JP2011018479A - Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same - Google Patents
Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011018479A JP2011018479A JP2009161088A JP2009161088A JP2011018479A JP 2011018479 A JP2011018479 A JP 2011018479A JP 2009161088 A JP2009161088 A JP 2009161088A JP 2009161088 A JP2009161088 A JP 2009161088A JP 2011018479 A JP2011018479 A JP 2011018479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic
- frit glass
- sealing
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】低コストで、かつ、高い生産性を有し、充分な封止効果を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する封止基板260及び基板210と、陽極及び陰極と、陽極及び陰極間に印加される電圧に応じて発光する有機発光層とを有し、封止基板260と基板210との間に形成された有機EL素子220と、有機EL素子220を囲むように形成され、封止基板260と基板210とを接続することで、封止基板260と基板210とともに有機EL素子220を封止するフリットガラス240とを備え、封止基板260に平行な面におけるフリットガラス240の切断面は、有機EL素子220が形成される矩形領域の周縁に沿った帯形状であり、フリットガラス240の切断面のうち、矩形領域の一辺に対応する区間の切断面は、直線を除く帯形状である。
【選択図】図2An organic electroluminescence display device having a low cost, high productivity, and a sufficient sealing effect and a method for manufacturing the same are provided.
A sealing substrate 260 and a substrate 210 that face each other, an anode and a cathode, and an organic light emitting layer that emits light in accordance with a voltage applied between the anode and the cathode, the sealing substrate 260 and the substrate 210 are provided. The organic EL element 220 and the organic EL element 220 are formed so as to surround the organic EL element 220, and the organic EL element 220 is connected together with the sealing substrate 260 and the substrate 210 by connecting the sealing substrate 260 and the substrate 210. The cut surface of the frit glass 240 in a plane parallel to the sealing substrate 260 has a band shape along the periphery of the rectangular region where the organic EL element 220 is formed. Of the 240 cut surfaces, the cut surface in the section corresponding to one side of the rectangular region has a strip shape excluding a straight line.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関し、特に、2つの基板とフリットガラスとを用いて封止された有機発光素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic electroluminescence display device including an organic light emitting element sealed using two substrates and frit glass and a manufacturing method thereof.
従来、表示装置には、明るく、鮮やかに、薄く、軽く、及び大面積化という進歩が求められており、技術開発も着実に進められてきている。薄く、軽く、大面積化という要求を満足させる表示装置として、液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイが商品化されており、その開始から10年以上が経過した今もなお進化中である。 Conventionally, display devices have been required to be bright, vivid, thin, light, and have a large area, and technological development has been steadily advanced. Liquid crystal displays and plasma displays have been commercialized as display devices that satisfy the demand for thin, light, and large area, and are still evolving after more than 10 years have passed since the start.
このような環境の中、近年は電流量に応じて発光強度が制御され、応答速度が非常に速いエレクトロルミネッセンス(以下、ELと記載)素子を用いたディスプレイも商品化され、技術開発が著しく進んでいる。その中でも、有機EL素子を用いた有機ELディスプレイは、視野角特性が良好で明るく、鮮やかであり、消費電力が小さいという利点を有する次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。 In such an environment, in recent years, displays using electroluminescence (hereinafter referred to as EL) elements whose emission intensity is controlled according to the amount of current and whose response speed is very fast have been commercialized, and technological development has progressed significantly. It is out. Among them, an organic EL display using an organic EL element has been attracting attention as a next-generation flat panel display having the advantages of good viewing angle characteristics, brightness, vividness, and low power consumption.
一般的に有機EL素子は、水分及び酸素などの不純物により劣化してしまう。したがって、有機EL素子の劣化を防ぐために、水分及び酸素などから有機EL素子を保護する様々な技術が現在提案されている。 Generally, an organic EL element is deteriorated by impurities such as moisture and oxygen. Therefore, in order to prevent the deterioration of the organic EL element, various techniques for protecting the organic EL element from moisture, oxygen and the like are currently proposed.
例えば、有機EL素子上にパッシベーション膜を形成する(すなわち、有機EL素子を薄膜封止する)ことで、有機EL素子を水分及び酸素から保護する技術が知られている。なお、充分に有機EL素子を保護するためには、例えば、1日当たりの酸素透過率が10-3cc/m2以下、かつ、水分透過率が10-6g/m2以下の条件を満たすパッシベーション膜を形成する必要がある。この条件を満たすために、従来では、パッシベーション膜として、厚さ5μm〜10μmのシリコン窒化膜(SiN)又はシリコン酸窒化膜(SiON)を有機EL素子上に積層する。 For example, a technique for protecting an organic EL element from moisture and oxygen by forming a passivation film on the organic EL element (that is, sealing the organic EL element with a thin film) is known. In order to sufficiently protect the organic EL element, for example, the condition that the oxygen permeability per day is 10 −3 cc / m 2 or less and the moisture permeability is 10 −6 g / m 2 or less is satisfied. It is necessary to form a passivation film. In order to satisfy this condition, conventionally, a silicon nitride film (SiN) or silicon oxynitride film (SiON) having a thickness of 5 μm to 10 μm is laminated on the organic EL element as a passivation film.
また、特許文献1及び特許文献2には、有機EL素子を2つの基板とフリットガラスとを用いて封止する技術が記載されている。
図1(a)は、特許文献1に記載の従来の有機EL表示装置100の構成を示す平面図である。図1(b)は、図1(a)に示すA−A方向で切断したときの、特許文献1に記載の従来の有機EL表示装置100の構成を示す断面図である。
FIG. 1A is a plan view showing a configuration of a conventional organic
図1(a)及び図1(b)に示すように、有機EL表示装置100は、ガラス基板110及び120と、有機EL素子130と、フリットガラス140とを備える。フリットガラス140は、有機EL素子130を囲むように、ガラス基板110及び120と接着される。有機EL素子130は、ガラス基板110とガラス基板120とフリットガラス140とで密閉された空間に形成されている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the organic
このように、特許文献1に記載の有機EL表示装置100は、フリットガラス140を用いて有機EL素子130を封止することで、水分及び酸素から有機EL素子130を保護する。
As described above, the organic
また、特許文献2には、フリットガラスを二重にすることで、その強度と封止効果とを高める技術が記載されている。 Patent Document 2 describes a technique for improving the strength and sealing effect of doubled frit glass.
しかしながら、上記従来技術によれば、以下に示すような課題がある。
まず、有機EL素子を薄膜封止する技術では、高コストで、かつ、生産性が悪いという課題がある。なぜなら、厚いパッシベーション膜を形成するには、非常に多くの時間がかかるだけでなく(例えば、1μmのパッシベーション膜を形成するのに10分かかる)、多くのコストがかかるためである。
However, according to the above prior art, there are the following problems.
First, the technique of encapsulating an organic EL element with a thin film has a problem of high cost and poor productivity. This is because forming a thick passivation film not only takes a very long time (for example, it takes 10 minutes to form a 1 μm passivation film), but also costs a lot.
また、特許文献1及び特許文献2に記載された2つの基板とフリットガラスとを用いて有機EL素子を封止する技術では、フリットガラスの強度が充分に確保されず、充分な封止効果を得ることができないという課題がある。具体的には、次の通りである。
Moreover, in the technique of sealing an organic EL element using the two substrates and frit glass described in
フリットガラスをガラス基板に接着する際には、通常、レーザアニール処理によってガラスを溶融させることで接着を行う。このときに発生する熱によって、フリットガラスには残留歪みが発生する。この残留歪みが原因となってフリットガラス内部に発生する応力によって、フリットガラスがガラス基板から剥離してしまう、フリットガラス又はガラス基板が割れてしまうなどの不具合が発生する。 When frit glass is bonded to a glass substrate, bonding is usually performed by melting the glass by laser annealing. Residual distortion occurs in the frit glass due to the heat generated at this time. Due to the stress generated in the frit glass due to the residual strain, the frit glass is peeled off from the glass substrate, or the frit glass or the glass substrate is broken.
確かに、特許文献2に記載された技術のようにフリットガラスを二重にすることで、一方のフリットガラスが壊れてしまった場合でも、他方のフリットガラスにより有機EL素子を封止することはできる。しかしながら、1つのフリットガラスの強度自体は変わらないので、充分な封止効果が得られるとは言えない。 Certainly, even if one of the frit glasses is broken by double the frit glass as in the technique described in Patent Document 2, it is possible to seal the organic EL element with the other frit glass. it can. However, since the strength itself of one frit glass does not change, it cannot be said that a sufficient sealing effect is obtained.
以上のように、低コストで、かつ、高い生産性を達成するためには、フリットガラスを用いて有機EL素子を封止することが望ましいが、フリットガラスを用いた従来の技術では、フリットガラス自体の強度、及び、フリットガラスと基板との接着強度とが充分ではないという課題がある。すなわち、フリットガラスを用いた従来の技術では、充分な封止効果が得ることができない。 As described above, in order to achieve high productivity at low cost, it is desirable to seal the organic EL element using frit glass. However, in the conventional technology using frit glass, the frit glass is used. There exists a subject that the intensity | strength of itself and the adhesive strength of a frit glass and a board | substrate are not enough. That is, the conventional technique using frit glass cannot obtain a sufficient sealing effect.
