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JP2013042425A - Piezoelectric vibration piece and piezoelectric module - Google Patents

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JP2013042425A
JP2013042425A JP2011178998A JP2011178998A JP2013042425A JP 2013042425 A JP2013042425 A JP 2013042425A JP 2011178998 A JP2011178998 A JP 2011178998A JP 2011178998 A JP2011178998 A JP 2011178998A JP 2013042425 A JP2013042425 A JP 2013042425A
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vibrating piece
piezoelectric vibrating
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JP2011178998A
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Atsushi Kusano
淳 草野
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】実装時の振動部への応力を緩和させた圧電振動片、およびこれを用いた圧電モジュールを提供する。
【解決手段】圧電基板に、厚み滑り振動を励振する振動部22と、前記振動部22の周縁に前記振動部22の厚みよりも厚みが薄い周縁部17と、が設けられた圧電振動片10であって、前記周縁部17には、緩衝部14とマウント部12が順に連結され、前記緩衝部14は、前記マウント部12と前記周縁部14との間にスリット16を有し、前記マウント部12は、前記マウント部12と前記緩衝部14と前記周縁部17との並ぶ方向に対して直交方向の両端部に、切欠き12aを有していることを特徴とする。
【選択図】図1
The present invention provides a piezoelectric vibrating piece in which stress applied to a vibrating part during mounting is relaxed, and a piezoelectric module using the same.
A piezoelectric vibrating piece 10 in which a piezoelectric substrate is provided with a vibrating portion 22 that excites thickness shear vibration, and a peripheral edge portion 17 having a thickness smaller than the thickness of the vibrating portion 22 at a peripheral edge of the vibrating portion 22. The buffer portion 14 and the mount portion 12 are sequentially connected to the peripheral edge portion 17, and the buffer portion 14 includes a slit 16 between the mount portion 12 and the peripheral edge portion 14. The part 12 has notches 12 a at both ends in a direction orthogonal to the direction in which the mount part 12, the buffer part 14, and the peripheral part 17 are arranged.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、圧電振動片、およびこれを用いた圧電モジュールに関し、特に実装後に発生するマウント位置での応力の振動部への影響を緩和させる技術に関する。   The present invention relates to a piezoelectric vibrating piece and a piezoelectric module using the same, and more particularly to a technique for mitigating the influence of stress on a vibrating portion at a mounting position generated after mounting.

従来、圧電振動片の実装形態には、導電性接着剤を塗布してパッケージに固着する形態がある。このように、導電性接着剤を硬化させるための乾燥等の熱処理工程では、圧電振動片、パッケージ、導電性接着剤のそれぞれの線膨張係数の違いによる歪みが、冷却したのちの導電性接着剤の固着部分に残ってしまい、固着部分からの振動部への応力、すなわち熱歪みが振動に悪影響を与えてしまうという問題があった。   Conventionally, there is a form in which a piezoelectric vibrating piece is mounted and fixed to a package by applying a conductive adhesive. As described above, in the heat treatment step such as drying for curing the conductive adhesive, the distortion due to the difference in linear expansion coefficient among the piezoelectric vibrating piece, the package, and the conductive adhesive is reduced. There is a problem that the stress from the fixed part to the vibration part, that is, thermal strain, adversely affects the vibration.

また、圧電振動片の小型化を図ろうとすると、圧電振動片の支持部に塗布された接着剤の硬化により生じた残留応力によって圧電振動片の共振周波数に経年変化が生じたり、あるいは励振電極の面積を小さくしなければならず、それによって圧電振動片としての電気的特性が劣化する問題が顕著に表れる。例えばインピーダンスが大きくなり、良好な特性を得られなくなるという問題が顕著に表れてくる。   In addition, when attempting to reduce the size of the piezoelectric vibrating piece, the resonant stress of the piezoelectric vibrating piece may change over time due to residual stress generated by the curing of the adhesive applied to the support portion of the piezoelectric vibrating piece, or the excitation electrode The problem is that the area must be reduced, and the electrical characteristics of the piezoelectric vibrating piece deteriorate as a result. For example, the problem that impedance becomes large and good characteristics cannot be obtained appears remarkably.

そこで、このような問題に鑑みて、特許文献1においては、矩形のフラットな形状をしたATカット水晶基板等の厚みすべり圧電振動子に関し、支持部と振動部との間に切欠きやスリットを設けた構造について提案されている。   In view of such a problem, in Patent Document 1, regarding a thickness-slip piezoelectric vibrator such as an AT-cut quartz substrate having a rectangular flat shape, a notch or a slit is provided between the support portion and the vibration portion. Proposed structures are proposed.

図21に、特許文献1に係る圧電振動子の模式図を示す。図21(a)は圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図、図21(b)は圧電振動子を構成する圧電振動片の下面図、図21(c)は圧電振動片を容器の内部に搭載した圧電振動子を構成する平面図、図21(d)は図21(c)のA−A´線断面図である。   FIG. 21 shows a schematic diagram of a piezoelectric vibrator according to Patent Document 1. In FIG. 21A is a top view of the piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator, FIG. 21B is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator, and FIG. FIG. 21D is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 21C, and shows a plan view of the piezoelectric vibrator mounted inside.

図21においては、支持部602と振動部604とを有する矩形状の圧電振動子600が示されている。前記圧電振動子600の振動部604の上面と下面にそれぞれ形成した励振電極606A、606Bと、前記励振電極606A、606Bから圧電振動子600の支持部602の縁に引き出された入出力端子部608A、608Bとの間の圧電振動子600の主面上にスリット610が配置形成されている。これにより、前記励振電極606A、606Bと前記入出力端子部608A、608Bとを物理的に隔離する構造としたものである。   In FIG. 21, a rectangular piezoelectric vibrator 600 having a support part 602 and a vibration part 604 is shown. Excitation electrodes 606A and 606B formed on the upper and lower surfaces of the vibration part 604 of the piezoelectric vibrator 600, and an input / output terminal part 608A drawn from the excitation electrodes 606A and 606B to the edge of the support part 602 of the piezoelectric vibrator 600. , 608B, a slit 610 is disposed on the main surface of the piezoelectric vibrator 600. Thus, the excitation electrodes 606A and 606B and the input / output terminal portions 608A and 608B are physically separated from each other.

上記構成において、圧電振動子600の支持部602と、圧電振動子600を収容する容器612内の底部614の接続電極(不図示)とを固着並びに電気的に接続するための接着剤616が硬化すると、図21(c)の二点鎖線で示す方向、範囲にわたって、圧電振動子600に対する残留応力が発生することになる。しかし、このような構造においては、スリット610によってこの残留応力が振動部604に伝播しないように構成しており、スリット610の長手方向長を最適な長さに設定することによって、残留応力の伝搬方向を上述の二点鎖線で示した領域の外側に制限することができる。これにより、圧電振動子600の電気的な特性を損なうことなく、かつ圧電振動子の共振周波数の経年変化が小さい小型の圧電振動子600を製造することができるとされている。なお、類似の技術として、導電性接着剤を塗布する箇所と振動部の間にスリット(特許文献2乃至6参照)や切欠き(特許文献2、3、4、5、7、8、9参照)を設ける構成が開示されている。また、強度確保等のために、圧電振動片の中央部に窪みを形成して逆メサ型とすることが行われている(特許文献10乃至12参照)。   In the above configuration, the adhesive 616 for fixing and electrically connecting the support portion 602 of the piezoelectric vibrator 600 and the connection electrode (not shown) of the bottom 614 in the container 612 that accommodates the piezoelectric vibrator 600 is cured. Then, the residual stress with respect to the piezoelectric vibrator 600 is generated over the direction and range indicated by the two-dot chain line in FIG. However, in such a structure, the residual stress is not propagated to the vibrating portion 604 by the slit 610, and the residual stress is propagated by setting the length in the longitudinal direction of the slit 610 to an optimum length. The direction can be limited to the outside of the region indicated by the two-dot chain line. As a result, it is said that a small piezoelectric vibrator 600 can be manufactured without impairing the electrical characteristics of the piezoelectric vibrator 600 and with little secular change in the resonance frequency of the piezoelectric vibrator. As a similar technique, a slit (see Patent Documents 2 to 6) or a notch (refer to Patent Documents 2, 3, 4, 5, 7, 8, and 9) between a portion where a conductive adhesive is applied and a vibration part ) Is disclosed. In addition, in order to ensure the strength and the like, a recess is formed in the central portion of the piezoelectric vibrating piece to form an inverted mesa type (see Patent Documents 10 to 12).

特開平9−326667号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-326667 特開昭59−040715号公報JP 59-040715 A 実開昭61−187116号公報Japanese Utility Model Publication No. 61-187116 特開2004−165798号公報JP 2004-165798 A 特開2009−158999号公報JP 2009-158999 A 特開2005−136705号公報JP 2005-136705 A 特許第4087186号公報Japanese Patent No. 4087186 特開2009−188483号公報JP 2009-188483 A 特開2010−130123号公報JP 2010-130123 A 特開2000−332571号公報JP 2000-332571 A 特開2009−164824号公報JP 2009-164824 A 特開2002−246869号公報JP 2002-246869 A

しかし、近年このような圧電振動片を用いたデバイスの小型化並びに高性能化が加速した状況においては、前述のごとき上記いずれの構成であっても、マウント歪みを十分に取り除くことは困難であることが、以下に示すように本願発明者らにより見出された。   However, in the situation where the miniaturization and high performance of the device using such a piezoelectric vibrating piece have been accelerated in recent years, it is difficult to sufficiently remove the mount distortion in any of the above-described configurations. This has been found by the present inventors as shown below.

図22に圧電振動片のマウント部と振動部との間にスリットを形成した場合の応力分布を示し、図22(a)は圧電振動片のスリットのZ´軸方向の幅を150μmとした場合の応力分布、図22(b)は圧電振動片のスリットのZ´軸方向の幅を250μmとした場合の応力分布を示す。また、図23、図24に、圧電振動片の幅方向の両側でマウント部と振動部との間となる位置に切欠きを形成して、マウント部と振動部との間を連結する連結部を形成した場合の応力分布を示し、図23(a)は連結部のX軸方向の幅を400μmとした場合の応力分布、図23(b)は連結部のX軸方向の幅を300μmとした場合の応力分布、図24(a)は連結部のX軸方向の幅を200μmとした場合の応力分布、図24(b)は連結部のX軸方向の幅を100μmとした場合の応力分布を示す。   FIG. 22 shows a stress distribution when a slit is formed between the mount portion and the vibration portion of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 22A shows a case where the width of the slit of the piezoelectric vibrating piece in the Z′-axis direction is 150 μm. FIG. 22B shows the stress distribution when the width of the slit of the piezoelectric vibrating piece in the Z′-axis direction is 250 μm. Further, in FIGS. 23 and 24, a notch is formed at a position between the mount portion and the vibration portion on both sides in the width direction of the piezoelectric vibrating piece, and the connection portion that connects the mount portion and the vibration portion. FIG. 23A shows the stress distribution when the width of the connecting portion in the X-axis direction is 400 μm, and FIG. 23B shows the width of the connecting portion in the X-axis direction of 300 μm. FIG. 24A shows the stress distribution when the width of the connecting portion in the X-axis direction is 200 μm, and FIG. 24B shows the stress when the width of the connecting portion in the X-axis direction is 100 μm. Show the distribution.

図22、図23、図24は、図中の導電性接着剤が塗布されるマウント部702のY´軸側の面上の円の中心の2点を基点として圧電振動片700に対して圧縮応力或いは引張応力を印加した場合の応力分布のシミュレーション結果を示したものである。この圧縮応力或いは引張応力(残留応力)は、圧電振動片、導電性接着剤、基板の熱膨張係数の違いにより、圧電振動片に印加される応力により発生する。   22, 23, and 24 are compressed with respect to the piezoelectric vibrating piece 700 based on two points at the center of the circle on the surface on the Y′-axis side of the mount portion 702 to which the conductive adhesive in the drawing is applied. The simulation result of the stress distribution when stress or tensile stress is applied is shown. This compressive stress or tensile stress (residual stress) is generated by the stress applied to the piezoelectric vibrating piece due to the difference in thermal expansion coefficients of the piezoelectric vibrating piece, the conductive adhesive, and the substrate.

図22、図23、図24において、X軸、Y´軸、Z´軸は互いに直交するものとし、圧電振動片700は、Y´軸に平行な方向を法線とする主面を有し、Z´軸に平行な方向及びX軸に平行な方向にそれぞれ縁辺を有する板状の外形を有している。また圧電振動片700の主面を貫通する貫通孔としてスリット704が形成されている。よって、圧電振動片700において、マウント部702、スリット704、振動部706が横並びに配置された形となる。図22において、圧電振動片700は、マウント部702、スリット704、振動部706が並ぶ方向(Z´軸方向)の長さが1500μm、X軸方向の幅が1000μmの外形を有している。またスリット704のX軸方向(長辺)の長さは650μmである。そしてマウント部702側のスリット704の長辺からマウント部702の端部までのZ´軸方向の幅は、図22(a)において350μm、図22(b)においては250μmとしている。またスリット704のZ´軸方向の幅は、図22(a)において150μm、図22(b)において250μmとしている。すなわち、図22(a)と図22(b)では、スリット704のZ´軸方向の位置と幅を変化させている。   22, 23, and 24, the X axis, the Y ′ axis, and the Z ′ axis are orthogonal to each other, and the piezoelectric vibrating piece 700 has a main surface whose normal is a direction parallel to the Y ′ axis. , And a plate-like outer shape each having an edge in a direction parallel to the Z ′ axis and a direction parallel to the X axis. A slit 704 is formed as a through-hole penetrating the main surface of the piezoelectric vibrating piece 700. Therefore, in the piezoelectric vibrating piece 700, the mount portion 702, the slit 704, and the vibrating portion 706 are arranged side by side. In FIG. 22, the piezoelectric vibrating piece 700 has an outer shape in which the length in the direction in which the mount portion 702, the slit 704, and the vibrating portion 706 are arranged (Z′-axis direction) is 1500 μm and the width in the X-axis direction is 1000 μm. The length of the slit 704 in the X-axis direction (long side) is 650 μm. The width in the Z′-axis direction from the long side of the slit 704 on the mount portion 702 side to the end of the mount portion 702 is 350 μm in FIG. 22A and 250 μm in FIG. The width of the slit 704 in the Z′-axis direction is 150 μm in FIG. 22A and 250 μm in FIG. That is, in FIG. 22A and FIG. 22B, the position and width of the slit 704 in the Z′-axis direction are changed.

そして、図22、図23、図24の図中の左に縦一列に並べられた複数の模様は、それぞれ圧電振動片700が受ける応力の強度を示し、上の模様に行くほど応力が大きいことを示し、下の模様に行くほど応力が小さいことを示す。そして圧電振動片700が受ける応力の強度の分布を、上述の模様を用いて表している。   The plurality of patterns arranged in a vertical line on the left in FIGS. 22, 23, and 24 indicate the strength of stress received by the piezoelectric vibrating piece 700, and the stress increases as it goes to the upper pattern. And the lower the pattern, the lower the stress. And the distribution of the intensity of the stress which the piezoelectric vibrating piece 700 receives is represented using the above-mentioned pattern.

図22に示すように、このように小さな圧電振動片700においては、スリット704を配置しても、さらにスリット704の位置や幅を変化させても、マウント部702で発生した応力に起因する応力を解消しきれずに、強い応力が圧電振動片700の振動部706にまで達していることがわかる。よって圧電振動片700の共振周波数の安定性等の電気的特性に悪影響を与えるという問題がある。   As shown in FIG. 22, in such a small piezoelectric vibrating piece 700, even if the slit 704 is arranged and the position and width of the slit 704 are changed, the stress caused by the stress generated in the mount portion 702 It can be seen that strong stress reaches the vibrating portion 706 of the piezoelectric vibrating piece 700 without completely eliminating the above. Therefore, there is a problem that the electrical characteristics such as the stability of the resonance frequency of the piezoelectric vibrating piece 700 are adversely affected.

