JP2014177440A - フルオランテン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができるフルオランテン化合物、当該フルオランテン化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子、および当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】下式で示されるフルオランテン化合物。

【選択図】なし

Description

本発明は、フルオランテン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器に関する。

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する場合がある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層および該発光層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。

従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率化が要求されている。

特許文献１および２には、アントラセン化合物をホスト材料とし、フルオランテン化合物をドーパント材料とした有機ＥＬ素子が記載されている。

国際公開第２００８／０５９７１３号 国際公開第２００７／１０００１０号

しかしながら、有機ＥＬ素子の実用化のためには、さらなる高効率化が求められる。

そこで、本発明の目的は、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができるフルオランテン化合物、当該フルオランテン化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することにある。

本発明の一態様に係るフルオランテン化合物は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする。

（前記一般式（１）において、Ｒ_１〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、または
下記一般式（１ａ）で表される置換基であり、
Ｒ_７、Ｒ_１２は、それぞれ独立に、水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、または
下記一般式（１ａ）で表される置換基であるか、又は
Ｒ_１〜Ｒ_１２の内、少なくとも一つは、下記一般式（１ａ）で表される置換基であり、Ｒ_１〜Ｒ_１２の内、２つ以上が下記一般式（１ａ）で表される置換基である場合、互いに同一でも異なってもよい。）

（前記一般式（１ａ）において、Ｌ_１は、単結合、または連結基であり、
Ｌ_１における連結基は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１５の２価の複素環基である。
前記一般式（１ａ）において、Ａｒは、
置換もしくは無置換の２価の環形成炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の２価の環形成原子数５〜１５の複素環基である。
前記一般式（１ａ）において、ｎは、４以上２０以下の整数であり、複数のＡｒは、互いに同一であるかまたは異なる。また、隣接するＡｒは互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。隣接するＬ_１とＡｒとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
前記一般式（１ａ）において、Ｒ_Ａは、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基である。
なお、Ｒ_Ａは隣接するＡｒと互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）

一方、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、本発明のフルオランテン化合物を含むことを特徴とする。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された１層以上の有機層と、を有し、前記有機層は、本発明のフルオランテン化合物を含むことを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができるフルオランテン化合物、当該フルオランテン化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することができる。

本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。

〔フルオランテン化合物〕
本発明の一態様に係るフルオランテン化合物は、下記一般式（１）で表される。

（前記一般式（１）において、Ｒ_１〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、または
下記一般式（１ａ）で表される置換基であり、
Ｒ_７、Ｒ_１２は、それぞれ独立に、水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、または
下記一般式（１ａ）で表される置換基であるか、又は
Ｒ_１〜Ｒ_１２の内、少なくとも一つは、下記一般式（１ａ）で表される置換基であり、Ｒ_１〜Ｒ_１２の内、２つ以上が下記一般式（１ａ）で表される置換基である場合、互いに同一でも異なってもよい。）

（前記一般式（１ａ）において、Ｌ_１は、単結合、または連結基であり、
Ｌ_１における連結基は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１５の２価の複素環基である。
前記一般式（１ａ）において、Ａｒは、
置換もしくは無置換の２価の環形成炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の２価の環形成原子数５〜１５の複素環基である。
前記一般式（１ａ）において、ｎは、４以上２０以下の整数であり、複数のＡｒは、互いに同一であるかまたは異なる。また、隣接するＡｒは互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。隣接するＬ_１とＡｒとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
前記一般式（１ａ）において、Ｒ_Ａは、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基である。
なお、Ｒ_Ａは隣接するＡｒと互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）

前記一般式（１）におけるＲ_２〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_１２の内、いずれか一つが前記一般式（１ａ）で表される置換基であることが好ましく、前記一般式（１）におけるＲ_３またはＲ_４が、前記一般式（１ａ）で表される置換基であることがより好ましい。

前記一般式（１）におけるＲ_７およびＲ_１２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基であることが好ましい。

前記一般式（１）は、下記一般式（１１）で表されることがより好ましく、下記一般式（１２）で表されることがより好ましい。

（前記一般式（１１）において、Ｒ_７およびＲ_１２は、前記一般式（１）のＲ_７およびＲ_１２と同義である。Ｌ_１，Ａｒ，Ｒ_Ａ、ｎは前記一般式（１ａ）のＬ_１，Ａｒ，Ｒ_Ａ、ｎと同義である。）

