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JP2012212019A - Method for manufacturing optical element array, optical element array, lens unit and camera module - Google Patents

Method for manufacturing optical element array, optical element array, lens unit and camera module Download PDF

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JP2012212019A
JP2012212019A JP2011077539A JP2011077539A JP2012212019A JP 2012212019 A JP2012212019 A JP 2012212019A JP 2011077539 A JP2011077539 A JP 2011077539A JP 2011077539 A JP2011077539 A JP 2011077539A JP 2012212019 A JP2012212019 A JP 2012212019A
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JP
Japan
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optical element
element array
optical
lens
antireflection structure
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Application number
JP2011077539A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichiro Hirata
健一郎 平田
Tomokazu Taguchi
智一 田口
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Konica Minolta Advanced Layers Inc
Original Assignee
Konica Minolta Advanced Layers Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an optical element array having an entirely homogeneous antireflection structure imparted thereto without degradation in the antireflection effect even in a high-temperature environment such as in a reflow process.SOLUTION: An optical element array 100 having a stable state of an antireflection structure 51 having a fine concavo-convex pattern can be manufactured. Specifically, as the antireflection structure 51 is formed of the same material as first and second optical faces 11d and 12d, the optical element array 100 can be manufactured without causing cracks and peeling in the antireflection structure 51 portion. As the entire surface of the optical element array 100 is uniformly irradiated with an ion beam having a controlled energy state, the antireflection structure 51 on the optical element array 100 can be made homogeneous.

Description

本発明は、特に撮像レンズ等に用いるための光学要素アレイの製造方法、当該方法によって製造された光学要素アレイ、及び当該光学要素アレイを用いて作製したレンズユニット、並びにカメラモジュールに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an optical element array, particularly for use in an imaging lens, an optical element array manufactured by the method, a lens unit manufactured using the optical element array, and a camera module.

マイクロカメラモジュールのような複数枚のレンズやCCD(Charge Coupled Device)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等を積層する小型のカメラレンズを大量かつ低コストで作製する手法として、WLO(Wafer Level Optics:ウェハレベルオプティクス)技術がある(例えば、特許文献1及び2参照)。WLO技術では、1枚のウェハ上に数千個というレンズを形成し、これらのウェハを積層後に切断することによって、大量のレンズユニットが軸調整を行うことなく作製される。これらのレンズユニットをCCD等と組み合わせ、はんだを用いたリフローと呼ばれる加熱接着工程を通して接合することによりカメラモジュールが作製される。   WLO (Wafer Level Optics) is a method for manufacturing a small number of small-sized camera lenses, such as a micro camera module, which stacks multiple lenses, CCD (Charge Coupled Device), CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), etc. Wafer level optics) technology (see, for example, Patent Documents 1 and 2). In the WLO technology, thousands of lenses are formed on a single wafer, and these wafers are cut after lamination, whereby a large number of lens units are manufactured without adjusting the axis. These lens units are combined with a CCD or the like and joined through a heat bonding process called reflow using solder to produce a camera module.

ここで、一般的にカメラモジュールに用いられる光学レンズは表面反射によるゴーストやフレアを低減させるために反射防止加工がされている。最も一般的な反射防止加工としては、反射防止膜と呼ばれる光学薄膜を設ける方法がある(例えば、特許文献3参照)。反射防止膜は、光の干渉を用いて反射光を低減するものであり、例えばレンズ材料よりも低い屈折率を有する材料をレンズ表面にλ/4(ここで、λは反射を防止させたい波長の光であり、可視光であれば350nm〜800nm程度である。)程度の膜厚で形成し、膜表面の反射光とレンズ表面の反射光とを打ち消すように作用させることで反射光を低減させる。   Here, an optical lens generally used in a camera module is subjected to antireflection processing in order to reduce ghost and flare caused by surface reflection. As the most common antireflection processing, there is a method of providing an optical thin film called an antireflection film (see, for example, Patent Document 3). The antireflection film reduces reflected light by using interference of light. For example, a material having a lower refractive index than that of the lens material is applied to the lens surface at λ / 4 (where λ is a wavelength at which reflection is to be prevented). (If it is visible light, it is about 350 nm to 800 nm.) The reflection light is reduced by forming the film with a film thickness and acting to cancel the reflected light on the film surface and the reflected light on the lens surface. Let

また、別の反射防止加工として、反射防止機能を有する反射防止構造体を設ける方法がある。反射防止構造体は、レンズ等の光学素子の表面に光の波長スケールの凹凸形状や巨視的に見て密度の小さい部分を作製することで反射を低減する。反射防止構造体の作製法には、成形を行う金型に反射防止構造のネガ型を作製しておき、成形時に反射防止構造を転写する方法がある(例えば、特許文献4参照)。また、反射防止構造体の作製法には、レンズ表面に皮膜を形成した後に、この皮膜を反射防止構造体に加工する方法がある(例えば、特許文献5参照)。ここで、皮膜形成後の後加工には、プラズマ及びプラズマ源から引き出したイオン衝突を用いたエッチング等が存在する(例えば、特許文献6参照)。また、撮像素子上のオンチップレンズのような小型の光学要素アレイを作製するにあたって、マイクロレンズ上に設けた平坦層の表面に酸素(O)を用いたドライエッチングによって反射防止構造体を作製する手法も存在する(例えば、特許文献7参照)。 As another antireflection process, there is a method of providing an antireflection structure having an antireflection function. The antireflection structure reduces reflection by forming a concave / convex shape of the wavelength scale of light and a portion having a small density when viewed macroscopically on the surface of an optical element such as a lens. As a method for producing the antireflection structure, there is a method in which a negative mold having an antireflection structure is produced in a mold for molding, and the antireflection structure is transferred at the time of molding (for example, see Patent Document 4). In addition, as a method for manufacturing the antireflection structure, there is a method in which after forming a film on the lens surface, the film is processed into an antireflection structure (see, for example, Patent Document 5). Here, in post-processing after film formation, there is etching using ion collision extracted from plasma and a plasma source (see, for example, Patent Document 6). Further, when producing a small optical element array such as an on-chip lens on an image sensor, an antireflection structure is produced by dry etching using oxygen (O 2 ) on the surface of a flat layer provided on the microlens. There is also a technique to do this (for example, see Patent Document 7).

しかしながら、特許文献3、5、及び7の方法では、リフロー工程と呼ばれる高温下に置かれた場合、レンズと薄膜との間の線膨脹係数の差から膜のクラックや剥離が発生してしまうという問題が生じ得る。特に、レンズ材料として樹脂を用いた場合、樹脂材料はガラス材料に比べ膨張率が大きく、リフローに限らず高温下に置かれた際にクラックや剥離といった問題がより発生しやすくなる。   However, in the methods of Patent Documents 3, 5, and 7, when placed under a high temperature called a reflow process, the film cracks or peels off due to the difference in the coefficient of linear expansion between the lens and the thin film. Problems can arise. In particular, when a resin is used as the lens material, the resin material has a larger expansion coefficient than that of the glass material, and problems such as cracking and peeling are more likely to occur when the resin material is placed at a high temperature, not limited to reflow.

また、特許文献4の方法のように、構造体を作製する手法として金型を用いた場合、樹脂との接着面積が増加することによって離形不良や金型の劣化による光学素子の不均質さが生じる、金型作製が複雑になりコストが非常に高くなる、等の問題がある。   In addition, when a mold is used as a method for producing a structure as in the method of Patent Document 4, an optical element is inhomogeneous due to a defective mold release or a deterioration of the mold due to an increase in the adhesion area with the resin. There are problems such as the generation of metal molds, the mold fabrication becomes complicated and the cost becomes very high.

また、特許文献6の方法のように、プラズマによる加工処理では、被処理対象物に対してプラズマ密度を均一に保つ必要がある。これにより、光学要素アレイのような比較的大きい面積のものが被処理対象物になる場合、光学要素アレイ内の位置によって処理の効果にムラができてしまう。そのため、均質な反射防止構造体を得ることが困難である。また、均質にプラズマ処理を行うためには装置内の電解分布を調整する必要があり、その設計には困難が生じ、規模も大型のものになってしまう。また、エッチング処理の前後において、マスク層や保護層等を形成するために薄膜を堆積させる場合、プラズマ処理と薄膜堆積という2つの工程を行わなければならない。そのため、光学要素アレイの搬送、設置に加えて、プラズマ処理及び薄膜堆積の両工程でそれぞれ真空引きしなければならず、工数がかかってしまうという問題がある。   Further, in plasma processing as in the method of Patent Document 6, it is necessary to keep the plasma density uniform with respect to the object to be processed. As a result, when an object having a relatively large area, such as an optical element array, becomes an object to be processed, the effect of the processing becomes uneven depending on the position in the optical element array. Therefore, it is difficult to obtain a uniform antireflection structure. In addition, in order to perform the plasma treatment uniformly, it is necessary to adjust the electrolytic distribution in the apparatus, and the design becomes difficult and the scale becomes large. In addition, when a thin film is deposited to form a mask layer, a protective layer, and the like before and after the etching process, two steps of plasma treatment and thin film deposition must be performed. Therefore, in addition to the transport and installation of the optical element array, it is necessary to evacuate both the plasma processing and the thin film deposition process, resulting in a problem that man-hours are required.

特表2010−519881号公報Special table 2010-519881 特開2010−266815号公報JP 2010-266815 A 特開昭60−129701号公報JP 60-129701 A 特開2005−31538号公報JP 2005-31538 A 特開2010−48896号公報JP 2010-48896 A 米国特許2005−0233083号公報US 2005-0233083 特開2007−242771号公報JP 2007-242771 A

本発明は、リフロー工程のような高温環境下を経ても反射防止効果に劣化がなく、全体に均質な反射防止構造体を付与した光学要素アレイの製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical element array in which an antireflection effect is not deteriorated even under a high temperature environment such as a reflow process and a uniform antireflection structure is provided on the whole.

また、本発明は、上記光学要素アレイの製造方法によって製造された光学要素アレイ、及び当該光学要素アレイを用いて作製したレンズユニット、並びにカメラモジュールを提供することを目的とする。   It is another object of the present invention to provide an optical element array manufactured by the method for manufacturing an optical element array, a lens unit manufactured using the optical element array, and a camera module.

上記課題を解決するため、本発明に係る光学要素アレイの製造方法は、光学機能部を有する樹脂製の光学要素が複数形成された光学要素アレイの製造方法であって、成形された光学要素アレイの光学機能部にマスクパターンを形成するパターニング工程と、光学機能部にイオンビームによるエッチングにより反射防止構造体を設けるエッチング工程と、を備える。   In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing an optical element array according to the present invention is a method for manufacturing an optical element array in which a plurality of resin optical elements having optical function portions are formed, and the molded optical element array A patterning step of forming a mask pattern on the optical function portion, and an etching step of providing an antireflection structure on the optical function portion by etching with an ion beam.

上記光学要素アレイの製造方法によれば、微細な凹凸形状を有する反射防止構造体が安定した状態である光学要素アレイを製造することができる。具体的には、反射防止構造体が光学機能部と同じ材質で形成されるため、反射防止構造体と光学機能部との線膨脹係数の差が小さくクラックが発生しない光学要素アレイを作製することができる。また、反射防止構造体が光学機能部と同じ材質で形成されるため、反射防止構造体と光学機能部との間に界面が存在しない。そのため、反射防止構造体部分に剥離が発生しない光学要素アレイを作製することができる。また、エネルギー状態の制御されたイオンビームがイオン照射口より放出され、光学要素アレイ表面全体に均一に照射されるため、光学要素アレイ上の反射防止構造体を均質なものとすることができる。   According to the method for manufacturing an optical element array, it is possible to manufacture an optical element array in which the antireflection structure having a fine uneven shape is in a stable state. Specifically, since the antireflection structure is made of the same material as that of the optical function part, an optical element array in which the difference in linear expansion coefficient between the antireflection structure and the optical function part is small and cracks do not occur is produced. Can do. Further, since the antireflection structure is made of the same material as that of the optical function part, there is no interface between the antireflection structure and the optical function part. Therefore, it is possible to produce an optical element array in which peeling does not occur in the antireflection structure part. Further, since the ion beam whose energy state is controlled is emitted from the ion irradiation port and uniformly irradiated on the entire surface of the optical element array, the antireflection structure on the optical element array can be made uniform.

本発明の具体的な態様又は観点では、上記光学要素アレイの製造方法において、エッチング工程において、光学要素アレイの光学要素が配置されている部分で最大のエッチングレートと最小のエッチングレートとの差が最大のエッチングレートの10%以内である。この場合、上記光学要素アレイの光学要素が配置されている部分でのエッチングレートのうち、最大のエッチングレートと最小のエッチングレートとの差が最大のエッチングレートの10%以内であれば、光学的に略同等の反射防止効果を有するレンズを作製することができる。   In a specific aspect or aspect of the present invention, in the manufacturing method of the optical element array, in the etching step, a difference between the maximum etching rate and the minimum etching rate in the portion where the optical element of the optical element array is arranged is It is within 10% of the maximum etching rate. In this case, if the difference between the maximum etching rate and the minimum etching rate is within 10% of the maximum etching rate in the portion where the optical element of the optical element array is disposed, the optical rate It is possible to produce a lens having an antireflection effect substantially equivalent to the above.

本発明の別の観点では、光学機能部のマスクパターンは微細な島状に形成されている。この場合、パターンの配置や大きさ等を調整することにより、反射防止構造体の微細な凹凸形状の特性を簡易に調整することができる。   In another aspect of the present invention, the mask pattern of the optical function portion is formed in a fine island shape. In this case, the characteristics of the fine uneven shape of the antireflection structure can be easily adjusted by adjusting the arrangement and size of the pattern.

本発明のさらに別の観点では、エッチング工程において、不活性ガスと反応性ガスとを用いる。この場合、エッチングレートを調整することができ、反射防止構造体の微細な凹凸形状の特性を簡易に調整することができる。   In still another aspect of the present invention, an inert gas and a reactive gas are used in the etching process. In this case, the etching rate can be adjusted, and the characteristics of the fine irregular shape of the antireflection structure can be easily adjusted.

本発明のさらに別の観点では、エッチング工程後、反射防止構造体上に反射防止構造体を保護する保護層を設けるコーティング工程を備える。この場合、反射防止構造体の微細な凹凸形状を傷、埃、汚れ等から保護することができる。   In still another aspect of the present invention, a coating process is provided in which a protective layer for protecting the antireflection structure is provided on the antireflection structure after the etching process. In this case, the fine uneven shape of the antireflection structure can be protected from scratches, dust, dirt, and the like.