図23、図24に示す圧電振動片700は、特許文献6、7のような従来技術に係るマウント部702と振動部706との間において圧電振動片700の幅方向の両端に切欠き708を形成した、所謂切欠き構造となっている。この構造では、切欠き708により形成された連結部710の幅を狭くしていくことにより、マウント部702で発生した応力の振動部706への伝播が緩和されていく様子が観察される。しかし、連結部710のみで振動部706を支持する構造では耐落下衝撃等の強度面で不利となり実用性に乏しいという問題がある。   The piezoelectric vibrating piece 700 shown in FIGS. 23 and 24 is provided with notches 708 at both ends in the width direction of the piezoelectric vibrating piece 700 between the mount portion 702 and the vibrating portion 706 according to the related art as in Patent Documents 6 and 7. A so-called notch structure is formed. In this structure, it is observed that the propagation of the stress generated in the mount portion 702 to the vibration portion 706 is reduced by reducing the width of the connecting portion 710 formed by the notch 708. However, the structure in which the vibrating portion 706 is supported only by the connecting portion 710 is disadvantageous in terms of strength such as a drop impact resistance and has a problem of poor practicality.

そこで本発明は上記問題点に着目し、マウント部から振動領域への応力の伝播を十分に緩和することを可能とした圧電振動片、圧電モジュールを提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention focuses on the above-described problems, and an object thereof is to provide a piezoelectric vibrating piece and a piezoelectric module that can sufficiently reduce the propagation of stress from the mount portion to the vibration region.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
[適用例1]圧電基板に、厚み滑り振動を励振する振動部と、前記振動部の周縁に前記振動部の厚みよりも厚みが薄い周縁部と、が設けられた圧電振動片であって、前記周縁部には、緩衝部とマウント部が順に連結され、前記緩衝部は、前記マウント部と前記周縁部との間にスリットを有し、前記マウント部は、前記マウント部と前記緩衝部と前記周縁部との並ぶ方向に対して直交方向の両端部に、切欠きを有していることを特徴とする圧電振動片。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following application examples.
[Application Example 1] A piezoelectric vibrating piece in which a piezoelectric substrate is provided with a vibrating portion that excites thickness shear vibration, and a peripheral portion having a thickness smaller than the thickness of the vibrating portion at the periphery of the vibrating portion, A buffer portion and a mount portion are sequentially connected to the peripheral portion, the buffer portion has a slit between the mount portion and the peripheral portion, and the mount portion includes the mount portion and the buffer portion. A piezoelectric vibrating piece having notches at both ends in a direction orthogonal to a direction in which the peripheral edge is arranged.

上記構成により、実装時にマウント部において発生した応力が、振動部へ直線的に伝播することをスリットにより防ぐことができる。よってマウント部からの応力はスリットの周囲及び緩衝部に伝播することになる。さらに上記構成により、マウント部の幅は切欠きにより緩衝部の幅より狭くなるので、応力が緩衝部のスリットの周囲となる位置を伝播する経路が長くなり、長くなった分だけ周縁部及び振動部に伝達する応力を緩和させることができる。一方、本発明の圧電振動片は、振動部の厚みが周縁部の厚みより厚いメサ構造を有している。よって、緩衝部のスリットの周囲となる位置を周回した応力は周縁部を介して振動部に到達しうるが、周縁部の主面と振動部の主面との間にはメサ構造による段差があるので、この段差位置において応力を緩和させることができる。よって応力が振動部に伝播する前に十分に緩和され、振動部への応力の影響を緩和することができる。   With the above configuration, it is possible to prevent the stress generated in the mount portion during mounting from being propagated linearly to the vibration portion by the slit. Therefore, the stress from the mount part propagates around the slit and the buffer part. Further, with the above configuration, the width of the mount portion becomes narrower than the width of the buffer portion due to the notch, so the path through which the stress propagates around the slit of the buffer portion becomes longer, and the peripheral portion and the vibration are increased by the length. The stress transmitted to the part can be relaxed. On the other hand, the piezoelectric vibrating piece of the present invention has a mesa structure in which the thickness of the vibrating portion is larger than the thickness of the peripheral portion. Therefore, the stress that circulates around the slit of the buffer portion can reach the vibration portion via the peripheral portion, but there is a step due to the mesa structure between the main surface of the peripheral portion and the main surface of the vibration portion. Therefore, the stress can be relaxed at this step position. Therefore, the stress is sufficiently relaxed before propagating to the vibrating part, and the influence of the stress on the vibrating part can be mitigated.

[適用例2]前記緩衝部と前記周縁部との連結部に切欠きを有することを特徴とする適用例1に記載の圧電振動片。
上記構成により、緩衝部のスリットの長手方向の両端の周縁となる位置にまで伝播した応力が振動部へ直線的に伝播することを切欠きにより遮断することができるので、振動部への応力の影響を緩和することができる。
Application Example 2 The piezoelectric vibrating piece according to Application Example 1, wherein the connecting portion between the buffer portion and the peripheral portion has a notch.
With the above configuration, it is possible to block the propagation of the stress that has propagated to the positions at the peripheral edges of the longitudinal direction of the slit of the buffer portion by the notch, so that the stress to the vibration portion can be blocked. The impact can be mitigated.

[適用例3]前記マウント部と前記緩衝部と前記周縁部との並ぶ方向に対して直交方向に関し、前記周縁部の幅は、前記緩衝部の幅より狭いことを特徴とする適用例1または2に記載の圧電振動片。
上記構成により、圧電振動片の自由端側を軽量化して実装の安定性を高めることができる。
[Application Example 3] Application Example 1 in which the width of the peripheral portion is narrower than the width of the buffer portion with respect to the direction orthogonal to the direction in which the mount portion, the buffer portion, and the peripheral portion are arranged. 2. The piezoelectric vibrating piece according to 2.
With the above configuration, it is possible to reduce the weight of the free end side of the piezoelectric vibrating piece and improve the mounting stability.

[適用例4]前記圧電基板が、水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、前記Z軸を前記Y軸の−Y方向へ傾けた軸をZ′軸とし、前記Y軸を前記Z軸の+Z方向へ傾けた軸をY′軸とし、前記X軸と前記Z′軸に平行な面で構成され、前記Y′軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であることを特徴とする適用例1乃至3のいずれか1例に記載の圧電振動片。
上記構成により、厚みすべり振動を効率的に発振可能な圧電振動片となる。
Application Example 4 The X-axis of an orthogonal coordinate system in which the piezoelectric substrate is an X-axis as an electric axis, a Y-axis as a mechanical axis, and a Z-axis as an optical axis, which are crystal axes of quartz. , The Z axis is tilted in the −Y direction of the Y axis as the Z ′ axis, the Y axis is tilted in the + Z direction of the Z axis as the Y ′ axis, and the X axis and the 4. The piezoelectric vibrating piece according to any one of application examples 1 to 3, wherein the piezoelectric vibrating piece is a quartz crystal substrate having a plane parallel to the Z ′ axis and having a thickness in a direction parallel to the Y ′ axis.
With the above configuration, a piezoelectric vibrating piece capable of efficiently oscillating thickness shear vibration is obtained.

[適用例5]前記周縁部は、前記緩衝部に接続した第1の周縁部と、前記振動部の周縁に配置され前記第1の周縁部に接続した第2の周縁部と、を有し、前記第2の周縁部の厚みは、前記第1の周縁部の厚みより厚いことを特徴とする適用例1乃至4のいずれか1例に記載の圧電振動片。
上記構成により、振動部を中心とした二段メサ構造になるので、厚みすべり振動を振動部内に効率的に閉じこめ、励振効率を高めることができる。
Application Example 5 The peripheral portion includes a first peripheral portion connected to the buffer portion and a second peripheral portion disposed on the peripheral portion of the vibrating portion and connected to the first peripheral portion. The piezoelectric vibrating piece according to any one of Application Examples 1 to 4, wherein the thickness of the second peripheral edge is thicker than the thickness of the first peripheral edge.
With the above configuration, a two-stage mesa structure centered on the vibration part is obtained, so that the thickness shear vibration can be effectively confined in the vibration part, and the excitation efficiency can be increased.

[適用例6]前記振動部の表裏の両主面にはそれぞれ、励振電極が配置され、前記マウント部の実装面には、前記励振電極とそれぞれ電気的に接続された一対の引き出し電極が配置されていることを特徴とする適用例5に記載の圧電振動片。
上記構成により、引き出し電極と圧電振動片が実装される実装基板に配置された接続電極とを導電性接着剤で接着し、引き出し電極と接続電極とを機械的及び電気的に接続することにより、所謂フェースダウンボンディング型の実装形態をとることができる。したがって、圧電振動片と実装基板からなるモジュール構造の低背化を図ることができる。
Application Example 6 Excitation electrodes are arranged on both the main surfaces of the front and back sides of the vibration part, and a pair of extraction electrodes electrically connected to the excitation electrodes are arranged on the mounting surface of the mount part. The piezoelectric vibrating piece according to Application Example 5, wherein the piezoelectric vibrating piece is applied.
With the above configuration, by connecting the extraction electrode and the connection electrode arranged on the mounting substrate on which the piezoelectric vibrating piece is mounted with a conductive adhesive, mechanically and electrically connecting the extraction electrode and the connection electrode, A so-called face-down bonding type mounting form can be adopted. Therefore, it is possible to reduce the height of the module structure including the piezoelectric vibrating piece and the mounting substrate.

[適用例7]適用例1乃至6のいずれか1例に記載の圧電振動片のマウント部を、実装基板に配置された接続電極に導電性接着剤で接着することにより前記圧電振動片を実装した圧電モジュールであって、前記実装基板上には前記圧電振動片を覆う蓋体が配置され、前記実装基板の前記圧電振動基板に対向する面には凹部が配置され、前記凹部には、前記実装基板及び前記蓋体により閉じられた内部空間の温度を測定可能な感温素子が配置されたことを特徴とする圧電モジュール。
上記構成により、圧電振動片の周囲の温度を測定することができるので圧電振動片から発振される発振信号の温度補償を高精度に行うことが可能な圧電モジュールとなる。
[Application Example 7] The piezoelectric vibrating reed is mounted by adhering the mounting portion of the piezoelectric vibrating piece according to any one of Application Examples 1 to 6 to a connection electrode disposed on the mounting substrate with a conductive adhesive. In the piezoelectric module, a lid that covers the piezoelectric vibrating piece is disposed on the mounting substrate, a recess is disposed on a surface of the mounting substrate that faces the piezoelectric vibrating substrate, and the recess includes the A piezoelectric module comprising a mounting substrate and a temperature sensitive element capable of measuring a temperature of an internal space closed by the lid.
With the above configuration, since the temperature around the piezoelectric vibrating piece can be measured, the piezoelectric module can perform temperature compensation of the oscillation signal oscillated from the piezoelectric vibrating piece with high accuracy.

[適用例8]適用例1乃至6のいずれか1例に記載の圧電振動片のマウント部と、実装基板に配置された接続電極と、を導電性接着剤で接着することにより前記圧電振動片を実装した圧電モジュールであって、前記実装基板上には前記圧電振動片を覆う蓋体が配置され、前記実装基板の前記圧電振動基板に対向する面の反対面には凹部が配置され、前記凹部には、前記実装基板の温度を測定可能な感温素子が配置されたことを特徴とする圧電モジュール。
上記構成により、圧電振動片の実装基板への実装後かつ感温素子の実装前に圧電振動片の動作の検査を行い、圧電振動片の正常な動作を確認した上で感温素子を実装することができるので感温素子を無駄にすることはなく、コストを抑制することができる。
Application Example 8 The piezoelectric vibrating reed is obtained by bonding the mounting portion of the piezoelectric vibrating piece according to any one of Application Examples 1 to 6 and the connection electrode disposed on the mounting substrate with a conductive adhesive. A lid that covers the piezoelectric vibrating piece is disposed on the mounting substrate, and a concave portion is disposed on a surface opposite to the surface of the mounting substrate that faces the piezoelectric vibrating substrate. A piezoelectric module, wherein a temperature sensitive element capable of measuring the temperature of the mounting substrate is disposed in the recess.
With the above configuration, after mounting the piezoelectric vibrating piece on the mounting board and before mounting the temperature sensitive element, the operation of the piezoelectric vibrating piece is inspected, and after confirming the normal operation of the piezoelectric vibrating piece, the temperature sensitive element is mounted. Therefore, the temperature sensing element is not wasted and the cost can be suppressed.

