JP2012022329A - Image display device - Google Patents
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Abstract
【課題】高精細で高い画質の画像表示装置を実現する。
【解決手段】それぞれ自発光素子を有する複数の画素を有し、前記各画素は、入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子とを有し、前記セレクトスイッチ素子のゲート電極は、第１の水平アドレス選択回路と第２の水平アドレス回路に接続されている。
【選択図】図５ＢA high-definition and high-quality image display device is realized.
Each pixel has a plurality of pixels each having a self-luminous element, and each of the pixels has a driving transistor for driving the self-luminous element based on an input image voltage, and a source electrode and a gate electrode of the driving transistor. A select capacitor element connected between the storage capacitor element connected to each other, a corresponding signal line among the plurality of signal lines, and a gate electrode of the drive transistor, and the select switch The gate electrode of the element is connected to the first horizontal address selection circuit and the second horizontal address circuit.
[Selection] Figure 5B
Description
本発明は、有機ＥＬ素子などを用いた画像表示装置に係り、特に、低電圧化、高精細化において高画質表示の可能な画像表示装置に関する。 The present invention relates to an image display device using an organic EL element and the like, and more particularly to an image display device capable of high-quality display at a low voltage and high definition.
従来表示装置の主流であったＣＲＴに代わり、近年、フラットディスプレイ装置の需要が増大している。特に、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子（ＯＬＥＤ；Oganic Light Emitting Diode）を用いた有機ＥＬ表示装置は、消費電力、軽さ、薄さ、動画特性、視野角などの点で優れており、開発、実用化も進んでいる。
有機ＥＬ表示装置では、各画素毎に、有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタを有すが、各画素の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが大きいと、各画素の発光特性にバラツキが生じ、画面の均一性が下がり、高画質を維持できなくなる。
一般に、有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタは、薄膜トランジスタで構成されるが、この薄膜トランジスタは、閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが大きい。
そのため、有機ＥＬ表示装置では、各画素の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが大きくなり、各画素の発光特性にバラツキが生じ、画面の均一性が下がり、高画質を維持できなくなるという問題点がある。
そこで、有機ＥＬ表示装置では、各画素の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルすることが必要となる。
なお、各画素の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルするようにした画像表示装置は、例えば、下記非特許文献１、特許文献１〜特許文献４に記載されている。
In recent years, demand for flat display devices has increased in place of CRTs that have been the mainstream of conventional display devices. In particular, an organic EL display device using an organic EL (Electro Luminescence) element (OLED: Organic Light Emitting Diode) is excellent in terms of power consumption, lightness, thinness, moving image characteristics, viewing angle, etc. Practical use is also progressing.
In the organic EL display device, each pixel has a driving transistor for driving the organic EL element. However, if the variation in the threshold voltage Vth of the driving transistor in each pixel is large, the emission characteristics of each pixel vary, and the screen The uniformity of the image quality is lowered, and high image quality cannot be maintained.
In general, a driving transistor that drives an organic EL element is formed of a thin film transistor, and this thin film transistor has a large variation in threshold voltage Vth.
For this reason, in the organic EL display device, the variation of the threshold voltage Vth of the drive transistor of each pixel increases, the light emission characteristics of each pixel vary, the uniformity of the screen decreases, and the image quality cannot be maintained. is there.
Therefore, in the organic EL display device, it is necessary to cancel the variation in the threshold voltage Vth of the drive transistor of each pixel.
For example,
図１２Ａは、従来の有機ＥＬ表示装置の１画素の一例の等価回路を示す回路図である。
図１２Ｂは、図１２Ａに示す１画素の動作を説明するための図である。
図１２Ａに示す画素は、電圧プログラム方式で最も一般的な画素である。図１２Ａに示す画素１には、信号線１２、リセット線７、セレクトスイッチ線Ｙ、点灯スイッチ線２１、および電源線６がそれぞれ入力される。
各画素１には、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）２が設けられる。
有機ＥＬ素子２のカソード電極は共通接地線に接続され、アノード電極は、ｐ型薄膜トランジスタで構成される点灯スイッチ素子２０と、ｐ型薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴという。）４を介して電源線６に接続される。
また、駆動ＴＦＴ４のゲート電極とソース電極との間には、第２保持容量素子３０が接続され、駆動ＴＦＴ４のドレイン電極とゲート電極との間には、ｐ型薄膜トランジスタで構成されるリセットスイッチ素子５が設けられる。さらに、駆動ＴＦＴ４のゲート電極は、第１保持容量素子３と、ｐ型薄膜トランジスタで構成されるセレクトスイッチ素子３２を介して信号線１２に接続される。
なお、リセットスイッチ素子５のゲート電極は、リセット線７に接続される。また、セレクトスイッチ素子３２のゲート電極は、セレクトスイッチ線Ｙに、点灯スイッチ素子２０のゲート電極は、点灯スイッチ線２１に接続される。
図１２Ａに示す画素１を有する有機ＥＬ表示装置では、１フレーム期間内に、書込期間と発光期間とを有し、書込期間に画素１に画像電圧を書き込み、発光期間に点灯して表示を行う。画像電圧の書き込みは、１表示ライン単位、即ち、リセット線７毎に行なわれる。
FIG. 12A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of an example of one pixel of a conventional organic EL display device.
FIG. 12B is a diagram for explaining the operation of one pixel shown in FIG. 12A.
The pixel shown in FIG. 12A is the most common pixel in the voltage programming method.
Each
The cathode electrode of the
A second
Note that the gate electrode of the
In the organic EL display device having the
以下、各期間の動作について説明する。
先ず、書込期間では、図１２Ｂに示すように、時刻ｔ１から時刻ｔ２の期間に、リセットスイッチ素子５と点灯スイッチ素子２０とがオンとなり、これにより、駆動ＴＦＴ４はゲート電極とドレイン電極とが接続されたダイオード接続になり、前のフィールドで保持容量素子３に記憶されていた駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧はクリアされる。
次に、時刻Ｔ２で、点灯スイッチ素子２０がオフすると、駆動ＴＦＴ４と有機ＥＬ素子２とは強制的に電流オフ状態になるが、このとき、駆動ＴＦＴ４のゲート電極とドレイン電極はリセットスイッチ素子５で短絡されているため、第１保持容量素子３の一端でもある、駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧は、電源線６の電圧ＶＤＤより閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）に自動的にリセットされる。
なお、期間ｔｃ内に、信号線１２には、一定電圧（リファレンス電圧）が供給され、また、期間ｔｃ内には、セレクトスイッチ素子３２がオンとされる。したがって、第１保持容量素子３の他端には、信号線１２から、一定電圧（リファレンス電圧）が入力されている。
次に、時刻ｔ３で、リセットスイッチ素子５がオフとなる。その後、データ送信期間内に、信号線１２にアナログ画像電圧を供給し、第１保持容量素子３の他端に画像電圧を入力する。
発光期間においては、リセットスイッチ素子５とセレクトスイッチ素子３２がオフ、点灯スイッチ素子２０がオンとなり、有機ＥＬ素子２が発光する。
この発光期間では、リファレンス電圧から画像電圧の変化に対応した電圧が、駆動ＴＦＴ４のゲート電極に印加され、それに応じた電流が有機ＥＬ素子２に流れることによって、発光輝度が調整される。
このように、図１２Ａに示す有機ＥＬ表示装置では、全ての画素１に関して、ｔｃの期間に、駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧が、電源線６の電圧ＶＤＤより閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）に自動的にリセットされるので、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧のバラツキが抑制され、均一性の高い発光を実現することができる。
Hereinafter, the operation in each period will be described.
First, in the writing period, as shown in FIG. 12B, the
Next, when the
Note that a constant voltage (reference voltage) is supplied to the
Next, at time t3, the
In the light emission period, the
In this light emission period, a voltage corresponding to a change in the image voltage from the reference voltage is applied to the gate electrode of the driving
As described above, in the organic EL display device shown in FIG. 12A, the voltage of the gate electrode of the driving
図１３Ａは、従来の有機ＥＬ表示装置の１画素の他の例の等価回路を示す回路図である。
図１３Ｂは、図１３Ａに示す１画素の動作を説明するための図である。
図１３Ａに示す画素は、画素を構成するトランジスタ等の素子数を、図１２Ａの画素よりも削減したものである。
図１３Ａに示すように、有機ＥＬ素子２のカソード電極は共通接地線に接続され、アノード電極は、ｎ型薄膜トランジスタで構成される点灯スイッチ素子２０と、駆動ＴＦＴ（ｐ型薄膜トランジスタ）４を介して電源線６に接続される。
また、駆動ＴＦＴ４のドレイン電極とゲート電極との間には、ｎ型薄膜トランジスタで構成されるリセットスイッチ素子５が設けられる。さらに、駆動ＴＦＴ４のゲート電極は、保持容量素子３を介して信号線１２に接続される。
なお、リセットスイッチ素子５のゲート電極は、リセット線７に接続される。また、点灯スイッチ素子２０のゲート電極は、点灯スイッチ線２１に接続される。
図１３Ａに示す画素では、画素を構成する素子数を削減した分、書き込み期間と発光期間に分ける必要がある。
FIG. 13A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of another example of one pixel of a conventional organic EL display device.
FIG. 13B is a diagram for explaining the operation of one pixel shown in FIG. 13A.
The pixel illustrated in FIG. 13A is obtained by reducing the number of elements such as transistors included in the pixel as compared with the pixel illustrated in FIG. 12A.
As shown in FIG. 13A, the cathode electrode of the
A
Note that the gate electrode of the
In the pixel illustrated in FIG. 13A, it is necessary to divide the writing period and the light emitting period by the amount of reduction in the number of elements included in the pixel.
以下、各期間の動作について説明する。
先ず、書込期間では、時刻ｔ１で点灯スイッチ素子２０と、リセットスイッチ素子５とがオンになる。これにより、駆動ＴＦＴ４はゲート電極とドレイン電極とが接続されたダイオード接続になり、前のフィールドで保持容量素子３に記憶されていた駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧はクリアされる。
次に、時刻ｔ２で点灯スイッチ素子２０がオフすると、駆動ＴＦＴ４と有機ＥＬ素子２とは強制的に電流オフ状態になるが、このとき、駆動ＴＦＴ４のゲート電極とドレイン電極はリセットスイッチ素子５で短絡されているため、保持容量素子３の一端でもある駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧は、電源線６の電圧より閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電圧に自動的にリセットされる。なおこのとき、保持容量素子３の他端には、信号線１２から、Ｖｓ（ｋ）のアナログ画像電圧が入力されている。
次に、時刻ｔ３でリセットスイッチ素子５がオフになり、アナログ画像電圧の画素への書込みが終了する。このように、アナログ画像電圧の画素への書込みは、１表示ライン毎に順次行われ、全ての画素への書込みが終了した時点で１フレームの「書込み期間」は終了する。
１フレームの「発光期間」では、リセットスイッチ素子５はオフ、全画素の点灯スイッチ素子２０が一斉にオン状態となる。
このとき、信号線１２には、図１３Ｂに示す三角波電圧が入力される。ここで、各画素の有機ＥＬ素子２は、予め書込まれたＶｓ（ｋ）のアナログ画像電圧と信号線１２に印加される三角波電圧との電圧関係によって、駆動ＴＦＴ４により駆動される。
このとき、駆動ＴＦＴ４の相互コンダクタンス（ｇｍ）が十分に大きければ、有機ＥＬ素子２は点灯／消灯とデジタル的に駆動されると見なすことができる。即ち、有機ＥＬ素子２は、予め書込まれたＶｓ（ｋ）のアナログ画像電圧値に依存した期間だけ、ほぼ一定の輝度で連続点灯し、この発光時間の変調は、視覚的には多階調の発光として認められる。
Hereinafter, the operation in each period will be described.
