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JP2013077893A - Semiconductor integrated circuit device and communication system - Google Patents

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JP2013077893A
JP2013077893A JP2011215245A JP2011215245A JP2013077893A JP 2013077893 A JP2013077893 A JP 2013077893A JP 2011215245 A JP2011215245 A JP 2011215245A JP 2011215245 A JP2011215245 A JP 2011215245A JP 2013077893 A JP2013077893 A JP 2013077893A
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JP
Japan
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clock signal
clock
mode
bus
data
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2011215245A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daisuke Mizoguchi
大介 溝口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a data transfer rate while maintaining the downward compatibility of specifications, in a semiconductor integrated circuit device and a communication system corresponding to SLIM bus (R) specifications and the like.SOLUTION: For example, an interface circuit for a SLIM bus has an SDR mode and a DDR mode. A channel (CH_A) of the DDR mode is constructed when communication is performed between interface circuits having the DDR mode, in a data region DATSP in a frame according to the SLIM bus (R) specifications. In the channel of the DDR mode, each interface circuit generates therein an internal clock signal having a frequency twice as high as that of a clock signal on the SLIM bus to transfer a data signal on the SLIM bus at a rate twice as high as that of the clock signal on the SLIM bus on the basis of the internal clock signal.

Description

本発明は、半導体集積回路装置および通信システムに関し、特に、SLIMbus(Serial Low-power Inter-chip Media Bus)(登録商標)規格を適用した半導体集積回路装置および通信システムに適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and a communication system, and more particularly, to a technology effective when applied to a semiconductor integrated circuit device and a communication system to which a SLIMbus (Serial Low-power Inter-chip Media Bus) (registered trademark) standard is applied. .

例えば、特許文献1には、リング型ネットワークを備えたローカル通信システムにおいて、当該リング上の第1セグメントと第2セグメントのデータ速度をそれぞれ可変に設定する方式が示されている。特許文献2には、SLIMbus(登録商標)規格を適用した通信システムにおいて、「ギア」の設定を用いてクロック周波数を変更する動作が示されている。非特許文献1には、SLIMbus(登録商標)規格において、192スロットからなるフレームの詳細な構造例が示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a method of variably setting the data rates of the first segment and the second segment on the ring in a local communication system including a ring network. Patent Document 2 discloses an operation of changing a clock frequency using a “gear” setting in a communication system to which the SLIMbus (registered trademark) standard is applied. Non-Patent Document 1 shows a detailed structure example of a frame having 192 slots in the SLIMbus (registered trademark) standard.

特表2001−511971号公報JP-T-2001-511971 米国特許出願公開第2008/0205453号明細書US Patent Application Publication No. 2008/0205453

SLIMbus Specification, Version1.01, 2008SLIMbus Specification, Version1.01, 2008

例えば、携帯電話機向けの通信規格として、非特許文献1および特許文献2に記載されているようなSLIMbus(登録商標)規格が知られている。SLIMbus(登録商標)規格は、主に、携帯電話機内における音声信号の送受信等を用途として定められたシリアル通信規格であり、他の通信規格に比べ、転送レートが低く抑えられているのが特徴となっている。具体的には、アイソクロナス転送を基本プロトコルとして、クロック配線とデータ配線の2本の配線を用いて最速で28.8Mbpsのデータ転送速度を実現する。   For example, a SLIMbus (registered trademark) standard as described in Non-Patent Document 1 and Patent Document 2 is known as a communication standard for mobile phones. The SLIMbus (registered trademark) standard is a serial communication standard mainly defined for the purpose of transmission / reception of audio signals in a mobile phone, and is characterized by a low transfer rate compared to other communication standards. It has become. Specifically, using isochronous transfer as a basic protocol, a data transfer rate of 28.8 Mbps is realized at the maximum speed by using two lines of a clock line and a data line.

携帯電話機の小型化等を図るためには、シリアル通信を行う回路ブロックの大部分にSLIMbus(登録商標)規格を適用することが望まれる。ただし、当該回路ブロックの中には、無線LAN(Local Area Network)やBluetooth(登録商標)等の処理を担う回路ブロックが含まれ得る。無線LANやBluetooth(登録商標)では、近年、例えば百Mbps等のように帯域が大幅に向上しており、SLIMbus(登録商標)規格の速度性能を超えてしまう場合がある。このため、SLIMbus(登録商標)規格の拡張によって帯域を向上させることが望まれる。帯域を向上させる最も単純な方式は、クロック周波数を上げることである。しかしながら、クロック周波数を上げると、既存のSLIMbus(登録商標)規格対応のデバイスに対して下位互換性が保てなくなる恐れがある。   In order to reduce the size of a mobile phone, it is desired to apply the SLIMbus (registered trademark) standard to most of circuit blocks that perform serial communication. However, the circuit block may include a circuit block responsible for processing such as a wireless local area network (LAN) or Bluetooth (registered trademark). In recent years, the bandwidth of wireless LAN and Bluetooth (registered trademark) has been greatly improved, for example, 100 Mbps, and the speed performance of the SLIMbus (registered trademark) standard may be exceeded. For this reason, it is desired to improve the bandwidth by extending the SLIMbus (registered trademark) standard. The simplest way to improve the bandwidth is to increase the clock frequency. However, when the clock frequency is increased, there is a possibility that backward compatibility cannot be maintained with respect to an existing device conforming to the SLIMbus (registered trademark) standard.

本発明は、このようなことを鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、SLIMbus(登録商標)規格等に対応した半導体集積回路装置およびそれを備えた通信システムにおいて、規格の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度を向上させることにある。本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The present invention has been made in view of the above, and one of its purposes is a semiconductor integrated circuit device corresponding to the SLIMbus (registered trademark) standard and a communication system including the semiconductor integrated circuit device. It is to improve data transfer speed while maintaining compatibility. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的な実施の形態の概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of a typical embodiment will be briefly described as follows.

本実施の形態による半導体集積回路装置は、シリアルデータバス(DAT)と、第1周波数の第1クロック信号が伝送されるクロックバス(CLK)とに接続されるシリアルインタフェース回路(SLMBIF)を備える。ここで、当該シリアルインタフェース回路は、第1モード(DDRモード等)と第2モード(SDRモード)を有する。第1モードでは、第1クロック信号(CLK)の1サイクルの期間内で2のN乗(Nは1以上の整数)個のデータをシリアルデータバスに順次送信し、また、第1クロック信号の1サイクルの期間内で2のN乗(Nは1以上の整数)個のデータをシリアルデータバスから順次受信する。一方、第2モードでは、第1クロック信号(CLK)の1サイクルの期間内で1個のデータをシリアルデータバスに送信し、また、第1クロック信号の1サイクルの期間内で1個のデータをシリアルデータバスから受信する。   The semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment includes a serial interface circuit (SLMBIF) connected to a serial data bus (DAT) and a clock bus (CLK) to which a first clock signal having a first frequency is transmitted. Here, the serial interface circuit has a first mode (DDR mode or the like) and a second mode (SDR mode). In the first mode, 2 N (N is an integer of 1 or more) data is sequentially transmitted to the serial data bus within a cycle of the first clock signal (CLK), and the first clock signal (CLK) Within the period of one cycle, 2 to the Nth power (N is an integer of 1 or more) pieces of data are sequentially received from the serial data bus. On the other hand, in the second mode, one data is transmitted to the serial data bus within one cycle of the first clock signal (CLK), and one data is transmitted within one cycle of the first clock signal. Is received from the serial data bus.

このような構成を用いることで、クロックバスのクロック周波数は変えずに、シリアルデータバスおよびクロックバスを介した通信相手が第1モードに対応する場合には第1モードを用いて高速な通信を行うことができ、第1モードに対応しない場合には第2モードを用いて低速な通信を行うことが可能になる。その結果、SLIMbus(登録商標)規格等の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度の向上が実現可能になる。   By using such a configuration, when the communication partner via the serial data bus and the clock bus corresponds to the first mode without changing the clock frequency of the clock bus, high-speed communication is performed using the first mode. If the first mode is not supported, low-speed communication can be performed using the second mode. As a result, it is possible to improve the data transfer speed while maintaining backward compatibility such as SLIMbus (registered trademark) standard.

また、本実施の形態による半導体集積回路装置は、より具体的には、前述したシリアルデータバス(DAT)がNRZI信号を伝送し、前述したシリアルインタフェース回路(SLMBIF)が、第1クロック生成回路と、制御回路と、選択回路と、第1〜第3フリップフロップ回路と、第1および第2演算回路とを有している。第1クロック生成回路(CKGH,CKGS)は、第1クロック信号(CLK)と同じ第1周波数を持つ第2クロック信号と、第2クロック信号の2のN乗倍(Nは1以上の整数)の周波数を持つ第3クロック信号とを生成する。制御回路(DSRCTL)は、内部状態を第1モード(DDRモード等)か第2モード(SDRモード)に設定する。選択回路(SEL)は、第1モードの際には第3クロック信号を、第2モードの際には第2クロック信号をそれぞれ選択し、内部クロック信号(CK)として出力する。第1フリップフロップ回路(FF3)は、シリアルデータバス(DAT)上のデータを内部クロック信号の立ち上がりエッジ・立ち下がりエッジの一方となる第1エッジでラッチする。第1演算回路(EOR1)は、所定の送信データ(TXDAT)と第1フリップフロップ回路の出力との排他的論理和演算を行う。第2フリップフロップ回路(FF1)は、第1演算回路の出力を内部クロック信号の立ち上がりエッジ・立ち下がりエッジの他方となる第2エッジでラッチし、シリアルデータバスに向けて送信する。第3フリップフロップ回路(FF4)は、第1フリップフロップ回路の出力を内部クロック信号の第1エッジでラッチする。第2演算回路(EOR2)は、第1フリップフロップ回路の出力と第3フリップフロップ回路の出力との排他的論理和演算を行うことで受信データ(RXDAT)を復元する。   In the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment, more specifically, the serial data bus (DAT) transmits the NRZI signal, and the serial interface circuit (SLMBIF) includes the first clock generation circuit. And a control circuit, a selection circuit, first to third flip-flop circuits, and first and second arithmetic circuits. The first clock generation circuit (CKGH, CKGS) includes a second clock signal having the same first frequency as the first clock signal (CLK) and an Nth power of 2 times the second clock signal (N is an integer of 1 or more). And a third clock signal having a frequency of The control circuit (DSRCTL) sets the internal state to the first mode (DDR mode or the like) or the second mode (SDR mode). The selection circuit (SEL) selects the third clock signal in the first mode and the second clock signal in the second mode, and outputs the selected clock signal as the internal clock signal (CK). The first flip-flop circuit (FF3) latches data on the serial data bus (DAT) at the first edge that is one of the rising edge and the falling edge of the internal clock signal. The first arithmetic circuit (EOR1) performs an exclusive OR operation between predetermined transmission data (TXDAT) and the output of the first flip-flop circuit. The second flip-flop circuit (FF1) latches the output of the first arithmetic circuit at the second edge, which is the other of the rising edge and the falling edge of the internal clock signal, and transmits it to the serial data bus. The third flip-flop circuit (FF4) latches the output of the first flip-flop circuit at the first edge of the internal clock signal. The second arithmetic circuit (EOR2) restores received data (RXDAT) by performing an exclusive OR operation on the output of the first flip-flop circuit and the output of the third flip-flop circuit.

本願において開示される発明のうち、代表的な実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すると、半導体集積回路装置およびそれを備えた通信システにおいて、SLIMbus(登録商標)規格等の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度の向上が実現可能になる。   The effects obtained by the representative embodiments of the invention disclosed in the present application will be briefly described. In the semiconductor integrated circuit device and the communication system including the semiconductor integrated circuit device, backward compatibility such as SLIMbus (registered trademark) standard is achieved. The data transfer speed can be improved while maintaining the same.

本発明の実施の形態1による通信システムにおいて、その構成の一例を示す概略図である。In the communication system by Embodiment 1 of this invention, it is the schematic which shows an example of the structure. 図1の通信システムにおける携帯電話用高周波信号処理チップの主要部の概略構成例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of a main part of a high-frequency signal processing chip for a mobile phone in the communication system of FIG. 1. (a)は、図1の通信システムにおけるマイク部品の主要部の概略構成例を示すブロック図であり、(b)は、図1の通信システムにおけるスピーカ部品の主要部の概略構成例を示すブロック図である。(A) is a block diagram showing a schematic configuration example of a main part of a microphone part in the communication system of FIG. 1, and (b) is a block diagram showing a schematic configuration example of a main part of a speaker part in the communication system of FIG. FIG. (a)、(b)は、図1の通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図である。(A), (b) is a conceptual diagram which shows the structural example of the flame | frame which flows on the SLIM bus | bath in the communication system of FIG. 図4(a)、(b)にそれぞれ対応するSLIMバス上の1スロット分の動作波形例を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of operation waveforms for one slot on the SLIM bus corresponding to FIGS. 4 (a) and 4 (b), respectively. 図4および図5の動作方式に伴う問題点の一例を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of problems associated with the operation methods of FIGS. 4 and 5. 図4(b)の変形例であり、図1の通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図である。FIG. 4B is a modified example of FIG. 4B, and is a conceptual diagram showing a structural example of a frame flowing on the SLIM bus in the communication system of FIG. 1. 図1の通信システムにおいて、SLIMバス上のホストデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a main part of an interface circuit included in a host device on a SLIM bus in the communication system of FIG. 1. 図1の通信システムにおいて、SLIMバス上のスレーブデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a main part of an interface circuit included in a slave device on a SLIM bus in the communication system of FIG. 1. 図8および図9のインタフェース回路における主要な動作例を示す波形図である。FIG. 10 is a waveform diagram illustrating a main operation example in the interface circuit of FIGS. 8 and 9. 図7の動作方式において、その初期設定(コンフィグ)方法の一例を示すフロー図である。FIG. 8 is a flowchart showing an example of an initial setting method in the operation method of FIG. 7. (a)、(b)は、本発明の実施の形態2による通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームのそれぞれ異なる構造例を示す概念図である。(A), (b) is a conceptual diagram which shows the example of a respectively different structure of the flame | frame which flows on the SLIM bus | bath in the communication system by Embodiment 2 of this invention. 図12(b)の動作方式を用いた場合の図8および図9の詳細な動作例を示す波形図である。FIG. 10 is a waveform diagram showing a detailed operation example of FIGS. 8 and 9 when the operation method of FIG. 本発明の実施の形態3による通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図である。In the communication system by Embodiment 3 of this invention, it is a conceptual diagram which shows the structural example of the frame which flows on the SLIM bus | bath. 図14の動作方式において、そのチャネル配置の決定方法の一例を示すフロー図である。FIG. 15 is a flowchart showing an example of a channel arrangement determination method in the operation method of FIG. (a)は、本発明の実施の形態4による通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図であり、(b)は、(a)に対応するSLIMバス上の1スロット分の動作波形例を示す概略図である。(A) is a conceptual diagram which shows the structural example of the frame which flows on the SLIM bus in the communication system by Embodiment 4 of this invention, (b) is 1 on SLIM bus corresponding to (a). It is the schematic which shows the operation waveform example for a slot. (a)は、本発明の実施の形態1による通信システム(携帯電話システム)において、SLIMbus(登録商標)規格を適用した場合の一部の概略構成例を示すブロック図であり、(b)は、(a)の比較例であり、SLIMbus(登録商標)規格を適用しない場合のブロック図である。(A) is a block diagram showing a partial schematic configuration example when the SLIMbus (registered trademark) standard is applied in the communication system (mobile phone system) according to Embodiment 1 of the present invention. , (A) is a block diagram when SLIMbus (registered trademark) standard is not applied. 図17(a)において、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す説明図である。FIG. 17A is an explanatory diagram showing a structure example of a frame flowing on the SLIM bus in FIG. (a)は、図17(a)において、そのSLIMバス上の実際の動作波形の一例を示す図であり、(b)は、(a)の動作波形を用いて行われる調停機能の一例を表す説明図である。(A) is a figure which shows an example of the actual operation waveform on the SLIM bus in FIG. 17 (a), (b) is an example of the arbitration function performed using the operation waveform of (a). FIG. 図17(a)において、SLIMバス上のホストデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。FIG. 18A is a circuit diagram illustrating a configuration example of a main part of an interface circuit included in a host device on a SLIM bus in FIG. 図17(a)において、SLIMバス上のスレーブデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。FIG. 18A is a circuit diagram illustrating a configuration example of a main part of an interface circuit included in a slave device on the SLIM bus in FIG.

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。   In the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant, and one is the other. Some or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related. Further, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), especially when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and may be more or less than the specific number.

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。   Further, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps and the like) are not necessarily indispensable unless otherwise specified and apparently essential in principle. Needless to say. Similarly, in the following embodiments, when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numerical values and ranges.

また、実施の形態の各機能ブロックを構成する回路素子は、特に制限されないが、公知のCMOS(相補型MOSトランジスタ)等の集積回路技術によって、単結晶シリコンのような半導体基板上に形成される。なお、実施の形態では、MISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)の一例としてMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)(MOSトランジスタと略す)を用いる場合があるが、ゲート絶縁膜として非酸化膜を除外するものではない。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   The circuit elements constituting each functional block of the embodiment are not particularly limited, but are formed on a semiconductor substrate such as single crystal silicon by a known integrated circuit technology such as a CMOS (complementary MOS transistor). . In the embodiment, a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) (abbreviated as a MOS transistor) may be used as an example of a MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor), but a non-oxide film is excluded as a gate insulating film. Not what you want. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

(実施の形態1)
《SLIMbus(登録商標)規格の概要》
まず、本発明の前提となるSLIMbus(登録商標)規格の概要について説明を行う。ただし、本実施の形態による半導体集積回路装置および通信システムは、必ずしもSLIMbus(登録商標)規格に限定されるものではなく、それに類するシリアル通信規格に対しても同様に適用可能である。図17(a)は、本発明の実施の形態1による通信システム(携帯電話システム)において、SLIMbus(登録商標)規格を適用した場合の一部の概略構成例を示すブロック図であり、図17(b)は、図17(a)の比較例であり、SLIMbus(登録商標)規格を適用しない場合のブロック図である。
(Embodiment 1)
<< Outline of SLIMbus (Registered Trademark) Standard >>
First, an outline of the SLIMbus (registered trademark) standard, which is a premise of the present invention, will be described. However, the semiconductor integrated circuit device and the communication system according to the present embodiment are not necessarily limited to the SLIMbus (registered trademark) standard, and can be similarly applied to similar serial communication standards. FIG. 17 (a) is a block diagram showing a partial schematic configuration example when the SLIMbus (registered trademark) standard is applied to the communication system (mobile phone system) according to Embodiment 1 of the present invention. (B) is a comparative example of FIG. 17 (a), and is a block diagram when SLIMbus (registered trademark) standard is not applied.

