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JP2011054477A - Organic electroluminescent display device and method of manufacturing organic electroluminescent display device - Google Patents

Organic electroluminescent display device and method of manufacturing organic electroluminescent display device Download PDF

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JP2011054477A
JP2011054477A JP2009203712A JP2009203712A JP2011054477A JP 2011054477 A JP2011054477 A JP 2011054477A JP 2009203712 A JP2009203712 A JP 2009203712A JP 2009203712 A JP2009203712 A JP 2009203712A JP 2011054477 A JP2011054477 A JP 2011054477A
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JP
Japan
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region
sealing
substrate
display device
glass frit
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JP2009203712A
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Japanese (ja)
Inventor
Isatake Kobayashi
勇毅 小林
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device maintaining the reliability of the device and having a favorable yield. <P>SOLUTION: The organic EL display device 10 includes a device substrate 1 on which at least one of metal wiring and an electrode is provided, an opposite substrate 5 facing the device substrate 1, and a seal material sealing the device substrate 1 and the opposite substrate 5. The region having the seal material is separated into a first seal region between a region of the device substrate 1 where the metal wiring and the electrode are not provided and the opposite substrate 5, and a second seal region between the region of the device substrate 1 where at least one of the metal wiring and the electrode is provided, and the opposite substrate 5. The seal material in the first seal region contains a glass frit, and the seal material in the second seal region contains curing resin. Thus, the organic EL display device can maintain the reliability of the device and has the high yield. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence display device and a method for manufacturing an organic electroluminescence display device.

近年、高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイのニーズが高まっている。フラットパネルディスプレイとしては、非自発光型の液晶ディスプレイ(LCD)、自発光型のプラズマディスプレイ(PDP)、無機エレクトロルミネセンス(無機EL)ディスプレイ、または有機エレクトロルミネッセンス(以下、「有機EL」または「有機LED」ともいう)ディスプレイ等が知られているが、これらのフラットパネルディスプレイの中でも、有機ELディスプレイの進歩は著しい。   In recent years, the need for flat panel displays has increased with the advancement of information technology. As the flat panel display, a non-self-luminous liquid crystal display (LCD), a self-luminous plasma display (PDP), an inorganic electroluminescence (inorganic EL) display, or an organic electroluminescence (hereinafter referred to as “organic EL” or “ A display or the like is also known. Among these flat panel displays, the progress of the organic EL display is remarkable.

2枚の基板からなる有機ELディスプレイ(有機EL素子)の封止手法として、ガラスフリットを用いたレーザー溶着技術がある。しかし、この手法にて作製した有機EL素子の発光特性は、初期の段階から既に著しく低下している。これは、有機EL素子の電源供給ラインとなる金属配線(または電極自身)がガラスフリットの直下にあるため、溶着時のレーザーが金属配線にも照射され、金属配線を通じて電極が損傷することに起因する。この場合、正常な電源供給ができないため、発光特性の劣化を引き起こす。   As a sealing method for an organic EL display (organic EL element) composed of two substrates, there is a laser welding technique using glass frit. However, the light emission characteristics of the organic EL device produced by this method have already been significantly reduced from the initial stage. This is because the metal wiring (or the electrode itself) serving as the power supply line of the organic EL element is directly under the glass frit, so that the laser at the time of welding is also irradiated to the metal wiring and the electrode is damaged through the metal wiring. To do. In this case, since normal power supply cannot be performed, the light emission characteristics are deteriorated.

また、基板を封止するガラスフリットの下部に有機平坦化膜が位置する場合、ガラスフリットにレーザーを照射すると、有機物からなる平坦化膜がレーザーの高熱によって損傷される。その結果、ガラスフリットと平坦化膜との接着面が剥離し、基板同士の接着力が低下する。   In addition, when the organic planarization film is located below the glass frit that seals the substrate, when the glass frit is irradiated with a laser, the planarization film made of an organic material is damaged by the high heat of the laser. As a result, the adhesive surface between the glass frit and the planarizing film is peeled off, and the adhesive force between the substrates is reduced.

そこで、これらの問題を解決するため、これまでに様々な方法が考えられている。図6〜図8は、従来の有機EL表示装置の構成を示す断面図である。たとえば、特許文献1に開示されている有機電界発光表示装置20は電源供給ラインである金属配線にレーザーが直接照射されないように、図6に示すように、金属配線21の幅をガラスフリット22の幅よりも狭く形成している。また、特許文献2に開示されている有機電界発光表示装置30は、図7に示すように、ガラスフリット32の下部の有機平坦化膜33を除去している。さらに、特許文献3に開示されている有機電界発光表示装置40は、図8に示すように、ガラスフリット42の下部の有機平坦化膜43を除去するとともに、金属配線41をガラスフリット42の下部ではなく、レーザーが照射されない領域である第2電極電源供給ライン45の下部に位置させている。   In order to solve these problems, various methods have been considered so far. 6 to 8 are cross-sectional views showing the configuration of a conventional organic EL display device. For example, in the organic light emitting display device 20 disclosed in Patent Document 1, as shown in FIG. It is formed narrower than the width. Further, in the organic light emitting display device 30 disclosed in Patent Document 2, the organic planarization film 33 under the glass frit 32 is removed as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 8, the organic light emitting display device 40 disclosed in Patent Document 3 removes the organic planarizing film 43 below the glass frit 42, and connects the metal wiring 41 to the bottom of the glass frit 42. Instead, it is positioned below the second electrode power supply line 45, which is a region not irradiated with laser.

特開2007−200843号公報(2007年8月9日公開)JP 2007-200843 A (released on August 9, 2007) 特開2007−200887号公報(2007年8月9日公開)JP 2007-200787 A (published on August 9, 2007) 特開2007−200890号公報(2007年8月9日公開)JP 2007-200890 A (released on August 9, 2007)

しかし、特許文献1および2の技術では、ガラスフリットと金属配線とが接しているため、ガラスフリットを硬化させる際のレーザー照射による高熱が直下の金属配線にも伝わる。この熱は金属配線を介して有機EL素子の内部へ伝播してダメージを与えてしまう。さらに、特許文献1では金属配線の幅をガラスフリットの幅よりも狭くしているため、素子基板と、素子基板と対向するように貼り付けられる封止基板との密着力不足が懸念される。   However, in the techniques of Patent Documents 1 and 2, since the glass frit and the metal wiring are in contact with each other, high heat due to laser irradiation when the glass frit is cured is also transmitted to the metal wiring directly below. This heat propagates to the inside of the organic EL element through the metal wiring and causes damage. Further, in Patent Document 1, since the width of the metal wiring is narrower than the width of the glass frit, there is a concern that the adhesion between the element substrate and the sealing substrate attached so as to face the element substrate is insufficient.

また、特許文献3の技術では、金属配線の直上に第2電極電源供給ラインを配置する必要があるため、第2電極電源供給ラインの大きさおよび位置が制限されてマージンが低下してしまう。   In the technique of Patent Document 3, since it is necessary to arrange the second electrode power supply line immediately above the metal wiring, the size and position of the second electrode power supply line are limited, and the margin is reduced.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、素子の信頼性を保ち、且つ、歩留まりの良い有機EL表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL display device that maintains the reliability of the element and has a high yield.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上記の課題を解決するために、基板上に金属配線および電極のうち少なくとも一つが設けられた素子基板と、上記素子基板と対向する対向基板と、上記素子基板および上記対向基板の間を封止する封止材料とを備え、上記封止材料のある領域は、上記素子基板における上記金属配線および上記電極が設けられていない領域と上記対向基板との間の第1の封止領域、および上記素子基板における上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域と上記対向基板との間の第2の封止領域に区分されており、上記第1の封止領域における上記封止材料はガラスフリットを含み、上記第2の封止領域における上記封止材料は硬化樹脂を含むことを特徴としている。   In order to solve the above problems, an organic electroluminescence display device according to the present invention includes an element substrate on which at least one of metal wiring and electrodes is provided on a substrate, a counter substrate facing the element substrate, A sealing material that seals between the element substrate and the counter substrate, and the region where the sealing material is present is a region between the element substrate and the counter substrate and the region where the metal wiring and the electrode are not provided. And a second sealing region between the counter substrate and the region provided with at least one of the metal wiring and the electrode in the element substrate, The sealing material in the first sealing region includes glass frit, and the sealing material in the second sealing region includes a cured resin.

上記の構成によれば、素子基板と対向基板との間には封止材料が設けられており、素子基板と対向基板との間の空間を封止している。これにより、外部から有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)表示装置の内部への水分または酸素等の混入を防ぎ、有機EL表示装置の寿命を向上させることができる。また、封止材料によって封止された空間には有機層が設けられている。そのため、外部からの水分または酸素等の混入を防ぐことによって、有機層の発光特性の劣化を防ぐことができる。   According to the above configuration, the sealing material is provided between the element substrate and the counter substrate, and the space between the element substrate and the counter substrate is sealed. Thereby, mixing of moisture or oxygen into the inside of the organic electroluminescence (organic EL) display device from the outside can be prevented, and the lifetime of the organic EL display device can be improved. An organic layer is provided in the space sealed with the sealing material. Therefore, deterioration of the light emission characteristics of the organic layer can be prevented by preventing the entry of moisture or oxygen from the outside.