（前記一般式（１２）において、Ｌ_１，Ａｒ，Ｒ_Ａ、ｎは前記一般式（１ａ）のＬ_１，Ａｒ，Ｒ_Ａ、ｎと同義である。）

また、前記一般式（１）におけるＲ_２およびＲ_９、Ｒ_３およびＲ_９、Ｒ_３およびＲ_１０、Ｒ_４およびＲ_９、Ｒ_４およびＲ_１０、Ｒ_５およびＲ_１０、Ｒ_７およびＲ_１２、並びにＲ_８およびＲ_１１のいずれか一つの組み合せが前記一般式（１ａ）で表される置換基であることが好ましい。 さらに、前記一般式（１ａ）で表される置換基が互いに同一であることが好ましい。
より好ましくは、前記一般式（１）におけるＲ_７およびＲ_１２が前記一般式（１ａ）で表される置換基である。
特に好ましくは、さらに、前記前記一般式（１）におけるＲ_３またはＲ_４が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基である。

また、前記一般式（１ａ）において、ｎは４以上２０以下の整数であることが好ましく、５以上２０以下の整数であることがより好ましく、６以上２０以下の整数であることが特に好ましい。

また、前記一般式（１ａ）は、下記一般式（１ｂ）で表される置換基であっても好ましい。

（前記一般式（１ｂ）において、Ｌ_１およびＲ_Ａは、それぞれ、前記一般式（１ａ）におけるＬ_１およびＲ_Ａと同義である。
前記一般式（１ｂ）において、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）おけるＡｒと同義である。
前記一般式（１ｂ）において、ｎは、２以上１０以下の整数である。
隣接するＡｒ_１とＡｒ_２とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
また、隣接するＡｒ_２とＲ_Ａとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
隣接するＡｒ_１とＬ_１とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）

また、般式（１ａ）は、下記一般式（１ｃ）で表される置換基であっても好ましい。

（前記一般式（１ｃ）において、Ｌ_１およびＲ_Ａは、それぞれ、前記一般式（１ａ）におけるＬ_１およびＲ_Ａと同義である。
前記一般式（１ｃ）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）おけるＡｒと同義である。
前記一般式（１ｃ）において、ｎは、２以上６以下の整数である。
隣接するＡｒ_１とＡｒ_２とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
また、隣接するＡｒ_２とＡｒ_３とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
隣接するＡｒ_３とＲ_Ａとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
隣接するＡｒ_１とＬ_１とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）

前記一般式（１ａ）におけるＡｒは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換の９、９−ジメチルフルオレニル基であることが好ましい。

前記一般式（１ａ）におけるＡｒは、下記式１−１から式１−２１までで表される置換基からなる群から選ばれる置換基であってもが好ましい。

（前記式１−５におけるＲ_Ｂ、Ｒ_Ｃおよび前記式１−１５におけるＲ_Ｄは、それぞれ独立に、無置換のメチル基またはフェニル基である。）

これらの中でも、前記一般式（１ａ）におけるＡｒは、前記式１−１〜１−５のいずれかから選ばれる置換基であることが好ましく、前記式１−１、１−２、１−３、１−５から選ばれる置換基であることがより好ましく、前記式１−１で表される置換基であることがさらに好ましい。なお、前記一般式（１ａ）におけるＡｒが１−５から選ばれる置換基である場合、Ｒ_ＢおよびＲ_Ｃがメチル基である９，９−ジメチルフルオレニル基であることが好ましい。

また、一般式（１ｂ）で表される置換基の−Ａｒ_１−Ａｒ_２−からなる部分構造は、下記式２−１〜２−５で表される構造であることが好ましい。

また、一般式（１ｃ）で表される置換基の−Ａｒ_１−Ａｒ_２−Ａｒ_３−からなる部分構造は、下記式３−１〜式３−１１で表される構造の内、いずれかであることが好ましい。

また、前記一般式（１ａ）〜（１ｃ）において、Ｒ_Ａは、水素原子であることが好ましく、Ａｒ、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３はいずれも置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素基であることが好ましい。

さらに、前記一般式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）において、Ｌ_１は、単結合であるかまたは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基であることが好ましい。Ｌ_１が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基である場合、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のナフチレン基、置換または無置換のフェナントレンジイル基、または置換または無置換のフルオレニレン基であることが好ましく、前記式１−１、１−２、１−３および１−５のいずれかであることが好ましい。Ｌ_１が前記式１−５で表される場合、Ｒ_ＢおよびＲ_Ｃは、メチル基であることが好ましい。