図17(b)に示す携帯電話システムは、例えば、1個の半導体チップで構成されたシステムLSI(SOC)と、それに接続される複数の外部部品(WLANBK’,BTBK’,CP,SPKBK1’,SPKBK2’,MICBK’)を備えている。WLANBK’は例えば無線LAN(Local Area Network)用のアンテナ等を含んだ外部部品であり、BTBK’は例えばBluetooth(登録商標)用のアンテナ等を含んだ外部部品である。CPは、シリアル通信機能を備えた外部部品(例えばICカード等)である。SPKBK1’,SPKBK2’は、それぞれ、例えば着信用、音声用のスピーカ等を含んだ外部部品であり、MICBK’はマイク等を含んだ外部部品である。   The cellular phone system shown in FIG. 17B includes, for example, a system LSI (SOC) configured by one semiconductor chip and a plurality of external components (WLANBK ′, BTBK ′, CP, SPKBK1 ′, SPKBK2 ′, MICBK ′). WLANBK 'is an external part including an antenna for a wireless local area network (LAN), for example, and BTBK' is an external part including an antenna for Bluetooth (registered trademark), for example. The CP is an external component (for example, an IC card) having a serial communication function. SPKBK1 'and SPKBK2' are external parts including, for example, incoming and voice speakers, and MICBK 'is an external part including a microphone and the like.

SOCは、互いにバスBSで接続されたプロセッサユニットCPU、ダイレクトメモリアクセスコントローラDMAC、および複数の制御回路(WLANCT,BTCT,SCI,SPKCT1,SPKCT2,MICCT)を備える。WLANCTは、無線LAN用の制御回路であり、例えば、SOCの外部端子を介して外部部品WLANBK’との間で高周波信号(例えば2.4GHz帯等)の送受信を行う。BTCTは、Bluetooth(登録商標)用の制御回路であり、例えば、SOCの外部端子を介して外部部品BTBK’との間で高周波信号(例えば2.4GHz帯等)の送受信を行う。SCIは、シリアル通信用の制御回路(インタフェース回路)であり、SOCの外部端子を介して外部部品CPとの間でシリアル通信を行う。SPKCT1,SPKCT2は、音声出力用の制御回路であり、所定の音声情報に基づいてSOCの外部端子を介してSPKBK1’,SPKBK2’をそれぞれ駆動する。MICCTは、音声入力用の制御回路であり、MICBK’からの音声信号をSOCの外部端子を介して受け、所定の信号処理を行う。   The SOC includes a processor unit CPU, a direct memory access controller DMAC, and a plurality of control circuits (WLANCT, BTCT, SCI, SPKCT1, SPKCT2, MICCT) connected to each other by a bus BS. WLANCT is a control circuit for a wireless LAN, and transmits and receives a high-frequency signal (for example, 2.4 GHz band, etc.) to and from an external component WLANBK 'via an external terminal of the SOC, for example. The BTCT is a control circuit for Bluetooth (registered trademark), and for example, transmits and receives a high-frequency signal (for example, 2.4 GHz band) to and from the external component BTBK ′ via an external terminal of the SOC. The SCI is a control circuit (interface circuit) for serial communication, and performs serial communication with an external component CP via an external terminal of the SOC. SPKCT1 and SPKCT2 are audio output control circuits that drive SPKBK1 'and SPKBK2' via the external terminals of the SOC based on predetermined audio information. The MICCT is a voice input control circuit that receives a voice signal from the MICBK 'via an external terminal of the SOC and performs predetermined signal processing.

図17(b)の例のように、無線LAN対応やBluetooth(登録商標)対応等といった携帯電話システムの多機能化が進むと、システムLSI(SOC)の外部端子数が増加し、これに伴い携帯電話システムの小型化が困難となる恐れがある。そこで、図17(a)に示すようにSLIMbus(登録商標)規格を適用することが有益となる。図17(a)に示す携帯電話システムは、例えば、1個の半導体チップで構成されたマイクロコンピュータMCUと、MCUとの間でSLIMバスSLMBSを介して接続される複数の外部部品(WLANBK,BTBK,CP,SPKBK1,SPKBK2,MICBK)を備えている。   As the example of FIG. 17B shows, the number of external terminals of the system LSI (SOC) increases as the number of mobile phone systems such as wireless LAN compatible and Bluetooth (registered trademark) compatible increases. There is a risk that miniaturization of the mobile phone system may be difficult. Therefore, it is beneficial to apply the SLIMbus (registered trademark) standard as shown in FIG. The mobile phone system shown in FIG. 17A includes, for example, a microcomputer MCU composed of a single semiconductor chip and a plurality of external components (WLANBK, BTBK) connected to the MCU via the SLIM bus SLMBS. CP, SPKBK1, SPKBK2, MICBK).

WLANBKは、例えば無線LAN用のアンテナや高周波信号処理チップWLANICを備え、WLANICは、例えばベースバンド帯と高周波数帯(例えば2.4GHz帯等)との間の周波数変換や変調・復調処理等を行う回路と、SLIMバス用のインタフェース回路等を備える。BTBKは、例えばBluetooth(登録商標)用のアンテナや高周波信号処理チップBTICを備え、BTICは、例えばベースバンド帯と高周波数帯(例えば2.4GHz帯等)との間の周波数変換や変調・復調処理等を行う回路と、SLIMバス用のインタフェース回路等を備える。CPは、所定の機能を持つ回路に加えてSLIMバス用のインタフェース回路を備える。SPKBK1,SPKBK2は、それぞれ、スピーカとその制御チップSPKIC1,SPKIC2を備え、SPKIC1,SPKIC2のそれぞれは、ディジタル・アナログ変換回路やアンプ回路等に加えてSLIMバス用のインタフェース回路を備える。MICBKは、マイクとその制御チップMICICを備え、MICICは、アナログ・ディジタル変換回路やアンプ回路等に加えてSLIMバス用のインタフェース回路を備える。   The WLANBK includes, for example, a wireless LAN antenna and a high-frequency signal processing chip WLANIC. The WLANIC performs, for example, frequency conversion, modulation / demodulation processing between a baseband and a high-frequency band (for example, 2.4 GHz band). A circuit to perform, an interface circuit for the SLIM bus, and the like. The BTBK includes, for example, an antenna for Bluetooth (registered trademark) and a high-frequency signal processing chip BTIC. The BTIC, for example, performs frequency conversion, modulation / demodulation between a baseband and a high frequency band (for example, 2.4 GHz band). A circuit for processing and the like, an interface circuit for the SLIM bus, and the like are provided. The CP includes a SLIM bus interface circuit in addition to a circuit having a predetermined function. Each of SPKBK1 and SPKBK2 includes a speaker and its control chips SPKIC1 and SPKIC2, and each of SPKIC1 and SPKIC2 includes an interface circuit for a SLIM bus in addition to a digital / analog conversion circuit and an amplifier circuit. The MICBK includes a microphone and its control chip MICIC. The MICIC includes an interface circuit for a SLIM bus in addition to an analog / digital conversion circuit and an amplifier circuit.

MCUは、互いにバスBSで接続されたプロセッサユニットCPU、ダイレクトメモリアクセスコントローラDMAC、およびSLIMバス用のインタフェース回路SLMBIF等を備える。SLMBIFは、前述した外部のSLIMバスSLMBSに接続され、SLMBSとMCU内部のBSとの間のプロトコル変換等を行う。ここで、SLMBSは、シリアル通信を行うための1本のクロック配線(クロック信号)CLKと1本のデータ配線(データ信号)DATを備える。したがって、図17(a)に示すような構成例を用いることで、図17(b)の場合と比較してMCUの外部端子数を削減できる。MCUの外部端子は、電気的な接続を確保するために、ある程度の物理的大きさが必要であるため、この外部端子の削減は、システム全体の小型化に有効である。例えば携帯電話システムの多機能化等が進むほど、この外部端子の削減に伴い、システム全体の小型化が図り易くなる。   The MCU includes a processor unit CPU, a direct memory access controller DMAC, an interface circuit SLMBIF for the SLIM bus, and the like that are connected to each other via a bus BS. The SLMBIF is connected to the above-described external SLIM bus SLMBS, and performs protocol conversion between the SLMBS and the BS inside the MCU. Here, the SLMBS includes one clock wiring (clock signal) CLK and one data wiring (data signal) DAT for performing serial communication. Therefore, by using the configuration example shown in FIG. 17A, the number of MCU external terminals can be reduced as compared with the case of FIG. Since the external terminal of the MCU needs to have a certain physical size in order to ensure electrical connection, the reduction of the external terminal is effective for downsizing the entire system. For example, as the number of functions of the mobile phone system increases, it becomes easier to reduce the size of the entire system as the number of external terminals is reduced.

図18は、図17(a)において、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す説明図である。SLIMバスSLMBS上では、図18ならびに前述した非特許文献1に示されるように、連続する192のスロットSLTから構成されるフレームFRMと呼ばれる単位でデータ転送が行われる。図18に示すように、1個のスロットSLTは、クロック信号CLKの1サイクル期間のデータ信号DATを1個のセルCLとして、例えば4個(実際には可変設定可能)のセルCL0〜CL3によって構成される。また、連続する複数個(この例では8個であるが実際には可変設定可能)のスロットSLTによってサブフレームSFRMが構成される。時系列的に見ると、図18に示すように、スロット[0]、スロット[1]、…、スロット[191]の順番でシリアルデータ転送が行われる。   FIG. 18 is an explanatory diagram showing a structure example of a frame flowing on the SLIM bus in FIG. On the SLIM bus SLMBS, as shown in FIG. 18 and Non-Patent Document 1 described above, data transfer is performed in units called frame FRMs composed of continuous 192 slots SLT. As shown in FIG. 18, one slot SLT includes, for example, four cells (actually variably settable) cells CL0 to CL3, where the data signal DAT in one cycle period of the clock signal CLK is one cell CL. Composed. In addition, a subframe SFRM is configured by a plurality of consecutive slots SLT (in this example, eight slots are actually variably settable). As seen in time series, serial data transfer is performed in the order of slot [0], slot [1],..., Slot [191] as shown in FIG.

ここで、各サブフレームSFRM内では、前半の複数個(ここでは2個)のSLTが制御情報の送受信で用いられるコントロール領域CTLSPに割り当てられ、後半の複数個(ここでは6個)のSLTがデータ情報の送受信で用いられるデータ領域DATSPに割り当てられる。データ転送を行う際には、予めCTLSP内に存在する所定のチャネル(メッセージチャネルと呼ばれる)を用いてDATSP中にチャネルが確立される。そして、送信側・受信側は、当該チャネルの情報を共有した状態で各チャネル固有のタイミングに基づいてデータの送受信を行う。チャネルは、セグメントと呼ばれる一連のスロットSLT群からなる。チャネルの確立に際しては、「最初のセグメントがフレームFRMの先頭から何スロット目から開始するか(セグメントオフセット)」、「セグメント長は何スロットか」、「セグメントのインターバルは何スロットか」などが設定可能となっている。   Here, in each subframe SFRM, the first half (two in this case) SLTs are allocated to the control area CTLSP used for transmission and reception of control information, and the second half (six in this case) SLTs are assigned. It is assigned to a data area DATSP used for transmission / reception of data information. When performing data transfer, a channel is established in DATSP using a predetermined channel (referred to as a message channel) that exists in the CTLSP in advance. Then, the transmitting side and the receiving side transmit and receive data based on the timing specific to each channel while sharing the information on the channel. A channel consists of a series of slot SLTs called segments. At the time of channel establishment, “number of slots from which the first segment starts from the beginning of the frame FRM (segment offset)”, “how many slots the segment length”, “how many slots the segment interval” is set It is possible.

図18の例では、図17(a)における外部部品MICBKを送信側(ソースと呼ばれる)としマイクロコンピュータMCUを受信側(シンクと呼ばれる)とするチャネルA(CH_A)と、MCUを送信側とし外部部品SPKBK2を受信側とするチャネルB(CH_B)が確立されている。CH_Aの設定は、「セグメントオフセット=5」、「セグメント長=2」、「セグメントインターバル=16」であり、CH_Bの設定は、「セグメントオフセット=7」、「セグメント長=2」、「セグメントインターバル=64」である。なお、コントロール領域CTLSP内には、フレーム同期用シンボル(SLT[0])およびフレーム情報(SLT[96])からなるフレーミングチャネルや、ガイドチャネル(SLT[1]およびSLT[8])が含まれ、これ以外の箇所に前述したメッセージチャネルが割り当てられる。フレーム情報では、前述したサブフレーム長の設定等を含むフレームの形状が保持され、ガイドチャネルは、メッセージのステータスを共有する際等で使用される。   In the example of FIG. 18, the external component MICBK in FIG. 17A is the transmission side (referred to as the source) and the microcomputer MCU is the reception side (referred to as the sink), and the MCU is the transmission side and the external A channel B (CH_B) having the component SPKBK2 as a receiving side is established. CH_A settings are “segment offset = 5”, “segment length = 2”, “segment interval = 16”, and CH_B settings are “segment offset = 7”, “segment length = 2”, “segment interval” = 64 ". The control area CTLSP includes a framing channel including a frame synchronization symbol (SLT [0]) and frame information (SLT [96]), and a guide channel (SLT [1] and SLT [8]). The message channel described above is assigned to other locations. In the frame information, the shape of the frame including the setting of the subframe length described above is held, and the guide channel is used when sharing the status of the message.

図19(a)は、図17(a)において、そのSLIMバス上の実際の動作波形の一例を示す図であり、図19(b)は、図19(a)の動作波形を用いて行われる調停機能の一例を表す説明図である。図19(a)に示すように、SLIMバスSLMBS上ではNRZI(Non Return to Zero Invert)信号を用いてデータ転送が行われる。データ送信時には、クロック信号CLKの立ち上がりエッジに同期してデータ配線DATに向けた出力が行われる。この際に、送信データTXDATが‘1’の場合にはDAT上のデータが反転駆動され、TXDATが‘0’の場合にはDAT上のデータが保持される。一方、データ受信時には、CLKの立ち下がりエッジに同期してDATの取り込みが行われる。この際に、前サイクルと比較してDAT上のデータが反転有りの場合には受信データRXDATが‘1’と判定され、DAT上のデータが反転無しの場合にはRXDATが‘0’と判定される。   FIG. 19A is a diagram showing an example of an actual operation waveform on the SLIM bus in FIG. 17A, and FIG. 19B is a diagram illustrating an operation waveform of FIG. 19A. It is explanatory drawing showing an example of the arbitration function to be called. As shown in FIG. 19A, data transfer is performed on the SLIM bus SLMBS using an NRZI (Non Return to Zero Invert) signal. At the time of data transmission, output toward the data wiring DAT is performed in synchronization with the rising edge of the clock signal CLK. At this time, when the transmission data TXDAT is ‘1’, the data on the DAT is driven to be inverted, and when TXDAT is ‘0’, the data on the DAT is held. On the other hand, when data is received, DAT is fetched in synchronization with the falling edge of CLK. At this time, when the data on the DAT is inverted compared to the previous cycle, the received data RXDAT is determined to be “1”, and when the data on the DAT is not inverted, the RXDAT is determined to be “0”. Is done.

SLIMbus(登録商標)規格では、SLIMバスSLMBS上の各デバイスは、前述したメッセージチャネルを用いてメッセージの送信を行うことが可能となっている。この際に複数のデバイスから同時にメッセージが送信されないようにするため、SLIMbus(登録商標)規格では、図19(b)に示すように、前述したNRZI信号とワイヤードOR論理の組合せを利用した調停機能が備わっている。調停動作の全体制御は、バス制御を担うアクティブマネージャと呼ばれるデバイスによって行われ、当該デバイスは、通常、図17(a)のMCUに割り当てられる。図19(b)において、INT_MCUは、MCUに向けた割り込み信号に該当し、INT_DEVa〜INT_DEVxは、図17(a)における各外部部品(WLANBK,BTBK,…)に該当する各デバイスによって生成される割り込み信号にそれぞれ該当する。   In the SLIMbus (registered trademark) standard, each device on the SLIM bus SLMBS can transmit a message using the message channel described above. In order to prevent simultaneous transmission of messages from a plurality of devices at this time, in the SLIMbus (registered trademark) standard, as shown in FIG. 19B, an arbitration function using a combination of the above-described NRZI signal and wired OR logic. Is equipped. The overall control of the arbitration operation is performed by a device called an active manager responsible for bus control, and the device is normally assigned to the MCU in FIG. In FIG. 19B, INT_MCU corresponds to an interrupt signal directed to the MCU, and INT_DEVa to INT_DEVx are generated by each device corresponding to each external component (WLANBK, BTBK,...) In FIG. Each corresponds to an interrupt signal.

