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JP2012146904A - Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module - Google Patents

Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module Download PDF

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JP2012146904A
JP2012146904A JP2011005737A JP2011005737A JP2012146904A JP 2012146904 A JP2012146904 A JP 2012146904A JP 2011005737 A JP2011005737 A JP 2011005737A JP 2011005737 A JP2011005737 A JP 2011005737A JP 2012146904 A JP2012146904 A JP 2012146904A
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JP
Japan
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photoelectric conversion
substrate
conversion device
conversion element
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2011005737A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroki Ito
宏樹 伊藤
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

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Abstract

【課題】 大型化に寄与することが可能な光電変換装置および光電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】 光電変換装置2であって、基板6と、基板6の上方に設けられた光電変換素子5と、基板6の下方に設けられた整流素子4と、基板6内に設けられ、整流素子4を光電変換素子5に整流方向が出力電圧に対して逆方向となるように電気的に並列に接続したビア導体7とを備えている。
【選択図】 図2
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion module capable of contributing to an increase in size.
SOLUTION: A photoelectric conversion device 2 includes a substrate 6, a photoelectric conversion element 5 provided above the substrate 6, a rectifying element 4 provided below the substrate 6, and a substrate 6. A via conductor 7 is provided in which the rectifying element 4 is electrically connected in parallel to the photoelectric conversion element 5 so that the rectifying direction is opposite to the output voltage.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、光電変換装置およびその光電変換装置を用いた光電変換モジュールに関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion module using the photoelectric conversion device.

近年、光電変換素子を有する光電変換装置の開発が進められている。例示的な光電変換装置としては、太陽エネルギーを電力に変換する太陽電池装置がある。特に、発電効率の向上を目的として、集光型の太陽電池装置の開発が進められている。光電変換装置は、光エネルギーを電力エネルギーに変換する光電変換素子を有している。光電変換装置が例えば太陽電池装置の場合、光電変換素子は、太陽エネルギーを電力エネルギーに変換する太陽電池素子である(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, development of a photoelectric conversion device having a photoelectric conversion element has been advanced. As an exemplary photoelectric conversion device, there is a solar cell device that converts solar energy into electric power. In particular, for the purpose of improving the power generation efficiency, a concentrating solar cell device is being developed. The photoelectric conversion device includes a photoelectric conversion element that converts light energy into electric power energy. When the photoelectric conversion device is, for example, a solar cell device, the photoelectric conversion element is a solar cell element that converts solar energy into electric power energy (see, for example, Patent Document 1).

なお、光電変換装置は、光電変換素子上に、光電変換素子に光を集光させる集光部材が設けられる。   Note that in the photoelectric conversion device, a condensing member that condenses light on the photoelectric conversion element is provided on the photoelectric conversion element.

特開平9−64396号公報JP-A-9-64396

光電変換装置は、光を集光して電気に変換するものであるため、室外にて設置されて用いられる場合は、太陽光の影響を受けやすい。そのため、光電変換装置を大型化しようとすると、光を受光する光電変換素子の面積を大きくするとともに、光電変換素子の放熱性を高める必要がある。   Since the photoelectric conversion device collects light and converts it into electricity, when it is installed and used outdoors, it is easily affected by sunlight. Therefore, when it is going to enlarge a photoelectric conversion apparatus, while increasing the area of the photoelectric conversion element which receives light, it is necessary to improve the heat dissipation of a photoelectric conversion element.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、大型化に寄与することが可能な光電変換装置および光電変換モジュールを提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the above, Comprising: It aims at providing the photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion module which can contribute to enlargement.

本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、前記基板の上方に設けられた光電変換素子と、前記基板の下方に設けられた整流素子と、前記基板内に設けられ、前記整流素子を前記光電変換素子に整流方向が出力電圧に対して逆方向となるように電気的に並列に接続したビア導体を備えている。   A photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a photoelectric conversion element provided above the substrate, a rectifier element provided below the substrate, and a rectifier provided in the substrate. A via conductor is electrically connected in parallel to the photoelectric conversion element so that the rectification direction is opposite to the output voltage.

本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、前記光電変換装置と、前記光電変換装置の上方に設けられた、外部からの光を受光して前記光電変換素子に受光した光を集める集光部材とを備えている。   The photoelectric conversion module which concerns on one Embodiment of this invention is the condensing which collects the light which received the light from the outside provided in the said photoelectric conversion apparatus and the said photoelectric conversion apparatus, and was received by the said photoelectric conversion element And a member.

本発明によれば、大型化に寄与することが可能な光電変換装置および光電変換モジュールを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion module which can contribute to enlargement can be provided.

本実施形態に係る光電変換モジュールの概観を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the external appearance of the photoelectric conversion module which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る光電変換モジュールの一部の断面図である。It is a partial sectional view of a photoelectric conversion module concerning this embodiment. 本実施形態に係る光電変換装置の平面図である。It is a top view of the photoelectric conversion apparatus which concerns on this embodiment. 光電変換素子と整流素子との電気的接続関係を示している。The electrical connection relationship between the photoelectric conversion element and the rectifying element is shown. 本実施形態に係る光電変換装置の透過平面図である。It is a permeation | transmission top view of the photoelectric conversion apparatus which concerns on this embodiment. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification.

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる光電変換装置および光電変換モジュールの実施形態の例を説明する。なお、本発明は以下の実施形態の例に限定されないものである。   Exemplary embodiments of a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion module according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited to the example of the following embodiment.

<光電変換モジュールの概略構成>
図1は、本実施形態に係る光電変換モジュール1の概観斜視図と、その一部を拡大した分解斜視図である。図2は、図1に示す光電変換モジュール1の一部である光電変換装置2および集光部材3の断面図である。図3は、光電変換装置2の平面図であって、光電変換装置2同士の接続関係を示している。図4は、光電変換素子2と整流素子4との間の電気的接続関係を示している。図5は、光電変換装置2の透過平面図であって、光電変換装置2と整流素子4との配置関係を示している。なお、図2は、図3のA−A’線に沿って光電変換装置2を切断したときの断面図である。
<Schematic configuration of photoelectric conversion module>
FIG. 1 is an overview perspective view of a photoelectric conversion module 1 according to the present embodiment, and an exploded perspective view in which a part thereof is enlarged. FIG. 2 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion device 2 and the light collecting member 3 which are part of the photoelectric conversion module 1 shown in FIG. FIG. 3 is a plan view of the photoelectric conversion device 2 and shows a connection relationship between the photoelectric conversion devices 2. FIG. 4 shows an electrical connection relationship between the photoelectric conversion element 2 and the rectifying element 4. FIG. 5 is a transmission plan view of the photoelectric conversion device 2 and shows an arrangement relationship between the photoelectric conversion device 2 and the rectifying element 4. 2 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion device 2 taken along the line AA ′ in FIG.