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、低コストで、かつ、高い生産性を有し、充分な封止効果を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and provides an organic electroluminescence display device having a low cost, high productivity, and a sufficient sealing effect, and a method for manufacturing the same. The purpose is to provide.
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、互いに対向する第1基板及び第2基板と、陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極間に印加される電圧に応じて発光する有機発光層とを有し、前記第1基板と前記第2基板との間に形成された有機発光素子と、前記有機発光素子を有する発光領域と、前記発光領域を囲むように形成され、前記第1基板と前記第2基板とを接続することで、前記第1基板と前記第2基板とともに前記発光領域を封止する封止部とを備え、前記第1基板に平行な面における前記封止部の切断面は、前記発光領域が形成される矩形領域の周縁に沿った帯形状であり、前記切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面は、直線を除く帯形状である。 In order to solve the above problems, an organic electroluminescence display device according to the present invention emits light according to a first substrate and a second substrate facing each other, an anode and a cathode, and a voltage applied between the anode and the cathode. An organic light emitting layer, and an organic light emitting device formed between the first substrate and the second substrate, a light emitting region having the organic light emitting device, and surrounding the light emitting region, By connecting the first substrate and the second substrate, the first substrate and the second substrate, and a sealing portion that seals the light emitting region together with the first substrate, the surface in a plane parallel to the first substrate The cut surface of the sealing portion has a band shape along the periphery of the rectangular region where the light emitting region is formed, and the cut surface of the section corresponding to one side of the rectangular region out of the cut surface excludes a straight line. It is a band shape.
これにより、封止部の面方向の切断面が直線でない帯形状であるので、封止部自体、又は、封止部と基板との接着面に発生する応力を分散させることができる。このように封止部が応力を分散させる形状であることで、封止部が破壊されてしまうこと、又は、封止部が基板から剥離してしまうことを防ぐことができる。したがって、充分な封止効果が得られ、有機発光素子を保護することができるので、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を長寿命化することができる。 Thereby, since the cut surface in the surface direction of the sealing portion is a strip shape that is not a straight line, the stress generated on the sealing portion itself or the bonding surface between the sealing portion and the substrate can be dispersed. Thus, it can prevent that a sealing part will be destroyed or a sealing part will peel from a board | substrate because a sealing part is a shape which disperse | distributes stress. Therefore, a sufficient sealing effect can be obtained and the organic light emitting element can be protected, so that the life of the organic electroluminescence display device of the present invention can be extended.
また、前記封止部の切断面は、第1の値以上の線幅の帯形状であり、前記封止部の切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面の面積は、前記区間を前記第1の値の線幅の直線で形成された場合の切断面の面積より大きくてもよい。 In addition, the cut surface of the sealing portion is a band shape having a line width equal to or greater than a first value, and the area of the cut surface of the section corresponding to one side of the rectangular region of the cut surface of the sealing portion is The section may be larger than the area of the cut surface when formed by a straight line having the line width of the first value.
これにより、封止部と基板との接着面に着目すると、封止部を直線形状で形成した場合に基板と接する接着面よりも大きな面積で、本発明の封止部と基板とが接着するので、接着強度をより高めることができる。 Accordingly, when attention is paid to the adhesion surface between the sealing portion and the substrate, the sealing portion and the substrate of the present invention adhere to each other in an area larger than the adhesion surface in contact with the substrate when the sealing portion is formed in a linear shape. Therefore, the adhesive strength can be further increased.
ここで、前記の「前記封止部の切断面は、第1の値以上の線幅の帯形状であり、前記封止部の切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面の面積は、前記区間を前記第1の値の線幅の直線で形成された場合の切断面の面積より大きくてもよい。」とは、具体的には、以下に記載する形状を含むものである。 Here, “the cut surface of the sealing portion is a band shape having a line width equal to or greater than the first value, and the section of the cut surface of the sealing portion corresponding to one side of the rectangular region is cut. The area of the surface may be larger than the area of the cut surface in the case where the section is formed by a straight line having the line width of the first value. Specifically, the surface includes the shapes described below. It is a waste.
例えば、前記封止部の切断面は、直線ではない所定の形状が当該封止部に沿って周期的に繰り返された形状であってもよい。 For example, the cut surface of the sealing portion may have a shape in which a predetermined shape that is not a straight line is periodically repeated along the sealing portion.
また、前記封止部の切断面は、前記第1の値以上の線幅の波線形状であってもよい。
また、前記波線形状は、正弦波、三角波、方形波又は鋸歯状波を含んでもよい。
The cut surface of the sealing portion may have a wavy shape with a line width equal to or greater than the first value.
The wavy line shape may include a sine wave, a triangular wave, a square wave, or a sawtooth wave.
また、前記波線形状の線幅は、前記第1の値と、前記第1の値より大きい第2の値との間を当該波線形状に沿って周期的に繰り返してもよい。 Further, the line width of the wavy line shape may be periodically repeated between the first value and a second value larger than the first value along the wavy line shape.
また、前記封止部の切断面は、前記第1の値以上の線幅の帯形状の少なくとも一方の側に周期的に繰り返される凸部を有する形状であってもよい。 Further, the cut surface of the sealing portion may have a shape having a convex portion that is periodically repeated on at least one side of a band shape having a line width equal to or greater than the first value.
また、前記封止部の切断面は、鎖状であってもよい。
また、前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、さらに、前記有機発光素子を囲むように形成され、前記第1基板と前記第2基板とを接続することで、前記封止部と前記第1基板と前記第2基板とともに、密閉された第1空間を形成する第1接着部を備え、前記第1空間の気圧は、大気圧より低くてもよい。
Further, the cut surface of the sealing portion may be a chain shape.
Further, the organic electroluminescence display device is further formed so as to surround the organic light emitting element, and by connecting the first substrate and the second substrate, the sealing portion, the first substrate, and the The 1st adhesion part which forms the sealed 1st space with the 2nd substrate is provided, and the pressure of the 1st space may be lower than atmospheric pressure.
これにより、第1空間の気圧を大気圧より低い気圧(例えば、真空)にすることで、常に封止部と第1基板及び第2基板とを密着させるような力が封止部付近に加えられる。したがって、封止部と第1基板及び第2基板との密着が、さらに容易に、かつ、確実に行われるので、充分な封止効果が得られ、有機発光素子を保護することができるので、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を長寿命化することができる。 As a result, by making the pressure in the first space an atmospheric pressure lower than the atmospheric pressure (for example, vacuum), a force that always keeps the sealing portion and the first substrate and the second substrate in close contact is applied to the vicinity of the sealing portion. It is done. Therefore, the close contact between the sealing portion and the first substrate and the second substrate is more easily and reliably performed, so that a sufficient sealing effect can be obtained and the organic light emitting device can be protected. The lifetime of the organic electroluminescence display device of the present invention can be extended.
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極間に印加される電圧に応じて発光する有機発光層とを有する有機発光素子を有する発光領域を封止するための封止部を、第1基板上に形成する封止部形成ステップと、前記第1基板と前記有機発光素子が形成された第2基板とを、大気圧より低い気圧中で、前記発光領域が前記封止部によって囲まれ、かつ、前記第1基板と前記第2基板との間に形成されるように、接着する接着ステップとを含み、前記第1基板に平行な面における前記封止部の切断面は、前記発光領域が形成される矩形領域の周縁に沿った帯形状であり、前記切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面は、直線を除く帯形状である。 Further, the method of manufacturing an organic electroluminescence display device of the present invention includes a light emitting region having an organic light emitting element having an anode and a cathode, and an organic light emitting layer that emits light according to a voltage applied between the anode and the cathode. A sealing portion forming step for forming a sealing portion for sealing on the first substrate, and the second substrate on which the first substrate and the organic light emitting element are formed are under atmospheric pressure lower than atmospheric pressure. A surface parallel to the first substrate, wherein the light emitting region is surrounded by the sealing portion and is bonded between the first substrate and the second substrate. The cut surface of the sealing portion in FIG. 4 is a band shape along the periphery of the rectangular region where the light emitting region is formed, and the cut surface of the section corresponding to one side of the rectangular region is a straight line. It is a band shape excluding.
本発明によれば、有機発光素子を充分に封止することができるので、有機発光素子の劣化を防止し、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を長寿命化することができる。さらに、このような充分な封止効果を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を、低コストで、かつ、高い生産性で製造することができる。 According to the present invention, since the organic light emitting element can be sufficiently sealed, deterioration of the organic light emitting element can be prevented, and the life of the organic electroluminescence display device can be extended. Furthermore, an organic electroluminescence display device having such a sufficient sealing effect can be manufactured at low cost and with high productivity.
以下では、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて詳細に説明する。 Below, the organic electroluminescent display apparatus of this invention and its manufacturing method are demonstrated in detail based on embodiment.