前記一般式（１ａ）において−Ｌ_１−（Ａｒ）_ｎ−で表される構造、前記一般式（１ｂ）において、−Ｌ_１−（Ａｒ_１−Ａｒ_２）_ｎ−で表される構造、前記一般式（１ｃ）において、−Ｌ_１−（Ａｒ_１−Ａｒ_２−Ａｒ_３）_ｎ−で表される構造において、芳香族炭化水素基および複素環基の単環と縮合環とが、５個以上２０個以下連結した構造であることがより好ましく、６個以上２０個以下連結した構造であることがさらに好ましい。ここで、連結とは、縮合を含まず、縮合環については、縮合環の数に関わらず１個と数える。例えば、ナフチレン基は、１個と数える。ただし、例えば、下記式（Ａ）や式（Ｂ）で表される基は２個と数え、例えば、下記式（Ｃ）で表されるラダー型の基では３個と数える。また、例えば、ビフェニル基は、芳香族炭化水素基の単環であるフェニレン基を２つ有する基であるので、２個と数える。

（前記式（Ａ）において、Ｒ_ＤおよびＲ_Ｅは、それぞれ独立に無置換のメチル基またはフェニル基である。
前記式（Ｂ）および（Ｃ）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、ＮＲ_Ｆ、ＣＲ_ＧＲ_Ｈ、ＳｉＲ_ＩＲ_Ｊ、またはＧｅＲ_ＫＲ_Ｌである。
Ｒ_Ｆ〜Ｒ_Ｌは、それぞれ独立に、前記一般式（１）のＲ_１〜Ｒ_６およびＲ_８〜Ｒ_１１と同義である。）

次に前記一般式（１），（１ａ）〜（１ｃ），（１１），（１２）（以下、これらの一般式をまとめて、一般式（１）等という）に記載の各置換基について説明する。

前記一般式（１）のＲ_１〜Ｒ_６およびＲ_８〜Ｒ_１１における環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基が挙げられる。

前記一般式（１ａ）のＡｒおよびＬ_１、前記一般式（１ｂ）〜（１ｃ）のＡｒ_１〜Ａｒ_３における環形成炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ_１〜Ｒ_６およびＲ_８〜Ｒ_１１における環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基のうち、環形成炭素数が６〜１３のものを挙げることができる。すなわち、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基が挙げられる。
なお、上記芳香族炭化水素基として、フルオレニル基が選択される場合、９位に２つのアルキル基又はアリール基を置換基として有することが好ましい。９位にアルキル基が置換する場合は、メチル基を置換基として有する９、９−ジメチルフルオレニル基であることが特に好ましい。また、９位にアリール基が置換する場合は、フェニル基を置換基として有する９、９−ジフェニルフルオレニル基であることが特に好ましい。

前記一般式（１）のＲ_７およびＲ_１２における環形成炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ_１〜Ｒ_６およびＲ_８〜Ｒ_１１における環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基のうち、環形成炭素数が６〜１２のものを挙げることができる。すなわち、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基が挙げられる。

前記一般式（１）のＲ_１〜Ｒ_１２における環形成原子数５〜３０の複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などが挙げられる。
本実施形態における複素環基の環形成原子数は、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が特に好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本実施形態における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。

前記一般式（１ａ）のＡｒおよびＬ_１、前記一般式（１ｂ）〜（１ｃ）のＡｒ_１〜Ａｒ_３環形成原子数５〜１５の複素環基としては、前記一般式（１）のＲ_１〜Ｒ_１２における環形成原子数５〜３０の複素環基のうち、環形成原子数が５〜１５のものを挙げることができる。すなわち、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基が挙げられる。

前記一般式（１）等における炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、が挙げられる。
前記一般式（１）等における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が特に好ましい。
本実施形態におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。

前記一般式（１）等における炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（１）等における環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
ここで、環形成炭素数６〜３０のアリール基（芳香族炭化水素基）としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基などが挙げられる。
本実施形態における芳香族炭化水素基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であることが更に好ましい。上記芳香族炭化水素基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本実施形態における置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基が置換されていることが好ましく、無置換のメチル基が置換されていることが特に好ましい。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。

前記一般式（１）等における炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＺ_１と表される。このＺ_１の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基があげられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。

前記一般式（１）等における環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ_２と表される。このＺ_２の例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。

前記一般式（１）等における炭素数２〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＲ_Ｖ、または−Ｎ（Ｒ_Ｖ）_２と表される。このＲ_Ｖの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。

前記一般式（１）等における環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基は、−ＮＨＲ_Ｗ、または−Ｎ（Ｒ_Ｗ）_２と表される。このＲ_Ｗの例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。

前記一般式（１）等における炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＲ_Ｖと表される。このＲ_Ｖの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基は、−ＳＲ_Ｗと表される。このＲ_Ｗの例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。