First, in the writing period, the
Next, when the
Next, at time t3, the
In the “light emission period” of one frame, the
At this time, the triangular wave voltage shown in FIG. 13B is input to the
At this time, if the mutual conductance (gm) of the driving
図１５Ａは、従来の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す回路図である。
図１５Ａに示す有機ＥＬ表示装置は、各画素の駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキを電流で検出し、外部システムによって補償したものである。
図１５Ａに示す有機ＥＬ表示装置では、「検出期間」に、例えば、有機ＥＬ表示パネル１００内の各画素の駆動ＴＦＴのゲート電極に各階調毎の画像電圧を印加し、その時に、各画素の有機ＥＬ素子に流れる電流を検出部ＤＥＴで検出する。検出部ＤＥＴでは、電流・電圧変換部ＩＶＣにより、検出した電流を電圧に変換し、ローパスフィルタＬＰＦを介して出力する。
検出部ＤＥＴから出力された電圧は、Ａ／Ｄ変換器１０６によりデジタル値に変換され、メモリ１０４に格納される。なお、前述の処理は、ＣＰＵ１０５の指示に従い実行される。
「発光期間」では、クロックＣＫに同期して、入力される各色データ（Ｒｄａｔａ，Ｇａｔａ，Ｂｄａｔａ）に対応した画像データが、ルックアップテーブル１０１から読み出される。また、補正用オフセット発生回路１０３が、メモリ１０４に格納されたデータに基づき、補正用データを生成する。
この補正用データは、ルックアップテーブル１０１から読み出された画像データに加算され、Ｄ／Ａ変換器１０２によりアナログ画像電圧に変換され、有機ＥＬ表示パネル１００内の各画素の駆動ＴＦＴのゲート電極に印加され、有機ＥＬ表示素子が発光する。
FIG. 15A is a circuit diagram illustrating a schematic configuration of a conventional organic EL display device.
In the organic EL display device shown in FIG. 15A, variation in the threshold voltage Vth of the driving TFT of each pixel is detected by current and compensated by an external system.
In the organic EL display device shown in FIG. 15A, for example, during the “detection period”, an image voltage for each gradation is applied to the gate electrode of the driving TFT of each pixel in the organic
The voltage output from the detection unit DET is converted into a digital value by the A / D converter 106 and stored in the
In the “light emission period”, image data corresponding to each input color data (Rdata, Gata, Bdata) is read from the lookup table 101 in synchronization with the clock CK. Further, the correction offset
This correction data is added to the image data read from the lookup table 101, converted into an analog image voltage by the D /
図１５Ｂは、図１５Ａの有機ＥＬ表示パネル１００内の構成を示したものである。有機ＥＬ表示パネル１００は、複数の画素１１２で構成される表示部１１３、画素行選択回路１０８、画素行選択回路１０９で構成される。
画素１１２には、信号線１２、セレクトスイッチ線Ｙ、および電源線６がそれぞれ入力される。各画素１１２には、発光素子としての有機ＥＬ素子２が設けられている。有機ＥＬ素子２のカソード電極は共通接地線に接続され、アノード電極は、駆動ＴＦＴ４を介して電源線６に接続される。
また、駆動ＴＦＴ４のゲート電極とソース電極との間には、保持容量素子３が接続される。さらに、駆動ＴＦＴ４のゲート電極は、ｎ型薄膜トランジスタで構成されるセレクトスイッチ素子３２を介して信号線１２に接続される。セレクトスイッチ素子３２のゲート電極は、セレクトスイッチ線Ｙに接続される。
また、消灯スイッチ素子１１０を介して、電源線６と駆動ＴＦＴ４のゲート電極が接続される。
ここで、画素行選択回路１０８は、セレクトスイッチ線Ｙに接続され、セレクトスイッチ素子３２の開閉を制御し、画素行選択回路１０９は、消灯スイッチ制御線１１１を介して、消灯スイッチ素子１１０の開閉を制御する。検出しない画素の消灯スイッチ素子１１０を選択してオンにすることで、検出画素以外の画素の駆動ＴＦＴ４のゲート電極には、電源線６が接続され、駆動ＴＦＴ４は、オフされる。この動作を１フレーム中に組み込むことで、表示・検出の両機能を１フレーム中で達成することができる。
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
FIG. 15B shows a configuration in the organic
A
Further, the
Further, the
Here, the pixel
As prior art documents related to the invention of the present application, there are the following.
前述の図１２に示す画素、あるいは、図１３に示す画素を用いて、有機ＥＬ表示パネルの高精細化を図った場合、各画素の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルするリセットスイッチ素子５は、画素を小さくする上での制約となる。
また、薄膜トランジスタは、図１４（ａ）に示すように、リーク電流のバラツキや、リーク電流の群はずれを持つ。なお、図１４は、図１２に示す画素と、図１３に示す画素の問題点を説明するための図である。
リセットスイッチ素子５がオフとなる発光期間には、保持容量素子３がリセットスイッチ素子５のリーク電流により充電されるが、リセットスイッチ素子５を構成する薄膜トランジスタのリーク電流が大きい場合は、駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧が変動することになる。この駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧が、有機ＥＬ素子２の発光輝度に影響を与えないようにするためには、保持容量素子３の容量値を大きくする必要がある。
また、リセットスイッチ素子５を構成する薄膜トランジスタが、リーク電流の群はずれを持つ場合も、駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧が変動し、有機ＥＬパネル全体で同じ階調を表示する場合に、図１４（ｂ）のＡに示すような微輝点が生じることになる。この微輝点が生じないようにするためには、保持容量素子３の容量値を大きな値に保たなければならない。
このように、図１２、図１３のリセットスイッチ素子５は、単に素子数の増加というではなく、画素を構成する保持容量素子３を必要以上に大きくするという観点からも高精細化の妨げになるという課題がある。
When the pixel shown in FIG. 12 or the pixel shown in FIG. 13 is used to increase the definition of the organic EL display panel, the
In addition, as shown in FIG. 14A, the thin film transistor has a variation in leakage current and a group of leakage currents. FIG. 14 is a diagram for explaining the problem of the pixel shown in FIG. 12 and the pixel shown in FIG.
During the light emission period when the
In addition, even when the thin film transistor constituting the
As described above, the
また、図１５Ａに示す有機ＥＬ表示装置においては、電流を電圧に変換する際に、後段のＡ／Ｄ変換器１０６において、特性バラツキが判定できるような電圧に変換できるように、電流を電圧に変換する抵抗の抵抗値を充分大きくする必要がある。
さらに、この高抵抗から発生する熱雑音を抑えるために、電流・電圧変換部ＩＶＣとＡ／Ｄ変換器１０６との間に、カットオフ周波数の低いローパスフィルタＬＰＦを挿入する必要がある。これにより、検出速度が遅くなるという課題があった。
また、低コスト化のため、カットオフ周波数の低いローパスフィルタＬＰＦをＬＳＩに内蔵しようとすると面積が大きくなるという課題もある。
また、表示・検出の両機能を１フレーム中で達成するためには、図１５Ｂに示すように、消灯スイッチ素子１１０と消灯スイッチ制御線１１１を画素に加える必要があるため、画素を構成する素子と配線の数が増え、画素サイズが大きくなり、精細度が低くなるという課題がある。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、高精細で高い画質の画像表示装置を実現することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
In the organic EL display device shown in FIG. 15A, when converting the current into a voltage, the A / D converter 106 in the subsequent stage converts the current into a voltage so that the characteristic variation can be determined. It is necessary to sufficiently increase the resistance value of the resistor to be converted.
Furthermore, in order to suppress the thermal noise generated from this high resistance, it is necessary to insert a low-pass filter LPF having a low cutoff frequency between the current / voltage converter IVC and the A / D converter 106. Thereby, there existed a subject that detection speed became slow.
In addition, there is a problem that the area increases when an attempt is made to incorporate a low-pass filter LPF having a low cut-off frequency in an LSI for cost reduction.
Further, in order to achieve both the display and detection functions in one frame, as shown in FIG. 15B, it is necessary to add the extinction switch element 110 and the extinction
The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a technique capable of realizing a high-definition and high-quality image display apparatus. is there.
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）それぞれ自発光素子を有する複数の画素を有し、前記各画素は、前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタを有し、前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有する画像表示装置であって、前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧を検出する。
（２）（１）において、前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動し、前記検出された前記駆動トランジスタのソース電圧に基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する。
（３）（２）において、定電流として、Ｉｄ１とＩｄ２の２つの定電流を設定し、前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇに設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２とを検出し、前記検出したＶ１の電圧と、Ｖ２の電圧と、Ｖｇの電圧とに基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する。
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
(1) It has a plurality of pixels each having a self-light-emitting element, and each pixel has a drive transistor that drives the self-light-emitting element based on the input image voltage, and a constant current is supplied to the drive transistor. An image display device comprising: a current source for flowing; and a detection unit connected to a source electrode of the driving transistor of each pixel, wherein the current source is connected to a source electrode of the driving transistor, The source voltage of the drive transistor when the constant current is passed through the drive transistor during the detection period is detected.
(2) In (1), the drive transistor is driven in a saturation region, and a threshold voltage of the drive transistor is detected based on the detected source voltage of the drive transistor.
(3) In (2), two constant currents Id1 and Id2 are set as constant currents, and the detection unit sets the constant Id1 in a state where the control voltage of the control electrode of the drive transistor is set to Vg. A source voltage V1 of the driving transistor when a current is passed through the driving transistor and a source voltage V2 of the driving transistor when a constant current of Id2 is passed through the driving transistor are detected, and the detected V1 Based on the voltage, the voltage of V2, and the voltage of Vg, the threshold voltage of the driving transistor is detected.
（４）（２）において、前記定電流として、Ｉｄ１とＩｄ２の２つの定電流を設定し、隣接する２つの画素の一方を第１の画素、他方を第２の画素とするとき、前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇの電圧に設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１１と、前記Ｉｄ１の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１２と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２２とを検出し、前記検出したＶ１１の電圧と、Ｖ１２の電圧と、Ｖ２１の電圧と、Ｖ２２の電圧とに基づき、前記第１の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧と、前記第２の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧との差の電圧を検出する。
（５）（３）または（４）において、前記Ｉｄ１と、前記Ｉｄ２を、√（Ｉｄ１／Ｉｄ２）が２の倍数となるように設定する。
（６）（１）において、前記駆動トランジスタを線形領域で駆動し、前記検出部は、前記表示素子のアノード電圧を検出する。
(4) In (2), when the two constant currents Id1 and Id2 are set as the constant current, and one of the two adjacent pixels is the first pixel and the other is the second pixel, the detection And a source voltage V11 of the driving transistor when a constant current of Id1 is passed through the driving transistor of the first pixel in a state where the control voltage of the control electrode of the driving transistor is set to a voltage of Vg. , When the constant current of Id1 is passed through the drive transistor of the second pixel, and when the constant current of Id2 is passed through the drive transistor of the first pixel. The source voltage V12 of the driving transistor when the source voltage V12 of the driving transistor and the constant current of Id2 are passed through the driving transistor of the second pixel. 2 and the threshold voltage of the drive transistor of the first pixel and the second pixel based on the detected voltage of V11, voltage of V12, voltage of V21, and voltage of V22. The difference voltage from the threshold voltage of the driving transistor is detected.