本発明において用いられる封止材料は、ガラスフリットおよび硬化樹脂を含む。これら2種類の封止材料を用いて封止することにより、柔軟性に優れた封止をすることができる。つまり、ガラスフリットのみを用いて封止枠を形成した場合、素子基板における電極が形成されている領域と対向基板との間の領域、および電極が形成されていない領域と対向基板5との間の領域では、封止枠の高さに微細な凹凸が生じる。そのため、ガラスフリットと柔軟性に富む硬化樹脂とを併用することにより、密封力を維持し、長寿命を実現することができる。   The sealing material used in the present invention includes a glass frit and a cured resin. By sealing using these two kinds of sealing materials, sealing with excellent flexibility can be performed. That is, when the sealing frame is formed using only the glass frit, the region between the region where the electrode is formed on the element substrate and the counter substrate, and the region between the region where the electrode is not formed and the counter substrate 5 are formed. In this area, fine irregularities occur in the height of the sealing frame. Therefore, by using a glass frit and a curable resin rich in flexibility, the sealing force can be maintained and a long life can be realized.

また、封止材料のある領域は、素子基板における金属配線および電極が設けられていない領域と対向基板との間の第1の封止領域、および素子基板における金属配線および電極が設けられた領域と対向基板との間の第2の封止領域に区分されており、第1の封止領域における封止材料はガラスフリットを含み、第2の封止領域における封止材料は硬化樹脂を含む。このように、ガラスフリットは金属配線および電極に接していない。   In addition, the region with the sealing material includes a first sealing region between the region where the metal wiring and the electrode are not provided on the element substrate and the counter substrate, and a region where the metal wiring and the electrode are provided on the element substrate. The sealing material in the first sealing region includes a glass frit, and the sealing material in the second sealing region includes a cured resin. . Thus, the glass frit is not in contact with the metal wiring and the electrode.

つまり、素子基板と対向基板との間を封止するとき、ガラスフリットに熱を加えて硬化させているが、このときの熱は非常に高温であるため、この熱がガラスフリットから電極に直接伝わるか、金属配線を介して電極に伝わると電極が損傷し、正常に電源を供給することができない。よって、ガラスフリットと金属配線および電極とが接していなければ、電極が損傷することがなく、素子の信頼性を保つことができる。   That is, when sealing between the element substrate and the counter substrate, the glass frit is cured by applying heat, but since the heat at this time is very high, this heat is directly applied from the glass frit to the electrode. If it is transmitted to the electrode via the metal wiring, the electrode is damaged and power cannot be supplied normally. Therefore, if the glass frit is not in contact with the metal wiring and the electrode, the electrode is not damaged and the reliability of the element can be maintained.

また、金属配線および電極が形成された領域は硬化樹脂によって封止されるため、金属配線または電極の配置および大きさが限定されることがない。よって、歩留まりの低下を防ぐことができる。   Moreover, since the area | region in which the metal wiring and the electrode were formed is sealed with cured resin, the arrangement and size of the metal wiring or the electrode are not limited. Therefore, a decrease in yield can be prevented.

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上記硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂であることが好ましい。これにより、短時間での封止を達成することができる。   In the organic electroluminescence display device according to the present invention, the curable resin is preferably an ultraviolet curable resin. Thereby, sealing in a short time can be achieved.

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上記第1の封止領域および上記第2の封止領域は、上記対向基板において、上記素子基板と対向している面の周縁部に位置することが好ましい。上記の構成によれば、外部から素子内への水分または酸素等の混入を好適に防ぐことができる。   In the organic electroluminescence display device according to the present invention, the first sealing region and the second sealing region are located in a peripheral portion of a surface facing the element substrate in the counter substrate. It is preferable. According to said structure, mixing of the water | moisture content or oxygen into the element from the outside can be prevented suitably.

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上記硬化樹脂は、上記第2の封止領域より上記第1の封止領域にはみ出す領域にも形成されていることが好ましい。   In the organic electroluminescence display device according to the present invention, it is preferable that the curable resin is also formed in a region protruding from the second sealing region to the first sealing region.

上記の構成によれば、第1の封止領域に設けられたガラスフリットと第2の封止領域に設けられた硬化樹脂とを面一に形成する必要がないため、これらの位置合わせに要求される精度を下げることが可能であり、封止材料が設けられた封止領域を確実に密閉することができる。   According to the above configuration, it is not necessary to form the glass frit provided in the first sealing region and the cured resin provided in the second sealing region on the same plane. Accuracy can be reduced, and the sealing region provided with the sealing material can be reliably sealed.

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上記素子基板は、薄膜トランジスタ素子をさらに備えていることが好ましい。これにより、アクティブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を実現することができる。   In the organic electroluminescence display device according to the present invention, it is preferable that the element substrate further includes a thin film transistor element. Thereby, an active matrix organic electroluminescence display device can be realized.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、金属配線および電極のうち少なくとも一つを備える素子基板、および上記素子基板と対向する対向基板を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記対向基板の、上記素子基板における上記金属配線および上記電極が設けられていない領域と対向する領域にガラスフリットを塗布する第1の塗布工程と、上記対向基板の、上記素子基板における上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域と対向する領域に紫外線硬化樹脂を塗布する第2の塗布工程と、上記ガラスフリットおよび上記紫外線硬化樹脂を硬化させて上記素子基板および上記対向基板の間を封止する封止工程とを含むことを特徴としている。   A method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to the present invention is a method for manufacturing an organic electroluminescence display device including an element substrate including at least one of a metal wiring and an electrode, and a counter substrate facing the element substrate. A first coating step of coating a glass frit on a region of the counter substrate facing a region where the metal wiring and the electrode on the element substrate are not provided; and the metal of the counter substrate on the element substrate A second application step of applying an ultraviolet curable resin to a region facing at least one of the wiring and the electrode; and curing the glass frit and the ultraviolet curable resin to form the element substrate and the counter substrate. And a sealing step for sealing between the two.

上記の構成によれば、対向基板にガラスフリットおよび紫外線硬化樹脂を塗布して2種類の封止材料からなる封止枠を形成するため、柔軟性に優れた封止をすることができる。また、封止工程のとき、ガラスフリットと金属配線および電極とが接していないため、電極が損傷することがなく、素子の信頼性を保つことができる。   According to the above configuration, since the sealing frame made of two kinds of sealing materials is formed by applying the glass frit and the ultraviolet curable resin to the counter substrate, it is possible to perform sealing with excellent flexibility. In addition, since the glass frit is not in contact with the metal wiring and the electrode during the sealing process, the electrode is not damaged and the reliability of the element can be maintained.

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、上記封止工程は、上記対向基板に熱を加えて上記ガラスフリットを硬化させる第1の硬化工程と、上記第1の硬化工程の後、上記対向基板に紫外線を照射して上記紫外線硬化樹脂を硬化させる第2の硬化工程とを含むことが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescence display device according to the present invention, the sealing step includes a first curing step of applying heat to the counter substrate to cure the glass frit, and the first curing step. Thereafter, it is preferable to include a second curing step of irradiating the counter substrate with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin.

上記の構成によれば、ガラスフリットを硬化させた後に紫外線硬化樹脂を硬化させて封止した場合、より柔軟性に富む紫外線硬化樹脂が、ガラスフリットと紫外線硬化樹脂との間に生じる微細な凹凸を吸収し、隙間無く埋めることが可能である。よって、素子基板と対向基板との間を完全に封止することができる。   According to the above configuration, when the ultraviolet curable resin is cured and sealed after the glass frit is cured, a more flexible ultraviolet curable resin has fine irregularities generated between the glass frit and the ultraviolet curable resin. Can be absorbed and filled without gaps. Therefore, it is possible to completely seal between the element substrate and the counter substrate.

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、上記第2の塗布工程において、上記紫外線硬化樹脂が塗布される領域は、上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域よりも金属配線および上記電極が設けられていない領域にはみ出す領域を含むように設けられていることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescence display device according to the present invention, in the second application step, the region to which the ultraviolet curable resin is applied is a region in which at least one of the metal wiring and the electrode is provided. It is preferable that the metal wiring and the electrode are provided so as to include a region protruding from the region where the electrode is not provided.