上記課題を解決するため、本発明に係る光学要素アレイは、光学機能部を有する樹脂製の光学要素が複数形成された光学要素アレイであって、光学機能部に、イオンビームを用いることにより形成された微細な凹凸形状の反射防止構造体を有する。   In order to solve the above problems, an optical element array according to the present invention is an optical element array in which a plurality of resin optical elements having an optical function part are formed, and is formed by using an ion beam in the optical function part. And having a fine concavo-convex antireflection structure.

上記光学要素アレイによれば、これに設けた微細な凹凸形状を有する反射防止構造体が安定した状態である。具体的には、反射防止構造体が光学機能部と同じ材質で形成されるため、反射防止構造体と光学機能部との線膨脹係数の差が小さくクラックが発生しない。また、反射防止構造体が光学機能部と同じ材質で形成されるため、反射防止構造体と光学機能部との間に界面が存在せず、剥離も発生しない。さらに、反射防止構造体を形成する際に、エネルギー状態の制御されたイオンビームが光学要素アレイ表面全体に均一に照射されるため、光学要素アレイ上の反射防止構造体が均質なものとなる。これにより、光学要素アレイを積層し、切断した光学要素をカメラモジュールに組み込んだ際にも、カメラモジュールの性能のばらつきを小さく抑えることができる。   According to the optical element array, the antireflection structure having a fine uneven shape provided on the optical element array is in a stable state. Specifically, since the antireflection structure is made of the same material as that of the optical function part, the difference in the linear expansion coefficient between the antireflection structure and the optical function part is small, and cracks do not occur. In addition, since the antireflection structure is formed of the same material as the optical function portion, there is no interface between the antireflection structure and the optical function portion, and no peeling occurs. Further, when forming the antireflection structure, the ion beam whose energy state is controlled is uniformly irradiated on the entire surface of the optical element array, so that the antireflection structure on the optical element array is uniform. Thereby, even when the optical element array is stacked and the cut optical element is incorporated into the camera module, the variation in the performance of the camera module can be suppressed small.

本発明の具体的な態様又は観点では、上記光学要素アレイにおいて、反射防止構造体の凹凸形状の深さは、50nm以上1000nm以下である。ここで、反射防止構造体は、入射光側から光学素子中心側に向かうにつれて微細な凹凸形状の体積密度が増加するような先細りの構造となる傾向がある。また、反射防止構造体において深さ方向で屈折率が徐々に変化することにより波長依存性が小さくなる。そのため、反射防止構造体を表面に有する光学機能部は、反射防止膜と比較して入射光の角度依存性を低下させることができる。   In a specific aspect or viewpoint of the present invention, in the optical element array, the depth of the concavo-convex shape of the antireflection structure is 50 nm or more and 1000 nm or less. Here, the antireflection structure tends to have a tapered structure in which the volume density of the fine irregularities increases from the incident light side toward the optical element center side. In addition, the wavelength dependency is reduced by gradually changing the refractive index in the depth direction in the antireflection structure. Therefore, the optical function unit having the antireflection structure on the surface can reduce the angle dependency of incident light as compared with the antireflection film.

本発明の別の観点では、樹脂は、200℃以上の耐熱性を有する。この場合、リフローを行う際に熱による反射防止構造体の形状や色等の変化を抑えることができる。   In another aspect of the present invention, the resin has a heat resistance of 200 ° C. or higher. In this case, it is possible to suppress changes in the shape and color of the antireflection structure due to heat during reflow.

本発明のさらに別の観点では、反射防止構造体は、表面に保護層を有する。この場合、反射防止構造体の微細な凹凸形状を傷、埃、汚れ等から保護することができる。   In still another aspect of the present invention, the antireflection structure has a protective layer on the surface. In this case, the fine uneven shape of the antireflection structure can be protected from scratches, dust, dirt, and the like.

本発明のさらに別の観点では、光学要素は、複数の光電変換素子を有する撮像素子自体に光を導くためのものである。この場合、撮像素子自体に光を導く光学要素は、直径0.5mm〜10mm程度となる。このような光学要素が複数形成された光学要素アレイ全体は比較的大きいものとなる。光学要素アレイが比較的大きくなっても、イオンビームを用いて反射防止構造体として均質な微細な凹凸形状を形成することにより、均一な精度を有する反射防止構造体とすることができる。   In still another aspect of the present invention, the optical element is for guiding light to the imaging element itself having a plurality of photoelectric conversion elements. In this case, the optical element that guides light to the imaging device itself has a diameter of about 0.5 mm to 10 mm. The entire optical element array in which a plurality of such optical elements are formed is relatively large. Even when the optical element array becomes relatively large, an antireflection structure having uniform accuracy can be obtained by forming a uniform fine uneven shape as an antireflection structure using an ion beam.

上記課題を解決するため、本発明に係るレンズユニットは、上記光学要素アレイから分離される光学要素を有する。   In order to solve the above problems, a lens unit according to the present invention includes an optical element separated from the optical element array.

上記レンズユニットによれば、光学要素に膜剥がれやクラックといった不良が発生せず、かつ均質な反射防止構造体を有する光学要素アレイを用いることにより、高精度な光学性能を有するレンズユニットを提供することができる。   According to the above lens unit, a lens unit having high-precision optical performance is provided by using an optical element array that does not cause defects such as film peeling and cracks in the optical element and has a uniform antireflection structure. be able to.

上記課題を解決するため、本発明に係る第1のカメラモジュールは、上記光学要素アレイから分離される光学要素と撮像素子とを組み合わせて製造される。   In order to solve the above problems, a first camera module according to the present invention is manufactured by combining an optical element separated from the optical element array and an image sensor.

上記第1のカメラモジュールによれば、光学要素に膜剥がれやクラックといった不良が発生せず、かつ均質な反射防止構造体を有する光学要素アレイを用いることにより、高精度な光学性能を有するカメラモジュールを提供することができる。   According to the first camera module, a camera module having high-precision optical performance by using an optical element array having a uniform antireflection structure without causing defects such as film peeling and cracks in the optical element. Can be provided.

上記課題を解決するため、本発明に係る第2のカメラモジュールは、上記光学要素アレイと、撮像素子が複数形成された撮像素子アレイとを組み合わせたものから取り出される。   In order to solve the above problems, a second camera module according to the present invention is taken out from a combination of the optical element array and an image sensor array in which a plurality of image sensors are formed.

上記第2のカメラモジュールによれば、光学要素に膜剥がれやクラックといった不良が発生せず、かつ均質な反射防止構造体を有する光学要素アレイを用いることにより、高精度な光学性能を有するカメラモジュールを提供することができる。また、多数の撮像素子とレンズユニットとを一度に組み合わせることにより、単体の撮像素子とレンズユニットとを組み合わせるよりも作業工程が短縮できるため、コストの削減をすることができる。   According to the second camera module, a camera module having high-precision optical performance by using an optical element array having a uniform antireflection structure without causing defects such as film peeling and cracks in the optical element. Can be provided. Further, by combining a large number of image sensors and lens units at a time, the work process can be shortened compared to combining a single image sensor and lens units, so that the cost can be reduced.

上記課題を解決するため、本発明に係る第3のカメラモジュールは、上記光学要素アレイから分離される光学要素と撮像素子とを組み合わせた状態でリフロー工程を経て製造される。   In order to solve the above problems, a third camera module according to the present invention is manufactured through a reflow process in a state where an optical element separated from the optical element array and an image sensor are combined.

上記第3のカメラモジュールによれば、リフロー工程を経ても光学要素に膜剥がれやクラックといった不良が発生せず、かつ均質な反射防止構造体を有する光学要素アレイを用いることにより、高精度な光学性能を有するカメラモジュールを提供することができる。また、リフロー工程を通すことで、より強固に接着されたカメラモジュールを提供することができる。   According to the third camera module, a high-precision optical device is used by using an optical element array having a uniform antireflection structure without causing defects such as film peeling and cracks in the optical element even after the reflow process. A camera module having performance can be provided. Moreover, the camera module adhered more firmly can be provided by passing through a reflow process.

(A)は、第1実施形態の光学要素アレイの平面図であり、(B)は、(A)に示す光学要素アレイのAA矢視断面図であり、(C)は、(A)に示す光学要素アレイを積層し、分離したレンズユニットの拡大断面図である。(A) is a top view of the optical element array of 1st Embodiment, (B) is AA arrow sectional drawing of the optical element array shown to (A), (C) is (A). It is an expanded sectional view of the lens unit which laminated | stacked the optical element array to show and isolate | separated. 図1の光学要素アレイの反射防止構造体等について説明する部分拡大図である。It is the elements on larger scale explaining the reflection preventing structure of the optical element array of FIG. 図1の光学要素アレイの製造に用いる成形金型を説明する断面の概念図である。It is a conceptual diagram of the cross section explaining the shaping die used for manufacture of the optical element array of FIG. 図1の光学要素アレイの製造に用いる加工装置を説明する概念図である。It is a conceptual diagram explaining the processing apparatus used for manufacture of the optical element array of FIG. (A)〜(D)は、図1の光学要素アレイの成形工程を説明するための図である。(A)-(D) are the figures for demonstrating the shaping | molding process of the optical element array of FIG. 図1の光学要素アレイの製造工程を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the manufacturing process of the optical element array of FIG. (A)は、図1の光学要素アレイの製造工程中のパターニング工程を説明する図であり、(B)、(C)は、エッチング工程を説明する図であり、(D)は、コーティング工程を説明する図である。(A) is a figure explaining the patterning process in the manufacturing process of the optical element array of FIG. 1, (B), (C) is a figure explaining an etching process, (D) is a coating process. FIG. 図1(C)のレンズユニットを組み込んだカメラモジュールを説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the camera module incorporating the lens unit of FIG.1 (C). 図8のカメラモジュールの製造工程を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the manufacturing process of the camera module of FIG. (A)は、第2実施形態のカメラモジュールを説明する図であり、(B)は、(A)のカメラモジュールを切断する前の構造体を説明する図である。(A) is a figure explaining the camera module of 2nd Embodiment, (B) is a figure explaining the structure before cut | disconnecting the camera module of (A). 図10(A)のカメラモジュールの製造工程を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the manufacturing process of the camera module of FIG. 第3実施形態の光学要素アレイを説明する図である、It is a figure explaining the optical element array of 3rd Embodiment.

〔第1実施形態〕
図面を参照して、本発明の第1実施形態に係る光学要素アレイ、光学要素アレイの製造方法等について説明する。
[First Embodiment]
With reference to drawings, the optical element array which concerns on 1st Embodiment of this invention, the manufacturing method of an optical element array, etc. are demonstrated.

光学要素アレイ
図1(A)及び1(B)に示すように、光学要素アレイ100は、円盤状であり、基板101と、第1レンズアレイ層102と、第2レンズアレイ層103とを有する。光学要素アレイ100は、後述する複合レンズ10をマトリックス状に配列して一体化した構造を有する。説明の都合上、4つの複合レンズ10のみを図示しているが、実際の光学要素アレイ100は、多数の複合レンズ10を含むものとなっている。光学要素アレイ100を積層し、分離することで、複合レンズ10の軸合わせ等の後工程を短縮することができる。ここで、第1及び第2レンズアレイ層102,103は、軸AXに垂直なXY面内での並進及び軸AXのまわりの回転に関して相互にアライメントされて基板101に接合されている。
Optical Element Array As shown in FIGS. 1A and 1B, the optical element array 100 has a disc shape and includes a substrate 101, a first lens array layer 102, and a second lens array layer 103. . The optical element array 100 has a structure in which composite lenses 10 described later are integrated in a matrix. For convenience of explanation, only four compound lenses 10 are shown, but the actual optical element array 100 includes a large number of compound lenses 10. By laminating and separating the optical element array 100, post-processes such as axial alignment of the compound lens 10 can be shortened. Here, the first and second lens array layers 102 and 103 are bonded to the substrate 101 in alignment with each other with respect to translation in the XY plane perpendicular to the axis AX and rotation around the axis AX.

光学要素アレイ100のうち基板101は、XY面に沿って延びる円形の平板である。基板101は、樹脂、ガラス、フォトニック結晶、及びこれらに添加物を加えたもの等で形成されている。特に、光透過性に優れるガラスや透明樹脂、及びこれらに添加物を加えたものが好ましい。基板101の厚さは、基本的には光学的仕様によって決定されるが、光学要素アレイ100の離型時において破損しない程度の厚さとなっている。具体的には、例えば0.25mm以上1mm以下となっている。基板101は、光学要素アレイ100の形状を安定させる目的、及び成形を容易にする目的で用いられる。基板101の表面積は、使用用途に応じて選択可能であり、10cm〜20000cmの範囲となっている。なお、基板101の表面積は、基板101上に形成する後述する第1及び第2レンズ素子11,12の個数を考慮すると100cm以上が好ましい。さらに、基板101の表面積は、取り扱いの良さを考慮すると100cm以上2000cmがより好ましい。基板101の片面又は両面には、洗浄や表面改質等の目的に応じて、プラズマ、イオンビーム、研磨、熱処理、ドライエッチング、ウェットエッチング等の表面処理が施されていてもよい。また、基板101の片面又は両面には、保護膜、レジスト処理、光学薄膜の堆積等の処理が施されていてもよいし、切削、モールド、ダイシング、研磨、ブラスト等によって表面加工、形状加工が行われてもよい。例えば、黒い樹脂材料を用いたレジスト処理によって、レンズ絞りのパターニング等を行うことができる。また、基板101の片面又は両面に赤外カットフィルタ膜を設けることにより、撮像素子へのノイズを減少させることができ、光学要素アレイ100を用いて作製されるカメラモジュールの性能を向上させることができる。 In the optical element array 100, the substrate 101 is a circular flat plate extending along the XY plane. The substrate 101 is formed of resin, glass, photonic crystal, and those obtained by adding an additive thereto. In particular, glass and transparent resin excellent in light transmittance, and those obtained by adding additives to these are preferable. The thickness of the substrate 101 is basically determined by optical specifications, but is such a thickness that the substrate 101 is not damaged when the optical element array 100 is released. Specifically, it is 0.25 mm or more and 1 mm or less, for example. The substrate 101 is used for the purpose of stabilizing the shape of the optical element array 100 and for the purpose of facilitating molding. The surface area of the substrate 101 is selected depending on the intended use, and has a range of 10cm 2 ~20000cm 2. The surface area of the substrate 101 is preferably 100 cm 2 or more in consideration of the number of first and second lens elements 11 and 12 described later formed on the substrate 101. Furthermore, the surface area of the substrate 101, considering the good handling 100 cm 2 or more 2000 cm 2 is more preferable. One or both surfaces of the substrate 101 may be subjected to surface treatment such as plasma, ion beam, polishing, heat treatment, dry etching, or wet etching according to the purpose such as cleaning or surface modification. Further, one or both surfaces of the substrate 101 may be subjected to processing such as protection film, resist processing, optical thin film deposition, etc., and surface processing and shape processing may be performed by cutting, molding, dicing, polishing, blasting, etc. It may be done. For example, patterning of the lens diaphragm can be performed by resist processing using a black resin material. In addition, by providing an infrared cut filter film on one or both surfaces of the substrate 101, noise to the image sensor can be reduced, and the performance of a camera module manufactured using the optical element array 100 can be improved. it can.