本実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置(以下、有機EL表示装置と記載)は、2つの基板とフリットガラスとを用いて封止された発光領域を備える表示装置であって、基板に平行な面におけるフリットガラスの切断面は、直線を除いた帯形状であることを特徴とする。 The organic electroluminescence display device of the present embodiment (hereinafter referred to as an organic EL display device) is a display device including a light emitting region sealed using two substrates and frit glass, and is parallel to the substrate. The cut surface of the frit glass on the surface is a strip shape excluding a straight line.
図2は、本実施の形態の有機EL表示装置200の構成の一例を示す断面図である。同図に示すように、基板210と、有機EL素子220と、パッシベーション膜230と、フリットガラス240と、周辺シール250a及び250bと、封止基板260と、充填部270とを備える。本実施の形態では、周辺シール250a及び250bとでフリットガラス240を囲むように2重のシール構造を形成している。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the organic
基板210は、有機発光素子の発光を制御するTFT(Thin Film Transistor)などで構成された駆動回路(図示せず)を含む平坦な主面を有する基板である。特に、酸素又は水分から有機EL素子220を保護するために、酸素透過率及び水分透過率の低い基板が望ましい。封止基板260にはカラーフィルターなどが形成されていてもよい。
The
基板210と封止基板260とは、互いに対向しており、例えば、基板材料としてガラスを用いることができる。なお、基板210及び封止基板260は、プラスチック基板などであってもよいが、この場合は、耐熱性が確保されていることが好ましい。
The
有機EL素子220は、陽極及び陰極と、有機化合物からなり、陽極及び陰極間に印加される電圧に応じて発光する発光層とを備え、基板210と封止基板260との間に形成される。有機EL素子220は、印加する電圧を画素毎に制御することで発光するディスプレイ(発光領域)を構成するものである。なお、有機EL素子220は、アクティブマトリクス方式及びパッシブマトリクス方式のいずれで駆動されてもよい。また、トップエミッション構造及びボトムエミッション構造のいずれでもよい。
The
例えば、基板210上に、TFTアレイ層と、電極層と、パッシベーション膜とが順に積層され、その上に、有機EL素子220が形成されている。有機EL素子220は、例えば、平坦化膜と、反射電極と、正孔注入層と、発光層と、電子注入層と、透明電極とを備える。
For example, a TFT array layer, an electrode layer, and a passivation film are sequentially stacked on the
TFTアレイ層は、アクティブマトリクス方式により発光層の発光を画素毎に制御するための薄膜トランジスタ(TFT)がアレイ状に形成される層である。 The TFT array layer is a layer in which thin film transistors (TFTs) for controlling light emission of the light emitting layer for each pixel by an active matrix method are formed in an array.
電極層は、走査線及び信号線などが形成される層である。
平坦化膜は、電極層の上面を平坦化する層であり、例えば、シリコン酸化膜(SiOx)をCVD法又はスパッタリング法などによって成膜し、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法などにより平坦化することで形成される。
The electrode layer is a layer in which scanning lines, signal lines, and the like are formed.
The planarizing film is a layer that planarizes the upper surface of the electrode layer. For example, a silicon oxide film (SiO x ) is formed by a CVD method or a sputtering method, and is planarized by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method or the like. Is formed.
反射電極(陽極)は、反射性の金属を含み、正孔注入層を介して発光層に正孔を注入する。反射性の金属は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、シリコンのうちのいずれかの金属、これらの金属の合金、またはそれらを積層したものを用いることが可能である。 The reflective electrode (anode) contains a reflective metal and injects holes into the light emitting layer through the hole injection layer. Reflective metals include, for example, silver, aluminum, nickel, chromium, molybdenum, copper, iron, platinum, tungsten, lead, tin, antimony, strontium, titanium, manganese, indium, zinc, vanadium, tantalum, niobium, lanthanum, Any one of cerium, neodymium, samarium, europium, palladium, copper, nickel, cobalt, molybdenum, platinum, and silicon, an alloy of these metals, or a laminate of these metals can be used.
正孔注入層は、正孔の生成を補助して発光層に正孔を注入する。例えば、正孔注入層は、ポリアニリン、ポリピロール、又は、銅フタロシアニン(CuPc)などから構成される。 The hole injection layer assists the generation of holes and injects holes into the light emitting layer. For example, the hole injection layer is made of polyaniline, polypyrrole, copper phthalocyanine (CuPc), or the like.
発光層は、陽極及び陰極から注入されるキャリア(電子及び正孔)によって発光する有機材料を含む層である。発光層は、例えば、アルミキリノール錯体(Alq3)などの低分子発光材料、又は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンなどの高分子発光材料などから構成される。 The light emitting layer is a layer containing an organic material that emits light by carriers (electrons and holes) injected from the anode and the cathode. The light emitting layer is made of, for example, a low molecular light emitting material such as an aluminum-kylinol complex (Alq3), or a polymer light emitting material such as polythiophene or polyparaphenylene.
電子注入層は、電子の生成を補助して発光層に電子を注入する。例えば、電子注入層は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一方を主成分とする金属の層であり、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を2種類以上含有していてもよい。これには、アルカリ金属とアルカリ土類金属の双方を含有する場合を含む。また、電子注入層は、特に限定されるものではないが、好ましくはリチウム、ルビジウム、セシウム、カルシウム、バリウムを用いることが可能である。 The electron injection layer assists the generation of electrons and injects electrons into the light emitting layer. For example, the electron injection layer is a metal layer mainly composed of at least one of alkali metal and alkaline earth metal, and may contain two or more kinds of alkali metal and alkaline earth metal. This includes the case of containing both alkali metals and alkaline earth metals. The electron injecting layer is not particularly limited, but preferably lithium, rubidium, cesium, calcium, or barium can be used.
透明電極(陰極)は、電子注入層を介して発光層に電子を注入する。また、発光層からの光を透過する。透明電極は、例えば、インジウムスズ酸化物又はインジウム亜鉛酸化物が用いられる。 The transparent electrode (cathode) injects electrons into the light emitting layer through the electron injection layer. Further, light from the light emitting layer is transmitted. For the transparent electrode, for example, indium tin oxide or indium zinc oxide is used.
なお、有機EL素子220では、基板210上に、陽極(反射電極)、正孔注入層、発光層、電子注入層、陰極(透明電極)の順に各層が積層されているが、この順序は逆であってもよい。
In the
なお、有機EL素子220が備える各層は、印刷法などの塗布、蒸着などの方法によって形成される。基板210上に有機EL素子220を形成する工程の詳細については、例えば、特許文献3などの各種文献に多数記載されており、いかなる方法によって形成されてもよい。
In addition, each layer with which the
パッシベーション膜230は、有機EL素子220を保護する保護膜である。例えば、パッシベーション膜230は、シリコン窒化膜(SiN)又はシリコン酸窒化膜(SiON)からなり、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)又はスパッタリングにより形成される。膜厚は、例えば、50nm〜200nmである。なお、充填部270の材料によって、パッシベーション膜230は、形成されなくてもよい。一例として、充填部270が、例えば、有機EL素子220を劣化させるようなアウトガスを発生しにくい材料を用いて形成される場合、パッシベーション膜230は、あえて形成しなくてもよい。
The
フリットガラス240は、有機EL素子220を囲むように形成され、基板210と封止基板260とを接続することで、基板210と封止基板260とともに有機EL素子220を封止する機能を有するフリットガラスであり、封止部の一例である。これにより、外部からの酸素及び水分が有機EL素子220に到達するのを防ぐことができる。また、フリットガラス240の底面(基板210への接着面及び封止基板260への接着面)は、平坦であることが好ましい。この理由は、基板とフリットガラスとの接着を確実に行い、有機EL素子への水分などが浸入しにくくすること、また、基板の接着強度を確保すること、などの理由による。