第1実施形態に係る圧電振動片の模式図であり、図1(a)は平面図、図1(b)は底面図、図1(c)は水晶基板のカット角を表す図である。FIG. 1A is a schematic view of a piezoelectric vibrating piece according to a first embodiment, FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a bottom view, and FIG. 1C is a diagram illustrating a cut angle of a quartz substrate. 第1実施形態に係る圧電振動片の模式図であり、図2(a)は正面図、図2(b)は裏面図、図2(c)は図1(a)のA−A線断面図である。2A and 2B are schematic views of the piezoelectric vibrating piece according to the first embodiment, in which FIG. 2A is a front view, FIG. 2B is a back view, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 圧電振動片の製造工程(振動部形成工程)を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process (vibration part formation process) of a piezoelectric vibrating piece. 圧電振動片の製造工程(外形形成工程)の模式図である。It is a schematic diagram of the manufacturing process (outer shape forming process) of a piezoelectric vibrating piece. 圧電振動片の製造工程(電極形成工程)の模式図である。It is a schematic diagram of the manufacturing process (electrode formation process) of a piezoelectric vibrating piece. 第2実施形態に係る圧電振動片の模式図であり、図6(a)は平面図、図6(b)は底面図、図6(c)は図6(a)のA−A線断面図、図6(d)は図1(a)のB−B線断面図である。FIG. 6A is a schematic view of a piezoelectric vibrating piece according to a second embodiment, FIG. 6A is a plan view, FIG. 6B is a bottom view, and FIG. 6C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 6 and FIG. 6D are cross-sectional views taken along the line BB in FIG. 第1実施形態の圧電振動片の変形例であり、図7(a)は平面図、図7(b)は底面図、図7(c)は側面図である。FIG. 7A is a modification of the piezoelectric vibrating piece according to the first embodiment, FIG. 7A is a plan view, FIG. 7B is a bottom view, and FIG. 7C is a side view. 第2実施形態の圧電振動片の第1変形例であり、図8(a)は平面図、図8(b)は底面図、図8(c)は側面図である。FIG. 8A is a plan view, FIG. 8B is a bottom view, and FIG. 8C is a side view, illustrating a first modification of the piezoelectric vibrating piece according to the second embodiment. 第2実施形態に係る圧電振動片の第2変形例の模式図であり、図9(a)は平面図、図9(b)は底面図、図9(c)は図9(a)のA−A線断面図、図9(d)は図9(a)のB−B線断面図である。FIGS. 9A and 9B are schematic views of a second modification of the piezoelectric vibrating piece according to the second embodiment, in which FIG. 9A is a plan view, FIG. 9B is a bottom view, and FIG. 9C is FIG. FIG. 9D is a sectional view taken along line AA, and FIG. 9D is a sectional view taken along line BB in FIG. 第3実施形態に係る圧電振動片の模式図であり、図10(a)は平面図、図10(b)は底面図、図10(c)は図10(a)のA−A線断面図、図10(d)は図10(a)のB−B線断面図である。FIG. 10A is a schematic diagram of a piezoelectric vibrating piece according to a third embodiment, FIG. 10A is a plan view, FIG. 10B is a bottom view, and FIG. 10C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 10D is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 第3実施形態に係る圧電振動片の側面図である。It is a side view of the piezoelectric vibrating piece according to the third embodiment. 第4実施形態に係る圧電振動片の模式図であり、図12(a)は平面図、図12(b)は底面図、図12(c)は図12(a)のA−A線断面図、図12(d)は図12(a)のB−B線断面図である。FIG. 12A is a schematic view of a piezoelectric vibrating piece according to a fourth embodiment, FIG. 12A is a plan view, FIG. 12B is a bottom view, and FIG. 12C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. Fig. 12 (d) is a cross-sectional view taken along line BB of Fig. 12 (a). 第4実施形態に係る圧電振動片の側面図である。It is a side view of the piezoelectric vibrating piece according to the fourth embodiment. 本実施形態の圧電振動片のマウント部に応力を印加した場合の応力の強度分布を示す図である。It is a figure which shows strength distribution of the stress at the time of applying a stress to the mount part of the piezoelectric vibrating piece of this embodiment. 本実施形態の圧電振動片を搭載した圧電振動子を示し、図15(a)は図6に示す圧電振動片60を搭載した場合の圧電振動子100の平面図、図15(b)は図15(a)のA−A線断面図である。FIG. 15A is a plan view of the piezoelectric vibrator 100 when the piezoelectric vibrating piece 60 shown in FIG. 6 is mounted, and FIG. 15B is a diagram. It is AA sectional view taken on the line of 15 (a). 図6に示す圧電振動片60を搭載した場合の圧電モジュールの分解斜視図である。FIG. 7 is an exploded perspective view of a piezoelectric module when the piezoelectric vibrating piece 60 shown in FIG. 6 is mounted. 本実施形態の圧電振動片を搭載した圧電モジュールを示し、図17(a)は図16のA−A線断面図であり、図17(b)は図16において図9に示す圧電振動片61を搭載した場合のA−A線断面図である。FIG. 17A is a sectional view taken along line AA of FIG. 16 and FIG. 17B is a piezoelectric vibrating piece 61 shown in FIG. It is an AA line sectional view at the time of carrying. 本実施形態の圧電モジュールの第1変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of the piezoelectric module of this embodiment. 本実施形態の圧電モジュールの第2変形例を示し、図19(a)は側面図、図19(b)は圧電モジュールを構成する基板の平面図である。The 2nd modification of the piezoelectric module of this embodiment is shown, Fig.19 (a) is a side view, FIG.19 (b) is a top view of the board | substrate which comprises a piezoelectric module. 本実施形態の圧電モジュールの第3変形例を示し、図20(a)は、容器の断面が所謂、H型構造の圧電モジュールの模式図、図20(b)はシングルシール型の圧電モジュールの模式図である。FIG. 20A shows a third modification of the piezoelectric module of the present embodiment, FIG. 20A is a schematic view of a piezoelectric module having a so-called H-shaped structure, and FIG. 20B is a diagram of a single seal type piezoelectric module. It is a schematic diagram. 特許文献1に係る圧電振動子の模式図であり、図21(a)は圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図、図21(b)は圧電振動子を構成する圧電振動片の下面図、図21(c)は圧電振動片を容器の内部に搭載した圧電振動子を構成する平面図、図21(d)は図21(c)のA−A´線断面図である。FIG. 21A is a schematic diagram of a piezoelectric vibrator according to Patent Document 1. FIG. 21A is a top view of a piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator, and FIG. 21B is a bottom face of the piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator. Fig. 21 (c) is a plan view of a piezoelectric vibrator having a piezoelectric vibrating piece mounted inside the container, and Fig. 21 (d) is a cross-sectional view taken along line AA 'of Fig. 21 (c). 圧電振動片のマウント部と振動部との間にスリットを形成した場合の応力分布を示し、図22(a)は圧電振動片のスリットの幅を150μmとした場合の応力分布、図22(b)は圧電振動片のスリットの幅を250μmとした場合の応力分布である。FIG. 22A shows the stress distribution when a slit is formed between the mount portion and the vibrating portion of the piezoelectric vibrating piece. FIG. 22A shows the stress distribution when the slit width of the piezoelectric vibrating piece is 150 μm. ) Is a stress distribution when the width of the slit of the piezoelectric vibrating piece is 250 μm. 圧電振動片の幅方向の両側のマウント部と振動部との間となる位置に切欠きを形成して、マウント部と振動部との間を連結する連結部を形成した場合の応力分布を示し、図23(a)は連結部の幅を400μmとした場合の応力分布、図23(b)は連結部の幅を300μmとした場合の応力分布である。The stress distribution when a notch is formed at a position between the mount part and the vibration part on both sides in the width direction of the piezoelectric vibrating piece to form a connection part that connects the mount part and the vibration part is shown. FIG. 23A shows the stress distribution when the width of the connecting portion is 400 μm, and FIG. 23B shows the stress distribution when the width of the connecting portion is 300 μm. 圧電振動片の幅方向の両側のマウント部と振動部との間となる位置に切欠きを形成して、マウント部と振動部との間を連結する連結部を形成した場合の応力分布を示し、図24(a)は連結部の幅を200μmとした場合の応力分布、図24(b)は連結部の幅を100μmとした場合の応力分布である。The stress distribution when a notch is formed at a position between the mount part and the vibration part on both sides in the width direction of the piezoelectric vibrating piece to form a connection part that connects the mount part and the vibration part is shown. FIG. 24A shows the stress distribution when the width of the connecting portion is 200 μm, and FIG. 24B shows the stress distribution when the width of the connecting portion is 100 μm.

以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。なお以下の説明に用いられる図において、X軸、Y′軸、Z′軸は互いに直交するものとする。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings. However, the components, types, combinations, shapes, relative arrangements, and the like described in this embodiment are merely illustrative examples and not intended to limit the scope of the present invention only unless otherwise specified. . In the drawings used in the following description, the X axis, the Y ′ axis, and the Z ′ axis are assumed to be orthogonal to each other.

第1実施形態に係る圧電振動片を図1、図2に示す。図1(a)は平面図、図1(b)は底面図、図1(c)は水晶基板のカット角を表す図、図2(a)は正面図、図2(b)は裏面図、図2(c)は図1(a)のA−A線断面図である。本実施形態に係る圧電振動片10は、圧電基板(圧電素板)として、水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、前記Z軸を前記Y軸の−Y方向へ傾けた軸をZ′軸とし、前記Y軸を前記Z軸の+Z方向へ傾けた軸をY′軸とし、前記X軸と前記Z′軸に平行な面で構成され、前記Y′軸に平行な方向を厚みとするATカットの水晶基板を採用している。そして矩形状のATカットの水晶基板を用い、周縁に周縁部17(補強部)を残したウエットエッチングにより、短辺方向が前記X軸方向、長辺方向が前記Z′軸方向となるように外形を形成し、前記周縁部17(第1の周縁部17a)よりも厚みの薄い薄肉の振動部22を形成した逆メサ型の圧電振動片10となっている。   The piezoelectric vibrating piece according to the first embodiment is shown in FIGS. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a bottom view, FIG. 1 (c) is a diagram showing a cut angle of a quartz substrate, FIG. 2 (a) is a front view, and FIG. 2 (b) is a back view. FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The piezoelectric vibrating piece 10 according to the present embodiment includes, as a piezoelectric substrate (piezoelectric element plate), an X axis as an electric axis, a Y axis as a mechanical axis, and a Z axis as an optical axis, which are crystal axes of quartz. An axis obtained by tilting the Z axis in the −Y direction of the Y axis with respect to the X axis of the Cartesian coordinate system comprising the Z ′ axis and an axis inclining the Y axis in the + Z direction of the Z axis. An AT-cut quartz substrate is adopted that has a Y'-axis, a plane that is parallel to the X-axis and the Z'-axis, and has a thickness parallel to the Y'-axis. Then, by using a rectangular AT-cut quartz substrate and leaving the peripheral edge portion 17 (reinforcement portion) at the peripheral edge, the short side direction becomes the X-axis direction and the long side direction becomes the Z′-axis direction. This is an inverted mesa type piezoelectric vibrating piece 10 having an outer shape and a thin vibrating portion 22 having a thickness smaller than that of the peripheral edge portion 17 (first peripheral edge portion 17a).

圧電振動片10は、マウント部12、スリット16を有する緩衝部14、振動部22を中央部に有する周縁部17が一体となって全体の外形が形成され、マウント部12と周縁部17がそれぞれ圧電振動片10の長辺方向(Z′軸方向)の端部に配置され、緩衝部14がマウント部12と周縁部17の間に配置されている。また圧電振動片10は、図1(a)のA−A線を中心線として線対称な形状を有している。そして圧電振動片10はマウント部12側を固定端とし、振動部22側を自由端として片持ち支持状態で、実装先の実装基板34(図2)に導電性接着剤32により固定される。   The piezoelectric vibrating piece 10 has a mount 12, a buffer 14 having a slit 16, and a peripheral part 17 having a vibration part 22 at the center to form an overall outer shape. The mount 12 and the peripheral part 17 are respectively The piezoelectric vibrating piece 10 is disposed at an end portion in the long side direction (Z′-axis direction), and the buffer portion 14 is disposed between the mount portion 12 and the peripheral portion 17. The piezoelectric vibrating piece 10 has a line-symmetric shape with the AA line in FIG. The piezoelectric vibrating reed 10 is fixed to the mounting substrate 34 (FIG. 2) by the conductive adhesive 32 in a cantilevered state with the mounting portion 12 side as a fixed end and the vibrating portion 22 side as a free end.

マウント部12は、圧電振動片10のZ′軸の一方向の端部に配置されるとともに、X軸方向の両端には切欠き12aが形成されている。切欠き12aは、マウント部12のX軸方向の両端を矩形に切り欠くように配置されている。この切欠き12aにより、導電性接着剤32の塗布位置の間隔を狭くすることができ、実装時にマウント部12で発生する応力の発生領域を小さくすることができる。そして実装面となるマウント部の一主面(−Y′軸側の面)には後述の励振電極24A、24Bと電気的に接続するパッド電極28A、28Bが配置されている。そしてパッド電極28A、28Bには実装側の実装基板34と接着するための導電性接着剤32が塗布される。したがって導電性接着剤32を用いて実装基板34に接着することにより圧電振動子が形成される。   The mount portion 12 is disposed at one end portion of the Z ′ axis of the piezoelectric vibrating piece 10, and notches 12 a are formed at both ends in the X axis direction. The notch 12a is disposed so that both ends of the mount portion 12 in the X-axis direction are notched into a rectangle. By this notch 12a, the interval between the application positions of the conductive adhesive 32 can be narrowed, and the generation area of the stress generated in the mount portion 12 during mounting can be reduced. Pad electrodes 28A and 28B that are electrically connected to excitation electrodes 24A and 24B, which will be described later, are arranged on one main surface (the surface on the −Y′-axis side) of the mount portion serving as a mounting surface. A conductive adhesive 32 is applied to the pad electrodes 28A and 28B to adhere to the mounting substrate 34 on the mounting side. Accordingly, the piezoelectric vibrator is formed by bonding to the mounting substrate 34 using the conductive adhesive 32.

緩衝部14は、マウント部12と周縁部17との間に形成され、マウント部12で発生して振動部22側に伝播する応力(熱歪み)を緩和させる作用を有している。これを実現するため、緩衝部14にはスリット16が設けられ、緩衝部14と周縁部17との間に切欠き18が形成されている。なお、緩衝部14には後述の引出電極26A、26Bが形成されている。   The buffer portion 14 is formed between the mount portion 12 and the peripheral portion 17 and has a function of relaxing stress (thermal strain) generated in the mount portion 12 and propagating to the vibrating portion 22 side. In order to realize this, the buffer portion 14 is provided with a slit 16, and a notch 18 is formed between the buffer portion 14 and the peripheral edge portion 17. The buffer portion 14 is formed with extraction electrodes 26A and 26B described later.

スリット16は、圧電振動片10の短辺方向(X軸方向)に沿った長辺と圧電振動片の長辺方向(Z′軸方向)に沿った短辺を有し、圧電振動片10の厚み方向に矩形形状で貫通する貫通孔となっている。スリット16は、後述のように、圧電振動片10の実装基板34への実装時にマウント部12で発生した応力のZ軸方向(圧電振動片10の長辺方向)への直線的な伝播を遮断して振動部22に及ぶ応力を低減するものである。一方、圧電振動片10の実装時の応力(熱歪み)はマウント部12の導電性接着剤32の塗布位置同士を結ぶ線上が発生領域となる。よって、スリット16の長辺方向の幅は、導電性接着剤32の塗布位置同士の間隔より長くするとともに、前記発生領域と振動部22とを結ぶ直線に交差するように配置することにより上述の発生領域で発生した応力の振動部22側への直線的な伝播経路を遮断することができる。特に、図1に示すように、スリット16の長辺方向の幅をマウント部12のX軸方向の幅より広くし、Z′軸方向からみてスリット16の長辺の両端部がマウント部12のX軸方向の両端部からはみ出るように配置することにより、マウント部12で発生した応力の振動部22側への伝播経路を確実に遮断することができる。上記構成により、上述の発生領域(マウント部12)で発生した応力はスリット16により振動部22に直線的に伝播する経路が遮断され、緩衝部14のスリット16の周囲となる位置を周回することになる。   The slit 16 has a long side along the short side direction (X-axis direction) of the piezoelectric vibrating piece 10 and a short side along the long side direction (Z′-axis direction) of the piezoelectric vibrating piece 10. It is a through-hole penetrating in a rectangular shape in the thickness direction. As will be described later, the slit 16 blocks the linear propagation of the stress generated in the mount 12 when the piezoelectric vibrating piece 10 is mounted on the mounting substrate 34 in the Z-axis direction (long side direction of the piezoelectric vibrating piece 10). Thus, the stress applied to the vibration part 22 is reduced. On the other hand, the stress (thermal strain) during mounting of the piezoelectric vibrating piece 10 is generated on the line connecting the application positions of the conductive adhesive 32 of the mount portion 12. Therefore, the width in the long side direction of the slit 16 is longer than the interval between the application positions of the conductive adhesive 32 and is arranged so as to intersect with the straight line connecting the generation region and the vibration part 22. The linear propagation path to the vibration part 22 side of the stress generated in the generation region can be blocked. In particular, as shown in FIG. 1, the width in the long side direction of the slit 16 is made wider than the width in the X axis direction of the mount portion 12, and both end portions of the long side of the slit 16 as viewed from the Z ′ axis direction are By arranging so as to protrude from both end portions in the X-axis direction, the propagation path of the stress generated in the mount portion 12 to the vibration portion 22 side can be reliably blocked. With the above configuration, the path where the stress generated in the above-described generation region (mount portion 12) is linearly propagated to the vibrating portion 22 by the slit 16 is blocked, and the stress is circulated around the slit 16 of the buffer portion 14. become.