第1レンズアレイ層102は、樹脂製であり、基板101の一方の面101b上に形成されている。第1レンズアレイ層102は、成形の容易さを考慮して基板101の全面を覆うように形成されている。第1レンズアレイ層102は、平面視において円形の外形を有し、多数の第1レンズ素子11を有する。第1レンズ素子11は、第1レンズ本体11aと第1フランジ部11bとを一組としている。第1レンズ素子11は、後述するカメラモジュール70,270の組み立て時の容易さ、完成品の均質さからXY面内で2次元的に互いに等間隔に配列している。これらの第1レンズ素子11は、平坦な連結部11cを介して一体に成形されている。各第1レンズ素子11の形状は略同一となっている。第1レンズ素子11と連結部11cとを合わせた表面は、転写によって一括成形される第1成形面102aとなっている。第1レンズ本体11aは、例えば非球面型のレンズ部であり、光学機能部として凸状の第1光学面11dを有している。第1光学面11dは、光学要素であり、例えば複数の光電変換素子を有する撮像素子自体に光を導くためのものである。本実施形態の場合、第1光学面11dの直径は、0.5mm〜10mm程度となっている。周囲の第1フランジ部11bは、第1光学面11dの周囲に広がる平坦な第1フランジ面11gを有し、第1フランジ部11bの外周は、連結部11cともなっている。第1フランジ面11gは、光軸OAに垂直なXY面に対して平行に配置されている。   The first lens array layer 102 is made of resin and is formed on one surface 101 b of the substrate 101. The first lens array layer 102 is formed so as to cover the entire surface of the substrate 101 in consideration of ease of molding. The first lens array layer 102 has a circular outer shape in plan view, and includes a large number of first lens elements 11. The first lens element 11 includes a first lens body 11a and a first flange portion 11b as a set. The first lens elements 11 are two-dimensionally arranged at equal intervals in the XY plane because of the ease of assembly of camera modules 70 and 270, which will be described later, and the homogeneity of the finished product. These first lens elements 11 are integrally molded through a flat connecting portion 11c. The shape of each first lens element 11 is substantially the same. The combined surface of the first lens element 11 and the connecting portion 11c is a first molding surface 102a that is collectively molded by transfer. The first lens body 11a is, for example, an aspheric lens part, and has a convex first optical surface 11d as an optical function part. The first optical surface 11d is an optical element, for example, for guiding light to the imaging element itself having a plurality of photoelectric conversion elements. In the case of this embodiment, the diameter of the first optical surface 11d is about 0.5 mm to 10 mm. The surrounding first flange portion 11b has a flat first flange surface 11g extending around the first optical surface 11d, and the outer periphery of the first flange portion 11b is also a connecting portion 11c. The first flange surface 11g is disposed in parallel to the XY plane perpendicular to the optical axis OA.

第1レンズアレイ層102に用いられる材料として、例えば熱硬化樹脂、光硬化樹脂、有機無機ハイブリッド材料等が用いられる。具体的には、光硬化性樹脂として、例えばアクリル樹脂、アリル樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂等があり、熱硬化性樹脂として、例えばフッ素系樹脂、シリコーン系樹脂等がある。有機無機ハイブリッド材料として、例えばポリイミド・チタニアハイブリッド等がある。第1レンズアレイ層102に用いられる材料は、特に耐熱性と作業性の良さを考慮すると、熱硬化樹脂及び紫外線硬化樹脂が好ましい。融点が200℃以上である樹脂や200℃以上の加熱時にクラック等の劣化が起きにくい樹脂を用いることにより、成形後のリフロー工程において第1光学面11dの劣化や後述する反射防止構造体の形状、色等の変化を抑えることができる。   As a material used for the first lens array layer 102, for example, a thermosetting resin, a photocurable resin, an organic-inorganic hybrid material, or the like is used. Specifically, examples of the photocurable resin include an acrylic resin, an allyl resin, an epoxy resin, and a fluorine resin, and examples of the thermosetting resin include a fluorine resin and a silicone resin. Examples of the organic / inorganic hybrid material include polyimide / titania hybrid. The material used for the first lens array layer 102 is preferably a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, particularly considering heat resistance and good workability. By using a resin having a melting point of 200 ° C. or higher, or a resin that is unlikely to deteriorate such as cracks when heated to 200 ° C. or higher, the first optical surface 11d is deteriorated in the reflow process after molding or the shape of the antireflection structure described later. , Changes in color and the like can be suppressed.

図2に拡大して示すように、第1レンズ素子11の第1光学面11d上には、反射防止構造体51と保護層52とが設けられている。なお、図2おいて、実際には、第1光学面11dと反射防止構造体51との境界が明確に存在しないが、便宜上点線で示している。   As shown in an enlarged view in FIG. 2, an antireflection structure 51 and a protective layer 52 are provided on the first optical surface 11 d of the first lens element 11. In FIG. 2, the boundary between the first optical surface 11d and the antireflection structure 51 does not exist clearly, but is shown by a dotted line for convenience.

反射防止構造体51は、第1光学面11d等の面内において、ランダムに配置された微細な凹凸形状を有する。反射防止構造体51は、入射光側から光学素子中心側に向かうにつれて凹凸形状の体積密度が増加するような先細りの構造となっている。つまり、反射防止構造体51は、略錐体状の微細突起を集めたものとなっている。反射防止構造体51の粗さ(Rz:十点平均粗さ)は、10nm以上1000nm以下となっている。なお、反射防止構造体51の粗さRzは、50nm以上800nm以下が好ましく、さらに、250nm以上800nm以下がより好ましい。反射防止構造体51は、イオンビームを用いることにより形成される。ここで、一般に、ある界面での反射率は、界面を挟む二空間の屈折率の差で決定され、その差が大きいほど表面反射率が増加する。反射防止構造体51は、第1光学面11d上に形成された使用波長レベル以下の凹凸形状であるため、反射防止構造体51と第1光学面11dとの間には、急激な屈折率変化がある界面が存在しない。これにより、反射防止構造体51における屈折率変化が緩やかなものとなり、表面反射率が低下する。この効果は、波長や入射角に依存するものではない。そのため、反射防止構造体51は、低屈折率層等を有する従来型の構造体に比較して波長依存性と角度依存性とを抑えることができる。なお、低屈折率層等を有する従来型の構造体による反射防止の原理は、光の干渉によるものである。光が低屈折率層等を有する構造体に垂直入射する場合、膜厚の4倍の波長において最も反射率が低減され、入射角θの光に対しては、見掛け上の膜厚が実質の膜厚とcosθとの積として現れる。その結果、低屈折率層等を有する構造体の場合、本実施形態の場合と異なり、波長依存性、入射角依存性が現れる。   The antireflection structure 51 has fine uneven shapes randomly arranged in a plane such as the first optical surface 11d. The antireflection structure 51 has a tapered structure in which the volume density of the concavo-convex shape increases from the incident light side toward the optical element center side. That is, the antireflection structure 51 is a collection of substantially cone-shaped fine protrusions. The roughness (Rz: 10-point average roughness) of the antireflection structure 51 is 10 nm or more and 1000 nm or less. The roughness Rz of the antireflection structure 51 is preferably 50 nm or more and 800 nm or less, and more preferably 250 nm or more and 800 nm or less. The antireflection structure 51 is formed by using an ion beam. Here, in general, the reflectance at a certain interface is determined by the difference in refractive index between the two spaces sandwiching the interface, and the surface reflectance increases as the difference increases. Since the antireflection structure 51 has a concavo-convex shape of the use wavelength level or less formed on the first optical surface 11d, there is a sudden change in refractive index between the antireflection structure 51 and the first optical surface 11d. There are no interfaces. Thereby, the refractive index change in the antireflection structure 51 becomes gradual, and the surface reflectance decreases. This effect does not depend on the wavelength or the incident angle. Therefore, the antireflection structure 51 can suppress wavelength dependency and angle dependency as compared with a conventional structure having a low refractive index layer or the like. The principle of antireflection by a conventional structure having a low refractive index layer or the like is based on light interference. When light is perpendicularly incident on a structure having a low refractive index layer or the like, the reflectance is reduced most at a wavelength four times the film thickness, and the apparent film thickness is substantial for light having an incident angle θ. Appears as the product of film thickness and cos θ. As a result, in the case of a structure having a low refractive index layer or the like, unlike the case of the present embodiment, wavelength dependency and incident angle dependency appear.

保護層52は、第1レンズアレイ層102の表面全体にコーティングされており、反射防止構造体51上にもむらなく形成されている。保護層52は、塗布、蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリング等を用いることにより形成される。なお、広面積に均質かつ正確な膜厚制御が行えるため、蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリングを用いることが好ましい。保護層52の材料として、例えばSiO、Al等が用いられる。保護層52の厚みは、約5nm〜50nmとなっている。保護層52を設けることにより、反射防止構造体51、延いては第1光学面11dや第1フランジ面11gに防塵、防汚、耐摩耗性、耐静電性等を付与することができる。 The protective layer 52 is coated on the entire surface of the first lens array layer 102, and is uniformly formed on the antireflection structure 51. The protective layer 52 is formed by using coating, vapor deposition, sputtering, ion beam sputtering, or the like. Note that vapor deposition, sputtering, and ion beam sputtering are preferably used because uniform and accurate film thickness control can be performed over a wide area. As a material of the protective layer 52, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 or the like is used. The thickness of the protective layer 52 is about 5 nm to 50 nm. By providing the protective layer 52, it is possible to impart dustproof, antifouling, wear resistance, electrostatic resistance, and the like to the antireflection structure 51, and thus the first optical surface 11d and the first flange surface 11g.

図1(B)に戻って、第2レンズアレイ層103も同様に、樹脂製であり、基板101の他方の面101c上に形成されている。第2レンズアレイ層103は、平面視において円形の外形を有し、第2レンズ本体12aと第2フランジ部12bとを一組とする多数の第2レンズ素子12をXY面内で2次元的に互いに等間隔に配列している。これらの第2レンズ素子12は、平坦な連結部12cを介して一体に成形されている。各第2レンズ素子12と連結部12cとを合わせた表面は、転写によって一括成形される第2成形面103aとなっている。第2レンズ本体12aは、例えば非球面型のレンズ部であり、光学機能部として凹状の第2光学面12dを有している。周囲の第2フランジ部12bは、第2光学面12dの周囲に広がる平坦な第2フランジ面12gを有し、第2フランジ部12bの外周は、連結部12cともなっている。第2フランジ面12gは、光軸OAに垂直なXY面に対して平行に配置されている。第2レンズ素子12の第1光学面12d上には、図2に拡大して示す反射防止構造体51と保護層52とが設けられている。第2レンズアレイ層103の形状、材料等は第1レンズアレイ層102と同様であるため、説明を省略する。   Returning to FIG. 1B, the second lens array layer 103 is also made of resin and is formed on the other surface 101 c of the substrate 101. The second lens array layer 103 has a circular outer shape in a plan view, and two-dimensionally includes a plurality of second lens elements 12 each including the second lens body 12a and the second flange portion 12b in the XY plane. Are arranged at equal intervals. These second lens elements 12 are integrally molded via a flat connecting portion 12c. The combined surface of each second lens element 12 and the connecting portion 12c is a second molding surface 103a that is collectively molded by transfer. The second lens body 12a is, for example, an aspheric lens part, and has a concave second optical surface 12d as an optical function part. The surrounding second flange portion 12b has a flat second flange surface 12g extending around the second optical surface 12d, and the outer periphery of the second flange portion 12b is also a connecting portion 12c. The second flange surface 12g is disposed in parallel to the XY plane perpendicular to the optical axis OA. On the first optical surface 12 d of the second lens element 12, an antireflection structure 51 and a protective layer 52 shown in an enlarged manner in FIG. 2 are provided. Since the shape, material, and the like of the second lens array layer 103 are the same as those of the first lens array layer 102, description thereof is omitted.

なお、光学要素アレイ100において、基板101と第1レンズアレイ層102との間、或いは基板101と第2レンズアレイ層103との間に絞りを設けてもよい。この場合、絞りの開口部が各第1及び第2レンズ本体11a,12aにアライメントして配置される。   In the optical element array 100, a diaphragm may be provided between the substrate 101 and the first lens array layer 102 or between the substrate 101 and the second lens array layer 103. In this case, the aperture of the diaphragm is arranged in alignment with each of the first and second lens bodies 11a and 12a.

光学要素アレイの製造方法
以下、図3及び図4を参照しつつ、図1(A)等に示す光学要素アレイ100を製造するためのレンズ製造装置の一例について説明する。レンズ製造装置は、図3に示す成形装置(成形金型40のみ図示)と、図4に示す加工装置60とを備える。
Method for Manufacturing Optical Element Array Hereinafter, an example of a lens manufacturing apparatus for manufacturing the optical element array 100 shown in FIG. 1A and the like will be described with reference to FIGS. 3 and 4. The lens manufacturing apparatus includes a molding device shown in FIG. 3 (only the molding die 40 is shown) and a processing device 60 shown in FIG.