The
また、基板210と封止基板260とが対向する面に垂直な切断面におけるフリットガラス240の断面は、図2に示すように台形であることが好ましい。この理由は、例えば図12などにも記載するが、フリットガラスをレーザ照射によって溶融して基板を接着する際に、フリットガラスの少なくとも一方の底面を他方の底面の面積よりも大きくすることでレーザ照射が容易に行えること、及び、フリットガラスと周辺シールとの間の空間を極力大きく確保することでアウトガスを封じ込める効果をより発揮しやすいことによる。
Moreover, it is preferable that the cross section of the
フリットガラス240の幅は、形成時に封止基板260上に塗布するフリットガラスペーストの幅によって決定され、およそ100μm〜2mmとすることができる。また、フリットガラス240の高さは、およそ5μm〜50μmとすることができる。
The width of the
なお、フリットガラス240の平面方向(基板210の面方向)の形状については、図3及び図4を用いて後述する。
The shape of the
周辺シール250aは、フリットガラス240を囲むように形成され、基板210と封止基板260とを接続することで、フリットガラス240と基板210と封止基板260とともに密閉された空間を形成する接着部の一例である。周辺シール250aとフリットガラス240と基板210と封止基板260とで密閉された空間の気圧は、大気圧より低く、望ましくは真空(例えば、10Pa以下)である。
The
周辺シール250aの幅は、形成時に封止基板260上に塗布するシール剤(接着剤)の幅によって決定され、およそ500μm〜3mmとすることができる。周辺シール250aの高さは、ほぼフリットガラス240と同じである。周辺シール250aは、紫外線(以下、UVと記載する)硬化性又は熱硬化性の接着剤であり、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂など接着剤を用いることができる。
The width of the
周辺シール250bは、有機EL素子220を囲むように、かつ、フリットガラス240と有機EL素子220との間に形成され、基板210と封止基板260とを接続することで、フリットガラス240と基板210と封止基板260とともに、密閉された空間を形成する。周辺シール250bとフリットガラス240と基板210と封止基板260とで密閉された空間の気圧は、大気圧より低く、望ましくは真空(例えば、10Pa以下)である。
The
周辺シール250bの幅は、形成時に封止基板260上に塗布するシール剤(接着剤)の幅によって決定され、およそ500μm〜3mmとすることができる。周辺シール250bの高さは、ほぼフリットガラス240と同じである。周辺シール250bは、UV硬化性又は熱硬化性の接着剤であり、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂などの接着剤を用いることができる。なお、周辺シール250a及び250bは、同一の材料で構成されることが望ましい。
The width of the
封止基板260は、平坦な主面を有し、光学的に透明である基板であるが、必要に応じてカラーフィルターなどが形成されていてもよい。特に、酸素又は水分から有機EL素子220を保護するために、酸素透過率及び水分透過率の低い基板が望ましい。例えば、1日当たりの酸素透過率が10-3cc/m2以下、かつ、水分透過率が10-6g/m2以下の条件を満たすことが望ましい。一例として、ここでは封止基板260は、透過率の条件を満たし、かつ、高融点である無アルカリガラスからなるガラス基板である。なお、封止基板260は、プラスチック基板などであってもよいが、この場合は、耐熱性が確保されていることが好ましい。
The sealing
充填部270は、基板210と封止基板260と周辺シール250bとで密閉された領域、すなわち、有機EL素子220が形成されている領域を、充填剤により充填する。充填部270の屈折率は、封止基板260以上パッシベーション膜230以下であることが望ましい。これにより、充填部270と封止基板260との界面での光の反射を防ぐことができ、有機EL素子220からの光の取り出し効率を高めることができる。例えば、封止基板260(ガラス基板)の屈折率が1.5、かつ、パッシベーション膜230(SiN)の屈折率が1.9の場合、充填部270の屈折率は、1.6とすることができる。
The filling
また、充填部270に用いられる充填剤は、UV硬化性又は熱硬化性の接着剤であり、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂である。なお、製造工程を簡略化するために、充填剤は、周辺シール250a及び250bの形成に用いるシール剤と、同一手段で硬化されることが望ましい。
Moreover, the filler used for the filling
以上のように、本実施の形態の有機EL表示装置200は、フリットガラス240と、2重シール構造を構成する周辺シール250a及び250bとにより、有機EL素子220を封止する。さらに、フリットガラス240と周辺シール250a及び周辺シール250bとの間の空間が真空状態であるために、仮にフリットガラス240に亀裂などの不具合が発生した場合であっても、真空空間に不純物を閉じ込めることができるので、有機EL素子220の劣化を防止することができる。すなわち、本実施の形態の有機EL表示装置200を長寿命化することができる。
As described above, in the organic
図3(a)及び図3(b)は、本実施の形態のフリットガラス240と封止基板260との位置関係を示す平面図である。
FIGS. 3A and 3B are plan views showing the positional relationship between the
図3(a)及び図3(b)に示すように、封止基板260に平行な面におけるフリットガラス240の切断面は、矩形領域の周縁に沿って形成された、所定の値以上の線幅の帯形状である。具体的には、矩形領域の一辺に対応する区間において、フリットガラス240の切断面は、直線を除く帯形状である。さらに具体的には、フリットガラス240の切断面のうち、矩形領域の一辺に対応する区間の切断面の面積は、当該区間を所定の値の線幅の直線で形成された場合の切断面の面積より大きい。例えば、図3(a)に示すように、フリットガラス240の切断面の形状は、所定の幅の波線形状である。
As shown in FIG. 3A and FIG. 3B, the cut surface of the
ここで、矩形領域上には、有機EL素子220が形成されている。例えば、有機EL素子220を構成する複数の画素がマトリクス状に並んでいる場合、すなわち、有機EL素子220が矩形である場合、矩形領域の辺は、複数の画素の行及び列のいずれかの方向に平行である。
Here, the
このように、所定の区間においてフリットガラス240の切断面を直線形状の切断面よりも大きくする、すなわち、フリットガラス240の切断面の形状を直線とは異なる形状にすることで、フリットガラス240内部に発生する応力を分散させることができる。これにより、フリットガラス240が応力により破壊されてしまうことを防ぐことができる。
As described above, by making the cut surface of the
また、フリットガラス240と封止基板260又は基板210との接着面に着目すると、当該接着面の面積は直線形状の接着面の面積より大きいので、接着強度を高めることができ、フリットガラス240が封止基板260又は基板210から剥離してしまうことを防ぐことができる。
Further, when attention is paid to the adhesion surface between the
なお、フリットガラス240の切断面の形状は、直線形状でなければ、いかなる形状であってもよい。図4(a)〜図4(h)は、本実施の形態のフリットガラス240の切断面の形状の一例を示す図である。これらの図に示すように、フリットガラス240の切断面は、直線ではない所定の形状がフリットガラス240に沿って周期的に繰り返された形状である。
The shape of the cut surface of the
例えば、図4(a)〜図4(f)に示すように、切断面の形状は、所定の値以上の線幅を有する波線形状である。波線形状は、一例として、正弦波(図4(a)及び図4(c)参照)、方形波(図4(d)参照)、三角波(図4(e)参照)又は鋸歯状波(図4(f)参照)を含む形状である。また、波線形状の線幅は、均一でなくてもよい。例えば、図4(b)に示すように、波線形状の線幅は、最小値と最大値との間を当該波線形状に沿って周期的に繰り返してもよい。 For example, as shown in FIGS. 4A to 4F, the shape of the cut surface is a wavy line shape having a line width equal to or larger than a predetermined value. Examples of the wavy line shape include a sine wave (see FIGS. 4A and 4C), a square wave (see FIG. 4D), a triangular wave (see FIG. 4E), or a sawtooth wave (see FIG. 4). 4 (f)). The wavy line width may not be uniform. For example, as shown in FIG. 4B, the wavy line width may be periodically repeated between the minimum value and the maximum value along the wavy line shape.
また、図4(g)に示すように、所定の値以上の線幅を有する直線形状の両側に周期的に繰り返される凸部を有する形状であってもよい。なお、凸部は、直線形状の少なくとも一方の側にあればよい。また、図4(g)では凸部の形状は矩形であるが、三角形などの多角形、又は、半円などの曲線で囲まれた形状であってもよい。 Moreover, as shown in FIG.4 (g), the shape which has the convex part periodically repeated on both sides of the linear shape which has a line | wire width more than a predetermined value may be sufficient. In addition, the convex part should just be on the at least one side of a linear shape. In addition, in FIG. 4G, the shape of the convex portion is a rectangle, but it may be a polygonal shape such as a triangle or a shape surrounded by a curve such as a semicircle.
また、図4(h)に示すように、接着面の形状は、鎖状であってもよい。なお、図4(h)には、所定の値の線幅を有する2本の三角波を組み合わせた鎖状の形状を示したが、正弦波などの他の波形を組み合わせた鎖状の形状でもよい。 Moreover, as shown in FIG.4 (h), the shape of an adhesion surface may be chain | strand shape. FIG. 4 (h) shows a chain shape combining two triangular waves having a predetermined line width, but a chain shape combining other waveforms such as a sine wave may be used. .
また、図4(a)、図4(c)〜図4(h)では、線幅が一定の一例を示しているが、線幅は一定でなくてもよい。一例として、図4(b)に示すような波線形状で図4(e)に示す三角波を形成してもよい。 4A and 4C to 4H show an example in which the line width is constant, the line width may not be constant. As an example, the triangular wave shown in FIG. 4 (e) may be formed in a wavy shape as shown in FIG. 4 (b).