上記の構成によれば、第1の封止領域に設けられたガラスフリットと第2の封止領域に設けられた硬化樹脂とを面一に形成する必要がないため、これらの位置合わせに要求される精度を下げることが可能であり、封止材料が設けられた封止領域を確実に密閉することができる。   According to the above configuration, it is not necessary to form the glass frit provided in the first sealing region and the cured resin provided in the second sealing region on the same plane. Accuracy can be reduced, and the sealing region provided with the sealing material can be reliably sealed.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板上に金属配線および電極のうち少なくとも一つが設けられた素子基板と、上記素子基板と対向する対向基板と、上記素子基板および上記対向基板の間を封止する封止材料とを備え、上記封止材料のある領域は、上記素子基板における上記金属配線および上記電極が設けられていない領域と上記対向基板との間の第1の封止領域、および上記素子基板における上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域と上記対向基板との間の第2の封止領域に区分されており、上記第1の封止領域における上記封止材料はガラスフリットを含み、上記第2の封止領域における上記封止材料は硬化樹脂を含む。よって、素子の信頼性を保ち、且つ、歩留まりの良い有機EL表示装置を提供することができる。   An organic electroluminescence display device according to the present invention includes an element substrate provided with at least one of metal wiring and electrodes on a substrate, a counter substrate facing the element substrate, and a gap between the element substrate and the counter substrate. A sealing material for sealing, and the region having the sealing material is a first sealing region between the counter substrate and the region where the metal wiring and the electrode are not provided in the element substrate, And a second sealing region between at least one of the metal wiring and the electrode on the element substrate and the counter substrate, and the sealing in the first sealing region. The stopper material includes a glass frit, and the sealing material in the second sealing region includes a cured resin. Therefore, it is possible to provide an organic EL display device that maintains the reliability of the element and has a high yield.

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成を示す上面図である。It is a top view which shows schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の紫外線硬化樹脂ラインを形成する領域の変形例を示す上面図である。It is a top view which shows the modification of the area | region which forms the ultraviolet curable resin line of the organic electroluminescent display apparatus shown in FIG. 図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の紫外線硬化樹脂ラインを形成する領域の変形例を示す上面図である。It is a top view which shows the modification of the area | region which forms the ultraviolet curable resin line of the organic electroluminescent display apparatus shown in FIG. 図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のガラスフリットラインおよび紫外線硬化樹脂ラインを形成する領域の変形例を示す上面図である。It is a top view which shows the modification of the area | region which forms the glass frit line and ultraviolet curable resin line of the organic electroluminescent display apparatus shown in FIG. 従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional organic electroluminescent display apparatus. 従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional organic electroluminescent display apparatus. 従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional organic electroluminescent display apparatus.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)表示装置の一実施形態について、図1〜4を参照して以下に説明する。   One embodiment of an organic electroluminescence (organic EL) display device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

〔1.有機EL表示装置の構成〕
図1は、本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。
[1. Configuration of organic EL display device]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置10は、素子基板1、下部電極2、有機層3、上部電極4および対向基板5を備えている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 10 according to this embodiment includes an element substrate 1, a lower electrode 2, an organic layer 3, an upper electrode 4, and a counter substrate 5.

本実施形態に係る有機EL表示装置10は、下部電極2および上部電極4が縦横に設けられた素子基板1、および素子基板1と対向する対向基板5によって有機層3が狭持されたパッシブマトリクス型の有機EL表示装置である。具体的には、素子基板1と対向基板5との間には封止材料が設けられており、素子基板1と対向基板5との間の空間、すなわち下部電極2、有機層3および上部電極4が設けられた空間を封止している。   The organic EL display device 10 according to this embodiment includes a passive matrix in which an organic layer 3 is sandwiched between an element substrate 1 in which a lower electrode 2 and an upper electrode 4 are provided vertically and horizontally, and a counter substrate 5 facing the element substrate 1. Type organic EL display device. Specifically, a sealing material is provided between the element substrate 1 and the counter substrate 5, and a space between the element substrate 1 and the counter substrate 5, that is, the lower electrode 2, the organic layer 3, and the upper electrode. The space provided with 4 is sealed.

封止材料のある領域は、図2に示すように、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられていない領域と対向基板5との間の第1の封止領域と、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられた領域と対向基板5との間の第2の封止領域とに区分される。図2は、本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の概略構成を示す上面図であり、図1は図2中A−A’で示す線における断面図である。なお、本実施形態では第1の封止領域にはガラスフリットライン6が設けられ、第2の封止領域には紫外線硬化樹脂ライン7が設けられている。   As shown in FIG. 2, the region having the sealing material includes a first sealing region between the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are not provided in the element substrate 1 and the counter substrate 5, and the element substrate. 1 is divided into a region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are provided and a second sealing region between the counter substrate 5. FIG. 2 is a top view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 2. In the present embodiment, a glass frit line 6 is provided in the first sealing region, and an ultraviolet curable resin line 7 is provided in the second sealing region.

このように、本実施形態の封止領域は、対向基板5において、素子基板1と対向している面の周縁部に位置している。   As described above, the sealing region of the present embodiment is located in the peripheral portion of the surface of the counter substrate 5 facing the element substrate 1.

素子基板1は、基材となる基板の上に下部電極2、有機層3および上部電極4が設けられた基板である。なお、本実施形態の有機EL表示装置10はパッシブマトリクス型であるが、これに限定されるものではなく、アクティブマトリクス型であってもよい。この場合、素子基板1には、たとえばTFT(薄膜トランジスタ)素子および金属配線等が設けられることもある。   The element substrate 1 is a substrate in which a lower electrode 2, an organic layer 3, and an upper electrode 4 are provided on a substrate serving as a base material. Although the organic EL display device 10 of the present embodiment is a passive matrix type, the present invention is not limited to this and may be an active matrix type. In this case, the element substrate 1 may be provided with, for example, a TFT (thin film transistor) element and a metal wiring.

下部電極2は、有機層3に正孔を注入する電極であり、図2に示すように、複数の下部電極2が素子基板1の上に所定の間隔でマトリクス状に配置されている。このように配置された複数の下部電極2は、それぞれが有機EL表示装置10の画素領域を構成している。   The lower electrode 2 is an electrode for injecting holes into the organic layer 3. As shown in FIG. 2, a plurality of lower electrodes 2 are arranged on the element substrate 1 in a matrix at predetermined intervals. Each of the plurality of lower electrodes 2 arranged in this way constitutes a pixel region of the organic EL display device 10.

有機層3は、下部電極2から注入される正孔と上部電極4から注入される電子とが再結合し、発光する層である。有機層7は、たとえば図1に示すように単層の発光層からなる有機層であればよいし、正孔注入層または電子注入層などのキャリア注入層、および正孔輸送層または電子輸送層などのキャリア輸送層によって発光層を狭持した積層構造であってもよい。   The organic layer 3 is a layer that emits light by recombination of holes injected from the lower electrode 2 and electrons injected from the upper electrode 4. The organic layer 7 may be an organic layer composed of a single light emitting layer as shown in FIG. 1, for example, a carrier injection layer such as a hole injection layer or an electron injection layer, and a hole transport layer or an electron transport layer. A laminated structure in which the light emitting layer is held by a carrier transporting layer such as the above may be used.

上部電極4は、有機層3に電子を注入する電極であり、有機層3の上に形成されている。本実施形態に係る有機EL表示装置10において、上部電極4は図2に示すように下部電極2と直行するように設けられている。   The upper electrode 4 is an electrode for injecting electrons into the organic layer 3, and is formed on the organic layer 3. In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the upper electrode 4 is provided so as to be orthogonal to the lower electrode 2 as shown in FIG.

対向基板5は、素子基板1と対向するように貼り合わされた基板である。また、本実施形態では対向基板5の大きさは素子基板1よりも小さいが、これに限定されるものではない。また、対向基板5と素子基板1との間には、これら基板の間の空間を封止する封止材料が設けられている。ここで、本実施形態に係る有機EL表示装置10おいて封止材料から形成される封止枠について説明する。   The counter substrate 5 is a substrate bonded so as to face the element substrate 1. In the present embodiment, the size of the counter substrate 5 is smaller than that of the element substrate 1, but is not limited thereto. Further, a sealing material that seals the space between these substrates is provided between the counter substrate 5 and the element substrate 1. Here, the sealing frame formed from the sealing material in the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described.

(有機EL表示装置10の封止枠)
上述したように、素子基板1と対向基板5との間には封止材料が設けられており、素子基板1と対向基板5との間の空間を封止している。なお、本明細書ではこのように空間を封止している封止材料により形成された枠を封止枠という。これにより、外部から有機EL表示装置10の内部へ水分または酸素等の混入を防ぎ、有機EL表示装置10の寿命を向上させることができる。また、封止材料によって封止された空間には有機層3が設けられている。そのため、外部からの水分または酸素等の混入を防ぐことによって、有機層3の発光特性の劣化を防ぐことができる。
(Sealing frame of the organic EL display device 10)
As described above, the sealing material is provided between the element substrate 1 and the counter substrate 5 to seal the space between the element substrate 1 and the counter substrate 5. In this specification, a frame formed of a sealing material that seals the space is called a sealing frame. Thereby, it is possible to prevent moisture or oxygen from entering the organic EL display device 10 from the outside, and to improve the life of the organic EL display device 10. An organic layer 3 is provided in the space sealed with the sealing material. Therefore, the deterioration of the light emission characteristics of the organic layer 3 can be prevented by preventing the entry of moisture or oxygen from the outside.