成形装置は、流動体状の樹脂を成形金型40に流し込み、固化させ光学要素アレイ100の成形を行うためのものである。図示は省略するが、成形装置は、主要な部材である成形金型40の他に、成形金型40に移動、開閉動作等を行わせるための金型昇降装置、樹脂を基板101に塗布するための樹脂塗布装置、樹脂を固化させるためのUV光発生装置、成形した光学要素アレイ100を取り出すための離型装置、これらの装置を駆動するための制御駆動装置等を備える。   The molding apparatus is used for molding the optical element array 100 by pouring a fluid resin into the molding die 40 and solidifying it. Although illustration is omitted, in addition to the molding die 40 as a main member, the molding apparatus applies a mold lifting device for moving, opening and closing the molding die 40, and resin to the substrate 101. A resin coating device for solidifying the resin, a UV light generating device for solidifying the resin, a mold release device for taking out the molded optical element array 100, a control driving device for driving these devices, and the like.

図3に示すように、成形金型40は、第1金型41と、第2金型42と、スペーサ43とを備える。第1レンズアレイ層102及び第2レンズアレイ層103は、基板101の両面101b,101cに順次成形され、離型の際に、第1金型41は基板101の上側となる一方の面101b側に第1レンズアレイ層102に密着して配置され、第2金型42は基板101の下側となる他方の面101c側に第2レンズアレイ層103に密着して配置された状態となる。   As shown in FIG. 3, the molding die 40 includes a first die 41, a second die 42, and a spacer 43. The first lens array layer 102 and the second lens array layer 103 are sequentially formed on both surfaces 101b and 101c of the substrate 101, and the first mold 41 is located on the one surface 101b side that becomes the upper side of the substrate 101 when releasing. The second mold 42 is placed in close contact with the second lens array layer 103 on the other surface 101 c side, which is the lower side of the substrate 101.

第1金型41は、光学要素アレイ100の第1成形面102aを成形するためのものである。第1金型41は、光透過性のガラス製であり、肉厚の円板状の外形を有する。第1金型41は、基板101側の端面41aに、第1レンズアレイ層102の第1成形面102aに対応する第1転写面41bを有する。つまり、端面41aには複数の第1転写面41bが形成されている。第1転写面41bは、第1成形面102aのうち第1光学面11dを形成するための第1光学面転写面41cと、第1フランジ面11gを形成するための第1フランジ面転写面41dとを含む。第1光学面転写面41cは、第1光学面11dの形状に対応して凹状となっており、第1フランジ面転写面41dは、第1フランジ面11gの形状に対応して平坦状となっている。   The first mold 41 is for molding the first molding surface 102 a of the optical element array 100. The first mold 41 is made of light transmissive glass and has a thick disk-shaped outer shape. The first mold 41 has a first transfer surface 41 b corresponding to the first molding surface 102 a of the first lens array layer 102 on the end surface 41 a on the substrate 101 side. That is, a plurality of first transfer surfaces 41b are formed on the end surface 41a. The first transfer surface 41b includes a first optical surface transfer surface 41c for forming the first optical surface 11d of the first molding surface 102a and a first flange surface transfer surface 41d for forming the first flange surface 11g. Including. The first optical surface transfer surface 41c is concave corresponding to the shape of the first optical surface 11d, and the first flange surface transfer surface 41d is flat corresponding to the shape of the first flange surface 11g. ing.

第2金型42は、光学要素アレイ100の第2成形面103aを成形するためのものである。第2金型42も、第1金型41と同様に、光透過性のガラス製であり、肉厚の円板状の外形を有する。第2金型42は、基板101側の端面42aに、第2レンズアレイ層103の第2成形面103aに対応する第2転写面42bを有する。第2転写面42bは、第2成形面103aのうち第2光学面12dを形成するための第2光学面転写面42cと、第2フランジ面12gを形成するための第2フランジ面転写面42dとを含む。第2光学面転写面42cは、第2光学面12dの形状に対応して凸状となっており、第2フランジ面転写面42dは、第2フランジ面12gの形状に対応して平坦状となっている。   The second mold 42 is for molding the second molding surface 103 a of the optical element array 100. Similarly to the first mold 41, the second mold 42 is also made of light-transmitting glass and has a thick disk-shaped outer shape. The second mold 42 has a second transfer surface 42 b corresponding to the second molding surface 103 a of the second lens array layer 103 on the end surface 42 a on the substrate 101 side. The second transfer surface 42b includes a second optical surface transfer surface 42c for forming the second optical surface 12d of the second molding surface 103a and a second flange surface transfer surface 42d for forming the second flange surface 12g. Including. The second optical surface transfer surface 42c is convex corresponding to the shape of the second optical surface 12d, and the second flange surface transfer surface 42d is flat corresponding to the shape of the second flange surface 12g. It has become.

スペーサ43は、光学要素アレイ100の側面100aを形成するとともに、第1及び第2レンズアレイ層102,103の厚みを規定するものである。スペーサ43は、第1金型41と第2金型42との間に挟まれており、環状の外形を有する。   The spacer 43 forms the side surface 100 a of the optical element array 100 and defines the thickness of the first and second lens array layers 102 and 103. The spacer 43 is sandwiched between the first mold 41 and the second mold 42 and has an annular outer shape.

図4に示すように、加工装置60は、真空チャンバー61と、ステージ62と、イオンガン63と、中和ガン64と、蒸着装置65と、ガス供給部66,67と、ガス排出部68と、制御部69とを備える。   As shown in FIG. 4, the processing device 60 includes a vacuum chamber 61, a stage 62, an ion gun 63, a neutralization gun 64, a vapor deposition device 65, gas supply units 66 and 67, a gas discharge unit 68, And a control unit 69.

真空チャンバー61は、加工装置60内を気密に保つためのものである。真空チャンバー61内には、ステージ62と、イオンガン63と、中和ガン64と、蒸着装置65とが設けられている。また、真空チャンバー61は、ポート61aを介してガス供給部66,67と連通し、ポート61bを介してガス排出部68と連通している。   The vacuum chamber 61 is for keeping the inside of the processing apparatus 60 airtight. In the vacuum chamber 61, a stage 62, an ion gun 63, a neutralizing gun 64, and a vapor deposition device 65 are provided. The vacuum chamber 61 communicates with the gas supply units 66 and 67 through the port 61a, and communicates with the gas discharge unit 68 through the port 61b.

ステージ62は、真空チャンバー61の上部に設けられており、X方向、Y方向、Z方向に移動可能となっている。ステージ62のイオンガン63等に対向するステージ面62aには、光学要素アレイ100が載置、固定されている。ステージ62の位置調整により、光学要素アレイ100の位置調整がされる。   The stage 62 is provided in the upper part of the vacuum chamber 61 and can move in the X direction, the Y direction, and the Z direction. The optical element array 100 is placed and fixed on the stage surface 62a of the stage 62 facing the ion gun 63 and the like. By adjusting the position of the stage 62, the position of the optical element array 100 is adjusted.

イオンガン63は、光学要素アレイ100の第1及び第2光学面11d,12d上に反射防止構造体51を形成するためのものである。イオンガン63は、プラズマ中のイオンを電圧印加等によって抽出し、イオンガン63の外部に放出する。具体的には、イオンガン63は、供給されたガスをイオン化し、イオンガン63の陽極63aと陰極63bとの間にビーム電圧を印加する。イオンガン63は、イオン化したガス(例えば、正イオン)を陰極63b側に接近、通過させ、イオンビームとして真空チャンバー61内に放出する。放出されたイオンビームは、ステージ62上の光学要素アレイ100の第1及び第2光学面11d,12dに照射される。これにより、第1及び第2光学面11d,12dのうち後述するマスクパターンMAが形成されていない露出した樹脂部分がエッチングされる。   The ion gun 63 is for forming the antireflection structure 51 on the first and second optical surfaces 11 d and 12 d of the optical element array 100. The ion gun 63 extracts ions in the plasma by applying a voltage or the like and discharges the ions outside the ion gun 63. Specifically, the ion gun 63 ionizes the supplied gas and applies a beam voltage between the anode 63 a and the cathode 63 b of the ion gun 63. The ion gun 63 allows ionized gas (for example, positive ions) to approach and pass the cathode 63b side, and discharges it into the vacuum chamber 61 as an ion beam. The emitted ion beam is applied to the first and second optical surfaces 11 d and 12 d of the optical element array 100 on the stage 62. As a result, the exposed resin portions where the mask pattern MA described later is not formed on the first and second optical surfaces 11d and 12d are etched.

中和ガン64は、イオンビーム中のイオンを中和させて電解分布の影響を抑えるためのものである。中和ガン64には、不図示のガス導入源から電離用のガスが導入されており、導入されたガスが電離される。電離によって生成された電子を真空チャンバー61に放出させると、イオンガン63によってイオン化したガスが電子によって中和される。なお、中和ガン64の代わりに中和グリッドを用いてもよい。   The neutralizing gun 64 is for neutralizing ions in the ion beam to suppress the influence of electrolytic distribution. An ionizing gas is introduced into the neutralizing gun 64 from a gas introduction source (not shown), and the introduced gas is ionized. When electrons generated by ionization are discharged to the vacuum chamber 61, the gas ionized by the ion gun 63 is neutralized by the electrons. A neutralization grid may be used instead of the neutralization gun 64.

蒸着装置65は、光学要素アレイ100上に後述するマスクパターンMAを形成したり、保護層52を形成したりするためのものである。蒸着装置65は、例えばSiO、Al、MgF、ZrO、TiO、CeO等の真空蒸着を行う。これにより、光学要素アレイ100の第1及び第2光学面11d,12dにマスクパターンMAとなる島状パターンや保護層52となる薄膜を形成することができる。なお、蒸着装置65の代わりに、スパッタリング装置やイオンビームスパッタリング装置を設ければ、スパッタリング、イオンビームスパッタリング等を行うこともできる。 The vapor deposition device 65 is for forming a mask pattern MA, which will be described later, on the optical element array 100 or for forming the protective layer 52. The vapor deposition apparatus 65 performs vacuum vapor deposition of, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgF 2 , ZrO 2 , TiO 2 , CeO 2 or the like. Thereby, an island-like pattern that becomes the mask pattern MA and a thin film that becomes the protective layer 52 can be formed on the first and second optical surfaces 11 d and 12 d of the optical element array 100. Note that if a sputtering device or an ion beam sputtering device is provided instead of the vapor deposition device 65, sputtering, ion beam sputtering, or the like can be performed.

ガス供給部66,67は、イオンビームを照射するための導入ガスを供給するものである。導入ガスとして、不活性ガスと反応性ガスとが用いられる。不活性ガスとして、例えばアルゴン(Ar)、窒素(N)、ヘリウム(He)、クリプトン(Kr)、ネオン(Ne)、及びこれら混合ガスがある。また、反応性ガスとして、例えば酸素(O)がある。ここで、Ar、O、N、及びこれら混合ガスは、比較的安価であるため好ましい。その中でも、O及びこれを含んだ混合ガスは、第1及び第2光学面11d,12dのエッチングの際に反応性エッチングを同時に行うことができるため特に好ましい。 The gas supply units 66 and 67 supply an introduction gas for irradiating an ion beam. As the introduction gas, an inert gas and a reactive gas are used. Examples of the inert gas include argon (Ar), nitrogen (N 2 ), helium (He), krypton (Kr), neon (Ne), and a mixed gas thereof. An example of the reactive gas is oxygen (O 2 ). Here, Ar, O 2 , N 2 , and a mixed gas thereof are preferable because they are relatively inexpensive. Among these, O 2 and a mixed gas containing the same are particularly preferable because reactive etching can be performed simultaneously with the etching of the first and second optical surfaces 11d and 12d.

ガス排出部68は、真空チャンバー61内の真空度を調整するためのものである。ガス排出部68によって、真空チャンバー61内を所定の真空度まで排気する。   The gas discharge unit 68 is for adjusting the degree of vacuum in the vacuum chamber 61. The inside of the vacuum chamber 61 is exhausted to a predetermined degree of vacuum by the gas discharge unit 68.

制御部69は、ステージ62、イオンガン63、中和ガン64、蒸着装置65、及びガス排出部68の動作を制御するためのものである。   The control unit 69 is for controlling operations of the stage 62, the ion gun 63, the neutralization gun 64, the vapor deposition device 65, and the gas discharge unit 68.

加工装置60によって生成されるイオンビームは、プラズマ中のイオンに高運動エネルギーを与えて放出させたものである。放出されたイオンは電荷を有しているものの、イオンの質量が大きいため電界の影響を受けにくく、高い直進性を持って放出される。その結果、被対象物への一様なエネルギー及び密度のイオン分布での照射が実現されるため、上記の比較的大きな光学要素アレイ100のエッチングに用いると効果的である。一方、プラズマでは電界分布やプラズマ密度の影響により、被対象物の突起部分から優先的にエッチングされる傾向等がある。そのため、突起部分や角の部分を有した第1及び第2光学面11d,12dに対して均一なエッチングレートが保てず、第1及び第2光学面11d,12dの形状によって第1及び第2光学面11d,12d上に作製された反射防止構造体51の反射防止効果に偏りが生じ得る。なお、突起部分や角の部分とは、例えば回折構造、第2光学面12dと第2フランジ面12gとの境目、スペーサを一体成形する場合はスペーサの部分である。   The ion beam generated by the processing apparatus 60 is generated by giving high kinetic energy to ions in plasma. Although the emitted ions have a charge, they are not affected by the electric field because the mass of the ions is large, and are emitted with high straightness. As a result, irradiation with a uniform energy and density ion distribution onto the object is realized, and therefore it is effective when used for etching the above-described relatively large optical element array 100. On the other hand, plasma tends to be preferentially etched from the protrusions of the object due to the influence of electric field distribution and plasma density. Therefore, a uniform etching rate cannot be maintained with respect to the first and second optical surfaces 11d and 12d having protrusions and corners, and the first and second optical surfaces 11d and 12d have different shapes depending on the shape of the first and second optical surfaces 11d and 12d. The antireflection effect of the antireflection structure 51 produced on the two optical surfaces 11d and 12d may be biased. The protruding portion and the corner portion are, for example, a diffractive structure, a boundary between the second optical surface 12d and the second flange surface 12g, and a spacer portion when the spacer is integrally formed.

