上にエピタキシャル成長している基板９（例えば成長基板）は、半導体ボディの、主放射側とは反対の側に配置されている。

あるいは、半導体ボディを薄膜半導体ボディとして設計することもでき、この場合、成長基板をより薄くする、あるいは好ましくは完全に除去し、半導体ボディを外部キャリアに結合する。

動作時、第１の波長λ_１の放射が活性層２によって発生する。第１の波長λ_１のこの放射の一部分が、活性層２より下に配置されている再放出層３において吸収され、これにより、第２の波長λ_２の放射が放出される。したがって、波長λ_１の放射は、少なくとも一部が再放出層３において波長λ_２の放射に変換される。

図１における再放出層３の拡大部分に示したように、再放出層３は、量子層構造５とバリア層構造６とを有する量子井戸構造４を備えている。量子層構造５は、複数の量子層７を備えている。対応して、バリア層構造６は、複数のバリア層８を備えている。したがって、量子井戸構造は、この場合には多重量子井戸構造（ＭＱＷ）として形成されており、量子層７とバリア層８とが交互に配置されている。

量子井戸構造の寸法を適切に選択することによって、再放出層によって発生する放射の波長λ_２と、さらには、半導体ボディによって全体として放出される放射の色度もしくは色温度またはその両方とを、幅広い範囲内において自由に確立することができる。

さらに、再放出層によって発生する放射のスペクトル幅が広がるように、再放出層の中のバリア層もしくは量子層またはその両方の垂直方向における構成もしくは厚さまたはその両方を変化させることも可能である。このことは、全体としての印象が、例えば白色光の広いスペクトルを有する白熱灯のようであることが望ましいとき、白色光を発生させるうえで有利である。

図１における再放出層３の拡大部分には、さらに、波長λ_１の放射の強度Ｉが垂直方向ｚに（したがって量子井戸構造４の成長方向に沿って）概略的にプロットしてある。波長λ_１の放射はバリア層構造６のバリア層８において吸収されるため、波長λ_１の放射の強度Ｉは、活性層２からの距離ｚが増すにつれて連続的に減少している。

半導体ボディ１は、例えば、窒化物化合物半導体をベースとして設計することができる。この場合、活性層２は、例えば、上側のｐ−ＧａＮ層１０とｎ−ＧａＮ層１１との間に配置することができる。活性層２は、ＩｎＧａＮをベースとすることができ、同様に、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として設計することができる。

活性層によって発生する放射の波長λ_１は、再放出層３のバリア層８における十分に高い吸収率が達成されるように選択されていることが好ましい。ＧａＮをベースとするバリア層と、ＩｎＧａＮをベースとする活性層との組合せは、この目的に特に適する。

図２は、半導体ボディによって、波長λ_１の放射を、部分的または完全に第２の波長λ_２の放射に変換する方法を示している。

再放出層の価電子帯のエネルギーレベルＥ_ｖの部分と、伝導帯のエネルギーレベルＥ_ｃの部分とをプロットしてある。

動作時、活性層によって発生する波長λ_１の放射が、再放出層のバリア層構造６において（したがってバリア層８において）吸収され、これによって、最初にバリア層８において電荷担体の分離が起こる（ステップＡ）。分離した電荷担体は、量子井戸構造４の、エネルギー的に低い量子井戸に（したがって量子層構造５の量子層７に）捕捉され（ステップＢ）、結果として、再結合を通じて波長λ_２の放射が放出される（ステップＣ）。

図３は、半導体ボディの別の例示的な実施形態を示している。図１に示した半導体ボディとは異なり、この半導体ボディは薄膜半導体ボディとして製作されている。

前の例と同様に、この半導体ボディは、活性層２と再放出層３とを有する。再放出層３は、前の例示的な実施形態のように、交互に配置された複数のバリア層および量子層を有する多重量子井戸構造として設計することができる。

再放出層３は、放射側におけるｎ−ＧａＮ層１１に形成されている。ｎ−ＧａＮ層は、特に、半導体ボディにおける電流拡散の役割を果たす。活性層２は、ｎ−ＧａＮ層１１とｐ−ＧａＮ層１０との間に配置されている。導電型に関して、図３に示した半導体ボディは、図１に示した半導体ボディとは逆である。