本実施形態において用いられる封止材料は、ガラスフリットおよび紫外線硬化樹脂を含む。これら2種類の封止材料を用いて封止することにより、柔軟性に優れた封止をすることができる。つまり、ガラスフリットのみを用いて封止枠を形成した場合、素子基板1における電極が形成されている領域と対向基板5との間の領域、および電極が形成されていない領域と対向基板5との間の領域では、封止枠の高さに微細な凹凸が生じることがある。そのため、ガラスフリットと柔軟性に富む紫外線硬化樹脂とを併用することにより、密封力を維持し、長寿命を実現することができる。   The sealing material used in the present embodiment includes glass frit and ultraviolet curable resin. By sealing using these two kinds of sealing materials, sealing with excellent flexibility can be performed. That is, when the sealing frame is formed using only the glass frit, the region between the region where the electrode is formed in the element substrate 1 and the counter substrate 5, the region where the electrode is not formed, and the counter substrate 5 In the region between, fine irregularities may occur in the height of the sealing frame. Therefore, by using a glass frit and a flexible ultraviolet curable resin in combination, the sealing force can be maintained and a long life can be realized.

また、本実施形態の封止枠は対向基板5の周縁部に設けられており、この領域はガラスフリットライン6と紫外線硬化樹脂ライン7とに区分される。具体的には、図2に示すように、ガラスフリットライン6は、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられていない領域と対向基板5との間の領域であり、紫外線硬化樹脂ライン7は、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられた領域と対向基板5との間の領域である。   Further, the sealing frame of the present embodiment is provided at the peripheral edge of the counter substrate 5, and this region is divided into a glass frit line 6 and an ultraviolet curable resin line 7. Specifically, as shown in FIG. 2, the glass frit line 6 is a region between the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are not provided in the element substrate 1 and the counter substrate 5, and is an ultraviolet curable resin. The line 7 is a region between the region of the element substrate 1 where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are provided and the counter substrate 5.

このように、ガラスフリットライン6は下部電極2および上部電極4と接しておらず、下部電極2および上部電極4が形成された領域には紫外線硬化樹脂ライン7が設けられている。このような構成であれば、素子の信頼性を保ち、且つ、歩留まりの良い有機EL表示装置10にすることができる。   Thus, the glass frit line 6 is not in contact with the lower electrode 2 and the upper electrode 4, and the ultraviolet curable resin line 7 is provided in the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are formed. With such a configuration, the organic EL display device 10 with high element yield and high yield can be obtained.

つまり、素子基板1と対向基板5との間を封止するとき、ガラスフリットに熱を加えて硬化させる。このときの熱は非常に高温であるため、この熱がガラスフリットから電極に直接伝わるか、金属配線を介して電極に伝わると電極が損傷し、正常に電源を供給することができない。よって、ガラスフリットと電極および金属配線とが接していなければ、電極が損傷することがなく、素子の信頼性を保つことができる。   That is, when sealing between the element substrate 1 and the counter substrate 5, the glass frit is heated and cured. Since the heat at this time is very high, if this heat is directly transmitted from the glass frit to the electrode or is transmitted to the electrode through the metal wiring, the electrode is damaged and power cannot be supplied normally. Therefore, if the glass frit is not in contact with the electrode and the metal wiring, the electrode is not damaged, and the reliability of the element can be maintained.

また、下部電極2および上部電極4が形成された領域は紫外線硬化樹脂によって封止されるため、電極(または金属配線)の配置および大きさが限定されることがない。よって、歩留まりの低下を防ぐことができる。   Moreover, since the area | region in which the lower electrode 2 and the upper electrode 4 were formed is sealed with ultraviolet curable resin, arrangement | positioning and a magnitude | size of an electrode (or metal wiring) are not limited. Therefore, a decrease in yield can be prevented.

なお、封止枠が設けられる領域は対向基板5の周縁部に限定されるものではなく、下部電極2および上部電極4が設けられた領域と対向領域5との間の領域に紫外線硬化樹脂が設けられていればよい。また、たとえばアクティブマトリクス型の有機EL表示装置の場合には、素子基板における電極および金属配線が設けられた領域と対向基板との間の領域に紫外線硬化樹脂が設けられていればよい。   The region where the sealing frame is provided is not limited to the peripheral edge of the counter substrate 5, and an ultraviolet curable resin is provided between the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are provided and the counter region 5. What is necessary is just to be provided. Further, for example, in the case of an active matrix organic EL display device, an ultraviolet curable resin may be provided in a region between the counter substrate and a region provided with electrodes and metal wiring in the element substrate.

ガラスフリットの材料は微細なガラス粒子を含めばよいが、特に限定されるものではなく、たとえば充填物または添加物を含んでいてもよい。   The glass frit material may include fine glass particles, but is not particularly limited, and may include, for example, a filler or an additive.

ガラスとしては特に限定されるものではなく、たとえばホウケイ酸ガラスまたはバナジウム酸ガラスなどが挙げられる。ガラスフリットにはこれらの材料のうち1種類を用いてもよいし、複数種類を組み合わせて用いてもよい。また、これらガラス粒子の大きさは特に限定されるものではないが、たとえば1〜10μmであることがより好ましい。   The glass is not particularly limited, and examples thereof include borosilicate glass and vanadate glass. One kind of these materials may be used for the glass frit, or a plurality of kinds may be used in combination. Moreover, although the magnitude | size of these glass particles is not specifically limited, For example, it is more preferable that it is 1-10 micrometers.

ガラスフリットに充填物または添加物を含む場合、充填物または添加物としては、たとえば石英ガラス等のセラミックフィラーを用いてもよい。これにより、2枚の基板の間を好適に封止することができる。   When the glass frit contains a filler or additive, a ceramic filler such as quartz glass may be used as the filler or additive. Thereby, the space between the two substrates can be suitably sealed.

また、ガラスフリットを用いてガラスフリットライン6を形成するとき、ガラスフリットに有機バインダーまたは有機溶剤を加えてペースト状にすることもできる。このとき、有機バインダーまたは有機溶剤としては特に限定されるものではなく、たとえばセルロース系バインダー/ブチルカルビトールアセテート系溶剤や、セルロース系バインダー/テルピネオール系溶剤等の組み合わせを用いてもよい。   Further, when the glass frit line 6 is formed using glass frit, an organic binder or an organic solvent can be added to the glass frit to form a paste. At this time, the organic binder or the organic solvent is not particularly limited, and for example, a cellulose binder / butyl carbitol acetate solvent, a cellulose binder / terpineol solvent, or the like may be used.

紫外線硬化樹脂は、特に限定されるものではなく、たとえば、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などを用いればよく、その他にもシリコーン樹脂等を用いてもよい。なお、本実施形態では電極と対向基板5との間に設けることのできる封止材料として紫外線硬化樹脂を採用したが、その他可視光線硬化樹脂、熱硬化樹脂または電子線硬化樹脂等を用いることもできる。   The ultraviolet curable resin is not particularly limited. For example, an acrylic resin or an epoxy resin may be used, and a silicone resin or the like may be used. In this embodiment, an ultraviolet curable resin is used as a sealing material that can be provided between the electrode and the counter substrate 5, but other visible light curable resin, thermosetting resin, electron beam curable resin, or the like may be used. it can.

〔2.有機EL表示装置の製造方法〕
次に、本実施形態に係る有機EL表示装置10の製造方法について説明する。
[2. Manufacturing method of organic EL display device]
Next, a method for manufacturing the organic EL display device 10 according to this embodiment will be described.

本実施形態に係る有機EL表示装置10の製造方法は、対向基板5にガラスフリット7を塗布するガラスフリット塗布工程(第1の塗布工程)と、対向基板5に紫外線硬化樹脂6を塗布する紫外線硬化樹脂塗布工程(第2の塗布工程)と、素子基板1と対向基板5との間を封止する封止工程とを含めばよい。   In the method of manufacturing the organic EL display device 10 according to the present embodiment, a glass frit application step (first application step) for applying the glass frit 7 to the counter substrate 5 and an ultraviolet ray for applying the ultraviolet curable resin 6 to the counter substrate 5 are performed. A cured resin coating process (second coating process) and a sealing process for sealing between the element substrate 1 and the counter substrate 5 may be included.

ガラスフリット塗布工程は、対向基板5の、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられていない領域と対向する領域にガラスフリットを塗布し、ガラスフリットライン6を形成する工程である。   The glass frit application step is a step of forming a glass frit line 6 by applying a glass frit to a region of the counter substrate 5 that faces the region of the element substrate 1 where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are not provided.

紫外線硬化樹脂塗布工程は、対向基板5の、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられた領域と対向する領域に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線硬化樹脂ライン7を形成する工程である。   The ultraviolet curable resin coating step is a step of forming the ultraviolet curable resin line 7 by applying the ultraviolet curable resin to a region of the counter substrate 5 facing the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are provided on the element substrate 1. is there.

封止工程は、ガラスフリットおよび紫外線硬化樹脂を硬化させて素子基板1および対向基板5の間を封止する工程である。   The sealing step is a step of sealing between the element substrate 1 and the counter substrate 5 by curing the glass frit and the ultraviolet curable resin.

ここで、本実施形態に係る有機EL表示装置10の製造方法の流れについて以下に説明する。   Here, the flow of the manufacturing method of the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described below.