以下、図5(A)〜5(D)及び図6を参照しつつ、図1(A)等に示す光学要素アレイ100の製造工程について説明する。ウェハレンズの100の製造工程は、大まかに、基板101に樹脂を塗布して成形する成形工程と、成形された光学要素アレイ100にマスクパターンを形成するパターニング工程と、光学要素アレイ100の第1及び第2光学面11d,12dに反射防止構造体51を形成するエッチング工程と、反射防止構造体51に保護層52を設けるコーティング工程とで構成される。   Hereinafter, the manufacturing process of the optical element array 100 shown in FIG. 1 (A) and the like will be described with reference to FIGS. 5 (A) to 5 (D) and FIG. The manufacturing process of the wafer lens 100 roughly includes a molding process in which a resin is applied to the substrate 101 and molding, a patterning process in which a mask pattern is formed in the molded optical element array 100, and a first of the optical element array 100. And an etching process for forming the antireflection structure 51 on the second optical surfaces 11d and 12d, and a coating process for providing the protective layer 52 on the antireflection structure 51.

〔成形工程〕
成形工程は、図3に示す第1及び第2金型41,42を用いつつ、不図示の金型昇降装置と、樹脂塗布装置と、UV光発生装置とを動作させることで行われる。
[Molding process]
The molding step is performed by operating a mold lifting device, a resin coating device, and a UV light generator (not shown) while using the first and second molds 41 and 42 shown in FIG.

まず、基板101の一方の面101b上に第1レンズアレイ層102を成形する(ステップS11)。具体的には、図5(A)に示すように、予め基板101の側面101aをスペーサ43で固定する。ここで、基板101は、ステージSS上に載置され、下方の面となる他方の面101cをステージSSの上面に密着させるので、基板101の反りが防止される。樹脂塗布装置を動作させ、ステージSS上に固定した基板101の上方の面となる一方の面101b上に樹脂を塗布する。金型昇降装置を動作させ、第1金型41をステージSS等に対してアライメントさせた状態で、樹脂を塗布した基板101に向けて降下させる。スペーサ43の端面43aが基板101に当接し、スペーサ43の端面43aに垂直な端面43bが第1金型41の外縁部41eに当接した状態で、基板101と第1金型41との間の樹脂厚、すなわち第1レンズアレイ層102の連結部11c(第1フランジ部11b)の厚さが規定される。UV光発生装置を動作させ、第1金型41の上側からUV光を照射し、基板101の一方の面101bと第1金型41の端面41aとの間に挟まれた樹脂を固化させる。   First, the first lens array layer 102 is formed on one surface 101b of the substrate 101 (step S11). Specifically, as shown in FIG. 5A, the side surface 101 a of the substrate 101 is fixed in advance with a spacer 43. Here, the substrate 101 is placed on the stage SS, and the other surface 101c serving as a lower surface is brought into close contact with the upper surface of the stage SS, so that the warpage of the substrate 101 is prevented. The resin coating apparatus is operated to apply the resin onto one surface 101b which is the upper surface of the substrate 101 fixed on the stage SS. The mold lifting / lowering device is operated, and the first mold 41 is lowered toward the substrate 101 coated with resin in a state where the first mold 41 is aligned with the stage SS or the like. Between the substrate 101 and the first mold 41, the end surface 43 a of the spacer 43 is in contact with the substrate 101 and the end surface 43 b perpendicular to the end surface 43 a of the spacer 43 is in contact with the outer edge portion 41 e of the first mold 41. Resin thickness, that is, the thickness of the connecting portion 11c (first flange portion 11b) of the first lens array layer 102 is defined. The UV light generator is operated to irradiate UV light from the upper side of the first mold 41, and the resin sandwiched between the one surface 101b of the substrate 101 and the end surface 41a of the first mold 41 is solidified.

次に、基板101の他方の面101c上に第2レンズアレイ層103を成形する。図5(B)に示すように、金型昇降装置を動作させ、基板101と第1金型41とを第1レンズアレイ層102を介して一体化させた状態で反転させ、基板101の他方の面101cが上側になるように固定する。樹脂塗布装置を動作させ、固定した基板101の他方の面101c上に樹脂を塗布する。金型昇降装置を動作させ、第2金型42を第1金型41等に対してアライメントさせた状態で、樹脂を塗布した基板101に向けて降下させる。スペーサ43の端面43aが基板101に当接し、スペーサ43の端面43aに垂直な端面43cが第2金型42の外縁部42eに当接した状態で、基板101と第2金型42との間の樹脂厚、すなわち第2レンズアレイ層103の連結部12c(第2フランジ部12b)の厚さが規定される。UV光発生装置を動作させ、第2金型42の上側からUV光を照射し、基板101の他方の面101cを第2金型42の端面42aとの間に挟まれた樹脂を固化させる。   Next, the second lens array layer 103 is formed on the other surface 101 c of the substrate 101. As shown in FIG. 5B, the mold lifting device is operated to invert the substrate 101 and the first mold 41 in a state of being integrated with each other through the first lens array layer 102, and Are fixed so that the surface 101c is on the upper side. The resin coating apparatus is operated to apply the resin onto the other surface 101c of the fixed substrate 101. The mold lifting device is operated, and the second mold 42 is lowered toward the substrate 101 coated with the resin in a state where the second mold 42 is aligned with the first mold 41 and the like. Between the substrate 101 and the second mold 42, the end surface 43 a of the spacer 43 is in contact with the substrate 101 and the end surface 43 c perpendicular to the end surface 43 a of the spacer 43 is in contact with the outer edge portion 42 e of the second mold 42. Resin thickness, that is, the thickness of the connecting portion 12c (second flange portion 12b) of the second lens array layer 103 is defined. The UV light generator is operated to irradiate UV light from the upper side of the second mold 42, and the resin sandwiched between the other surface 101 c of the substrate 101 and the end surface 42 a of the second mold 42 is solidified.

第1及び第2レンズアレイ層102,103を形成する樹脂が固化した後、図5(C)に示すように、基板101、第1及び第2金型41,42からスペーサ43を取り外す。   After the resin forming the first and second lens array layers 102 and 103 is solidified, the spacer 43 is removed from the substrate 101 and the first and second molds 41 and 42 as shown in FIG.

最後に、図5(D)に示すように、第1及び第2金型41,42から光学要素アレイ100を離型する(ステップS12)。   Finally, as shown in FIG. 5D, the optical element array 100 is released from the first and second molds 41 and 42 (step S12).

〔パターニング工程〕
以下、図6及び図7(A)〜7(C)を参照しつつ、光学要素アレイ100の第1及び第2光学面11d,12dに反射防止構造体51を形成するためのパターニング工程とエッチング工程とについて説明する。なお、第1及び第2光学面11d,12dに対する処理工程は同様であるため、便宜上、第1光学面11dに反射防止構造体51を形成する場合についてのみ説明する。
[Patterning process]
Hereinafter, with reference to FIGS. 6 and 7A to 7C, a patterning process and etching for forming the antireflection structure 51 on the first and second optical surfaces 11d and 12d of the optical element array 100 are performed. The process will be described. Since the processing steps for the first and second optical surfaces 11d and 12d are the same, only the case where the antireflection structure 51 is formed on the first optical surface 11d will be described for convenience.

パターニング工程は、光学要素アレイ100にイオンビームを照射する前処理として行われ、第1光学面11d上にマスクパターンMAを形成する(ステップS13)。マスクパターンMAは、図7(A)に拡大して示すように、微細な島状のパターンとなっている。マスクパターンMAは、ランダムに配置された複数の島IMを有している。パターニング工程は、フォトレジストの塗布、膜堆積、エッチング等の手法を用いて行われる。例えば、膜堆積の手法を用いる場合、薄膜成長の初期過程を利用する。薄膜の初期成長過程において、膜の成長核が島IMとなって成長する状態、すなわち島成長が起こる。膜が層状になる前の島成長の状態では、島IMが存在している部分と第1光学面11dが露出している部分とが存在するため、マスクパターンとして機能する。   The patterning process is performed as a pre-process for irradiating the optical element array 100 with an ion beam, and forms a mask pattern MA on the first optical surface 11d (step S13). The mask pattern MA is a fine island pattern as shown in an enlarged view in FIG. The mask pattern MA has a plurality of islands IM arranged at random. The patterning step is performed using a technique such as photoresist application, film deposition, or etching. For example, when a film deposition method is used, an initial process of thin film growth is used. In the initial growth process of the thin film, a state where the growth nucleus of the film grows as an island IM, that is, island growth occurs. In the state of island growth before the film is layered, there are a portion where the island IM exists and a portion where the first optical surface 11d is exposed, so that it functions as a mask pattern.

膜堆積の手法を用いる場合、加工装置60内でパターニング工程を行う。マスクパターンMAの島IMの数密度や大きさは、膜の成長条件を調整することによって適宜変更することができる。堆積される島IMの高さは、例えば0.1nm〜30nmが好ましく、1nm〜10nmがより好ましい。マスクの材料は、例えば低屈折透明材料、高屈折透明材料等がある。具体的には、低屈折透明材料として、SiO、Al、MgFがある。また、高屈折透明材料として、ZrO、TiOがある。特に、低屈折透明材料の場合、反射防止構造体51上に残留しても反射の要因になりくい。マスクパターンMAのパターニングを施すことにより、第1光学面11dの面上の位置に応じてエッチング速度の違いが生じ、後述するエッチング工程において微細な凹凸形状を形成することができる。 When the film deposition method is used, the patterning process is performed in the processing apparatus 60. The number density and size of the islands IM of the mask pattern MA can be changed as appropriate by adjusting the film growth conditions. For example, the height of the deposited island IM is preferably 0.1 nm to 30 nm, and more preferably 1 nm to 10 nm. Examples of the mask material include a low refractive transparent material and a high refractive transparent material. Specifically, there are SiO 2 , Al 2 O 3 , and MgF 2 as the low refractive transparent material. In addition, examples of highly refractive transparent materials include ZrO 2 and TiO 2 . In particular, in the case of a low refractive transparent material, even if it remains on the antireflection structure 51, it is difficult to cause reflection. By patterning the mask pattern MA, the etching rate varies depending on the position on the surface of the first optical surface 11d, and a fine uneven shape can be formed in the etching process described later.

なお、マスクパターンMAを膜堆積、エッチングで形成する場合、図4に示すように、加工装置60内に例えば蒸着装置65を配置することでエッチング工程を行う前にパターニング工程を行うことができる。これにより、エッチング工程のための真空排気時間を省略することができる。   When the mask pattern MA is formed by film deposition and etching, as shown in FIG. 4, for example, a vapor deposition device 65 is disposed in the processing device 60 so that the patterning step can be performed before the etching step. Thereby, the evacuation time for an etching process can be omitted.

〔エッチング工程〕
エッチング工程は、図4に示す加工装置60を用いることで行われる。
[Etching process]
An etching process is performed by using the processing apparatus 60 shown in FIG.

まず、加工装置60のイオンガン63から放出されるイオンビームが光学要素アレイ100の目的とする面、すなわち第1光学面11dに照射されるように、光学要素アレイ100をステージ62上に配置する。   First, the optical element array 100 is arranged on the stage 62 so that an ion beam emitted from the ion gun 63 of the processing apparatus 60 is irradiated onto a target surface of the optical element array 100, that is, the first optical surface 11d.

次に、ガス排出部68によって真空チャンバー61内の気体を排気する。排気によって維持される排圧は、1×10−1Pa以下となっている。なお、排圧は、1×10−3Pa以下がより好ましい。また、排圧は、後述する導入ガスの1/10以下の圧力である必要がある。 Next, the gas in the vacuum chamber 61 is exhausted by the gas exhaust unit 68. The exhaust pressure maintained by the exhaust is 1 × 10 −1 Pa or less. The exhaust pressure is more preferably 1 × 10 −3 Pa or less. The exhaust pressure needs to be 1/10 or less of the introduced gas described later.

次に、真空チャンバー61内に導入ガスを導入する。導入ガスは、例えばAr、O、N、He、Kr、Ne、及びこれらの混合ガスのいずれかが用いられる。ここで、導入ガスに、不活性ガスと反応性ガスとを用いると、エッチングレートを簡単に調整することができる。導入ガスの圧力は、1Pa以下となっている。なお、導入ガスの圧力は、1×10−2Pa以下がより好ましい。より低いガス圧でエッチングを行うことにより、イオンの平均自由工程が長くなる。そのため、イオンの運動エネルギーが第1光学面11dに衝突するまでに失われにくくなり、エッチングレートが上昇する。よって、イオンの平均自由工程が光学要素アレイ100とイオンガン63と間の距離と同じ又は1/10程度になるように全圧を設定することにより、エッチングレートの上昇が見込まれる。エッチング工程において、第1光学面11dが配置されている部分での最大のエッチングレートと最小のエッチングレートとの差は、最大のエッチングレートの10%以内となっている。 Next, an introduction gas is introduced into the vacuum chamber 61. As the introduction gas, for example, Ar, O 2 , N 2 , He, Kr, Ne, or a mixed gas thereof is used. Here, when an inert gas and a reactive gas are used as the introduced gas, the etching rate can be easily adjusted. The pressure of the introduced gas is 1 Pa or less. The pressure of the introduced gas is more preferably 1 × 10 −2 Pa or less. Etching at a lower gas pressure lengthens the mean free path of ions. Therefore, the kinetic energy of ions is not easily lost before colliding with the first optical surface 11d, and the etching rate is increased. Therefore, the etching rate can be increased by setting the total pressure so that the mean free path of ions is the same as the distance between the optical element array 100 and the ion gun 63 or about 1/10. In the etching process, the difference between the maximum etching rate and the minimum etching rate in the portion where the first optical surface 11d is disposed is within 10% of the maximum etching rate.

以上の真空チャンバー61の状態でイオンビームを放出し、第1光学面11dにイオン照射を行う。この際、イオンの加速エネルギーは1W〜100kWである。なお、イオンの加速エネルギーは、10W〜10kWが好ましく、50W〜1kWがより好ましい。   An ion beam is emitted in the state of the vacuum chamber 61 described above, and ion irradiation is performed on the first optical surface 11d. At this time, the acceleration energy of ions is 1 W to 100 kW. The acceleration energy of ions is preferably 10 W to 10 kW, and more preferably 50 W to 1 kW.

イオンビームの照射により、図7(B)に示すように、マスクパターンMAの島IMとともに、光学要素アレイ100の樹脂が露出した部分がエッチングされる。これにより、入射光側から光学素子中心側に向かうにつれて凹凸形状の体積密度が増加するような構造を有する反射防止構造体51が形成される(ステップS14)。   By irradiation with the ion beam, as shown in FIG. 7B, the portion of the optical element array 100 where the resin is exposed is etched together with the island IM of the mask pattern MA. As a result, the antireflection structure 51 having a structure in which the concave-convex volume density increases from the incident light side toward the optical element center side is formed (step S14).