(5) In (3) or (4), the Id1 and the Id2 are set so that √ (Id1 / Id2) is a multiple of 2.
(6) In (1), the driving transistor is driven in a linear region, and the detection unit detects an anode voltage of the display element.
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、高精細で高い画質の画像表示装置を実現することが可能となる。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
According to the present invention, a high-definition and high-quality image display apparatus can be realized.
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［本発明の基本となる画素の等価回路］
図１は、本発明の基本となる画素を説明するため図である。
図１（ａ）は、本発明の前提となる画素の等価回路を示す回路図であるが、図１（ａ）は、最も一般的な電圧プログラム方式の画素である。
図１（ａ）に示す画素１には、信号線１２、セレクトスイッチ線Ｙ、および電源線６がそれぞれ入力される。
各画素１には、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）２が設けられている。
有機ＥＬ素子２のカソード電極は共通接地線に接続され、アノード電極は、ｐ型薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴという。）４を介して電源線６に接続される。
また、駆動ＴＦＴ４のゲート電極とソース電極との間には、保持容量素子３が接続される。さらに、駆動ＴＦＴ４のゲート電極は、ｎ型薄膜トランジスタで構成されるセレクトスイッチ素子３２を介して信号線１２に接続される。
なお、セレクトスイッチ素子３２のゲート電極は、セレクトスイッチ線Ｙに接続される。
図１（ａ）に示す画素は、図１２、図１３の画素とは異なり、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキを抑制する機能はついていない。
そのため、図１（ｂ）に示すような、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの差が、有機ＥＬ素子２に流れる電流に反映されるため、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが、そのまま有機ＥＬ素子２の輝度に影響を与える。
また、図１（ｃ）のように、有機ＥＬ素子２の特性が劣化した場合、劣化した部分の動作点が移動するため、図１（ｄ）のＡに示すような焼付きとして現れる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanation thereof is omitted.
[Equivalent circuit of a pixel as a basis of the present invention]
FIG. 1 is a diagram for explaining a pixel which is a basis of the present invention.
FIG. 1A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a pixel which is a premise of the present invention, and FIG. 1A is the most common voltage programming type pixel.
A
Each
The cathode electrode of the
Further, the
The gate electrode of the
Unlike the pixels shown in FIGS. 12 and 13, the pixel shown in FIG. 1A does not have a function of suppressing variation in the threshold voltage Vth of the driving
Therefore, as shown in FIG. 1B, the difference in threshold voltage Vth of the driving
Further, as shown in FIG. 1C, when the characteristics of the
［実施例１］
図２は、本発明の実施例１の有機ＥＬ表示装置を説明するための図である。
図２（ａ）は、本発明の実施例１の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。なお、実際には画素１は、有機ＥＬ表示パネルの表示領域内に多数個配置されるが、図２（ａ）では、１画素のみを記載してある。
本実施例では、図２（ａ）に示すように、電源線６に電流源３３を接続し、検出期間内に、画素１に電流源３３から定電流を流し、その時の駆動ＴＦＴ４のソース電極の電圧（以下、ソース電圧ともいう。）を検出部ＤＥＴで検出し、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈを算出する。
検出部ＤＥＴは、バッファ回路ＢＡと、ローパスフィルタＬＰＦと、Ａ／Ｄ変換器ＡＤＣとから構成される。
本実施例では、セレクトスイッチ素子３２をオンにし、信号線１２から駆動ＴＦＴ４のゲート電極にゲート電圧を与えた状態において、駆動ＴＦＴ４のソース電極の電圧を検出する。
信号線１２に与える電圧から駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの絶対値を引いた値であるオーバードライブ電圧に対して、駆動ＴＦＴ４のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓが充分に確保できる条件では、駆動ＴＦＴ４は、飽和領域を保つ。
そのため、駆動ＴＦＴ４のＴＦＴ特性は、図２（ｂ）中のＴＦＴ特性１＿１となり、検出電圧（ソース電圧）と信号線１２に与える電圧（ゲート電圧）から、図２（ｃ）に示すような、電流源３３から定電流を駆動ＴＦＴ４に流した時の駆動ＴＦＴ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを求めることができる。
このゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、駆動ＴＦＴ４の持つ閾値電圧Ｖｔｈのバラツキに対応するため、この検出電圧から駆動ＴＦＴ４のバラツキを算出することができる。
[Example 1]
FIG. 2 is a diagram for explaining the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 2A is a diagram illustrating a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. In practice, a large number of
In this embodiment, as shown in FIG. 2A, a
The detection unit DET includes a buffer circuit BA, a low-pass filter LPF, and an A / D converter ADC.
In the present embodiment, the voltage of the source electrode of the driving
Under the condition that the source-drain voltage Vds of the driving
Therefore, the TFT characteristic of the driving
Since the gate-source voltage Vgs corresponds to the variation of the threshold voltage Vth of the
信号線１２に与える電圧から駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの絶対値を引いた値であるオーバードライブ電圧に対して、駆動ＴＦＴ４のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓが充分に確保しない条件では、駆動ＴＦＴ４は、線形領域で駆動する。
そのため、駆動ＴＦＴ４のＴＦＴ特性は、図２（ｂ）中のＴＦＴ特性１＿２となり、アナログスイッチとしての機能を果たすため、電流源３３から定電流を有機ＥＬ素子２に流した時に、有機ＥＬ素子２のアノード電圧をモニターすることができる。
これにより、有機ＥＬ素子２の経時変化などをモニターすることができるため、図１（ｄ）のＡに示すような焼付きなどを判定することができる。
また、駆動ＴＦＴを飽和領域を保ちながら検出動作を実行する場合は、検出経路が、駆動ＴＦＴ４のソース電極と接続されているため、検出経路のインピーダンスが下がり、検出スピードが速く、低ノイズ経路となる。
したがって、図２（ａ）に示すローパスフィルタＬＰＦの持つカットオフ周波数は、広帯域に設定できるので、検出経路をＬＳＩ化した場合など、ローパスフィルタＬＰＦを形成する抵抗Ｒと容量素子Ｃの面積を小さく実現できるので、コストダウンを図ることができる。
Under the condition that the source-drain voltage Vds of the driving
Therefore, the TFT characteristic of the driving
Thereby, since the change with time of the
In addition, when the detection operation is performed while maintaining the saturation region of the driving TFT, the detection path is connected to the source electrode of the driving
Therefore, since the cut-off frequency of the low-pass filter LPF shown in FIG. 2A can be set in a wide band, the area of the resistor R and the capacitive element C forming the low-pass filter LPF can be reduced, for example, when the detection path is implemented as an LSI. Since this can be realized, the cost can be reduced.
図３は、本発明の実施例１の有機ＥＬ表示装置の変形例を説明するための図である。
図３に示す変形例では、各電源線６に接続される３３−１と３３−２の２つの電流源を用意し、ｎ型薄膜トランジスタから構成される電流源選択スイッチ素子（５０−１，５０−２）により、１−１，１−２の画素に流す定電流を、電流源（３３−１）からの定電流と、電流源（３３−２）の定電流に切り替え、また、ｎ型薄膜トランジスタから構成される画素選択スイッチ素子（５２−１，５２−２）により、電流源（３３−１）あるいは電流源（３３−２）からの定電流が供給される電源線６を選択して、画素列を選択する。
なお、電流源選択スイッチ素子（５０−１，５０−２）のゲート電極は、それぞれ電流源選択線（５１−１，５１−２）に接続され、画素選択スイッチ素子（５２−１，５２−２）のゲート電極は、それぞれ画素選択線（５３−１，５３−２）に接続される。
駆動ＴＦＴ４を飽和領域で駆動させるとき、電流源の電流値をＩｏｌｅｄ、検出部ＤＥＴで検出された駆動ＴＦＴ４のソース電圧をＶ＊（以下、単に、検出電圧Ｖ＊という）とすると、下記（１）式のように表すことができる。
Ｉｏｌｅｄ＝（１／２）・μ・Ｃｏｘ・（Ｗ／Ｌ）・（Ｖ＊−Ｖｇ−（−Ｖｔｈ））２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （１）
検出電圧Ｖ＊は、下記（２）式のように変形することができる。
Ｖ＊＝Ｖｇ−Ｖｔｈ−√［２・Ｉｏｌｅｄ・（１／｛μ・Ｃｏｘ・（Ｗ／Ｌ）｝］
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （２）
この（２）式において、バラツキの要因は、閾値電圧Ｖｔｈと、移動度μであり、移動度バラツキも含まれるため、移動度のバラツキを含んだ検出値となり、検出精度が低下する。
FIG. 3 is a diagram for explaining a modification of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
In the modification shown in FIG. 3, two current sources 33-1 and 33-2 connected to each
The gate electrodes of the current source selection switch elements (50-1, 50-2) are connected to the current source selection lines (51-1, 51-2), respectively, and the pixel selection switch elements (52-1, 52-). The gate electrodes of 2) are connected to the pixel selection lines (53-1, 53-2), respectively.
When the driving
Ioled = (1/2) · μ · Cox · (W / L) · (V * −Vg − (− Vth)) 2
... (1)
The detection voltage V * can be modified as shown in the following equation (2).
V * = Vg−Vth−√ [2 · Ioled · (1 / {μ · Cox · (W / L)}]
(2)
In this equation (2), the factors of the variation are the threshold voltage Vth and the mobility μ, and the mobility variation is also included. Therefore, the detection value includes the mobility variation, and the detection accuracy decreases.
そこで、図３（ａ）に示すように、電流源３３−１の電流値を『Ｉｏｌｅｄ１』、電流源３３−２の電流値を『Ｉｏｌｅｄ２』に設定し、駆動ＴＦＴ４のゲート電圧を『Ｖｇ』に設定した状態で、駆動ＴＦＴ４のソース電圧を検出する。
まず、閾値電圧と移動度がそれぞれ、Ｖｔｈ１とμ１である画素について、電流源３３−１の電流値Ｉｏｌｅｄ１を用いた時の検出電圧がＶ１１である場合、下記（３）式で表すことができ、同様に、電流源３３−２の電流値Ｉｏｌｅｄ２を用いた時の検出電圧がＶ１２である場合、下記（４）式で表すことができる。
Ｖ１１＝Ｖｇ−Ｖｔｈ１−√［２・Ｉｏｌｅｄ１・（１／｛μ１・Ｃｏｘ・（Ｗ／Ｌ）｝］
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （３）
Ｖ１２＝Ｖｇ−Ｖｔｈ１−√［２・Ｉｏｌｅｄ２・（１／｛μ１・Ｃｏｘ・（Ｗ／Ｌ）｝］
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （４）
Ｋ＝√（Ｉｏｌｅｄ１／Ｉｏｌｅｄ２）として、（３）、（４）式を解くと、下記（５）式が得られる。
Ｖｔｈ１＝｛（Ｖ１１−Ｖｇ）−Ｋ・（Ｖ１２−Ｖｇ）｝／（Ｋ−１）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （５）
Therefore, as shown in FIG. 3A, the current value of the current source 33-1 is set to “Ioled1”, the current value of the current source 33-2 is set to “Ioled2”, and the gate voltage of the driving
First, for a pixel whose threshold voltage and mobility are Vth1 and μ1, respectively, when the detected voltage when using the current value Ioled1 of the current source 33-1 is V11, it can be expressed by the following equation (3). Similarly, when the detected voltage when the current value Ioled2 of the current source 33-2 is used is V12, it can be expressed by the following equation (4).