(素子基板1の作製)
まず、素子基板1の基材となる基板を用意する。基板としては特に限定されるものではなく、たとえばガラスまたはプラスチック等の絶縁性材料を用いればよい。この基板の上に下部電極2を形成する。
(Preparation of element substrate 1)
First, a substrate to be a base material for the element substrate 1 is prepared. The substrate is not particularly limited, and for example, an insulating material such as glass or plastic may be used. A lower electrode 2 is formed on this substrate.

下部電極2の材料としては特に限定されるものではなく、たとえば、Au(金)、Ni(ニッケル)、Pt(プラチナ)、またはITO(インジウム−スズ酸化物)等を用いればよい。また、下部電極2の形成方法は、たとえばスパッタ法を用いて電極材料の膜を基板上にパターン形成すればよい。このパターンは、たとえば基板上に所定の間隔でマトリクス状に複数の下部電極2が形成されるように設けてもよい。   The material for the lower electrode 2 is not particularly limited. For example, Au (gold), Ni (nickel), Pt (platinum), ITO (indium-tin oxide), or the like may be used. The lower electrode 2 may be formed by patterning an electrode material film on the substrate using, for example, a sputtering method. This pattern may be provided, for example, such that a plurality of lower electrodes 2 are formed in a matrix at predetermined intervals on the substrate.

次に、下部電極2の上に有機層3を形成する。有機層3は発光材料が含まれていればよく、たとえば赤(R)、緑(G)および青(B)のいずれかの色を発光する発光材料が挙げられる。また、上述したように単層の発光層からなる有機層であってもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が積層された多層構造からなる有機層であってもよい。   Next, the organic layer 3 is formed on the lower electrode 2. The organic layer 3 only needs to contain a light emitting material, and examples thereof include a light emitting material that emits one of red (R), green (G), and blue (B). Further, as described above, it may be an organic layer composed of a single light emitting layer, or a multilayer structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer are laminated. It may be an organic layer.

有機層3が多層構造である場合、正孔注入層および正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔の注入を高めるように機能する。また、電子輸送層および電子注入層は、上部電極4から注入される電子を発光層に輸送するように機能する。また、発光層は、光を発する層である。具体的には、発光層では下部電極2および上部電極4の電圧印加時に、それぞれの電極から正孔および電子が注入されてこれらが再結合し、励起子が生成される。この励起子が発光層内の有機発光材料にエネルギーを提供することにより、有機発光材料が発光する。   When the organic layer 3 has a multilayer structure, the hole injection layer and the hole transport layer each function to enhance the injection of holes into the light emitting layer. The electron transport layer and the electron injection layer function to transport electrons injected from the upper electrode 4 to the light emitting layer. The light emitting layer is a layer that emits light. Specifically, in the light emitting layer, when the voltages of the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are applied, holes and electrons are injected from the respective electrodes and recombined to generate excitons. The excitons provide energy to the organic light emitting material in the light emitting layer, so that the organic light emitting material emits light.

正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、たとえば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、もしくはこれらの誘導体を用いることができる。また、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物もしくはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーもしくはポリマーを用いてもよい。   Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, and fluorenone. Hydrazone, stilbene, triphenylene, azatriphenylene, or derivatives thereof can be used. Alternatively, a heterocyclic conjugated monomer, oligomer, or polymer such as a polysilane compound, a vinyl carbazole compound, a thiophene compound, or an aniline compound may be used.

電子輸送層および電子注入層の材料としては、たとえばキノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。たとえば、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、1,10−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。   Examples of the material for the electron transport layer and the electron injection layer include quinoline, perylene, phenanthroline, bisstyryl, pyrazine, triazole, oxazole, oxadiazole, fluorenone, and derivatives and metal complexes thereof. Examples thereof include tris (8-hydroxyquinoline) aluminum, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, anthracene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, 1,10-phenanthroline, and derivatives or metal complexes thereof.

発光層としては、発光効率が高い材料を用いることがより好ましく、たとえば低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、または金属錯体等の有機材料が挙げられる。そのような有機材料としては、たとえばアントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、もしくはこれらの誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、またはトリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルを含む。   As the light-emitting layer, it is more preferable to use a material having high light emission efficiency, and examples thereof include organic materials such as low-molecular fluorescent dyes, fluorescent polymers, and metal complexes. Examples of such organic materials include anthracene, naphthalene, indene, phenanthrene, pyrene, naphthacene, triphenylene, anthracene, perylene, picene, fluoranthene, acephenanthrylene, pentaphen, pentacene, coronene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, Or a derivative thereof, a tris (8-quinolinolato) aluminum complex, a bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, or a tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex ditoluyl vinyl biphenyl.

なお、両電荷輸送性材料をホストに、アクセプター、ドナーおよび有機発光材料をドーパントとして適所にドープした両電荷輸送性発光層を有機層3に適用すれば、有機層3を単層構造とすることができる。両電荷輸送性発光層に用いることが可能な両電荷輸送性材料としては、有機EL用の公知の両電荷輸送性材料を用いることができる。このような両電荷輸送性材料は、低分子材料または高分子材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、これらの材料に限定されるものではない。   If the charge transporting light emitting layer doped in place with the acceptor, donor and organic light emitting material as dopants is applied to the organic layer 3, the organic layer 3 has a single layer structure. Can do. As a charge-transporting material that can be used for the charge-transporting light-emitting layer, a known charge-transporting material for organic EL can be used. Such charge transporting materials are classified into low molecular materials or high molecular materials, and specific compounds thereof are exemplified below, but are not limited to these materials.

両電荷輸送性材料としては、たとえば、ビス(カルバゾーイル)ベンゾジフラン(CZBDF)等のベンゾフラン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、スチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、アミノスチリル誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルアントラセン誘導体、ピレン誘導体、カルバゾール誘導体、オキサジアゾールダイマー、ビラゾリンダイマー、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体、イリジウム錯体、白金錯体等、中心金属にAl、Zn、Be、Pt、Ir、Tb、Eu、Dy等の金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等の低分子材料が挙げられる。   Examples of the charge transport material include benzofuran derivatives such as bis (carbazoyl) benzodifuran (CZBDF), cyclopentadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, bathophenanthroline derivatives, and pyrazoloquinoline derivatives. , Styrylbenzene derivatives, styrylarylene derivatives, aminostyryl derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl Dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, trifumanylamine derivatives, anthracene derivatives, diphenylanthracene derivatives Body, pyrene derivative, carbazole derivative, oxadiazole dimer, virazoline dimer, aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex, eurobium complex, iridium complex, It has platinum, etc., metal such as Al, Zn, Be, Pt, Ir, Tb, Eu, Dy as the central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure, etc. as the ligand And low molecular weight materials such as metal complexes.

高分子発光材料としては、たとえば、ポリ(オキサジアゾール)(Poly−OXZ)、ポリスチレン誘導体(PSS)、ポリアニリン−樟脳スルホン酸(PANI−CSA)、ポリ(トリフェニルアミン-オキサジアジゾール)誘導体(Poly−TPD−OXD)、ポリ(カルバゾール−トリアゾール)誘導体(Poly−Cz−TAZ)等の高分子材料が挙げられる。   Examples of the polymer light emitting material include poly (oxadiazole) (Poly-OXZ), polystyrene derivative (PSS), polyaniline-camphor sulfonic acid (PANI-CSA), and poly (triphenylamine-oxadiazizole) derivative. And polymer materials such as (Poly-TPD-OXD) and poly (carbazole-triazole) derivatives (Poly-Cz-TAZ).

ここで、特に、高発光効率を得るためには、燐光発光材料の三重項励起準位(T1)のより高い一重項励起準位(S1)をもつ両電荷輸送性材料を用いることにより励起エネルギーを燐光材料中に閉じ込める必要がある。すなわち、S1(両電荷輸送性材料)>T1(有機発光材料)の関係が成り立つことがより好ましい。そのため、両電荷輸送性材料としては、励起準位が高く、且つ高正孔移動度を持つカルバゾール基、トリアゾール基、ベンゾフラン基を用いることがより好ましい。   Here, in particular, in order to obtain high luminous efficiency, excitation energy is obtained by using a dual charge transporting material having a singlet excitation level (S1) higher than the triplet excitation level (T1) of the phosphorescent material. Must be confined in a phosphorescent material. That is, it is more preferable that the relationship of S1 (both charge transport materials)> T1 (organic light emitting material) is satisfied. Therefore, it is more preferable to use a carbazole group, a triazole group, or a benzofuran group having a high excitation level and a high hole mobility as the both charge transporting material.