本実施形態に係る光電変換モジュール1は、太陽光を電力に変換する太陽光発電モジュールである。また、本実施形態に係る光電変換装置2は、光を電気に変換する光電変換素子5を含んでいる。かかる光電変換素子5は、例えば太陽光を受光して発電する機能を備えている。光電変換モジュール1は、図1に示すように、複数の光電変換装置2を含んで構成されている。そして、複数の光電変換装置2が、電気的に並列または直列に接続されている。   The photoelectric conversion module 1 according to the present embodiment is a photovoltaic power generation module that converts sunlight into electric power. Moreover, the photoelectric conversion apparatus 2 according to the present embodiment includes a photoelectric conversion element 5 that converts light into electricity. The photoelectric conversion element 5 has a function of receiving sunlight and generating electric power, for example. As shown in FIG. 1, the photoelectric conversion module 1 includes a plurality of photoelectric conversion devices 2. A plurality of photoelectric conversion devices 2 are electrically connected in parallel or in series.

光電変換モジュール1は、光電変換装置2と、光を受光する集光部材3とを含んでいる。集光部材3は、光電変換装置2の上方に設けられている。集光部材3は、例えばドーム形状のフレネルレンズである。集光部材3は、外部からの光を受光するとともに、受光した光を光電変換装置2の光電変換素子5に集める機能を備えている。なお、集光部材3は、例えばガラス、プラスチックまたは樹脂等からなる。かかる集光部材3は、レンズ部材3aとフレーム部材3bを含んでおり、レンズ部材3aの外周を取り囲むようにフレーム部材3bにて固定されている。   The photoelectric conversion module 1 includes a photoelectric conversion device 2 and a light collecting member 3 that receives light. The condensing member 3 is provided above the photoelectric conversion device 2. The condensing member 3 is, for example, a dome-shaped Fresnel lens. The condensing member 3 has a function of collecting light received from the outside and collecting the received light on the photoelectric conversion element 5 of the photoelectric conversion device 2. The light collecting member 3 is made of, for example, glass, plastic, resin, or the like. The condensing member 3 includes a lens member 3a and a frame member 3b, and is fixed by the frame member 3b so as to surround the outer periphery of the lens member 3a.

光電変換装置2は、基板6と、基板6の上方に設けられた複数の光電変換素子5と、基板6の下方に設けられた複数の整流素子4と、基板6内に設けられ、光電変素子5と整流素子4とを電気的に接続するビア導体7を備えている。   The photoelectric conversion device 2 includes a substrate 6, a plurality of photoelectric conversion elements 5 provided above the substrate 6, a plurality of rectifier elements 4 provided below the substrate 6, and a substrate 6. A via conductor 7 that electrically connects the element 5 and the rectifying element 4 is provided.

基板6は、光電変換素子5に伝わる熱を外部に放熱する機能を備えている。光電変換装置2は、集光部材3を介して伝わる光のエネルギーの一部が熱に変換されて発熱する。そのため、基板6は、光電変換素子5から熱が伝わりやすい材料からなる。基板6は、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。また、基板6は、銅、アルミ、鉄、ニッケル、コバルト、クロムまたはそれらの合金等の放熱性の優れた金属材料からなる。なお、基板6の熱伝導率は、例えば180W/(m・K)以上に設定されている。また、基板6の熱膨張率は、例えば、3×10−6/℃以上18×
10−6/℃以下に設定されている。
The substrate 6 has a function of radiating heat transmitted to the photoelectric conversion element 5 to the outside. The photoelectric conversion device 2 generates heat by converting a part of the energy of the light transmitted through the light collecting member 3 into heat. Therefore, the substrate 6 is made of a material that easily transfers heat from the photoelectric conversion element 5. The substrate 6 is made of, for example, a ceramic material such as alumina, mullite, or aluminum nitride, a glass ceramic material, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. The substrate 6 is made of a metal material with excellent heat dissipation such as copper, aluminum, iron, nickel, cobalt, chromium, or an alloy thereof. The thermal conductivity of the substrate 6 is set to 180 W / (m · K) or more, for example. The coefficient of thermal expansion of the substrate 6 is, for example, 3 × 10 −6 / ° C. or higher and 18 ×
It is set to 10 −6 / ° C. or lower.

基板6の大きさは、複数のセラミック基板8を設けることができる大きさに設定されている。基板6の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが20mm以上200mm以下であって、上下方向の厚みが0.5mm以上10mm以下に設定されている。   The size of the substrate 6 is set such that a plurality of ceramic substrates 8 can be provided. The size of the substrate 6 is set such that, for example, the length of one side in a plan view is 20 mm or more and 200 mm or less, and the thickness in the vertical direction is 0.5 mm or more and 10 mm or less.

セラミック基板8は、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。なお、セラミック基板8の熱伝導率は、例えば、14W/m・K以上200W/m・K以下に設定されている。また、セラミック基板8の熱膨張率は、例えば、3×10−6/℃以上10×10−6/℃以下に設定されている。 The ceramic substrate 8 is made of, for example, a ceramic material such as alumina, mullite, or aluminum nitride, a glass ceramic material, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. The thermal conductivity of the ceramic substrate 8 is set to, for example, 14 W / m · K or more and 200 W / m · K or less. Moreover, the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate 8 is set to, for example, 3 × 10 −6 / ° C. or more and 10 × 10 −6 / ° C. or less.

各セラミック基板8の大きさは、1つのセラミック基板8の上面に、1つの光電変換素子5を実装できる大きさに設定されている。各セラミック基板8の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが3mm以上30mm以下であって、上下方向の厚みが0.1mm以上5mm以下に設定されている。   The size of each ceramic substrate 8 is set such that one photoelectric conversion element 5 can be mounted on the upper surface of one ceramic substrate 8. The size of each ceramic substrate 8 is set such that, for example, the length of one side in a plan view is 3 mm or more and 30 mm or less, and the thickness in the vertical direction is 0.1 mm or more and 5 mm or less.