前記一般式（１）等におけるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
また、本発明において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

また、本発明において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のような芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基）、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基が挙げられる。その他、アルケニル基やアルキニル基も挙げられる。
ここで挙げた置換基の中では、芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基がより好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。

以下に一般式（１）および（１１）〜（１２）で表されるフルオランテン化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。

［有機ＥＬ素子用材料］
本発明の一態様に係る上記フルオランテン化合物は、有機ＥＬ素子用材料として用いることができる。

［有機ＥＬ素子］
（有機ＥＬ素子の素子構成）
以下、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、一対の電極間に有機層を備える。この有機層は、有機化合物で構成される層を少なくとも一層、有する。有機層は、無機化合物を含んでいてもよい。
有機ＥＬ素子において、有機層のうち少なくとも１層は、発光層を有する。そのため、有機層は、例えば、一層の発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の有機ＥＬ素子で採用される層を有していてもよい。

有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／障壁層／電子注入・輸送層／陰極
などの構造を挙げることができる。
上記の中で（ｄ）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
なお、上記「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極側に電子注入層が設けられていることが好ましい。

なお、電子輸送層といった場合には、発光層と陰極との間に存在する電子輸送領域の有機層のうち、最も電子移動度の高い有機層をいう。電子輸送領域が一層で構成されている場合には、当該層が電子輸送層である。また、燐光型の有機ＥＬ素子においては、構成（ｅ）に示すように発光層で生成された励起エネルギーの拡散を防ぐ目的で必ずしも電子移動度が高くない障壁層を発光層と電子輸送層との間に採用することがあり、発光層に隣接する有機層が電子輸送層に必ずしも該当しない。

図１に、本発明の一実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を有する。
有機層１０は、ホスト材料およびドーパント材料を含む発光層５を有する。また、有機層１０は、発光層５と陽極３との間に、正孔輸送層６を有する。さらに、有機層１０は、発光層５と陰極４との間に、電子輸送層７を有する。

（発光層）
有機ＥＬ素子の発光層は電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法（Langmuir Blodgett法）により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。

・ドーパント材料
本実施形態においては、上述した前記一般式（１）で表されるフルオランテン化合物をドーパント材料として用いることが好ましい。
前記一般式（１）で表されるフルオランテン化合物は、上記一般式（１ａ）で表される構造を有する。一般式（１ａ）においてＡｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１５の２価の複素環基であり、これらがｎ個連結されることにより、共役系が長く延びた構造を有する。ここでｎは５以上２０以下の整数であり、Ａｒが結合するＬ_１が連結基である場合には、さらに長い共役系が形成される。従来から化合物の共役系が延伸された化合物は知られているが、前記一般式（１ａ）で表される構造の共役系は、従来の化合物に比べて長く、このように長い共役系を有する化合物をドーパント材料として用いることは検討されていない。前記一般式（１）で表されるフルオランテン化合物は、一般式（１ａ）が長く延びた共役系を有することにより、配向性が高くなっている。このフルオランテン化合物をドーパント材料に用いると、高い配向性が寄与して、有機ＥＬ素子の発光効率が向上すると考えられる。

なお、発光層が前記フルオランテン化合物をドーパント材料として含むとき、発光層における前記フルオランテン化合物の含有量は、０．１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。

・ホスト材料
本実施形態においては、下記一般式（１００）で表されるアントラセン誘導体をホスト材料として用いることが好ましい。

（前記一般式（１００）において、Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、又は、
前記単環基と前記縮合環基から選ばれる２〜３個の基が結合して形成される連鎖基である。
なお、前記連鎖基において、前記連鎖基を構成する前記単環基および前記縮合環基は、互いに同一または異なり、前記連鎖基を構成する基は、互いに結合して環を形成していてもよい。
前記一般式（１００）において、Ｒ^１０１からＲ^１０８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、又は
前記単環基と前記縮合環基から選ばれる２〜３個の基が結合して形成される連鎖基、のいずれかから選ばれる。
隣接するＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。また、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８とアントラセン環を構成する炭素原子は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
Ａｒ^１０１又はＡｒ^１０２と隣接するＲ^１０１、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５又はＲ^１０８は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。また、Ａｒ^１０１又はＡｒ^１０２とアントラセン環を構成する炭素原子は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）