切欠き18は、緩衝部14と周縁部17との境界(連結部)となる位置に配置され、圧電振動片10の短辺方向(X軸方向)の両側から緩衝部14および周縁部17(第1の周縁部17a)を切り欠くように配置されている。よって緩衝部14及び周縁部17(第1の周縁部17a)の切欠き18に挟まれた領域は括れ部20となる。切欠き18は、緩衝部14のスリット16の長辺方向の両端の周縁となる位置に伝播した応力の振動部22への直線的な伝播経路を遮断するために配置されている。よって切欠き18により形成される括れ部20のX軸方向の幅は、スリット16の長辺方向(X軸方向)の幅と同程度かそれ以下となるようにすることが望ましい。よって、上述の位置に伝播した応力は切欠き18により振動部22への直線的な伝播が遮断され、括れ部20を経由して振動部22側に伝播する。   The notch 18 is disposed at a position that becomes a boundary (connecting portion) between the buffer portion 14 and the peripheral portion 17, and the buffer portion 14 and the peripheral portion 17 (from the both sides in the short side direction (X-axis direction) of the piezoelectric vibrating piece 10. The first peripheral portion 17a) is arranged so as to be cut out. Therefore, a region sandwiched between the notches 18 of the buffer portion 14 and the peripheral edge portion 17 (first peripheral edge portion 17a) becomes a constricted portion 20. The notch 18 is arranged to block a linear propagation path to the vibration part 22 of the stress propagated to the positions at the peripheral edges of both ends in the long side direction of the slit 16 of the buffer part 14. Therefore, it is desirable that the width in the X-axis direction of the constricted portion 20 formed by the notch 18 is approximately equal to or less than the width of the slit 16 in the long side direction (X-axis direction). Accordingly, the stress propagated to the above-described position is blocked from linear propagation to the vibration part 22 by the notch 18 and propagates to the vibration part 22 side via the constricted part 20.

周縁部17は、圧電振動片10の+Z軸側を構成し振動部22を支持する部材である。周縁部17は、緩衝部14に接続した第1の周縁部17aと、振動部22の周囲を囲むように配置され、第1の周縁部17aに接続した第2の周縁部17bと、を有する。ここで、第1の周縁部17aは緩衝部14と同じ厚みを有し、第2の周縁部17bは振動部22と同じ厚みを有する。図1において第1の周縁部17aの+Z′軸側が切り欠かれ、第2の周縁部17bの+Z′軸側の端面が露出した形となっているが、この部分にも第1の周縁部17aを配置して、第2の周縁部17bの周囲を第1の周縁部17aで完全に囲む形としてもよい。本実施形態では第1の周縁部17aは、緩衝部14と同一の厚みであって段差を有しないものとし、第2の周縁部17は振動部22と同一の厚みであって段差を有しないものとする。また、第2の周縁部17b及び振動部22は、第1の周縁部17aより薄肉であり、圧電振動片10の−Y′軸方向から掘り込まれた態様で第1の周縁部17aに接続している。   The peripheral portion 17 is a member that constitutes the + Z axis side of the piezoelectric vibrating piece 10 and supports the vibrating portion 22. The peripheral portion 17 includes a first peripheral portion 17a connected to the buffer portion 14 and a second peripheral portion 17b disposed so as to surround the periphery of the vibration portion 22 and connected to the first peripheral portion 17a. . Here, the first peripheral portion 17 a has the same thickness as the buffer portion 14, and the second peripheral portion 17 b has the same thickness as the vibrating portion 22. In FIG. 1, the + Z′-axis side of the first peripheral portion 17a is cut away, and the end surface on the + Z′-axis side of the second peripheral portion 17b is exposed. This portion also includes the first peripheral portion. 17a may be arranged so that the second peripheral edge portion 17b is completely surrounded by the first peripheral edge portion 17a. In the present embodiment, the first peripheral portion 17a has the same thickness as the buffer portion 14 and does not have a step, and the second peripheral portion 17 has the same thickness as the vibrating portion 22 and has no step. Shall. In addition, the second peripheral edge portion 17b and the vibrating portion 22 are thinner than the first peripheral edge portion 17a, and are connected to the first peripheral edge portion 17a in a state of being dug from the −Y′-axis direction of the piezoelectric vibrating piece 10. doing.

振動部22は、第2の周縁部17bに囲まれるように配置され、圧電振動片10において厚みすべり振動を発生させる部分である。振動部22の中央の両主面(表裏面)には互いに対向するように励振電極24A、24Bが形成されている。+Y′軸側の面に形成された励振電極24Aからは引出電極26Aが引き出されている。引出電極26Aは、振動部22、第2の周縁部17b、第1の周縁部17a、緩衝部14に亘って配置され、切欠き18において圧電振動片10の−Y′軸側の面に引き出され、緩衝部14、マウント部12を経由してパッド電極28Aに接続されている。また、−Y′軸側の面に形成された励振電極24Bからは引出電極26Bが引き出されている。引出電極26Bは、振動部22、第2の周縁部17b、第1の周縁部17a、緩衝部14、マウント部12に亘って配置されパッド電極28Bに接続されている。したがって、パッド電極28A、28Bに交流電圧を印加することにより振動部22は所定の周波数で厚みすべり振動を行なうことができる。   The vibrating part 22 is a part that is disposed so as to be surrounded by the second peripheral edge part 17 b and generates a thickness shear vibration in the piezoelectric vibrating piece 10. Excitation electrodes 24 </ b> A and 24 </ b> B are formed on both main surfaces (front and back surfaces) of the vibration unit 22 so as to face each other. An extraction electrode 26A is extracted from the excitation electrode 24A formed on the surface on the + Y′-axis side. The extraction electrode 26 </ b> A is disposed across the vibrating portion 22, the second peripheral portion 17 b, the first peripheral portion 17 a, and the buffer portion 14, and is extracted to the surface on the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 10 at the notch 18. In addition, it is connected to the pad electrode 28 </ b> A via the buffer portion 14 and the mount portion 12. Further, an extraction electrode 26B is extracted from the excitation electrode 24B formed on the surface at the −Y′-axis side. The extraction electrode 26B is disposed across the vibration part 22, the second peripheral part 17b, the first peripheral part 17a, the buffer part 14, and the mount part 12, and is connected to the pad electrode 28B. Therefore, by applying an AC voltage to the pad electrodes 28A and 28B, the vibrating portion 22 can perform thickness shear vibration at a predetermined frequency.

ところで、導電性接着剤32を用いた圧電振動片10の接着工程では導電性接着剤32を硬化させるために圧電振動片10を高温に曝す必要がある。よって接着後温度が低下するとマウント部12の導電性接着剤32が塗布されている2点の間を結ぶ領域で、圧電振動片10、実装基板34、導電性接着剤32の熱膨張係数の違いにより、上述の応力(熱歪み)が発生し、これが圧電振動片10全体に伝播することになる。   By the way, in the bonding process of the piezoelectric vibrating piece 10 using the conductive adhesive 32, it is necessary to expose the piezoelectric vibrating piece 10 to a high temperature in order to cure the conductive adhesive 32. Therefore, when the temperature after bonding decreases, the difference in thermal expansion coefficient between the piezoelectric vibrating piece 10, the mounting substrate 34, and the conductive adhesive 32 is a region connecting the two points where the conductive adhesive 32 of the mount portion 12 is applied. As a result, the above-described stress (thermal strain) is generated and propagates to the entire piezoelectric vibrating piece 10.

一方、振動部22に応力が印加されると、振動部22の見かけ上の剛性が変化するため、共振周波数が変動する。そしてマウント部12におけるマウント状態は実装状態に依存して個々に異なるため、振動部22に伝播する応力にもバラつきが生じ、共振周波数にバラつきが生じることになる。   On the other hand, when a stress is applied to the vibration part 22, the apparent rigidity of the vibration part 22 changes, so that the resonance frequency varies. Since the mount state of the mount portion 12 differs depending on the mounting state, the stress propagating to the vibration portion 22 also varies, and the resonance frequency varies.

しかし、マウント部12においては、切欠き12aにより導電性接着剤32の接着位置が近接している。よって、応力の発生範囲を導電性接着剤32が塗布された領域に集中させて、応力の発生領域を小さくし、それ以外への領域へ伝播する応力の成分を抑制することができる。そして導電性接着剤32の接着位置において発生した応力は緩衝部14側(Z′軸方向)に直線的に伝播するが、スリット16によりその直線的な伝播経路は遮断され、応力はスリット16の周囲に沿って伝播することになる。よって、応力がスリット16の周囲を伝播するため経路が長くなる。さらに切欠き12aによりマウント部12における導電性接着剤32の接着位置がスリット16の長辺の中央側に近接するため、応力のスリット16の周囲を周回する経路はさらに長くなる。したがって応力が振動部22に伝播する前に十分に緩和され、振動部22への応力の影響を緩和することができる。さらに、スリット16は、応力の伝播経路を長くするだけでなく伝播経路を曲げることができるので、その分応力の緩和を促進させることができる。   However, in the mount part 12, the bonding position of the conductive adhesive 32 is close by the notch 12a. Therefore, the stress generation range can be concentrated on the region where the conductive adhesive 32 is applied, the stress generation region can be reduced, and the stress component propagating to other regions can be suppressed. The stress generated at the bonding position of the conductive adhesive 32 propagates linearly toward the buffer portion 14 (Z′-axis direction), but the linear propagation path is blocked by the slit 16, and the stress is applied to the slit 16. It will propagate along the periphery. Therefore, since the stress propagates around the slit 16, the path becomes long. Further, since the bonding position of the conductive adhesive 32 in the mount portion 12 is close to the center side of the long side of the slit 16 due to the notch 12a, the path around the stress slit 16 becomes further longer. Therefore, the stress is sufficiently relaxed before propagating to the vibration part 22, and the influence of the stress on the vibration part 22 can be relaxed. Furthermore, the slit 16 can not only lengthen the propagation path of the stress but also bend the propagation path, so that the relaxation of the stress can be promoted accordingly.

また、緩衝部14のX軸方向の両端にまで伝播した応力の振動部22へ直線的に伝播経路は切欠き18により遮断され、緩衝部14のスリット16の周囲の第1の周縁部17a側となる位置及び括れ部20に伝播する。よって、上述同様に応力の伝播経路が延長され、かつ曲げられるため振動部22に伝播する応力を緩和することができる。   Further, the propagation path is linearly blocked by the notch 18 to the vibration portion 22 of the stress propagated to both ends in the X-axis direction of the buffer portion 14, and the first peripheral portion 17 a side around the slit 16 of the buffer portion 14. Propagated to the position and the constricted part 20. Accordingly, the stress propagation path is extended and bent in the same manner as described above, so that the stress propagating to the vibrating portion 22 can be relaxed.

また、第2の周縁部17b及び振動部22は、第1の周縁部17aより薄肉に形成されている。これにより、振動部22は、第1の周縁部17aに伝播してきた応力の一部を受けるのみとなるので、振動部22へ伝播する応力を低減することができる。また本実施形態の圧電振動片10は振動部22(第2の周縁部17b)が第1の周縁部17aの厚みより薄い、所謂逆メサ構造を有している。よって、緩衝部14(括れ部20)に伝達した応力は、第1の周縁部17a及び第2の周縁部17bを介して振動部22に到達しうるが、第1の周縁部17aの主面と第2の周縁部17bの主面(振動部22の主面)との間には逆メサ構造による段差があり、後述のように(図14参照)、この段差位置において応力を緩和させることができる。さらに、図1に示すように、第2の周縁部17b及び振動部22は、周縁部17の導電性接着剤32が塗布される面側(−Y′軸側の面側)からハーフエッチングにより掘り込んだ態様で配置されている。これにより第1の周縁部17aと第2の周縁部17b(振動部22)との接続位置を圧電振動片10のパッド電極28A、28Bが配置された面(−Y′軸側の面)の反対側の面(+Y′軸側の面)に偏在させた状態で、振動部22の主面と第1の周縁部17aの主面との間で段差を形成することになる。これによりパッド電極28A、28Bに塗布される導電性接着剤32と振動部22の距離が、前述の段差の分だけ遠くなるので、振動部22に伝播する応力をより多く緩和させることができる。   Moreover, the 2nd peripheral part 17b and the vibration part 22 are formed more thinly than the 1st peripheral part 17a. Thereby, since the vibration part 22 receives only a part of the stress that has propagated to the first peripheral edge part 17a, the stress that propagates to the vibration part 22 can be reduced. In addition, the piezoelectric vibrating piece 10 of the present embodiment has a so-called reverse mesa structure in which the vibrating portion 22 (second peripheral portion 17b) is thinner than the thickness of the first peripheral portion 17a. Therefore, the stress transmitted to the buffer part 14 (the constricted part 20) can reach the vibration part 22 via the first peripheral part 17a and the second peripheral part 17b, but the main surface of the first peripheral part 17a. There is a step due to an inverted mesa structure between the main surface of the second peripheral portion 17b (the main surface of the vibrating portion 22), and stress will be relieved at this step position as will be described later (see FIG. 14). Can do. Further, as shown in FIG. 1, the second peripheral edge portion 17b and the vibration portion 22 are half-etched from the surface side (the surface side on the −Y ′ axis side) to which the conductive adhesive 32 of the peripheral edge portion 17 is applied. It is arranged in a dug out manner. As a result, the connection position between the first peripheral edge portion 17a and the second peripheral edge portion 17b (vibrating portion 22) is set to the surface (the surface on the −Y′-axis side) on which the pad electrodes 28A and 28B of the piezoelectric vibrating piece 10 are disposed. A step is formed between the main surface of the vibrating portion 22 and the main surface of the first peripheral edge portion 17a in a state of being unevenly distributed on the opposite surface (+ Y′-axis side surface). As a result, the distance between the conductive adhesive 32 applied to the pad electrodes 28A and 28B and the vibration part 22 is increased by the aforementioned step, so that the stress propagating to the vibration part 22 can be more relaxed.

このように、圧電振動片10においては、マウント部12の幅を切欠き12aにより狭くすることによりマウント部12での応力の発生領域を小さくして、発生する応力そのものを小さくしている。また、スリット16によりマウント部12で発生した応力の振動部22への直線的な伝播経路を遮断して緩衝部14のスリットの周囲となる位置に周回させ、応力の伝播経路を長くし、また応力の経路を曲げることにより応力の緩和を促進している。さらに、切欠き18により、緩衝部14のスリット16の長辺方向の両端の周囲に到達した応力の振動部22への直線的な伝播経路を遮断して、緩衝部14のスリット16の周囲の振動部22側、括れ部20に周回させ、応力の伝播経路を長くし、また応力の経路を曲げることにより応力の緩和を促進している。最後に、括れ部20(第1の周縁部17a)に到達した応力は、第1の周縁部17aの主面と第2の周縁部17bの主面(振動部22の主面)との間にある段差により緩和される。したがって、圧電振動片10の実装時にマウント部12で発生しうる応力を、切欠き12aによりその発生量を小さくし、スリット16の周囲及び括れ部20に迂回させつつ緩和させ、第1の周縁部17aと第2の周縁部17bとの境界において緩和させている。これにより、振動部22に伝播する応力を緩和して周波数変動を抑制し、これを用いた圧電振動子の共振周波数やQ値等の特性のバラつきを抑制して歩留を高めることができる。   As described above, in the piezoelectric vibrating piece 10, the width of the mount portion 12 is narrowed by the notch 12a, thereby reducing the stress generation region in the mount portion 12 and reducing the generated stress itself. Further, the linear propagation path of the stress generated in the mount portion 12 to the vibration portion 22 by the slit 16 is cut off and circulated around the slit of the buffer portion 14 to lengthen the stress propagation path. Stress relaxation is promoted by bending the stress path. Further, the notch 18 blocks a linear propagation path to the vibrating portion 22 of the stress that has reached the periphery of both ends of the slit 16 of the buffer portion 14 in the long side direction, The relaxation of the stress is promoted by making it circulate around the vibration portion 22 side and the constricted portion 20, lengthening the propagation path of the stress, and bending the stress path. Finally, the stress that reaches the constricted portion 20 (the first peripheral portion 17a) is between the main surface of the first peripheral portion 17a and the main surface of the second peripheral portion 17b (the main surface of the vibrating portion 22). It is alleviated by the level difference. Therefore, the stress that can be generated in the mounting portion 12 when the piezoelectric vibrating piece 10 is mounted is reduced by the notch 12a, and the stress is reduced while bypassing the periphery of the slit 16 and the constricted portion 20, and the first peripheral portion. It is relaxed at the boundary between 17a and the second peripheral edge 17b. As a result, the stress propagating to the vibrating portion 22 can be relaxed to suppress frequency fluctuations, and variations in characteristics such as the resonance frequency and the Q value of the piezoelectric vibrator using this can be suppressed to increase the yield.