各セラミック基板8上には、第1電極層9としての電極パターンが設けられている。第1電極層9は、光電変換素子5と電気的に接続されており、光電変換素子5にて起電された電力を外部に取り出すためのものである。第1電極層9は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、あるいはそれらの合金からなる。   An electrode pattern as the first electrode layer 9 is provided on each ceramic substrate 8. The 1st electrode layer 9 is electrically connected with the photoelectric conversion element 5, and is for taking out the electric power generated by the photoelectric conversion element 5 outside. The first electrode layer 9 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof.

光電変換素子5は、セラミック基板8上に配置されている。光電変換素子5は、例えばボンディングワイヤを介して第1電極層9と電気的に接続されている。また、光電変換素子5は、セラミック基板8上にメタライズされた電極パターン上に実装されてもよい。   The photoelectric conversion element 5 is disposed on the ceramic substrate 8. The photoelectric conversion element 5 is electrically connected to the first electrode layer 9 through, for example, a bonding wire. Moreover, the photoelectric conversion element 5 may be mounted on an electrode pattern metallized on the ceramic substrate 8.

光電変換素子5は、光を電力に変換する機能を備えている。光電変換素子5は、例えば、III−V族化合物半導体を含んでいる太陽電池素子である。光電変換素子5は、光起電
力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力電圧を出力することができる。太陽電池素子は、例えば、InGaP/GaAs/Ge3接合型セルの構造である。インジウムガリウムリン(InGaP)トップセルは、660nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ガリウムヒ素(GaAs)ミドルセルは、660nm以上890nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ゲルマニウム(Ge)ボトムセルは、890nm以上2000nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。3つのセルは、トンネル接合を介して直列に接続されている。開放電圧は、3つのセルの起電圧の和である。
The photoelectric conversion element 5 has a function of converting light into electric power. The photoelectric conversion element 5 is, for example, a solar cell element that includes a III-V group compound semiconductor. The photoelectric conversion element 5 can immediately convert received light into electric power and output an output voltage by the photovoltaic effect. The solar cell element has, for example, an InGaP / GaAs / Ge3 junction type cell structure. The indium gallium phosphide (InGaP) top cell converts energy contained in a wavelength region of 660 nm or less. The gallium arsenide (GaAs) middle cell converts energy contained in a wavelength region of 660 nm or more and 890 nm or less. The germanium (Ge) bottom cell converts energy contained in a wavelength region of 890 nm or more and 2000 nm or less. The three cells are connected in series via a tunnel junction. The open circuit voltage is the sum of the electromotive voltages of the three cells.

光電変換素子5の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが3mm以上15mm以下であって、上下方向の厚みが0.3mm以上5mm以下に設定されている。そして、1つの光電変換素子5を1つのセラミック基板8に重ね合わせた状態では、平面視したときにセラミック基板8の端部と光電変換素子5の端部との間の隙間は、例えば10mm以下に設定されている。   The size of the photoelectric conversion element 5 is set such that, for example, the length of one side in a plan view is 3 mm or more and 15 mm or less, and the thickness in the vertical direction is 0.3 mm or more and 5 mm or less. In a state where one photoelectric conversion element 5 is superposed on one ceramic substrate 8, the gap between the end of the ceramic substrate 8 and the end of the photoelectric conversion element 5 when viewed in plan is, for example, 10 mm or less. Is set to

光電変換素子5にて起電された電力は、リードフレーム10から外部に取り出される。リードフレーム10は端子として機能する。リードフレーム10は、電気的に直列に接続された複数の光電変換素子5の端部に設けられている。   The electric power generated by the photoelectric conversion element 5 is taken out from the lead frame 10 to the outside. The lead frame 10 functions as a terminal. The lead frame 10 is provided at the ends of a plurality of photoelectric conversion elements 5 that are electrically connected in series.

セラミック基板8上に設けられるリードフレーム10は、光電変換素子5にて起電された電力を外部に取り出すためのものである。リードフレーム10は、例えば、銅、銀、金
、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、あるいはそれらの合金からなる。
The lead frame 10 provided on the ceramic substrate 8 is for taking out the electric power generated by the photoelectric conversion element 5 to the outside. The lead frame 10 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof.

基板6上には、複数の光電変換素子5を取り囲むように枠体11が設けられている。枠体11は、基板6に対して、例えば半田または接合樹脂を介して接続される。   A frame 11 is provided on the substrate 6 so as to surround the plurality of photoelectric conversion elements 5. The frame 11 is connected to the substrate 6 via, for example, solder or bonding resin.

枠体11の一部には、枠体11の一部が途切れるような隙間が設けられているとともに、この隙間にリードフレーム10が設けられる。なお、リードフレーム10は、枠体11が金属材料からなる場合は、枠体11と絶縁するように枠体11とリードフレーム10の間に絶縁材料が介在されている。   A part of the frame 11 is provided with a gap in which a part of the frame 11 is interrupted, and the lead frame 10 is provided in the gap. When the frame 11 is made of a metal material, the lead frame 10 has an insulating material interposed between the frame 11 and the lead frame 10 so as to be insulated from the frame 11.

枠体11は、例えば、銅、アルミ、鉄、ニッケル、コバルト、クロムまたはそれらの合金等の金属材料、あるいはアルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。なお、枠体11の熱伝導率は、例えば、14W/m・K以上200W/m・K以下に設定されている。また、枠体11の熱膨張率は、例えば、3×10−6/℃以上10×10−6/℃以下に設定されている。 The frame 11 is made of, for example, a metal material such as copper, aluminum, iron, nickel, cobalt, chromium, or an alloy thereof, a ceramic material such as alumina, mullite, or aluminum nitride, a glass ceramic material, or these materials. It consists of a composite material in which a plurality of materials are mixed. The thermal conductivity of the frame 11 is set to, for example, 14 W / m · K or more and 200 W / m · K or less. Moreover, the thermal expansion coefficient of the frame 11 is set to, for example, 3 × 10 −6 / ° C. or more and 10 × 10 −6 / ° C. or less.