V11 = Vg−Vth1−√ [2 · Ioled1 · (1 / {μ1 · Cox · (W / L)}]
(3)
V12 = Vg−Vth1−√ [2 · Ioled2 · (1 / {μ1 · Cox · (W / L)}]
(4)
Solving equations (3) and (4) as K = √ (Ioled1 / Ioled2), the following equation (5) is obtained.
Vth1 = {(V11−Vg) −K · (V12−Vg)} / (K−1)
(5)
同様に、閾値電圧と移動度が、それぞれＶｔｈ２とμ２である画素について、電流源３３−１の電流値Ｉｏｌｅｄ１を用いた時の検出電圧がＶ２１である場合、下記（６）式で表すことができ、同様に、電流源３３−２の電流値Ｉｏｌｅｄ２を用いた時の検出電圧がＶ２２である場合、下記（７）式で表すことができる。
また、（６）、（７）式から閾値電圧Ｖｔｈ２を求めると、下記（８）式となる。
Ｖ２１＝Ｖｇ−Ｖｔｈ２−√［２・Ｉｏｌｅｄ１・（１／｛μ２・Ｃｏｘ・（Ｗ／Ｌ）｝］
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （６）
Ｖ２２＝Ｖｇ−Ｖｔｈ２−√［２・Ｉｏｌｅｄ２・（１／｛μ２・Ｃｏｘ・（Ｗ／Ｌ）｝］
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （７）
Ｖｔｈ２＝｛（Ｖ２１−Ｖｇ）−Ｋ・（Ｖ２２−Ｖｇ）｝／（Ｋ−１）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （８）
（５）式と（８）式から分かるように、２種類の電流源を設定するとこで、移動度のバラツキに影響を受けない状態で閾値電圧Ｖｔｈを検出することができる。
また、（５）式〜（８）式より、下記（９）式となる。
Ｖｔｈ１−Ｖｔｈ２＝｛Ｋ・（Ｖ２２−Ｖ１２）｝−（Ｖ２１−Ｖ１１）｝／（Ｋ−１）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （９）
Similarly, for a pixel whose threshold voltage and mobility are Vth2 and μ2, respectively, when the detected voltage when using the current value Ioled1 of the current source 33-1 is V21, it can be expressed by the following equation (6). Similarly, when the detected voltage when the current value Ioled2 of the current source 33-2 is used is V22, it can be expressed by the following equation (7).
Further, when the threshold voltage Vth2 is obtained from the equations (6) and (7), the following equation (8) is obtained.
V21 = Vg-Vth2-√ [2 · Ioled1 · (1 / {μ2 · Cox · (W / L)}]
(6)
V22 = Vg−Vth2-√ [2 · Ioled2 · (1 / {μ2 · Cox · (W / L)}]
(7)
Vth2 = {(V21−Vg) −K · (V22−Vg)} / (K−1)
(8)
As can be seen from the equations (5) and (8), by setting two types of current sources, the threshold voltage Vth can be detected without being affected by variations in mobility.
Moreover, from the formulas (5) to (8), the following formula (9) is obtained.
Vth1−Vth2 = {K · (V22−V12)} − (V21−V11)} / (K−1)
(9)
このように、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈは、検出電圧、駆動ＴＦＴ４のゲート電圧Ｖｇ、および、電流源３３−１の電流値Ｉｏｌｅｄ１と電流源３３−２の電流値Ｉｏｌｅｄ２との電流比で検出することができる。
ここで、（Ｉｏｌｅｄ１／Ｉｏｌｅｄ２）＝４に設定すると、Ｋ＝２より、前述の（５）、（８）式は、（１０）、（１１）式のようになる。
Ｖｔｈ１＝｛（Ｖ１１−Ｖｇ）−２・（Ｖ１２−Ｖｇ）｝
・・・・・・・・・・・・・・・・・ （１０）
Ｖｔｈ２＝｛（Ｖ２１−Ｖｇ）−２・（Ｖ２２−Ｖｇ）｝
・・・・・・・・・・・・・・・・・ （１１）
また、隣接画素間の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの差の電圧を求めた場合には、検出電圧、および、電流源３３−１の電流値Ｉｏｌｅｄ１と電流源３３−２の電流値Ｉｏｌｅｄ２との電流比で、閾値電圧Ｖｔｈのバラツキを検出することができる。
ここで、（Ｉｏｌｅｄ１／Ｉｏｌｅｄ２）＝４に設定すると、Ｋ＝２より、前述の（９）式は、（１２）式のようになる。
Ｖｔｈ１−Ｖｔｈ２＝（２Ｖ２２−Ｖ２１）−（２Ｖ１２−Ｖ１１）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （１２）
As described above, the threshold voltage Vth of the driving
If (Ioled1 / Ioled2) = 4 is set here, the above equations (5) and (8) are changed to equations (10) and (11) from K = 2.
Vth1 = {(V11−Vg) −2 · (V12−Vg)}
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (10)
Vth2 = {(V21−Vg) −2 · (V22−Vg)}
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (11)
Further, when the voltage of the difference between the threshold voltages Vth of the driving
Here, when (Ioled1 / Ioled2) = 4 is set, the equation (9) is changed to the equation (12) from K = 2.
Vth1-Vth2 = (2V22-V21)-(2V12-V11)
... (12)
ここで、Ｖ１１、Ｖ１２、Ｖ２１、Ｖ２２の各検出値をＡ／Ｄ変換したとき、２Ｖ１２、２Ｖ２２のデジタル値は、Ｖ１２、Ｖ２２の各検出値をＡ／Ｄ変換したデジタル値の１ビットシフトの簡単な計算で得ることができる。
したがって、閾値電圧Ｖｔｈ２と閾値電圧Ｖｔｈ１の差の電圧の情報は、簡単な計算で検出することができる。
今、仮に、隣接する画素の閾値電圧Ｖｔｈ２と閾値電圧Ｖｔｈ１の差の電圧の情報が、図４のＡに示す状態であるとする。
この場合、図４のＡにおいて、最も左にある画素の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈを基準にして、その差分値を加算していくと、図４のＢに示すように、基準の閾値電圧Ｖｔｈに対する、各画素の駆動ＴＦＴ４毎の駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈの差を求めることができる。
そこで、図４のＢの状態において、最低となる閾値電圧ＶｔＨを基準にして、各画素の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈを補正することにより、各画素の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈを揃えることが可能となる。
Here, when the detected values of V11, V12, V21, and V22 are A / D converted, the digital values of 2V12 and 2V22 are 1-bit shifts of the digital values obtained by A / D converting the detected values of V12 and V22. It can be obtained with a simple calculation.
Therefore, information on the voltage difference between the threshold voltage Vth2 and the threshold voltage Vth1 can be detected by simple calculation.
Now, it is assumed that information on the voltage difference between the threshold voltage Vth2 and the threshold voltage Vth1 of adjacent pixels is in the state shown in FIG.
In this case, in FIG. 4A, when the difference value is added with reference to the threshold voltage Vth of the
Therefore, in the state of FIG. 4B, the threshold voltage Vth of the driving
図３（ｂ）は、前述の動作を実現するためのタイムチャートである。
図３（ｂ）の期間Ｔ１に、電流源選択線５１−１がＨｉｇｈレベル（以下、単に、Ｈレベルという）、電流源選択線５１−２がＬｏｗレベル（以下、単に、Ｌレベルという）となり、電流源選択スイッチ素子５０−１がオン、電流源選択スイッチ素子５０−２がオフとなる。
また、この期間内の期間Ｔ２に、画素選択線５３−１がＨレベル、画素選択線５３−２がＬレベルとなり、画素選択スイッチ素子５２−１がオン、画素選択スイッチ素子５２−２がオフとなる。したがって、この期間Ｔ２内に、電流源３３−１の電流値Ｉｏｌｅｄ１を用いたときの、画素１−１の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ１１を検出することができる。
さらに、この期間内の期間Ｔ３に、画素選択線５３−１がＬレベル、画素選択線５３−２がＨレベルとなり、画素選択スイッチ素子５２−１がオフ、画素選択スイッチ素子５２−２がオンとなる。したがって、この期間Ｔ３内に、電流源３３−１の電流値Ｉｏｌｅｄ１を用いたときの、画素１−２の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ２１を検出することができる。
次に、図３（ｂ）の期間Ｔ４に、電流源選択線５１−１がＬレベル、電流源選択線５１−２がＨレベルとなり、電流源選択スイッチ素子５０−１がオフ、電流源選択スイッチ素子５０−２がオンとなる。
また、この期間内の期間Ｔ５に、画素選択線５３−１がＨレベル、画素選択線５３−２がＬレベルとなり、画素選択スイッチ素子５２−１がオン、画素選択スイッチ素子５２−２がオフとなる。したがって、この期間Ｔ５内に、電流源３３−２の電流値Ｉｏｌｅｄ２を用いたときの、画素１−１の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ１２を検出することができる。
さらに、この期間内の期間Ｔ６に、画素選択線５３−１がＬレベル、画素選択線５３−２がＨレベルとなり、画素選択スイッチ素子５２−１がオフ、画素選択スイッチ素子５２−２がオンとなる。したがって、この期間Ｔ６内に、電流源３３−２の電流値Ｉｏｌｅｄ２を用いたときの、画素１−２の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ２２を検出することができる。
FIG. 3B is a time chart for realizing the above-described operation.
In the period T1 of FIG. 3B, the current source selection line 51-1 is at a high level (hereinafter simply referred to as H level), and the current source selection line 51-2 is at a low level (hereinafter simply referred to as L level). The current source selection switch element 50-1 is turned on and the current source selection switch element 50-2 is turned off.
Also, during the period T2 within this period, the pixel selection line 53-1 is at the H level and the pixel selection line 53-2 is at the L level, the pixel selection switch element 52-1 is on, and the pixel selection switch element 52-2 is off. It becomes. Accordingly, it is possible to detect the source voltage V11 of the driving
Further, in the period T3 within this period, the pixel selection line 53-1 becomes L level and the pixel selection line 53-2 becomes H level, the pixel selection switch element 52-1 is turned off, and the pixel selection switch element 52-2 is turned on. It becomes. Therefore, it is possible to detect the source voltage V21 of the
Next, in the period T4 of FIG. 3B, the current source selection line 51-1 is at L level and the current source selection line 51-2 is at H level, the current source selection switch element 50-1 is turned off, and the current source is selected. The switch element 50-2 is turned on.