これに関連して、再放出層は、一般的に、ｐ型導電層、ｎ型導電層、非ドープ層、または共ドープ層とすることができる。これとは関係なく、再放出層は、基板またはキャリアと活性層との間、あるいは、基板またはキャリアとは反対の活性層の側に配置することができる。

前の例示的な実施形態とは異なり、図３に示した半導体ボディ１は、キャリア１２に形成されており、エピタキシャル基板（図示していない）が半導体ボディから取り除かれている。キャリア１２に面している半導体ボディ１の側には、コンタクト層１３と、半導体ボディをキャリア１２に結合するためのはんだ層１４とが形成されている。

さらには、キャリア１２の方向に放出される放射を反射する役割を果たすミラー層（図示していない）を、半導体ボディとキャリアとの間に配置することができ、したがって、放射のうちこのような部分も、半導体ボディの上側の放射側において放出される。ミラー層は、半導体に形成されている誘電体、または半導体に形成されているＴＣＯ（透明導電性酸化物）の形において具体化されている（半導体ボディとは反対の側に金属層が配置される）ことが有利である。このようにして、ミラー層による高い反射率を達成することができる。

第１の波長の放射のうちミラー層との間で往復する部分は、定在波場を形成することができる。この場合、再放出層３は、波のピークに配置されていることが好ましい。これによって、第１の波長λ_１の放射の有利に高い吸収率が達成され、それにより、第２の波長λ_２の放射の発生効率が増大する。

半導体ボディに電気を供給するための、ボンディングパッドの形におけるコンタクト１５が、キャリア１２とは反対の側に形成されている。

上述したように、第１の波長λ_１の放射は活性層２において発生する。その一部が、再放出層３の中、バリア層構造において吸収され、これによって第２の波長λ_２の放射が放出される。第２の波長λ_２のこの放射は、第１の波長λ_１の放射の残りの部分と一緒に放出され、したがって、半導体ボディは混合色の放射を放出する。第１の波長λ_１が青色のスペクトル領域内であり、第２の波長λ_２が黄〜橙色のスペクトル領域内であるように、活性層および再放出層が設計されているならば、結果として白の色印象とすることができる。この有利な実施形態においては、半導体ボディは、モノリシックに集積化された白色光源である。

図４は、薄膜半導体ボディの形における、半導体ボディ１の別の例示的な実施形態を示している。

前の例示的な実施形態と同様に、この半導体ボディは、再放出層３と活性層２とを有し、さらに、コンタクト層１３およびはんだ層１４を介してキャリア１２に結合されている。前の例示的な実施形態と同様に、ミラー層（図示していない）を半導体ボディ１とキャリア１２との間に配置することができる。

前の例示的な実施形態とは異なり、再放出層３の横方向の長さは、活性層２の対応する横方向の長さよりも小さい。このようにして、第２の波長λ_２の放射の発生を、比較的小さい領域に集中させることができ、放射密度の高い、いわば点光源が形成される。

この場合、第１の波長λ_１の放射が第２の波長の放射に完全に変換される、または、第１の波長λ_１の放射の出口が再放出層３の外側において遮断されることが好ましい。このことは、例えば、再放出層３の側面にコンタクト１５を配置し、したがってこの領域において第１の波長λ_１の放射の出口を遮断することによって、達成することができる。第１の波長λ_１の放射は、例えば、紫外スペクトル領域内であることができ、可視スペクトル領域内（例えば緑色のスペクトル領域内）の放射に変換することができる。

これに代えて、またはこれに加えて、第１の波長の放射の出口を再放出層３から側面まで同様に遮断する導波管を設けることができる。例えば、半導体ボディのコンタクト層を反射性として設計することができ、したがって、これらのコンタクト層の間に導波管が形成される。

図５は、放射放出用の半導体ボディ１の第４の例示的な実施形態を示している。

前の２つの例示的な実施形態とは異なり、この半導体ボディは、発生する第１の波長λ_１の放射もしくは第２の波長λ_２の放射、またはその両方に対して透過性であるエピタキシャル基板９を有する。