枠体11は、セラミック基板8と同じ材料から構成した場合は、セラミック基板8の熱膨張率と枠体11の熱膨張率とを合わせることができる。セラミック基板8と枠体11との熱膨張率を合わせることで、太陽光等の熱によって、両者の熱膨張率の違いにより、リードフレーム10に加わる熱応力が特定箇所に集中するのを抑制することができる。その結果、リードフレーム10が変形して、枠体11から剥離するのを抑制することができ、光電変換装置2の気密性を向上させることができる。   When the frame body 11 is made of the same material as the ceramic substrate 8, the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate 8 and the thermal expansion coefficient of the frame body 11 can be matched. By combining the thermal expansion coefficients of the ceramic substrate 8 and the frame body 11, the thermal stress applied to the lead frame 10 is prevented from being concentrated at a specific location due to the difference in thermal expansion coefficient between the two due to the heat of sunlight or the like. be able to. As a result, the lead frame 10 can be prevented from being deformed and peeled off from the frame body 11, and the hermeticity of the photoelectric conversion device 2 can be improved.

枠体11上には、複数の光電変換素子5を覆うように光透過性基板12が設けられている。光透過性基板12は、枠体11に対して、例えば半田または接合樹脂を介して接続される。光電変換素子5が、基板6、枠体11、光透過性基板12で囲まれることで気密封止される。なお、気密封止される空間は、不活性ガスが充填されている。あるいは、気密封止される空間は、大気よりも圧力の低い低圧状態に維持されている。   A light transmissive substrate 12 is provided on the frame 11 so as to cover the plurality of photoelectric conversion elements 5. The light transmissive substrate 12 is connected to the frame 11 via, for example, solder or bonding resin. The photoelectric conversion element 5 is hermetically sealed by being surrounded by the substrate 6, the frame 11, and the light transmissive substrate 12. Note that the space to be hermetically sealed is filled with an inert gas. Alternatively, the hermetically sealed space is maintained in a low pressure state having a lower pressure than the atmosphere.

光透過性基板12は、基板6と対向配置して設けられている。光透過性基板12は、太陽光を透過させて、複数の光電変換素子5に照射可能なものである。光透過性基板12は、例えば、ガラス、プラスチックまたは樹脂等の光透過性の材料からなる。光透過性基板12の大きさは、基板6と重なる大きさであって、例えば、平面視したときの一辺の長さが20mm以上200mm以下であって、上下方向の厚みが0.2mm以上5mm以下に設定されている。   The light transmissive substrate 12 is provided to face the substrate 6. The light transmissive substrate 12 transmits sunlight and can irradiate the plurality of photoelectric conversion elements 5. The light transmissive substrate 12 is made of a light transmissive material such as glass, plastic, or resin. The size of the light-transmitting substrate 12 is a size that overlaps the substrate 6. For example, the length of one side in a plan view is 20 mm or more and 200 mm or less, and the thickness in the vertical direction is 0.2 mm or more and 5 mm. It is set as follows.

光透過性基板12は、光電変換素子5と間を空けて設けられている。光電変換素子5と光透過性基板12とが気密封止された空間を介して設けられることで、光透過性基板12の一部が光電変換素子5と接触し、光透過性基板12または光電変換素子5が損傷するのを抑制することができる。仮に、光電変換素子5が損傷すると、光電変換素子5の光電変換効率が低減することがあるが、本実施形態によれば、両者が接触しないため、光電変換素子5の光電変換効率が低減するのを抑制することができる。また、仮に、光透過性基板12が損傷すると、集光部材3から光電変換素子5に向かう光が損傷した箇所にて乱反射する虞があるが、本実施形態によれば、両者が接触しないため、光電変換素子5に集光する光の量が低減するのを抑制することができる。   The light transmissive substrate 12 is provided to be spaced from the photoelectric conversion element 5. By providing the photoelectric conversion element 5 and the light-transmitting substrate 12 through a hermetically sealed space, a part of the light-transmitting substrate 12 comes into contact with the photoelectric conversion element 5 and the light-transmitting substrate 12 or photoelectric It can suppress that the conversion element 5 is damaged. If the photoelectric conversion element 5 is damaged, the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element 5 may be reduced. However, according to this embodiment, the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element 5 is reduced because they do not contact each other. Can be suppressed. In addition, if the light-transmitting substrate 12 is damaged, there is a risk that light traveling from the light collecting member 3 toward the photoelectric conversion element 5 may be diffusely reflected at the damaged portion. However, according to the present embodiment, the two are not in contact with each other. It is possible to suppress the amount of light condensed on the photoelectric conversion element 5 from being reduced.

基板6の下面には、整流素子4が設けられている。整流素子4は、図4に示すように、光電変換素子5の出力電圧に対してその整流方向が逆方向となるように光電変換素子5に
電気的に並列に接続されている。ここで、光電変換素子5と、光電変換素子5に整流方向が出力電圧に対して逆方向となるように電気的に並列に接続された整流素子4とを電気ユニットUと称する。図4では、複数の電気ユニットUが電気的に直列に接続された電気回路を示している。整流素子4は、光電変換素子5が影等により発電量が小さくなる等バラツキが生じたり、抵抗が大きくなって発電電力が低下したりすることを避ける等、発電電力の低下を最小限に抑えるためのものである。整流素子4は、例えば、バイパスダイオード、電圧・電流調整機能を備えたIC素子等を用いることで流れる電流をバイパスさせて発電電力の低下を最小限に抑えることが可能となる。仮に、整流素子4を、基板6の上面に光電変換素子5と並設して設けようとすると、基板6の上面に占める光電変換素子5の面積が小さくなってしまう。光電変換素子5の基板6の上面に占める面積が小さくなると、光電変換素子5の受光する光の量が低減し、光電変換装置2としての起電力が低下することになる。そこで、整流素子4を光電変換素子5と並設して設けずに、基板6の下面に設けることで、基板6の上面に占める光電変換素子5の面積を大きくすることができ、光電変換装置2の起電力を向上させることができる。
A rectifying element 4 is provided on the lower surface of the substrate 6. As shown in FIG. 4, the rectifying element 4 is electrically connected to the photoelectric conversion element 5 in parallel so that the rectification direction is opposite to the output voltage of the photoelectric conversion element 5. Here, the photoelectric conversion element 5 and the rectification element 4 electrically connected in parallel to the photoelectric conversion element 5 so that the rectification direction is opposite to the output voltage are referred to as an electric unit U. FIG. 4 shows an electric circuit in which a plurality of electric units U are electrically connected in series. The rectifying element 4 minimizes a decrease in the generated power, such as avoiding variations such as a decrease in the amount of generated power due to the shadow of the photoelectric conversion element 5 or a decrease in generated power due to an increase in resistance. Is for. For example, the rectifying element 4 can bypass a flowing current by using a bypass diode, an IC element having a voltage / current adjusting function, and the like, and can suppress a decrease in generated power to a minimum. If the rectifying element 4 is provided on the upper surface of the substrate 6 in parallel with the photoelectric conversion element 5, the area of the photoelectric conversion element 5 in the upper surface of the substrate 6 is reduced. When the area occupied on the upper surface of the substrate 6 of the photoelectric conversion element 5 is reduced, the amount of light received by the photoelectric conversion element 5 is reduced, and the electromotive force as the photoelectric conversion device 2 is reduced. Therefore, by providing the rectifying element 4 on the lower surface of the substrate 6 without providing it in parallel with the photoelectric conversion element 5, the area of the photoelectric conversion element 5 occupying the upper surface of the substrate 6 can be increased. The electromotive force of 2 can be improved.