次に第1実施形態の圧電振動片の製造工程について説明する。
図3に、圧電振動片の製造工程(振動部形成工程)を示し、図4に圧電振動片の製造工程(外形形成工程)を示し、図5に圧電振動片の製造工程(電極形成工程)を示す。大まかな手順としては、圧電振動片10の材料となる水晶基板36において、振動部22(第2の周縁部17b)に対応する位置をハーフエッチングし、圧電振動片10の外形に倣ってエッチングし、励振電極24A、24B、引出電極26A、26B、パッド電極28A、28Bの形成を行なう。
Next, the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece according to the first embodiment will be described.
3 shows a manufacturing process (vibration portion forming process) of the piezoelectric vibrating piece, FIG. 4 shows a manufacturing process (outer shape forming process) of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 5 shows a manufacturing process (electrode forming process) of the piezoelectric vibrating piece. Indicates. As a rough procedure, in the quartz substrate 36 which is the material of the piezoelectric vibrating piece 10, the position corresponding to the vibrating portion 22 (second peripheral portion 17 b) is half-etched and etched following the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 10. The excitation electrodes 24A and 24B, the extraction electrodes 26A and 26B, and the pad electrodes 28A and 28B are formed.

図3に示すように、最初に圧電振動片10を構成する振動部22(第2の周縁部17b)の外形を形成する。まず図3(a)に示すように、圧電基板としてATカットの水晶基板36を用意し、水晶基板36においてレジスト膜38を塗布する。そして図3(b)に示すように、振動部22(第2の周縁部17b)の形状に対応したフォトマスク40を用いてレジスト膜38を露光し、図3(c)に示すように感光したレジスト膜38aを除去する。そして図3(d)に示すように、水晶基板36が露出した部分が振動部22(第2の周縁部17b)の厚みとなるまでハーフエッチングし、図3(e)に示すようにレジスト膜38を除去する。このとき水晶基板36には振動部22及び第2の周縁部17bに対応する凹部22aが形成される。   As shown in FIG. 3, first, the outer shape of the vibrating portion 22 (second peripheral portion 17 b) constituting the piezoelectric vibrating piece 10 is formed. First, as shown in FIG. 3A, an AT-cut quartz substrate 36 is prepared as a piezoelectric substrate, and a resist film 38 is applied on the quartz substrate 36. Then, as shown in FIG. 3B, the resist film 38 is exposed using a photomask 40 corresponding to the shape of the vibrating portion 22 (second peripheral edge portion 17b), and as shown in FIG. The resist film 38a thus removed is removed. Then, as shown in FIG. 3D, half etching is performed until the portion where the quartz substrate 36 is exposed reaches the thickness of the vibrating portion 22 (second peripheral edge portion 17b), and as shown in FIG. 38 is removed. At this time, a concave portion 22a corresponding to the vibrating portion 22 and the second peripheral edge portion 17b is formed in the quartz substrate.

次に圧電振動片10の外形を形成する。図4(a)に示すように、凹部22aが形成された水晶基板36にレジスト膜42を塗布する。そして図4(b)に示すように圧電振動片10、スリット16、切欠き18の形状に対応したフォトマスク44を用いてレジスト膜42を露光し、図4(c)に示すように感光したレジスト膜42aを除去する。そして図4(d)に示すように、水晶基板36が露出した部分が貫通するまでエッチングし、図4(e)に示すようにレジスト膜42を除去する。これにより圧電振動片10の外形を有する圧電素板10aが形成される。   Next, the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 10 is formed. As shown in FIG. 4A, a resist film 42 is applied to the quartz substrate 36 on which the recesses 22a are formed. Then, as shown in FIG. 4B, the resist film 42 is exposed using a photomask 44 corresponding to the shape of the piezoelectric vibrating piece 10, the slit 16, and the notch 18, and exposed as shown in FIG. 4C. The resist film 42a is removed. Then, as shown in FIG. 4D, etching is performed until the exposed portion of the quartz substrate 36 penetrates, and the resist film 42 is removed as shown in FIG. Thereby, the piezoelectric element plate 10a having the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 10 is formed.

そして圧電素板10aに電極を形成する。まず図5(a)に示すように、スパッタ等により圧電素板10aの全面にCrやAu等による金属膜46を蒸着する。このとき圧電素板10aの端面にも金属膜46が蒸着する。そして図5(b)に示すように金属膜46が蒸着した圧電素板10aの全面にレジスト膜48を塗布する。このとき圧電素板10aの端面にもレジスト膜48が塗布される。次に図5(c)に示すように圧電振動片10の両面の励振電極24A、24B、引出電極26A、26B(図5では不図示)、パッド電極28A、28B(図5では不図示)の形状に対応したフォトマスク50を用いレジスト膜を露光する。このとき引出電極26Aの圧電振動片10の端面を通過する部分を覆うレジスト膜48は感光しない。次に図5(d)に示すように感光したレジスト膜48aを除去し、図5(e)に示すように励振電極24A、24B、引出電極26A、26B、パッド電極28A、28Bに対応する部分以外の金属膜46を露出させエッチングを行なう。このとき、端面に蒸着した金属膜46は感光せずに残ったレジスト膜42により保護されている。よって引出電極26Aの端面を通過する部分の金属膜46は残り、パッド電極28Aはその反対面にある励振電極24Aとの間の引出電極26Aを介した電気的接続が維持される。そして図5(f)に示すようにレジスト膜48を除去することにより圧電振動片10が形成される。   Then, electrodes are formed on the piezoelectric element plate 10a. First, as shown in FIG. 5A, a metal film 46 of Cr, Au or the like is deposited on the entire surface of the piezoelectric element plate 10a by sputtering or the like. At this time, the metal film 46 is also deposited on the end face of the piezoelectric element plate 10a. Then, as shown in FIG. 5B, a resist film 48 is applied to the entire surface of the piezoelectric base plate 10a on which the metal film 46 is deposited. At this time, the resist film 48 is also applied to the end face of the piezoelectric element plate 10a. Next, as shown in FIG. 5C, the excitation electrodes 24A and 24B, the extraction electrodes 26A and 26B (not shown in FIG. 5) and the pad electrodes 28A and 28B (not shown in FIG. 5) on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece 10 are formed. The resist film is exposed using a photomask 50 corresponding to the shape. At this time, the resist film 48 covering the portion of the extraction electrode 26A passing through the end face of the piezoelectric vibrating piece 10 is not exposed. Next, the exposed resist film 48a is removed as shown in FIG. 5D, and the portions corresponding to the excitation electrodes 24A and 24B, the extraction electrodes 26A and 26B, and the pad electrodes 28A and 28B as shown in FIG. 5E. Etching is performed with the other metal film 46 exposed. At this time, the metal film 46 deposited on the end face is protected by the remaining resist film 42 without being exposed to light. Therefore, a portion of the metal film 46 that passes through the end face of the extraction electrode 26A remains, and the pad electrode 28A is maintained in electrical connection with the excitation electrode 24A on the opposite surface via the extraction electrode 26A. Then, as shown in FIG. 5 (f), the piezoelectric vibrating piece 10 is formed by removing the resist film 48.

第2実施形態の圧電振動片を図6に示し、図6(a)は平面図、図6(b)は底面図、図6(c)は図6(a)のA−A線断面図、図6(d)は図1(a)のB−B線断面図である。なお、以後の実施形態において、第1実施形態と共通の構成要素については同一の番号を付し、必要な場合を除いてその説明を省略する。第2実施形態の圧電振動片60は、基本的には第1実施形態と類似するが、前記マウント部12と緩衝部14と周縁部62との並ぶ方向(Z′軸方向)に対して直交方向(X軸方向)に関し、周縁部62の幅は、緩衝部14の幅よりも狭く形成された点で相違する(特徴1)。また、周縁部62は、緩衝部14に接続する第1の周縁部62aと、振動部22の周囲に配置されるとともに第1の周縁部62aに接続された第2の周縁部62bと、を有する。しかし、第2の周縁部62bの厚みは振動部22の厚みより薄い点で相違する(特徴2)。第2実施形態において励振電極24A、24Bは、振動部22の全面に配置されている。振動部22は、+Y′軸側の面で第2の周縁部62bと同一平面を形成し、−Y′軸側の面で第2の周縁部62bから突出した形態を有している。   FIG. 6 shows a piezoelectric vibrating piece according to the second embodiment, FIG. 6 (a) is a plan view, FIG. 6 (b) is a bottom view, and FIG. 6 (c) is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 6D is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. In the following embodiments, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted unless necessary. The piezoelectric vibrating piece 60 of the second embodiment is basically similar to the first embodiment, but is orthogonal to the direction in which the mount portion 12, the buffer portion 14, and the peripheral portion 62 are arranged (Z′-axis direction). Regarding the direction (X-axis direction), the width of the peripheral edge portion 62 is different in that it is formed narrower than the width of the buffer portion 14 (feature 1). In addition, the peripheral edge 62 includes a first peripheral edge 62a connected to the shock absorber 14 and a second peripheral edge 62b disposed around the vibration part 22 and connected to the first peripheral edge 62a. Have. However, the thickness of the second peripheral edge 62b is different in that it is thinner than the thickness of the vibration part 22 (feature 2). In the second embodiment, the excitation electrodes 24 </ b> A and 24 </ b> B are disposed on the entire surface of the vibration unit 22. The vibrating portion 22 has a form in which the surface on the + Y′-axis side is flush with the second peripheral edge portion 62b and protrudes from the second peripheral edge portion 62b on the −Y′-axis side surface.

第2実施形態の圧電振動片60の製造工程は、ハーフエッチングの工程で、振動部22を形成する工程以外に、振動部22より薄肉となる第2の周縁部62bを形成する工程を有する点で相違するが、それ以外では第1実施形態と共通である。   The manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece 60 according to the second embodiment includes a process of forming the second peripheral edge 62b that is thinner than the vibrating part 22 in addition to the process of forming the vibrating part 22 in the half etching process. Otherwise, it is common to the first embodiment.

また周縁部62のX軸方向の幅は、マウント部12のX軸方向の幅と同じであっても良いし、短く/長く、なっても良いが、圧電振動片60が図7(a)のA−A線を中心線とした線対称な形状を有することが好ましい。また切欠き18により形成される括れ部20のX軸方向の幅は、第1の周縁部62aのX軸方向の幅と一致している。   The width of the peripheral portion 62 in the X-axis direction may be the same as the width of the mount portion 12 in the X-axis direction, or may be shorter / longer, but the piezoelectric vibrating piece 60 is shown in FIG. It preferably has a line-symmetric shape with the A-A line as the center line. Further, the width in the X-axis direction of the constricted portion 20 formed by the notch 18 matches the width in the X-axis direction of the first peripheral edge portion 62a.

上述の特徴1を有することにより、圧電振動片60の自由端側を軽量化して実装の安定性を高めることができる。さらに特徴2を有することにより、振動部22に厚みすべり振動である主振動のエネルギーを閉じ込め、厚みすべり振動の励振効率を高めることができる。   By having the feature 1 described above, the free end side of the piezoelectric vibrating piece 60 can be reduced in weight and the mounting stability can be improved. Furthermore, by having the feature 2, it is possible to confine the energy of the main vibration, which is the thickness shear vibration, in the vibration portion 22 and increase the excitation efficiency of the thickness shear vibration.

図7に第1実施形態の変形例、図8に第2実施形態の第1変形例を示す。ここで、図7(a)は平面図、図7(b)は底面図、図7(c)は側面図である。また、図8(a)は平面図、図8(b)は底面図、図8(c)は側面図である。図7に示すように、第1実施形態の変形例において、第1の周縁部17aのうち、振動部22の±X軸側に接続する部分(第1の周縁部17a′)は第1の周縁部17aより厚みが薄く、且つ第2の振動部17b(振動部22)の主面と同一平面となる主面を有するように配置されている。また、図8に示すように、第2実施形態の第1変形例において、第1の周縁部62aのうち、振動部22の±X軸側に接続する部分(第1の周縁部62a′)は、第1の周縁部62aより厚みが薄く、且つ第2の周縁部62bの主面と同一平面となる主面を有するように配置されている。   FIG. 7 shows a modification of the first embodiment, and FIG. 8 shows a first modification of the second embodiment. 7A is a plan view, FIG. 7B is a bottom view, and FIG. 7C is a side view. 8A is a plan view, FIG. 8B is a bottom view, and FIG. 8C is a side view. As shown in FIG. 7, in the modified example of the first embodiment, a portion (first peripheral portion 17 a ′) of the first peripheral portion 17 a that is connected to the ± X axis side of the vibrating portion 22 is the first peripheral portion. It is disposed so as to have a main surface that is thinner than the peripheral edge portion 17a and is flush with the main surface of the second vibration portion 17b (vibration portion 22). As shown in FIG. 8, in the first modification of the second embodiment, a portion of the first peripheral portion 62 a that is connected to the ± X axis side of the vibrating portion 22 (first peripheral portion 62 a ′). Are arranged so as to have a main surface that is thinner than the first peripheral portion 62a and is flush with the main surface of the second peripheral portion 62b.

上記構成により、圧電振動片の自由端側を軽量化して実装の安定性を高めることができるとともに、第2の周縁部17b、62bと、第1の周縁部17a′、62a′とが同一平面を形成している。よって、第1実施形態の変形例においては、振動部22、第2の周縁部17b、第1の周縁部17a′を同一工程で容易に形成することができ、第2実施形態の第1変形例においては、第2の周縁部62b、第1の周縁部62a′を同一工程で容易に形成することができる。   With the above configuration, the free end side of the piezoelectric vibrating piece can be reduced in weight to improve mounting stability, and the second peripheral edge portions 17b and 62b and the first peripheral edge portions 17a ′ and 62a ′ are flush with each other. Is forming. Therefore, in the modification of the first embodiment, the vibrating portion 22, the second peripheral edge portion 17b, and the first peripheral edge portion 17a ′ can be easily formed in the same process, and the first modification of the second embodiment. In the example, the second peripheral edge 62b and the first peripheral edge 62a 'can be easily formed in the same process.