Further, in the period T5 within this period, the pixel selection line 53-1 becomes H level, the pixel selection line 53-2 becomes L level, the pixel selection switch element 52-1 is turned on, and the pixel selection switch element 52-2 is turned off. It becomes. Therefore, it is possible to detect the source voltage V12 of the
Further, in the period T6 within this period, the pixel selection line 53-1 becomes L level and the pixel selection line 53-2 becomes H level, the pixel selection switch element 52-1 is turned off, and the pixel selection switch element 52-2 is turned on. It becomes. Accordingly, it is possible to detect the source voltage V22 of the driving
図５Ａ、図５Ｂは、本発明の実施例１の有機ＥＬ表示装置の変形例の全体構成を説明するための図である。
図５Ａでは、図３（ａ）に示す回路構成において、信号線（１２−１，１２−２）にリファレンス電圧Ｖｒｅｆを供給するリファレンス電圧選択スイッチ素子７０と、信号線（１２−１，１２−２）に、信号線駆動回路９から出力される画像電圧を供給する信号線選択スイッチ素子７２が設けられる。ここで、リファレンス電圧選択スイッチ素子７０のゲート電極は、リファレンス電圧選択線７１に接続され、信号線選択スイッチ素子７２のゲート電極は、信号線選択線７３に接続される。
また、各電源線６には、スイッチ素子ＳＷ１を介して、検出動作を行わない表示期間中に表示用のＶＤＤの電圧が供給される。スイッチ素子ＳＷ１は、電源制御線Ｖｓｗにより制御される。また、図５Ａに示すように、セレクトスイッチ線（Ｙ１，Ｙ２）は、走査線駆動回路８に接続される。
さらに、検出部ＤＥＴのＡ／Ｄ変換器ＡＤＣから出力されるデジタル値（Ｖ１１、Ｖ１２、Ｖ２１、Ｖ２２の検出電圧をＡ／Ｄ変換したデジタル値）は、演算部６０に入力される。演算部６０は、入力された検出電圧から 閾値電圧Ｖｔｈ、または、隣接画素間の閾値電圧Ｖｔｈの差電圧を演算し、当該情報はメモリ６１に格納される。補正信号生成部６２は、このメモリ６１に格納された情報に基づき、補正データＶｈｏを生成する。この補正信号生成部６２から出力される補正データＶｈｏは、入力表示データＶｉｎに加算される。
図５Ｂでは、図５Ａに示す構成において、セレクトスイッチ線（Ｙ１，Ｙ２）と走査線駆動回路８の間に、選択スイッチ８１_１、８１_２が設けられ、セレクトスイッチ線（Ｙ１，Ｙ２）と画素行選択回路８０の間に、選択スイッチ８２_１、８２_２が設けられ、さらに、選択スイッチ８１_１、８１_２もしくは、選択スイッチ８２_１、８２_２のどちらか一方をオンするために、選択スイッチ８１_１、８１_２、８２_１、８２_２のゲート電極に選択回路制御線８３が接続される。
5A and 5B are diagrams for explaining the overall configuration of a modification of the organic EL display device according to
5A, in the circuit configuration shown in FIG. 3A, the reference voltage
Further, the
Further, the digital value (digital value obtained by A / D converting the detected voltages of V11, V12, V21, and V22) output from the A / D converter ADC of the detection unit DET is input to the
5B, in the configuration shown in FIG. 5A, selection switches 81_1 and 81_2 are provided between the select switch line (Y1, Y2) and the scanning
図６Ａは、図５Ａに示す有機ＥＬ表示装置の動作を説明させるためのタイムチャートである。
図５Ａに示すように、実際の有機ＥＬ表示パネルでは、画素は水平方向と垂直方向の複数の画素のマトリクスで構成されるので、図６Ａのタイムチャートに示すように、各検出動作を行う前に、プレ動作を導入する。
Ｔ１の期間（画素１−Ａのプレ動作）には、Ｙ１とＹ２のセレクトスイッチ線にＨレベルの走査電圧が供給されるので、１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃ，１−Ｄの各画素のセレクトスイッチ素子３２がオンとなる。
また、この期間Ｔ１には、電流源選択線５１−１がＨレベル、電流源選択線５１−２がＬレベルとなるので、電流源選択スイッチ素子５０−１がオン、電流源選択スイッチ素子５０−２がオフとなる。また、画素選択線（５３−１，５３−２）がともにＨレベルとなるので、画素選択スイッチ素子（５２−１，５２−２）がともにオンとなる。
したがって、この期間Ｔ１には、電流源３３−１から、例えば、Ｉｏｌｅｄ１の定電流が全ての電源線６に供給される。
また、この期間Ｔ１には、リファレンス電圧選択線７１がＨレベル、信号線選択線７３がＬレベルとなるので、リファレンス電圧選択スイッチ素子７０がオン、信号線選択スイッチ素子７２がオフとなる。また、リファレンス電圧ＶｒｅｆとしてＶ１の制御電圧が供給されている。したがって、信号線（１２−１，１２−２）には、Ｖ１の制御電圧が供給される。
したがって、１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃ，１−Ｄの各画素の駆動ＴＦＴ４のゲート電極には、Ｖ１の制御電圧が入力されるので、１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃ，１−Ｄの各画素の駆動ＴＦＴ４はオフとなる。なお、図６Ａにおいて、１−Ａ−ＧＶないし１−Ｄ−ＧＶは、１−Ａないし１−Ｄの画素の駆動ＴＦＴ４のゲート電極の電圧を示す。
FIG. 6A is a time chart for explaining the operation of the organic EL display device shown in FIG. 5A.
As shown in FIG. 5A, in an actual organic EL display panel, a pixel is composed of a matrix of a plurality of pixels in the horizontal direction and the vertical direction. Therefore, as shown in the time chart of FIG. 6A, before each detection operation is performed. Introduce pre-operation.
In the period T1 (pre-operation of the pixel 1-A), since the H level scanning voltage is supplied to the Y1 and Y2 select switch lines, 1-A, 1-B, 1-C, 1-D. The
In this period T1, the current source selection line 51-1 is at the H level and the current source selection line 51-2 is at the L level, so that the current source selection switch element 50-1 is on and the current source selection switch element 50 is turned on. -2 is off. Further, since both the pixel selection lines (53-1, 53-2) are at the H level, both the pixel selection switch elements (52-1, 52-2) are turned on.
Therefore, for example, a constant current of Ioled1 is supplied to all the
In this period T1, the reference
Therefore, since the control voltage of V1 is input to the gate electrode of the driving
図６Ｂは、図５Ｂに示す有機ＥＬ表示装置の動作を説明させるためのタイムチャートである。
１フレームは、表示を行うための書き込み／発光期間と検出期間に分割される。
検出期間では、画素の駆動ＴＦＴ４のソース電極に対して、表示用のＶＤＤの電圧を切り離し、検出用の電流源を接続するため、電流源選択線５１がＨレベルとして、電流源選択スイッチ５０をオンにし、電源制御線Ｖｓｗを用いて、電源制御スイッチをオフとする。
書き込み／発光を行う表示においては、走査線駆動回路８を用い、検出においては、画素行選択回路８０を用いるため、選択回路制御線８３をＨレベルからＬレベルにし、選択スイッチ８１_１、８１_２をオフにし、８２_１、８２_２をオンにする。
検出期間において、まず、Ｙ１のセレクトスイッチ線とＹ２のセレクトスイッチ線にＨレベルが与えられるので、１−Ａ，１−Ｂ、１−Ｃ，１−Ｄの各画素のセレクトスイッチ素子３２がオンとし、この状態で、リファレンス電圧選択線７１にＨレベル、信号線選択線７３にＬレベルが与えることで、リファレンス電圧Ｖｒｅｆを１−Ａ，１−Ｂ、１−Ｃ，１−Ｄの駆動ＴＦＴが全てオフするような電圧Ｖ１を入力する。
次に、Ｙ２のセレクトスイッチ線にＬレベルが与え、１−Ａ，１−Ｂのセレクトスイッチ素子３２をオンし、１−Ｃ，１−Ｄのセレクトスイッチ素子３２をオフの状態にする。この状態で、リファレンス電圧選択線７１にＬレベル、信号線選択線７３にＨレベルが与えることで、信号線駆動回路９から、Ｖ２の制御電圧が供給されるので、信号線（１２−１，１２−２）には、Ｖ０もしくはＶ１の制御電圧が供給される。信号線１２−１にＶ０、信号線１２−２にＶ１を与えた場合には、画素１−Ａの特性が検出され、信号線１２−１にＶ１、信号線１２−２にＶ０を与えた場合には、画素１−Ｂの特性が検出される。
これにより、画素は、２つのＴＦＴ、１本の水平線という構成を保った状態で、１フレーム内に表示と検出の機能を持たせることができるため。高精細を維持することが可能となる。
FIG. 6B is a time chart for explaining the operation of the organic EL display device shown in FIG. 5B.
One frame is divided into a writing / light emitting period for display and a detection period.
In the detection period, the voltage of the display VDD is disconnected from the source electrode of the
In the display in which writing / light emission is performed, the scanning
In the detection period, first, since the H level is applied to the Y1 select switch line and the Y2 select switch line, the
Next, an L level is applied to the Y2 select switch line, the 1-A and 1-B
This allows the pixel to have a display and detection function in one frame while maintaining the configuration of two TFTs and one horizontal line. High definition can be maintained.
次の期間Ｔ２には、Ｙ２のセレクトスイッチ線にＬレベルの走査電圧が供給されるので、１−Ｃと１−Ｄの画素のセレクトスイッチ素子３２がオフとなる。
また、この期間Ｔ２には、リファレンス電圧選択線７１がＬレベル、信号線選択線７３がＨレベルとなるので、リファレンス電圧選択スイッチ素子７０がオフ、信号線選択スイッチ素子７２がオンとなる。また、この期間Ｔ２には、信号線駆動回路９から、Ｖ２の制御電圧が供給されるので、信号線（１２−１，１２−２）には、Ｖ２の制御電圧が供給される。
したがって、１−Ｃ，１−Ｄの各画素の駆動ＴＦＴ４のゲート電極は、Ｔ１の期間のＶ１の制御電圧を維持するので、１−Ｃ，１−Ｄの各画素の駆動ＴＦＴ４はオフとなる。一方、１−Ａ，１−Ｂの各画素の駆動ＴＦＴ４のゲート電極には、Ｖ２の制御電圧が入力されるので、１−Ａ，１−Ｂの各画素の駆動ＴＦＴ４はオンとなる。
さらに、この期間Ｔ２には、画素選択線５３−２が、Ｌレベルとなるので、画素選択スイッチ素子５２−２がオフとなる。したがって、１−Ｂ，１−Ｄの各画素の駆動ＴＦＴ４のソース電極が接続される電源線６は、フローティング状態となる。
したがって、この期間Ｔ２には、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４と有機ＥＬ素子２に、電流源３３−１から、例えば、Ｉｏｌｅｄ１の定電流が供給されるので、検出部ＤＥＴにおいて、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ１を検出する。
次の期間Ｔ３には、電流源選択線５１−１がＬレベル、電流源選択線５１−２がＨレベルとなるので、電流源選択スイッチ素子５０−１がオフ、電流源選択スイッチ素子５０−２がオンとなる。
したがって、この期間Ｔ３には、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４と有機ＥＬ素子２に、電流源３３−２から、例えば、Ｉｏｌｅｄ２の定電流が供給されるので、検出部ＤＥＴにおいて、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ２を検出する。
In the next period T2, since the L level scanning voltage is supplied to the Y2 select switch line, the
In this period T2, the reference
Therefore, since the gate electrode of the driving
Further, during this period T2, the pixel selection line 53-2 is at the L level, so that the pixel selection switch element 52-2 is turned off. Therefore, the
Accordingly, during this period T2, for example, a constant current of Ioled1 is supplied from the current source 33-1 to the driving
In the next period T3, since the current source selection line 51-1 is at L level and the current source selection line 51-2 is at H level, the current source selection switch element 50-1 is turned off and the current source selection switch element 50- 2 is turned on.