なお、エッチング工程終了後、マスクパターンMAの島IMが完全に無くならない場合、図7(C)の示すように、イオンビームの調整によりマスクパターンMAの除去処理を行ってもよい。   If the island IM of the mask pattern MA is not completely removed after the etching process, the mask pattern MA may be removed by adjusting the ion beam as shown in FIG. 7C.

〔コーティング工程〕
以下、図6及び図7(D)を参照しつつ、保護層52を形成するコーティング工程について説明する。
[Coating process]
Hereinafter, the coating process for forming the protective layer 52 will be described with reference to FIGS. 6 and 7D.

図7(D)に示すように、コーティング工程では、反射防止構造体51上に保護層52をコーティングする(ステップS15)。コーティングの手法として、蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリングリング、塗布等が用いられる。なお、これらのコーティング手法のうち、蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリングは、広面積に均質かつ正確な膜厚制御が行えるため好ましい。ここで、通常、蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリングは真空排気による時間が必要である。図4に示すように、加工装置60内に例えば蒸着装置65を配置することでエッチング工程を行った後に連続してコーティング工程を行うことができる。これにより、コーティング工程のための真空排気時間を省略することができる。   As shown in FIG. 7D, in the coating process, the protective layer 52 is coated on the antireflection structure 51 (step S15). As a coating method, vapor deposition, sputtering, ion beam sputtering ring, coating, or the like is used. Of these coating methods, vapor deposition, sputtering, and ion beam sputtering are preferable because uniform and accurate film thickness control can be performed over a wide area. Here, usually, vapor deposition, sputtering, and ion beam sputtering require time for evacuation. As shown in FIG. 4, the coating process can be continuously performed after the etching process is performed by disposing, for example, a vapor deposition apparatus 65 in the processing apparatus 60. Thereby, the evacuation time for a coating process can be omitted.

以上説明した光学要素アレイの製造方法及び光学要素アレイ100によれば、微細な凹凸形状を有する反射防止構造体51が安定した状態である光学要素アレイ100を製造することができる。具体的には、反射防止構造体51が光学機能部である第1及び第2光学面11d,12dと同じ材質で形成されるため、反射防止構造体51と第1及び第2光学面11d,12dとの線膨脹係数の差が小さくクラックが発生しない光学要素アレイ100を作製することができる。また、反射防止構造体51が第1及び第2光学面11d,12dと同じ材質で形成されるため、反射防止構造体51と第1及び第2光学面11d,12dとの間に界面が存在しない。そのため、反射防止構造体51部分に剥離が発生しない光学要素アレイ100を作製することができる。また、エネルギー状態の制御されたイオンビームがイオン照射口より放出され、光学要素アレイ100表面全体に均一に照射されるため、光学要素アレイ100上の反射防止構造体51を均質なものとすることができる。   According to the optical element array manufacturing method and the optical element array 100 described above, it is possible to manufacture the optical element array 100 in which the antireflection structure 51 having a fine uneven shape is in a stable state. Specifically, since the antireflection structure 51 is formed of the same material as the first and second optical surfaces 11d and 12d, which are optical function units, the antireflection structure 51 and the first and second optical surfaces 11d, The optical element array 100 in which the difference in linear expansion coefficient from 12d is small and cracks are not generated can be produced. Further, since the antireflection structure 51 is formed of the same material as the first and second optical surfaces 11d and 12d, an interface exists between the antireflection structure 51 and the first and second optical surfaces 11d and 12d. do not do. Therefore, it is possible to manufacture the optical element array 100 in which peeling does not occur in the antireflection structure 51 portion. In addition, since the ion beam whose energy state is controlled is emitted from the ion irradiation port and uniformly irradiated on the entire surface of the optical element array 100, the antireflection structure 51 on the optical element array 100 should be uniform. Can do.

レンズユニット
以下、図1(C)等を参照しつつ、光学要素アレイ100から分離されたレンズユニット200について説明する。
Lens unit below with reference to FIG. 1 (C) or the like, will be described lens unit 200 separated from the optical element array 100.

レンズユニット200は、例えば撮像レンズとして用いられる。レンズユニット200は、第1複合レンズ10と第2複合レンズ110とを有する。レンズユニット200は、2枚の光学要素アレイ100を積層、接合した後、ダイシングによって切り出すことによって得る。ここで、切り出す前の光学要素アレイ100を示している図1(A)の点線は、格子点に配置された多数の複合レンズ10の外縁を示している。各複合レンズ10の境界線を挟んだ複合レンズ10の外側が連結部11c,12cとなる。なお、第1及び第2複合レンズ10,110の構成は略同様であるため、説明の都合上、主に第1複合レンズ10について述べる。   The lens unit 200 is used as an imaging lens, for example. The lens unit 200 includes a first compound lens 10 and a second compound lens 110. The lens unit 200 is obtained by laminating and joining two optical element arrays 100 and then cutting them out by dicing. Here, the dotted lines in FIG. 1A showing the optical element array 100 before cutting out indicate the outer edges of a large number of compound lenses 10 arranged at the lattice points. The outside of the compound lens 10 across the boundary line of each compound lens 10 is the connecting portions 11c and 12c. In addition, since the structure of the 1st and 2nd compound lenses 10 and 110 is substantially the same, the 1st compound lens 10 is mainly described on account of description.

図1(C)に示すように、複合レンズ10は、四角柱状の部材であり、光軸OA方向から見て四角形の輪郭を有する。複合レンズ10は、既に説明した第1レンズ素子11と、第2レンズ素子12と、これらの間に挟まれた平板部13とを備える。平板部13は、基板101を切り出した部分である。なお、複合レンズ10は、例えば別途準備したホルダに収納され、撮像レンズとして撮像回路基板に接着される。第1レンズ素子11において、第1レンズ本体11aは、複合レンズ10の光軸OA周辺の中央部に設けられ、円形輪郭を有する。第1フランジ部11bは、第1レンズ本体11aの周辺に延在し、方形輪郭を有する。第2レンズ素子12においても、第2レンズ本体12aは、複合レンズ10の光軸OA周辺の中央部に設けられ、円形輪郭を有する。第2フランジ部12bは、第2レンズ本体12aの周辺に延在し、方形輪郭を有する。   As shown in FIG. 1C, the compound lens 10 is a quadrangular prism-like member, and has a quadrangular outline when viewed from the optical axis OA direction. The compound lens 10 includes the first lens element 11, the second lens element 12, and the flat plate portion 13 sandwiched therebetween. The flat plate portion 13 is a portion obtained by cutting out the substrate 101. The compound lens 10 is housed in, for example, a separately prepared holder, and is bonded to the imaging circuit board as an imaging lens. In the first lens element 11, the first lens body 11 a is provided in the central portion around the optical axis OA of the compound lens 10 and has a circular outline. The first flange portion 11b extends around the first lens body 11a and has a rectangular outline. Also in the second lens element 12, the second lens body 12 a is provided in the central portion around the optical axis OA of the compound lens 10 and has a circular outline. The second flange portion 12b extends around the second lens body 12a and has a square contour.

第2複合レンズ110も同様に、第1レンズ素子111と、第2レンズ素子112と、平板部113とを備える。   Similarly, the second compound lens 110 includes a first lens element 111, a second lens element 112, and a flat plate portion 113.

以上のレンズユニット200によれば、反射防止構造体51が第1及び第2光学面11d,12dと同じ材質で形成されているため、膜剥がれやクラックといった不良が発生することを防ぐことができる。また、均質な反射防止構造体51を有する光学要素アレイ100を用いることにより、高精度な光学特性を有するレンズユニット200となる。   According to the lens unit 200 described above, since the antireflection structure 51 is made of the same material as the first and second optical surfaces 11d and 12d, it is possible to prevent the occurrence of defects such as film peeling and cracks. . Further, by using the optical element array 100 having the uniform antireflection structure 51, the lens unit 200 having high-precision optical characteristics is obtained.

カメラモジュール
以下、図8を参照しつつ、レンズユニット200を組み付けたカメラモジュール70について説明する。
Camera module below with reference to FIG. 8, will be described camera module 70 assembled with the lens unit 200.

カメラモジュール70は、イメージセンサとレンズとを組み合わせた小型のカメラ部分であり、撮像対象の画像取込ができるようになっている。図8に示すように、カメラモジュール70は、本体モジュール71とレンズモジュール72とを備える。カメラモジュール70は、撮像装置300において、携帯電話等の移動情報端末機器の電子回路を構成する電子部品が実装される回路基板BB上に組み込まれる。具体的には、本体モジュール71を回路基板BBに実装することにより、カメラモジュール70全体が回路基板BBに実装される。   The camera module 70 is a small camera part that combines an image sensor and a lens, and can capture an image to be captured. As shown in FIG. 8, the camera module 70 includes a main body module 71 and a lens module 72. In the imaging device 300, the camera module 70 is incorporated on a circuit board BB on which electronic components constituting an electronic circuit of a mobile information terminal device such as a mobile phone are mounted. Specifically, the entire camera module 70 is mounted on the circuit board BB by mounting the main body module 71 on the circuit board BB.

本体モジュール71は、CCDやCMOS等の撮像素子であるイメージセンサ73をサブ基板SB上に予め実装した受光モジュールである。イメージセンサ73の上部は、封止部74で封止されている。イメージセンサ73の上面には、光電変換を行う画素が多数格子状に配列された受光部73aが形成されている。この受光部73aにレンズモジュール72によって光学画像を結像させることにより、各画素での光電変換によって得た画像信号が出力される。サブ基板SBは、鉛フリーのはんだ75によって回路基板BBに実装されている。これにより、サブ基板SBを含むカメラモジュール70が回路基板BBに固定される。この際、サブ基板SBの接続用電極(図示略)と回路基板BB上面の回路電極(図示略)とが電気的に接続される。   The main body module 71 is a light receiving module in which an image sensor 73 that is an image sensor such as a CCD or CMOS is mounted in advance on the sub-substrate SB. The upper part of the image sensor 73 is sealed with a sealing part 74. On the upper surface of the image sensor 73, a light receiving portion 73a in which a number of pixels that perform photoelectric conversion are arranged in a grid is formed. By forming an optical image on the light receiving unit 73a by the lens module 72, an image signal obtained by photoelectric conversion in each pixel is output. The sub board SB is mounted on the circuit board BB with lead-free solder 75. Thereby, the camera module 70 including the sub board SB is fixed to the circuit board BB. At this time, the connection electrode (not shown) of the sub board SB and the circuit electrode (not shown) on the upper surface of the circuit board BB are electrically connected.

レンズモジュール72は、結像レンズとしてのレンズユニット200を支持する筒状のホルダである外枠77を備えている。外枠77の上部にはレンズユニット200が保持されている。また、外枠77の下部はサブ基板SBに設けられた装着孔IS内に挿通されてレンズモジュール72をサブ基板SBに固定する装着部77bとなっている。この固定には、装着部77bを装着孔ISに圧入して固定する方法や、接着材によって接着する方法などが用いられる。   The lens module 72 includes an outer frame 77 that is a cylindrical holder that supports the lens unit 200 as an imaging lens. A lens unit 200 is held on the upper portion of the outer frame 77. A lower portion of the outer frame 77 is a mounting portion 77b that is inserted into a mounting hole IS provided in the sub-substrate SB and fixes the lens module 72 to the sub-substrate SB. For this fixing, a method of pressing and fixing the mounting portion 77b into the mounting hole IS, a method of bonding with an adhesive, or the like is used.

レンズユニット200は、既述のように第1及び第2複合レンズ10,110により構成され(図1(C)参照)、被写体からの反射光をイメージセンサ73の受光部73a上に結像する。   As described above, the lens unit 200 includes the first and second compound lenses 10 and 110 (see FIG. 1C), and forms an image of reflected light from the subject on the light receiving unit 73a of the image sensor 73. .

なお、レンズユニット200上に絞り部材を設けてもよい。   A diaphragm member may be provided on the lens unit 200.

カメラモジュールの製造方法
以下、図9を参照しつつ、カメラモジュール70の製造方法について説明する。
Camera module manufacturing method below with reference to FIG. 9, a method for manufacturing the camera module 70.

まず、レンズユニット200を作製する。レンズユニット200の作製にあたって、光学要素アレイ100を積層し、仮止めをする(ステップS21)。この際、光学要素アレイ100の一部に目印をつけておき、例えば2枚の光学要素アレイ100をアライメントして積層する。この光学要素アレイ100は積層した際に光学特性が表れるように設計されている。そのため、光学調整の必要がなく、コストを削減することができる。   First, the lens unit 200 is manufactured. In manufacturing the lens unit 200, the optical element array 100 is stacked and temporarily fixed (step S21). At this time, a part of the optical element array 100 is marked, and, for example, two optical element arrays 100 are aligned and stacked. The optical element array 100 is designed so that optical characteristics appear when stacked. Therefore, there is no need for optical adjustment, and the cost can be reduced.

次に、積層した光学要素アレイ100を切断する(ステップS22)。この切断工程は、レーザによるもの、回転のこぎりによるもの等がある。   Next, the stacked optical element array 100 is cut (step S22). This cutting process includes a laser and a rotary saw.

このようにして作製されたレンズユニット200にイメージセンサ73及び外枠77を取り付け、接合を行う(ステップS23)。当該レンズユニット200をイメージセンサ73の受光部73a上に結像させるように外枠77内の適所位置に組み込む。   The image sensor 73 and the outer frame 77 are attached to the lens unit 200 manufactured in this way, and are joined (step S23). The lens unit 200 is incorporated at an appropriate position in the outer frame 77 so as to form an image on the light receiving portion 73a of the image sensor 73.

次に、外枠77の装着部77bをサブ基板SBの装着孔ISに挿通・固定し、カメラモジュール70を形成する。その後、予めはんだ75が塗布(ポッティング)された回路基板BBの所定の実装位置にカメラモジュール70やその他の電子部品を載置する。   Next, the mounting portion 77b of the outer frame 77 is inserted and fixed in the mounting hole IS of the sub-substrate SB to form the camera module 70. Thereafter, the camera module 70 and other electronic components are placed at a predetermined mounting position of the circuit board BB to which the solder 75 has been applied (potted) in advance.