図9に、第2実施形態に係る圧電振動片の第2変形例を示し、図9(a)は平面図、図9(b)は底面図、図9(c)は図9(a)のA−A線断面図、図7(d)は図9(a)のB−B線断面図である。図9に示すように、第2実施形態の第2変形例おいては、振動部22を第2の周縁部62bの両主面から突出するように配置している。このとき振動部22は、水晶基板の両主面から振動部22の形状を残してハーフエッチングすることにより形成される。このように、振動部22を第2の周縁部62bの両主面から突出するように配置することにより、厚みすべり振動の閉じ込め効果を第2実施形態より高めた圧電振動片61とすることができる。なお、第2実施形態において、励振電極24A、24Bは振動部22の全面に矩形に形成されているが、振動部22の全面を覆うように配置する必要はなく、さらに振動部22における厚みすべり振動の実際の振動領域に対応して例えば円形状、楕円形状としてもよい。そうすることにより、振動部22に厚みすべり振動である主振動のエネルギーを閉じ込めることができる。   FIG. 9 shows a second modification of the piezoelectric vibrating piece according to the second embodiment. FIG. 9 (a) is a plan view, FIG. 9 (b) is a bottom view, and FIG. 9 (c) is FIG. FIG. 7D is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG. 9A. As shown in FIG. 9, in the second modification of the second embodiment, the vibrating portion 22 is disposed so as to protrude from both main surfaces of the second peripheral edge portion 62b. At this time, the vibrating portion 22 is formed by half-etching the shape of the vibrating portion 22 from both main surfaces of the quartz substrate. In this way, by arranging the vibrating portion 22 so as to protrude from both main surfaces of the second peripheral edge portion 62b, the piezoelectric vibrating piece 61 can be obtained in which the effect of confining the thickness shear vibration is enhanced as compared with the second embodiment. it can. In the second embodiment, the excitation electrodes 24A and 24B are formed in a rectangular shape on the entire surface of the vibration part 22. However, the excitation electrodes 24A and 24B do not have to be disposed so as to cover the entire surface of the vibration part 22, and the thickness slip in the vibration part 22 is further avoided. For example, a circular shape or an elliptical shape may be used corresponding to the actual vibration region of the vibration. By doing so, the energy of the main vibration which is the thickness shear vibration can be confined in the vibration part 22.

図10に、第3実施形態に係る圧電振動片の模式図を示し、図10(a)は平面図、図10(b)は底面図、図10(c)は図10(a)のA−A線断面図、図10(d)は図10(a)のB−B線断面図を示す。また、図11に、第3実施形態に係る圧電振動片の側面図を示す。第3実施形態の圧電振動片70は、第1実施形態、第2実施形態と基本的に類似するが、短辺方向がZ′軸方向、長辺方向がX軸方向となるように配置している。そして、振動部22が第1の周縁部72より厚肉となるように配置されている点で相違する。また、振動部22は、その両主面が第1の周縁部62の両主面から突出するように配置されている。上記構成により、厚みすべり振動の振動領域を振動部22に閉じ込めて励振効率を高めるとともに、後述のようにマウント部12から振動部22へ伝播する応力を緩和することができる。また本実施形態において、マウント部12で発生した応力の伝播過程及び応力の緩和過程は、マウント部12から括れ部20のところまでは、第1実施形態等と同様である。そして、本実施形態では、振動部22が第1の周縁部72より厚肉となるメサ構造を有している。よって振動部22と第1の周縁部72との境界には段差が形成され、マウント部12で発生し第1の周縁部72と振動部22との境界に到達した応力をこの段差で緩和し、振動部22に伝播する応力を緩和することができる。   10A and 10B are schematic views of the piezoelectric vibrating piece according to the third embodiment. FIG. 10A is a plan view, FIG. 10B is a bottom view, and FIG. 10C is A in FIG. -A sectional view, FIG.10 (d) shows the BB sectional drawing of Fig.10 (a). FIG. 11 shows a side view of the piezoelectric vibrating piece according to the third embodiment. The piezoelectric vibrating piece 70 of the third embodiment is basically similar to the first and second embodiments, but is arranged so that the short side direction is the Z′-axis direction and the long side direction is the X-axis direction. ing. The difference is that the vibrating portion 22 is disposed so as to be thicker than the first peripheral portion 72. Further, the vibrating portion 22 is disposed such that both main surfaces thereof protrude from both main surfaces of the first peripheral edge portion 62. With the above configuration, the vibration region of the thickness shear vibration can be confined in the vibration portion 22 to enhance the excitation efficiency, and stress propagating from the mount portion 12 to the vibration portion 22 can be reduced as will be described later. In the present embodiment, the propagation process of stress generated in the mount portion 12 and the relaxation process of the stress are the same as those in the first embodiment from the mount portion 12 to the constricted portion 20. In the present embodiment, the vibrating portion 22 has a mesa structure that is thicker than the first peripheral portion 72. Therefore, a step is formed at the boundary between the vibrating portion 22 and the first peripheral portion 72, and the stress generated at the mount portion 12 and reaching the boundary between the first peripheral portion 72 and the vibrating portion 22 is relaxed by this step. The stress propagating to the vibration part 22 can be relaxed.

なお、第3実施形態の圧電振動片の製造工程は、振動部22と同一の厚みとなる水晶基板を用意し、水晶基板の両面を振動部22となる部分を残してマウント部12、緩衝部14、周縁部62の厚みとなるまでハーフエッチングを行い、マウント部12、緩衝部14(スリット16)、第1の周縁部72となる部分を残して圧電振動片70の外形を刳り貫くエッチングを行なえばよい。その後の電極形成工程は第1実施形態と同様である。   In addition, in the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece according to the third embodiment, a quartz substrate having the same thickness as that of the vibrating unit 22 is prepared, and the mounting unit 12 and the buffer unit are provided on both sides of the quartz substrate, leaving portions to be the vibrating unit 22. 14, half-etching is performed until the thickness of the peripheral portion 62 is reached, and etching is performed to penetrate the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 70 except for the mount portion 12, the buffer portion 14 (slit 16), and the first peripheral portion 72. Just do it. The subsequent electrode formation process is the same as that of the first embodiment.

図12に、第4実施形態に係る圧電振動片の模式図を示し、図12(a)は平面図、図12(b)は底面図、図12(c)は図12(a)のA−A線断面図、図12(d)は図12(a)のB−B線断面図を示す。また図13に、第4実施形態に係る圧電振動片の側面図を示す。第4実施形態の圧電振動片71は、第3実施形態と類似するが、振動部22の周囲に配置され第1の周縁部72に接続する第2の周縁部74を有する点で相違し、その厚みは第1の周縁部72の厚みより厚い点で相違する。ここで、第2の周縁部74は、その両主面が第1の周縁部72の両主面より突出するように配置され、振動部22は、その両主面が第2の周縁部74の両主面より突出するように配置されている。また励振電極24A、24Bは、振動部22の主面のみならず第2の周縁部74の主面を覆うように配置されている。上記構成により、圧電振動片71は、振動部22を中心とした二段メサ構造になるので、厚みすべり振動を振動部22内に効率的に閉じこめ、励振効率を高めることができる。特に、本実施形態では、励振電極24A、24Bを、振動部22のみならず第2の周縁部74も覆うように配置しているため、振動部22における励振効率を高め、CI値を向上させることができる。また、本実施形態は、所謂二段メサ構造となるため、第3実施形態よりも圧電振動片71の厚み方向の段差の数が多くなるため、マウント部12から振動部22へ伝播する応力を第3実施形態よりもさらに緩和することができる。   12A and 12B are schematic views of the piezoelectric vibrating piece according to the fourth embodiment. FIG. 12A is a plan view, FIG. 12B is a bottom view, and FIG. 12C is A in FIG. -A sectional view, FIG.12 (d) shows the BB sectional drawing of Fig.12 (a). FIG. 13 shows a side view of the piezoelectric vibrating piece according to the fourth embodiment. The piezoelectric vibrating piece 71 of the fourth embodiment is similar to the third embodiment, but differs in that it has a second peripheral portion 74 that is disposed around the vibrating portion 22 and connected to the first peripheral portion 72. The thickness is different in that it is thicker than the thickness of the first peripheral edge 72. Here, the second peripheral edge portion 74 is arranged such that both main surfaces protrude from both main surfaces of the first peripheral edge portion 72, and the vibration portion 22 has both main surfaces extending to the second peripheral edge portion 74. It arrange | positions so that it may protrude from both main surfaces. The excitation electrodes 24 </ b> A and 24 </ b> B are arranged so as to cover not only the main surface of the vibration part 22 but also the main surface of the second peripheral edge 74. With the above configuration, the piezoelectric vibrating piece 71 has a two-stage mesa structure with the vibrating portion 22 as the center, so that the thickness shear vibration can be effectively confined in the vibrating portion 22 and the excitation efficiency can be increased. In particular, in the present embodiment, the excitation electrodes 24A and 24B are arranged so as to cover not only the vibration part 22 but also the second peripheral edge part 74, so that the excitation efficiency in the vibration part 22 is increased and the CI value is improved. be able to. In addition, since the present embodiment has a so-called two-stage mesa structure, the number of steps in the thickness direction of the piezoelectric vibrating piece 71 is larger than that in the third embodiment, so that the stress propagating from the mount portion 12 to the vibrating portion 22 is increased. This can be further relaxed than in the third embodiment.

なお、第4実施形態の圧電振動片71の製造工程は、振動部22と同一の厚みとなる水晶基板を用意し、水晶基板の両面を振動部22となる部分を残して第2の周縁部74の厚みとなるまでハーフエッチングを行い、振動部22及び第2の周縁部74を残してマウント部12、緩衝部14、第1の周縁部72の厚みとなるまでハーフエッチングを行い、マウント部12、緩衝部14(スリット16)、第1の周縁部72となる部分を残して圧電振動片71の外形を刳り貫くエッチングを行なえばよい。その後の電極形成工程は第1実施形態と同様である。   In the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece 71 of the fourth embodiment, a quartz substrate having the same thickness as that of the vibrating portion 22 is prepared, and both sides of the quartz substrate are left as portions of the vibrating portion 22 and the second peripheral portion. Half-etching is performed until the thickness of 74 is reached, and half-etching is performed until the thickness of the mount portion 12, the buffer portion 14, and the first peripheral portion 72 is reached, leaving the vibrating portion 22 and the second peripheral portion 74, and the mount portion. 12, etching that penetrates the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 71 except for the buffer portion 14 (slit 16) and the first peripheral portion 72. The subsequent electrode formation process is the same as that of the first embodiment.

図14に本実施形態の圧電振動片のマウント部に応力(熱歪み)を印加した場合の応力の強度分布を示す。本願発明者は、本実施形態の圧電振動片のマウント部に応力を印加した場合の応力の強度分布についてシミュレーションを行った。シミュレーションの対象となる圧電振動片は、図6に示す第2実施形態の圧電振動片と比較して、振動部22と第2の周縁部62bとの間に段差を有しない点で相違するもののほぼ同様の形態を有している。よって、本シミュレーションにおいては、図6の圧電振動片60とその構成要素に対応して説明する。   FIG. 14 shows the strength distribution of stress when stress (thermal strain) is applied to the mount portion of the piezoelectric vibrating piece of the present embodiment. The inventor of the present application performed a simulation on the stress intensity distribution when stress was applied to the mount portion of the piezoelectric vibrating piece of the present embodiment. The piezoelectric vibrating piece to be simulated is different from the piezoelectric vibrating piece of the second embodiment shown in FIG. 6 in that there is no step between the vibrating portion 22 and the second peripheral portion 62b. It has almost the same form. Therefore, in this simulation, description will be made corresponding to the piezoelectric vibrating piece 60 and its components in FIG.

図14に示すように、マウント部12の実装面上に描かれた2つの円の中心の2点の位置において、2点間で互いに引き合う力若しくは互いに押し合う力を印加したときの、圧電振動片60の表面を伝播する応力の分布のシミュレーションを行った。なお、図14の左に縦一列に並べてある模様は、マウント部12で発生した応力により、圧電振動片60が受ける応力の強度(レベル1〜レベル9)を示している。ここで、レベル9が最も大きな応力を受ける領域を示し、レベル9の領域からレベル1の領域に行くにつれて受ける応力は小さくなり、レベル1は受ける応力が最小若しくは応力の検出限界以下となる領域を示している。そしてこれらの模様は、圧電振動片60上において圧電振動片60の応力の強度分布に対応して描かれている。   As shown in FIG. 14, the piezoelectric vibration when applying a pulling force or a pushing force to each other between two points at the positions of two points in the center of the two circles drawn on the mounting surface of the mount portion 12. The distribution of stress propagating on the surface of the piece 60 was simulated. 14 shows the strength (level 1 to level 9) of the stress received by the piezoelectric vibrating piece 60 due to the stress generated in the mount portion 12. Here, the level 9 indicates a region that receives the greatest stress, the stress received decreases from the level 9 region to the level 1 region, and the level 1 indicates a region where the received stress is the minimum or below the detection limit of the stress. Show. These patterns are drawn on the piezoelectric vibrating piece 60 corresponding to the stress intensity distribution of the piezoelectric vibrating piece 60.

図14に示すように、マウント部12全体及び緩衝部14のマウント部12側で強い応力(レベル9)が発生していることがわかる。そしてマウント部12側で発生した応力(レベル9)は、スリット16の第1の周縁部62a側でレベル4または5程度にまで緩和されている。これは、緩衝部14のスリット16の周囲となる位置を伝播する応力がその伝播途中で大きな割合で緩和されるためと考えられる。さらに、緩衝部14のスリット16の長辺方向の両端となる位置に伝播した応力は、切欠き18により振動部22への直線的な伝播経路が遮断され、その応力の伝播経路が括れ部20の中央に向くように曲げられ、この伝播経路の伝播途中でも大きな割合で応力が緩和されたと考えられる。   As shown in FIG. 14, it can be seen that strong stress (level 9) is generated on the entire mount portion 12 and on the mount portion 12 side of the buffer portion 14. The stress (level 9) generated on the mount portion 12 side is relaxed to about level 4 or 5 on the first peripheral portion 62a side of the slit 16. This is presumably because the stress propagating through the position around the slit 16 of the buffer portion 14 is relieved at a large rate during the propagation. Further, the stress propagated to the positions at both ends in the long side direction of the slit 16 of the buffer portion 14 is blocked by the notch 18 from the linear propagation path to the vibration portion 22, and the stress propagation path is constricted 20. It is considered that the stress was relieved at a large rate even during the propagation of this propagation path.

そして第1の周縁部62aと、第2の周縁部62bの−Z′軸側と、の境界において、第1の周縁部62b側では応力はレベル5が支配的であるが、第2の周縁部62b側ではレベル2が支配的であり、応力の強度がこの境界で不連続な変化を有している。これは、第2の周縁部62bが第1の周縁部62aよりも薄肉に形成されているため、第1の周縁部62aの内部を伝播した応力については、第2の周縁部62bがその一部を受けるに留まるからである。また第2の周縁部62bと第1の周縁部62aとの間には段差があるので、この段差で応力の伝播経路が圧電振動片60の厚み方向に折り曲げられ、この経路の折り曲がりにより圧電振動片60の表面を伝播する応力が緩和されたからである。また第2の周縁部62b(振動部22)は、マウント部12の導電性接着剤32が塗布される面から掘り込む態様で形成されている。そして応力は圧電振動片60の厚み方向も緩和するため、第2の周縁部62bは、第1の周縁部62aの厚み方向で緩和された応力の一部のみを受けることになるからである。なお、第1の周縁部62aのうち、第2の周縁部62bに±X軸側から接続する部分には括れ部20から応力が殆ど伝播されず、この部分から第2の周縁部62bへの応力の伝播は殆どないといえる。   At the boundary between the first peripheral edge 62a and the -Z'-axis side of the second peripheral edge 62b, the stress is predominantly level 5 on the first peripheral edge 62b side. Level 2 is dominant on the part 62b side, and the intensity of stress has a discontinuous change at this boundary. This is because the second peripheral edge portion 62b is formed thinner than the first peripheral edge portion 62a. Therefore, the second peripheral edge portion 62b is less affected by the stress propagated through the first peripheral edge portion 62a. Because it stays in receiving the department. Further, since there is a step between the second peripheral portion 62b and the first peripheral portion 62a, the stress propagation path is bent in the thickness direction of the piezoelectric vibrating piece 60 by this step, and the piezoelectric is generated by the bending of the path. This is because the stress propagating on the surface of the vibrating piece 60 is relaxed. Moreover, the 2nd peripheral part 62b (vibration part 22) is formed in the aspect dug from the surface where the conductive adhesive 32 of the mount part 12 is applied. This is because the stress also relaxes in the thickness direction of the piezoelectric vibrating piece 60, so that the second peripheral edge 62 b receives only a part of the stress relaxed in the thickness direction of the first peripheral edge 62 a. Of the first peripheral edge 62a, stress is hardly transmitted from the constricted portion 20 to the portion connected to the second peripheral edge 62b from the ± X-axis side, and from this portion to the second peripheral edge 62b. It can be said that there is almost no propagation of stress.