ここで、メッセージを送信したいデバイスは、割り込み信号として自身に割り当てられた固有の識別番号をデータ配線DAT上にシリアルに送信する。例えば、INT_DEVa(識別番号)を「010」、INT_DEVb(識別番号)を「011」として、これらが1番目のビット(ここでは右端とする)から順に同時送信される場合を想定する。この場合、1番目のビットではINT_DEVbによってDATの反転駆動が行われ、2番目のビットではINT_DEVa,INT_DEVbによってDATの反転駆動が行われ、3番目のビットではDATの保持動作が行われる。その結果、INT_MCUの論理値としては「011」が得られ、INT_DEVbに対応するデバイスにメッセージの送信権が与えられることになる。すなわち、例えば各識別番号を「000」〜「111」とした場合、「111」が最も優先順位が高く、次いで「110」、「101」、…、「000」の順に優先順位が定められることになる。   Here, the device that wants to transmit the message serially transmits the unique identification number assigned to it as an interrupt signal on the data wiring DAT. For example, it is assumed that INT_DEVa (identification number) is “010” and INT_DEVb (identification number) is “011”, and these are simultaneously transmitted in order from the first bit (here, the right end). In this case, DAT inversion driving is performed by INT_DEVb in the first bit, DAT inversion driving is performed by INT_DEVa and INT_DEVb in the second bit, and DAT holding operation is performed in the third bit. As a result, “011” is obtained as the logical value of INT_MCU, and a message transmission right is given to the device corresponding to INT_DEVb. That is, for example, when each identification number is set to “000” to “111”, “111” has the highest priority, followed by “110”, “101”,..., “000”. become.

図20は、図17(a)において、SLIMバス上のホストデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。図21は、図17(a)において、SLIMバス上のスレーブデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。ホストデバイスは、アクティブフレーマと呼ばれ、バス上にクロック信号を供給し、フレーム構造を形成するデバイスである。当該デバイスは、適宜変更可能であるが、通常、図17(a)のMCUに割り当てられる。スレーブデバイスは、ノンアクティブフレーマと呼ばれ、バスを介してクロック信号が供給され、当該クロック信号に同期して動作するデバイスである。当該デバイスは、バス上のホストデバイス以外のデバイスであり、例えば、図17(a)におけるMCU以外のデバイスに該当する。   FIG. 20 is a circuit diagram showing a configuration example of a main part of the interface circuit provided in the host device on the SLIM bus in FIG. FIG. 21 is a circuit diagram showing a configuration example of a main part of the interface circuit included in the slave device on the SLIM bus in FIG. The host device is called an active framer and is a device that supplies a clock signal on a bus to form a frame structure. The device can be changed as appropriate, but is normally assigned to the MCU shown in FIG. A slave device is called a non-active framer, and is a device that is supplied with a clock signal via a bus and operates in synchronization with the clock signal. The device is a device other than the host device on the bus, and corresponds to, for example, a device other than the MCU in FIG.

図20に示すインタフェース回路SLMBIF(Host)は、フリップフロップ回路FF1〜FF5と、出力バッファ回路OBF1,OBF2と、入力バッファ回路IBF1と、EXOR(排他的論理和)演算回路EOR1,EOR2と、バス保持回路BSKPを備える。まず、送信系に関する構成を説明する。IBF1は、SLIMバスSLMBS上のデータ配線DATを入力としてFF3に出力を行う。FF3は、当該デバイス内部で生成した内部クロック信号CKの立ち下がりエッジに同期してIBF1の出力を取り込む。EOR1は、FF3の出力と送信データTXDATのEXOR演算を行う。   The interface circuit SLMBIF (Host) shown in FIG. 20 includes flip-flop circuits FF1 to FF5, output buffer circuits OBF1 and OBF2, input buffer circuit IBF1, EXOR (exclusive OR) operation circuits EOR1 and EOR2, and bus holding. A circuit BSKP is provided. First, the configuration related to the transmission system will be described. The IBF 1 receives the data wiring DAT on the SLIM bus SLMBS and outputs it to the FF 3. The FF 3 captures the output of the IBF 1 in synchronization with the falling edge of the internal clock signal CK generated inside the device. EOR1 performs an EXOR operation on the output of FF3 and transmission data TXDAT.

FF1は、内部クロック信号CKの立ち上がりエッジに同期してEOR1の出力を取り込む。FF2は、当該CKの立ち上がりエッジに同期して出力イネーブル信号OEを取り込む。OBF1は、FF2の出力(すなわちOE)に応じて活性状態・非活性状態が制御され、活性状態(すなわちOEがイネーブル状態)の際にはFF1の出力をSLIMバスSLMBS上のデータ配線DATに送信し、非活性状態(すなわちOEがディスエーブル状態)の際には当該送信を行わない。OBF2は、当該CKをSLMBS上のクロック配線CLKに供給する。BSKPは、DATの論理レベルの保持を行う。このように、DATのデータをCKの立ち下がりエッジで取り込み、当該データとTXDATのEXOR演算を行い、その演算結果を次の立ち上がりエッジでDATに送出することで、図19(a)に示したように、DAT上にNRZI信号を出力することが可能になる。   FF1 takes in the output of EOR1 in synchronization with the rising edge of the internal clock signal CK. The FF2 takes in the output enable signal OE in synchronization with the rising edge of the CK. OBF1 is controlled in an active state / inactive state according to the output of FF2 (that is, OE), and in the active state (that is, OE is in an enabled state), the output of FF1 is transmitted to the data line DAT on the SLIM bus SLMBS However, the transmission is not performed in the inactive state (that is, the OE is disabled). The OBF 2 supplies the CK to the clock wiring CLK on the SLMBS. BSKP maintains the logic level of DAT. In this way, the DAT data is captured at the falling edge of CK, the EXOR operation of the data and TXDAT is performed, and the result is sent to the DAT at the next rising edge, as shown in FIG. Thus, the NRZI signal can be output on the DAT.

次に、受信系に関する構成を説明する。FF4は、前述したFF3の出力信号を内部クロック信号CKの立ち下がりエッジに同期して取り込む。EOR2は、FF3の出力とFF4の出力のEXOR演算を行う。FF5は、EOR2の出力をCKの立ち上がりエッジで取り直し、受信データRXDATを出力する。このように、現サイクルにおけるDATのデータとその前サイクルにおけるDATのデータとをそれぞれCKの立ち下がりエッジで取り込み、そのEXOR演算を行うことで、図19(a)に示したように、DAT上のNRZI信号から受信データ(論理値)を判別することが可能になる。   Next, a configuration related to the reception system will be described. The FF4 takes in the output signal of the FF3 described above in synchronization with the falling edge of the internal clock signal CK. EOR2 performs an EXOR operation on the output of FF3 and the output of FF4. The FF 5 takes the output of the EOR 2 again at the rising edge of CK and outputs the reception data RXDAT. In this way, the DAT data in the current cycle and the DAT data in the previous cycle are fetched at the falling edge of CK, and the EXOR operation is performed, as shown in FIG. The received data (logical value) can be discriminated from the NRZI signal.

一方、図21に示すインタフェース回路SLMBIF(Slave)は、前述した図20における出力バッファ回路OBF2が入力バッファ回路IBF2に置き換わった構成を備えている。これ以外の構成に関しては図20と同様であるため、詳細な説明は省略する。IBF2は、SLIMバスSLMBS上のクロック配線CLKを入力として、内部クロック信号CKを出力する。そして、図20の場合と同様に、フリップフロップ回路FF1〜FF5は、当該CKに同期して動作を行う。   On the other hand, the interface circuit SLMBIF (Slave) shown in FIG. 21 has a configuration in which the output buffer circuit OBF2 in FIG. 20 is replaced with the input buffer circuit IBF2. Since the configuration other than this is the same as that of FIG. 20, detailed description thereof is omitted. The IBF 2 receives the clock wiring CLK on the SLIM bus SLMBS and outputs an internal clock signal CK. Then, as in the case of FIG. 20, the flip-flop circuits FF1 to FF5 operate in synchronization with the CK.

《本実施の形態による通信システムの全体構成》
図1は、本発明の実施の形態1による通信システムにおいて、その構成の一例を示す概略図である。図1に示す通信システムRFSYSは、例えば携帯電話システムとなっており、配線基板(例えばセラミック基板)MBDと、外部部品(SPKBK1,SPKBK2,MICBK)と、ケーブルCBLと、アンテナANT1〜ANT4を備えている。MBD上には、複数の半導体チップ(半導体集積回路装置又はデバイス)(MCU,WLANIC,BTIC,SCIIC,MEMSIC,MODIC,PWIC,GPSIC,NFCIC)が実装され、各半導体チップはMBD上の配線パターンによって形成されたSLIMバスSLMBSによって互いに接続されている。SLMBSは、クロック配線CLKとデータ配線DATを持つ。各半導体チップは、共通して、SLMBSとの接続部分にSLIMバス用インタフェース回路SLMBIFを備える。MCUは、マイクロコンピュータ等であり、バスBSによって接続されたプロセッサユニットCPUおよびSLIMバス用インタフェース回路SLMBIFを備える。
<< Overall Configuration of Communication System According to this Embodiment >>
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a communication system according to Embodiment 1 of the present invention. A communication system RFSYS shown in FIG. 1 is a mobile phone system, for example, and includes a wiring board (for example, a ceramic board) MBD, external components (SPKBK1, SPKBK2, MICBK), a cable CBL, and antennas ANT1 to ANT4. Yes. A plurality of semiconductor chips (semiconductor integrated circuit devices or devices) (MCU, WLANIC, BTIC, SCIIC, MEMSIC, MODIC, PWIC, GPSIC, NFCIC) are mounted on the MBD, and each semiconductor chip depends on a wiring pattern on the MBD. They are connected to each other by the formed SLIM bus SLMBS. The SLMBS has a clock wiring CLK and a data wiring DAT. Each semiconductor chip includes a SLIM bus interface circuit SLMBIF at a connection portion with the SLMBS in common. The MCU is a microcomputer or the like, and includes a processor unit CPU and a SLIM bus interface circuit SLMBIF connected by a bus BS.

MODICは、GSM(Global System for Mobile Communications)やW−CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)等を代表とする携帯電話用の高周波信号処理チップであり、SLMBSと外部のANT1との間のデータの送受信を担う。図2は、図1の通信システムにおける携帯電話用高周波信号処理チップの主要部の概略構成例を示すブロック図である。図2に示す高周波信号処理チップMODICは、SLIMバス用インタフェース回路SLMBIF2に加えて、ADC、DAC、FLT/PGA、MIX_TX,MIX_RX、VCO_TX,VCO_RX、PA、LNA、ANTSW/DPX等を備えている。ADCはアナログ・ディジタル変換回路であり、DACはディジタル・アナログ変換回路である。FLTはフィルタ回路であり、PGAはプログラマブルゲインアンプ回路である。MIX_TX,MIX_RXは、それぞれ送信用、受信用のミキサ回路であり、VCO_TX,VCO_RXは、それぞれ送信用、受信用の発振回路である。PAはパワーアンプ回路であり、LNAは低雑音増幅回路である。ANTSWはアンテナスイッチ回路であり、DPXはデュプレクサ回路である。   MODIC is a high-frequency signal processing chip for mobile phones typified by GSM (Global System for Mobile Communications), W-CDMA (Wideband Code Division Multiple Access), and the like, and is used to transmit and receive data between SLMBS and an external ANT1 Take on. FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration example of the main part of the high-frequency signal processing chip for mobile phone in the communication system of FIG. The high-frequency signal processing chip MODIC shown in FIG. 2 includes ADC, DAC, FLT / PGA, MIX_TX, MIX_RX, VCO_TX, VCO_RX, PA, LNA, ANTSW / DPX and the like in addition to the SLIM bus interface circuit SLMBIF2. The ADC is an analog / digital conversion circuit, and the DAC is a digital / analog conversion circuit. FLT is a filter circuit, and PGA is a programmable gain amplifier circuit. MIX_TX and MIX_RX are transmission and reception mixer circuits, respectively. VCO_TX and VCO_RX are transmission and reception oscillation circuits, respectively. PA is a power amplifier circuit, and LNA is a low noise amplifier circuit. ANTSW is an antenna switch circuit, and DPX is a duplexer circuit.

このような構成例において、送信動作時には、まず、SLMBIF2がSLMBSを介して送信データとなるディジタル信号を取得し、DACが当該ディジタル信号をアナログ信号に変換する。次いで、MIX_TXは、DACの出力信号をVCO_TXからの局部発振信号を用いて所定の高周波数帯(例えば850MHz帯や2GHz帯等)にアップコンバート(周波数変換)し、また、加えて直交変調(IQ変調)等を行う。PAは、このMIX_TXからの出力信号を増幅し、ANTSWおよび/又はDPXを介してANT1に送出する。   In such a configuration example, at the time of transmission operation, first, the SLMBIF 2 acquires a digital signal serving as transmission data via the SLMBS, and the DAC converts the digital signal into an analog signal. Next, MIX_TX up-converts (converts to frequency) the DAC output signal to a predetermined high frequency band (for example, 850 MHz band, 2 GHz band, etc.) using a local oscillation signal from VCO_TX, and additionally adds quadrature modulation (IQ Modulation) and the like. The PA amplifies the output signal from the MIX_TX and sends it to the ANT1 via the ANTSW and / or DPX.

一方、受信動作時には、まず、ANT1によって受信された高周波信号がANTSWおよび/又はDPXを介してLNAに入力され、LNAによって増幅される。次いで、MIX_RXは、LNAの出力信号をVCO_RXからの局部発振信号を用いてベースバンド帯にダウンコンバート(周波数変換)し、また、加えて直交復調(IQ復調)等を行う。続いて、FLT/PGAは、MIX_RXの出力信号に対して不要な高調波成分の除去や振幅調整等を行い、ADCは、FLT/PGAの出力信号をディジタル信号に変換する。SLMBIF2は、このディジタル信号を受信データとしてSLMBSに送出する。なお、ここでは、MODIC内にPAやANTSW/DPXを設けたが、これらは場合によってはMODICの外部に設けられることもある。   On the other hand, at the time of reception operation, first, a high frequency signal received by ANT1 is input to LNA via ANTSW and / or DPX, and is amplified by LNA. Next, the MIX_RX down-converts (frequency conversion) the output signal of the LNA to the baseband using the local oscillation signal from the VCO_RX, and additionally performs quadrature demodulation (IQ demodulation) and the like. Subsequently, the FLT / PGA performs unnecessary harmonic component removal and amplitude adjustment on the output signal of the MIX_RX, and the ADC converts the output signal of the FLT / PGA into a digital signal. The SLMBIF 2 sends this digital signal as received data to the SLMBS. Here, PA and ANTSW / DPX are provided in the MODIC, but these may be provided outside the MODIC depending on circumstances.

図1において、WLANICは、無線LAN用の高周波信号処理チップであり、BTICは、Bluetooth(登録商標)用の高周波信号処理チップである。WLANICはSLMBSと外部のANT2との間で送受信を担い、BTICはSLMBSと外部のANT3との間の送受信を担う。これらの具体的な構成および動作は、前述したMODICの場合とほぼ同様である。ただし、実際には、変調・復調方式や使用する周波数帯の違い等に応じて構成および動作に若干の違いが生じ得る。例えば、変調方式としてFSK(Frequency Shift Keying)を用いるような場合には、MIX_TXを備えずに、VCO_TXに対して直接変調を行った信号をPAに入力するような場合もある。GPSICは、GPS用の高周波信号処理チップであり、外部のANT4からの受信信号を処理してSLMBSに出力する。その具体的な構成および動作は、前述したMODICでの受信部分とほぼ同様である。ただし、実際には、復調方式や使用する周波数帯の違い等に応じて若干違いが生じ得る。   In FIG. 1, WLANIC is a high-frequency signal processing chip for wireless LAN, and BTIC is a high-frequency signal processing chip for Bluetooth (registered trademark). WLANIC is responsible for transmission / reception between SLMBS and external ANT2, and BTIC is responsible for transmission / reception between SLMBS and external ANT3. These specific configurations and operations are almost the same as those of the above-described MODIC. However, in practice, a slight difference may occur in the configuration and operation depending on the modulation / demodulation method and the difference in the frequency band to be used. For example, when FSK (Frequency Shift Keying) is used as a modulation method, a signal obtained by directly modulating VCO_TX without inputting MIX_TX may be input to PA. The GPSIC is a high-frequency signal processing chip for GPS, processes a received signal from an external ANT4, and outputs it to the SLMBS. The specific configuration and operation are substantially the same as those of the receiving part in the above-described MODIC. However, in practice, a slight difference may occur depending on the demodulation method, the frequency band to be used, and the like.

SCIICは、例えば、JTAGコントローラ等のシリアル通信制御チップであり、SLMBSと外部のデバックポートDBGPTとの間の送受信(プロトコル変換)を担う。MEMSICは、各種センサ用の制御チップであり、SLMBSと外部のセンサ(図示せず)との間の送受信を担う。PWICは、MBD上の各半導体チップに電源を供給する電源制御チップであり、例えば、SLMBSを介した命令に基づいて所定の半導体チップを対象に電源供給の遮断や復帰等を行う。NFCICは、小電力無線通信(所謂RFID(Radio Frequency IDentification))用の制御チップであり、SLMBSからSLMBIFを介して入力されたデータをアンテナ(図示せず)を介して無線送信し、またアンテナで検知した受信データをSLMBIFを介してSLMBSに送出する。   SCIIC is, for example, a serial communication control chip such as a JTAG controller, and is responsible for transmission / reception (protocol conversion) between SLMBS and an external debug port DBGPT. The MEMSIC is a control chip for various sensors, and is responsible for transmission and reception between the SLMBS and an external sensor (not shown). The PWIC is a power supply control chip that supplies power to each semiconductor chip on the MBD. For example, the PWIC cuts off or restores power supply to a predetermined semiconductor chip based on an instruction via the SLMBS. NFCIC is a control chip for low-power wireless communication (so-called RFID (Radio Frequency IDentification)), which wirelessly transmits data input from SLMBS via SLMBIF via an antenna (not shown). The detected received data is sent to SLMBS via SLMBIF.