一方、アクセプターとしては、有機EL用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、これらの材料に限定されるものではない。
アクセプター材料としては、Au、Pt、W,Ir、POCl、AsF、Cl、Br、I、酸化バナジウム(V)、酸化モリブデン(MoO)等の無機材料、TCNQ(7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタン)、TCNQF(テトラフルオロテトラシアノキノジメタン)、TCNE(テトラシアノエチレン)、HCNB(ヘキサシアノブタジエン)、DDQ(ジシクロジシアノベンゾキノン)等のシアノ基を有する化合物、TNF(トリニトロフルオレノン)、DNF(ジニトロフルオレノン)等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。この内、TCNQ、TCNQF、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。
On the other hand, as the acceptor, a known acceptor material for organic EL can be used. Although these specific compounds are illustrated below, it is not limited to these materials.
Acceptor materials include Au, Pt, W, Ir, POCl 3 , AsF 6 , Cl, Br, I, vanadium oxide (V 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 2 ) and other inorganic materials, TCNQ (7, 7 , 8,8, -tetracyanoquinodimethane), TCNQF 4 (tetrafluorotetracyanoquinodimethane), TCNE (tetracyanoethylene), HCNB (hexacyanobutadiene), DDQ (dicyclodicyanobenzoquinone), etc. And compounds having a nitro group such as TNF (trinitrofluorenone) and DNF (dinitrofluorenone), and organic materials such as fluoranyl, chloranil and bromanyl. Among these, compounds having a cyano group such as TCNQ, TCNQF 4 , TCNE, HCNB, DDQ and the like are more preferable because they can increase the carrier concentration more effectively.

一方、ドナーとしては、有機EL用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、これらの材料に限定されるものではない。   On the other hand, a known donor material for organic EL can be used as the donor. Although these specific compounds are illustrated below, it is not limited to these materials.

ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Al、Ag、Cu、In等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類(N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジジン、N,N’−ビス−(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス−(フェニル)−ベンジジン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン等)、トリフェニルアミン類(トリフェニルアミン、4,4’4''−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−トリフェニルアミン、4,4’4''−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン、4,4’4''−トリス(N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン等)、トリフェニルジアミン類(N,N’−ジ−(4−メチル−フェニル)−N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン)等の芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物(ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい)、TTF(テトラチアフルバレン)類、ジベンゾフラン、フェノチアジンまたはカルバゾール等の有機材料がある。このうち、特に、芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物またはアルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。   As donor materials, inorganic materials such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth elements, Al, Ag, Cu, and In, anilines, phenylenediamines, benzidines (N, N, N ′, N′-tetraphenyl) Benzidine, N, N′-bis- (3-methylphenyl) -N, N′-bis- (phenyl) -benzidine, N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl- Benzidine, etc.), triphenylamines (triphenylamine, 4,4′4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine, 4,4′4 ″ -tris (N-3- Methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine, 4,4′4 ″ -tris (N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino) -triphenylamine, etc.), triphenyldiamine Compounds having aromatic tertiary amine skeleton such as (N, N′-di- (4-methyl-phenyl) -N, N′-diphenyl-1,4-phenylenediamine), phenanthrene, pyrene, perylene, anthracene And condensed polycyclic compounds such as tetracene and pentacene (wherein the condensed polycyclic compound may have a substituent), organic materials such as TTF (tetrathiafulvalene), dibenzofuran, phenothiazine and carbazole. Among these, a compound having an aromatic tertiary amine in the skeleton, a condensed polycyclic compound, or an alkali metal is more preferable because it can increase the carrier concentration more effectively.

両電荷輸送性発光層に用いることが可能な有機発光材料としては、有機EL用の公知の有機発光材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、これらの材料に限定されるものではない。   As an organic light emitting material that can be used for the charge transporting light emitting layer, a known organic light emitting material for organic EL can be used. Although these specific compounds are illustrated below, it is not limited to these materials.

このような有機発光材料としては、たとえば、スチリル誘導体、ペリレン、イリジウム錯体、クマリン誘導体、ルモーゲンFレッド、ジシアノメチレンピラン、フェノキザゾン、ポリフィリン誘導体等の蛍光材料、ビス[(4,6−ジフルオロフェニル)−ピリジナト−N,C2‘]ピコリネート イリジウム(III)(FIrpic)、トリス(2−フェニルピリジル)イリジウム(III)(Ir(ppy))、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)(Ir(piq))、トリス(ビフェニルキノキサリナト)イリジウム(III)(Q3Ir)等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。このうち、特に、消費電力の劇的な低減を行なう目的で、燐光発光材料を用いることが好ましい。 Examples of such an organic light-emitting material include fluorescent materials such as styryl derivatives, perylene, iridium complexes, coumarin derivatives, lumogen F red, dicyanomethylenepyran, phenoxazone, and porphyrin derivatives, bis [(4,6-difluorophenyl)- Pyridinato-N, C2 ′] picolinate iridium (III) (FIrpic), tris (2-phenylpyridyl) iridium (III) (Ir (ppy) 3 ), tris (1-phenylisoquinoline) iridium (III) (Ir (piq 3 ), phosphorescent organic metal complexes such as tris (biphenylquinoxalinato) iridium (III) (Q3Ir), and the like. Among these, it is particularly preferable to use a phosphorescent material for the purpose of dramatically reducing power consumption.

有機層3の形成方法は、たとえばマスク蒸着を用いて、有機材料を下部電極2上に蒸着させてパターンを形成すればよい。   For example, the organic layer 3 may be formed by depositing an organic material on the lower electrode 2 using mask vapor deposition.

次に、有機層3の上に上部電極4を形成する。上部電極4の材料としては、たとえば、マグネシウム合金(たとえばMgAgなど)、アルミニウム合金(たとえばAlLi、AlCa、AlMgなど)、金属カルシウム、またはその他仕事関数の小さい金属等を用いればよい。また、上部電極4の形成方法は、基板上に、たとえばマスク蒸着を用いて電極材料の膜をパターン形成すればよい。これにより、素子基板1が得られる。   Next, the upper electrode 4 is formed on the organic layer 3. As a material of the upper electrode 4, for example, a magnesium alloy (for example, MgAg), an aluminum alloy (for example, AlLi, AlCa, AlMg, etc.), metallic calcium, or other metal having a small work function may be used. Moreover, the formation method of the upper electrode 4 should just form the film | membrane of an electrode material on a board | substrate, for example using mask vapor deposition. Thereby, the element substrate 1 is obtained.

なお、上述した素子基板1の作製方法については、特に限定されるものではなく、従来公知の方法を用いて作製することができる。   In addition, the manufacturing method of the element substrate 1 described above is not particularly limited, and can be manufactured using a conventionally known method.

(対向基板5の作製)
まず、対向基板5の基材となる基板を用意する。基板としては特に限定されるものではなく、素子基板1と同様に、たとえばガラスまたはプラスチック等の絶縁性材料を用いればよい。この基板の上にガラスフリットライン6および紫外線硬化樹脂ライン7を形成する。
(Preparation of counter substrate 5)
First, a substrate to be a base material for the counter substrate 5 is prepared. The substrate is not particularly limited, and an insulating material such as glass or plastic may be used similarly to the element substrate 1. A glass frit line 6 and an ultraviolet curable resin line 7 are formed on the substrate.

ガラスフリットライン6の形成方法は、たとえばディスペンサー手法を用いて、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられていない領域と対向する領域にガラスフリットを塗布すればよい。なお、ガラスフリットライン6の形成方法としてはこれに限定されるものではなく、その他たとえばスクリーン印刷手法またはインクジェット手法を用いて形成することもできる。   As a method for forming the glass frit line 6, for example, a dispenser technique may be used to apply glass frit to a region facing the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are not provided in the element substrate 1. The method for forming the glass frit line 6 is not limited to this, and other methods such as a screen printing method or an ink jet method can also be used.

ガラスフリットライン6の幅は、特に限定されるものではなく、基板の大きさに応じて適宜設定すればよい。また、ガラスフリットを塗布した後、基板をたとえば300〜450℃に加熱して仮硬化させることにより、ガラスフリットライン6を形成することができる。このとき、基板の加熱方法としては、たとえば大気加熱または減圧加熱が挙げられる。   The width of the glass frit line 6 is not particularly limited, and may be appropriately set according to the size of the substrate. Moreover, after apply | coating glass frit, the glass frit line 6 can be formed by heating a board | substrate to 300-450 degreeC and carrying out temporary hardening, for example. At this time, the heating method of the substrate includes, for example, atmospheric heating or reduced pressure heating.

紫外線硬化樹脂ライン7の形成方法は、たとえばディスペンサー手法を用いて、素子基板1における下部電極2および上部電極4が設けられた領域と対向する領域に紫外線硬化樹脂を塗布することにより、紫外線硬化樹脂ライン7を形成することができる。なお、紫外線硬化樹脂ライン7の形成方法としてはこれに限定されるものではなく、その他たとえばスクリーン印刷手法またはインクジェット手法を用いて形成することもできる。   The ultraviolet curable resin line 7 is formed by, for example, applying a UV curable resin to a region facing the region where the lower electrode 2 and the upper electrode 4 are provided in the element substrate 1 by using a dispenser technique. Line 7 can be formed. The method of forming the ultraviolet curable resin line 7 is not limited to this, and other methods such as a screen printing method or an ink jet method can also be used.

紫外線硬化樹脂ライン7の幅は、特に限定されるものではなく、基板の大きさに応じて適宜設定すればよい。これにより、対向基板5が得られる。   The width of the ultraviolet curable resin line 7 is not particularly limited, and may be set as appropriate according to the size of the substrate. Thereby, the counter substrate 5 is obtained.