そして、第2の周縁部62bにおいて、第1の周縁部62aとの境界から+Z′軸方向に離れるにつれて応力のレベルは低下し、振動部22が配置される第2の周縁部62bの中央部ではレベル1が支配的となっている。本実施形態の圧電振動片60においては、振動部22(励振電極24A,24B)は、第2の周縁部62bの中央となる位置に配置されるため、振動部22は応力の影響を殆ど受けずに良好な周波数特性が得られると考えられる。さらに第2実施形態においては、第2の周縁部62bと振動部22との間で厚み方向に段差があるため、この段差により振動部22に伝播する応力がさらに緩和される。   In the second peripheral edge portion 62b, the stress level decreases as the distance from the boundary with the first peripheral edge portion 62a increases in the + Z′-axis direction, and the central portion of the second peripheral edge portion 62b in which the vibrating portion 22 is disposed. Then level 1 is dominant. In the piezoelectric vibrating piece 60 of the present embodiment, the vibrating portion 22 (excitation electrodes 24A and 24B) is disposed at the center position of the second peripheral edge portion 62b, so that the vibrating portion 22 is hardly affected by stress. Therefore, it is considered that good frequency characteristics can be obtained. Furthermore, in the second embodiment, since there is a step in the thickness direction between the second peripheral edge 62b and the vibrating portion 22, the stress propagating to the vibrating portion 22 is further relaxed by this step.

上述のシミュレーションは振動部22が周縁部62(第1の周縁部62a)より薄肉である場合について行なった。しかし、図10に示す第3実施形態のように振動部22が第1の周縁部72より厚肉であっても、振動部22と第1の周縁部72との境界には段差があるため、この段差により振動部22に伝播する応力が緩和される。さらに図11に示す第4実施形態のように、二段メサ構造とすることにより、段差がさらに増えるので振動部22に伝播する応力をさらに緩和させることができる。   The above-described simulation was performed for the case where the vibrating portion 22 was thinner than the peripheral edge 62 (first peripheral edge 62a). However, even if the vibrating portion 22 is thicker than the first peripheral portion 72 as in the third embodiment shown in FIG. 10, there is a step at the boundary between the vibrating portion 22 and the first peripheral portion 72. The stress propagating to the vibration part 22 is relieved by this step. Further, as in the fourth embodiment shown in FIG. 11, by using a two-stage mesa structure, the level difference is further increased, so that the stress propagating to the vibration part 22 can be further relaxed.

第1実施形態及び第2実施形態の圧電振動片は、短辺方向がX軸方向、長辺方向がZ′軸方向となる逆メサ型の圧電振動片とした。また、第3実施形態及び第4実施形態の圧電振動片は、短辺方向がZ′軸方向、長辺方向がX軸方向となるメサ型の圧電振動片とした。しかし、本発明はこれに限らず、逆メサ型の圧電振動片において、短辺方向がZ′軸方向、長辺方向がX軸方向となるように構成してもよく、メサ型の圧電振動片において、短辺方向がX軸方向、長辺方向がZ′軸方向となるように構成してもよい。   The piezoelectric vibrating piece of the first embodiment and the second embodiment is an inverted mesa type piezoelectric vibrating piece in which the short side direction is the X-axis direction and the long side direction is the Z′-axis direction. The piezoelectric vibrating piece of the third and fourth embodiments is a mesa-type piezoelectric vibrating piece in which the short side direction is the Z′-axis direction and the long side direction is the X-axis direction. However, the present invention is not limited to this, and in the inverted mesa type piezoelectric vibrating piece, the short side direction may be the Z′-axis direction and the long side direction may be the X-axis direction. In the piece, the short side direction may be the X-axis direction and the long side direction may be the Z′-axis direction.

図15に本実施形態の圧電振動片を搭載した圧電振動子を示す。図15(a)は図6に示す圧電振動片60を搭載した場合の圧電振動子100の平面図、図15(b)は図15(a)のA−A線断面図である。圧電振動子100は圧電振動片60を収容する凹部を有するパッケージ102と、凹部104を封止するリッド112により形成される。またパッケージ102の底部(実装基板102a)の下面には外部電極106が形成され、実装基板102aの上面には、貫通電極108を介して外部電極106と電気的に接続された接続電極110が配置されている。そしてこの接続電極110とマウント部12のパッド電極28A、28Bとが導電性接着剤32により接合される。よって圧電振動片60は、マウント部12を固定端として片持ち支持状態でパッケージ102に接続される。上記構成により、圧電振動片60の振動部22への応力を緩和させた圧電振動子100となる。さらに、上記構成により、パッド電極28A、28B(引き出し電極26A、26B)と接続電極110とを導電性接着剤32で接着し、パッド電極28A、28Bと接続電極110とを機械的及び電気的に接続することにより、所謂フェースダウンボンディング型の実装形態をとることができる。したがって、圧電振動片60と実装基板102aからなるモジュール構造を有する圧電振動子100の低背化を図ることができる。   FIG. 15 shows a piezoelectric vibrator on which the piezoelectric vibrating piece of this embodiment is mounted. FIG. 15A is a plan view of the piezoelectric vibrator 100 when the piezoelectric vibrating piece 60 shown in FIG. 6 is mounted, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. The piezoelectric vibrator 100 is formed by a package 102 having a recess that accommodates the piezoelectric vibrating piece 60 and a lid 112 that seals the recess 104. An external electrode 106 is formed on the bottom surface of the bottom portion (mounting substrate 102a) of the package 102, and a connection electrode 110 electrically connected to the external electrode 106 through the through electrode 108 is disposed on the top surface of the mounting substrate 102a. Has been. The connection electrode 110 and the pad electrodes 28 </ b> A and 28 </ b> B of the mount portion 12 are joined by the conductive adhesive 32. Accordingly, the piezoelectric vibrating piece 60 is connected to the package 102 in a cantilevered state with the mount portion 12 as a fixed end. With the above configuration, the piezoelectric vibrator 100 in which the stress on the vibrating portion 22 of the piezoelectric vibrating piece 60 is relaxed is obtained. Furthermore, with the above configuration, the pad electrodes 28A and 28B (leading electrodes 26A and 26B) and the connection electrode 110 are bonded with the conductive adhesive 32, and the pad electrodes 28A and 28B and the connection electrode 110 are mechanically and electrically connected. By connecting, a so-called face-down bonding type mounting form can be adopted. Accordingly, it is possible to reduce the height of the piezoelectric vibrator 100 having a module structure including the piezoelectric vibrating piece 60 and the mounting substrate 102a.

図16、図17に本実施形態の圧電振動片を搭載した圧電モジュールを示す。図16は図6に示す圧電振動片60を搭載した場合の圧電モジュールの分解斜視図を示し、また図17(a)は図12のA−A線断面図であり、図17(b)は図16において図9に示す圧電振動片61を搭載した場合のA−A線断面図である。本実施形態の圧電モジュール200は、パッケージ202(実装基板)、圧電振動片60、61、圧電振動片60、61(図9参照)を駆動させる集積回路(IC210)、リッドにより構成されている。パッケージ202は、図17の破線で示すように3層構造で形成されている。パッケージ202の下面には外部電極214が形成されている。またパッケージ202の凹部204の下段部206には複数の接続電極216が配置されている。またパッケージ202の凹部204の上段部208には、IC210のパッド電極220と電気的に接続するとともに、圧電振動片60、61のパッド電極28A、28B(図6、図7、図17参照)と導電性接着剤32を介して接続する接続電極218が形成されている。接続電極216はIC210のパッド電極220に対応して複数配置され、パッド電極220と導電性の接着剤により電気的に接続されるが、その一部は接続電極218や外部電極214に電気的に接続される。本実施形態の圧電モジュール200においては、圧電振動片60、61とIC210とが共に凹部204においてリッド212により封止された構造を有している。上記構成により、圧電振動片の振動部への応力を緩和させた圧電モジュール200となる。   16 and 17 show a piezoelectric module on which the piezoelectric vibrating piece of this embodiment is mounted. 16 is an exploded perspective view of the piezoelectric module when the piezoelectric vibrating piece 60 shown in FIG. 6 is mounted. FIG. 17A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 12, and FIG. FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line AA when the piezoelectric vibrating piece 61 shown in FIG. 9 is mounted. The piezoelectric module 200 according to this embodiment includes a package 202 (mounting substrate), piezoelectric vibrating pieces 60 and 61, an integrated circuit (IC 210) that drives the piezoelectric vibrating pieces 60 and 61 (see FIG. 9), and a lid. The package 202 is formed in a three-layer structure as indicated by a broken line in FIG. An external electrode 214 is formed on the lower surface of the package 202. A plurality of connection electrodes 216 are arranged on the lower step 206 of the recess 204 of the package 202. The upper portion 208 of the recess 204 of the package 202 is electrically connected to the pad electrode 220 of the IC 210, and the pad electrodes 28A and 28B of the piezoelectric vibrating reeds 60 and 61 (see FIGS. 6, 7, and 17). A connection electrode 218 connected through the conductive adhesive 32 is formed. A plurality of connection electrodes 216 are arranged corresponding to the pad electrodes 220 of the IC 210 and are electrically connected to the pad electrodes 220 by a conductive adhesive, but some of them are electrically connected to the connection electrodes 218 and the external electrodes 214. Connected. The piezoelectric module 200 of the present embodiment has a structure in which the piezoelectric vibrating reeds 60 and 61 and the IC 210 are both sealed by the lid 212 in the recess 204. With the above configuration, the piezoelectric module 200 in which the stress on the vibrating portion of the piezoelectric vibrating piece is relaxed is obtained.

図18に本実施形態の圧電モジュールの第1変形例を示す。図18においては、パッケージ302(実装基板)の両面に凹部304、306を形成し、一方の凹部304に圧電振動片60を搭載するとともにリッド308で封止し、他方の凹部306には集積回路(IC316)を取り付けた構成を有した圧電モジュール300となっている。そしてパッケージ302の下端には外部電極310が形成され、また凹部306には外部電極310または凹部304に配置された接続電極320と電気的に接続するとともに、ワイヤー314を介してIC316のパッド電極318と電気的に接続する接続電極312が配置されている。一方凹部304に配置された接続電極320は、圧電振動片60のパッド電極28A、28Bと導電性接着剤32を介して接続される。よって圧電振動片60はマウント部12を固定端として片持ち支持状態でパッケージに接続される。このように圧電振動片60とIC316とを隔離することによって、圧電振動片60のIC316からの熱の影響を低減することができる。   FIG. 18 shows a first modification of the piezoelectric module of the present embodiment. In FIG. 18, recesses 304 and 306 are formed on both surfaces of a package 302 (mounting substrate), the piezoelectric vibrating piece 60 is mounted in one recess 304 and sealed with a lid 308, and an integrated circuit is provided in the other recess 306. The piezoelectric module 300 has a configuration to which (IC316) is attached. An external electrode 310 is formed at the lower end of the package 302, and the recess 306 is electrically connected to the connection electrode 320 disposed in the external electrode 310 or the recess 304, and the pad electrode 318 of the IC 316 via the wire 314. A connection electrode 312 is provided for electrical connection. On the other hand, the connection electrode 320 disposed in the recess 304 is connected to the pad electrodes 28 </ b> A and 28 </ b> B of the piezoelectric vibrating piece 60 via the conductive adhesive 32. Therefore, the piezoelectric vibrating piece 60 is connected to the package in a cantilevered state with the mount portion 12 as a fixed end. By isolating the piezoelectric vibrating piece 60 and the IC 316 in this way, the influence of heat from the IC 316 of the piezoelectric vibrating piece 60 can be reduced.

図19に本実施形態の圧電モジュールの第2変形例を示す。図19(a)は側面図、図19(b)は圧電モジュールを構成する基板の平面図である。第2変形例においては、例えば図11に示す圧電振動子100を用いて圧電モジュール400を形成している。すなわち、第2実施形態においては、圧電振動子100を駆動する集積回路(IC404)を搭載した基板402上にIC404(パッド電極406)と電気的に接続する電極球412を配置し、この電極球412により圧電振動子100を支持するとともに、電極球412と圧電振動子100の外部電極106とを電気的に接続し、基板402、IC404、電極球412、圧電振動子100を樹脂等のモールド剤416により一体形成している。ここで、基板402の下面には外部電極410が形成され、基板402の上面には外部電極410と貫通電極418を介して電気的に接続する接続電極408が形成されている。そしてIC404に形成されたパッド電極406のうち、一部は電極球412にワイヤー414を介して接続され、残りは接続電極408にワイヤー414を介して接続されている。   FIG. 19 shows a second modification of the piezoelectric module of the present embodiment. FIG. 19A is a side view, and FIG. 19B is a plan view of a substrate constituting the piezoelectric module. In the second modification, for example, the piezoelectric module 400 is formed using the piezoelectric vibrator 100 shown in FIG. That is, in the second embodiment, an electrode ball 412 that is electrically connected to the IC 404 (pad electrode 406) is disposed on the substrate 402 on which the integrated circuit (IC 404) that drives the piezoelectric vibrator 100 is mounted, and this electrode ball The piezoelectric vibrator 100 is supported by 412 and the electrode sphere 412 and the external electrode 106 of the piezoelectric vibrator 100 are electrically connected, and the substrate 402, the IC 404, the electrode sphere 412 and the piezoelectric vibrator 100 are made of a molding agent such as a resin. 416 is integrally formed. Here, an external electrode 410 is formed on the lower surface of the substrate 402, and a connection electrode 408 that is electrically connected to the external electrode 410 via the through electrode 418 is formed on the upper surface of the substrate 402. A part of the pad electrode 406 formed on the IC 404 is connected to the electrode ball 412 via the wire 414, and the rest is connected to the connection electrode 408 via the wire 414.

上記構成とすることにより、既存の圧電振動子100の規格に対応して基板IC404、電極球412等の配置をして圧電モジュール400を形成することができるのでコストを抑制することができる。なお、いずれの実施形態においてもICと各電極との接続はフェイスダウンボンディングでもよい。またいずれの圧電振動子、圧電モジュールの実施形態においても、上述のいずれの実施形態の圧電振動片にもこの変形例を適用できる。   With the above configuration, the substrate IC 404, the electrode sphere 412 and the like can be arranged in accordance with the standard of the existing piezoelectric vibrator 100 to form the piezoelectric module 400, so that the cost can be suppressed. In any embodiment, the connection between the IC and each electrode may be face-down bonding. In any of the embodiments of the piezoelectric vibrator and the piezoelectric module, this modification can be applied to the piezoelectric vibrating piece of any of the above-described embodiments.