外部部品SPKBK1は、スピーカ制御チップSPKIC1を備えた着信用のスピーカ部品であり、外部部品SPKBK2は、スピーカ制御チップSPKIC2を備えた通話用のスピーカ部品である。外部部品MICBKは、マイク制御チップMICICを備えた通話用のマイク部品である。各半導体チップ(半導体集積回路装置又はデバイス)(SPKIC1,SPKIC2,MICIC)は、前述した配線基板MBD上のSLMBSとの間で、SLIMバスを内蔵したケーブル(例えばフラットケーブル)CBLを介して互いにバス接続されている。そして、SPKIC1,SPKIC2,MICICは、共通して、このCBLとの接続部分にSLIMバス用インタフェース回路SLMBIFを備える。   The external component SPKBK1 is a speaker component for incoming calls provided with a speaker control chip SPKIC1, and the external component SPKBK2 is a speaker component for calls provided with a speaker control chip SPKIC2. The external component MICBK is a microphone component for a call provided with a microphone control chip MICIC. Each semiconductor chip (semiconductor integrated circuit device or device) (SPKIC1, SPKIC2, MICIC) is mutually connected to the SLMBS on the wiring board MBD via a cable (for example, a flat cable) CBL having a built-in SLIM bus. It is connected. The SPKIC1, SPKIC2, and MICIC are commonly provided with a SLIM bus interface circuit SLMBIF at a connection portion with the CBL.

図3(a)は、図1の通信システムにおけるマイク部品の主要部の概略構成例を示すブロック図であり、図3(b)は、図1の通信システムにおけるスピーカ部品の主要部の概略構成例を示すブロック図である。図3(a)に示すマイク部品MICBKは、マイク制御チップMICICとマイクMICを備え、MICICは、SLIMバス用インタフェース回路SLMBIF3と、アナログ・ディジタル変換回路ADCと、アンプ回路AMPを備えている。MICは入力された音声に応じた電気信号を発生し、AMPは当該電気信号を増幅する。ADCはAMPの出力信号をディジタル信号に変換し、SLMBIF3は当該ディジタル信号をCBL上のSLIMバスに送出する。   3A is a block diagram illustrating a schematic configuration example of the main part of the microphone component in the communication system of FIG. 1, and FIG. 3B is a schematic configuration of the main part of the speaker component in the communication system of FIG. It is a block diagram which shows an example. 3A includes a microphone control chip MICIC and a microphone MIC. The MICIC includes a SLIM bus interface circuit SLMBIF3, an analog / digital conversion circuit ADC, and an amplifier circuit AMP. The MIC generates an electrical signal corresponding to the input voice, and the AMP amplifies the electrical signal. The ADC converts the output signal of the AMP into a digital signal, and the SLMBIF 3 sends the digital signal to the SLIM bus on the CBL.

図3(b)に示すスピーカ部品SPKBKは、図1のSPKBK1,SPKBK2にそれぞれ該当し、スピーカ制御チップSPKICとスピーカSPKを備えている。SPKICは、SLIMバス用インタフェース回路SLMBIF4と、音声処理回路ADPCMと、ディジタル・アナログ変換回路DACと、アンプ回路AMPを備える。SLMBIF4は、CBLを介して入力されたディジタル信号を取り込み、ADPCMは、当該ディジタル信号(例えば圧縮されたディジタル音声信号)に対して伸張を行う。ADCは、ADPCMからのディジタル信号をアナログ信号に変換し、AMPは、当該アナログ信号を増幅してSPKを駆動する。   A speaker component SPKBK shown in FIG. 3B corresponds to SPKBK1 and SPKBK2 in FIG. 1, and includes a speaker control chip SPKIC and a speaker SPK. The SPKIC includes a SLIM bus interface circuit SLMBIF4, a sound processing circuit ADPCM, a digital / analog conversion circuit DAC, and an amplifier circuit AMP. The SLMBIF 4 takes in a digital signal input via the CBL, and the ADPCM performs expansion on the digital signal (for example, a compressed digital audio signal). The ADC converts the digital signal from ADPCM into an analog signal, and the AMP amplifies the analog signal to drive the SPK.

図1〜図3で述べたような構成例を用いると、図17でも述べたように、例えばマイクロコンピュータMCUの外部端子数を削減でき、配線基板MBD上でMCUと各半導体チップ(WLANIC、BTIC、SCIIC、…)との間の接続配線を簡略化することができる。また、MCU(MBD)と外部部品(SPKBK1,SPKBK2,MICBK)との間の接続配線も簡略化することができる。これらの結果、携帯電話システムの小型化が実現可能になる。しかしながら、特に、無線LAN(WLANIC)やBluetooth(登録商標)(BTIC)では、例えば数百Mbpsのデータ転送速度が必要とされる場合があり、また、携帯電話(MODIC)においてもデータ速度の向上が飛躍的に進んでいる。その結果、SLIMbus(登録商標)規格で規定されている28.8Mbpsのデータ転送速度では速度性能が不足する恐れがあるため、SLIMbus(登録商標)規格の拡張が望まれる。この際に、例えば単純にSLIMバス上のクロック周波数を上げるような方式を用いると下位互換性が保てなくなる恐れがある。そこで、後述する本実施の形態によるSLIMバスの動作方式を用いることが有益となる。   When the configuration example described in FIGS. 1 to 3 is used, as described in FIG. 17, for example, the number of external terminals of the microcomputer MCU can be reduced, and the MCU and each semiconductor chip (WLANIC, BTIC) on the wiring board MBD. , SCIIC,...) Can be simplified. Further, the connection wiring between the MCU (MBD) and the external component (SPKBK1, SPKBK2, MICBK) can be simplified. As a result, the mobile phone system can be downsized. However, in particular, a wireless LAN (WLANIC) or Bluetooth (registered trademark) (BTIC) may require a data transfer rate of, for example, several hundred Mbps, and the cellular phone (MODIC) also improves the data rate. Is making great strides. As a result, the data transfer rate of 28.8 Mbps defined in the SLIMbus (registered trademark) standard may be insufficient in speed performance. Therefore, the extension of the SLIMbus (registered trademark) standard is desired. At this time, for example, if a method of simply increasing the clock frequency on the SLIM bus is used, there is a risk that backward compatibility cannot be maintained. Therefore, it is beneficial to use the SLIM bus operation method according to the present embodiment described later.

《本実施の形態によるSLIMバスの動作方式[1]》
図4(a)、(b)は、図1の通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図である。図5は、図4(a)、(b)にそれぞれ対応するSLIMバス上の1スロット分の動作波形例を示す概略図である。図4(a)、(b)には、図18で説明したフレーム構造に対応する一部のフレーム構造が示されている。ここでは、データ領域DATSP内にチャネルA(CH_A)とチャネルB(CH_B)が確立された場合を例としており、各チャネルのセグメント長(一連のスロット群の長さ)は共に「3」に設定されている。ここで、本実施の形態による通信システムは、SLIMバスの動作モードとして、図4(a)に示すようなSDRモードに加えて、図4(b)に示すようなDDR(Double Data Rate)モードを備えていることが主要な特徴となっている。
<< SLIM bus operation method according to this embodiment [1] >>
FIGS. 4A and 4B are conceptual diagrams showing an example of the structure of a frame flowing on the SLIM bus in the communication system of FIG. FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of operation waveforms for one slot on the SLIM bus corresponding to FIGS. 4 (a) and 4 (b). 4A and 4B show a part of the frame structure corresponding to the frame structure described in FIG. In this example, channel A (CH_A) and channel B (CH_B) are established in the data area DATSP, and the segment length of each channel (the length of a series of slot groups) is set to “3”. Has been. Here, in the communication system according to the present embodiment, as an operation mode of the SLIM bus, in addition to the SDR mode as shown in FIG. 4A, a DDR (Double Data Rate) mode as shown in FIG. It is the main feature to have.

図4(a)に示すフレーム構造は、図18に示したフレーム構造と同様であり、図5のSDRモードに示すように、各スロットSLTが4個のセルCLによって構成され、各CLに1ビットのデータが割り当てられている。図5に示すSDRモードでは、図4(a)における1個のスロット(スロットデータ)「DA0」が例示されており、「DA0」は4個のセルに対応して4ビットのセルデータDA0[3],DA0[2],DA0[1],DA0[0]を備える。一方、図4(b)に示すフレーム構造は、図18に示したフレーム構造を拡張したものであり、ここでは、チャネルA(CH_A)がDDRモードで動作した場合を示している。   The frame structure shown in FIG. 4A is the same as the frame structure shown in FIG. 18, and each slot SLT is composed of four cells CL as shown in the SDR mode of FIG. Bit data is allocated. In the SDR mode shown in FIG. 5, one slot (slot data) “DA0” in FIG. 4A is illustrated, and “DA0” corresponds to 4 cells of 4-bit cell data DA0 [ 3], DA0 [2], DA0 [1], DA0 [0]. On the other hand, the frame structure shown in FIG. 4B is an extension of the frame structure shown in FIG. 18, and here, the case where the channel A (CH_A) operates in the DDR mode is shown.

図4(b)に示すフレーム構造は、図4(a)における1個のスロット(スロットデータ)(例えばDA0)内に2倍の情報(例えばDA0a,DA0b)が含まれる構造となっている。具体的には、図5のDDRモードに示すように、クロック信号CLKの両エッジを利用して1個のセルCL内に2ビットのデータが割り当てられる。図5に示すDDRモードでは、SDRモードにおけるセルデータDA0[3]が拡張セルデータDA0a[3],DA0b[3]に置き換わり、以降同様にして、SDRモードにおけるセルデータDA0[0]が拡張セルデータDA0a[0],DA0b[0]に置き換わっている。   The frame structure shown in FIG. 4B is a structure in which double information (for example, DA0a, DA0b) is included in one slot (slot data) (for example, DA0) in FIG. 4A. Specifically, as shown in the DDR mode of FIG. 5, 2-bit data is allocated in one cell CL using both edges of the clock signal CLK. In the DDR mode shown in FIG. 5, the cell data DA0 [3] in the SDR mode is replaced with the extended cell data DA0a [3], DA0b [3], and thereafter the cell data DA0 [0] in the SDR mode is changed to the extended cell. Data DA0a [0] and DA0b [0] are replaced.

このような動作方式を用いると、図5に示すように、SLIMバス上のクロック信号CLKの周波数を上げることなく、データ信号DATの動作周波数をクロック周波数の2倍にすることで、SDRモード時と比べて2倍のデータ転送速度が実現可能になる。すなわち、ある期間のデータ領域DATSPに対応するSLIMバス上のデータ信号DATは、特定のデバイス(ソースデバイスとシンクデバイス)のみで使用され、バス上の他のデバイスには影響を及ぼさない。一方、SLIMバス上のクロック信号CLKは、バス上の全デバイスに影響を及ぼす。   When such an operation method is used, the operation frequency of the data signal DAT is doubled as the clock frequency without increasing the frequency of the clock signal CLK on the SLIM bus, as shown in FIG. The data transfer rate can be doubled compared to the above. That is, the data signal DAT on the SLIM bus corresponding to the data area DATSP for a certain period is used only by a specific device (source device and sink device) and does not affect other devices on the bus. On the other hand, the clock signal CLK on the SLIM bus affects all devices on the bus.

そこで、この性質を利用して、SLIMバス上のクロック信号CLKの周波数は一定とし、DDRモードに対応したデバイス同士で通信を行う際には、例えばCLKに基づいて各デバイスの内部で2倍の内部クロック信号を生成し、当該内部クロック信号を用いてデータ信号DATのみの動作周波数を2倍とした状態でデータ送受信を行えばよい。具体的には、例えば前述した図20および図21において、各フリップフロップ回路FF1〜FF5にクロック信号CLKの2倍の内部クロック信号を供給すればよい。また、例えば、DDRモードとSDRモードを兼ね備えたデバイスの通信相手がSDRモードにしか対応していないような場合には、共にSDRモードを用いて通信を行えばよい。これによって、SLIMbus(登録商標)規格上の下位互換性を維持した状態で、データ転送速度の高速化を図ることが可能になる。   Therefore, by utilizing this property, the frequency of the clock signal CLK on the SLIM bus is fixed, and when communication between devices corresponding to the DDR mode is performed, for example, twice in each device based on CLK. An internal clock signal may be generated, and data transmission / reception may be performed using the internal clock signal in a state where the operating frequency of only the data signal DAT is doubled. Specifically, for example, in FIGS. 20 and 21 described above, an internal clock signal that is twice the clock signal CLK may be supplied to each of the flip-flop circuits FF1 to FF5. Further, for example, when a communication partner of a device having both the DDR mode and the SDR mode is compatible only with the SDR mode, both may communicate using the SDR mode. As a result, it is possible to increase the data transfer rate while maintaining backward compatibility according to the SLIMbus (registered trademark) standard.

しかしながら、図19(a)で述べたように、SLIMバス上のデータ転送はNRZI信号を用いて行われる。このため、図4および図5で述べたような動作方式を用いると次のような事態が生じる恐れがある。図6は、図4および図5の動作方式に伴う問題点の一例を示す説明図である。図6では、デバイスA(DEVa)がDDRモードを用いてSLIMバスにデータDA2の送信を行ったのち、続けて、デバイスB(DEVb)がSDRモードを用いてSLIMバス上にデータDB0の送信を行っている。すなわち、図6には図4(b)における「DA2b」と「DB0」の繋ぎ目の部分が示されている。   However, as described in FIG. 19A, data transfer on the SLIM bus is performed using the NRZI signal. For this reason, if the operation method described in FIGS. 4 and 5 is used, the following situation may occur. FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of problems associated with the operation methods of FIGS. 4 and 5. In FIG. 6, after device A (DEVa) transmits data DA2 to the SLIM bus using DDR mode, device B (DEVb) subsequently transmits data DB0 on the SLIM bus using SDR mode. Is going. That is, FIG. 6 shows a joint portion between “DA2b” and “DB0” in FIG.

DEVaは、送信データTXDAT2a[2],2b[2],…,2a[0],2b[0]に応じて、クロック信号CLKの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジに同期してデータ線DAT上にNRZI信号のデータDA2a[2],2b[2],…,2a[0],2b[0]を順に送出する。この際にセグメントの最終データDA2b[0]はCLKの立ち下がりエッジから出力される。一方、DEVbは、図20および図21でも述べたように、このDA2b[0]に伴うCLKの立ち下がりエッジを用いてDATのデータを取り込み、当該データと送信データTXDAT0[3]のEXOR演算結果に基づきセグメントの最初のデータDB0[3]を次のCLKの立ち上がりエッジでDATに送出する。しかしながら、このDATのデータの取り込みの際には、DEVaによるDA2b[0]の送出が行われているため、当該DATの取り込みデータは不定値「X」となり、DEVbによって正しいNRZI信号が送出できない恐れがある。なお、ここでは、送信動作を例に説明を行ったが、受信動作に関しても同様の問題が生じ得る。   DEVa is NRZI on the data line DAT in synchronization with the rising edge and falling edge of the clock signal CLK according to the transmission data TXDAT2a [2], 2b [2], ..., 2a [0], 2b [0]. Signal data DA2a [2], 2b [2],..., 2a [0], 2b [0] are sent in order. At this time, the final data DA2b [0] of the segment is output from the falling edge of CLK. On the other hand, as described in FIG. 20 and FIG. 21, DEVb takes in the DAT data using the falling edge of CLK accompanying this DA2b [0], and the EXOR operation result of the data and transmission data TXDAT0 [3] Based on the above, the first data DB0 [3] of the segment is sent to DAT at the next rising edge of CLK. However, since DA2b [0] is transmitted by DEVa at the time of capturing DAT data, the captured data of DAT becomes an indefinite value “X”, and DEVb may not transmit a correct NRZI signal. There is. Although the transmission operation has been described as an example here, the same problem may occur with respect to the reception operation.

《本実施の形態によるSLIMバスの動作方式[2]》
図7は、図4(b)の変形例であり、図1の通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図である。図6で述べたような問題を解決するため、図7に示すような動作方式を用いることが有益となる。図7の動作方式は、DDRモードのデバイス(チャネルA(CH_A))に続いてSDRモードのデバイス(チャネルB(CH_B))が動作する際に、DDRモードにおける各セグメントの最終スロットデータ(DA2,DA5,DA8,…)がSDRモードで送出されることが特徴となっている。これによって、SDRモードのデバイスが各セグメントの最初のデータ(DB0,DB3,DB6,…)をクロック信号の立ち上がりエッジから送出する際に、その直前のクロック信号の立ち下がりエッジでデータ線DAT上のデータを正しく取り込むことが可能になる。また、図7から判るように、DDRモードにおいて最終スロットデータ以外はDDRモードで送出されるため、SDRモードのみを使用する場合と比べてデータ転送速度の向上が図れる。
<< SLIM bus operation method according to this embodiment [2] >>
7 is a modified example of FIG. 4B, and is a conceptual diagram showing a structural example of a frame flowing on the SLIM bus in the communication system of FIG. In order to solve the problem described with reference to FIG. 6, it is beneficial to use an operation method as shown in FIG. The operation method of FIG. 7 is that when the device in the DDR mode (channel B (CH_B)) is operated following the device in the DDR mode (channel A (CH_A)), the last slot data (DA2, DA2) of each segment in the DDR mode is operated. DA5, DA8,...) Are transmitted in the SDR mode. Thus, when the device in the SDR mode sends the first data (DB0, DB3, DB6,...) Of each segment from the rising edge of the clock signal, the data on the data line DAT at the falling edge of the clock signal immediately before that. Data can be captured correctly. As can be seen from FIG. 7, since data other than the last slot data is transmitted in the DDR mode in the DDR mode, the data transfer rate can be improved as compared with the case where only the SDR mode is used.