なお、1枚の封止基板260上に複数の有機EL素子220(有機ELディスプレイ)を形成する場合は、図3(b)に示すように、複数のフリットガラス240を形成する。
When a plurality of organic EL elements 220 (organic EL display) are formed on one
続いて、本実施の形態の有機EL表示装置200の製造工程の概要について図5を用いて説明する。図5は、本実施の形態の有機EL表示装置200の製造工程の一例を示す斜視図及び断面図である。
Then, the outline | summary of the manufacturing process of the organic
本実施の形態の有機EL表示装置200は、封止基板260の切り出し(図5(a))、フリットガラス240の形成(図5(b))、シール剤251a及び251bの塗布及び充填剤271の滴下(図5(c))、真空中での基板の貼り合わせ(図5(d))、大気圧プレスによる基板の貼り合わせ(図5(e))、UV又は熱硬化(図5(f))、レーザアニールによる封着(図5(g))、各種検査(図5(h))の順に工程を経て製造される。また、以上の処理は、窒素(N2)雰囲気で行うものとする。なお、窒素雰囲気に限らず、有機EL素子220に影響を与えない、すなわち、酸素及び水分を含まない他の雰囲気中で行ってもよい。
In the organic
以下では、本実施の形態の有機EL表示装置200の製造工程の詳細について説明する。
Below, the detail of the manufacturing process of the
まず、図5(a)に示すように、封止基板260を用意する。ここでは、一例として、370mm×470mm×0.7mmの寸法の無アルカリガラス基板を封止基板260として用いた。なお、寸法などはこの限りではない。
First, as shown in FIG. 5A, a sealing
次に、図5(b)に示すように、封止基板260上にフリットガラス240を形成する。フリットガラス240の形成は、印刷、乾燥及び仮焼成の順に実行される。ここで図5は、本実施の形態のフリットガラス240を形成する工程の一例を示す断面図である。図5に示す断面図は、図5(b)に示すB−B方向で切断したときの断面図である。
Next, as shown in FIG. 5B,
まず、封止基板260上に、フリットガラスペースト241を塗布する(図6(a)参照)。例えば、ディスペンサ、スクリーン印刷装置、又はダイコート装置などを用いてフリットガラスペースト241を封止基板260上に塗布する。このとき、フリットガラスペースト241は、図3(a)に示すように、有機EL素子220が形成される矩形領域を形成するように封止基板260上に塗布される。また、フリットガラスペースト241は、図4(a)〜図4(h)に示すように直線形状ではない形状となるように、ディスペンサなどによって塗布される。
First, a
具体的には、フリットガラスペースト241を吐出するディスペンサの先端ノズルの平面方向の動きを制御することによって、所望の形状のフリットガラスペースト241を塗布する。また、フリットガラスペースト241の吐出量を変更することで、フリットガラスペースト241の線幅を変更してもよい。このように、フリットガラスペースト241の平面方向の形状を直線形状ではない所望の形状にすることで、焼成後に所望の形状のフリットガラス240を形成することができる。
Specifically, the
封止基板260上に塗布されるフリットガラスペースト241は、例えば、幅100μm〜2mm、高さ5μm〜50μmである。なお、フリットガラス240の高さが、基板210と封止基板260との間のギャップであるので、フリットガラスペースト241の高さは、少なくともフリットガラス240の高さ以上である必要がある。ここでは一例として、フリットガラス240の高さを20μm、フリットガラスペースト241の高さを30μm、幅1mmとする。
The
フリットガラスペースト241は、フリット、バインダー及び溶剤を含むペーストである。例えば、フリット、バインダー及び溶剤の融点はそれぞれ、およそ400℃、250℃及び120℃である。
The
フリットは、例えば、酸化ケイ素(SiO2)などのガラスの骨格を形成する成分に加えて、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化錫(SnO)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化バナジウム(V2O3)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化タングステン(WO3)、酸化モリブデン(MoO3)、酸化ニオブ(Nb2O3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化リチウム(Li2O)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化カリウム(K2O)、酸化セシウム(Cs2O)、酸化銅(CuO)、二酸化マンガン(MnO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)などの成分を含む。なお、赤外光を吸収させるために、フリットは、少なくとも1種類の遷移金属を含んでいることが望ましい。また、有機EL素子220へのダメージを防ぐために、フリットは無アルカリである。
For example, the frit includes, in addition to components that form a glass skeleton such as silicon oxide (SiO 2 ), zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), tin oxide (SnO), bismuth oxide (Bi 2 ). O 3 ), vanadium oxide (V 2 O 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), molybdenum oxide (MoO 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2) ), Zirconium oxide (ZrO 2 ), lithium oxide (Li 2 O), sodium oxide (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), cesium oxide (Cs 2 O), copper oxide (CuO), manganese dioxide ( It contains components such as MnO 2 ), magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). In order to absorb infrared light, the frit desirably contains at least one kind of transition metal. In order to prevent damage to the
バインダーは、フリットガラスペースト241の粘度を調整するための材料であり、例えば、ニトロセルロースやエチルセルロースなどのセルロースや、メチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレートなどを原料モノマーとするアクリル系樹脂を用いる。なお、本実施の形態では、焼成による分解温度の低いニトロセルロースを用いるとする。
The binder is a material for adjusting the viscosity of the
溶剤は、ターピオネール、ブチルカルビトール、イソボニルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、ステアリン酸ブチルなどを用いてもよい。 As the solvent, terpionol, butyl carbitol, isobornyl acetate, butyl carbitol acetate, cyclohexane, methyl ethyl ketone, toluene, xylene, ethyl acetate, butyl stearate, or the like may be used.
次に、金型300を用いたメカプレスにより(図6(b)参照)、フリットガラスペースト241の成型を行う(図6(c)参照)。具体的には、フリットガラスペースト241の上面を平坦化することで、フリットガラス240の上面を平坦化する。金型300は、フリットガラス240を形成すべき領域(すなわち、フリットガラスペースト241が塗布された領域)に掘り込み301が形成されており、この掘り込み301の高さは、フリットガラス240の高さと同じである(ここでは、20μm)。
Next, the
また、掘り込み301の底面には、コーティング層302が露出している。コーティング層302は、フリットガラスペースト241が金型300に接着するのを防ぐように、撥水性を有する。例えば、フッ素系ポリイミド樹脂である。
Further, the
最後に、成型されたフリットガラスペースト241をフリットガラスの結晶化温度(例えば、約400℃)で加熱することで(仮焼成処理)、台形状のフリットガラス240が形成される(図6(d)参照)。なお、フリットガラス240が台形状であるのは、図6(b)及び図6(c)に示すように、メカプレスによりフリットガラスペースト241が押しつぶされたためであって、必ずしも台形でなくてもよい。ただし、フリットガラス240の上面は基板210と接着するため、平坦である必要がある。
Finally, the shaped
以上のようにして、封止基板260上の所定の領域にフリットガラス240が形成される(図5(b))。
As described above, the
なお、フリットガラス240を形成する位置は、フリットガラス240で囲まれる領域内に形成される有機EL素子220の大きさ及び位置と、周辺シール250a及び250bの大きさ及び位置とによって決定される。つまり、フリットガラス240の位置は、少なくともフリットガラス240の外側に周辺シール250aを形成し、フリットガラス240の内側に周辺シール250bと有機EL素子220とを形成することができるように決定される。
The position where the
続いて、図5(c)に示すように、封止基板260上に、フリットガラス240の外側にシール剤251aと、フリットガラス240の内側にシール剤251bとをそれぞれ塗布する。このとき、シール剤251a及び251bは、真空空間を形成するためにフリットガラス240と離間して塗布される。ここで図7は、本実施の形態の2重シール構造を構成するためのシール剤251a及び251bの塗布工程における断面図である。図7に示す断面図は、図5(c)に示すB−B方向で切断したときの断面図である。
Subsequently, as shown in FIG. 5C, a sealing
図7に示すように、ディスペンサ又はスクリーン印刷装置などを用いてシール剤251a及び251bを封止基板260上に塗布する。シール剤251a及び251bは、UV硬化性又は熱硬化性の接着剤であり、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂である。シール剤251a及び251bの粘度は、100,000mPa・s〜1,000,000mPa・sである。また、シール剤251a及び251bの高さは、少なくともフリットガラス240の高さ以上であり、幅は100μm〜300μmである。本実施の形態では、一例として、シール剤251a及び251bとして、粘度500,000mPa・s、高さ50nm、幅200μmのUV硬化性エポキシ樹脂を、封止基板260上の所定の領域にディスペンサを用いて塗布する。
As shown in FIG. 7,
図8(a)及び図8(b)は、本実施の形態のフリットガラス240とシール剤251a及び251bと封止基板260との位置関係の一例を示す平面図である。1枚の封止基板260上に複数の有機EL素子220(有機ELディスプレイ)を形成する場合は、図8(b)に示すように、複数のシール剤251a及び251bを塗布する。
8A and 8B are plan views showing an example of the positional relationship among the
なお、同図に示すフリットガラス240とシール剤251a及び251bとの間に真空空間が形成され、シール剤251bの内側に有機EL素子220が形成される。
A vacuum space is formed between the
さらに、図5(c)に示すように、封止基板260上のシール剤251bで囲まれる領域に、充填剤271を滴下する。ここで図9は、本実施の形態の充填剤271の滴下工程における断面図である。図9に示す断面図は、図5(c)に示すB−B方向で切断したときの断面図である。
Further, as illustrated in FIG. 5C, a
図9に示すように、ジェットディスペンサなどを用いて充填剤271を封止基板260上に滴下する(ODF(One Drop Filling)法)。充填剤271は、UV硬化性又は熱硬化性の接着剤であり、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂である。なお、充填剤271は、シール剤251a及び251bと同じ性質及び同じ材料であることが望ましい。
As shown in FIG. 9, the
また、充填剤271の粘度は、100mPa・s〜500mPa・sである。1滴当たりの滴下量は、0.2μL〜2.0μLである。なお、滴下数は、全体の樹脂滴下量/1滴当たりの滴下量で算出される。全体の樹脂滴下量は、基板210と封止基板260との間のギャップと、シール剤251bによって囲まれる領域の面積と、有機EL素子220が占める体積とから算出される。具体的には、以下に示す(式1)によって算出される。
The viscosity of the
(式1)
(全体の樹脂滴下量)=(基板間のギャップ)×(シール剤251bに囲まれる領域の面積)−(有機EL素子220が占める体積)
(Formula 1)
(Total resin dripping amount) = (Gap between substrates) × (Area of region surrounded by sealing
本実施の形態では、一例として、充填剤271として、粘度200mPa・sのUV硬化性エポキシ樹脂を、1滴当たりの滴下量1.0μL、滴下間隔7mmで滴下する。
In this embodiment, as an example, a UV curable epoxy resin having a viscosity of 200 mPa · s is dropped as a