その後、カメラモジュール70やその他の電子部品を載置した回路基板BBをベルトコンベア等でリフロー炉(図示略)に移送し、当該回路基板BBをリフロー処理に供して260℃程度の温度で加熱する(ステップS24)。その結果、はんだ75が溶融してカメラモジュール70がその他の電子部品と一緒に回路基板BBに実装され撮像装置300が形成される。   Thereafter, the circuit board BB on which the camera module 70 and other electronic components are mounted is transferred to a reflow furnace (not shown) by a belt conveyor or the like, and the circuit board BB is subjected to a reflow process and heated at a temperature of about 260 ° C. (Step S24). As a result, the solder 75 is melted, the camera module 70 is mounted on the circuit board BB together with other electronic components, and the imaging device 300 is formed.

なお、光学要素アレイ100を耐熱性の樹脂で形成すれば、さらに耐熱性に優れたカメラモジュール70とすることができる。   Note that if the optical element array 100 is formed of a heat-resistant resin, the camera module 70 can be further improved in heat resistance.

以上説明したカメラモジュールの製造方法及びカメラモジュール70によれば、反射防止構造体51が第1及び第2光学面11d,12dと同じ材質で形成されるため、リフロー工程を経ても膜剥がれやクラックといった不良が発生せず、かつ均質な反射防止構造体51を有する光学要素アレイ100を用いることができる。これにより、鮮明な画像を得る等の高精度な光学性能を有するカメラモジュール70を提供することができる。特に、第1及び第2光学面11d,12dが略錐体状の微細な凹凸形状を有する反射防止構造体51を有することにより、角度依存が小さく、映像の周辺と中心において光度の差の小さなカメラモジュール70となる。また、リフロー工程を通すことで、より強固に接着されたカメラモジュール70となる。   According to the camera module manufacturing method and the camera module 70 described above, since the antireflection structure 51 is formed of the same material as the first and second optical surfaces 11d and 12d, film peeling or cracking occurs even after the reflow process. Thus, the optical element array 100 having the uniform antireflection structure 51 can be used. Thereby, it is possible to provide the camera module 70 having high-precision optical performance such as obtaining a clear image. In particular, since the first and second optical surfaces 11d and 12d have the anti-reflection structure 51 having a substantially cone-shaped fine unevenness, the angle dependence is small, and the difference in luminous intensity is small between the periphery and the center of the image. The camera module 70 is obtained. Further, by passing through the reflow process, the camera module 70 is more firmly bonded.

以下、イオンビームによるエッチングレートについて説明する。
表1は、エッチング対象の材料とエッチングレートとの関係を示す。
Hereinafter, the etching rate by the ion beam will be described.
Table 1 shows the relationship between the material to be etched and the etching rate.

Arが66.6%、Oが33.3%の混合ガスを用いてイオンビームを樹脂、ガラスにそれぞれ照射し、エッチングを行った。樹脂は、樹脂材料(zeonex:登録商標、日本ゼオン格式会社製)、アクリル樹脂を用いた。また、ガラスは、BK7を用いた。なお、樹脂、ガラスには、事前にカバーガラスで一部マスクをしている。エッチングレートは、段差を測定する手法で算出した。

Figure 2012212019
Etching was performed by irradiating the resin and the glass with an ion beam using a mixed gas of 66.6% Ar and 33.3% O 2 . As the resin, a resin material (zeonex: registered trademark, manufactured by ZEON Corporation) and an acrylic resin were used. Moreover, BK7 was used for glass. The resin and glass are partially masked with a cover glass in advance. The etching rate was calculated by measuring the step.
Figure 2012212019

ここで、被処理対象物のエッチングレートが低い場合、反射防止構造体51が形成される前に、マスクパターンMAが消えてしまう可能性がある。表1に示すように、樹脂のエッチングレートはガラスのエッチングレートよりも高くなっている。そのため、光学要素アレイ100の第1及び第2レンズアレイ層102,103の材料には、樹脂が好ましいことがわかる。   Here, when the etching rate of the object to be processed is low, the mask pattern MA may disappear before the antireflection structure 51 is formed. As shown in Table 1, the resin etching rate is higher than the glass etching rate. Therefore, it can be seen that a resin is preferable as the material of the first and second lens array layers 102 and 103 of the optical element array 100.

〔第2実施形態〕
以下、第2実施形態に係るカメラモジュール等について説明する。なお、第2実施形態のカメラモジュール等は第1実施形態のカメラモジュール等を変形したものであり、特に説明しない部分は第1実施形態と同様であるものとする。
[Second Embodiment]
Hereinafter, a camera module and the like according to the second embodiment will be described. Note that the camera module and the like of the second embodiment is a modification of the camera module and the like of the first embodiment, and parts not specifically described are the same as those of the first embodiment.

図10(A)に示すように、カメラモジュール270は、イメージセンサチップ271と、レンズユニット200と、IRカットフィルタ278とを備える。   As shown in FIG. 10A, the camera module 270 includes an image sensor chip 271, a lens unit 200, and an IR cut filter 278.

レンズユニット200は、第2複合レンズ110の第1フランジ部11bから延びるレンズ支持体277を有する。レンズ支持体277は、矩形の外形を有し、第2複合レンズ110の第1レンズ本体11aより光軸OAに平行な方向に張り出している。レンズ支持体277の底面はイメージセンサチップ271の対応する位置にIRカットフィルタ278を介して貼り付けられている。なお、IRカットフィルタ278の側面に遮光層を形成してもよい。   The lens unit 200 includes a lens support 277 extending from the first flange portion 11 b of the second compound lens 110. The lens support 277 has a rectangular outer shape and projects from the first lens body 11a of the second compound lens 110 in a direction parallel to the optical axis OA. The bottom surface of the lens support 277 is attached to the corresponding position of the image sensor chip 271 via the IR cut filter 278. A light shielding layer may be formed on the side surface of the IR cut filter 278.

イメージセンサチップ271は、シリコンチップ273と、支持ガラス基板274とを有する。シリコンチップ273の表面には、CCDやCMOS等が形成されている。シリコンチップ273の表面周辺部には、電極パッド273a,273bが形成されている。これらの電極パッド273a,273bは、イメージセンサチップ271の入出力回路と接続されている。電極パッド273a,273bの下面には、シリコンチップ273を貫通してイメージセンサチップ271の裏面に達する再配線273c,273dが接続されている。再配線273c,273dは、シリコンチップ273の裏面周辺部に表出している。シリコンチップ273の裏面の再配線273c,273d上には、バンプ電極273e,273fが形成されている。   The image sensor chip 271 includes a silicon chip 273 and a support glass substrate 274. A CCD, CMOS, or the like is formed on the surface of the silicon chip 273. Electrode pads 273a and 273b are formed on the periphery of the surface of the silicon chip 273. These electrode pads 273a and 273b are connected to an input / output circuit of the image sensor chip 271. Rewirings 273c and 273d that penetrate the silicon chip 273 and reach the back surface of the image sensor chip 271 are connected to the lower surfaces of the electrode pads 273a and 273b. The rewirings 273c and 273d are exposed on the periphery of the back surface of the silicon chip 273. Bump electrodes 273e and 273f are formed on the rewirings 273c and 273d on the back surface of the silicon chip 273.

支持ガラス基板274は、シリコンチップ273を支持するためのものであり、CCDやCMOS等の上に設けられている。   The support glass substrate 274 is for supporting the silicon chip 273 and is provided on a CCD, a CMOS, or the like.

IRカットフィルタ278は、レンズユニット200からの入射光のうち赤外光を反射し可視光を透過する部材である。   The IR cut filter 278 is a member that reflects infrared light out of incident light from the lens unit 200 and transmits visible light.

なお、レンズユニット200上に絞り部材を設けてもよい。   A diaphragm member may be provided on the lens unit 200.

以下、図10(B)及び図11を参照しつつ、カメラモジュール270の製造方法について説明する。第2実施形態のカメラモジュール270は、光学要素アレイ100と、撮像素子であるCCDやCMOS等が複数形成された後述する撮像素子アレイ400とを組み合わせたものから分離されて製造される。   Hereinafter, a method for manufacturing the camera module 270 will be described with reference to FIGS. The camera module 270 of the second embodiment is manufactured separately from a combination of the optical element array 100 and an image sensor array 400 (described later) in which a plurality of CCDs, CMOSs, and the like, which are image sensors, are formed.

まず、光学要素アレイ100を2枚と、IRカットフィルタウェハ500と、撮像素子アレイ400とを作製する。ここで、IRカットフィルタウェハ500は、平板状の部材となっている。また、撮像素子アレイ400は、積層した光学要素アレイ100のレンズユニット200の位置に対応してイメージセンサチップ271が複数個配置されている。   First, two optical element arrays 100, an IR cut filter wafer 500, and an image sensor array 400 are produced. Here, the IR cut filter wafer 500 is a flat member. The image sensor array 400 includes a plurality of image sensor chips 271 corresponding to the positions of the lens units 200 of the stacked optical element array 100.

次に、作製した光学要素アレイ100と、IRカットフィルタウェハ500と、撮像素子アレイ400とを積層し、構造体CSを作製する(ステップS31)。構造体CSは、接着剤によって固定される。   Next, the manufactured optical element array 100, the IR cut filter wafer 500, and the imaging element array 400 are stacked, and the structure CS is manufactured (step S31). The structure CS is fixed by an adhesive.

光学要素アレイ100と、IRカットフィルタウェハ500と、撮像素子アレイ400とを接着した後、隣接する2つのイメージセンサチップ271の境界に沿って構造体CSをレーザ、回転のこぎり等で切断する(ステップS32)。これにより、カメラモジュール270が作製される。   After bonding the optical element array 100, the IR cut filter wafer 500, and the image sensor array 400, the structure CS is cut with a laser, a rotary saw, or the like along the boundary between two adjacent image sensor chips 271 (step) S32). Thereby, the camera module 270 is produced.

その後、カメラモジュール270は、イメージセンサチップ271の裏面のバンプ電極273e,273fを介して不図示の回路基板に実装される。具体的には、予めはんだが塗布(ポッティング)された回路基板の所定の実装位置にカメラモジュール70やその他の電子部品を載置する。カメラモジュール270やその他の電子部品を載置した回路基板をベルトコンベア等でリフロー炉(図示略)に移送し、当該回路基板をリフロー処理に供して260℃程度の温度で加熱する(ステップS33)。その結果、はんだが溶融してカメラモジュール270がその他の電子部品と一緒に回路基板に実装され撮像装置が形成される。   Thereafter, the camera module 270 is mounted on a circuit board (not shown) via bump electrodes 273e and 273f on the back surface of the image sensor chip 271. Specifically, the camera module 70 and other electronic components are placed at a predetermined mounting position on a circuit board to which solder has been applied (potted) in advance. The circuit board on which the camera module 270 and other electronic components are mounted is transferred to a reflow furnace (not shown) by a belt conveyor or the like, and the circuit board is subjected to a reflow process and heated at a temperature of about 260 ° C. (step S33). . As a result, the solder is melted, and the camera module 270 is mounted on the circuit board together with other electronic components to form an imaging device.

以上説明したカメラモジュールの製造方法及びカメラモジュール270によれば、反射防止構造体51が第1及び第2光学面11d,12dと同じ材質で形成されるため、リフロー工程を経ても膜剥がれやクラックといった不良が発生せず、かつ均質な反射防止構造体51を有する光学要素アレイ100を用いることができる。これにより、鮮明な画像を得る等の高精度な光学性能を有するカメラモジュール70を提供することができる。また、撮像素子であるCCDやCMOS等を設けたイメージセンサチップ271とレンズユニット200とウェハの状態で積層した後にカメラモジュール270を分離することにより、1つ1つのイメージセンサチップ271とレンズユニット200とを組み合わせる工程が短縮できるため、コストの削減をすることができる。   According to the camera module manufacturing method and the camera module 270 described above, since the antireflection structure 51 is formed of the same material as the first and second optical surfaces 11d and 12d, film peeling or cracking occurs even after the reflow process. Thus, the optical element array 100 having the uniform antireflection structure 51 can be used. Thereby, it is possible to provide the camera module 70 having high-precision optical performance such as obtaining a clear image. Further, the image sensor chip 271 and the lens unit 200 provided with an image sensor such as a CCD or CMOS are stacked in the state of a wafer after being stacked with the image sensor chip 271 and the lens unit 200. Since the process of combining with can be shortened, the cost can be reduced.

〔第3実施形態〕
以下、第3実施形態に係る光学要素アレイ等について説明する。なお、第3実施形態の光学要素アレイ等は第1実施形態の光学要素アレイ等を変形したものであり、特に説明しない部分は第1実施形態と同様であるものとする。
[Third Embodiment]
The optical element array according to the third embodiment will be described below. The optical element array of the third embodiment is a modification of the optical element array of the first embodiment, and parts not specifically described are the same as those of the first embodiment.

図12に示すように、第3実施形態の光学要素アレイ310には、基板101が設けられていない。すなわち、光学要素アレイ310は、第1レンズアレイ層102と第2レンズアレイ層103とを有する。このように、成形される第1及び第2レンズアレイ層102,103自体が形状的に安定であり、成形も簡単に行える場合、基板101を用いなくてもよい。なお、図12において、便宜上、第1レンズアレイ層102と第2レンズアレイ層103との境界を点線で示しているが、第1及び第2レンズアレイ層102,103は一体的に成形することができる。   As shown in FIG. 12, the substrate 101 is not provided in the optical element array 310 of the third embodiment. In other words, the optical element array 310 includes the first lens array layer 102 and the second lens array layer 103. As described above, when the molded first and second lens array layers 102 and 103 themselves are stable in shape and can be molded easily, the substrate 101 may not be used. In FIG. 12, for convenience, the boundary between the first lens array layer 102 and the second lens array layer 103 is indicated by a dotted line, but the first and second lens array layers 102 and 103 are formed integrally. Can do.

以上、本実施形態に係る光学要素アレイの製造方法等について説明したが、本発明に係る光学要素アレイの製造方法等は上記のものには限られない。例えば、上記実施形態において、第1及び第2光学面11d,12dの形状、大きさは、用途や機能に応じて適宜変更することができる。   Although the optical element array manufacturing method and the like according to the present embodiment have been described above, the optical element array manufacturing method and the like according to the present invention are not limited to the above. For example, in the above embodiment, the shapes and sizes of the first and second optical surfaces 11d and 12d can be changed as appropriate according to the application and function.