《SLIMバス用インタフェース回路の詳細》
図8は、図1の通信システムにおいて、SLIMバス上のホストデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。図9は、図1の通信システムにおいて、SLIMバス上のスレーブデバイスが備えるインタフェース回路の主要部の構成例を示す回路図である。図20および図21で述べたように、必ずしも限定はされないが、ホストデバイスは代表的には図1のマイクロコンピュータMCUに該当し、スレーブデバイスは、図1におけるその他のデバイス(WLANIC,BTIC,…,SPKIC2,MICIC)に該当する。
<< Details of SLIM Bus Interface Circuit >>
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration example of a main part of an interface circuit included in a host device on the SLIM bus in the communication system of FIG. FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration example of a main part of an interface circuit included in a slave device on the SLIM bus in the communication system of FIG. As described with reference to FIGS. 20 and 21, the host device typically corresponds to the microcomputer MCU of FIG. 1, and the slave devices are the other devices (WLANIC, BTIC,...) In FIG. , SPKIC2, MICIC).

図8に示すSLIMバス用インタフェース回路SLMBIF(Host)は、フリップフロップ回路FF1〜FF5と、出力バッファ回路OBF1,OBF2と、入力バッファ回路IBF1と、EXOR(排他的論理和)演算回路EOR1,EOR2と、バス保持回路BSKPを備え、加えてクロック制御回路CKCTL1を備えている。すなわち、図20の構成例と比較すると、CKCTL1が加わり、またOBF2の入力元が変更された構成となっている。以下、図20と重複する部分に関しては簡単に説明を行うと共に、図20との相違点に着目して説明を行う。   The SLIM bus interface circuit SLMBIF (Host) shown in FIG. 8 includes flip-flop circuits FF1 to FF5, output buffer circuits OBF1 and OBF2, input buffer circuit IBF1, EXOR (exclusive OR) operation circuits EOR1 and EOR2, And a bus holding circuit BSKP, and in addition, a clock control circuit CKCTL1. That is, as compared with the configuration example of FIG. 20, CKCTL1 is added and the input source of OBF2 is changed. Hereinafter, a part overlapping with FIG. 20 will be described briefly, and the description will be made paying attention to a difference from FIG.

CKCTL1は、DDR・SDRモード制御回路DSRCTLと、クロック生成回路CKGHと、セレクタ回路SELを備える。CKGHは、1倍のクロック信号のその2倍の周波数を持つクロック信号を生成する。DSRCTLは、DDRモードイネーブル信号DDRENのイネーブル(アサート)・ディスエーブル(ネゲート)を制御する。SELは、DDRENがイネーブル状態の際(ここでは‘1’)の際にCKGHからの2倍のクロック信号を内部クロック信号CKとして出力し、DDRENがディスエーブル状態の際(ここでは‘0’)の際にCKGHからの1倍のクロック信号をCKとして出力する。OBF2は、DDRENに関わらず、CKGHからの1倍のクロック信号を入力として、それをSLIMバスSLMBS上のクロック配線CLKに供給する。   CKCTL1 includes a DDR / SDR mode control circuit DSRCTL, a clock generation circuit CKGH, and a selector circuit SEL. The CKGH generates a clock signal having a frequency twice that of a one-time clock signal. DSRCTL controls enable (assert) / disable (negate) of the DDR mode enable signal DDREN. The SEL outputs a double clock signal from the CKGH as the internal clock signal CK when the DDREN is enabled (here, “1”), and when the DDREN is disabled (here, “0”). At this time, a clock signal of 1 time from CKGH is output as CK. Regardless of DDREN, OBF2 inputs a clock signal of 1 time from CKGH and supplies it to clock wiring CLK on SLIM bus SLMBS.

送信動作の際には、SLMBS上のデータ配線DATのデータがCKの立ち下がりエッジでFF3に取り込まれ、当該データと送信データTXDATのEXOR演算が行われる。そして、このEXOR演算結果がCKの立ち上がりエッジでFF1に取り込まれ、OBF1を介してSLMBS上のDATに送出される。一方、受信動作の際には、前述したFF3の出力と、その前サイクルのFF3の出力(すなわちFF4の出力)とのEXOR演算が行われる。そして、このEXOR演算結果がCKの立ち上がりエッジでFF5に取り込まれ、受信データRXDATとなる。   In the transmission operation, the data of the data wiring DAT on the SLMBS is taken into the FF3 at the falling edge of CK, and the data and the transmission data TXDAT are subjected to an EXOR operation. Then, this EXOR operation result is taken into FF1 at the rising edge of CK and sent to DAT on SLMBS via OBF1. On the other hand, during the reception operation, an EXOR operation is performed on the output of FF3 described above and the output of FF3 in the previous cycle (that is, the output of FF4). Then, this EXOR operation result is taken into the FF 5 at the rising edge of CK and becomes reception data RXDAT.

また、図9に示すインタフェース回路SLMBIF(Slave)は、前述した図8におけるCKCTL1がクロック制御回路CKCTL2に置き換わり、更にOBF2が入力バッファ回路IBF2に置き換わった構成を備えている。これ以外の構成に関しては図8と同様であるため、詳細な説明は省略する。IBF2は、SLIMバスSLMBS上のクロック配線CLKを入力とする。CKCTL2は、CKCTL1のCKGHがクロック生成回路CKGSに置き換わり、加えてCKCTL1と同様のDDR・SDRモード制御回路DSRCTLならびにセレクタ回路SELを備えている。CKGSは、前述したCKGHと異なり、IBF2の出力に基づいて、CLKと同じ周波数(1倍)を持つクロック信号と、その2倍の周波数を持つクロック信号を生成する。SELは、この1倍または2倍のクロック信号をDSRCTLからのDDRモードイネーブル信号DDRENに応じて選択し、内部クロック信号CKとして出力する。なお、特に限定はされないが、CKGH,CKGSは、例えばPLL(Phase Locked Loop)回路等によって構成される。   The interface circuit SLMBIF (Slave) shown in FIG. 9 has a configuration in which the above-described CKCTL1 in FIG. 8 is replaced with the clock control circuit CKCTL2, and OBF2 is replaced with the input buffer circuit IBF2. Since the configuration other than this is the same as that of FIG. 8, detailed description thereof is omitted. The IBF 2 receives the clock wiring CLK on the SLIM bus SLMBS as an input. CKCTL2 includes a DDR / SDR mode control circuit DSRCTL similar to CKCTL1 and a selector circuit SEL, in which CKGH of CKCTL1 is replaced with a clock generation circuit CKGS. Unlike CKGH described above, CKGS generates a clock signal having the same frequency (1 times) as CLK and a clock signal having twice that frequency based on the output of IBF2. The SEL selects this 1 or 2 times clock signal according to the DDR mode enable signal DDREN from the DSRCTL, and outputs it as the internal clock signal CK. Although not particularly limited, CKGH and CKGS are configured by, for example, a PLL (Phase Locked Loop) circuit or the like.

図10は、図8および図9のインタフェース回路における主要な動作例を示す波形図である。図10では、例えば、図7における「DA0a」〜「DA2」周りに対応する図8および図9の動作波形例が示されている。また、この際の送信データTXDATは全て‘1’であるものとして説明を行う。図10において、1スロット(SLT)目は図7の「DA0a」「DA0b」に、2SLT目は図7の「DA1a」「DA1b」に、3SLT目は図7の「DA2」にそれぞれ対応する。図8および図9のDDR・SDRモード制御回路DSRCTLは、図7で述べたように1SLT目および2SLT目をDDRモードで動作させるため、この期間でのDDRモードイネーブル信号DDRENを‘1’に制御し、また、3SLT目をSDRモードで動作させるため、この期間でのDDRENを‘0’に制御する。これに伴い、1SLT目および2SLT目では、SLIMバス上のクロック信号CLKの2倍の周波数を持つ内部クロック信号CKが生成され、3SLT目ではCLKと同じ周波数を持つCKが生成される。   FIG. 10 is a waveform diagram showing a main operation example in the interface circuit of FIGS. In FIG. 10, for example, the operation waveform examples of FIG. 8 and FIG. 9 corresponding to around “DA0a” to “DA2” in FIG. 7 are shown. Further, the description will be made assuming that the transmission data TXDAT at this time is all “1”. 10, the first slot (SLT) corresponds to “DA0a” and “DA0b” in FIG. 7, the second SLT corresponds to “DA1a” and “DA1b” in FIG. 7, and the third SLT corresponds to “DA2” in FIG. The DDR / SDR mode control circuit DSRCTL of FIGS. 8 and 9 controls the DDR mode enable signal DDREN to “1” during this period in order to operate the first and second SLTs in the DDR mode as described in FIG. Further, in order to operate the third SLT in the SDR mode, DDREN during this period is controlled to '0'. Accordingly, an internal clock signal CK having a frequency twice that of the clock signal CLK on the SLIM bus is generated at the first SLT and the second SLT, and CK having the same frequency as CLK is generated at the third SLT.

まず、送信動作について説明を行う。1SLT目において、内部クロック信号CKに同期して1番目のデータを送信する際には、予めフリップフロップ回路FF3を用いて、その前クロックサイクルC0におけるCKの立ち下がりエッジに同期してデータ配線DATのデータがラッチされる。そして、このFF3の出力と送信データTXDATとのEXOR演算結果が次のクロックサイクルC1(1SLT目の1番目のクロックサイクル)におけるCKの立ち上がりエッジに同期してDATに送出される。DDRモードでの連続する送信期間内においても同様に、例えば、1SLT目の3番目のクロックサイクルC3でデータを送信する際には、FF3によりその前クロックサイクルC2におけるCKの立ち下がりエッジに同期してDATのデータがラッチされる。そして、このFF3の出力と送信データTXDATとのEXOR演算結果が次のクロックサイクルC3におけるCKの立ち上がりエッジに同期してDATに送出される。   First, the transmission operation will be described. At the first SLT, when transmitting the first data in synchronization with the internal clock signal CK, the data line DAT is synchronized with the falling edge of CK in the previous clock cycle C0 using the flip-flop circuit FF3 in advance. Are latched. Then, the EXOR operation result of the output of FF3 and the transmission data TXDAT is sent to DAT in synchronization with the rising edge of CK in the next clock cycle C1 (first clock cycle of the first SLT). Similarly, in the continuous transmission period in the DDR mode, for example, when data is transmitted in the third clock cycle C3 of the first SLT, the FF3 synchronizes with the falling edge of CK in the previous clock cycle C2. DAT data is latched. Then, the EXOR operation result of the output of FF3 and the transmission data TXDAT is sent to DAT in synchronization with the rising edge of CK in the next clock cycle C3.

次に受信動作について説明を行う。1SLT目において、CKに同期して1番目のデータを受信する際には、予めFF3を用いてその前クロックサイクルC0におけるCKの立ち下がりエッジに同期して前クロックサイクルC0のDATのデータがラッチされる。当該ラッチデータは、次のクロックサイクルC1(1SLT目の1番目のクロックサイクル)におけるCKの立ち下がりエッジに同期してFF4でラッチされる。更に、このC1では、FF3によって、CKの立ち下がりエッジに同期して現クロックサイクルC1のDATのデータがラッチされる。そして、この前クロックサイクルC0のラッチデータ(FF4の出力)と現クロックサイクルC1のラッチデータ(FF3の出力)とのEXOR演算結果がCKの次のクロックサイクルC2(1SLT目の2番目のクロックサイクル)の立ち上がりエッジに同期して受信データRXDATとして内部に伝達される。   Next, the reception operation will be described. At the 1st SLT, when receiving the first data in synchronization with CK, the DAT data in the previous clock cycle C0 is latched in synchronization with the falling edge of CK in the previous clock cycle C0 using FF3 in advance. Is done. The latch data is latched by the FF 4 in synchronization with the falling edge of CK in the next clock cycle C1 (first clock cycle of the first SLT). In C1, the DAT data in the current clock cycle C1 is latched by FF3 in synchronization with the falling edge of CK. Then, the EXOR operation result of the latch data of the previous clock cycle C0 (output of FF4) and the latch data of the current clock cycle C1 (output of FF3) is the clock cycle C2 next to CK (the second clock cycle of the 1SLT). ) Is transmitted to the inside as received data RXDAT in synchronization with the rising edge.

DDRモードでの連続する受信期間内においても同様に、例えば、1SLT目の3番目のクロックサイクルC3でデータを受信する際には、FF3によりその前クロックサイクルC2におけるCKの立ち下がりエッジに同期してDATのデータがラッチされる。当該ラッチデータは、次のクロックサイクルC3におけるCKの立ち下がりエッジに同期してFF4でラッチされる。更に、このC3では、FF3によって、CKの立ち下がりエッジに同期して現クロックサイクルC3のDATのデータがラッチされる。そして、この前クロックサイクルC2のラッチデータ(FF4の出力)と現クロックサイクルC3のラッチデータ(FF3の出力)とのEXOR演算結果がCKの次のクロックサイクルC4(1SLT目の4番目のクロックサイクル)の立ち上がりエッジに同期してRXDATとして内部に伝達される。   Similarly, in the continuous reception period in the DDR mode, for example, when data is received in the third clock cycle C3 of the first SLT, the FF3 synchronizes with the falling edge of CK in the previous clock cycle C2. DAT data is latched. The latch data is latched by the FF 4 in synchronization with the falling edge of CK in the next clock cycle C3. Further, in C3, the DAT data of the current clock cycle C3 is latched by FF3 in synchronization with the falling edge of CK. Then, the EXOR operation result of the latch data (FF4 output) of the previous clock cycle C2 and the latch data (FF3 output) of the current clock cycle C3 is the clock cycle C4 (fourth clock cycle of the first SLT) next to CK. ) Is transmitted to the inside as RXDAT in synchronization with the rising edge.

ここで、図10の送信動作および受信動作では、前述したように3SLT目がSDRモードで動作している。したがって、この3SLT目に続いて別のデバイスがクロックサイクルCn+1でデータ送信を行う際(すなわち例えば図7の「DB0」を送信する際)には、当該別のデバイスは、その前クロックサイクルCnにおいて自身の内部クロック信号CKの立ち下がりエッジに同期してデータ配線DATのデータを確実にラッチすることができる。すなわち、CnはSDRモードであるため、クロック信号CLKの立ち下がりエッジに同期したDATのデータ遷移は行われない。その結果、図6で述べたような問題を生じさせずに、データ転送速度の向上が図れる。なお、ここでは、各セグメントの最終スロット内の全クロックサイクルをSDRモードとしたが、原理的には、当該最終スロット内の最後のクロックサイクル(図10のCn)のみがSDRモードであればよい。ただし、SLIMbus(登録商標)規格に限れば、スロット単位でデータ処理が行われため、図10のように、1スロット内にDDRモードとSDRモードを混在させない動作方式とする方が望ましい。   Here, in the transmission operation and the reception operation of FIG. 10, the third SLT operates in the SDR mode as described above. Therefore, when another device transmits data in the clock cycle Cn + 1 following the third SLT (that is, when, for example, “DB0” in FIG. 7 is transmitted), the other device is in the previous clock cycle Cn. Data in the data line DAT can be reliably latched in synchronization with the falling edge of its own internal clock signal CK. That is, since Cn is in the SDR mode, DAT data transition is not performed in synchronization with the falling edge of the clock signal CLK. As a result, the data transfer rate can be improved without causing the problem described with reference to FIG. Here, all the clock cycles in the last slot of each segment are set to the SDR mode. However, in principle, only the last clock cycle (Cn in FIG. 10) in the last slot may be in the SDR mode. . However, as long as it is limited to the SLIMbus (registered trademark) standard, data processing is performed in units of slots. Therefore, as shown in FIG. 10, it is desirable to use an operation method in which the DDR mode and the SDR mode are not mixed in one slot.

《SLIMバスの動作方式[2]の初期設定方法》
図11は、図7の動作方式において、その初期設定(コンフィグ)方法の一例を示すフロー図である。SLIMbus(登録商標)規格では、図18で述べたように、コントロール領域CTLSP内のメッセージチャネルを用いて予め通信の初期設定(コンフィグ)を行うことが可能となっている。そこで、本実施の形態では、ホストデバイス(アクティブマネージャ)(代表的には図1のMCU)がSLIMバス上の対象スレーブデバイス(図1のMCU以外のデバイス)に対してDDRモードに対応しているか否かを当該メッセージチャネルを用いて予め問い合わせ、その結果に基づいてチャネルの構築を行う。
<< Initial setting method of SLIM bus operation method [2] >>
FIG. 11 is a flowchart showing an example of an initial setting (config) method in the operation method of FIG. In the SLIMbus (registered trademark) standard, as described with reference to FIG. 18, it is possible to perform communication initial setting (configuration) in advance using a message channel in the control area CTLSP. Therefore, in this embodiment, the host device (active manager) (typically, the MCU in FIG. 1) supports the DDR mode for the target slave device (device other than the MCU in FIG. 1) on the SLIM bus. Whether or not the message channel is inquired in advance, and the channel is constructed based on the result.

ここでは、前提として、ホストデバイスはDDRモードに対応しているものとし、各スレーブデバイスは、「User Information Element」と呼ばれる自身内部の設定ビットにDDRモードへの対応有無の情報を保持しているものとする。また、スレーブデバイスをDDRモードで動作させる際の命令として、「NEXT_DDR_CHANNEL」メッセージが新たに設けられるものとする。更に、各スレーブデバイスはホストデバイスとの間でデータ送受信を行うものとする。図11において、ステップS201〜S206からなるステップS200は、SLIMbus(登録商標)規格で一般的に行われるコンフィグフローであり、ステップS101〜S104からなるステップS100は、本実施の形態の動作方式に伴い新たに追加されたものである。   Here, as a premise, it is assumed that the host device is compatible with the DDR mode, and each slave device holds information on the presence / absence of support for the DDR mode in a setting bit called “User Information Element”. Shall. In addition, it is assumed that a “NEXT_DDR_CHANNEL” message is newly provided as an instruction for operating the slave device in the DDR mode. Further, each slave device performs data transmission / reception with the host device. In FIG. 11, step S200 consisting of steps S201 to S206 is a configuration flow generally performed in the SLIMbus (registered trademark) standard, and step S100 consisting of steps S101 to S104 is associated with the operation method of the present embodiment. Newly added.