再放出層３および次の活性層２は、エピタキシャル基板９の上に連続的にエピタキシャル成長している。最上層は、半導体ボディ上のボンディングパッドの形におけるコンタクト１５である。

好ましくは、基板は導電性であり、さらに、半導体ボディに電気を供給するため、コンタクトとは反対の側に他方のコンタクト１６を有する。

活性層２において発生する第１の波長λ_１の放射は、その一部が再放出層３の方向に伝搬し、再放出層３において少なくとも一部が第２の波長λ_２の放射に変換される。第１の波長の放射と第２の波長の放射とを半導体ボディによって上側において放射させることができる。さらには、放射に対して透過性の基板を通じて放射させることが可能である。この場合、図示したように基板にくぼみを設けることが有利であり、これにより、発生する放射の取り出し効率が向上する。

対応する基板の形状（基板９の１つまたは複数の側壁が、垂直側壁としての斜めの側壁部分を有する）は、特許文献１に記載されており、これに関するこの文書の開示内容は、参照によって本出願に組み込まれるものとする。

本特許出願は、独国特許出願第１０２００７０４６４９９．３号の優先権を主張し、その内容は参照によって本願に組み込まれている。

本発明の保護の範囲は、上に記載した例に制限されない。本発明は、新規の特徴それぞれと、それらの組合せ（特に、特許請求の範囲に記載されている特徴のすべての組合せを含む）において具体化され、このことは、特徴またはその組合せが、特許請求の範囲または実施例に明示的に記載されていない場合にも該当する。

Claims (15)

1. 放射放出用の半導体ボディ（１）であって、
   第１の波長（λ_１）の放射を発生させる活性層（２）と、
   量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（５）を備える再放出層（３）と、
   を備え、
   前記再放出層が、前記第１の波長の前記放射が前記バリア層構造において吸収されることによって、第２の波長（λ_２）のインコヒーレントな放射を発生させるように設けられている、
   放射放出用の半導体ボディ。
2. 前記第１の波長の前記放射がインコヒーレントである、請求項１に記載の放射放出用の半導体ボディ。
3. 前記量子層構造（５）が少なくとも１つの量子層（７）を備え、前記バリア層構造（６）が少なくとも１つのバリア層（８）を備える、請求項１に記載の放射放出用の半導体ボディ。
4. 前記第２の波長（λ_２）の前記放射が前記量子層構造において発生する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
5. 前記活性層（２）がＩｎＧａＮを含み、前記バリア層構造がＧａＮを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
6. 前記第１の波長（λ_１）が３６０ｎｍ〜４００ｎｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
7. 前記第１の波長（λ_１）が青色のスペクトル領域内であり、前記放射放出半導体ボディが白色光を放出する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
8. 前記再放出層（３）が、前記第１の波長（λ_１）の前記放射の一部分を前記第２の波長（λ_２）の放射に変換し、前記放射放出半導体ボディが、前記第１の波長の放射および前記第２の波長の放射を放出する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
9. 前記再放出層が、前記第１の波長（λ_１）の前記放射を完全に前記第２の波長（λ_２）の放射に変換する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
10. 薄膜半導体ボディである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
11. 前記第１の波長の前記放射もしくは前記第２の波長の前記放射またはその両方に対して透過性である成長基板（９）を備えている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
12. 前記再放出層（３）の横方向の長さが、前記活性層（２）の対応する横方向の長さよりも小さい、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
13. 前記活性層（２）および前記再放出層（３）が前記半導体ボディの中にモノリシックに集積化されている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
14. 半導体ボディ（１）によって混合色の放射を発生させる、または放射を変換する方法であって、
    前記半導体ボディ（１）が活性層（２）および再放出層（３）を含み、
    前記再放出層が、量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（５）を備える量子井戸構造（４）を有し、
    − 前記活性層において第１の波長（λ_１）の好ましくはインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
    − 前記バリア層構造において、第１の波長（λ_１）の前記放射の少なくとも一部分を吸収するステップと、
    − 前記量子層構造において、第２の波長（λ_２）のインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
    を含む方法。
15. 請求項１〜１３の少なくとも１項に記載の半導体ボディを備えている、請求項１４に記載の方法。
    

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