図10(a)及び図10(b)は、本実施の形態のフリットガラス240とシール剤251a及び251bと充填剤271と封止基板260との位置関係の一例を示す平面図である。図10(a)に示すように、封止基板260上のシール剤251aで囲まれた領域内に充填剤271を滴下する。また、1枚の封止基板260上に複数の有機EL素子220(有機ELディスプレイ)を形成する場合は、図10(b)に示すように、充填剤271を複数のシール剤251aで囲まれた領域内に滴下する。
10A and 10B are plan views showing an example of the positional relationship among the
次に、図5(d)〜図5(f)に示すように、基板210と封止基板260とを貼り合わせることで有機EL素子220を封止する。ここで図11は、本実施の形態の有機EL素子220の封止工程を示す断面図である。図11は、図5(d)〜図5(f)に示すB−B方向で切断したときの断面図である。
Next, as shown in FIGS. 5D to 5F, the
図11(a)に示すように、基板210上に有機EL素子220を形成し、有機EL素子220が形成された基板210と封止基板260との位置合わせを真空(例えば、10Pa以下)中で行う。このとき、基板210と封止基板260との双方にアラインメントマークを予め形成しておくことで、2つの基板の位置合わせを正確に行うことができる。なお、このとき用いる基板210は、封止基板260と同じ寸法であることが好ましい。
As shown in FIG. 11A, the
なお、基板210上に有機EL素子220を形成する工程の詳細については、例えば、特許文献3などの各種文献に多数記載されているため、ここでは説明を省略する。また、位置合わせを終えてから真空引きを行ってもよい。
Note that details of the process of forming the
次に、図11(b)に示すように、シール剤251a及び251bが潰れる程度に基板210と封止基板260とを接着する。この接着は、例えばメカプレスなどで行う。シール剤251a及び251bが潰れることで、基板210と封止基板260とシール剤251aとシール剤251bとにより、閉空間(クローズドループ)が形成される。フリットガラス240は、形成された閉空間に密閉されている。
Next, as shown in FIG. 11B, the
続いて、図11(c)に示すように、窒素を導入し、真空から大気圧に戻すことにより、すなわち、大気開放することにより、基板210と封止基板260とをさらに密着させる。具体的には、フリットガラス240の上面と基板210とが大気圧により接着する。基板210と封止基板260との間には真空の空間ができていたため、基板210の上部及び封止基板260の下部から、均等な力(大気圧と真空との差圧)が加えられる。
Subsequently, as shown in FIG. 11 (c), the
このとき、2つの基板間のギャップは、フリットガラスの高さによって決定される。すなわち、本実施の形態の例では、30μmである。 At this time, the gap between the two substrates is determined by the height of the frit glass. That is, in the example of the present embodiment, it is 30 μm.
このように、メカプレスでは均等な力を加えることが困難であるのに対して、大気圧プレスでは容易にかつ確実に均等な力を加えることができる。したがって、歩留まりの低下を防ぐことができ、高い生産性を維持することができる。 Thus, while it is difficult to apply a uniform force with a mechanical press, an equal pressure can be easily and reliably applied with an atmospheric pressure press. Therefore, a decrease in yield can be prevented and high productivity can be maintained.
なお、充填剤271は、シール剤251bと基板210と封止基板260とで囲まれた領域を隙間なく埋める量になるように、滴下時に調整しておく((式1)参照)。充填剤271が少なすぎる場合は、有機EL素子220が形成されている空間に真空の空間ができてしまうため、大気開放した際に、封止基板260が変形又は破損する恐れがある。逆に、充填剤271が多すぎる場合は、シール剤251bを破壊してしまう恐れがある。
Note that the
最後に、図11(d)に示すように、封止基板260側から全面にUVを照射することで、シール剤251a及び251bと充填剤271とを硬化させることで、周辺シール250a及び250bと充填部270とを形成する。ここでは、一例として2J/cm2の強度のUVを照射する。
Finally, as shown in FIG. 11 (d), the
このように1つの工程で周辺シール250a及び250bと充填部270とを形成するために、シール剤251a及び251bと充填剤271とは同じ材料であることが望ましい。
Thus, in order to form the
なお、本実施の形態では、シール剤251a及び251bと充填剤271とに、UV硬化性のエポキシ樹脂を用いたためにUVを照射したが、熱硬化性の樹脂を用いた場合は、加熱処理を行うことで樹脂を硬化させる。
In this embodiment mode, UV is radiated because the UV curable epoxy resin is used for the
次に、図5(g)に示すように、レーザをフリットガラス240に向けて照射する(レーザアニール)ことで、フリットガラス240と基板210とを封着する。ここで図12は、本実施の形態のレーザアニール工程における断面図である。図12は、図5(g)に示すB−B方向で切断したときの断面図である。
Next, as shown in FIG. 5G, the
同図に示すように、レーザを封止基板260側からフリットガラス240に向けて照射する。これにより、フリットガラス240と基板210との接着部分のガラスが溶融し、接着強度をより高めることができる。
As shown in the figure, the laser is irradiated from the sealing
なお、基板210側から照射した場合、基板210には走査線、信号線などの配線層が形成されているため、これらが障害となってフリットガラス240にレーザが照射されない箇所も生じる。このために、封止基板260側からレーザを照射することが望ましい。
When irradiation is performed from the
また、このとき用いるレーザビームの波長は、フリットガラス240が吸収する波長であり、かつ、周辺シール250a及び250bと充填部270とパッシベーション膜230となどが吸収しない波長である。したがって、吸収する波長が異なるように、フリットガラスペースト241と、シール剤251a及び251b、充填剤271、並びにパッシベーション膜230の材料とを選択する必要がある。
The wavelength of the laser beam used at this time is a wavelength that is absorbed by the
また、レーザビームの出力は、電極配線の損傷、有機EL素子220への熱ダメージ、充填部270と周辺シール250a及び250bとの劣化などの影響を最小限にするためという観点からは、フリットガラスを溶融するための必要最小限に低くすることが望ましい。なお、本実施の形態では、半導体レーザを用いて、波長およそ900nm、出力30Wのレーザビームを照射する。
From the viewpoint of minimizing the influence of the damage of the electrode wiring, the thermal damage to the
最後に、図5(h)に示すように、製造された有機EL表示装置200に対して、膜厚測定、外観検査、色収差(CA:Chromatic Aberration)テストなどの各種テストを行うことで、有機EL表示装置200が完成する。
Finally, as shown in FIG. 5 (h), the manufactured organic
以上のように、本実施の形態の有機EL表示装置200では、基板210と封止基板260とを接着するフリットガラス240の切断面の形状が、直線形状とは異なる形状である。つまり、フリットガラス240を封止基板260側(又は基板210側)から見たときの形状が、矩形領域の周縁に沿った形状ではない。具体的には、直線形状で形成された場合よりも断面積を大きくするような形状である。
As described above, in the organic
これにより、フリットガラス240内部に発生する応力を分散させることができるので、フリットガラス240が応力により破壊されてしまうことを防ぐことができる。また、接着面積が大きいので、フリットガラス240と基板との接着強度を高めることができる。
Thereby, since the stress which generate | occur | produces inside the
また、本実施の形態の有機EL表示装置200は、フリットガラス240と、シール剤251a及び251bとを離間して形成し、基板210と封止基板260とを真空中で貼り合わせることで製造される。これにより、フリットガラス240とシール剤251a又は251bと基板210と封止基板260とで密閉された空間を形成する。
The organic
これにより、形成した空間は真空であるので、常にフリットガラス240と基板210及び封止基板260とは大気圧による圧力がかかっている状態であるので、密着している。したがって、レーザアニール処理によりフリットガラス240と基板210との接着面を溶融及び硬化させることで、フリットガラス240と基板210とを確実に接着することができる。
Accordingly, since the formed space is a vacuum, the
なお、従来では、レーザアニール処理により溶融した箇所では、基板の沈み込みが発生し、局所的な基板の残留歪みが発生しやすい。このため、フリットガラス240の基板からの剥離、及びフリットガラス240の割れなどが発生していた。
Conventionally, in a portion melted by the laser annealing treatment, the substrate sinks and local residual strain is likely to occur. For this reason, peeling of the
これに対して、本実施の形態の有機EL表示装置200では、フリットガラス240の両側に周辺シール250a及び250bがそれぞれ形成されているので、フリットガラス240だけでなく周辺シール250a及び250bによっても基板210と封止基板260との間のギャップを保つことができる。したがって、基板の沈み込みは発生しにくく、残留歪みの発生を低減することができる。
On the other hand, in the organic
また、本実施の形態の有機EL表示装置200では、フリットガラス240と周辺シール250a及び250bとの間の空間は真空であるので、レーザアニール処理時の熱が周辺シール250a及び250bに伝わりにくい。したがって、従来のように、レーザアニール処理時の熱が、空間内の気体を介してシール剤などの樹脂に伝わり、樹脂を劣化させることはなく、本実施の形態の有機EL表示装置200を長寿命化することができる。
Further, in the organic
また、上述のようにフリットガラスペースト241には、バインダー及び溶剤を含んでおり、乾燥処理時に蒸発又は昇華しきらなかったバインダー及び溶剤を含んだままレーザアニール処理を行う場合がある。この場合、有機EL素子220に悪影響を及ぼすアウトガスが発生するという問題がある。
Further, as described above, the
これに対して、本実施の形態の有機EL表示装置200は、フリットガラス240と有機EL素子220との間に真空空間があるため、発生したアウトガスを閉じ込めておくことができる。これにより、有機EL素子220の劣化を防ぐことができる。
On the other hand, since the organic
また、フリットガラス240の溶融温度を下げるために、低融点材料であるリン酸(P2O5)をフリットガラスペースト241に混ぜることが多い。しかしながら、リン酸は大気に触れると水和しやすいため、リン酸を含むフリットガラスは、強度などの点において信頼性が低くなる。
Further, in order to lower the melting temperature of the
これに対して、本実施の形態の有機EL表示装置200は、フリットガラス240は真空中に形成されているため、水和する可能性が低い。したがって、フリットガラス240にリン酸を多く含ませることができるので、フリットガラス240の溶融温度をより下げることができる。これにより、レーザアニール処理のレーザビームの強度を抑えることができるので、熱による電極配線などの損傷の防止、有機EL素子220及び充填部270の劣化の防止、ガラス基板の残留歪みの低減などを達成することができる。
On the other hand, in the organic
以上、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を当該実施の形態に施したものも、本発明の範囲内に含まれる。 As mentioned above, although the organic electroluminescent display apparatus and its manufacturing method of this invention were demonstrated based on embodiment, this invention is not limited to these embodiment. Unless it deviates from the meaning of this invention, what made the various deformation | transformation which those skilled in the art can consider to the said embodiment is also contained in the scope of the present invention.