図11では、まず、ホストデバイスが、通信相手のスレーブデバイスに対して「REQUEST_INFORMATION」メッセージを用いて「User Information Element」の送信命令を発行する(S101)。次いで、ホストデバイスは、対象スレーブデバイスからの「User Information Element」の情報を含む「REPLAY_INFORMATION」メッセージを受信する(S102)。続いて、ホストデバイスは、S102の情報に基づいて、対象スレーブデバイスがDDRモードに対応しているか否かを判別する(S103)。ここで、DDRモードに対応している場合、ホストデバイスは対象スレーブデバイスに対して「NEXT_DDR_CHANNEL」メッセージを送信したのちS201へ移行する(S104)。一方、DDRモードに対応していない場合は、そのままS201へ移行する。   In FIG. 11, first, the host device issues a “User Information Element” transmission command to the slave device of the communication partner by using a “REQUEST_INFORMATION” message (S101). Next, the host device receives the “REPLAY_INFORMATION” message including the information of “User Information Element” from the target slave device (S102). Subsequently, the host device determines whether or not the target slave device is compatible with the DDR mode based on the information of S102 (S103). If the host device is compatible with the DDR mode, the host device transmits a “NEXT_DDR_CHANNEL” message to the target slave device, and then proceeds to S201 (S104). On the other hand, if the DDR mode is not supported, the process proceeds to S201 as it is.

S201において、ホストデバイスは、対象スレーブデバイスに対して、「CONNECT_SOURCE」又は「CONNECT_SINK」メッセージを送信する。「CONNECT_SOURCE」メッセージを受信した対象スレーブデバイスはチャネル上でデータ送信動作を行い、「CONNECT_SINK」メッセージを受信した対象スレーブデバイスはチャネル上でデータ受信動作を行う。次いで、ホストデバイスは、対象スレーブデバイスに対して、「NEXT_DEFINE_CHANNEL」メッセージを送信する(S202)。「NEXT_DEFINE_CHANNEL」メッセージはチャネル番号を指示するためのものである。   In S201, the host device transmits a “CONNECT_SOURCE” or “CONNECT_SINK” message to the target slave device. The target slave device that has received the “CONNECT_SOURCE” message performs a data transmission operation on the channel, and the target slave device that has received the “CONNECT_SINK” message performs a data reception operation on the channel. Next, the host device transmits a “NEXT_DEFINE_CHANNEL” message to the target slave device (S202). The “NEXT_DEFINE_CHANNEL” message is for indicating a channel number.

続いて、ホストデバイスは、対象スレーブデバイスに対して、「NEXT_DEFINE_CONTENT」又は「CHANGE_CONTENT」メッセージを送信する(S203)。これらのメッセージは、図18で述べたようなチャネル配置(セグメントオフセット、セグメント長、セグメントインターバル)を指示するためのものである。次いで、ホストデバイスは、対象スレーブデバイスに対して、「NEXT_ACTIVATE_CHANNEL」メッセージを送信する(S204)。「NEXT_ACTIVATE_CHANNEL」メッセージは、次のリコンフィグ境界で、チャネルをアクティブにすること(データ転送を開始すること)を指示するためのものである。その後、ホストデバイスと対象スレーブデバイスとの間で「RECONFIG_NOW」メッセージを送受信することでリコンフィグ境界(フレームの境界(厳密にはスーパーフレームと呼ばれる8フレーム群の境界))が定められ(S205)、チャネルが確立される(S206)。   Subsequently, the host device transmits a “NEXT_DEFINE_CONTENT” or “CHANGE_CONTENT” message to the target slave device (S203). These messages are for indicating the channel arrangement (segment offset, segment length, segment interval) as described in FIG. Next, the host device transmits a “NEXT_ACTIVATE_CHANNEL” message to the target slave device (S204). The “NEXT_ACTIVATE_CHANNEL” message is for instructing to activate the channel (begin data transfer) at the next reconfiguration boundary. Thereafter, a “RECONFIG_NOW” message is transmitted and received between the host device and the target slave device to determine a reconfiguration boundary (frame boundary (strictly, a boundary of 8 frame groups called superframes)) (S205). A channel is established (S206).

これによって、例えば、前述したS104で「NEXT_DDR_CHANNEL」メッセージを受信した対象スレーブデバイスは、S206で確立されたチャネルにおいてホストデバイスとの間で図7および図10に示したようなDDRモードを用いて通信を行う。一方、S104で「NEXT_DDR_CHANNEL」メッセージを受信しなかった対象スレーブデバイスは、S206で確立されたチャネルにおいてホストデバイスとの間で通常のSDRモードを用いて通信を行う。このように、ステップS100のフローを追加することで、SLIMbus(登録商標)規格の下位互換性(すなわちSDRモードを用いたデータ送受信動作ならびにそれに伴うコンフィグフロー)を維持した状態で、対象スレーブデバイスがDDRモードに対応する場合のみそれを用いることが可能になる。なお、ここでは、スレーブデバイスの通信相手をホストデバイスとしたが、勿論、他のスレーブデバイスに設定することも可能である。この場合、図11の場合と同様にして、ホストデバイスが双方のスレーブデバイスに対してDDRモードへの対応有無を問い合わせ、双方共に対応有りの場合に双方に対して「NEXT_DDR_CHANNEL」メッセージを送信すればよい。   Accordingly, for example, the target slave device that has received the “NEXT_DDR_CHANNEL” message in S104 described above communicates with the host device using the DDR mode as illustrated in FIGS. 7 and 10 in the channel established in S206. I do. On the other hand, the target slave device that has not received the “NEXT_DDR_CHANNEL” message in S104 communicates with the host device using the normal SDR mode in the channel established in S206. In this way, by adding the flow of step S100, the target slave device can maintain the backward compatibility of the SLIMbus (registered trademark) standard (that is, the data transmission / reception operation using the SDR mode and the configuration flow associated therewith). It can be used only when the DDR mode is supported. Here, the communication partner of the slave device is the host device, but it is of course possible to set it to another slave device. In this case, as in the case of FIG. 11, the host device inquires of both slave devices whether or not the DDR mode is supported, and if both are compatible, a “NEXT_DDR_CHANNEL” message is transmitted to both. Good.

以上、本実施の形態1の半導体集積回路装置および通信システムを用いることで、代表的には、SLIMbus(登録商標)規格等の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度を向上させることが可能になる。   As described above, by using the semiconductor integrated circuit device and the communication system according to the first embodiment, it is possible to improve the data transfer speed while maintaining backward compatibility such as SLIMbus (registered trademark) standard. Become.

(実施の形態2)
本実施の形態2では、前述した図7の動作方式の変形例として、DDRモードのチャネルが連続する場合の動作方式について説明する。図12(a)、(b)は、本発明の実施の形態2による通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームのそれぞれ異なる構造例を示す概念図である。図13は、図12(b)の動作方式を用いた場合の図8および図9の詳細な動作例を示す波形図である。本実施の形態2による通信システムは、例えば前述した図1のような構成例を備え、その各デバイス(半導体集積回路装置)内に図8および図9に示したようなSLIMバス用インタフェース回路SLMBIFを備える。図12(a)、(b)に示すフレーム構造は、前述した図7のフレーム構造と比較して、チャネルB(CH_B)に対してもDDRモードが適用されている点が異なっている。
(Embodiment 2)
In the second embodiment, an operation method in the case where channels in the DDR mode are continuous will be described as a modified example of the operation method in FIG. 12 (a) and 12 (b) are conceptual diagrams showing different structural examples of frames flowing on the SLIM bus in the communication system according to the second embodiment of the present invention. FIG. 13 is a waveform diagram showing a detailed operation example of FIGS. 8 and 9 when the operation method of FIG. 12B is used. The communication system according to the second embodiment includes, for example, the configuration example shown in FIG. 1 described above, and the SLIM bus interface circuit SLMBIF as shown in FIGS. 8 and 9 in each device (semiconductor integrated circuit device). Is provided. The frame structure shown in FIGS. 12A and 12B is different from the frame structure of FIG. 7 described above in that the DDR mode is applied to the channel B (CH_B).

図12(a)に示すフレーム構造は、CH_BにおいてもチャネルA(CH_A)の場合と同様に、各セグメントの最終スロット(DB2,DB5,DB8,…)にSDRモードが適用されている。一方、図12(b)に示すフレーム構造は、CH_Bにおいては各セグメントの最終スロット(DB2,DB5,DB8,…)にSDRモードが適用されているが、CH_Aにおいては各セグメントの最終スロットに対してもDDRモードが適用されている。例えば、図10に示したように、DDRモードを適用するスロット期間においてのみDDRモードイネーブル信号DDRENをイネーブル状態にする場合を想定する。この場合、図12(a)において、CH_B側の各セグメントの最初のデータ(例えば「DB0a」内の1番目のクロックサイクルのデータ)を出力するために、CH_A側の各セグメントの最終スロット(例えばDA2)にSDRモードを適用し、データ配線DAT上のデータを検出できるようにする必要がある。   In the frame structure shown in FIG. 12A, the SDR mode is applied to the last slot (DB2, DB5, DB8,...) Of each segment in CH_B as in the case of channel A (CH_A). On the other hand, in the frame structure shown in FIG. 12B, the SDR mode is applied to the last slot (DB2, DB5, DB8,...) Of each segment in CH_B, but the last slot of each segment in CH_A. Even DDR mode is applied. For example, as shown in FIG. 10, it is assumed that the DDR mode enable signal DDREN is enabled only during the slot period in which the DDR mode is applied. In this case, in FIG. 12A, in order to output the first data of each segment on the CH_B side (for example, data of the first clock cycle in “DB0a”), the last slot (for example, each segment on the CH_A side) It is necessary to apply the SDR mode to DA2) so that data on the data wiring DAT can be detected.

ただし、例えば、図13に示すように、DDRENを実際にDDRモードを適用するスロット期間の1個前のスロット期間からイネーブル状態にすることで図12(b)に示したように、CH_Aにおける各セグメントの最終スロットに対してもDDRモードを適用することが可能になる。図13では、前述した図8および図9のインタフェース回路SLMBIFを用いて、図12(b)に示したように、CH_AにおいてDDRモードを用いた送信動作が行われ、続けてCH_BにおいてもDDRモードを用いた送信動作が行われている。ここで、CH_BにおけるDDRモードの送信動作は、図13に示すように、3SLTからなるセグメントの1SLT目(当該スロット内の1番目のクロックサイクルC01)から行われるが、それに先立って、CH_Aでの最終スロット(3SLT目)からDDRENがイネーブル状態(‘1’)に駆動されている。   However, as shown in FIG. 12B, for example, as shown in FIG. 12B, by enabling DDREN from the slot period immediately before the slot period in which the DDR mode is actually applied, as shown in FIG. The DDR mode can be applied to the last slot of the segment. In FIG. 13, using the interface circuit SLMBIF shown in FIGS. 8 and 9, the transmission operation using the DDR mode is performed in CH_A as shown in FIG. 12B, and then the DDR mode is also performed in CH_B. A transmission operation using is performed. Here, as shown in FIG. 13, the transmission operation in the DDR mode in CH_B is performed from the first SLT of the segment made up of 3SLT (the first clock cycle C01 in the slot), but prior to that, in CH_A From the last slot (third SLT), DDREN is driven to the enable state ('1').

この場合、CH_Bの1SLT目において、内部クロック信号CKに同期して1番目のデータを送信する際には、予めフリップフロップ回路FF3を用いて、その前クロックサイクルC00におけるCKの立ち下がりエッジに同期してデータ配線DATのデータがラッチされる。この際に、当該CKは、DDRENのイネーブル状態に伴いクロック信号CLKの2倍の周波数を持つため、図13から判るように、C00におけるCKの立ち下がりエッジのタイミングでDATの遷移は行われず、DATのデータを正確にラッチすることが可能になる。そして、このFF3の出力と送信データTXDATとのEXOR演算結果が次のクロックサイクルC01(1SLT目の1番目のクロックサイクル)におけるCKの立ち上がりエッジに同期してDATに送出される。   In this case, when the first data is transmitted in synchronization with the internal clock signal CK at the first SLT of CH_B, the flip-flop circuit FF3 is used in advance to synchronize with the falling edge of CK in the previous clock cycle C00. Thus, the data on the data line DAT is latched. At this time, since the CK has a frequency twice that of the clock signal CLK in accordance with the enable state of DDREN, as shown in FIG. 13, DAT transition is not performed at the timing of the falling edge of CK in C00. It becomes possible to accurately latch DAT data. Then, the EXOR operation result of the output of FF3 and the transmission data TXDAT is sent to DAT in synchronization with the rising edge of CK in the next clock cycle C01 (first clock cycle of the first SLT).

なお、CH_Bにおいては、この例では、各セグメントの最終スロットの後ろにコントロール領域CTLSPが続くため、最終スロットをSDRモードとしている。このように、図12(b)および図13に示すような動作方式を用いると、図12(a)の場合と比較して更なるデータ転送速度の向上が図れる。ただし、DDRENを前もってイネーブル状態にする必要性が有る(すなわち本来の範囲外でCKが2倍になってしまう)ことや、CH_Bの例のようにその後段のスロットの状況によっては適用が困難となること等から、前後のスロットの状況を判別する必要性が生じ、実際の制御や適用有無の判別が複雑化する恐れがある。この観点からは図12(a)に示したような方式を用いる方が望ましい。   In CH_B, in this example, since the control area CTLSP follows the last slot of each segment, the last slot is set to the SDR mode. As described above, when the operation method as shown in FIGS. 12B and 13 is used, the data transfer rate can be further improved as compared with the case of FIG. However, there is a need to enable DDRREN in advance (that is, CK is doubled outside the original range), and it may be difficult to apply depending on the situation of the subsequent slot as in the case of CH_B. For this reason, it becomes necessary to determine the status of the previous and subsequent slots, and there is a risk that the actual control and the determination of whether or not to apply will be complicated. From this point of view, it is desirable to use a system as shown in FIG.

以上、本実施の形態2の半導体集積回路装置および通信システムを用いることで、代表的には、SLIMbus(登録商標)規格等の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度を向上させることが可能になる。   As described above, by using the semiconductor integrated circuit device and the communication system according to the second embodiment, it is possible to improve the data transfer speed while maintaining backward compatibility such as SLIMbus (registered trademark) standard. Become.

(実施の形態3)
本実施の形態3では、前述した図7の動作方式の他の変形例について説明する。図14は、本発明の実施の形態3による通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図である。本実施の形態3による通信システムは、例えば前述した図1のような構成例を備え、その各デバイス(半導体集積回路装置)内に図8および図9に示したようなSLIMバス用インタフェース回路SLMBIFを備える。図14に示すフレーム構造は、前述した図7のフレーム構造と比較して、チャネルA(CH_A)における各セグメントの最終スロットがSDRモードではなく空白スロット(すなわち当該スロット期間中はデータ線DATのデータが継続的に保持される)となっている点が異なっている。最終スロットを空白スロットとすることで、図7の場合と比較してデータ転送速度は低下するが、SDRモードのみの場合よりはデータ転送速度の高速化が図れる場合があり、かつ図6に示したような問題を容易に解決することが可能になる。
(Embodiment 3)
In the third embodiment, another modification of the operation method of FIG. 7 described above will be described. FIG. 14 is a conceptual diagram showing a structure example of a frame flowing on the SLIM bus in the communication system according to the third embodiment of the present invention. The communication system according to the third embodiment includes, for example, the configuration example as shown in FIG. 1 described above, and the SLIM bus interface circuit SLMBIF as shown in FIGS. 8 and 9 in each device (semiconductor integrated circuit device). Is provided. The frame structure shown in FIG. 14 is different from the frame structure of FIG. 7 described above in that the last slot of each segment in channel A (CH_A) is not the SDR mode but is a blank slot (that is, data on the data line DAT during the slot period). Is continuously maintained). By making the last slot a blank slot, the data transfer rate is reduced as compared with the case of FIG. 7, but the data transfer rate may be increased as compared with the case of only the SDR mode, and as shown in FIG. It is possible to easily solve such problems.

図14に示したような動作方式は、ホストデバイス(アクティブマネージャ)が図18で述べたようなチャネル配置(セグメントオフセット、セグメント長、セグメントインターバル)を図11と同様なフローを用いて適切に設定することで容易に実現可能である。すなわち、DDRモードのチャネルと、その後段に割り当てられるチャネルとの間に空白のスロットが存在するようにチャネル配置を定めればよい。その具体例について説明する。図15は、図14の動作方式において、そのチャネル配置の決定方法の一例を示すフロー図である。   In the operation method shown in FIG. 14, the host device (active manager) appropriately sets the channel arrangement (segment offset, segment length, segment interval) as described in FIG. 18 using the same flow as in FIG. This can be easily realized. That is, the channel arrangement may be determined so that a blank slot exists between the channel in the DDR mode and the channel assigned to the subsequent stage. A specific example will be described. FIG. 15 is a flowchart showing an example of a channel allocation determination method in the operation method of FIG.

図15に示すフローは、例えば、一旦、ホストデバイスによってSDRモードをベースとしたチャネルパラメータ(チャネル配置)が作成されたのち(S301)、それを更新する形で行われる。この際には、ホストデバイス内でチャネル配置は作成されているが、その実際の設定(対象デバイスに対する指示)は未だ行われていない。この状態で、ホストデバイスは、例えば図11で述べたS101〜S103のようなフローを用いて、まず、対象デバイスがDDRモードに対応しているか否かを確認する(S302)。対応していない場合にはS308へ移行してチャネルパラメータの作成(更新)を完了し、対応している場合にはS303へ移行する。   The flow shown in FIG. 15 is performed, for example, after a channel parameter (channel arrangement) based on the SDR mode is once created by the host device (S301) and then updated. At this time, the channel arrangement has been created in the host device, but the actual setting (instruction for the target device) has not yet been performed. In this state, the host device first confirms whether or not the target device is compatible with the DDR mode using a flow such as S101 to S103 described in FIG. 11 (S302). If not supported, the process proceeds to S308 to complete the creation (update) of the channel parameter, and if supported, the process proceeds to S303.