(封止工程)
素子基板1と対向基板5との間の封止は、対向基板5に熱を加えてガラスフリットを硬化させるガラスフリット硬化工程(第1の硬化工程)と、ガラスフリット硬化工程の後、対向基板5に紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させる紫外線硬化樹脂硬化工程(第2の硬化工程)とを含んでいることが好ましい。これにより、素子基板1と対向基板5との間を完全に封止することができる。
(Sealing process)
Sealing between the element substrate 1 and the counter substrate 5 is performed after the glass frit curing step (first curing step) in which the counter substrate 5 is heated to cure the glass frit and the glass frit curing step. 5 includes an ultraviolet curing resin curing step (second curing step) in which ultraviolet rays are irradiated to cure the ultraviolet curing resin. Thereby, it is possible to completely seal between the element substrate 1 and the counter substrate 5.

つまり、有機EL表示装置10では2種類の封止材料を用いている。そのため、これらの封止材料を硬化させるとき、紫外線硬化樹脂を硬化させた後にガラスフリットを硬化させた場合、硬化後の紫外線硬化樹脂とガラスフリットとの間には微小な凹凸が生じることがある。これに対し、ガラスフリットを硬化させた後に紫外線硬化樹脂を硬化させた場合、柔軟性に富む紫外線硬化樹脂が硬化後のガラスフリットとの間に生じ得る凹凸を吸収し、隙間無く埋めることができる。よって、硬化後の紫外線硬化樹脂とガラスフリットとの間には凹凸が生じ難く、素子基板1と対向基板5との間を完全に封止することができる。   That is, the organic EL display device 10 uses two types of sealing materials. Therefore, when these sealing materials are cured, if the glass frit is cured after the ultraviolet curable resin is cured, minute unevenness may occur between the cured ultraviolet curable resin and the glass frit. . On the other hand, when the ultraviolet curable resin is cured after the glass frit is cured, the ultraviolet curable resin rich in flexibility can absorb unevenness that may occur between the cured glass frit and can be filled without a gap. . Therefore, unevenness hardly occurs between the cured ultraviolet curable resin and the glass frit, and the gap between the element substrate 1 and the counter substrate 5 can be completely sealed.

ガラスフリットの封止方法としては、たとえばガラスフリットライン6に沿って熱を加えることによってガラスフリットを硬化させればよい。ここで、加熱方法は特に限定されるものではないが、たとえばレーザーによる照射・走査によって行なえばよい。なお、レーザーを用いる場合、波長800〜1,500nmの光を照射することが可能なものであれば好ましく、たとえばYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザーを用いればよい。   As a method for sealing the glass frit, for example, the glass frit may be cured by applying heat along the glass frit line 6. Here, the heating method is not particularly limited. For example, the heating method may be performed by laser irradiation / scanning. In addition, when using a laser, what can irradiate light with a wavelength of 800-1500 nm is preferable, for example, a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser may be used.

紫外線硬化樹脂の封止方法としては、たとえば紫外線を照射する紫外線照射装置を用いて、紫外線硬化樹脂ライン7に沿って、もしくは素子基板1において紫外線硬化樹脂ライン7以外の一部または全部をマスキングして基板全面に波長200〜400nmの紫外線を照射して硬化させればよい。これにより、素子基板1と対向基板5との間が封止され、本実施形態に係る有機EL表示装置10が得られる。   As a sealing method of the ultraviolet curable resin, for example, an ultraviolet irradiation device that irradiates ultraviolet rays is used, and a part or all of the element substrate 1 other than the ultraviolet curable resin line 7 is masked along the ultraviolet curable resin line 7. Then, the entire surface of the substrate may be irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 200 to 400 nm to be cured. Thereby, the space between the element substrate 1 and the counter substrate 5 is sealed, and the organic EL display device 10 according to the present embodiment is obtained.

なお、本実施形態に係る有機EL表示装置10では、第1の封止領域に設けられたガラスフリットライン6と第2の封止領域に設けられた紫外線硬化樹脂ライン7とが面一である例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、紫外線硬化樹脂ライン7が第1の封止領域よりも第1の封止領域にはみ出す領域にも形成されていることがより好ましい。図3および4は、図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の紫外線硬化樹脂ライン7を形成する領域の変形例を示す上面図である。   In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the glass frit line 6 provided in the first sealing region and the ultraviolet curable resin line 7 provided in the second sealing region are flush with each other. Although an example was shown, the present invention is not limited to this, and it is more preferable that the ultraviolet curable resin line 7 is formed in a region that protrudes beyond the first sealing region to the first sealing region. preferable. 3 and 4 are top views showing modifications of the region where the ultraviolet curable resin line 7 of the organic electroluminescence display device shown in FIG. 2 is formed.

たとえば、図3に示すように、紫外線硬化樹脂ライン7がガラスフリットライン6を囲うように形成されていれば、ガラスフリットライン6と紫外線硬化樹脂ライン7とに要求される位置合わせ精度を下げることになり、確実に密閉された封止枠を形成することができる。   For example, as shown in FIG. 3, if the ultraviolet curable resin line 7 is formed so as to surround the glass frit line 6, the alignment accuracy required for the glass frit line 6 and the ultraviolet curable resin line 7 is lowered. Thus, a sealed sealing frame can be formed reliably.

なお、紫外線硬化樹脂ライン7の形成領域は、図3に示すように各電極(または金属配線)ごとであってもよいし、図4に示すように一辺に設けられた電極を一括して囲うように形成してもよい。つまり、少なくとも第2の封止領域に紫外線硬化樹脂ライン7が形成されていればよい。   The formation region of the ultraviolet curable resin line 7 may be for each electrode (or metal wiring) as shown in FIG. 3, or encloses the electrodes provided on one side as shown in FIG. You may form as follows. That is, it is sufficient that the ultraviolet curable resin line 7 is formed at least in the second sealing region.

さらに、本発明の封止枠は、紫外線硬化樹脂ライン7が図5に示すように第1の封止領域にはみ出して形成されていてもよい。図5は、図2に示す有機エレクトロルミネッセンスのガラスフリットライン6および紫外線硬化樹脂ライン7を形成する領域の変形例を示す上面図である。   Furthermore, the sealing frame of the present invention may be formed such that the ultraviolet curable resin line 7 protrudes from the first sealing region as shown in FIG. FIG. 5 is a top view showing a modification of a region where the organic electroluminescent glass frit line 6 and the ultraviolet curable resin line 7 shown in FIG. 2 are formed.

図5に示す例では、ガラスフリットライン6は第1の封止領域と第2の封止領域とが接する点よりも第1の封止領域の内側に形成されている。また、紫外線硬化樹脂ライン7は第1の封止領域と第2の封止領域とが接する点よりも第1の封止領域の内側であって、且つガラスフリットライン6が形成されていない領域にまで形成されている。このように、ガラスフリットライン6は第1の封止領域と第2の封止領域との接点付近に形成されておらず、電極にガラスフリットライン6が接していない。そのため、たとえばレーザーを照射してガラスフリットを硬化させるとき、レーザーの照射熱がガラスフリットを介して電極に伝わる虞がなく、電極の損傷を防ぐことができる。   In the example shown in FIG. 5, the glass frit line 6 is formed inside the first sealing region from the point where the first sealing region and the second sealing region are in contact. Further, the ultraviolet curable resin line 7 is an area inside the first sealing area from the point where the first sealing area and the second sealing area are in contact, and the glass frit line 6 is not formed. It is formed up to. Thus, the glass frit line 6 is not formed near the contact point between the first sealing region and the second sealing region, and the glass frit line 6 is not in contact with the electrode. Therefore, for example, when the glass frit is cured by irradiating a laser, there is no possibility that the heat of laser irradiation is transmitted to the electrode through the glass frit, and the electrode can be prevented from being damaged.

以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこの実施例に限定されない。本実施例では、以下の方法により有機EL表示装置を作製した。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated based on an Example, this invention is not limited to this Example. In this example, an organic EL display device was produced by the following method.

まず、基板サイズ50mm、厚さ0.7mmのガラス製絶縁性基板の上に、スパッタ法によってITO膜をパターン形成して下部電極を形成した。このとき、下部電極の膜厚を150nmにした。その後、発光材料をマスク蒸着によって下部電極の上にパターン形成し、有機層を得た。最後にアルミニウムをマスク蒸着により絶縁性基板の上にパターン形成することによって、上部電極を形成し、素子基板を得た。 First, an ITO film was patterned on a glass insulating substrate having a substrate size of 50 mm 2 and a thickness of 0.7 mm to form a lower electrode. At this time, the film thickness of the lower electrode was set to 150 nm. Thereafter, the luminescent material was patterned on the lower electrode by mask vapor deposition to obtain an organic layer. Finally, the upper electrode was formed by patterning aluminum on the insulating substrate by mask vapor deposition to obtain an element substrate.