整流素子4は、図5に示すように、平面透視して、光電変換素子5と重なる領域に配置されている。整流素子4を光電変換素子5と重なるように配置した場合は、基板6の上面に占める光電変換素子5の面積を最大限大きくすることができ、光電変換装置2の起電力を効果的に向上させることができる。   As shown in FIG. 5, the rectifying element 4 is disposed in a region overlapping the photoelectric conversion element 5 as seen in a plan view. When the rectifying element 4 is arranged so as to overlap the photoelectric conversion element 5, the area of the photoelectric conversion element 5 occupying the upper surface of the substrate 6 can be maximized, and the electromotive force of the photoelectric conversion device 2 is effectively improved. Can be made.

整流素子4は、基板6の下面には、第2電極層13としての電極パターンが設けられている。第2電極層13は、整流素子4と電気的に接続されている。第2電極層13は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、あるいはそれらの合金からなる。   In the rectifying element 4, an electrode pattern as the second electrode layer 13 is provided on the lower surface of the substrate 6. The second electrode layer 13 is electrically connected to the rectifying element 4. The second electrode layer 13 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof.

整流素子4は、例えばボンディングワイヤを介して第2電極層13と電気的に接続されている。また、整流素子4は、基板6の下面にメタライズされた電極パターン上に実装されてもよい。   The rectifying element 4 is electrically connected to the second electrode layer 13 through, for example, a bonding wire. The rectifying element 4 may be mounted on an electrode pattern metallized on the lower surface of the substrate 6.

ビア導体7は、第1電極層9と第2電極層13の間に設けられている。ビア導体7は、セラミック基板8および基板6を貫通する構造である。ビア導体7は、整流素子4を光電変換素子5に対して電気的に並列に接続することができる。ビア導体7は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、あるいはそれらの合金からなる。なお、ビア導体7は、セラミック基板8および基板6に対してレーザー加工したビア孔に導電ペーストを埋め込むことで作製することができる。ビア導体7の径は、例えば0.2mm以上5mm以下に設定されている。   The via conductor 7 is provided between the first electrode layer 9 and the second electrode layer 13. The via conductor 7 has a structure that penetrates the ceramic substrate 8 and the substrate 6. The via conductor 7 can electrically connect the rectifying element 4 to the photoelectric conversion element 5 in parallel. The via conductor 7 is made of a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof. The via conductor 7 can be produced by embedding a conductive paste in a via hole laser-processed on the ceramic substrate 8 and the substrate 6. The diameter of the via conductor 7 is set to, for example, 0.2 mm or more and 5 mm or less.

ビア導体7を用いることで、基板6の下面に整流素子4を設けることができ、基板6上面に占める光電変換素子5の面積を大きくすることができ、光電変換素子5の光電変換効率を向上させることができる。   By using the via conductor 7, the rectifying element 4 can be provided on the lower surface of the substrate 6, the area of the photoelectric conversion element 5 occupying the upper surface of the substrate 6 can be increased, and the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element 5 is improved. Can be made.

光電変換モジュール1および光電変換装置2は、光を集光して電気に変換するものである。室外に設置して使用されることが多いため、太陽光の光による熱の影響を受けやすい。また、光電変換モジュール1および光電変換装置2は、昼と夜とで、外気の温度差が大きく影響する。さらに、光電変換モジュール1および光電変換装置2は、天候の影響をも受ける。そのため、光電変換モジュール1および光電変換装置2は、温度差の違いにより、熱膨張を起こしやすい環境におかれている。   The photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 collect light and convert it into electricity. Since it is often used outdoors, it is easily affected by the heat of sunlight. Further, the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 are greatly influenced by the temperature difference of the outside air between day and night. Furthermore, the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 are also affected by the weather. Therefore, the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 are placed in an environment in which thermal expansion is likely to occur due to a difference in temperature.

そのため、光電変換モジュール1および光電変換装置2は、基板6の片面である上面に光電変換素子5と整流素子4を実装すると、光電変換素子5と整流素子4から発生する熱
によって基板6の反りが大きくなりやすく、光電変換素子5または整流素子4が基板6から剥離する虞がある。特に、光電変換モジュール1および光電変換装置2を大型化しようとすると基板6の破壊される虞が大きくなる。
Therefore, in the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2, when the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4 are mounted on the upper surface which is one side of the substrate 6, the warpage of the substrate 6 is caused by the heat generated from the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4. The photoelectric conversion element 5 or the rectifying element 4 may be peeled off from the substrate 6. In particular, if the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 are increased in size, the possibility that the substrate 6 is destroyed increases.