S303において、ホストデバイスは、現在の作成済みのチャネルパラメータにおいて、対象デバイスのセグメント後に1スロット以上の空きが有るか否かを確認する。空きが有る場合には、図14に示したように、現在のチャネルパラメータを単純にDDRモードに変更し、S308へ移行してチャネルパラメータの作成(更新)を完了する。具体的には、例えば図11のS104のような処理によって対象デバイスに対してDDRモードの設定を行う。一方、S303において空きが無い場合にはS304へ移行する。   In S303, the host device checks whether or not there is one or more slots after the segment of the target device in the currently created channel parameter. If there is a vacancy, as shown in FIG. 14, the current channel parameter is simply changed to the DDR mode, and the process proceeds to S308 to complete the creation (update) of the channel parameter. Specifically, for example, the DDR mode is set for the target device by a process such as S104 in FIG. On the other hand, if there is no space in S303, the process proceeds to S304.

S304において、ホストデバイスは、現在の作成済みのチャネルパラメータにおいて、対象デバイスのセグメントを1スロット早められるか否かを確認する。早められる場合には、セグメントオフセット値を1スロット小さい値に変更し(S309)、S308へ移行してチャネルパラメータの作成(更新)を完了する。具体的には、例えば図11のS104のような処理により対象デバイスに対してDDRモードの設定を行い、その後S203のような処理により対象デバイスに対して変更後のセグメントオフセット値の値を設定する。なお、セグメントを1スロット早められる場合とは、例えば、対象デバイスのセグメントの前に1スロット以上の空きが存在するような場合である。一方、S304において早められない場合にはS305へ移行する。   In S304, the host device confirms whether or not the segment of the target device can be advanced by one slot in the currently created channel parameter. If it can be advanced, the segment offset value is changed to a value smaller by one slot (S309), and the process proceeds to S308 to complete the creation (update) of the channel parameters. Specifically, for example, the DDR mode is set for the target device by a process such as S104 in FIG. 11, and then the segment offset value after change is set for the target device by a process such as S203. . The case where the segment can be advanced by 1 slot is, for example, a case where there is a space of 1 slot or more before the segment of the target device. On the other hand, if it cannot be advanced in S304, the process proceeds to S305.

S305において、ホストデバイスは、現在の作成済みのチャネルパラメータにおいて、対象デバイスのセグメント長を1スロット短縮できるか否かを判別する。短縮できる場合には、セグメント長を1スロット小さい値に変更し(S310)、S308へ移行してチャネルパラメータの作成(更新)を完了する。具体的には、例えば図11のS104のような処理により対象デバイスに対してDDRモードの設定を行い、その後S203のような処理により対象デバイスに対して変更後のセグメント長の値を設定する。なお、セグメント長の短縮有無の判別は、例えば、現在のチャネルパラメータのセグメント長等に応じて判別される。すなわち、SDRモードでセグメント長が「2」の場合とDDRモードでセグメント長が「1」の場合とではデータ転送速度は同等であるため、この場合にはSDRモードで通信を行えばよい。一方、S305において短縮できない場合にはS306へ移行する。   In S305, the host device determines whether or not the segment length of the target device can be shortened by one slot in the currently created channel parameter. If it can be shortened, the segment length is changed to a value smaller by one slot (S310), and the process proceeds to S308 to complete the creation (update) of the channel parameters. Specifically, for example, the DDR mode is set for the target device by a process such as S104 in FIG. 11, and then the changed segment length value is set for the target device by a process such as S203. Whether or not the segment length is shortened is determined according to, for example, the segment length of the current channel parameter. That is, when the segment length is “2” in the SDR mode and when the segment length is “1” in the DDR mode, the data transfer speed is the same. In this case, communication may be performed in the SDR mode. On the other hand, if it cannot be shortened in S305, the process proceeds to S306.

S306において、ホストデバイスは、現在の作成済みのチャネルパラメータにおいて、フレーム上のデータ領域内のいずれかに、対象デバイスのセグメントを移動可能な大きさを持つ空きスロット領域が存在する否かを確認する。空きスロット領域が存在する場合には、当該空きスロット領域に対象デバイスのセグメントを移動し(S311)、S303へ移行して前述した処理を繰り返す。一方、S306において空きスロット領域が存在しない場合には、DDRモード化を断念し(S307)、S308へ移行してチャネルパラメータの作成(更新)を完了する。これによって、図14に示したようなDDRモードの動作方式が適用可能な場合のみでその適用が行われ、そうでない場合には通常のSDRモードでの動作が行われる。すなわち、SLIMbus(登録商標)規格の下位互換性が保たれる。   In S306, the host device confirms whether or not there is an empty slot area having a size capable of moving the segment of the target device in any of the data areas on the frame in the currently created channel parameter. . If there is an empty slot area, the segment of the target device is moved to the empty slot area (S311), the process proceeds to S303, and the above-described processing is repeated. On the other hand, if there is no empty slot area in S306, the DDR mode is abandoned (S307), and the process proceeds to S308 to complete the creation (update) of the channel parameters. Thus, the application is performed only when the DDR mode operation method as shown in FIG. 14 is applicable, and when it is not, the operation in the normal SDR mode is performed. That is, backward compatibility with the SLIMbus (registered trademark) standard is maintained.

以上、本実施の形態3の半導体集積回路装置および通信システムを用いることで、代表的には、SLIMbus(登録商標)規格等の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度を向上させることが可能になる。なお、ここではSLIMbus(登録商標)規格を想定して、少なくとも1スロット期間の空白を確保したが、原理的には、1クロックサイクル以上の空白が確保できればよい。   As described above, by using the semiconductor integrated circuit device and the communication system according to the third embodiment, it is possible to improve the data transfer speed while maintaining backward compatibility such as SLIMbus (registered trademark) standard. Become. Here, assuming a SLIMbus (registered trademark) standard, a blank of at least one slot period is secured. However, in principle, it is sufficient that a blank of one clock cycle or more can be secured.

(実施の形態4)
本実施の形態4では、前述した図7の動作方式の更に他の変形例について説明する。図16(a)は、本発明の実施の形態4による通信システムにおいて、そのSLIMバス上を流れるフレームの構造例を示す概念図であり、図16(b)は、図16(a)に対応するSLIMバス上の1スロット分の動作波形例を示す概略図である。図16(a)に示すフレーム構造は、前述した図7のフレーム構造と比較して、チャネルA(CH_A)における各セグメントの最終スロット以外のスロットがDDRモードではなくQDR(Quad Data Rate)モードとなっている点が異なっている。図16(a)において、各セグメントの最終スロットは、図7の動作方式と同様にSDRモードとなっているが、図14で述べたような空白スロットであってもよい。
(Embodiment 4)
In the fourth embodiment, still another modification of the operation method of FIG. 7 described above will be described. FIG. 16 (a) is a conceptual diagram showing an example of the structure of a frame flowing on the SLIM bus in the communication system according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 16 (b) corresponds to FIG. 16 (a). It is the schematic which shows the example of an operation | movement waveform for 1 slot on the SLIM bus | bath to perform. The frame structure shown in FIG. 16A is different from the frame structure of FIG. 7 described above in that the slots other than the last slot of each segment in channel A (CH_A) are not in DDR mode but in QDR (Quad Data Rate) mode. Is different. In FIG. 16A, the last slot of each segment is in the SDR mode as in the operation method of FIG. 7, but may be a blank slot as described in FIG.

図16(a)に示すフレーム構造は、例えば、図4(a)のフレーム構造と比較すると、図4(a)における1個のスロット(スロットデータ)(例えばDA0)内に4倍の情報(例えばDA0a,DA0b,DA0c,DA0d)が含まれる構造となっている。具体的には、図16(b)に示すように、QDRモードの各スロットSLT内にはクロック信号CLKの4サイクル分に対応して4個のセルCLが設けられ、1個のセルCL内に4ビットのデータが割り当てられる。図5のSDRモードと比較すると、図5のセルデータDA0[3]が図16(b)の拡張セルデータDA0(a[3],b[3],c[3],d[3])に置き換わり、以降同様にして、図5のセルデータDA0[0]が図16(b)の拡張セルデータDA0(a[0],b[0],c[0],d[0])に置き換わっている。   The frame structure shown in FIG. 16A is, for example, four times as much information (same as DA0) in FIG. 4A compared to the frame structure shown in FIG. For example, DA0a, DA0b, DA0c, DA0d) are included. Specifically, as shown in FIG. 16B, four cells CL are provided corresponding to four cycles of the clock signal CLK in each slot SLT in the QDR mode, and one cell CL is provided. 4 bits of data are assigned to. Compared with the SDR mode in FIG. 5, the cell data DA0 [3] in FIG. 5 is expanded cell data DA0 (a [3], b [3], c [3], d [3]) in FIG. In the same manner, the cell data DA0 [0] in FIG. 5 is changed to the extended cell data DA0 (a [0], b [0], c [0], d [0]) in FIG. It has been replaced.

このような動作方式を用いると、DDRモードの場合と同様にSLIMbus(登録商標)規格の下位互換性を保ちつつ、DDRモードの場合よりもデータ転送速度を更に向上させることが可能になる。すなわち、DDRモードの場合をN=1、QDRモードの場合をN=2として、1個のセル(CLKの1サイクル)内に2のN乗(N=1,2,3,…)のデータが割り当てられるように順次拡張を図り、データ転送速度を順次向上させることが可能になる。なお、本実施の形態4による通信システムは、例えば前述した図1のような構成例を備え、その各デバイス(半導体集積回路装置)内に図8および図9とほぼ同様のSLIMバス用インタフェース回路SLMBIFを備える。ただし、QDRモードに対応させるため、図8および図9におけるクロック生成回路CKGH,CKGSは、CLKの4倍のクロック信号を生成する。   When such an operation method is used, the data transfer rate can be further improved as compared with the case of the DDR mode while maintaining the backward compatibility of the SLIMbus (registered trademark) standard as in the case of the DDR mode. That is, N = 1 in the case of the DDR mode, N = 2 in the case of the QDR mode, and data of 2 N (N = 1, 2, 3,...) In one cell (one cycle of CLK). Can be expanded sequentially so that the data transfer rate can be improved sequentially. Note that the communication system according to the fourth embodiment includes, for example, the configuration example as shown in FIG. 1 described above, and the SLIM bus interface circuit substantially similar to that in FIGS. With SLMBIF. However, in order to correspond to the QDR mode, the clock generation circuits CKGH and CKGS in FIGS. 8 and 9 generate a clock signal four times the CLK.

以上、本実施の形態4の半導体集積回路装置および通信システムを用いることで、代表的には、SLIMbus(登録商標)規格等の下位互換性を保ちつつ、データ転送速度を向上させることが可能になる。   As described above, by using the semiconductor integrated circuit device and the communication system according to the fourth embodiment, it is possible to improve the data transfer speed while maintaining backward compatibility such as SLIMbus (registered trademark) standard. Become.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

本実施の形態による半導体集積回路装置および通信システムは、特に、SLIMbus(Serial Low-power Inter-chip Media Bus)(登録商標)規格を適用した携帯電話用半導体チップならびに携帯電話システムに適用して有効な技術であり、これに限らず、クロック配線およびデータ配線を持つ各種シリアル通信システムに対して広く適用可能である。   The semiconductor integrated circuit device and the communication system according to the present embodiment are particularly effective when applied to a mobile phone semiconductor chip and a mobile phone system to which SLIMbus (Serial Low-power Inter-chip Media Bus) (registered trademark) standard is applied. However, the present invention is not limited to this, and can be widely applied to various serial communication systems having clock wiring and data wiring.

ADC アナログ・ディジタル変換回路
ADPCM 音声処理回路
AMP アンプ回路
ANT1 アンテナ
ANTSW アンテナスイッチ回路
BS バス
BSKP バス保持回路
BTCT Bluetooth(登録商標)用の制御回路
BTIC Bluetooth(登録商標)用高周波信号処理チップ
BTIC 高周波信号処理チップ
CBL ケーブル
CK 内部クロック信号
CKCTL クロック制御回路
CKGH,CKGS クロック生成回路
CL セル
CLK クロック配線(クロック信号)
CPU プロセッサユニット
CTLSP コントロール領域
DAC ディジタル・アナログ変換回路
DAT データ配線(データ信号)
DATSP データ領域
DBGPT デバックポート
DDREN DDRモードイネーブル信号
DEV デバイス
DMAC ダイレクトメモリアクセスコントローラ
DPX デュプレクサ回路
DSRCTL DDR・SDRモード制御回路
EOR EXOR(排他的論理和)演算回路
FF フリップフロップ回路
FLT フィルタ回路
FRM フレーム
IBF 入力バッファ回路
LNA 低雑音増幅回路
MBD 配線基板
MCU マイクロコンピュータ
MEMSIC 各種センサ用制御チップ
MIC マイク
MICCT 音声入力用の制御回路
MICIC マイク制御チップ
MICIC 制御チップ
MIX ミキサ回路
MODIC 携帯電話用高周波信号処理チップ
NFCIC 小電力無線通信用制御チップ
OBF 出力バッファ回路
OE 出力イネーブル信号
PA パワーアンプ回路
PGA プログラマブルゲインアンプ回路
PWIC 電源制御チップ
RFSYS 通信システム
RXDAT 受信データ
SCI シリアル通信用の制御回路
SCIIC シリアル通信制御チップ
SEL セレクタ回路
SFRM サブフレーム
SLMBIF SLIMバス用インタフェース回路
SLMBS SLIMバス
SLT スロット
SOC システムLSI
SPK スピーカ
SPKCT 音声出力用の制御回路
SPKIC スピーカ制御チップ
SPKIC 制御チップ
TXDAT 送信データ
VCO 発振回路
WLANBK,BTBK,CP,SPKBK1,SPKBK2,MICBK,WLANBK’,BTBK’,SPKBK1’,SPKBK2’,MICBK’ 外部部品
WLANCT 無線LAN用制御回路
WLANIC 高周波信号処理チップ
WLANIC 無線LAN用高周波信号処理チップ
ADC Analog / digital conversion circuit ADPCM audio processing circuit AMP amplifier circuit ANT1 antenna ANTSW antenna switch circuit BS bus BSKP bus holding circuit BTCT Bluetooth (registered trademark) control circuit BTIC Bluetooth (registered trademark) high frequency signal processing chip BTIC high frequency signal processing Chip CBL Cable CK Internal clock signal CKCTL Clock control circuit CKGH, CKGS Clock generation circuit CL Cell CLK Clock wiring (clock signal)
CPU Processor unit CTLSP Control area DAC Digital / analog conversion circuit DAT Data wiring (data signal)
DATSP data area DBGPT debug port DDREN DDR mode enable signal DEV device DMAC direct memory access controller DPX duplexer circuit DSRCTL DDR / SDR mode control circuit EOR EXOR (exclusive OR) operation circuit FF flip-flop circuit FLT filter circuit FRM frame IBF input buffer Circuit LNA Low noise amplifier circuit MBD Wiring board MCU Microcomputer MEMSIC Control chip for various sensors MIC Microphone MICCT Control circuit for voice input MICIC Microphone control chip MICIC Control chip MIX Mixer circuit MODIC Mobile phone high frequency signal processing chip NFCIC Low power wireless communication Control chip OBF output buffer circuit OE output enable signal PA power amplifier circuit PGA programmable gain amplifier circuit PWIC power supply control chip RFSYS communication system RXDAT reception data SCI serial communication control circuit SCIIC serial communication control chip SEL selector circuit SFRM subframe SLMBIF SLIM bus interface circuit SLMBS SLIM bus SLT slot SOC system LSI
SPK speaker SPKCT control circuit for audio output SPKIC speaker control chip SPKIC control chip TXDAT transmission data VCO oscillation circuit WLANBK, BTBK, CP, SPKBK1, SPKBK2, MICBK, WLANBK ', BTBK', SPKBK1 ', SPMBK2' WLANCT Wireless LAN Control Circuit WLANIC High Frequency Signal Processing Chip WLANIC High Frequency Signal Processing Chip for Wireless LAN

Claims (19)