例えば、本実施の形態の有機EL表示装置200は、フリットガラス240の両側に周辺シール250a及び250bを備えることで、有機EL素子220の封止効果を高めているが、周辺シール250a及び250bのいずれか一方のみを備える構成でもよい。この場合であっても、真空空間は形成されているので、フリットガラス240と基板210及び封止基板260との密着性は確保される。
For example, the organic
ただし、フリットガラス240と有機EL素子220との間に周辺シールが形成されることにより、真空空間が形成されていることが望ましい。すなわち、有機EL表示装置200が周辺シール250bを備える構成が望ましい。この構成によれば、レーザアニール処理を行う際にフリットガラス240から発生し得るアウトガスを真空空間に閉じ込めることができる。また、レーザアニール処理時の熱が充填部270に伝わることを防止することもできる。なお、真空空間の代わりに大気圧より減圧された空間が形成されていてもよい。
However, it is desirable to form a vacuum space by forming a peripheral seal between the
また、本実施の形態の有機EL表示装置200は、フリットガラス240の代わりに、多孔質のフリットガラスを備えてもよい。多孔質のフリットガラスの孔に水分子などを閉じ込める、すなわち、多孔質のフリットガラスは水分を吸着することができるので、より高い封止効果を得ることができる。
Further, the organic
なお、多孔質のフリットガラスを形成するには、まず、材料となるフリットガラスペーストに、アルミニウム(Al)などの酸などに溶ける粒子を混入させる。そして、仮焼成(図6(d)参照)後に、酸などを用いてフリットガラスの表面に現れているアルミニウムを溶かすことで、多孔質のフリットガラスを形成する。 In order to form a porous frit glass, first, particles that are soluble in an acid such as aluminum (Al) are mixed in the frit glass paste as a material. Then, after preliminary firing (see FIG. 6D), the porous frit glass is formed by melting aluminum appearing on the surface of the frit glass using an acid or the like.
また、本実施の形態の有機EL表示装置200は、充填部270を備えなくてもよい。この場合、充填部270の代わりに、基板210と封止基板260とを支えるバンクを備えることが望ましい。なぜなら、有機EL素子220が形成される空間が真空となるためである。具体的には、基板210及び封止基板260は、大気圧によって外部から力が加わるために、基板の平坦性を保つことができなくなる、又は、亀裂が入り破壊される可能性がある。これらの不具合を防ぐために、有機EL表示装置200は、フリットガラス240と同じ高さのバンクを備えることが望ましい。
Further, the organic
バンクは、有機EL素子220を形成する際の有機材料の塗布工程などに用いられ、有機材料を所望の位置に正確に塗布するための領域を形成する防壁である。バンクは、画素ごと、又は、複数の画素からなるラインごとに形成される。例えば、バンクは、アクリル系樹脂である。
The bank is a barrier that is used in an application process of an organic material when forming the
また、本実施の形態の有機EL表示装置200は、複数の画素がマトリクス状に並べられた有機EL素子220を備える場合、すなわち、有機EL素子220が矩形である場合について説明したが、有機EL素子220は円形など他の形状であってもよい。例えば、この場合、フリットガラス240を封止基板260側から(又は、基板210側から)見たときの形状は、矩形でなくてもよい。例えば、フリットガラス240の面方向における切断面が円環形状であってもよい。円環形状は、矩形領域の各辺に対応する区間が円弧形状である場合に相当する。
In addition, the organic
このように、フリットガラス240の面方向における切断面の形状は、直線でなければいかなる形状であってもよい。つまり、フリットガラス240の切断面の形状は、矩形領域に沿った形状でなければ、いかなる形状であってもよい。
Thus, the shape of the cut surface in the surface direction of the
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を充分に封止することで長寿命化が達成されるという効果を奏し、デジタルテレビ、デジタルカメラなどのディスプレイなどに利用することができる。 According to the organic electroluminescence display device of the present invention, the organic electroluminescence element is sufficiently sealed to achieve a long life, and can be used for displays such as digital televisions and digital cameras. it can.
100、200 有機EL表示装置
110、120 ガラス基板
130、220 有機EL素子
140、240 フリットガラス
210 基板
230 パッシベーション膜
241 フリットガラスペースト
250a、250b 周辺シール
251a、251b シール剤
260 封止基板
270 充填部
271 充填剤
300 金型
301 掘り込み
302 コーティング層
100, 200 Organic
Claims (10)
陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極間に印加される電圧に応じて発光する有機発光層とを有し、前記第1基板と前記第2基板との間に形成された有機発光素子と、
前記有機発光素子を有する発光領域と、
前記発光領域を囲むように形成され、前記第1基板と前記第2基板とを接続することで、前記第1基板と前記第2基板とともに前記発光領域を封止する封止部とを備え、
前記第1基板に平行な面における前記封止部の切断面は、前記発光領域が形成される矩形領域の周縁に沿った帯形状であり、
前記切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面は、直線を除く帯形状である
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 A first substrate and a second substrate facing each other;
An organic light emitting element having an anode and a cathode, and an organic light emitting layer that emits light according to a voltage applied between the anode and the cathode, and formed between the first substrate and the second substrate;
A light emitting region having the organic light emitting element;
A sealing portion that is formed so as to surround the light emitting region, and seals the light emitting region together with the first substrate and the second substrate by connecting the first substrate and the second substrate;
The cut surface of the sealing portion in a plane parallel to the first substrate has a band shape along the periphery of the rectangular region where the light emitting region is formed,
The cut surface of the section corresponding to one side of the rectangular region among the cut surfaces is a band shape excluding a straight line. The organic electroluminescence display device.
前記封止部の切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面の面積は、前記区間を前記第1の値の線幅の直線で形成された場合の切断面の面積より大きい
請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The cut surface of the sealing portion is a band shape having a line width equal to or greater than the first value,
Of the cut surface of the sealing portion, the area of the cut surface of the section corresponding to one side of the rectangular region is more than the area of the cut surface when the section is formed by a straight line having the line width of the first value. The organic electroluminescence display device according to claim 1.
請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device according to claim 2, wherein the cut surface of the sealing portion is a shape in which a predetermined shape that is not a straight line is periodically repeated along the sealing portion.
請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device according to claim 3, wherein a cut surface of the sealing portion has a wavy shape with a line width equal to or greater than the first value.
請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device according to claim 4, wherein the wavy line shape includes a sine wave, a triangular wave, a square wave, or a sawtooth wave.