本実施形態に係る光電変換モジュール1および光電変換装置2は、大型の基板6に対して、複数のセラミック基板8を実装して、各セラミック基板8に光電変換素子5を実装した構造とする。その結果、複数の光電変換素子5を実装する基板を複数に分断して基板6上に実装することによって、基板6とセラミック基板8との熱膨張率の違いによる熱膨張の影響を低減することができ、基板6からセラミック基板8が剥離するのを抑制することができる。さらに、基板6の一主面に光電変換素子5を実装し、基板6の他主面に整流素子4を実装することで、基板6の破壊を効果的に抑制することができ、光電変換モジュール1および光電変換装置2を大型化することができる。   The photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 according to the present embodiment have a structure in which a plurality of ceramic substrates 8 are mounted on a large substrate 6 and the photoelectric conversion elements 5 are mounted on each ceramic substrate 8. As a result, the influence of thermal expansion due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 6 and the ceramic substrate 8 is reduced by dividing the substrate on which the plurality of photoelectric conversion elements 5 are mounted into a plurality of substrates and mounting them on the substrate 6. It is possible to prevent the ceramic substrate 8 from peeling from the substrate 6. Furthermore, by mounting the photoelectric conversion element 5 on one main surface of the substrate 6 and mounting the rectifying element 4 on the other main surface of the substrate 6, it is possible to effectively suppress the destruction of the substrate 6, and the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion apparatus 2 can be enlarged.

上述したように、本実施形態によれば、大型化に寄与することが可能な光電変換装置2および光電変換モジュール1を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide the photoelectric conversion device 2 and the photoelectric conversion module 1 that can contribute to an increase in size.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

<変形例>
以下、本発明の実施形態の変形例について説明する。なお、本発明の実施形態の変形例に係る光電変換モジュール1および光電変換装置2のうち、本発明の実施形態に係る光電変換モジュール1および光電変換装置2と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。なお、図6から図11は、一変形例に係る光電変換装置2を示す図であって、図6から図11は図2に相当する。
<Modification>
Hereinafter, modifications of the embodiment of the present invention will be described. Note that, in the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 according to the modification of the embodiment of the present invention, portions similar to those of the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 according to the embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals. The description will be omitted as appropriate. 6 to 11 are diagrams showing a photoelectric conversion device 2 according to a modification, and FIGS. 6 to 11 correspond to FIG. 2.

上述した実施形態に係る光電変換装置2は、セラミック基板8を用いたが、これに限られない。例えば、図6に示すように、セラミック基板8を設けずに、基板6の上面に直接光電変換素子5を実装した構造であってもよい。   The photoelectric conversion device 2 according to the above-described embodiment uses the ceramic substrate 8, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 6, a structure in which the photoelectric conversion element 5 is directly mounted on the upper surface of the substrate 6 without providing the ceramic substrate 8 may be used.

光電変換素子5を直接基板6の上面に実装することで、光電変換装置2の厚みを小さくすることができ、太陽光を受光する受光面積を確保するとともに、光電変換装置2の小型化を実現することができる。また、光電変換素子5にて発生する熱を直接基板6に伝え、基板6から外部に向かって放熱することができる。その結果、光電変換素子5にて発生した熱がパッケージ内部にてこもりにくくすることができ、パッケージの封止が破壊されるのを抑制することができる。   By mounting the photoelectric conversion element 5 directly on the upper surface of the substrate 6, the thickness of the photoelectric conversion device 2 can be reduced, a light receiving area for receiving sunlight can be secured, and the photoelectric conversion device 2 can be downsized. can do. Further, the heat generated in the photoelectric conversion element 5 can be directly transmitted to the substrate 6 and radiated from the substrate 6 toward the outside. As a result, heat generated in the photoelectric conversion element 5 can be prevented from being trapped inside the package, and the package sealing can be prevented from being broken.

また、上述した実施形態に係る光電変換装置2は、第1電極層9および第2電極層13を用いたが、これに限られない。例えば、図7に示すように、第1電極層9および第2電極層13を設けずに、ビア導体7を介して直接光電変換素子5と整流素子4を電気的に接続した構造であってもよい。   Moreover, although the 1st electrode layer 9 and the 2nd electrode layer 13 were used for the photoelectric conversion apparatus 2 which concerns on embodiment mentioned above, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 7, the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4 are directly connected via the via conductor 7 without providing the first electrode layer 9 and the second electrode layer 13. Also good.

ビア導体7を介して直接光電変換素子5と整流素子4を電気的に接続することで、第1電極層9および第2電極層13にて発生する熱を無くする事ができる。そして、光電変換素子5にて起電した電力の第1電極層9および第2電極層13での消費電力をなくし、光電変換装置2から取り出す電力を大きくすることができ、発電量の大きな光電変換モジュール1および光電変換装置2を実現することができる。   By electrically connecting the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4 directly via the via conductor 7, heat generated in the first electrode layer 9 and the second electrode layer 13 can be eliminated. Then, the power consumed in the first electrode layer 9 and the second electrode layer 13 of the electric power generated by the photoelectric conversion element 5 can be eliminated, the electric power taken out from the photoelectric conversion device 2 can be increased, and a large amount of electric power can be generated. The conversion module 1 and the photoelectric conversion device 2 can be realized.

また、上述した実施形態に係る光電変換装置2は、枠体11を用いて、光電変換素子5の封止性を確保していたが、これに限られない。例えば、図8に示すように、基板6と光
透過性基板12との間に透光性樹脂14を充填した構造であってもよい。
Moreover, although the photoelectric conversion apparatus 2 which concerns on embodiment mentioned above secured the sealing property of the photoelectric conversion element 5 using the frame 11, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 8, a structure in which a light-transmitting resin 14 is filled between the substrate 6 and the light-transmitting substrate 12 may be used.

透光性樹脂14は、光が透過するものであって、基板6と光透過性基板12とを接合するものである。透光性樹脂14は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂等の封止性に優れた材料からなる。   The translucent resin 14 transmits light and joins the substrate 6 and the light transmissive substrate 12 together. The translucent resin 14 is, for example, a thermosetting resin such as polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, urethane resin, cyanate resin, silicone resin or bismaleimide triazine resin, or polyether ketone resin, polyethylene terephthalate resin or polyphenylene ether. It consists of material excellent in sealing properties, such as thermoplastic resins, such as resin.

本変形例に係る光電変換装置2は、複数の光電変換素子5を透光性樹脂14にて覆うことによって、基板6と光透過性基板12の接着性を向上させることができ、基板6と光透過性基板12とを剥離しにくくすることができ、基板6と光透過性基板12との間に挟まれる複数の光電変換素子5の気密性を良好に維持することができる。   The photoelectric conversion device 2 according to this modification can improve the adhesion between the substrate 6 and the light transmissive substrate 12 by covering the plurality of photoelectric conversion elements 5 with the light transmissive resin 14. The light transmissive substrate 12 can be made difficult to peel off, and the airtightness of the plurality of photoelectric conversion elements 5 sandwiched between the substrate 6 and the light transmissive substrate 12 can be favorably maintained.