また、上記実施形態において、光学要素アレイ100は、レンズ以外にも、ミラー、回折構造、照明部品、光伝送部品等の様々な目的で用いられる。   In the above-described embodiment, the optical element array 100 is used for various purposes such as a mirror, a diffractive structure, an illumination component, and an optical transmission component in addition to the lens.

また、上記実施形態において、光学要素アレイ100は、円盤状である必要はなく、楕円形等の各種輪郭を有するものとできる。例えば光学要素アレイ100を当初から四角板状に成形することで、ダイシング工程を簡略化することができる。   Moreover, in the said embodiment, the optical element array 100 does not need to be disk shape, and can have various outlines, such as an ellipse. For example, the dicing process can be simplified by forming the optical element array 100 into a square plate shape from the beginning.

また、上記実施形態において、光学要素アレイ100内に形成される第1及び第2レンズ素子11,12の数も、図示の4つに限らず、2つ以上の複数とすることができる。この際、第1及び第2レンズ素子11,12の配置は、ダイシングの都合から格子点上が望ましい。さらに、隣接する第1及び第2レンズ素子11,12の間隔も、図示のものに限らず、加工性等を考慮して適宜設定することができる。   In the above-described embodiment, the number of the first and second lens elements 11 and 12 formed in the optical element array 100 is not limited to four as illustrated, and may be two or more. At this time, the arrangement of the first and second lens elements 11 and 12 is preferably on a lattice point for convenience of dicing. Furthermore, the interval between the adjacent first and second lens elements 11 and 12 is not limited to the illustrated one, and can be set as appropriate in consideration of workability and the like.

また、上記実施形態において、基板101の形状は、円形に限らず、例えば楕円形、多角形、ロール形状とすることができる。また、第1及び第2レンズアレイ層102,103は、基板101の面101b,101c上の全面ではなく、一部の面を覆うものでもよい。また、基板101の両面に第1及び第2レンズアレイ層102,103を設けず、片面のみに第1又は第2レンズアレイ層102,103を設けてもよい。   In the above embodiment, the shape of the substrate 101 is not limited to a circle, and may be, for example, an ellipse, a polygon, or a roll. Further, the first and second lens array layers 102 and 103 may cover a part of the surface, not the entire surface 101 b or 101 c of the substrate 101. Alternatively, the first and second lens array layers 102 and 103 may not be provided on both sides of the substrate 101, but the first or second lens array layers 102 and 103 may be provided only on one side.

また、上記実施形態において、第1及び第2レンズ素子11,12は、光学要素アレイ100において、ランダムに配置されていてもよい。また、1つの光学要素アレイ100において、形状や大きさの異なる第1及び第2レンズ素子11,12を配置してもよい。   In the above embodiment, the first and second lens elements 11 and 12 may be randomly arranged in the optical element array 100. Further, in one optical element array 100, the first and second lens elements 11, 12 having different shapes and sizes may be arranged.

また、上記実施形態において、基板101の一方の面101b及び他方の面101cに樹脂を塗布したが、第1及び第2金型41,42の第1及び第2転写面41b,42bに樹脂を塗布してもよい。   In the above embodiment, the resin is applied to the one surface 101b and the other surface 101c of the substrate 101, but the resin is applied to the first and second transfer surfaces 41b and 42b of the first and second molds 41 and 42. It may be applied.

また、上記実施形態において、基板101の一方の面101b及び他方の面101cに予めカップリング剤を塗布してもよい。また、第1及び第2金型41,42の第1及び第2転写面41b,42bに予め離型剤を塗布してもよい。   Moreover, in the said embodiment, you may apply | coat a coupling agent to the one surface 101b and the other surface 101c of the board | substrate 101 previously. In addition, a release agent may be applied in advance to the first and second transfer surfaces 41 b and 42 b of the first and second molds 41 and 42.

また、上記実施形態において、光学要素アレイ100の成形手法は、樹脂を成形金型40に流し込み、固化させるようなモールドを用いた手法以外にも様々な手法を用いることができる。例えば、熱融着、熱処理、蒸着、射出成形、塗布、堆積後のエッチング等を用いて光学要素アレイ100を作製してもよい。なお、第1及び第2光学面11d,12dの形状精度と成形時間を考慮すると、射出成形やモールドを用いる手法が好ましい。   In the above-described embodiment, various methods can be used as the method for forming the optical element array 100 other than a method using a mold in which a resin is poured into the molding die 40 and solidified. For example, the optical element array 100 may be manufactured using thermal fusion, heat treatment, vapor deposition, injection molding, coating, etching after deposition, or the like. In consideration of the shape accuracy and molding time of the first and second optical surfaces 11d and 12d, a method using injection molding or a mold is preferable.

また、上記実施形態において、ガス供給部66,67は2つ設けられているが、1つでも3つ以上でもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the two gas supply parts 66 and 67 are provided, 1 or 3 or more may be sufficient.

また、上記実施形態において、マスクパターンMAの島IMはランダムに配置されていなくてもよい。   In the above embodiment, the island IM of the mask pattern MA may not be randomly arranged.

また、上記実施形態において、レンズユニット200の取り付けには、接着剤の他に、はんだ、融着、組み立て、突き合わせ等が用いられる。光学要素アレイ100から分離されたレンズユニット200は、はんだ付けのような加熱工程においにも膜の剥離やクラックが起きない。そのため、レンズユニット200の取り付けにはんだ付けを用いれば、より強固で簡易な接着工程ができる。   In the above embodiment, the lens unit 200 is attached using solder, fusion, assembly, butt, or the like in addition to the adhesive. The lens unit 200 separated from the optical element array 100 does not peel off or crack in the heating process such as soldering. Therefore, if soldering is used to attach the lens unit 200, a stronger and simpler bonding process can be performed.

また、上記実施形態において、カメラモジュール70,270に組み込む複合レンズ10が1つのみの場合は、光学要素アレイ100の積層を行わなくてよい。   In the above embodiment, when only one compound lens 10 is incorporated in the camera modules 70 and 270, the optical element array 100 need not be stacked.

また、上記実施形態において、光学要素アレイ100の製造工程の際に、第1及び第2レンズアレイ層102,103を先に成形してから離型したが、第1レンズアレイ層102の成形及び離型後に第2レンズアレイ層103の成形及び離型を行ってもよい。また、第1及び第2レンズアレイ層102,103に対して連続して各工程を行ってもよいし、第1レンズアレイ層102に対して各工程を行ってから第2レンズアレイ層103に対して各工程を行ってもよい。   In the above embodiment, in the manufacturing process of the optical element array 100, the first and second lens array layers 102 and 103 are first molded and then released. The second lens array layer 103 may be molded and released after the release. In addition, each step may be performed continuously on the first and second lens array layers 102 and 103, or each step may be performed on the first lens array layer 102 and then the second lens array layer 103 may be formed. On the other hand, you may perform each process.

また、第2実施形態において、光学要素アレイ100等の積層、切断、接合の各工程の順序は自由に入れ替えることができる。例えば、光学要素アレイ100を切断後、シート等に張り付け、分離した光学要素アレイ100ごと仮止めした後、積層、接合を行ってもよい。この場合、光学要素アレイ100が予め切断されているため、構造体CSを精度よく容易に切断することができる。   Moreover, in 2nd Embodiment, the order of each process of lamination | stacking of the optical element array 100 grade | etc., Cutting | disconnection, and joining can be changed freely. For example, after the optical element array 100 is cut, the optical element array 100 may be attached to a sheet or the like, temporarily fixed together with the separated optical element array 100, and then laminated and bonded. In this case, since the optical element array 100 is cut in advance, the structure CS can be cut easily with high accuracy.

10,110…複合レンズ、 11,12,111,112…レンズ素子、 11a,12a…レンズ本体、 11b,12b…フランジ部、 11c,12c 連結部、 11d,12d…光学面、 11g,12g…フランジ面、 40…成形金型、 41,42…金型、 51…反射防止構造体、 52…保護層、 60…加工装置、 61…真空チャンバー、 62…ステージ、 63…イオンガン、 64…中和ガン、 65…蒸着装置、 66,67…ガス供給部、 68…ガス排出部、 69…制御部、 70,270…カメラモジュール、 71…本体モジュール、 72…レンズモジュール、 73…イメージセンサ、 100,310…光学要素アレイ、 101…基板、 102,103…レンズアレイ層、 200…レンズユニット、 271…イメージセンサチップ、 273…シリコンチップ、 278…IRカットフィルタ、 300…撮像装置、 400…撮像素子アレイ、 500…カットフィルタウェハ、 AX…軸、 BB…回路基板、 CS…構造体、 IM…島、 MA…マスクパターン、 OA…光軸、 SS…ステージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,110 ... Compound lens 11, 12, 111, 112 ... Lens element, 11a, 12a ... Lens main body, 11b, 12b ... Flange part, 11c, 12c Connection part, 11d, 12d ... Optical surface, 11g, 12g ... Flange Surface, 40 ... Mold, 41, 42 ... Mold, 51 ... Antireflection structure, 52 ... Protective layer, 60 ... Processing device, 61 ... Vacuum chamber, 62 ... Stage, 63 ... Ion gun, 64 ... Neutralization gun 65 ... Vapor deposition apparatus, 66, 67 ... Gas supply unit, 68 ... Gas discharge unit, 69 ... Control unit, 70, 270 ... Camera module, 71 ... Main unit module, 72 ... Lens module, 73 ... Image sensor, 100, 310 ... Optical element array, 101 ... Substrate, 102, 103 ... Lens array layer, 200 ... Lens unit, 271 ... Image sensor chip, 273 ... Silicon chip, 278 ... IR cut filter, 300 ... Imaging device, 400 ... Image sensor array, 500 ... Cut filter wafer, AX ... Axis, BB ... Circuit board, CS ... Structure, IM ... Island, MA ... Mask pattern, OA ... Optical axis, SS ... Stage

Claims (14)

光学機能部を有する樹脂製の光学要素が複数形成された光学要素アレイの製造方法であって、
成形された前記光学要素アレイの前記光学機能部にマスクパターンを形成するパターニング工程と、
前記光学機能部にイオンビームによるエッチングにより反射防止構造体を設けるエッチング工程と、
を備えることを特徴とする光学要素アレイの製造方法。
A method of manufacturing an optical element array in which a plurality of resin optical elements having an optical function part are formed,
A patterning step of forming a mask pattern on the optical function part of the molded optical element array;
An etching step of providing an antireflection structure by etching with an ion beam in the optical function unit;
An optical element array manufacturing method comprising:
前記エッチング工程において、前記光学要素アレイの前記光学要素が配置されている部分で最大のエッチングレートと最小のエッチングレートとの差が前記最大のエッチングレートの10%以内であることを特徴とする請求項1に記載の光学要素アレイの製造方法。   In the etching step, a difference between a maximum etching rate and a minimum etching rate in a portion where the optical element of the optical element array is disposed is within 10% of the maximum etching rate. Item 2. A method for manufacturing an optical element array according to Item 1. 前記光学機能部の前記マスクパターンは微細な島状に形成されていることを特徴とする請求項1及び2のいずれか一項に記載の光学要素アレイの製造方法。   The method of manufacturing an optical element array according to claim 1, wherein the mask pattern of the optical function unit is formed in a fine island shape. 前記エッチング工程において、不活性ガスと反応性ガスとを用いることを特徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載の光学要素アレイの製造方法。   The method for manufacturing an optical element array according to any one of claims 1 to 3, wherein an inert gas and a reactive gas are used in the etching step. 前記エッチング工程後、前記反射防止構造体上に当該反射防止構造体を保護する保護層を設けるコーティング工程を備えることを特徴とする請求項1から4までのいずれか一項に記載の光学要素アレイの製造方法。   5. The optical element array according to claim 1, further comprising a coating step of providing a protective layer for protecting the antireflection structure on the antireflection structure after the etching step. 6. Manufacturing method. 光学機能部を有する樹脂製の光学要素が複数形成された光学要素アレイであって、
前記光学機能部に、イオンビームを用いることにより形成された微細な凹凸形状の反射防止構造体を有することを特徴とする光学要素アレイ。
An optical element array in which a plurality of resin optical elements having an optical function part are formed,
An optical element array comprising: a fine concavo-convex antireflection structure formed by using an ion beam in the optical function unit.
前記反射防止構造体の前記凹凸形状の深さは、50nm以上1000nm以下であることを特徴とする請求項6に記載の光学要素アレイ。   The optical element array according to claim 6, wherein a depth of the uneven shape of the antireflection structure is not less than 50 nm and not more than 1000 nm. 前記樹脂は、200℃以上の耐熱性を有することを特徴とする請求項6及び7のいずれか一項に記載の光学要素アレイ。   The optical element array according to claim 6, wherein the resin has a heat resistance of 200 ° C. or higher. 前記反射防止構造体は、表面に保護層を有することを特徴とする請求項6から8までのいずれか一項に記載の光学要素アレイ。   The optical element array according to claim 6, wherein the antireflection structure has a protective layer on a surface thereof. 前記光学要素は、複数の光電変換素子を有する撮像素子自体に光を導くためのものであることを特徴とする請求項6から9までのいずれか一項に記載の光学要素アレイ。   The optical element array according to any one of claims 6 to 9, wherein the optical element is for guiding light to an image pickup device itself having a plurality of photoelectric conversion elements. 請求項6から10までのいずれか一項に記載の光学要素アレイから分離される光学要素を有することを特徴とするレンズユニット。   A lens unit comprising an optical element separated from the optical element array according to any one of claims 6 to 10. 請求項6から10までのいずれか一項に記載の光学要素アレイから分離される光学要素と撮像素子とを組み合わせて製造されることを特徴とするカメラモジュール。   11. A camera module manufactured by combining an optical element separated from the optical element array according to claim 6 and an imaging element. 請求項6から10までのいずれか一項に記載の光学要素アレイと、撮像素子が複数形成された撮像素子アレイとを組み合わせたものから取り出されることを特徴とするカメラモジュール。   11. A camera module that is taken out from a combination of the optical element array according to any one of claims 6 to 10 and an image sensor array in which a plurality of image sensors are formed. 請求項6から10までのいずれか一項に記載の光学要素アレイから分離される光学要素と撮像素子とを組み合わせた状態でリフロー工程を経て製造されることを特徴とするカメラモジュール。   A camera module manufactured through a reflow process in a state in which an optical element separated from the optical element array according to any one of claims 6 to 10 and an imaging element are combined.
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