シリアルデータバスと、第1周波数の第1クロック信号が伝送されるクロックバスとに接続されるシリアルインタフェース回路を備え、
前記シリアルインタフェース回路は、
前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で2のN乗(Nは1以上の整数)個のデータを前記シリアルデータバスに順次送信し、前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で2のN乗(Nは1以上の整数)個のデータを前記シリアルデータバスから順次受信する第1モードと、
前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で1個のデータを前記シリアルデータバスに送信し、前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で1個のデータを前記シリアルデータバスから受信する第2モードとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
A serial interface circuit connected to a serial data bus and a clock bus to which a first clock signal having a first frequency is transmitted;
The serial interface circuit includes:
Within the period of one cycle of the first clock signal, 2 N (N is an integer of 1 or more) data is sequentially transmitted to the serial data bus, and 2 data is transmitted within the period of one cycle of the first clock signal. A first mode for sequentially receiving N-th power (N is an integer equal to or greater than 1) pieces of data from the serial data bus;
The first data is transmitted to the serial data bus within one cycle of the first clock signal, and the first data is received from the serial data bus within one cycle of the first clock signal. A semiconductor integrated circuit device comprising two modes.
請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルデータバス上のデータはNRZI信号であり、
前記シリアルインタフェース回路は、前記第1クロック信号の連続する第1番目から第M番目(Mは2以上の整数)までのクロックサイクルで前記シリアルデータバスとの間で、順次、データの送信または受信を行い、前記第1番目のクロックサイクルでは前記第1モードで動作し、前記M番目のクロックサイクルでは前記第2モードで動作することを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
The data on the serial data bus is an NRZI signal,
The serial interface circuit sequentially transmits or receives data to and from the serial data bus in the first to Mth (M is an integer of 2 or more) successive clock cycles of the first clock signal. The semiconductor integrated circuit device operates in the first mode in the first clock cycle and operates in the second mode in the Mth clock cycle.
請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルインタフェース回路は、
前記クロックバスからの前記第1クロック信号を受けて、前記第1クロック信号と同じ前記第1周波数を持つ第2クロック信号と、前記第2クロック信号の2のN乗倍の周波数を持つ第3クロック信号とを生成する第1クロック生成回路と、
前記第2モードの際には前記第2クロック信号を、前記第1モードの際には前記第3クロック信号をそれぞれ選択し、第1内部クロック信号として出力する第1選択回路と、
前記シリアルデータバスとの間でデータの送信または受信を行う複数の第1フリップフロップ回路とを備え、
前記第1内部クロック信号は、前記複数の第1フリップフロップ回路に供給されることを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 2.
The serial interface circuit includes:
Receiving the first clock signal from the clock bus, a second clock signal having the same first frequency as the first clock signal, and a third having a frequency of N times the second clock signal. A first clock generation circuit for generating a clock signal;
A first selection circuit for selecting the second clock signal in the second mode, selecting the third clock signal in the first mode, and outputting the first clock signal as a first internal clock signal;
A plurality of first flip-flop circuits that transmit or receive data to or from the serial data bus;
The semiconductor integrated circuit device, wherein the first internal clock signal is supplied to the plurality of first flip-flop circuits.
請求項3記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルデータバスおよび前記クロックバスは、SLIMbus(登録商標)規格に対応していることを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 3.
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the serial data bus and the clock bus correspond to a SLIMbus (registered trademark) standard.
請求項4記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルインタフェース回路は、自身が前記第1モードを備えていることを表す第1情報を保持し、
前記第1情報は、SLIMbus(登録商標)規格で定められるメッセージチャネルで前記シリアルデータバスに読み出し可能となっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 4.
The serial interface circuit holds first information indicating that it has the first mode,
The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the first information can be read out to the serial data bus by a message channel defined by a SLIMbus (registered trademark) standard.
請求項5記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルインタフェース回路は、前記第1クロック信号の連続するK個(Kは2以上の整数)のクロックサイクルを1個のスロットとして、連続するJ個(Jは2以上の整数)のスロットの期間で前記シリアルデータバスとの間でデータの送信または受信を行い、前記J個のスロット内の最終スロットとなるJ番目のスロットでは前記第2モードで動作し、1番目のスロットから(J−1)番目のスロットでは前記第1モードで動作することを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 5.
The serial interface circuit has a period of consecutive J (J is an integer greater than or equal to 2) slots, with one continuous clock cycle (K being an integer greater than or equal to 2) of the first clock signal as one slot. To transmit or receive data to or from the serial data bus, and operate in the second mode in the Jth slot, which is the last slot in the J slots, from the first slot (J-1 The semiconductor integrated circuit device operates in the first mode in the first slot.
請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置は、さらに、
前記シリアルインタフェース回路で受信したデータを無線通信用の周波数帯にアップコンバートする第1周波数変換回路と、
無線通信用の周波数帯を持つデータを所定の周波数帯にダウンコンバートし、前記シリアルインタフェース回路に向けて出力する第2周波数変換回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 6.
The semiconductor integrated circuit device further includes:
A first frequency conversion circuit for up-converting data received by the serial interface circuit to a frequency band for wireless communication;
A semiconductor integrated circuit device comprising: a second frequency conversion circuit that down-converts data having a frequency band for wireless communication to a predetermined frequency band and outputs the data to the serial interface circuit.
請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルインタフェース回路は、
前記第1周波数を持つ第4クロック信号と、前記第4クロック信号の2のN乗倍の周波数を持つ第5クロック信号とを生成する第1クロック生成回路と、
前記第2モードの際には前記第4クロック信号を、前記第1モードの際には前記第5クロック信号をそれぞれ選択し、第2内部クロック信号として出力する第2選択回路と、
前記シリアルデータバスとの間でデータの送信または受信を行う複数の第2フリップフロップ回路とを備え、
前記第4クロック信号は、前記第1クロック信号として前記クロックバスに出力され、
前記第2内部クロック信号は、前記複数の第2フリップフロップ回路に供給されることを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 2.
The serial interface circuit includes:
A first clock generation circuit for generating a fourth clock signal having the first frequency and a fifth clock signal having a frequency that is N times the second clock frequency of the fourth clock signal;
A second selection circuit for selecting the fourth clock signal in the second mode, selecting the fifth clock signal in the first mode, and outputting the second clock signal as a second internal clock signal;
A plurality of second flip-flop circuits that transmit or receive data to and from the serial data bus;
The fourth clock signal is output to the clock bus as the first clock signal,
The semiconductor integrated circuit device, wherein the second internal clock signal is supplied to the plurality of second flip-flop circuits.
NRZI信号が伝送されるシリアルデータバスと、第1周波数の第1クロック信号が伝送されるクロックバスとに接続されるシリアルインタフェース回路を備え、
前記シリアルインタフェース回路は、
前記第1クロック信号と同じ前記第1周波数を持つ第2クロック信号と、前記第2クロック信号の2のN乗倍(Nは1以上の整数)の周波数を持つ第3クロック信号とを生成する第1クロック生成回路と、
内部状態を第1モードか第2モードに設定する制御回路と、
前記第1モードの際には前記第3クロック信号を、前記第2モードの際には前記第2クロック信号をそれぞれ選択し、内部クロック信号として出力する選択回路と、
前記シリアルデータバス上のデータを前記内部クロック信号の立ち上がりエッジ・立ち下がりエッジの一方となる第1エッジでラッチする第1フリップフロップ回路と、
所定の送信データと前記第1フリップフロップ回路の出力との排他的論理和演算を行う第1演算回路と、
前記第1演算回路の出力を前記内部クロック信号の立ち上がりエッジ・立ち下がりエッジの他方となる第2エッジでラッチし、前記シリアルデータバスに向けて送信する第2フリップフロップ回路と、
前記第1フリップフロップ回路の出力を前記内部クロック信号の前記第1エッジでラッチする第3フリップフロップ回路と、
前記第1フリップフロップ回路の出力と前記第3フリップフロップ回路の出力との排他的論理和演算を行うことで受信データを復元する第2演算回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
A serial interface circuit connected to a serial data bus for transmitting an NRZI signal and a clock bus for transmitting a first clock signal having a first frequency;
The serial interface circuit includes:
Generating a second clock signal having the same first frequency as the first clock signal and a third clock signal having a frequency of N times the second clock signal (N is an integer of 1 or more). A first clock generation circuit;
A control circuit for setting the internal state to the first mode or the second mode;
A selection circuit that selects the third clock signal in the first mode, selects the second clock signal in the second mode, and outputs the second clock signal as an internal clock signal;
A first flip-flop circuit that latches data on the serial data bus at a first edge that is one of a rising edge and a falling edge of the internal clock signal;
A first arithmetic circuit that performs an exclusive OR operation between predetermined transmission data and the output of the first flip-flop circuit;
A second flip-flop circuit that latches an output of the first arithmetic circuit at a second edge that is the other of a rising edge and a falling edge of the internal clock signal, and transmits the latched signal to the serial data bus;
A third flip-flop circuit that latches the output of the first flip-flop circuit at the first edge of the internal clock signal;
A semiconductor integrated circuit device comprising: a second arithmetic circuit that restores received data by performing an exclusive OR operation on the output of the first flip-flop circuit and the output of the third flip-flop circuit.
請求項9記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルインタフェース回路は、前記第1クロック信号の連続する第1番目から第M番目(Mは2以上の整数)までのクロックサイクルで前記シリアルデータバスとの間で、順次、データの送信または受信を行い、
前記制御回路は、前記第1番目のクロックサイクルでは前記第1モードに設定し、前記M番目のクロックサイクルでは前記第2モードに設定することを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 9.
The serial interface circuit sequentially transmits or receives data to and from the serial data bus in the first to Mth (M is an integer of 2 or more) successive clock cycles of the first clock signal. And
The semiconductor integrated circuit device, wherein the control circuit sets the first mode in the first clock cycle and sets the second mode in the Mth clock cycle.
請求項10記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルデータバスおよび前記クロックバスは、SLIMbus(登録商標)規格に対応していることを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 10.
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the serial data bus and the clock bus correspond to a SLIMbus (registered trademark) standard.
請求項11記載の半導体集積回路装置において、
前記シリアルインタフェース回路は、前記第1クロック信号の連続するK個(Kは2以上の整数)のクロックサイクルを1個のスロットとして、連続するJ個(Jは2以上の整数)のスロットの期間で前記シリアルデータバスとの間でデータの送信または受信を行い、
前記制御回路は、前記J個のスロット内の最終スロットとなるJ番目のスロットでは前記第2モードに設定し、1番目のスロットから(J−1)番目のスロットでは前記第1モードに設定することを特徴とする半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device according to claim 11.
The serial interface circuit has a period of consecutive J (J is an integer greater than or equal to 2) slots, with one continuous clock cycle (K being an integer greater than or equal to 2) of the first clock signal as one slot. To send or receive data to or from the serial data bus,
The control circuit sets the second mode in the Jth slot, which is the last slot in the J slots, and sets the first mode in the (J−1) th slot from the first slot. A semiconductor integrated circuit device.
シリアルデータバスと、
第1周波数の第1クロック信号が伝送されるクロックバスと、
前記シリアルデータバスおよび前記クロックバスに接続される第1シリアルインタフェース回路を含んだ第1デバイスと、
前記シリアルデータバスおよび前記クロックバスに接続される第2シリアルインタフェース回路を含んだ第2デバイスと、
前記シリアルデータバスおよび前記クロックバスに接続される第3シリアルインタフェース回路を含んだ第3デバイスとを備え、
前記第1シリアルインタフェース回路は、前記クロックバスに前記第1クロック信号を供給し、
前記第2および前記第3シリアルインタフェース回路は、前記クロックバスから前記第1クロック信号が供給され、
前記第1および前記第2シリアルインタフェース回路は、
前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で2のN乗(Nは1以上の整数)個のデータを前記シリアルデータバスに順次送信し、前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で2のN乗(Nは1以上の整数)個のデータを前記シリアルデータバスから順次受信する第1モードと、
前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で1個のデータを前記シリアルデータバスに送信し、前記第1クロック信号の1サイクルの期間内で1個のデータを前記シリアルデータバスから受信する第2モードとを有し、
前記第1シリアルインタフェース回路は、前記第2シリアルインタフェース回路との間で通信を行う際には少なくとも一部の期間にて前記第1モードで動作することを特徴とする通信システム。
A serial data bus;
A clock bus through which a first clock signal of a first frequency is transmitted;
A first device including a first serial interface circuit connected to the serial data bus and the clock bus;
A second device including a second serial interface circuit connected to the serial data bus and the clock bus;
A third device including a third serial interface circuit connected to the serial data bus and the clock bus;
The first serial interface circuit supplies the first clock signal to the clock bus;
The second and third serial interface circuits are supplied with the first clock signal from the clock bus,
The first and second serial interface circuits are:
Within the period of one cycle of the first clock signal, 2 N (N is an integer of 1 or more) data is sequentially transmitted to the serial data bus, and 2 data is transmitted within the period of one cycle of the first clock signal. A first mode for sequentially receiving N-th power (N is an integer equal to or greater than 1) pieces of data from the serial data bus;
The first data is transmitted to the serial data bus within one cycle of the first clock signal, and the first data is received from the serial data bus within one cycle of the first clock signal. Two modes,
The communication system, wherein the first serial interface circuit operates in the first mode for at least a part of a period when communicating with the second serial interface circuit.
請求項13記載の通信システムにおいて、
前記第3シリアルインタフェース回路は、前記第1モードを備えずに前記第2モードを備え、
前記第1シリアルインタフェース回路は、前記第3シリアルインタフェース回路との間で通信を行う際には常に前記第2モードで動作することを特徴とする通信システム。
The communication system according to claim 13,
The third serial interface circuit includes the second mode without including the first mode,
The communication system, wherein the first serial interface circuit always operates in the second mode when communicating with the third serial interface circuit.
請求項13記載の通信システムにおいて、
前記シリアルデータバスおよび前記クロックバスは、SLIMbus(登録商標)規格に対応していることを特徴とする通信システム。
The communication system according to claim 13,
The communication system, wherein the serial data bus and the clock bus correspond to a SLIMbus (registered trademark) standard.
請求項15記載の通信システムにおいて、
前記第2シリアルインタフェース回路は、
前記クロックバスからの前記第1クロック信号を受けて、前記第1クロック信号と同じ前記第1周波数を持つ第2クロック信号と、前記第2クロック信号の2のN乗倍の周波数を持つ第3クロック信号とを生成する第1クロック生成回路と、
前記第2モードの際には前記第2クロック信号を、前記第1モードの際には前記第3クロック信号をそれぞれ選択し、第1内部クロック信号として出力する第1選択回路と、
前記シリアルデータバスとの間でデータの送信または受信を行う複数の第1フリップフロップ回路とを備え、
前記第1内部クロック信号は、前記複数の第1フリップフロップ回路に供給され、
前記第1シリアルインタフェース回路は、
前記第1周波数を持つ第4クロック信号と、前記第4クロック信号の2のN乗倍の周波数を持つ第5クロック信号とを生成する第2クロック生成回路と、
前記第2モードの際には前記第4クロック信号を、前記第1モードの際には前記第5クロック信号をそれぞれ選択し、第2内部クロック信号として出力する第2選択回路と、
前記シリアルデータバスとの間でデータの送信または受信を行う複数の第2フリップフロップ回路とを備え、
前記第4クロック信号は、前記第1クロック信号として前記クロックバスに出力され、
前記第2内部クロック信号は、前記複数の第2フリップフロップ回路に供給されることを特徴とする通信システム。
The communication system according to claim 15,
The second serial interface circuit includes:
Receiving the first clock signal from the clock bus, a second clock signal having the same first frequency as the first clock signal, and a third having a frequency of N times the second clock signal. A first clock generation circuit for generating a clock signal;
A first selection circuit for selecting the second clock signal in the second mode, selecting the third clock signal in the first mode, and outputting the first clock signal as a first internal clock signal;
A plurality of first flip-flop circuits that transmit or receive data to or from the serial data bus;
The first internal clock signal is supplied to the plurality of first flip-flop circuits;
The first serial interface circuit includes:
A second clock generation circuit for generating a fourth clock signal having the first frequency and a fifth clock signal having a frequency that is N times the second clock frequency of the fourth clock signal;
A second selection circuit for selecting the fourth clock signal in the second mode, selecting the fifth clock signal in the first mode, and outputting the second clock signal as a second internal clock signal;
A plurality of second flip-flop circuits that transmit or receive data to and from the serial data bus;
The fourth clock signal is output to the clock bus as the first clock signal,
The communication system, wherein the second internal clock signal is supplied to the plurality of second flip-flop circuits.
請求項16記載の通信システムにおいて、
前記第2シリアルインタフェース回路は、自身が前記第1モードを備えていることを表す第1情報を保持し、
前記第1シリアルインタフェース回路は、SLIMbus(登録商標)規格で定められるメッセージチャネルを用いて前記第1情報を前記シリアルデータバスを介して読み取ることを特徴とする通信システム。
The communication system according to claim 16, wherein
The second serial interface circuit holds first information indicating that it has the first mode,
The communication system, wherein the first serial interface circuit reads the first information through the serial data bus using a message channel defined by a SLIMbus (registered trademark) standard.
請求項16記載の通信システムにおいて、
前記シリアルデータバス上のデータはNRZI信号であり、
前記第1シリアルインタフェース回路は、前記第1クロック信号の連続するK個(Kは2以上の整数)のクロックサイクルを1個のスロットとして、連続するJ個(Jは2以上の整数)のスロットの期間で、前記第2シリアルインタフェース回路を対象として前記シリアルデータバスを介した通信を行い、前記J個のスロット内の最終スロットとなるJ番目のスロットでは前記第2モードで動作し、1番目のスロットから(J−1)番目のスロットでは前記第1モードで動作することを特徴とする通信システム。
The communication system according to claim 16, wherein
The data on the serial data bus is an NRZI signal,
The first serial interface circuit includes consecutive K (J is an integer equal to or greater than 2) slots, with one continuous clock cycle (K being an integer equal to or greater than 2) of the first clock signal as one slot. In this period, communication is performed via the serial data bus for the second serial interface circuit, and the J-th slot which is the last slot among the J slots operates in the second mode. The (J-1) th slot from the first slot operates in the first mode.
請求項16記載の通信システムにおいて、
前記シリアルデータバス上のデータはNRZI信号であり、
前記第1シリアルインタフェース回路は、前記第1クロック信号の連続するK個(Kは2以上の整数)のクロックサイクルを1個のスロットとして、連続するJ個(Jは2以上の整数)のスロットの期間で、前記第2シリアルインタフェース回路を対象として前記シリアルデータバスを介した通信を行い、続いて、I個(Iは1以上の整数)のスロットの期間で前記第3シリアルインタフェース回路を対象として前記シリアルデータバスを介した通信を行い、前記J個のスロット内の最終スロットとなるJ番目のスロットと前記I個のスロット内の最初のスロットとなる1番目のスロットとの間に1個以上の空きスロットが確保できる場合には、前記J個のスロットの期間にて前記第1モードで動作することを特徴とする通信システム。
The communication system according to claim 16, wherein
The data on the serial data bus is an NRZI signal,
The first serial interface circuit includes consecutive K (J is an integer equal to or greater than 2) slots, with one continuous clock cycle (K being an integer equal to or greater than 2) of the first clock signal as one slot. In the period, communication is performed via the serial data bus for the second serial interface circuit, and then the third serial interface circuit is targeted for a period of I slots (I is an integer of 1 or more). Communication is performed via the serial data bus, and there is one between the J-th slot, which is the last slot in the J slots, and the first slot, which is the first slot in the I slots. When the above empty slots can be secured, the communication system operates in the first mode during the period of the J slots.
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