Therefore, during this period T3, for example, a constant current of Ioled2 is supplied from the current source 33-2 to the driving
以下、期間Ｔ５、Ｔ６において、画素選択スイッチ素子５２−１をオフ、画素選択スイッチ素子５２−２をオンとして、前述と同様の処理を実行することにより、１−Ｂの画素の駆動ＴＦＴ４と有機ＥＬ素子２に、Ｉｏｌｅｄ１と、Ｉｏｌｅｄ２の定電流を供給したときの、１−Ｂの画素の駆動トランジスタのソース電圧（Ｖ１，Ｖ２）を検出部ＤＥＴで検出する。
また、期間Ｔ７，Ｔ８、Ｔ１１，Ｔ１２において、１−Ａと１−Ｂの画素のセレクトスイッチ素子３２をオフ、１−Ｃと１−Ｄの画素のセレクトスイッチ素子３２がオンとして、前述と同様の処理を実行することにより、１−Ｃと１−Ｄの画素の駆動ＴＦＴ４と有機ＥＬ素子２に、Ｉｏｌｅｄ１と、Ｉｏｌｅｄ２の定電流を供給したときの、１−Ｃと１−Ｄの画素の駆動トランジスタのソース電圧（Ｖ１，Ｖ２）を検出部ＤＥＴで検出する。
ここで、検出動作を行わない表示期間中は、画素選択スイッチ素子（５２−１，５２−２）をオフとして、電源線６から電流源（３３−１，３３−２）を切り離す。また、スイッチ素子ＳＷ１をオンとして、電源線６には、表示用のＶＤＤの電圧を供給する。逆に、検出期間中は、スイッチ素子ＳＷ１をオフとすることで、表示用のＶＤＤの電圧を電源線６から切り離す。
演算部６０で演算された閾値電圧Ｖｔｈ、または、隣接画素間の閾値電圧Ｖｔｈの差電圧の情報は、メモリ６１に格納される。補正信号生成部６２は、メモリ６１に格納された情報に基づき、補正データＶｈｏを生成し、入力表示データＶｉｎとを加算し、その加算したデータを、信号線駆動回路９に入力する。
Thereafter, in the periods T5 and T6, the pixel selection switch element 52-1 is turned off, the pixel selection switch element 52-2 is turned on, and the same processing as described above is performed, so that the driving
Further, in the periods T7, T8, T11, and T12, the
Here, during a display period in which the detection operation is not performed, the pixel selection switch elements (52-1, 52-2) are turned off, and the current sources (33-1, 33-2) are disconnected from the
Information on the threshold voltage Vth calculated by the
［実施例２］
図７は、本発明の実施例２の有機ＥＬ表示装置を説明するための図である。
本実施例は、駆動ＴＦＴ４として、ｎ型薄膜トランジスタを使用する実施例である。そのため、本実施例では、図７（ａ）に示すように、駆動ＴＦＴ４のドレイン電極が電源線６に接続され、駆動ＴＦＴ４のソース電極が、点灯スイッチ素子２０を介して有機ＥＬ素子２のアノード電極に接続される。
また、本実施例では、電流源３３は、電流供給線１３に接続され、電流供給線１３と駆動ＴＦＴ４のソース電極との間に、検出スイッチ素子２２が接続される。
なお、点灯スイッチ素子２０のゲート電極は、点灯スイッチ線２１に接続され、検出スイッチ素子２２のゲート電極は、検出スイッチ線２３に接続される。
図７（ａ）に示す本実施例では、セレクトスイッチ素子３２と検出スイッチ素子２２をオンにし、点灯スイッチ素子２０をオフにした状態で、信号線１２から駆動ＴＦＴ４のゲート電極にＶｇの制御電圧を与えた状態において、駆動ＴＦＴ４→検出スイッチ素子２２→電流供給線１３→電流源３３の経路で、駆動ＴＦＴ４に定電流を流し、駆動ＴＦＴ４のソース電圧を検出する。
なお、検出するソース電圧が充分に低く、有機ＥＬ素子２のアノード・カソード間の電圧が充分に低い場合であれば、有機ＥＬ素子２には電流は流れないため、図７（ｂ）に示すように、点灯スイッチ素子２０と点灯スイッチ線２１は省略可能である。
[Example 2]
FIG. 7 is a diagram for explaining an organic EL display device according to Example 2 of the present invention.
In the present embodiment, an n-type thin film transistor is used as the driving
In this embodiment, the
The gate electrode of the
In this embodiment shown in FIG. 7A, the control voltage of Vg is applied from the
If the detected source voltage is sufficiently low and the voltage between the anode and the cathode of the
また、実施例１と同様に、信号線１２に与える電圧から駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの絶対値を引いた値であるオーバードライブ電圧に対して、駆動ＴＦＴ４のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓが充分に確保できる条件では、駆動ＴＦＴ４は、飽和領域を保つ。
そのため、検出電圧（ソース電圧）と信号線１２に与える電圧（ゲート電圧）から、図８に示すような、電流源３３から定電流を駆動ＴＦＴ４に流した時の駆動ＴＦＴ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを求めることができる。
この駆動ＴＦＴのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキに対応するため、この検出電圧から駆動ＴＦＴ４のバラツキを算出することができる。
本実施例においても、駆動ＴＦＴ４を飽和領域を保ちながら駆動し、駆動ＴＦＴ４のソース電圧を検出する場合は、検出経路が駆動ＴＦＴ４のソース電極と接続されているため、検出経路のインピーダンスが下がり、検出スピードが速く、低ノイズ経路となる。
したがって、検出部ＤＥＴのローパスフィルタＬＰＦのカットオフ周波数を広帯域に設定できるので、検出部ＤＥＴをＬＳＩ化した場合など、ローパスフィルタＬＰＦを形成する抵抗Ｒ、容量素子Ｃの面積を小さく実現できるので、コストダウンを図ることができる。
Similarly to the first embodiment, the source-drain voltage Vds of the driving
Therefore, the gate-source voltage of the driving
Since the gate-source voltage Vgs of the driving TFT corresponds to the variation of the threshold voltage Vth of the driving
Also in this embodiment, when the driving
Therefore, since the cut-off frequency of the low-pass filter LPF of the detection unit DET can be set in a wide band, the area of the resistor R and the capacitive element C that form the low-pass filter LPF can be reduced when the detection unit DET is implemented as an LSI. Cost can be reduced.
図９は、本発明の実施例２の有機ＥＬ表示装置の変形例を説明するための図である。
図９（ａ）に示す回路構成において、前述の実施例１の時と同様に、（Ｉｏｌｅｄ１／Ｉｏｌｅｄ２）＝４として、電流源３３−１の定電流値を『Ｉｏｌｅｄ１』、電流源３３−２の定電流値を『Ｉｏｌｅｄ２』に設定し、駆動ＴＦＴ４のゲート電圧を『Ｖｇ』に設定した状態で、前述の実施例１と同様の手順で、駆動ＴＦＴ４のソース電圧（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１、Ｖ２２）を検出することにより、駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈと、隣接する画素間の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの差の電圧を算出することができる。
特に、検出した検出電圧のデジタル値、ビットシフト演算のみにおいて、移動度バラツキの影響を受けないで、隣接画素の駆動ＴＦＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの差の電圧の算出が可能となる。図９（ｂ）は、以上の動作を実現するタイムチャートである。
FIG. 9 is a diagram for explaining a modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
In the circuit configuration shown in FIG. 9A, as in the case of the above-described first embodiment, (Ioled1 / Ioled2) = 4, the constant current value of the current source 33-1 is “Ioled1”, and the current source 33-2. The constant current value of the driving
In particular, it is possible to calculate the difference voltage between the threshold voltages Vth of the driving
図１０は、本発明の実施例２の有機ＥＬ表示装置の変形例の全体構成を説明するための図である。
図１０に示す回路の基本的な検出動作は、前述の実施例１と同じであるが、本実施例２では、検出スイッチ素子２２を用いることで、検出する画素を選択するため、実施例１の時のようにプレ動作を設ける必要はなく、検出動作を実行することができる。
また、各画素の駆動ＴＦＴ４のゲート電極には、全ての画素について、Ｖｇの制御電圧を与えれば良い。そのため、本実施例では、図５に示すリファレンス電圧選択スイッチ素子７０、リファレンス電圧選択線７１、信号線選択スイッチ素子７２、および信号線選択線７３は必要としない。
また、図１０に示す回路では、検出動作と、検出動作を行わない表示期間中の表示動作の両方の動作において、表示用のＶＤＤの電圧が必要となるので、ＶＤＤの電圧は常に供給する。
さらに、検出動作を行わない表示期間中は、画素選択スイッチ素子（５２−１，５２−２）をオフとして、電源線６から電流源（３３−１，３３−２）を切り離す。
本実施例において、セレクトスイッチ素子３２と点灯スイッチ素子２０とがオンした状態で有機ＥＬ素子２の発光動作点が決定する。つまり、駆動ＴＦＴ４がソースフォロア回路で動作することにより有機ＥＬ素子２が点灯する。
FIG. 10 is a diagram for explaining an overall configuration of a modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
The basic detection operation of the circuit shown in FIG. 10 is the same as that of the first embodiment. However, in the second embodiment, the
Further, a Vg control voltage may be applied to the gate electrode of the driving
Further, in the circuit shown in FIG. 10, since the display VDD voltage is required in both the detection operation and the display operation during the display period in which the detection operation is not performed, the VDD voltage is always supplied.
Further, during the display period when the detection operation is not performed, the pixel selection switch elements (52-1, 52-2) are turned off, and the current sources (33-1, 33-2) are disconnected from the
In the present embodiment, the light emitting operation point of the
図１１は、図１０に示す有機ＥＬ表示装置の動作を説明させるためのタイムチャートである。
Ｔ１の検出期間には、Ｙ１のセレクトスイッチ線にＨレベルの走査電圧、Ｙ２のセレクトスイッチ線にＬレベルの走査電圧が供給されるので、１−Ａ，１−Ｂの各画素のセレクトスイッチ素子３２がオン、１−Ｃ，１−Ｄの各画素のセレクトスイッチ素子３２がオフとなる。
また、この期間には、検出スイッチ線２３−１がＨレベル、検出スイッチ線２３−１がＬレベルとなるので、１−Ａ，１−Ｂの各画素の検出スイッチ素子２２がオン、１−Ｃ，１−Ｄの各画素の検出スイッチ素子２２がオフとなる。
さらに、検出期間（Ｔ１〜Ｔ８）には、点灯スイッチ線（２１−１，２１−２）がＬレベルとなるので、全ての画素の点灯スイッチ素子２０がオフとなる。また、信号線（１２−１，１２−２）には、信号線駆動回路９からＶｇの制御電圧が供給されている。
また、この期間Ｔ１には、電流源選択線５１−１がＨレベル、電流源選択線５１−２がＬレベルとなるので、電流源選択スイッチ素子５０−１がオン、電流源選択スイッチ素子５０−２がオフとなる。
また、画素選択線５３−１が、Ｈレベル、画素選択線５３−２が、Ｌレベルとなるので、画素選択スイッチ素子５２−１がオン、画素選択スイッチ素子５２−２がオフとなる。
したがって、１−Ａ，１−Ｃの画素の駆動ＴＦＴ４のソース電極は、電流源３３−１に接続され、１−Ｂ，１−Ｄの各画素の駆動ＴＦＴ４のソース電極は、フローティング状態となる。
したがって、この期間Ｔ１には、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４に、駆動ＴＦＴ４→点灯スイッチ素子２０→電流供給線１３→電流源３３−１の経路で、Ｉｏｌｅｄ１の定電流を流し、検出部ＤＥＴにおいて、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ１を検出する。
FIG. 11 is a time chart for explaining the operation of the organic EL display device shown in FIG.