前記一般式（１００）において、縮合環基とは、２環以上の環構造が縮環した基であり、例えば、前記一般式（１）における、Ｒ^１〜Ｒ^１０において説明した芳香族炭化水素基および複素環基のうち、２環以上の環構造が縮環した基を用いることができる。
また、前記一般式（１００）において、単環基とは、２環以上の環構造が縮環したものを含まない単環の基であり、例えば、前記一般式（１）における、Ｒ^１〜Ｒ^１０において説明した芳香族炭化水素基および複素環基のうち、単環の基を用いることができる。

前記単環基の環形成原子数は、５〜３０であり、好ましくは５〜２０である。前記単環基として、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基等の芳香族炭化水素基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基が好ましい。

前記縮合環基の環形成原子数は、１０〜３０であり、好ましくは１０〜２０である。前記縮合環基として、例えば、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が挙げられる。これらの中でも、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基が好ましい。

前記一般式（１００）における、前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される連鎖基としては、例えば、アントラセン環側から順にフェニル基、ナフチル基、フェニル基が結合して組み合わされた基が挙げられる（下記化合物ＥＭ５０等参照）。

前記一般式（１００）におけるＲ^１０１からＲ^１０８までのアルキル基、シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、ハロゲン原子の具体例は、前記一般式（１）におけるＲ^１〜Ｒ^１０にて説明したものと同様であり、シクロアルキル基は、上記例示と同様である。
前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２、並びにＲ^１０１からＲ^１０８までの「置換若しくは無置換」の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子（特にフッ素）が挙げられる。特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体的な置換基は上述の一般式（１００）の各基および上述の一般式（１）等における各基と同様である。
また、一般式（１００）において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

一般式（１００）で表されるアントラセン誘導体は、下記アントラセン誘導体（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）のいずれかであることが好ましく、適用する有機ＥＬ素子の構成や求める特性により選択される。

・アントラセン誘導体（Ａ）
アントラセン誘導体（Ａ）は、一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。アントラセン誘導体（Ａ）としては、Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２が同一の置換若しくは無置換の縮合環基である場合と、Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２が異なる置換若しくは無置換の縮合環基である場合とに分けることができる。Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２が異なる場合には、置換位置が異なる場合も含まれる。

アントラセン誘導体（Ａ）としては、一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が異なる置換若しくは無置換の縮合環基であるアントラセン誘導体が特に好ましい。
アントラセン誘導体（Ａ）の場合、一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２における縮合環基の好ましい具体例は、上述した通りである。中でもナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基が好ましい。

・アントラセン誘導体（Ｂ）
アントラセン誘導体（Ｂ）は、一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２の一方が、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０の芳香族炭化水素基であり、他方が、置換若しくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
アントラセン誘導体（Ｂ）の好ましい形態としては、Ａｒ^１０２が、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基およびジベンゾフラニル基から選択され、Ａｒ^１０１が、無置換のフェニル基または前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかが置換されたフェニル基である場合が挙げられる。
アントラセン誘導体（Ｂ）の場合、好ましい単環基および縮合環基の具体的な基は上述した通りである。

アントラセン誘導体（Ｂ）別の好ましい形態としては、Ａｒ^１０２が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基であり、Ａｒ^１０１が、無置換のフェニル基である場合が挙げられる。この場合、縮合環基として、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。

・アントラセン誘導体（Ｃ）
アントラセン誘導体（Ｃ）は、一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基となっている。
アントラセン誘導体（Ｃ）の好ましい形態として、Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である場合が挙げられる。
アントラセン誘導体（Ｃ）のさらに好ましい形態として、Ａｒ^１０１が、無置換のフェニル基であり、Ａｒ^１０２が、前記単環基である場合と、Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である場合とが挙げられる。

一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が有する前記置換基としての好ましい単環基および縮合環基の具体例は、上述した通りである。置換基としての芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基がさらに好ましく、置換基としての縮合環基は、ナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基がさらに好ましい。

一般式（１００）で表されるアントラセン誘導体の構造としては、例えば、次のようなものが挙げられる。但し、本発明においては、これらの構造のアントラセン誘導体に限定されない。

上記一般式（１００Ａ）において、Ｒ^１０１およびＲ^１０５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、前記単環基と前記縮合環基から選ばれる２〜３個の基が結合して形成される連鎖基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ、または置換もしくは無置換のシリル基である。

上記一般式（１００Ａ）において、Ａｒ^１２１およびＡｒ^１１１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ａ）において、Ａｒ^１２２およびＡｒ^１１２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ａ）において、Ａｒ^１２３およびＡｒ^１１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。

上記一般式（１００Ｂ）において、Ａｒ^１２１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｂ）において、Ａｒ^１２２およびＡｒ^１１２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｂ）において、Ａｒ^１２３およびＡｒ^１１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。