請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device according to claim 5, wherein the line width of the wavy line shape periodically repeats between the first value and a second value larger than the first value along the wavy line shape. .
請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 4. The organic electroluminescence display device according to claim 3, wherein the cut surface of the sealing portion has a convex portion that is periodically repeated on at least one side of a band shape having a line width equal to or greater than the first value.
請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device according to claim 3, wherein a cut surface of the sealing portion is in a chain shape.
前記発光領域を囲むように形成され、前記第1基板と前記第2基板とを接続することで、前記封止部と前記第1基板と前記第2基板とともに、密閉された第1空間を形成する第1接着部を備え、
前記第1空間の気圧は、大気圧より低い
請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device further includes:
Formed so as to surround the light emitting region, and the first substrate and the second substrate are connected to form a sealed first space together with the sealing portion, the first substrate, and the second substrate. A first adhesive part
The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the atmospheric pressure in the first space is lower than atmospheric pressure.
前記第1基板と前記有機発光素子が形成された第2基板とを、大気圧より低い気圧中で、前記発光領域が前記封止部によって囲まれ、かつ、前記第1基板と前記第2基板との間に形成されるように、接着する接着ステップとを含み、
前記第1基板に平行な面における前記封止部の切断面は、前記発光領域が形成される矩形領域の周縁に沿った帯形状であり、
前記切断面のうち、前記矩形領域の一辺に対応する区間の切断面は、直線を除く帯形状である
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 A sealing portion for sealing a light emitting region having an organic light emitting element having an anode and a cathode and an organic light emitting layer that emits light according to a voltage applied between the anode and the cathode is provided on the first substrate. A sealing part forming step to be formed;
The light emitting region is surrounded by the sealing portion in the first substrate and the second substrate on which the organic light emitting element is formed at a pressure lower than atmospheric pressure, and the first substrate and the second substrate An adhesive step of adhering to be formed between and
The cut surface of the sealing portion in a plane parallel to the first substrate has a band shape along the periphery of the rectangular region where the light emitting region is formed,
Of the cut surfaces, a cut surface in a section corresponding to one side of the rectangular region has a strip shape excluding a straight line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009161088A JP2011018479A (en) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009161088A JP2011018479A (en) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011018479A true JP2011018479A (en) | 2011-01-27 |
Family
ID=43596116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009161088A Pending JP2011018479A (en) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011018479A (en) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062027A (en) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Production method of sealing body and manufacturing method of light-emitting device |
| JP2013065546A (en) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device, electronic apparatus, lighting system, and method for manufacturing light emitting device |
| JP2013149847A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Aisin Seiki Co Ltd | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
| JP2013206613A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Organic el device and manufacturing method thereof |
| JP2013206747A (en) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescent panel manufacturing method |
| WO2013171808A1 (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | パナソニック株式会社 | Method for manufacturing display panel |
| KR20140136759A (en) * | 2013-05-21 | 2014-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| TWI487099B (en) * | 2011-09-19 | 2015-06-01 | 群創光電股份有限公司 | An organic light emitting display with frit seal and the method of making the same |
| US9048350B2 (en) | 2011-11-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sealed body, light-emitting module and method of manufacturing sealed body |
| US9166192B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having plural sealants at periphery of pixel portion |
| US9406698B2 (en) | 2012-08-28 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| WO2017033823A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 富士フイルム株式会社 | Electronic device |
| JP2017059413A (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and method of manufacturing display device |
| US9625764B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9666755B2 (en) | 2011-11-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing sealed body and method of manufacturing light-emitting device |
| KR101813906B1 (en) * | 2011-03-15 | 2018-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel |
| JP2018006349A (en) * | 2011-06-16 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Sealing body and method for manufacturing the same |
| US10141544B2 (en) | 2016-08-10 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
| US10367014B2 (en) | 2014-10-28 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method of display device, and electronic device |
| EP3648191A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US10871669B2 (en) | 2014-11-26 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| CN112447806A (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 三星显示有限公司 | Display device |
| US11071224B2 (en) | 2014-10-28 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device |
| CN113571658A (en) * | 2021-06-30 | 2021-10-29 | 武汉天马微电子有限公司 | Display panel, cutting panel and display device |
| CN113964156A (en) * | 2021-09-16 | 2022-01-21 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | AMOLED display device and packaging method and packaging structure of AMOLED display device |
-
2009
- 2009-07-07 JP JP2009161088A patent/JP2011018479A/en active Pending
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101813906B1 (en) * | 2011-03-15 | 2018-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel |
| JP2019140128A (en) * | 2011-06-16 | 2019-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Sealing body and method for manufacturing the same |
| JP2018006349A (en) * | 2011-06-16 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Sealing body and method for manufacturing the same |
| US9258853B2 (en) | 2011-08-26 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
| JP2013065546A (en) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device, electronic apparatus, lighting system, and method for manufacturing light emitting device |
| US9595697B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
| JP2013062027A (en) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Production method of sealing body and manufacturing method of light-emitting device |
| TWI487099B (en) * | 2011-09-19 | 2015-06-01 | 群創光電股份有限公司 | An organic light emitting display with frit seal and the method of making the same |
| US10096741B2 (en) | 2011-11-28 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sealed body, light-emitting module, and method of manufacturing sealed body |
| US9048350B2 (en) | 2011-11-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sealed body, light-emitting module and method of manufacturing sealed body |
| US9666755B2 (en) | 2011-11-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing sealed body and method of manufacturing light-emitting device |
| JP2013149847A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Aisin Seiki Co Ltd | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
| JP2013206613A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Organic el device and manufacturing method thereof |
| JP2013206747A (en) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescent panel manufacturing method |
| US9023171B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-05-05 | Joled Inc | Method for manufacturing display panel |
| WO2013171808A1 (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | パナソニック株式会社 | Method for manufacturing display panel |
| JPWO2013171808A1 (en) * | 2012-05-18 | 2016-01-07 | 株式会社Joled | Manufacturing method of display panel |
| US9625764B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10317736B2 (en) | 2012-08-28 | 2019-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9406698B2 (en) | 2012-08-28 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9166192B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having plural sealants at periphery of pixel portion |
| US10170726B2 (en) | 2012-08-28 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| KR20140136759A (en) * | 2013-05-21 | 2014-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| KR102055281B1 (en) * | 2013-05-21 | 2019-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| US11075232B2 (en) | 2014-10-28 | 2021-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method of display device, and electronic device |
| US12230647B2 (en) | 2014-10-28 | 2025-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method of display device, and electronic device |
| US11824068B2 (en) | 2014-10-28 | 2023-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method of display device, and electronic device |
| US11071224B2 (en) | 2014-10-28 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device |
| US11818856B2 (en) | 2014-10-28 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device |
| US10367014B2 (en) | 2014-10-28 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method of display device, and electronic device |
| US11372276B2 (en) | 2014-11-26 | 2022-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10871669B2 (en) | 2014-11-26 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US12153298B2 (en) | 2014-11-26 | 2024-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US11635648B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| WO2017033823A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 富士フイルム株式会社 | Electronic device |
| JP2017059413A (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and method of manufacturing display device |
| US10141544B2 (en) | 2016-08-10 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
| US11196019B2 (en) | 2018-11-05 | 2021-12-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US11751418B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-09-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| EP3648191A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| EP3787034A3 (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US12010883B2 (en) | 2019-08-30 | 2024-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having filler and seal, and method for manufacturing the same |
| CN112447806A (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 三星显示有限公司 | Display device |
| CN113571658A (en) * | 2021-06-30 | 2021-10-29 | 武汉天马微电子有限公司 | Display panel, cutting panel and display device |
| CN113571658B (en) * | 2021-06-30 | 2024-02-27 | 武汉天马微电子有限公司 | Display panel, cutting panel and display device |
| CN113964156A (en) * | 2021-09-16 | 2022-01-21 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | AMOLED display device and packaging method and packaging structure of AMOLED display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011018479A (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
| WO2011004567A1 (en) | Organic electroluminescent display device and manufacturing method therefor | |
| EP1811589B1 (en) | Organic light emitting display and fabricating method of the same | |
| CN101009311B (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| EP1814182B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US7825594B2 (en) | Organic light emitting display and fabricating method of the same | |
| US8026511B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| EP1814176B1 (en) | Organic light-emitting display device and method for fabricating the same | |
| JP4672677B2 (en) | Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof | |
| US7837530B2 (en) | Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly | |
| US8164257B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| US8729796B2 (en) | Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same | |
| US7749039B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| EP1814177B1 (en) | Oganic light-emitting display device and method for fabricating the same | |
| EP1814186A2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| CN100568525C (en) | Organic light-emitting display device and construction method thereof | |
| US20070170861A1 (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same | |
| KR101753771B1 (en) | A organic electroluminescent display apparatus and a methode for manufacturing the same | |
| WO2012011268A1 (en) | Display panel and production method thereof | |
| CN102326448A (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
| EP1811570B1 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| KR20090010677A (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| JP2012109030A (en) | Organic el display device | |
| JP5127657B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display device |