また、上述した実施形態に係る光電変換装置2は、整流素子4がパッケージ外にあったが、これに限られない。例えば、図9または図10に示すように、整流素子4をパッケージ内に設けた構造であってもよい。   In the photoelectric conversion device 2 according to the above-described embodiment, the rectifying element 4 is outside the package, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 9 or FIG. 10, a structure in which the rectifying element 4 is provided in a package may be used.

図9に示すように、基板6の下面の外周に沿って支持体15を設け、支持体15に例えば半田または接合樹脂を介して封止基板16を設ける構造であってもよい。支持体15は、例えば、例えば、銅、アルミ、鉄、ニッケル、コバルト、クロムまたはそれらの合金等の金属材料、あるいはアルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料からなる。   As shown in FIG. 9, a structure in which a support 15 is provided along the outer periphery of the lower surface of the substrate 6 and a sealing substrate 16 is provided on the support 15 via, for example, solder or bonding resin may be employed. The support 15 is made of, for example, a metal material such as copper, aluminum, iron, nickel, cobalt, chromium, or an alloy thereof, a ceramic material such as alumina, mullite, or aluminum nitride, a glass ceramic material, or a material thereof. Of these, a composite material in which a plurality of materials are mixed is used.

また、封止基板16は、整流素子4を封止するものであって、複数の整流素子4を覆うものである。封止基板16は、例えば、銅、アルミまたはそれらの合金等の材料からなる。   The sealing substrate 16 seals the rectifying element 4 and covers the plurality of rectifying elements 4. The sealing substrate 16 is made of a material such as copper, aluminum, or an alloy thereof.

また、図10に示すように、枠体11内に光電変換素子5および整流素子4を設ける構造であってもよい。セラミック基板8を光電変換素子5および整流素子4を実装する基板として用いる。セラミック基板8の下面の外周に凸部17を設けることで、セラミック基板8と基板6との間に隙間を設け、当該隙間に整流素子4を設けることができる。   Moreover, as shown in FIG. 10, the structure which provides the photoelectric conversion element 5 and the rectifier 4 in the frame 11 may be sufficient. The ceramic substrate 8 is used as a substrate on which the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4 are mounted. By providing the convex portion 17 on the outer periphery of the lower surface of the ceramic substrate 8, a gap can be provided between the ceramic substrate 8 and the substrate 6, and the rectifying element 4 can be provided in the gap.

凸部17は、セラミック基板8の一部であってもよいし、セラミック基板8とは異なり別部材を設けるものであってもよい。凸部17は、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等の材料からなる。   The convex portion 17 may be a part of the ceramic substrate 8 or may be provided with a separate member unlike the ceramic substrate 8. The convex part 17 consists of materials, such as ceramic materials, such as an alumina, a mullite, or aluminum nitride, or a glass ceramic material, for example.

整流素子4をパッケージ内に設けることで、整流素子4を気密封止することができ、整流素子4が外部からの衝撃を受けたり、酸化したりするのを抑制することができ、整流素子4が劣化するのを抑制することができる。そして、光電変換モジュール1および光電変換装置2にて発生する起電力を良好に維持することができる。   By providing the rectifying element 4 in the package, the rectifying element 4 can be hermetically sealed, and the rectifying element 4 can be prevented from receiving an external impact or being oxidized. Can be prevented from deteriorating. And the electromotive force which generate | occur | produces in the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion apparatus 2 can be maintained favorable.

また、上述した実施形態に係る光電変換装置2は、基板6に絶縁材料を用いたが、これに限られない。例えば、図11に示すように、基板6aを金属材料にしてもよい。   Moreover, although the photoelectric conversion apparatus 2 which concerns on embodiment mentioned above used the insulating material for the board | substrate 6, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 11, the substrate 6a may be made of a metal material.

また、図11に示すように、基板6aを金属材料から構成した場合は、光電変換素子5と基板6aとの間に第1絶縁層18を設け、整流素子4と基板6aとの間に第2絶縁層19を設けて、基板6aに対して光電変換素子5および整流素子4を絶縁させる。さらに、基板6aには、貫通孔を形成されている。そして、貫通孔の内壁面に絶縁体20を設けビ
ア導体7を基板6aから絶縁させるとともに、ビア導体7を介して光電変換素子5と整流素子4を電気的に接続する。
As shown in FIG. 11, when the substrate 6a is made of a metal material, a first insulating layer 18 is provided between the photoelectric conversion element 5 and the substrate 6a, and the first rectifying element 4 and the substrate 6a Two insulating layers 19 are provided to insulate the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4 from the substrate 6a. Furthermore, a through hole is formed in the substrate 6a. Then, an insulator 20 is provided on the inner wall surface of the through hole to insulate the via conductor 7 from the substrate 6a, and the photoelectric conversion element 5 and the rectifying element 4 are electrically connected via the via conductor 7.

基板6aを金属材料とすることで、光電変換素子5によって発熱された熱を基板6aを介して外部に放散させやすくすることができ、光電変換装置内に熱がこもりにくくすることで、光電変換素子5の電気特性が変化するのを抑制することができる。   By using the substrate 6a as a metal material, the heat generated by the photoelectric conversion element 5 can be easily dissipated to the outside through the substrate 6a, and by making the heat difficult to stay in the photoelectric conversion device, photoelectric conversion It can suppress that the electrical property of the element 5 changes.

<光電変換モジュールの製造方法>
ここで、光電変換モジュール1および光電変換装置2の製造方法を説明する。
<Method for producing photoelectric conversion module>
Here, the manufacturing method of the photoelectric conversion module 1 and the photoelectric conversion apparatus 2 is demonstrated.

まず、基板6およびセラミック基板8を準備する。基板6およびセラミック基板8が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、基板6およびセラミック基板8の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の基板6およびセラミック基板8を取り出す。   First, the substrate 6 and the ceramic substrate 8 are prepared. If the substrate 6 and the ceramic substrate 8 are made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, or calcium oxide. To obtain a mixture. Then, the molds of the substrate 6 and the ceramic substrate 8 are filled with the mixture and dried, and then the unsintered substrate 6 and the ceramic substrate 8 are taken out.