上記一般式（１００Ｃ）において、Ａｒ^１２２は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｃ）において、Ａｒ^１１２は、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｃ）において、Ａｒ^１２３およびＡｒ^１１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。

上記一般式（１００Ｄ）において、Ａｒ^１２２は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｄ）において、Ａｒ^１１２は、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｄ）において、Ａｒ^１２３およびＡｒ^１１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。

上記一般式（１００Ｅ）において、Ａｒ^１２２およびＡｒ^１１２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環２価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環２価残基である。
上記一般式（１００Ｅ）において、Ａｒ^１２３およびＡｒ^１１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。

前記一般式（１００Ａ）〜（１００Ｅ）において、Ａｒ^１１１からＡｒ^{１１３まで}およびＡｒ^１２１からＡｒ^１２３までの「置換若しくは無置換」の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子（特にフッ素）が挙げられる。特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体的な置換基は上述の一般式（１００）の各基および上述の一般式（１）等における各基と同様である。
また、一般式（１００Ａ）〜（１００Ｅ）においても、水素原子は、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

本実施形態のフルオランテン化合物と共に発光層に使用できる上記一般式（１００）以外の材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン等の縮合多環芳香族化合物およびそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（正孔注入・輸送層）
正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが小さい。
正孔注入層及び正孔輸送層を形成する材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、例えば、芳香族アミン化合物が好適に用いられる。また、正孔注入層の材料としては、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物またはスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、特に、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）などの芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

（電子注入・輸送層）
電子注入・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい化合物が用いられる。
電子注入・輸送層に用いられる化合物としては、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する複素環化合物が好ましい。

なお、有機ＥＬ素子において、発光層以外の有機層には、上述の例示した化合物以外に、従来の有機ＥＬ素子において使用される材料の中から任意の化合物を選択して用いることができる。

（基板）
有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。この透光性基板は、有機ＥＬ素子を構成する陽極、有機層、陰極等を支持する基板であり、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
透光性基板としては、ガラス板やポリマー板などが挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などを原料として用いてなるものを挙げられる。
またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォンなどを原料として用いてなるものを挙げることができる。

（陽極および陰極）
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。
陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅などが挙げられる。
発光層からの発光を陽極側から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□（Ω／ｓｑ。オーム・パー・スクウェア。）以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ以上１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選択される。

陰極としては、発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金などが使用できる。
陰極も、陽極と同様に、蒸着法などの方法で、例えば、電子輸送層や電子注入層上に薄膜を形成できる。また、陰極側から、発光層からの発光を取り出す態様を採用することもできる。発光層からの発光を陰極側から取り出す場合、陰極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。
陰極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。
陰極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ以上１μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選択される。

（有機ＥＬ素子の各層の形成方法）
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。有機ＥＬ素子に用いる有機層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法、ＭＢＥ; Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。特に、本実施形態の発光層は、上記した各種塗布法により、より好適に形成することができる。

（有機ＥＬ素子の各層の膜厚）
発光層の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上５０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、発光層を形成し易くなり、色度を調整し易くなる。発光層の膜厚を５０ｎｍ以下とすることで、駆動電圧の上昇を抑制できる。
その他の各有機層の膜厚は特に制限されないが、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。このような膜厚範囲とすることで、膜厚が薄すぎることに起因するピンホール等の欠陥を防止するとともに、膜厚が厚すぎることに起因する駆動電圧の上昇を抑制し、効率の悪化を防止できる。

［電子機器］
本発明の有機ＥＬ素子は、テレビ、携帯電話、若しくはパーソナルコンピュータ等の表示装置、又は照明、若しくは車両用灯具の発光装置等の電子機器として好適に使用できる。

［実施形態の変形］
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれるものである。

発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が、前記一般式（１）で表されるフルオランテン化合物を含有していればよく、その他の発光層が蛍光発光型の発光層であっても、燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

本発明では、前記発光層が電荷注入補助材を含有していることも好ましい。
エネルギーギャップが広いホスト材料を用いて発光層を形成した場合、ホスト材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と正孔注入・輸送層等のＩｐとの差が大きくなり、発光層への正孔の注入が困難となり、十分な輝度を得るための駆動電圧が上昇するおそれがある。
このような場合、発光層に、正孔注入・輸送性の電荷注入補助剤を含有させることで、発光層への正孔注入を容易にし、駆動電圧を低下させることができる。

電荷注入補助剤としては、例えば、一般的な正孔注入・輸送材料等が利用できる。
具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。

正孔注入性の材料としては前記のものを挙げることができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物が好ましい。