図20に、本実施形態の圧電モジュールの第3変形例を示し、図20(a)は、容器の断面が所謂、H型構造の圧電モジュールの模式図、図20(b)はシングルシール型の圧電モジュールの模式図を示す。第3変形例においては、第3実施形態の圧電振動片70(他の実施形態でもよい)を用いるとともに、圧電モジュール500において温度センサーとしての機能を発揮するための温度を検出する感温素子(サーミスタ512)を搭載している。図20(a)では、圧電振動片70のマウント部12の実装面を実装基板502側に向け、マウント部12と、実装基板502に配置された接続電極504と、を導電性接着剤32で接着することにより圧電振動片70を実装した圧電モジュール500となっている。そして、実装基板502上には圧電振動片70を覆う蓋体(側壁部506、リッド508)が配置されている。また、実装基板502の圧電振動片70に対向する面の反対面には凹部510が配置されている。また、凹部510には、実装基板502の温度を測定可能なサーミスタ512が配置された構成となっている。上記構成により、圧電振動片70の周囲の温度、すなわち実装基板502及び蓋体(側壁部506、リッド508)により閉じられ、圧電振動片70を封止する内部空間の温度について、実装基板502の凹部510の底部の温度を測定することによって、前記内部空間の温度を測定することができるので、圧電振動片70から発振される発振信号の温度補償を高精度に行うことが可能な圧電モジュール500となる。   FIG. 20 shows a third modification of the piezoelectric module of the present embodiment. FIG. 20A is a schematic diagram of a piezoelectric module having a so-called H-shaped cross section, and FIG. 20B is a single seal type. The schematic diagram of this piezoelectric module is shown. In the third modified example, the piezoelectric vibrating piece 70 of the third embodiment (or other embodiments may be used) and a temperature sensing element that detects a temperature for exhibiting a function as a temperature sensor in the piezoelectric module 500 ( The thermistor 512) is mounted. In FIG. 20A, the mounting surface of the mount portion 12 of the piezoelectric vibrating piece 70 faces the mounting substrate 502 side, and the mount portion 12 and the connection electrode 504 arranged on the mounting substrate 502 are connected with the conductive adhesive 32. The piezoelectric module 500 is mounted with the piezoelectric vibrating piece 70 by bonding. On the mounting substrate 502, lids (side walls 506, lids 508) that cover the piezoelectric vibrating piece 70 are arranged. In addition, a recess 510 is disposed on the surface opposite to the surface facing the piezoelectric vibrating piece 70 of the mounting substrate 502. Further, the recess 510 has a thermistor 512 capable of measuring the temperature of the mounting substrate 502. With the above configuration, the temperature around the piezoelectric vibrating piece 70, that is, the temperature of the internal space that is closed by the mounting substrate 502 and the lid (side wall portion 506, lid 508) and seals the piezoelectric vibrating piece 70, By measuring the temperature of the bottom of the recess 510, the temperature of the internal space can be measured. Therefore, the piezoelectric module 500 capable of performing temperature compensation of the oscillation signal oscillated from the piezoelectric vibrating piece 70 with high accuracy. It becomes.

さらに、上記構成により、圧電振動片70を実装基板502の実装後であって、感温素子(サーミスタ512)を実装する前に、圧電振動片70の電気的特性や動作状態の検査を行うことができる。よって、圧電振動片70の検査結果を踏まえて、圧電振動片70において良品と不良品とを選別することができる。したがって、不良品を省いた良品の圧電振動片が実装された実装基板502のみに前記感温素子を実装することができるので感温素子を無駄にすることがなく、コストを抑制し低コスト化を図ることができる。   Furthermore, with the above configuration, after the piezoelectric vibrating piece 70 is mounted on the mounting substrate 502 and before the temperature-sensitive element (thermistor 512) is mounted, the electrical characteristics and operating state of the piezoelectric vibrating piece 70 are inspected. Can do. Therefore, the non-defective product and the defective product can be selected in the piezoelectric vibrating piece 70 based on the inspection result of the piezoelectric vibrating piece 70. Therefore, since the temperature sensing element can be mounted only on the mounting substrate 502 on which a non-defective piezoelectric vibrating piece is omitted, the temperature sensing element is not wasted and the cost is reduced and the cost is reduced. Can be achieved.

図20(b)に示す圧電モジュール501は、図20(a)と類似した圧電モジュール501となっているが、実装基板502の圧電振動基板70に対向する面に凹部514が配置されている。そして、凹部514には、実装基板502及び蓋体(側壁部506、リッド508)により閉じられ、圧電振動片70を封止する内部空間の温度を測定可能な感温素子(サーミスタ512)が配置されている。なお、図20(a)、(b)においては、サーミスタ512を搭載したものとしているが上述の集積回路(IC404)でもよく、この集積回路にサーミスタ等の感温素子を内蔵したものが好適である。   A piezoelectric module 501 shown in FIG. 20B is a piezoelectric module 501 similar to that shown in FIG. 20A, but a recess 514 is disposed on the surface of the mounting substrate 502 facing the piezoelectric vibration substrate 70. In the recess 514, a temperature sensitive element (thermistor 512) that is closed by the mounting substrate 502 and the lid (side wall portion 506, lid 508) and can measure the temperature of the internal space that seals the piezoelectric vibrating piece 70 is disposed. Has been. In FIGS. 20A and 20B, the thermistor 512 is mounted. However, the integrated circuit (IC 404) described above may be used, and it is preferable that the integrated circuit includes a temperature sensitive element such as a thermistor. is there.

10………圧電振動片、10a………圧電素板、12………マウント部、12a………切欠き、14………緩衝部、16………スリット、17………周縁部、17a………第1の周縁部、17b………第2の周縁部、18………切欠き、20………括れ部、22………振動部、22a………凹部、24A,24B………励振電極、26A,26B………引出電極、28A,28B………パッド電極、32………導電性接着剤、34………実装基板、36………水晶基板、38………レジスト膜、38a………レジスト膜、40………フォトマスク、42………レジスト膜、42a………レジスト膜、44………フォトマスク、46………金属膜、48………レジスト膜、48a………レジスト膜、50………フォトマスク、60………圧電振動片、61………圧電振動片、62………周縁部、62a………第1の周縁部、62b………第2の周縁部、70………圧電振動片、71………圧電振動片、72………第1の周縁部、74………第2の周縁部、100………圧電振動子、102………パッケージ、102a………実装基板、104………凹部、106………外部電極、108………貫通電極、110………接続電極、112………リッド、200………圧電モジュール、202………パッケージ、204………凹部、206………下段部、208………上段部、210………IC、212………リッド、214………外部電極、216………接続電極、218………接続電極、220………パッド電極、300………圧電モジュール、302………パッケージ、304………凹部、306………凹部、308………リッド、310………外部電極、312………接続電極、314………ワイヤー、316………IC、318………パッド電極、320………接続電極、400………圧電モジュール、402………基板、404………IC、406………パッド電極、408………接続電極、410………外部電極、412………電極球、414………ワイヤー、416………モールド剤、418………貫通電極、500………圧電モジュール、501………圧電モジュール、502………実装基板、504………接続電極、506………側壁部、508………リッド、510………凹部、512………サーミスタ、514………凹部、600………圧電振動子、602………支持部、604………振動部、606A………励振電極、606B………励振電極、608A………入出力端子部、608B………入出力端子部、610………スリット、612………容器、614………底部、616………接着剤、700………圧電振動片、702………マウント部、704………スリット、706………振動部、708………切欠き、710………連結部。 10 ......... Piezoelectric vibrator element, 10a ......... Piezoelectric element plate, 12 ......... Mount part, 12a ......... Notch, 14 ......... Buffer part, 16 ......... Slit, 17 ...... Rim edge part, 17a ......... first peripheral portion, 17b ......... second peripheral portion, 18 ......... notch, 20 .... constricted portion, 22 ......... vibrating portion, 22a ......... concave portion, 24A, 24B ……… Excitation electrode, 26A, 26B ……… Extraction electrode, 28A, 28B ……… Pad electrode, 32 ……… Conductive adhesive, 34 ……… Mounting substrate, 36 ……… Quartz substrate, 38 …… ... Resist film, 38a ......... Resist film, 40 ...... Photo mask, 42 ......... Resist film, 42a ......... Resist film, 44 ...... Photo mask, 46 ...... Metal film, 48 ...... Resist film, 48a .... resist film, 50 .... photomask, 60 .... piezoelectric vibration Piece 61 ... Piezoelectric vibrating piece 62 ... Peripheral edge 62a ... First peripheral edge 62b ... Second peripheral edge 70 ... Piezoelectric vibrating piece 71 ... Piezoelectric Vibrating piece 72... First peripheral portion 74 74 Second peripheral portion 100 Piezoelectric vibrator 102 Package 102a Mounting substrate 104 Recessed portion 106... External electrode 108... Through electrode 110 110 Connection electrode 112 Lid 200 Piezoelectric module 202 Package 204 Recess 206 206 Lower stage, 208 ... Upper stage, 210 ... IC, 212 ... Lid, 214 ... External electrode, 216 ... Connection electrode, 218 ... Connection electrode, 220 ... Pad electrode, 300 ......... Piezoelectric module, 302 ......... Package, 304 ... Recess, 306 ......... Recess, 308 ......... Lid, 310 ... ... External electrode, 312 ... ... Connection electrode, 314 ... ... Wire, 316 ... ... IC, 318 ... ... Pad electrode, 320 ... ... Connection electrode, 400 ...... Piezoelectric module, 402 ...... Board, 404 ...... IC, 406 ...... Pad electrode, 408 ...... Connection electrode, 410 ...... External electrode, 412 ...... Electrode ball 414 ......... Wire, 416 ......... Molding agent, 418 ......... Penetration electrode, 500 ......... Piezoelectric module, 501 ......... Piezoelectric module, 502 ......... Mounting board, 504 ......... Connecting electrode, 506 ......... Side wall part, 508 ......... Lid, 510 ......... Recess, 512 ......... Thermistor, 514 ......... Recess, 600 ......... Piezoelectric vibrator, 602 ......... Supporting part, 604 ......... Vibration Part, 606A ......... Excitation electrode, 606B ......... Excitation electrode, 608A ......... Input / output terminal portion, 608B ......... Input / output terminal portion, 610 ......... Slit, 612 ......... Container, 614 ......... Bottom portion, 616 ......... Adhesive, 700 ......... Piezoelectric vibrating piece, 702 ......... Mount part, 704 ......... Slit, 706 ......... Vibrating part, 708 ......... Notch, 710 ...... Connecting part.

Claims (8)

圧電基板に、
厚み滑り振動を励振する振動部と、
前記振動部の周縁に前記振動部の厚みよりも厚みが薄い周縁部と、
が設けられた圧電振動片であって、
前記周縁部には、緩衝部とマウント部が順に連結され、
前記緩衝部は、前記マウント部と前記周縁部との間にスリットを有し、
前記マウント部は、
前記マウント部と前記緩衝部と前記周縁部との並ぶ方向に対して直交方向の両端部に、切欠きを有している
ことを特徴とする圧電振動片。
On the piezoelectric substrate,
A vibration part for exciting thickness shear vibration;
A peripheral portion having a thickness smaller than a thickness of the vibrating portion at a peripheral portion of the vibrating portion;
A piezoelectric vibrating piece provided with
A buffer portion and a mount portion are sequentially connected to the peripheral portion,
The buffer portion has a slit between the mount portion and the peripheral portion,
The mount part is
A piezoelectric vibrating piece having notches at both ends in a direction orthogonal to a direction in which the mount portion, the buffer portion, and the peripheral portion are arranged.
前記緩衝部と前記周縁部との連結部に切欠きを有することを特徴とする請求項1に記載の圧電振動片。   2. The piezoelectric vibrating piece according to claim 1, wherein the connecting portion between the buffer portion and the peripheral portion has a notch. 前記マウント部と前記緩衝部と前記周縁部との並ぶ方向に対して直交方向に関し、
前記周縁部の幅は、
前記緩衝部の幅より狭いことを特徴とする請求項1または2に記載の圧電振動片。
Regarding the direction orthogonal to the direction in which the mount part, the buffer part and the peripheral part are arranged,
The width of the peripheral edge is
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrating piece is narrower than a width of the buffer portion.
前記圧電基板が、
水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、
前記Z軸を前記Y軸の−Y方向へ傾けた軸をZ′軸とし、
前記Y軸を前記Z軸の+Z方向へ傾けた軸をY′軸とし、
前記X軸と前記Z′軸に平行な面で構成され、
前記Y′軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電振動片。
The piezoelectric substrate is
Centered on the X axis of the orthogonal coordinate system consisting of the crystal axis of quartz, the X axis as the electrical axis, the Y axis as the mechanical axis, and the Z axis as the optical axis,
An axis obtained by inclining the Z axis in the −Y direction of the Y axis is defined as a Z ′ axis.
An axis obtained by inclining the Y axis in the + Z direction of the Z axis is defined as a Y ′ axis.
It is composed of a plane parallel to the X axis and the Z ′ axis,
4. The piezoelectric vibrating piece according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrating piece is a quartz substrate having a thickness in a direction parallel to the Y ′ axis.
前記周縁部は、
前記緩衝部に接続した第1の周縁部と、
前記振動部の周縁に配置され前記第1の周縁部に接続した第2の周縁部と、を有し、
前記第2の周縁部の厚みは、
前記第1の周縁部の厚みより厚いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の圧電振動片。
The peripheral portion is
A first peripheral edge connected to the buffer;
A second peripheral portion disposed on the periphery of the vibrating portion and connected to the first peripheral portion;
The thickness of the second peripheral edge is
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrating piece is thicker than a thickness of the first peripheral edge.
前記振動部の表裏の両主面にはそれぞれ、励振電極が配置され、
前記マウント部の実装面には、前記励振電極とそれぞれ電気的に接続された一対の引き出し電極が配置されていることを特徴とする請求項5に記載の圧電振動片。
Excitation electrodes are respectively arranged on both main surfaces of the front and back of the vibration part,
6. The piezoelectric vibrating piece according to claim 5, wherein a pair of extraction electrodes electrically connected to the excitation electrodes are disposed on a mounting surface of the mount portion.
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の圧電振動片のマウント部を、実装基板に配置された接続電極に導電性接着剤で接着することにより前記圧電振動片を実装した圧電モジュールであって、
前記実装基板上には前記圧電振動片を覆う蓋体が配置され、
前記実装基板の前記圧電振動基板に対向する面には凹部が配置され、
前記凹部には、前記実装基板及び前記蓋体により閉じられた内部空間の温度を測定可能な感温素子が配置されたことを特徴とする圧電モジュール。
A piezoelectric module in which the piezoelectric vibrating reed is mounted by adhering the mounting portion of the piezoelectric vibrating reed according to any one of claims 1 to 6 to a connection electrode disposed on a mounting substrate with a conductive adhesive. And
A lid that covers the piezoelectric vibrating piece is disposed on the mounting substrate,
A recess is disposed on a surface of the mounting substrate that faces the piezoelectric vibration substrate,
The piezoelectric module according to claim 1, wherein a temperature sensitive element capable of measuring the temperature of the internal space closed by the mounting substrate and the lid is disposed in the recess.
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の圧電振動片のマウント部と、実装基板に配置された接続電極と、を導電性接着剤で接着することにより前記圧電振動片を実装した圧電モジュールであって、
前記実装基板上には前記圧電振動片を覆う蓋体が配置され、
前記実装基板の前記圧電振動基板に対向する面の反対面には凹部が配置され、前記凹部には、前記実装基板の温度を測定可能な感温素子が配置されたことを特徴とする圧電モジュール。
A piezoelectric module in which the piezoelectric vibrating reed is mounted by adhering a mounting portion of the piezoelectric vibrating reed according to any one of claims 1 to 6 and a connection electrode disposed on a mounting substrate with a conductive adhesive. Because
A lid that covers the piezoelectric vibrating piece is disposed on the mounting substrate,
A concave portion is disposed on a surface of the mounting substrate opposite to the surface facing the piezoelectric vibration substrate, and a thermosensitive element capable of measuring the temperature of the mounting substrate is disposed in the concave portion. .
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