そして、焼結前の基板6およびセラミック基板8に対して、例えばレーザーを用いて、基板6およびセラミック基板8の所定個所にビア孔を形成する。   Then, via holes are formed at predetermined positions of the substrate 6 and the ceramic substrate 8 with respect to the substrate 6 and the ceramic substrate 8 before sintering using, for example, a laser.

また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した焼結前の基板6およびセラミック基板8のビア孔に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って光電変換素子5と整流素子4を電気的に接続するためのビア孔7を形成する。   Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. And for the via hole of the board | substrate 6 and the ceramic board | substrate 8 before the taking out which were taken out, for example using a screen printing method, a metal paste is apply | coated and the photoelectric conversion element 5 and the rectifier element 4 are electrically connected A via hole 7 is formed.

また、基板6およびセラミック基板8の所定個所に金属ペーストを印刷して、第1電極層9および第2電極層13を形成する。   In addition, the first electrode layer 9 and the second electrode layer 13 are formed by printing a metal paste on predetermined positions of the substrate 6 and the ceramic substrate 8.

その後、基板6およびセラミック基板8を、約1600℃の温度で焼成することにより、基板6およびセラミック基板8をそれぞれ作製することができる。   Then, the board | substrate 6 and the ceramic substrate 8 are each baked at the temperature of about 1600 degreeC, and the board | substrate 6 and the ceramic substrate 8 can each be produced.

基板6上に光電変換素子5を実装したセラミック基板8を例えば半田または接合樹脂を介して接続する。   The ceramic substrate 8 on which the photoelectric conversion element 5 is mounted on the substrate 6 is connected through, for example, solder or bonding resin.

次に、枠体11および光透過性基板12を準備する。そして、基板6に対して、基板6の外周に沿って複数の光電変換素子5を取り囲むように、枠体11を例えば半田を介して接合する。さらに、リードフレーム10を枠体11の所定個所に例えば半田を介して接続する。そして、光透過性基板12を基板6に対向するように位置決めして、不活性ガス雰囲気中にて、接合樹脂12を介して基板6と光透過性基板12とを接合する。このようにして、光電変換装置2を作製することができる。さらに、光電変換装置2の上方に集光部材3を位置決めして設けることで、光電変換モジュール1を作製することができる。   Next, the frame 11 and the light transmissive substrate 12 are prepared. Then, the frame body 11 is joined to the substrate 6 via, for example, solder so as to surround the plurality of photoelectric conversion elements 5 along the outer periphery of the substrate 6. Furthermore, the lead frame 10 is connected to a predetermined portion of the frame 11 via, for example, solder. Then, the light transmissive substrate 12 is positioned so as to face the substrate 6, and the substrate 6 and the light transmissive substrate 12 are bonded through the bonding resin 12 in an inert gas atmosphere. In this way, the photoelectric conversion device 2 can be manufactured. Furthermore, the photoelectric conversion module 1 can be produced by positioning and providing the light collecting member 3 above the photoelectric conversion device 2.

1 光電変換モジュール
2 光電変換装置
3 集光部材
3a レンズ部材
3b フレーム部材
4 整流素子
5 光電変換素子
6 基板
7 ビア導体
8 セラミック基板
9 第1電極層
10 リードフレーム
11 枠体
12 光透過性基板
13 第2電極層
14 透光性樹脂
15 支持体
16 封止基板
17 凸部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photoelectric conversion module 2 Photoelectric conversion apparatus 3 Condensing member 3a Lens member 3b Frame member 4 Rectification element 5 Photoelectric conversion element 6 Substrate 7 Via conductor 8 Ceramic substrate 9 1st electrode layer 10 Lead frame 11 Frame body 12 Light transmission substrate 13 Second electrode layer 14 Translucent resin 15 Support 16 Sealing substrate 17 Convex part

Claims (8)

基板と、
前記基板の上方に設けられた光電変換素子と、
前記基板の下方に設けられた整流素子と、
前記基板内に設けられ、前記整流素子を前記光電変換素子に整流方向が出力電圧に対して逆方向となるように電気的に並列に接続したビア導体と、を備えた光電変換装置。
A substrate,
A photoelectric conversion element provided above the substrate;
A rectifying element provided below the substrate;
And a via conductor provided in the substrate and electrically connected in parallel to the photoelectric conversion element so that the rectification direction is opposite to the output voltage.
請求項1に記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子および前記整流素子からなる電気ユニットが複数設けられており、
前記複数の電気ユニットが電気的に直列に接続された光電変換装置。
The photoelectric conversion device according to claim 1,
A plurality of electric units composed of the photoelectric conversion element and the rectifying element are provided,
A photoelectric conversion device in which the plurality of electrical units are electrically connected in series.
請求項1または請求項2に記載の光電変換装置であって、
前記整流素子は、平面視して前記光電変換素子と重なる領域に配置されている光電変換装置。
The photoelectric conversion device according to claim 1 or 2, wherein
The rectifying element is a photoelectric conversion device arranged in a region overlapping the photoelectric conversion element in plan view.
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の光電変換装置であって、
前記ビア導体は、平面視して前記光電変換素子と重なる領域に配置されている光電変換装置。
A photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 3,
The via conductor is a photoelectric conversion device arranged in a region overlapping the photoelectric conversion element in plan view.
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子と前記整流素子との間に前記ビア導体が設けられている光電変換装置。
A photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 4,
A photoelectric conversion device in which the via conductor is provided between the photoelectric conversion element and the rectifying element.
請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の光電変換装置であって、
前記複数の光電変換素子は、透光性樹脂によって覆われている光電変換装置。
A photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 5,
The photoelectric conversion device in which the plurality of photoelectric conversion elements are covered with a translucent resin.
請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子および前記整流素子は、パッケージ内に設けられている光電変換装置。
The photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 6,
The photoelectric conversion device and the rectifying device are a photoelectric conversion device provided in a package.
請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の上方に設けられた、外部からの光を受光して前記光電変換素子に受光した光を集める集光部材と、を備えた光電変換モジュール。
A photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 7,
And a light collecting member that is provided above the photoelectric conversion device and receives light from the outside and collects the light received by the photoelectric conversion element.
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