また、２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、またトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
また、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等も正孔注入性の材料として好適に用いることができる。
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料として使用することができる。

さらに、上記実施形態においては、本発明のフルオランテン化合物を発光層においてドーパント材料として用いたが、本発明のフルオランテン化合物は、発光層の他、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等のその他の有機層にも用いることもできる。

次に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。

・化合物１の合成

アルゴン雰囲気下、３−（６−ブロモ−２−ナフチル）−７，１２−ジフェニルベンゾ［ｋ］フルオランテン（５ｇ）、ボロン酸１（２．９ｇ）、トルエン−ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）の１：１の混合溶媒（１６４ｍｌ）の混合物に、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１４ｍｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（０．４７ｇ）を加え、還流下で１１時間攪拌した。室温まで冷却後、固体を濾取し、水、次いでメタノールで洗浄した。得られた固体を熱トルエン（７００ｍｌ）に溶かしシリカゲルを加えた後に攪拌し、その後濾過してシリカゲルを除いた。得られた個体をメタノールで洗浄し、化合物１を５．０５ｇ 得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により化合物１と同定した。
ＦＤＭＳ，ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_６０Ｈ_３８＝７５８，ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝７５８（Ｍ^＋）

１…有機ＥＬ素子
２…基板
３…陽極
４…陰極
５…発光層
６…正孔輸送層
７…電子輸送層
１０…有機層

Claims (27)

1. 下記一般式（１）で表されるフルオランテン化合物。
   （前記一般式（１）において、Ｒ_１〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
   置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、または
   下記一般式（１ａ）で表される置換基であり、
   Ｒ_７、Ｒ_１２は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、または
   下記一般式（１ａ）で表される置換基であるか、又は
   Ｒ_１〜Ｒ_１２の内、少なくとも一つは、下記一般式（１ａ）で表される置換基であり、Ｒ_１〜Ｒ_１２の内、２つ以上が下記一般式（１ａ）で表される置換基である場合、互いに同一でも異なってもよい。）
   （前記一般式（１ａ）において、Ｌ_１は、単結合、または連結基であり、
   Ｌ_１における連結基は、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基、または
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１５の２価の複素環基である。
   前記一般式（１ａ）において、Ａｒは、
   置換もしくは無置換の２価の環形成炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基、または
   置換もしくは無置換の２価の環形成原子数５〜１５の複素環基
   である。
   前記一般式（１ａ）において、ｎは、４以上２０以下の整数であり、複数のＡｒは、互いに同一であるかまたは異なる。また、隣接するＡｒは互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。隣接するＬ_１とＡｒとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
   前記一般式（１ａ）において、Ｒ_Ａは、
   水素原子、
   ハロゲン原子、
   ヒドロキシル基、
   シアノ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
   置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、又は
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基である。
   なお、Ｒ_Ａは隣接するＡｒと互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）
2. 請求項１に記載のフルオランテン化合物において、
   前記一般式（１）におけるＲ_２〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_１２の内、いずれか一つが前記一般式（１ａ）で表される置換基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
3. 請求項２に記載のフルオランテン化合物において、
   前記一般式（１）におけるＲ_３またはＲ_４が、前記一般式（１ａ）で表される置換基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
4. 請求項３に記載のフルオランテン化合物において、
   前記一般式（１）におけるＲ_７およびＲ_１２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
5. 請求項１に記載のフルオランテン化合物において、
   前記一般式（１）におけるＲ_２およびＲ_９、Ｒ_３およびＲ_９、Ｒ_３およびＲ_１０、Ｒ_４およびＲ_９、Ｒ_４およびＲ_１０、Ｒ_５およびＲ_１０、Ｒ_７およびＲ_１２、並びにＲ_８およびＲ_１１のいずれか一つの組み合せが前記一般式（１ａ）で表される置換基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
6. 請求項５に記載のフルオランテン化合物において、
   前記一般式（１ａ）で表される置換基が互いに同一である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
7. 請求項５または請求項６に記載のフルオランテン化合物において、
   前記前記一般式（１）におけるＲ_７およびＲ_１２が前記一般式（１ａ）で表される置換基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
8. 請求項７に記載のフルオランテン化合物において、
   前記前記一般式（１）におけるＲ_３またはＲ_４が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
9. 請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のフルオランテン化合物において、
   前記一般式（１ａ）は、下記一般式（１ｂ）で表される置換基である
   ことを特徴とするフルオランテン化合物。
   （前記一般式（１ｂ）において、Ｌ_１およびＲ_Ａは、それぞれ、前記一般式（１ａ）におけるＬ_１およびＲ_Ａと同義である。
   前記一般式（１ｂ）において、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）おけるＡｒと同義である。
   前記一般式（１ｂ）において、ｎは、２以上１０以下の整数である。
   隣接するＡｒ_１とＡｒ_２とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
   また、隣接するＡｒ_２とＲ_Ａとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
   隣接するＡｒ_１とＬ_１とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）
10. 請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のフルオランテン化合物において、
    前記一般式（１ａ）は、下記一般式（１ｃ）で表される置換基である
    ことを特徴とするフルオランテン化合物。
    （前記一般式（１ｃ）において、Ｌ_１およびＲ_Ａは、それぞれ、前記一般式（１ａ）におけるＬ_１およびＲ_Ａと同義である。
    前記一般式（１ｃ）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）おけるＡｒと同義である。
    前記一般式（１ｃ）において、ｎは、２以上６以下の整数である。
    隣接するＡｒ_１とＡｒ_２とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
    また、隣接するＡｒ_２とＡｒ_３とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
    隣接するＡｒ_３とＲ_Ａとが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
    隣接するＡｒ_１とＬ_１とが互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）
11. 請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載のフルオランテン化合物において、
    前記一般式（１ａ）におけるＡｒは、下記式１−１から式１−２１までで表される置換基からなる群から選ばれる置換基であることを特徴とするフルオランテン化合物。
    （前記式１−５におけるＲ_Ｂ、Ｒ_Ｃおよび前記式１−１５におけるＲ_Ｄは、それぞれ独立に、無置換のメチル基またはフェニル基である。）
12. 請求項１１に記載のフルオランテン化合物において、
    前記一般式（１ａ）におけるＡｒは、前記式１−１で表される置換基である
    ことを特徴とするフルオランテン化合物。
13. 請求項９に記載のフルオランテン化合物において、
    前記一般式（１ｂ）で表される置換基の−Ａｒ_１−Ａｒ_２−からなる部分構造は、下記式２−１〜式２−５で表される構造である
    ことを特徴とするフルオランテン化合物。
    