In the detection period of T1, since the H level scanning voltage is supplied to the Y1 selection switch line and the L level scanning voltage is supplied to the Y2 selection switch line, the selection switch elements of the pixels 1-A and 1-B are supplied. 32 is turned on, and the
During this period, the detection switch line 23-1 is at the H level and the detection switch line 23-1 is at the L level, so that the
Furthermore, since the lighting switch lines (21-1, 21-2) are at the L level during the detection period (T1 to T8), the
In this period T1, the current source selection line 51-1 is at the H level and the current source selection line 51-2 is at the L level, so that the current source selection switch element 50-1 is on and the current source selection switch element 50 is turned on. -2 is off.
Further, since the pixel selection line 53-1 is at the H level and the pixel selection line 53-2 is at the L level, the pixel selection switch element 52-1 is turned on and the pixel selection switch element 52-2 is turned off.
Therefore, the source electrodes of the driving
Therefore, during this period T1, a constant current of Ioled1 is supplied to the driving
次の期間Ｔ２には、電流源選択線５１−１がＬレベル、電流源選択線５１−２がＨレベルとなるので、電流源選択スイッチ素子５０−１がオフ、電流源選択スイッチ素子５０−２がオンとなる。
したがって、この期間Ｔ２には、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４に、駆動ＴＦＴ４→点灯スイッチ素子２０→電流供給線１３→電流源３３−２の経路で、Ｉｏｌｅｄ２の定電流を流し、検出部ＤＥＴにおいて、１−Ａの画素の駆動ＴＦＴ４のソース電圧Ｖ２を検出する。
以下、期間Ｔ３、Ｔ４において、画素選択スイッチ素子５２−１をオフ、画素選択スイッチ素子５２−２をオンとして、前述と同様の処理を実行することにより、１−Ｂの画素の駆動ＴＦＴ４に、駆動ＴＦＴ４→点灯スイッチ素子２０→電流供給線１３→電流源（３３−１，３３−２）の経路で、Ｉｏｌｅｄ１と、Ｉｏｌｅｄ２の定電流を流したときの、１−Ｂの画素の駆動トランジスタのソース電圧（Ｖ１，Ｖ２）を、検出部ＤＥＴで検出する。
また、期間Ｔ５〜Ｔ８において、１−Ａと１−Ｂの画素のセレクトスイッチ素子３２と検出スイッチ素子２２とをオフ、１−Ｃと１−Ｄの画素のセレクトスイッチ素子３２と検出スイッチ素子２２とをオンとして、前述と同様の処理を実行することにより、１−Ｃと１−Ｄの画素の駆動ＴＦＴ４に、駆動ＴＦＴ４→点灯スイッチ素子２０→電流供給線１３→電流源３３−１の経路で、Ｉｏｌｅｄ１の定電流を流し、検出部ＤＥＴにおいて、１−Ｃ，１−Ｄの画素の駆動ＴＦＴ４のソース電圧（Ｖ１，Ｖ２）を検出する。
In the next period T2, since the current source selection line 51-1 is at L level and the current source selection line 51-2 is at H level, the current source selection switch element 50-1 is off, and the current source selection switch element 50- 2 is turned on.
Therefore, during this period T2, a constant current of Ioled2 is passed through the driving
Hereinafter, in the periods T3 and T4, the pixel selection switch element 52-1 is turned off, the pixel selection switch element 52-2 is turned on, and the same processing as described above is performed, so that the driving
Further, in the periods T5 to T8, the
なお、前述の各実施例において、２つの電流源（３３−１，３３−２）を使用する代わりに、１つの電流源を使用し、この１つの電流源の電流値を、Ｉｏｌｅｄ１と、Ｉｏｌｅｄ２の電流値に切り替えるようにしてもよい。
以上説明した本発明の画像表示装置を、図１６に示すモバイル用電子機器、テレビジョン、図１７に示すデジタル携帯端末（ＰＤＡ）、ビデオカメラなどに搭載することによって、動画において高画質な製品を実現することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
In each of the embodiments described above, instead of using the two current sources (33-1, 33-2), one current source is used, and the current values of the one current source are expressed as Ioled1 and Ioled2. You may make it switch to the current value of.
By mounting the above-described image display device of the present invention on a mobile electronic device, a television set shown in FIG. 16, a digital portable terminal (PDA) shown in FIG. Can be realized.
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.
１，１−１，１−２，１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃ，１−Ｄ 画素
２ 有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
３，３０ 保持容量素子
４ ｐ型薄膜トランジスタ（駆動ＴＦＴ）
５ リセットスイッチ素子
６ 電源線
７ リセット線
８ 走査線駆動回路
９ 信号線駆動回路
１２，１２−１，１２−２ 信号線
１３ 電流供給線
２０ 点灯スイッチ素子
２１，２１−１，２１−２ 点灯スイッチ線
２２ 検出スイッチ素子
２３，２３−１，２３−２ 検出スイッチ線
３２ セレクトスイッチ素子
３３，３３−１，３３−２ 電流源
５０−１，５０−２ 電流源選択スイッチ素子
５１−１，５１−２ 電流源選択線
５２−１，５２−２ 画素選択スイッチ素子
５３−１，５３−２ 画素選択線
６０ 演算部
６１，１０４，１０７ メモリ
６２ 補正信号生成部
７０ リファレンス電圧選択スイッチ素子
７１ リファレンス電圧選択線
７２ 信号線選択スイッチ素子
７３ 信号線選択線
８０ 画素行選択回路
１００ 有機ＥＬ表示パネル
１０１ ルックアップテーブル
１０２ Ｄ／Ａ変換器
１０３ 補正用オフセット発生回路
１０５ ＣＰＵ
１０６，ＡＤＣ Ａ／Ｄ変換器
Ｙ，Ｙ１，Ｙ２ セレクトスイッチ線
ＤＥＴ 検出部
ＩＶＣ 電流・電圧変換部
ＬＰＦ ローパスフィルタ
ＢＡ バッファ回路
ＳＷ１ スイッチ素子
1,1-1,1-2,1-A, 1-B, 1-C, 1-
3,30 Retention capacitance element 4 p-type thin film transistor (drive TFT)
DESCRIPTION OF
106, ADC A / D converter Y, Y1, Y2 Select switch line DET detector IVC Current / voltage converter LPF Low pass filter BA Buffer circuit SW1 Switch element
Claims (17)
前記各画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを有し、
前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動するｐ型薄膜トランジスタで構成された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有する画像表示装置であって、
前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧を検出し、
前記セレクトスイッチ素子のゲート電極は、第１の水平アドレス選択回路と第２の水平アドレス回路に接続されていることを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting an image voltage to each pixel;
A driving transistor composed of a p-type thin film transistor that drives the self-luminous element based on the input image voltage;
A storage capacitor connected between a source electrode and a gate electrode of the driving transistor;
A select switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a gate electrode of the drive transistor;
A current source for supplying a constant current to the driving transistor;
An image display device having a detection unit connected to a source electrode of the drive transistor of each pixel,
The current source is connected to a source electrode of the driving transistor;
The detection unit detects a source voltage of the driving transistor when the constant current is supplied to the driving transistor during a detection period;
An image display device, wherein the gate electrode of the select switch element is connected to a first horizontal address selection circuit and a second horizontal address circuit.
前記各画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを有し、
前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動するｐ型薄膜トランジスタで構成された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有し、
前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧を検出し、
前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動し、
前記検出された前記駆動トランジスタのソース電圧に基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する画像表示装置であって、
前記電流源は、前記駆動トランジスタにＩｄ１の定電流を流す第１の電流源と、前記駆動トランジスタにＩｄ２の定電流を流す第１の電流源とを有し、
隣接する２つの画素の一方を第１の画素、他方を第２の画素とするとき、前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇの電圧に設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１１と、前記Ｉｄ１の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１２と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２２とを検出し、前記検出したＶ１１の電圧と、Ｖ１２の電圧と、Ｖ２１の電圧と、Ｖ２２の電圧とに基づき、前記第１の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧と、前記第２の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧との差の電圧を検出することを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting an image voltage to each pixel;
A driving transistor composed of a p-type thin film transistor that drives the self-luminous element based on the input image voltage;
A storage capacitor connected between a source electrode and a gate electrode of the driving transistor;
A select switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a gate electrode of the drive transistor;
A current source for supplying a constant current to the driving transistor;
A detection unit connected to a source electrode of the driving transistor of each pixel,
The current source is connected to a source electrode of the driving transistor;
The detection unit detects a source voltage of the driving transistor when the constant current is supplied to the driving transistor during a detection period;
Driving the driving transistor in a saturation region;
An image display device that detects a threshold voltage of the drive transistor based on the detected source voltage of the drive transistor,
The current source includes a first current source for causing a constant current of Id1 to flow through the driving transistor, and a first current source for causing a constant current of Id2 to flow through the driving transistor;
When one of the two adjacent pixels is the first pixel and the other is the second pixel, the detection unit sets the control voltage of the control electrode of the drive transistor to a voltage of Vg, and the Id1 The source voltage V11 of the drive transistor when a constant current is passed through the drive transistor of the first pixel and the drive transistor when the constant current of Id1 is passed through the drive transistor of the second pixel. The source voltage V21, the source voltage V12 of the driving transistor when the constant current of Id2 is passed through the driving transistor of the first pixel, and the constant current of Id2 to the driving transistor of the second pixel And detecting the source voltage V22 of the driving transistor when flowing, and detecting the detected voltage of V11, voltage of V12, voltage of V21, and V Based on the second voltage, and the threshold voltage of the driving transistor of the first pixel, the image display apparatus characterized by detecting the voltage difference between the threshold voltage of the driving transistor of the second pixel.
前記各画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを有し、
前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動するｐ型薄膜トランジスタで構成された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有し、
前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧を検出し、
前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動し、
前記検出された前記駆動トランジスタのソース電圧に基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する画像表示装置であって、
前記電流源は、前記駆動トランジスタにＩｄ１の定電流を流す第１の電流源と、前記駆動トランジスタにＩｄ２の定電流を流す第２の電流源とを有し、
複数の電源線を有し、
前記各画素の前記駆動トランジスタの前記ソース電極は、前記複数の電源線の中の対応する電源線に接続され、
検出期間に、前記複数の電源線の中の任意の１つの電源線を選択する手段と、
検出期間に、前記第１の電流源あるいは前記第２の電流源を、前記選択された電源線に接続する手段と、
検出期間以外の通常の表示状態において、前記複数の電源線に表示用のＶＤＤの電圧を供給する手段とを有し、
前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇに設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２とを検出し、前記検出したＶ１の電圧と、Ｖ２の電圧と、Ｖｇの電圧とに基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出することを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting an image voltage to each pixel;
A driving transistor composed of a p-type thin film transistor that drives the self-luminous element based on the input image voltage;
A storage capacitor connected between a source electrode and a gate electrode of the driving transistor;
A select switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a gate electrode of the drive transistor;
A current source for supplying a constant current to the driving transistor;
A detection unit connected to a source electrode of the driving transistor of each pixel,
The current source is connected to a source electrode of the driving transistor;
The detection unit detects a source voltage of the driving transistor when the constant current is supplied to the driving transistor during a detection period;
Driving the driving transistor in a saturation region;
An image display device that detects a threshold voltage of the drive transistor based on the detected source voltage of the drive transistor,
The current source includes a first current source for causing a constant current of Id1 to flow through the driving transistor, and a second current source for causing a constant current of Id2 to flow through the driving transistor;
Have multiple power lines,
The source electrode of the driving transistor of each pixel is connected to a corresponding power line in the plurality of power lines,
Means for selecting any one power supply line among the plurality of power supply lines in a detection period;
Means for connecting the first current source or the second current source to the selected power supply line during a detection period;
Means for supplying a display VDD voltage to the plurality of power lines in a normal display state other than the detection period;
In the state where the control voltage of the control electrode of the driving transistor is set to Vg, the detecting unit supplies the source voltage V1 of the driving transistor and the constant current of Id2 when the constant current of Id1 is passed through the driving transistor. Is detected, and the threshold voltage of the drive transistor is detected based on the detected voltage of V1, V2, and Vg. An image display device characterized by that.