次に、基板サイズ40mm、厚さ0.7mmのガラス製絶縁性基板を用意し、当該基板上の封止枠形成領域において、素子基板の上部電極および下部電極が含まれない領域に、ガラスフリットラインを形成した。具体的には、まず、ディスペンサー手法により、幅2mm、厚さ1mmのガラスフリットラインとなるようバナジウム酸ガラスを塗布した。塗布完了後、絶縁性基板全体を電気炉にて400℃、1時間加熱し、ガラスフリットを仮硬化した。 Next, an insulating substrate made of glass having a substrate size of 40 mm 2 and a thickness of 0.7 mm is prepared, and in the sealing frame forming region on the substrate, glass is placed in a region not including the upper electrode and the lower electrode of the element substrate. A frit line was formed. Specifically, first, vanadate glass was applied by a dispenser method so as to form a glass frit line having a width of 2 mm and a thickness of 1 mm. After the application was completed, the entire insulating substrate was heated in an electric furnace at 400 ° C. for 1 hour to temporarily cure the glass frit.

その後、絶縁性基板上の封止枠(ガラスフリットラインおよび紫外線硬化樹脂ラインからなる)形成領域において、素子基板の上部電極および下部電極が含まれる領域に、紫外線硬化樹脂ラインを形成した。具体的には、まず、ディスペンサー手法により、幅2mm、厚さ1mmの紫外線硬化樹脂ラインとなるようエポキシ樹脂を塗布した。これにより、対向基板を得た。   Thereafter, an ultraviolet curable resin line was formed in a region including the upper electrode and the lower electrode of the element substrate in a region where a sealing frame (consisting of a glass frit line and an ultraviolet curable resin line) was formed on the insulating substrate. Specifically, first, an epoxy resin was applied by a dispenser method so as to form an ultraviolet curable resin line having a width of 2 mm and a thickness of 1 mm. Thereby, a counter substrate was obtained.

このように得られた素子基板と対向基板とを、不活性ガス雰囲気下において貼り合わせた。   The element substrate thus obtained and the counter substrate were bonded together under an inert gas atmosphere.

貼り合わせ手法としては、まず、ガラスフリットによる仮貼り合わせを先に行なった。具体的には、ガラスフリットラインに沿って対向基板側から波長1,040〜1,080nmのYAGレーザーを照射・走査させることにより貼り合わせた。   As a bonding method, first, temporary bonding using a glass frit was performed first. Specifically, bonding was performed by irradiating and scanning a YAG laser having a wavelength of 1040 to 1,080 nm from the counter substrate side along the glass frit line.

ガラスフリットによる仮貼り合わせ完了後、対向基板側から紫外線照射装置によって波長365nmの紫外線を、紫外線照射量が6,000mJで基板全面に照射した。これにより紫外線硬化樹脂を硬化させ、貼り合わせを完了した。   After the temporary bonding by the glass frit was completed, the entire surface of the substrate was irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm from the opposite substrate side with an ultraviolet irradiation device at an ultraviolet irradiation amount of 6,000 mJ. As a result, the ultraviolet curable resin was cured and the bonding was completed.

なお、本実施例では、ガラスフリットを仮封止した後、紫外線硬化樹脂による本封止を行なったが、この順序で封止することがより好ましい。つまり、仮封止後のガラスフリットは柔軟性に乏しい。そのため、たとえば先に紫外線硬化樹脂を硬化して仮封止すると、その後ガラスフリットによって本封止をするとき、紫外線硬化樹脂とガラスフリットとの間に生じる微小な凹凸をガラスフリットは吸収できず、不完全な封止となる虞がある。一方、ガラスフリットを仮封止した後に紫外線硬化樹脂によって本封止すれば、紫外線硬化樹脂が当該凹凸を吸収するため、完全な封止が可能となる。   In this embodiment, the glass frit is temporarily sealed, and then the main sealing is performed with the ultraviolet curable resin. However, it is more preferable to seal in this order. That is, the glass frit after temporary sealing is poor in flexibility. Therefore, for example, when the ultraviolet curable resin is first cured and temporarily sealed, the glass frit cannot absorb minute irregularities generated between the ultraviolet curable resin and the glass frit when the glass frit is subsequently sealed. There is a risk of incomplete sealing. On the other hand, if the glass frit is temporarily sealed and then finally sealed with an ultraviolet curable resin, the ultraviolet curable resin absorbs the unevenness, and thus complete sealing becomes possible.

以上のようにして得られた有機EL表示装置は、レーザー溶着における電極損傷がなかった。そのため、発光効率が高く、寿命が長いという特性を示した。   The organic EL display device obtained as described above was free from electrode damage during laser welding. For this reason, it has the characteristics of high luminous efficiency and long life.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変さらが可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims, and the embodiments can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. The form is also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、各種表示装置に利用することが可能であり、たとえばテレビ、ゲーム、コンピュータ等に利用することができる。   The present invention can be used for various display devices, and can be used for televisions, games, computers, and the like.

1 素子基板
2 下部電極
3 有機層
4 上部電極
5 対向基板
6 ガラスフリットライン
7 紫外線硬化樹脂ライン
10 有機EL表示装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Element substrate 2 Lower electrode 3 Organic layer 4 Upper electrode 5 Opposite substrate 6 Glass frit line 7 UV curable resin line 10 Organic EL display device

Claims (8)

基板上に金属配線および電極のうち少なくとも一つが設けられた素子基板と、
上記素子基板と対向する対向基板と、
上記素子基板および上記対向基板の間を封止する封止材料とを備え、
上記封止材料のある領域は、上記素子基板における上記金属配線および上記電極が設けられていない領域と上記対向基板との間の第1の封止領域、および上記素子基板における上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域と上記対向基板との間の第2の封止領域に区分されており、
上記第1の封止領域における上記封止材料はガラスフリットを含み、上記第2の封止領域における上記封止材料は硬化樹脂を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
An element substrate provided with at least one of metal wiring and electrodes on the substrate;
A counter substrate facing the element substrate;
A sealing material for sealing between the element substrate and the counter substrate;
The region having the sealing material includes the metal wiring and the first sealing region between the region where the electrode is not provided and the counter substrate, and the metal wiring and the above in the element substrate. Divided into a second sealing region between a region where at least one of the electrodes is provided and the counter substrate;
The organic electroluminescence display device, wherein the sealing material in the first sealing region includes a glass frit, and the sealing material in the second sealing region includes a cured resin.
上記硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the curable resin is an ultraviolet curable resin. 上記第1の封止領域および上記第2の封止領域は、上記対向基板において、上記素子基板と対向している面の周縁部に位置することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The said 1st sealing area | region and the said 2nd sealing area | region are located in the peripheral part of the surface which is facing the said element substrate in the said opposing board | substrate. Organic electroluminescence display device. 上記硬化樹脂は、上記第2の封止領域より上記第1の封止領域にはみ出す領域にも形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 3, wherein the cured resin is also formed in a region protruding from the second sealing region to the first sealing region. Display device. 上記素子基板は、薄膜トランジスタ素子をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the element substrate further includes a thin film transistor element. 金属配線および電極のうち少なくとも一つを備える素子基板、および上記素子基板と対向する対向基板を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
上記対向基板の、上記素子基板における上記金属配線および上記電極が設けられていない領域と対向する領域にガラスフリットを塗布する第1の塗布工程と、
上記対向基板の、上記素子基板における上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域と対向する領域に紫外線硬化樹脂を塗布する第2の塗布工程と、
上記ガラスフリットおよび上記紫外線硬化樹脂を硬化させて上記素子基板および上記対向基板の間を封止する封止工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
An element substrate including at least one of a metal wiring and an electrode, and a manufacturing method of an organic electroluminescence display device including a counter substrate facing the element substrate,
A first coating step of coating a glass frit on a region of the counter substrate facing a region where the metal wiring and the electrode are not provided on the element substrate;
A second application step of applying an ultraviolet curable resin to a region of the counter substrate facing a region where at least one of the metal wiring and the electrode is provided in the element substrate;
And a sealing step of sealing the gap between the element substrate and the counter substrate by curing the glass frit and the ultraviolet curable resin.
上記封止工程は、
上記対向基板に熱を加えて上記ガラスフリットを硬化させる第1の硬化工程と、
上記第1の硬化工程の後、上記対向基板に紫外線を照射して上記紫外線硬化樹脂を硬化させる第2の硬化工程とを含むことを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
The sealing step
A first curing step of curing the glass frit by applying heat to the counter substrate;
The organic electroluminescence display device according to claim 6, further comprising a second curing step of irradiating the counter substrate with ultraviolet rays after the first curing step to cure the ultraviolet curable resin. Production method.
上記第2の塗布工程において、上記紫外線硬化樹脂が塗布される領域は、上記金属配線および上記電極のうち少なくとも一つが設けられた領域よりも金属配線および上記電極が設けられていない領域にはみ出す領域を含むように設けられていることを特徴とする請求項6または7に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。   In the second application step, the region to which the ultraviolet curable resin is applied is a region that protrudes beyond the region in which at least one of the metal wiring and the electrode is provided in the region in which the metal wiring and the electrode are not provided. The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 6, wherein the organic electroluminescence display device is provided.
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