14. 請求項１０に記載のフルオランテン化合物において、
    前記一般式（１ｃ）で表される置換基の−Ａｒ_１−Ａｒ_２−Ａｒ_３−からなる部分構造は、下記式３−１〜式３−１１で表される構造の内、いずれかである
    ことを特徴とするフルオランテン化合物。
    
15. 請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載のフルオランテン化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
16. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に配置された少なくとも１層以上の有機層と、を有し、
    前記有機層の内、少なくともいずれかの有機層は、請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載のフルオランテン化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記有機層の内、少なくとも１層は、前記フルオランテン化合物を含有する発光層である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
18. 請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記発光層は、さらに下記一般式（１００）で表されるアントラセン誘導体を含む
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（１００）において、Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２は、それぞれ独立に、
    置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
    置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、又は、
    前記単環基と前記縮合環基から選ばれる２〜３個の基が結合して形成される連鎖基である。
    なお、前記連鎖基において、前記連鎖基を構成する前記単環基および前記縮合環基は、互いに同一または異なり、前記連鎖基を構成する基は、互いに結合して環を形成していてもよい。
    前記一般式（１００）において、Ｒ^１０１からＲ^１０８までは、それぞれ独立に、
    水素原子、
    ハロゲン原子、
    ヒドロキシル基、
    シアノ基、
    置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールシリル基、
    置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
    置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
    置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基
    置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
    置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、又は
    前記単環基と前記縮合環基から選ばれる２〜３個の基が結合して形成される連鎖基、のいずれかから選ばれる。
    隣接するＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。また、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８とアントラセン環を構成する炭素原子は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
    Ａｒ^１０１又はＡｒ^１０２と隣接するＲ^１０１、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５又はＲ^１０８は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。また、Ａｒ^１０１又はＡｒ^１０２とアントラセン環を構成する炭素原子は、互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。）
19. 請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合環基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２の一方が、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の単環基であり、他方が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合環基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
21. 請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０２が、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基およびジベンゾフラニル基から選択され、
    Ａｒ^１０１が、無置換のフェニル基または前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかが置換されたフェニル基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
22. 請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合環基であり、Ａｒ^１０１が、無置換のフェニル基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
23. 請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の単環基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
24. 請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
25. 請求項２４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１が、無置換のフェニル基であり、Ａｒ^１０２が前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
26. 請求項２４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１００）におけるＡｒ^１０１およびＡｒ^１０２が、それぞれ独立に、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
27. 請求項１６から請求項２６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする電子機器。