前記各画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを有し、
前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動するｐ型薄膜トランジスタで構成された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有し、
前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧を検出し、
前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動し、
前記検出された前記駆動トランジスタのソース電圧に基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出する画像表示装置であって、
前記電流源は、前記駆動トランジスタにＩｄ１の定電流を流す第１の電流源と、前記駆動トランジスタにＩｄ２の定電流を流す第２の電流源とを有し、
複数の電源線を有し、
前記各画素の前記駆動トランジスタの前記ソース電極は、前記複数の電源線の中の対応する電源線に接続され、
検出期間に、前記複数の電源線の中の任意の１つの電源線を選択する手段と、
検出期間に、前記第１の電流源あるいは前記第２の電流源を、前記選択された電源線に接続する手段と、
検出期間以外の通常の表示状態において、前記複数の電源線に表示用のＶＤＤの電圧を供給する手段とを有し、
隣接する２つの画素の一方を第１の画素、他方を第２の画素とするとき、前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇの電圧に設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１１と、前記Ｉｄ１の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１２と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２２とを検出し、前記検出したＶ１１の電圧と、Ｖ１２の電圧と、Ｖ２１の電圧と、Ｖ２２の電圧とに基づき、前記第１の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧と、前記第２の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧との差の電圧を検出することを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting an image voltage to each pixel;
A driving transistor composed of a p-type thin film transistor that drives the self-luminous element based on the input image voltage;
A storage capacitor connected between a source electrode and a gate electrode of the driving transistor;
A select switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a gate electrode of the drive transistor;
A current source for supplying a constant current to the driving transistor;
A detection unit connected to a source electrode of the driving transistor of each pixel,
The current source is connected to a source electrode of the driving transistor;
The detection unit detects a source voltage of the driving transistor when the constant current is supplied to the driving transistor during a detection period;
Driving the driving transistor in a saturation region;
An image display device that detects a threshold voltage of the drive transistor based on the detected source voltage of the drive transistor,
The current source includes a first current source for causing a constant current of Id1 to flow through the driving transistor, and a second current source for causing a constant current of Id2 to flow through the driving transistor;
Have multiple power lines,
The source electrode of the driving transistor of each pixel is connected to a corresponding power line in the plurality of power lines,
Means for selecting any one power supply line among the plurality of power supply lines in a detection period;
Means for connecting the first current source or the second current source to the selected power supply line during a detection period;
Means for supplying a display VDD voltage to the plurality of power lines in a normal display state other than the detection period;
When one of the two adjacent pixels is the first pixel and the other is the second pixel, the detection unit sets the control voltage of the control electrode of the drive transistor to a voltage of Vg, and the Id1 The source voltage V11 of the drive transistor when a constant current is passed through the drive transistor of the first pixel and the drive transistor when the constant current of Id1 is passed through the drive transistor of the second pixel. The source voltage V21, the source voltage V12 of the driving transistor when the constant current of Id2 is passed through the driving transistor of the first pixel, and the constant current of Id2 to the driving transistor of the second pixel And detecting the source voltage V22 of the driving transistor when flowing, and detecting the detected voltage of V11, voltage of V12, voltage of V21, and V Based on the second voltage, and the threshold voltage of the driving transistor of the first pixel, the image display apparatus characterized by detecting the voltage difference between the threshold voltage of the driving transistor of the second pixel.
前記各画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを有し、
前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動するｐ型薄膜トランジスタで構成された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有する画像表示装置であって、
前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記駆動トランジスタを線形領域で駆動し、
前記検出部は、前記表示素子のアノード電圧を検出することを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting an image voltage to each pixel;
A driving transistor composed of a p-type thin film transistor that drives the self-luminous element based on the input image voltage;
A storage capacitor connected between a source electrode and a gate electrode of the driving transistor;
A select switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a gate electrode of the drive transistor;
A current source for supplying a constant current to the driving transistor;
An image display device having a detection unit connected to a source electrode of the drive transistor of each pixel,
The current source is connected to a source electrode of the driving transistor;
Driving the drive transistor in a linear region;
The said display part detects the anode voltage of the said display element, The image display apparatus characterized by the above-mentioned.
前記各画素に画像電圧を入力する複数の信号線と、
複数の電流供給線とを有し、
前記各画素は、ｎ型薄膜トランジスタで構成され、前記入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動するｎ型薄膜トランジスタで構成された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続される保持容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と、前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されるセレクトスイッチ素子と、
前記複数の電流供給線の中の対応する電流供給線と前記駆動トランジスタのソース電極との間に接続される検出スイッチ素子とを有し、
前記各電流供給線に接続され、前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記電流供給線と検出スイッチ素子とを介して、前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有する画像表示装置であって、
前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の、前記駆動トランジスタのソース電圧を検出することを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting an image voltage to each of the pixels;
A plurality of current supply lines;
Each pixel is composed of an n-type thin film transistor, and a drive transistor composed of an n-type thin film transistor that drives the self-luminous element based on the input image voltage;
A storage capacitor connected between a source electrode and a gate electrode of the driving transistor;
A select switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a gate electrode of the driving transistor;
A detection switch element connected between a corresponding current supply line of the plurality of current supply lines and a source electrode of the driving transistor;
A current source connected to each of the current supply lines and configured to flow a constant current to the driving transistor;
An image display device having a detection unit connected to a source electrode of the drive transistor of each pixel via the current supply line and a detection switch element;
The image display apparatus, wherein the detection unit detects a source voltage of the driving transistor when the constant current is supplied to the driving transistor during a detection period.
前記検出された前記駆動トランジスタのソース電圧に基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出することを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。 Driving the driving transistor in a saturation region;
9. The image display device according to claim 8, wherein a threshold voltage of the driving transistor is detected based on the detected source voltage of the driving transistor.
前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇに設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２とを検出し、前記検出したＶ１の電圧と、Ｖ２の電圧と、Ｖｇの電圧とに基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出することを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。 The current source includes a first current source for causing a constant current of Id1 to flow through the driving transistor, and a second current source for causing a constant current of Id2 to flow through the driving transistor;
In the state where the control voltage of the control electrode of the driving transistor is set to Vg, the detecting unit supplies the source voltage V1 of the driving transistor and the constant current of Id2 when the constant current of Id1 is passed through the driving transistor. Is detected, and the threshold voltage of the drive transistor is detected based on the detected voltage of V1, V2, and Vg. The image display device according to claim 9.
隣接する２つの画素の一方を第１の画素、他方を第２の画素とするとき、前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇの電圧に設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１１と、前記Ｉｄ１の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第１の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１２と、前記Ｉｄ２の定電流を前記第２の画素の前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２２とを検出し、前記検出したＶ１１の電圧と、Ｖ１２の電圧と、Ｖ２１の電圧と、Ｖ２２の電圧とに基づき、前記第１の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧と、前記第２の画素の前記駆動トランジスタの閾値電圧との差の電圧を検出することを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。 The current source includes a first current source for causing a constant current of Id1 to flow through the driving transistor, and a second current source for causing a constant current of Id2 to flow through the driving transistor;
When one of the two adjacent pixels is the first pixel and the other is the second pixel, the detection unit sets the control voltage of the control electrode of the drive transistor to a voltage of Vg, and the Id1 The source voltage V11 of the drive transistor when a constant current is passed through the drive transistor of the first pixel and the drive transistor when the constant current of Id1 is passed through the drive transistor of the second pixel. The source voltage V21, the source voltage V12 of the driving transistor when the constant current of Id2 is passed through the driving transistor of the first pixel, and the constant current of Id2 to the driving transistor of the second pixel And detecting the source voltage V22 of the driving transistor when flowing, and detecting the detected voltage of V11, voltage of V12, voltage of V21, and V The difference voltage between the threshold voltage of the driving transistor of the first pixel and the threshold voltage of the driving transistor of the second pixel is detected based on the voltage of 2. The image display device described.
検出期間に、前記第１の電流源あるいは前記第２の電流源を、前記選択された電流供給線に接続する手段とを有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の画像表示装置。 Means for selecting any one current supply line among the plurality of current supply lines in a detection period;
12. The image display according to claim 10, further comprising means for connecting the first current source or the second current source to the selected current supply line during a detection period. apparatus.
前記各画素は、入力された画像電圧を基に前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタを有し、
前記駆動トランジスタに定電流を流す電流源と、
前記各画素の前記駆動トランジスタのソース電極に接続される検出部とを有する画像表示装置であって、
前記電流源は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記検出部は、検出期間に前記定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧を検出することを特徴とする画像表示装置。 Having a plurality of pixels each having a self-luminous element;
Each of the pixels has a drive transistor that drives the self-luminous element based on an input image voltage,
A current source for supplying a constant current to the driving transistor;
An image display device having a detection unit connected to a source electrode of the drive transistor of each pixel,
The current source is connected to a source electrode of the driving transistor;
The image display apparatus, wherein the detection unit detects a source voltage of the driving transistor when the constant current is supplied to the driving transistor during a detection period.
前記検出部は、前記駆動トランジスタの制御電極の制御電圧をＶｇに設定した状態において、前記Ｉｄ１の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ１と、前記Ｉｄ２の定電流を前記駆動トランジスタに流した時の前記駆動トランジスタのソース電圧Ｖ２とを検出し、前記検出したＶ１の電圧と、Ｖ２の電圧と、Ｖｇの電圧とに基づき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出することを特徴とする請求項１４に記載の画像表示装置。 Two constant currents of Id1 and Id2 are set as the constant current,
In the state where the control voltage of the control electrode of the driving transistor is set to Vg, the detecting unit supplies the source voltage V1 of the driving transistor and the constant current of Id2 when the constant current of Id1 is passed through the driving transistor. Is detected, and the threshold voltage of the drive transistor is detected based on the detected voltage of V1, V2, and Vg. The image display device according to claim 14.
前記バッファ回路の出力が入力されるローパスフィルタと、
前記ローパスフィルタの出力をデジタル信号に変換するＡＤ変換器とを有することを特徴とする請求項８または請求項１４に記載の画像表示装置。 The detection unit includes a buffer circuit to which a source voltage of the driving transistor is input;
A low-pass filter to which the output of the buffer circuit is input;
The image display apparatus according to claim 8, further comprising an AD converter that converts an output of the low-pass filter into a digital signal.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20130401 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130409 |